JP2021106240A - Gas supply device and surface treatment method - Google Patents

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JP2021106240A
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真毅 三浦
Masatake Miura
真毅 三浦
章弘 島本
Akihiro Shimamoto
章弘 島本
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Abstract

To provide a gas supply device that is able to blow a gas containing a radical to an object at a high concentration compared with a conventional one.SOLUTION: A gas supply device comprises: a first gas inflow port through which a first gas containing oxygen serving as a radical source is flowed in; a second gas inflow port through which a second gas lower in oxygen concentration than the first gas is flowed in; a first gas flow passage through which the first gas flowed in from the first gas inflow port flows; a light source that emits ultraviolet light toward an emission area in the first gas flow passage; a gas mixing portion in which the first gas and the second gas after passing through at least a part of the emission area are mixed; and a gas outflow port through which the mixed gas after being mixed in the gas mixing portion is flowed out.SELECTED DRAWING: Figure 1A

Description

本発明は、ガス供給装置に関し、特にガスに対して紫外光を照射することで、ガスに含まれる物質に対して光化学反応を生じさせる装置に関する。また、本発明は、光化学反応後の上記ガスを対象物に吹き付けることで、対象物の表面を処理する方法に関する。 The present invention relates to a gas supply device, and more particularly to a device that causes a photochemical reaction with a substance contained in a gas by irradiating the gas with ultraviolet light. The present invention also relates to a method for treating the surface of an object by spraying the gas after the photochemical reaction onto the object.

従来、対象物の表面に付着した有機化合物を除去することを目的として、ガスに対して真空紫外光を照射することで当該ガスを活性化し、この活性化したガスを対象物の表面に吹き付ける技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, for the purpose of removing organic compounds adhering to the surface of an object, a technique of activating the gas by irradiating the gas with vacuum ultraviolet light and spraying the activated gas on the surface of the object. Is known (see, for example, Patent Document 1).

特開2007−98357号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-98357

しかし、本発明者らの鋭意研究によれば、特許文献1に記載された構造では、対象物に対して高濃度のラジカルを含むガスを吹き付けられないことが分かった。この理由として、本発明者らは、特許文献1に記載された構造では、ラジカルを生成するためにガスに紫外光を照射するための光源と、ラジカルを含むガスを吹き付ける対象物の設置場所とが離れ過ぎていることで、ガスが対象物に到達する前に、ラジカルの多くが失活してしまうためと推察している。 However, according to the diligent research of the present inventors, it was found that the structure described in Patent Document 1 cannot blow a gas containing a high concentration of radicals onto the object. The reason for this is that, in the structure described in Patent Document 1, the present inventors have a light source for irradiating the gas with ultraviolet light to generate radicals, and an installation location of an object to which the gas containing radicals is blown. It is speculated that many of the radicals are deactivated before the gas reaches the object because they are too far apart.

上記課題に鑑み、本発明は、従来よりも高濃度でラジカルを含むガスを対象物に対して吹き付けることのできる、ガス供給装置を提供することを目的とする。また、本発明は、従来よりも高濃度にラジカルを含むガスによって対象物の表面を処理することのできる方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a gas supply device capable of blowing a gas containing radicals at a higher concentration than the conventional one onto an object. Another object of the present invention is to provide a method capable of treating the surface of an object with a gas containing radicals at a higher concentration than before.

本発明に係るガス供給装置は、
ラジカル源となる酸素を含む第一ガスが流入される、第一ガス流入口と、
前記第一ガス流入口とは異なる箇所に設けられ、前記第一ガスよりも含有酸素濃度の低い第二ガスが流入される、第二ガス流入口と、
前記第一ガス流入口から流入された前記第一ガスが通流する第一ガス通流路と、
前記第一ガス通流路内の照射領域に向かって紫外光を発する光源と、
少なくとも一部の前記照射領域を通過した後の前記第一ガスと前記第二ガスとが混合されるガス混合部と、
前記ガス混合部で混合された後の混合ガスを外部に流出させるガス流出口とを備えることを特徴とする。
The gas supply device according to the present invention
The first gas inlet, where the first gas containing oxygen, which is a radical source, flows in,
A second gas inlet, which is provided at a location different from the first gas inlet and into which a second gas having a lower oxygen concentration than the first gas flows in.
The first gas flow path through which the first gas flowing in from the first gas inflow port flows,
A light source that emits ultraviolet light toward the irradiation region in the first gas passage, and
A gas mixing section in which the first gas and the second gas are mixed after passing through at least a part of the irradiation region.
It is characterized by including a gas outlet that allows the mixed gas after being mixed in the gas mixing section to flow out to the outside.

本明細書中において、「ラジカル」とは、不対電子を持つ化学種(原子、分子)を総称した概念を指し、これらの一例として、O(3P)などの酸素ラジカルが挙げられる。この場合、ラジカルの原料となる第一ガスとしては、例えば酸素を含む混合ガスや空気が挙げられる。 In the present specification, "radical" refers to a concept that collectively refers to chemical species (atoms, molecules) having unpaired electrons, and an example of these is an oxygen radical such as O (3 P). In this case, examples of the first gas as a raw material for radicals include a mixed gas containing oxygen and air.

上記構成によれば、第一ガス通流路を通流中の第一ガスは、紫外光が照射されることでガス中のラジカル原料が光分解してラジカルが生成され、ラジカルを含むガスに変化する。このガスは、ガス流出口の手前に位置するガス混合部において、第一ガスよりも含有酸素濃度の低い第二ガスと混合される。第二ガスとしては、N2、Ar、Neなどの不活性ガス、複数種類の不活性ガスが混合されたガス、不活性ガスに低濃度の酸素が含有された混合ガスを採用することができる。 According to the above configuration, the first gas flowing through the first gas passage is irradiated with ultraviolet light to photodecompose radical raw materials in the gas to generate radicals, and becomes a gas containing radicals. Change. This gas is mixed with a second gas having a lower oxygen concentration than the first gas in a gas mixing portion located in front of the gas outlet. As the second gas , an inert gas such as N 2 , Ar, or Ne, a gas in which a plurality of types of inert gases are mixed, or a mixed gas in which the inert gas contains a low concentration of oxygen can be adopted. ..

ところで、酸素ラジカルの一つであるO(3P)は、極めて活性が高く、周囲の酸素(O2)と下記(1)式のような反応を生じる。かかる反応が生じると、ガスに含まれる酸素ラジカルの濃度が低下してしまう。この反応の速度は、O2の濃度に比例する。
O(3P) + O2 → O3 ‥‥(1)
By the way, O (3 P), which is one of the oxygen radicals, has extremely high activity and causes a reaction with surrounding oxygen (O 2 ) as shown in the following equation (1). When such a reaction occurs, the concentration of oxygen radicals contained in the gas decreases. The rate of this reaction is proportional to the concentration of O 2.
O ( 3 P) + O 2 → O 3 ‥‥ (1)

これに対し、上記構成のように、ラジカルを含む第一ガスが、ガス流出口の手前の位置において酸素濃度の低い第二ガスと混合されることで、この混合ガスに含まれるO2の濃度が低下される。この結果、上記(1)の反応の進行速度が抑制されるため、かかるガスをガス流出口から流出させることで、酸素ラジカルの低下速度を抑制した状態でガスを対象物に吹き付けることが可能となる。 On the other hand, as in the above configuration, the first gas containing radicals is mixed with the second gas having a low oxygen concentration at a position in front of the gas outlet, so that the concentration of O 2 contained in this mixed gas is high. Is reduced. As a result, since the progress rate of the reaction in (1) above is suppressed, it is possible to blow the gas onto the object while suppressing the rate of decrease of oxygen radicals by letting the gas flow out from the gas outlet. Become.

なお、従来、プラズマを用いてラジカルを含むガスを生成する装置が知られているが、かかる場合には、イオンが不可避的に生成されるため、対象物に対して帯電粒子が付着して、対象物の物性を変化させるおそれがある。しかし、紫外光を原料ガスに照射することで、ラジカルを含むガスを生成する上記装置によれば、イオンが生成されることはないため、帯電粒子がガスと共に対象物に吹き付けられることが回避される。 Conventionally, an apparatus for generating a gas containing radicals using plasma is known, but in such a case, ions are inevitably generated, so that charged particles adhere to the object and the charged particles adhere to the object. It may change the physical properties of the object. However, according to the above device that generates a gas containing radicals by irradiating the raw material gas with ultraviolet light, ions are not generated, so that it is possible to prevent charged particles from being sprayed on the object together with the gas. NS.

前記ガス供給装置のガス流出口から流出される、ラジカルを高濃度に含むガスは、対象物の洗浄、改質、殺菌などの用途に利用できる。 The gas containing a high concentration of radicals flowing out from the gas outlet of the gas supply device can be used for purposes such as cleaning, reforming, and sterilizing an object.

前記ガス混合部において、前記第一ガスは、前記第一ガスの流路方向に対して実質的に直交する方向に流れる前記第二ガスと混合されるものとしても構わない。 In the gas mixing section, the first gas may be mixed with the second gas flowing in a direction substantially orthogonal to the flow path direction of the first gas.

本明細書において、第一の方向と第二の方向とが「実質的に直交する」とは、両者のなす角度が70°〜110°の範囲内であることを指す。 As used herein, the term "substantially orthogonal" between the first direction and the second direction means that the angle formed by the two directions is within the range of 70 ° to 110 °.

かかる構成とすることで、第一ガスが、ガス混合部内において第二ガスと充分に混合され、上記(1)式に規定される反応の進行を遅らせる効果が高められる。 With such a configuration, the first gas is sufficiently mixed with the second gas in the gas mixing section, and the effect of delaying the progress of the reaction defined by the above equation (1) is enhanced.

より具体的な構成例の一つとしては、第二ガスの通流方向自体を、第一ガスの通流方向とは非平行な方向とする方法を採用することができる。別の構成例の一つとしては、第二ガスの通流方向を、第一ガスの通流方向とは実質的に平行な方向としつつ、ガス供給装置内において、ガス混合部よりも上流側の位置に第二ガスが衝突する遮風壁を設けておき、この遮風壁に衝突した後の第二ガスの通流方向を第一ガスの通流方向と実質的に直交する方向に変換させた後に、ガス混合部に導く方法を採用することができる。 As one of the more specific configuration examples, a method can be adopted in which the flow direction of the second gas itself is set to a direction non-parallel to the flow direction of the first gas. As another configuration example, the flow direction of the second gas is substantially parallel to the flow direction of the first gas, and is located upstream of the gas mixing portion in the gas supply device. A windbreak wall where the second gas collides is provided at the position of, and the flow direction of the second gas after the collision with the windbreak wall is changed to a direction substantially orthogonal to the flow direction of the first gas. After that, a method of leading to the gas mixing section can be adopted.

前記ガス供給装置は、前記第二ガス流入口から流入された第二ガスが通流する第二ガス通流路を備え、
前記第二ガス通流路は、前記照射領域よりも前記ガス流出口側の位置において、前記ガス混合部に連絡されているものとしても構わない。
The gas supply device includes a second gas passage through which the second gas flowing in from the second gas inflow port passes.
The second gas passage may be connected to the gas mixing portion at a position closer to the gas outlet side than the irradiation region.

この場合、前記第二ガス通流路は、前記第一ガス通流路を挟むか又は取り囲むように外側に配置されているものとしても構わない。 In this case, the second gas passage may be arranged on the outside so as to sandwich or surround the first gas passage.

より具体的な態様として、
前記ガス供給装置は、前記光源が内蔵された筐体を有し、
前記光源は、内側に中空の筒状空間が管軸方向に沿って貫通形成された発光管と、当該発光管の前記筒状空間側の空間に沿って形成された発光面とを有し、
前記第一ガス通流路は、前記発光面に囲まれた前記筒状空間に形成され、
前記第二ガス通流路は、前記発光管の外壁と前記筐体の内壁とで挟まれた領域に形成されているものとしても構わない。
As a more specific embodiment
The gas supply device has a housing in which the light source is built-in.
The light source has a light emitting tube in which a hollow tubular space is formed through the tube axis direction, and a light emitting surface formed along the space on the tubular space side of the light emitting tube.
The first gas passage is formed in the tubular space surrounded by the light emitting surface.
The second gas passage may be formed in a region sandwiched between the outer wall of the arc tube and the inner wall of the housing.

例えば、光源として二重管型のエキシマランプを採用し、内側管の内側を第一ガスが通流し、エキシマランプの外側を第二ガスが通流する構成が採用できる。この場合、第二ガスによってエキシマランプの発光管が冷却され、発光効率を高めることができる。 For example, a double-tube type excimer lamp can be adopted as a light source, and a configuration in which the first gas passes through the inside of the inner tube and the second gas flows through the outside of the excimer lamp can be adopted. In this case, the arc tube of the excimer lamp is cooled by the second gas, and the luminous efficiency can be improved.

別の具体的な態様として、
前記ガス供給装置は、前記光源が内蔵される筐体を有し、
前記筐体は、
内側に前記光源が配置される第一空間を形成する第一壁体と、
前記第一壁体の外側に配置され、当該第一壁体との間に第二空間を形成する第二壁体とを有し、
前記光源は、管軸方向に沿って形成された発光管と、当該発光管の外側面に沿って形成された発光面とを有し、
前記第一ガス通流路は、前記発光管の外壁と前記第一壁体とで挟まれた領域に形成され、
前記第二ガス通流路は、前記第一壁体と前記第二壁体とで挟まれた領域に形成されているものとしても構わない。
As another specific aspect,
The gas supply device has a housing in which the light source is built.
The housing is
A first wall body forming a first space in which the light source is arranged, and
It has a second wall body that is arranged outside the first wall body and forms a second space with the first wall body.
The light source has a light emitting tube formed along the tube axis direction and a light emitting surface formed along the outer surface of the light emitting tube.
The first gas passage is formed in a region sandwiched between the outer wall of the arc tube and the first wall body.
The second gas passage may be formed in a region sandwiched between the first wall body and the second wall body.

かかる構成の場合、例えば、光源としては、発光管の外側に向かって紫外光を発する種々の構造のエキシマランプを採用できる。そして、エキシマランプの外側に第一ガスが通流し、更にその外側に第二ガスが通流する。 In the case of such a configuration, for example, as the light source, excimer lamps having various structures that emit ultraviolet light toward the outside of the arc tube can be adopted. Then, the first gas flows to the outside of the excimer lamp, and the second gas flows to the outside of the excimer lamp.

別の態様として、前記第一ガス通流路は、前記第二ガス通流路を挟むか又は取り囲むように外側に配置されているものとしても構わない。 As another aspect, the first gas passage may be arranged outside so as to sandwich or surround the second gas passage.

光源は、長尺な形状を呈する構造を採用することができる。この場合において、第一ガスは、光源の長尺方向に沿って流れるものとしても構わないし、前記長尺方向に直交する方向に沿って流れるものとしても構わない。 The light source can adopt a structure exhibiting a long shape. In this case, the first gas may flow along the long direction of the light source, or may flow along the direction orthogonal to the long direction.

