JP2021139980A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露光の精度を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、半導体製造装置は、基板が設置されるステージを備える。前記装置はさらに、光を発生させる光源を備える。前記装置はさらに、前記光源からの光を成形する開口部が設けられた回転部を有し、前記開口部を通過した光をフォトマスクに照射する成形部を備える。前記装置はさらに、前記フォトマスクを通過した光により前記基板を走査している間に、前記回転部を回転させることで、前記開口部を通過する光の幅を変化させる制御部を備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。

基板上のレジスト膜を露光する際、マスキングブレード、レチクル、基板などの動作を同期させる精度が悪いと、レジスト膜の加工精度が悪くなることが問題となる。

特許第６０１２２００号公報

露光の精度を向上させることが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。

一の実施形態によれば、半導体製造装置は、基板が設置されるステージを備える。前記装置はさらに、光を発生させる光源を備える。前記装置はさらに、前記光源からの光を成形する開口部が設けられた回転部を有し、前記開口部を通過した光をフォトマスクに照射する成形部を備える。前記装置はさらに、前記フォトマスクを通過した光により前記基板を走査している間に、前記回転部を回転させることで、前記開口部を通過する光の幅を変化させる制御部を備える。

第１実施形態の半導体製造装置の構造を示す図である。 第１実施形態の半導体製造装置の動作を示す図(1/3)である。 第１実施形態の半導体製造装置の動作を示す図(2/3)である。 第１実施形態の半導体製造装置の動作を示す図(3/3)である。 第１実施形態の半導体製造装置の動作のメカニズムを説明するための断面図である。 第１実施形態の半導体製造装置の動作のメカニズムを説明するためのグラフである。 第１実施形態の半導体製造装置とその比較例の半導体製造装置とを比較するための断面図である。 第１実施形態の半導体製造装置の構造を説明するための断面図である。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１から図８において、同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の半導体製造装置の構造を示す図である。

図１(ａ)は、半導体製造装置を示す断面図である。本実施形態の半導体製造装置は、露光装置であり、光源１１と、成形部の例であるマスキング装置１２と、複数のマスキング部材１３と、駆動部１４と、投影光学系１５と、ステージ１６と、制御部１７とを備えている。

図１(ａ)は、半導体製造装置の設置面に平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、半導体製造装置の設置面に垂直なＺ方向とを示している。本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、−Ｚ方向を下方向として取り扱う。なお、−Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向と一致していなくてもよい。

図１(ａ)はさらに、基板の例であるウェハ１と、フォトマスクの例であるレチクル２とを示している。ウェハ１は、複数のチップを製造するための複数のチップ領域１ａを含んでいる。ウェハ１は例えば、シリコンウェハ（シリコン基板）などの半導体ウェハ（半導体基板）と、半導体ウェハ上に形成された被加工膜と、被加工膜上に形成されたレジスト膜とを含んでいる。レチクル２は、レジスト膜をパターニングするためのパターンを含んでいる。本実施形態の半導体製造装置は、レチクル２を通過した光をレジスト膜に照射することで、レジスト膜を露光する。本実施形態では、露光されたレジスト膜を現像することで、レジスト膜をパターニングすることができる。パターニングされたレジスト膜は、被加工膜を加工するためのレジストマスクとして使用される。

図１(ｂ)は、マスキング装置１２を示す斜視図である。マスキング装置１２は、シャフト１２ａと、回転部の例である回転ブレード１２ｂと、ベアリング１２ｃと、モータ１２ｄとを備えている。回転ブレード１２ｂは、開口部の例であるスリットＨを備えている。

図１(ｃ)は、ウェハ１を示す平面図である。ウェハ１の各チップ領域１ａは例えば、複数のメモリセルアレイ領域Ｒ１と、周辺回路領域Ｒ２とを備えている。本実施形態の各チップは、３次元メモリを備えるメモリチップである。

