JP2021101440A

JP2021101440A - Wafer processing method and wafer processing device

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Publication number: JP2021101440A
Application number: JP2019232376A
Authority: JP
Inventors: 恵理藤田; Eri Fujita; 山口　直子; Naoko Yamaguchi; 直子山口; 賢二郎 ▲高▼橋; Kenjiro Takahashi
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2019-12-24
Filing date: 2019-12-24
Publication date: 2021-07-08
Anticipated expiration: 2039-12-24
Also published as: JP7299833B2

Abstract

To provide a wafer processing method capable of avoiding excessive deposition of particles caused by a lacked number of times of dummy processing while suppressing a time or cost loss caused by an excessive number of times of dummy processing, and a wafer processing device.SOLUTION: A wafer processing device 100 is capable of applying actual processing which is wafer processing to a product wafer WM to be used for product manufacture, and capable of applying dummy processing which is wafer processing to a dummy wafer WD not to be used for product manufacture arbitrary times prior to the actual processing. The wafer processing device is used to following steps. Namely, a value representing the number of particles contained in a process liquid LC per unit amount in a liquid passage supplying the process liquid LC from a storage part 12 to a nozzle 32 is measured. On the basis of the measured value, the number of times of dummy processing is determined.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関し、特に、処理液を用いた基板処理方法、およびそのための基板処理装置に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate processing method using a processing liquid and a substrate processing apparatus for that purpose.

半導体装置などの製造において、処理液を用いて基板を処理する工程、すなわち基板処理、がしばしば行われる。基板処理においては処理液が基板へ吐出される。基板処理は、例えば、洗浄処理またはエッチング処理である。洗浄処理のためには処理液として洗浄液が用いられる。エッチング処理のためには処理液としてエッチング液が用いられる。基板処理を効率的に行うために基板処理装置が用いられる。 In the manufacture of semiconductor devices and the like, a step of processing a substrate using a processing liquid, that is, substrate processing is often performed. In the substrate processing, the processing liquid is discharged to the substrate. The substrate treatment is, for example, a cleaning treatment or an etching treatment. A cleaning liquid is used as the treatment liquid for the cleaning treatment. An etching solution is used as the processing solution for the etching process. A substrate processing apparatus is used to efficiently perform substrate processing.

特開２０１４−１２０６４４号公報は、基板処理装置の自己診断方法を開示している。具体的には、基板処理装置の構成部品の交換後、当該構成部品の影響を受けるパラメータが変動許容範囲内にある場合に、製品となる基板の処理が可能であると判断される。これにより、メンテナンス前とほぼ同条件での処理を行うことができる旨が、上記公報において主張されている。また、メンテナンス前とほぼ同条件での処理を行うことができるか否かがダミー基板により検証される場合に、当該検証が上記判断後に行われることによって、ダミー基板の使用枚数を削減することができる旨が主張されている。 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-120644 discloses a self-diagnosis method for a substrate processing apparatus. Specifically, after replacing the components of the substrate processing apparatus, it is determined that the substrate to be a product can be processed when the parameters affected by the components are within the fluctuation allowable range. As a result, it is claimed in the above-mentioned publication that the processing can be performed under almost the same conditions as before the maintenance. Further, when it is verified by the dummy substrate whether or not the processing can be performed under almost the same conditions as before the maintenance, the number of dummy substrates used can be reduced by performing the verification after the above determination. It is claimed that it can be done.

特開２０１４−１２０６４４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-120644

上記公報によれば、製品基板への基板処理前にダミー基板への基板処理を行う目的は、基板処理装置がメンテナンス前とほぼ同条件での処理を行うことができる状態にあることを検証することである。よって上記公報の技術においては、ダミー基板への処理が開始される時点で、基板処理装置は既に製品基板の処理がおおよそ可能な状態にあることが想定されている。しかしながら、基板処理装置をそのような良好な状態とするためには、基板処理装置が、ある程度の回数の基板処理を実行しなければならない場合も多い。上記公報の技術は、このような場合を考慮していない。 According to the above publication, it is verified that the purpose of performing the substrate processing on the dummy substrate before the substrate processing on the product substrate is that the substrate processing apparatus can perform the processing under almost the same conditions as before the maintenance. That is. Therefore, in the technique of the above publication, it is assumed that the substrate processing apparatus is already in a state where it can roughly process the product substrate when the processing on the dummy substrate is started. However, in order to bring the substrate processing apparatus into such a good state, it is often necessary for the substrate processing apparatus to perform substrate processing a certain number of times. The technique of the above publication does not take such a case into consideration.

さらに、上記公報によれば、パラメータとして流量が例示されている。一方、基板処理の結果に関連するパラメータは、通常、多岐にわたっている。よって、流量にのみ着目して基板処理装置を管理しても、メンテナンス前とほぼ同条件での処理を行うことができるとは言えない場合が多い。 Further, according to the above publication, the flow rate is exemplified as a parameter. On the other hand, the parameters related to the result of substrate processing are usually diverse. Therefore, even if the substrate processing apparatus is managed by paying attention only to the flow rate, it cannot be said that the processing can be performed under almost the same conditions as before the maintenance.

基板処理の管理において、基板処理に起因しての基板へのパーティクルの付着が過度でないことが求められることがある。製品基板、すなわち製品製造に用いられることになる基板、への基板処理の前に、ダミー基板への処理、すなわちダミー処理、を十分に多くの回数行えば、通常、この要件を満たすことができる。一方で、ダミー処理の回数が過多であると、時間またはコストの損失が大きくなるという問題が生じる。上記公報の技術では、上述した理由により、この問題を解決することができない。 In the management of substrate processing, it may be required that the adhesion of particles to the substrate due to the substrate processing is not excessive. This requirement can usually be met by performing a sufficiently large number of processes on the dummy substrate, i.e., the dummy process, prior to the substrate process on the product substrate, that is, the substrate that will be used in product manufacturing. .. On the other hand, if the number of times of dummy processing is excessive, there arises a problem that a loss of time or cost becomes large. The techniques of the above publication cannot solve this problem for the reasons described above.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ダミー処理の回数が過多であることに起因しての時間またはコストの損失を抑えつつ、ダミー処理の回数が不足することに起因してのパーティクルの過度な付着を避けることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is the number of times of dummy processing while suppressing the loss of time or cost due to the excessive number of times of dummy processing. It is an object of the present invention to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of avoiding excessive adhesion of particles due to a shortage of particles.