前者の一例として、前記光源は、前記第一ガス流入口から前記ガス流出口に向かう第一方向に平行な方向を長手方向とする形状を呈し、
前記第一ガス及び前記第二ガスは、いずれも前記第一方向に平行な方向に流れた後に、前記ガス混合部に達するものとしても構わない。
As an example of the former, the light source has a shape in which the direction parallel to the first direction from the first gas inlet to the gas outlet is the longitudinal direction.
Both the first gas and the second gas may reach the gas mixing portion after flowing in a direction parallel to the first direction.

後者の一例として、前記光源は、前記第一ガス流入口から前記ガス流出口に向かう第一方向に直交する方向を長手方向とする形状を呈し、
前記第一ガス及び前記第二ガスは、いずれも前記第一方向に平行な方向に流れた後に、前記ガス混合部に達するものとしても構わない。
As an example of the latter, the light source has a shape in which the direction orthogonal to the first direction from the first gas inlet to the gas outlet is the longitudinal direction.
Both the first gas and the second gas may reach the gas mixing portion after flowing in a direction parallel to the first direction.

これらの場合においても、第二ガスは、第一方向に平行な方向に流れた後、ガス混合部に達する手前で進行方向が変換されて、第一ガスの通流方向とは非平行な方向とされてガス混合部に導かれるものとして構わない。 Even in these cases, the second gas flows in a direction parallel to the first direction, and then the traveling direction is changed before reaching the gas mixing portion, and the direction is not parallel to the flow direction of the first gas. It does not matter if it is guided to the gas mixing section.

前記第一ガス通流路は、前記ガス混合部側に位置する通流領域が、前記ガス流入口側に位置する通流領域と比べて流路断面積が小さいものとしても構わない。 In the first gas passage, the passage region located on the gas mixing portion side may have a smaller flow path cross-sectional area than the passage region located on the gas inlet side.

上記構成によれば、第一ガスに対して紫外光が照射された後、ガス混合部に向けて流れるときの流速が速められ、この速い流速を有してガス流出口から流出される。この結果、第一ガスに対して紫外光が照射されてから、ガス流出口より流出されるまでの時間が短縮化されると共に、ガス流出口から流出を開始してから対象物に到達するまでの時間も短縮化される。この結果、対象物に到達するまでに上記(1)式に規定される反応が生じる時間が短くなり、対象物に対して従来よりもラジカルを高濃度に含むガス(混合ガス)を吹き付けることができる。 According to the above configuration, after the first gas is irradiated with ultraviolet light, the flow velocity when flowing toward the gas mixing portion is increased, and the gas flows out from the gas outlet with this high flow velocity. As a result, the time from the irradiation of the first gas with ultraviolet light to the outflow from the gas outlet is shortened, and the time from the start of the outflow from the gas outlet to the arrival at the object is shortened. Time is also shortened. As a result, the time required for the reaction defined by the above equation (1) to occur before reaching the object is shortened, and a gas (mixed gas) containing a higher concentration of radicals than before can be sprayed on the object. can.

前記ガス混合部は、前記ガス流出口に向かうに連れて、流路断面積が連続的又は断続的に縮小する形状を呈しているものとしても構わない。 The gas mixing portion may have a shape in which the cross-sectional area of the flow path is continuously or intermittently reduced toward the gas outlet.

かかる構成によれば、第二ガスと混合された後の第一ガスは、速い流速を有してガス流出口から流出されるため、対象物に到達するまでに上記(1)式に規定される反応が生じる時間が短くなり、対象物に対して従来よりもラジカルを高濃度に含むガス(混合ガス)を吹き付けることができる。 According to this configuration, the first gas after being mixed with the second gas flows out from the gas outlet with a high flow velocity, and therefore, it is defined by the above equation (1) before reaching the object. The time required for the reaction to occur is shortened, and a gas containing a higher concentration of radicals (mixed gas) can be sprayed onto the object.

前記光源から出射される前記紫外光は、主たる発光波長が230nm未満であるものとしても構わない。 The ultraviolet light emitted from the light source may have a main emission wavelength of less than 230 nm.

本明細書において、「主たる発光波長」とは、ある波長λに対して±10nmの波長域Z(λ)を発光スペクトル上で規定した場合において、発光スペクトル内における全積分強度に対して40%以上の積分強度を示す波長域Z(λi)における、波長λiを指す。例えば所定の発光ガスが封入されているエキシマランプなどのように、半値幅が極めて狭く、且つ、特定の波長においてのみ光強度を示す光源においては、通常は、相対強度が最も高い波長(主ピーク波長)をもって、主たる発光波長として構わない。 In the present specification, the “main emission wavelength” is 40% of the total integrated intensity in the emission spectrum when the wavelength range Z (λ) of ± 10 nm with respect to a certain wavelength λ is defined on the emission spectrum. It refers to the wavelength λi in the wavelength region Z (λi) showing the above integrated intensity. For example, in a light source having an extremely narrow half-value width and showing light intensity only at a specific wavelength, such as an excimer lamp in which a predetermined luminescent gas is sealed, the wavelength having the highest relative intensity (main peak) is usually used. Wavelength) may be used as the main emission wavelength.

上記光源としては、例えば、発光ガスとして、Xe、Ar、Kr、ArBr、ArF、KrCl、及びKrBrからなる群に属する少なくとも一種の材料を含むガスを採用した、エキシマランプとすることができる。例えば、発光ガスとしてXeを含むエキシマランプによれば、紫外光の主たる発光波長が172nmである。 The light source may be, for example, an excimer lamp that employs a gas containing at least one material belonging to the group consisting of Xe, Ar, Kr, ArBr, ArF, KrCl, and KrBr as the light emitting gas. For example, according to an excimer lamp containing Xe as a luminescent gas, the main emission wavelength of ultraviolet light is 172 nm.

かかる構成によれば、ガス流出口から10mm離間した位置に処理対象物を設置することで、処理対象物に対して、ラジカルを高濃度に含んだ状態のガス(混合ガス)を吹き付けることができる。 According to this configuration, by installing the treatment target at a position 10 mm away from the gas outlet, the gas (mixed gas) containing a high concentration of radicals can be sprayed onto the treatment target. ..

また、本発明は、対象物の表面処理方法であって、
ラジカル源となる酸素を含む第一ガスを第一ガス通流路内に流入させる工程(a)と、
前記第一ガス通流路内を通流する前記第一ガスに対して、光源から紫外光を照射する工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記第一ガスに対して、前記第一ガスよりも含有酸素濃度の低い第二ガスを混合させる工程(c)と、
前記工程(c)によって得られた混合ガスを前記対象物の表面に吹き付ける工程(d)とを有することを特徴とする。
Further, the present invention is a method for treating the surface of an object.
The step (a) of allowing the first gas containing oxygen, which is a radical source, to flow into the first gas passage, and
The step (b) of irradiating the first gas flowing through the first gas flow path with ultraviolet light from a light source, and
After the step (b), a step (c) of mixing the first gas with a second gas having a lower oxygen concentration than the first gas is added.
It is characterized by having a step (d) of spraying the mixed gas obtained in the step (c) onto the surface of the object.

上記の場合において、工程(c)は、光源を内蔵する筐体と対象物との間の位置で行われても構わないし、筐体内で行われても構わない。 In the above case, the step (c) may be performed at a position between the housing containing the light source and the object, or may be performed inside the housing.

本発明のガス供給装置によれば、従来よりも高濃度でラジカルを含むガス(混合ガス)を、ガス流出口から流出させることができ、かかるガスを対象物に対して吹き付けることが可能となる。 According to the gas supply device of the present invention, a gas containing radicals (mixed gas) having a higher concentration than the conventional one can be discharged from the gas outlet, and the gas can be blown onto the object. ..

ガス供給装置の第一実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of the 1st Embodiment of a gas supply apparatus. 図1Aから光源5の図示を省略した図面である。It is the drawing which omitted the illustration of the light source 5 from FIG. 図1Aに示すガス供給装置を、図1Aとは異なる方向から切断したときの模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view when the gas supply device shown in FIG. 1A is cut from a direction different from that in FIG. 1A. 図1Aに示すガス供給装置の模式的な別の断面図である。FIG. 3 is another schematic cross-sectional view of the gas supply device shown in FIG. 1A. Xeを含む発光ガスが封入されたエキシマランプの発光スペクトルと、酸素(O2)の吸収スペクトルとを重ねて表示したグラフである。It is a graph which superposed the emission spectrum of the excimer lamp containing the luminescent gas containing Xe, and the absorption spectrum of oxygen (O 2). 実施例1のシミュレーションモデル構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the simulation model structure of Example 1. FIG. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. ガス供給装置の第一実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of 1st Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第二実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. 図9内の狭小部17の近傍の拡大図である。It is an enlarged view of the vicinity of the narrow portion 17 in FIG. 実施例2のシミュレーションモデル構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the simulation model structure of Example 2. FIG. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. ガス供給装置の第二実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第二実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第二実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第二実施形態の別構成例を模式的に示す一部断面図である。It is a partial cross-sectional view which shows typically another configuration example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第二実施形態の別構成例を模式的に示す一部断面図である。It is a partial cross-sectional view which shows typically another configuration example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第二実施形態の別構成例を模式的に示す一部断面図である。It is a partial cross-sectional view which shows typically another configuration example of the 2nd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第三実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of the 3rd Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第三実施形態が備える光源の模式的な平面図である。It is a schematic plan view of the light source provided in the 3rd Embodiment of a gas supply device. ガス供給装置の第三実施形態が備える光源の別の模式的な平面図である。It is another schematic plan view of the light source provided in the 3rd Embodiment of a gas supply device. ガス供給装置の第四実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of the 4th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第四実施形態の構成例を、図20とは異なる方向から切断したときの模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view when the structural example of the 4th Embodiment of a gas supply device is cut from the direction different from FIG. シミュレーション結果を示すグラフである。It is a graph which shows the simulation result. ガス供給装置の第五実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of the 5th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第五実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of 5th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第五実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of 5th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第五実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of 5th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第五実施形態の別構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another configuration example of 5th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の第六実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of the 6th Embodiment of a gas supply apparatus. ガス供給装置の別実施形態の構成例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structural example of another embodiment of a gas supply apparatus.

[第一実施形態]
本発明に係るガス供給装置の第一実施形態につき、以下において説明する。
[First Embodiment]
The first embodiment of the gas supply device according to the present invention will be described below.

《構造》
図1Aは、本実施形態のガス供給装置の一構成例を模式的に示す断面図である。図1Aに示すガス供給装置1は、筒状の筐体3と、筐体3内に配置された光源5と、光化学反応を生じさせる対象となる第一ガスG1が流入される第一ガス流入口11と、この第一ガスG1が通流する第一ガス通流路8とを備える。
"Construction"
FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the gas supply device of the present embodiment. In the gas supply device 1 shown in FIG. 1A, a tubular housing 3, a light source 5 arranged in the housing 3, and a first gas flow into which a first gas G1 to cause a photochemical reaction flows. An inlet 11 and a first gas passage 8 through which the first gas G1 passes are provided.

更に、ガス供給装置1は、第一ガスG1とは異なるガスである第二ガスG2が流入される第二ガス流入口12と、この第二ガスG2が通流する第二ガス通流路9と、第一ガスG1と第二ガスG2とが混合された混合ガスG3を、装置外に流出されるためのガス流出口13とを備える。第一ガスG1と第二ガスG2とは、ガス混合部14において混合される。 Further, the gas supply device 1 includes a second gas inflow port 12 into which the second gas G2, which is a gas different from the first gas G1, flows in, and a second gas flow path 9 through which the second gas G2 passes. And a gas outlet 13 for flowing out the mixed gas G3, which is a mixture of the first gas G1 and the second gas G2, to the outside of the apparatus. The first gas G1 and the second gas G2 are mixed in the gas mixing unit 14.

第一ガスG1は、ラジカル源となる酸素を含むガスである。一例として、第一ガスG1は、酸素を含む混合ガス(例えば酸素と窒素の混合ガス)や空気である。第二ガスG2は、第一ガスG1よりも含有される酸素濃度の低いガスである。一例として、第二ガスG2は、N2、Ar、Neなどの不活性ガス、複数種類の不活性ガスが混合されたガス、不活性ガスに低濃度の酸素が含有された混合ガスである。 The first gas G1 is a gas containing oxygen as a radical source. As an example, the first gas G1 is a mixed gas containing oxygen (for example, a mixed gas of oxygen and nitrogen) or air. The second gas G2 is a gas having a lower oxygen concentration than the first gas G1. As an example, the second gas G2 is an inert gas such as N 2 , Ar, or Ne, a gas in which a plurality of types of inert gases are mixed, or a mixed gas in which the inert gas contains a low concentration of oxygen.

ガス供給装置1は、第一ガス通流路8内を通流する第一ガスG1に対して、光源5から発せされた紫外光L1を照射し、第一ガスG1に含まれるラジカル源となる原料物質に対して光化学反応を生じさせる。これにより、第一ガスG1は、ラジカルが含有した状態で、ガス流出口13に導かれ、ガス流出口13から排出される。図1Aに示すように、ガス供給装置1の外側には、処理対象となる対象物40が載置されており、この表面にラジカルを含むガスが吹き付けられて、所定の処理が施される。 The gas supply device 1 irradiates the first gas G1 flowing through the first gas passage 8 with ultraviolet light L1 emitted from the light source 5 and serves as a radical source contained in the first gas G1. Causes a photochemical reaction with the raw material. As a result, the first gas G1 is guided to the gas outlet 13 in a state of containing radicals, and is discharged from the gas outlet 13. As shown in FIG. 1A, an object 40 to be treated is placed on the outside of the gas supply device 1, and a gas containing radicals is sprayed on the surface of the object 40 to perform a predetermined treatment.

本実施形態のガス供給装置1では、第一ガスG1が通流する第一ガス通流路8の外側に、第二ガスG2が通流する第二ガス通流路9が設けられている。図1Bは、説明の都合上、図1Aから光源5の図示を省略した図面である。 In the gas supply device 1 of the present embodiment, a second gas passage 9 through which the second gas G2 passes is provided outside the first gas passage 8 through which the first gas G1 passes. FIG. 1B is a drawing in which the light source 5 is not shown from FIG. 1A for convenience of explanation.

図1Bに示すように、ガス供給装置1が備える筐体3は、内側に第一空間15を形成する第一壁体3aと、第一壁体3aの外側において、第一壁体3aとの間に第二空間16を形成する第二壁体3bとを有する。図1A及び図1Bに示すように、第一空間15内には光源5及び第一ガス通流路8が位置しており、第二空間16内には第二ガス通流路9が位置している。 As shown in FIG. 1B, the housing 3 included in the gas supply device 1 has a first wall body 3a forming a first space 15 inside and a first wall body 3a outside the first wall body 3a. It has a second wall body 3b that forms a second space 16 between them. As shown in FIGS. 1A and 1B, the light source 5 and the first gas passage 8 are located in the first space 15, and the second gas passage 9 is located in the second space 16. ing.

