JP2021085821A

JP2021085821A - 測距センサ、測距システム、および、電子機器

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Publication number: JP2021085821A
Application number: JP2019216556A
Authority: JP
Inventors: 久美子馬原; Kumiko Umahara
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2019-11-29
Filing date: 2019-11-29
Publication date: 2021-06-03
Also published as: US20220357455A1; WO2021106623A1

Abstract

【課題】発光条件の切り替えを高速に行うことができるようにする。【解決手段】測距センサは、照明装置から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、照明装置の発光条件を制御する制御部とを備える。本技術は、例えば、被写体までの距離を測定する測距システム等に適用できる。【選択図】図４

Description

本技術は、測距センサ、測距システム、および、電子機器に関し、特に、発光条件の切り替えを高速に行うことができるようにした測距センサ、測距システム、および、電子機器に関する。

近年、半導体技術の進歩により、物体までの距離を測定する測距モジュールの小型化が進んでいる。これにより、例えば、通信機能を備えた小型の情報処理装置である、いわゆるスマートフォンなどのモバイル端末に測距モジュールを搭載することが実現されている。

測距モジュールにおける測距方法としては、例えば、indirect ToF（Time of Flight）方式が挙げられる。indirect ToF方式は、物体に向かって照射光が発光され、その照射光が物体の表面で反射されて返ってくる反射光を検出し、照射光が発光されてから反射光が受光されるまでの飛行時間に基づいて物体までの距離を算出する方式である。

飛行時間を計測するため、反射光を受光する測距センサ側から、照射光を発光する照明装置に発光タイミングを供給することで、照射光の発光のタイミングが制御される（例えば、特許文献１参照）。

国際公開第２０１９／０４４４８７号

特許文献１に開示のように、測距センサが発光タイミングを管理することは行われていたが、例えば、発光強度などの発光条件は、上位のホストで制御されており、発光条件が変更された場合に、測距センサが発光条件の切り替えに対応するために一定程度の時間が必要であった。

本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、発光条件の切り替えを高速に行うことができるようにするものである。

本技術の第１の側面の測距センサは、照明装置から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部とを備える。

本技術の第２の側面の測距システムは、物体に照射光を照射する照明装置と、前記照射光が前記物体で反射されて返ってきた反射光を受光する測距センサとを備え、前記測距センサは、前記反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部とを備える。

本技術の第３の側面の電子機器は、物体に照射光を照射する照明装置と、前記照射光が前記物体で反射されて返ってきた反射光を受光する測距センサとを備え、前記測距センサは、前記反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部とを備える測距システムを備える。

本技術の第１乃至第３の側面においては、照明装置から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光が受光され、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件が制御される。

測距センサ、測距システム及び電子機器は、独立した装置であっても良いし、他の装置に組み込まれるモジュールであっても良い。

本技術を適用した測距システムの構成例を示すブロック図である。 indirect ToF方式の測距原理を説明する図である。 indirect ToF方式の測距原理を説明する図である。照明装置と測距センサの詳細構成例を示すブロック図である。画素アレイ部の詳細を説明する図である。照射光の切り替えの例を説明する図である。照射光の切り替えの例を説明する図である。発光条件の変更を実行する第１の制御例を示すシーケンス図である。発光条件の変更を実行する第２の制御例を示すシーケンス図である。光源設定情報を照明装置へ送信する場合の具体的な送信タイミングを説明する図である。照明装置と、第１の変形例に係る測距センサの詳細構成例を示すブロック図である。照明装置と、第２の変形例に係る測距センサの詳細構成例を示すブロック図である。第１の変形例に係る測距センサによる発光条件制御処理を説明するフローチャートである。測距センサのチップ構成例を示す斜視図である。比較例としての他の発光制御方法を行う測距システムのブロック図である。本技術を適用した電子機器の構成例を示すブロック図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、添付図面を参照しながら、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。説明は以下の順序で行う。
１．測距システムの概略構成例
２．indirect ToF方式の測距原理
３．測距センサと照明装置の構成例
４．発光条件の変更タイミング例
５．測距センサの第１の変形例
６．測距センサの第２の変形例
７．発光条件制御処理のフローチャート
８．測距センサのチップ構成例
９．他の発光制御方法との比較
１０．電子機器への適用例
１１．移動体への応用例

