JP2021144190A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光源からの光の取り出し効率が高い表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、照明装置と、表示用液晶パネルとを備える。照明装置は、光を出射する。表示用液晶パネルは、照明装置からの光の透過を制御することにより画像を表示する。照明装置は、光源と、調光用液晶パネルとを有する。調光用液晶パネルは、光源よりも表示用液晶パネル側に配置されている。調光用液晶パネルは、信号線と、反射層とを有する。反射層は、信号線よりも光源側であって、平面視において信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されている。反射層は、信号線よりも４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視波長域における平均視感度反射率が高い。【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置に関する。

例えば、特許文献１には、以下のような液晶表示装置が記載されている。特許文献１に記載の液晶表示装置では、液晶表示パネルと、バックライトとの間に、ＴＮ液晶パネルと、ＴＮ液晶パネルの両面に設けられた反射型偏光シートとを有する光学シャッターが配置されている。特許文献１には、ＴＮ液晶パネルは、液晶物質と、液晶物質を挟むように設けられており、互いに直交する方向に延びる複数のＸ電極及び複数のＹ電極を有することが記載されている。

特開２０１０−１３４２６９号公報

表示装置には、光源からの光の取り出し効率を向上したいという要望がある。

本開示の主な目的は、光源からの光の取り出し効率が高い表示装置を提供することにある。

一態様に係る表示装置は、照明装置と、表示用液晶パネルとを備える。照明装置は、光を出射する。表示用液晶パネルは、照明装置からの光の透過を制御することにより画像を表示する。照明装置は、光源と、調光用液晶パネルとを有する。調光用液晶パネルは、光源よりも表示用液晶パネル側に配置されている。調光用液晶パネルは、信号線と、反射層とを有する。反射層は、信号線よりも光源側であって、平面視において信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されている。反射層は、信号線よりも４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視波長域における平均視感度反射率が高い。

他の一態様に係る表示装置は、照明装置と、表示用液晶パネルとを備える。照明装置は、光を出射する。表示用液晶パネルは、照明装置からの光の透過を制御することにより画像を表示する。照明装置は、光源と、調光用液晶パネルとを有する。調光用液晶パネルは、光源よりも表示用液晶パネル側に配置されている。調光用液晶パネルは、信号線を有する。信号線は、信号線の光源側表面の、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視波長域における平均視感度反射率が７０％以上となるように構成されている。

第１実施形態に係る表示装置の一部分を拡大した模式的平面図である。 図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。 第２実施形態に係る表示装置の一部分を拡大した模式的断面図である。 第３実施形態に係る表示装置の一部分を拡大した模式的断面図である。 第４実施形態に係る表示装置の一部分を拡大した模式的断面図である。 第５実施形態に係る表示装置の一部分を拡大した模式的断面図である。 第６実施形態に係る表示装置の一部分を拡大した模式的断面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る表示装置１の一部分を拡大した模式的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。なお、図１においては、描画の便宜上、かくれ線の一部を実践で描画している。

図２に示すように、表示装置１は、照明装置１０と、表示用液晶パネル４０とを備えている。

（照明装置１０）
照明装置１０は、表示用液晶パネル４０に対して光を出射する装置である。表示用液晶パネル４０は、照明装置１０からの光を透過することにより画像を表示するパネルである。

ここで、本発明において、「画像」には、文字が含まれるものとする。「画像」は、静止画像及び動画像を含む。

照明装置１０は、光源２０と、調光用液晶パネル３０とを有する。

（光源２０）
光源２０は、調光用液晶パネル３０側に光を出射する。光源２０は、例えば、エッジライト型の光源であってもよいし、直下型の光源であってもよい。エッジライト型の光源は、例えば、一主面に光出射面を有する導光板と、導光板の側面に対して光を出射する発光素子と、光出射面上に配された散乱板等の光学フィルムとを有していてもよい。直下型の光源は、マトリクス状に配された複数の発光素子と、複数の発光素子と調光用液晶パネルとの間に配された散乱板等の光学フィルムとを有していてもよい。

以下、本実施形態では、光源２０が、エッジライト型の光源である例について説明する。

光源２０は、導光体２１と、少なくともひとつの発光素子２２と、反射層２３とを有する。

導光体２１は、板状に形成されている。導光体２１の一方の主面は、光源２０の光出射面２０ａを構成している。

少なくともひとつの発光素子２２は、例えば、発光素子２２からの光が導光体２１の側面に入射するように配されている。発光素子２２は、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等により構成することができる。

反射層２３は、導光体２１の光出射面２０ａを構成している側の主面とは反対側の主面の上に形成されている。反射層２３は、反射面２３ａを有する。反射面２３ａは、発光素子２２等から入射した光を調光用液晶パネル３０側に反射する。反射層２３は、例えば、アルミニウム層や、白色の塗膜層等により構成することができる。

（調光用液晶パネル３０）
調光用液晶パネル３０は、光源２０よりも表示用液晶パネル４０側に配置されている。調光用液晶パネル３０は、光源２０の光出射面２０ａの上または上方に配されている。

調光用液晶パネル３０は、光源２０からの光の透過率をエリア毎に調整する素子である。調光用液晶パネル３０は、例えば、複数のエリアのうちの少なくともひとつのエリアにおける、光源２０からの光の光透過率を、その他のエリアの少なくともひとつのエリアにおける、光源２０からの光の光透過率と異ならせる。この調光用液晶パネル３０を設けることにより、照明装置１０から出射される光の輝度をエリア毎に制御することが可能になる。従って、例えば、表示装置１の消費電力を低減したり、高コントラスト化を図ったりすることが可能である。

