JP2021145976A - Ultraviolet lamp - Google Patents

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Abstract

To provide an ultraviolet lamp capable of detecting sterilization performance within an apparatus with a simple device.SOLUTION: An ultraviolet lamp comprises: an ultraviolet light source 51, which has an ultraviolet reflective material on at least a part, is provided on at least one end or the other end of the treatment flow path L through which a target object passes and the treatment flow path L, and applies ultraviolet light toward the target object that passes the treatment flow path L; a first detector 6, which is arranged at an end on a side on which the ultraviolet light source 51 of the treatment flow path L and detects a light amount of ultraviolet light reflected by the ultraviolet ray reflective material of the treatment flow path L; and a shielding member 8 arranged on a straight line connecting the light emitting surface of the ultraviolet light source 51 and the light receiving surface of the first detector 6. Since the first detector 6 detects the change of the ultraviolet light reflectance of the ultraviolet light in the flow path L and the ultraviolet light which is influenced by the change of the ultraviolet transmittance of the irradiation target, by estimating the sterilization performance based on the light amount of the detected ultraviolet light, the sterilization performance of the ultraviolet lamp can be detected with higher accuracy.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、紫外線照射装置に関する。 The present invention relates to an ultraviolet irradiation device.

紫外光には、殺菌能力があることから、水等の流体に紫外光を照射することで、流体を連続的に殺菌する紫外線照射装置が提案されている。このような紫外線照射装置においては、紫外線の光量を検出し、検出した光量に基づいて紫外線LEDの紫外線照射量が所望値となるように紫外線LEDの駆動量を調整するようにした装置が提案されている。例えば、照射された紫外線のうち、反射部を透過した一部の光量を測定することで、紫外線全体の光量を検出する方法(例えば、特許文献1参照。)、また、紫外線の照度、殺菌対象液の透過率及び流量を測定し、これらの測定結果に応じて紫外線の照度と殺菌対象液の流量の制御を行う方法(例えば、特許文献2参照。)等が提案されている。 Since ultraviolet light has a sterilizing ability, an ultraviolet irradiation device that continuously sterilizes a fluid by irradiating a fluid such as water with ultraviolet light has been proposed. In such an ultraviolet irradiation device, a device has been proposed in which the amount of ultraviolet light is detected and the driving amount of the ultraviolet LED is adjusted so that the amount of ultraviolet irradiation of the ultraviolet LED becomes a desired value based on the detected amount of light. ing. For example, a method of detecting the total amount of ultraviolet rays by measuring the amount of light transmitted through a reflective portion of the irradiated ultraviolet rays (see, for example, Patent Document 1), the illuminance of the ultraviolet rays, and the object to be sterilized. A method of measuring the transmittance and flow rate of a liquid and controlling the illuminance of ultraviolet rays and the flow rate of the liquid to be sterilized according to these measurement results (see, for example, Patent Document 2) has been proposed.

特許第6549456号公報Japanese Patent No. 6549456 特許第3920504号公報Japanese Patent No. 3920504 特開2019−201861号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-201861 国際公開第2019/009343号International Publication No. 2019/09343 特開2019−188128号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-188128

しかしながら、特許文献1の様に反射部を透過した光量を測定する方法にあっては、反射部の透過率が低く、光量を測定する方法としては検出感度が低く、S/N比が低下する。検出感度を上げる方法として反射材の透過光量を増加させることが考えられるが、そのためには、反射材の厚みを薄くする必要がある。反射材の厚みを薄くすると、反射材の反射率が低下し、流水への照射効率が低下し、殺菌性能が低下してしまう。
また、流体を殺菌する紫外線照射装置において、装置の殺菌性能に影響のある紫外線の照度、殺菌対象液の透過率や流量に基づいて光源の制御等を行う方法にあっては、特許文献2の様にこれら照度や透過率、流量を測定するための検出器をそれぞれ設ける必要があり、装置が煩雑となる。
However, in the method of measuring the amount of light transmitted through the reflecting portion as in Patent Document 1, the transmittance of the reflecting portion is low, and as a method of measuring the amount of light, the detection sensitivity is low and the S / N ratio is lowered. .. As a method of increasing the detection sensitivity, it is conceivable to increase the amount of transmitted light of the reflector, but for that purpose, it is necessary to reduce the thickness of the reflector. When the thickness of the reflective material is reduced, the reflectance of the reflective material is lowered, the irradiation efficiency of running water is lowered, and the sterilization performance is lowered.
Further, in an ultraviolet irradiation device for sterilizing a fluid, a method of controlling a light source based on the illuminance of ultraviolet rays, the transmittance and the flow rate of the liquid to be sterilized, which affect the sterilization performance of the device, is described in Patent Document 2. As described above, it is necessary to provide detectors for measuring these illuminance, transmittance, and flow rate, which complicates the device.

そこで、この発明は、上記従来の未解決の課題に着目してなされたものであり、簡易な装置構成により、装置内の殺菌性能を検出する事が可能な紫外線照射装置を提供することを目的としている。 Therefore, the present invention has been made by paying attention to the above-mentioned conventional unsolved problems, and an object of the present invention is to provide an ultraviolet irradiation device capable of detecting the sterilization performance in the device by a simple device configuration. It is said.

本発明の一実施形態に係る紫外線照射装置は、少なくとも一部に紫外線反射材を有し、対象物が一端側から他端側に通過する処理流路と、前記処理流路の前記一端又は前記他端の少なくとも一方に設けられ、前記処理流路を通過する前記対象物に向けて紫外光を照射する紫外線光源と、前記処理流路の、前記紫外線光源が設けられた側の端部に配置され、前記処理流路の前記紫外線反射材で反射された前記紫外光の光量を検出する第一検出器と、前記紫外線光源の発光面と前記第一検出器の受光面とを結ぶ直線上に配置される第一の紫外線遮蔽物と、を有することを特徴としている。 The ultraviolet irradiation device according to an embodiment of the present invention has an ultraviolet reflecting material at least in a part thereof, and a processing flow path through which an object passes from one end side to the other end side, and the one end of the processing flow path or the above. An ultraviolet light source provided on at least one of the other ends and irradiating ultraviolet light toward the object passing through the processing flow path, and an ultraviolet light source on the processing flow path on the side where the ultraviolet light source is provided. On a straight line connecting the first detector that detects the amount of ultraviolet light reflected by the ultraviolet reflecting material in the processing flow path, the light emitting surface of the ultraviolet light source, and the light receiving surface of the first detector. It is characterized by having a first UV shield to be placed.

本発明の一態様によれば、簡易な構成で装置内の殺菌性能を検出する事ができる。 According to one aspect of the present invention, the sterilization performance in the apparatus can be detected with a simple configuration.

第1実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows an example of the schematic structure of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 1st Embodiment. 照射対象物の紫外線の透過率が異なる場合の、第一検出器の出力と、殺菌性能との対応の一例を示す特性図である。It is a characteristic diagram which shows an example of correspondence between the output of the 1st detector and the sterilization performance when the transmittance of ultraviolet rays of an irradiation object is different. 第1実施形態に係る紫外線照射装置における処理流路内の照度分布を内部の透過率が異なる条件で解析した光学シミュレーション結果である。It is an optical simulation result which analyzed the illuminance distribution in the processing flow path in the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 1st Embodiment under the condition that the internal transmittance is different. 照射対象物の紫外線の透過率が異なる場合の、第一検出器の出力と、殺菌性能との対応の一例を示す特性図である。It is a characteristic diagram which shows an example of correspondence between the output of the 1st detector and the sterilization performance when the transmittance of ultraviolet rays of an irradiation object is different. 紫外線照射装置の比較例を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows the comparative example of the ultraviolet irradiation apparatus. 第2実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows an example of the schematic structure of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第3実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows an example of the schematic structure of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第4実施形態に係る紫外線照射装置の構成の一例を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows an example of the structure of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る紫外線照射装置の照射部の構成の一例を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows an example of the structure of the irradiation part of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る紫外線照射装置の管理回路の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the management circuit of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る紫外線照射装置の目標値設定状態の動作波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the operation waveform of the target value setting state of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る紫外線照射装置の目標値設定状態の動作波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the operation waveform of the target value setting state of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第4実施形態に係る紫外線照射装置の目標値設定状態から動作状態に移行する際の動作波形の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the operation waveform at the time of transitioning from the target value setting state to the operation state of the ultraviolet irradiation apparatus which concerns on 4th Embodiment.

次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings below, the same or similar parts are designated by the same or similar reference numerals. However, the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the plane dimensions, the ratio of the thickness of each layer, etc. are different from the actual ones. In addition, there are parts in which the relations and ratios of the dimensions of the drawings are different from each other.
In addition, the embodiments shown below exemplify devices and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention describes the arrangement of components and the like as follows. Not specific. The technical idea of the present invention may be modified in various ways within the technical scope specified by the claims stated in the claims.

<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。
紫外線照射装置1−1は、照射対象物として流体の殺菌を行う流体殺菌装置である。
紫外線照射装置1−1は、図1に示すように、流入部2と、流出部3と、筐体4と、照射部5と、第一検出器6と、制御装置7と、遮蔽部材(第一の紫外線遮蔽物)8と、を備える。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of an ultraviolet irradiation device according to a first embodiment of the present invention.
The ultraviolet irradiation device 1-1 is a fluid sterilizer that sterilizes a fluid as an irradiation target.
As shown in FIG. 1, the ultraviolet irradiation device 1-1 includes an inflow unit 2, an outflow unit 3, a housing 4, an irradiation unit 5, a first detector 6, a control device 7, and a shielding member ( The first ultraviolet shield) 8 and the like are provided.

筐体4は、側面に流入部2及び流出部3が間隔を空けて設けられている。筐体4は紫外線反射性材料で形成される。ここでいう紫外線反射性材料とは、紫外線領域における全反射率が60〔%〕/1〔mm〕以上99〔%〕/1〔mm〕以下となる材料である。紫外線反射性材料としては、ポリテトラフルオロエチレン(polytetrafluoroethylene PTFE)、シリコン樹脂、内部に0.05〔μm〕以上10〔μm〕以下の気泡を含む石英ガラス、内部に0.05〔μm〕以上10〔μm〕以下の結晶粒を含む部分結晶化石英ガラス、0.05〔μm〕以上10〔μm〕以下の結晶粒状のアルミナ焼結体、及び0.05〔μm〕以上10〔μm〕以下の結晶粒状のムライト焼結体等のうちの、少なくともいずれか一つを含む材料を挙げることができる。なお、筐体4は処理流路Lの壁面となる内周面の少なくとも一部に紫外線反射材が設けられていればよく、必ずしも紫外線反射性材料で形成されていなくともよい。筐体4の内部が処理流路Lとなり、照射対象物は、流入部2から筐体4の内部に導入され、処理流路Lを通って流出部3から排出される。照射対象物としては、流体に限るものではなく気体等であってもよいが、放熱性の観点から、流体が好ましく、特に、水、水溶液、水分散体等、水を含む流体が好ましい。 The housing 4 is provided with an inflow portion 2 and an outflow portion 3 at intervals on the side surface thereof. The housing 4 is made of an ultraviolet reflective material. The ultraviolet reflective material referred to here is a material having a total reflectance of 60 [%] / 1 [mm] or more and 99 [%] / 1 [mm] or less in the ultraviolet region. Examples of the ultraviolet reflective material include polytetrafluoroethylene PTFE, silicon resin, quartz glass containing bubbles of 0.05 [μm] or more and 10 [μm] or less inside, and 0.05 [μm] or more and 10 inside. Partially crystallized quartz glass containing crystal grains of [μm] or less, alumina sintered body of 0.05 [μm] or more and 10 [μm] or less, and 0.05 [μm] or more and 10 [μm] or less. Examples thereof include materials containing at least one of crystalline and granular mulite sintered bodies and the like. The housing 4 may be provided with an ultraviolet reflective material on at least a part of the inner peripheral surface which is the wall surface of the processing flow path L, and may not necessarily be formed of the ultraviolet reflective material. The inside of the housing 4 becomes the processing flow path L, and the irradiation target is introduced into the inside of the housing 4 from the inflow portion 2 and discharged from the outflow portion 3 through the processing flow path L. The object to be irradiated is not limited to a fluid but may be a gas or the like, but from the viewpoint of heat dissipation, a fluid is preferable, and a fluid containing water such as water, an aqueous solution, and an aqueous dispersion is particularly preferable.

照射部5は、筐体4の開口端側に設けられる。照射部5は発光素子等の紫外線光源51と、紫外線光源51が実装された基板52とを備える。例えば、筐体4の開口端に、石英ガラス等の紫外線透過性部材で形成される図示しない窓を挟んで、紫外線光源51の照射面を筐体4の内部に向けて配置することにより、処理流路Lを通過する照射対象物に紫外光を照射する。 The irradiation unit 5 is provided on the open end side of the housing 4. The irradiation unit 5 includes an ultraviolet light source 51 such as a light emitting element and a substrate 52 on which the ultraviolet light source 51 is mounted. For example, processing is performed by arranging the irradiation surface of the ultraviolet light source 51 toward the inside of the housing 4 by sandwiching a window (not shown) formed of an ultraviolet transmissive member such as quartz glass at the open end of the housing 4. The irradiation target passing through the flow path L is irradiated with ultraviolet light.

第一検出器6は、紫外光量を検出し、紫外光量に応じた電圧信号又は電流信号からなる検出信号を制御装置7に出力する。第一検出器6は、例えば基板52上に設けられる。
制御装置7は、紫外線光源51を駆動制御すると共に、第一検出器6の検出信号を受信する。また、制御装置7は、照射対象物に予め設定した光量の紫外光が照射されるように紫外線光源51を駆動制御する。また、紫外線光源51を一定電流で駆動し、予め設定した「検出信号の閾値」を下回った場合にアラームを発報したりすることもできる。
The first detector 6 detects the amount of ultraviolet light, and outputs a detection signal including a voltage signal or a current signal according to the amount of ultraviolet light to the control device 7. The first detector 6 is provided, for example, on the substrate 52.
The control device 7 drives and controls the ultraviolet light source 51 and receives the detection signal of the first detector 6. Further, the control device 7 drives and controls the ultraviolet light source 51 so that the irradiation target is irradiated with ultraviolet light having a preset amount of light. It is also possible to drive the ultraviolet light source 51 with a constant current and issue an alarm when the value falls below a preset “detection signal threshold”.

遮蔽部材8は、紫外線光源51の発光面と第一検出器6の受光面とを結ぶ直線上に配置され、紫外線光源51から第一検出器6へ直接入射される紫外光を遮蔽する。遮蔽部材8は、拡散透過率が0.5%以下の部材であればよく、例えば、アルミニウムやステンレス等の金属、FR4等のLED基板材を適用することができる。遮蔽部材8は、例えば板形状を有し、基板52に設けられ、遮蔽部材8の先端が紫外線光源51の先端と同等程度となるように配置される。これにより、紫外線光源51が出射した紫外光が第一検出器6に直接入射されることを防止している。 The shielding member 8 is arranged on a straight line connecting the light emitting surface of the ultraviolet light source 51 and the light receiving surface of the first detector 6, and shields the ultraviolet light directly incident on the first detector 6 from the ultraviolet light source 51. The shielding member 8 may be a member having a diffusion transmittance of 0.5% or less, and for example, a metal such as aluminum or stainless steel, or an LED substrate material such as FR4 can be applied. The shielding member 8 has, for example, a plate shape, is provided on the substrate 52, and is arranged so that the tip of the shielding member 8 is about the same as the tip of the ultraviolet light source 51. This prevents the ultraviolet light emitted by the ultraviolet light source 51 from being directly incident on the first detector 6.

