JP2021093519A - Jig, processing system and processing method - Google Patents

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Abstract

To enhance precision of analysis of light emission intensity.SOLUTION: A jig includes: a base; a plurality of light sources which is provided on the base, and emits light differing in wavelength; a control part which is provided on the base, and turns ON or OFF the plurality of light sources based upon a given program; and an electric power supply part which is provided on the base, and supplies electric power to the plurality of light sources and the control part. The jig has a shape capable of being carried with a carrier device provided in a carrier chamber and carrying a substrate.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、治具、処理システム及び処理方法に関する。 The present disclosure relates to jigs, processing systems and processing methods.

特許文献１は、チャンバに発光分光分析装置を接続し、チャンバにて生じるスペクトル強度の分析によりプロセスの監視及び制御を行うプラズマ処理装置を開示する。特許文献２は、キセノンフラッシュランプなどの連続スペクトルを有する光源を備えた光学校正装置をチャンバ内に設置して装置を校正するシステムを開示する。 Patent Document 1 discloses a plasma processing apparatus in which an emission spectroscopic analyzer is connected to a chamber and the process is monitored and controlled by analyzing the spectral intensity generated in the chamber. Patent Document 2 discloses a system in which an optical calibration device including a light source having a continuous spectrum such as a xenon flash lamp is installed in a chamber to calibrate the device.

特表２０１１−５１７０９７号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-517097 特開２０１８−９１８３６号公報JP-A-2018-91836

本開示は、発光強度の分析の精度を高める技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for improving the accuracy of emission intensity analysis.

本開示の一の態様によれば、ベースと、前記ベースの上に設けられ、異なる波長の光を発する複数の光源と、前記ベースの上に設けられ、所与のプログラムに基づいて前記複数の光源を点灯又は消灯させる制御部と、前記ベースの上に設けられ、前記複数の光源及び前記制御部に電力を供給する電力供給部と、を有し、搬送室に設けられた、基板を搬送する搬送装置により搬送可能な形状である、治具が提供される。 According to one aspect of the present disclosure, a base, a plurality of light sources provided on the base and emitting light of different wavelengths, and the plurality of light sources provided on the base and based on a given program. A control unit for turning on or off a light source, a plurality of light sources provided on the base, and a power supply unit for supplying electric power to the control unit are provided, and a substrate provided in a transfer chamber is conveyed. A jig having a shape that can be conveyed by the conveying device is provided.

一の側面によれば、発光強度の分析の精度を高めることができる。 According to one aspect, the accuracy of the emission intensity analysis can be improved.

実施形態に係る治具の一例を示す断面模式図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a jig according to an embodiment. 実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図。The figure which shows an example of the plasma processing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る半導体製造装置の一例を示す図。The figure which shows an example of the semiconductor manufacturing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る処理システムと各装置のハードウェア構成の一例を示す図。The figure which shows an example of the hardware configuration of the processing system and each apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る処理システムと各装置のハードウェア構成の一例を示す図。The figure which shows an example of the hardware configuration of the processing system and each apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る処理システムの動作の一例を示す図。The figure which shows an example of the operation of the processing system which concerns on embodiment. 実施形態に係る基準データの一例を示す図。The figure which shows an example of the reference data which concerns on embodiment. 実施形態に係る発光分光分析装置の動作の一例を示す図。The figure which shows an example of the operation of the emission spectroscopic analyzer which concerns on embodiment. 実施形態に係る処理システムの動作の一例を示す図。The figure which shows an example of the operation of the processing system which concerns on embodiment. 実施形態に係る処理システムを用いた分析の他の例を示す図。The figure which shows the other example of the analysis using the processing system which concerns on embodiment. 実施形態に係る治具の他の例を示す断面模式図。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing another example of the jig according to the embodiment.

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components may be designated by the same reference numerals and duplicate description may be omitted.

［治具］
まず、実施形態に係る治具ＬＷについて、図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る治具ＬＷの一例を示す断面模式図である。治具ＬＷは、ベース１１と、制御基板１２と、複数の光源１３ａ〜１３ｄ（光源を、総称して「光源１３」ともいう。）と、バッテリー１９と、複数の温度センサ１４ａ〜１４ｄ（総称して「温度センサ１４」ともいう。）と、を有する。 [jig]
First, the jig LW according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the jig LW according to the embodiment. The jig LW includes a base 11, a control board 12, a plurality of light sources 13a to 13d (the light sources are also collectively referred to as "light source 13"), a battery 19, and a plurality of temperature sensors 14a to 14d (generally referred to as "light source 13"). (Also referred to as “temperature sensor 14”).

ベース１１は、円盤状のウエハを一例とする基板である。ただし、ベース１１は、円盤状に限られず、基板を搬送する搬送装置により搬送できれば、多角形、楕円等、形状には限定されない。これにより、治具ＬＷは、後述する処理システムにおいて、搬送室に設けられた搬送装置により搬送可能な形状であるため、プラズマ処理装置等の所与の装置と搬送室との間を真空を破らないで搬送することができる。基板の材質としては、例えばシリコン、カーボンファイバ、石英ガラス、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、アルミナなどが挙げられる。基板の材質は、導電性と伝熱性とを有する材質が好ましい。 The base 11 is a substrate using a disk-shaped wafer as an example. However, the base 11 is not limited to a disk shape, and is not limited to a polygonal shape, an elliptical shape, or the like as long as it can be conveyed by a conveying device that conveys the substrate. As a result, since the jig LW has a shape that can be conveyed by a transfer device provided in the transfer chamber in the processing system described later, a vacuum is broken between a given device such as a plasma processing device and the transfer chamber. Can be transported without. Examples of the material of the substrate include silicon, carbon fiber, quartz glass, silicon carbide, silicon nitride, and alumina. The material of the substrate is preferably a material having both conductivity and heat transfer.

制御基板１２は、ベース１１の上に設けられる回路基板であり、光源１３ａ〜１３ｄと、温度センサ１４ａ〜１４ｄと、コネクタ２１と、制御回路２００とを有する。 The control board 12 is a circuit board provided on the base 11, and includes light sources 13a to 13d, temperature sensors 14a to 14d, a connector 21, and a control circuit 200.

光源１３ａ〜１３ｄは、ベース１１の上の制御基板１２に配置される。光源１３ａ、光源１３ｂ、光源１３ｃ、及び光源１３ｄはそれぞれ異なる波長（つまり、異なる色）の光を発する。４つの光源１３ａは、同一波長の光を発する光源であり、並べて配置される。４つの光源１３ｂは、同一波長の光を発する光源であり、並べて配置される。４つの光源１３ｃは、同一波長の光を発する光源であり、並べて配置される。４つの光源１３ｄは、同一波長の光を発する光源であり、並べて配置される。 The light sources 13a to 13d are arranged on the control board 12 on the base 11. The light source 13a, the light source 13b, the light source 13c, and the light source 13d emit light having different wavelengths (that is, different colors). The four light sources 13a are light sources that emit light having the same wavelength, and are arranged side by side. The four light sources 13b are light sources that emit light having the same wavelength, and are arranged side by side. The four light sources 13c are light sources that emit light having the same wavelength, and are arranged side by side. The four light sources 13d are light sources that emit light having the same wavelength, and are arranged side by side.

同一波長の光を発する光源１３をそれぞれ４つずつ並べて配置することにより、各波長の光量を増やし、これにより、校正対象装置や基準装置の窓に取り付けられた発光分光分析装置１００が窓を介して各波長の光を受光し易くすることができる。ただし、各波長の光源１３の個数は４つに限られず、複数以上であればよい。光源１３ａ、光源１３ｂ、光源１３ｃ、及び光源１３ｄの間はそれぞれ離間して配置される。また、各光源１３ａ、光源１３ｂ、光源１３ｃ、及び光源１３ｄの同一波長の光源の個数は、複数に限られず、光量が足りれば１つであってもよい。この場合、光源１３ａ、光源１３ｂ、光源１３ｃ、及び光源１３ｄが並べて配置されてもよい。 By arranging four light sources 13 that emit light of the same wavelength side by side, the amount of light of each wavelength is increased, whereby the emission spectrum analyzer 100 attached to the window of the device to be calibrated or the reference device passes through the window. Therefore, it is possible to easily receive light of each wavelength. However, the number of light sources 13 for each wavelength is not limited to four, and may be a plurality of light sources. The light source 13a, the light source 13b, the light source 13c, and the light source 13d are arranged apart from each other. Further, the number of the light sources 13a, the light source 13b, the light source 13c, and the light source 13d having the same wavelength is not limited to a plurality, and may be one as long as the amount of light is sufficient. In this case, the light source 13a, the light source 13b, the light source 13c, and the light source 13d may be arranged side by side.

光源１３ａ〜１３ｄは、ベース１１の最外周に沿って配置することが好ましい。これにより、発光分光分析装置１００が、光源１３ａ〜１３ｄから出力された光をより受光し易くなる。ただし、複数の光源１３ａ〜１３ｄの配置は、制御基板１２の上であれば特に制限はない。 The light sources 13a to 13d are preferably arranged along the outermost circumference of the base 11. This makes it easier for the emission spectroscopic analyzer 100 to receive the light output from the light sources 13a to 13d. However, the arrangement of the plurality of light sources 13a to 13d is not particularly limited as long as it is on the control board 12.

光源１３ａ〜１３ｄは、ＬＥＤ（light emitting diode）又はＯＬＥＤ（Organic light emitting diode）であることが好ましい（図４参照）。 The light sources 13a to 13d are preferably LEDs (light emitting diodes) or OLEDs (Organic light emitting diodes) (see FIG. 4).

実施形態に係る治具ＬＷでは、光源１３ａ〜１３ｄにＬＥＤ又はＯＬＥＤを使用することにより、使用により経時的に光量が低下することを回避でき、発光分光分析装置１００による分析の精度低下を回避できる。また、ＬＥＤ又はＯＬＥＤを使用することで、治具ＬＷを小型化することができる。 In the jig LW according to the embodiment, by using LEDs or OLEDs for the light sources 13a to 13d, it is possible to avoid a decrease in the amount of light over time due to the use, and it is possible to avoid a decrease in the accuracy of analysis by the emission spectroscopic analyzer 100. .. Further, the jig LW can be miniaturized by using the LED or the OLED.

また、複数の光源１３ａ〜１３ｄの波長帯は、２００ｎｍ〜８５０ｎｍの範囲であることが好ましい。光源１３ａ〜１３ｄから出力される光は、可視光線に限られず、紫外線又は赤外線であってもよい。なお、光源１３は、例えば白色ＬＥＤとの組み合わせにより様々な波長（色）の光を出力可能にしてもよい。 The wavelength band of the plurality of light sources 13a to 13d is preferably in the range of 200 nm to 850 nm. The light output from the light sources 13a to 13d is not limited to visible light, and may be ultraviolet rays or infrared rays. The light source 13 may be capable of outputting light of various wavelengths (colors) in combination with, for example, a white LED.

光源１３ａ〜１３ｄのそれぞれは、発光分光分析装置１００が取り付けられるチャンバの窓に近くなる位置に、回転し、搬送する。これにより、発光分光分析装置１００が各光を受光し易くなる。なお、ベース１１には、エッジにノッチ２２が形成され、この切欠きにより、後述するアライメント装置が搬送された治具ＬＷの回転を制御できるように構成される。 Each of the light sources 13a to 13d is rotated and conveyed to a position close to the window of the chamber in which the emission spectroscopic analyzer 100 is mounted. This makes it easier for the emission spectroscopic analyzer 100 to receive each light. A notch 22 is formed on the edge of the base 11, and the notch 22 is configured to control the rotation of the jig LW to which the alignment device described later is conveyed.