なお、調光用液晶パネル３０の駆動方式は、特に限定されない。以下、調光用液晶パネル３０が、例えば、ＩＰＳモード（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ）や、ＦＦＳモード（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ）等の横電界駆動方式（横電界モード）の液晶パネルにより構成されている例について説明する。

図１に示すように、調光用液晶パネル３０は、複数の画素Ｐ１を有する。複数の画素Ｐ１は、ｘ軸方向と、ｘ軸方向と直交するｙ軸方向とのそれぞれに沿ってマトリクス状に配されている。

図２に示すように、調光用液晶パネル３０は、アクティブマトリクス基板３１と、液晶層３２と、対向基板３３とを有する。

アクティブマトリクス基板３１は、図１に示す複数のスイッチング素子３１ａを有する。スイッチング素子３１ａは、複数の画素Ｐ１のそれぞれに、少なくともひとつずつ配されている。具体的には、本実施形態では、各画素Ｐ１にひとつのスイッチング素子３１ａが配されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。複数の画素のそれぞれに複数のスイッチング素子が配されていてもよい。

なお、スイッチング素子３１ａの構成は、特に限定されない。本実施形態では、スイッチング素子３１ａは、ＴＦＴ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）により構成されている。このため、アクティブマトリクス基板３１は、例えば、ＴＦＴ基板と呼ばれることもある。

アクティブマトリクス基板３１は、複数の第１信号線３１ｂと、複数の第２信号線３１ｃとをさらに有する。第１信号線３１ｂと第２信号線３１ｃとは、相互に交差するように配されている。複数のスイッチング素子３１ａのそれぞれは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃのそれぞれに接続されている。なお、本実施形態では、第１信号線３１ｂが、ゲートラインを構成しており、第２信号線３１ｃが、ソースラインを構成している。

以下、図１及び図２を参照しながら、アクティブマトリクス基板３１の構成について、より具体的に説明する。

図２に示すように、アクティブマトリクス基板３１は、絶縁板３１ｄを有する。絶縁板３１ｄは、少なくとも一方主面が絶縁性を有する基板である。絶縁板３１ｄは、例えば、ガラス板等により構成することができる。絶縁板３１ｄの上には、図１に示す複数のスイッチング素子３１ａと、複数の第１信号線３１ｂと、複数の第２信号線３１ｃとが形成されている。

複数の第１信号線３１ｂのそれぞれは、ｘ軸方向に沿って延びている。複数の第１信号線３１ｂは、ｙ軸方向に沿って相互に間隔をおいて配されている。第１信号線３１ｂは、ゲートラインを構成している。

複数の第２信号線３１ｃのそれぞれは、ｙ軸方向に沿って延びている。複数の第２信号線３１ｃは、ｘ軸方向に沿って相互に間隔を置いて配されている。第２信号線３１ｃは、ソースラインを構成している。複数の第２信号線３１ｃと複数の第１信号線３１ｂとの間には、図示しない絶縁膜が配されている。複数の第２信号線３１ｃと複数の第１信号線３１ｂとは、絶縁膜により相互に電気的に絶縁されている。

複数の第１信号線３１ｂと複数の第２信号線３１ｃとの交差点のそれぞれの近傍には、スイッチング素子３１ａが配されている。スイッチング素子３１ａは、第１信号線３１ｂと第２信号線３１ｃとのそれぞれに電気的に接続されている。具体的には、スイッチング素子３１ａのゲート電極が、ゲートラインとしての第１信号線３１ｂに電気的に接続されている。スイッチング素子３１ａのソース電極が、ソースラインとしての第２信号線３１ｃに電気的に接続されている。

複数の第１信号線３１ｂと複数の第２信号線３１ｃとは、複数の第１信号線３１ｂと複数の第２信号線３１ｃとにより、複数の画素Ｐ１が区画されるように設けられている。

複数の第１信号線３１ｂと複数の第２信号線３１ｃとのそれぞれは、導電層を含む。

導電層としては、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成することができる。また、導電層は、複数種類の導電層の積層体により構成されていてもよい。

図２に示すように、アクティブマトリクス基板３１は、絶縁膜３１ｅと、共通電極３１ｆと、絶縁膜３１ｇと、複数の画素電極３１ｈとをさらに有する。

絶縁膜３１ｅは、絶縁板３１ｄの上に、複数の第１信号線３１ｂと、複数の第２信号線３１ｃと、複数のスイッチング素子３１ａとを覆うように形成されている。絶縁膜３１ｅは、例えば、酸化ケイ素、窒化珪素等により形成されていてもよい。

絶縁膜３１ｅの上には、共通電極３１ｆが形成されている。共通電極３１ｆは、複数の画素Ｐ１に跨がって設けられている。共通電極３１ｆは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ＩＧＺＯ等の透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）により形成することができる。

共通電極３１ｆの上には、絶縁膜３１ｇが形成されている。共通電極３１ｆは、この絶縁膜３１ｇにより覆われている。絶縁膜３１ｇは、例えば、酸化ケイ素、窒化珪素等により形成されていてもよい。