なお、紫外線照射装置1−1は、筐体4の両端それぞれに紫外線光源51を設け、処理流路Lを通過する照射対象物に対して処理流路Lの両端それぞれから紫外光を照射するようにしてもよい。また、紫外線照射装置1−1は、図1に示すように、照射対象物としての殺菌対象の流体を、処理流路Lの長手方向に沿って流し、処理流路Lの長手方向の一端から照射対象物に対して紫外光を照射するようにした装置であればよい。具体的には、例えば特許文献3に示すように、照射対象物を、筒体の軸方向に沿って流すようにした紫外線処理装置であってもよく、また、後述の図8に示すように、外筒と内筒とを有し、照射対象物を、外筒と内筒との間の隙間に導入し、内筒の一端側から内筒内の処理流路に導入するようにした紫外線処理装置であってもよい。 The ultraviolet irradiation device 1-1 is provided with ultraviolet light sources 51 at both ends of the housing 4, and irradiates the irradiation target object passing through the processing flow path L with ultraviolet light from both ends of the processing flow path L. It may be. Further, as shown in FIG. 1, the ultraviolet irradiation device 1-1 causes a fluid to be sterilized as an irradiation target to flow along the longitudinal direction of the treatment flow path L, and from one end of the treatment flow path L in the longitudinal direction. Any device may be used as long as it irradiates the object to be irradiated with ultraviolet light. Specifically, for example, as shown in Patent Document 3, an ultraviolet treatment device may be used in which the irradiation target is allowed to flow along the axial direction of the cylinder, and as shown in FIG. 8 described later. Ultraviolet rays that have an outer cylinder and an inner cylinder, and introduce an irradiation object into the gap between the outer cylinder and the inner cylinder, and introduce the irradiation object from one end side of the inner cylinder into the processing flow path in the inner cylinder. It may be a processing device.

図2は、図1に示す紫外線照射装置1−1において、照射対象物の紫外光の透過率が異なる場合の、第一検出器6の出力〔mV〕と、バクテリオファージMS2を指標菌として用いた菌液を3L/minの流量で装置内に流した場合の殺菌性能LRVとの対応を示したものである。横軸は第一検出器6の出力(検出器出力)、縦軸は、殺菌性能LRVである。また、図2中の記号「●」は透過率が100%、記号「○」は透過率が95.8%、記号「×」は透過率が84.7%、であるときの対応を示す。図2に示すように、透過率に関係なく、第一検出器6の出力と殺菌性能LRVとの間に相関を見出すことができ、その相関関数は、y=0.0044xで表すことができる。また、決定係数R(Rは相関係数)は、R=0.9576であり、正の相関を見いだすことができる。 FIG. 2 shows the output [mV] of the first detector 6 and the bactericidal MS2 as index bacteria in the ultraviolet irradiation device 1-1 shown in FIG. 1 when the transmittance of the ultraviolet light of the irradiation target is different. It shows the correspondence with the sterilization performance LRV when the existing bacterial solution is flowed into the apparatus at a flow rate of 3 L / min. The horizontal axis is the output of the first detector 6 (detector output), and the vertical axis is the sterilization performance LRV. Further, in FIG. 2, the symbol “●” indicates the correspondence when the transmittance is 100%, the symbol “○” indicates the transmittance when the transmittance is 95.8%, and the symbol “×” indicates the correspondence when the transmittance is 84.7%. .. As shown in FIG. 2, a correlation can be found between the output of the first detector 6 and the sterilization performance LRV regardless of the transmittance, and the correlation function can be expressed by y = 0.0044x. .. Further, the coefficient of determination R 2 (R is a correlation coefficient) is R 2 = 0.9576, and a positive correlation can be found.

図3は、処理流路Lに拡散反射率85%のPTFEを用い、処理流路L内部に透過率が99%、95%、85%の流体が満たされた場合の処理流路L内の紫外線照度分布を示したものである。処理流路L内の流速分布が一定である場合、紫外線照射装置1−1の殺菌性能は処理流路L内の平均照度と相関があるが、図3に示すように処理流路L内部の流体の透過率が低いと、平均照度も低下し、その結果紫外線照射装置1−1の殺菌性能も低下する。第一検出器6は、処理流路L内の照度を検知しているため、第一検出器6の受光量は処理流路L内の平均照度と相関しており、図2の様に第一検出器6の出力と殺菌性能とが相関する。 FIG. 3 shows a case where PTFE having a diffuse reflectance of 85% is used for the processing flow path L and the inside of the processing flow path L is filled with a fluid having a transmittance of 99%, 95%, or 85%. It shows the ultraviolet illuminance distribution. When the flow velocity distribution in the treatment flow path L is constant, the sterilization performance of the ultraviolet irradiation device 1-1 correlates with the average illuminance in the treatment flow path L, but as shown in FIG. 3, the inside of the treatment flow path L If the transmittance of the fluid is low, the average illuminance also decreases, and as a result, the sterilization performance of the ultraviolet irradiation device 1-1 also decreases. Since the first detector 6 detects the illuminance in the processing flow path L, the amount of light received by the first detector 6 correlates with the average illuminance in the processing flow path L, and as shown in FIG. (1) The output of the detector 6 correlates with the sterilization performance.

図4は、図5に示すように、紫外線照射装置1−1において遮蔽部材8を設けない場合の、第一検出器6の出力〔mV〕と、バクテリオファージMS2を指標菌として用いた菌液を3L/minの流量で装置内に流した場合の殺菌性能LRVとの対応を示したものである。横軸は第一検出器6の出力(検出器出力)、縦軸は、殺菌性能LRVである。また、図4中の記号「●」は透過率が100%、記号「○」は透過率が95.8%、記号「×」は透過率が84.7%、であるときの対応を示す。図4から、照射対象物の透過率が同一である場合には第一検出器6の出力と殺菌性能LRVとの間に正の相関を見出すことができるが、透過率が異なる場合には、図2のような相関がとれないことがわかる。 As shown in FIG. 5, FIG. 4 shows the output [mV] of the first detector 6 and the bacterial solution using the bacteriophage MS2 as index bacteria when the shielding member 8 is not provided in the ultraviolet irradiation device 1-1. It shows the correspondence with the sterilization performance LRV when the blood is flowed into the apparatus at a flow rate of 3 L / min. The horizontal axis is the output of the first detector 6 (detector output), and the vertical axis is the sterilization performance LRV. Further, in FIG. 4, the symbol “●” indicates the correspondence when the transmittance is 100%, the symbol “○” indicates the transmittance when the transmittance is 95.8%, and the symbol “×” indicates the correspondence when the transmittance is 84.7%. .. From FIG. 4, a positive correlation can be found between the output of the first detector 6 and the sterilization performance LRV when the transmittances of the irradiated objects are the same, but when the transmittances are different, It can be seen that the correlation shown in FIG. 2 cannot be obtained.

このように、本発明の第1実施形態に係る紫外線照射装置1−1によれば、第一検出器6で検出される検出信号を利用して紫外線光源51の発光量を調整するため、処理流路L内での紫外光の吸収率及び反射率の変化を加味した透過光量に基づき紫外線光源51の発光量を調整することができる。その結果、紫外線照射装置1−1を稼働中に処理流路L内における紫外光の吸収特性、反射特性が変化しても所望とする殺菌性能を得ることができる。 As described above, according to the ultraviolet irradiation device 1-1 according to the first embodiment of the present invention, the process is performed in order to adjust the light emission amount of the ultraviolet light source 51 by using the detection signal detected by the first detector 6. The amount of light emitted from the ultraviolet light source 51 can be adjusted based on the amount of transmitted light in consideration of changes in the absorption rate and the reflectance of ultraviolet light in the flow path L. As a result, the desired sterilization performance can be obtained even if the absorption characteristics and reflection characteristics of ultraviolet light in the processing flow path L change while the ultraviolet irradiation device 1-1 is in operation.

ここで、流水に対して紫外光を照射する流体殺菌装置に適用した場合、流水の紫外光透過率や、処理流路Lをなす筐体材質の紫外光反射率等が装置の劣化や汚れ、流れる水の品質等によって変化する。第一実施形態に係る紫外線照射装置1−1によれば、このような時々刻々と変化する吸収率や反射率の変化に対しても追随して殺菌性能を維持することができる。また、検出量に合わせて光量を制御せず、一定電流で光源を駆動する場合においても、前記流水の紫外線透過率や反射材の反射率の変動だけでなく、光源の劣化による光量低下も検知可能であり、検出量がある閾値を下回った場合に、光源交換を促すアラームを発報することができる。 Here, when applied to a fluid sterilizer that irradiates running water with ultraviolet light, the ultraviolet light transmittance of running water and the ultraviolet light reflectance of the housing material forming the processing flow path L may cause deterioration or dirt of the device. It changes depending on the quality of flowing water. According to the ultraviolet irradiation device 1-1 according to the first embodiment, the sterilization performance can be maintained by following such changes in the absorption rate and the reflectance that change from moment to moment. Further, even when the light source is driven by a constant current without controlling the light amount according to the detected amount, not only the fluctuation of the ultraviolet transmittance of the running water and the reflectance of the reflector but also the decrease in the light amount due to the deterioration of the light source is detected. It is possible, and when the detected amount falls below a certain threshold, an alarm prompting the replacement of the light source can be issued.

<第2実施形態>
図6は、本発明の第2実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。第2実施形態に係る紫外線照射装置1−2は、第1実施形態における紫外線照射装置1−1において、第一検出器6の配置位置が異なる。第1実施形態における紫外線照射装置1−1と同一部には同一符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
第2実施形態に係る紫外線照射装置1−2では、紫外線照射装置1−1において遮蔽部材8を設ける代りに、第一検出器6を、紫外線光源51が実装された基板53の、紫外線光源51とは逆側の面に設けている。
<Second Embodiment>
FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of an ultraviolet irradiation device according to a second embodiment of the present invention. The ultraviolet irradiation device 1-2 according to the second embodiment has a different arrangement position of the first detector 6 in the ultraviolet irradiation device 1-1 according to the first embodiment. The same parts as those of the ultraviolet irradiation device 1-1 in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
In the ultraviolet irradiation device 1-2 according to the second embodiment, instead of providing the shielding member 8 in the ultraviolet irradiation device 1-1, the first detector 6 is used as the ultraviolet light source 51 on the substrate 53 on which the ultraviolet light source 51 is mounted. It is provided on the opposite side of the surface.

具体的には、図6に示すように、基板53には貫通孔53aが設けられている。貫通孔53aは、処理流路Lの反射材で反射した紫外光を受光可能な位置に形成される。
紫外線光源51は照射面が貫通孔53aと対向するように設けられる。つまり、貫通孔53aには、処理流路Lからの反射光が入射され、貫通孔53aを通過した紫外光が第一検出器6に入射されるため、第一検出器6は、処理流路Lで反射された紫外光についてのみその光量を測定する。
Specifically, as shown in FIG. 6, the substrate 53 is provided with a through hole 53a. The through hole 53a is formed at a position where the ultraviolet light reflected by the reflective material of the processing flow path L can be received.
The ultraviolet light source 51 is provided so that the irradiation surface faces the through hole 53a. That is, the reflected light from the processing flow path L is incident on the through hole 53a, and the ultraviolet light that has passed through the through hole 53a is incident on the first detector 6, so that the first detector 6 is the processing flow path. The amount of ultraviolet light reflected by L is measured only.

このような構成とすることによって、上記第1実施形態における紫外線照射装置1−1と同等の作用効果を得ることができると共に、遮蔽部材8を設ける必要がないため、より簡単な構造で実現することができる。紫外線照射装置1−2の場合、紫外線光源51の発光面と第一検出器6の受光面とを結ぶ直線上には、基板53の一部が存在するため、基板53が、紫外線光源51から第一検出器6へ直接入射される紫外光を遮蔽する遮蔽部材としての役目を果たしている。 With such a configuration, it is possible to obtain the same action and effect as the ultraviolet irradiation device 1-1 in the first embodiment, and since it is not necessary to provide the shielding member 8, it is realized with a simpler structure. be able to. In the case of the ultraviolet irradiation device 1-2, since a part of the substrate 53 exists on the straight line connecting the light emitting surface of the ultraviolet light source 51 and the light receiving surface of the first detector 6, the substrate 53 is transmitted from the ultraviolet light source 51. It serves as a shielding member that shields ultraviolet light directly incident on the first detector 6.

<第3実施形態>
図7は、本発明の第3実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。第3実施形態に係る紫外線照射装置1−3は、第2実施形態に係る紫外線照射装置1−2において、さらに、光源から直接入射される紫外光の光量(直射光量)を計測する第二検出器9を設けたものである。第2実施形態における紫外線照射装置1−2と同一部には同一符号を付与し、その詳細な説明は省略する。
<Third Embodiment>
FIG. 7 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of an ultraviolet irradiation device according to a third embodiment of the present invention. The ultraviolet irradiation device 1-3 according to the third embodiment is the second detection in the ultraviolet irradiation device 1-2 according to the second embodiment, which further measures the amount of ultraviolet light (direct light amount) directly incident from the light source. A vessel 9 is provided. The same parts as those of the ultraviolet irradiation device 1-2 in the second embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

第3実施形態に係る紫外線照射装置1−3では、基板53には、第一検出器6を設けるための貫通孔53aが設けられると共に、さらに、第二検出器9を設けるための貫通孔53bが設けられている。
第二検出器9は、紫外線光源51から直接入射される紫外光の光量を検出するための光量検出器である。処理流路L内に入射されない紫外光をできるだけ多く入力するため、第二検出器9は、紫外線光源51の発光面と第二検出器9の受光面とができるだけ近接した位置に配置される。
In the ultraviolet irradiation device 1-3 according to the third embodiment, the substrate 53 is provided with a through hole 53a for providing the first detector 6, and further, a through hole 53b for providing the second detector 9. Is provided.
The second detector 9 is a light amount detector for detecting the amount of ultraviolet light directly incident from the ultraviolet light source 51. In order to input as much ultraviolet light as possible that is not incident on the processing flow path L, the second detector 9 is arranged at a position where the light emitting surface of the ultraviolet light source 51 and the light receiving surface of the second detector 9 are as close as possible.

さらに、筐体4の開口端と第二検出器9との間に、遮蔽部材(第二の紫外線遮蔽物)10が設けられている。遮蔽部材10は、例えば板形状を有し、基板53側からみて第二検出器9の受光面と処理流路Lの端部とが重なる領域を含む部分に設けられている。遮蔽部材10は、拡散透過率が0.5%以下の部材であればよく、例えば、アルミニウムやステンレス等の金属、FR4等のLED基板材を適用することができる。第二検出器9は、紫外線光量に応じた電圧信号又は電流信号を出力する。第二検出器9の検出信号は制御装置7に入力される。 Further, a shielding member (second ultraviolet shielding object) 10 is provided between the open end of the housing 4 and the second detector 9. The shielding member 10 has, for example, a plate shape, and is provided in a portion including a region where the light receiving surface of the second detector 9 and the end portion of the processing flow path L overlap when viewed from the substrate 53 side. The shielding member 10 may be a member having a diffusion transmittance of 0.5% or less, and for example, a metal such as aluminum or stainless steel, or an LED substrate material such as FR4 can be applied. The second detector 9 outputs a voltage signal or a current signal according to the amount of ultraviolet light. The detection signal of the second detector 9 is input to the control device 7.

第二検出器9は、第一検出器6と同等の性能を有する検出器であってもよく異なっていてもよい。また、第二検出器9は第一検出器6と共に紫外線光源51の近傍に設けることができるため、図11に示すように、第二検出器9を第一検出器6と共に紫外線光源51が搭載された基板53に搭載してもよく、異なる基板に搭載するようにしてもよい。
遮蔽部材10は、第二検出器9を基板53に取り付けたときに、処理流路Lで反射された紫外光が筐体4の端部から第二検出器9に入射されることを防止するために設けられるものである。遮蔽部材10は、筐体4の開口部から出射される紫外光が第二検出器9に入射されることを防止できる形状であり配置位置であればよく、さらに、第一検出器6に入射される、処理流路Lから反射される紫外光の光量が、殺菌に十分な紫外線照射が行われているか否かを判断するために必要な光量となり得る形状及び配置位置であればよい。
The second detector 9 may be a detector having the same performance as that of the first detector 6 or may be different. Further, since the second detector 9 can be provided in the vicinity of the ultraviolet light source 51 together with the first detector 6, as shown in FIG. 11, the second detector 9 is mounted on the ultraviolet light source 51 together with the first detector 6. It may be mounted on the mounted substrate 53, or may be mounted on a different substrate.
The shielding member 10 prevents the ultraviolet light reflected by the processing flow path L from being incident on the second detector 9 from the end of the housing 4 when the second detector 9 is attached to the substrate 53. It is provided for this purpose. The shielding member 10 may have a shape and an arrangement position that can prevent ultraviolet light emitted from the opening of the housing 4 from being incident on the second detector 9, and is further incident on the first detector 6. The amount of ultraviolet light reflected from the processing flow path L may be a shape and an arrangement position that can be the amount of light necessary for determining whether or not sufficient ultraviolet irradiation is performed for sterilization.