＜１．測距システムの概略構成例＞
図１は、本技術を適用した測距システムの構成例を示すブロック図である。

測距システム１は、照明装置１１と、測距センサ１２とで構成され、測距システム１が組み込まれているホスト装置の制御部であるホスト制御部１３からの指示にしたがい、被写体としての所定の物体までの距離を測定し、測距データをホスト制御部１３に出力する。

より具体的には、照明装置１１は、例えば、光源として赤外線レーザダイオードなどを有し、測距センサ１２から供給される発光パルスと発光条件とに基づいて、被写体としての所定の物体に対して照射光を照射する。発光パルスは、発光（オンオフ）のタイミングを示す所定の変調周波数（例えば、20MHzなど）のパルス信号であり、発光条件は、例えば、発光強度、照射エリア、照射方式などの光源設定情報を含む。照明装置１１は、測距センサ１２から供給された発光条件で、発光パルスに応じて変調しながら発光する。

測距センサ１２は、測距の開始を表す測距開始トリガと、発光条件とを、ホスト制御部１３から取得し、取得した発光条件を照明装置１１に供給するとともに、発光パルスを生成して照明装置１１に供給し、照明装置１１の発光を制御する。

また、測距センサ１２は、生成した発光パルスに基づいて、照明装置１１から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光を受光し、受光結果に基づいて測距データを生成し、ホスト制御部１３に出力する。

ホスト制御部１３は、測距システム１が組み込まれているホスト装置全体を制御し、照明装置１１が照射光を照射する際の発光条件と、測距の開始を表す測距開始トリガとを、測距センサ１２へ供給する。測距開始トリガに対応して、測距データが、測距センサ１２から供給される。ホスト制御部１３は、例えば、ホスト装置に搭載されたCPU（central processing unit）,MPU（microprocessor unit）,FPGA(field-programmable gate array）)などの演算装置またはその演算装置上で動作するアプリケーションプログラムで構成される。また例えば、ホスト装置がスマートフォンで構成される場合、ホスト制御部１３は、AP(application processor)またはそこで動作するアプリケーションプログラムなどで構成される。

以上のように構成される測距システム１は、indirect ToF（Time of Flight）方式、direct ToF方式、Structured Light方式などの所定の測距方式を用いて、反射光の受光結果に基づいて測距を行う。indirect ToF方式は、照射光が発光されてから反射光が受光されるまでの飛行時間を位相差として検出し、物体までの距離を算出する方式である。direct ToF方式は、照射光が発光されてから反射光が受光されるまでの飛行時間を直接計測し、物体までの距離を算出する方式である。Structured Light方式は、照射光としてパターン光を照射し、受光されるパターンの歪みに基づいて物体までの距離を算出する方式である。

測距システム１が実行する測距方式は、特に限定されないが、以下では、測距システム１がindirect ToF方式による測距を行う場合を例に、測距システム１の具体的動作を説明する。

＜２．indirect ToF方式の測距原理＞
初めに、図２および図３を参照して、indirect ToF方式の測距原理について簡単に説明する。

測距システム１から物体までの距離に相当するデプス値ｄ［mm］は、以下の式（１）で計算することができる。

式（１）のΔｔは、照明装置１１から出射された照射光が物体に反射して測距センサ１２に入射するまでの時間であり、ｃは、光速を表す。

照明装置１１から照射される照射光には、図２に示されるような、所定の変調周波数ｆで高速にオンオフを繰り返す発光パターンのパルス光が採用される。発光パターンの１周期Tは１／ｆとなる。測距センサ１２では、照明装置１１から測距センサ１２に到達するまでの時間Δｔに応じて、反射光（受光パターン）の位相がずれて検出される。この発光パターンと受光パターンとの位相のずれ量（位相差）をφとすると、時間Δｔは、下記の式（２）で算出することができる。