温度センサ１４ａ〜１４ｄは、光源１３ａ〜１３ｄに対して一対一になるように各光源の近傍に配置されている。温度センサ１４ａは、光源１３ａの周辺温度を測定する。温度センサ１４ｂは、光源１３ｂの周辺温度を測定する。温度センサ１４ｃは、光源１３ｃの周辺温度を測定する。温度センサ１４ｄは、光源１３ｄの周辺温度を測定する。 The temperature sensors 14a to 14d are arranged in the vicinity of each light source so as to be one-to-one with respect to the light sources 13a to 13d. The temperature sensor 14a measures the ambient temperature of the light source 13a. The temperature sensor 14b measures the ambient temperature of the light source 13b. The temperature sensor 14c measures the ambient temperature of the light source 13c. The temperature sensor 14d measures the ambient temperature of the light source 13d.

制御回路２００は、ベース１１の上の制御基板１２に配置され、マイコン等を含み、所与のプログラムに基づいて光源１３ａ〜１３ｄを点灯又は消灯させる。制御回路２００は、治具ＬＷの各部を制御する制御部として機能する。制御回路２００は、例えば光源１３ａ〜１３ｄのそれぞれの点灯及び消灯を制御する。制御回路２００は、他の機器との通信を制御してもよい。 The control circuit 200 is arranged on the control board 12 on the base 11, includes a microcomputer and the like, and turns on or off the light sources 13a to 13d based on a given program. The control circuit 200 functions as a control unit that controls each part of the jig LW. The control circuit 200 controls, for example, lighting and extinguishing of the light sources 13a to 13d, respectively. The control circuit 200 may control communication with other devices.

コネクタ２１は、外部電源と接続し、バッテリーを充電するためのコネクタである。バッテリー１９は、ベース１１の上に４つ配置されている。バッテリー１９は、光源１３ａ〜１３ｄ及び制御回路２００に電力を供給する。バッテリー１９は、複数の光源及び制御部に電力を供給する電力供給部の一例である。バッテリー１９は、光源１３ａ〜１３ｄの最大電流値に耐え得る数であれば、４つに限られない。 The connector 21 is a connector for connecting to an external power source and charging the battery. Four batteries 19 are arranged on the base 11. The battery 19 supplies electric power to the light sources 13a to 13d and the control circuit 200. The battery 19 is an example of a power supply unit that supplies electric power to a plurality of light sources and control units. The number of batteries 19 is not limited to four as long as it can withstand the maximum current values of the light sources 13a to 13d.

治具ＬＷには、加速度センサ１７が設けられている。加速度センサ１７は、治具ＬＷの傾きや装置内の搬送動作を検出する。 The jig LW is provided with an acceleration sensor 17. The acceleration sensor 17 detects the inclination of the jig LW and the transport operation in the device.

［プラズマ処理装置］
かかる構成の治具ＬＷは、エッチング処理、成膜処理等の基板処理を実行するプラズマ処理装置に搬送可能である。図２は、実施形態に係るプラズマ処理装置１０の一例を示す図である。プラズマ処理装置１０は、処理ガスからプラズマを励起するために用いられるいくつかのプラズマ生成システムの一例を与える。 [Plasma processing equipment]
The jig LW having such a configuration can be conveyed to a plasma processing apparatus that performs substrate processing such as etching processing and film formation processing. FIG. 2 is a diagram showing an example of the plasma processing apparatus 10 according to the embodiment. The plasma processing apparatus 10 provides an example of some plasma generation systems used to excite plasma from a processing gas.

図２のプラズマ処理装置１０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）装置を示しており、チャンバ２と上部電極３と載置台ＳＴとの間にプラズマＰが形成される。載置台ＳＴは、下部電極４及び静電チャック５を有する。プロセス中、下部電極４上には基板Ｗが保持される。チャンバ２には光を透過する窓１０１が設けられ、窓１０１には光ファイバ１０２を介して発光分光分析装置１００が接続されている。発光分光分析装置１００によりプラズマの発光強度を分析する場合、下部電極４上には基板Ｗが保持される。ＲＦソース６とＲＦソース７は、上部電極３及び下部電極４の双方に結合され、異なるＲＦ周波数が用いられ得る。他の例では、ＲＦソース６とＲＦソース７が同じ電極に結合されてもよい。更に、直流電流（ＤＣ）パワーが上部電極に結合されてもよい。チャンバ２にはガスソース８が接続され、処理ガスを供給する。また、チャンバ２には排気装置９が接続され、チャンバ２内部を排気する。 The plasma processing device 10 of FIG. 2 shows a capacitively coupled plasma (CCP) device, and a plasma P is formed between the chamber 2, the upper electrode 3, and the mounting table ST. The mounting table ST has a lower electrode 4 and an electrostatic chuck 5. During the process, the substrate W is held on the lower electrode 4. A window 101 that transmits light is provided in the chamber 2, and an emission spectroscopic analyzer 100 is connected to the window 101 via an optical fiber 102. When the emission intensity of plasma is analyzed by the emission spectroscopic analyzer 100, the substrate W is held on the lower electrode 4. The RF source 6 and the RF source 7 are coupled to both the upper electrode 3 and the lower electrode 4, and different RF frequencies can be used. In another example, RF source 6 and RF source 7 may be coupled to the same electrode. Further, direct current (DC) power may be coupled to the upper electrode. A gas source 8 is connected to the chamber 2 to supply processing gas. Further, an exhaust device 9 is connected to the chamber 2 to exhaust the inside of the chamber 2.

図２のプラズマ処理装置は、プロセッサ及びメモリを含むＥＣ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１８０を有し、プラズマ処理装置１０の各要素を制御して基板Ｗをプラズマ処理する。 The plasma processing apparatus of FIG. 2 has an EC (Equipment Controller) 180 including a processor and a memory, and controls each element of the plasma processing apparatus 10 to perform plasma processing of the substrate W.

［半導体製造装置］
次に、プラズマ処理装置１０を有する半導体製造装置３０について、図３を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る半導体製造装置３０の一例を示す図である。半導体製造装置３０は、図２の構成のプラズマ処理装置１０を４つ有し、それぞれをプラズマ処理装置１０ａ〜１０ｄとして示す。 [Semiconductor manufacturing equipment]
Next, the semiconductor manufacturing apparatus 30 having the plasma processing apparatus 10 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing an example of the semiconductor manufacturing apparatus 30 according to the embodiment. The semiconductor manufacturing apparatus 30 has four plasma processing apparatus 10 having the configuration shown in FIG. 2, and each of them is shown as plasma processing apparatus 10a to 10d.

半導体製造装置３０は、プラズマ処理装置１０ａ〜１０ｄにそれぞれ設けられたチャンバ２ａ〜２ｄ（総称して「チャンバ２」ともいう。）、搬送室ＶＴＭ、２つのロードロック室ＬＬＭ、ローダーモジュールＬＭ、アライメント装置ＯＲＴ、３つのロードポートＬＰ及びＭＣ（Ｍａｃｈｉｎｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１８１を有する。 The semiconductor manufacturing apparatus 30 includes chambers 2a to 2d (collectively referred to as “chamber 2”), transfer chamber VTM, two load lock chambers LLM, loader module LM, and alignment provided in the plasma processing apparatus 10a to 10d, respectively. The device ORT has three load ports LP and MC (Machine Controller) 181.

チャンバ２ａ〜２ｄは、搬送室ＶＴＭの対向する辺に２つずつ並んで配置され、基板に所定の処理を施す。チャンバ２ａ〜２ｄと搬送室ＶＴＭとの間は、ゲートバルブＶにより開閉可能に接続されている。チャンバ２ａ〜２ｄの内部は減圧され、真空雰囲気になっている。 The chambers 2a to 2d are arranged side by side on the opposite sides of the transfer chamber VTM, and the substrate is subjected to a predetermined treatment. The chambers 2a to 2d and the transfer chamber VTM are connected by a gate valve V so as to be openable and closable. The inside of the chambers 2a to 2d is depressurized to create a vacuum atmosphere.

搬送室ＶＴＭの内部には、基板を搬送する搬送装置ＶＡが配置されている。搬送装置ＶＡは、先端ピックの上に基板を保持し、チャンバ２ａ〜２ｄとロードロック室ＬＬＭとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置ＶＡは、先端ピックの上に治具ＬＷを保持し、チャンバ２ａ〜２ｄとロードロック室ＬＬＭとの間で治具ＬＷの受け渡しを行うことができる。 Inside the transport chamber VTM, a transport device VA that transports the substrate is arranged. The transfer device VA holds the substrate on the tip pick, and transfers the substrate W between the chambers 2a to 2d and the load lock chamber LLM. The transfer device VA holds the jig LW on the tip pick, and can transfer the jig LW between the chambers 2a to 2d and the load lock chamber LLM.

ロードロック室ＬＬＭは、搬送室ＶＴＭとローダーモジュールＬＭとの間に設けられている。ロードロック室ＬＬＭは、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えて基板をローダーモジュールＬＭの大気空間と搬送室ＶＴＭの真空空間との間で搬送する。 The load lock chamber LLM is provided between the transport chamber VTM and the loader module LM. The load lock chamber LLM switches between an air atmosphere and a vacuum atmosphere to transport the substrate between the air space of the loader module LM and the vacuum space of the transport chamber VTM.

ローダーモジュールＬＭの内部は、ダウンフローで清浄に保たれ、側壁には３つのロードポートＬＰが備えられている。各ロードポートＬＰには、例えば２５枚の基板が収容されたＦＯＵＰ(Front Opening Unified Pod）又は空のＦＯＵＰが取り付けられる。基板Ｗは、ロードポートＬＰからチャンバ２ａ〜２ｄへ搬送され、また、基板Ｗの処理後にチャンバ２ａ〜２ｄからロードポートＬＰへ搬送される。 The inside of the loader module LM is kept clean by downflow, and the side wall is provided with three load port LPs. For example, a FOUP (Front Opening Unified Pod) containing 25 substrates or an empty FOUP is attached to each load port LP. The substrate W is transported from the load port LP to the chambers 2a to 2d, and is also transported from the chambers 2a to 2d to the load port LP after the processing of the substrate W.

ローダーモジュールＬＭの内部には、基板を搬送する搬送装置ＬＡが配置されている。搬送装置ＬＡは、先端ピックの上に基板を保持し、ＦＯＵＰとロードロック室ＬＬＭとの間で基板Ｗの受け渡しを行う。搬送装置ＬＡは、先端ピックの上に治具ＬＷを保持し、チャンバ２ａ〜２ｄとロードロック室ＬＬＭとの間で治具ＬＷの受け渡しを行うことができる。 Inside the loader module LM, a transport device LA for transporting the substrate is arranged. The transfer device LA holds the substrate on the tip pick, and transfers the substrate W between the FOUP and the load lock chamber LLM. The transfer device LA holds the jig LW on the tip pick, and can transfer the jig LW between the chambers 2a to 2d and the load lock chamber LLM.

ローダーモジュールＬＭには、基板の位置をアライメントするアライメント装置ＯＲＴが設けられている。アライメント装置ＯＲＴは、ローダーモジュールＬＭの例えば一端に配置されている。アライメント装置ＯＲＴは、基板の中心位置、偏心量及びノッチ位置を検出する。検出結果に基づく基板Ｗの配置の補正は、ローダーモジュールＬＭに配置された搬送装置ＬＡで行う。アライメント装置ＯＲＴは、治具ＬＷの中心位置、偏心量及びノッチ位置を検出する。検出結果に基づく治具ＬＷの配置の補正は、ローダーモジュールＬＭに配置された搬送装置ＬＡで行う。 The loader module LM is provided with an alignment device ORT that aligns the positions of the substrates. The alignment device ORT is arranged at, for example, one end of the loader module LM. The alignment device ORT detects the center position, the amount of eccentricity, and the notch position of the substrate. The correction of the arrangement of the substrate W based on the detection result is performed by the transfer device LA arranged in the loader module LM. The alignment device ORT detects the center position, the eccentricity amount and the notch position of the jig LW. The correction of the arrangement of the jig LW based on the detection result is performed by the transfer device LA arranged in the loader module LM.