絶縁膜３１ｇの上には、複数の画素電極３１ｈが形成されている。複数の画素電極３１ｈと共通電極３１ｆとは、絶縁膜３１ｇによって相互に絶縁されている。図１に示すように、複数の画素電極３１ｈは、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿ってマトリクス状に配されている。画素電極３１ｈは、複数の画素Ｐ１のそれぞれに設けられている。画素電極３１ｈは、スイッチング素子３１ａのドレイン電極に電気的に接続されている。画素電極３１ｈには、開口３１ｈ１が形成されている。この画素電極３１ｈと共通電極３１ｆとは、それらの電極間にフリンジ電界が形成されるように設けられている。複数の画素電極３１ｈは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ＩＧＺＯ等の透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）により形成することができる。

なお、アクティブマトリクス基板３１の上には、図示しない配向膜が形成されている。配向膜は、例えば、ポリイミド等により形成することができる。

図２に示すように、アクティブマトリクス基板３１の画素電極３１ｈが形成されている側の主面は、対向基板３３と間隔をおいて対向している。対向基板３３のアクティブマトリクス基板３１側の表面の上には、図示しない配向膜が形成されている。配向膜は、例えば、ポリイミド等により形成することができる。

アクティブマトリクス基板３１と対向基板３３との間には、液晶層３２が配されている。液晶層３２は、複数の液晶分子を含む。液晶分子は、例えば、電気光学特性を有するネマチック液晶分子であってもよい。液晶分子は、性の誘電率異方性を有していてもよいし、負の誘電率異方性を有していてもよい。

（第１偏光板３４及び第２偏光板３５）
調光用液晶パネル３０の両側には、第１偏光板３４と、第２偏光板３５とが配されている。第１偏光板３４と第２偏光板３５とは、例えば、互いの吸収軸が直交するようにクロスニコルに配置されていることが好ましい。

第１偏光板３４は、調光用液晶パネル３０と光源２０との間に配されている。第１偏光板３４は、調光用液晶パネル３０よりも光源２０側に配されている。第１偏光板３４は、第１偏光層を構成している。なお、本実施形態では、第１偏光層は、調光用液晶パネルとは独立した板により構成されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。第１偏光層は、例えば、調光用液晶パネルの上に形成された層であってもよい。

第１偏光板３４は、反射型偏光板３４ａと、吸収型偏光板３４ｂとを有する。反射型偏光板３４ａは、吸収型偏光板３４ｂよりも光源２０側に配されている。吸収型偏光板３４ｂは、反射型偏光板３４ａと調光用液晶パネル３０との間に配されている。

ここで、「反射型偏光板」とは、透過偏光の偏光軸（透過軸）と直交する偏光軸を有する偏光を選択的に反射することにより、透過軸に沿って振動する偏光の透過率を、透過軸と直交する偏光軸に沿って振動する偏光の透過率よりも高くする偏光板である。

「吸収型偏光板」とは、透過軸に沿って振動する偏光の光吸収率が、透過軸に対して直交する方向に振動する偏光の光吸収率よりも高いため、透過軸に沿って振動する偏光の透過率が、透過軸と直交する偏光軸に沿って振動する偏光の透過率よりも高い偏光板である。

具体的には、吸収型偏光板は、例えば、二色性を有するヨウ素錯体や染料等の異方性材料を配向した状態で含むポリビニルアルコール（ＰＶＡ）フィルム等により構成することができる。

第２偏光板３５は、調光用液晶パネル３０と表示用液晶パネル４０との間に配されている。第２偏光板３５は、調光用液晶パネル３０よりも表示用液晶パネル４０側に配されている。第２偏光板３５は、第２偏光層を構成している。なお、本実施形態では、第２偏光層は、調光用液晶パネルや表示用液晶パネルとは独立した板により構成されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。第２偏光層は、例えば、調光用液晶パネル及び表示用液晶パネルの少なくとも一方の上に形成された層であってもよい。

本実施形態では、第２偏光板３５は、吸収型偏光板により構成されている。第２偏光板３５の、第２偏光板３５の透過軸と平行な方向（第２方向）に振動する偏光の可視波長域における平均透過率よりも、第１偏光板３４の、第１偏光板３４の透過軸と平行な方向（第１方向）に振動する偏光の可視波長域における平均透過率が高い方が好ましい。

なお、上述のように、本実施形態では、第１偏光板３４と第２偏光板３５とは、クロスニコルに配置されている。このため、第１偏光板３４の透過軸と平行な第１方向と、第２偏光板３５の透過軸と平行な第２方向とは、直交している。

（表示用液晶パネル４０）
照明装置１０の光出射側には、表示用液晶パネル４０が配されている。表示用液晶パネル４０は、具体的には、照明装置１０からの光の透過を複数のエリア毎に制御することにより画像を表示させる。

なお、表示用液晶パネル４０の駆動方式は、特に限定されない。以下、表示用液晶パネル４０が、例えば、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード等の横電界駆動方式（横電界モード）の液晶パネルにより構成されている例について説明する。

表示用液晶パネル４０も、調光用液晶パネル３０と同様に、複数の画素Ｐ２（図２を参照。）を有する。表示用液晶パネル４０において、複数の画素Ｐ２は、ｘ軸方向と、ｙ軸方向とのそれぞれに沿ってマトリクス状に配されている。表示用液晶パネル４０の画素Ｐ２は、調光用液晶パネル３０の画素Ｐ１よりも小さい。具体的には、複数の画素Ｐ１のそれぞれが設けられた領域に、複数の画素Ｐ２（例えば、２〜４つ程度の画素Ｐ２）が配されている。従って、表示装置１では、調光用液晶パネル３０は、例えば、２〜４つ程度の複数の画素Ｐ２毎に輝度を調整可能に構成されている。