制御装置7は、紫外線光源51を駆動制御すると共に、第一検出器6の検出信号を受信する。照射対象物に予め設定した光量の紫外光が照射されるように光源を駆動制御する。また、紫外線光源51を一定電流で駆動し、予め設定した検出信号の閾値を下回った場合にアラームを発報したりすることもできる。制御装置7は、第一検出器6の検出信号に基づき、殺菌性能が低下したと予測されるときには、第二検出器9の検出信号を利用して、殺菌性能の低下が生じた原因が、紫外線光源51の発光量が低下したことによるものであるか否かを判定する。例えば、制御装置7は、紫外線光源51が駆動信号に応じた光量を照射しているときに、第二検出器9で検出される光量により、紫外線光源51の発光量が低下しているか否かを判定する。これにより、第一検出器6で検出される発光量の低下の原因が、紫外線光源51の発光量が低下したことにより生じたものであるか否かを切り分ける。 The control device 7 drives and controls the ultraviolet light source 51 and receives the detection signal of the first detector 6. The light source is driven and controlled so that the irradiation target is irradiated with a preset amount of ultraviolet light. It is also possible to drive the ultraviolet light source 51 with a constant current and issue an alarm when the threshold value of the detection signal set in advance is exceeded. When the control device 7 predicts that the sterilization performance has deteriorated based on the detection signal of the first detector 6, the cause of the deterioration of the sterilization performance is caused by using the detection signal of the second detector 9. It is determined whether or not this is due to a decrease in the amount of light emitted from the ultraviolet light source 51. For example, in the control device 7, when the ultraviolet light source 51 is irradiating the amount of light corresponding to the drive signal, whether or not the amount of light emitted by the ultraviolet light source 51 is reduced by the amount of light detected by the second detector 9. To judge. Thereby, it is determined whether or not the cause of the decrease in the light emission amount detected by the first detector 6 is caused by the decrease in the light emission amount of the ultraviolet light source 51.

このように、第3実施形態に係る紫外線照射装置1−3では、紫外線光源51から直接入射される紫外線光量を第二検出器9で検出するため、第一検出器6で検出される光量の低下が、紫外線光源51そのものの発光量の低下に起因するものであるのか否かを容易に切り分けることができ、上記第3実施形態における作用効果と同等の作用効果を得ることができると共に、さらに、殺菌性能の低下の要因を速やかに特定することができる。
また、紫外線光源51と第一検出器6と第二検出器9とを一つの基板53に実装することができるため、紫外線照射装置1−3全体の大幅な大型化を伴うことなく、実現することができる。
As described above, in the ultraviolet irradiation device 1-3 according to the third embodiment, since the second detector 9 detects the amount of ultraviolet light directly incident from the ultraviolet light source 51, the amount of light detected by the first detector 6 is It is possible to easily determine whether or not the decrease is due to a decrease in the amount of light emitted from the ultraviolet light source 51 itself, and it is possible to obtain an effect equivalent to that in the third embodiment, and further. , The cause of deterioration of sterilization performance can be quickly identified.
Further, since the ultraviolet light source 51, the first detector 6 and the second detector 9 can be mounted on one substrate 53, it is realized without significantly increasing the size of the entire ultraviolet irradiation device 1-3. be able to.

なお、図7では、紫外線光源51と第一検出器6と第二検出器9とを一つの基板53に実装しているが、これらを異なる基板に実装してもよい。また、図7では、第2実施形態における紫外線照射装置1−2において、第二検出器9を設け殺菌性能の低下の要因の切り分けを行う場合について説明したが、第1実施形態の紫外線照射装置1−1に適用することも可能である。 In FIG. 7, the ultraviolet light source 51, the first detector 6, and the second detector 9 are mounted on one board 53, but these may be mounted on different boards. Further, in FIG. 7, the case where the second detector 9 is provided in the ultraviolet irradiation device 1-2 of the second embodiment to isolate the cause of the deterioration of the sterilization performance has been described, but the ultraviolet irradiation device of the first embodiment has been described. It is also possible to apply to 1-1.

<第4実施形態>
図8は、本発明の第4実施形態に係る紫外線照射装置の概略構成の一例を示す縦断面図である。第4実施形態に係る紫外線照射装置1−4は、第3実施形態に係る紫外線照射装置1−3における第一検出器6及び第二検出器9として、例えば特許文献4に開示されている紫外線発光装置のように、蛍光ガラス素子等からなる紫外光励起蛍光体と、紫外光励起蛍光体の発光強度を検出する光検出素子からなる光検出器とを有する蛍光検出器である光検出部71a、71bを用いる。光検出部71a、71bは、紫外光量相当値として蛍光の強度を検出し、検出された蛍光の強度と、後述の温度センサ115で検出した温度とに基づいて紫外線光源51の発光状態を管理回路111で監視し、管理回路111により、紫外線光源51の発光強度を維持しつつ、光検出部71a、71bに用いられる部品の劣化や他の電子部品などの後述の電子部品群1100の劣化を抑制し長寿命化を図るように紫外線光源51を駆動制御するようにしたものである。
<Fourth Embodiment>
FIG. 8 is a vertical cross-sectional view showing an example of a schematic configuration of an ultraviolet irradiation device according to a fourth embodiment of the present invention. The ultraviolet irradiation device 1-4 according to the fourth embodiment is the ultraviolet ray disclosed in, for example, Patent Document 4 as the first detector 6 and the second detector 9 in the ultraviolet irradiation device 1-3 according to the third embodiment. Photodetectors 71a, 71b, which are photodetectors having an ultraviolet light-excited phosphor composed of a fluorescent glass element or the like and a photodetector composed of a photodetector for detecting the emission intensity of the ultraviolet light-excited phosphor, such as a light emitting device. Is used. The light detection units 71a and 71b detect the fluorescence intensity as a value equivalent to the amount of ultraviolet light, and manage the light emitting state of the ultraviolet light source 51 based on the detected fluorescence intensity and the temperature detected by the temperature sensor 115 described later. It is monitored by 111, and the management circuit 111 suppresses the deterioration of the parts used for the light detection units 71a and 71b and the deterioration of the electronic parts group 1100 described later such as other electronic parts while maintaining the light emission intensity of the ultraviolet light source 51. The ultraviolet light source 51 is driven and controlled so as to extend the service life.

図8に示すように、第4実施形態に係る紫外線照射装置1−4は、第3実施形態に係る紫外線照射装置1−3において、第一検出器6、第二検出器9に代えて、光検出部71a、71bを備える。また、紫外線照射装置1−4は、例えば特許文献5に開示されている紫外線照射装置のように、中空部が処理流路Lを形成する内筒201と内筒201を収容する外筒202と、内筒201の一端を塞ぐ蓋部203と、内筒201の他端に設けられた紫外線光源51を含む照射部204と、内筒201の蓋部203側の開口端を塞ぐように設けられ、内筒201内に流入される流体を整流するための円盤状の整流板205と、を備えている。この紫外線照射装置1−4では、内筒201と外筒202との間に環状リング206が設けられ、内筒201と外筒202との隙間を二つの区画に区分している。そして、流入口207から流入された照射対象物が一方の区画202aを通り、蓋部203と内筒201との間に形成される連通孔201aを通って整流板205を介して内筒201内に導入される。蓋部203には図示しない凸部が形成され、凸部と内筒201の端部とが接することで、外筒202内における内筒201の位置決めを行っている。 As shown in FIG. 8, the ultraviolet irradiation device 1-4 according to the fourth embodiment replaces the first detector 6 and the second detector 9 in the ultraviolet irradiation device 1-3 according to the third embodiment. It includes light detection units 71a and 71b. Further, the ultraviolet irradiation device 1-4 includes an inner cylinder 201 in which the hollow portion forms the processing flow path L and an outer cylinder 202 accommodating the inner cylinder 201, as in the ultraviolet irradiation device disclosed in Patent Document 5, for example. The lid portion 203 for closing one end of the inner cylinder 201, the irradiation portion 204 including the ultraviolet light source 51 provided at the other end of the inner cylinder 201, and the opening end of the inner cylinder 201 on the lid portion 203 side are provided so as to close. A disk-shaped rectifying plate 205 for rectifying the fluid flowing into the inner cylinder 201 is provided. In the ultraviolet irradiation device 1-4, an annular ring 206 is provided between the inner cylinder 201 and the outer cylinder 202, and the gap between the inner cylinder 201 and the outer cylinder 202 is divided into two sections. Then, the irradiation object flowing in from the inflow port 207 passes through one of the compartments 202a, passes through the communication hole 201a formed between the lid portion 203 and the inner cylinder 201, and passes through the rectifying plate 205 into the inner cylinder 201. Introduced in. A convex portion (not shown) is formed on the lid portion 203, and the convex portion and the end portion of the inner cylinder 201 are in contact with each other to position the inner cylinder 201 in the outer cylinder 202.

照射対象物は処理流路Lを通り、内筒201の照射部204側の端部寄りに形成された連通孔201bを通って、内筒201と外筒202との間の他方の区画202bに導入され、出力口208から排出されるようになっている。なお、整流板205は必ずしも備えていなくてもよい。 The irradiation target passes through the processing flow path L, passes through the communication hole 201b formed near the end of the inner cylinder 201 on the irradiation portion 204 side, and enters the other compartment 202b between the inner cylinder 201 and the outer cylinder 202. It has been introduced so that it can be discharged from the output port 208. The straightening vane 205 does not necessarily have to be provided.

図9は、照射部204の詳細を示した構成図であって、照射部204は、処理流路Lと紫外線光源51とを区画する窓210を保持する窓部204aと、紫外線光源51及び光検出部71a、71bを保持する光源部204bとを備える。光検出部71a、71bの紫外光励起蛍光体71aa、71baは、例えば球体形状を有し、入射される紫外光に励起されて蛍光を発する。光検出部71a、71bの光検出器71ab、71bbは、光検出素子として例えばフォトダイオード等で構成され、紫外光励起蛍光体71aa、71baから発せられる蛍光を電流に変換して管理回路111に出力する。
光源部204bは、紫外線光源51が実装された基板61と、基板61を収納する第一保持部62と、第二保持部63と、光検出部71a、71bの光検出器71ab、71bbが搭載される基板64と、を備える。窓部204aと第一保持部62の外径は同一である。
FIG. 9 is a configuration diagram showing the details of the irradiation unit 204, in which the irradiation unit 204 includes a window unit 204a holding a window 210 for partitioning the processing flow path L and the ultraviolet light source 51, the ultraviolet light source 51, and light. It includes a light source unit 204b that holds the detection units 71a and 71b. The ultraviolet light-excited phosphors 71aa and 71ba of the photodetectors 71a and 71b have, for example, a spherical shape, and are excited by the incident ultraviolet light to emit fluorescence. The photodetectors 71ab and 71bb of the photodetectors 71a and 71b are composed of, for example, a photodiode as a photodetector, and convert the fluorescence emitted from the ultraviolet photoexcited phosphors 71aa and 71ba into an electric current and output it to the management circuit 111. ..
The light source unit 204b includes a substrate 61 on which the ultraviolet light source 51 is mounted, a first holding unit 62 for accommodating the substrate 61, a second holding unit 63, and photodetectors 71ab and 71bb of the photodetectors 71a and 71b. The substrate 64 to be formed is provided. The outer diameters of the window portion 204a and the first holding portion 62 are the same.

基板61には、中央に紫外線光源51が配置されると共に、光検出部71a用の処理流路L内で反射された紫外光を入射する貫通孔61aと、光検出部71bの紫外光励起蛍光体71baが嵌め込まれる貫通孔61bとが形成されている。貫通孔61aは、基板61上の、処理流路L内で反射した紫外光は入射するが、紫外線光源51で照射された紫外光は直接入射されない位置に形成される。
第一保持部62は円環状であって、紫外線光源51が実装された基板61を格納することの可能な内径を有する。第一保持部62の内周には、遮蔽部材65が設けられている。
この遮蔽部材65は、処理流路L内で反射した紫外光が貫通孔61bに嵌め込まれた紫外光励起蛍光体71baに入射されることを防止可能な位置に設けられている。
An ultraviolet light source 51 is arranged in the center of the substrate 61, a through hole 61a for incident ultraviolet light reflected in the processing flow path L for the photodetector 71a, and an ultraviolet light-excited phosphor of the photodetector 71b. A through hole 61b into which the 71ba is fitted is formed. The through hole 61a is formed at a position on the substrate 61 where the ultraviolet light reflected in the processing flow path L is incident, but the ultraviolet light irradiated by the ultraviolet light source 51 is not directly incident.
The first holding portion 62 has an annular shape and has an inner diameter capable of accommodating the substrate 61 on which the ultraviolet light source 51 is mounted. A shielding member 65 is provided on the inner circumference of the first holding portion 62.
The shielding member 65 is provided at a position capable of preventing ultraviolet light reflected in the processing flow path L from being incident on the ultraviolet light-excited phosphor 71ba fitted in the through hole 61b.

第二保持部63の第一保持部62と対向する面には、紫外線光源51側からみて、貫通孔61aと対向する位置に、光検出部71aの紫外光励起蛍光体71aaが嵌め込まれる凹部63aが形成され、第二保持部63の、第一保持部62とは逆側の面に、光検出部71aの光検出器71abを格納するための凹部63bが形成されている。また、第二保持部63の凹部63aと凹部63bとの間に、紫外光励起蛍光体71aaと光検出器71abとの間の光路となる連通孔63cが設けられている。
第二保持部63の、紫外線光源51側からみて、貫通孔61bと対向する位置には、基板61とは逆側の面に、光検出部71bの光検出器71bbを格納すると共に光路となる凹部63dが形成され、基板61側の面には、紫外光励起蛍光体71baと光検出器71bbとの間の光路となる連通孔63eが形成されている。
On the surface of the second holding portion 63 facing the first holding portion 62, a recess 63a into which the ultraviolet light-excited phosphor 71aa of the photodetector 71a is fitted is provided at a position facing the through hole 61a when viewed from the ultraviolet light source 51 side. A recess 63b for storing the photodetector 71ab of the photodetector 71a is formed on the surface of the second holding portion 63 opposite to the first holding portion 62. Further, a communication hole 63c that serves as an optical path between the ultraviolet light-excited phosphor 71aa and the photodetector 71ab is provided between the recess 63a and the recess 63b of the second holding portion 63.
At a position of the second holding unit 63 facing the through hole 61b when viewed from the ultraviolet light source 51 side, the photodetector 71bb of the photodetector unit 71b is stored on the surface opposite to the substrate 61 and serves as an optical path. A recess 63d is formed, and a communication hole 63e that serves as an optical path between the ultraviolet light-excited phosphor 71ba and the photodetector 71bb is formed on the surface on the substrate 61 side.

そして、窓部204aと第一保持部62と第二保持部63とを、第二保持部63側からボルトナットで固定することにより、これらを一体に固定している。この一体に固定された第二保持部63の凹部63b及び63dと、光検出器71ab及び71bbとが向かい合う状態で、基板64を図示しないボルトナット等で第二保持部63に固定することにより、窓部204aと、第一保持部62と、第二保持部63と、基板64とが、一体に固定される。さらに、外筒202の照射部204側の端部に形成されたフランジ部202cと窓部204aと第一保持部62とを、第一保持部62側からボルトナットで固定することによって、照射部204を外筒202に固定している。 Then, the window portion 204a, the first holding portion 62, and the second holding portion 63 are integrally fixed by fixing them with bolts and nuts from the second holding portion 63 side. By fixing the substrate 64 to the second holding portion 63 with bolts and nuts (not shown) in a state where the recesses 63b and 63d of the second holding portion 63 integrally fixed and the photodetectors 71ab and 71bb face each other. The window portion 204a, the first holding portion 62, the second holding portion 63, and the substrate 64 are integrally fixed. Further, by fixing the flange portion 202c, the window portion 204a, and the first holding portion 62 formed at the end of the outer cylinder 202 on the irradiation portion 204 side with bolts and nuts from the first holding portion 62 side, the irradiation portion 204 is fixed to the outer cylinder 202.