第１の態様は、基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記基板処理装置は、処理液を貯留する貯留部と、基板処理のために前記処理液を吐出するノズルと、前記貯留部から前記ノズルへ前記処理液を供給する液経路と、を有し、前記基板処理装置は、製品製造に用いられることになる製品基板に対しての前記基板処理である実処理を行うことができ、かつ、製品製造に用いられることにはならないダミー基板に対しての前記基板処理であるダミー処理を前記実処理の前に任意の回数行うことができ、前記基板処理方法は、（ａ）前記液経路中の前記処理液が単位量あたりに含むパーティクルの個数を表す値を計測することと、（ｂ）前記値に基づいて前記ダミー処理の回数を決定することと、を備える。 The first aspect is a substrate processing method using a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes a storage unit for storing a processing liquid, a nozzle for discharging the processing liquid for substrate processing, and the storage. The substrate processing apparatus has a liquid path for supplying the processing liquid from the unit to the nozzle, and the substrate processing apparatus can perform the actual processing which is the substrate processing on the product substrate to be used for product manufacturing. The dummy processing, which is the substrate processing for a dummy substrate that can be formed and is not used for product manufacturing, can be performed an arbitrary number of times before the actual processing, and the substrate processing method is (a). It includes measuring a value representing the number of particles contained in the processing liquid per unit amount in the liquid path, and (b) determining the number of times of the dummy processing based on the value.

第２の態様は、第１の態様に記載の基板処理方法であって、前記液経路は、前記貯留部を経由して前記処理液を循環させる循環経路と、前記循環経路から前記ノズルへ延びる吐出経路と、を含む。 The second aspect is the substrate processing method according to the first aspect, wherein the liquid path extends from the circulation path to the nozzle and a circulation path for circulating the treatment liquid via the storage portion. Includes discharge path and.

第３の態様は、第２の態様に記載の基板処理方法であって、前記工程（ａ）は、前記吐出経路中の前記処理液が単位量あたりに含むパーティクルの個数を表す値を計測することによって行われる。 The third aspect is the substrate processing method according to the second aspect, and in the step (a), a value representing the number of particles contained in the processing liquid in the discharge path per unit amount is measured. It is done by.

第４の態様は、第３の態様に記載の基板処理方法であって、前記吐出経路は前記ノズルと前記循環経路との間にバルブを含み、前記工程（ａ）は前記バルブが閉じられているときに前記バルブと前記ノズルとの間の前記処理液について行われる。 A fourth aspect is the substrate processing method according to the third aspect, wherein the discharge path includes a valve between the nozzle and the circulation path, and in the step (a), the valve is closed. This is done for the treatment liquid between the valve and the nozzle.

第５の態様は、第１から第３のいずれかの態様に記載の基板処理方法であって、前記工程（ａ）は、前記基板処理の前に行われる前記処理液の予備吐出中に行われる。 A fifth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein the step (a) is performed during the pre-discharge of the processing liquid performed before the substrate processing. Will be.

第６の態様は、処理液を用いた基板処理を行う基板処理装置であって、前記基板処理装置は、製品製造に用いられることになる製品基板に対しての前記基板処理である実処理を行うことができ、かつ、製品製造に用いられることにはならないダミー基板に対しての前記基板処理であるダミー処理を前記実処理の前に任意の回数行うことができるものであり、前記基板処理装置は、前記処理液を貯留する貯留部と、前記処理液を吐出するノズルと、前記貯留部から前記ノズルへ前記処理液を供給する液経路と、前記液経路中の前記処理液が単位量あたりに含むパーティクルの個数を表す値を計測する計測器と、前記計測器によって計測された前記値に基づいて前記ダミー処理の回数を決定する制御部と、を備える。 A sixth aspect is a substrate processing apparatus that performs substrate processing using a processing liquid, and the substrate processing apparatus performs actual processing that is the substrate processing for a product substrate that will be used in product manufacturing. The dummy process, which is the substrate process for a dummy substrate that can be performed and is not used for product manufacturing, can be performed an arbitrary number of times before the actual process, and the substrate process can be performed. The apparatus includes a storage unit for storing the treatment liquid, a nozzle for discharging the treatment liquid, a liquid path for supplying the treatment liquid from the storage unit to the nozzle, and a unit amount of the treatment liquid in the liquid path. It includes a measuring instrument that measures a value representing the number of particles contained in the per area, and a control unit that determines the number of times of the dummy processing based on the value measured by the measuring instrument.

上記各態様によれば、液経路中の処理液が単位量あたりに含むパーティクルの個数を表す値に基づいて、ダミー処理の回数が決定される。これにより、ダミー処理の回数を、過多でも過小でもない適切な回数とすることができる。よって、ダミー処理の回数が過多であることに起因しての時間またはコストの損失を抑えつつ、ダミー処理の回数が不足することに起因してのパーティクルの過度な付着を避けることができる。 According to each of the above aspects, the number of times of dummy processing is determined based on a value representing the number of particles contained in the processing liquid in the liquid path per unit amount. As a result, the number of times of dummy processing can be set to an appropriate number that is neither excessive nor too small. Therefore, it is possible to suppress the loss of time or cost due to the excessive number of dummy processes, and to avoid excessive adhesion of particles due to the insufficient number of dummy processes.

実施の形態における基板処理装置の構成を概略的に示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the substrate processing apparatus in embodiment. 図１の基板処理装置に含まれる制御部の構成を模式的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows typically the structure of the control part included in the substrate processing apparatus of FIG. 図１の基板処理装置の一部の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of a part of the substrate processing apparatus of FIG. 図１の基板処理装置が含む処理ユニットのチャンバー内の構成を概略的に示す平面図である。FIG. 5 is a plan view schematically showing a configuration in a chamber of a processing unit included in the substrate processing apparatus of FIG. 1. 実施の形態における基板処理方法を概略的に示すフロー図である。It is a flow figure which shows schematic the substrate processing method in embodiment. 図３におけるパーティクルカウンタによって計測されるパーティクル値と、基板上のパーティクル数との関係の例を示すグラフ図である。It is a graph which shows the example of the relationship between the particle value measured by the particle counter in FIG. 3 and the number of particles on a substrate.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図面に示されているＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals and the description is not repeated. Further, the X-axis, the Y-axis and the Z-axis shown in the drawings are orthogonal to each other, the X-axis and the Y-axis are parallel in the horizontal direction, and the Z-axis is parallel in the vertical direction.

