JP2021163735A - Method for producing conductive member - Google Patents

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順矢 小川
Junya Ogawa
貴登 鈴木
Takato Suzuki
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Abstract

To provide a method for producing a conductive member having a conductive fine line having excellent conductivity.SOLUTION: A method for producing a conductive member has step 1 of forming, on a base material, a silver-containing layer in a fine line shape including metal silver and a polymer compound, including cavities inside, and having a line width of 2.0 μm or less, and step 2 of plating the silver-containing layer with a plating agent including a compound I represented by general formula (I) and metal ions, to form a conductive fine line.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、導電性部材の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a conductive member.

導電性細線(導電性を示す細線状の配線)を有する導電性部材は、タッチパネル、太陽電池、及び、EL(エレクトロルミネッセンス:Electro luminescence)素子等の種々の用途に幅広く利用されている。特に、近年、携帯電話及び携帯ゲーム機器へのタッチパネルの搭載率が上昇しており、多点検出が可能な静電容量方式のタッチパネル用の導電性部材の需要が急速に拡大している。
導電性部材の製造方法としては、特許文献1において、ハロゲン化銀を含む感光性層に、露光処理、及び、現像処理等を順次実施して、金属銀を含む導電性細線を形成する方法が開示されている。
Conductive members having conductive thin wires (wires in the form of thin wires showing conductivity) are widely used in various applications such as touch panels, solar cells, and EL (Electroluminescence) elements. In particular, in recent years, the mounting rate of touch panels on mobile phones and mobile game devices has been increasing, and the demand for conductive members for capacitive touch panels capable of detecting multiple points is rapidly expanding.
As a method for manufacturing a conductive member, in Patent Document 1, a method of sequentially performing an exposure treatment, a development treatment, and the like on a photosensitive layer containing silver halide to form a conductive thin wire containing metallic silver. It is disclosed.

特開2007−129205号公報JP-A-2007-129205

一方で、近年、導電性細線のより一層の細線化が求められている。
本発明者は、特許文献1に開示される方法に従って、幅がより低減された(例えば、幅が2.0μm以下)導電性細線の形成を試みたところ、得られた導電性細線の導電性が不十分であることを知見した。
On the other hand, in recent years, there has been a demand for further thinning of conductive thin wires.
The present inventor tried to form a conductive thin wire having a width further reduced (for example, a width of 2.0 μm or less) according to the method disclosed in Patent Document 1, and the conductivity of the obtained conductive thin wire was obtained. Was found to be inadequate.

本発明は、上記実情に鑑みて、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性部材の製造方法を提供することを課題とする。 In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a conductive member having a thin conductive wire having excellent conductivity.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。 As a result of diligent studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by the following configurations.

〔1〕
基材上に、金属銀と高分子化合物とを含み、内部に空隙を有し、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層を形成する工程1と、上記銀含有層に対して、後述する一般式(I)で表される化合物Iと金属イオンとを含むめっき処理剤を用いてめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程2とを有する、導電性部材の製造方法。
〔2〕
上記めっき処理剤が、化合物I、上記金属イオン及び水を含むめっき液である、〔1〕に記載の導電性部材の製造方法。
〔3〕
上記めっき液中の化合物Iの含有量が、上記めっき液に対して0.01〜0.2モル/Lである、〔2〕に記載の導電性部材の製造方法。
〔4〕
上記めっき処理剤が、上記金属イオン及び水を含む金属イオン含有液と、化合物I及び水を含む還元液とからなるめっきセットである、〔1〕に記載の導電性部材の製造方法。
〔5〕
上記還元液中の化合物Iの含有量が、上記還元液に対して0.01〜0.2モル/Lである、〔4〕に記載の導電性部材の製造方法。
〔6〕
化合物Iが、後述する一般式(II)で表される化合物IIである、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の導電性部材の製造方法。
〔7〕
上記金属イオンが銀イオンである、〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の導電性部材の製造方法。
〔8〕
上記銀含有層が延在する方向に直交する方向に沿った上記銀含有層の断面において、上記銀含有層中の金属銀が存在する領域の中心点から上記領域の内接円を描いた際に、上記内接円に含まれる上記金属銀が占める領域の上記内接円の全面積に対する割合が、面積比で30〜60%である、〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の導電性部材の製造方法。
〔9〕
上記銀含有層が延在する方向に直交する方向に沿った上記銀含有層の断面において、上記銀含有層中の金属銀が存在する領域の中心点から上記領域の内接円を描いた際に、上記内接円に含まれる上記空隙が占める領域の上記内接円の全面積に対する割合が、面積比で10〜30%である、〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載の導電性部材の製造方法。
〔10〕
上記基材が可撓性を有する基材である、〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の導電性部材の製造方法。
〔11〕
工程1において、細線状の銀含有層と、細線状の銀含有層に接続された線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層とを同時に形成し、工程2において、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層、及び、線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層に対して、めっき処理を施す、〔1〕〜〔10〕のいずれかに記載の導電性部材の製造方法。
[1]
For step 1 of forming a fine linear silver-containing layer containing metallic silver and a polymer compound on a base material, having voids inside, and having a line width of 2.0 μm or less, and the silver-containing layer. A method for manufacturing a conductive member, which comprises a step 2 of forming a conductive thin wire by performing a plating treatment using a plating treatment agent containing a compound I represented by the general formula (I) described later and a metal ion. ..
[2]
The method for producing a conductive member according to [1], wherein the plating treatment agent is a plating solution containing compound I, the metal ions, and water.
[3]
The method for producing a conductive member according to [2], wherein the content of compound I in the plating solution is 0.01 to 0.2 mol / L with respect to the plating solution.
[4]
The method for producing a conductive member according to [1], wherein the plating treatment agent is a plating set comprising the metal ion-containing liquid containing metal ions and water and a reducing liquid containing compound I and water.
[5]
The method for producing a conductive member according to [4], wherein the content of compound I in the reducing solution is 0.01 to 0.2 mol / L with respect to the reducing solution.
[6]
The method for producing a conductive member according to any one of [1] to [5], wherein the compound I is the compound II represented by the general formula (II) described later.
[7]
The method for producing a conductive member according to any one of [1] to [6], wherein the metal ion is a silver ion.
[8]
When the inscribed circle of the region is drawn from the center point of the region where the metallic silver exists in the silver-containing layer in the cross section of the silver-containing layer along the direction orthogonal to the direction in which the silver-containing layer extends. [1] to [7], wherein the ratio of the region occupied by the metallic silver included in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is 30 to 60% in terms of area ratio. A method for manufacturing a conductive member.
[9]
When the inscribed circle of the region is drawn from the center point of the region where the metallic silver exists in the silver-containing layer in the cross section of the silver-containing layer along the direction orthogonal to the direction in which the silver-containing layer extends. The conductivity according to any one of [1] to [8], wherein the ratio of the region occupied by the voids included in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is 10 to 30% in terms of area ratio. Method of manufacturing sex members.
[10]
The method for producing a conductive member according to any one of [1] to [9], wherein the base material is a flexible base material.
[11]
In step 1, a fine linear silver-containing layer and a second fine linear silver-containing layer having a line width of more than 2.0 μm connected to the fine linear silver-containing layer are simultaneously formed, and in step 2, a wire is formed. The thin linear silver-containing layer having a width of 2.0 μm or less and the second fine linear silver-containing layer having a line width of more than 2.0 μm are plated [1] to [10]. The method for manufacturing a conductive member according to any one of.

本発明によれば、導電性に優れる細線化された導電性細線を有する導電性部材の製造方法を提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a conductive member having a thin conductive wire having excellent conductivity.

細線状の銀含有層により形成されるメッシュパターンの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the mesh pattern formed by the fine line-shaped silver-containing layer. 導電性部材の一実施態様を表す平面図である。It is a top view which shows one Embodiment of a conductive member. 図2の導電性部材の表面に配置される第1検出電極及び取出し配線部を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st detection electrode and the take-out wiring part arranged on the surface of the conductive member of FIG. 図2の導電性部材の裏面に配置される第2検出電極及び取出し配線部を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd detection electrode and the take-out wiring part arranged on the back surface of the conductive member of FIG.

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「g」及び「mg」は、「質量g」及び「質量mg」をそれぞれ表す。
また、本明細書において、「高分子」又は「高分子化合物」は、重量平均分子量が2000以上である化合物を意味する。ここで、重量平均分子量は、GPC(Gel Permeation Chromatography)測定によるポリスチレン換算値として定義される。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The description of the constituent elements described below may be based on typical embodiments of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments.
In the present specification, the numerical range represented by using "~" means a range including the numerical values before and after "~" as the lower limit value and the upper limit value.
Further, in the present specification, "g" and "mg" represent "mass g" and "mass mg", respectively.
Further, in the present specification, "polymer" or "polymer compound" means a compound having a weight average molecular weight of 2000 or more. Here, the weight average molecular weight is defined as a polystyrene-equivalent value measured by GPC (Gel Permeation Chromatography).

[導電性部材の製造方法]
本発明の導電性部材の製造方法(以下「本製造方法」とも記載する)は、以下の工程1及び工程2を有する。
工程1:基材上に、金属銀と高分子化合物とを含み、内部に空隙を有し、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層を形成する工程。
工程2:工程1で形成された銀含有層に対して、後述する一般式(I)で表される化合物と金属イオンとを含むめっき処理剤を用いてめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程。
[Manufacturing method of conductive member]
The method for manufacturing a conductive member of the present invention (hereinafter, also referred to as “the present manufacturing method”) includes the following steps 1 and 2.
Step 1: A step of forming a fine linear silver-containing layer containing metallic silver and a polymer compound on a base material, having voids inside, and having a line width of 2.0 μm or less.
Step 2: The silver-containing layer formed in Step 1 is plated with a plating agent containing a compound represented by the general formula (I) described later and a metal ion to form conductive fine wires. Process to do.

本発明の従来技術と比較した特徴点は、細線化された導電性細線を得る際に、内部に空隙を有する銀含有層に対してめっき処理を実施している点、及び、そのめっき処理において特定の還元剤(後述する一般式(I)で表される化合物)を使用している点である。
従来のハロゲン化銀を用いて導電性部材を製造する方法において、導電性細線の細線化がより進むと得られる導電性細線中での金属量が低くなり、十分な導電性が確保されない場合がある。それに対して、本発明者らは、鋭意検討の結果、内部に空隙を有する銀含有層を形成した後、特定の還元剤と金属イオンとを含むめっき処理剤を用いてめっき処理を実施して、空隙に金属(めっき金属)を充填することにより、最終的に得られる導電性細線における金属量が増加し、細線化されていても優れた導電性を示す導電性細線を形成できることを知見した。
The features compared with the prior art of the present invention are that when a thin conductive thin wire is obtained, a silver-containing layer having voids inside is plated, and in the plating treatment. The point is that a specific reducing agent (a compound represented by the general formula (I) described later) is used.
In the conventional method of manufacturing a conductive member using silver halide, as the thinning of the conductive thin wire progresses, the amount of metal in the obtained conductive thin wire becomes low, and sufficient conductivity may not be ensured. be. On the other hand, as a result of diligent studies, the present inventors formed a silver-containing layer having voids inside, and then carried out a plating treatment using a plating treatment agent containing a specific reducing agent and a metal ion. It was found that by filling the voids with metal (plated metal), the amount of metal in the finally obtained conductive thin wire increases, and even if the wire is thinned, a conductive thin wire showing excellent conductivity can be formed. ..

以下、各工程の手順について詳述する。 Hereinafter, the procedure of each step will be described in detail.

〔工程1〕
工程1は、支持体上に、細線状の銀含有層を形成する工程である。本工程によって形成される細線状の銀含有層(以下、「細線状の銀含有層」とも記載する)は、金属銀と高分子化合物とを含み、内部に空隙を有する。また、細線状の銀含有層の線幅は2.0μm以下である。
[Step 1]
Step 1 is a step of forming a fine linear silver-containing layer on the support. The fine linear silver-containing layer formed by this step (hereinafter, also referred to as “fine linear silver-containing layer”) contains metallic silver and a polymer compound, and has voids inside. The line width of the fine linear silver-containing layer is 2.0 μm or less.

<基材>
工程1で使用される基材の種類は特に制限されず、プラスチック基板、ガラス基板、及び、金属基板が挙げられ、プラスチック基板が好ましい。
また、基材としては、得られる導電性部材の折り曲げ性に優れる点で、可撓性を有する基材が好ましい。可撓性を有する基材としては、上記プラスチック基板が挙げられる。
基材の厚みは特に制限されず、25〜500μmの場合が多い。なお、導電性部材をタッチパネルに応用する際に、基材表面をタッチ面として用いる場合は、基材の厚みが500μmを超えていてもよい。
<Base material>
The type of the base material used in the step 1 is not particularly limited, and examples thereof include a plastic substrate, a glass substrate, and a metal substrate, and a plastic substrate is preferable.
Further, as the base material, a flexible base material is preferable in that the obtained conductive member is excellent in bendability. Examples of the flexible base material include the above-mentioned plastic substrate.
The thickness of the base material is not particularly limited, and is often 25 to 500 μm. When the surface of the base material is used as the touch surface when the conductive member is applied to the touch panel, the thickness of the base material may exceed 500 μm.

基材を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)(258℃)、ポリシクロオレフィン(134℃)、ポリカーボネート(250℃)、アクリルフィルム(128℃)、ポリエチレンナフタレート(269℃)、ポリエチレン(135℃)、ポリプロピレン(163℃)、ポリスチレン(230℃)、ポリ塩化ビニル(180℃)、ポリ塩化ビニリデン(212℃)、及び、トリアセチルセルロース(290℃)等の融点が約290℃以下である樹脂が好ましく、PET、ポリシクロオレフィン、及び、ポリカーボネートがより好ましい。
基材の全光線透過率は、85〜100%が好ましい。
Materials constituting the base material include polyethylene terephthalate (PET) (258 ° C.), polycycloolefin (134 ° C.), polycarbonate (250 ° C.), acrylic film (128 ° C.), polyethylene naphthalate (269 ° C.), polyethylene ( 135 ° C.), polypropylene (163 ° C.), polystyrene (230 ° C.), polyvinyl chloride (180 ° C.), polyvinylidene chloride (212 ° C.), and triacetyl cellulose (290 ° C.) at a melting point of about 290 ° C. or lower. Certain resins are preferred, and PET, polycycloolefin, and polycarbonate are more preferred.
The total light transmittance of the base material is preferably 85 to 100%.

基材の表面上には、下塗り層が配置されていてもよい。
下塗り層は、後述する高分子化合物を含むことが好ましい。この下塗り層を用いると、後述する導電性細線の基材に対する密着性がより向上する。
下塗り層の形成方法は特に制限されず、例えば、高分子化合物を含む下塗り層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。下塗り層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は特に制限されず、後述する感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。また、高分子化合物を含む下塗り層形成用組成物として、高分子化合物の粒子を含むラテックスを使用してもよい。
下塗り層の厚みは特に制限されず、導電性細線の基材に対する密着性がより優れる点で、0.02〜0.3μmが好ましく、0.03〜0.2μmがより好ましい。
An undercoat layer may be arranged on the surface of the base material.
The undercoat layer preferably contains a polymer compound described later. When this undercoat layer is used, the adhesion of the conductive thin wire described later to the base material is further improved.
The method for forming the undercoat layer is not particularly limited, and examples thereof include a method in which a composition for forming an undercoat layer containing a polymer compound is applied onto a substrate and heat treatment is performed as necessary. The undercoat layer forming composition may contain a solvent, if necessary. The type of the solvent is not particularly limited, and examples thereof include the solvent used in the composition for forming a photosensitive layer described later. Further, as the composition for forming the undercoat layer containing the polymer compound, a latex containing particles of the polymer compound may be used.
The thickness of the undercoat layer is not particularly limited, and 0.02 to 0.3 μm is preferable, and 0.03 to 0.2 μm is more preferable, in that the adhesiveness of the conductive thin wire to the substrate is more excellent.

<細線状の銀含有層>
支持体上には、細線状の銀含有層が形成されている。
細線状の銀含有層の線幅は、2.0μm以下である。なかでも、本製造方法で製造される導電性細線が視認されにくい点から、1.7μm以下が好ましく、1.5μm以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより好ましい。
なお、細線状の銀含有層の線幅とは、基材の表面に沿った方向のうち、細線状の銀含有層が延在する方向に対して直交する方向における銀含有層の全長を意味する。
<Fine linear silver-containing layer>
A fine linear silver-containing layer is formed on the support.
The line width of the fine linear silver-containing layer is 2.0 μm or less. Among them, 1.7 μm or less is preferable, and 1.5 μm or less is more preferable, from the viewpoint that the conductive thin wire produced by this production method is hard to be visually recognized. The lower limit is not particularly limited, but 0.5 μm or more is preferable, and 1.0 μm or more is more preferable, from the viewpoint of more excellent conductivity of the conductive thin wire.
The line width of the fine linear silver-containing layer means the total length of the silver-containing layer in the direction orthogonal to the direction in which the fine linear silver-containing layer extends in the direction along the surface of the base material. do.

細線状の銀含有層の厚みは特に制限されないが、0.5〜2.0μmが好ましく、0.5〜1.5μmがより好ましい。銀含有層の厚みとは、細線状の銀含有層が延在する方向に対して直交する方向に沿った銀含有層の断面(以下、「銀含有層の垂直断面」とも記載する)において、厚み方向に沿って最も離れている2つの金属銀間の距離を意味する。銀含有層の厚みの測定は、含有層の垂直断面において金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀が占める領域の面積の測定方法(後述)に従って測定できる。
なお、細線状の銀含有層の線幅及び厚みは、それぞれ、1本の延在する銀含有層の任意の10か所において測定された値を算術平均した値である。
The thickness of the fine linear silver-containing layer is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 2.0 μm, more preferably 0.5 to 1.5 μm. The thickness of the silver-containing layer is defined in the cross section of the silver-containing layer along the direction orthogonal to the extending direction of the fine linear silver-containing layer (hereinafter, also referred to as "vertical cross section of the silver-containing layer"). It means the distance between the two most distant metallic silvers along the thickness direction. The thickness of the silver-containing layer can be measured according to a method for measuring the area occupied by metallic silver contained in the inscribed circle of the region A where metallic silver exists in the vertical cross section of the containing layer (described later).
The line width and thickness of the fine linear silver-containing layer are values obtained by arithmetically averaging the values measured at any 10 locations of one extending silver-containing layer, respectively.

細線状の銀含有層は、所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、及び、直角三角形等の三角形、四角形(例えば、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、及び、台形等)、(正)六角形、(正)八角形等の(正)n角形、円、楕円、星形、ならびに、これらを組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、メッシュ状(メッシュパターン)であることがより好ましい。 The fine line-shaped silver-containing layer may form a predetermined pattern, for example, the pattern is not particularly limited, and triangles such as regular triangles, isosceles triangles, and right triangles, and quadrangles (for example, squares, etc.) Rectangle, rhombus, parallel quadrangle, trapezoid, etc.), (regular) hexagon, (regular) octagon, etc. (regular) n-sided, circle, ellipse, star, and geometric figures combining these It is preferable to have a mesh shape (mesh pattern), and it is more preferable to have a mesh shape (mesh pattern).

図1に、銀含有層により形成されるメッシュパターンの一例を示す。図1に示すメッシュパターン10は、交差する複数の銀含有層12と、複数の銀含有層12により形成される複数の開口部14とを有する。
開口部14の一辺の長さLは特に制限されないが、1500μm以下が好ましく、1300μm以下がより好ましく、1000μm以下が更に好ましい。Lの下限値は特に制限されず、5μm以上が好ましく、30μm以上がより好ましく、80μm以上が更に好ましい。開口部14の一辺の長さが上記範囲である場合には、透明性も良好に保つことが可能であり、導電性部材として表示装置の前面にとりつけた際に、違和感なく表示を視認することができる。
メッシュパターン10を形成する細線状の銀含有層12の幅は特に制限されないが、可視光透過率の点から、0.5μm以上2.0μm未満が好ましい。
FIG. 1 shows an example of a mesh pattern formed by a silver-containing layer. The mesh pattern 10 shown in FIG. 1 has a plurality of intersecting silver-containing layers 12 and a plurality of openings 14 formed by the plurality of silver-containing layers 12.
The length L of one side of the opening 14 is not particularly limited, but is preferably 1500 μm or less, more preferably 1300 μm or less, and further preferably 1000 μm or less. The lower limit of L is not particularly limited, and is preferably 5 μm or more, more preferably 30 μm or more, and further preferably 80 μm or more. When the length of one side of the opening 14 is within the above range, the transparency can be kept good, and when the opening 14 is attached to the front surface of the display device as a conductive member, the display can be visually recognized without discomfort. Can be done.
The width of the fine line-shaped silver-containing layer 12 forming the mesh pattern 10 is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more and less than 2.0 μm from the viewpoint of visible light transmittance.

図1において、開口部14は、ひし形の形状を有している。しかしながら、銀含有層により形成されるメッシュパターンは、ひし形以外の他の形状を有していてもよい。例えば、メッシュパターンは、多角形状(例えば、三角形、四角形、六角形、及び、ランダムな多角形)であってもよい。また、一辺の形状を直線状の他、湾曲形状にしてもよいし、円弧状にしてもよい。円弧状とする場合は、例えば、対向する二辺については、外方に凸の円弧状とし、他の対向する二辺については、内方に凸の円弧状としてもよい。また、各辺の形状を、外方に凸の円弧と内方に凸の円弧が連続した波線形状としてもよい。もちろん、各辺の形状を、サイン曲線にしてもよい。 In FIG. 1, the opening 14 has a diamond shape. However, the mesh pattern formed by the silver-containing layer may have a shape other than a rhombus. For example, the mesh pattern may be a polygon (eg, a triangle, a quadrangle, a hexagon, and a random polygon). Further, the shape of one side may be a curved shape or an arc shape in addition to a straight line shape. In the case of arcuate shape, for example, the two opposing sides may have an arcuate shape that is convex outward, and the other two opposite sides may have an arcuate shape that is convex inward. Further, the shape of each side may be a wavy line shape in which an arc convex outward and an arc convex inward are continuous. Of course, the shape of each side may be a sine curve.

可視光透過率の点から、細線状の銀含有層より形成されるメッシュパターンの開口率は、85%以上が好ましく、90%以上がより好ましく、95%以上が更に好ましく、99%以上が特に好ましい。上限は特に制限されないが、100%未満が挙げられる。開口率は、細線状の銀含有層がある領域を除いた支持体上の領域が全体に占める割合の面積比に相当する。 From the viewpoint of visible light transmittance, the aperture ratio of the mesh pattern formed from the fine linear silver-containing layer is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, further preferably 95% or more, and particularly 99% or more. preferable. The upper limit is not particularly limited, but may be less than 100%. The aperture ratio corresponds to the area ratio of the ratio of the region on the support excluding the region having the fine linear silver-containing layer to the whole.

(金属銀)
細線状の銀含有層に含まれる金属銀は、通常、固体粒子状である。金属銀の平均粒子径は、球相当径で10〜1000nmが好ましく、10〜200nmがより好ましく、50〜150nmが更に好ましい。
なお、球相当径とは、同じ体積を有する球形粒子の直径である。また、上記金属銀を含む対象物の平均粒子径として用いられる「球相当径」は、平均値であり、100個の対象物の球相当径を測定して、それらを算術平均したものである。
(Metallic silver)
The metallic silver contained in the fine linear silver-containing layer is usually in the form of solid particles. The average particle size of metallic silver is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, and even more preferably 50 to 150 nm, which is equivalent to a sphere.
The spherical equivalent diameter is the diameter of spherical particles having the same volume. The "sphere-equivalent diameter" used as the average particle diameter of the object containing metallic silver is an average value, which is obtained by measuring the sphere-equivalent diameter of 100 objects and arithmetically averaging them. ..

金属銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状(六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等)、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
細線状の銀含有層における金属銀の含有量は特に制限されず、導電性部材の導電性がより優れる点で、3.0〜20.0g/mが好ましく、5.0〜15.0g/mがより好ましい。
The shape of the metallic silver particles is not particularly limited, and for example, spherical, cubic, flat plate (hexagonal flat plate, triangular flat plate, quadrangular flat plate, etc.), octahedron, tetradecahedron, etc. The shape can be mentioned.
The content of metallic silver in the fine linear silver-containing layer is not particularly limited, and 3.0 to 20.0 g / m 2 is preferable, and 5.0 to 15.0 g is preferable in that the conductivity of the conductive member is more excellent. / M 2 is more preferable.