以下、図１(ａ)を参照して、本実施形態の半導体製造装置の構造を説明する。この説明の中で、図１(ｂ)および図１(ｃ)も適宜参照する。

光源１１は、ウェハ１に照射する光を発生させる。光源１１の例は、ｇ線光源（波長：４３６ｎｍ）、ｈ線光源（波長：４０５ｎｍ）、ｉ線光源（波長：３６５ｎｍ）、ＫｒＦ線光源（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦ線光源（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２線光源（波長：１５７ｎｍ）、ＥＵＶ光源（波長：１３．５ｎｍ）などである。符号Ｌ１は、光源１１から発生した光を示している。

マスキング装置１２は、光源１１からの光を成形し、具体的には、光源１１からの光の幅を変化させる。符号Ｌ２は、マスキング装置１２のスリットＨを通過することで成形された光を示している。成形の結果、光Ｌ２のＸ方向の幅は、光Ｌ１のＸ方向の幅より短くなっている。スリットＨを通過した光は、レチクル２に照射される。

マスキング装置１２は、前述したように、シャフト１２ａと、回転ブレード１２ｂと、ベアリング１２ｃと、モータ１２ｄとを備えている（図１(ｂ)）。シャフト１２ａは、回転ブレード１２ｂに取り付けられており、矢印Ａ１で示すように回転ブレード１２ｂを回転させることができる。本実施形態のシャフト１２ａは、Ｙ方向に平行に設けられており、Ｙ方向に平行な直線（回転軸）を中心に回転ブレード１２ｂを回転させることができる。ベアリング１２ｃは、シャフト１２ａの−Ｙ方向の端部に設けられている。モーター１２ｄは、シャフト１２ｃの＋Ｙ方向の端部に設けられており、シャフト１２ａを回転させることで回転ブレード１２ｂを回転させることができる。本実施形態のモータ１２ｄは、ステッピングモータである。

回転ブレード１２ｂは、図１(ａ)に示すように、回転ブレード１２ｂの回転軸に垂直な断面において、円形の断面形状を有している。図１(ａ)において、回転ブレード１２ｂの回転軸はＹ方向に延びており、回転ブレード１２ｂの回転軸に垂直な断面はＸＺ断面である。本実施形態の回転ブレード１２ｂは、おおむね円筒形の形状を有する回転ドラムとなっている。回転ブレード１２ｂは、光源１１からの光を遮光する材料で形成されている。そのため、光源１１から回転ブレード１２ｂに入射した光は、回転ブレード１２ｂで遮光され、スリットＨを通過する。回転ブレード１２ｂの材料は、金属でもよいし、樹脂やセラミックなどの非金属でもよい。光源１１の例として上記のような例が挙げられるため、回転ブレード１２ｂは、１３．５ｎｍから４５６ｎｍの波長を有する光を遮光する材料で形成されていることが望ましい。

スリットＨは、図１(ｂ)に示すように、スリットＨが回転ブレード１２ｂを貫通する方向に垂直な断面において、四角形の断面形状を有している。図１(ｂ)において、スリットＨは回転ブレード１２ｂをＺ方向に貫通しており、この方向に垂直な断面はＸＹ断面である。本実施形態のスリットＨは、おおむね直方体の形状を有しており、図１(ｂ)に示すスリットＨのＸＹ断面形状は、正方形または長方形となっている。よって、本実施形態の半導体製造装置は、回転ブレード１２ｂを回転させてスリットＨを回転させることで、光Ｌ２のＸ方向の幅を変化させることができる。光Ｌ２の幅の変化の詳細については、図２から図４を参照して後述することにする。

各マスキング部材１３は、回転ブレード１２ｂの付近に配置されている。図１(ａ)は、回転ブレード１２ｂの右側と左側に配置された２つのマスキング部材１３を示している。マスキング部材１３は、回転ブレード１２ｂと同様に、光源１１からの光を遮光する材料で形成されている。これにより、回転ブレード１２ｂに入射しなかった光などの余剰な光をマスキング部材１３で遮光することが可能となる。マスキング部材１３は、１３．５ｎｍから４５６ｎｍの波長を有する光を遮光する材料で形成されていることが望ましい。

駆動部１４は、レチクル２を保持および駆動するために設けられている。本実施形態の駆動部１４は、矢印Ａ２で示すように、レチクル２をＸＹ平面内で移動させることができる。これにより、光Ｌ２がレチクル２に入射する位置を変化させ、光Ｌ２を所望の形状に成形することが可能となる。本実施形態の駆動部１４は、レチクル２を±Ｘ方向や±Ｙ方向に移動させることができる。レチクル２を通過した光は、投影光学系１５に入射する。