表示用液晶パネル４０は、アクティブマトリクス基板４１と、液晶層４２と、対向基板４３とを有する。

アクティブマトリクス基板４１は、図示しない複数のスイッチング素子を有する。スイッチング素子は、複数の画素Ｐ２のそれぞれに、少なくともひとつずつ配されている。具体的には、本実施形態では、各画素Ｐ２にひとつのスイッチング素子が配されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。複数の画素のそれぞれに複数のスイッチング素子が配されていてもよい。

なお、スイッチング素子の構成は、特に限定されない。本実施形態では、スイッチング素子は、ＴＦＴにより構成されている。このため、アクティブマトリクス基板４１は、例えば、ＴＦＴ基板と呼ばれることもある。

アクティブマトリクス基板４１は、図示しない複数の第１信号線と、複数の第２信号線４１ｃとをさらに有する。第１信号線と第２信号線４１ｃとは、相互に交差するように配されている。複数のスイッチング素子のそれぞれは、第１信号線及び第２信号線４１ｃのそれぞれに接続されている。なお、本実施形態では、第１信号線が、ゲートラインを構成しており、第２信号線４１ｃが、ソースラインを構成している。

より具体的には、アクティブマトリクス基板４１は、絶縁板４１ｄを有する。絶縁板４１ｄは、少なくとも一方主面が絶縁性を有する基板である。絶縁板４１ｄは、例えば、ガラス板等により構成することができる。絶縁板４１ｄの上には、複数のスイッチング素子と、複数の第１信号線と、複数の第２信号線４１ｃとが形成されている。

複数の第１信号線のそれぞれは、ｘ軸方向に沿って延びている。複数の第１信号線は、ｙ軸方向に沿って相互に間隔をおいて配されている。第１信号線は、ゲートラインを構成している。

複数の第２信号線４１ｃのそれぞれは、ｙ軸方向に沿って延びている。複数の第２信号線４１ｃは、ｘ軸方向に沿って相互に間隔を置いて配されている。第２信号線４１ｃは、ソースラインを構成している。複数の第２信号線４１ｃと複数の第１信号線との間には、図示しない絶縁膜が配されている。複数の第２信号線４１ｃと複数の第１信号線とは、絶縁膜により相互に電気的に絶縁されている。

複数の第１信号線と複数の第２信号線４１ｃとの交差点のそれぞれの近傍には、スイッチング素子が配されている。スイッチング素子は、第１信号線と第２信号線４１ｃとのそれぞれに電気的に接続されている。具体的には、スイッチング素子のゲート電極が、ゲートラインとしての第１信号線に電気的に接続されている。スイッチング素子のソース電極が、ソースラインとしての第２信号線４１ｃに電気的に接続されている。

複数の第１信号線と複数の第２信号線４１ｃとは、複数の第１信号線と複数の第２信号線４１ｃとにより、複数の画素Ｐ２が区画されるように設けられている。

複数の第１信号線と複数の第２信号線４１ｃとのそれぞれは、導電層を含む。

導電層は、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成することができる。また、導電層は、複数種類の導電層の積層体により構成されていてもよい。

アクティブマトリクス基板４１は、絶縁膜４１ｅと、共通電極４１ｆと、絶縁膜４１ｇと、複数の画素電極４１ｈとをさらに有する。

絶縁膜４１ｅは、絶縁板４１ｄの上に、複数の第１信号線と、複数の第２信号線４１ｃと、複数のスイッチング素子とを覆うように形成されている。絶縁膜４１ｅは、例えば、酸化ケイ素、窒化珪素等により形成されていてもよい。

絶縁膜４１ｅの上には、共通電極４１ｆが形成されている。共通電極４１ｆは、複数の画素Ｐ２に跨がって設けられている。共通電極４１ｆは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ＩＧＺＯ等の透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）により形成することができる。

共通電極４１ｆの上には、絶縁膜４１ｇが形成されている。共通電極４１ｆは、この絶縁膜４１ｇにより覆われている。絶縁膜４１ｇは、例えば、酸化ケイ素、窒化珪素等により形成されていてもよい。

絶縁膜４１ｇの上には、複数の画素電極４１ｈが形成されている。複数の画素電極３１ｈと共通電極３１ｆとは、絶縁膜３１ｇによって相互に絶縁されている。複数の画素電極４１ｈは、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿ってマトリクス状に配されている。画素電極４１ｈは、複数の画素Ｐ２のそれぞれに設けられている。画素電極４１ｈは、スイッチング素子のドレイン電極に電気的に接続されている。画素電極４１ｈには、開口４１ｈ１が形成されている。この画素電極４１ｈと共通電極４１ｆとは、それらの電極間にフリンジ電界が形成されるように設けられている。複数の画素電極４１ｈは、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ））、ＩＧＺＯ等の透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ：ＴＣＯ）により形成することができる。

なお、アクティブマトリクス基板４１の上には、図示しない配向膜が形成されている。配向膜は、例えば、ポリイミド等により形成することができる。

アクティブマトリクス基板４１の画素電極４１ｈが形成されている側の主面は、対向基板４３と間隔をおいて対向している。対向基板４３は、絶縁板４３ａと、カラーフィルタ基板４３ｂとを有する。絶縁板４３ａは、絶縁板３３と実質的に同様の構成を有する。このため、絶縁板３３に関する記載を絶縁板４３ａに援用するものとする。