銀含有層としては、導電性部材の導電性がより優れる点で、銀含有層の垂直断面において金属銀が存在する領域(以下、「領域A」とも記載する)の中心点から領域Aの内接円を描いた際に、その内接円に含まれる金属銀が占める領域の内接円の全面積に対する割合が、面積比で15%以上であることが好ましく、25%以上であることがより好ましく、30%以上であることが更に好ましい。
また、銀含有層の内部において空隙が占める領域が大きくなり、めっき処理においてめっき金属が空隙を満たすことにより金属銀粒子同士が接合する結果、導電性部材の導電性がより向上することから、銀含有層の垂直断面における上記領域Aの内接円に含まれる金属銀が占める領域の内接円の全面積に対する割合が、面積比で80%以下であることが好ましく、60%以下であることがより好ましく、55%以下であることが更に好ましい。
なお、本明細書では、銀含有層の「厚み方向」とは、銀含有層の垂直断面における基材表面に対する法線方向を、銀含有層の「幅方向」とは、厚み方向に対して直交する方向を意味する。また、銀含有層の垂直断面における上記領域Aの「中心点」とは、上記領域Aの厚み方向での中間位置を通り、幅方向に平行な直線を第1直線と、上記領域Aの幅方向での中間位置を通り、厚み方向に平行な直線を第2直線としたときの、第1直線と第2直線との交点を意味する。
銀含有層の垂直断面における上記の内接円に含まれる金属銀が占める領域の内接円の全面積に対する割合のより具体的な測定方法については、後述する。
The silver-containing layer has a more excellent conductivity of the conductive member, and is within the region A from the central point of the region where metallic silver exists (hereinafter, also referred to as “region A”) in the vertical cross section of the silver-containing layer. When drawing a tangent circle, the ratio of the area occupied by the metallic silver contained in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is preferably 15% or more, preferably 25% or more in terms of area ratio. More preferably, it is more preferably 30% or more.
Further, the region occupied by the voids inside the silver-containing layer becomes large, and the metal silver particles are joined to each other by filling the voids in the plating treatment, and as a result, the conductivity of the conductive member is further improved. The ratio of the area occupied by the metallic silver contained in the inscribed circle of the region A to the total area of the inscribed circle in the vertical cross section of the containing layer is preferably 80% or less, and is preferably 60% or less in terms of area ratio. Is more preferable, and 55% or less is further preferable.
In the present specification, the "thickness direction" of the silver-containing layer is the normal direction with respect to the substrate surface in the vertical cross section of the silver-containing layer, and the "width direction" of the silver-containing layer is the thickness direction. It means the direction perpendicular to each other. Further, the "center point" of the region A in the vertical cross section of the silver-containing layer is a straight line that passes through an intermediate position in the thickness direction of the region A and is parallel to the width direction as a first straight line and the width of the region A. It means the intersection of the first straight line and the second straight line when the straight line passing through the intermediate position in the direction and parallel to the thickness direction is set as the second straight line.
A more specific method for measuring the ratio of the area occupied by the metallic silver contained in the inscribed circle in the vertical cross section of the silver-containing layer to the total area of the inscribed circle will be described later.

(高分子化合物)
細線状の銀含有層に含まれる高分子化合物は、特に制限されないが、後述する工程A〜Dにより強度がより優れる銀含有層及び導電性細線を形成できる点で、ゼラチンと異なる高分子(以下、「特定高分子」とも記載する。)が好ましい。
特定高分子の種類はゼラチンと異なれば特に制限されず、後述するゼラチンを分解する、タンパク質分解酵素又は酸化剤で分解しない高分子が好ましい。
特定高分子としては、疎水性高分子(非水溶性高分子)が挙げられ、例えば、(メタ)アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ビニル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリジエン系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、セルロース系重合体、及び、キトサン系重合体からなる群から選ばれる少なくともいずれかの樹脂、又は、これらの樹脂を構成する単量体からなる共重合体等が挙げられる。
また、特定高分子は、後述する架橋剤と反応する反応性基を有することが好ましい。
特定高分子は、粒子状であることが好ましい。つまり、感光性層は、特定高分子の粒子を含むことが好ましい。
なかでも、特定高分子としては、後述する一般式(1)で表される高分子(共重合体)が好ましい。
(Polymer compound)
The polymer compound contained in the fine line-shaped silver-containing layer is not particularly limited, but is different from gelatin in that a silver-containing layer having higher strength and conductive fine lines can be formed by steps A to D described later (hereinafter referred to as gelatin). , Also referred to as “specific polymer”).
The type of the specific polymer is not particularly limited as long as it is different from gelatin, and a polymer that decomposes gelatin described later and is not decomposed by a proteolytic enzyme or an oxidizing agent is preferable.
Examples of the specific polymer include hydrophobic polymers (water-insoluble polymers), and examples thereof include (meth) acrylic resins, styrene resins, vinyl resins, polyolefin resins, polyester resins, and polyurethane resins. Consists of at least one resin selected from the group consisting of polyamide-based resins, polycarbonate-based resins, polydiene-based resins, epoxy-based resins, silicone-based resins, cellulose-based polymers, and chitosan-based polymers, or these resins. Examples thereof include a copolymer composed of a monomer.
Further, the specific polymer preferably has a reactive group that reacts with a cross-linking agent described later.
The specific polymer is preferably in the form of particles. That is, the photosensitive layer preferably contains particles of a specific polymer.
Among them, as the specific polymer, a polymer (copolymer) represented by the general formula (1) described later is preferable.

細線状の銀含有層における高分子化合物の含有量は特に制限されず、導電性部材の導電性がより優れる点で、0.04〜2.0g/mが好ましく、0.08〜0.40g/mがより好ましく、0.10〜0.40g/mが更に好ましい。
また、銀含有層の垂直断面における領域Aの内接円に含まれる高分子化合物が占める領域の内接円の全面積に対する割合は、導電性部材の導電性がより優れる点で、面積比で30〜80%であることが好ましく、40〜60%であることがより好ましい。
銀含有層の垂直断面において、金属銀が存在する領域の内接円の面積に対する上記の高分子化合物が占める領域の割合の測定方法については、後述する。
The content of the polymer compound in the fine linear silver-containing layer is not particularly limited, and 0.04 to 2.0 g / m 2 is preferable, and 0.08 to 0. more preferably 40g / m 2, 0.10~0.40g / m 2 is more preferable.
Further, the ratio of the area occupied by the polymer compound contained in the inscribed circle of the region A in the vertical cross section of the silver-containing layer to the total area of the inscribed circle of the region is the area ratio in that the conductivity of the conductive member is more excellent. It is preferably 30 to 80%, more preferably 40 to 60%.
A method for measuring the ratio of the region occupied by the polymer compound to the area of the inscribed circle in the region where metallic silver exists in the vertical cross section of the silver-containing layer will be described later.

(空隙)
細線状の銀含有層の内部には、空隙が存在する。ここで、空隙とは、細線状の銀含有層の内部において、銀含有層を構成する材料(金属銀、高分子化合物及び他の添加剤等)が存在しない領域を意味する。銀含有層の内部の空隙は、気体(主に空気)で満たされていてもよく、液体で満たされていてもよく、それらの両者で満たされていてもよい。
また、めっき処理においてめっき金属が空隙を満たすことにより金属銀粒子同士が接合する結果、導電性部材の導電性がより向上することから、銀含有層の垂直断面において、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる空隙が占める領域の内接円の全面積に対する割合が、面積比で5%以上であることが好ましく、10%以上であることがより好ましく、15%以上であることが更に好ましい。
上限は特に制限されないが、金属銀が占める領域が大きくなり、導電性部材の導電性がより向上することから、上記割合が、面積比で40%以下であることが好ましく、30%以下であることがより好ましく、25%以下であることが更に好ましい。
(Void)
There are voids inside the fine linear silver-containing layer. Here, the void means a region in which the material (metal silver, polymer compound, other additives, etc.) constituting the silver-containing layer does not exist inside the fine linear silver-containing layer. The voids inside the silver-containing layer may be filled with a gas (mainly air), a liquid, or both of them.
Further, in the plating process, the metal silver particles are joined to each other by filling the voids with the plated metal, and as a result, the conductivity of the conductive member is further improved. The ratio of the area occupied by the voids contained in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and more preferably 15% or more in terms of area ratio. Is more preferable.
The upper limit is not particularly limited, but the area occupied by metallic silver becomes large and the conductivity of the conductive member is further improved. Therefore, the above ratio is preferably 40% or less, and is preferably 30% or less in terms of area ratio. More preferably, it is more preferably 25% or less.

銀含有層の垂直断面において、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀、高分子化合物及び空隙が占める領域のそれぞれの内接円の全面積に対する割合は、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いて測定できる。
より具体的には、ミクロトームを用いて、細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向に沿って銀含有層を切削する。次いで、金属銀の表面への導電性付与のために、露出した銀含有層の垂直断面にカーボン蒸着を行った後、走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製S-5200型SEM)を用いて銀含有層の垂直断面を観察する。SEMの観察条件は、反射電子モードで、加速電圧が5kVの条件とする。
このようにして得られた観察画像を、画像処理ソフト(Image J)を用いて解析し、輝度を閾値として2値化された断面画像を作成する。SEMで得られた銀含有層の垂直断面の観察画像は、空隙、高分子化合物及び金属銀の順で輝度が高くなることから、上記の解析において閾値となる輝度を調整することにより、金属銀が占める領域と金属銀以外が占める領域とに分けられた断面画像A、及び、空隙が占める領域と空隙以外が占める領域とに分けられた断面画像Bが得られる。
上記で得られた断面画像Aにおいて、金属銀が占める領域を全て包含するように金属銀が存在する領域Aを規定する。次いで、厚み方向に沿って最も離れている2つの金属銀間の中点を、領域Aの厚み方向の中間位置と規定し、幅方向に沿って最も離れている2つの金属銀間の中点を、領域Aの幅方向の中間位置と規定する。その上で、領域Aの厚み方向の中間位置を通り、かつ、幅方向に平行な第1直線と、領域Aの幅方向の中間位置を通り、かつ、厚み方向に平行な第2直線との交点を、領域Aの中心点と定め、この中心点を中心とする領域Aの内接円を描く。描かれた領域Aの内接円から、上記内接円に含まれる金属銀が占める領域の合計面積の内接円の全面積に対する割合の面積比を計測する。
In the vertical cross section of the silver-containing layer, the ratio of each inscribed circle of the region occupied by the metallic silver, the polymer compound and the voids contained in the inscribed circle of the region A where the metallic silver exists is a scanning electron microscope. It can be measured using (SEM: Scanning Electron Microscope).
More specifically, a microtome is used to cut the silver-containing layer along a direction orthogonal to the direction in which the fine linear silver-containing layer extends. Next, in order to impart conductivity to the surface of metallic silver, carbon vapor deposition was performed on the vertical cross section of the exposed silver-containing layer, and then a scanning electron microscope (S-5200 type SEM manufactured by Hitachi High Technologies America) was used. Observe the vertical cross section of the silver-containing layer. The SEM observation conditions are the reflected electron mode and the acceleration voltage is 5 kV.
The observed image thus obtained is analyzed using image processing software (Image J) to create a binarized cross-sectional image with the brightness as a threshold value. In the observation image of the vertical cross section of the silver-containing layer obtained by SEM, the brightness increases in the order of voids, polymer compound, and metallic silver. Therefore, by adjusting the brightness that is the threshold in the above analysis, metallic silver A cross-sectional image A divided into a region occupied by silver and a region occupied by other than metallic silver, and a cross-sectional image B divided into a region occupied by voids and a region occupied by other than voids are obtained.
In the cross-sectional image A obtained above, the region A in which the metallic silver exists is defined so as to include the entire region occupied by the metallic silver. Next, the midpoint between the two metal silvers most distant along the thickness direction is defined as the intermediate position in the thickness direction of the region A, and the midpoint between the two metal silvers most distant along the width direction is defined. Is defined as an intermediate position in the width direction of the region A. Then, the first straight line that passes through the intermediate position in the thickness direction of the region A and is parallel to the width direction and the second straight line that passes through the intermediate position in the width direction of the region A and is parallel to the thickness direction. The intersection is defined as the center point of the area A, and an inscribed circle of the area A centered on this center point is drawn. From the inscribed circle of the drawn area A, the area ratio of the ratio of the total area of the area occupied by the metallic silver included in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is measured.

次いで、上記で得られた断面画像Bにおいて、上記断面画像Aにおける領域Aの内接円と同じ円を描く。描かれた内接円から、内接円に含まれる空隙が占める領域の合計面積の上記内接円の全面積に対する割合の面積比を計測する。
上記で得られた内接円に含まれる金属銀が占める領域及び空隙が占める領域の内接円の全面積に対する割合の計測結果とに基づいて、領域Aの内接円に含まれる高分子化合物が占める領域の合計面積の内接円の全面積に対する割合を計測する。
Next, in the cross-sectional image B obtained above, the same circle as the inscribed circle of the region A in the cross-sectional image A is drawn. From the drawn inscribed circle, the area ratio of the ratio of the total area of the area occupied by the voids included in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is measured.
The polymer compound contained in the inscribed circle of region A based on the measurement result of the ratio of the region occupied by metallic silver and the region occupied by the voids to the total area of the inscribed circle obtained above. Measure the ratio of the total area of the area occupied by the inscribed circle to the total area.

なお、上記の金属銀、高分子化合物及び空隙が占める領域のそれぞれの割合は、1本の延在する銀含有層の任意の10か所において上記垂直断面を観察し、それぞれの観察画像から得られる値を算術平均することにより求められる。つまり、上記割合はいずれも平均値に該当する。 The proportions of the regions occupied by the metallic silver, the polymer compound, and the voids are obtained from the respective observation images by observing the vertical cross section at any 10 locations of one extending silver-containing layer. It is obtained by arithmetically averaging the values to be obtained. That is, all of the above ratios correspond to average values.

上記の細線状の銀含有層を、支持体上に形成する方法は特に制限されず、公知の方法が採用される。例えば、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法、支持体の全面に銀含有層を形成した後、レジストパターンを用いて銀含有層の一部を除去して、細線状の銀含有層を形成する方法、並びに、金属銀及び樹脂を含む組成物をインクジェット等の公知の印刷方法により基材上に吐出して細線状の銀含有層を形成する方法が挙げられる。
なかでも、導電性細線の導電性がより優れる点で、ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法が好ましい。
以下、この方法について詳述する。
The method for forming the fine linear silver-containing layer on the support is not particularly limited, and a known method is adopted. For example, a method of performing exposure and development using silver halide, a silver-containing layer is formed on the entire surface of a support, and then a part of the silver-containing layer is removed using a resist pattern to form a fine linear silver-containing layer. And a method of forming a fine linear silver-containing layer by ejecting a composition containing metallic silver and a resin onto a substrate by a known printing method such as inkjet.
Among them, a method of exposure and development using silver halide is preferable because the conductive thin wire is more excellent in conductivity.
Hereinafter, this method will be described in detail.

ハロゲン化銀を用いて露光及び現像を行う方法は、以下の工程を有することが好ましい。
工程A:支持体上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層を形成する工程
工程B:ハロゲン化銀含有感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンとゼラチンとは異なる高分子とを含む細線状の銀含有層を形成する工程
工程C:工程Bで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程
工程D:工程Cで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程
以下、各工程の手順について詳述する。
The method of exposing and developing with silver halide preferably has the following steps.
Step A: Forming a silver halide-containing photosensitive layer containing silver halide, gelatin, and a polymer different from gelatin on the support Step B: After exposing the silver halide-containing photosensitive layer, developing Process step C to form a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin, and a polymer different from gelatin by treatment: Step step D to heat-treat the silver-containing layer obtained in step B. : Step of removing gelatin in the silver-containing layer obtained in step C The procedure of each step will be described in detail below.

<工程A>
工程Aは、基材上に、ハロゲン化銀とゼラチンとゼラチンとは異なる特定高分子とを含むハロゲン化銀含有感光性層(以下、「感光性層」ともいう。)を形成する工程である。本工程により、後述する露光処理が施される感光性層付き基材が製造される。
まず、工程Aで使用される材料及び部材について詳述し、その後、工程Aの手順について詳述する。
<Step A>
Step A is a step of forming a silver halide-containing photosensitive layer (hereinafter, also referred to as “photosensitive layer”) containing silver halide, gelatin, and a specific polymer different from gelatin on the base material. .. By this step, a base material with a photosensitive layer to be subjected to the exposure treatment described later is produced.
First, the materials and members used in step A will be described in detail, and then the procedure of step A will be described in detail.

(ハロゲン化銀)
ハロゲン化銀に含まれるハロゲン原子は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子及びフッ素原子のいずれであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、塩化銀、臭化銀、又は、ヨウ化銀を主体としたハロゲン化銀が好ましく、塩化銀又は臭化銀を主体としたハロゲン化銀がより好ましい。なお、塩臭化銀、ヨウ塩臭化銀、又は、ヨウ臭化銀も、好ましく用いられる。
ここで、例えば、「塩化銀を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中、全ハロゲン化物イオンに占める塩化物イオンのモル分率が50%以上のハロゲン化銀をいう。この塩化銀を主体としたハロゲン化銀は、塩化物イオンのほかに、臭化物イオン及び/又はヨウ化物イオンを含んでいてもよい。
(Silver halide)
The halogen atom contained in silver halide may be any of chlorine atom, bromine atom, iodine atom and fluorine atom, and these may be combined. For example, silver halide mainly composed of silver chloride, silver bromide, or silver iodide is preferable, and silver halide mainly composed of silver chloride or silver bromide is more preferable. In addition, silver salt bromide, silver iodide bromide, or silver iodide bromide is also preferably used.
Here, for example, "silver halide mainly composed of silver chloride" refers to silver halide in which the molar proportion of chloride ions in the total halide ions in the silver halide composition is 50% or more. The silver halide mainly composed of silver chloride may contain bromide ion and / or iodide ion in addition to chloride ion.

ハロゲン化銀は、通常、固体粒子状であり、ハロゲン化銀の平均粒子径は、球相当径で10〜1000nmが好ましく、10〜200nmがより好ましく、50〜150nmが更に好ましい。
ハロゲン化銀の粒子の形状は特に制限されず、例えば、球状、立方体状、平板状(六角形平板状、三角形平板状、四角形平板状等)、八面体状、及び、十四面体状等の形状が挙げられる。
The silver halide is usually in the form of solid particles, and the average particle size of silver halide is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 10 to 200 nm, and even more preferably 50 to 150 nm in terms of sphere-equivalent diameter.
The shape of the silver halide particles is not particularly limited, and for example, spherical, cubic, flat plate (hexagonal flat plate, triangular flat plate, quadrangular flat plate, etc.), octahedron, tetradecahedron, etc. The shape of is mentioned.

(ゼラチン)
ゼラチンの種類は特に制限されず、例えば、石灰処理ゼラチン、及び、酸処理ゼラチンが挙げられる。また、ゼラチンの加水分解物、ゼラチンの酵素分解物、並びに、アミノ基及び/又はカルボキシル基で修飾されたゼラチン(フタル化ゼラチン、及び、アセチル化ゼラチン)等を用いてもよい。
(gelatin)
The type of gelatin is not particularly limited, and examples thereof include lime-treated gelatin and acid-treated gelatin. Further, a hydrolyzate of gelatin, an enzymatic decomposition product of gelatin, and gelatin modified with an amino group and / or a carboxyl group (phthalated gelatin and acetylated gelatin) may be used.

(特定高分子)
感光性層には、ゼラチンと異なる高分子(特定高分子)が含まれる。この特定高分子が感光性層に含まれることにより、感光性層より形成される銀含有層及び導電性細線の強度がより優れる。
特定高分子の種類、具体例及び形状等の特徴は、細線状の銀含有層に含まれる特定高分子として上述した通りである。
(Specific polymer)
The photosensitive layer contains a polymer (specific polymer) different from gelatin. By including this specific polymer in the photosensitive layer, the strength of the silver-containing layer and the conductive fine wire formed from the photosensitive layer is more excellent.
Features such as the type, specific example, and shape of the specific polymer are as described above as the specific polymer contained in the fine linear silver-containing layer.

なかでも、特定高分子としては、以下の一般式(1)で表される高分子(共重合体)が好ましい。
一般式(1): −(A)x−(B)y−(C)z−(D)w−
なお、一般式(1)中、A、B、C、及びDはそれぞれ、下記一般式(A)〜(D)で表される繰り返し単位を表す。
Among them, as the specific polymer, a polymer (copolymer) represented by the following general formula (1) is preferable.
General formula (1):-(A) x- (B) y- (C) z- (D) w-
In the general formula (1), A, B, C, and D each represent a repeating unit represented by the following general formulas (A) to (D).

Figure 2021163735
Figure 2021163735

1は、メチル基又はハロゲン原子を表し、メチル基、塩素原子、又は、臭素原子が好ましい。pは0〜2の整数を表し、0又は1が好ましく、0がより好ましい。
2は、メチル基又はエチル基を表し、メチル基が好ましい。
3は、水素原子又はメチル基を表し、水素原子が好ましい。Lは、2価の連結基を表し、下記一般式(2)で表される基が好ましい。
一般式(2):−(CO−X1)r−X2
一般式(2)中、X1は、酸素原子又はNR30−を表す。ここでR30は、水素原子、アルキル基、アリール基、又は、アシル基を表し、それぞれ置換基(例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、及び、ヒドロキシル基)を有してもよい。R30としては、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−ブチル基、及び、n−オクチル基)、又は、アシル基(例えば、アセチル基、及び、ベンゾイル基)が好ましい。X1としては、酸素原子又はNH−が好ましい。
2は、アルキレン基、アリーレン基、アルキレンアリーレン基、アリーレンアルキレン基、又は、アルキレンアリーレンアルキレン基を表し、これらの基には−O−、−S−、−CO−、−COO−、−NH−、−SO2−、−N(R31)−、又は、−N(R31)SO2−等が途中に挿入されてもよい。R31は、炭素数1〜6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。X2としては、ジメチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、o−フェニレン基、m−フェニレン基、p−フェニレン基、−CH2CH2OCOCH2CH2−、又は、−CH2CH2OCO(C64)−が好ましい。
rは0又は1を表す。
qは0又は1を表し、0が好ましい。
R 1 represents a methyl group or a halogen atom, and a methyl group, a chlorine atom or a bromine atom is preferable. p represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, more preferably 0.
R 2 represents a methyl group or an ethyl group, and a methyl group is preferable.
R 3 represents a hydrogen atom or a methyl group, and a hydrogen atom is preferable. L represents a divalent linking group, and a group represented by the following general formula (2) is preferable.
General formula (2):-(CO-X 1 ) r-X 2-
In the general formula (2), X 1 represents an oxygen atom or NR 30 −. Here, R 30 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or an acyl group, and may have a substituent (for example, a halogen atom, a nitro group, and a hydroxyl group), respectively. R 30 includes a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (for example, a methyl group, an ethyl group, an n-butyl group, and an n-octyl group), or an acyl group (for example, an acetyl group and an acyl group). Benzoyl group) is preferred. As X 1 , oxygen atom or NH- is preferable.
X 2 represents an alkylene group, an arylene group, an alkylene arylene group, an arylene alkylene group, or an alkylene arylene alkylene group, and these groups include -O-, -S-, -CO-, -COO-, and -NH. -, - SO 2 -, - N (R 31) -, or, -N (R 31) SO 2 - and the like may be inserted in the middle. R 31 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. Examples of X 2 include a dimethylene group, a trimethylene group, a tetramethylene group, an o-phenylene group, an m-phenylene group, a p-phenylene group, -CH 2 CH 2 OCOCH 2 CH 2- , or -CH 2 CH 2 OCO ( C 6 H 4 )-is preferable.
r represents 0 or 1.
q represents 0 or 1, preferably 0.

4は、アルキル基、アルケニル基、又は、アルキニル基を表し、炭素数5〜50のアルキル基が好ましく、炭素数5〜30のアルキル基がより好ましく、炭素数5〜20のアルキル基が更に好ましい。
5は、水素原子、メチル基、エチル基、ハロゲン原子、又は、−CH2COOR6を表し、水素原子、メチル基、ハロゲン原子、又は、−CH2COOR6が好ましく、水素原子、メチル基、又は、−CH2COOR6がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
6は、水素原子又は炭素数1〜80のアルキル基を表し、R4と同じでも異なってもよく、R6の炭素数は1〜70が好ましく、1〜60がより好ましい。
R 4 represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group, and an alkyl group having 5 to 50 carbon atoms is preferable, an alkyl group having 5 to 30 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 5 to 20 carbon atoms is further preferable. preferable.
R 5 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a halogen atom, or represents -CH 2 COOR 6, a hydrogen atom, a methyl group, a halogen atom, or a -CH 2 COOR 6 is preferably a hydrogen atom, a methyl group , Or -CH 2 COOR 6 is more preferable, and a hydrogen atom is further preferable.
R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 80 carbon atoms, and may be the same as or different from R 4, and R 6 preferably has 1 to 70 carbon atoms, more preferably 1 to 60 carbon atoms.