投影光学系１５は、レチクル２を通過した光をウェハ１に投影するために設けられている。投影光学系１５は例えば、レンズなどの光学素子を含んでいる。

ステージ１６は、ウェハ１を設置するために設けられている。ウェハ１は、レジスト膜が上向きの状態で、ステージ１６の上面に設置される。図１(ａ)では、ウェハ１内のあるチップ領域１ａに、投影光学系１５からの光Ｌ２が照射されている。本実施形態のステージ１６は、矢印Ａ３で示すように、ウェハ１と共にＸＹ平面内で移動することができる。これにより、光Ｌ２がウェハ１に照射される位置を変化させ、ウェハ１を光Ｌ２により走査することができる。図１(ｃ)では、ステージ１６が矢印Ａ３のように移動することで、ウェハ１が矢印Ａ４のように走査されている。本実施形態のステージ１６は、ウェハ１を±Ｘ方向や±Ｙ方向に移動させることができる。

制御部１７は、半導体製造装置の動作を制御する。制御部１７の例は、プロセッサ、電気回路、ＰＣ（Personal Computer）などである。制御部１７は例えば、光源１１の発光動作、モータ１２ｄの回転動作、駆動部１４の動作、ステージ１６の動作などを制御することができる。制御部１７は、モータ１２ｄを制御することで回転ブレード１２ｂを回転させることや、駆動部１４を制御することでレチクル２を移動させることや、ステージ１６を制御することでウェハ１を光Ｌ２により走査することができる。

本実施形態の制御部１７は、これらの制御により、回転ブレード１２ｂと、レチクル２と、ウェハ１の動作を同期させることができる。制御部１７は例えば、ウェハ１を光Ｌ２により走査している間に、回転ブレード１２ｂを回転させることができる。これにより、光Ｌ２がウェハ１に照射される位置に応じて、光Ｌ２の幅を好適な幅に変化させることが可能となる。制御部１７はさらに、ウェハ１を光Ｌ２により走査している間に、レチクル２を移動させることもできる。これにより、ウェハ１の走査中に、光Ｌ２の形状を変化させることが可能となる。このように、本実施形態の制御部は、ウェハ１の走査中に、光Ｌ２の幅や形状をリアルタイムに変化させることができる。

本実施形態の制御部１７は、ウェハ１に形成予定のパターンに関する情報に基づいて、回転ブレード１２ｂを回転させる。例えば、微細なパターンを形成予定の領域を走査する際には、光Ｌ２の幅を狭く設定し、その他の領域を走査する際には、光Ｌ２の幅を広く設定する。上記の情報の例は、パターンの形状に関する情報や、ウェハ形状計測装置、電子顕微鏡、合わせ検査装置などから算出されたメモリセルの倍率成分である。本実施形態の制御部１７は、このような情報に基づいて光Ｌ２の幅を決定し、この幅が実現されるように回転ブレード１２ｂの回転角度を決定する。本実施形態の制御部１７はさらに、このような情報に基づいて、ウェハ１を走査する走査速度も決定する。制御部１７は、ウェハ１の走査速度に応じて、光Ｌ２の幅を変化させてもよい。

本実施形態では、ステージ１６上にウェハ１を設置した後、光源１１から光を発生させる。光源１１から発生した光は、スリットＨ、レチクル２、および投影光学系１５を介してウェハ１に照射される。この際、制御部１７は、ステージ１６を移動させることで、ウェハ１を光により走査する。これにより、ウェハ１に含まれるレジスト膜を露光することができる。制御部１２はさらに、ウェハ１を光により走査している間に、回転ブレード１２ｂを回転させる。これにより、光がウェハ１に照射される位置に応じて、光の幅を好適な幅に変化させることが可能となる。