図１は、本実施の形態における基板処理装置１００の構成を概略的に示す平面図である。基板処理装置１００は、ロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御部９０と、薬液キャビネット１０と、少なくとも１つの流体ボックス２０と、少なくとも１つの処理ユニット３０とを含む。処理ユニット３０は、製品製造に用いられることになる製品基板ＷＭに対しての基板処理である実処理を行うことができる。また処理ユニット３０は、この実処理の条件を整えるために、製品製造に用いられることにはならないダミー基板ＷＤに対しての基板処理であるダミー処理を、実処理の前に任意の回数行うことができる。なお以下において、製品基板ＷＭおよびダミー基板ＷＤを総称して、基板Ｗということがある。基板Ｗの形状は、おおよそ円形である。 FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment. The substrate processing apparatus 100 includes a load port LP, an indexer robot IR, a center robot CR, a control unit 90, a chemical solution cabinet 10, at least one fluid box 20, and at least one processing unit 30. The processing unit 30 can perform actual processing, which is a substrate processing for the product substrate WM to be used for product manufacturing. Further, in order to prepare the conditions for the actual processing, the processing unit 30 performs a dummy processing, which is a substrate processing for the dummy substrate WD, which is not used in product manufacturing, an arbitrary number of times before the actual processing. Can be done. In the following, the product substrate WM and the dummy substrate WD may be collectively referred to as the substrate W. The shape of the substrate W is approximately circular.

制御部９０は、基板処理装置１００に備えられた各部の動作を制御することができる。キャリアＣＭおよびキャリアＣＤのそれぞれは、製品基板ＷＭおよびダミー基板ＷＤを収容する収容器である。なお以下において、キャリアＣＭおよびキャリアＣＤを総称して、キャリアＣということがある。ロードポートＬＰは、複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構である。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰと基板載置部ＰＳとの間で基板Ｗを搬送することができる。基板載置部ＰＳは、基板Ｗを一時的に保持することができる。センターロボットＣＲは、基板載置部ＰＳおよび少なくとも１つの処理ユニット３０のいずれかひとつから他のひとつへと基板Ｗを搬送することができる。以上の構成により、インデクサロボットＩＲ、基板載置部ＰＳおよびセンターロボットＣＲは、処理ユニット３０の各々とロードポートＬＰとの間で基板Ｗを搬送する搬送機構として機能する。 The control unit 90 can control the operation of each unit provided in the substrate processing device 100. Each of the carrier CM and the carrier CD is an accommodating container for accommodating the product substrate WM and the dummy substrate WD. In the following, carrier CM and carrier CD may be collectively referred to as carrier C. The load port LP is a container holding mechanism that holds a plurality of carriers C. The indexer robot IR can convey the substrate W between the load port LP and the substrate mounting portion PS. The substrate mounting portion PS can temporarily hold the substrate W. The center robot CR can convey the substrate W from any one of the substrate mounting portion PS and at least one processing unit 30 to the other one. With the above configuration, the indexer robot IR, the substrate mounting portion PS, and the center robot CR function as a transport mechanism for transporting the substrate W between each of the processing units 30 and the load port LP.

未処理の基板ＷはキャリアＣからインデクサロボットＩＲによって取り出され、基板載置部ＰＳを介してセンターロボットＣＲに受け渡される。センターロボットＣＲはこの未処理の基板Ｗを処理ユニット３０に搬入する。処理ユニット３０は基板Ｗに対して基板処理を行う。処理済みの基板ＷはセンターロボットＣＲによって処理ユニット３０から取り出され、必要に応じて他の処理ユニット３０を経由した後、基板載置部ＰＳを介してインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する。以上により、基板Ｗに対する処理が行われる。 The unprocessed substrate W is taken out from the carrier C by the indexer robot IR and delivered to the center robot CR via the substrate mounting portion PS. The center robot CR carries the unprocessed substrate W into the processing unit 30. The processing unit 30 performs substrate processing on the substrate W. The processed substrate W is taken out from the processing unit 30 by the center robot CR, passes through another processing unit 30 as needed, and then is delivered to the indexer robot IR via the substrate mounting portion PS. The indexer robot IR carries the processed substrate W into the carrier C. As described above, the processing for the substrate W is performed.

基板処理装置１００には、処理ユニット３０とそれに対応する流体ボックス２０との複数の組が存在している。各組において、処理ユニット３０とそれに対応する流体ボックス２０とは隣接していることが好ましい。薬液キャビネット１０は流体ボックス２０を介して処理ユニット３０へ処理液を供給する。処理ユニット３０および流体ボックス２０は、共通の外壁（図１においては、４つの流体ボックス２０を包含する外壁）の中に配置されている。なお図１においては薬液キャビネット１０も上記外壁内に配置されているが、薬液キャビネット１０は上記外壁外に配置されていてもよい。 The substrate processing apparatus 100 has a plurality of sets of the processing unit 30 and the corresponding fluid box 20. In each set, the processing unit 30 and the corresponding fluid box 20 are preferably adjacent to each other. The chemical solution cabinet 10 supplies the processing solution to the processing unit 30 via the fluid box 20. The processing unit 30 and the fluid box 20 are arranged in a common outer wall (in FIG. 1, an outer wall including the four fluid boxes 20). Although the chemical solution cabinet 10 is also arranged inside the outer wall in FIG. 1, the chemical solution cabinet 10 may be arranged outside the outer wall.

図２は、制御部９０（図１）の構成を模式的に示すブロック図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）９１、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）９２、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）９３、記憶装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互接続するバスライン９５とを有している。 FIG. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of the control unit 90 (FIG. 1). The control unit 90 may be configured by a general computer having an electric circuit. Specifically, the control unit 90 includes a CPU (Central Processing Unit) 91, a ROM (Read Only Memory) 92, a RAM (Random Access Memory) 93, a storage device 94, an input unit 96, a display unit 97, and a communication unit 98. , It has a bus line 95 that interconnects them.

ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置等の不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の入力設定指示を受ける。表示部９７は、例えば液晶表示装置およびランプ等により構成されており、ＣＰＵ９１による制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等を介してのデータ通信機能を有している。記憶装置９４には、基板処理装置１００（図１）を構成する各装置の制御についての複数のモードが予め設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、上記複数のモードのうちの１つのモードが選択され、該モードによって各装置が制御される。また、処理プログラム９４Ｐは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。 The ROM 92 stores the basic program. The RAM 93 is provided as a work area when the CPU 91 performs a predetermined process. The storage device 94 is composed of a non-volatile storage device such as a flash memory or a hard disk device. The input unit 96 is composed of various switches, a touch panel, or the like, and receives an input setting instruction such as a processing recipe from an operator. The display unit 97 is composed of, for example, a liquid crystal display device, a lamp, or the like, and displays various information under the control of the CPU 91. The communication unit 98 has a data communication function via a LAN (Local Area Network) or the like. The storage device 94 is preset with a plurality of modes for controlling each device constituting the board processing device 100 (FIG. 1). When the CPU 91 executes the processing program 94P, one of the plurality of modes is selected, and each device is controlled by the mode. Further, the processing program 94P may be stored in the recording medium. By using this recording medium, the processing program 94P can be installed in the control unit 90. Further, a part or all of the functions executed by the control unit 90 do not necessarily have to be realized by software, and may be realized by hardware such as a dedicated logic circuit.

図３は、基板処理装置１００の一部の構成を模式的に示す断面図である。薬液キャビネット１０、流体ボックス２０および処理ユニット３０の間は、処理液ＬＣを輸送する配管（液経路）によって互いに接続されている。配管は、循環配管ＰＣ（循環経路）と、吐出配管ＰＰ（吐出経路）とを有する。薬液キャビネット１０と流体ボックス２０との間は循環配管ＰＣによって互いに接続されている。流体ボックス２０と処理ユニット３０との間は吐出配管ＰＰによって互いに接続されている。配管の材料は、例えばペルフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）である。 FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a part of the configuration of the substrate processing apparatus 100. The chemical solution cabinet 10, the fluid box 20, and the processing unit 30 are connected to each other by a pipe (liquid path) for transporting the processing liquid LC. The pipe has a circulation pipe PC (circulation path) and a discharge pipe PP (discharge path). The chemical solution cabinet 10 and the fluid box 20 are connected to each other by a circulation pipe PC. The fluid box 20 and the processing unit 30 are connected to each other by a discharge pipe PP. The material of the piping is, for example, perfluoroalkoxy alkane (PFA).

薬液キャビネット１０はケース１１と、処理液タンク１２（貯留部）と、ヒータ１３と、ポンプ１４と、フィルタ１５とを有する。ケース１１は、処理液タンク１２と、ヒータ１３と、ポンプ１４と、フィルタ１５とを収容している。処理液タンク１２は、処理液ＬＣを貯留する。循環配管ＰＣは、処理液タンク１２と、ヒータ１３と、ポンプ１４と、フィルタ１５とを順に通って、矢印ＦＣ１（図３）に示すように薬液キャビネット１０から処理液ＬＣを送り出す部分を有する。このように送り出された処理液ＬＣは、矢印ＦＣ２（図３）に示すように流体ボックス２０へ供給される。また循環配管ＰＣは、矢印ＦＣ５（図３）に示すように、処理液ＬＣを処理液タンク１２へ戻す部分を有し、これにより循環配管ＰＣは処理液タンク１２を経由して処理液ＬＣを循環させることができる。 The chemical liquid cabinet 10 has a case 11, a treatment liquid tank 12 (storage unit), a heater 13, a pump 14, and a filter 15. The case 11 houses a processing liquid tank 12, a heater 13, a pump 14, and a filter 15. The treatment liquid tank 12 stores the treatment liquid LC. The circulation pipe PC has a portion that passes the treatment liquid tank 12, the heater 13, the pump 14, and the filter 15 in order, and sends out the treatment liquid LC from the chemical liquid cabinet 10 as shown by arrow FC1 (FIG. 3). The processing liquid LC thus sent out is supplied to the fluid box 20 as shown by the arrow FC2 (FIG. 3). Further, as shown by the arrow FC5 (FIG. 3), the circulation pipe PC has a portion for returning the treatment liquid LC to the treatment liquid tank 12, whereby the circulation pipe PC transmits the treatment liquid LC via the treatment liquid tank 12. Can be circulated.

流体ボックス２０は、ケース２１と、吐出バルブ２２と、循環バルブ２３とを有する。ケース２１は、吐出バルブ２２と、循環バルブ２３とを収容している。循環配管ＰＣのうち流体ボックス２０内に位置する部分は、分岐Ｂ１を有する。矢印ＦＣ２（図３）に示すように流体ボックス２０へ供給された処理液は、分岐Ｂ１に達する。この分岐Ｂ１からノズル３２へ吐出配管ＰＰが延びている。吐出バルブ２２は、吐出配管ＰＰの途中に配置されている。言い換えれば、吐出配管ＰＰはノズル３２と循環配管ＰＣとの間に吐出バルブ２２を含む。吐出バルブ２２は、吐出配管ＰＰを矢印ＦＤ１（図３）のように流れる処理液ＬＣの流量を調整するためのものである。吐出バルブ２２が完全に閉じられると、流量はゼロとなる。なお、図３に示された吐出バルブ２２に代わって、開閉バルブと流量バルブとが直列に接続された構成が用いられてもよい。この場合、開閉バルブによって吐出配管ＰＰが、開状態（導通された状態）と閉状態（閉塞された状態）との間で切り替えられる。そして開状態の場合の流量が流量バルブによって調整される。またこの構成中に（例えば開閉バルブと流量バルブとの間に）流量計が設けられてもよい。循環バルブ２３は、分岐Ｂ１の下流側において循環配管ＰＣの途中に配置されている。循環バルブ２３は、矢印ＦＣ３（図３）のように流れる処理液ＬＣの流量を調整するためのものである。これらの構成により、循環バルブ２３が閉じられかつ吐出バルブ２２が開かれれば、薬液キャビネット１０からの処理液ＬＣが吐出経路ＰＰを介してノズル３２へ供給される。逆に、循環バルブ２３が開かれかつ吐出バルブ２２が閉じられれば、薬液キャビネット１０からの処理液ＬＣが、ノズル３２へ供給されることなく循環配管ＰＣを循環する。 The fluid box 20 has a case 21, a discharge valve 22, and a circulation valve 23. The case 21 houses the discharge valve 22 and the circulation valve 23. The portion of the circulation pipe PC located in the fluid box 20 has a branch B1. As shown by the arrow FC2 (FIG. 3), the treatment liquid supplied to the fluid box 20 reaches the branch B1. The discharge pipe PP extends from the branch B1 to the nozzle 32. The discharge valve 22 is arranged in the middle of the discharge pipe PP. In other words, the discharge pipe PP includes a discharge valve 22 between the nozzle 32 and the circulation pipe PC. The discharge valve 22 is for adjusting the flow rate of the processing liquid LC flowing through the discharge pipe PP as shown by the arrow FD1 (FIG. 3). When the discharge valve 22 is completely closed, the flow rate becomes zero. Instead of the discharge valve 22 shown in FIG. 3, a configuration in which the on-off valve and the flow rate valve are connected in series may be used. In this case, the discharge pipe PP is switched between the open state (conducted state) and the closed state (closed state) by the on-off valve. Then, the flow rate in the open state is adjusted by the flow valve. A flow meter may also be provided in this configuration (eg, between the on-off valve and the flow valve). The circulation valve 23 is arranged in the middle of the circulation pipe PC on the downstream side of the branch B1. The circulation valve 23 is for adjusting the flow rate of the processing liquid LC flowing as shown by the arrow FC3 (FIG. 3). With these configurations, when the circulation valve 23 is closed and the discharge valve 22 is opened, the processing liquid LC from the chemical liquid cabinet 10 is supplied to the nozzle 32 via the discharge path PP. On the contrary, when the circulation valve 23 is opened and the discharge valve 22 is closed, the processing liquid LC from the chemical liquid cabinet 10 circulates in the circulation pipe PC without being supplied to the nozzle 32.