これによって、基板61に形成された貫通孔61aに処理流路Lから反射された紫外光のみが入射されて紫外光励起蛍光体71aaに入射され、紫外光励起蛍光体71aaで発した蛍光が連通孔63cを通って凹部63bに入射され、蛍光の光強度が光検出器71abで検出される。また、基板61に設けられた紫外光励起蛍光体71baには、紫外線光源51で照射した紫外光のうち照射対象物を透過しない紫外光が入射され、処理流路Lからの反射光は遮蔽部材65により遮蔽されるため紫外光励起蛍光体71baには入射されない。そして、紫外光励起蛍光体71baに入射された紫外光により、紫外光励起蛍光体71baが蛍光を発し、この発せられた蛍光が連通孔63eを通って凹部63dに入射され、蛍光の光強度が光検出器71bbで検出される。
紫外線照射装置1−4は、電子部品として、光検出器71ab、71bb、管理回路111、温度センサ115を備えており、これら光検出器71ab、71bb、管理回路111、温度センサ115が電子部品群1100を構成している。
As a result, only the ultraviolet light reflected from the processing flow path L is incident on the through hole 61a formed in the substrate 61 and is incident on the ultraviolet light-excited phosphor 71aa, and the fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphor 71aa is emitted through the communication hole 63c. It is incident on the recess 63b through the recess 63b, and the light intensity of fluorescence is detected by the light detector 71ab. Further, the ultraviolet light-excited phosphor 71ba provided on the substrate 61 is incident with ultraviolet light that does not pass through the object to be irradiated among the ultraviolet light irradiated by the ultraviolet light source 51, and the reflected light from the processing flow path L is the shielding member 65. Since it is shielded by the ultraviolet light-excited phosphor 71ba, it is not incident on the ultraviolet light-excited phosphor 71ba. Then, the ultraviolet light incident on the ultraviolet light-excited phosphor 71ba causes the ultraviolet light-excited phosphor 71ba to emit fluorescence, and the emitted fluorescence is incident on the recess 63d through the communication hole 63e, and the light intensity of the fluorescence is detected. Detected by vessel 71bb.
The ultraviolet irradiation device 1-4 includes photodetectors 71ab, 71bb, a management circuit 111, and a temperature sensor 115 as electronic components, and these photodetectors 71ab, 71bb, a management circuit 111, and a temperature sensor 115 are electronic components. It constitutes 1100.

図10に、管理回路111の回路構成の一例を示す。なお、管理回路111は、例えば、基板64の、光検出器71ab、71bbが設けられた面とは逆側の面に設けられていてもよく、別体として設けられていてもよい。
図10に示すように、管理回路111は、紫外線光源51を所望の発光強度で発光するための目標値を設定する設定回路(設定部)111aa及び111abと、紫外線光源51を所望の発光強度に維持する自動パワー制御(Auto Power Control:APC)回路(自動パワー制御部)111bとを有している。設定回路111aa及び111abが設定する目標値は、紫外線光源51の駆動電流の電流値である。さらに、管理回路111は、紫外線光源51を駆動する発光素子駆動回路(駆動部)111cを有している。
FIG. 10 shows an example of the circuit configuration of the management circuit 111. The management circuit 111 may be provided on the surface of the substrate 64 opposite to the surface on which the photodetectors 71ab and 71bb are provided, or may be provided as a separate body.
As shown in FIG. 10, the management circuit 111 sets the setting circuits (setting units) 111aa and 111ab for setting the target value for emitting the ultraviolet light source 51 at a desired emission intensity, and sets the ultraviolet light source 51 to a desired emission intensity. It has an automatic power control (Auto Power Control: APC) circuit (automatic power control unit) 111b to be maintained. The target values set by the setting circuits 111aa and 111ab are the current values of the drive current of the ultraviolet light source 51. Further, the management circuit 111 has a light emitting element drive circuit (drive unit) 111c that drives the ultraviolet light source 51.

設定回路111aaは、光検出部71aの検出信号に基づき目標値を設定する回路であり、設定回路111abは、光検出部71bの検出信号に基づき目標値を設定する回路である。設定回路111aa及び111abの機能構成は同一であるので、ここでは設定回路111aaについて説明する。なお、設定回路111aaには、光検出器71abの検出信号がIV変換回路1114aを介して入力され、設定回路111abには、光検出器71bbの検出信号がIV変換回路1114bを介して入力される。 The setting circuit 111aa is a circuit that sets a target value based on the detection signal of the light detection unit 71a, and the setting circuit 111ab is a circuit that sets the target value based on the detection signal of the light detection unit 71b. Since the functional configurations of the setting circuits 111aa and 111ab are the same, the setting circuit 111aa will be described here. The detection signal of the photodetector 71ab is input to the setting circuit 111aa via the IV conversion circuit 1114a, and the detection signal of the photodetector 71bb is input to the setting circuit 111ab via the IV conversion circuit 1114b. ..

設定回路111aaは、光検出器71abの検出信号に基づく電圧を増幅する増幅部1110と、増幅部1110が出力する出力電圧の直流バイアスを調節するバイアス調節部1111と、増幅部1110が出力する出力電圧に含まれるオフセット電圧を調整するオフセット調節部1112とを有している。さらに、設定回路111aaは、増幅部1110の出力電圧、バイアス調節部1111の出力電圧及びオフセット調節部1112の出力電圧を加算する加算部1113を有している。 The setting circuit 111aa includes an amplification unit 1110 that amplifies the voltage based on the detection signal of the optical detector 71ab, a bias adjustment unit 1111 that adjusts the DC bias of the output voltage output by the amplification unit 1110, and an output output by the amplification unit 1110. It has an offset adjusting unit 1112 that adjusts the offset voltage included in the voltage. Further, the setting circuit 111aa has an addition unit 1113 that adds the output voltage of the amplification unit 1110, the output voltage of the bias adjustment unit 1111 and the output voltage of the offset adjustment unit 1112.

増幅部1110の入力端子には、自動パワー制御回路111bに設けられた電流/電圧変換回路1114aの出力端子が接続されている。増幅部1110の出力端子は加算部1113の3つの入力端子のうちの1つに接続されている。加算部1113の残余の端子の一方にはバイアス調節部1111の出力端子が接続され、加算部1113の残余の端子の他方にはオフセット調節部1112の出力端子が接続されている。加算部1113の出力端子は、自動パワー制御回路11bに設けられたアナログ/デジタル変換部1115(詳細は後述)の入力端子に接続されている。バイアス調節部1111の入力ビット信号が入力される入力端子には、自動パワー制御回路111bに設けられたマイクロプロセッサ1116(詳細は後述する)の所定の出力端子が接続されている。オフセット調節部1112の入力ビット信号が入力される入力端子には、マイクロプロセッサ1116の所定の出力端子が接続されている。 The output terminal of the current / voltage conversion circuit 1114a provided in the automatic power control circuit 111b is connected to the input terminal of the amplification unit 1110. The output terminal of the amplification unit 1110 is connected to one of the three input terminals of the addition unit 1113. The output terminal of the bias adjusting unit 1111 is connected to one of the remaining terminals of the adding unit 1113, and the output terminal of the offset adjusting unit 1112 is connected to the other of the remaining terminals of the adding unit 1113. The output terminal of the addition unit 1113 is connected to the input terminal of the analog / digital conversion unit 1115 (details will be described later) provided in the automatic power control circuit 11b. A predetermined output terminal of the microprocessor 1116 (details will be described later) provided in the automatic power control circuit 111b is connected to the input terminal to which the input bit signal of the bias adjusting unit 1111 is input. A predetermined output terminal of the microprocessor 1116 is connected to the input terminal to which the input bit signal of the offset adjustment unit 1112 is input.

増幅部1110は、例えばプログラマブルゲインアンプ(Programmable Gain Amplifier:PGA)で構成されている。増幅部1110は、電流/電圧変換回路1114aから入力される入力電圧を増幅して加算部1113に出力するようになっている。詳細は後述するが、増幅部1110の増幅率(ゲイン)は、紫外線光源51を所望の発光強度で発光させるための目標駆動電流(以下、「紫外線光源51の目標駆動電流」と略記する場合がある)の設定時及び紫外線光源51の動作開始時に必要に応じて調整される。 The amplifier section 1110 is composed of, for example, a programmable gain amplifier (PGA). The amplification unit 1110 amplifies the input voltage input from the current / voltage conversion circuit 1114a and outputs it to the addition unit 1113. Although details will be described later, the amplification factor (gain) of the amplification unit 1110 may be abbreviated as a target drive current for causing the ultraviolet light source 51 to emit light at a desired emission intensity (hereinafter, referred to as “target drive current of the ultraviolet light source 51”). It is adjusted as necessary at the time of setting (there is) and at the start of operation of the ultraviolet light source 51.

バイアス調節部1111は、例えばデジタル/アナログ変換回路(Digital to Analog Converter:DAC)で構成されている。本実施形態では、バイアス調節部1111は、上位8ビット用のDACと下位8ビット用のDACで構成されている。このため、バイアス調節部1111は、増幅部1110から出力される出力電圧を16ビット相当でバイアス調節が可能になる。これにより、バイアス調節部1111は、処理流路Lからの反射光のみの光量を検出する光検出部71aの光検出器71abで検出される検出光の光量が小さくても十分な分解能でバイアス調節ができる。なお、バイアス調節部1111の入力のビット数は、16ビットに限られず、光検出器71abで検出される検出光の光量に応じて適宜設定してもよい。詳細は後述するが、バイアス調節部1111の出力電圧(すなわち、入力ビット値)は、紫外線光源51の動作開始時に必要に応じて調整される。 The bias adjusting unit 1111 is composed of, for example, a digital / analog conversion circuit (Digital to Analog Converter: DAC). In the present embodiment, the bias adjusting unit 1111 is composed of a DAC for the upper 8 bits and a DAC for the lower 8 bits. Therefore, the bias adjusting unit 1111 can adjust the output voltage output from the amplification unit 1110 by 16 bits or the like. As a result, the bias adjusting unit 1111 adjusts the bias with sufficient resolution even if the amount of light detected by the photodetector 71ab of the photodetector 71a that detects only the amount of reflected light from the processing flow path L is small. Can be done. The number of input bits of the bias adjusting unit 1111 is not limited to 16 bits, and may be appropriately set according to the amount of light detected by the photodetector 71ab. Although the details will be described later, the output voltage (that is, the input bit value) of the bias adjusting unit 1111 is adjusted as necessary when the operation of the ultraviolet light source 51 is started.

オフセット調節部1112は、例えばデジタル/アナログ変換回路(Digital to Analog Converter:DAC)で構成されている。本実施形態では、オフセット調節部1112は、上位8ビット用のDACと下位8ビット用のDACで構成されている。このため、オフセット調節部1112は、増幅部1110から出力される出力電圧を16ビット相当でオフセット調節が可能になる。これにより、オフセット調節部1112は、光検出器71abで検出される検出光の光量が小さくても十分な分解能でオフセット調節ができる。なお、オフセット調節部1112の入力のビット数は、16ビットに限られず、光検出器71abで検出される検出光の光量に応じて適宜設定してもよい。オフセット調節部1112は、紫外線照射装置1−4を構成する回路全体で生じるオフセット電圧を調節するために用いられる。詳細は後述するが、オフセット調節部1112の出力電圧(すなわち、入力ビット値)は、紫外線光源51の目標駆動電流の設定時に必要に応じて調節される。 The offset adjusting unit 1112 is composed of, for example, a digital / analog conversion circuit (Digital to Analog Converter: DAC). In the present embodiment, the offset adjusting unit 1112 is composed of a DAC for the upper 8 bits and a DAC for the lower 8 bits. Therefore, the offset adjustment unit 1112 can offset the output voltage output from the amplification unit 1110 with 16 bits or the like. As a result, the offset adjusting unit 1112 can adjust the offset with sufficient resolution even if the amount of the detected light detected by the photodetector 71ab is small. The number of input bits of the offset adjusting unit 1112 is not limited to 16 bits, and may be appropriately set according to the amount of light detected by the photodetector 71ab. The offset adjusting unit 1112 is used to adjust the offset voltage generated in the entire circuit constituting the ultraviolet irradiation device 1-4. Although the details will be described later, the output voltage (that is, the input bit value) of the offset adjusting unit 1112 is adjusted as necessary when setting the target drive current of the ultraviolet light source 51.

加算部1113は、増幅部1110の出力電圧、バイアス調節部1111の出力電圧及びオフセット調節部1112の出力電圧を加算した加算電圧を自動パワー制御回路111bに出力するように構成されている。つまり、加算部1113は、3入力1出力の構成を有している。加算部1113は、種々の回路構成を有することができる。例えば加算部1113は、2入力1出力のオペアンプを2個有し、一方のオペアンプでバイアス調節部1111の出力電圧及びオフセット調節部1112の出力電圧を加算し、他方のオペアンプで一方のオペアンプの出力電圧と増幅部1110の出力電圧を加算するように構成されていてもよい。加算部1113は、紫外線光源51の目標駆動電流の設定時には、目標駆動電流で駆動された紫外線光源51の発光強度に基づく電圧をフィードバック電圧Vfbとして最終的に出力する。また、加算部1113は、紫外線光源51による殺菌対象物の殺菌動作時には、紫外線光源51の発光強度に基づく電圧をフィードバック電圧Vfbとして出力する。 The addition unit 1113 is configured to output an addition voltage obtained by adding the output voltage of the amplification unit 1110, the output voltage of the bias adjustment unit 1111 and the output voltage of the offset adjustment unit 1112 to the automatic power control circuit 111b. That is, the addition unit 1113 has a configuration of 3 inputs and 1 output. The adder 1113 may have various circuit configurations. For example, the adder 1113 has two operational amplifiers with two inputs and one output, one operational amplifier adds the output voltage of the bias adjustment unit 1111 and the output voltage of the offset adjustment unit 1112, and the other operational amplifier outputs the output of one operational amplifier. It may be configured to add the voltage and the output voltage of the amplification unit 1110. When the target drive current of the ultraviolet light source 51 is set, the addition unit 1113 finally outputs a voltage based on the emission intensity of the ultraviolet light source 51 driven by the target drive current as a feedback voltage Vfb. Further, the addition unit 1113 outputs a voltage based on the emission intensity of the ultraviolet light source 51 as a feedback voltage Vfb during the sterilization operation of the object to be sterilized by the ultraviolet light source 51.

図10に示すように、自動パワー制御回路111bは、光検出器71abの陽極に入力端子が接続された電流/電圧(以下、「IV」と称する場合がある)変換回路1114a、1114bを有している。詳細な回路構成の説明は省略するが、IV変換回路1114a、1114bは、例えば電流入力型のオペアンプを用いて構成されている。IV変換回路1114aの出力端子は設定回路111aaに設けられた増幅部1110の非反転入力端子に接続されている。IV変換回路1114aは、光検出器71abから入力された電流を電圧に変換して設定回路111aaの増幅部1110に出力するようになっている。IV変換回路1114bは、光検出器71bbから入力された電流を電圧に変換して設定回路111abの増幅部1110に出力するようになっている。 As shown in FIG. 10, the automatic power control circuit 111b has a current / voltage (hereinafter, may be referred to as “IV”) conversion circuit 1114a and 1114b in which an input terminal is connected to the anode of the photodetector 71ab. ing. Although detailed description of the circuit configuration will be omitted, the IV conversion circuits 1114a and 1114b are configured by using, for example, a current input type operational amplifier. The output terminal of the IV conversion circuit 1114a is connected to the non-inverting input terminal of the amplification unit 1110 provided in the setting circuit 111aa. The IV conversion circuit 1114a converts the current input from the photodetector 71ab into a voltage and outputs it to the amplification unit 1110 of the setting circuit 111aa. The IV conversion circuit 1114b converts the current input from the photodetector 71bb into a voltage and outputs it to the amplification unit 1110 of the setting circuit 111ab.