一般式(1)中、x、y、z、及びwは各繰り返し単位のモル比率を表す。
xは、3〜60モル%であり、3〜50モル%が好ましく、3〜40モル%がより好ましい。
yは、30〜96モル%であり、35〜95モル%が好ましく、40〜90モル%がより好ましい。
zは、0.5〜25モル%であり、0.5〜20モル%が好ましく、1〜20モル%がより好ましい。
wは、0.5〜40モル%であり、0.5〜30モル%が好ましい。
一般式(1)において、xは3〜40モル%、yは40〜90モル%、zは0.5〜20モル%、wは0.5〜10モル%の場合が好ましい。
In the general formula (1), x, y, z, and w represent the molar ratio of each repeating unit.
x is 3 to 60 mol%, preferably 3 to 50 mol%, more preferably 3 to 40 mol%.
y is 30 to 96 mol%, preferably 35 to 95 mol%, and more preferably 40 to 90 mol%.
z is 0.5 to 25 mol%, preferably 0.5 to 20 mol%, and more preferably 1 to 20 mol%.
w is 0.5 to 40 mol%, preferably 0.5 to 30 mol%.
In the general formula (1), x is preferably 3 to 40 mol%, y is 40 to 90 mol%, z is 0.5 to 20 mol%, and w is 0.5 to 10 mol%.

一般式(1)で表される高分子としては、下記一般式(2)で表される高分子が好ましい。 As the polymer represented by the general formula (1), the polymer represented by the following general formula (2) is preferable.

Figure 2021163735
Figure 2021163735

一般式(2)中、x、y、z及びwは、上記の定義の通りである。 In the general formula (2), x, y, z and w are as defined above.

一般式(1)で表される高分子は、上記一般式(A)〜(D)で表される繰り返し単位以外の他の繰り返し単位を含んでもよい。
他の繰り返し単位を形成するためのモノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、ビニルエステル類、オレフィン類、クロトン酸エステル類、イタコン酸ジエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、アクリルアミド類、不飽和カルボン酸類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルケトン類、ビニル異節環化合物、グリシジルエステル類、及び、不飽和ニトリル類が挙げられる。これらのモノマーとしては、特許第3754745号公報の段落0010〜0022にも記載されている。疎水性の観点から、アクリル酸エステル類又はメタクリル酸エステル類が好ましく、ヒドロキシアルキルメタクリレート又はヒドロキシアルキルアクリレートがより好ましい。
一般式(1)で表される高分子は、一般式(E)で表される繰り返し単位を含むことが好ましい。
The polymer represented by the general formula (1) may contain a repeating unit other than the repeating units represented by the general formulas (A) to (D).
Examples of the monomer for forming other repeating units include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, vinyl esters, olefins, crotonic acid esters, itaconic acid diesters, maleic acid diesters, and fumaric acid diesters. Classes, acrylamides, unsaturated carboxylic acids, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl ketones, vinyl heterocyclic compounds, glycidyl esters, and unsaturated nitriles. These monomers are also described in paragraphs 0010 to 0022 of Japanese Patent No. 3754745. From the viewpoint of hydrophobicity, acrylic acid esters or methacrylic acid esters are preferable, and hydroxyalkyl methacrylate or hydroxyalkyl acrylate is more preferable.
The polymer represented by the general formula (1) preferably contains a repeating unit represented by the general formula (E).

Figure 2021163735
Figure 2021163735

上記式中、LEはアルキレン基を表し、炭素数1〜10のアルキレン基が好ましく、炭素数2〜6のアルキレン基がより好ましく、炭素数2〜4のアルキレン基が更に好ましい。 In the above formula, L E represents an alkylene group, preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms.

一般式(1)で表される高分子としては、下記一般式(3)で表される高分子が特に好ましい。 As the polymer represented by the general formula (1), the polymer represented by the following general formula (3) is particularly preferable.

Figure 2021163735
Figure 2021163735

上記式中、a1、b1、c1、d1及びe1は各繰り返し単位のモル比率を表し、a1は3〜60(モル%)、b1は30〜95(モル%)、c1は0.5〜25(モル%)、d1は0.5〜40(モル%)、e1は1〜10(モル%)を表す。
a1の好ましい範囲は上記xの好ましい範囲と同じであり、b1の好ましい範囲は上記yの好ましい範囲と同じであり、c1の好ましい範囲は上記zの好ましい範囲と同じであり、d1の好ましい範囲は上記wの好ましい範囲と同じである。
e1は、1〜10モル%であり、2〜9モル%が好ましく、2〜8モル%がより好ましい。
In the above formula, a1, b1, c1, d1 and e1 represent the molar ratio of each repeating unit, a1 is 3 to 60 (mol%), b1 is 30 to 95 (mol%), and c1 is 0.5 to 25. (Mol%), d1 represents 0.5 to 40 (mol%), and e1 represents 1 to 10 (mol%).
The preferred range of a1 is the same as the preferred range of x, the preferred range of b1 is the same as the preferred range of y, the preferred range of c1 is the same as the preferred range of z, and the preferred range of d1 is. It is the same as the preferable range of w above.
e1 is 1 to 10 mol%, preferably 2 to 9 mol%, more preferably 2 to 8 mol%.

特定高分子は、例えば、特許第3305459号公報及び特許第3754745号公報等を参照して合成できる。
特定高分子の重量平均分子量は特に制限されず、1000〜1000000が好ましく、2000〜750000がより好ましく、3000〜500000が更に好ましい。
The specific polymer can be synthesized by referring to, for example, Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.
The weight average molecular weight of the specific polymer is not particularly limited, and is preferably 1000 to 1000000, more preferably 2000 to 750000, and even more preferably 3000 to 500000.

感光性層には、必要に応じて、上述した材料以外の他の材料が含まれていてもよい。
他の材料としては、例えば、ハロゲン化銀の安定化及び高感度化のために用いられるロジウム化合物及びイリジウム化合物等の8族及び9族に属する金属化合物が挙げられる。また、他の材料としては、特開2009−004348号公報の段落0220〜0241に記載されるような、帯電防止剤、造核促進剤、分光増感色素、界面活性剤、カブリ防止剤、硬膜剤、黒ポツ防止剤、レドックス化合物、モノメチン化合物、及び、ジヒドロキシベンゼン類も挙げられる。更には、感光性層には、物理現像核が含まれていてもよい。
The photosensitive layer may contain a material other than the above-mentioned materials, if necessary.
Examples of other materials include metal compounds belonging to Groups 8 and 9 such as rhodium compounds and iridium compounds used for stabilizing and increasing sensitivity of silver halide. Examples of other materials include antistatic agents, nucleating accelerators, spectrosensitizing dyes, surfactants, antifogging agents, and hard materials as described in paragraphs 0220 to 0241 of JP2009-004348A. Membrane agents, antistatic agents, redox compounds, monomethine compounds, and dihydroxybenzenes are also included. Further, the photosensitive layer may contain a physically developing nucleus.

また、感光性層には、上記特定高分子同士を架橋するために使用される架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることにより、特定高分子同士間での架橋が進行し、ゼラチンが分解除去された際にも導電性細線中の金属銀同士の連結が保たれる。 Further, the photosensitive layer may contain a cross-linking agent used for cross-linking the specific polymers. By containing the cross-linking agent, cross-linking between the specific polymers proceeds, and even when gelatin is decomposed and removed, the connection between the metallic silver in the conductive thin wire is maintained.

(工程Aの手順)
工程Aにおいて上記成分を含む感光性層を形成する方法は特に制限されないが、生産性の点から、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とを含む感光性層形成用組成物を基材上に接触させ、基材上に感光性層を形成する方法が好ましい。
以下に、この方法で使用される感光性層形成用組成物の形態について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。
(Procedure of step A)
The method for forming the photosensitive layer containing the above components in the step A is not particularly limited, but from the viewpoint of productivity, a composition for forming a photosensitive layer containing silver halide, gelatin and a specific polymer is placed on the substrate. A method of contacting them to form a photosensitive layer on the substrate is preferable.
Hereinafter, the form of the composition for forming a photosensitive layer used in this method will be described in detail, and then the procedure of the process will be described in detail.

(感光性層形成用組成物に含まれる材料)
感光性層形成用組成物には、上述したハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。なお、必要に応じて、特定高分子は粒子状の形態で感光性層形成用組成物中に含まれていてもよい。
感光性層形成用組成物には、必要に応じて、溶剤が含まれていてもよい。
溶剤としては、水、有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エステル類、及び、エーテル類)、イオン性液体、及び、これらの混合溶剤が挙げられる。
(Material contained in the composition for forming a photosensitive layer)
The composition for forming a photosensitive layer contains the above-mentioned silver halide, gelatin, and a specific polymer. If necessary, the specific polymer may be contained in the composition for forming a photosensitive layer in the form of particles.
The composition for forming a photosensitive layer may contain a solvent, if necessary.
Examples of the solvent include water, organic solvents (for example, alcohols, ketones, amides, sulfoxides, esters, and ethers), ionic liquids, and mixed solvents thereof.

感光性層形成用組成物と基材とを接触させる方法は特に制限されず、例えば、感光性層形成用組成物を基材上に塗布する方法、及び、感光性層形成用組成物中に基材を浸漬する方法等が挙げられる。
なお、上記処理後、必要に応じて、乾燥処理を実施してもよい。
The method of contacting the photosensitive layer forming composition with the base material is not particularly limited, and for example, a method of applying the photosensitive layer forming composition on the base material and a method of applying the photosensitive layer forming composition onto the base material, and in the photosensitive layer forming composition. Examples thereof include a method of immersing the base material.
After the above treatment, a drying treatment may be carried out if necessary.

(ハロゲン化銀含有感光性層)
上記手順により形成された感光性層中には、ハロゲン化銀とゼラチンと特定高分子とが含まれる。
感光性層中におけるハロゲン化銀の含有量は特に制限されず、導電性部材の導電性がより優れる点で、銀換算で3.0〜20.0g/mが好ましく、5.0〜15.0g/mがより好ましい。
銀換算とは、ハロゲン化銀が全て還元されて生成される銀の質量に換算したことを意味する。
感光性層中における特定高分子の含有量は特に制限されず、導電性部材の導電性がより優れる点で、0.04〜2.0g/m2が好ましく、0.08〜0.40g/m2がより好ましく、0.10〜0.40g/m2が更に好ましい。
(Silver halide-containing photosensitive layer)
The photosensitive layer formed by the above procedure contains silver halide, gelatin, and a specific polymer.
The content of silver halide in the photosensitive layer is not particularly limited, and is preferably 3.0 to 20.0 g / m 2 in terms of silver, preferably 5.0 to 15 in terms of more excellent conductivity of the conductive member. .0 g / m 2 is more preferable.
The silver conversion means that all the silver halide is reduced and converted into the mass of silver produced.
The content of the specific polymer in the photosensitive layer is not particularly limited, and 0.04 to 2.0 g / m 2 is preferable, and 0.08 to 0.40 g / m 2 is preferable in that the conductivity of the conductive member is more excellent. m 2 is more preferable, and 0.10 to 0.40 g / m 2 is even more preferable.

<工程B>
工程Bは、感光性層を露光した後、現像処理して、金属銀とゼラチンと高分子とを含み、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層を形成する工程である。
<Process B>
Step B is a step of exposing the photosensitive layer and then developing it to form a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin and a polymer and having a line width of 2.0 μm or less.

感光性層に露光処理を施すことにより、露光領域において潜像が形成される。
露光はパターン状に実施してもよく、例えば、後述する導電性細線からなるメッシュパターンを得るためには、メッシュ状の開口パターンを有するマスクを介して、露光する方法、及び、レーザー光を走査してメッシュ状に露光する方法が挙げられる。
露光の際に使用される光の種類は特に制限されず、ハロゲン化銀に潜像を形成できるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、及び、X線が挙げられる。
By applying the exposure treatment to the photosensitive layer, a latent image is formed in the exposed region.
The exposure may be carried out in a pattern. For example, in order to obtain a mesh pattern composed of conductive thin lines, which will be described later, an exposure method and a laser beam are scanned through a mask having a mesh-like aperture pattern. Then, a method of exposing in a mesh shape can be mentioned.
The type of light used for exposure is not particularly limited as long as it can form a latent image on silver halide, and examples thereof include visible light, ultraviolet rays, and X-rays.

露光された感光性層に現像処理を施すことにより、露光領域(潜像が形成された領域)では、金属銀が析出する。
現像処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる公知の方法が挙げられる。
現像処理では、通常、現像液を用いる。現像液の種類は特に制限されず、例えば、PQ(phenidone hydroquinone)現像液、MQ(Metol hydroquinone)現像液、及び、MAA(メトール・アスコルビン酸)現像液が挙げられる。
By developing the exposed photosensitive layer, metallic silver is deposited in the exposed region (the region where the latent image is formed).
The method of development processing is not particularly limited, and examples thereof include known methods used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate making films, and emulsion masks for photomasks.
In the developing process, a developing solution is usually used. The type of developer is not particularly limited, and examples thereof include a PQ (phenidone hydroquinone) developer, an MQ (Metol hydroquinone) developer, and an MAA (metol / ascorbic acid) developer.

本工程は、未露光部分のハロゲン化銀を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を更に有していてもよい。
定着処理は、現像と同時及び/又は現像の後に実施される。定着処理の方法は特に制限されず、例えば、銀塩写真フィルム、印画紙、印刷製版用フィルム、及び、フォトマスク用エマルジョンマスクに用いられる方法が挙げられる。
定着処理では、通常、定着液を用いる。定着液の種類は特に制限されず、例えば、「写真の化学」(笹井著、写真工業出版社(株))p321記載の定着液が挙げられる。
This step may further include a fixing process performed for the purpose of removing and stabilizing the unexposed portion of silver halide.
The fixing process is carried out at the same time as the development and / or after the development. The method of fixing treatment is not particularly limited, and examples thereof include methods used for silver halide photographic films, photographic papers, printing plate making films, and emulsion masks for photomasks.
In the fixing process, a fixing solution is usually used. The type of fixer is not particularly limited, and examples thereof include the fixer described in "Chemistry of Photographs" (written by Sasai, Photograph Industry Publishing Co., Ltd.) p321.

上記処理を実施することにより、金属銀とゼラチンと特定高分子とを含み、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層が形成される。
銀含有層の線幅を調整する方法としては、例えば、露光時に使用されるマスクの開口幅を調整する方法が挙げられる。例えば、マスクの開口幅を2.0μm以下にすることにより、露光領域を調整できる。
また、露光時にマスクを使用する際には、露光量を調整することにより、形成される銀含有層の幅を調整することもできる。例えば、マスクの開口幅が目標とする銀含有層の幅よりも狭い場合には、露光量を通常よりも増加させることにより、潜像が形成される領域の幅を調整できる。
更に、レーザー光を用いる場合は、レーザー光の集光範囲及び/又は走査範囲を調整することにより、露光領域を調整できる。
By carrying out the above treatment, a fine linear silver-containing layer containing metallic silver, gelatin and a specific polymer and having a line width of 2.0 μm or less is formed.
Examples of the method of adjusting the line width of the silver-containing layer include a method of adjusting the opening width of the mask used at the time of exposure. For example, the exposure area can be adjusted by setting the opening width of the mask to 2.0 μm or less.
Further, when a mask is used at the time of exposure, the width of the formed silver-containing layer can be adjusted by adjusting the exposure amount. For example, when the opening width of the mask is narrower than the target width of the silver-containing layer, the width of the region where the latent image is formed can be adjusted by increasing the exposure amount more than usual.
Further, when laser light is used, the exposure region can be adjusted by adjusting the focusing range and / or scanning range of the laser light.

また、導電性部材の製造方法では、基材上の少なくとも一部の領域に、幅が2.0μm以下の銀含有層が形成されればよく、基材上の他の領域に、上記銀含有層以外の他の金属銀を含む層(例えば、幅が2.0μm超の金属銀を含む層)が形成されてもよい。 Further, in the method for producing a conductive member, it is sufficient that a silver-containing layer having a width of 2.0 μm or less is formed in at least a part of the region on the base material, and the silver-containing layer is contained in the other region on the base material. A layer containing metallic silver other than the layer (for example, a layer containing metallic silver having a width of more than 2.0 μm) may be formed.

<工程C>
工程Cは、工程Bで得られた銀含有層に対して加熱処理を施す工程である。本工程を実施することにより、銀含有層中の特定高分子間での融着が進行し、銀含有層の強度が向上する。
<Process C>
Step C is a step of heat-treating the silver-containing layer obtained in Step B. By carrying out this step, fusion between specific polymers in the silver-containing layer proceeds, and the strength of the silver-containing layer is improved.

加熱処理の方法は特に制限されず、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法、及び、温調装置(例えば、ヒーター)で銀含有層を加熱する方法が挙げられ、銀含有層と過熱蒸気とを接触させる方法が好ましい。 The method of heat treatment is not particularly limited, and examples thereof include a method of bringing the silver-containing layer into contact with superheated steam and a method of heating the silver-containing layer with a temperature control device (for example, a heater). The method of contacting with is preferable.

過熱蒸気としては、過熱水蒸気でもよいし、過熱水蒸気に他のガスを混合させたものでもよい。
過熱蒸気と銀含有層との接触時間は特に制限されず、10〜70秒間が好ましい。
過熱蒸気の供給量は、500〜600g/m3が好ましく、過熱蒸気の温度は、1気圧で100〜160℃(好ましくは100〜120℃)が好ましい。
The superheated steam may be superheated steam or a mixture of superheated steam and another gas.
The contact time between the superheated steam and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 10 to 70 seconds.
The supply amount of superheated steam is preferably 500 to 600 g / m 3 , and the temperature of superheated steam is preferably 100 to 160 ° C. (preferably 100 to 120 ° C.) at 1 atm.

温調装置で銀含有層を加熱する方法における加熱条件としては、100〜200℃(好ましくは100〜150℃)で1〜240分間(好ましくは60〜150分間)加熱する条件が好ましい。 As the heating conditions in the method of heating the silver-containing layer with the temperature control device, the conditions of heating at 100 to 200 ° C. (preferably 100 to 150 ° C.) for 1 to 240 minutes (preferably 60 to 150 minutes) are preferable.

<工程D>
工程Dは、工程Cで得られた銀含有層中のゼラチンを除去する工程である。本工程を実施することにより、銀含有層からゼラチンが除去され、銀含有層の内部に空隙が形成される。
<Process D>
Step D is a step of removing gelatin in the silver-containing layer obtained in Step C. By carrying out this step, gelatin is removed from the silver-containing layer, and voids are formed inside the silver-containing layer.

ゼラチンを除去する方法は特に制限されず、例えば、タンパク質分解酵素を用いる方法(以下、「方法1」ともいう。)、及び、酸化剤を用いてゼラチンを分解除去する方法(以下、「方法2」ともいう。)が挙げられる。 The method for removing gelatin is not particularly limited, and for example, a method using a proteolytic enzyme (hereinafter, also referred to as “method 1”) and a method for decomposing and removing gelatin using an oxidizing agent (hereinafter, “method 2”). It is also called.).

方法1において用いられるタンパク質分解酵素としては、ゼラチン等のタンパク質を加水分解できる植物性又は動物性酵素で公知の酵素が挙げられる。
タンパク質分解酵素としては、例えば、ペプシン、レンニン、トリプシン、キモトリプシン、カテプシン、パパイン、フィシン、トロンビン、レニン、コラゲナーゼ、ブロメライン、及び、細菌プロテアーゼが挙げられ、トリプシン、パパイン、フィシン、又は、細菌プロテアーゼが好ましい。
方法1における手順としては、銀含有層と上記タンパク質分解酵素とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層とタンパク質分解酵素を含む処理液(以下、「酵素液」ともいう。)とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酵素液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酵素液を塗布する方法が挙げられる。
酵素液中におけるタンパク質分解酵素の含有量は特に制限されず、ゼラチンの分解除去の程度が制御しやすい点で、酵素液全量に対して、0.05〜20質量%が好ましく、0.5〜10質量%がより好ましい。
酵素液には、上記タンパク質分解酵素に加え、通常、水が含まれる。
酵素液には、必要に応じて、他の添加剤(例えば、pH緩衝剤、抗菌性化合物、湿潤剤、及び、保恒剤)が含まれていてもよい。
酵素液のpHは、酵素の働きが最大限得られるように選ばれるが、一般的には、5〜9が好ましい。
酵素液の温度は、酵素の働きが高まる温度、具体的には25〜45℃が好ましい。
Examples of the proteolytic enzyme used in Method 1 include enzymes known as plant or animal enzymes capable of hydrolyzing proteins such as gelatin.
Examples of the proteolytic enzyme include pepsin, rennin, trypsin, chymotrypsin, catepsin, papain, ficin, trombine, renin, collagenase, bromelain, and bacterial protease, and trypsin, papain, ficin, or bacterial protease is preferable. ..
The procedure in Method 1 may be a method in which the silver-containing layer and the above-mentioned proteolytic enzyme are brought into contact with each other. For example, a treatment solution containing the silver-containing layer and the proteolytic enzyme (hereinafter, also referred to as “enzyme solution”). There is a method of contacting the proteins. Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the enzyme solution and a method of applying the enzyme solution on the silver-containing layer.
The content of the proteolytic enzyme in the enzyme solution is not particularly limited, and is preferably 0.05 to 20% by mass, preferably 0.5 to 20% by mass, based on the total amount of the enzyme solution, in that the degree of decomposition and removal of gelatin can be easily controlled. 10% by mass is more preferable.
The enzyme solution usually contains water in addition to the above-mentioned proteolytic enzyme.
If necessary, the enzyme solution may contain other additives (for example, pH buffer, antibacterial compound, wetting agent, and retaining agent).
The pH of the enzyme solution is selected so as to maximize the action of the enzyme, but is generally preferably 5 to 9.
The temperature of the enzyme solution is preferably a temperature at which the action of the enzyme is enhanced, specifically 25 to 45 ° C.

なお、必要に応じて、酵素液での処理後に、得られた銀含有層を温水にて洗浄する洗浄処理を実施してもよい。
洗浄方法は特に制限されず、銀含有層と温水とを接触させる方法が好ましく、例えば、温水中に銀含有層を浸漬する方法、及び、銀含有層上に温水を塗布する方法が挙げられる。
温水の温度は使用されるタンパク質分解酵素の種類に応じて適宜最適な温度が選択され、生産性の点から、20〜80℃が好ましく、40〜60℃がより好ましい。
温水と銀含有層との接触時間(洗浄時間)は特に制限されず、生産性の点から、1〜600秒間が好ましく、30〜360秒間がより好ましい。
If necessary, a washing treatment may be carried out in which the obtained silver-containing layer is washed with warm water after the treatment with the enzyme solution.
The cleaning method is not particularly limited, and a method of bringing the silver-containing layer into contact with hot water is preferable, and examples thereof include a method of immersing the silver-containing layer in warm water and a method of applying hot water on the silver-containing layer.
The temperature of the hot water is appropriately selected depending on the type of proteolytic enzyme used, and is preferably 20 to 80 ° C, more preferably 40 to 60 ° C from the viewpoint of productivity.
The contact time (washing time) between the hot water and the silver-containing layer is not particularly limited, and is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 30 to 360 seconds from the viewpoint of productivity.

方法2で用いられる酸化剤としては、ゼラチンを分解できる酸化剤であればよく、標準電極電位が+1.5V以上である酸化剤が好ましい。なお、ここで標準電極電位とは、酸化剤の水溶液中における標準水素電極に対する標準電極電位(25℃、E0)を意図する。
上記酸化剤としては、例えば、過硫酸、過炭酸、過リン酸、次過塩素酸、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、過酸化水素水、過塩素酸、過ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、オゾン、次亜塩素酸又はその塩等が挙げられるが、生産性、経済性の観点で、過酸化水素水(標準電極電位:1.76V)、次亜塩素酸又はその塩が好ましく、次亜塩素酸ナトリウムがより好ましい。
The oxidizing agent used in Method 2 may be any oxidizing agent capable of decomposing gelatin, and an oxidizing agent having a standard electrode potential of + 1.5 V or more is preferable. Here, the standard electrode potential is intended to be the standard electrode potential (25 ° C., E0) with respect to the standard hydrogen electrode in the aqueous solution of the oxidizing agent.
Examples of the oxidizing agent include persulfate, percarbonic acid, perphosphoric acid, subperchloric acid, peracetic acid, metachloroperbenzoic acid, hydrogen peroxide solution, perchloric acid, perioic acid, potassium permanganate, and excess. Examples thereof include ammonium sulfate, ozone, hypochloric acid or a salt thereof, and from the viewpoint of productivity and economy, hydrogen peroxide solution (standard electrode potential: 1.76 V), hypochloric acid or a salt thereof is preferable. Sodium hypochlorate is more preferred.

方法2における手順としては、銀含有層と上記酸化剤とを接触させる方法であればよく、例えば、銀含有層と酸化剤を含む処理液(以下、「酸化剤液」ともいう。)とを接触させる方法が挙げられる。接触方法としては、銀含有層を酸化剤液中に浸漬させる方法、及び、銀含有層上に酸化剤液を塗布する方法が挙げられる。
酸化剤液に含まれる溶剤の種類は特に制限されず、水、及び、有機溶剤が挙げられる。
The procedure in Method 2 may be a method in which the silver-containing layer and the above-mentioned oxidizing agent are brought into contact with each other. For example, a treatment liquid containing the silver-containing layer and the oxidizing agent (hereinafter, also referred to as “oxidizing agent liquid”) is used. There is a method of contacting. Examples of the contact method include a method of immersing the silver-containing layer in the oxidizing agent solution and a method of applying the oxidizing agent solution on the silver-containing layer.
The type of solvent contained in the oxidizing agent liquid is not particularly limited, and examples thereof include water and organic solvents.