なお変形例として、ケース２１が省略されてもよい。その場合、分岐Ｂ１、吐出バルブ２２および循環バルブ２３は、例えば、チャンバー３１内に配置されていてよい。 As a modification, the case 21 may be omitted. In that case, the branch B1, the discharge valve 22 and the circulation valve 23 may be arranged in the chamber 31, for example.

処理ユニット３０は、基板Ｗに対して、処理液ＬＣを用いた基板処理を行うためのものである。この目的で処理ユニット３０は、チャンバー３１と、スピンチャック３９と、ノズル３２と、ノズル移動ユニット３４と、液受部３５と、カップ３６とを有する。 The processing unit 30 is for performing substrate processing on the substrate W using the processing liquid LC. For this purpose, the processing unit 30 includes a chamber 31, a spin chuck 39, a nozzle 32, a nozzle moving unit 34, a liquid receiving unit 35, and a cup 36.

チャンバー３１は、おおよそボックス形状を有する。チャンバー３１は、スピンチャック３９、ノズル３２、ノズル移動ユニット３４、液受部３５、およびカップ３６を収容している。スピンチャック３９は、基板Ｗを保持して回転する基板保持部である。具体的には、スピンチャック３９は、チャンバー３１内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線Ａ１の回りに基板Ｗを回転させる。スピンチャック３９は、複数のチャック部材１１０と、スピンベース１１１と、スピンモーター１１２とを含む。複数のチャック部材１１０は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース１１１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材１１０を支持する。スピンモーター１１２は、スピンベース１１１を回転させることによって、複数のチャック部材１１０に保持された基板Ｗを回転軸線Ａ１の回りに回転させる。 The chamber 31 has an approximately box shape. The chamber 31 houses the spin chuck 39, the nozzle 32, the nozzle moving unit 34, the liquid receiving unit 35, and the cup 36. The spin chuck 39 is a substrate holding portion that holds and rotates the substrate W. Specifically, the spin chuck 39 rotates the substrate W around the rotation axis A1 while holding the substrate W horizontally in the chamber 31. The spin chuck 39 includes a plurality of chuck members 110, a spin base 111, and a spin motor 112. The plurality of chuck members 110 hold the substrate W in a horizontal posture. The spin base 111 has a substantially disk shape and supports a plurality of chuck members 110 in a horizontal posture. By rotating the spin base 111, the spin motor 112 rotates the substrate W held by the plurality of chuck members 110 around the rotation axis A1.

ノズル３２は、吐出バルブ２２が開状態のとき、基板処理のために基板Ｗに向けて処理液ＬＣを吐出する。吐出バルブ２２が閉状態とされると、この吐出は停止される。処理液ＬＣは、通常、薬液である。基板処理として、例えば、シリコン窒化膜が形成された基板に対してのエッチング処理が行われる場合は、処理液ＬＣはリン酸を含む。基板処理として、例えば、レジストの除去処理が行われる場合は、処理液ＬＣは硫酸と過酸化水素水との混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎｐｅｒｏｘｉｄｅｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。リン酸またはＳＰＭを含む処理液ＬＣは、高温で使用される処理液ＬＣの一例である。 When the discharge valve 22 is in the open state, the nozzle 32 discharges the processing liquid LC toward the substrate W for substrate processing. When the discharge valve 22 is closed, this discharge is stopped. The treatment liquid LC is usually a chemical liquid. As the substrate treatment, for example, when an etching treatment is performed on a substrate on which a silicon nitride film is formed, the treatment liquid LC contains phosphoric acid. As the substrate treatment, for example, when a resist removal treatment is performed, the treatment liquid LC includes a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution (sulfric acid / hydrogen peroxide mixture: SPM). The treatment liquid LC containing phosphoric acid or SPM is an example of the treatment liquid LC used at a high temperature.

吐出配管ＰＰは循環配管ＰＣの分岐Ｂ１からノズル３２へ延びており、これによりノズル３２に処理液ＬＣが供給される。よって基板処理装置１００の配管は、処理液タンク１２からノズル３２へ処理液ＬＣを供給することができる。吐出配管ＰＰに供給される処理液ＬＣの温度は、吐出配管ＰＰよりも上流に配置されている循環配管ＰＣにおいて、ヒータ１３によって、室温よりも高い規定温度に維持されていてよい。規定温度は、基板処理の内容に応じて設定されることが好ましい。リン酸を含む処理液ＬＣによるエッチング処理の場合は、規定温度は例えば１７５℃程度であり、ＳＰＭを含む処理液ＬＣによる洗浄処理の場合は、規定温度は例えば２００℃程度である。 The discharge pipe PP extends from the branch B1 of the circulation pipe PC to the nozzle 32, whereby the processing liquid LC is supplied to the nozzle 32. Therefore, the piping of the substrate processing device 100 can supply the processing liquid LC from the processing liquid tank 12 to the nozzle 32. The temperature of the processing liquid LC supplied to the discharge pipe PP may be maintained at a specified temperature higher than room temperature by the heater 13 in the circulation pipe PC arranged upstream of the discharge pipe PP. The specified temperature is preferably set according to the content of the substrate treatment. In the case of etching treatment with a treatment liquid LC containing phosphoric acid, the specified temperature is, for example, about 175 ° C., and in the case of cleaning treatment with a treatment liquid LC containing SPM, the specified temperature is, for example, about 200 ° C.