自動パワー制御回路111bは、設定回路111aaから出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ/デジタル変換部(以下、「アナログ/デジタル」を「A/D」と略記する場合がある)1115aと、設定回路111abから出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ/デジタル変換部(以下、「アナログ/デジタル」を「A/D」と略記する場合がある)1115bと、を有している。また、自動パワー制御回路111bは、A/D変換部1115aで変換されたデジタル信号に基づいて紫外線光源51が所望の発光強度を維持しているか否かを判定するマイクロプロセッサ(判定部)1116を有している。さらに、自動パワー制御回路111bは、マイクロプロセッサ1116からの指示に基づいて発光素子駆動回路(駆動部)111cを制御するパルス幅変調(Pulse Width Modulation:PWM)信号(制御信号の一例)を生成するパルス幅変調信号生成部(生成部)1117を有している。なお、図10では、マイクロプロセッサを「μP」と表している。また、以下、パルス幅変調を「PWM」と略記する場合がある。詳細は後述するが、自動パワー制御回路111bは、殺菌動作時のフィードバック電圧Vfbに基づいて、紫外線光源51が所望の発光強度で動作しているか否かを判定する。 The automatic power control circuit 111b has an analog / digital conversion unit (hereinafter, "analog / digital" may be abbreviated as "A / D") 1115a that converts an analog signal output from the setting circuit 111aa into a digital signal. , An analog / digital converter (hereinafter, "analog / digital" may be abbreviated as "A / D") 1115b, which converts an analog signal output from the setting circuit 111ab into a digital signal. .. Further, the automatic power control circuit 111b includes a microprocessor (determination unit) 1116 that determines whether or not the ultraviolet light source 51 maintains a desired emission intensity based on the digital signal converted by the A / D conversion unit 1115a. Have. Further, the automatic power control circuit 111b generates a pulse width modulation (PWM) signal (an example of a control signal) that controls the light emitting element drive circuit (drive unit) 111c based on an instruction from the microprocessor 1116. It has a pulse width modulation signal generation unit (generation unit) 1117. In FIG. 10, the microprocessor is represented as "μP". Further, hereinafter, pulse width modulation may be abbreviated as "PWM". Although the details will be described later, the automatic power control circuit 111b determines whether or not the ultraviolet light source 51 is operating at a desired emission intensity based on the feedback voltage Vfb during the sterilization operation.

A/D変換部1115a及び1115bの出力端子はマイクロプロセッサ1116のビット信号が入力される所定の入力端子に接続されている。マイクロプロセッサ1116の所定の出力端子はPWM信号生成部1117の入力端子に接続されている。PWM信号生成部1117の出力端子は発光素子駆動回路111cに設けられた制御部1118(詳細は後述)の入力端子に接続されている。 The output terminals of the A / D converters 1115a and 1115b are connected to predetermined input terminals to which the bit signal of the microprocessor 1116 is input. A predetermined output terminal of the microprocessor 1116 is connected to an input terminal of the PWM signal generation unit 1117. The output terminal of the PWM signal generation unit 1117 is connected to the input terminal of the control unit 1118 (details will be described later) provided in the light emitting element drive circuit 111c.

A/D変換部(Analog to Digital Converter:ADC)1115aは、設定回路111aaに設けられた加算部1113から入力されるアナログ信号のフィードバック電圧Vfbをデジタル信号に変換してマイクロプロセッサ1116に出力する。A/D変換部1115bは、設定回路111abに設けられた加算部1113から入力されるアナログ信号のフィードバック電圧Vfbをデジタル信号に変換してマイクロプロセッサ1116に出力する。 The Analog to Digital Converter (ADC) 1115a converts the feedback voltage Vfb of the analog signal input from the addition unit 1113 provided in the setting circuit 111aa into a digital signal and outputs it to the microprocessor 1116. The A / D conversion unit 1115b converts the feedback voltage Vfb of the analog signal input from the addition unit 1113 provided in the setting circuit 111ab into a digital signal and outputs it to the microprocessor 1116.

マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51の目標駆動電流の設定が完了した際にA/D変換部1115aから入力されたデジタル信号を目標コードとして所定の記憶領域に記憶する。この目標コードは、紫外線光源51を所望の発光強度で駆動するための駆動電流の条件となる。マイクロプロセッサ1116は、目標コードを記憶した後に紫外線光源51の許容動作範囲を閾値コードとして所定の記憶領域に記憶する。マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51の許容動作範囲の上限を規定する上限閾値コード及び下限を規定する下限閾値コードを設定する。 The microprocessor 1116 stores the digital signal input from the A / D conversion unit 1115a as the target code in a predetermined storage area when the setting of the target drive current of the ultraviolet light source 51 is completed. This target code is a condition of the driving current for driving the ultraviolet light source 51 with a desired emission intensity. After storing the target code, the microprocessor 1116 stores the allowable operating range of the ultraviolet light source 51 as a threshold code in a predetermined storage area. The microprocessor 1116 sets an upper limit threshold code that defines the upper limit of the allowable operating range of the ultraviolet light source 51 and a lower limit threshold code that defines the lower limit.

マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51による殺菌対象物の殺菌動作時にA/D変換部1115aから入力されるデジタル信号と目標コード及び閾値コードとを比較する。マイクロプロセッサ1116は、入力されたデジタル信号の値が目標コード及び閾値コードとの間に含まれる値である場合には、紫外線光源51が所望の発光強度を維持していると判定する。一方、マイクロプロセッサ1116は、入力されたデジタル信号の値が目標コード及び閾値コードとの間に含まれない値である場合には、紫外線光源51が所望の発光強度を維持していないと判定する。マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51が所望の発光強度を維持していると判定した場合には、PWM信号生成部1117に特別な指示信号を出力しない。一方、マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51が所望の発光強度を維持していないと判定した場合には、PWM信号生成部1117に駆動電流を変更することを指示する指示信号を出力する。マイクロプロセッサ1116は、入力されたデジタル信号の値が上限閾値コードよりも大きい場合には、駆動電流の電流量を小さくすることを指示する指示信号をPWM信号生成部1117に出力する。一方、マイクロプロセッサ1116は、入力されたデジタル信号の値が下限閾値コードよりも小さい場合には、駆動電流の電流量を大きくすることを指示する指示信号をPWM信号生成部1117に出力する。このように、紫外線照射装置1−4は、紫外線光源51による殺菌対象物の殺菌動作時に紫外線光源51の発光強度をフィードバックして紫外線光源51が所望の発光強度を維持するように制御する。 The microprocessor 1116 compares the digital signal input from the A / D conversion unit 1115a with the target code and the threshold code during the sterilization operation of the object to be sterilized by the ultraviolet light source 51. When the value of the input digital signal is a value included between the target code and the threshold code, the microprocessor 1116 determines that the ultraviolet light source 51 maintains a desired emission intensity. On the other hand, the microprocessor 1116 determines that the ultraviolet light source 51 does not maintain the desired emission intensity when the value of the input digital signal is a value not included between the target code and the threshold code. .. When the microprocessor 1116 determines that the ultraviolet light source 51 maintains a desired emission intensity, the microprocessor 1116 does not output a special instruction signal to the PWM signal generation unit 1117. On the other hand, when it is determined that the ultraviolet light source 51 does not maintain the desired emission intensity, the microprocessor 1116 outputs an instruction signal instructing the PWM signal generation unit 1117 to change the drive current. When the value of the input digital signal is larger than the upper limit threshold code, the microprocessor 1116 outputs an instruction signal instructing the current amount of the drive current to be reduced to the PWM signal generation unit 1117. On the other hand, when the value of the input digital signal is smaller than the lower limit threshold code, the microprocessor 1116 outputs an instruction signal instructing to increase the current amount of the drive current to the PWM signal generation unit 1117. In this way, the ultraviolet irradiation device 1-4 feeds back the emission intensity of the ultraviolet light source 51 during the sterilization operation of the object to be sterilized by the ultraviolet light source 51, and controls the ultraviolet light source 51 to maintain the desired emission intensity.

図10に示すように、マイクロプロセッサ1116には、状態識別信号Smodeが入力される。状態識別信号Smodeは、紫外線照射装置1−4の動作状態が、紫外線光源51を前記フィードバック制御駆動するのか、紫外線光源51を設置された一定電流で駆動するのかを識別するための信号である。マイクロプロセッサ1116は、状態識別信号Smodeが「0」の場合は例えば紫外線光源51を前記フィードバック制御により駆動すると判定する。一方、マイクロプロセッサ1116は、状態識別信号Smodeが「1」の場合は例えば紫外線光源51を設定電流で定電流駆動すると判定する。 As shown in FIG. 10, a state identification signal Mode is input to the microprocessor 1116. The state identification signal Mode is a signal for identifying whether the operating state of the ultraviolet irradiation devices 1-4 is driving the ultraviolet light source 51 by the feedback control or driving the ultraviolet light source 51 with an installed constant current. When the state identification signal Mode is "0", the microprocessor 1116 determines that, for example, the ultraviolet light source 51 is driven by the feedback control. On the other hand, when the state identification signal Mode is "1", the microprocessor 1116 determines that, for example, the ultraviolet light source 51 is driven by a constant current with a set current.

つまり、マイクロプロセッサ1116は、状態識別信号Smodeの信号レベルに基づいて、紫外線光源51の駆動方法を選択できる。ここで、外光が入射されたとき、光検出器71abには外光と紫外光励起蛍光体71aaが発する蛍光とが入射される。紫外光励起蛍光体71aaが発する蛍光は、外光に比較して数桁異なることから、例えば光検出器71abの出力が、光検出器71abの出力上限値を超えた場合に外光が入射したと判定することができる。このため、管理回路111は、殺菌対象物を殺菌可能な状態で紫外線光源51を動作させている際に、何らかの要因により、光検出器71abに外光が入射されたと判定した場合には、紫外線光源51の動作を停止する。管理回路111は、紫外線照射装置1−4が異常な使用を成された場合に、紫外線光源51を即時停止する。これにより、紫外線照射装置1−4は、殺菌対象物を殺菌している場合に紫外線が外部に漏洩することを防止できる。 That is, the microprocessor 1116 can select the driving method of the ultraviolet light source 51 based on the signal level of the state identification signal Mode. Here, when the external light is incident, the external light and the fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphor 71aa are incident on the photodetector 71ab. Since the fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphor 71aa is several orders of magnitude different from that of external light, for example, when the output of the photodetector 71ab exceeds the output upper limit of the photodetector 71ab, external light is incident. Can be determined. Therefore, when the management circuit 111 operates the ultraviolet light source 51 in a state where the object to be sterilized can be sterilized, if it is determined that external light is incident on the photodetector 71ab for some reason, the ultraviolet light is emitted. The operation of the light source 51 is stopped. The management circuit 111 immediately stops the ultraviolet light source 51 when the ultraviolet irradiation devices 1-4 are used abnormally. As a result, the ultraviolet irradiation device 1-4 can prevent the ultraviolet rays from leaking to the outside when the object to be sterilized is sterilized.

また、マイクロプロセッサ1116は、光検出器71abの出力が目標照射量に相当する発光量でない場合は、A/D変換部1115bから入力される光検出器71bbの出力が、目標照射量に相当する発光量であるか否かを判定する。光検出器71bbの出力、すなわち、紫外線光源51の実際の発光量が目標照射量に相当する発光量でないときには、光検出器71abの出力が目標照射量に相当する発光量とならない要因が、紫外線光源51の発光量の低下により生じたものであると判定する。また、光検出器71bbの出力が目標照射量に相当する発光量であるときには、光検出器71abの出力が目標照射量に相当する発光量とならない要因が、処理流路L内の反射率の低下や、内部流体の透過率の変化によるものと判定し、例えば、判定結果を、図示しない表示装置等に表示する。この判定処理は、殺菌動作状態にあるときに定期的に実行するようにしてもよく、また、光検出器71abの出力と、目標照射量に相当する発光量との差が予め設定したしきい値より大きいときにのみ実行するようにしてもよい。 Further, in the microprocessor 1116, when the output of the photodetector 71ab is not the amount of light emitted corresponding to the target irradiation amount, the output of the photodetector 71bb input from the A / D conversion unit 1115b corresponds to the target irradiation amount. It is determined whether or not it is the amount of light emitted. When the output of the photodetector 71bb, that is, the actual amount of light emitted from the ultraviolet light source 51 is not the amount of light emitted corresponding to the target irradiation amount, the factor that the output of the photodetector 71ab does not become the amount of light emitted corresponding to the target irradiation amount is ultraviolet rays. It is determined that this is caused by a decrease in the amount of light emitted from the light source 51. Further, when the output of the photodetector 71bb is a light emission amount corresponding to the target irradiation amount, the factor that the output of the photodetector 71ab does not become the light emission amount corresponding to the target irradiation amount is the reflectance in the processing flow path L. It is determined that the cause is a decrease or a change in the transmittance of the internal fluid, and for example, the determination result is displayed on a display device (not shown) or the like. This determination process may be executed periodically when the sterilization operation state is in effect, and the difference between the output of the photodetector 71ab and the amount of light emitted corresponding to the target irradiation amount is set in advance. It may be executed only when it is larger than the value.

PWM信号生成部1117は、マイクロプロセッサ1116から入力される指示信号に基づいてデューティ信号Sdutyを発光素子駆動回路111cに出力する。PWM信号生成部1117は、駆動電流を小さくすることを指示する指示信号がマイクロプロセッサ1116から入力された場合には、直前に出力していたデューティ信号Sdutyよりもデューティ比の小さいデューティ信号Sdutyを発光素子駆動回路111cに出力する。一方、PWM信号生成部1117は、駆動電流を大きくすることを指示する指示信号がマイクロプロセッサ1116から入力された場合には、直前に出力していたデューティ信号Sdutyよりもデューティ比の大きいデューティ信号Sdutyを発光素子駆動回路111cに出力する。 The PWM signal generation unit 1117 outputs the duty signal Sduty to the light emitting element drive circuit 111c based on the instruction signal input from the microprocessor 1116. When the instruction signal instructing to reduce the drive current is input from the microprocessor 1116, the PWM signal generation unit 1117 emits a duty signal Sduty having a duty ratio smaller than the duty signal Sduty output immediately before. Output to the element drive circuit 111c. On the other hand, when the instruction signal instructing to increase the drive current is input from the microprocessor 1116, the PWM signal generation unit 1117 has a duty signal Sduty having a duty ratio larger than the duty signal Sduty output immediately before. Is output to the light emitting element drive circuit 111c.

紫外線照射装置1−4は、紫外線光源51の温度を検出する温度センサ(温度検出部)115を備えている。温度センサ115は、例えば紫外線光源51が実装された基板61に搭載されている。 自動パワー制御回路111bは、温度センサ115が検出した温度に基づいて発光素子駆動回路111cを制御する。温度センサ115の出力端子は、マイクロプロセッサ1116の所定の入力端子に接続されている。 The ultraviolet irradiation device 1-4 includes a temperature sensor (temperature detection unit) 115 that detects the temperature of the ultraviolet light source 51. The temperature sensor 115 is mounted on a substrate 61 on which, for example, an ultraviolet light source 51 is mounted. The automatic power control circuit 111b controls the light emitting element drive circuit 111c based on the temperature detected by the temperature sensor 115. The output terminal of the temperature sensor 115 is connected to a predetermined input terminal of the microprocessor 1116.

温度センサ115は、例えばアナログ電源及びアナログ基準電位(アナロググランド)との間で直列に接続されたサーミスタ及び抵抗を有している。また、温度センサ115は、サーミスタ及び抵抗の接続点の電圧と所定電圧とを比較する比較器(コンパレータ)を有している。この比較器の出力端子が温度センサ115の出力端子となる。また、この所定電圧は、紫外線光源51の所定温度(例えば80℃)に相当する電圧に設定される。サーミスタによって検出された紫外線光源51の温度が所定温度よりも低い場合には、温度センサ115は、比較器から例えば低レベル(0V)の電圧をマイクロプロセッサ1116に出力する。一方、サーミスタによって検出された紫外線光源51の温度が所定温度よりも高い場合には、温度センサ115は、比較器から例えば高レベルの電圧(マイクロプロセッサ1116で許容されている入力電圧の高レベルの電圧)をマイクロプロセッサ1116に出力する。 The temperature sensor 115 has, for example, a thermistor and a resistor connected in series with an analog power supply and an analog reference potential (analog ground). Further, the temperature sensor 115 has a comparator that compares the voltage at the connection point between the thermistor and the resistor with a predetermined voltage. The output terminal of this comparator serves as the output terminal of the temperature sensor 115. Further, this predetermined voltage is set to a voltage corresponding to a predetermined temperature (for example, 80 ° C.) of the ultraviolet light source 51. When the temperature of the ultraviolet light source 51 detected by the thermistor is lower than the predetermined temperature, the temperature sensor 115 outputs, for example, a low level (0 V) voltage from the comparator to the microprocessor 1116. On the other hand, when the temperature of the ultraviolet light source 51 detected by the thermistor is higher than the predetermined temperature, the temperature sensor 115 is subjected to, for example, a high level voltage from the comparator (a high level of the input voltage allowed by the microprocessor 1116). Voltage) is output to the microprocessor 1116.