なお、チャンバ２ａ〜２ｄ、ロードロック室ＬＬＭ、ローダーモジュールＬＭ及びロードポートＬＰの個数は、実施形態で示す個数に限らず、いくつであってもよい。また、治具ＬＷの搬送は、基板Ｗの搬送同様に行うことができる。治具ＬＷは、搬送室ＶＴＭに設けられた、基板Ｗを搬送する搬送装置ＬＡ，ＶＡにより搬送可能な形状である。これにより、治具ＬＷは、所与の装置の一例であるプラズマ処理装置１０と搬送室ＶＴＭとの間を真空を破らないで搬送することができる。 The number of chambers 2a to 2d, load lock chamber LLM, loader module LM, and load port LP is not limited to the number shown in the embodiment, and may be any number. Further, the transfer of the jig LW can be performed in the same manner as the transfer of the substrate W. The jig LW has a shape that can be conveyed by the transfer devices LA and VA provided in the transfer chamber VTM to convey the substrate W. Thereby, the jig LW can transfer between the plasma processing device 10 which is an example of a given device and the transfer chamber VTM without breaking the vacuum.

ＭＣ１８１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）を有する。なお、ＭＣ１８１は、ＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。 The MC181 has a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), and an HDD (Hard Disk Drive). The MC181 may have another storage area such as an SSD (Solid State Drive).

ＣＰＵは、プロセスの手順やプロセスの条件が設定されたレシピに従って、チャンバ２ａ〜２ｄにおける基板Ｗの処理を制御する。ＲＯＭ、ＲＡＭ又はＨＤＤの記憶部には、レシピが格納されている。記憶部には、基板Ｗの処理及び搬送を制御するために実行されるプログラムが記憶されている。また、記憶部には、治具ＬＷの搬送処理を制御するために実行されるプログラムが記憶されている。ＣＰＵは、治具ＬＷの搬送手順や条件が設定されたプログラムに従って、治具ＬＷの搬送を制御する。 The CPU controls the processing of the substrate W in the chambers 2a to 2d according to the recipe in which the process procedure and the process conditions are set. The recipe is stored in the storage unit of the ROM, RAM or HDD. The storage unit stores a program executed to control the processing and transportation of the substrate W. Further, the storage unit stores a program executed to control the transfer process of the jig LW. The CPU controls the transfer of the jig LW according to a program in which the transfer procedure and conditions of the jig LW are set.

チャンバ２ａ〜２ｄのそれぞれには、各チャンバに設けられた光を透過する窓１０１に光ファイバ１０２を介して発光分光分析装置１００ａ〜１００ｄ（以下、総称して「発光分光分析装置１００」ともいう。）が取り付けられている。載置台ＳＴに治具ＬＷが載置され、治具ＬＷに設けられた光源１３が点灯すると、発光分光分析装置１００は、出力された光を、窓１０１を介して受光する。 In each of the chambers 2a to 2d, the emission spectroscopic analyzers 100a to 100d (hereinafter, also collectively referred to as "emission spectroscopic analyzer 100") are passed through an optical fiber 102 through a window 101 provided in each chamber for transmitting light. .) Is attached. When the jig LW is mounted on the mounting table ST and the light source 13 provided on the jig LW is turned on, the emission spectroscopic analyzer 100 receives the output light through the window 101.

半導体製造装置において、治具ＬＷは、ＦＯＵＰ内、アライメント装置ＯＲＴ内に配置してもよい。搬送室ＶＴＭ等の搬送系の空間内にアライメント装置を配置し、そのアライメント装置に配置してもよい。治具ＬＷの光源１３ａ〜１３ｄから出力される光が発光分光分析装置１００の分析に十分な光量であれば、治具ＬＷを回転させずに各光源１３ａ〜１３ｄから出力される光に基づく分析を行ってもよい。この場合、アライメント装置ＯＲＴはなくてもよい。 In the semiconductor manufacturing apparatus, the jig LW may be arranged in the FOUP and the alignment apparatus ORT. An alignment device may be arranged in the space of the transfer system such as the transfer chamber VTM, and may be arranged in the alignment device. If the amount of light output from the light sources 13a to 13d of the jig LW is sufficient for the analysis of the emission spectrum analyzer 100, the analysis based on the light output from each of the light sources 13a to 13d without rotating the jig LW. May be done. In this case, the alignment device ORT may not be required.

発光分光分析装置１００での分析の一例としては、ＥＰＤ（End Point Detection：終点検出）等、プロセスの監視が挙げられる。基板処理時に発生する反応生成物が付着すること等により窓の曇りが発生すると、発光分光分析装置１００の感度が悪くなる。また、チャンバと発光分光分析装置１００を接続する光ファイバ１０２の這い回しの状態によっても発光分光分析装置１００の感度が変わる。 An example of analysis by the emission spectroscopic analyzer 100 is process monitoring such as EPD (End Point Detection). If the window becomes cloudy due to the adhesion of reaction products generated during substrate processing, the sensitivity of the emission spectroscopic analyzer 100 deteriorates. Further, the sensitivity of the emission spectroscopic analyzer 100 also changes depending on the crawling state of the optical fiber 102 connecting the chamber and the emission spectroscopic analyzer 100.

実施形態に係る治具ＬＷによれば、光源１３がチャンバ２の内部にある状態で、発光分光分析装置１００の受光が可能である。また、チャンバ２の蓋を開けてチャンバ２を大気に解放することなく、チャンバ２内を真空に保ったまま、治具ＬＷをチャンバ２内に搬送できる。これにより、発光分光分析装置１００の感度を最適な値に調整し、発光信号強度を安定させることができる。 According to the jig LW according to the embodiment, the light emission spectroscopic analyzer 100 can receive light while the light source 13 is inside the chamber 2. Further, the jig LW can be conveyed into the chamber 2 while keeping the inside of the chamber 2 in a vacuum without opening the lid of the chamber 2 and opening the chamber 2 to the atmosphere. As a result, the sensitivity of the emission spectroscopic analyzer 100 can be adjusted to an optimum value, and the emission signal intensity can be stabilized.

また、実施形態では、窓１０１は、ハニカム形状の２重窓構造となっている。これにより、窓１０１内へのプラズマ及びラジカルの進入を抑えて、窓１０１に付着する反応生成物の量を極力減らし、発光分光分析装置１００の受光強度の低下を抑制できる。 Further, in the embodiment, the window 101 has a honeycomb-shaped double-glazed window structure. As a result, it is possible to suppress the invasion of plasma and radicals into the window 101, reduce the amount of reaction products adhering to the window 101 as much as possible, and suppress the decrease in the light receiving intensity of the emission spectroscopic analyzer 100.

なお、プラズマ処理装置１０ａ〜１０ｄのうち、いずれかのチャンバ２内で基板Ｗの処理を行っているときに別のチャンバ２内で治具ＬＷを載置台ＳＴに載置して発光分光分析装置１００による受光を行ってもよい。 Of the plasma processing devices 10a to 10d, when the substrate W is being processed in one of the chambers 2, the jig LW is placed on the mounting table ST in the other chamber 2 and the emission spectroscopic analyzer. Light reception by 100 may be performed.

［処理システム］
次に、発光強度の基準データを取得する場合の処理システム１ａについて、図４を参照しながら説明する。図４は、実施形態に係る処理システム１ａの全体と、半導体製造装置３０ａを含む処理システム１ａ内の各装置のハードウェア構成の一例を示す図である。処理システム１ａは、半導体製造装置３０ａと治具ＬＷとを有する。半導体製造装置３０ａは、チャンバ２ａと、発光分光分析装置１００ａと、ＰＣ４００と、搬送装置ＶＡ１、ＬＡ１と、アライメント装置ＯＲＴ１とを有する。 [Processing system]
Next, the processing system 1a in the case of acquiring the reference data of the emission intensity will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing an example of the hardware configuration of the entire processing system 1a according to the embodiment and each device in the processing system 1a including the semiconductor manufacturing device 30a. The processing system 1a includes a semiconductor manufacturing apparatus 30a and a jig LW. The semiconductor manufacturing apparatus 30a includes a chamber 2a, an emission spectroscopic analyzer 100a, a PC400, transfer apparatus VA1 and LA1, and an alignment apparatus ORT1.

発光分光分析装置１００ａは、測定部１０３ａとＣＰＵ１０４ａとメモリ１０５ａとを有する。測定部１０３ａは、治具ＬＷに搭載された複数の光源１３から出力される光を用いて発光強度のデータを測定する。メモリ１０５ａは、治具ＬＷの複数の光源１３から出力される光を用いて発光強度のデータを分析するための所与のプログラムを記憶する。ＣＰＵ１０４ａは、メモリ１０５ａに記憶された前記プログラムを実行することで、基準となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ａ内へ搬送された治具ＬＷの複数の光源１３から出力される光を測定し、発光強度のデータを分析する。測定した発光強度のデータは、基準データとしてメモリ１０５ａに記憶される。 The emission spectroscopic analyzer 100a includes a measuring unit 103a, a CPU 104a, and a memory 105a. The measuring unit 103a measures the emission intensity data using the light output from the plurality of light sources 13 mounted on the jig LW. The memory 105a stores a given program for analyzing the emission intensity data using the light output from the plurality of light sources 13 of the jig LW. By executing the program stored in the memory 105a, the CPU 104a measures the light output from the plurality of light sources 13 of the jig LW conveyed into the chamber 2a of the reference plasma processing device 10 and emits light. Analyze intensity data. The measured emission intensity data is stored in the memory 105a as reference data.

ＰＣ４００は、治具ＬＷを、基準となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ａと搬送室ＶＴＭとの間でチャンバ２ａ（処理室）の減圧環境を維持したまま搬送するように制御する。ＰＣ４００は、治具ＬＷを、アライメント装置ＯＲＴ１に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＰＣ４００は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ａの窓１０１ａに近づく位置で複数の光源１３ａを点灯する。測定部１０３ａは、複数の光源１３ａから出力された第１の波長の光を、窓１０１ａを介して受光する。ＣＰＵ１０４ａは、受光した第１の波長の光の発光強度を分析する。 The PC 400 controls the jig LW to be conveyed between the chamber 2a of the reference plasma processing apparatus 10 and the transfer chamber VTM while maintaining the reduced pressure environment of the chamber 2a (processing chamber). The PC 400 conveys the jig LW to the alignment device ORT1 and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The PC 400 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13a at a position close to the window 101a of the chamber 2a. The measuring unit 103a receives the light of the first wavelength output from the plurality of light sources 13a through the window 101a. The CPU 104a analyzes the emission intensity of the received first wavelength light.

次に、ＰＣ４００は、再び治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ１に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＰＣ４００は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ａの窓１０１ａに近づく位置で複数の光源１３ｂを点灯する。測定部１０３ａは、複数の光源１３ｂから出力された第２の波長の光を、窓１０１ａを介して受光する。ＣＰＵ１０４ａは、受光した第２の波長の光の発光強度を分析する。 Next, the PC 400 conveys the jig LW to the alignment device ORT1 again and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The PC 400 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13b at a position close to the window 101a of the chamber 2a. The measuring unit 103a receives the light of the second wavelength output from the plurality of light sources 13b through the window 101a. The CPU 104a analyzes the emission intensity of the received second wavelength light.

次に、ＰＣ４００は、再び治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ１に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＰＣ４００は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ａの窓１０１ａに近づく位置で複数の光源１３ｃを点灯する。測定部１０３ａは、複数の光源１３ｃから出力された第３の波長の光を、窓１０１ａを介して受光する。ＣＰＵ１０４ａは、受光した第３の波長の光の発光強度を分析する。 Next, the PC 400 conveys the jig LW to the alignment device ORT1 again and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The PC 400 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13c at a position close to the window 101a of the chamber 2a. The measuring unit 103a receives the light of the third wavelength output from the plurality of light sources 13c through the window 101a. The CPU 104a analyzes the emission intensity of the received light of the third wavelength.