カップ３６は略筒形状を有する。カップ３６は、基板Ｗから排出された処理液ＬＣを受け止める。 The cup 36 has a substantially tubular shape. The cup 36 receives the processing liquid LC discharged from the substrate W.

図４は、処理ユニット３０の内部構成を概略的に示す平面図である。以下、図３および図４を参照して、ノズル移動ユニット３４、液受部３５、および予備吐出（ｐｒｅ−ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）について説明する。 FIG. 4 is a plan view schematically showing the internal configuration of the processing unit 30. Hereinafter, the nozzle moving unit 34, the liquid receiving unit 35, and the pre-dispensing will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

ノズル移動ユニット３４は、回動軸線Ａ２の回りに回動することによって、ノズル３２を水平に移動させる。具体的には、この回動によってノズル移動ユニット３４はノズル３２を、処理位置ＰＳ１と待機位置ＰＳ２との間で水平に移動させる。処理位置ＰＳ１は、基板Ｗの上方に位置する。図４では、処理位置ＰＳ１に位置するノズル３２が二点鎖線で示されている。待機位置ＰＳ２は、平面レイアウト（ＸＹ面におけるレイアウト）において、スピンチャック３９およびカップ３６よりも外側に位置する。またノズル移動ユニット３４はノズル３２を、水平だけでなく鉛直にも移動させることもできる。 The nozzle moving unit 34 moves the nozzle 32 horizontally by rotating around the rotation axis A2. Specifically, this rotation causes the nozzle moving unit 34 to move the nozzle 32 horizontally between the processing position PS1 and the standby position PS2. The processing position PS1 is located above the substrate W. In FIG. 4, the nozzle 32 located at the processing position PS1 is indicated by a chain double-dashed line. The standby position PS2 is located outside the spin chuck 39 and the cup 36 in the planar layout (layout on the XY plane). Further, the nozzle moving unit 34 can move the nozzle 32 not only horizontally but also vertically.

液受部３５は、平面レイアウト（ＸＹ面におけるレイアウト）において、スピンチャック３９およびカップ３６よりも外側に位置する。具体的には、液受部３５は、ノズル３２の待機位置ＰＳ２の下方に位置する。液受部３５は、予備吐出においてノズル３２から吐出される処理液ＬＣを受ける。 The liquid receiving portion 35 is located outside the spin chuck 39 and the cup 36 in the planar layout (layout on the XY plane). Specifically, the liquid receiving unit 35 is located below the standby position PS2 of the nozzle 32. The liquid receiving unit 35 receives the processing liquid LC discharged from the nozzle 32 in the preliminary discharge.

予備吐出は、液受部３５に向けての処理液ＬＣの吐出であり、基板Ｗに向けての処理液ＬＣの吐出の前に行われる。言い換えれば、予備吐出は、基板処理の前に行われる処理液ＬＣの吐出である。予備吐出の準備として、ノズル移動ユニット３４は、ノズル３２を待機位置ＰＳ２から下降させる。これによりノズル３２の先端は、液受部３５に十分に近づき、好ましくは液受部３５の内部空間に挿入される。その後、ノズル３２は液受部３５に向けて処理液ＬＣを吐出する。 The preliminary discharge is the discharge of the processing liquid LC toward the liquid receiving unit 35, and is performed before the discharge of the processing liquid LC toward the substrate W. In other words, the preliminary discharge is the discharge of the processing liquid LC performed before the substrate processing. In preparation for preliminary discharge, the nozzle moving unit 34 lowers the nozzle 32 from the standby position PS2. As a result, the tip of the nozzle 32 is sufficiently close to the liquid receiving portion 35 and is preferably inserted into the internal space of the liquid receiving portion 35. After that, the nozzle 32 discharges the processing liquid LC toward the liquid receiving unit 35.

図３を参照して、基板処理装置１００はパーティクルカウンタ３８（計測器）を有する。パーティクルカウンタ３８は、配管中の処理液ＬＣが単位量あたりに含むパーティクルの個数を表す値を計測する。この目的で、パーティクルカウンタ３８は配管の分岐Ｂ２に接続されている。好ましくは、分岐Ｂ２は吐出配管ＰＰに配置されている。より好ましくは、分岐Ｂ２は吐出バルブ２２とノズル３２との間に配置されている。さらにより好ましくは、分岐Ｂ２は、吐出配管ＰＰの、チャンバー３１内の部分に配置されており、この場合、図３に示されているように、パーティクルカウンタ３８はチャンバー３１内に配置されていることが好ましい。また好ましくは、分岐Ｂ２は、吐出バルブ２２とノズル３２との間の経路の中点と、ノズル３２との間に配置されている。なお図３においてはパーティクルカウンタ３８がチャンバー３１内に配置されているが、チャンバー３１の外に配置されていてもよい。例えば、パーティクルカウンタ３８および分岐Ｂ２がケース２１内に配置されていてよい。 With reference to FIG. 3, the substrate processing apparatus 100 has a particle counter 38 (measuring instrument). The particle counter 38 measures a value representing the number of particles contained in the processing liquid LC in the pipe per unit amount. For this purpose, the particle counter 38 is connected to the branch B2 of the pipe. Preferably, the branch B2 is arranged in the discharge pipe PP. More preferably, the branch B2 is arranged between the discharge valve 22 and the nozzle 32. Even more preferably, the branch B2 is located in a portion of the discharge pipe PP within the chamber 31, where the particle counter 38 is located in the chamber 31, as shown in FIG. Is preferable. Further, preferably, the branch B2 is arranged between the midpoint of the path between the discharge valve 22 and the nozzle 32 and the nozzle 32. Although the particle counter 38 is arranged inside the chamber 31 in FIG. 3, it may be arranged outside the chamber 31. For example, the particle counter 38 and the branch B2 may be arranged in the case 21.

次に、基板処理装置１００を用いた基板処理方法について、図５も参照しつつ、以下に説明する。 Next, a substrate processing method using the substrate processing apparatus 100 will be described below with reference to FIG.