光源5は、第一ガス通流路8に向かって紫外光L1を発する発光面5aを有する。本実施形態において、発光面5aは、第一ガス通流路8の形状に沿って、すなわち、第一ガスG1の通流方向である第一方向d1に沿って形成されている。すなわち、この第一方向d1は、第一ガス流入口11からガス流出口13に向かう方向である。 The light source 5 has a light emitting surface 5a that emits ultraviolet light L1 toward the first gas passage 8. In the present embodiment, the light emitting surface 5a is formed along the shape of the first gas flow path 8, that is, along the first direction d1 which is the flow direction of the first gas G1. That is, the first direction d1 is the direction from the first gas inflow port 11 to the gas outflow port 13.

本実施形態では、光源5の例として、エキシマランプが採用される。この場合の構造の一例について、図2を参照して説明する。図2は、図1Aに示すガス供給装置1を、第一方向d1に直交する平面で切断したときの模式的な断面図である。一方、図1Aは、ガス供給装置1を、第一方向d1に平行な平面で切断したときの模式的な断面図に対応する。 In this embodiment, an excimer lamp is adopted as an example of the light source 5. An example of the structure in this case will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the gas supply device 1 shown in FIG. 1A when it is cut in a plane orthogonal to the first direction d1. On the other hand, FIG. 1A corresponds to a schematic cross-sectional view when the gas supply device 1 is cut in a plane parallel to the first direction d1.

図2に示すように、筐体3の内側に配置された光源5は、第一方向d1に沿って延伸する発光管21を有する。より詳細には、この発光管21は、円筒形状を呈し外側に位置する外側管21aと、外側管21aの内側において外側管21aと同軸上に配置されており、外側管21aよりも内径が小さい円筒形状を呈した内側管21bとを有する。いずれの発光管21(21a,21b)も、合成石英ガラスなどの誘電体からなる。 As shown in FIG. 2, the light source 5 arranged inside the housing 3 has a light emitting tube 21 extending along the first direction d1. More specifically, the arc tube 21 has a cylindrical shape and is arranged coaxially with the outer tube 21a located on the outside and the outer tube 21a inside the outer tube 21a, and has a smaller inner diameter than the outer tube 21a. It has an inner tube 21b having a cylindrical shape. Each arc tube 21 (21a, 21b) is made of a dielectric such as synthetic quartz glass.

内側管21bには、中空の筒状空間が管軸方向に沿って貫通形成されており、この筒状空間が第一ガス通流路8を構成する。 A hollow tubular space is formed through the inner pipe 21b along the pipe axis direction, and this tubular space constitutes the first gas passage passage 8.

外側管21aと内側管21bとは、共に第一方向d1に係る端部において封止されており(不図示)、両者の間には、第一方向d1から見たときに円環形状を呈する発光空間が形成される。この発光空間内には、放電によってエキシマ分子を形成する発光ガス23Gが封入されている。 Both the outer tube 21a and the inner tube 21b are sealed at the end portion related to the first direction d1 (not shown), and both have an annular shape when viewed from the first direction d1. A light emitting space is formed. In this light emitting space, a light emitting gas 23G that forms excimer molecules by electric discharge is enclosed.

なお、発光ガス23Gの材料によって、発光管21から発せられる紫外光L1の波長が決定される。言い換えれば、紫外光L1として得たい波長に応じて、発光ガス23Gの材料は適宜選択される。発光ガス23Gとしては、例えば、Xe、Ar、Kr、ArBr、ArF、KrCl、及びKrBrからなる群に属する少なくとも一種の材料を含むガスとすることができる。これらの材料によって発光ガス23Gを実現した場合、紫外光L1の主たる発光波長は、230nm未満となる。 The wavelength of the ultraviolet light L1 emitted from the arc tube 21 is determined by the material of the luminescent gas 23G. In other words, the material of the luminescent gas 23G is appropriately selected according to the wavelength desired to be obtained as the ultraviolet light L1. The luminescent gas 23G can be, for example, a gas containing at least one material belonging to the group consisting of Xe, Ar, Kr, ArBr, ArF, KrCl, and KrBr. When the luminescent gas 23G is realized by these materials, the main luminescent wavelength of the ultraviolet light L1 is less than 230 nm.

図2に例示された光源5は、外側管21aの外壁面上に配設された第一電極31と、内側管21bの内壁面上に配設された第二電極32とを有する。一例として、第一電極31は膜形状を呈し、第二電極32はメッシュ形状又は線形状を呈する。なお、第一電極31についても、第二電極32と同様にメッシュ形状又は線形状であっても構わない。これらの電極(31,32)には、不図示の給電線が接続されている。 The light source 5 illustrated in FIG. 2 has a first electrode 31 arranged on the outer wall surface of the outer tube 21a and a second electrode 32 arranged on the inner wall surface of the inner tube 21b. As an example, the first electrode 31 has a film shape, and the second electrode 32 has a mesh shape or a line shape. The first electrode 31 may also have a mesh shape or a linear shape as in the second electrode 32. Feed lines (not shown) are connected to these electrodes (31, 32).

エキシマランプで構成された光源5は、不図示の点灯電源から給電線を介して第一電極31と第二電極32との間に、例えば50kHz〜5MHz程度の高周波の交流電圧が印加されると、発光ガス23Gに対して、発光管21を介して前記電圧が印加される。このとき、発光ガス23Gが充填されている放電空間内で放電プラズマが生じ、発光ガス23Gの原子が励起されてエキシマ状態となり、この原子が基底状態に移行する際にエキシマ発光を生じる。発光ガス23Gとして、上述したキセノン(Xe)を含むガスを用いた場合には、このエキシマ発光は、172nm近傍にピーク波長を有する紫外光L1となる。 In the light source 5 composed of an excimer lamp, when a high-frequency AC voltage of, for example, about 50 kHz to 5 MHz is applied between the first electrode 31 and the second electrode 32 from a lighting power source (not shown) via a feeder line. The voltage is applied to the light emitting gas 23G via the light emitting tube 21. At this time, a discharge plasma is generated in the discharge space filled with the luminescent gas 23G, an atom of the luminescent gas 23G is excited to enter an excimer state, and when this atom shifts to the ground state, excimer emission is generated. When the above-mentioned gas containing xenon (Xe) is used as the luminescent gas 23G, this excimer luminescence becomes ultraviolet light L1 having a peak wavelength in the vicinity of 172 nm.

発光管21の内側管21bには、上述したようにメッシュ形状又は線形状を呈した第二電極32が形成されている。このため、第二電極32には隙間が存在し、紫外光L1は、この隙間を通じて発光管21よりも内側に形成された中空の筒状空間、すなわち第一ガス通流路8に向かって照射される。 The inner tube 21b of the arc tube 21 is formed with a second electrode 32 having a mesh shape or a linear shape as described above. Therefore, there is a gap in the second electrode 32, and the ultraviolet light L1 irradiates the hollow tubular space formed inside the arc tube 21 through this gap, that is, toward the first gas flow path 8. Will be done.

すなわち、光源5は、第一方向d1に沿って延在する内側管21bの内側面によって形成される発光面5a(図1A参照)を有する。 That is, the light source 5 has a light emitting surface 5a (see FIG. 1A) formed by the inner surface of the inner tube 21b extending along the first direction d1.

なお、図3に示すように、第一電極31をメッシュ形状又は線形状とし、第一電極31と筐体3(第一壁体3a)の間に、紫外光L1を反射する反射部材33を備えるものとしても構わない。より詳細には、第一壁体3aの光源5側の面に反射部材33を設けるものとしても構わない。この反射部材33は、紫外光L1に対する高い反射率(例えば80%以上)を示す材料で構成されており、例えば、Al、Al合金、ステンレス、シリカ、シリカアルミナ等などを利用することができる。 As shown in FIG. 3, the first electrode 31 has a mesh shape or a line shape, and a reflective member 33 that reflects ultraviolet light L1 is provided between the first electrode 31 and the housing 3 (first wall body 3a). It may be prepared. More specifically, the reflection member 33 may be provided on the surface of the first wall body 3a on the light source 5 side. The reflective member 33 is made of a material that exhibits a high reflectance (for example, 80% or more) with respect to ultraviolet light L1, and for example, Al, Al alloy, stainless steel, silica, silica alumina, or the like can be used.

また、第一壁体3a自体が紫外光L1に対する反射性を示す材料(例えばSUSなどのステンレス)で構成されている場合には、第一壁体3aの面を反射部材33として利用することができる。 Further, when the first wall body 3a itself is made of a material (for example, stainless steel such as SUS) that exhibits reflectance to ultraviolet light L1, the surface of the first wall body 3a can be used as the reflecting member 33. can.

図4は、Xeを含む発光ガス23Gが封入されたエキシマランプで構成された光源5の発光スペクトルと、酸素(O2)の吸収スペクトルとを重ねて表示したグラフである。図4において、横軸は波長を示し、左縦軸はエキシマランプの光強度の相対値を示し、右縦軸は、酸素(O2)の吸収係数を示す。 FIG. 4 is a graph in which the emission spectrum of the light source 5 configured by the excimer lamp in which the emission gas 23G containing Xe is enclosed and the absorption spectrum of oxygen (O 2 ) are superimposed and displayed. In FIG. 4, the horizontal axis represents the wavelength, the left vertical axis represents the relative value of the light intensity of the excimer lamp, and the right vertical axis represents the absorption coefficient of oxygen (O 2).

エキシマランプの発光ガス23GとしてXeを含むガスを用いる場合、図4に示されるように、光源5から出射される紫外光L1は、主たる発光波長が172nmであり、およそ160nm以上190nm以下の範囲内に帯域を有する。 When a gas containing Xe is used as the emission gas 23G of the excimer lamp, as shown in FIG. 4, the ultraviolet light L1 emitted from the light source 5 has a main emission wavelength of 172 nm and is within a range of about 160 nm or more and 190 nm or less. Has a band in.

第一ガスG1が、酸素(O2)を含むガスである場合、光源5から出射された波長λの紫外光L1が第一ガスG1に対して照射され、酸素(O2)に吸収されると、以下の(2)式及び(3)式の反応が進行する。(2)式において、O(1D)は、励起状態のO原子であり、極めて高い反応性を示す。O(3P)は基底状態のO原子である。(2)式と(3)式の反応は、紫外光L1の波長成分に応じて生じる。
2 + hν(λ) → O(1D) + O(3P) ‥‥(2)
2 + hν(λ) → O(3P) + O(3P) ‥‥(3)
When the first gas G1 is a gas containing oxygen (O 2 ), the ultraviolet light L1 having a wavelength λ emitted from the light source 5 is irradiated to the first gas G1 and absorbed by oxygen (O 2). Then, the reactions of the following equations (2) and (3) proceed. In equation (2), O ( 1 D) is an excited O atom and exhibits extremely high reactivity. O ( 3 P) is an O atom in the ground state. The reaction of equations (2) and (3) occurs depending on the wavelength component of the ultraviolet light L1.
O 2 + hν (λ) → O ( 1 D) + O ( 3 P) ‥‥ (2)
O 2 + hν (λ) → O ( 3 P) + O ( 3 P) ‥‥ (3)

すなわち、第一ガスG1に対して紫外光L1が照射されると、O(1D)やO(3P)といったラジカルが生成されて、第一ガスG1に含有される。特に、本実施形態のガス供給装置1では、光源5の発光面5aが第一方向d1に沿って延在するため、第一ガスG1は、ガス流出口13に向かって第一ガス通流路8内を通流する間、紫外光L1が照射され続ける。これにより、第一ガスG1に含まれる未反応のラジカル源に対しても、次々と光化学反応が生じ、第一ガスG1は、ラジカルを高濃度で含んだ状態のままガス混合部14まで進行する。 That is, when the first gas G1 is irradiated with ultraviolet light L1, radicals such as O (1 D) and O ( 3 P) are generated and contained in the first gas G1. In particular, in the gas supply device 1 of the present embodiment, since the light emitting surface 5a of the light source 5 extends along the first direction d1, the first gas G1 is the first gas passage toward the gas outlet 13. Ultraviolet light L1 continues to be irradiated while passing through the inside of 8. As a result, photochemical reactions occur one after another with respect to the unreacted radical source contained in the first gas G1, and the first gas G1 proceeds to the gas mixing unit 14 in a state of containing a high concentration of radicals. ..

一方、第一ガス通流路8とは別の第二ガス通流路9には、第二ガス流入口12から流入された第二ガスG2が、第一ガスG1と同様に第一方向d1に通流する。この第二ガスG2は、第一ガスG1よりも含有される酸素濃度が低く、好ましくは不活性ガスである。本実施形態のガス供給装置1では、第二ガスG2は、第二ガス通流路9内を第一方向d1に沿って通流した後、筐体3の第二壁体3bの一部の内壁面3b1に衝突する。その後、第二ガスG2は進行方向が変換されて、ガス混合部14に導かれる。 On the other hand, in the second gas passage 9 different from the first gas passage 8, the second gas G2 flowing in from the second gas inflow port 12 is sent in the first direction d1 in the same manner as the first gas G1. To flow to. The second gas G2 has a lower oxygen concentration than the first gas G1 and is preferably an inert gas. In the gas supply device 1 of the present embodiment, the second gas G2 is a part of the second wall body 3b of the housing 3 after flowing through the second gas passage 9 along the first direction d1. It collides with the inner wall surface 3b1. After that, the traveling direction of the second gas G2 is changed and the second gas G2 is guided to the gas mixing unit 14.

ガス混合部14では、ラジカルを含む第一ガスG1と、第一ガスG1よりも酸素濃度が低い第二ガスG2が混合される。本実施形態のガス供給装置1では、第一方向d1に進行する第一ガスG1と、この第一方向d1に対して実質的に直交する方向に進行する第二ガスG2とが、ガス混合部14において混合される。この第一ガスG1と第二ガスG2とが混合された混合ガスG3が、ガス流出口13から対象物40に向かって流出される。 In the gas mixing unit 14, the first gas G1 containing radicals and the second gas G2 having an oxygen concentration lower than that of the first gas G1 are mixed. In the gas supply device 1 of the present embodiment, the first gas G1 traveling in the first direction d1 and the second gas G2 traveling in a direction substantially orthogonal to the first direction d1 are mixed with each other. 14 is mixed. The mixed gas G3, which is a mixture of the first gas G1 and the second gas G2, flows out from the gas outlet 13 toward the object 40.