次に、ＰＣ４００は、再び治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ１に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＰＣ４００は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ａの窓１０１ａに近づく位置で複数の光源１３ｄを点灯する。測定部１０３ａは、複数の光源１３ｄから出力された第４の波長の光を、窓１０１ａを介して受光する。ＣＰＵ１０４ａは、受光した第４の波長の光の発光強度を分析する。 Next, the PC 400 conveys the jig LW to the alignment device ORT1 again and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The PC 400 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13d at a position close to the window 101a of the chamber 2a. The measuring unit 103a receives the light of the fourth wavelength output from the plurality of light sources 13d through the window 101a. The CPU 104a analyzes the emission intensity of the received light of the fourth wavelength.

なお、光源１３ａからの第１の波長の光、光源１３ｄからの第４の波長の光、光源１３ｃからの第３の波長の光、光源１３ｂからの第２の波長の光について第１の波長＜第４の波長＜第３の波長＜第２の波長の関係がある場合、時計回りに測定することが好ましい。例えば、測定部１０３ａは、第１の波長の光を出力する光源１３ａ→第４の波長の光を出力する光源１３ｄ→第３の波長の光を出力する光源１３ｃ→第２の波長の光を出力する光源１３ｂの順に各波長の光を測定することが好ましい。隣接する光源１３の光を順に測定することで、アライメント装置ＯＲＴ１において治具ＬＷを回転するときの回転量を減らすことができる。 The first wavelength of light from the light source 13a, the light of the fourth wavelength from the light source 13d, the light of the third wavelength from the light source 13c, and the light of the second wavelength from the light source 13b. When there is a relationship of <fourth wavelength <third wavelength <second wavelength, it is preferable to measure clockwise. For example, the measuring unit 103a outputs a light source 13a that outputs light of a first wavelength → a light source 13d that outputs light of a fourth wavelength → a light source 13c that outputs light of a third wavelength → light of a second wavelength. It is preferable to measure the light of each wavelength in the order of the output light source 13b. By measuring the light of the adjacent light sources 13 in order, it is possible to reduce the amount of rotation when rotating the jig LW in the alignment device ORT1.

ＣＰＵ１０４ａは、第１〜第４の波長の光の発光強度のデータを合成し、合成した発光強度のデータを基準データとしてメモリ１０５ａに記憶する。 The CPU 104a synthesizes data on the emission intensity of light having the first to fourth wavelengths, and stores the combined emission intensity data in the memory 105a as reference data.

次に、発光強度の測定データと基準データを比較して測定データを補正する場合の処理システム１ｂについて、図５を参照しながら説明する。図５は、実施形態に係る処理システム１ｂの全体と、半導体製造装置３０ｂを含む処理システム１ｂ内の各装置のハードウェア構成の一例を示す図である。処理システム１ｂは、半導体製造装置３０ｂと治具ＬＷとを有する。半導体製造装置３０ｂは、チャンバ２ｂと、発光分光分析装置１００ｂと、ＭＣ１８１と、搬送装置ＶＡ２、ＬＡ２と、アライメント装置ＯＲＴ２とを有する。 Next, a processing system 1b for correcting the measurement data by comparing the measurement data of the emission intensity with the reference data will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a diagram showing an example of the hardware configuration of the entire processing system 1b according to the embodiment and each device in the processing system 1b including the semiconductor manufacturing device 30b. The processing system 1b includes a semiconductor manufacturing apparatus 30b and a jig LW. The semiconductor manufacturing apparatus 30b includes a chamber 2b, an emission spectroscopic analyzer 100b, an MC181, transfer apparatus VA2, LA2, and an alignment apparatus ORT2.

発光分光分析装置１００ｂは、測定部１０３ｂとＣＰＵ１０４ｂとメモリ１０５ｂとを有する。測定部１０３ｂは、治具ＬＷに搭載された複数の光源１３から出力される光を用いて発光強度のデータを測定する。メモリ１０５ｂは、治具ＬＷの複数の光源１３から出力される光を用いて発光強度のデータを分析するための所与のプログラムを記憶する。ＣＰＵ１０４ｂは、メモリ１０５ｂに記憶された前記プログラムを実行することで、校正対象となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ｂ内へ搬送された治具ＬＷの複数の光源１３から出力される光を測定し、発光強度のデータを分析する。ＣＰＵ１０４ｂは、測定した発光強度の測定データとメモリ１０５ａに記憶された基準データとを比較する。ＣＰＵ１０４ｂは、比較した結果に基づき、測定データを補正する。 The emission spectroscopic analyzer 100b includes a measuring unit 103b, a CPU 104b, and a memory 105b. The measuring unit 103b measures the emission intensity data using the light output from the plurality of light sources 13 mounted on the jig LW. The memory 105b stores a given program for analyzing the emission intensity data using the light output from the plurality of light sources 13 of the jig LW. By executing the program stored in the memory 105b, the CPU 104b measures the light output from the plurality of light sources 13 of the jig LW conveyed into the chamber 2b of the plasma processing device 10 to be calibrated. Analyze the emission intensity data. The CPU 104b compares the measured emission intensity measurement data with the reference data stored in the memory 105a. The CPU 104b corrects the measurement data based on the comparison result.

ＭＣ１８１は、治具ＬＷを、校正対象となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ｂと搬送室ＶＴＭとの間でチャンバ２ｂ（処理室）の減圧環境を維持したまま搬送するように制御する。ＭＣ１８１は、治具ＬＷを、アライメント装置ＯＲＴ２に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＭＣ１８１は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ｂの窓１０１ｂに近づく位置で複数の光源１３ａを点灯する。測定部１０３ｂは、複数の光源１３ａから出力された第１の波長の光を、窓１０１ｂを介して受光する。ＣＰＵ１０４ｂは、受光した第１の波長の光の発光強度を分析する。 The MC181 controls the jig LW to be conveyed between the chamber 2b of the plasma processing apparatus 10 to be calibrated and the transfer chamber VTM while maintaining the reduced pressure environment of the chamber 2b (processing chamber). The MC181 conveys the jig LW to the alignment device ORT2 and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The MC181 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13a at a position close to the window 101b of the chamber 2b. The measuring unit 103b receives the light of the first wavelength output from the plurality of light sources 13a through the window 101b. The CPU 104b analyzes the emission intensity of the received first wavelength light.

次に、ＭＣ１８１は、再び治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ２に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＭＣ１８１は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ｂの窓１０１ｂに近づく位置で複数の光源１３ｂを点灯する。測定部１０３ｂは、複数の光源１３ｂから出力された第２の波長の光を、窓１０１ｂを介して受光する。ＣＰＵ１０４ｂは、受光した第２の波長の光の発光強度を分析する。 Next, the MC181 conveys the jig LW to the alignment device ORT2 again, and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The MC181 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13b at a position close to the window 101b of the chamber 2b. The measuring unit 103b receives the light of the second wavelength output from the plurality of light sources 13b through the window 101b. The CPU 104b analyzes the emission intensity of the received second wavelength light.

次に、ＭＣ１８１は、再び治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ２に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＭＣ１８１は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ｂの窓１０１ｂに近づく位置で複数の光源１３ｃを点灯する。測定部１０３ｂは、複数の光源１３ｃから出力された第３の波長の光を、窓１０１ｂを介して受光する。ＣＰＵ１０４ｂは、受光した第３の波長の光の発光強度を分析する。 Next, the MC181 conveys the jig LW to the alignment device ORT2 again, and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The MC181 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13c at a position close to the window 101b of the chamber 2b. The measuring unit 103b receives the light of the third wavelength output from the plurality of light sources 13c through the window 101b. The CPU 104b analyzes the emission intensity of the received light of the third wavelength.

次に、ＭＣ１８１は、再び治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ２に搬送し、ノッチ２２を基準に指定された方向に回転させる。ＭＣ１８１は、回転させた治具ＬＷを載置台ＳＴに載置する。治具ＬＷは、チャンバ２ｂの窓１０１ｂに近づく位置で複数の光源１３ｄを点灯する。測定部１０３ｂは、複数の光源１３ｄから出力された第４の波長の光を、窓１０１ｂを介して受光する。ＣＰＵ１０４ｂは、受光した第４の波長の光の発光強度を分析する。 Next, the MC181 conveys the jig LW to the alignment device ORT2 again, and rotates the jig LW in a designated direction with reference to the notch 22. The MC181 mounts the rotated jig LW on the mounting table ST. The jig LW lights a plurality of light sources 13d at a position close to the window 101b of the chamber 2b. The measuring unit 103b receives the light of the fourth wavelength output from the plurality of light sources 13d through the window 101b. The CPU 104b analyzes the emission intensity of the received light of the fourth wavelength.

ＣＰＵ１０４ｂは、第１〜第４の波長の光の発光強度のデータを合成し、合成した発光強度のデータを測定データとして、メモリ１０５ａに記憶された基準データと比較する。 The CPU 104b synthesizes data on the emission intensity of light having the first to fourth wavelengths, and compares the combined emission intensity data with the reference data stored in the memory 105a as measurement data.

ＣＰＵ１０４ｂは、比較の結果に応じて、合成した発光強度の測定データを補正する。つまり、ＣＰＵ１０４ｂは、合成した発光強度の測定データと基準データとの差分を算出し、測定データが基準データと同じ波形を示すように、合成した発光強度の測定データを補正する。 The CPU 104b corrects the combined measurement data of the emission intensity according to the result of the comparison. That is, the CPU 104b calculates the difference between the combined emission intensity measurement data and the reference data, and corrects the combined emission intensity measurement data so that the measurement data shows the same waveform as the reference data.

サーバは、補正した発光強度のデータ（以下、「補正データ」という。）を発光分光分析装置１００ｂから取得し、蓄積する。これにより、蓄積した補正データのログデータに基づきプラズマ処理装置１０の状態や機差を解析できる。サーバは、複数の半導体製造装置３０を制御する複数のＭＣ１８１に接続され、複数のＭＣ１８１から補正データを収集するホストコンピュータであってもよい。 The server acquires the corrected emission intensity data (hereinafter, referred to as “correction data”) from the emission spectroscopic analyzer 100b and accumulates the corrected emission intensity data. Thereby, the state and the machine difference of the plasma processing apparatus 10 can be analyzed based on the log data of the accumulated correction data. The server may be a host computer that is connected to a plurality of MC181s that control a plurality of semiconductor manufacturing apparatus 30 and collects correction data from the plurality of MC181s.

［処理システムの動作］
次に、実施形態に係る基準データを得る場合の処理システム１ａの動作の一例について、図６を参照しながら説明する。図６は、実施形態に係る処理システム１ａの動作の一例を示す図である。図６の左のラインは治具ＬＷの処理を示す。図６の中央のラインはＰＣ４００の処理を示す。図６の右のラインは発光分光分析装置１００ａの処理を示す。 [Processing system operation]
Next, an example of the operation of the processing system 1a when obtaining the reference data according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing an example of the operation of the processing system 1a according to the embodiment. The left line in FIG. 6 shows the processing of the jig LW. The central line in FIG. 6 shows the processing of the PC400. The right line in FIG. 6 shows the processing of the emission spectroscopic analyzer 100a.