ステップＳ１０（図５）にて、配管中の処理液ＬＣが単位量あたりに含むパーティクルの個数を表す値を、パーティクルカウンタ３８が計測する。以下、この値をパーティクル値とも称する。パーティクル値は、配管中の処理液ＬＣが単位量（典型的には単位体積）あたりに含むパーティクルの個数を表す値であってよく、この値をパーティクル濃度とも称する。好ましくは、上記計測は、吐出経路ＰＰ中の処理液ＬＣのパーティクル濃度を計測することによって行われ、そのためには、分岐Ｂ２が吐出経路ＰＰに配置される。より好ましくは、上記計測は、チャンバー３１内の処理液ＬＣのパーティクル濃度を計測することによって行われ、そのためには、分岐Ｂ２がチャンバー３１内に配置される。 In step S10 (FIG. 5), the particle counter 38 measures a value representing the number of particles contained in the processing liquid LC in the pipe per unit amount. Hereinafter, this value is also referred to as a particle value. The particle value may be a value representing the number of particles contained in the processing liquid LC in the pipe per unit amount (typically, a unit volume), and this value is also referred to as a particle concentration. Preferably, the measurement is performed by measuring the particle concentration of the treatment liquid LC in the discharge path PP, for which the branch B2 is arranged in the discharge path PP. More preferably, the measurement is performed by measuring the particle concentration of the treatment liquid LC in the chamber 31, and for that purpose, the branch B2 is arranged in the chamber 31.

上記計測は、吐出バルブ２２が閉じられているときに、吐出バルブ２２とノズル３２との間の処理液ＬＣについてのパーティクル濃度を計測することによって行われてよい。吐出バルブ２２が閉じられているとき、分岐Ｂ２において処理液ＬＣの流れは止まっている。このように止まっている処理液ＬＣを、パーティクルカウンタ３８が分岐Ｂ２から、矢印ＦＳ（図３）に示すように吸い出す。吸い出される処理液ＬＣの体積は、パーティクル濃度の計測に必要な最低限の量であってよい。吸い出された処理液ＬＣを用いてパーティクル濃度が計測される。計測された処理液ＬＣは廃棄されてよい。 The above measurement may be performed by measuring the particle concentration of the processing liquid LC between the discharge valve 22 and the nozzle 32 when the discharge valve 22 is closed. When the discharge valve 22 is closed, the flow of the processing liquid LC is stopped at the branch B2. The particle counter 38 sucks the processing liquid LC stopped in this way from the branch B2 as shown by the arrow FS (FIG. 3). The volume of the treatment liquid LC sucked out may be the minimum amount required for measuring the particle concentration. The particle concentration is measured using the sucked-out processing liquid LC. The measured treatment liquid LC may be discarded.

あるいは、上記計測は、吐出バルブ２２が閉じられているときに行われる代わりに、予備吐出中に行われてよい。予備吐出は、吐出バルブ２２を開状態とする動作をともなう。吐出バルブ２２が開かれているとき、分岐Ｂ２において処理液ＬＣが流れている。このように流れている処理液ＬＣの一部を、パーティクルカウンタ３８が分岐Ｂ２から、矢印ＦＳ（図３）に示すように取り込む。取り込まれた処理液ＬＣを用いてパーティクル濃度が計測される。変形例として、分岐Ｂ２を設ける代わりに、分岐Ｂ２の位置にパーティクルカウンタが挿入されていてもよい。この変形例においては、パーティクルカウンタから排出された処理液ＬＣがノズル３２へ供給される。 Alternatively, the measurement may be performed during pre-discharge instead of being performed when the discharge valve 22 is closed. Preliminary discharge involves an operation of opening the discharge valve 22. When the discharge valve 22 is open, the processing liquid LC is flowing in the branch B2. The particle counter 38 takes in a part of the processing liquid LC flowing in this way from the branch B2 as shown by the arrow FS (FIG. 3). The particle concentration is measured using the taken-in processing liquid LC. As a modification, a particle counter may be inserted at the position of the branch B2 instead of providing the branch B2. In this modification, the processing liquid LC discharged from the particle counter is supplied to the nozzle 32.

ステップＳ２０（図５）にて、パーティクルカウンタ３８によって計測された上記パーティクル値に基づいて、制御部９０がダミー処理の回数を決定する。ダミー処理の回数は、パーティクル値が高いほど多くされることが好ましい。上記決定のために制御部９０は、パーティクル値からダミー処理の回数を計算によって求めてもよいし、あるいは、パーティクル値とダミー処理の回数との対応関係を格納したテーブルを参照してもよい。なおパーティクル値が低い場合、ダミー処理の回数がゼロと決定されてもよい。 In step S20 (FIG. 5), the control unit 90 determines the number of times of dummy processing based on the particle value measured by the particle counter 38. The number of times of dummy processing is preferably increased as the particle value is higher. For the above determination, the control unit 90 may calculate the number of times of dummy processing from the particle value, or may refer to a table storing the correspondence between the particle value and the number of times of dummy processing. When the particle value is low, the number of dummy processes may be determined to be zero.

パーティクル値と、当該パーティクル値を有する処理液ＬＣによって基板処理された基板Ｗ上のパーティクル数との相関関係は、図６のグラフＲ１およびグラフＲ２によって模式的に示すように、基板処理の条件によって相違することが多い。この相違を考慮するために、基板処理の複数の条件に対応して、複数の計算式が制御部９０に登録されていてよい。あるいは、基板処理の複数の条件に対応して、複数のテーブルが制御部９０に登録されていてよい。制御部９０は、実施されることになる基板処理の条件に応じて、ひとつの計算式またはテーブルを選択的に使用する。これにより、パーティクル値だけでなく、基板処理の条件に応じて、ダミー処理の回数を決定することができる。基板処理の条件は、例えば、処理液ＬＣの種類、および処理液ＬＣの温度である。処理液ＬＣの種類について例示すると、フッ化水素の水溶液の場合と、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素の水溶液の場合とを比較すると、前者の方が疎水性が高く、その結果、基板Ｗ上にパーティクルが残留しやすくなる。よって、基板Ｗ上のパーティクル数を所定の数以下に管理することが目的であれば、計測されたパーティクル値が同一であっても、処理液ＬＣが前者の場合は後者の場合に比して、ダミー処理の回数が多くされることが好ましい。 The correlation between the particle value and the number of particles on the substrate W substrate-treated by the processing liquid LC having the particle value depends on the substrate processing conditions, as schematically shown by graphs R1 and R2 of FIG. Often different. In order to take this difference into consideration, a plurality of calculation formulas may be registered in the control unit 90 corresponding to the plurality of conditions of the substrate processing. Alternatively, a plurality of tables may be registered in the control unit 90 in accordance with a plurality of conditions for substrate processing. The control unit 90 selectively uses one calculation formula or table according to the conditions of the substrate processing to be performed. Thereby, the number of times of dummy processing can be determined not only according to the particle value but also according to the conditions of substrate processing. The conditions for substrate treatment are, for example, the type of the treatment liquid LC and the temperature of the treatment liquid LC. To exemplify the type of treatment liquid LC, when comparing the case of an aqueous solution of hydrogen fluoride with the case of an aqueous solution of ammonium hydroxide and hydrogen peroxide, the former is more hydrophobic, and as a result, on the substrate W. Particles tend to remain. Therefore, if the purpose is to control the number of particles on the substrate W to a predetermined number or less, even if the measured particle values are the same, when the treatment liquid LC is the former, it is compared with the latter case. , It is preferable that the number of times of dummy processing is increased.