マイクロプロセッサ1116は、温度センサ115から入力される電圧の電圧レベルに応じて、デューティ信号Sdutyのデューティ比を変更することをPWM信号生成部1117に指示する。マイクロプロセッサ1116は、温度センサ115から低レベルの電圧を入力した場合には、デューティ信号Sdutyのデューティ比を変更することをPWM信号生成部1117に指示しない。一方、マイクロプロセッサ1116は、温度センサ115から高レベルの電圧が入力された場合には、デューティ信号Sdutyのデューティ比を大きくすることをPWM信号生成部1117に指示する。これにより、紫外線光源51に流れる駆動電流の電流量が増加するため、紫外線光源51が高温になって低下した発光強度が補償される。このように、紫外線照射装置1−4は、紫外線光源51の経時劣化による発光強度の低下(詳細は後述)とは別個に、紫外線光源51の温度特性による発光強度の低下を補償できる。 The microprocessor 1116 instructs the PWM signal generation unit 1117 to change the duty ratio of the duty signal Sduty according to the voltage level of the voltage input from the temperature sensor 115. The microprocessor 1116 does not instruct the PWM signal generation unit 1117 to change the duty ratio of the duty signal Sduty when a low level voltage is input from the temperature sensor 115. On the other hand, the microprocessor 1116 instructs the PWM signal generation unit 1117 to increase the duty ratio of the duty signal Sduty when a high level voltage is input from the temperature sensor 115. As a result, the amount of drive current flowing through the ultraviolet light source 51 increases, so that the emission intensity reduced due to the high temperature of the ultraviolet light source 51 is compensated. As described above, the ultraviolet irradiation devices 1-4 can compensate for the decrease in the emission intensity due to the temperature characteristics of the ultraviolet light source 51, separately from the decrease in the emission intensity due to the deterioration of the ultraviolet light source 51 over time (details will be described later).

また、マイクロプロセッサ1116は、バイアス調節部1111及びオフセット調節部1112の入力ビット値を必要に応じて変更するようになっている。また、マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51の目標駆動電流の設定状態のときに、増幅部1110の増幅率を必要に応じて変更するようになっている。 Further, the microprocessor 1116 is adapted to change the input bit values of the bias adjusting unit 1111 and the offset adjusting unit 1112 as necessary. Further, the microprocessor 1116 is adapted to change the amplification factor of the amplification unit 1110 as necessary when the target drive current of the ultraviolet light source 51 is set.

図10に示すように、発光素子駆動回路111cは、制御部1118と定電流源1119とを有している。制御部1118は、PWM信号生成部1117から入力されるデューティ信号Sdutyに基づいて定電流源1119が出力する電流の電流量を制御するようになっている。制御部1118は、PWM信号生成部1117から入力されるデューティ信号Sdutyのデューティ比が小さくなった場合には、出力する電流の電流量が小さくなるように定電流源1119を駆動する。一方、制御部1118は、PWM信号生成部1117から入力されるデューティ信号Sdutyのデューティ比が大きくなった場合には、出力する電流の電流量が大きくなるように定電流源1119を駆動する。 As shown in FIG. 10, the light emitting element drive circuit 111c has a control unit 1118 and a constant current source 1119. The control unit 1118 controls the amount of current output by the constant current source 1119 based on the duty signal Sduty input from the PWM signal generation unit 1117. When the duty ratio of the duty signal Sduty input from the PWM signal generation unit 1117 becomes small, the control unit 1118 drives the constant current source 1119 so that the amount of the output current becomes small. On the other hand, when the duty ratio of the duty signal Sduty input from the PWM signal generation unit 1117 becomes large, the control unit 1118 drives the constant current source 1119 so that the amount of the output current becomes large.

定電流源1119には、紫外線光源51が直列に接続されている。定電流源1119の正極は紫外線光源51の陰極に接続され、定電流源1119の負極はアナログ基準電位(アナロググランド)に接続されている。定電流源1119は、制御部1118に制御されて所定の電流量の定電流をアナログ電源からアナロググランドに向かって出力するようになっている。紫外線光源51は定電流源1119と直列に接続されているため、紫外線光源51には定電流源1119が出力する電流量の定電流が流れる。紫外線光源51の陽極に印加されるアナログ電源の電圧値は一定である。このため、紫外線光源51が発光する紫外線の強度は、定電流源1119が出力する定電流の電流量で決定される。 An ultraviolet light source 51 is connected in series to the constant current source 1119. The positive electrode of the constant current source 1119 is connected to the cathode of the ultraviolet light source 51, and the negative electrode of the constant current source 1119 is connected to the analog reference potential (analog ground). The constant current source 1119 is controlled by the control unit 1118 to output a constant current of a predetermined amount of current from the analog power supply toward the analog ground. Since the ultraviolet light source 51 is connected in series with the constant current source 1119, a constant current of the amount of current output by the constant current source 1119 flows through the ultraviolet light source 51. The voltage value of the analog power supply applied to the anode of the ultraviolet light source 51 is constant. Therefore, the intensity of the ultraviolet rays emitted by the ultraviolet light source 51 is determined by the amount of constant current output by the constant current source 1119.

次に、紫外線照射装置1−4の動作について図8から図10を参照しつつ図11から図13を用いて説明する。図11及び図13、又は図12及び図13は、紫外線照射装置1−4の動作がこの順に時系列で表されている。なお、図11から図13に示す時間スケールは、実際のスケールとは異ならせて図示されている。また、図11及び図12では、フィードバック電圧Vfbの変動数は実際のビット数とは一致しておらず、またフィードバック電圧Vfbの一部が直線矢印で略記されている。 Next, the operation of the ultraviolet irradiation device 1-4 will be described with reference to FIGS. 8 to 10 with reference to FIGS. 11 to 13. 11 and 13 or 12 and 13 show the operations of the ultraviolet irradiation devices 1-4 in this order in chronological order. The time scales shown in FIGS. 11 to 13 are shown differently from the actual scales. Further, in FIGS. 11 and 12, the number of fluctuations in the feedback voltage Vfb does not match the actual number of bits, and a part of the feedback voltage Vfb is abbreviated by a straight arrow.

紫外線照射装置1−4は、紫外線光源51の目標駆動電流を設定する目標値設定状態と、光検出器71abの出力が目標照射量に相当する発光量となる様に制御するフィードバック制御状態との2つの状態で動作するようになっている。目標値設定状態において、紫外線照射装置1−4は、4つのステップを実行して紫外線光源51の目標値(本実施形態では、紫外線光源51の駆動電流の電流量の目標値)を設定する。
まず、目標値設定状態では、増幅部1110の増幅率の初期値を最大値に設定する。また、バイアス調節部1111の出力電圧の初期値が最大電圧VDDの1/2となるように入力ビット値を設定する。また、オフセット調節部1112の出力電圧の初期値が最大電圧VDDの1/2となるように入力ビット値を設定する。さらに、状態識別信号Smodeを「1」に設定する。
The ultraviolet irradiation device 1-4 has a target value setting state for setting the target drive current of the ultraviolet light source 51 and a feedback control state for controlling the output of the photodetector 71ab so that the light emission amount corresponds to the target irradiation amount. It works in two states. In the target value setting state, the ultraviolet irradiation device 1-4 executes four steps to set the target value of the ultraviolet light source 51 (in the present embodiment, the target value of the current amount of the drive current of the ultraviolet light source 51).
First, in the target value setting state, the initial value of the amplification factor of the amplification unit 1110 is set to the maximum value. Further, the input bit value is set so that the initial value of the output voltage of the bias adjusting unit 1111 is 1/2 of the maximum voltage VDD. Further, the input bit value is set so that the initial value of the output voltage of the offset adjusting unit 1112 is 1/2 of the maximum voltage VDD. Further, the state identification signal Mode is set to "1".

以上の初期設定が終了した後に、図11に示すように、時刻t0において、紫外線光源51を動作させずに設定回路111aa及び自動パワー制御回路111bの動作を開始する。紫外線光源51は非動作状態であるため紫外光励起蛍光体71aaには蛍光が生じないものの、光検出器71abには例えば暗電流が流れるため、光検出器71abからIV変換回路1114に電流が入力される。増幅部1110の増幅率が最大値に設定されているため、加算部1113からフィードバック電圧Vfbが出力される。時刻t1において、フィードバック電圧Vfbは、最大電圧VDDよりも大きい値となる。 After the above initial setting is completed, as shown in FIG. 11, at time t0, the operation of the setting circuit 111aa and the automatic power control circuit 111b is started without operating the ultraviolet light source 51. Since the ultraviolet light source 51 is in a non-operating state, fluorescence does not occur in the ultraviolet light-excited phosphor 71aa, but for example, a dark current flows through the photodetector 71ab, so that a current is input from the photodetector 71ab to the IV conversion circuit 1114. NS. Since the amplification factor of the amplification unit 1110 is set to the maximum value, the feedback voltage Vfb is output from the addition unit 1113. At time t1, the feedback voltage Vfb becomes a value larger than the maximum voltage VDD.

最大電圧VDDよりも大きい値のフィードバック電圧Vfbが加算部1113から出力されると、第1ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、増幅部1110の増幅率を1段階ずつ低減する。マイクロプロセッサ1116は、増幅部1110の増幅率を低減するたびにフィードバック電圧Vfbがマイクロプロセッサ1116の動作が補償されている高レベル側の入力電圧VIN1まで低下したか否かを判定する。マイクロプロセッサ1116は、フィードバック電圧Vfbが入力電圧VIN1まで低下したと判定するまで増幅部1110の増幅率を低減する。 When the feedback voltage Vfb having a value larger than the maximum voltage VDD is output from the addition unit 1113, the microprocessor 1116 reduces the amplification factor of the amplification unit 1110 by one step in the first step. Each time the amplification factor of the amplification unit 1110 is reduced, the microprocessor 1116 determines whether or not the feedback voltage Vfb has dropped to the input voltage VIN1 on the high level side where the operation of the microprocessor 1116 is compensated. The microprocessor 1116 reduces the amplification factor of the amplification unit 1110 until it is determined that the feedback voltage Vfb has dropped to the input voltage VIN1.

例えば時刻t2においてフィードバック電圧Vfbが入力電圧VIN1よりも低くなると、次に、第2ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、オフセット調節部1112に設けられた上位ビット用DACの出力電圧を低下させるために入力ビット値を1ビットずつ変更する。マイクロプロセッサ1116は、当該上位ビット用DACの入力ビット値を1ビット変更するたびにフィードバック電圧Vfbの電圧値が最大電圧VDDの1/2から誤差電圧(VDD/2+ΔV)までの範囲の値となったか否かを判定する。その後、マイクロプロセッサ1116は、例えば時刻t3において、フィードバック電圧Vfbの電圧値が最大電圧VDDの1/2から誤差電圧(VDD/2+ΔV)までの範囲の値となったと判定すると、オフセット調節部1112の上位ビット用DACの入力ビット値の変更を終了する。 For example, when the feedback voltage Vfb becomes lower than the input voltage VIN1 at time t2, then in the second step, the microprocessor 1116 inputs in order to lower the output voltage of the DAC for the high-order bit provided in the offset adjustment unit 1112. Change the bit value bit by bit. In the microprocessor 1116, each time the input bit value of the high-order bit DAC is changed by 1 bit, the voltage value of the feedback voltage Vfb becomes a value in the range from 1/2 of the maximum voltage VDD to the error voltage (VDD / 2 + ΔV). Determine if it is. After that, when the microprocessor 1116 determines that the voltage value of the feedback voltage Vfb is in the range from 1/2 of the maximum voltage VDD to the error voltage (VDD / 2 + ΔV) at time t3, for example, the offset adjustment unit 1112 The change of the input bit value of the DAC for the upper bit is completed.

次に、紫外線照射装置1−4は、オフセット調節部1112に設けられた下位ビット用DACによるオフセット電圧の調節を実行するために、再び第1ステップ及び第2ステップを実行する。時刻t3において、管理回路111は、増幅部1110の増幅率を再び最大値に設定する。これにより、時刻t4において、フィードバック電圧Vfbは、最大電圧VDDよりも大きい値となる。
最大電圧VDDよりも大きい値のフィードバック電圧Vfbが加算部1113から出力されると、第1ステップにおいて、管理回路111は、増幅部1110の増幅率を徐々に低減させ、フィードバック電圧Vfbをマイクロプロセッサ1116の動作が補償されている高レベル側の入力電圧VIN1まで低下させる。
Next, the ultraviolet irradiation device 1-4 again executes the first step and the second step in order to adjust the offset voltage by the lower bit DAC provided in the offset adjusting unit 1112. At time t3, the management circuit 111 sets the amplification factor of the amplification unit 1110 to the maximum value again. As a result, at time t4, the feedback voltage Vfb becomes a value larger than the maximum voltage VDD.
When a feedback voltage Vfb having a value larger than the maximum voltage VDD is output from the adder 1113, in the first step, the management circuit 111 gradually reduces the amplification factor of the amplification unit 1110 and sets the feedback voltage Vfb to the microprocessor 1116. The input voltage on the high level side where the operation of is compensated is lowered to VIN1.

例えば時刻t5においてフィードバック電圧Vfbが入力電圧VIN1よりも低くなると、次に、第2ステップにおいて、管理回路111は、オフセット調節部1112に設けられた下位ビット用DACの出力電圧が低下するように入力ビット値を変更する。その後、時刻t6において、フィードバック電圧Vfbの電圧値が最大電圧VDDの1/2から誤差電圧(VDD/2+ΔV)までの範囲の値となったら、管理回路111は、オフセット調節部1112の下位ビット用DACの入力ビット値の変更を終了する。 For example, when the feedback voltage Vfb becomes lower than the input voltage VIN1 at time t5, then, in the second step, the management circuit 111 inputs so that the output voltage of the lower bit DAC provided in the offset adjusting unit 1112 decreases. Change the bit value. After that, at time t6, when the voltage value of the feedback voltage Vfb becomes a value in the range from 1/2 of the maximum voltage VDD to the error voltage (VDD / 2 + ΔV), the management circuit 111 is used for the lower bits of the offset adjustment unit 1112. The change of the input bit value of the DAC is finished.

図11は、目標値設定状態において設定回路111a及び自動パワー制御回路111bの動作を開始した場合に、フィードバック電圧Vfbが最大電圧VDDより大きい電圧値になった例を示しているが、フィードバック電圧Vfbは最小電圧(0V)よりも小さい電圧値になる場合もある。
図12に示すように、時刻t0において、紫外線光源51を動作させずに設定回路111a及び自動パワー制御回路111bの動作を開始する。紫外線光源51は非動作状態であるため紫外光励起蛍光体71aaには蛍光が生じないものの、光検出器71abには例えば暗電流が流れるため、光検出器71abからIV変換回路1114に電流が入力される。増幅部1110の増幅率が最大値に設定されているため、加算部1113からフィードバック電圧Vfbが出力される。時刻t1において、フィードバック電圧Vfbは、最小電圧(0V)よりも小さい値となる。
FIG. 11 shows an example in which the feedback voltage Vfb becomes a voltage value larger than the maximum voltage VDD when the operation of the setting circuit 111a and the automatic power control circuit 111b is started in the target value setting state. May be a voltage value smaller than the minimum voltage (0V).
As shown in FIG. 12, at time t0, the operation of the setting circuit 111a and the automatic power control circuit 111b is started without operating the ultraviolet light source 51. Since the ultraviolet light source 51 is in a non-operating state, fluorescence does not occur in the ultraviolet light-excited phosphor 71aa, but for example, a dark current flows through the photodetector 71ab, so that a current is input from the photodetector 71ab to the IV conversion circuit 1114. NS. Since the amplification factor of the amplification unit 1110 is set to the maximum value, the feedback voltage Vfb is output from the addition unit 1113. At time t1, the feedback voltage Vfb becomes a value smaller than the minimum voltage (0V).