光の幅は例えば、２つの部材間の隙間を通過させることで変化させることができる。しかしながら、この場合には、光の幅を変化させるために２つの部材を移動させる必要があり、これらの部材の動作を同期させる精度が悪いと、レジスト膜の加工精度が悪くなってしまう。一方、本実施形態の光の幅は、回転ブレード１２ｂを回転させることで変化させることができる。これにより、複数の部材の動作を同期させることなく光の幅を変化させることが可能となり、露光の精度を簡単に向上させることが可能となる。

図２から図４は、第１実施形態の半導体製造装置の動作を示す図である。

図２(ａ)、図３(ｂ)、および図４(ａ)は、図１(ａ)と同様に半導体製造装置の断面を示しており、より詳細には、ウェハ１を露光する３つの段階を示している。本実施形態の露光は、図２(ａ)の段階、図３(ａ)の段階、図４(ａ)の段階の順に進行する。また、図２(ｂ)、図３(ｂ)、および図４(ｂ)はそれぞれ、図２(ａ)の段階、図３(ａ)の段階、および図４(ａ)の段階におけるウェハ１を示している。

図２(ａ)の段階では、ウェハ１の周辺回路領域Ｒ２が光Ｌ２により露光される（図２(ｂ)を参照）。図２(ａ)に示すスリットＨは、図１(ａ)に示すスリットＨに比べて、左に傾いている。その結果、図２(ａ)に示す光Ｌ２の幅は、図１(ａ)に示す光Ｌ２の幅に比べて、狭くなっている。このように、本実施形態の半導体製造装置は、周辺回路領域Ｒ２を細い光Ｌ２により走査する。

図３(ａ)の段階では、ウェハ１のメモリセルアレイ領域Ｒ１の中心部が光Ｌ２により露光される（図３(ｂ)を参照）。図３(ａ)に示すスリットＨは、図１(ａ)に示すスリットＨと同じ状態に戻っている。その結果、図３(ａ)に示す光Ｌ２の幅は広くなっている。このように、本実施形態の半導体製造装置は、メモリセルアレイ領域Ｒ１の中心部を太い光Ｌ２により走査する。なお、制御部１７は、図３(ｂ)のレチクル２の位置を、図２(ａ)のレチクル２の位置から移動させてもよい。

図４(ａ)の段階では、ウェハ１のメモリセルアレイ領域Ｒ１の端部が光Ｌ２により露光される（図４(ｂ)を参照）。図４(ａ)に示すスリットＨは、図１(ａ)に示すスリットＨに比べて、右に傾いている。その結果、図４(ａ)に示す光Ｌ２の幅は、図１(ａ)に示す光Ｌ２の幅に比べて、狭くなっている。このように、本実施形態の半導体製造装置は、メモリセルアレイ領域Ｒ１の端部を細い光Ｌ２により走査する。なお、制御部１７は、図４(ｂ)のレチクル２の位置を、図３(ａ)のレチクル２の位置から移動させてもよい。

図５は、第１実施形態の半導体製造装置の動作のメカニズムを説明するための断面図である。

図５(ａ)から図５(ｄ)では、本実施形態の半導体製造装置の動作のメカニズムを分かりやすく説明するために、シャフト１２ａ、回転ブレード１２ｂ、およびスリットＨを備えるマスキング装置１２が、シャフト１２ａ’、回転ブレード１２ｂ’、およびスリットＨ’を備えるマスキング装置１２’に置き換えられている。符号Ｉ１は、マスキング装置１２’に入射する光を示し、符号Ｉ２は、マスキング装置１２’を通過した光を示している。図５(ａ)から図５(ｄ)に示すｘｙ座標の原点は、シャフト１２ａ’上に位置している。

回転ブレード１２ｂ’は、おおむね平板の形状を有しており、図５(ａ)はこの平板のＸＺ断面を示している。回転ブレード１２ｂ’はさらに、この平板の両端に突出部Ｐを有している。図５(ａ)では、回転ブレード１２ｂ’がｘ軸に平行になっている。図５(ａ)ではさらに、マスキング装置１２’に入射した光Ｉ１のすべてが、回転ブレード１２ｂ’に設けられたスリットＨ’を通過している。符号ｗ０は、マスキング装置１２’を通過した光Ｌ２の幅を示している。