カラーフィルタ基板４３ｂは、絶縁板４３ａの液晶層４２側の表面上に配されている。

対向基板４３のアクティブマトリクス基板４１側の表面の上には、図示しない配向膜が形成されている。配向膜は、例えば、ポリイミド等により形成することができる。

アクティブマトリクス基板４１と対向基板４３との間には、液晶層４２が配されている。液晶層４２は、複数の液晶分子を含む。液晶分子は、例えば、電気光学特性を有するネマチック液晶分子であってもよい。液晶分子は、性の誘電率異方性を有していてもよいし、負の誘電率異方性を有していてもよい。

（第３偏光板４４）
表示用液晶パネル４０の両側には、第２偏光板３５と、第３偏光板４４とが配されている。第２偏光板３５は、表示用液晶パネル４０よりも光源２０側に配されている。第３偏光板４４は、表示用液晶パネル４０の光源２０とは反対側に配されている。第２偏光板３５と第３偏光板４４とは、例えば、互いの吸収軸が直交するようにクロスニコルに配されていることが好ましい。

第３偏光板４４は、吸収型偏光板により構成されている。第３偏光板４４は、第３偏光層を構成している。本実施形態では、第３偏光層は、表示用液晶パネルとは独立した板により構成されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。第３偏光層は、例えば、表示用液晶パネルの上に形成された層であってもよい。

第３偏光板４４により構成されている第３偏光層の、第３偏光層の透過軸と平行な方向（第３方向）に振動する偏光の可視波長域における平均透過率よりも、第１偏光板３４により構成されている第１偏光層の、第１偏光層の透過軸と平行な方向（第２方向）に振動する偏光の可視波長域における平均透過率が高いことが好ましい。なお、第２偏光板３５により構成されている第２偏光層の、第２偏光層の透過軸と平行な方向（第２方向）に振動する偏光の可視波長域における平均透過率は、例えば、第３偏光層の、第３偏光層の透過率と平行な第３方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率と同じであってもよいし、第３偏光層の、第３偏光層の透過率と平行な第３方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率より高くてもよい。

ところで、調光用液晶パネル３０の第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃ等の信号線に光源２０からの光が入射した場合、入射光の一部は信号線によって光源２０側に反射する。しかしながら、例えば、信号線に含まれる導電層が、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成されているような場合は、導電層による光反射率が低く、導電層に入射した光の一部が吸収される。特に、本実施形態のように、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成されている導電層が信号線の光源２０側の表面を構成している場合は、導電層により光反射率が低くなりやすい。従って、光源２０からの光の取り出し効率が低くなりやすく、表示装置の輝度を高くすることが困難である。

ここで、表示装置１では、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線よりも光源２０側に反射層３１ｉが設けられている。反射層３１ｉは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線よりも光源２０側に配されている。反射層３１ｉは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されている。具体的には、本実施形態では、反射層３１ｉは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線と重なる領域の全体に設けられている。さらに具体的には、本実施形態では、反射層３１ｉは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線の全体と、絶縁板３１ｄとの間に配されている。反射層３１ｉは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線よりも４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視波長域における平均視感度反射率が高い。このように、表示装置１では、上記のような反射層３１ｉが設けられているため、光源２０から信号線側に入射した光の信号線による吸収が抑制されており、光源２０から信号線側に入射した光の光源２０側への反射率が高められている。従って、光源２０からの光の利用効率が高められている。その結果、表示装置１の輝度が高められている。すなわち、表示装置１は、高い輝度を有する。

表示装置１の輝度をより高くする観点からは、反射層３１ｉの可視波長域における平均視感度反射率が、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃ等の信号線の可視波長域における平均視感度反射率よりも７０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましい。

反射層３１ｉの構成は、可視波長域における平均視感度反射率が信号線よりも高いような構成である限りにおいて特に限定されない。反射層３１ｉは、例えば、Ａｌ、Ａｇ、及びＰｔのうちの少なくとも１種の金属により構成された層を含んでいてもよい。反射層３１ｉは、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔ合金のうちの少なくとも１種により構成された層を含んでいてもよい。反射層３１ｉは、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔ合金のうちの少なくとも１種により構成された層または、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔ合金のうちの少なくとも１種により構成された複数の層の積層体により構成されていてもよい。Ａｌ、Ａｇ、及びＰｔのうちの少なくとも１種の金属により構成された層は、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成された信号線よりも可視波長域における平均視感度反射率が高い。従って、このような反射層３１ｉを設けることにより光源２０からの光の光源２０側への反射率を好適に向上することができる。

また、反射層３１ｉは、誘電体多層膜を含んでいてもよい。反射層３１ｉを、誘電体多層膜を含むものとした場合であっても、光源２０からの光の光源２０側への反射率を好適に向上することができる。具体的には、反射層３１ｉは、誘電体多層膜により構成されていてもよいし、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔ合金のうちの少なくとも１種により構成されたすくなくともひとつの層と、誘電体多層膜との積層体により構成されていてもよい。この場合は、誘電体多層膜は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔ合金のうちの少なくとも１種により構成されたすくなくともひとつの層よりも光源２０側に位置していることが好ましい。

なお、誘電体多層膜は、相対的に屈折率が低い低屈折率誘電体膜と、相対的に屈折率が高い高屈折率誘電体膜とが交互に積層された多層膜である。低屈折率誘電体膜は、例えば、酸化ケイ素、フッ化ケイ素、酸化アルミニウム、フッ化アルミニウム等により形成することができる。高屈折率誘電体膜は、例えば、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タングステン、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化アルミニウム等により形成することができる。誘電体多層膜の総数は、特に限定されないが、例えば、２層〜１００層程度であってもよい。また、誘電体多層膜において、低屈折率誘電体膜と高屈折率誘電体膜との間に、低屈折率誘電体膜よりも屈折率が高く、高屈折率誘電体膜よりも屈折率が低い誘電体膜がさらに設けられていてもよい。