最小電圧(0V)よりも小さい値のフィードバック電圧Vfbが加算部1113から出力されると、第1ステップにおいて、管理回路111は、増幅部1110の増幅率を徐々に低減させ、フィードバック電圧Vfbをマイクロプロセッサ1116の動作が補償されている低レベル側の入力電圧VIN2まで上昇させる。
例えば時刻t2においてフィードバック電圧Vfbが入力電圧VIN2よりも高くなると、次に、第2ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、オフセット調節部1112に設けられた上位ビット用DACの出力電圧を増加させるために入力ビット値を1ビットずつ変更する。その後、時刻t3において、マイクロプロセッサ1116は、フィードバック電圧Vfbの電圧値が最大電圧VDDの1/2から誤差電圧(VDD/2−ΔV)までの範囲の値となったと判定すると、オフセット調節部1112の上位ビット用DACの入力ビット値の変更を終了する。
When a feedback voltage Vfb having a value smaller than the minimum voltage (0V) is output from the adder 1113, in the first step, the management circuit 111 gradually reduces the amplification factor of the amplification unit 1110 and sets the feedback voltage Vfb to micro. The input voltage VIN2 on the low level side where the operation of the processor 1116 is compensated is raised.
For example, when the feedback voltage Vfb becomes higher than the input voltage VIN2 at time t2, the microprocessor 1116 then inputs in the second step to increase the output voltage of the high-order bit DAC provided in the offset adjustment unit 1112. Change the bit value bit by bit. After that, at time t3, when the microprocessor 1116 determines that the voltage value of the feedback voltage Vfb is a value in the range from 1/2 of the maximum voltage VDD to the error voltage (VDD / 2-ΔV), the offset adjustment unit 1112 The change of the input bit value of the DAC for the upper bit of is completed.

次に、紫外線照射装置1−4は、オフセット調節部1112に設けられた下位ビット用DACによるオフセット電圧の調節を実行するために、再び第1ステップ及び第2ステップを実行する。時刻t3において、管理回路111は、増幅部1110の増幅率を再び最大値に設定する。これにより、時刻t4において、フィードバック電圧Vfbは、最小電圧(0V)よりも小さい値となる。
最小電圧(0V)よりも小さい値のフィードバック電圧Vfbが加算部113から出力されると、第1ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、増幅部1110の増幅率を1段階ずつ低減させ、フィードバック電圧Vfbをマイクロプロセッサ1116の動作が補償されている低レベル側の入力電圧VIN2まで上昇させる。
Next, the ultraviolet irradiation device 1-4 again executes the first step and the second step in order to adjust the offset voltage by the lower bit DAC provided in the offset adjusting unit 1112. At time t3, the management circuit 111 sets the amplification factor of the amplification unit 1110 to the maximum value again. As a result, at time t4, the feedback voltage Vfb becomes a value smaller than the minimum voltage (0V).
When a feedback voltage Vfb having a value smaller than the minimum voltage (0V) is output from the adder 113, in the first step, the microprocessor 1116 reduces the amplification factor of the amplification unit 1110 step by step to reduce the feedback voltage Vfb. The input voltage VIN2 on the low level side where the operation of the microprocessor 1116 is compensated is increased.

例えば時刻t5においてフィードバック電圧Vfbが入力電圧VIN2よりも高くなると、次に、第2ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、は、オフセット調節部1112に設けられた下位ビット用DACの出力電圧を上昇させるために入力ビット値を1ビットずつ変更する。その後、時刻t6において、フィードバック電圧Vfbの電圧値が最大電圧VDDの1/2から誤差電圧(VDD/2−ΔV)までの範囲の値となったら、オフセット調節部1112の下位ビット用DACの入力ビット値の変更を終了する。
図11及び図12中に示す期間P1及び期間P3は、増幅部1110の増幅率を調節する第1ステップに相当する。図11及び図12中に示す期間P2及び期間P4は、オフセット調節部1112を用いて紫外線照射装置1−4を構成する回路全体に含まれるオフセット電圧を調節する第2ステップに相当する。
For example, when the feedback voltage Vfb becomes higher than the input voltage VIN2 at time t5, then in the second step, the microprocessor 1116 raises the output voltage of the lower bit DAC provided in the offset adjustment unit 1112. The input bit value is changed bit by bit. After that, at time t6, when the voltage value of the feedback voltage Vfb becomes a value in the range from 1/2 of the maximum voltage VDD to the error voltage (VDD / 2-ΔV), the input of the lower bit DAC of the offset adjustment unit 1112 Finish changing the bit value.
The period P1 and the period P3 shown in FIGS. 11 and 12 correspond to the first step of adjusting the amplification factor of the amplification unit 1110. The period P2 and the period P4 shown in FIGS. 11 and 12 correspond to a second step of adjusting the offset voltage included in the entire circuit constituting the ultraviolet irradiation device 1-4 by using the offset adjusting unit 1112.

次に、目標値設定状態での増幅部1110の増幅率、バイアス調節部1111及びオフセット調節部1112のそれぞれの入力ビット値を2回目の第2ステップが終了した状態に維持したまま、時刻t7において、紫外線光源51に初期値としての電流を流す。これにより、紫外線光源51が動作を開始して紫外光を照射する。紫外光励起蛍光体71aaは、紫外線光源51から入射される紫外光で励起されて蛍光を生じるため、光検出器71abからIV変換回路1114に電流が入力される。この場合に光検出器71abからIV変換回路1114に流れる電流は、暗電流より数桁大きい電流量となる。このため、時刻t8において、加算部1113から出力されるフィードバック電圧Vfbは、最大電圧VDDよりも大きい値となる。 Next, at time t7, the amplification factor of the amplification unit 1110 and the input bit values of the bias adjustment unit 1111 and the offset adjustment unit 1112 in the target value setting state are maintained in the state where the second second step is completed. , A current as an initial value is passed through the ultraviolet light source 51. As a result, the ultraviolet light source 51 starts operating and irradiates ultraviolet light. Since the ultraviolet light-excited phosphor 71aa is excited by the ultraviolet light incident from the ultraviolet light source 51 to generate fluorescence, a current is input from the photodetector 71ab to the IV conversion circuit 1114. In this case, the current flowing from the photodetector 71ab to the IV conversion circuit 1114 is several orders of magnitude larger than the dark current. Therefore, at time t8, the feedback voltage Vfb output from the addition unit 1113 becomes a value larger than the maximum voltage VDD.

最大電圧VDDよりも大きい値のフィードバック電圧Vfbが加算部1113から出力されると、第3ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、増幅部1110の増幅率を1段階ずつ低減させ、フィードバック電圧Vfbをマイクロプロセッサ1116の動作が補償されている高レベル側の入力電圧VIN1まで低下させる。 When the feedback voltage Vfb having a value larger than the maximum voltage VDD is output from the adder 1113, in the third step, the microprocessor 1116 reduces the amplification factor of the amplification unit 1110 by one step, and sets the feedback voltage Vfb to the microprocessor. The operation of 1116 is reduced to the compensated high level input voltage VIN1.

例えば時刻t9においてフィードバック電圧Vfbが入力電圧VIN1よりも低くなると、次に、第4ステップにおいて、マイクロプロセッサ1116は、バイアス調節部1111に設けられたDACの出力電圧を低下させるために、入力ビット値を1ビットずつ変更する。その後、時刻t10において、フィードバック電圧Vfbの電圧値が最大電圧VDDの1/2から誤差電圧(VDD/2+ΔV)までの範囲の値となったら、バイアス調節部1111のDACの入力ビット値の変更を終了する。マイクロプロセッサ1116は、時刻t10におけるフィードバック電圧VfbをA/D変換部1115でA/D変換して得られたデジタル信号を目標コードとして所定の記憶領域に記憶する。さらに、マイクロプロセッサ1116は、記憶した目標コードに基づいて上限閾値コード及び下限閾値コードを所定の記憶領域に設定する。これにより、紫外線照射装置1−4は、設定回路111aaによる初期設定動作を完了する。マイクロプロセッサ1116は、同様の手順で、設定回路111abによる初期設定動作を行う。 For example, when the feedback voltage Vfb becomes lower than the input voltage VIN1 at time t9, then in the fourth step, the microprocessor 1116 reduces the output voltage of the DAC provided in the bias adjusting unit 1111 in order to reduce the input bit value. Is changed bit by bit. After that, when the voltage value of the feedback voltage Vfb becomes a value in the range from 1/2 of the maximum voltage VDD to the error voltage (VDD / 2 + ΔV) at time t10, the DAC input bit value of the bias adjustment unit 1111 is changed. finish. The microprocessor 1116 stores the digital signal obtained by A / D conversion of the feedback voltage Vfb at time t10 by the A / D conversion unit 1115 in a predetermined storage area as a target code. Further, the microprocessor 1116 sets the upper limit threshold code and the lower limit threshold code in a predetermined storage area based on the stored target code. As a result, the ultraviolet irradiation devices 1-4 complete the initial setting operation by the setting circuit 111aa. The microprocessor 1116 performs the initial setting operation by the setting circuit 111ab in the same procedure.

図13中に示す期間P5は、紫外線光源51に初期値としての電流を流した状態での増幅部1110の増幅率を調節する第3ステップに相当する。図13中に示す期間P6は、紫外線光源51に初期値としての電流を流した状態でフィードバック電圧Vfbに含まれる直流バイアスを調節する第4ステップに相当する。
紫外線照射装置1−4は、設定回路111aa及び111abによる初期設定動作が完了すると、状態識別信号Smodeを「0」に設定する。その後の時刻t11において紫外線照射装置1−4が殺菌対象物の殺菌を開始し、紫外線光源51が発光を継続すると、紫外線光源51が経時劣化して電圧−電流特性が変化する。これにより、時刻t12において、フィードバック電圧Vfbが下限閾値コードに対応する下限閾値電圧VthLよりも低下する。
The period P5 shown in FIG. 13 corresponds to the third step of adjusting the amplification factor of the amplification unit 1110 in a state where a current as an initial value is passed through the ultraviolet light source 51. The period P6 shown in FIG. 13 corresponds to the fourth step of adjusting the DC bias included in the feedback voltage Vfb in a state where a current as an initial value is passed through the ultraviolet light source 51.
The ultraviolet irradiation device 1-4 sets the state identification signal Mode to "0" when the initial setting operation by the setting circuits 111aa and 111ab is completed. When the ultraviolet irradiation device 1-4 starts sterilizing the object to be sterilized at the subsequent time t11 and the ultraviolet light source 51 continues to emit light, the ultraviolet light source 51 deteriorates with time and the voltage-current characteristic changes. As a result, at time t12, the feedback voltage Vfb becomes lower than the lower limit threshold voltage VthL corresponding to the lower limit threshold code.

マイクロプロセッサ1116は、A/D変換部1115から入力されるデジタル信号の値が下限閾値コードよりも小さくなり、紫外線光源51が所望の発光強度を維持していないと判定する。このため、マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51の駆動電流を大きくするための指示信号をPWM信号生成部1117に出力する。当該指示信号が入力されるとPWM信号生成部1117は、目標コードに対応するデューティ信号Sdutyよりもデューティ比が大きくデューティ信号Sdutyを生成して発光素子駆動回路111cに出力する。その結果、定電流源1119が出力する電流の電流量が大きくなるため、紫外線光源51に流れる電流も大きくなる。 The microprocessor 1116 determines that the value of the digital signal input from the A / D conversion unit 1115 is smaller than the lower limit threshold code, and the ultraviolet light source 51 does not maintain the desired emission intensity. Therefore, the microprocessor 1116 outputs an instruction signal for increasing the drive current of the ultraviolet light source 51 to the PWM signal generation unit 1117. When the instruction signal is input, the PWM signal generation unit 1117 generates a duty signal Sduty having a duty ratio larger than that of the duty signal Sduty corresponding to the target code and outputs the duty signal Sduty to the light emitting element drive circuit 111c. As a result, the amount of current output by the constant current source 1119 increases, so that the current flowing through the ultraviolet light source 51 also increases.

自動パワー制御回路111bにおけるデューティ信号Sdutyのデューティ比を変更するための動作が繰り返されることにより、紫外線光源51に流れる駆動電流の電流量が大きくなり、例えば時刻t13において、発光強度が所望の強さに戻る。これにより、フィードバック電圧Vfbが最大電圧VDDの1/2の電圧を越えるので、マイクロプロセッサ1116は、A/D変換部1115から入力されるデジタル信号の値が上限閾値コート及び下限閾値コードの範囲であって紫外線光源51が所望の発光強度を維持していると判定する。そうすると、マイクロプロセッサ1116は、紫外線光源51の駆動電流を大きくするための指示信号をPWM信号生成部1117に出力しなくなる。これにより、PWM信号生成部1117は、直前に出力していたデューティ比のデューティ信号Sdutyを継続して発光素子駆動回路111cに出力する。その結果、定電流源1119が出力する電流の電流量が維持され、紫外線光源51に流れる電流の電流量も維持される。このため、紫外線光源51は、所望の発光強度を維持する。このように、紫外線照射装置1−4は、マイクロプロセッサ1116が紫外線光源51の経時劣化を検出して補償することができる。 By repeating the operation for changing the duty ratio of the duty signal Sduty in the automatic power control circuit 111b, the amount of the drive current flowing through the ultraviolet light source 51 increases, and the emission intensity becomes desired at, for example, at time t13. Return to. As a result, the feedback voltage Vfb exceeds 1/2 of the maximum voltage VDD, so that the value of the digital signal input from the A / D converter 1115 of the microprocessor 1116 is within the range of the upper limit threshold coat and the lower limit threshold code. Therefore, it is determined that the ultraviolet light source 51 maintains a desired emission intensity. Then, the microprocessor 1116 does not output the instruction signal for increasing the drive current of the ultraviolet light source 51 to the PWM signal generation unit 1117. As a result, the PWM signal generation unit 1117 continuously outputs the duty signal Sduty of the duty ratio that was output immediately before to the light emitting element drive circuit 111c. As a result, the amount of current output by the constant current source 1119 is maintained, and the amount of current flowing through the ultraviolet light source 51 is also maintained. Therefore, the ultraviolet light source 51 maintains a desired emission intensity. In this way, in the ultraviolet irradiation device 1-4, the microprocessor 1116 can detect and compensate for the deterioration of the ultraviolet light source 51 with time.

時刻t13の後、紫外線照射装置1−4の動作が継続されることにより、例えば時刻t14においてフィードバック電圧Vfbが下限閾値電圧VthLよりも低下したとする。そうすると、紫外線照射装置1−4は、時刻t12から時刻t13までの動作と同様の動作を実行する。その結果、時刻t15において、フィードバック電圧Vfbが最大電圧VDDの1/2の電圧を越えて、紫外線光源51が再び所望の発光強度で発光する。
紫外線照射装置1−4は、紫外線光源51の最大の発光強度ではなく殺菌対象物の殺菌に必要最低限の発光強度となるように紫外線光源51の動作点を初期設定する。このため、紫外線照射装置1−4は、紫外線光源51に経時劣化が生じても、補償後の動作点が最大の発光強度の動作点となるまで、紫外線光源51の動作補償を繰返し実行できる。
It is assumed that the feedback voltage Vfb is lower than the lower limit threshold voltage VthL at time t14, for example, by continuing the operation of the ultraviolet irradiation devices 1-4 after the time t13. Then, the ultraviolet irradiation device 1-4 executes the same operation as the operation from the time t12 to the time t13. As a result, at time t15, the feedback voltage Vfb exceeds 1/2 of the maximum voltage VDD, and the ultraviolet light source 51 again emits light with a desired emission intensity.
The ultraviolet irradiation device 1-4 initially sets the operating point of the ultraviolet light source 51 so that the emission intensity is not the maximum emission intensity of the ultraviolet light source 51 but the minimum emission intensity necessary for sterilizing the object to be sterilized. Therefore, even if the ultraviolet light source 51 deteriorates with time, the ultraviolet irradiation device 1-4 can repeatedly perform the operation compensation of the ultraviolet light source 51 until the operating point after compensation reaches the operating point of the maximum emission intensity.