すなわち、本実施形態のガス供給装置1によれば、ガス流出口13よりも手前側(上流側)の位置であるガス混合部14において、酸素ラジカルを含む第一ガスG1が、この第一ガスG1よりも酸素濃度が低い第二ガスG2に混合される結果、ガスに含まれる酸素濃度が低下する。これにより、活性の高い酸素ラジカルが酸素と反応する速度が遅くなるため、ラジカルを多く含んだ状態の混合ガスG3を、ガス流出口13から対象物40に吹き付けることが可能となる。 That is, according to the gas supply device 1 of the present embodiment, in the gas mixing section 14 located on the front side (upstream side) of the gas outlet 13, the first gas G1 containing oxygen radicals is the first gas. As a result of being mixed with the second gas G2 having an oxygen concentration lower than that of G1, the oxygen concentration contained in the gas decreases. As a result, the rate at which highly active oxygen radicals react with oxygen slows down, so that the mixed gas G3 in a state containing a large amount of radicals can be blown onto the object 40 from the gas outlet 13.

《検証》
本実施形態のガス供給装置1によれば、ガス流出口13から排出されるガス(混合ガスG3)に高濃度のラジカルが含有される点につき、シミュレーションにより検証した。
"inspection"
According to the gas supply device 1 of the present embodiment, the point that the gas discharged from the gas outlet 13 (mixed gas G3) contains a high concentration of radicals was verified by simulation.

図5は、このシミュレーションに利用されたガス供給装置のモデルを模式的に示す断面図である。 FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a model of the gas supply device used in this simulation.

シミュレーションで利用されたガス供給装置1は、第一方向d1に係る長さh1が50mmの筒状体の側面形状を呈した発光面5aを有する光源5と、この発光面5aに囲まれた領域に形成された第一ガス通流路8と、第一ガス通流路8の外側に形成された第二ガス通流路9とを備えていた。光源5は、主たるピーク波長が172nmのXeエキシマランプとされた。 The gas supply device 1 used in the simulation is a light source 5 having a light emitting surface 5a having a side shape of a tubular body having a length h1 of 50 mm in the first direction d1, and a region surrounded by the light emitting surface 5a. A first gas passage 8 formed in the above and a second gas passage 9 formed outside the first gas passage 8 were provided. The light source 5 was an Xe excimer lamp having a main peak wavelength of 172 nm.

ガス供給装置1は、第一ガス通流路8に連絡される、直径5mmの円形状の第一ガス流入口11と、第一ガス流入口11を取り囲むように外側に位置し、第二ガス通流路9に連絡される、直径9mmの円環状の第二ガス流入口12とを備えていた。また、ガス供給装置1は、第一ガス流入口11及び第二ガス流入口12に対して、第一方向d1に離間した位置に、直径5mmの円形状のガス流出口13を備えていた。 The gas supply device 1 is located outside so as to surround the first gas inlet 11 having a diameter of 5 mm and the first gas inlet 11 connected to the first gas passage 8, and the second gas. It was provided with an annular second gas inflow port 12 having a diameter of 9 mm, which was connected to the flow path 9. Further, the gas supply device 1 is provided with a circular gas outlet 13 having a diameter of 5 mm at a position separated from the first gas inlet 11 and the second gas inlet 12 in the first direction d1.

より詳細には、ガス流出口13は、第一ガス通流路8と第二ガス通流路9とが連絡される、ガス混合部14の下流側に設けられており、対象物40との離間距離v1が9mmに設定された。また、第二ガス通流路9は、ガス流出口13よりも、距離v2だけ上流側の位置において、第一ガス通流路8と連絡されていた。この距離v2は1mmに設定された。 More specifically, the gas outlet 13 is provided on the downstream side of the gas mixing section 14 where the first gas passage 8 and the second gas passage 9 are connected to each other, and is provided with the object 40. The separation distance v1 was set to 9 mm. Further, the second gas passage 9 was communicated with the first gas passage 8 at a position upstream of the gas outlet 13 by a distance v2. This distance v2 was set to 1 mm.

上記シミュレーションモデルのガス供給装置1において、光源5から発光面5aにおける照度50mW/cm2で紫外光L1を第一ガス通流路8に対して照射しながら、第一ガス流入口11及び第二ガス流入口12から、それぞれ所定流量のガスを流入させたときの、対象物40の表面におけるラジカルの濃度を測定した。より具体的には、以下のシミュレーション条件で演算を行った。 In the gas supply device 1 of the simulation model, the first gas inlet 11 and the second gas inlet 11 and the second gas inlet 11 and the second gas inlet 11 and the second gas inlet 11 and the second gas inlet 11 and the second gas inflow port 8 are irradiated with ultraviolet light L1 from the light source 5 at an illuminance of 50 mW / cm 2 on the light emitting surface 5a. The concentration of radicals on the surface of the object 40 was measured when a predetermined flow rate of gas was flowed in from the gas inlet 12. More specifically, the calculation was performed under the following simulation conditions.

第一ガス通流路8、光源5、及び第二ガス通流路9は、いずれも軸対称の構造を呈しており、第一ガス通流路8を取り囲むように、光源5の発光面5aが配置され、光源5を取り囲むように第二ガス通流路9が配置されるような構造とした。そして、対象物40は、第一ガス通流路8の中心軸上に中心が配置された、半径r1(図5参照)が20mmの円形状を呈していた。 The first gas passage 8, the light source 5, and the second gas passage 9 all have an axisymmetric structure, and the light emitting surface 5a of the light source 5 surrounds the first gas passage 8. Is arranged, and the structure is such that the second gas passage 9 is arranged so as to surround the light source 5. The object 40 had a circular shape with a radius r1 (see FIG. 5) having a center arranged on the central axis of the first gas passage 8 and having a radius r1 (see FIG. 5).

(実施例1)80%の窒素ガスと20%の酸素ガスの混合ガスからなる第一ガスG1を、15L/minの流量で第一ガス流入口11からガス供給装置1内に導入すると共に、100%窒素ガスからなる第二ガスG2を、35L/minの流量で第二ガス流入口12からガス供給装置1内に導入した。 (Example 1) The first gas G1 composed of a mixed gas of 80% nitrogen gas and 20% oxygen gas is introduced into the gas supply device 1 from the first gas inflow port 11 at a flow rate of 15 L / min, and at the same time. The second gas G2 composed of 100% nitrogen gas was introduced into the gas supply device 1 from the second gas inflow port 12 at a flow rate of 35 L / min.

(参考例1)80%の窒素ガスと20%の酸素ガスの混合ガスからなる第一ガスG1を、15L/minの流量で第一ガス流入口11からガス供給装置1内に導入した。ただし、実施例1と比較して、第二ガスG2についてはガス供給装置1内に導入していない。 (Reference Example 1) The first gas G1 composed of a mixed gas of 80% nitrogen gas and 20% oxygen gas was introduced into the gas supply device 1 from the first gas inflow port 11 at a flow rate of 15 L / min. However, as compared with the first embodiment, the second gas G2 is not introduced in the gas supply device 1.

上記実施例1及び参考例1の双方について、ガス供給装置1のガス流出口13に対向して配置された対象物40の面の、中心から半径2.5mm(φ5mm)の範囲内の領域に噴射されたガスに含まれる酸素ラジカルO(3P)の平均濃度を算出した。なお、ここでいう「ガス」とは、実施例1の場合には、紫外光L1が照射された後の第一ガスG1と第二ガスG2とが混合されてなる混合ガスG3に対応し、参考例1の場合には紫外光L1が照射された後の第一ガスG1に対応する。 For both Example 1 and Reference Example 1, in a region within a radius of 2.5 mm (φ5 mm) from the center of the surface of the object 40 arranged to face the gas outlet 13 of the gas supply device 1. The average concentration of oxygen radical O (3 P) contained in the injected gas was calculated. In the case of the first embodiment, the "gas" here corresponds to a mixed gas G3 in which the first gas G1 and the second gas G2 after being irradiated with the ultraviolet light L1 are mixed. In the case of Reference Example 1, it corresponds to the first gas G1 after being irradiated with ultraviolet light L1.

(結果)
上記シミュレーション条件下での演算結果を図6Aに示す。図6Aによれば、実施例1の方が、参考例1よりも、対象物40の面に吹き付けられるガスに含まれる酸素ラジカルO(3P)の平均濃度が4倍以上大きく上昇していることが確認された。
(result)
The calculation result under the above simulation conditions is shown in FIG. 6A. According to FIG. 6A, the average concentration of oxygen radical O (3 P) contained in the gas sprayed on the surface of the object 40 is increased four times or more in Example 1 as compared with Reference Example 1. It was confirmed that.

この結果から、実施例1によれば、酸素濃度の低い第二ガスG2がガス流出口13の手前の位置で第一ガスG1と混合されることで、上述した(1)式による反応の速度が低下し、対象物40の面に到達する迄の間に、(1)式の反応によってO(3P)の濃度が低下することが抑制できているものと考えられる。 From this result, according to Example 1, the second gas G2 having a low oxygen concentration is mixed with the first gas G1 at a position in front of the gas outlet 13, so that the reaction speed according to the above-mentioned equation (1) is obtained. It is considered that the decrease in the concentration of O (3 P) due to the reaction of the formula (1) can be suppressed by the time when the concentration decreases and reaches the surface of the object 40.

なお、第一ガスG1を、99.5%の窒素ガスと0.5%の酸素ガスの混合ガスとして、同様のシミュレーションを行った結果を、図6Bに示す。図6Bによれば、実施例1の方が、参考例1よりも、対象物40の面に吹き付けられる混合ガスG3に含まれる酸素ラジカルO(3P)の平均濃度が15倍以上(約16倍にまで)大きく上昇していることが確認された。 The result of performing the same simulation using the first gas G1 as a mixed gas of 99.5% nitrogen gas and 0.5% oxygen gas is shown in FIG. 6B. According to FIG. 6B, the average concentration of oxygen radicals O (3 P) contained in the mixed gas G3 sprayed on the surface of the object 40 is 15 times or more (about 16 times) in Example 1 as compared with Reference Example 1. It was confirmed that the increase was large (up to double).

次に、実施例1において、第一ガスG1と第二ガスG2の流量比を変化させて、同様のシミュレーションを行った。この結果を、図7A及び図7Bに示す。図7Aは、図6Aに示す実施例1と同様に、第一ガスG1を、80%の窒素ガスと20%の酸素ガスの混合ガスとした場合において、第一ガスG1の流量を15L/minで固定して、第二ガスG2の流量を異ならせたときの、対象物40の表面における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度の変化を示すグラフである。図7Bは、図6Bに示す実施例1と同様に、第一ガスG1を、99.5%の窒素ガスと0.5%の酸素ガスの混合ガスとした場合において、第一ガスG1の流量を15L/minで固定して、第二ガスG2の流量を異ならせたときの、対象物40の表面における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度の変化を示すグラフである。なお、いずれの図面においても、例えば第一ガスG1と第二ガスG2の流量比が1:3であることを、「G1:G2=1:3」なる表記で示している。他の流量比についても同様である。 Next, in Example 1, the same simulation was performed by changing the flow rate ratio of the first gas G1 and the second gas G2. The results are shown in FIGS. 7A and 7B. FIG. 7A shows a flow rate of the first gas G1 of 15 L / min when the first gas G1 is a mixed gas of 80% nitrogen gas and 20% oxygen gas, as in Example 1 shown in FIG. 6A. It is a graph which shows the change of the average concentration of oxygen radical O (3 P) on the surface of an object 40 when it fixed with and made the flow rate of the 2nd gas G2 different. FIG. 7B shows the flow rate of the first gas G1 when the first gas G1 is a mixed gas of 99.5% nitrogen gas and 0.5% oxygen gas, as in Example 1 shown in FIG. 6B. Is a graph showing the change in the average concentration of oxygen radical O (3 P) on the surface of the object 40 when the flow rate of the second gas G2 is changed by fixing the gas at 15 L / min. In any of the drawings, for example, the flow rate ratio of the first gas G1 and the second gas G2 is 1: 3, which is indicated by the notation "G1: G2 = 1: 3". The same applies to other flow rate ratios.

図7A及び図7Bによれば、第一ガスG1に含まれる酸素濃度が20%である場合も0.5%である場合も、第二ガスG2の流量を増やすに連れて、対象物40の表面における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度が増加していることが分かる。特に、図7Aに示すように、図7Bの場合と比べて第一ガスG1に含まれる酸素濃度が比較的高い場合には、第二ガスG2を第一ガスG1の2倍以上の流量で混合させることで、対象物40の表面における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度を大きく上昇させられることが確認された。 According to FIGS. 7A and 7B, regardless of whether the oxygen concentration contained in the first gas G1 is 20% or 0.5%, as the flow rate of the second gas G2 is increased, the object 40 It can be seen that the average concentration of oxygen radical O ( 3 P) on the surface is increasing. In particular, as shown in FIG. 7A, when the oxygen concentration contained in the first gas G1 is relatively higher than that in the case of FIG. 7B, the second gas G2 is mixed at a flow rate twice or more that of the first gas G1. It was confirmed that the average concentration of oxygen radical O (3 P) on the surface of the object 40 can be greatly increased by allowing the mixture.

《別構成例》
以下、本実施形態の別構成例について説明する。
<< Another configuration example >>
Hereinafter, another configuration example of the present embodiment will be described.

〈1〉図2及び図3を参照して上述したように、ガス供給装置1は、第一方向d1から見たときに円形状を呈した光源5を備えるものとして説明した。しかし、光源5の形状はこれに限られない。後述する第二実施形態のガス供給装置1においても同様である。 <1> As described above with reference to FIGS. 2 and 3, the gas supply device 1 has been described as including a light source 5 having a circular shape when viewed from the first direction d1. However, the shape of the light source 5 is not limited to this. The same applies to the gas supply device 1 of the second embodiment described later.

例えば、図8に示すように、ガス供給装置1は、矩形環状の発光管21を有する光源5を備えるものとしても構わない。この場合、内側管21bの内側によって形成される第一ガス通流路8も、第一方向d1から見たときに矩形状を呈する。また、第一ガス通流路8の外側に形成される、第二ガス通流路9は、第一方向d1から見たときに矩形環状を呈する。 For example, as shown in FIG. 8, the gas supply device 1 may include a light source 5 having a rectangular annular arc tube 21. In this case, the first gas passage 8 formed by the inside of the inner pipe 21b also has a rectangular shape when viewed from the first direction d1. Further, the second gas passage 9 formed on the outside of the first gas passage 8 exhibits a rectangular ring shape when viewed from the first direction d1.

〈2〉上記実施形態では、ガス供給装置1が備える筐体3は、第二ガス通流路9と光源5との間に、仕切り機能を示す第一壁体3aを備えるものとして説明した。しかし、この第一壁体3aを備えずに、光源5を構成する発光管21の外側に第二ガス通流路9が形成されていても構わない。この場合においても、図3を参照して上述したように、発光管21の外側面に、紫外光L1を反射させる反射部材33を設けるのが好ましい。これにより、第二ガス通流路9側に進行する紫外光L1が第一ガス通流路8側に戻され、第一ガスG1に対して照射される紫外光L1の照射線量が高められる。 <2> In the above embodiment, the housing 3 included in the gas supply device 1 is described as having a first wall body 3a exhibiting a partition function between the second gas passage 9 and the light source 5. However, the second gas passage 9 may be formed on the outside of the arc tube 21 constituting the light source 5 without the first wall 3a. Also in this case, as described above with reference to FIG. 3, it is preferable to provide the reflecting member 33 that reflects the ultraviolet light L1 on the outer surface of the arc tube 21. As a result, the ultraviolet light L1 traveling to the second gas passage 9 side is returned to the first gas passage 8 side, and the irradiation dose of the ultraviolet light L1 irradiated to the first gas G1 is increased.