〔工程2〕
工程2は、工程1で得られた細線状の銀含有層に対して、特定のめっき処理剤を用いてめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程である。本工程を実施することにより、細線状の銀含有層上及び内部にめっきが析出する。特に、工程1で得られる銀含有層内には空隙が存在するため、本工程を実施することにより内部の空隙に金属(めっき金属)が充填された導電性細線が形成される。
[Step 2]
The step 2 is a step of forming a conductive fine wire by subjecting the fine linear silver-containing layer obtained in the step 1 to a plating treatment using a specific plating treatment agent. By carrying out this step, plating is deposited on and inside the fine linear silver-containing layer. In particular, since voids are present in the silver-containing layer obtained in step 1, by carrying out this step, conductive thin wires filled with metal (plated metal) are formed in the internal voids.

<めっき処理剤>
本工程のめっき処理には、後述する化合物Iと金属イオンとを含むめっき処理剤が用いられる。
本工程のめっき処理では、めっき処理剤として、化合物I及び金属イオンを含むめっき液を用いてもよく、金属イオンを含み、還元剤を含まない金属イオン含有液と、化合物Iを含む還元液とからなるめっきセットを用いてもよい。
なお、本明細書において単に「めっき液」と記載した場合、「化合物I及び金属イオンを少なくとも含むめっき液」を意図する。
以下、めっき処理剤に含まれる各成分について説明する。
<Plating agent>
For the plating treatment in this step, a plating treatment agent containing compound I and metal ions, which will be described later, is used.
In the plating treatment of this step, a plating solution containing compound I and metal ions may be used as the plating treatment agent, and a metal ion-containing solution containing metal ions and not containing a reducing agent and a reducing solution containing compound I A plating set consisting of the above may be used.
In addition, when only "plating liquid" is described in this specification, "plating liquid containing at least compound I and a metal ion" is intended.
Hereinafter, each component contained in the plating treatment agent will be described.

(化合物I)
めっき処理剤は、下記一般式(I)で表される化合物Iを含む。

Figure 2021163735
式中、Rは、ハロゲン原子、メチル基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基又はN−メチルアミノ基を表す。nは、1〜5の整数を表す。nが2以上を表すとき、Rは同一であっても、異なっていてもよい。
化合物Iは、還元剤として機能し、めっき液又は還元液に含まれる。 (Compound I)
The plating treatment agent contains compound I represented by the following general formula (I).
Figure 2021163735
In the formula, R represents a halogen atom, a methyl group, a hydroxy group, an amino group, a sulfo group or an N-methylamino group. n represents an integer of 1 to 5. When n represents 2 or more, R may be the same or different.
Compound I functions as a reducing agent and is contained in the plating solution or the reducing solution.

化合物Iは、還元力が高いため、触媒の非存在下であっても、めっき処理剤に含まれる金属イオンの良好な還元剤として機能する。また、化合物Iは、銀との親和性が高く、銀含有層に含まれる金属銀に吸着しやすい。そのため、化合物Iを還元剤として、上記の内部に空隙を有する銀含有層に対するめっき処理に用いることにより、空隙内の金属銀が露出した部分に化合物Iが吸着し、この部分において優先的に金属イオンの還元反応が生じ、その結果、線幅を維持したまま、導電性細線の金属量が増加して、導電性が向上した導電性細線を形成できるものと、本発明者らは推測している。 Since compound I has a high reducing power, it functions as a good reducing agent for metal ions contained in the plating treatment agent even in the absence of a catalyst. In addition, compound I has a high affinity for silver and is easily adsorbed on metallic silver contained in the silver-containing layer. Therefore, by using the compound I as a reducing agent for the plating treatment on the silver-containing layer having voids inside, the compound I is adsorbed on the exposed portion of the metallic silver in the voids, and the metal is preferentially adsorbed in this portion. The present inventors speculate that an ion reduction reaction occurs, and as a result, the amount of metal in the conductive thin wire increases while maintaining the line width, so that a conductive thin wire with improved conductivity can be formed. There is.

一般式(I)において、Rは、ハロゲン原子、メチル基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基又はN−メチルアミノ基を表す。Rとしては、メチル基、ヒドロキシ基又はN−メチルアミノ基が好ましい。また、化合物Iにおいて、少なくとも1つのRがヒドロキシ基又はN−メチルアミノ基であることが好ましい。
Rの置換位置は特に制限されないが、一般式(I)に記載されたヒドロキシ基に対して、メタ位又はパラ位が好ましい。
また、一般式(I)において、nは、1〜5の整数を表す。nは、1〜3の整数が好ましく、1又は2がより好ましい。
なお、化合物Iは、対イオンと塩を形成していてもよい。化合物Iと塩を形成する対イオンは特に制限されないが、後述する金属イオン、及び、無機酸が挙げられる。無機酸としては、例えば、硝酸、フッ化水素酸、過塩素酸及び硫酸が挙げられる。また、化合物Iが対イオンと塩を形成する場合、化合物Iは、めっき液又は還元液中において電離していてもよい。
In the general formula (I), R represents a halogen atom, a methyl group, a hydroxy group, an amino group, a sulfo group or an N-methylamino group. As R, a methyl group, a hydroxy group or an N-methylamino group is preferable. Further, in compound I, it is preferable that at least one R is a hydroxy group or an N-methylamino group.
The substitution position of R is not particularly limited, but the meta position or the para position is preferable with respect to the hydroxy group described in the general formula (I).
Further, in the general formula (I), n represents an integer of 1 to 5. n is preferably an integer of 1 to 3, more preferably 1 or 2.
In addition, compound I may form a salt with a counterion. The counterion forming a salt with compound I is not particularly limited, and examples thereof include a metal ion and an inorganic acid described later. Examples of the inorganic acid include nitric acid, hydrofluoric acid, perchloric acid and sulfuric acid. Further, when compound I forms a salt with a counterion, compound I may be ionized in a plating solution or a reducing solution.

化合物Iとしては、下記一般式(II)で表される化合物IIが好ましい。

Figure 2021163735
式中、Rは、ヒドロキシ基又はN−メチルアミノ基を表す。
は、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。Rとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。 As the compound I, the compound II represented by the following general formula (II) is preferable.
Figure 2021163735
In the formula, R 1 represents a hydroxy group or an N-methylamino group.
R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group. The R 2, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.

化合物Iとしては、例えば、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、N−メチルアミノフェノール、ピロガロール、1,2,4−トリヒドロキシベンゼン、及び、ヒドロキノンスルホン酸、並びに、それらの塩が挙げられる。
中でも、導電性細線の導電性がより優れる点で、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、又は、N−メチルアミノフェノールが好ましく、メチルヒドロキノンがより好ましい。
Examples of Compound I include hydroquinone, methylhydroquinone, N-methylaminophenol, pyrogallol, 1,2,4-trihydroxybenzene, hydroquinone sulfonic acid, and salts thereof.
Among them, hydroquinone, methylhydroquinone, or N-methylaminophenol is preferable, and methylhydroquinone is more preferable, because the conductive thin wire is more excellent in conductivity.

化合物Iは、1種のみを使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
めっき処理剤中の化合物Iの含有量は特に制限されないが、めっき処理剤が1液型のめっき液である場合、めっき液中の化合物Iの含有量が、めっき液に対して0.01〜0.2モル/Lであることが好ましく、導電性細線の導電性がより優れる点で、めっき液に対して0.1〜0.2モル/Lであることがより好ましい。
また、めっき処理剤がめっきセットである場合、還元液中の化合物Iの含有量が、還元液及び金属イオン含有液の合計量に対して、0.01〜0.2モル/Lになる量が好ましく、導電性細線の導電性がより優れる点で、0.1〜0.2モル/Lになる量がより好ましい。例えば、本工程において、めっき処理剤として金属イオン含有液及び還元液を同じ量で用いる場合、還元液中の化合物Iの含有量は、還元液に対して0.02〜0.4モル/Lが好ましく、0.2〜0.4モル/Lがより好ましい。
As the compound I, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
The content of compound I in the plating agent is not particularly limited, but when the plating agent is a one-component plating solution, the content of compound I in the plating solution is 0.01 to 0.01 to the plating solution. It is preferably 0.2 mol / L, and more preferably 0.1 to 0.2 mol / L with respect to the plating solution in that the conductivity of the conductive thin wire is more excellent.
When the plating treatment agent is a plating set, the content of compound I in the reducing solution is 0.01 to 0.2 mol / L with respect to the total amount of the reducing solution and the metal ion-containing solution. Is preferable, and the amount of 0.1 to 0.2 mol / L is more preferable in that the conductivity of the conductive thin wire is more excellent. For example, when the metal ion-containing liquid and the reducing liquid are used in the same amount as the plating treatment agent in this step, the content of the compound I in the reducing liquid is 0.02 to 0.4 mol / L with respect to the reducing liquid. Is preferable, and 0.2 to 0.4 mol / L is more preferable.

(金属イオン)
めっき処理剤は、金属イオンを含む。
めっき処理剤が1液型のめっき液である場合、金属イオンはめっき液に含まれ、めっき処理剤がめっきセットである場合、金属イオンは金属イオン含有液に含まれる。
めっき処理剤に含まれる金属イオンの種類は、本工程において析出させる金属種に応じて適宜選択でき、例えば、銀イオン、銅イオン、ニッケルイオン、及び、コバルトイオンが挙げられる。
中でも、導電性細線の導電性がより優れる点、及び、導電性細線により形成されるメッシュパターンの視認性がより優れる点で、銀イオン又は銅イオンが好ましく、銀イオンがより好ましい。
(Metal ions)
The plating agent contains metal ions.
When the plating agent is a one-component plating solution, the metal ions are contained in the plating solution, and when the plating agent is a plating set, the metal ions are contained in the metal ion-containing solution.
The type of metal ion contained in the plating treatment agent can be appropriately selected depending on the type of metal precipitated in this step, and examples thereof include silver ion, copper ion, nickel ion, and cobalt ion.
Among them, silver ions or copper ions are preferable, and silver ions are more preferable, in that the conductivity of the conductive thin wires is more excellent and the visibility of the mesh pattern formed by the conductive thin wires is more excellent.

金属イオンは、1種のみを使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
金属イオンの含有量は特に制限されないが、めっき処理剤が1液型のめっき液である場合、めっき液に対して0.01〜5.0モル/Lであることが好ましく、0.1〜3.0モル/Lであることがより好ましい。
また、めっき処理剤がめっきセットである場合、還元液中の化合物Iの含有量が、還元液及び金属イオン含有液の合計量に対して0.01〜5.0モル/Lになる量が好ましく、0.1〜3.0モル/Lになる量がより好ましい。例えば、本工程において、めっき処理剤として金属イオン含有液及び還元液を同じ量で用いる場合、還元液中の化合物Iの含有量は、還元液に対して0.02〜10.0モル/Lが好ましく、0.2〜6.0モル/Lがより好ましい。
Only one type of metal ion may be used, or two or more types may be used in combination.
The content of the metal ion is not particularly limited, but when the plating agent is a one-component plating solution, it is preferably 0.01 to 5.0 mol / L with respect to the plating solution, and is 0.1 to 0.1. More preferably, it is 3.0 mol / L.
When the plating treatment agent is a plating set, the content of the compound I in the reducing liquid is 0.01 to 5.0 mol / L with respect to the total amount of the reducing liquid and the metal ion-containing liquid. Preferably, the amount is 0.1 to 3.0 mol / L, more preferably. For example, when the metal ion-containing liquid and the reducing liquid are used in the same amount as the plating treatment agent in this step, the content of the compound I in the reducing liquid is 0.02 to 10.0 mol / L with respect to the reducing liquid. Is preferable, and 0.2 to 6.0 mol / L is more preferable.

金属イオンとしては、金属塩を用いてもよい。
金属塩の種類は特に制限されず、水溶性の金属塩が好ましい。水溶性の金属塩とは、水に対して0.1質量%以上溶解する金属塩を意味する。
金属塩としては、無機塩及び有機塩が挙げられ、無機塩が好ましい。無機塩としては、例えば、金属イオンと、硝酸、フッ化水素酸、過塩素酸及び硫酸からなる群より選択される酸とからなる塩が挙げられる。
A metal salt may be used as the metal ion.
The type of metal salt is not particularly limited, and a water-soluble metal salt is preferable. The water-soluble metal salt means a metal salt that is dissolved in water in an amount of 0.1% by mass or more.
Examples of the metal salt include inorganic salts and organic salts, and inorganic salts are preferable. Examples of the inorganic salt include a salt composed of a metal ion and an acid selected from the group consisting of nitric acid, hydrofluoric acid, perchloric acid and sulfuric acid.

(水)
めっき液、還元液及び金属イオン含有液は、溶剤として水を含むことが好ましい。
水の含有量は特に制限されないが、めっき液、還元液及び金属イオン含有液のいずれの場合においても、各液の全質量に対して、60〜95質量%が好ましく、80〜90質量%がより好ましい。
(water)
The plating solution, reducing solution and metal ion-containing solution preferably contain water as a solvent.
The content of water is not particularly limited, but in any of the plating solution, the reducing solution and the metal ion-containing solution, 60 to 95% by mass is preferable, and 80 to 90% by mass is preferable with respect to the total mass of each solution. More preferred.

(他の成分)
めっき処理剤は、上記の化合物I、金属イオン及び水以外の他の成分を含んでいてもよい。
めっき処理剤は、錯化剤を含んでいてもよい。錯化剤としては、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、及び、イミド基又はアミド基を有する有機化合物が挙げられる。より具体的な錯化剤としては、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸アンモニウム、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸カリウム、チオ硫酸アンモニウム、ヒダントイン化合物、及び、イミド化合物が挙げられる。
錯化剤は、1種のみを使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
めっき処理剤中の錯化剤の含有量は特に制限されないが、めっき処理剤の各液の全質量に対して、1〜30質量%が好ましく、5〜20質量%がより好ましい。
(Other ingredients)
The plating treatment agent may contain components other than the above-mentioned compound I, metal ions and water.
The plating treatment agent may contain a complexing agent. Examples of the complexing agent include sulfites, thiosulfates, and organic compounds having an imide group or an amide group. More specific complexing agents include sodium sulfite, potassium sulfite, ammonium sulfite, sodium thiosulfate, potassium thiosulfite, ammonium thiosulfate, hydantin compounds, and imide compounds.
Only one kind of complexing agent may be used, or two or more kinds may be used in combination.
The content of the complexing agent in the plating treatment agent is not particularly limited, but is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 5 to 20% by mass, based on the total mass of each liquid of the plating treatment agent.

めっき液及び還元液は、化合物I以外の還元剤を含んでいてもよい。化合物I以外の還元剤としては、アスコルビン酸及びイソアスコルビン酸等のアスコルビン酸化合物又はその塩、ヒドラジン、ヒドラジン・1水和物、硫酸ヒドラジン及び塩化ヒドラジン等のヒドラジン又はその塩、並びに、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−4−カルボン酸、ピロガロール−4,6−ジカルボン酸及び没食子酸等のピロガロールの誘導体が挙げられる。
化合物I以外の還元剤は、1種のみを使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
めっき液又は還元液が化合物I以外の還元剤を含む場合の還元剤の含有量は特に制限されないが、化合物Iと、化合物I以外の還元剤の合計含有量が、上記のめっき液又は還元液中の化合物Iの好ましい含有量の範囲に含まれることが好ましい。
The plating solution and the reducing solution may contain a reducing agent other than compound I. Reducing agents other than Compound I include ascorbic acid compounds such as ascorbic acid and isoascorbic acid or salts thereof, hydrazines, hydrazine monohydrates, hydrazines such as hydrazine sulfate and hydrazine chloride or salts thereof, and pyrogallol monomethyl ether. , Pyrogalol-4-carboxylic acid, Pyrrobacterrol-4,6-dicarboxylic acid and derivatives of pyrogallol such as gallic acid.
As the reducing agent other than compound I, only one kind may be used, or two or more kinds may be used in combination.
When the plating solution or reducing solution contains a reducing agent other than compound I, the content of the reducing agent is not particularly limited, but the total content of compound I and the reducing agent other than compound I is the above-mentioned plating solution or reducing solution. It is preferably contained in the range of the preferable content of the compound I in the compound I.

めっき処理剤は、上記以外にも、他の添加剤(例えば、pH調整剤、ヨウ化カリウム)を含んでいてもよい。なお、ヨウ化カリウムは、めっき処理剤に添加することにより、めっき速度の向上に寄与する。 The plating treatment agent may contain other additives (for example, pH adjuster, potassium iodide) in addition to the above. By adding potassium iodide to the plating treatment agent, it contributes to the improvement of the plating rate.

めっき処理剤として用いる各液のpHは特に制限されないが、めっき液及び金属イオン含有液のpHは、8.0〜13.0が好ましく、9.0〜11.0がより好ましい。また、還元液のpHは、8.0〜13.0が好ましく、9.0〜11.0がより好ましい。
pHは、25℃で測定した値である。
The pH of each liquid used as the plating treatment agent is not particularly limited, but the pH of the plating liquid and the metal ion-containing liquid is preferably 8.0 to 13.0, more preferably 9.0 to 11.0. The pH of the reducing solution is preferably 8.0 to 13.0, more preferably 9.0 to 11.0.
The pH is a value measured at 25 ° C.

本工程のめっき処理に用いるめっき処理剤としては、化合物I、金属イオン及び水を含むめっき液、又は、金属イオン及び水を含む金属イオン含有液と化合物I及び水を含む還元液とからなるめっきセットが好ましい。 The plating agent used for the plating treatment in this step is plating composed of a plating solution containing compound I, metal ions and water, or a metal ion-containing solution containing metal ions and water and a reducing solution containing compound I and water. A set is preferred.

<めっき処理>
工程2のめっき処理は、上記めっき処理剤を銀含有層に接触させる方法であれば特に制限されず、例えば、上記めっき処理剤の各液中に銀含有層を浸漬する方法、銀含有層が形成された基材の表面に上記めっき処理剤の各液を噴霧又は塗布する方法が挙げられる。
<Plating process>
The plating treatment in step 2 is not particularly limited as long as it is a method of bringing the plating treatment agent into contact with the silver-containing layer. Examples thereof include a method of spraying or applying each liquid of the plating treatment agent to the surface of the formed base material.

めっき処理剤としてめっきセットを用いる場合は、銀含有層に対して金属イオン含有液及び還元液を順次又は同時に付与して、金属イオン含有液及び還元液を銀含有層に接触させて、銀含有層上及び内部にめっきを析出されればよい。 When a plating set is used as the plating treatment agent, the metal ion-containing liquid and the reducing liquid are sequentially or simultaneously applied to the silver-containing layer, and the metal ion-containing liquid and the reducing liquid are brought into contact with the silver-containing layer to contain silver. Plating may be deposited on and inside the layer.

めっき処理におけるめっき処理剤の温度は特に制限されず、0〜90℃が好ましく、10℃〜60℃がより好ましい。
めっき処理における銀含有層とめっき処理剤との接触時間は特に制限されず、生産性の点から、10秒間〜30分間が好ましい。
The temperature of the plating agent in the plating treatment is not particularly limited, and is preferably 0 to 90 ° C, more preferably 10 ° C to 60 ° C.
The contact time between the silver-containing layer and the plating agent in the plating treatment is not particularly limited, and is preferably 10 seconds to 30 minutes from the viewpoint of productivity.

めっき処理剤の各液を塗布して銀含有層に接触させる場合、その塗布方法は特に制限されず、スピナー又はコーター等の公知の装置を使用すればよい。めっき処理剤の各液を噴霧して銀含有層に接触させる場合も、その噴霧方法は特に制限されず、公知のスプレー装置を使用すればよい。
銀含有層が形成された基材の表面にめっき処理剤の各液を噴霧又は塗布する場合、各液の噴霧量又は塗布量は特に制限されないが、各液の噴霧量又は塗布量が、銀含有層に対して0.001〜0.1mL/cmとなるように調整することが好ましい。
When each liquid of the plating treatment agent is applied and brought into contact with the silver-containing layer, the application method is not particularly limited, and a known device such as a spinner or a coater may be used. When each liquid of the plating treatment agent is sprayed and brought into contact with the silver-containing layer, the spraying method is not particularly limited, and a known spraying device may be used.
When each liquid of the plating treatment agent is sprayed or applied to the surface of the base material on which the silver-containing layer is formed, the spraying amount or coating amount of each liquid is not particularly limited, but the spraying amount or coating amount of each liquid is silver. It is preferable to adjust the content to 0.001 to 0.1 mL / cm 2 with respect to the containing layer.

めっき処理としては、導電性細線の導電性に優れる点、及び、工程数が少なく生産性が向上する点で、めっき処理剤の各液中に銀含有層を浸漬する方法が好ましい。
また、銀含有層が形成された基材の表面以外の部分へのめっき処理剤の接触を少なくする点では、銀含有層が形成された基材の表面にめっき処理剤の各液を噴霧又は塗布する方法が好ましい。
また、めっき処理剤として化合物I及び金属イオンを含むめっき液を用いる場合、めっき液中に銀含有層を浸漬する方法が好ましく、めっき処理剤として金属イオンを含む金属イオン含有液と化合物Iを含む還元液とからなるめっきセットを用いる場合、銀含有層が形成された基材の表面に金属イオン含有液及び還元液のそれぞれを噴霧又は塗布する方法が好ましい。
As the plating treatment, a method of immersing the silver-containing layer in each liquid of the plating treatment agent is preferable because the conductive thin wire is excellent in conductivity and the number of steps is small to improve the productivity.
Further, in terms of reducing the contact of the plating treatment agent with the portion other than the surface of the base material on which the silver-containing layer is formed, each liquid of the plating treatment agent is sprayed or sprayed on the surface of the base material on which the silver-containing layer is formed. The method of coating is preferable.
When a plating solution containing compound I and metal ions is used as the plating treatment agent, a method of immersing the silver-containing layer in the plating solution is preferable, and the plating treatment agent contains the metal ion-containing liquid containing metal ions and compound I. When a plating set composed of a reducing liquid is used, a method of spraying or coating each of the metal ion-containing liquid and the reducing liquid on the surface of the base material on which the silver-containing layer is formed is preferable.

〔工程3〕
本製造方法は、工程2の後に、工程2で得られた導電性細線に、平滑化処理を施す工程3を更に有していてもよい。
本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
[Step 3]
The present manufacturing method may further include a step 3 in which the conductive thin wire obtained in the step 2 is subjected to a smoothing treatment after the step 2.
By carrying out this step, a conductive thin wire having more excellent conductivity can be obtained.

平滑化処理の方法は特に制限されず、例えば、導電性細線を有する基材を、少なくとも一対のロール間を加圧下で通過させるカレンダー処理工程が好ましい。以下、カレンダーロールを用いた平滑化処理をカレンダー処理と記す。
カレンダー処理に用いられるロールとしては、プラスチックロール、及び、金属ロールが挙げられ、シワ防止の点から、プラスチックロールが好ましい。
ロール間の圧力は特に制限されず、2MPa以上が好ましく、4MPa以上がより好ましく、120MPa以下が好ましい。なお、ロール間の圧力は、富士フイルム株式会社製プレスケール(高圧用)を用いて測定できる。
平滑化処理の温度は特に制限されず、10〜100℃が好ましく、10〜50℃がより好ましい。
The method of smoothing treatment is not particularly limited, and for example, a calendar treatment step in which a substrate having conductive thin wires is passed between at least a pair of rolls under pressure is preferable. Hereinafter, the smoothing process using the calendar roll will be referred to as a calendar process.
Examples of the roll used for the calendering process include a plastic roll and a metal roll, and the plastic roll is preferable from the viewpoint of preventing wrinkles.
The pressure between the rolls is not particularly limited, and is preferably 2 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and preferably 120 MPa or less. The pressure between the rolls can be measured using a prescale (for high pressure) manufactured by FUJIFILM Corporation.
The temperature of the smoothing treatment is not particularly limited, and is preferably 10 to 100 ° C, more preferably 10 to 50 ° C.

〔工程4〕
本製造方法は、工程3の後に、工程3で得られた導電性細線に加熱処理を施す工程4を更に有していてもよい。本工程を実施することにより、導電性により優れる導電性細線が得られる。
導電性細線に加熱処理を施す方法は特に制限されず、工程Cで述べた方法が挙げられる。
[Step 4]
The present manufacturing method may further include a step 4 in which the conductive thin wire obtained in the step 3 is heat-treated after the step 3. By carrying out this step, a conductive thin wire having more excellent conductivity can be obtained.
The method of heat-treating the conductive thin wire is not particularly limited, and the method described in step C can be mentioned.