また、紫外線照射装置1−4は、目標値設定状態において紫外線照射装置1−4を構成する回路全体のオフセット電圧を調節してフィードバック電圧Vfbを最大電圧VDDの1/2の電圧に設定する。これにより、殺菌動作状態において電圧変動が生じても、フィードバック電圧Vfbが最大電圧VDDより大きくなったり最小電圧(0V)よりも小さくなったりする可能性が極めて低くなる。その結果、紫外線照射装置1−4は、殺菌動作の安定化を図ることができる。 Further, the ultraviolet irradiation device 1-4 adjusts the offset voltage of the entire circuit constituting the ultraviolet irradiation device 1-4 in the target value setting state to set the feedback voltage Vfb to 1/2 of the maximum voltage VDD. As a result, even if the voltage fluctuates in the sterilization operation state, the possibility that the feedback voltage Vfb becomes larger than the maximum voltage VDD or smaller than the minimum voltage (0V) is extremely low. As a result, the ultraviolet irradiation devices 1-4 can stabilize the sterilization operation.

図示は省略するが、紫外線光源51の動作が開始された後(図13では時刻t11の後)に、何らかの要因によって紫外線照射装置1−4の筐体内に外光が入射され、光検出器71abに紫外光励起蛍光体71aaが発する蛍光と共に外光が入射されると、外光の光量は、紫外光励起蛍光体71aaが発する蛍光の光量よりも数桁大きい。このため、フィードバック電圧Vfbは、最大電圧VDDよりも高くなる。紫外線光源51の動作開始前に、マイクロプロセッサ1116には、値が「0」の状態識別信号Smodeが入力されている。このため、管理回路111は、例えばA/D変換部1115に入力されるフィードバック電圧Vfbの電圧値を強制的に0Vにしたり、あるいはデューティ比が0のデューティ信号Sdutyを発光素子駆動回路111cの制御部1118に入力したりして、紫外線光源51の動作を停止する。これにより、紫外線照射装置1−4は、紫外線が外部に漏洩することを防止できる。 Although not shown, after the operation of the ultraviolet light source 51 is started (after time t11 in FIG. 13), external light is incident into the housing of the ultraviolet irradiation device 1-4 for some reason, and the light detector 71ab When external light is incident on the surface together with the fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphor 71aa, the amount of external light is several orders of magnitude larger than the amount of fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphor 71aa. Therefore, the feedback voltage Vfb is higher than the maximum voltage VDD. Prior to the start of operation of the ultraviolet light source 51, a state identification signal Mode having a value of "0" is input to the microprocessor 1116. Therefore, the management circuit 111 forcibly sets the voltage value of the feedback voltage Vfb input to the A / D conversion unit 1115 to 0V, or controls the duty signal Sduty having a duty ratio of 0 in the light emitting element drive circuit 111c. The operation of the ultraviolet light source 51 is stopped by inputting to the unit 1118. As a result, the ultraviolet irradiation devices 1-4 can prevent the ultraviolet rays from leaking to the outside.

このように、設定回路111aaからのフィードバック電圧Vfbに基づき、紫外線光源51を駆動制御している状態で、マイクロプロセッサ1116は、A/D変換部1115aから入力される光検出器71abの出力に基づき、紫外線光源51が所望の発光強度を維持していないと判定したときには、A/D変換部1115bから入力される光検出器71bbの出力が、所望の発光強度に相当する発光量であるか否かを判定し、所望の発光強度に相当する発光量でないとき、例えば、所望の発光強度に相当する発光量と光検出器71bbの検出信号に応じた発光量との差が予め設定した閾値以上であるときには、光検出器71abの出力が所望の発光強度に相当する発光量とならない要因が、紫外線光源51の発光量の低下により生じたものであると判定する。一方、A/D変換部1115bから入力される光検出器71bbの出力が、所望の発光強度に相当する発光量であるときには、光検出器71abの出力が所望の発光強度に相当する発光量とならない要因が、処理流路L内の反射率や、照射対象物の透過率の変化によるものと判定する。そして、判定結果を、例えば図示しない表示装置等に表示する。紫外線照射装置1−4の利用者は、表示装置等に表示された判定結果を参照することによって、紫外線光源51の発光量の低下が、紫外線光源51の発光量の低下に起因するものであるのか、それとも処理流路L内の反射率や照射対象物の透過率の変化によるものであるのかを容易に切り分けることができる。 As described above, in the state where the ultraviolet light source 51 is driven and controlled based on the feedback voltage Vfb from the setting circuit 111aa, the microprocessor 1116 is based on the output of the light detector 71ab input from the A / D conversion unit 1115a. When it is determined that the ultraviolet light source 51 does not maintain the desired light emission intensity, whether or not the output of the light detector 71bb input from the A / D conversion unit 1115b is the amount of light emission corresponding to the desired light emission intensity. When the light emission amount does not correspond to the desired light emission intensity, for example, the difference between the light emission amount corresponding to the desired light emission intensity and the light emission amount corresponding to the detection signal of the light detector 71bb is equal to or larger than a preset threshold value. When this is the case, it is determined that the reason why the output of the light detector 71ab does not have a light emission amount corresponding to the desired light emission intensity is caused by a decrease in the light emission amount of the ultraviolet light source 51. On the other hand, when the output of the photodetector 71bb input from the A / D conversion unit 1115b is the light emission amount corresponding to the desired light emission intensity, the output of the photodetector 71ab is the light emission amount corresponding to the desired light emission intensity. It is determined that the cause of the failure is a change in the reflectance in the processing flow path L or the transmittance of the irradiated object. Then, the determination result is displayed on, for example, a display device (not shown). The user of the ultraviolet irradiation device 1-4 refers to the determination result displayed on the display device or the like, and the decrease in the light emission amount of the ultraviolet light source 51 is due to the decrease in the light emission amount of the ultraviolet light source 51. It can be easily determined whether it is due to a change in the reflectance in the processing flow path L or the transmittance of the irradiated object.

以上説明したように、第4実施形態に係る紫外線照射装置1−4は、上記第3実施形態における紫外線照射装置1−3と同様に、処理流路から反射された紫外光を検出する光検出部71aと、照射対象物を透過しない光源から直接入射される紫外光の光量を検出する光検出部71bとを備えている。したがって、この場合も上記第3実施形態と同等の作用効果を得ることができる。さらに、第4実施形態に係る紫外線照射装置1−4は、紫外光の励起によって可視光域に蛍光を発する紫外光励起蛍光体71aa、71baと、紫外光励起蛍光体71aa、baが発する蛍光の強度を検出する光検出器71ab、71bbと、により各種光量を検出するため、照射部204の限られた空間内に、各種光量を検出するための検出器を設置することができる。 As described above, the ultraviolet irradiation device 1-4 according to the fourth embodiment is a light detection device that detects ultraviolet light reflected from the processing flow path, similarly to the ultraviolet irradiation device 1-3 according to the third embodiment. A unit 71a and a light detection unit 71b for detecting the amount of ultraviolet light directly incident from a light source that does not pass through an object to be irradiated are provided. Therefore, in this case as well, the same effect as that of the third embodiment can be obtained. Further, the ultraviolet irradiation device 1-4 according to the fourth embodiment determines the intensity of the fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphors 71aa and 71ba and the ultraviolet light-excited phosphors 71aa and ba that emit fluorescence in the visible light region by the excitation of ultraviolet light. Since various light amounts are detected by the light detectors 71ab and 71bb for detection, a detector for detecting various light amounts can be installed in the limited space of the irradiation unit 204.

また、管理回路111により、紫外線光源51の駆動電流の初期値を自動的に学習し、紫外線光源51の経時劣化が想定範囲内であれば紫外線光源51の発光強度(出力パワー)が一定になるように紫外線光源51を駆動するため、紫外光の照射性能をより安定化させることができる。 Further, the management circuit 111 automatically learns the initial value of the drive current of the ultraviolet light source 51, and if the deterioration with time of the ultraviolet light source 51 is within the expected range, the emission intensity (output power) of the ultraviolet light source 51 becomes constant. Since the ultraviolet light source 51 is driven as described above, the irradiation performance of ultraviolet light can be further stabilized.

以上、本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。 Although the embodiment of the present invention has been described above, the above-described embodiment illustrates an apparatus or method for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention is a component component. It does not specify the material, shape, structure, arrangement, etc. of The technical idea of the present invention may be modified in various ways within the technical scope specified by the claims stated in the claims.

1−1、1−2、1−3、1−4 紫外線照射装置
2 流入部
3 流出部
4 筐体
5 照射部
6 第一検出器
7、7a 制御装置
8 遮蔽部材
9 第二検出器
10 遮蔽部材
51 紫外線光源
65 遮蔽部材
71a、71b 光検出部
71aa、71ba 紫外光励起蛍光体
71ab、71bb 光検出器
111 管理回路
115 温度センサ
201 内筒
202 外筒
202a、202b 区画
204 照射部
205 整流板
207 流入口
208 出力口
210 窓
1100 電子部品群
L 処理流路
1-1, 1-2, 1-3, 1-4 Ultraviolet irradiation device 2 Inflow part 3 Outflow part 4 Housing 5 Irradiation part 6 First detector 7, 7a Control device 8 Shielding member 9 Second detector 10 Shielding Member 51 Ultraviolet light source 65 Shielding member 71a, 71b Light detector 71a, 71ba Photodetector 71ab, 71bb Photodetector 111 Management circuit 115 Temperature sensor 201 Inner cylinder 202 Outer cylinder 202a, 202b Section 204 Irradiation unit 205 rectifying plate 207 flow Inlet 208 Output port 210 Window 1100 Electronic component group L Processing flow path

Claims (11)

少なくとも一部に紫外線反射材を有し、対象物が通過する処理流路と、前記処理流路の一端又は他端の少なくとも一方に設けられ、前記処理流路を通過する前記対象物に向けて紫外光を照射する紫外線光源と、
前記処理流路の、前記紫外線光源が設けられた側の端部に配置された紫外光量を検出する第一検出器を含む光量検出部と、
前記紫外線光源の発光面と前記第一検出器の受光面とを結ぶ直線上に配置される第一の紫外線遮蔽物と、
を有する紫外線照射装置。
Toward the object which has an ultraviolet reflective material at least in a part and is provided at least one of a processing flow path through which the object passes and one end or the other end of the processing flow path and passes through the processing flow path. An ultraviolet light source that irradiates ultraviolet light and
A light amount detection unit including a first detector for detecting the amount of ultraviolet light arranged at the end of the processing flow path on the side where the ultraviolet light source is provided, and
A first ultraviolet shield arranged on a straight line connecting the light emitting surface of the ultraviolet light source and the light receiving surface of the first detector, and
UV irradiation device with.
前記光量検出部は、前記紫外線光源の発光面と受光面との間に紫外線遮蔽物がなく、前記紫外線光源の紫外光量を検出する第二検出器を、さらに含む請求項1に記載の紫外線照射装置。 The ultraviolet irradiation according to claim 1, wherein the light amount detecting unit further includes a second detector that detects the amount of ultraviolet light of the ultraviolet light source without an ultraviolet shield between the light emitting surface and the light receiving surface of the ultraviolet light source. Device. 前記処理流路と前記第二検出器との間に配置され、前記第二検出器に到ろうとする前記処理流路からの反射光を遮蔽する第二の紫外線遮蔽物を備える請求項2に記載の紫外線照射装置。 2. The second aspect of the present invention, wherein the second ultraviolet ray shield is provided between the processing flow path and the second detector and shields the reflected light from the processing flow path that is about to reach the second detector. UV irradiation device. 前記光量検出部に含まれる検出器は、紫外光によって励起され可視光を発光する紫外光励起蛍光体と当該紫外光励起蛍光体が発する蛍光の強度を検出する光検出器とを有する蛍光検出器であり、前記蛍光の強度を前記紫外光量相当値として検出する請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。 The detector included in the light amount detection unit is a fluorescence detector having an ultraviolet light-excited phosphor that is excited by ultraviolet light and emits visible light and a light detector that detects the intensity of fluorescence emitted by the ultraviolet light-excited phosphor. The ultraviolet irradiation device according to any one of claims 1 to 3, wherein the intensity of the fluorescence is detected as a value corresponding to the amount of ultraviolet light. 複数の電子部品を有する電子部品群を備え、
前記電子部品群は、複数の前記電子部品の少なくとも一部で構成されて前記光量検出部に含まれる検出器が検出した紫外光量に基づいて前記紫外線光源を管理する管理回路を有する請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
Equipped with a group of electronic components having multiple electronic components
From claim 1, the electronic component group includes a management circuit that is composed of at least a part of the plurality of electronic components and manages the ultraviolet light source based on the amount of ultraviolet light detected by a detector included in the light intensity detection unit. The ultraviolet irradiation device according to any one of claims 4.
前記管理回路は、
前記紫外線光源を所望の発光強度で発光するための目標値を設定する設定部と、
前記紫外線光源を前記所望の発光強度に維持する自動パワー制御部と、
を有する請求項5に記載の紫外線照射装置。
The management circuit
A setting unit for setting a target value for emitting the ultraviolet light source with a desired emission intensity, and a setting unit.
An automatic power control unit that maintains the ultraviolet light source at the desired emission intensity, and
The ultraviolet irradiation device according to claim 5.
前記設定部は、
前記光量検出部に含まれる検出器の検出信号に基づく電圧を増幅する増幅部と、
前記増幅部が出力する出力電圧の直流バイアスを調節するバイアス調節部と、
前記増幅部が出力する出力電圧に含まれるオフセット電圧を調節するオフセット調節部と、
前記増幅部の出力電圧、前記バイアス調節部の出力電圧及び前記オフセット調節部の出力電圧を加算する加算部と
を有する請求項6に記載の紫外線照射装置。
The setting unit
An amplification unit that amplifies the voltage based on the detection signal of the detector included in the light intensity detection unit, and
A bias adjustment unit that adjusts the DC bias of the output voltage output by the amplification unit, and
An offset adjustment unit that adjusts the offset voltage included in the output voltage output by the amplification unit, and an offset adjustment unit.
The ultraviolet irradiation device according to claim 6, further comprising an adder that adds the output voltage of the amplification unit, the output voltage of the bias adjustment unit, and the output voltage of the offset adjustment unit.
前記管理回路は、前記紫外線光源を駆動する駆動部を有し、
前記自動パワー制御部は、前記設定部から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ/デジタル変換部と、
前記アナログ/デジタル変換部で変換されたデジタル信号に基づいて前記紫外線光源が前記所望の発光強度を維持しているか否かを判定する判定部と、
前記判定部からの指示に基づいて前記駆動部を制御する制御信号を生成する生成部と
を有する請求項6又は請求項7に記載の紫外線照射装置。
The management circuit has a drive unit that drives the ultraviolet light source, and has a drive unit.
The automatic power control unit includes an analog / digital conversion unit that converts an analog signal output from the setting unit into a digital signal.
A determination unit that determines whether or not the ultraviolet light source maintains the desired emission intensity based on the digital signal converted by the analog / digital conversion unit.
The ultraviolet irradiation device according to claim 6 or 7, further comprising a generation unit that generates a control signal for controlling the drive unit based on an instruction from the determination unit.
前記紫外線光源の温度を検出する温度検出部を備え、前記自動パワー制御部は、前記温度検出部が検出した温度に基づいて前記駆動部を制御する
請求項8に記載の紫外線照射装置。
The ultraviolet irradiation device according to claim 8, further comprising a temperature detection unit that detects the temperature of the ultraviolet light source, and the automatic power control unit controls the drive unit based on the temperature detected by the temperature detection unit.
前記管理回路は、
前記光量検出部に含まれる検出器の出力が、予め設定した前記光量検出部に含まれる検出器の出力上限値を超えた場合、外光が入射したと判定し、前記紫外線光源の動作を停止する
請求項5から請求項9のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。
The management circuit
When the output of the detector included in the light amount detection unit exceeds the output upper limit value of the detector included in the light amount detection unit set in advance, it is determined that external light has been incident and the operation of the ultraviolet light source is stopped. The ultraviolet irradiation device according to any one of claims 5 to 9.
前記対象物としての流体に紫外線照射を行う、流体殺菌装置用の紫外線照射装置である請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の紫外線照射装置。 The ultraviolet irradiation device according to any one of claims 1 to 10, which is an ultraviolet irradiation device for a fluid sterilizer that irradiates a fluid as an object with ultraviolet rays.
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