なお、本発明において、反射層の積層方向における位置は、信号線よりも光源側である限りにおいて特に限定されない。反射層は、例えば、調光用液晶パネルの液晶層に対して光源とは反対側に配置されていてもよい。しかしながら、この場合は、光源から反射層に入射する光は、液晶層を通過し、かつ、反射層に反射されて光源に向かう光も液晶層を通過する。このため、反射層への入射光及び反射光が液晶層により吸収されやすい。このため、表示装置１のように、反射層３１ｉは、調光用液晶パネル３０の液晶層３２よりも光源２０側に位置していることが好ましい。この場合は、光源２０から反射層３１ｉに入射する光、反射層３１ｉにより光源２０側に反射する光が液晶層３２により吸収されることを抑制することができる。従って、光源２０からの光の表示装置１からの取り出し効率をより高くし得る。

光源２０からの光の表示装置１からの取り出し効率をより高くする観点からは、第１偏光板３４により構成された第１偏光層の、第１偏光層の透過軸と平行な第１方向に振動する光の可視波長域における平均透過率が、第２偏光板３５により構成された第２偏光層の、第２偏光層の透過率と平行な第２方向に振動する光の可視波長域における平均透過率よりも高いことが好ましい。反射層３１ｉよりも光源２０側に位置する第２偏光板３５により構成された第２偏光層の可視波長域における平均透過率を低くすることにより、光源２０から反射層３１ｉに入射する光、及び、反射層３１ｉにより光源２０側に反射される光の第２偏光層による吸収を抑制できる。従って、光源２０からの光の表示装置１からの取り出し効率をより高くすることができる。

光源２０からの光の表示装置１からの取り出し効率をより高める観点からは、第１偏光板３４により構成された第１偏光層の第１方向に振動する光の可視波長域における平均透過率が、第２偏光板３５により構成された第２偏光層の第２方向に振動する光の可視波長域における平均透過率よりも２．９％以上高いことがより好ましく、５．０％以上高いことがさらに好ましい。但し、第１偏光板３４により構成された第１偏光層の第１方向に振動する光の可視波長域における平均透過率が高すぎると、表示装置１のコントラストが低下する虞がある。従って、第１偏光板３４により構成された第１偏光層の第１方向に振動する光の可視波長域における平均透過率は、第２偏光板３５により構成された第２偏光層の第２方向に振動する光の可視波長域における平均透過率の１．１４倍以下であることが好ましく、１．０８倍以下であることがより好ましい。

同様の観点から、第１偏光板３４により構成された第１偏光層の第１方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率は、第３偏光板４４により構成された第３偏光層の、第３偏光層の透過軸と平行な第３方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率よりも高いことが好ましく、第３偏光板４４により構成された第３偏光層の第３方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率よりも２．９％以上高いことが好ましく、５．０％以上高いことがより好ましい。第１偏光板３４により構成された第１偏光層の第１方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率は、第３偏光板４４により構成された第３偏光層の第３方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率の１．１４倍以下であることが好ましく、１．０８倍以下であることがより好ましい。

さらに、第１偏光板３４の少なくとも一部は、反射型偏光板により構成されていることが好ましい。具体的には、例えば、第１偏光板３４は、反射型偏光板３４ａを含むことが好ましい。この場合、第１偏光板全体が吸収型偏光板により構成されている場合と比較して、第１偏光板における光吸収を抑制することができる。従って、表示装置１からの光の取り出し効率をより高め得る。この観点からは、第１偏光板３４の全体を反射型偏光板により構成することも考えられる。しかしながら、第１偏光板３４の全体を反射型偏光板により構成した場合は、表示装置１のコントラストが低下する虞がある。従って、第１偏光板３４は、反射型偏光板３４ａと吸収型偏光板３４ｂとを有することがより好ましい。

以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。

（第２実施形態）
図３は、第２実施形態に係る表示装置１ａの一部分を拡大した模式的断面図である。

第２実施形態に係る表示装置１ａは、信号線及び反射層の構成において第１実施形態に係る表示装置１と異なる。表示装置１ａには、反射層が設けられていない。第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線は、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率が７０％以上となるように構成されている。このため、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線により光源２０からの光が吸収されにくく、光源２０側に高い反射率で反射される。従って、表示装置１ａからの光の取り出し効率を向上することができる。

表示装置１ａからの光の取り出し効率をより向上する観点からは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線は、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率が８０％以上となるように構成されていることがより好ましく、８５％以上となるように構成されていることがより好ましい。

このように、光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率が高い信号線は、例えば、少なくとも光源２０側の表層がＡｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔのうちの少なくとも１種により構成された信号線により実現することができる。信号線の全体が、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔのうちの少なくとも１種により構成されていてもよいし、一部が、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔのうちの少なくとも１種により構成されていてもよい。本実施形態では、具体的には、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｐｔ及びＰｔのうちの少なくとも１種により形成されており、光源２０側の表層に位置する第１層と、第１層の上に形成されており、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成された第２層とを有している。