〔工程5〕
本製造方法は、基材と導電性細線との間に、高分子化合物を含み、金属銀を含有しない銀不含有層を形成する工程5を有していてもよい。本工程により、基材と導電性細線との間に形成される銀不含有層は、いわゆるアンチハレーション層の役割を果たすと共に、導電性細線と基材との密着性向上に寄与する。
銀不含有層中の高分子化合物の含有量は特に制限されず、0.03g/m2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、1.0g/m2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、1.63g/m2以下の場合が多い。
銀不含有層の厚みは特に制限されず、0.05μm以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、1.0μm超が好ましく、1.5μm以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、3.0μm以下の場合が多い。
[Step 5]
The present production method may include a step 5 of forming a silver-free layer containing a polymer compound and not containing metallic silver between the base material and the conductive thin wire. The silver-free layer formed between the base material and the conductive thin wire by this step serves as a so-called antihalation layer and contributes to the improvement of the adhesion between the conductive thin wire and the base material.
The content of the polymer compound in the silver-free layer is not particularly limited, and is often 0.03 g / m 2 or more, and 1.0 g / m 2 or more is more excellent in the adhesion of the conductive thin wire. preferable. The upper limit is not particularly limited, but it is often 1.63 g / m 2 or less.
The thickness of the silver-free layer is not particularly limited, and is often 0.05 μm or more, and is preferably more than 1.0 μm, more preferably 1.5 μm or more, in that the adhesiveness of the conductive thin wire is more excellent. The upper limit is not particularly limited, but it is often 3.0 μm or less.

銀不含有層を形成する工程5の具体的な方法としては、例えば、工程1として工程A〜Dを有する方法で細線状の銀含有層を形成する場合において、工程Aの前に、基材上にゼラチン及び特定高分子を含み、ハロゲン化銀を含まないハロゲン化銀不含有層を形成する工程Eが挙げられる。工程Aの前に工程Eを実施し、基材とハロゲン化銀含有感光性層との間にハロゲン化銀不含有層を形成した後、上記の工程Dによりハロゲン化銀不含有層中のゼラチンを除去することにより、銀不含有層が形成される。
工程Eとしては、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含有する層形成用組成物を基材上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
ハロゲン化銀不含有層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比(特定高分子の質量/ゼラチンの質量)は特に制限されず、0.1〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましい。
ハロゲン化銀不含有層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、0.03g/m2以上の場合が多く、導電性細線の密着性がより優れる点で、1.0g/m2以上が好ましい。上限は特に制限されないが、1.63g/m2以下の場合が多い。
層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
As a specific method of the step 5 for forming the silver-free layer, for example, in the case of forming the fine linear silver-containing layer by the method having steps A to D as the step 1, the base material is formed before the step A. A step E of forming a silver halide-free layer containing gelatin and a specific polymer and not containing silver halide can be mentioned. Step E is carried out before step A to form a silver halide-free layer between the base material and the silver halide-containing photosensitive layer, and then gelatin in the silver halide-free layer is formed by the above step D. By removing the above, a silver-free layer is formed.
Examples of the step E include a method in which a layer-forming composition containing gelatin and a specific polymer is applied onto a substrate and heat-treated as necessary.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of the gelatin in the silver halide-free layer (mass of the specific polymer / mass of gelatin) is not particularly limited, and is preferably 0.1 to 5.0. 0 to 3.0 is more preferable.
The content of the specific polymer in the silver halide-free layer is not particularly limited, and is often 0.03 g / m 2 or more, and 1.0 g / m 2 in that the adhesiveness of the conductive thin wire is more excellent. The above is preferable. The upper limit is not particularly limited, but it is often 1.63 g / m 2 or less.
The layer-forming composition may contain a solvent, if necessary. Examples of the type of solvent include the solvent used in the above-mentioned composition for forming a photosensitive layer.

〔工程6〕
本製造方法は、導電性細線上に高分子化合物を含む保護層を形成する工程6を有していてもよい。本工程で保護層を設けることにより、導電性細線の擦り傷を防止でき、かつ、導電性部材の力学特性を改良できる。
保護層中の高分子化合物の含有量は特に制限されず、0g/m2超0.3g/m2以下が好ましく、0.005〜0.1g/m2がより好ましい。
保護層の厚みは特に制限されず、0.03〜0.3μmが好ましく、0.075〜0.20μmがより好ましい。
[Step 6]
The present production method may include a step 6 of forming a protective layer containing a polymer compound on a conductive thin wire. By providing the protective layer in this step, it is possible to prevent scratches on the conductive thin wires and improve the mechanical properties of the conductive member.
The content of the polymer compound in the protective layer is not particularly limited but is preferably 0 g / m 2 Ultra 0.3 g / m 2 or less, 0.005~0.1g / m 2 is more preferable.
The thickness of the protective layer is not particularly limited, and is preferably 0.03 to 0.3 μm, more preferably 0.075 to 0.20 μm.

保護層を形成する工程6の具体的な方法としては、例えば、工程1として工程A〜Dを有する方法で細線状の銀含有層を形成する場合において、工程Aの後かつ工程Bの前に、ハロゲン化銀含有感光性層上にゼラチンと特定高分子とを含む保護層前駆体層を形成する工程Fが挙げられる。工程Aの後かつ工程Bの前に工程Fを実施し、保護層前駆体層を形成した後、上記の工程Dにより保護層前駆体層中のゼラチンを除去することにより、保護層が形成される。
工程Fとしては、例えば、ゼラチンと特定高分子とを含む保護層形成用組成物をハロゲン化銀含有感光性層上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施す方法が挙げられる。
保護層前駆体層中における、ゼラチンの質量に対する、特定高分子の質量の比(特定高分子の質量/ゼラチンの質量)は特に制限されず、0超2.0以下が好ましく、0超1.0以下がより好ましい。
また、保護層前駆体層中の特定高分子の含有量は特に制限されず、0g/m2超0.3g/m2以下が好ましく、0.005〜0.1g/m2がより好ましい。
保護層前駆体層形成用組成物には、必要に応じて溶剤が含まれていてもよい。溶剤の種類は、上述した感光性層形成用組成物で使用される溶剤が例示される。
上述した工程E、工程A及び工程Fは、同時重層塗布によって同時に実施してもよい。
As a specific method of step 6 for forming the protective layer, for example, in the case of forming a fine linear silver-containing layer by a method having steps A to D as step 1, after step A and before step B, for example. A step F of forming a protective layer precursor layer containing gelatin and a specific polymer on the silver halide-containing photosensitive layer can be mentioned. A protective layer is formed by performing step F after step A and before step B to form a protective layer precursor layer, and then removing gelatin in the protective layer precursor layer by the above step D. NS.
Examples of the step F include a method in which a composition for forming a protective layer containing gelatin and a specific polymer is applied onto a silver halide-containing photosensitive layer, and heat treatment is performed as necessary.
The ratio of the mass of the specific polymer to the mass of the gelatin in the protective layer precursor layer (mass of the specific polymer / mass of gelatin) is not particularly limited, and is preferably more than 0 and 2.0 or less, and more than 0 and 1. It is more preferably 0 or less.
The content of the specific polymer of the protective layer precursor layer is not particularly limited but is preferably 0 g / m 2 Ultra 0.3 g / m 2 or less, 0.005~0.1g / m 2 is more preferable.
The composition for forming the protective layer precursor layer may contain a solvent, if necessary. Examples of the type of solvent include the solvent used in the above-mentioned composition for forming a photosensitive layer.
The above-mentioned steps E, A and F may be simultaneously carried out by simultaneous layer coating.

本製造方法において、工程1の後で工程2よりも前に、工程1で得られた細線状の銀含有層に含まれる高分子化合物の表面に触媒を吸着させ、続く工程2で触媒上にめっき金属を析出させる活性化処理を行ってもよい。活性化処理は、例えばパラジウム触媒(キャタリスト−アクセラレーター法、センシタイズ−アクチベーター法等)、銀触媒及び/又は銅触媒等を用いて行う公知の方法が挙げられる。
本製造方法は、上記の活性化処理を行う場合に比較して、導電性細線の線幅をより狭くすることができ、また、導電性細線で形成されるメッシュパターンの視認性をより向上させることができるため、活性化処理を行わないことが好ましい。
In this production method, after step 1 and before step 2, the catalyst is adsorbed on the surface of the polymer compound contained in the fine linear silver-containing layer obtained in step 1, and is placed on the catalyst in the subsequent step 2. The activation treatment for precipitating the plating metal may be performed. Examples of the activation treatment include known methods using a palladium catalyst (catalyst-accelerator method, sensitize-activator method, etc.), a silver catalyst and / or a copper catalyst.
In this manufacturing method, the line width of the conductive thin wire can be narrowed as compared with the case where the above activation treatment is performed, and the visibility of the mesh pattern formed by the conductive thin wire is further improved. Therefore, it is preferable not to perform the activation treatment.

〔導電性部材〕
以下に、本製造方法により得られる導電性部材の構造について説明する。
導電性部材は、基材と、基材上に配置された導電性細線とを少なくとも含む。基材上に配置される導電性細線の数は特に制限されない。
[Conductive member]
The structure of the conductive member obtained by this manufacturing method will be described below.
The conductive member includes at least a base material and a conductive thin wire arranged on the base material. The number of conductive thin wires arranged on the base material is not particularly limited.

導電性細線は、高分子化合物と金属とを含む。
導電性細線に含まれる高分子化合物は、その好ましい態様も含めて、上述した細線状の銀含有層に含まれる高分子化合物と同じであってよい。
導電性細線に含まれる金属は、導電性細線の導電特性を担保する部分であり、少なくとも細線状の銀含有層に含まれていた銀(金属銀)を含む。金属としては、導電特性がより優れる点で、銀単体、又は、銀と、銅(金属銅)、金(金属金)、ニッケル(金属ニッケル)及びパラジウム(金属パラジウム)からなる群より選択される1つ以上の金属との混合物が好ましく、銀単体、又は、銀と銅の混合物がより好ましく、銀単体が更に好ましい。
導電性細線は、複数の細線状の金属が高分子化合物中に分散してなる構造を有することが多い。また、導電性細線に含まれる複数の金属の少なくとも一部同士が、上記工程2のめっき処理に用いる金属イオンに由来する金属によって接合されていてもよい。
The conductive thin wire contains a polymer compound and a metal.
The polymer compound contained in the conductive thin wire may be the same as the polymer compound contained in the above-mentioned fine wire-shaped silver-containing layer, including its preferred embodiment.
The metal contained in the conductive thin wire is a portion that guarantees the conductive characteristics of the conductive thin wire, and includes at least silver (metal silver) contained in the fine wire-shaped silver-containing layer. The metal is selected from the group consisting of silver alone or silver and copper (metal copper), gold (metal gold), nickel (metal nickel) and palladium (metal palladium) because of its superior conductivity. A mixture with one or more metals is preferable, silver alone or a mixture of silver and copper is more preferable, and silver alone is further preferable.
The conductive thin wire often has a structure in which a plurality of fine wire-shaped metals are dispersed in a polymer compound. Further, at least a part of the plurality of metals contained in the conductive thin wire may be joined by a metal derived from a metal ion used in the plating treatment of the above step 2.

本製造方法で製造される導電性細線の線幅は、視認されにくい点から、2.0μm以下であることが好ましく、1.7μm以下がより好ましく、1.5μm以下が更に好ましい。下限は特に制限されないが、導電性細線の導電性がより優れる点から、0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより好ましい。
また、導電性細線の厚みは特に制限されないが、0.5〜2.5μmが好ましく、1.0〜2.0μmがより好ましい。
なお、導電性細線の「線幅」及び「厚み」の意味は、上述した細線状の銀含有層の「線幅」及び「厚み」の意味と同じである。
The line width of the conductive thin wire produced by this production method is preferably 2.0 μm or less, more preferably 1.7 μm or less, still more preferably 1.5 μm or less, from the viewpoint of being difficult to see. The lower limit is not particularly limited, but 0.5 μm or more is preferable, and 1.0 μm or more is more preferable, from the viewpoint of more excellent conductivity of the conductive thin wire.
The thickness of the conductive thin wire is not particularly limited, but is preferably 0.5 to 2.5 μm, more preferably 1.0 to 2.0 μm.
The meanings of "line width" and "thickness" of the conductive thin wire are the same as the meanings of "line width" and "thickness" of the fine wire-shaped silver-containing layer described above.

導電性細線の線抵抗値は、200Ω/mm未満であることが好ましい。なかでも、タッチパネルとして用いた際の操作性の点から、100Ω/mm未満であることがより好ましく、80Ω/mm未満が更に好ましい。
線抵抗値とは、4探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の1本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、4本(A、B、C、D)のマイクロプローブ(マイクロサポート社製タングステンプローブ(直径0.5μm))を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブA及びDに定電流Iを印加する。この定電流Iの印加は、ソースメーター(KEITHLEY製ソースメーター 2400型汎用ソースメーター)を用いて行い、内部プローブB及びC間の電圧Vが5mVになるように設定する。次いで、抵抗値R=V/Iを測定し、得られた抵抗値RをB及びC間の距離で除すことにより、線抵抗値が求められる。
The line resistance value of the conductive thin wire is preferably less than 200 Ω / mm. Among them, from the viewpoint of operability when used as a touch panel, it is more preferably less than 100 Ω / mm, and further preferably less than 80 Ω / mm.
The linear resistance value is the resistance value measured by the 4-probe method divided by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of any one conductive thin wire constituting the mesh pattern from the mesh pattern, four (A, B, C, D) microprobes (Microsupport Co., Ltd.) A tungsten probe (diameter 0.5 μm) manufactured by Tungsten is brought into contact with the separated conductive thin wire, and a constant current I is applied to the outermost probes A and D. The constant current I is applied using a source meter (a source meter 2400 type general-purpose source meter manufactured by KEITHLEY), and the voltage V between the internal probes B and C is set to 5 mV. Next, the resistance value R = V / I is measured, and the obtained resistance value R is divided by the distance between B and C to obtain the linear resistance value.

導電性細線は所定のパターンを形成していてもよく、例えば、そのパターンは特に制限されず、正三角形、二等辺三角形、直角三角形等の三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、(正)六角形、(正)八角形等の(正)n角形、円、楕円、及び、星形等を組み合わせた幾何学図形であることが好ましく、図1に示すようなメッシュ状(メッシュパターン)であることがより好ましい。
導電性細線がメッシュパターンを形成する場合における、開口部の一辺の長さ、開口部の形状及び開口率については、その好ましい態様も含めて、上述した細線状の銀含有層が形成するメッシュパターンと同じであってよい。
The conductive thin wire may form a predetermined pattern, for example, the pattern is not particularly limited, and a triangle such as an equilateral triangle, an isosceles triangle, a right triangle, a square, a rectangle, a rhombus, a parallelogram, a trapezoid, etc. It is preferable that the geometrical figure is a combination of (regular) n-sided triangles such as a quadrangle, a (regular) hexagon, and a (regular) octagon, a circle, an ellipse, and a star, and is a mesh as shown in FIG. More preferably, it has a shape (mesh pattern).
When the conductive thin wire forms a mesh pattern, the length of one side of the opening, the shape of the opening, and the aperture ratio include the preferred aspects thereof, and the mesh pattern formed by the fine line-shaped silver-containing layer described above. May be the same as.

また、導電性部材は、基材と導電性細線との間に配置された銀不含有層、及び、導電性細線上に形成された保護層からなる群より選択される少なくとも1つを有していてもよい。
導電性部材が有してもよい銀不含有層及び保護層はいずれも、上述した通りである。
Further, the conductive member has at least one selected from the group consisting of a silver-free layer arranged between the base material and the conductive thin wire and a protective layer formed on the conductive thin wire. You may be.
Both the silver-free layer and the protective layer that the conductive member may have are as described above.

<用途>
上記のようにして得られた導電性部材は、種々の用途に適用でき、タッチパネル(又は、タッチパネルセンサー)、半導体チップ、各種電気配線板、FPC(Flexible Printed Circuits)、COF(Chip on Film)、TAB(Tape Automated Bonding)、アンテナ、多層配線基板、及び、マザーボード等の種々の用途に適用できる。なかでも、導電性部材は、タッチパネル(静電容量式タッチパネル)に用いることが好ましい。
導電性部材をタッチパネルに用いる場合、上述した導電性細線は検出電極として有効に機能し得る。
なお、導電性部材においては、上述した所定の特性を有する導電性細線とは別に、上述した金属が存在する領域の幅が2.0μm超の導電部を有していてもよい。この導電部は、上述した導電性細線と接続して、導通していてもよい。
<Use>
The conductive member obtained as described above can be applied to various uses, such as a touch panel (or touch panel sensor), a semiconductor chip, various electric wiring boards, FPC (Flexible Printed Circuits), COF (Chip on Film), and the like. It can be applied to various applications such as TAB (Tape Automated Bonding), antennas, multilayer wiring boards, and motherboards. Among them, the conductive member is preferably used for a touch panel (capacitive touch panel).
When the conductive member is used for the touch panel, the above-mentioned conductive thin wire can effectively function as a detection electrode.
The conductive member may have a conductive portion having a width of more than 2.0 μm in the region where the metal exists, in addition to the conductive thin wire having the above-mentioned predetermined characteristics. This conductive portion may be connected to the above-mentioned conductive thin wire to be conductive.

導電性部材をタッチパネルセンサーとして使用した態様について、図2を用いて説明する。なお、導電性部材の構成は、タッチセンサーとして機能するものであれば、その構成は、図2の態様に限定されるものではない。
導電性部材16は、透明な可撓性基材25の少なくとも一方の表面に、導電層により構成された一方向に延びる検出部20と、検出部20の各端に、それぞれ電気的に接続された取出し線23を備える取出し配線部22とを有する。取出し配線部22は、検出部20の周囲を連続した帯状に囲む周縁部21に設けられている。
導電性部材16には、取出し配線部22の外部接続端子26が配置される。外部接続端子26には、例えば、フレキシブル回路基板19等の可撓性を有する配線部材が電気的に接続される。
導電性部材16には、可撓性基材25の表面25a及び裏面25bに、それぞれ検出部20及び取出し配線部22が設けられている。
A mode in which the conductive member is used as the touch panel sensor will be described with reference to FIG. The configuration of the conductive member is not limited to the mode shown in FIG. 2 as long as it functions as a touch sensor.
The conductive member 16 is electrically connected to at least one surface of the transparent flexible base material 25 to a detection unit 20 formed of a conductive layer and extending in one direction, and to each end of the detection unit 20. It has a take-out wiring portion 22 including a take-out wire 23. The take-out wiring portion 22 is provided on a peripheral edge portion 21 that surrounds the detection portion 20 in a continuous band shape.
The external connection terminal 26 of the take-out wiring portion 22 is arranged on the conductive member 16. A flexible wiring member such as a flexible circuit board 19 is electrically connected to the external connection terminal 26.
The conductive member 16 is provided with a detection unit 20 and a take-out wiring unit 22 on the front surface 25a and the back surface 25b of the flexible base material 25, respectively.

検出部20は、図2に示すように、例えば、複数の第1検出電極30と複数の第2検出電極32とを有する。複数の第1検出電極30は、互いに平行にX方向に延びる帯状の電極であり、互いにX方向と直交するY方向に間隔31をあけて、互いにY方向において電気的に絶縁された状態で可撓性基材25の表面25a上に設けられている。複数の第2検出電極32は、互いに平行にY方向に延びる帯状の電極であり、互いにX方向に間隔31をあけて、互いにX方向において電気的に絶縁された状態で可撓性基材25の裏面25b(図2参照)上に設けられている。複数の第1検出電極30と複数の第2検出電極32とは、直交して設けられているが、可撓性基材25により互いに電気的に絶縁されている。
なお、第1検出電極30及び第2検出電極32における間隔31は、第1検出電極30または第2検出電極32と分断されており、電気的に接続されていない領域である。このため、上述のように、複数の第1検出電極30は互いにY方向において電気的に絶縁された状態であり、複数の第2検出電極32は互いにX方向において電気的に絶縁された状態である。検出電極間の間隔31に、検出電極と電気的に絶縁されたダミー電極を設置してもよい。ダミー電極とは、検出電極と電気的に絶縁された電極であり、検出電極に隣接して設置してもよい。ダミー電極の形状は特に限定されないが、検出電極と同じ電極形態をしていることが好ましい。また、ダミー電極内に断線している部分が存在してもよい。
As shown in FIG. 2, the detection unit 20 has, for example, a plurality of first detection electrodes 30 and a plurality of second detection electrodes 32. The plurality of first detection electrodes 30 are band-shaped electrodes extending in the X direction in parallel with each other, and may be electrically insulated from each other in the Y direction with an interval 31 in the Y direction orthogonal to the X direction. It is provided on the surface 25a of the flexible base material 25. The plurality of second detection electrodes 32 are strip-shaped electrodes extending in the Y direction in parallel with each other, and are spaced apart from each other in the X direction by 31 and are electrically insulated from each other in the X direction. It is provided on the back surface 25b (see FIG. 2) of the above. The plurality of first detection electrodes 30 and the plurality of second detection electrodes 32 are provided orthogonally to each other, but are electrically insulated from each other by the flexible base material 25.
The interval 31 between the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 is a region that is separated from the first detection electrode 30 or the second detection electrode 32 and is not electrically connected. Therefore, as described above, the plurality of first detection electrodes 30 are electrically insulated from each other in the Y direction, and the plurality of second detection electrodes 32 are electrically insulated from each other in the X direction. be. A dummy electrode electrically insulated from the detection electrode may be installed at a distance 31 between the detection electrodes. The dummy electrode is an electrode that is electrically insulated from the detection electrode, and may be installed adjacent to the detection electrode. The shape of the dummy electrode is not particularly limited, but it is preferable that the dummy electrode has the same electrode form as the detection electrode. Further, there may be a broken portion in the dummy electrode.

図2に示すように検出部20では、第1検出電極30が8つ、第2検出電極32が9つ設けられているが、その数は特に限定されるものではなく複数あればよい。
第1検出電極30と第2検出電極32とは、上述した本発明の導電性細線33により構成される。導電性細線33は、図2に示すように、メッシュ状に配置されている。
より具体的には、図3においては、第1検出電極30が配置される表面25a側の平面図を示し、図4においては、第2検出電極32が配置される裏面25b側の平面図を示す。図3及び4に示すように、第1検出電極30及び第2検出電極32は、それぞれメッシュ状に配置された導電性細線33により構成される。なお、第1検出電極30と第2検出電極32のそれぞれのメッシュパターンの重なりによって、図2に示すように、より細かい格子より構成されるメッシュパターンが形成される。
As shown in FIG. 2, the detection unit 20 is provided with eight first detection electrodes 30 and nine second detection electrodes 32, but the number is not particularly limited and may be a plurality.
The first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are composed of the above-described conductive thin wire 33 of the present invention. As shown in FIG. 2, the conductive thin wires 33 are arranged in a mesh shape.
More specifically, FIG. 3 shows a plan view of the front surface 25a side on which the first detection electrode 30 is arranged, and FIG. 4 shows a plan view of the back surface 25b side on which the second detection electrode 32 is arranged. show. As shown in FIGS. 3 and 4, the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are each composed of conductive thin wires 33 arranged in a mesh shape. As shown in FIG. 2, a mesh pattern composed of a finer grid is formed by overlapping the mesh patterns of the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32.

取出し配線部22は、第1検出電極30及び第2検出電極32に電圧を印加するための役割を担う部材である。取出し配線部22は、一端が第1検出電極30または第2検出電極32の端に電気的に接続されている。他端である終端部に外部接続端子26が設けられている。
取出し配線部22は、複数の取出し線23により構成されている。取出し線23は、それぞれ、一端が上述の第1検出電極30の端または第2検出電極32の端と電気的に接続されている。複数の取出し線23の他端は、まとめて1つの外部接続端子26に電気的に接続されている。複数の取出し線23の他端は、取出し配線部22の終端部である。なお、取出し配線部22の取出し線23の数は、電気的に接続される検出電極の数と同じである。
取出し配線部23は、図2に示すように1か所にまとめてもよいし、複数個所から取り出してもよい。
The take-out wiring unit 22 is a member that plays a role of applying a voltage to the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32. One end of the take-out wiring portion 22 is electrically connected to the end of the first detection electrode 30 or the second detection electrode 32. An external connection terminal 26 is provided at the terminal portion at the other end.
The take-out wiring unit 22 is composed of a plurality of take-out wires 23. One end of each of the take-out wires 23 is electrically connected to the end of the first detection electrode 30 or the end of the second detection electrode 32 described above. The other ends of the plurality of take-out wires 23 are collectively electrically connected to one external connection terminal 26. The other end of the plurality of take-out wires 23 is the end portion of the take-out wiring portion 22. The number of take-out wires 23 of the take-out wiring unit 22 is the same as the number of detection electrodes electrically connected.
As shown in FIG. 2, the take-out wiring unit 23 may be put together in one place, or may be taken out from a plurality of places.