〈3〉上記実施形態では、ガス混合部14に流入する第一ガスG1と第二ガスG2の進行方向が実質的に直交するものとして説明したが、本発明はこの限りではない。ただし、ガス混合部14において、第一ガスG1に対して酸素濃度の低い第二ガスG2を混合させる効果を高める観点からは、両者の進行方向が実質的に直交する関係、すなわち両者の角度が70°〜110°にあるのが好ましく、80°〜100°であるのがより好ましい。 <3> In the above embodiment, it has been described that the traveling directions of the first gas G1 and the second gas G2 flowing into the gas mixing unit 14 are substantially orthogonal to each other, but the present invention is not limited to this. However, from the viewpoint of enhancing the effect of mixing the second gas G2 having a low oxygen concentration with the first gas G1 in the gas mixing unit 14, the relationship in which the traveling directions of the two are substantially orthogonal to each other, that is, the angle between the two is large. It is preferably 70 ° to 110 °, more preferably 80 ° to 100 °.

[第二実施形態]
本発明に係るガス供給装置の第二実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
[Second Embodiment]
The second embodiment of the gas supply device according to the present invention will be described focusing on the parts different from the first embodiment.

《構造》
図9は、本実施形態のガス供給装置の一構成例を模式的に示す断面図である。本実施形態は、第一実施形態と比較して、第一ガス通流路8が、ガス混合部14側において、第一ガス流入口11に近い位置(すなわち上流側)と比較して、流路断面積が小さい通流領域(以下、「狭小部17」と呼ぶ)を有している。図10は、図9内の狭小部17近傍の拡大図である。
"Construction"
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the gas supply device of the present embodiment. In this embodiment, as compared with the first embodiment, the first gas passage 8 flows on the gas mixing portion 14 side as compared with the position closer to the first gas inlet 11 (that is, on the upstream side). It has a flow region (hereinafter referred to as "narrow portion 17") having a small road cross-sectional area. FIG. 10 is an enlarged view of the vicinity of the narrow portion 17 in FIG.

第一実施形態と同様に、第一ガス通流路8内を第一ガスG1が通流する間、紫外光L1が照射されることで光化学反応が生じ、第一ガスG1は、ラジカルを高濃度で含んだ状態のまま狭小部17が形成されている領域まで進行する。 Similar to the first embodiment, while the first gas G1 is flowing through the first gas passage 8, a photochemical reaction occurs due to irradiation with ultraviolet light L1, and the first gas G1 has a high radical content. It proceeds to the region where the narrow portion 17 is formed while being contained in the concentration.

狭小部17に到達した第一ガスG1は、流路断面積が小さい狭小部17内を通流時に流速が速められて、ガス混合部14を経てガス流出口13から排出される。 The first gas G1 that has reached the narrow portion 17 has a high flow velocity when flowing through the narrow portion 17 having a small flow path cross-sectional area, and is discharged from the gas outlet 13 via the gas mixing portion 14.

すなわち、上記構成によれば、狭小部17よりも上流側、すなわち第一ガス流入口11側においては第一ガス通流路8内の流路断面積が大きいため、狭小部17内を通過する時点よりは遅い流速で第一ガスG1が第一ガス通流路8内を通流する。このため、第一ガスG1に対して、光源5からの紫外光L1が照射される時間が長く確保され、光化学反応によってラジカルを生成するのに十分な照射光量が確保される。 That is, according to the above configuration, since the flow path cross-sectional area in the first gas passage 8 is large on the upstream side of the narrow portion 17, that is, on the first gas inflow port 11 side, the passage passes through the narrow portion 17. The first gas G1 flows through the first gas passage 8 at a flow velocity slower than the time point. Therefore, the time during which the ultraviolet light L1 from the light source 5 is irradiated to the first gas G1 is secured for a long time, and a sufficient amount of irradiation light is secured to generate radicals by the photochemical reaction.

その後、この第一ガスG1は、狭小部17内を通流時に流速を速めながら、第二ガスG2と混合された後にガス流出口13を介して外部に排出される。この結果、対象物40の表面に達するまでの時間が短くなり、上述した(1)式の反応が生じることによるラジカルの減少を、更に抑制できる。 After that, the first gas G1 is mixed with the second gas G2 while increasing the flow velocity when flowing through the narrow portion 17, and then discharged to the outside through the gas outlet 13. As a result, the time required to reach the surface of the object 40 is shortened, and the reduction of radicals due to the reaction of the above-mentioned equation (1) can be further suppressed.

なお、図9及び図10に示すガス供給装置1では、光源5の発光面5aが、第一方向d1に沿って延在しているため、第一ガスG1が狭小部17の近傍の箇所に到達するまで、光源5からの紫外光L1が照射される。このため、狭小部17の近傍の箇所に到達した第一ガスG1は、高濃度にラジカルを含んだ状態となる。 In the gas supply device 1 shown in FIGS. 9 and 10, since the light emitting surface 5a of the light source 5 extends along the first direction d1, the first gas G1 is located near the narrow portion 17. The ultraviolet light L1 from the light source 5 is irradiated until it reaches the point. Therefore, the first gas G1 that has reached a portion near the narrow portion 17 is in a state of containing radicals at a high concentration.

更に、図9及び図10に示すガス供給装置1では、光源5の発光面5aのガス流出口13側(ガス混合部14側)の端部の第一方向d1に係る位置と、狭小部17の第一ガス流入口11側の端部の第一方向d1に係る位置がほぼ一致している。すなわち、第一方向d1に関し、発光面5aと狭小部17とが連続的に配置されている。かかる構成によれば、第一ガスG1の流速が上昇する直前まで第一ガスG1に対して紫外光L1が照射されるため、狭小部17に到達した第一ガスG1に含まれるラジカルの濃度が更に高められる。 Further, in the gas supply device 1 shown in FIGS. 9 and 10, the position of the end of the light emitting surface 5a of the light source 5 on the gas outlet 13 side (gas mixing portion 14 side) in the first direction d1 and the narrow portion 17 The positions of the ends on the side of the first gas inflow port 11 in the first direction d1 are substantially the same. That is, the light emitting surface 5a and the narrow portion 17 are continuously arranged with respect to the first direction d1. According to this configuration, the first gas G1 is irradiated with ultraviolet light L1 until just before the flow velocity of the first gas G1 increases, so that the concentration of radicals contained in the first gas G1 that has reached the narrow portion 17 is increased. It will be further enhanced.

《検証》
本実施形態のガス供給装置1によれば、ガス流出口13から排出されるガス(混合ガスG3)に対して、更に高濃度のラジカルが含有される点につき、第一実施形態と同様のシミュレーションにより検証した。
"inspection"
According to the gas supply device 1 of the present embodiment, a simulation similar to that of the first embodiment is performed in that a higher concentration of radicals is contained in the gas (mixed gas G3) discharged from the gas outlet 13. Verified by.

図11は、このシミュレーションに利用されたガス供給装置のモデルを模式的に示す断面図であり、実施例2に対応する。実施例2のガス供給装置1は、第一実施形態で上述した実施例1のガス供給装置1と比較して、狭小部17を備えている点が異なっている。すなわち、第一ガス通流路8は、筒状体の内径が均一な領域と、ガス混合部14に近づくに連れて前記内径が縮小する狭小部17とを備えていた。 FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing a model of the gas supply device used in this simulation, and corresponds to the second embodiment. The gas supply device 1 of the second embodiment is different from the gas supply device 1 of the first embodiment described above in the first embodiment in that it includes a narrow portion 17. That is, the first gas passage 8 includes a region where the inner diameter of the tubular body is uniform, and a narrow portion 17 whose inner diameter decreases as it approaches the gas mixing portion 14.

より詳細には、以下の通りである。実施例2のガス供給装置1は、直径5mmの円形状の第一ガス流入口11と、直径2.5mmの円形状のガス流出口13とを備えていた。狭小部17の、第一ガス流入口11側の端部は、第一ガス流入口11と同一の直径5mmの円形状を示していた。狭小部17の、ガス流出口13側の端部は、ガス流出口13と同一の直径2.5mmの円形状を示していた。 More details are as follows. The gas supply device 1 of the second embodiment includes a circular first gas inlet 11 having a diameter of 5 mm and a circular gas outlet 13 having a diameter of 2.5 mm. The end of the narrow portion 17 on the first gas inflow port 11 side showed the same circular shape with a diameter of 5 mm as the first gas inflow port 11. The end of the narrow portion 17 on the gas outlet 13 side showed the same circular shape with a diameter of 2.5 mm as the gas outlet 13.

第一ガス通流路8は、狭小部17よりも第一ガス流入口11側の領域の第一方向d1に係る長さh2は40mmであり、狭小部17を構成する領域の第一方向d1に係る長さh3は10mmであった。すなわち、実施例2のガス供給装置1において、第一ガス通流路8の第一方向d1に係る長さは、実施例1のガス供給装置1と同じ50mmであった。 The length h2 of the first gas passage 8 in the region on the first gas inflow port 11 side of the narrow portion 17 in the first direction d1 is 40 mm, and the length h2 of the region constituting the narrow portion 17 is the first direction d1. The length h3 according to the above was 10 mm. That is, in the gas supply device 1 of the second embodiment, the length of the first gas passage 8 in the first direction d1 was 50 mm, which is the same as that of the gas supply device 1 of the first embodiment.

ガス混合部14において、狭小部17のガス流出口13側の端部と、第二ガス通流路9とが連絡されており、ガス混合部14において第一ガスG1と第二ガスG2とが混合されることで得られる混合ガスG3が、直径2.5mmの円形状を示したガス流出口13から排出された。 In the gas mixing section 14, the end of the narrow portion 17 on the gas outlet 13 side is connected to the second gas passage 9 and the first gas G1 and the second gas G2 are connected to each other in the gas mixing section 14. The mixed gas G3 obtained by mixing was discharged from the gas outlet 13 having a circular shape having a diameter of 2.5 mm.

(実施例2)実施例1と同様に、80%の窒素ガスと20%の酸素ガスの混合ガスからなる第一ガスG1を、15L/minの流量で第一ガス流入口11から、本実施形態におけるガス供給装置1内に導入すると共に、100%窒素ガスからなる第二ガスG2を、35L/minの流量で第二ガス流入口12からガス供給装置1内に導入した。 (Example 2) Similar to Example 1, the first gas G1 composed of a mixed gas of 80% nitrogen gas and 20% oxygen gas is carried out from the first gas inlet 11 at a flow rate of 15 L / min. In addition to being introduced into the gas supply device 1 in the embodiment, the second gas G2 made of 100% nitrogen gas was introduced into the gas supply device 1 from the second gas inflow port 12 at a flow rate of 35 L / min.

(参考例2)参考例1と同様に、80%の窒素ガスと20%の酸素ガスの混合ガスからなる第一ガスG1を、15L/minの流量で第一ガス流入口11からガス供給装置1内に導入した。ただし、実施例2と比較して、第二ガスG2についてはガス供給装置1内に導入していない。 (Reference Example 2) Similar to Reference Example 1, the first gas G1 composed of a mixed gas of 80% nitrogen gas and 20% oxygen gas is supplied from the first gas inlet 11 at a flow rate of 15 L / min. Introduced in 1. However, as compared with Example 2, the second gas G2 is not introduced in the gas supply device 1.

上記実施例2及び参考例2の双方について、ガス供給装置1のガス流出口13に対向して配置された対象物40の面の、中心から半径2.5mm(φ5mm)の範囲内の領域に噴射されたガスに含まれる酸素ラジカルO(3P)の平均濃度を算出した。なお、ここでいう「ガス」とは、実施例2の場合には、紫外光L1が照射された後の第一ガスG1と第二ガスG2とが混合されてなる混合ガスG3に対応し、参考例2の場合には紫外光L1が照射された後の第一ガスG1に対応する。 For both the second embodiment and the second reference example, in a region within a radius of 2.5 mm (φ5 mm) from the center of the surface of the object 40 arranged to face the gas outlet 13 of the gas supply device 1. The average concentration of oxygen radical O (3 P) contained in the injected gas was calculated. In the case of the second embodiment, the "gas" here corresponds to a mixed gas G3 in which the first gas G1 and the second gas G2 after being irradiated with the ultraviolet light L1 are mixed. In the case of Reference Example 2, it corresponds to the first gas G1 after being irradiated with ultraviolet light L1.

(結果)
上記シミュレーション条件下での演算結果を図12A及び図12Bに示す。図12Aは、比較例2における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度の値を基準とした相対値によってグラフ化した図面である。また、図12Bは、図6Aで示した参考例1における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度の値を基準とした相対値によってグラフ化した図面である。図12Aによれば、実施例2の方が、参考例2よりも、対象物40の面に吹き付けられるガスに含まれる酸素ラジカルO(3P)の平均濃度が1,000倍以上大きく上昇していることが確認された。また、図12Bに示すように、参考例1の結果と比べると、実施例2によれば、対象物40の面に吹き付けられるガスに含まれる酸素ラジカルO(3P)の平均濃度が、1,500倍以上大きく上昇していることが確認された。
(result)
The calculation results under the above simulation conditions are shown in FIGS. 12A and 12B. FIG. 12A is a drawing graphed by relative values based on the value of the average concentration of oxygen radical O ( 3 P) in Comparative Example 2. Further, FIG. 12B is a drawing graphed by a relative value based on the value of the average concentration of the oxygen radical O (3 P) in Reference Example 1 shown in FIG. 6A. According to FIG. 12A, in Example 2, the average concentration of oxygen radicals O (3 P) contained in the gas sprayed on the surface of the object 40 increased by 1,000 times or more more than in Reference Example 2. It was confirmed that Further, as shown in FIG. 12B, as compared with the result of Reference Example 1, according to Example 2, the average concentration of oxygen radicals O (3 P) contained in the gas sprayed on the surface of the object 40 is 1. It was confirmed that the increase was more than 500 times.