したがって、測距システム１から物体までのデプス値ｄは、式（１）と式（２）とから、下記の式（３）で算出することができる。

次に、上述の位相差φの算出手法について説明する。

測距センサ１２に形成された画素アレイの各画素は、変調周波数に対応して高速にON／OFFを繰り返し、ON期間のみの電荷を蓄積する。

測距センサ１２は、画素アレイの各画素のON／OFFの実行タイミングを順次切り替えて、各実行タイミングにおける電荷を蓄積し、蓄積電荷に応じた検出信号を出力する。

ON／OFFの実行タイミングには、たとえば、位相０度、位相９０度、位相１８０度、および、位相２７０度の４種類がある。

位相０度の実行タイミングは、画素アレイの各画素のONタイミング（受光タイミング）を、照明装置１１が出射するパルス光の位相、すなわち発光パターンと同じ位相とするタイミングである。

位相９０度の実行タイミングは、画素アレイの各画素のONタイミング（受光タイミング）を、照明装置１１が出射するパルス光（発光パターン）から９０度遅れた位相とするタイミングである。

位相１８０度の実行タイミングは、画素アレイの各画素のONタイミング（受光タイミング）を、照明装置１１が出射するパルス光（発光パターン）から１８０度遅れた位相とするタイミングである。

位相２７０度の実行タイミングは、画素アレイの各画素のONタイミング（受光タイミング）を、照明装置１１が出射するパルス光（発光パターン）から２７０度遅れた位相とするタイミングである。

測距センサ１２は、例えば、位相０度、位相９０度、位相１８０度、位相２７０度の順番で受光タイミングを順次切り替え、各受光タイミングにおける反射光の受光量（蓄積電荷）を取得する。図２では、各位相の受光タイミング（ONタイミング）において、反射光が入射されるタイミングに斜線が付されている。

図２に示されるように、受光タイミングを、位相０度、位相９０度、位相１８０度、および、位相２７０度としたときに蓄積された電荷を、それぞれ、Ｑ_０、Ｑ_９０、Ｑ_１８０、および、Ｑ_２７０とすると、位相差φは、Ｑ_０、Ｑ_９０、Ｑ_１８０、および、Ｑ_２７０を用いて、下記の式（４）で算出することができる。

式（４）で算出された位相差φを上記の式（３）に入力することにより、測距システム１から物体までのデプス値ｄを算出することができる。

また、信頼度confは、各画素で受光した光の強度を表す値であり、例えば、以下の式（５）で計算することができる。

測距センサ１２は、画素アレイの画素ごとに供給される検出信号に基づいて、測距システム１から物体までの距離であるデプス値ｄを算出する。そして、各画素の画素値としてデプス値ｄが格納されたデプスマップと、各画素の画素値として信頼度confが格納された信頼度マップとが生成されて、外部へ出力される。

測距センサ１２は、後述するように、画素アレイの各画素に電荷蓄積部を２つ備える。この２つの電荷蓄積部を、第１タップと第２タップと呼ぶこととすると、第１タップと第２タップの２つの電荷蓄積部に交互に電荷を蓄積させることにより、例えば、位相０度と位相１８０度のように、位相が反転した２つの受光タイミングの検出信号を１フレームで取得することができる。

ここで、測距センサ１２は、２Phase方式または４Phase方式のいずれかの方式で、デプスマップと信頼度マップとを生成し、出力する。

図３の上段は、２Phase方式のデプスマップの生成を示している。

２Phase方式では、図３の上段に示されるように、第１のフレームにおいて、位相０度と位相１８０度の検出信号を取得し、次の第２のフレームにおいて、位相９０度と位相２７０度の検出信号を取得することで、４位相の検出信号を取得することができるので、式（３）によりデプス値ｄを算出することができる。

