JP2021158280A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(A)第一の粘着フィルムと、第一の粘着フィルムの表面上に互いに離間した状態で配置された複数の半導体パッケージとを備える被処理体を準備する工程と、
(B)第一の粘着フィルムから半導体パッケージをピックアップする工程と、
(C)仮固定フィルムに対して半導体パッケージの回路面が接し且つ隣接する半導体パッケージの間隔が0.1mm以上となるように、仮固定フィルムに複数の半導体パッケージを配置する工程と、
(D)仮固定フィルム上の複数の半導体パッケージの表面上に電磁波シールド層を形成する工程と、
を含み、
半導体パッケージが40μm未満の再配線層と、再配線層の側面に設けられたグランド接触点とを有し、(C)工程においてグランド接触点が仮固定フィルムに埋まらないように、仮固定フィルムに複数の半導体パッケージを配置する。
(E)複数の半導体パッケージの表面に形成された電磁波シールド層を覆うように粘着フィルムを貼る工程。
(F)粘着フィルム上の複数の半導体パッケージから仮固定フィルムを剥離する工程。
(G)粘着フィルムの半導体パッケージに対する粘着力を低下させる工程。
(H)粘着フィルムから半導体パッケージをピックアップする工程。
図1は本実施形態に係る製造方法によって製造される半導体パッケージを模式的に示す断面図である。この図に示す半導体パッケージ10は、ファンアウト・ウエハレベルパッケージ(Fan−out WLP、FO−WLP)と称されるものである。半導体パッケージ10は、半導体チップ1と、封止層3と、再配線層4と、電磁波シールド層5(機能層)とを備える。なお、パッケージ形態は、FO−WLPに限られるものではなく、ウエハレベルパッケージ(WLP)、フリップチップ・チップスケールパッケージ(FC−CSP)、フリップチップ・ボールグリッドアレイ(FC−BGA)、メモリーパッケージ等でもよい。
次に、半導体パッケージ10の製造方法について説明する。半導体パッケージ10は、例えば、以下の工程を経て製造することができる。
(a)粘着フィルム21と、粘着フィルム21の表面上に互いに離間した状態で配置された複数の半導体パッケージ10Pとを備える被処理体20を準備する工程(図3(b)参照)。
(b)粘着フィルム21から半導体パッケージ10Pをピックアップする工程。
(c)仮固定フィルム25に対して半導体パッケージ10Pの再配線層4(回路面)が接し且つ隣接する半導体パッケージ10Pの間隔が0.1mm以上となるように、仮固定フィルム25に複数の半導体パッケージ10Pを配置する工程(図4(a)参照)。
(d)仮固定フィルム25上の複数の半導体パッケージ10Pの表面上に電磁波シールド層5を形成する工程(図5(b)参照)。
(c)工程においてグランド接触点4gが仮固定フィルム25に埋まらないように、仮固定フィルム25に複数の半導体パッケージ10Pを配置する(図4(b)参照)。
・半導体パッケージ10の再配線層4が40μm未満と薄くても、電磁波シールド層5のグランド接続を安定的に取ることができる。すなわち、(d)工程において再配線層4の側面4fにも電磁波シールド層5を安定的に形成され、再配線層4のグランド接触点4gを十分に覆うように電磁波シールド層5を形成することができる。
・(d)工程において、再配線層4が仮固定フィルム25で覆われている半導体パッケージ10Pに対して電磁波シールド層5が形成されるため、電磁波シールド層5を構成する材料が再配線層4に回り込むことを抑制できる。
(a)工程は被処理体20を準備する工程である。(a)工程において、例えば、以下のステップを経て被処理体20を作製することができる。
(a1)複数の半導体チップ1と、複数の半導体チップ1を封止している封止材13とを備えるパネル部材30の表面30a(第一の表面)に対してダイシングフィルム15(第一の粘着フィルム)を貼るステップ(図3(a)参照)。
(a2)ダイシングフィルム15上のパネル部材30を複数の半導体パッケージ10Pに個片化するステップ(図3(b)参照)。
(b)工程は、ダイシングフィルム15から半導体パッケージ10Pをピックアップする工程である。なお、図3(b)に示すように、再配線層4が上を向いている半導体パッケージ10Pを、図4(a)に示すように、再配線層4を下に向けて仮固定フィルム25に配置するには、フリップチップボンダーと称される装置を使用すればよい。フリップチップボンダーはピックアップした半導体パッケージ10Pの上下を反転させることが可能である。