本処理が開始されると、ＰＣ４００は、搬送装置ＶＡ１、ＬＡ１を使用して治具ＬＷをアライメント装置ＯＲＴ１に搬送する（ステップＳ３１、Ｓ４１）。次に、ＰＣ４００は、アライメント装置ＯＲＴ１内で、指定した回転方向に治具ＬＷを回転させる（ステップＳ３２、Ｓ４２）。次に、ＰＣ４００は、搬送装置ＶＡ１、ＬＡ１を使用して治具ＬＷを基準となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ａに搬送する（ステップＳ３３、Ｓ４３）。 When this process is started, the PC 400 uses the transfer devices VA1 and LA1 to transfer the jig LW to the alignment device ORT1 (steps S31 and S41). Next, the PC 400 rotates the jig LW in the designated rotation direction in the alignment device ORT1 (steps S32 and S42). Next, the PC 400 uses the transfer devices VA1 and LA1 to transfer the jig LW to the chamber 2a of the plasma processing device 10 as a reference (steps S33 and S43).

次に、ＰＣ４００は、搬送装置ＶＡ１のピックの動作により治具ＬＷをチャンバ２ａ内の載置台ＳＴに載置する（ステップＳ４４）。このタイミングで、ＰＣ４００は、発光分光分析装置１００ａに測定開始信号を送信する（ステップＳ４５）。発光分光分析装置１００ａは、測定開始信号を受信する（ステップＳ５１）。 Next, the PC 400 places the jig LW on the mounting table ST in the chamber 2a by the operation of the pick of the transport device VA1 (step S44). At this timing, the PC 400 transmits a measurement start signal to the emission spectroscopic analyzer 100a (step S45). The emission spectroscopic analyzer 100a receives the measurement start signal (step S51).

ステップＳ４４の処理が行われたタイミングに、治具ＬＷは、自身が載置されたことを検知する（ステップＳ３４）。治具ＬＷは、温度センサ１４又は加速度センサ１７を用いて治具ＬＷが載置台ＳＴに載置されたことを検知する。加速度センサ１７は、治具ＬＷの傾き及び昇降動作を検出する。温度センサは、載置台ＳＴの温度を検出する。治具ＬＷは、治具ＬＷの傾き、昇降動作及び／又は温度を検知することで載置台ＳＴに載置されているか否かを判定する。治具ＬＷは、自身が載置されたことを検知したタイミングでＬＥＤの光源１３ａを点灯する(ステップＳ３５)。発光分光分析装置１００ａは、ＬＥＤ光の受光を開始する（ステップＳ５２）。 At the timing when the process of step S44 is performed, the jig LW detects that it has been placed (step S34). The jig LW detects that the jig LW is mounted on the mounting table ST by using the temperature sensor 14 or the acceleration sensor 17. The acceleration sensor 17 detects the tilt and the ascending / descending motion of the jig LW. The temperature sensor detects the temperature of the mounting table ST. The jig LW determines whether or not the jig LW is mounted on the mounting table ST by detecting the inclination, the ascending / descending operation, and / or the temperature of the jig LW. The jig LW turns on the LED light source 13a at the timing when it detects that it has been placed (step S35). The emission spectroscopic analyzer 100a starts receiving LED light (step S52).

治具ＬＷは、光源１３ａを点灯してから所定時間を経過した後（ステップＳ３６）、ＬＥＤの光源１３ａを消灯する(ステップＳ３７)。発光分光分析装置１００ａは、光源１３ａを点灯してから所定時間を経過した後（ステップＳ５３）、ＬＥＤ光の受光を停止する(ステップＳ５４)。発光分光分析装置１００ａは、対象の波長範囲（例えば第１の波長とする）の発光分光分析の結果、その発光強度のデータをメモリ１０５ａに記憶する（ステップＳ５６）。これにより、メモリ１０５ａに、第１の波長の発光強度のデータが記憶される。 The jig LW turns off the LED light source 13a after a predetermined time has elapsed from turning on the light source 13a (step S36) (step S37). The emission spectroscopic analyzer 100a stops receiving the LED light after a predetermined time has elapsed from turning on the light source 13a (step S53) (step S54). The emission spectroscopic analyzer 100a stores the emission intensity data in the memory 105a as a result of the emission spectroscopic analysis in the target wavelength range (for example, the first wavelength) (step S56). As a result, the data of the emission intensity of the first wavelength is stored in the memory 105a.

発光分光分析装置１００ａは、ステップＳ５４においてＬＥＤ光の受光を停止した後、測定停止信号をＰＣ４００に送信する（ステップＳ５５）。ＰＣ４００は、測定停止信号を受信すると（ステップＳ４６）、搬送装置ＶＡ１のピックの動作により治具ＬＷをチャンバ２ａから取り出す（ステップＳ４７）。これにより、治具ＬＷをチャンバ２ａから取り出す（ステップＳ３８）。 The emission spectroscopic analyzer 100a stops receiving the LED light in step S54, and then transmits a measurement stop signal to the PC 400 (step S55). When the PC 400 receives the measurement stop signal (step S46), the PC 400 takes out the jig LW from the chamber 2a by the operation of the pick of the transfer device VA1 (step S47). As a result, the jig LW is taken out from the chamber 2a (step S38).

ＰＣ４００はステップＳ４１〜Ｓ４７の処理を繰り返し、治具ＬＷはステップＳ３１〜Ｓ３８の処理を繰り返し、発光分光分析装置１００ａはステップＳ５１〜Ｓ５６の処理を繰り返す。これにより、発光分光分析装置１００ａは、光源１３ｂ→光源１３ｃ→光源１３ｄから出力された光を測定し、分光分析を順に行う。発光分光分析装置１００ａは、対象の波長範囲（例えば第２の波長、第３の波長、第４の波長とする）の発光分光分析の結果、それらの波長の発光強度のデータをメモリ１０５ａに記憶する（ステップＳ５６）。これにより、メモリ１０５ａに、第１の波長の発光強度のデータとともに、第２の波長、第３の波長、第４の波長の発光強度のデータが記憶される。 The PC 400 repeats the processes of steps S41 to S47, the jig LW repeats the processes of steps S31 to S38, and the emission spectroscopic analyzer 100a repeats the processes of steps S51 to S56. As a result, the emission spectroscopic analyzer 100a measures the light output from the light source 13b → the light source 13c → the light source 13d, and performs spectroscopic analysis in order. The emission spectroscopic analyzer 100a stores the data of the emission intensity of those wavelengths in the memory 105a as a result of the emission spectrum analysis of the target wavelength range (for example, the second wavelength, the third wavelength, and the fourth wavelength). (Step S56). As a result, the memory 105a stores the data of the emission intensity of the first wavelength and the data of the emission intensity of the second wavelength, the third wavelength, and the fourth wavelength.

ＰＣ４００は、ステップＳ４１〜Ｓ４７の処理を予め定められた回数（本明細書では４回）繰り返した後、本処理を終了する。治具ＬＷは、ステップＳ３１〜Ｓ３８の処理を予め定められた回数（本明細書では４回）繰り返した後、本処理を終了する。発光分光分析装置１００ａは、ステップＳ５１〜Ｓ５６の処理を予め定められた回数（本明細書では４回）繰り返した後、保存した発光強度のデータを合成する（ステップＳ５７）。 The PC 400 repeats the processes of steps S41 to S47 a predetermined number of times (four times in the present specification), and then ends the process. The jig LW repeats the processes of steps S31 to S38 a predetermined number of times (four times in the present specification), and then ends the present process. The emission spectroscopic analyzer 100a repeats the processes of steps S51 to S56 a predetermined number of times (four times in the present specification), and then synthesizes the stored emission intensity data (step S57).

次に、発光分光分析装置１００ａは、合成した発光強度の測定データを基準データとしてメモリ１０５ａに保存し（ステップＳ５８）、本処理を終了する。 Next, the emission spectroscopic analyzer 100a stores the synthesized measurement data of the emission intensity in the memory 105a as reference data (step S58), and ends this process.

図７は、実施形態に係る発光強度の基準データの一例を示す図である。図７には、実施形態に係る発光強度の基準データＡの一例として異なる波長に４つのピークを持つ発光強度のデータが図示されている。 FIG. 7 is a diagram showing an example of reference data of emission intensity according to the embodiment. FIG. 7 shows the emission intensity data having four peaks at different wavelengths as an example of the emission intensity reference data A according to the embodiment.

なお、ステップＳ３６の所定時間とステップＳ５３の所定時間とは対応する。ステップＳ３６及びステップＳ５３の処理との替わりに、次の処理を行ってもよい。ＰＣ４００は、搬送装置ＶＡ１のピックの動作により治具ＬＷが載置台ＳＴから離れたかを判定する。ＰＣ４００は、治具ＬＷが載置台ＳＴから離れたと判定した場合に、測定停止信号を治具ＬＷ及び発光分光分析装置１００ａに送信する。治具ＬＷは、測定停止信号の受信に応じてＬＥＤの光源１３ａを消灯する。発光分光分析装置１００ａは、測定停止信号の受信に応じてＬＥＤ光の受光を停止する。治具ＬＷは、温度センサ１４又は加速度センサ１７を用いて治具ＬＷが載置台ＳＴから離れたことを検知してもよい。 The predetermined time in step S36 and the predetermined time in step S53 correspond to each other. Instead of the processing of step S36 and step S53, the following processing may be performed. The PC 400 determines whether the jig LW is separated from the mounting table ST by the operation of the pick of the transport device VA1. When the PC 400 determines that the jig LW is separated from the mounting table ST, the PC 400 transmits a measurement stop signal to the jig LW and the emission spectroscopic analyzer 100a. The jig LW turns off the LED light source 13a in response to the reception of the measurement stop signal. The emission spectroscopic analyzer 100a stops receiving the LED light in response to the reception of the measurement stop signal. The jig LW may detect that the jig LW has separated from the mounting table ST by using the temperature sensor 14 or the acceleration sensor 17.

また、実施形態にかかる治具ＬＷとＰＣ４００と発光分光分析装置１００ａとが無線通信を行い、図６の各処理を実行してもよい。 Further, the jig LW according to the embodiment, the PC 400, and the emission spectroscopic analyzer 100a may perform wireless communication to execute each process of FIG.

［発光分光分析装置の動作］
次に、実施形態に係る発光分光分析装置１００ａの動作の一例について、図８を参照しながら説明する。図８は、実施形態に係る発光分光分析装置１００ａの動作の一例を示す図である。 [Operation of emission spectroscopic analyzer]
Next, an example of the operation of the emission spectroscopic analyzer 100a according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram showing an example of the operation of the emission spectroscopic analyzer 100a according to the embodiment.

本処理が開始されると、発光分光分析装置１００ａは、ＰＣ４００から送信された測定開始信号（図６のステップＳ４５を参照）を受信する（ステップＳ２１）。次に、発光分光分析装置１００ａは、タイマーを開始する（ステップＳ２２）。次に、発光分光分析装置１００ａは、チャンバ２ａの窓１０１ａを介して発光を検知したかを判定する（ステップＳ２３）。発光分光分析装置１００ａは、発光を検知していないと判定した場合、タイマーがカウントする時間により設定時間を経過したかを判定する（ステップＳ２４）。発光分光分析装置１００ａは、設定時間を経過していないと判定すると、ステップ２３に戻り、発光を検知したかを判定する。発光分光分析装置１００ａは、設定時間を経過する前に発光を検知すると、対象の波長範囲の発光を分析し（ステップＳ２５）、処理を終了する。一方、発光分光分析装置１００ａは、発光を検知しないまま設定時間を経過すると、エラーを出力し（ステップＳ２６）、処理を終了する。なお、分析結果の発光強度データは、基準データとしてメモリ１０５ａに保存される（図６のステップＳ５６を参照）。 When this process is started, the emission spectroscopic analyzer 100a receives the measurement start signal (see step S45 in FIG. 6) transmitted from the PC 400 (step S21). Next, the emission spectroscopic analyzer 100a starts a timer (step S22). Next, the emission spectroscopic analyzer 100a determines whether or not the emission is detected through the window 101a of the chamber 2a (step S23). When the emission spectroscopic analyzer 100a determines that the emission is not detected, the emission spectroscopic analyzer 100a determines whether the set time has elapsed based on the time counted by the timer (step S24). When the emission spectroscopic analyzer 100a determines that the set time has not elapsed, the emission spectroscopic analyzer 100a returns to step 23 and determines whether or not the emission is detected. When the emission spectroscopic analyzer 100a detects the emission before the set time elapses, it analyzes the emission in the target wavelength range (step S25) and ends the process. On the other hand, when the set time elapses without detecting the light emission, the emission spectroscopic analyzer 100a outputs an error (step S26) and ends the process. The emission intensity data of the analysis result is stored in the memory 105a as reference data (see step S56 in FIG. 6).