２Phase方式において、位相０度と位相１８０度、または、位相９０度と位相２７０度の検出信号を生成する単位（１フレーム）をマイクロフレームと呼ぶと、２マイクロフレームで４位相のデータが揃うので、２枚のマイクロフレームのデータで画素単位にデプス値ｄを算出することができる。このデプス値ｄを各画素の画素値として格納したフレームをデプスフレームと称することとすると、１デプスフレームは、２マイクロフレームで構成される。

さらに、測距センサ１２では、発光強度や変調周波数などの発光条件を変えて、複数枚のデプスフレームを取得し、それら複数枚のデプスフレームを用いて、最終的なデプスマップが生成される。すなわち、１枚のデプスマップは、複数枚のデプスフレームを用いて生成される。図３の例では、３枚のデプスフレームを用いてデプスマップが生成されている。なお、１枚のデプスフレームを、そのままデプスマップとして出力してもよい。すなわち、１枚のデプスマップを、１枚のデプスフレームで構成することもできる。

図３の下段は、４Phase方式のデプスマップの生成を示している。

４Phase方式では、図３の下段に示されるように、第１のフレームと第２のフレームに続いて、第３のフレームにおいて、位相１８０度と位相０度の検出信号が取得され、次の第４のフレームにおいて、位相２７０度と位相９０度の検出信号が取得される。すなわち、第１タップと第２タップのそれぞれで、位相０度、位相９０度、位相１８０度、および、位相２７０度の４位相すべての検出信号が取得され、式（３）によりデプス値ｄが算出される。したがって、４Phase方式では、１デプスフレームは、４マイクロフレームで構成され、１枚のデプスマップは、発光条件を変えた複数枚のデプスフレームを用いて生成される。

４Phase方式は、４位相すべての検出信号を各タップ（第１タップと第２タップ）で取得することができるので、各画素に存在するタップ間の特性ばらつき、すなわち、タップ間の感度差を除去することができる。

一方、２Phase方式は、２枚のマイクロフレームのデータで物体までのデプス値dを求めることができるので、４Phase方式の２倍のフレームレートで測距を行うことができる。タップ間の特性ばらつきは、ゲインやオフセット等の補正パラメータで調整される。

測距センサ１２は、２Phase方式または４Phase方式のどちらで駆動することもできるが、以下では簡単のため、２Phase方式で駆動するものとして説明する。

＜３．測距センサと照明装置の構成例＞
図４は、照明装置１１と測距センサ１２の詳細構成例を示すブロック図である。なお、図４には、理解を容易にするため、ホスト制御部１３も図示されている。

測距センサ１２は、制御部３１、発光タイミング制御部３２、画素変調部３３、画素制御部３４、画素アレイ部３５、カラム処理部３６、データ処理部３７、出力IF３８、および、入出力端子３９−１ないし３９−５を備える。

照明装置１１は、発光制御部５１、発光源５２、並びに、入出力端子５３−１および５３−２を備える。

測距センサ１２の制御部３１には、ホスト制御部１３から、入出力端子３９−１を介して発光条件が供給されるとともに、入出力端子３９−２を介して測距開始トリガが供給される。制御部３１は、発光条件と測距開始トリガとに基づいて、測距センサ１２全体の動作と、照明装置１１とを制御する。

より具体的には、制御部３１は、ホスト制御部１３から供給される発光条件に基づいて、発光条件の一部である、発光強度、照射エリア、照射方式などの情報を、光源設定情報として、照明装置１１へ入出力端子３９−３を介して供給する。

また、制御部３１は、ホスト制御部１３から供給される発光条件に基づいて、発光条件の一部である、発光期間と変調周波数の情報を、発光タイミング制御部３２に供給する。発光期間は、１位相当たりの露光時間を表す。

さらに、制御部３１は、照明装置１１へ供給する照射エリアや照射方式などに対応して、画素アレイ部３５の受光エリアを含む駆動制御情報を、画素制御部３４、カラム処理部３６、および、データ処理部３７に供給する。