取出し配線部は、検出電極の両端に接続されていてもよいし、どちらか片端のみに接続されていてもよい。図2においては、第1検出電極30にはX方向の端に取出し配線部22が電気的に接続され、第2検出電極32にはY方向の一方の端に取出し配線部22が電気的に接続されており、第1検出電極30及び第2検出電極32に対して3方向から取出し配線部22が引き回されている。
なお、検出部20と取出し配線部22とは一体構成であることが好ましい。
The take-out wiring portion may be connected to both ends of the detection electrode, or may be connected to only one end of the detection electrode. In FIG. 2, the take-out wiring portion 22 is electrically connected to the first detection electrode 30 at the end in the X direction, and the take-out wiring portion 22 is electrically connected to the second detection electrode 32 at one end in the Y direction. It is connected, and the take-out wiring portion 22 is routed from three directions with respect to the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32.
It is preferable that the detection unit 20 and the take-out wiring unit 22 have an integral configuration.

取出し線23の線幅は、500μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、30μm以下が更に好ましく、15μm以下が特に好ましい。
また、隣接する取出し線23間の間隔は、500μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましく、30μm以下が更に好ましく、15μm以下が特に好ましい。
また、取出し配線部22の一部または全部を、金属細線で形成してもよい。特に、取出し配線部と検出電極の接続部を線幅10μm以下の金属細線で形成することが好ましく、線幅5μm以下の金属細線で形成することがより好ましく、線幅2μm以下の金属細線で形成することが更に好ましい。取出し配線部22は1本の金属細線によって形成されてもよいし、複数本の金属細線によって形成されてもよい。また、複数本の金属細線によって形成される場合、一定の間隔で、複数の金属細線を電気的につなぐ金属細線を更に追加してもよい。取出し配線部と検出電極の接続部を金属細線にすることで、理由は明らかではないが、視認性が向上する。上記取出し配線部を構成する金属細線は、上述した工程2のめっき処理の際に、上述した導電性細線と共に、形成してもよい。例えば、基材上に金属銀と高分子化合物とを含み、内部に空隙を有し、線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層を配置して、工程2のめっき処理を施すことに、上記金属細線を形成してもよい。
The line width of the take-out line 23 is preferably 500 μm or less, more preferably 50 μm or less, further preferably 30 μm or less, and particularly preferably 15 μm or less.
The distance between adjacent take-out lines 23 is preferably 500 μm or less, more preferably 50 μm or less, further preferably 30 μm or less, and particularly preferably 15 μm or less.
Further, a part or all of the take-out wiring portion 22 may be formed of a thin metal wire. In particular, the connection portion between the take-out wiring portion and the detection electrode is preferably formed of a thin metal wire having a line width of 10 μm or less, more preferably formed of a thin metal wire having a line width of 5 μm or less, and formed of a thin metal wire having a line width of 2 μm or less. It is more preferable to do so. The take-out wiring portion 22 may be formed by one thin metal wire or may be formed by a plurality of thin metal wires. Further, when formed by a plurality of thin metal wires, further thin metal wires connecting the plurality of thin metal wires may be added at regular intervals. By making the connection portion between the take-out wiring portion and the detection electrode a thin metal wire, the reason is not clear, but the visibility is improved. The thin metal wire constituting the take-out wiring portion may be formed together with the above-mentioned conductive thin wire at the time of the plating treatment in the above-mentioned step 2. For example, a second fine linear silver-containing layer containing metallic silver and a polymer compound on a base material, having voids inside, and having a line width of more than 2.0 μm is arranged, and the plating treatment in step 2 is performed. The above-mentioned thin metal wire may be formed by applying the above.

外部接続端子26は、例えば、フレキシブル回路基板19等の配線部材が電気的に接続される端子である。このため、外部接続端子26は全体の幅が周辺配線の幅に比して広く、例えば、100〜200μm程度である。
取出し配線部22と同じように、外部接続端子26も、一部または全部を金属細線で形成してもよい。外部接続端子26により第1検出電極30及び第2検出電極32が、フレキシブル回路基板19等の配線部材を介して外部と電気的に接続される。上記外部接続端子を構成する金属細線は、上述した工程2のめっき処理の際に、上述した導電性細線と共に、形成してもよい。
The external connection terminal 26 is, for example, a terminal to which a wiring member such as a flexible circuit board 19 is electrically connected. Therefore, the overall width of the external connection terminal 26 is wider than the width of the peripheral wiring, for example, about 100 to 200 μm.
Similar to the take-out wiring portion 22, the external connection terminal 26 may be partially or wholly formed of a thin metal wire. The first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are electrically connected to the outside by the external connection terminal 26 via a wiring member such as a flexible circuit board 19. The thin metal wire constituting the external connection terminal may be formed together with the above-mentioned conductive thin wire at the time of the plating treatment in the above-mentioned step 2.

取出し配線部22の形成方法は特に制限されず、第1検出電極30及び第2検出電極32と同時に形成してもよい。具体的には、上述した工程1において、細線状の銀含有層と、細線状の銀含有層に接続された線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層とを同時に形成し、工程2において、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層、及び、線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層に対して、上記めっき処理を施すことにより、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層から第1検出電極30及び第2検出電極32が形成され、線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層から取出し配線部22が形成されてもよい。 The method of forming the take-out wiring portion 22 is not particularly limited, and the take-out wiring portion 22 may be formed at the same time as the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32. Specifically, in step 1 described above, a fine linear silver-containing layer and a second fine linear silver-containing layer connected to the fine linear silver-containing layer and having a line width of more than 2.0 μm are simultaneously formed. Then, in step 2, the above plating treatment is applied to the fine linear silver-containing layer having a line width of 2.0 μm or less and the second fine linear silver-containing layer having a line width of more than 2.0 μm. As a result, the first detection electrode 30 and the second detection electrode 32 are formed from the fine linear silver-containing layer having a line width of 2.0 μm or less, and the second fine linear silver-containing layer having a line width of more than 2.0 μm is formed. The take-out wiring portion 22 may be formed from the layer.

以下に本発明の実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention. The materials, amounts used, proportions, treatment contents, treatment procedures, etc. shown in the following examples can be appropriately changed as long as they do not deviate from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as limited by the specific examples shown below.

<実施例1>
(ハロゲン化銀乳剤の調製)
38℃、pH4.5に保たれた下記1液に、下記の2液及び3液の各々90%に相当する量を、1液を攪拌しながら同時に20分間にわたって加え、0.16μmの核粒子を形成した。続いて、得られた溶液に下記4液及び5液を8分間にわたって加え、更に、下記の2液及び3液の残りの10%の量を2分間にわたって加え、核粒子を0.21μmまで成長させた。更に、得られた溶液にヨウ化カリウム0.15gを加え、5分間熟成し、粒子形成を終了した。
<Example 1>
(Preparation of silver halide emulsion)
To the following liquid 1 kept at 38 ° C. and pH 4.5, an amount corresponding to 90% of each of the following liquids 2 and 3 was added simultaneously for 20 minutes while stirring the 1 liquid, and 0.16 μm nuclei particles were added. Was formed. Subsequently, the following 4 and 5 solutions were added to the obtained solution for 8 minutes, and the remaining 10% of the following 2 and 3 solutions were added over 2 minutes to grow the nuclear particles to 0.21 μm. I let you. Further, 0.15 g of potassium iodide was added to the obtained solution, and the mixture was aged for 5 minutes to complete particle formation.

1液:
水 750ml
ゼラチン 8.6g
塩化ナトリウム 3g
1,3−ジメチルイミダゾリジン−2−チオン 20mg
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム 10mg
クエン酸 0.7g
2液:
水 300ml
硝酸銀 150g
3液:
水 300ml
塩化ナトリウム 38g
臭化カリウム 32g
ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム
(0.005%KCl 20%水溶液) 5ml
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム
(0.001%NaCl 20%水溶液) 7ml
4液:
水 100ml
硝酸銀 50g
5液:
水 100ml
塩化ナトリウム 13g
臭化カリウム 11g
黄血塩 5mg
Liquid 1:
750 ml of water
Gelatin 8.6g
Sodium chloride 3g
1,3-Dimethylimidazolidine-2-thione 20 mg
Sodium benzenethiosulfonate 10 mg
Citric acid 0.7g
Liquid 2:
300 ml of water
Silver nitrate 150g
Liquid 3:
300 ml of water
Sodium chloride 38g
Potassium bromide 32g
Potassium hexachloroiridium (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml
Ammonium hexachlororodium acid (0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7 ml
Liquid 4:
100 ml of water
Silver nitrate 50g
Liquid 5:
100 ml of water
Sodium chloride 13g
Potassium bromide 11g
Yellow blood salt 5 mg

その後、常法に従ってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、上記で得られた溶液の温度を35℃に下げ、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでpHを下げた(pH3.6±0.2の範囲であった)。次に、得られた溶液から上澄み液を約3リットル除去した(第1水洗)。次に、上澄み液を除去した溶液に、3リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度、得られた溶液から上澄み液を3リットル除去した(第2水洗)。第2水洗と同じ操作を更に1回繰り返して(第3水洗)、水洗及び脱塩工程を終了した。水洗及び脱塩後の乳剤をpH6.4、pAg7.5に調整し、ゼラチン2.5g、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム10mg、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム3mg、チオ硫酸ナトリウム15mg及び塩化金酸10mgを加え、55℃にて最適感度を得るように化学増感を施した。その後、更に、得られた乳剤に、安定剤として1,3,3a,7−テトラアザインデン100mg、及び、防腐剤としてプロキセル(商品名、ICI Co.,Ltd.製)100mgを加えた。最終的に得られた乳剤は、ヨウ化銀を0.08モル%含み、塩臭化銀の比率を塩化銀70モル%、臭化銀30モル%とする、平均粒子径(球相当径)200nm、変動係数9%の塩臭化銀立方体粒子乳剤であった。 Then, it was washed with water by the floculation method according to a conventional method. Specifically, the temperature of the solution obtained above was lowered to 35 ° C., and the pH was lowered using sulfuric acid until the silver halide settled (pH was in the range of 3.6 ± 0.2). Next, about 3 liters of the supernatant was removed from the obtained solution (first washing with water). Next, 3 liters of distilled water was added to the solution from which the supernatant had been removed, and then sulfuric acid was added until the silver halide settled. Again, 3 liters of the supernatant was removed from the obtained solution (second wash). The same operation as the second water washing was repeated once more (third water washing), and the water washing and desalting steps were completed. After washing with water and desalting, the emulsion was adjusted to pH 6.4 and pAg 7.5, and gelatin 2.5 g, sodium benzenethiosulfonate 10 mg, sodium benzenethiosulfinate 3 mg, sodium thiosulfate 15 mg and gold chloride acid 10 mg were added. Chemical sensitization was performed at 55 ° C. to obtain optimum sensitivity. Then, 100 mg of 1,3,3a, 7-tetraazaindene as a stabilizer and 100 mg of Proxel (trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.) as a preservative were further added to the obtained emulsion. The finally obtained emulsion contains 0.08 mol% of silver iodide, and the ratio of silver bromide is 70 mol% of silver chloride and 30 mol% of silver bromide, and the average particle size (sphere equivalent diameter). It was a silver chloride cubic particle emulsion having a variation coefficient of 9% at 200 nm.

(感光性層形成用組成物の調製)
上記乳剤に1,3,3a,7−テトラアザインデン(1.2×10−4モル/モルAg)、ヒドロキノン(1.2×10−2モル/モルAg)、クエン酸(3.0×10−4モル/モルAg)、2,4−ジクロロ−6−ヒドロキシ−1,3,5−トリアジンナトリウム塩(0.90g/モルAg)、及び、微量の硬膜剤を添加し、組成物を得た。次に、クエン酸を用いて組成物のpHを5.6に調整した。
上記組成物に、下記(P−1)で表される高分子(以下、「高分子1」ともいう。)とジアルキルフェニルPEO(PEOはポリエチレンオキシドの略号である。)硫酸エステルからなる分散剤と水とを含有するポリマーラテックス(高分子1の質量に対する分散剤の質量の比(分散剤の質量/高分子1の質量、単位はg/g)が0.02であって、固形分含有量が22質量%である。)を、組成物中のゼラチンの合計質量に対する、高分子1の質量の比(高分子1の質量/ゼラチンの質量、単位g/g)が0.25/1となるように添加して、ポリマーラテックス含有組成物を得た。ここで、ポリマーラテックス含有組成物において、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの質量の比(ゼラチンの質量/ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位はg/gである。)は0.11であった。また、高分子1の式中の数値(「8.6」、「58.9」、「2」、「25.4」及び「5.1」)は、各繰り返し単位のモル比率を表す。
更に、得られたポリマーラテックス含有組成物に、架橋剤としてEPOXY RESIN DY 022(商品名:ナガセケムテックス社製)を添加した。なお、架橋剤の添加量は、後述するハロゲン化銀含有感光性層中における架橋剤の量が0.09g/mとなるように調整した。
以上のようにして感光性層形成用組成物を調製した。
なお、高分子1は、特許第3305459号公報及び特許第3754745号公報を参照して合成した。
(Preparation of composition for forming a photosensitive layer)
1,3,3a above emulsion, 7-tetraazaindene (1.2 × 10 -4 mol / mol Ag), hydroquinone (1.2 × 10 -2 mol / mol Ag), citric acid (3.0 × 10-4 mol / mol Ag), 2,4-dichloro-6-hydroxy-1,3,5-triazine sodium salt (0.90 g / mol Ag), and a trace amount of hardener were added to the composition. Got The pH of the composition was then adjusted to 5.6 with citric acid.
A dispersant comprising the polymer represented by the following (P-1) (hereinafter, also referred to as “polymer 1”) and dialkylphenyl PEO (PEO is an abbreviation for polyethylene oxide) sulfate ester in the above composition. Polymer latex containing water and water (the ratio of the mass of the dispersant to the mass of the polymer 1 (mass of the dispersant / mass of the polymer 1, the unit is g / g) is 0.02, and contains solid content. The ratio of the mass of the polymer 1 to the total mass of the gelatin in the composition (mass of the polymer 1 / mass of the gelatin, unit g / g) is 0.25 / 1. To obtain a polymer latex-containing composition. Here, in the polymer latex-containing composition, the ratio of the mass of gelatin to the mass of silver derived from silver halide (mass of gelatin / mass of silver derived from silver halide, the unit is g / g) is 0. It was 11. Further, the numerical values (“8.6”, “58.9”, “2”, “25.4” and “5.1”) in the formula of the polymer 1 represent the molar ratio of each repeating unit.
Further, EPOXY RESIN DY 022 (trade name: manufactured by Nagase ChemteX Corporation) was added as a cross-linking agent to the obtained polymer latex-containing composition. The amount of the cross-linking agent added was adjusted so that the amount of the cross-linking agent in the silver halide-containing photosensitive layer described later was 0.09 g / m 2.
The composition for forming a photosensitive layer was prepared as described above.
The polymer 1 was synthesized with reference to Japanese Patent No. 3305459 and Japanese Patent No. 3754745.

Figure 2021163735
Figure 2021163735

(下塗り層の形成)
厚み40μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(富士フイルム社製ロール状の長尺フィルム)からなる基材に上記ポリマーラテックスを塗布して、厚み0.05μmの下塗り層を設けた。この処理はロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理(工程)もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は1m、長さは1000mであった。
(Formation of undercoat layer)
The polymer latex was applied to a substrate made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 40 μm (a long roll-shaped film manufactured by FUJIFILM Corporation) to provide an undercoat layer having a thickness of 0.05 μm. This process was performed roll-to-roll, and each of the following processes (steps) was also performed roll-to-roll in the same manner. The roll width at this time was 1 m, and the length was 1000 m.

(工程E−1、工程A−1、工程F−1)
次に、下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上記感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは2.0μmであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は2/1であり、高分子1の含有量は1.3g/mであった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは2.5μmであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は0.25/1であり、高分子1の含有量は0.19g/mであった。
また、保護層の厚みは0.15μmであり、保護層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は0.1/1であり、高分子1の含有量は0.015g/mであった。
(Step E-1, Step A-1, Step F-1)
Next, on the undercoat layer, a silver halide-free layer forming composition in which the polymer latex and gelatin are mixed, a protective layer forming in which the photosensitive layer forming composition, and the polymer latex and gelatin are mixed is formed. The composition for use was simultaneously applied in multiple layers to form a silver halide-free layer, a silver halide-containing photosensitive layer, and a protective layer on the undercoat layer.
The thickness of the silver halide-free layer is 2.0 μm, and the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the silver halide-free layer is 2/1, which is high. The content of the molecule 1 was 1.3 g / m 2 .
The thickness of the silver halide-containing photosensitive layer is 2.5 μm, and the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer is 0.25 / 1. The content of the polymer 1 was 0.19 g / m 2 .
The thickness of the protective layer is 0.15 μm, the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the protective layer is 0.1 / 1, and the content of polymer 1 is It was 0.015 g / m 2.

(工程B−1)
上記で作製した感光性層に、正方格子状のフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。フォトマスクとしてパターン形成用のマスクを用い、単位正方格子を形成する銀含有層の線幅が1.3μmであり、単位正方格子(開口部)の一辺の長さLが600μmになるように露光条件を設定した。
(Step B-1)
The photosensitive layer prepared above was exposed to light through a square grid-shaped photomask using parallel light using a high-pressure mercury lamp as a light source. A pattern-forming mask is used as a photomask, and the silver-containing layer forming the unit square grid is exposed so that the line width is 1.3 μm and the length L of one side of the unit square grid (opening) is 600 μm. I set the conditions.

露光後、得られたサンプルAに対して、後述する現像液で現像し、更に定着液(商品名:CN16X用N3X−R:富士フイルム社製)を用いて現像処理を行った後、25℃の純水でリンスし、その後乾燥して、図1に示すメッシュパターン状に形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルAを得た。サンプルAにおいては、21.0cm×29.7cmの大きさの導電性メッシュパターン領域が形成されていた。 After the exposure, the obtained sample A is developed with a developing solution described later, further developed with a fixing solution (trade name: N3X-R for CN16X: manufactured by FUJIFILM Corporation), and then developed at 25 ° C. Was rinsed with pure water and then dried to obtain Sample A having a silver-containing layer containing metallic silver, which was formed in the mesh pattern shown in FIG. In sample A, a conductive mesh pattern region having a size of 21.0 cm × 29.7 cm was formed.

(現像液の組成)
現像液1リットル(L)中に、以下の化合物が含まれる。
ヒドロキノン 0.037mol/L
N−メチルアミノフェノール 0.016mol/L
メタホウ酸ナトリウム 0.140mol/L
水酸化ナトリウム 0.360mol/L
臭化ナトリウム 0.031mol/L
メタ重亜硫酸カリウム 0.187mol/L
(Composition of developer)
The following compounds are contained in 1 liter (L) of the developing solution.
Hydroquinone 0.037 mol / L
N-Methylaminophenol 0.016 mol / L
Sodium metaborate 0.140 mol / L
Sodium hydroxide 0.360 mol / L
Sodium bromide 0.031 mol / L
Potassium metabisulfate 0.187 mol / L

上記で得られたサンプルAを、50℃の温水中に180秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。 The sample A obtained above was immersed in warm water at 50 ° C. for 180 seconds. After that, the water was drained with an air shower and allowed to air dry.

(工程C−1)
工程B−1で得られたサンプルAを、110℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、30秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は100kg/hであった。
(Step C-1)
The sample A obtained in step B-1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110 ° C. and allowed to stand for 30 seconds to perform superheated steam treatment. The steam flow rate at this time was 100 kg / h.

(工程D−1)
工程C−1で得られたサンプルAを、タンパク質分解酵素(ナガセケムテックス社製ビオプラーゼAL−15FG)の水溶液(タンパク質分解酵素の濃度:0.5質量%、液温:40℃)に120秒間浸漬した。サンプルAを水溶液から取り出し、サンプルAを温水(液温:50℃)に120秒間浸漬した後、洗浄して、サンプルAを得た。
(Step D-1)
Sample A obtained in step C-1 is placed in an aqueous solution of a proteolytic enzyme (Bioprese AL-15FG manufactured by Nagase ChemteX Corporation) (proteolytic enzyme concentration: 0.5% by mass, liquid temperature: 40 ° C.) for 120 seconds. Soaked. Sample A was taken out from the aqueous solution, and sample A was immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds and then washed to obtain sample A.

工程D−1により得られたサンプルAは、基材、下塗り層、銀不含有層、銀含有層及び保護層がこの順に積層されてなる積層体であり、銀含有層の線幅は1.3μmであった。また、サンプルAは、銀含有層と開口部とからなるメッシュパターンを有していた。
なお、銀含有層の線幅、並びに、後述する導電性細線の線幅及び厚みの測定にはキーエンス社製のマイクロスコープVHX-5000を使用した。
The sample A obtained in step D-1 is a laminate in which a base material, an undercoat layer, a silver-free layer, a silver-containing layer, and a protective layer are laminated in this order, and the line width of the silver-containing layer is 1. It was 3 μm. Further, the sample A had a mesh pattern composed of a silver-containing layer and an opening.
A microscope VHX-5000 manufactured by KEYENCE Corporation was used to measure the line width of the silver-containing layer and the line width and thickness of the conductive thin wire described later.

サンプルAが有する細線状の銀含有層の垂直断面における金属銀、高分子化合物(高分子1)及び空隙が占める領域の割合を、以下の方法で測定した。
工程D−1で得られたサンプルAを、ミクロトームを用いて、細線状の銀含有層が延在する方向に直交する方向に沿って切削し、銀含有層の垂直断面を露出させた。露出した銀含有層の垂直断面にカーボン蒸着を行った後、走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社製S-5200型SEM)にて垂直断面を観察した。このときの観察条件は、反射電子モードで、加速電圧:5kVであった。
得られた観察画像を、画像処理ソフト(Image J)を用いて、閾値として輝度を150及び75に設定して解析することにより、金属銀が占める領域と金属銀以外が占める領域とで2値化した断面画像A、及び、空隙が占める領域と空隙以外が占める領域とで2値化した断面画像Bを作成した。
得られた断面画像Aにおいて、上述の方法で金属銀が存在する領域Aの内接円を描き、描かれた領域Aの内接円に含まれる金属銀が占める領域の合計面積の内接円の全面積に対する割合の面積比を算出した。次いで、得られた断面画像Bにおいて、断面画像Aにおける領域Aの内接円と同じ円を描き、描かれた内接円に含まれる空隙が占める領域の合計面積の上記内接円の全面積に対する割合の面積比を算出した。算出された金属銀及び空隙のそれぞれが占める領域の合計面積と内終焉の全面積に基づいて、領域Aの内接円に含まれる高分子1が占める領域の合計面積の内接円の全面積に対する割合を算出した。
その結果、銀含有層の垂直断面における、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀、高分子化合物及び空隙が占める領域のそれぞれの内接円の全面積に対する割合は、面積比でそれぞれ40%、42%及び18%であった。
The ratio of the region occupied by the metallic silver, the polymer compound (polymer 1) and the voids in the vertical cross section of the fine linear silver-containing layer of the sample A was measured by the following method.
Sample A obtained in step D-1 was cut using a microtome along a direction orthogonal to the direction in which the fine line-shaped silver-containing layer extends to expose the vertical cross section of the silver-containing layer. After carbon deposition was performed on the vertical cross section of the exposed silver-containing layer, the vertical cross section was observed with a scanning electron microscope (S-5200 type SEM manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The observation conditions at this time were the backscattered electron mode and the acceleration voltage: 5 kV.
By analyzing the obtained observation image using image processing software (Image J) with the brightness set to 150 and 75 as the threshold value, the region occupied by metallic silver and the region occupied by other than metallic silver are binary values. A binarized cross-sectional image A and a binarized cross-sectional image B of a region occupied by a void and a region occupied by a region other than the void were created.
In the obtained cross-sectional image A, the inscribed circle of the region A where the metallic silver exists is drawn by the above method, and the inscribed circle of the total area of the region occupied by the metallic silver included in the inscribed circle of the drawn region A. The area ratio of the ratio to the total area of was calculated. Next, in the obtained cross-sectional image B, the same circle as the inscribed circle of the area A in the cross-sectional image A is drawn, and the total area of the inscribed circle is the total area of the area occupied by the voids included in the drawn inscribed circle. The area ratio of the ratio to the area was calculated. Based on the calculated total area of the area occupied by the metallic silver and the voids and the total area of the inscribed circle, the total area of the inscribed circle of the total area of the area occupied by the polymer 1 included in the inscribed circle of the area A. The ratio to was calculated.
As a result, in the vertical cross section of the silver-containing layer, the ratio of each inscribed circle of the region occupied by the metallic silver, the polymer compound, and the void contained in the inscribed circle of the region A where the metallic silver exists is the area. The ratios were 40%, 42% and 18%, respectively.

(工程2−1)
工程D−1で得られたサンプルAを、以下に示す組成を有するめっき液A(30℃)に5分間浸漬した。サンプルAをめっき液Aから取り出し、サンプルAを温水(液温:50℃)に120秒間浸漬して、洗浄した。
(Step 2-1)
The sample A obtained in step D-1 was immersed in a plating solution A (30 ° C.) having the composition shown below for 5 minutes. Sample A was taken out from the plating solution A, and sample A was immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds for washing.