［処理システムの動作］
次に、実施形態に係る基準データと測定データを比較して測定データを補正する場合の処理システム１ｂの動作の一例について、図９を参照しながら説明する。図９は、実施形態に係る処理システム１ｂの動作の一例を示す図である。図９の左のラインは治具ＬＷの処理を示す。図９の中央のラインはＭＣ１８１の処理を示す。図９の右のラインは発光分光分析装置１００ｂの処理を示す。図９の治具ＬＷの動作と、図６の治具ＬＷの動作は同じであるため、同一のステップ番号が付されている。図９のＭＣ１８１の動作と、図６のＰＣ４００の動作は同じであるため、同一のステップ番号が付されている。図９の発光分光分析装置１００ｂの動作と、図６の発光分光分析装置１００ａの動作はほぼ同じであり、同一処理には同一ステップ番号が付されている。相違点の一点目は、図９の処理システム１ｂでは、発光分光分析装置１００ｂはステップＳ５９の処理を実行するのに対して、図６の処理システム１ａでは発光分光分析装置１００ａはステップＳ５８の処理を実行する点である。相違点の二点目は、ステップＳ３３及びステップＳ４４において、治具ＬＷが搬送されるチャンバ２は、図９では校正対象となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ｂであるのに対して、図６では基準となるプラズマ処理装置１０のチャンバ２ａである点である。以上の相違点以外の同一の処理については概ね説明を省略する。 [Processing system operation]
Next, an example of the operation of the processing system 1b when the reference data and the measurement data according to the embodiment are compared and the measurement data is corrected will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a diagram showing an example of the operation of the processing system 1b according to the embodiment. The left line in FIG. 9 shows the processing of the jig LW. The central line in FIG. 9 shows the processing of MC181. The right line in FIG. 9 shows the processing of the emission spectroscopic analyzer 100b. Since the operation of the jig LW of FIG. 9 and the operation of the jig LW of FIG. 6 are the same, the same step numbers are assigned. Since the operation of the MC181 of FIG. 9 and the operation of the PC400 of FIG. 6 are the same, the same step numbers are assigned. The operation of the emission spectroscopic analyzer 100b in FIG. 9 and the operation of the emission spectroscopic analyzer 100a in FIG. 6 are substantially the same, and the same process is assigned the same step number. The first difference is that in the processing system 1b of FIG. 9, the emission spectroscopic analyzer 100b executes the process of step S59, whereas in the processing system 1a of FIG. 6, the emission spectroscopic analyzer 100a performs the process of step S58. Is the point to execute. The second difference is that in steps S33 and S44, the chamber 2 to which the jig LW is conveyed is the chamber 2b of the plasma processing apparatus 10 to be calibrated in FIG. 9, whereas in FIG. This is the chamber 2a of the reference plasma processing apparatus 10. The same processing other than the above differences will be largely omitted.

本処理が開始されると、ＭＣ１８１はステップＳ４１〜Ｓ４７の処理を繰り返し、治具ＬＷはステップＳ３１〜Ｓ３８の処理を繰り返し、発光分光分析装置１００ｂはステップＳ５１〜Ｓ５６の処理を繰り返す。発光分光分析装置１００ｂは、光源１３ａ→光源１３ｂ→光源１３ｃ→光源１３ｄから出力された光を順に測定し、分光分析を順に行い、分析結果の発光強度データをメモリ１０５ｂに保存する。これにより、メモリ１０５ｂには、校正対象のプラズマ処理装置１０のチャンバ２ｂ内の、第１の波長、第２の波長、第３の波長、第４の波長の発光強度の測定データが記憶される。 When this process is started, the MC181 repeats the processes of steps S41 to S47, the jig LW repeats the processes of steps S31 to S38, and the emission spectroscopic analyzer 100b repeats the processes of steps S51 to S56. The emission spectroscopic analyzer 100b measures the light output from the light source 13a → the light source 13b → the light source 13c → the light source 13d in order, performs spectroscopic analysis in order, and stores the emission intensity data of the analysis result in the memory 105b. As a result, the memory 105b stores the measurement data of the emission intensity of the first wavelength, the second wavelength, the third wavelength, and the fourth wavelength in the chamber 2b of the plasma processing device 10 to be calibrated. ..

ＰＣ４００は、ステップＳ４１〜Ｓ４７の処理を予め定められた回数（本明細書では４回）繰り返した後、本処理を終了する。治具ＬＷは、ステップＳ３１〜Ｓ３８の処理を予め定められた回数（本明細書では４回）繰り返した後、本処理を終了する。発光分光分析装置１００ｂは、ステップＳ５１〜Ｓ５６の処理を予め定められた回数（本明細書では４回）繰り返した後、保存した第１〜第４の波長の発光強度のデータを合成する（ステップＳ５７）。 The PC 400 repeats the processes of steps S41 to S47 a predetermined number of times (four times in the present specification), and then ends the process. The jig LW repeats the processes of steps S31 to S38 a predetermined number of times (four times in the present specification), and then ends the present process. The emission spectroscopic analyzer 100b repeats the processes of steps S51 to S56 a predetermined number of times (four times in the present specification), and then synthesizes the stored emission intensity data of the first to fourth wavelengths (step). S57).

次に、発光分光分析装置１００ｂは、合成した第１〜第４の波長の発光強度のデータを測定データとして、基準データと照合し、測定データが基準データに一致するように補正し（ステップＳ５９）、本処理を終了する。図７の点線は、実施形態に係る測定データＢの一例を示す図である。発光分光分析装置１００ｂは、基準データＡと測定データＢとの差分を算出し、測定データＢが基準データＡと同じ波形になるように測定データＢを補正する。これにより、測定データＢのピークの位置や発光強度を補正することで、測定データＢを基準データＡと同じ波形に補正できる。 Next, the emission spectroscopic analyzer 100b collates the combined emission intensity data of the first to fourth wavelengths with the reference data as measurement data, and corrects the measurement data so that it matches the reference data (step S59). ), End this process. The dotted line in FIG. 7 is a diagram showing an example of measurement data B according to the embodiment. The emission spectrum analyzer 100b calculates the difference between the reference data A and the measurement data B, and corrects the measurement data B so that the measurement data B has the same waveform as the reference data A. As a result, the measurement data B can be corrected to the same waveform as the reference data A by correcting the peak position and the emission intensity of the measurement data B.

なお、実施形態にかかる治具ＬＷとＭＣ１８１と発光分光分析装置１００ｂとが無線通信を行い、図９の各処理を実行してもよい。 The jig LW, the MC181, and the emission spectroscopic analyzer 100b according to the embodiment may perform wireless communication to execute each process shown in FIG.

［発光分光分析装置の動作］
図８の発光分光分析装置１００ａの動作は、図６のＰＣ４００の動作に連動して実行さる。これと同様に、図８の発光分光分析装置１００ｂの動作は、図９のＭＣ１８１の動作に連動して実行される。なお、発光分光分析装置１００ｂの動作は、図８に示した発光分光分析装置１００ａの動作と同じであるため、ここでは説明を省略する。 [Operation of emission spectroscopic analyzer]
The operation of the emission spectroscopic analyzer 100a of FIG. 8 is executed in conjunction with the operation of the PC 400 of FIG. Similarly, the operation of the emission spectroscopic analyzer 100b of FIG. 8 is executed in conjunction with the operation of the MC181 of FIG. Since the operation of the emission spectroscopic analyzer 100b is the same as the operation of the emission spectroscopic analyzer 100a shown in FIG. 8, description thereof will be omitted here.

ＬＥＤの光源１３には個体差があるので、基準データは予め測定し、メモリ１０５ａに記憶しておく必要がある。基準データは、治具製造工場等の治具製造メーカ側の情報処理装置で作成してもよいが、これに限られない。基準データは、半導体製造装置３０ａの製造メーカ側の情報処理装置で作成してもよいし、半導体製造装置３０ａの出荷先の工場等のユーザ側の情報処理装置で作成してもよい。また、基準データは、治具ＬＷ毎に個別の基準データを作成してもよいし、複数の治具ＬＷに共通の基準データを作成してもよい。 Since there are individual differences in the LED light source 13, it is necessary to measure the reference data in advance and store it in the memory 105a. The reference data may be created by an information processing device on the jig manufacturer side such as a jig manufacturing factory, but the reference data is not limited to this. The reference data may be created by the information processing device on the manufacturer side of the semiconductor manufacturing apparatus 30a, or may be created by the information processing apparatus on the user side such as the factory where the semiconductor manufacturing apparatus 30a is shipped. Further, as the reference data, individual reference data may be created for each jig LW, or reference data common to a plurality of jigs LW may be created.

以上、実施形態及び変形例に係る処理システム１によれば、発光分光分析装置１００は、合成した発光強度の測定データと基準データとの差分を算出し、基準データと同じ波形を示すように測定データのピーク及び発光強度を補正する。これにより、プラズマ処理装置１０の機差も考慮してＥＰＤ等のプロセス監視及び制御を行うことができる。 As described above, according to the processing system 1 according to the embodiment and the modified example, the emission spectroscopic analyzer 100 calculates the difference between the combined emission intensity measurement data and the reference data, and measures the difference so as to show the same waveform as the reference data. Correct the peak and emission intensity of the data. As a result, process monitoring and control of EPD and the like can be performed in consideration of the machine difference of the plasma processing device 10.

つまり、発光強度の測定データを基準データと同じ波形に補正することで、同じ波長の光を受光したときにチャンバ２からどのタイミングでＬＥＤ光を受光した場合であっても、同じ発光強度の測定データを示すことができる。これにより、プラズマ処理装置１０の機差も考慮してＥＰＤ等のプロセス監視及び制御を行うことができる。 That is, by correcting the emission intensity measurement data to the same waveform as the reference data, the same emission intensity can be measured regardless of the timing when the LED light is received from the chamber 2 when the light of the same wavelength is received. Data can be shown. As a result, process monitoring and control of EPD and the like can be performed in consideration of the machine difference of the plasma processing device 10.

また、これにより、発光強度の測定データに基づいてプラズマ処理装置１０の機差を検出できる。つまり、発光強度の測定データと基準データとの差分からプラズマ処理装置１０の機差を把握でき、プラズマ処理装置１０の機差を知った上でプロセス監視等の運用を行うことができる。 Further, this makes it possible to detect the difference in the plasma processing apparatus 10 based on the measurement data of the emission intensity. That is, the machine difference of the plasma processing device 10 can be grasped from the difference between the measurement data of the emission intensity and the reference data, and the process monitoring or the like can be performed after knowing the machine difference of the plasma processing device 10.

以上に説明した測定データの補正は、出荷時に行ってもよいし、基板処理に伴い反応生成物の付着等によって窓１０１が曇ってきたタイミングで行ってもよいし、一定期間毎に行ってもよいし、測定データ毎に行ってもよい。 The correction of the measurement data described above may be performed at the time of shipment, at the timing when the window 101 becomes cloudy due to the adhesion of reaction products due to the substrate processing, or at regular intervals. Alternatively, it may be performed for each measurement data.