発光タイミング制御部３２は、制御部３１から供給される、発光期間と変調周波数の情報に基づいて、発光パルスを生成し、入出力端子３９−４を介して照明装置１１へ供給する。発光パルスは、制御部３１から供給された変調周波数のパルス信号となり、発光パルスの１マイクロフレームにおけるHigh期間の積分時間が、制御部３１から供給された発光期間となる。発光パルスは、ホスト制御部１３からの測距開始トリガに応じたタイミングで、入出力端子３９−４を介して照明装置１１へ供給される。

また、発光タイミング制御部３２は、発光パルスに同期して反射光を受光するための受光パルスを生成し、画素変調部３３に供給する。受光パルスは、上述したように、発光パルスに対して、位相０度、位相９０度、位相１８０度、または位相２７０度のいずれかの位相だけ遅れたパルス信号となる。

画素変調部３３は、発光タイミング制御部３２から供給される受光パルスに基づいて、画素アレイ部３５の各画素の第１タップと第２タップへの電荷蓄積動作の切り替えを行う。

画素制御部３４は、制御部３１から供給される駆動制御情報に基づいて、画素アレイ部３５の各画素の蓄積電荷のリセット動作、読み出し動作などの制御を行う。例えば、画素制御部３４は、制御部３１から駆動制御情報の一部として供給される受光エリアに対応して、全画素からなる受光領域の一部の領域のみを部分駆動させることができる。また例えば、画素制御部３４は、受光エリアの各画素の検出信号を所定間隔で間引いたり、複数画素の検出信号を加算（画素加算）する制御も行うことができる。

画素アレイ部３５は、行列状に２次元配置された複数の画素７１（図５）を備える。画素アレイ部３５の各画素７１は、画素変調部３３と画素制御部３４の制御にしたがって反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を、カラム処理部３６に供給する。

ここで、図５を参照して、画素アレイ部３５の詳細について説明する。

画素アレイ部３５には、図５に示されるように、複数の画素７１が行列状に２次元配置されている。

画素７１は、フォトダイオード８１と、第１タップに相当する電荷蓄積部であるFD（Floating Diffusion）部８２Aと、第２タップに相当する電荷蓄積部であるFD（Floating Diffusion）部８２Bとを備える。

さらに、画素７１は、第１タップとしてのFD部８２Aへの電荷蓄積を制御する複数の画素トランジスタである、転送トランジスタ８３A、選択トランジスタ８４A、および、リセットトランジスタ８５Aと、第２タップとしてのFD部８２Bへの電荷蓄積を制御する複数の画素トランジスタである、転送トランジスタ８３B、選択トランジスタ８４B、および、リセットトランジスタ８５Bとを備える。

画素７１の動作について説明する。

初めに、露光開始前の余分な電荷をリセットするリセット動作が行われる。具体的には、画素制御部３４が、選択信号GDAおよびGDBと、リセット信号RSAおよびRSBをHighに制御し、第１タップ側の転送トランジスタ８３Aおよびリセットトランジスタ８５Aと、第２タップ側の転送トランジスタ８３Bおよびリセットトランジスタ８５Bとをオンさせる。これにより、FD部８２AとFD部８２Bに蓄積されていた電荷がリセットされるとともに、フォトダイオード８１の蓄積電荷がリセットされる。リセット動作終了後、転送トランジスタ８３Aおよびリセットトランジスタ８５Aと、第２タップ側の転送トランジスタ８３Bおよびリセットトランジスタ８５Bとは、オフに戻される。

次に、露光動作が開始される。具体的には、画素変調部３３が、受光パルスに同期して振り分け信号GDAおよびGDBを交互にHighに制御し、第１タップ側の転送トランジスタ８３Aと、第２タップ側の転送トランジスタ８３Bとを、交互にオンする。これにより、フォトダイオード８１で発生した電荷が、第１タップとしてのFD部８２A、または、第２タップとしてのFD部８２Bに振り分けられる。フォトダイオード８１で発生した電荷の第１タップまたは第２タップへの振り分け動作が、１マイクロフレームの発光期間に相当する時間、周期的に繰り返される。転送トランジスタ８３Aを介して転送された電荷はFD部８２Aに順次蓄積され、転送トランジスタ８３Bを介して転送された電荷はFD部８２Bに順次蓄積される。