図５(ｂ)、図５(ｃ)、図５(ｄ)は、回転ブレード１２ｂ’が徐々に回転する様子を示している。符号θ１、θ２、θ３はそれぞれ、図５(ｂ)、図５(ｃ)、図５(ｄ)における回転ブレード１２ｂ’のｘ軸に対する角度を示している。また、符号ｗ１、ｗ２、ｗ３はそれぞれ、図５(ｂ)、図５(ｃ)、図５(ｄ)における光Ｉ２の幅を示している。回転ブレード１２ｂ’の角度がθ１、θ２、θ３のように増加すると、光Ｉ２の幅がｗ１、ｗ２、ｗ３のように減少することが分かる。この結果を図１(ａ)のマスキング装置１２に適用すれば、回転ブレード１２の回転により光Ｌ２の幅を変化させることが可能であることが理解される。

なお、回転ブレード１２ｂ’の角度を図５(ｄ)のθ３まで増加させると、光Ｉ１が突出部Ｐにも入射する。仮に回転ブレード１２ｂ’に突出部Ｐが設けられていないと、図５(ｄ)の状態でこの光Ｉ１が、スリットＨ’を通過せずにウェハ１に入射してしまう。しかしながら、回転ブレード１２ｂ’に突出部Ｐが設けられていれば、この光Ｉ１がウェハ１に入射することを抑制することが可能となる。図１(ａ)のマスキング部材１３は、突出部Ｐと同様の機能を有している。

図６は、第１実施形態の半導体製造装置の動作のメカニズムを説明するためのグラフである。

図６の横軸は、回転ブレード１２ｂ’のｘ軸に対する角度を示し、図６の縦軸は、光Ｉ２の幅（ｗ）を示している。図６は、回転ブレード１２ｂ’の角度がθ１、θ２、θ３のように増加すると、光Ｉ２の幅がｗ１、ｗ２、ｗ３のように減少することを示している。

図６では、０度から９０度の範囲内において、回転ブレード１２ｂ’の角度と光Ｉ２の幅が１対１に対応している。具体的には、光Ｉ２の幅は、回転ブレード１２ｂ’の角度の単調減少関数となっている。よって、これらの角度と幅との関係をあらかじめテーブルの形で用意しておけば、回転ブレード１２ｂ’の角度を所定の角度に制御することで、光Ｉ２の幅を所定の幅に制御することができる。

これは、図１(ａ)の半導体製造装置でも同様である。よって、本実施形態の半導体製造装置は、回転ブレード１２ｂの角度と光Ｌ２の幅との関係を示すテーブルを、あらかじめ制御部１７内に保存しておく。これにより、制御部１７は、ウェハ１を露光する際、回転ブレード１２ｂの角度を所定の角度に制御することで、光Ｌ２の幅を所定の幅に制御することができる。なお、上記のテーブルの代わりに、回転ブレード１２ｂの角度と光Ｌ２の幅との関係を示す関数を、あらかじめ制御部１７内に保存しておいてもよい。

図７は、第１実施形態の半導体製造装置とその比較例の半導体製造装置とを比較するための断面図である。

図７(ａ)は、本実施形態の半導体製造装置のマスキング装置１２を示している。具体的には、回転ブレード１２ｂを回転する様子を示している。本実施形態では、回転ブレード１２ｂを回転することで、スリットＨを通過する光の幅を例えばＷ１からＷ２に変化させることが可能となる。

図７(ｂ)は、比較例の半導体製造装置の２つのマスキングブレード２１、２２を示している。具体的には、これらのマスキングブレード２１、２２の間の隙間Ｇを変化させる様子を示している。本比較例では、これら２つのマスキングブレード２１、２２を移動させることで、隙間Ｇを通過する光の幅を例えばＷ１’からＷ２’に変化させることが可能となる。

比較例では、光の幅を変化させるために２つの部材（マスキングブレード２１、２２）を移動させる必要があり、これらの部材の動作を同期させる精度が悪いと、レジスト膜の加工精度が悪くなってしまう。一方、本実施形態の光の幅は、回転ブレード１２ｂを回転させることで変化させることができる。これにより、複数の部材の動作を同期させることなく光の幅を変化させることが可能となり、露光の精度を簡単に向上させることが可能となる。