以上に説明した各部の動作は、これに限られない。例えばＭＣ１８１の動作は、ＥＣ１８０が行ってもよいし、ＭＣ１８１とＥＣ１８０とが連携して行ってもよい。ＰＣ４００の動作は、ＭＣ１８１が行ってもよいし、ＥＣ１８０が行ってもよいし、ＭＣ１８１とＥＣ１８０とが連携して行ってもよい。 The operation of each part described above is not limited to this. For example, the operation of the MC181 may be performed by the EC180, or the MC181 and the EC180 may cooperate with each other. The operation of the PC 400 may be performed by the MC181, the EC180, or the MC181 and the EC180 may cooperate with each other.

ＰＣ４００及び発光分光分析装置１００ａは、治具ＬＷを基準となる装置に配置し、複数の光源１３から出力される光を用いて発光強度のデータを基準データとして測定するように制御する第１の情報処理装置の一例である。ＭＣ１８１及び発光分光分析装置１００ｂは、治具ＬＷを校正対象となる装置に配置し、複数の光源から出力される光を用いて発光強度のデータを測定するように制御する第２の情報処理装置の一例である。第２の情報処理装置は、基準データを取得し、測定した発光強度のデータと基準データとを照合し、照合結果に応じて、測定した発光強度のデータ（測定データ）を補正するように制御する。 The PC 400 and the emission spectroscopic analyzer 100a are a first unit in which a jig LW is arranged in a reference device and controlled to measure emission intensity data as reference data using light output from a plurality of light sources 13. This is an example of an information processing device. The MC181 and the emission spectroscopic analyzer 100b are a second information processing apparatus in which the jig LW is arranged in the apparatus to be calibrated and controlled to measure the emission intensity data using the light output from a plurality of light sources. This is an example. The second information processing device acquires reference data, collates the measured emission intensity data with the reference data, and controls so as to correct the measured emission intensity data (measurement data) according to the collation result. To do.

第１の情報処理装置と第２の情報処理装置とは、同一の情報処理装置であってもよいし、異なる情報処理装置であってもよい。例えば、ＭＣ１８１及び発光分光分析装置１００ｂが第１の情報処理装置と第２の情報処理装置の機能を実現してもよい。ＥＣ１８０及び発光分光分析装置１００ｂが第１の情報処理装置と第２の情報処理装置の機能を実現してもよい。ＥＣ１８０とＭＣ１８１と及び発光分光分析装置１００ｂとが連携して第１の情報処理装置と第２の情報処理装置の機能を実現してもよい。 The first information processing device and the second information processing device may be the same information processing device or different information processing devices. For example, the MC181 and the emission spectroscopic analyzer 100b may realize the functions of the first information processing device and the second information processing device. The EC180 and the emission spectroscopic analyzer 100b may realize the functions of the first information processing device and the second information processing device. The EC180, the MC181, and the emission spectroscopic analyzer 100b may cooperate to realize the functions of the first information processing device and the second information processing device.

プラズマ処理装置１０を制御するＥＣ１８０から、基板処理が終了したことを通知する信号を受け取ったタイミングに、チャンバ内に治具ＬＷを搬送する指示を行ってもよい。 At the timing when the signal notifying that the substrate processing is completed is received from the EC180 that controls the plasma processing apparatus 10, an instruction to convey the jig LW into the chamber may be given.

治具ＬＷに設けられた温度センサ１４ａ〜１４ｄは、各光源１３ａ〜１３ｄにそれぞれ隣接して配置されている。各光源１３ａ〜１３ｄの発光により対応する温度センサ１４ａ〜１４ｄの温度が上がる。測定した温度が予め定められた閾値以上の場合、複数の光源の少なくともいずれかに不具合が生じていると判定し、複数の光源の発光を停止してもよい。 The temperature sensors 14a to 14d provided on the jig LW are arranged adjacent to each of the light sources 13a to 13d. The temperature of the corresponding temperature sensors 14a to 14d rises due to the light emission of each light source 13a to 13d. When the measured temperature is equal to or higher than a predetermined threshold value, it may be determined that at least one of the plurality of light sources has a problem, and the light emission of the plurality of light sources may be stopped.

また、発光分光分析装置１００（１００ａ、１００ｂ）による分析は、ＥＰＤに限られず、装置診断に使用してもよい。装置診断の一例とは、例えば、プラズマの状態が正常であるかを発光強度の測定データと基準データとの差分や補正後の発光強度の測定データに基づき判定してもよい。例えば、この装置診断は、プラズマ処理装置１０をメンテナンスした後や、プラズマ処理装置１０内のパーツの交換後に行ってもよい。 Further, the analysis by the emission spectroscopic analyzer 100 (100a, 100b) is not limited to EPD, and may be used for device diagnosis. As an example of the device diagnosis, for example, whether or not the plasma state is normal may be determined based on the difference between the emission intensity measurement data and the reference data and the corrected emission intensity measurement data. For example, this device diagnosis may be performed after maintenance of the plasma processing device 10 or after replacement of parts in the plasma processing device 10.

図１０は、実施形態及び変形例に係る処理システム１を用いた装置診断の一例を示す図である。ヘリウムガスのプラズマを生成したプラズマ処理装置１０に載置された治具ＬＷを用いて光源１３を点灯させる。そして、発光分光分析装置１００がヘリウムガスのプラズマの分光分析を行い、図１０（ａ）に示す発光強度のデータを得る。２５０ｎｍ〜３３０ｎｍ程度の範囲の波長の発光強度を拡大して示す図１０（ｂ）では、実線が基準データ、点線が補正後の測定データである。これによれば、基準データ及び測定データともに、２９５ｎｍの波長のＨｅ（ヘリウム）のピークが出現している。ところが、３０９ｎｍの波長に、基準データに対して測定データに、ＯＨの微小なピークが出現している。この結果から、処理システム１は、このＯＨの微小なピークは、チャンバ２ａ内の不安定要因から生じていると解析できる。このように、基準データと測定データの差分から、プラズマが近似する理想的な光源では出現しない微小なピークを発見でき、解析可能になる。このように複数のプラズマ処理装置１０の間の機差の分析に重要なピークが存在すること、そして、補正後の発光強度のデータによればその解析が可能になるため、そのピーク点を抽出し、そのピーク点における測定データの校正を行うことができる。 FIG. 10 is a diagram showing an example of device diagnosis using the processing system 1 according to the embodiment and the modified example. The light source 13 is turned on by using the jig LW mounted on the plasma processing device 10 that generated the plasma of helium gas. Then, the emission spectroscopic analyzer 100 performs spectroscopic analysis of the plasma of helium gas, and obtains the emission intensity data shown in FIG. 10 (a). In FIG. 10B in which the emission intensity of wavelengths in the range of about 250 nm to 330 nm is enlarged and shown, the solid line is the reference data and the dotted line is the corrected measurement data. According to this, a peak of He (helium) having a wavelength of 295 nm appears in both the reference data and the measurement data. However, at a wavelength of 309 nm, a minute peak of OH appears in the measurement data with respect to the reference data. From this result, the processing system 1 can analyze that this minute peak of OH is caused by an unstable factor in the chamber 2a. In this way, from the difference between the reference data and the measurement data, it is possible to discover and analyze minute peaks that do not appear with an ideal light source that the plasma approximates. In this way, there is an important peak in the analysis of the difference between the plurality of plasma processing devices 10, and the corrected emission intensity data enables the analysis, so the peak point is extracted. Then, the measurement data at the peak point can be calibrated.

以上に説明したように、実施形態の治具ＬＷによれば、発光強度の分析の精度を高めることができる。また、発光強度の測定データを基準データと同じ波形に補正することで、プラズマ処理装置１０の機差も考慮してＥＰＤ等のプロセス監視及び制御を行うことができる。また、これにより、発光強度の測定データに基づいてプラズマ処理装置１０の機差を検出でき、プラズマ処理装置１０の機差を知った上でプロセス監視等の運用を行うことができる。 As described above, according to the jig LW of the embodiment, the accuracy of the analysis of the emission intensity can be improved. Further, by correcting the measurement data of the emission intensity to the same waveform as the reference data, it is possible to monitor and control the process such as EPD in consideration of the difference of the plasma processing apparatus 10. Further, this makes it possible to detect the machine difference of the plasma processing device 10 based on the measurement data of the emission intensity, and to perform operations such as process monitoring after knowing the machine difference of the plasma processing device 10.

[治具ＬＷの他の例]
実施形態に係る治具ＬＷの他の例について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、実施形態に係る治具ＬＷの他の例を示す断面模式図である。図１に示した治具ＬＷと異なる点は、光源１３の数と配置であり、他の構成は同一であるため、他の構成については説明を省略する。 [Other examples of jig LW]
Another example of the jig LW according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing another example of the jig LW according to the embodiment. The difference from the jig LW shown in FIG. 1 is the number and arrangement of the light sources 13, and since the other configurations are the same, the description of the other configurations will be omitted.

図１１に示す治具ＬＷの光源１３ａ〜１３ｌは、ベース１１の上の制御基板１２に配置される。光源１３ａ〜光源１３ｌはそれぞれ異なる波長（つまり、異なる色）の光を発する。光源１３ａは、同一波長の光を発する３つのＬＥＤから構成され、並べて配置される。同様に、光源１３ｂ〜光源１３ｌのそれぞれは、同一波長の光を発する３つのＬＥＤから構成され、並べて配置される。光源１３ａ〜１３ｌは、ＬＥＤに代えてＯＬＥＤであってもよい。 The light sources 13a to 13l of the jig LW shown in FIG. 11 are arranged on the control board 12 on the base 11. The light source 13a to the light source 13l emit light having different wavelengths (that is, different colors). The light source 13a is composed of three LEDs that emit light of the same wavelength, and is arranged side by side. Similarly, each of the light source 13b to the light source 13l is composed of three LEDs emitting light having the same wavelength, and is arranged side by side. The light sources 13a to 13l may be OLEDs instead of LEDs.

同一波長の光を発する光源１３ａ〜１３ｌをそれぞれ３つずつ並べて配置することにより、各波長の光量を増やし、これにより、校正対象装置や基準装置の窓に取り付けられた発光分光分析装置１００が窓を介して各波長の光を受光し易くすることができる。光源１３ａ、光源１３ｂ、及び光源１３ｃはそれぞれ離間して配置される。また、バッテリー１９を隔てて隣には光源１３ｄ、光源１３ｅ、及び光源１３ｆがそれぞれ離間して配置される。また、バッテリー１９を隔てて隣には光源１３ｇ、光源１３ｈ、及び光源１３ｉがそれぞれ離間して配置される。また、バッテリー１９を隔てて隣には光源１３ｊ、光源１３ｋ、及び光源１３ｌがそれぞれ離間して配置される。これにより、同一波長の光を出力する３つずつの光源であって、１２の異なる波長の光を出力する３６（＝１２×３）個の光源１３が配置される。 By arranging three light sources 13a to 13l that emit light of the same wavelength side by side, the amount of light of each wavelength is increased, whereby the emission spectrum analyzer 100 attached to the window of the device to be calibrated or the reference device is opened. It is possible to easily receive light of each wavelength through. The light source 13a, the light source 13b, and the light source 13c are arranged apart from each other. Further, the light source 13d, the light source 13e, and the light source 13f are arranged next to each other across the battery 19. Further, the light source 13g, the light source 13h, and the light source 13i are arranged next to each other with the battery 19 separated from each other. Further, the light source 13j, the light source 13k, and the light source 13l are arranged next to each other with the battery 19 separated from each other. As a result, 36 (= 12 × 3) light sources 13 that output 12 different wavelengths of light are arranged, which are three light sources that output light of the same wavelength.

光源１３ａ〜１３ｌは、ベース１１の最外周に沿って配置することが好ましい。これにより、発光分光分析装置１００が、光源１３ａ〜１３ｌから出力された光をより受光し易くなる。ただし、複数の光源１３ａ〜１３ｌの配置は、制御基板１２の上であれば特に制限はない。 The light sources 13a to 13l are preferably arranged along the outermost circumference of the base 11. This makes it easier for the emission spectroscopic analyzer 100 to receive the light output from the light sources 13a to 13l. However, the arrangement of the plurality of light sources 13a to 13l is not particularly limited as long as it is on the control board 12.