めっき液A(全量1200ml)の組成は、以下の通りであった。めっき液AのpHは9.5であり、炭酸カリウム(富士フイルム和光純薬(株)製)を所定量加えることにより調整した。また、めっき液A中のメチルヒドロキノンの含有量は、めっき液Aに対して0.1モル/Lであった。
なお、めっき液Aに使用した以下の成分は、いずれも富士フイルム和光純薬(株)製を用いた。
The composition of the plating solution A (total volume 1200 ml) was as follows. The pH of the plating solution A was 9.5, and the pH was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The content of methyl hydroquinone in the plating solution A was 0.1 mol / L with respect to the plating solution A.
The following components used in the plating solution A were all manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

(めっき液Aの組成)
・AgNO 8.8g
・亜硫酸ナトリウム 72g
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 66g
・ヨウ化カリウム 0.004g
・クエン酸 12g
・メチルヒドロキノン 14.9g
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
(Composition of plating solution A)
・ AgNO 3 8.8g
・ Sodium sulfite 72g
・ Sodium thiosulfate pentahydrate 66g
・ Potassium iodide 0.004g
・ Citric acid 12g
・ Methyl hydroquinone 14.9g
・ Potassium carbonate Prescribed amount ・ Water balance

(工程3−1)
工程2−1で得られたサンプルAに対して、金属ロールと樹脂製ロールとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、30kNの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
(Step 3-1)
The sample A obtained in step 2-1 was calendar-processed at a pressure of 30 kN using a calendar device using a combination of a metal roll and a resin roll. Calendar processing was performed at room temperature.

(工程4−1)
工程3−1で得られたサンプルAに対して、110℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、30秒間静置して、過熱水蒸気処理を行い、導電性部材を得た。なお、このときの蒸気流量は100kg/hであった。
実施例1で得られた導電性部材は、導電性細線により形成され、図1に示す形状のメッシュパターンを有していた。また、導電性細線の線幅は1.3μmであり、導電性細線の厚みは1.3μmであった。
(Step 4-1)
The sample A obtained in step 3-1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110 ° C., allowed to stand for 30 seconds, and subjected to superheated steam treatment to obtain a conductive member. The steam flow rate at this time was 100 kg / h.
The conductive member obtained in Example 1 was formed of conductive thin wires and had a mesh pattern having the shape shown in FIG. The line width of the conductive thin wire was 1.3 μm, and the thickness of the conductive thin wire was 1.3 μm.

<実施例2〜11、比較例1〜4>
後述する表1に示すように、導電性部材の製造条件を変更したこと以外は、実施例1と同様の手順に従って、実施例2〜11及び比較例1〜4の導電性部材をそれぞれ作製した。
各実施例及び各比較例で製造された導電性部材はいずれも、導電性細線により形成され、図1に示す形状のメッシュパターンを有していた。また、後述する表1に、各実施例及び各比較例の導電性細線の線幅及び厚みを示す。
<Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 4>
As shown in Table 1 to be described later, the conductive members of Examples 2 to 11 and Comparative Examples 1 to 4, respectively, were produced according to the same procedure as in Example 1 except that the manufacturing conditions of the conductive members were changed. ..
The conductive members produced in each of the examples and the comparative examples were each formed of conductive thin wires and had a mesh pattern having the shape shown in FIG. Further, Table 1 described later shows the line width and thickness of the conductive thin wires of each Example and each Comparative Example.

(実施例2〜7)
実施例2〜7では、めっき液Aに代えて、以下のめっき液B〜Gをそれぞれ使用すること以外は、実施例1に記載の方法に従って、導電性細線を製造した。
めっき液B、C及びEは、メチルヒドロキノンに代えて、N−メチルアミノフェノール、ヒドロキノン及びピロガロールを使用したこと以外は、めっき液Aと同じ方法で調製した。このとき、各めっき液中の化合物Iのモル濃度がめっき液Aと同じになるように、N−メチルアミノフェノール、ヒドロキノン及びピロガロールの含有量をそれぞれ調整した。
めっき液Dの組成は、硝酸銀(AgNO)に代えて8.3gの硫酸銅を使用したこと以外、めっき液Aの組成と同じであった。
めっき液F及びGは、表1に示すモル濃度となるように各めっき液中のメチルヒドロキノンの使用量を変更したこと以外は、めっき液Aと同じ方法で調製した。
(Examples 2 to 7)
In Examples 2 to 7, conductive thin wires were produced according to the method described in Example 1 except that the following plating solutions B to G were used instead of the plating solutions A.
The plating solutions B, C and E were prepared in the same manner as the plating solution A except that N-methylaminophenol, hydroquinone and pyrogallol were used instead of methylhydroquinone. At this time, the contents of N-methylaminophenol, hydroquinone, and pyrogallol were adjusted so that the molar concentration of compound I in each plating solution was the same as that of plating solution A.
The composition of the plating solution D was the same as that of the plating solution A, except that 8.3 g of copper sulfate was used instead of silver nitrate (AgNO 3).
The plating solutions F and G were prepared by the same method as the plating solution A, except that the amount of methyl hydroquinone used in each plating solution was changed so as to have the molar concentration shown in Table 1.

(実施例8)
実施例8では、上記の感光性層形成用組成物の調製方法において、上記ポリマーラテックス及びゼラチンの含有量を調整して、ゼラチンの合計質量に対する高分子1の質量の比(高分子1の質量/ゼラチンの質量、単位g/g)が0.25であり、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの合計質量の比(ゼラチンの質量/ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位g/g)が0.22である感光性層形成用組成物を調製したこと以外は、実施例1に記載の方法に従って、細線状の銀含有層を作製した。実施例8で作製された細線状の銀含有層の線幅は、1.4μmであった。また、実施例8で作製された細線状の銀含有層の垂直断面における、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀、高分子化合物及び空隙のそれぞれが占める領域の内接円の全面積に対する割合は、面積比でそれぞれ20%、60%及び20%であった。
得られた細線状の銀含有層に対して、実施例1と同様にめっき処理を行い、導電性細線を作製した。
(Example 8)
In Example 8, in the method for preparing the composition for forming a photosensitive layer, the contents of the polymer latex and gelatin were adjusted, and the ratio of the mass of the polymer 1 to the total mass of the gelatin (mass of the polymer 1). / Mass of gelatin, unit g / g) is 0.25, and the ratio of the total mass of gelatin to the mass of silver derived from silver halide (mass of gelatin / mass of silver derived from silver halide, unit g / g) ) Was 0.22, a fine linear silver-containing layer was prepared according to the method described in Example 1, except that the composition for forming a photosensitive layer was prepared. The line width of the fine linear silver-containing layer produced in Example 8 was 1.4 μm. Further, in the vertical cross section of the fine linear silver-containing layer produced in Example 8, the inscribed circle of the region occupied by each of the metallic silver, the polymer compound, and the void contained in the inscribed circle of the region A in which the metallic silver exists. The ratio of the circle to the total area was 20%, 60% and 20%, respectively, in terms of area ratio.
The obtained fine wire-shaped silver-containing layer was plated in the same manner as in Example 1 to prepare a conductive thin wire.

(実施例9)
実施例9では、基材として、厚み40μmのポリエチレンテレフタレートフィルムに代えて、厚み1mmのガラス板を使用したこと以外は、実施例1に記載の方法に従って、細線状の銀含有層を作製し、得られた細線状の銀含有層に対してめっき処理を行って、導電性細線を作製した。
実施例9で作製された細線状の銀含有層の線幅は、1.3μmであった。また、実施例9で作製された細線状の銀含有層の垂直断面において、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀、高分子化合物及び空隙のそれぞれが占める領域の内接円の全面積に対する割合は、面積比でそれぞれ40%、42%及び18%であった。
(Example 9)
In Example 9, a fine line-shaped silver-containing layer was prepared according to the method described in Example 1, except that a glass plate having a thickness of 1 mm was used instead of the polyethylene terephthalate film having a thickness of 40 μm as the base material. The obtained fine wire-shaped silver-containing layer was plated to prepare a conductive thin wire.
The line width of the fine linear silver-containing layer produced in Example 9 was 1.3 μm. Further, in the vertical cross section of the fine linear silver-containing layer produced in Example 9, the inscribed circle of the region occupied by each of the metallic silver, the polymer compound, and the void contained in the inscribed circle of the region A in which the metallic silver exists. The ratio of the circle to the total area was 40%, 42% and 18%, respectively, in terms of area ratio.

(実施例10)
実施例10では、上記の感光性層形成用組成物の調製方法において、上記ポリマーラテックス及びゼラチンの含有量を調整して、ゼラチンの合計質量に対する高分子1の質量の比(高分子1の質量/ゼラチンの質量、単位g/g)が0.25であり、ハロゲン化銀由来の銀の質量に対するゼラチンの合計質量の比(ゼラチンの質量/ハロゲン化銀由来の銀の質量、単位g/g)が0.05である感光性層形成用組成物を調製したこと以外は、実施例1に記載の方法に従って、細線状の銀含有層を作製し、得られた細線状の銀含有層に対してめっき処理を行って、導電性細線を作製した。
実施例10で作製された細線状の銀含有層の線幅は、1.4μmであった。また、実施例8で作製された細線状の銀含有層の垂直断面における、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀、高分子化合物及び空隙のそれぞれが占める領域の内接円の全面積に対する割合は、面積比でそれぞれ70%、20%及び10%であった。
(Example 10)
In Example 10, in the method for preparing the composition for forming a photosensitive layer, the contents of the polymer latex and gelatin were adjusted, and the ratio of the mass of the polymer 1 to the total mass of gelatin (mass of the polymer 1). / Gelatin mass, unit g / g) is 0.25, and the ratio of the total mass of gelatin to the mass of silver halide-derived silver (gelatin mass / mass of silver halide-derived silver, unit g / g) ) Was 0.05, a fine linear silver-containing layer was prepared according to the method described in Example 1 except that a composition for forming a photosensitive layer was prepared, and the obtained fine linear silver-containing layer was formed. On the other hand, a plating treatment was performed to prepare a conductive thin wire.
The line width of the fine linear silver-containing layer produced in Example 10 was 1.4 μm. Further, in the vertical cross section of the fine linear silver-containing layer produced in Example 8, the inscribed circle of the region occupied by each of the metallic silver, the polymer compound, and the void contained in the inscribed circle of the region A in which the metallic silver exists. The ratio of the circle to the total area was 70%, 20% and 10%, respectively, in terms of area ratio.

(実施例11(工程2−2))
実施例11では、工程D−1で得られたサンプルAに対するめっき処理として、実施例1で実施した工程2−1に代えて、下記の工程2−2を実施した。
工程2−2では、めっき処理剤として、還元液h1と金属イオン含有液h2とからなるめっきセットHを用いた。具体的には、工程D−1で得られたサンプルAの銀含有層側の表面に対して、スプレー装置(0.1ml/秒)を用いて、以下に示す組成を有する還元液h1及び金属イオン含有液h2を順次20秒間ずつ噴射した。次いで、サンプルAを1分間静置した後、温水(液温:50℃)に120秒間浸漬して、洗浄した。
還元液h1(全量500ml)、及び、金属イオン含有液h2(全量500ml)の組成は、以下の通りであった。還元液h1及び金属イオン含有液h2のpHは9.5であり、炭酸カリウム(富士フイルム和光純薬(株)製)を所定量加えることにより調整した。また、還元液h1中のメチルヒドロキノンの含有量は、還元液h1に対して0.2モル/Lであった。
(Example 11 (step 2-2))
In Example 11, as the plating treatment for the sample A obtained in step D-1, the following step 2-2 was carried out in place of the step 2-1 carried out in Example 1.
In step 2-2, a plating set H composed of a reducing liquid h1 and a metal ion-containing liquid h2 was used as the plating treatment agent. Specifically, a reducing liquid h1 and a metal having the composition shown below are used on the surface of the sample A obtained in step D-1 on the silver-containing layer side using a spray device (0.1 ml / sec). The ion-containing liquid h2 was sequentially sprayed for 20 seconds each. Then, the sample A was allowed to stand for 1 minute, and then immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds for washing.
The compositions of the reducing liquid h1 (total volume 500 ml) and the metal ion-containing liquid h2 (total volume 500 ml) were as follows. The pH of the reducing liquid h1 and the metal ion-containing liquid h2 was 9.5, and the pH was adjusted by adding a predetermined amount of potassium carbonate (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The content of methyl hydroquinone in the reducing liquid h1 was 0.2 mol / L with respect to the reducing liquid h1.

(還元液h1)
・亜硫酸ナトリウム 36g
・クエン酸 12g
・メチルヒドロキノン 12.4g
・炭酸カリウム 所定量
・水 残部
(Reducing liquid h1)
・ Sodium sulfite 36g
・ Citric acid 12g
・ Methyl hydroquinone 12.4g
・ Potassium carbonate Prescribed amount ・ Water balance

(金属イオン含有液h2)
・AgNO 8.8g
・亜硫酸ナトリウム 36g
・チオ硫酸ナトリウム五水和物 66g
・ヨウ化カリウム 0.004g
・水 残部
(Metal ion-containing liquid h2)
・ AgNO 3 8.8g
・ Sodium sulfite 36g
・ Sodium thiosulfate pentahydrate 66g
・ Potassium iodide 0.004g
・ Water residue

工程2−1で得られたサンプルAに対して、実施例1に記載の工程3−1及び工程4−1を実施し、導電性細線を製造した。
工程2−2のめっき処理前後で線幅の変化は見られなかった。また、導電性細線の厚みは1.3μmであった。
Steps 3-1 and 4-1 described in Example 1 were carried out on the sample A obtained in step 2-1 to produce a conductive thin wire.
No change in line width was observed before and after the plating treatment in step 2-2. The thickness of the conductive thin wire was 1.3 μm.

<実施例12>
(下塗り層の形成)
厚み40μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(富士フイルム社製ロール状の長尺フィルム)からなる基材の両面に上記ポリマーラテックスを塗布して、厚み0.05μmの下塗り層を設けた。この処理は片面ずつロール・トゥ・ロールで行い、以下の各処理(工程)もこれと同様にロール・トゥ・ロールで行った。なお、このときのロール幅は1m、長さは1000mであった。
<Example 12>
(Formation of undercoat layer)
The polymer latex was applied to both sides of a base material made of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 40 μm (a long roll-shaped film manufactured by Fujifilm Corporation) to provide an undercoat layer having a thickness of 0.05 μm. This treatment was performed roll-to-roll on each side, and each of the following treatments (processes) was also performed roll-to-roll in the same manner. The roll width at this time was 1 m, and the length was 1000 m.

(工程E−1、工程A−1、工程F−1)
次に、基材の一方の面上に配置された下塗り層上に、上記ポリマーラテックスとゼラチンとを混合したハロゲン化銀不含有層形成用組成物と、上記感光性層形成用組成物と、ポリマーラテックスとゼラチンとを混合した保護層形成用組成物とを、同時重層塗布し、下塗り層上にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。その後、反対側の面に対しても同様にハロゲン化銀不含有層と、ハロゲン化銀含有感光性層と、保護層とを形成した。
なお、ハロゲン化銀不含有層の厚みは2.0μmであり、ハロゲン化銀不含有層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は2/1であり、高分子1の含有量は1.3g/mであった。
また、ハロゲン化銀含有感光性層の厚みは2.5μmであり、ハロゲン化銀含有感光性層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は0.25/1であり、高分子1の含有量は0.19g/mであった。
また、保護層の厚みは0.15μmであり、保護層中における高分子1とゼラチンとの混合質量比(高分子1/ゼラチン)は0.1/1であり、高分子1の含有量は0.015g/mであった。
(Step E-1, Step A-1, Step F-1)
Next, on the undercoat layer arranged on one surface of the base material, the silver halide-free layer forming composition in which the polymer latex and gelatin are mixed, the photosensitive layer forming composition, and the photosensitive layer forming composition. A composition for forming a protective layer in which polymer latex and gelatin were mixed was simultaneously applied in multiple layers to form a silver halide-free layer, a silver halide-containing photosensitive layer, and a protective layer on the undercoat layer. Then, a silver halide-free layer, a silver halide-containing photosensitive layer, and a protective layer were similarly formed on the opposite surface.
The thickness of the silver halide-free layer is 2.0 μm, and the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the silver halide-free layer is 2/1, which is high. The content of the molecule 1 was 1.3 g / m 2 .
The thickness of the silver halide-containing photosensitive layer is 2.5 μm, and the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the silver halide-containing photosensitive layer is 0.25 / 1. The content of the polymer 1 was 0.19 g / m 2 .
The thickness of the protective layer is 0.15 μm, the mixed mass ratio of polymer 1 and gelatin (polymer 1 / gelatin) in the protective layer is 0.1 / 1, and the content of polymer 1 is It was 0.015 g / m 2.

(工程B−1)
ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの一方の面に作製したハロゲン化銀含有感光性層に、図3に示すような、第1検出電極とその取出し配線部を配したフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光し、他方の面に作製したハロゲン化銀含有感光性層に、図4に示すような、第2検出電極とその取出し配線部を配したフォトマスクを介して高圧水銀ランプを光源とした平行光を用いて露光した。
ポリエチレンテレフタレートフィルムのそれぞれの面において、メッシュ形状の第1検出電極の延びる方向と、メッシュ形状の第2検出電極の延びる方向とは、図2に示すように、直交するように形成され、それぞれの検出電極に接続された取出し配線部の取出し線が周辺領域に配置されるように形成した。
第1検出電極及び第2検出電極のメッシュは正方格子からなり、単位正方格子を形成する銀含有層の線幅が1.7μmであり、単位正方格子(開口部)の一辺の長さLが600μmになるように露光条件を設定した。第1検出電極及び第2検出電極の正方格子は、第1検出電極の延びる方向に対して45度傾けて配置され、第1検出電極と第2検出電極は、正方格子を形成する銀含有層が互いに300μmずつずれ、第1検出電極の正方格子の交点が第2検出電極の正方格子の中心に位置するよう配置した。また、図2に示すように、第2検出電極から取り出した取出し線は9本、第1検出電極は両端2か所から取り出すため、取出し線は8本×2の16本存在する。
最終的に得られた第1検出電極は、幅2mmの8本の検出電極が並び、更に各検出電極の間に幅2mmのダミー電極が並び、検出電極とダミー電極が交互に並ぶ構成とした。ダミー電極は、第1検出電極と同じ形状のメッシュ状からなり、メッシュを構成する正方格子の辺(600μm)のランダムな点で1か所、幅10μmの銀線が途切れる場所を有する。検出電極とダミー電極の間は最短部で10μm離れ、電気的に絶縁されている。
第2検出電極は、幅3mmの9本の電極部が並び、更に各検出電極の間に幅1mmのダミー電極が並び、検出電極とダミー電極が交互に並ぶ構成とした。検出電極とダミー電極の間は最短部で10μm離れ、電気的に絶縁されている。
また、取出し線となる銀含有層の線幅は20μmで、取出し線間の間隔は20μmであった。更に、それぞれの取出し線が接続された外部接続端子は、幅150μm、長さは1.5mmの矩形の銀含有層で形成された。
(Step B-1)
A high-pressure mercury lamp is placed on a silver halide-containing photosensitive layer prepared on one surface of a polyethylene terephthalate (PET) film via a photomask in which a first detection electrode and its extraction wiring portion are arranged as shown in FIG. A photomask in which a second detection electrode and its take-out wiring portion are arranged on a silver halide-containing photosensitive layer prepared on the other surface by exposure using parallel light as a light source as shown in FIG. 4 is used. Exposure was performed using parallel light using a high-pressure mercury lamp as a light source.
On each surface of the polyethylene terephthalate film, the extending direction of the mesh-shaped first detection electrode and the extending direction of the mesh-shaped second detection electrode are formed so as to be orthogonal to each other as shown in FIG. The take-out wire of the take-out wiring portion connected to the detection electrode is formed so as to be arranged in the peripheral region.
The mesh of the first detection electrode and the second detection electrode is composed of a square lattice, the line width of the silver-containing layer forming the unit square lattice is 1.7 μm, and the length L of one side of the unit square lattice (opening) is The exposure conditions were set so as to be 600 μm. The square lattices of the first detection electrode and the second detection electrode are arranged at an angle of 45 degrees with respect to the extending direction of the first detection electrode, and the first detection electrode and the second detection electrode are silver-containing layers forming the square lattice. Are arranged so as to be offset from each other by 300 μm and the intersection of the square lattices of the first detection electrode is located at the center of the square lattice of the second detection electrode. Further, as shown in FIG. 2, since nine take-out wires are taken out from the second detection electrode and the first detection electrode is taken out from two places at both ends, there are 16 take-out lines of 8 × 2.
The finally obtained first detection electrode has a configuration in which eight detection electrodes having a width of 2 mm are arranged, and dummy electrodes having a width of 2 mm are arranged between the detection electrodes, and the detection electrodes and the dummy electrodes are arranged alternately. .. The dummy electrode has a mesh shape having the same shape as the first detection electrode, and has one place at a random point on the side (600 μm) of the square lattice constituting the mesh, and a place where the silver wire having a width of 10 μm is interrupted. The distance between the detection electrode and the dummy electrode is 10 μm at the shortest, and is electrically insulated.
The second detection electrode has a configuration in which nine electrode portions having a width of 3 mm are arranged, and dummy electrodes having a width of 1 mm are arranged between the detection electrodes, and the detection electrodes and the dummy electrodes are arranged alternately. The distance between the detection electrode and the dummy electrode is 10 μm at the shortest, and is electrically insulated.
The line width of the silver-containing layer serving as the take-out line was 20 μm, and the distance between the take-out lines was 20 μm. Further, the external connection terminal to which each take-out wire is connected is formed of a rectangular silver-containing layer having a width of 150 μm and a length of 1.5 mm.

露光後、得られたサンプルBに対して、上述した現像液で現像し、更に定着液(商品名:CN16X用N3X−R:富士フイルム社製)を用いて現像処理を行った後、25℃の純水でリンスし、その後乾燥して、検出部に図1に示すメッシュパターン状の検出電極とダミー電極、及び、各検出電極に接続された取出し配線部を有する図2に示すようなセンサーパターンに形成された、金属銀を含む銀含有層を有するサンプルBを得た。 After the exposure, the obtained sample B is developed with the above-mentioned developer, further developed with a fixer (trade name: CN16X N3X-R: manufactured by FUJIFILM Corporation), and then developed at 25 ° C. A sensor as shown in FIG. 2, which has a mesh-patterned detection electrode and a dummy electrode shown in FIG. 1 and a take-out wiring portion connected to each detection electrode in the detection unit after rinsing with pure water and then drying. Sample B having a silver-containing layer containing metallic silver formed in a pattern was obtained.

上記で得られたサンプルBを、50℃の温水中に180秒間浸漬させた。この後、エアシャワーで水を切り、自然乾燥させた。 The sample B obtained above was immersed in warm water at 50 ° C. for 180 seconds. After that, the water was drained with an air shower and allowed to air dry.

(工程C−1)
工程B−1で得られたサンプルBを、110℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、30秒間静置して、過熱水蒸気処理を行った。なお、このときの蒸気流量は100kg/hであった。
(Step C-1)
The sample B obtained in step B-1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110 ° C. and allowed to stand for 30 seconds to perform superheated steam treatment. The steam flow rate at this time was 100 kg / h.

(工程D−1)
工程C−1で得られたサンプルBを、タンパク質分解酵素(ナガセケムテックス社製ビオプラーゼAL−15FG)の水溶液(タンパク質分解酵素の濃度:0.5質量%、液温:40℃)に120秒間浸漬した。サンプルBを水溶液から取り出し、サンプルBを温水(液温:50℃)に120秒間浸漬した後、洗浄して、サンプルBを得た。
(Step D-1)
Sample B obtained in step C-1 is placed in an aqueous solution of a proteolytic enzyme (Bioprese AL-15FG manufactured by Nagase ChemteX Corporation) (proteolytic enzyme concentration: 0.5% by mass, liquid temperature: 40 ° C.) for 120 seconds. Soaked. Sample B was taken out from the aqueous solution, and sample B was immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds and then washed to obtain sample B.

工程D−1により得られたサンプルBは、両面に、基材、下塗り層、銀不含有層、銀含有層及び保護層がこの順に積層されてなる積層体であり、検出電極を構成する銀含有層の線幅は1.7μmであった。 The sample B obtained in step D-1 is a laminate in which a base material, an undercoat layer, a silver-free layer, a silver-containing layer, and a protective layer are laminated in this order on both sides, and silver constituting a detection electrode. The line width of the containing layer was 1.7 μm.

(工程2−1)
工程D−1で得られたサンプルBを、上述しためっき液A(30℃)に5分間浸漬した。サンプルBをめっき液Aから取り出し、サンプルBを温水(液温:50℃)に120秒間浸漬して、洗浄した。
(Step 2-1)
The sample B obtained in step D-1 was immersed in the above-mentioned plating solution A (30 ° C.) for 5 minutes. Sample B was taken out from the plating solution A, and sample B was immersed in warm water (liquid temperature: 50 ° C.) for 120 seconds for washing.