（第３実施形態）
図４は、第３実施形態に係る表示装置１ｂの一部分を拡大した模式的断面図である。

第３実施形態に係る表示装置１ｂは、液晶層３２に対するアクティブマトリクス基板３１及び対向基板３３の位置関係と、反射層３１ｉの位置とにおいて、第１実施形態に係る表示装置１と異なっている。

表示装置１ｂでは、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に配されている。対向基板３３は、液晶層３２に対して光源２０側に配されている。反射層３１ｉは、対向基板３３の上に配されている。本実施形態においても、反射層３１ｉは、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線よりも光源２０側に配されている。反射層３１ｉは、平面視において、信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されている。反射層３１ｉの可視波長域における平均視感度反射率は、信号線の可視波長域における平均視感度反射率よりも高い。このため、本実施形態に係る表示装置１ｂにおいても、表示装置１と同様に、光源２０からの光の取り出し効率を向上することができる。

（第４実施形態）
図５は、第４実施形態に係る表示装置１ｃの一部分を拡大した模式的断面図である。

第４実施形態に係る表示装置１ｃは、表示用液晶パネル４０に反射層４１ｉが形成されている点で、第１実施形態に係る表示装置１と異なる。反射層４１ｉは、表示用液晶パネル４０の第１信号線及び第２信号線４１ｃを含む信号線（以下、「他の信号線」と称呼することがある。）よりも光源２０側に配されている。反射層４１ｉは、平面視において、他の信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されている。反射層４１ｉの可視波長域における平均視感度反射率は、他の信号線の可視波長域における平均視感度反射率よりも高い。従って、光源２０からの光が他の信号線により吸収されることを抑制することができる。よって、反射層４１ｉが設けられた表示装置１ｃでは、光源２０からの光の取り出し効率をより向上することができる。

光源２０からの光の取り出し効率をさらに向上する観点からは、反射層４１ｉの可視波長域における平均視感度反射率は、他の信号線の可視波長域における平均視感度反射率よりも１０％以上高いことがさらに好ましく、５０％以上高いことがさらに好ましい。

反射層４１ｉの構成は、反射層３１ｉと実質的に同様とすることができる。このため、反射層３１ｉに関する記載を、反射層４１ｉに援用するものとする。

なお、本実施形態では、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２よりも光源２０側に位置し、対向基板３３が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に位置している例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本実施形態においても、例えば、図４に示す第３実施形態に係る表示装置１ｂのように、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に位置しており、対向基板３３が液晶層よりも光源２０側に位置するように調光用液晶パネル３０を構成してもよい。

また、本実施形態では、調光用液晶パネル３０が反射層３１ｉを有する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本実施形態においても、例えば、図３に示す第２実施形態に係る表示装置１ａのように、調光用液晶パネル３０に反射層３１ｉを設けず、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率を７０％以上としてもよい。

（第５実施形態）
図６は、第５実施形態に係る表示装置１ｄの一部分を拡大した模式的断面図である。

第５実施形態に係る表示装置１ｄは、第４実施形態に係る表示装置１ｃと、信号線及び反射層の構成において異なる。表示装置１ｄでは、表示装置１ｃとは異なり、反射層が設けられていない。表示用液晶パネル４０の第１信号線及び第２信号線４１ｃを含む信号線は、第１信号線及び第２信号線３１ｃを含む信号線（他の信号線）の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率が８５％以上となるように構成されている。このため、他の信号線により光源２０からの光が吸収されにくく、光源２０側に高い反射率で反射される。従って、表示装置１ｄからの光の取り出し効率を向上することができる。

表示装置１ｄからの光の取り出し効率をより向上する観点からは、他の信号線は、他の信号線の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率が９０％以上となるように構成されていることがより好ましい。

他の信号線の構成は、第２実施形態において説明した、第１信号線３１ｂ及び第２信号線を含む信号線と実質的に同様とすることができる。従って、第２実施形態における第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線に関する記載を、他の信号線に援用するものとする。

なお、本実施形態では、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２よりも光源２０側に位置し、対向基板３３が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に位置している例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本実施形態においても、例えば、図４に示す第３実施形態に係る表示装置１ｂのように、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に位置しており、対向基板３３が液晶層よりも光源２０側に位置するように調光用液晶パネル３０を構成してもよい。

また、本実施形態では、調光用液晶パネル３０が反射層３１ｉを有する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本実施形態においても、例えば、図３に示す第２実施形態に係る表示装置１ａのように、調光用液晶パネル３０に反射層３１ｉを設けず、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率を７０％以上としてもよい。

（第６実施形態）
図７は、第６実施形態に係る表示装置１ｅの一部分を拡大した模式的断面図である。

第６の実施形態に係る表示装置１ｅは、液晶層４２に対するアクティブマトリクス基板４１及び対向基板４３のお位置関係と、反射層４１ｉの位置とにおいて、第４実施形態に係る表示装置１ｃと異なっている。

表示装置１ｅでは、アクティブマトリクス基板４１が液晶層４２に対して光源２０とは反対側に配されている。対向基板４３は、液晶層４２に対して光源２０側に配されている。反射層４１ｉは、平面視において、他の信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されている。反射層４１ｉの可視波長域における平均視感度反射率は、他の信号線の可視波長域における平均視感度反射率よりも高い。このため、本実施形態に係る表示装置１ｅにおいても、表示装置１ｃと同様に、光源２０からの光の取り出し効率を向上することができる。