そして、露光期間終了後、画素制御部３４が、選択信号ROAおよびROBをHighに制御することにより、第１タップであるFD部８２Aの蓄積電荷に応じた検出信号と、第２タップであるFD部８２Bの蓄積電荷に応じた検出信号が、カラム処理部３６に出力される。すなわち、選択信号ROAに従って選択トランジスタ８４Aがオンとなると、FD部８２Aに蓄積されている電荷の電荷量に応じた検出信号Aが、信号線８６Aを介して画素７１から出力される。同様に、選択信号ROBに従って選択トランジスタ８４Bがオンとなると、FD部８２Bに蓄積されている電荷の電荷量に応じた検出信号Bが、信号線８６Bを介して画素７１から出力される。

このように、画素７１は、フォトダイオード８１が受光した反射光により発生する電荷を、遅延時間ΔTに応じて第１タップまたは第２タップBに振り分けて、検出信号Aおよび検出信号Bを出力する。この検出信号Aおよび検出信号Bは、上述した位相０度、位相９０度、位相１８０度、および、位相２７０度の４位相のいずれかの検出信号となっている。

図４の説明に戻り、カラム処理部３６は、複数のAD（Analog to Digital）変換部を備え、画素アレイ部３５の画素列単位に設けられたAD変換部が、対応する画素列の所定の画素７１から出力される検出信号に対して、ノイズ除去処理とAD変換処理を行う。AD変換処理後の検出信号が、データ処理部３７に供給される。

データ処理部３７は、カラム処理部３６から供給されるAD変換後の各画素７１の検出信号に基づいて、各画素７１のデプス値ｄを算出し、各画素の画素値としてデプス値ｄが格納されたデプスフレームを生成する。さらに、データ処理部３７は、１以上のデプスフレームを用いて、デプスマップを生成する。また、データ処理部３７は、各画素７１の検出信号に基づいて信頼度confを算出し、各画素の画素値として信頼度confが格納されたデプスフレームに対応する信頼度フレームと、デプスマップに対応する信頼度マップも生成する。データ処理部３７は、生成したデプスマップと信頼度マップを出力IF３８に供給する。

出力IF３８は、データ処理部３７から供給されるデプスマップと信頼度マップとを、入出力端子３９−５の信号フォーマット（例えば、MIPI：Mobile Industry Processor Interface）に変換し、入出力端子３９−５から出力する。入出力端子３９−５から出力されたデプスマップと信頼度マップは、測距データとしてホスト制御部１３に供給される。

図４において、入出力端子３９−１ないし３９−５と、入出力端子５３−１および５３−２は、説明の便宜上、複数に分かれているが、複数の入出力接点を有する１つの端子（端子群）で構成してもよい。また、SPI(Serial Peripheral Interface)や、I2C（Inter-Integrated Circuit）等のシリアル通信を用いて、発光条件や光源設定情報を設定することも可能である。SPIまたはI2Cのシリアル通信を用いた場合、測距センサ１２は、マスタ側として動作し、照明装置１１に対して任意のタイミングで光源設定情報を設定することができる。SPIやI2C等のシリアル通信を用いることにより、レジスタを用いて複雑かつ詳細な設定が可能となる。

照明装置１１の発光制御部５１は、レーザドライバ等で構成され、入出力端子５３−１および５３−２を介して測距センサ１２から供給される光源設定情報と発光パルスとに基づいて、発光源５２を駆動する。

発光源５２は、例えば、VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：垂直共振器面発光レーザ)等のレーザ光源を１つ以上備える。発光源５２は、発光制御部５１の駆動制御に従い、所定の発光強度、照射エリア、照射方式、変調周波数、および、発光期間で、照射光を発光する。