この差異は、動作を同期させる構成要素が多くなるとより明確になる。例えば、光の幅を変化させると共にウェハ１やレチクル２も移動させる場合、比較例では、ウェハ１、レチクル２、マスキングブレード２１、およびマスキングブレード２２という４つの構成要素の動作を同期させる必要がある。一方、本実施形態では、ウェハ１、レチクル２、回転ブレード１２ｂという３つの構成要素の動作を同期させればよい。また、回転ブレード１２ｂの回転は、モータ１２ｄとしてステッピングモータを採用すればより高精度に制御できるため、比較例に比べて露光の精度を向上させることが可能となる。

図８は、第１実施形態の半導体製造装置の構造を説明するための断面図である。図８(ａ)、図８(ｂ)、および図８(ｃ)は、本実施形態のマスキング装置の３つの例を示している。

図８(ａ)は、シャフト１２ａおよび回転ブレード１２ｂを備えるマスキング装置１２を示している。この回転ブレード１２ｂは、図１(ａ)の場合と同様に、円形のＸＺ断面形状を有している。符号Ｄ１は、回転ブレード１２ｂを回転する前の回転ブレード１２ｂとレチクル２との距離を示し、符号Ｄ１’は、回転ブレード１２ｂを回転した後の回転ブレード１２ｂとレチクル２との距離を示している。図８(ａ)では、距離Ｄ１’が距離Ｄ１と同じとなっている。

図８(ｂ)は、シャフト１２ａ’’および回転ブレード１２ｂ’’を備えるマスキング装置１２’’を示している。この回転ブレード１２ｂ’’は、四角形のＸＺ断面形状を有している。符号Ｄ２は、回転ブレード１２ｂ’’を回転する前の回転ブレード１２ｂ’’とレチクル２との距離を示し、符号Ｄ２’は、回転ブレード１２ｂ’’を回転した後の回転ブレード１２ｂ’’とレチクル２との距離を示している。図８(ｂ)では、距離Ｄ２’が距離Ｄ２よりも減少している。

図８(ｃ)は、シャフト１２ａ’’’および回転ブレード１２ｂ’’’を備えるマスキング装置１２’’’を示している。この回転ブレード１２ｂ’’’は、歯車形のＸＺ断面形状を有している。符号Ｄ３は、回転ブレード１２ｂ’’’を回転する前の回転ブレード１２ｂ’’’とレチクル２との距離を示し、符号Ｄ３’は、回転ブレード１２ｂ’’’を回転した後の回転ブレード１２ｂ’’’とレチクル２との距離を示している。図８(ｃ)では、距離Ｄ３’が距離Ｄ３よりも増加している。

本実施形態では、図８(ａ)に示すように、回転ブレード１２ｂとレチクル２との距離が変化しないことが望ましい。理由は、回転ブレード１２ｂとレチクル２との距離の変化が露光に悪影響を与えるおそれがあるからである。そのため、本実施形態では、回転ブレード１２ｂのＸＺ断面形状を円形に設定している。

以上のように、本実施形態の半導体製造装置は、スリットＨが設けられた回転ブレード１２ｂを有するマスキング装置１２を備え、ウェハ１の走査中に、回転ブレード１２ｂを回転させることで、スリットＨを通過する光の幅を変化させる。よって、本実施形態によれば、複数の部材の動作を同期させることなく光の幅を変化させることで、露光の精度を簡単に向上させることが可能となる。また、本実施形態によれば、ウェハ１やレチクル２の移動と同期させて光の幅を変化させることが容易となるため、露光の精度を向上させつつ、ウェハ１の走査中に光の幅を変化させることが可能となる。このように、本実施形態によれば、ウェハ１の露光の精度を向上させることが可能となる。

なお、本実施形態の半導体製造装置や半導体装置の製造方法の態様として、次のようなものが考えられる。

（付記１）
基板が設置されるステージと、
光を発生させる光源と、
前記光源からの光を成形する開口部が設けられた回転部を有し、前記開口部を通過した光をフォトマスクに照射する成形部と、
前記フォトマスクを通過した光により前記基板を走査している間に、前記回転部を回転させることで、前記開口部を通過する光の幅を変化させる制御部と、
を備える半導体製造装置。