(工程3−1)
工程2−1で得られたサンプルBに対して、金属ロールと樹脂製ロールとの組み合わせによるカレンダー装置を使用して、30kNの圧力でカレンダー処理した。カレンダー処理は室温で行った。
(Step 3-1)
The sample B obtained in step 2-1 was calendar-processed at a pressure of 30 kN using a calendar device using a combination of a metal roll and a resin roll. Calendar processing was performed at room temperature.

(工程4−1)
工程3−1で得られたサンプルBに対して、110℃の過熱水蒸気処理槽に搬入し、30秒間静置して、過熱水蒸気処理を行い、導電性部材を得た。なお、このときの蒸気流量は100kg/hであった。
実施例12で得られた導電性部材において、検出電極は導電性細線により形成され、図1に示す形状のメッシュパターンを有していた。また、検出電極を構成する導電性細線の線幅は1.75μmであり、導電性細線の厚みは1.3μmであった。
実施例12で得られた導電性部材においては、検出電極とともに、取出し配線部が形成されていた。
(Step 4-1)
The sample B obtained in step 3-1 was carried into a superheated steam treatment tank at 110 ° C., allowed to stand for 30 seconds, and subjected to superheated steam treatment to obtain a conductive member. The steam flow rate at this time was 100 kg / h.
In the conductive member obtained in Example 12, the detection electrode was formed of a conductive thin wire and had a mesh pattern having the shape shown in FIG. The line width of the conductive thin wire constituting the detection electrode was 1.75 μm, and the thickness of the conductive thin wire was 1.3 μm.
In the conductive member obtained in Example 12, a take-out wiring portion was formed together with the detection electrode.

<実施例13>
露光用フォトマスクを変更する以外は、実施例12に記載の方法に従って、導電性部材を作製した。
露光用フォトマスクの変更点は、以下の通りであった。
取出し配線部は、線幅1.7μmの導電性細線2本を16.6μm間隔で設置し、更に250μm間隔で2本の銀配線の間を線幅1.7μmの導電性細線で繋ぐ形態とした(以下、ラダーパターンと呼称)。更に、外部接続端子は、単位正方格子(開口部)の一辺の長さLが50μmであり、外形が幅150μm、長さは1.5mmの矩形であるメッシュになるように設定した(以下、メッシュ状外部接続端子と呼称)。
<Example 13>
A conductive member was produced according to the method described in Example 12, except that the photomask for exposure was changed.
The changes in the exposure photomask were as follows.
The take-out wiring part has a form in which two conductive thin wires having a line width of 1.7 μm are installed at an interval of 16.6 μm, and two silver wires having a line width of 1.7 μm are connected at an interval of 250 μm. (Hereinafter referred to as the ladder pattern). Further, the external connection terminal is set to be a rectangular mesh having a unit square lattice (opening) having a side length L of 50 μm, an outer shape of 150 μm, and a length of 1.5 mm (hereinafter, It is called a mesh-shaped external connection terminal).

<実施例14>
露光用フォトマスクを変更する以外は、実施例12に記載の方法に従って、導電性部材を作製した。
露光用フォトマスクの変更点は、以下の通りであった。
取出し配線部は、検出電極との接続部から70mmの位置までの取出し配線は実施例13と同様のラダーパターンとし、70mmの位置から外部接続端子までは実施例12と同様の取出し配線とした。また、外部接続端子は、取出し配線部の長さが70mm以下の場合は実施例13と同様のメッシュ状外部接続端子を採用し、それ以外は実施例12と同様の外部接続端子とした。
<Example 14>
A conductive member was produced according to the method described in Example 12, except that the photomask for exposure was changed.
The changes in the exposure photomask were as follows.
As for the take-out wiring part, the take-out wiring from the connection part with the detection electrode to the position of 70 mm has the same ladder pattern as in Example 13, and the take-out wiring from the position of 70 mm to the external connection terminal has the same take-out wiring as in Example 12. Further, as the external connection terminal, when the length of the take-out wiring portion is 70 mm or less, the mesh-like external connection terminal similar to that of the thirteenth embodiment is adopted, and otherwise the external connection terminal is the same as that of the twelfth embodiment.

(比較例1)
比較例1では、めっき液Aに代えて以下のめっき液Xを使用すること以外は、実施例1に記載の方法に従って、導電性細線を製造した。
めっき液Xは、メチルヒドロキノンに代えてホルマリンを使用して、めっき液X中のホルマリンのモル濃度がめっき液A中のメチルヒドロキノンのモル濃度と同じになるようにホルマリンの量を調整したこと以外は、めっき液Aと同じ方法で調製した。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, a conductive thin wire was produced according to the method described in Example 1 except that the following plating solution X was used instead of the plating solution A.
For the plating solution X, formalin was used instead of methylhydroquinone, and the amount of formalin was adjusted so that the molar concentration of formalin in the plating solution X was the same as the molar concentration of methylhydroquinone in the plating solution A. Was prepared in the same manner as the plating solution A.

(比較例2(工程2−3))
比較例2では、工程D−1で得られたサンプルAに対して、工程2−1に代えて、下記の工程2−3を実施した。
工程2−3では、工程2−1を実施する前に、工程D−1で得られたサンプルAを、液温30℃のパラジウム(Pd)触媒含有液(「OICアクセラ」、奥野製薬工業(株)社製)に3分間浸漬し、サンプルAの表面において露出した高分子1にPdを吸着させる前処理を実施した。この前処理を実施した後、流水で1分間リンスし、次いで、上記工程2−1に記載の方法に従ってめっき処理を実施した。
上記工程2−3で得られたサンプルAに対して、実施例1に記載の工程3−1及び4−1を行い、比較例2の導電性部材を作製した。
(Comparative Example 2 (Step 2-3))
In Comparative Example 2, the following steps 2-3 were carried out on the sample A obtained in step D-1 instead of step 2-1.
In step 2-3, before carrying out step 2-1 the sample A obtained in step D-1 is subjected to a palladium (Pd) catalyst-containing liquid having a liquid temperature of 30 ° C. (“OIC Axela”, In The Back Pharmaceutical Industry Co., Ltd.). It was immersed in (manufactured by Co., Ltd.) for 3 minutes, and a pretreatment was carried out in which Pd was adsorbed on the exposed polymer 1 on the surface of sample A. After performing this pretreatment, it was rinsed with running water for 1 minute, and then the plating treatment was carried out according to the method described in step 2-1 above.
The steps 3-1 and 4-1 described in Example 1 were performed on the sample A obtained in the above steps 2-3 to prepare the conductive member of Comparative Example 2.

(比較例3)
比較例3では、工程D−1で得られたサンプルAに対して、工程2−1を実施せず、工程3−1及び工程4−1のみを実施して、比較例3の導電性部材を作製した。
(Comparative Example 3)
In Comparative Example 3, the conductive member of Comparative Example 3 was obtained by performing only Step 3-1 and Step 4-1 without performing Step 2-1 on the sample A obtained in Step D-1. Was produced.

(比較例4)
比較例4では、工程B−1において感光性層に照射する平行光の露光量を調整し、線幅が2.7μmである銀含有層と開口部とからなるメッシュパターンを有するサンプルAを作製した。得られたサンプルAに対して、実施例1の工程2−1、3−1及び4−1に記載の方法を行い、線幅が3.0μmである導電性細線により形成され、図1に示す形状のメッシュパターンを有する導電性部材を得た。
(Comparative Example 4)
In Comparative Example 4, in step B-1, the exposure amount of the parallel light applied to the photosensitive layer was adjusted to prepare sample A having a mesh pattern consisting of a silver-containing layer having a line width of 2.7 μm and an opening. bottom. The obtained sample A was formed by the method described in steps 2-1, 3-1 and 4-1 of Example 1 and formed of conductive thin wires having a line width of 3.0 μm, and is shown in FIG. A conductive member having a mesh pattern having the shape shown was obtained.

<評価>
(導電性)
得られた導電性部材の導電性メッシュパターン領域の線抵抗値を測定した。線抵抗値とは、4探針法で測定した抵抗値を測定端子間距離で除したものである。より具体的には、メッシュパターンを構成する任意の1本の導電性細線の両端を断線させてメッシュパターンから切り離した後に、4本(A、B、C、D)のマイクロプローブ(マイクロサポート社製タングステンプローブ(直径0.5μm))を切り離された導電性細線に接触させて、最外プローブA及びDに定電流Iを印加した。この定電流Iの印加は、ソースメーター(KEITHLEY製ソースメーター、2400型汎用ソースメーター)を用いて行い、250μm間隔とした内部プローブB及びC間の電圧Vが5mVになるように設定した。次いで、抵抗値R=V/Iを測定し、得られた抵抗値RをB及びC間の距離で除して線抵抗値を求めた。任意の10箇所で測定された線抵抗値の平均値から、以下の基準に従って、各実施例及び比較例の導電性部材の導電性を評価した。
導電性部材としては、上記の方法での評価結果は、3以上であることが好ましく、4以上であることがより好ましく、5以上であることが更に好ましい。
<Evaluation>
(Conductivity)
The linear resistance value of the conductive mesh pattern region of the obtained conductive member was measured. The linear resistance value is the resistance value measured by the 4-probe method divided by the distance between the measurement terminals. More specifically, after disconnecting both ends of any one conductive thin wire constituting the mesh pattern from the mesh pattern, four (A, B, C, D) microprobes (Microsupport Co., Ltd.) A tungsten probe (diameter 0.5 μm) manufactured by Tungsten was brought into contact with the separated conductive thin wire, and a constant current I was applied to the outermost probes A and D. The constant current I was applied using a source meter (a source meter manufactured by KEITHLEY, a 2400 type general-purpose source meter), and the voltage V between the internal probes B and C at intervals of 250 μm was set to 5 mV. Next, the resistance value R = V / I was measured, and the obtained resistance value R was divided by the distance between B and C to obtain the linear resistance value. From the average value of the line resistance values measured at any 10 points, the conductivity of the conductive members of each Example and Comparative Example was evaluated according to the following criteria.
As the conductive member, the evaluation result by the above method is preferably 3 or more, more preferably 4 or more, and further preferably 5 or more.

(導電性評価基準)
5:線抵抗値が40Ω/mm未満である。
4:線抵抗値が40Ω/mm以上50Ω/mm未満である。
3:線抵抗値が50Ω/mm以上60Ω/mm未満である。
2:線抵抗値が60Ω/mm以上80Ω/mm未満である。
1:線抵抗値が80Ω/mm以上である。
(Conductivity evaluation criteria)
5: The line resistance value is less than 40 Ω / mm.
4: The line resistance value is 40 Ω / mm or more and less than 50 Ω / mm.
3: The line resistance value is 50 Ω / mm or more and less than 60 Ω / mm.
2: The line resistance value is 60 Ω / mm or more and less than 80 Ω / mm.
1: The line resistance value is 80Ω / mm or more.

(視認性)
得られた導電性部材をガラス/導電性部材/偏光板/偏光板/黒PET(パナック株式会社製、工業用黒PET(GPH100E82A04))の順になるよう積層して、積層体を得た。なお、導電性部材において、導電性メッシュパターンがガラス側に位置し、基材が偏光板側に位置するように、導電性部材を配置した。また、2枚の偏光板は、互いの偏光面が直交するように積層した。
次に、得られた積層体に対して、500luxの環境光にて、ガラス面側の正面及び斜め30〜60°の角度から10人の観察者が目視にて観察し、以下の基準に従って、評価した。結果は表1にまとめて示す。なお、メッシュパターンが視認されにくい場合、光学特性に優れ、導電性部材をディスプレイに積層した際に発生するモアレが低減される。
(Visibility)
The obtained conductive members were laminated in the order of glass / conductive member / polarizing plate / polarizing plate / black PET (manufactured by Panac Co., Ltd., industrial black PET (GPH100E82A04)) to obtain a laminated body. In the conductive member, the conductive member was arranged so that the conductive mesh pattern was located on the glass side and the base material was located on the polarizing plate side. Further, the two polarizing plates were laminated so that the planes of polarization were orthogonal to each other.
Next, 10 observers visually observed the obtained laminate with 500 lux ambient light from the front surface on the glass surface side and an angle of 30 to 60 °, and according to the following criteria. evaluated. The results are summarized in Table 1. When the mesh pattern is difficult to see, the optical characteristics are excellent, and moire generated when the conductive member is laminated on the display is reduced.

(視認性評価基準)
5:15cm離れた位置から導電性部材を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が0人であった。
4:30cm離れた位置から導電性部材を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が0人あるいは1人であった。
3:30cm離れた位置から導電性部材を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が2〜4人であった。
2:30cm離れた位置から導電性部材を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が5人以上であった。
1:50cm離れた位置から導電性部材を観察した際に、メッシュパターンを視認した観察者が5人以上であった。
(Visibility evaluation criteria)
When observing the conductive member from a position 5:15 cm away, no observer visually recognized the mesh pattern.
When observing the conductive member from a position 4:30 cm away, there were 0 or 1 observers who visually recognized the mesh pattern.
When observing the conductive member from a position 3:30 cm away, there were 2 to 4 observers who visually recognized the mesh pattern.
When observing the conductive member from a position 2:30 cm away, there were five or more observers who visually recognized the mesh pattern.
When observing the conductive member from a position 1:50 cm away, there were five or more observers who visually recognized the mesh pattern.

表1中の「基材」欄は、基材を構成する材料を表す。
表1中の「銀含有層」の「組成割合(断面)」欄は、金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀、高分子化合物及び空隙のそれぞれが占める領域の内接円の全面積に対する面積比(%)を表す。
表1中の「銀含有層」の「線幅[μm]」欄は、工程D−1等の露光現像処理後に得られた銀含有層の線幅を表す。
表1中の「めっき処理剤」の「種類」欄は、めっき処理工程で使用しためっき処理剤の種類を表す。
表1中の「金属」欄は、各めっき処理剤に含まれる金属イオンの種類を表す。即ち、「金属」欄が「Ag」である場合、めっき処理剤は銀イオンを含み、めっき処理により銀が析出したことを示し、「金属」欄が「Cu」である場合、めっき処理剤は銅イオンを含み、めっき処理により銅が析出したことを示す。
表1中の「還元剤」の「種類」欄は、工程2−1で使用しためっき処理剤に含まれる還元剤の種類を表し、「還元剤」の「濃度[mol/L]」欄は、めっき液又は還元液に対する還元剤の濃度を表す。
表1中の「導電性細線」の「線幅[μm]」欄及び「厚み[μm]」欄は、得られた導電性細線の線幅及び厚みをそれぞれ表す。
The "base material" column in Table 1 represents the material constituting the base material.
In the "Composition ratio (cross section)" column of the "Silver-containing layer" in Table 1, the inscribed circle of the region occupied by the metallic silver, the polymer compound, and the voids contained in the inscribed circle of the region A in which the metallic silver exists. Represents the area ratio (%) to the total area of the circle.
The “line width [μm]” column of the “silver-containing layer” in Table 1 represents the line width of the silver-containing layer obtained after the exposure development treatment such as step D-1.
The "type" column of "plating agent" in Table 1 indicates the type of plating agent used in the plating process.
The "metal" column in Table 1 represents the type of metal ion contained in each plating agent. That is, when the "metal" column is "Ag", it means that the plating agent contains silver ions and silver is precipitated by the plating process, and when the "metal" column is "Cu", the plating agent is It contains copper ions and indicates that copper was precipitated by the plating treatment.
The "type" column of "reducing agent" in Table 1 represents the type of reducing agent contained in the plating treatment agent used in step 2-1 and the "concentration [mol / L]" column of "reducing agent" is. , Indicates the concentration of the reducing agent with respect to the plating solution or the reducing solution.
The "line width [μm]" column and the "thickness [μm]" column of the "conductive thin wire" in Table 1 represent the line width and thickness of the obtained conductive thin wire, respectively.

Figure 2021163735
Figure 2021163735

表1に示すように、本発明の製造方法によれば、所望の効果を有する導電性部材が得られることが確認された。 As shown in Table 1, it was confirmed that according to the production method of the present invention, a conductive member having a desired effect can be obtained.

また、化合物Iがヒドロキノン、メチルヒドロキノン、又は、N−メチルアミノフェノールである場合、導電性細線の導電性がより優れることが確認され(実施例1〜3と実施例5との比較)、化合物Iがメチルヒドロキノンである場合、導電性細線の導電性が更に優れることが確認された(実施例1と実施例2及び3との比較)。 Further, when the compound I was hydroquinone, methylhydroquinone, or N-methylaminophenol, it was confirmed that the conductivity of the conductive thin wire was more excellent (comparison between Examples 1 to 3 and Example 5), and the compound. When I was methylhydroquinone, it was confirmed that the conductivity of the conductive thin wire was further excellent (comparison between Example 1 and Examples 2 and 3).

めっき処理剤が銀イオンを含有する場合、導電性細線の導電性がより優れ、かつ、導電性細線により形成されるメッシュパターンの視認性がより優れることが確認された(実施例1と実施例4との比較)。 It was confirmed that when the plating agent contains silver ions, the conductivity of the conductive thin wires is more excellent, and the visibility of the mesh pattern formed by the conductive thin wires is more excellent (Examples 1 and Example). Comparison with 4).

めっき液中の化合物Iの含有量が、めっき液に対して0.01モル/L以上である場合、導電性細線の導電性がより優れることが確認された(実施例1と実施例6との比較)。
また、めっき液中の化合物Iの含有量が、めっき液に対して0.2モル/L以下である場合、導電性細線により形成されるメッシュパターンの視認性がより優れることが確認された(実施例1と実施例7との比較)。
When the content of compound I in the plating solution was 0.01 mol / L or more with respect to the plating solution, it was confirmed that the conductivity of the conductive thin wire was more excellent (Examples 1 and 6). comparison).
Further, it was confirmed that when the content of the compound I in the plating solution is 0.2 mol / L or less with respect to the plating solution, the visibility of the mesh pattern formed by the conductive thin wires is more excellent (). Comparison between Example 1 and Example 7).

銀含有層の垂直断面における金属銀が存在する領域Aの内接円に含まれる金属銀が占める領域の内接円の全面積に対する割合が、面積比で30〜60%である場合、導電性細線の導電性がより優れることが確認された(実施例1と実施例8及び10との比較)。 Conductivity when the ratio of the area occupied by the metallic silver in the inscribed circle of the region A where the metallic silver exists in the vertical cross section of the silver-containing layer to the total area of the inscribed circle is 30 to 60% in terms of area ratio. It was confirmed that the thin wire had better conductivity (comparison between Example 1 and Examples 8 and 10).

工程2のめっき処理が、めっき液中に銀含有層を浸漬する方法である場合、導電性細線の導電性がより優れることが確認された(実施例1と実施例11との比較)。 When the plating treatment in step 2 was a method of immersing the silver-containing layer in the plating solution, it was confirmed that the conductivity of the conductive thin wire was more excellent (comparison between Example 1 and Example 11).

10 メッシュパターン
12 銀含有層
14 開口部
16 導電性部材
19 フレキシブル回路基板
20 検出部
21 周縁部
22 取出し配線部
23 取出し線
25 可撓性基材
26 外部接続端子
30 第1検出電極
31 間隔
32 第2検出電極
33 導電性細線
10 Mesh pattern 12 Silver-containing layer 14 Opening 16 Conductive member 19 Flexible circuit board 20 Detection part 21 Peripheral part 22 Extraction wiring part 23 Extraction line 25 Flexible base material 26 External connection terminal 30 First detection electrode 31 Spacing 32nd 2 Detection electrode 33 Conductive thin wire

Claims (11)

基材上に、金属銀と高分子化合物とを含み、内部に空隙を有し、線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層を形成する工程1と、
前記銀含有層に対して、下記一般式(I)で表される化合物Iと金属イオンとを含むめっき処理剤を用いてめっき処理を施し、導電性細線を形成する工程2とを有する、導電性部材の製造方法。
Figure 2021163735
式中、Rは、ハロゲン原子、メチル基、ヒドロキシ基、アミノ基、スルホ基又はN−メチルアミノ基を表す。nは、1〜5の整数を表す。nが2以上を表すとき、Rは同一であっても、異なっていてもよい。
Step 1 of forming a fine linear silver-containing layer containing metallic silver and a polymer compound on a base material, having voids inside, and having a line width of 2.0 μm or less.
The silver-containing layer is subjected to a plating treatment using a plating treatment agent containing a compound I represented by the following general formula (I) and a metal ion to form a conductive fine wire. A method for manufacturing a sex member.
Figure 2021163735
In the formula, R represents a halogen atom, a methyl group, a hydroxy group, an amino group, a sulfo group or an N-methylamino group. n represents an integer of 1 to 5. When n represents 2 or more, R may be the same or different.
前記めっき処理剤が、前記化合物I、前記金属イオン及び水を含むめっき液である、請求項1に記載の導電性部材の製造方法。 The method for producing a conductive member according to claim 1, wherein the plating agent is a plating solution containing the compound I, the metal ions, and water. 前記めっき液中の前記化合物Iの含有量が、前記めっき液に対して0.01〜0.2モル/Lである、請求項2に記載の導電性部材の製造方法。 The method for producing a conductive member according to claim 2, wherein the content of the compound I in the plating solution is 0.01 to 0.2 mol / L with respect to the plating solution. 前記めっき処理剤が、前記金属イオン及び水を含む金属イオン含有液と、前記化合物I及び水を含む還元液とからなるめっきセットである、請求項1に記載の導電性部材の製造方法。 The method for producing a conductive member according to claim 1, wherein the plating treatment agent is a plating set comprising the metal ion-containing liquid containing the metal ions and water and the reducing liquid containing the compound I and water. 前記還元液中の化合物Iの含有量が、前記還元液及び前記金属イオン含有液の合計量に対して0.01〜0.2モル/Lになる量である、請求項4に記載の導電性部材の製造方法。 The conductivity according to claim 4, wherein the content of the compound I in the reducing solution is 0.01 to 0.2 mol / L with respect to the total amount of the reducing solution and the metal ion-containing solution. Method of manufacturing sex members. 前記化合物Iが、下記一般式(II)で表される化合物IIである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の導電性部材の製造方法。
Figure 2021163735
式中、Rは、ヒドロキシ基又はN−メチルアミノ基を表す。Rは、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
The method for producing a conductive member according to any one of claims 1 to 5, wherein the compound I is a compound II represented by the following general formula (II).
Figure 2021163735
In the formula, R 1 represents a hydroxy group or an N-methylamino group. R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group or a hydroxy group.
前記金属イオンが銀イオンである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の導電性部材の製造方法。 The method for producing a conductive member according to any one of claims 1 to 6, wherein the metal ion is a silver ion. 前記銀含有層が延在する方向に直交する方向に沿った前記銀含有層の断面において、前記銀含有層中の金属銀が存在する領域の中心点から前記領域の内接円を描いた際に、前記内接円に含まれる前記金属銀が占める領域の前記内接円の全面積に対する割合が、面積比で30〜60%である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の導電性部材の製造方法。 When the inscribed circle of the region is drawn from the center point of the region where the metallic silver exists in the silver-containing layer in the cross section of the silver-containing layer along the direction orthogonal to the extending direction of the silver-containing layer. The method according to any one of claims 1 to 7, wherein the ratio of the region occupied by the metallic silver contained in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is 30 to 60% in terms of area ratio. A method for manufacturing a conductive member. 前記銀含有層が延在する方向に直交する方向に沿った前記銀含有層の断面において、前記銀含有層中の金属銀が存在する領域の中心点から前記領域の内接円を描いた際に、前記内接円に含まれる前記空隙が占める領域の前記内接円の全面積に対する割合が、面積比で10〜30%である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の導電性部材の製造方法。 When the inscribed circle of the region is drawn from the center point of the region where the metallic silver exists in the silver-containing layer in the cross section of the silver-containing layer along the direction orthogonal to the extending direction of the silver-containing layer. The conductivity according to any one of claims 1 to 8, wherein the ratio of the region occupied by the void included in the inscribed circle to the total area of the inscribed circle is 10 to 30% in terms of area ratio. Method of manufacturing sex members. 前記基材が可撓性を有する基材である、請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電性部材の製造方法。 The method for producing a conductive member according to any one of claims 1 to 9, wherein the base material is a flexible base material. 前記工程1において、前記細線状の銀含有層と、前記細線状の銀含有層に接続された線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層とを同時に形成し、
前記工程2において、前記線幅が2.0μm以下である細線状の銀含有層、及び、前記線幅が2.0μm超の第2の細線状の銀含有層に対して、前記めっき処理を施す、請求項1〜10のいずれか1項に記載の導電性部材の製造方法。
In the step 1, the fine linear silver-containing layer and the second fine linear silver-containing layer connected to the fine linear silver-containing layer and having a line width of more than 2.0 μm are simultaneously formed.
In the step 2, the plating treatment is applied to the fine linear silver-containing layer having a line width of 2.0 μm or less and the second fine linear silver-containing layer having a line width of more than 2.0 μm. The method for manufacturing a conductive member according to any one of claims 1 to 10.
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