本実施形態では、具体的には、反射層４１ｉは、対向基板４３に配されている。より具体的には、反射層４１ｉは、カラーフィルタ基板４３ｂに配されている。さらに詳細には、反射層４１ｉは、カラーフィルタ基板４３ｂのブラックマトリクス４３ｂ１の下方（光源２０側）に配されている。反射層４１ｉは、ブラックマトリクス４３ｂ１が設けられた領域の全体に設けられている。このため、表示装置１ｅでは、実質的に光を透過させないブラックマトリクス４３ｂ１に入射する光を反射層４１ｉで光源２０側に向かって好適に反射することができる。従って、表示装置１ｅでは、光源２０からの光の取り出し効率をさらに向上することができる。

なお、本実施形態では、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２よりも光源２０側に位置し、対向基板３３が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に位置している例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本実施形態においても、例えば、図４に示す第３実施形態に係る表示装置１ｂのように、アクティブマトリクス基板３１が液晶層３２に対して光源２０とは反対側に位置しており、対向基板３３が液晶層よりも光源２０側に位置するように調光用液晶パネル３０を構成してもよい。

また、本実施形態では、調光用液晶パネル３０が反射層３１ｉを有する例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本実施形態においても、例えば、図３に示す第２実施形態に係る表示装置１ａのように、調光用液晶パネル３０に反射層３１ｉを設けず、第１信号線３１ｂ及び第２信号線３１ｃを含む信号線の光源２０側の表面の可視波長域における平均視感度反射率を７０％以上としてもよい。

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ 表示装置
１０ 照明装置
２０ 光源
２３ａ 反射面
３０ 調光用液晶パネル
３１ アクティブマトリクス基板
３１ｂ、３１ｃ 信号線
３１ｉ 反射層
３２ 液晶層
３３ 対向基板
３４ 第１偏光板
３４ａ 反射型偏光板
３４ｂ 吸収型偏光板
３５ 第２偏光板
４０ 表示用液晶パネル
４１ アクティブマトリクス基板
４１ｃ 信号線
４１ｉ 反射層
４２ 液晶層
４３ 対向基板

Claims (14)

1. 光を出射する照明装置と、
   前記照明装置からの光の透過を制御することにより画像を表示する表示用液晶パネルと、
   を備え、
   前記照明装置は、
   光源と、
   前記光源よりも前記表示用液晶パネル側に配置された調光用液晶パネルと、
   を有し、
   前記調光用液晶パネルは、
   信号線と、
   前記信号線よりも前記光源側であって、平面視において前記信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されており、前記信号線よりも４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視波長域における平均視感度反射率が高い反射層と、
   を有する、
   表示装置。
2. 前記反射層は、Ａｌ、Ａｇ、及びＰｔのうちの少なくとも１種の金属により構成された層を含む、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記反射層は、相対的に屈折率が低い低屈折率誘電体膜と、相対的に屈折率が高い高屈折率誘電体膜とが交互に積層された誘電体多層膜を含む、
   請求項１または２に記載の表示装置。
4. 前記調光用液晶パネルは、液晶層をさらに有し、
   前記反射層は、前記液晶層よりも前記光源側に位置している、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置。
5. 前記信号線の前記光源側表層は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成されている、
   請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 光を出射する照明装置と、
   前記照明装置からの光の透過を制御することにより画像を表示する表示用液晶パネルと、
   を備え、
   前記照明装置は、
   光源と、
   前記光源よりも前記表示用液晶パネル側に配置された調光用液晶パネルと、
   を有し、
   前記調光用液晶パネルは、信号線を有し、
   前記信号線は、前記信号線の前記光源側表面の、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視波長域における平均視感度反射率が７０％以上となるように構成されている、
   表示装置。
7. 前記信号線の少なくとも光源側の表層は、Ａｌ、Ａｇ、及びＰｔのうちの少なくとも１種の金属により構成されている、
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記調光用液晶パネルよりも前記光源側に配された第１偏光層と、
   前記調光用液晶パネルよりも前記表示用液晶パネル側に配された第２偏光層と、
   をさらに備え、
   前記第１偏光層の、前記第１偏光層の透過軸と平行な第１方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率が、前記第２偏光層の、前記第２偏光層の透過軸と平行な第２方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率よりも高い、
   請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示装置。
9. 前記第１方向と前記第２方向とは、直交している、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 前記表示用液晶パネルの前記光源とは反対側に配された第３偏光層をさらに備え、
    前記第１偏光層の前記第１方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率が、前記第３偏光層の、前記第３偏光層の透過軸と平行な第３方向に振動する偏光の可視波長域における平均透過率よりも高い、
    請求項８または９に記載の表示装置。
11. 前記信号線は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む酸化物と、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＴａの少なくとも一種の金属を含む窒化物とのいずれかにより構成された層を含む、
    請求項６〜１０のいずれか一項に記載の表示装置。
12. 前記表示用液晶パネルは、
    他の信号線と、
    前記他の信号線よりも前記光源側であって、平面視において前記他の信号線と重なる領域の少なくとも一部に配されており、前記他の信号線よりも前記可視波長域における平均視感度反射率が高い他の反射層と、
    を有する、
    請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表示装置。
13. 前記表示用液晶パネルは、
    他の信号線を有し、
    前記他の信号線は、前記他の信号線の前記光源側表面の、前記可視波長域における平均視感度反射率が８５％以上となるように構成されている、
    請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表示装置。
14. 前記光源は、
    発光素子と、
    前記発光素子からの光を前記表示用液晶パネル側に反射する反射面と、
    を有する、
    請求項１〜１３のいずれか一項に記載の表示装置。

Images