（付記２）
前記成形部はさらに、前記回転部を回転させるモータを備え、
前記制御部は、前記モータを制御することで前記回転部を回転させる、付記１に記載の半導体製造装置。

（付記３）
前記回転部は、前記回転部の回転軸に垂直な断面において、円形の断面形状を有する、付記１または２に記載の半導体製造装置。

（付記４）
前記開口部は、前記開口部が前記回転部を貫通する方向に垂直な断面において、四角形の断面形状を有する、付記１から３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。

（付記５）
前記回転部は、前記光源からの光を遮光する材料で形成されている、付記１から４のいずれか１項の記載の半導体製造装置。

（付記６）
前記回転部は、１３．５ｎｍから４５６ｎｍの波長を有する光を遮光する材料で形成されている、付記１から５のいずれか１項の記載の半導体製造装置。

（付記７）
前記回転部の付近に配置され、前記光源からの光を遮光する部材をさらに備える、付記１から６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。

（付記８）
前記フォトマスクを通過した光により前記基板が走査されている間に、前記フォトマスクを移動させる駆動部をさらに備える、付記１から７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。

（付記９）
前記ステージが前記基板を移動させることで、前記フォトマスクを通過した光により前記基板が走査される、付記１から８のいずれか１項に記載の半導体製造装置。

（付記１０）
前記制御部は、前記基板に形成予定のパターンに関する情報に基づいて、前記回転部を回転させる、付記請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体製造装置。

（付記１１）
基板をステージに設置し、
光源から光を発生させ、
前記光源からの光を成形部の回転部に設けられた開口部により成形し、前記開口部を通過した光をフォトマスクに照射し、
前記フォトマスクを通過した光により前記基板を走査している間に、前記回転部を回転させることで、前記開口部を通過する光の幅を変化させる、
ことを含む半導体装置の製造方法。

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。

１：ウェハ、１ａ：チップ領域、２：レチクル、
１１：光源、１２、１２’、１２’’、１２’’’：マスキング装置、
１２ａ、１２ａ’、１２ａ’’、１２ａ’’’：シャフト、
１２ｂ、１２ｂ’、１２ｂ’’、１２ｂ’’’：回転ブレード、１２ｃ：ベアリング、
１２ｄ：モータ、１３：マスキング部材、１４：駆動部、１５：投影光学系、
１６：ステージ、１７：制御部、２１、２２、マスキングブレード

Claims (8)

1. 基板が設置されるステージと、
   光を発生させる光源と、
   前記光源からの光を成形する開口部が設けられた回転部を有し、前記開口部を通過した光をフォトマスクに照射する成形部と、
   前記フォトマスクを通過した光により前記基板を走査している間に、前記回転部を回転させることで、前記開口部を通過する光の幅を変化させる制御部と、
   を備える半導体製造装置。
2. 前記成形部はさらに、前記回転部を回転させるモータを備え、
   前記制御部は、前記モータを制御することで前記回転部を回転させる、請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記回転部は、前記回転部の回転軸に垂直な断面において、円形の断面形状を有する、請求項１または２に記載の半導体製造装置。
4. 前記開口部は、前記開口部が前記回転部を貫通する方向に垂直な断面において、四角形の断面形状を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
5. 前記回転部は、前記光源からの光を遮光する材料で形成されている、請求項１から４のいずれか１項の記載の半導体製造装置。
6. 前記回転部は、１３．５ｎｍから４５６ｎｍの波長を有する光を遮光する材料で形成されている、請求項１から５のいずれか１項の記載の半導体製造装置。
7. 前記制御部は、前記基板に形成予定のパターンに関する情報に基づいて、前記回転部を回転させる、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
8. 基板をステージに設置し、
   光源から光を発生させ、
   前記光源からの光を成形部の回転部に設けられた開口部により成形し、前記開口部を通過した光をフォトマスクに照射し、
   前記フォトマスクを通過した光により前記基板を走査している間に、前記回転部を回転させることで、前記開口部を通過する光の幅を変化させる、
   ことを含む半導体装置の製造方法。

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