また、同一波長の３つの光源１３ａの測定順については、中央の光源、両端の光源の一方、両端の光源の他方の順に測定することが好ましい。ただし、一端の光源、他端の光源、中央の光源の順に光を点灯し、測定してもよいし、一端の光源、中央の光源、他端の光源の順に光を点灯し、測定してもよい。同一波長の３つの光源１３ｂ〜１３ｉの測定順についても同様である。 Further, regarding the measurement order of the three light sources 13a having the same wavelength, it is preferable to measure in the order of the central light source, one of the light sources at both ends, and the other of the light sources at both ends. However, the light may be lit in the order of the light source at one end, the light source at the other end, and the light source at the center for measurement, or the light source at one end, the light source at the center, and the light source at the other end may be lit in this order for measurement. May be good. The same applies to the measurement order of the three light sources 13b to 13i having the same wavelength.

今回開示された実施形態に係る治具、処理システム及び処理方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。 The jigs, processing systems and processing methods according to the embodiments disclosed this time should be considered to be exemplary in all respects and not restrictive. The above embodiments can be modified and improved in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist. The matters described in the plurality of embodiments may have other configurations within a consistent range, and may be combined within a consistent range.

本開示のプラズマ処理装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。 The plasma processing apparatus of the present disclosure includes Atomic Layer Deposition (ALD) apparatus, Capacitively Coupled Plasma (CCP), Inductively Coupled Plasma (ICP), Radial Line Slot Antenna (RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR), Helicon Wave Plasma ( It is applicable to any type of device (HWP).

１ 処理システム
２ａ〜２ｄ チャンバ
１０ａ〜１０ｄ プラズマ処理装置
１１ ベース
１２ 制御基板
１３ａ〜１３ｌ 光源
１４ａ〜１４ｄ 温度センサ
１７ 加速度センサ
１９ バッテリー
３０ａ、３０ｂ 半導体製造装置
１００ａ、１００ｂ 発光分光分析装置
１０１ａ、１０１ｂ 窓
１０３ａ、１０３ｂ 測定部
１０４ａ、１０４ｂ ＣＰＵ
１０５ａ、１０５ｂ メモリ
１８０ ＥＣ
１８１ ＭＣ
２００ 制御回路
４００ ＰＣ
ＬＷ 治具
ＯＲＴ、ＯＲＴ１，ＯＲＴ２ アライメント装置
ＳＴ 載置台
ＶＡ，ＬＡ、ＶＡ１、ＬＡ１、ＶＡ２、ＬＡ２ 搬送装置
ＶＴＭ 搬送室 1 Processing system 2a to 2d Chamber 10a to 10d Plasma processing equipment 11 Base 12 Control board 13a to 13l Light source 14a to 14d Temperature sensor 17 Accelerometer 19 Battery 30a, 30b Semiconductor manufacturing equipment 100a, 100b Emission spectroscopic analyzer 101a, 101b Window 103a , 103b Measuring unit 104a, 104b CPU
105a, 105b Memory 180 EC
181 MC
200 Control circuit 400 PC
LW Jig ORT, ORT1, ORT2 Alignment device ST mounting stand VA, LA, VA1, LA1, VA2, LA2 Transfer device VTM transfer room

Claims (20)

ベースと、
前記ベースの上に設けられ、異なる波長の光を発する複数の光源と、
前記ベースの上に設けられ、所与のプログラムに基づいて前記複数の光源を点灯又は消灯させる制御部と、
前記ベースの上に設けられ、前記複数の光源及び前記制御部に電力を供給する電力供給部と、を有し、
搬送室に設けられた、基板を搬送する搬送装置により搬送可能な形状である、治具。 With the base
A plurality of light sources provided on the base and emitting light of different wavelengths,
A control unit provided on the base and turning on or off the plurality of light sources based on a given program.
It has a plurality of light sources and a power supply unit that supplies electric power to the control unit, which is provided on the base.
A jig having a shape that can be conveyed by a transfer device provided in a transfer chamber that conveys a substrate. 前記ベースは、ウエハである。
請求項１に記載の治具。 The base is a wafer.
The jig according to claim 1. 前記治具は、所与の処理室と搬送室との間を減圧環境を維持したまま搬送される、
請求項１又は２に記載の治具。 The jig is transported between a given processing chamber and the transport chamber while maintaining a reduced pressure environment.
The jig according to claim 1 or 2. 前記複数の光源は、前記ベースの最外周に沿って配置される、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の治具。 The plurality of light sources are arranged along the outermost circumference of the base.
The jig according to any one of claims 1 to 3. 前記複数の光源のうち同一波長の光を発する光源は、複数個並べて配置される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の治具。 Of the plurality of light sources, a plurality of light sources that emit light of the same wavelength are arranged side by side.
The jig according to any one of claims 1 to 4. 前記複数の光源のうち異なる波長の光を発する光源の間は、離間して配置される、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の治具。 The light sources that emit light of different wavelengths among the plurality of light sources are arranged apart from each other.
The jig according to any one of claims 1 to 5. 前記複数の光源の波長帯は、２００ｎｍ〜８５０ｎｍである、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の治具。 The wavelength band of the plurality of light sources is 200 nm to 850 nm.
The jig according to any one of claims 1 to 6. 前記複数の光源は、ＬＥＤ又はＯＬＥＤである、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の治具。 The plurality of light sources are LEDs or OLEDs.
The jig according to any one of claims 1 to 7. 前記治具は、センサを更に有する、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の治具。 The jig further comprises a sensor.
The jig according to any one of claims 1 to 8. 前記治具は、前記治具の方向を決めるためのノッチ又はオリエンテーションフラットを有する、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の治具。 The jig has a notch or orientation flat for determining the orientation of the jig.
The jig according to any one of claims 1 to 9. ベースと、前記ベースの上に設けられ、異なる波長の光を発する複数の光源と、前記ベースの上に設けられ、所与のプログラムに基づいて前記複数の光源を点灯又は消灯させる制御部と、前記ベースの上に設けられ、前記複数の光源及び前記制御部に電力を供給する電力供給部と、を有する治具を基準となる装置の処理室内に配置し、前記複数の光源から出力される光を用いて発光強度のデータを基準データとして測定するように制御する第１の情報処理装置と、
前記治具を校正対象となる装置の処理室内に配置し、前記複数の光源から出力される光を用いて発光強度のデータを測定するように制御する第２の情報処理装置と、を有し、
前記第２の情報処理装置は、
前記基準データを取得し、測定した前記発光強度のデータと前記基準データとを照合し、照合結果に応じて、測定した前記発光強度のデータを補正するように制御する、処理システム。 A base, a plurality of light sources provided on the base and emitting light of different wavelengths, a control unit provided on the base and turning on or off the plurality of light sources based on a given program, and the like. A jig provided on the base and having the plurality of light sources and the power supply unit for supplying power to the control unit is arranged in the processing chamber of the reference device, and is output from the plurality of light sources. A first information processing device that controls to measure light emission intensity data as reference data using light, and
It has a second information processing device in which the jig is arranged in the processing chamber of the device to be calibrated and is controlled to measure the emission intensity data using the light output from the plurality of light sources. ,
The second information processing device is
A processing system that acquires the reference data, collates the measured luminescence intensity data with the reference data, and controls so as to correct the measured luminescence intensity data according to the collation result. 前記第１の情報処理装置は、前記治具を、前記基準となる装置の処理室と搬送室との間を減圧環境を維持したまま搬送するように制御する、
請求項１１に記載の処理システム。 The first information processing device controls the jig to be transported between the processing chamber and the transport chamber of the reference device while maintaining a reduced pressure environment.
The processing system according to claim 11. 前記第２の情報処理装置は、前記治具を、前記校正対象となる装置の処理室と搬送室との間を減圧環境を維持したまま搬送するように制御する、
請求項１１又は１２に記載の処理システム。 The second information processing apparatus controls the jig to be conveyed between the processing chamber and the conveying chamber of the apparatus to be calibrated while maintaining a reduced pressure environment.
The processing system according to claim 11 or 12. 前記第１の情報処理装置と前記第２の情報処理装置とは、異なる情報処理装置である、
請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の処理システム。 The first information processing device and the second information processing device are different information processing devices.
The processing system according to any one of claims 11 to 13. 前記第１の情報処理装置と前記第２の情報処理装置とは、同一の情報処理装置である、
請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の処理システム。 The first information processing device and the second information processing device are the same information processing device.
The processing system according to any one of claims 11 to 14. ベースと、前記ベースの上に設けられ、異なる波長の光を発する複数の光源と、前記ベースの上に設けられ、所与のプログラムに基づいて前記複数の光源を点灯又は消灯させる制御部と、前記ベースの上に設けられ、前記複数の光源及び前記制御部に電力を供給する電力供給部と、を有する治具を校正対象となる装置の処理室内に配置し、前記複数の光源から出力される光を用いて発光強度のデータを測定する工程と、
前記治具を基準となる装置の処理室内に配置し、前記複数の光源から出力される光を用いて測定した発光強度のデータを基準データとして記憶した記憶部を参照して、測定した前記発光強度のデータと前記基準データとを照合し、照合結果に応じて、測定した前記発光強度のデータを補正する工程と、を有する処理方法。 A base, a plurality of light sources provided on the base and emitting light of different wavelengths, a control unit provided on the base and turning on or off the plurality of light sources based on a given program, and the like. A jig provided on the base and having the plurality of light sources and the power supply unit for supplying power to the control unit is arranged in the processing chamber of the device to be calibrated, and is output from the plurality of light sources. The process of measuring the emission intensity data using light
The jig is placed in a processing chamber of a reference device, and the light emission measured by referring to a storage unit that stores data of light emission intensity measured using light output from the plurality of light sources as reference data. A processing method comprising a step of collating the intensity data with the reference data and correcting the measured emission intensity data according to the collation result. 前記治具を、アライメント装置を用いて所与の角度で回転させながら、前記複数の光源のうち、一の波長の光を発する光源から別の波長の光を発する光源に切り替えて、前記複数の光源のそれぞれの前記発光強度のデータを順に測定する、
請求項１６に記載の処理方法。 While rotating the jig at a given angle using an alignment device, the plurality of light sources are switched from a light source that emits light of one wavelength to a light source that emits light of another wavelength. The data of the emission intensity of each of the light sources is measured in order.
The processing method according to claim 16. 前記複数の光源の近傍に設けられた温度センサを用いて前記複数の光源の近傍の温度を測定する工程と、
測定した前記温度が予め定められた閾値以上の場合、前記複数の光源の発光を停止する工程と、
を有する、請求項１６又は１７に記載の処理方法。 A step of measuring the temperature in the vicinity of the plurality of light sources using temperature sensors provided in the vicinity of the plurality of light sources, and a step of measuring the temperature in the vicinity of the plurality of light sources.
When the measured temperature is equal to or higher than a predetermined threshold value, a step of stopping the light emission of the plurality of light sources and a step of stopping the light emission.
The processing method according to claim 16 or 17. 前記治具を、前記校正対象となる装置の処理室と搬送室との間を減圧環境を維持したまま搬送する工程を有する、
請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の処理方法。 It has a step of transporting the jig between the processing chamber and the transport chamber of the apparatus to be calibrated while maintaining a reduced pressure environment.
The processing method according to any one of claims 16 to 18. 前記治具を、前記基準となる装置の処理室と搬送室との間を減圧環境を維持したまま搬送する工程を有する、
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の処理方法。 It has a step of transporting the jig between the processing chamber and the transport chamber of the reference device while maintaining a reduced pressure environment.
The processing method according to any one of claims 16 to 19.
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