上記シミュレーション結果からも、実施例2のガス供給装置1によれば、第一ガス通流路8のガス流出口13側(ガス混合部14側)に狭小部17を設けたことで、ガス流出口13から流出される混合ガスG3の流速が速められた結果、混合ガスG3に含まれる酸素ラジカル(O(3P))が失活する前に対象物40の表面に到達する割合が高められたものと考えられる。更に、第一実施形態と同様に、酸素濃度の低い第二ガスG2が、ガス流出口13の手前に位置するガス混合部14において第一ガスG1と混合されることで、上述した(1)式による反応の速度が低下し、対象物40の面に到達する迄の間に、(1)式の反応によってO(3P)の濃度が低下することが抑制できているものと考えられる。 From the above simulation results, according to the gas supply device 1 of the second embodiment, the gas flow is caused by providing the narrow portion 17 on the gas outlet 13 side (gas mixing portion 14 side) of the first gas passage 8. As a result of increasing the flow velocity of the mixed gas G3 flowing out from the outlet 13, the ratio of oxygen radicals (O (3 P)) contained in the mixed gas G3 reaching the surface of the object 40 before being deactivated is increased. It is thought that it was. Further, as in the first embodiment, the second gas G2 having a low oxygen concentration is mixed with the first gas G1 in the gas mixing section 14 located in front of the gas outlet 13, thereby causing the above-mentioned (1). It is considered that the decrease in the concentration of O (3 P) due to the reaction in the formula (1) can be suppressed by the time when the reaction speed according to the formula decreases and the surface of the object 40 is reached.

次に、実施例2において、第一ガスG1と第二ガスG2の流量比を変化させて、同様のシミュレーションを行った。この結果を、図13に示す。図13は、図12に示す実施例2と同様に、第一ガスG1を、80%の窒素ガスと20%の酸素ガスの混合ガスとした場合において、第一ガスG1の流量を15L/minで固定して、第二ガスG2の流量を異ならせたときの、対象物40の表面における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度の変化を示すグラフである Next, in Example 2, the same simulation was performed by changing the flow rate ratio of the first gas G1 and the second gas G2. The result is shown in FIG. FIG. 13 shows that, as in Example 2 shown in FIG. 12, when the first gas G1 is a mixed gas of 80% nitrogen gas and 20% oxygen gas, the flow rate of the first gas G1 is 15 L / min. It is a graph which shows the change of the average concentration of oxygen radical O (3 P) on the surface of an object 40 when it fixed with and made the flow rate of the 2nd gas G2 different.

図13によれば、本実施形態のガス供給装置1によれば、第一実施形態と同様に、第二ガスG2の流量を増やすに連れて、対象物40の表面における酸素ラジカルO(3P)の平均濃度が増加していることが分かる。 According to FIG. 13, according to the gas supply device 1 of the present embodiment, as in the first embodiment, the oxygen radical O ( 3 P) on the surface of the object 40 increases as the flow rate of the second gas G2 increases. It can be seen that the average concentration of) is increasing.

《別構成例》
以下、本実施形態の別構成例について説明する。
<< Another configuration example >>
Hereinafter, another configuration example of the present embodiment will be described.

〈1〉図14に示すように、狭小部17の内側面に係る位置に、紫外光L1に対する反射性を示す反射面17aを設けるものとしても構わない。 <1> As shown in FIG. 14, a reflecting surface 17a showing reflectivity to ultraviolet light L1 may be provided at a position related to the inner surface of the narrow portion 17.

図14に示すガス供給装置1は、図9に示すガス供給装置1と同様、第一方向d1に沿って発光面5aが形成されている。発光面5aから出射される紫外光L1は、所定の発散角を有して第一ガス通流路8側に進行するため、狭小部17に近い位置における発光面5aからは、一部の紫外光L1が狭小部17に向かって進行することが想定される。かかる場合、図14に示すように狭小部17の内側面に反射面17aが形成されることで、当該反射面17aで反射した紫外光L1を、狭小部17よりも上流側に戻すことができる。これにより、第一ガスG1に対して照射される紫外光L1の照射光量が増加するため、混合ガスG3に含まれるラジカルの濃度を更に上昇させる効果が得られる。 Similar to the gas supply device 1 shown in FIG. 9, the gas supply device 1 shown in FIG. 14 has a light emitting surface 5a formed along the first direction d1. Since the ultraviolet light L1 emitted from the light emitting surface 5a travels toward the first gas passage 8 side with a predetermined divergence angle, a part of ultraviolet light is emitted from the light emitting surface 5a at a position close to the narrow portion 17. It is assumed that the light L1 travels toward the narrow portion 17. In such a case, by forming the reflecting surface 17a on the inner surface of the narrow portion 17 as shown in FIG. 14, the ultraviolet light L1 reflected by the reflecting surface 17a can be returned to the upstream side of the narrow portion 17. .. As a result, the amount of ultraviolet light L1 irradiated to the first gas G1 increases, so that the effect of further increasing the concentration of radicals contained in the mixed gas G3 can be obtained.

この反射面17aは、例えば狭小部17の内側面に、シリカ粒子やシリカアルミナ粒子など、紫外光L1に対する反射性の高い材料からなる膜(層)が形成されることで実現される。また、筐体3自体がステンレス(SUS)のように、紫外光L1に対して一定割合の反射率を示す材料からなる場合には、狭小部17が形成されている位置における筐体3そのもの(第一壁体3a)で反射面17aが実現されているものとしても構わない。 The reflecting surface 17a is realized by forming a film (layer) made of a material highly reflective to ultraviolet light L1 such as silica particles and silica alumina particles on the inner surface of the narrow portion 17, for example. Further, when the housing 3 itself is made of a material such as stainless steel (SUS) that exhibits a certain ratio of reflectance to ultraviolet light L1, the housing 3 itself at the position where the narrow portion 17 is formed ( It may be assumed that the reflecting surface 17a is realized by the first wall body 3a).

〈2〉図15に示すように、狭小部17を構成する領域にも発光面5aが延在しているものとしても構わない。図15に示すガス供給装置1では、ガス流出口13に近い位置における光源5の形状を幅広にすることで、ガス流出口13に近い位置(ガス混合部14に近い位置)において第一ガス通流路8の流路断面積が小さい、狭小部17が形成されている。 <2> As shown in FIG. 15, the light emitting surface 5a may extend to the region forming the narrow portion 17. In the gas supply device 1 shown in FIG. 15, by widening the shape of the light source 5 at a position close to the gas outlet 13, the first gas passage is performed at a position close to the gas outlet 13 (a position close to the gas mixing portion 14). A narrow portion 17 having a small flow path cross-sectional area of the flow path 8 is formed.

かかる構成の場合、狭小部17内を通流する第一ガスG1は、流速が速められているため、狭小部17よりも上流側と比較すると、紫外光L1の照射光量は低い。しかし、狭小部17よりも上流側の位置において、第一ガスG1は、すでにラジカルを生成するために必要な照射光量の紫外光L1が照射されているため、狭小部17に到達した時点では、ラジカルを多く含んでいる。図15に示す構造は、図9に示す構造と比較して、狭小部17内を通流するガスに対して、少ない照射光量ながらも紫外光L1が照射されることでラジカルを更に追加的に生成することができるという効果を奏するものであり、図9に示す構造よりもラジカル生成能が低下するわけではない。 In the case of such a configuration, since the flow velocity of the first gas G1 flowing through the narrow portion 17 is increased, the irradiation light amount of the ultraviolet light L1 is lower than that on the upstream side of the narrow portion 17. However, at a position upstream of the narrow portion 17, the first gas G1 has already been irradiated with ultraviolet light L1 having an irradiation light amount required for generating radicals, and therefore, when it reaches the narrow portion 17, it reaches the narrow portion 17. It contains a lot of radicals. Compared with the structure shown in FIG. 9, the structure shown in FIG. 15 further adds radicals to the gas flowing through the narrow portion 17 by irradiating the gas passing through the narrow portion 17 with ultraviolet light L1 even though the amount of irradiation light is small. It has the effect of being able to be produced, and the radical generation ability is not lower than that of the structure shown in FIG.

同様の観点から、図16に示すガス供給装置1のように、ガス流出口13に近い位置における発光面5a上に、紫外光L1に対して透過性を示す透光部材17bを配置し、この透光部材17bに囲まれた領域によって狭小部17が形成されるものとしても構わない。この場合、透光部材17bは、第一方向d1に関して貫通する中空筒状を呈し、この筒状体の開口面積が、第一ガス流入口11側よりもガス流出口13側(ガス混合部14側)の方が小さい。この場合においても、透光部材17bの内側によって形成される狭小部17内を通過する第一ガスG1は、通流時に流速を速めながらガス混合部14及びガス流出口13を介して外部に排出される。また、狭小部17内を通過する際にも、発光面5aから発せられた紫外光L1が、透光部材17bを透過して第一ガスG1に対して照射されるため、図15に示す構造の場合と同様に、図9に示す構造と比較して、ラジカルを更に追加的に生成できるという効果を奏する。 From the same viewpoint, as in the gas supply device 1 shown in FIG. 16, a translucent member 17b exhibiting transparency to the ultraviolet light L1 is arranged on the light emitting surface 5a at a position close to the gas outlet 13. The narrow portion 17 may be formed by the region surrounded by the translucent member 17b. In this case, the translucent member 17b has a hollow tubular shape penetrating with respect to the first direction d1, and the opening area of this tubular body is closer to the gas outlet 13 side than the first gas inlet 11 side (gas mixing portion 14). The side) is smaller. Even in this case, the first gas G1 passing through the narrow portion 17 formed by the inside of the translucent member 17b is discharged to the outside through the gas mixing portion 14 and the gas outlet 13 while increasing the flow velocity during flow. Will be done. Further, even when passing through the narrow portion 17, the ultraviolet light L1 emitted from the light emitting surface 5a passes through the light transmitting member 17b and is irradiated to the first gas G1. Therefore, the structure shown in FIG. As in the case of, the effect is that more radicals can be generated as compared with the structure shown in FIG.

このような透光部材17bは、例えば、石英、フッ化マグネシウムなどの材料によって構成される。かかる場合において、光源5を構成する発光管21に対して透光部材17bを溶接しても構わないし、物理的に嵌め込む形で取り付けられても構わない。 Such a translucent member 17b is made of, for example, a material such as quartz or magnesium fluoride. In such a case, the light transmitting member 17b may be welded to the light emitting tube 21 constituting the light source 5, or may be physically fitted and attached.

〈3〉図9に示すガス供給装置1では、狭小部17が、ガス流出口13(ガス混合部14)に近づくに連れて流路断面積が連続的に縮小する形状を呈していた。しかし、狭小部17は、あくまで第一ガス通流路8内において、狭小部17よりも上流側(第一ガス流入口11側)の位置よりも流路断面積が小さい形状を呈している限りにおいて、その形状は任意である。この点は、図14〜図16に示すガス供給装置1においても同様である。 <3> In the gas supply device 1 shown in FIG. 9, the narrow portion 17 has a shape in which the cross-sectional area of the flow path continuously decreases as it approaches the gas outlet 13 (gas mixing portion 14). However, as long as the narrow portion 17 has a shape in the first gas flow path 8 whose channel cross-sectional area is smaller than the position on the upstream side (first gas inflow port 11 side) of the narrow portion 17. In, the shape is arbitrary. This point is the same in the gas supply device 1 shown in FIGS. 14 to 16.

例えば、図17Aに示すように、ガス供給装置1は、狭小部17内においては流路断面積がほぼ一定となるような形状を呈していても構わない。また、図17Bに示すように、ガス供給装置1は、狭小部17内においては流路断面積が、断続的に縮小する形状を呈していても構わない。 For example, as shown in FIG. 17A, the gas supply device 1 may have a shape in which the cross-sectional area of the flow path is substantially constant in the narrow portion 17. Further, as shown in FIG. 17B, the gas supply device 1 may have a shape in which the cross-sectional area of the flow path is intermittently reduced in the narrow portion 17.

更に、図17Cに示すガス供給装置1のように、ガス混合部14は、ガス流出口13に近づくに連れて流路断面積が断続的に縮小する形状を呈していても構わない。図17A〜図17Cは、ガス供給装置1においてガス流出口13の近傍を拡大した断面図である。 Further, as in the gas supply device 1 shown in FIG. 17C, the gas mixing unit 14 may have a shape in which the cross-sectional area of the flow path is intermittently reduced as it approaches the gas outlet 13. 17A to 17C are enlarged cross-sectional views of the vicinity of the gas outlet 13 in the gas supply device 1.

[第三実施形態]
本発明に係るガス供給装置の第三実施形態につき、第一実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
[Third Embodiment]
The third embodiment of the gas supply device according to the present invention will be described focusing on the parts different from the first embodiment.

《構造》
図18は、図2にならって、本実施形態のガス供給装置1を、第一方向d1に直交する平面で切断したときの模式的な断面図である。なお、このガス供給装置1は、第一方向d1に平行な平面で切断したときの模式的な断面図は、図1Aと共通である。
"Construction"
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the gas supply device 1 of the present embodiment cut along a plane orthogonal to the first direction d1, following FIG. The schematic cross-sectional view of the gas supply device 1 when cut in a plane parallel to the first direction d1 is the same as that in FIG. 1A.

第一実施形態では、光源5を構成する発光管21の内側に、第一ガス通流路8が形成されているものとした。これに対し、本実施形態では、複数の光源5(51,52)が離間して配置されており、これらに挟まれた領域に第一ガス通流路8が形成されている。すなわち、複数の光源5(51,52)が備えるそれぞれの発光面5aは、第一ガス通流路8を挟むように対向して配置されている。 In the first embodiment, it is assumed that the first gas passage 8 is formed inside the arc tube 21 constituting the light source 5. On the other hand, in the present embodiment, a plurality of light sources 5 (51, 52) are arranged apart from each other, and a first gas passage 8 is formed in a region sandwiched between the light sources 5 (51, 52). That is, the light emitting surfaces 5a included in the plurality of light sources 5 (51, 52) are arranged so as to face each other so as to sandwich the first gas passage path 8.

その他の点は、第一実施形態と共通であるため、重複を避ける観点から説明を割愛する。 Since the other points are common to the first embodiment, the description is omitted from the viewpoint of avoiding duplication.

《別構成例》
以下、本実施形態の別構成例について説明する。
<< Another configuration example >>
Hereinafter, another configuration example of the present embodiment will be described.

〈1〉第一実施形態では、筒形状を呈した光源5の中空領域に第一ガス通流路8が形成されていた。このため、光源5は、二重管構造の発光管21を備えることを前提としていた。しかし、本実施形態のように、ガス供給装置1が複数の光源5を備える構成においては、光源5の形状は限定されない。 <1> In the first embodiment, the first gas passage 8 is formed in the hollow region of the light source 5 having a tubular shape. Therefore, it is assumed that the light source 5 includes a light emitting tube 21 having a double tube structure. However, the shape of the light source 5 is not limited in the configuration in which the gas supply device 1 includes a plurality of light sources 5 as in the present embodiment.