(c)工程は、仮固定フィルム25に対して半導体パッケージ10Pの再配線層4が接し且つ隣接する半導体パッケージ10Pの間隔が0.1mm以上となるように、仮固定フィルム25に複数の半導体パッケージ10Pを配置する工程である(図4(a)参照)。仮固定フィルム25は、基材フィルム25aと、粘着層25bとを備える。隣接する二つの半導体パッケージ10Pの離間距離は、0.1mm以上であり、好ましくは100〜800μmであり、より好ましくは200〜800μmである。この距離Dと半導体パッケージの厚さTの比(D/T)は1以上であることが好ましい。比D/Tが1以上であることで、(d)工程におけるスパッタリング又は蒸着によって半導体パッケージ10Pの側面に、所望の厚さの電磁波シールド層5を安定的に形成することができる。
(d)工程は、仮固定フィルム25上の複数の半導体パッケージ10Pの表面上に電磁波シールド層5を形成する工程である。図5(a)は仮固定フィルム25上への複数の半導体パッケージ10Pの配置が完了した状態を模式的に示す断面図であり、図5(b)は半導体パッケージ10Pの封止層3と再配線層4の側面4fとを覆うように電磁波シールド層5が形成された状態を模式的に示す断面図である。スパッタリングは、例えば芝浦メカトロニクス株式会社製のCCS−2110(商品名)を使用して実施できる。蒸着は、例えば、株式会社神戸製鋼所(KOBELCO)製のAIP−Gシリーズ(商品名、「AIP」は登録商標)を使用して実施できる。(c)工程において、グランド接触点4gが仮固定フィルム25に埋まっていないため(図4(b)参照)、(d)工程においてグランド接触点4gを覆うように電磁波シールド層5を形成することができる。これにより電磁波シールド層5のグランド接続を安定的に取ることができる。
(e)複数の半導体パッケージ10の表面に形成された電磁波シールド層5を覆うように粘着フィルム35を貼る工程(図6(a)参照)。
(f)粘着フィルム35上の複数の半導体パッケージ10から仮固定フィルム25を剥離する工程(図6(b)参照)。
(g)粘着フィルム35の半導体パッケージ10に対する粘着力を低下させる工程。(h)粘着フィルム35から半導体パッケージ10をピックアップする工程。
Claims (5)
- (A)第一の粘着フィルムと、前記第一の粘着フィルムの表面上に互いに離間した状態で配置された複数の半導体パッケージとを備える被処理体を準備する工程と、
(B)前記第一の粘着フィルムから前記半導体パッケージをピックアップする工程と、
(C)仮固定フィルムに対して前記半導体パッケージの回路面が接し且つ隣接する前記半導体パッケージの間隔が0.1mm以上となるように、前記仮固定フィルムに複数の前記半導体パッケージを配置する工程と、
(D)前記仮固定フィルム上の複数の前記半導体パッケージの表面上に電磁波シールド層を形成する工程と、
を含み、
前記半導体パッケージが40μm未満の再配線層と、前記再配線層の側面に設けられたグランド接触点とを有し、(C)工程において前記グランド接触点が前記仮固定フィルムに埋まらないように、前記仮固定フィルムに複数の前記半導体パッケージを配置する、半導体パッケージの製造方法。 - (A)工程が(a1)複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップを封止している封止材とを備えるパネル部材の第一の表面に対して前記第一の粘着フィルムを貼ることと、(a2)前記第一の粘着フィルム上の前記パネル部材を複数の前記半導体パッケージに個片化することとを含む、請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。
- スパッタリング又は蒸着によって前記電磁波シールド層を形成する、請求項1又は2に記載の半導体パッケージの製造方法。
- (E)複数の前記半導体パッケージの表面に形成された前記電磁波シールド層を覆うように第二の粘着フィルムを貼る工程と、
(F)前記第二の粘着フィルム上の複数の前記半導体パッケージから前記仮固定フィルムを剥離する工程と、
を更に含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法。 - (G)前記第二の粘着フィルムの前記半導体パッケージに対する粘着力を低下させる工程と、
(H)前記第二の粘着フィルムから前記半導体パッケージをピックアップする工程と、
を更に含む、請求項4に記載の半導体パッケージの製造方法。
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