ステップＳ３０（図５）にて、上記ステップＳ２０にて決定された回数の基板処理が、ダミー処理として行われる。言い換えれば、ダミー基板ＷＤ（図１）への基板処理が、この回数行われる。 In step S30 (FIG. 5), the number of substrate processes determined in step S20 is performed as a dummy process. In other words, the substrate processing on the dummy substrate WD (FIG. 1) is performed this number of times.

ステップＳ４０（図５）にて、上記ダミー処理の後、実処理が行われる。言い換えれば、製品基板ＷＭ（図１）への基板処理が行われる。 In step S40 (FIG. 5), after the dummy processing, the actual processing is performed. In other words, the substrate processing on the product substrate WM (FIG. 1) is performed.

本実施の形態によれば、ダミー処理の回数がパーティクル値に基づいて決定される。これにより、ダミー処理の回数を、過多でも過小でもない適切な回数とすることができる。よって、ダミー処理の回数が過多であることに起因しての時間またはコストの損失を抑えつつ、ダミー処理の回数が不足することに起因してのパーティクルの過度な付着を避けることができる。 According to this embodiment, the number of times of dummy processing is determined based on the particle value. As a result, the number of times of dummy processing can be set to an appropriate number that is neither excessive nor too small. Therefore, it is possible to suppress the loss of time or cost due to the excessive number of dummy processes, and to avoid excessive adhesion of particles due to the insufficient number of dummy processes.

吐出バルブ２２が閉じられているときにパーティクル値が計測される場合は、計測時にノズル３２から処理液ＬＣが流失することを避けることができる。予備吐出中にパーティクル値が計測される場合は、計測を行うことに起因して基板処理が遅延することが避けられる。 When the particle value is measured when the discharge valve 22 is closed, it is possible to prevent the processing liquid LC from flowing out from the nozzle 32 at the time of measurement. When the particle value is measured during the pre-discharge, it is possible to avoid delaying the substrate processing due to the measurement.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although the present invention has been described in detail, the above description is exemplary in all aspects and the invention is not limited thereto. It is understood that innumerable variations not illustrated can be assumed without departing from the scope of the present invention. The configurations described in the above embodiments and the modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not conflict with each other.

１０：薬液キャビネット
１１：ケース
１２：貯留液タンク（貯留部）
２０：流体ボックス
２１：ケース
２２：吐出バルブ（バルブ）
２３：循環バルブ
３０：処理ユニット
３１：チャンバー
３２：ノズル
３５：液受部
３６：カップ
３８：パーティクルカウンタ（計測器）
９０：制御部
１００：基板処理装置
ＬＣ：処理液
ＰＣ：循環配管（循環経路）
ＰＰ：吐出配管（吐出経路）
Ｗ：基板
ＷＤ：ダミー基板
ＷＭ：製品基板 10: Chemical solution cabinet 11: Case 12: Storage liquid tank (storage part)
20: Fluid box 21: Case 22: Discharge valve (valve)
23: Circulation valve 30: Processing unit 31: Chamber 32: Nozzle 35: Liquid receiving part 36: Cup 38: Particle counter (measuring instrument)
90: Control unit 100: Substrate processing device LC: Processing liquid PC: Circulation piping (circulation path)
PP: Discharge piping (discharge path)
W: Substrate WD: Dummy substrate WM: Product substrate

Claims

A substrate processing method using a substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus includes a storage unit for storing a processing liquid, a nozzle for discharging the processing liquid for substrate processing, and the storage unit to the nozzle. The substrate processing apparatus has a liquid path for supplying a processing liquid, and can perform actual processing which is the substrate processing for a product substrate to be used for product manufacturing, and can manufacture the product. The dummy processing, which is the substrate processing for a dummy substrate that is not to be used in the above, can be performed an arbitrary number of times before the actual processing, and the substrate processing method is a method.
(A) Measuring a value representing the number of particles contained in the processing liquid in the liquid path per unit amount, and
(B) Determining the number of times of the dummy processing based on the value, and
Substrate processing method comprising.

The substrate processing method according to claim 1.
The liquid path is a substrate processing method including a circulation path for circulating the treatment liquid via the storage portion and a discharge path extending from the circulation path to the nozzle.

The substrate processing method according to claim 2.
The substrate processing method (a) is performed by measuring a value representing the number of particles contained in the processing liquid in the discharge path per unit amount.

The substrate processing method according to claim 3.
The discharge path includes a valve between the nozzle and the circulation path, and the step (a) is performed on the processing liquid between the valve and the nozzle when the valve is closed. Processing method.

The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3.
The substrate processing method (a) is performed during the preliminary discharge of the processing liquid, which is performed before the substrate processing.

It is a substrate processing apparatus that performs substrate processing using a processing liquid, and the substrate processing apparatus can perform actual processing that is the substrate processing for a product substrate that will be used in product manufacturing, and The dummy processing, which is the substrate processing for a dummy substrate that is not used in product manufacturing, can be performed an arbitrary number of times before the actual processing.
A storage unit that stores the treatment liquid and
A nozzle that discharges the treatment liquid and
A liquid path for supplying the treatment liquid from the storage unit to the nozzle, and
A measuring instrument that measures a value representing the number of particles contained in the processing liquid in the liquid path per unit amount, and
A control unit that determines the number of times of the dummy processing based on the value measured by the measuring instrument, and
Substrate processing device.