例えば、図19Aは、光源5として、いわゆる「一重管構造」を呈したエキシマランプを採用した場合において、第一方向d1に直交する平面で切断したときの模式的な断面図である。図19Aに示す光源5は、図2に示す光源5とは異なり、1つの発光管21を有している。発光管21は、長手方向、すなわち第一方向d1に係る端部において封止されており(不図示)、内側の空間内に発光ガス23Gが封入される。そして、発光管21の内側(内部)には第二電極32が配設され、発光管21の外壁面には、網目形状又は線形状の第一電極31が配設される。 For example, FIG. 19A is a schematic cross-sectional view when an excimer lamp exhibiting a so-called "single tube structure" is adopted as the light source 5 and cut in a plane orthogonal to the first direction d1. The light source 5 shown in FIG. 19A has one arc tube 21 unlike the light source 5 shown in FIG. The arc tube 21 is sealed at the end portion related to the longitudinal direction, that is, the first direction d1 (not shown), and the luminescent gas 23G is sealed in the inner space. A second electrode 32 is arranged inside (inside) the arc tube 21, and a mesh-shaped or linear first electrode 31 is arranged on the outer wall surface of the arc tube 21.

別の例として、図19Bは、光源5として、いわゆる「扁平管構造」を呈したエキシマランプを採用した場合において、図19Aにならって模式的に図示した断面図である。図13Bに示す光源5は、長手方向、すなわち第一方向d1から見たときに矩形状を呈した1つの発光管21を有する。そして、発光管21の一方の外表面には第一電極31が配設され、発光管21の外表面であって第一電極31と対向する位置は第二電極32が配設される。第一電極31及び第二電極32のうち、少なくとも第一ガス通流路8側に位置する電極は、紫外光L1が発光管21の外側に出射することへの妨げにならないよう、メッシュ形状(網目形状)又は線形状を呈している。 As another example, FIG. 19B is a cross-sectional view schematically illustrated according to FIG. 19A when an excimer lamp exhibiting a so-called "flat tube structure" is adopted as the light source 5. The light source 5 shown in FIG. 13B has one arc tube 21 that has a rectangular shape when viewed from the longitudinal direction, that is, the first direction d1. A first electrode 31 is arranged on one outer surface of the arc tube 21, and a second electrode 32 is arranged on the outer surface of the arc tube 21 at a position facing the first electrode 31. Of the first electrode 31 and the second electrode 32, the electrodes located at least on the first gas passage 8 side have a mesh shape (so as not to prevent the ultraviolet light L1 from being emitted to the outside of the arc tube 21). It has a mesh shape) or a linear shape.

なお、図19A及び図19Bに示す光源5においても、第一方向d1に直交する平面で切断したときの形状については、円形や長方形には限定されず、種々の形状が採用され得る。 Also in the light source 5 shown in FIGS. 19A and 19B, the shape when cut in a plane orthogonal to the first direction d1 is not limited to a circle or a rectangle, and various shapes can be adopted.

〈2〉本実施形態において、ガス供給装置1が備える光源5は、エキシマランプには限られない。すなわち、光源5は、紫外光L1を発し、第一方向d1に沿って延在する面光源であればよく、例えば紫外LED素子が面方向に配列されてなる面光源によって構成されても構わない。 <2> In the present embodiment, the light source 5 included in the gas supply device 1 is not limited to the excimer lamp. That is, the light source 5 may be a surface light source that emits ultraviolet light L1 and extends along the first direction d1, and may be configured by, for example, a surface light source in which ultraviolet LED elements are arranged in the surface direction. ..

〈3〉本実施形態においても、第二実施形態と同様に、第一ガス通流路8が狭小部17を備えるものとしても構わない。 <3> In the present embodiment as well, the first gas flow path 8 may include the narrow portion 17 as in the second embodiment.

[第四実施形態]
本発明に係るガス供給装置の第四実施形態につき、上記各実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
[Fourth Embodiment]
The fourth embodiment of the gas supply device according to the present invention will be described focusing on the parts different from each of the above embodiments.

《構造》
図20は、図1にならって、本実施形態のガス供給装置1を、第一方向d1に平行な平面で切断したときの模式的な断面図である。また、図21は、図20に示すガス供給装置1を、第一方向d1に直交な平面で切断したときの模式的な断面図である。
"Construction"
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of the gas supply device 1 of the present embodiment cut along a plane parallel to the first direction d1, following FIG. Further, FIG. 21 is a schematic cross-sectional view of the gas supply device 1 shown in FIG. 20 when the gas supply device 1 is cut in a plane orthogonal to the first direction d1.

上記各実施形態では、発光面5aに囲まれた領域に第一ガス通流路8が形成されていた。これに対し、本実施形態では、発光面5aと筐体3を構成する壁体(第一壁体3a)との間に、第一ガス通流路8が形成されている点が異なる。なお、この第一ガス通流路8の外側、すなわち、第一壁体3aと第二壁体3bとの間には、第二ガスG2が通流する第二ガス通流路9が設けられている点は、上記各実施形態と共通である。 In each of the above embodiments, the first gas passage 8 is formed in the region surrounded by the light emitting surface 5a. On the other hand, the present embodiment is different in that the first gas passage 8 is formed between the light emitting surface 5a and the wall body (first wall body 3a) constituting the housing 3. A second gas passage 9 through which the second gas G2 passes is provided outside the first gas passage 8, that is, between the first wall 3a and the second wall 3b. The points are common to each of the above-described embodiments.

すなわち、図21に示すように、筐体3内に配置された光源5は、その発光面5aが筐体3の内側面である第一壁体3aに囲まれるように配置される。第一ガスG1は、光源5の外側に形成された第一ガス通流路8内を通流する。この場合、紫外光L1が発光管21の外側に出射されることへの妨げにならないよう、第一電極31は、網目形状又は線形状とされる。 That is, as shown in FIG. 21, the light source 5 arranged in the housing 3 is arranged so that the light emitting surface 5a is surrounded by the first wall body 3a which is the inner side surface of the housing 3. The first gas G1 passes through the first gas passage 8 formed outside the light source 5. In this case, the first electrode 31 has a mesh shape or a linear shape so as not to prevent the ultraviolet light L1 from being emitted to the outside of the arc tube 21.

その他の点は、第一実施形態と共通であるため、重複を避ける観点から説明を割愛する。 Since the other points are common to the first embodiment, the description is omitted from the viewpoint of avoiding duplication.

《別構成例》
以下、本実施形態の別構成例について説明する。
<< Another configuration example >>
Hereinafter, another configuration example of the present embodiment will be described.

〈1〉本実施形態においても、第三実施形態と同様、光源5は二重管構造のエキシマランプに限られず、一重管構造や扁平管構造のエキシマランプであっても構わないし、面状に配列された複数の紫外LED素子で構成されていても構わない。 <1> Also in the present embodiment, as in the third embodiment, the light source 5 is not limited to the excimer lamp having a double tube structure, and may be an excimer lamp having a single tube structure or a flat tube structure. It may be composed of a plurality of arranged ultraviolet LED elements.

〈2〉本実施形態においても、第二実施形態と同様に、第一ガス通流路8が狭小部17を備えるものとしても構わない。 <2> In the present embodiment as well, the first gas flow path 8 may include the narrow portion 17 as in the second embodiment.

〈3〉本実施形態において、光源5は、ガス流出口13側の端部にも、紫外光L1を出射する発光面5aが形成されているものとしても構わない。この場合、ガス混合部14内に存在する第一ガスG1に対しても紫外光L1が照射される。図22は、光源5において、ガス流出口13側の端部にも発光面5aを形成した場合(実施例3)と、ガス流出口13側の端部には発光面5aを形成しなかった場合(実施例4)とで、他の条件を共通とした場合における、対象物40の表面上のO(3P)の平均濃度を比較したシミュレーション結果である。図22によれば、実施例3の方が実施例4よりも更にO(3P)の平均濃度を向上させる効果が確認される。 <3> In the present embodiment, the light source 5 may also have a light emitting surface 5a that emits ultraviolet light L1 formed at an end portion on the gas outlet 13 side. In this case, the ultraviolet light L1 is also irradiated to the first gas G1 existing in the gas mixing unit 14. In FIG. 22, in the light source 5, when the light emitting surface 5a was also formed at the end on the gas outlet 13 side (Example 3), the light emitting surface 5a was not formed at the end on the gas outlet 13 side. It is a simulation result comparing the average concentration of O (3 P) on the surface of the object 40 in the case (Example 4) and the case where other conditions are shared. According to FIG. 22, the effect of improving the average concentration of more O (3 P) than Example 4 towards the third embodiment is confirmed.

なお、図22に示すシミュレーション結果は、以下のシミュレーション条件の下で算出されたものである。
・第一ガスG1は、99.5%の窒素ガスと0.5%の酸素ガスの混合ガスからなり、流量は15L/minであった。
・第二ガスG2は、窒素ガスからなり、流量は15L/minであった。
・光源5は、直径5mmで第一方向d1に係る長さ50mmのXeエキシマランプからなり、発光面5aにおける照度は50mW/cm2であった。
・第一ガス通流路8は、光源5の外側に位置する直径10mmの円環筒状体を呈し、第一方向d1に係る長さが52.5mmであった。
・第二ガス通流路9は、第一ガス通流路8の外側に位置する直径14mmの円環筒状体を呈し、第一方向d1に係る長さが55mmであった。
・ガス流出口13は、直径5mmの円形状であり、第一ガス通流路8の流路断面積よりも小さい。
・光源5の第一方向d1に係る端部とガス流出口13との離間距離は5mmであった。
・ガス流出口13と対象物40との離間距離は5mmであった。
The simulation result shown in FIG. 22 was calculated under the following simulation conditions.
The first gas G1 was composed of a mixed gas of 99.5% nitrogen gas and 0.5% oxygen gas, and the flow rate was 15 L / min.
-The second gas G2 was composed of nitrogen gas and had a flow rate of 15 L / min.
The light source 5 was composed of a Xe excimer lamp having a diameter of 5 mm and a length of 50 mm in the first direction d1, and the illuminance on the light emitting surface 5a was 50 mW / cm 2 .
The first gas passage 8 had an annular tubular body with a diameter of 10 mm located outside the light source 5, and had a length of 52.5 mm in the first direction d1.
The second gas passage 9 had an annular tubular body with a diameter of 14 mm located outside the first gas passage 8, and had a length of 55 mm in the first direction d1.
The gas outlet 13 has a circular shape with a diameter of 5 mm, and is smaller than the flow path cross-sectional area of the first gas flow path 8.
The distance between the end of the light source 5 in the first direction d1 and the gas outlet 13 was 5 mm.
The distance between the gas outlet 13 and the object 40 was 5 mm.

[第五実施形態]
本発明に係るガス供給装置の第五実施形態につき、上記各実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
[Fifth Embodiment]
The fifth embodiment of the gas supply device according to the present invention will be described focusing on the parts different from each of the above-described embodiments.

《構造》
図23は、本実施形態のガス供給装置の一構成例を模式的に示す断面図である。本実施形態は、第一実施形態と比較して、光源5の長手方向がガスの流路方向に対して非平行である点が異なっている。
"Construction"
FIG. 23 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of the gas supply device of the present embodiment. This embodiment is different from the first embodiment in that the longitudinal direction of the light source 5 is non-parallel to the gas flow path direction.

すなわち、光源5は、第一方向d1に直交する第二方向d2に沿って延在する長尺形状を呈しており、この第二方向d2に沿って延在する発光面5aを有している。第一ガス流入口11及び第二ガス流入口12についても、この第二方向d2に沿って延伸している。 That is, the light source 5 has a long shape extending along the second direction d2 orthogonal to the first direction d1, and has a light emitting surface 5a extending along the second direction d2. .. The first gas inflow port 11 and the second gas inflow port 12 also extend along the second direction d2.

第二方向d2に沿って延伸するように形成された第一ガス流入口11からは、第一方向d1の向きに第一ガスG1が流入され、この第一ガスG1が第一ガス通流路8内を通流する間に、発光面5aからの紫外光L1が照射されることで、ラジカルを含むガスとなる。また、第二方向d2に沿って延伸するように形成された第二ガス流入口12からは、第一方向d1の向きに第二ガスG2が流入され、ガス流出口13側の位置においてラジカルを含む第一ガスG1と混合され(ガス混合部14)、混合ガスG3としてガス流出口13から対象物40に向かって排出される。 The first gas G1 flows in the direction of the first direction d1 from the first gas inflow port 11 formed so as to extend along the second direction d2, and the first gas G1 flows through the first gas passage. By irradiating the ultraviolet light L1 from the light emitting surface 5a while passing through the inside of 8, it becomes a gas containing radicals. Further, the second gas G2 flows in the direction of the first direction d1 from the second gas inflow port 12 formed so as to extend along the second direction d2, and the radical is discharged at the position on the gas outlet 13 side. It is mixed with the containing first gas G1 (gas mixing unit 14) and discharged as a mixed gas G3 from the gas outlet 13 toward the object 40.

その他の点は、第一実施形態と共通であるため、重複を避ける観点から説明を割愛する。 Since the other points are common to the first embodiment, the description is omitted from the viewpoint of avoiding duplication.

図23では、光源5は、第二方向d2から見たときに矩形状を呈している場合が図示されており、軸方向を第二方向d2とした、扁平管構造のエキシマランプによって実現できる。また、光源5は、図24に示すように、第二方向d2から見たときに円形状を呈しているものとしても構わない。この場合、光源5は、軸方向を第二方向d2とした、二重管構造又は一重管構造のエキシマランプとすることができる。 FIG. 23 shows a case where the light source 5 has a rectangular shape when viewed from the second direction d2, and can be realized by an excimer lamp having a flat tube structure with the axial direction d2 in the second direction. Further, as shown in FIG. 24, the light source 5 may have a circular shape when viewed from the second direction d2. In this case, the light source 5 can be an excimer lamp having a double-tube structure or a single-tube structure with the axial direction d2 in the second direction.

別の例として、図25や図26に示すように、第二方向d2を長手方向とする長尺状の光源5が、第一方向d1に複数個並べられる構成としても構わない。 As another example, as shown in FIGS. 25 and 26, a plurality of long light sources 5 having the second direction d2 as the longitudinal direction may be arranged in the first direction d1.

より詳細には、図25に示すガス供給装置1は、第一方向d1に沿って配列された光源5(51,52,53)を備え、これらの発光面5aはいずれも第二方向d2に延在している。そして、光源5の外側に第一ガス通流路8が形成されている。 More specifically, the gas supply device 1 shown in FIG. 25 includes light sources 5 (51, 52, 53) arranged along the first direction d1, and all of these light emitting surfaces 5a are in the second direction d2. It is postponed. A first gas passage 8 is formed outside the light source 5.

また、図26に示すガス供給装置1は、第一方向d1に沿って配列された、3つの光源5と、これらの光源5の発光面5aに対向するように配置された、別の3つの光源5を備え、各光源5の発光面5aはいずれも第二方向d2に延在している。そして、向かい合う発光面5aに挟まれた箇所に、第一ガス通流路8が形成されている。 Further, the gas supply device 1 shown in FIG. 26 has three light sources 5 arranged along the first direction d1 and three other light sources 5 arranged so as to face the light emitting surface 5a of these light sources 5. A light source 5 is provided, and the light emitting surface 5a of each light source 5 extends in the second direction d2. A first gas passage 8 is formed at a position sandwiched between the light emitting surfaces 5a facing each other.

《別構成例》
以下、本実施形態の別構成例について説明する。
<< Another configuration example >>
Hereinafter, another configuration example of the present embodiment will be described.

〈1〉図27に示すように、第一ガス通流路8内のガス流出口13側の位置に、第二ガスG2が導入される構成としても構わない。この場合、ガス混合部14は、ガス流出口13に近い位置における第一ガス通流路8内に形成される。また、第一ガス通流路8の一部が、第二ガス通流路9を兼ねる。 <1> As shown in FIG. 27, the second gas G2 may be introduced at a position on the gas outlet 13 side in the first gas passage 8. In this case, the gas mixing section 14 is formed in the first gas passage 8 at a position close to the gas outlet 13. Further, a part of the first gas passage 8 also serves as the second gas passage 9.

なお、図27に示す例の場合には、第二ガスG2が導入される第二ガス流入口12から第一ガスG1が装置外に漏れ出すことのないよう、第二ガス流入口12は、不図示の逆止弁を介して、第二ガスG2のガス供給源に接続されているものとして構わない。 In the case of the example shown in FIG. 27, the second gas inlet 12 is provided so that the first gas G1 does not leak out of the apparatus from the second gas inlet 12 into which the second gas G2 is introduced. It may be connected to the gas supply source of the second gas G2 via a check valve (not shown).

〈2〉本実施形態においても、第二実施形態と同様に、第一ガス通流路8が狭小部17を備えるものとしても構わない。 <2> In the present embodiment as well, the first gas flow path 8 may include the narrow portion 17 as in the second embodiment.

[第六実施形態]
本発明に係るガス供給装置の第六実施形態につき、上記各実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
[Sixth Embodiment]
The sixth embodiment of the gas supply device according to the present invention will be described focusing on the parts different from each of the above embodiments.

本実施形態のガス供給装置1は、図28に示すように、ガス流出口13と対象物40との間において、第一ガスG1と第二ガスG2とが混合されるガス混合部14が設けられている。より詳細には、第二ガスG2が、第二ガスG2を供給可能なガス供給源50から、第二ガス流入口12を介して、ガス流出口13と対象物40との間に供給される。ガス流出口13からは、紫外光L1が照射されることでラジカルを多く含んだ第一ガスG1が流出される。これにより、対象物40の表面には、第一ガスG1と、第一ガスG1よりも酸素濃度の低い第二ガスG2とが混合されてなる、混合ガスG3が吹き付けられる。 As shown in FIG. 28, the gas supply device 1 of the present embodiment is provided with a gas mixing unit 14 in which the first gas G1 and the second gas G2 are mixed between the gas outlet 13 and the object 40. Has been done. More specifically, the second gas G2 is supplied from the gas supply source 50 capable of supplying the second gas G2 to the gas outlet 13 and the object 40 via the second gas inlet 12. .. The first gas G1 containing a large amount of radicals flows out from the gas outlet 13 by being irradiated with ultraviolet light L1. As a result, the mixed gas G3, which is a mixture of the first gas G1 and the second gas G2 having a lower oxygen concentration than the first gas G1, is sprayed on the surface of the object 40.

かかる態様によっても、対象物40の表面に対して高濃度のラジカルを含んだ状態のガスを吹き付けることが可能となる。 Also in such an embodiment, it is possible to blow a gas containing a high concentration of radicals onto the surface of the object 40.

なお、本実施形態において、光源5や第一ガス通流路8の形状については、各実施形態で上述した構成を適宜採用することができる。 In addition, in this embodiment, as for the shape of the light source 5 and the first gas flow path 8, the above-described configuration can be appropriately adopted in each embodiment.

[別実施形態]
〈1〉図29に示すように、光源5から外側に向かって紫外光L1が出射される態様において、一部の領域を第一ガス通流路8とし、他の領域を第二ガス通流路9とするものとしても構わない。かかる場合においては、光源5は、第二ガス通流路9側には発光面5aを設けないものとしても構わない。また、別の態様として、光源5は、第一ガス通流路8側に、紫外光L1を反射するための反射部材33(図3参照)を有するものとしても構わない。
[Another Embodiment]
<1> As shown in FIG. 29, in an embodiment in which ultraviolet light L1 is emitted outward from the light source 5, a part of the region is used as the first gas passage 8 and the other region is used as the second gas flow. It may be the road 9. In such a case, the light source 5 may not be provided with the light emitting surface 5a on the second gas passage 9 side. Further, as another aspect, the light source 5 may have a reflection member 33 (see FIG. 3) for reflecting the ultraviolet light L1 on the first gas passage 8 side.

なお、かかる場合においても、上述した各実施形態のガス供給装置1の構造を適宜応用することができる。 Even in such a case, the structure of the gas supply device 1 of each of the above-described embodiments can be appropriately applied.

〈2〉例えば、第一実施形態のガス供給装置1において、発光管21の外側に向かって紫外光L1を出射する態様とすることで、第一ガス通流路8を光源5の外側とし、第二ガス通流路9を光源5の内側とするものとしても構わない。言い換えれば、第一ガスG1が通流する第一ガス通流路8は、第二ガスG2が通流する第二ガス通流路9を取り囲むように、又は挟むように、外側に配置されているものとしても構わない。他の実施形態においても同様である。 <2> For example, in the gas supply device 1 of the first embodiment, the first gas passage 8 is set to the outside of the light source 5 by emitting ultraviolet light L1 toward the outside of the arc tube 21. The second gas passage 9 may be inside the light source 5. In other words, the first gas passage 8 through which the first gas G1 passes is arranged outside so as to surround or sandwich the second gas passage 9 through which the second gas G2 passes. It does not matter if it is present. The same applies to other embodiments.

〈3〉その他、上述した各実施形態において、相互に構成を応用してガス供給装置1を実現しても構わない。 <3> In addition, in each of the above-described embodiments, the gas supply device 1 may be realized by applying mutual configurations.

1 :ガス供給装置
3 :筐体
3a :第一壁体
3b :第二壁体
3b1 :内壁面
5 :光源
5a :発光面
8 :第一ガス通流路
9 :第二ガス通流路
11 :第一ガス流入口
12 :第二ガス流入口
13 :ガス流出口
14 :ガス混合部
15 :第一空間
16 :第二空間
17 :狭小部
17a :反射面
17b :透光部材
21 :発光管
21a :外側管
21b :内側管
23G :発光ガス
31 :第一電極
32 :第二電極
33 :反射部材
40 :対象物
50 :ガス供給源
G1 :第一ガス
G2 :第二ガス
G3 :混合ガス
L1 :紫外光
d1 :第一方向
d2 :第二方向
1: Gas supply device 3: Housing 3a: First wall body 3b: Second wall body 3b 1: Inner wall surface 5: Light source 5a: Light emitting surface 8: First gas flow path 9: Second gas flow path 11: 1st gas inflow port 12: 2nd gas inflow port 13: Gas outflow port 14: Gas mixing part 15: 1st space 16: 2nd space 17: Narrow part 17a: Reflective surface 17b: Translucent member 21: Light emitting tube 21a : Outer tube 21b: Inner tube 23G: Luminous gas 31: First electrode 32: Second electrode 33: Reflective member 40: Object 50: Gas supply source G1: First gas G2: Second gas G3: Mixed gas L1: Ultraviolet light d1: First direction d2: Second direction

Claims (14)

ラジカル源となる酸素を含む第一ガスが流入される、第一ガス流入口と、
前記第一ガス流入口とは異なる箇所に設けられ、前記第一ガスよりも含有酸素濃度の低い第二ガスが流入される、第二ガス流入口と、
前記第一ガス流入口から流入された前記第一ガスが通流する第一ガス通流路と、
前記第一ガス通流路内の照射領域に向かって紫外光を発する光源と、
少なくとも一部の前記照射領域を通過した後の前記第一ガスと前記第二ガスとが混合されるガス混合部と、
前記ガス混合部で混合された後の混合ガスを外部に流出させるガス流出口とを備えることを特徴とする、ガス供給装置。
The first gas inlet, where the first gas containing oxygen, which is a radical source, flows in,
A second gas inlet, which is provided at a location different from the first gas inlet and into which a second gas having a lower oxygen concentration than the first gas flows in.
The first gas flow path through which the first gas flowing in from the first gas inflow port flows,
A light source that emits ultraviolet light toward the irradiation region in the first gas passage, and
A gas mixing section in which the first gas and the second gas are mixed after passing through at least a part of the irradiation region.
A gas supply device including a gas outlet that allows the mixed gas after being mixed in the gas mixing section to flow out to the outside.
前記ガス混合部において、前記第一ガスは、前記第一ガスの流路方向に対して実質的に直交する方向に流れる前記第二ガスと混合されることを特徴とする、請求項1に記載のガス供給装置。 The first aspect of the invention, wherein the first gas is mixed with the second gas flowing in a direction substantially orthogonal to the flow path direction of the first gas. Gas supply device. 前記第二ガス流入口から流入された第二ガスが通流する第二ガス通流路を備え、
前記第二ガス通流路は、前記照射領域よりも前記ガス流出口側の位置において、前記ガス混合部に連絡されていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のガス供給装置。
A second gas flow path through which the second gas flowing in from the second gas inflow port flows is provided.
The gas supply device according to claim 1 or 2, wherein the second gas passage is connected to the gas mixing portion at a position closer to the gas outlet side than the irradiation region.
前記第二ガス通流路は、前記第一ガス通流路を挟むか又は取り囲むように外側に配置されていることを特徴とする、請求項3に記載のガス供給装置。 The gas supply device according to claim 3, wherein the second gas passage is arranged outside so as to sandwich or surround the first gas passage. 前記光源が内蔵された筐体を有し、
前記光源は、内側に中空の筒状空間が管軸方向に沿って貫通形成された発光管と、当該発光管の前記筒状空間側の空間に沿って形成された発光面とを有し、
前記第一ガス通流路は、前記発光面に囲まれた前記筒状空間に形成され、
前記第二ガス通流路は、前記発光管の外壁と前記筐体の内壁とで挟まれた領域に形成されていることを特徴とする、請求項4に記載のガス供給装置。
It has a housing with a built-in light source.
The light source has a light emitting tube in which a hollow tubular space is formed through the tube axis direction, and a light emitting surface formed along the space on the tubular space side of the light emitting tube.
The first gas passage is formed in the tubular space surrounded by the light emitting surface.
The gas supply device according to claim 4, wherein the second gas passage is formed in a region sandwiched between an outer wall of the arc tube and an inner wall of the housing.
前記光源が内蔵される筐体を有し、
前記筐体は、
内側に前記光源が配置される第一空間を形成する第一壁体と、
前記第一壁体の外側に配置され、当該第一壁体との間に第二空間を形成する第二壁体とを有し、
前記光源は、管軸方向に沿って形成された発光管と、当該発光管の外側面に沿って形成された発光面とを有し、
前記第一ガス通流路は、前記発光管の外壁と前記第一壁体とで挟まれた領域に形成され、
前記第二ガス通流路は、前記第一壁体と前記第二壁体とで挟まれた領域に形成されていることを特徴とする、請求項4に記載のガス供給装置。
It has a housing in which the light source is built.
The housing is
A first wall body forming a first space in which the light source is arranged, and
It has a second wall body that is arranged outside the first wall body and forms a second space with the first wall body.
The light source has a light emitting tube formed along the tube axis direction and a light emitting surface formed along the outer surface of the light emitting tube.
The first gas passage is formed in a region sandwiched between the outer wall of the arc tube and the first wall body.
The gas supply device according to claim 4, wherein the second gas passage is formed in a region sandwiched between the first wall body and the second wall body.
前記第一ガス通流路は、前記第二ガス通流路を挟むか又は取り囲むように外側に配置されていることを特徴とする、請求項3に記載のガス供給装置。 The gas supply device according to claim 3, wherein the first gas passage is arranged outside so as to sandwich or surround the second gas passage. 前記光源は、前記第一ガス流入口から前記ガス流出口に向かう第一方向に平行な方向を長手方向とする形状を呈し、
前記第一ガス及び前記第二ガスは、いずれも前記第一方向に平行な方向に流れた後に、前記ガス混合部に達することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のガス供給装置。
The light source has a shape in which the direction parallel to the first direction from the first gas inlet to the gas outlet is the longitudinal direction.
The first gas and the second gas both flow in a direction parallel to the first direction and then reach the gas mixing portion, according to any one of claims 1 to 7. Gas supply device.
前記光源は、前記第一ガス流入口から前記ガス流出口に向かう第一方向に直交する方向を長手方向とする形状を呈し、
前記第一ガス及び前記第二ガスは、いずれも前記第一方向に平行な方向に流れた後に、前記ガス混合部に達することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のガス供給装置。
The light source has a shape in which the direction orthogonal to the first direction from the first gas inlet to the gas outlet is the longitudinal direction.
The first gas and the second gas both flow in a direction parallel to the first direction and then reach the gas mixing portion, according to any one of claims 1 to 4. Gas supply device.
前記第一ガス通流路は、前記ガス混合部側に位置する通流領域が、前記ガス流入口側に位置する通流領域と比べて流路断面積が小さいことを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載のガス供給装置。 The first gas passage is characterized in that the passage region located on the gas mixing portion side has a smaller flow path cross-sectional area than the passage region located on the gas inlet side. The gas supply device according to any one of 1 to 9. 前記ガス混合部は、前記ガス流出口に向かうに連れて、流路断面積が連続的又は断続的に縮小する形状を呈していることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載のガス供給装置。 Any one of claims 1 to 9, wherein the gas mixing portion has a shape in which the cross-sectional area of the flow path is continuously or intermittently reduced toward the gas outlet. The gas supply device described in. 前記光源から出射される前記紫外光は、主たる発光波長が230nm未満であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載のガス供給装置。 The gas supply device according to any one of claims 1 to 11, wherein the ultraviolet light emitted from the light source has a main emission wavelength of less than 230 nm. 前記第二ガスは、不活性ガスであることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載のガス供給装置。 The gas supply device according to any one of claims 1 to 12, wherein the second gas is an inert gas. 対象物の表面処理方法であって、
ラジカル源となる酸素を含む第一ガスを第一ガス通流路内に流入させる工程(a)と、
前記第一ガス通流路内を通流する前記第一ガスに対して、光源から紫外光を照射する工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記第一ガスに対して、前記第一ガスよりも含有酸素濃度の低い第二ガスを混合させる工程(c)と、
前記工程(c)によって得られた混合ガスを前記対象物の表面に吹き付ける工程(d)とを有することを特徴とする、表面処理方法。

It is a surface treatment method for an object.
The step (a) of allowing the first gas containing oxygen, which is a radical source, to flow into the first gas passage, and
The step (b) of irradiating the first gas flowing through the first gas flow path with ultraviolet light from a light source, and
After the step (b), a step (c) of mixing the first gas with a second gas having a lower oxygen concentration than the first gas is added.
A surface treatment method comprising a step (d) of spraying the mixed gas obtained in the step (c) onto the surface of the object.

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