図６および図７は、例えば、発光源５２が、発光特性の異なる３種類のレーザ光源LD１ないしLD３を備えているものとして、発光制御部５１による照射光の切り替えの例を示している。

図６のAは、発光制御部５１が、照射光の照射方式を切り替える例を示している。

具体的には、発光制御部５１は、所定の照射エリアを所定の輝度範囲内で均一な発光強度で照射する面照射を行う第１のレーザ光源LD１と、所定の間隔で配置された複数のスポット（円）を照射エリアとするスポット照射を行う第２のレーザ光源LD２とを切り替えている。

図６のBは、発光制御部５１が、照射光の発光強度を切り替える例を示している。

具体的には、発光制御部５１は、所定の発光強度（標準の発光強度）で面照射を行う第１のレーザ光源LD１と、第１のレーザ光源LD１よりも発光強度を大に設定した面照射を行う第３のレーザ光源LD３とを切り替えている。

なお、発光強度の変更は、レーザ光源LDを切り替える方法の他、１つのレーザ光源LD(例えば、レーザ光源LD１)に供給する電圧を変更する方法でも可能である。

図７のAは、発光制御部５１が、照射光の照射エリアを切り替える例を示している。

具体的には、発光制御部５１は、第１のレーザ光源LD１が照射可能な全エリアを照射する全面照射と、照射エリアを一部に限定した部分照射とを切り替えている。部分照射の照射エリアは、例えば、照射可能な全エリアの中央部分とされている。照射エリアは、例えば、第１のレーザ光源LD１の前に配置された拡散板または投影レンズを駆動することにより、変更することができる。あるいはまた、第１のレーザ光源LD１が複数の発光素子で構成される場合、発光させる発光素子を一部に限定することで照射エリアを絞ることができる。

図７のBは、発光制御部５１が、照射光の変調周波数を切り替える例を示している。

具体的には、発光制御部５１は、第１のレーザ光源LD１を用いて、変調周波数２０MHzで発光させる照射と、変調周波数１００MHzで発光させる照射とを切り替えている。変調周波数の変更は、測距センサ１２から供給される発光パルスの周波数の変更によって実現される。

図６および図７で説明した例は、１つの発光条件のみを切り替える例であるが、勿論、複数の発光条件を任意に組み合わせて同時に変更することも可能である。例えば、発光強度と変調周波数を同時に切り替えたり、発光強度と照射エリアを同時に切り替える、などが可能である。

また、発光させるレーザ光源LDの数は１つに限らず、２つ以上を同時に発光させてもよい。例えば、標準の発光強度の第１のレーザ光源LD１と、それよりも発光強度が大きい第３のレーザ光源LD３とを同時に発光させることにより、第３のレーザ光源LD３のみよりもさらに発光強度を大にした照射が可能である。

＜４．発光条件の変更タイミング例＞
次に、測距センサ１２が照明装置１１に対して発光条件の変更を実行するタイミングについて説明する。

測距センサ１２は、ホスト制御部１３から発光条件を取得し、自身（測距センサ１２）の動作に合わせた適切なタイミングで、照明装置１１に対して発光条件の変更を実行する。

図８は、測距センサ１２が照明装置１１に対して発光条件の変更を実行する第１の制御例を示すシーケンス図である。

図８の例は、測距センサ１２が、３種類の発光条件A、B、Cで３枚のデプスフレームを生成し、３枚のデプスフレームから１つのデプスマップを生成して出力する例を示している。１枚のデプスフレームに必要なマイクロフレームの数は、２Phase方式の場合、２枚であるので、合計６枚のマイクロフレームで１つのデプスマップが生成される。

測距センサ１２の制御部３１は、ホスト制御部１３から測距開始トリガが供給される前に、３種類の発光条件A、B、およびCを１セットとして、ホスト制御部１３から取得し、内部のメモリに記憶する。ここで、発光条件Aは、例えば、標準の発光強度で変調周波数２０MHzの全面照射を行う条件であり、発光条件Bは、例えば、標準の発光強度で変調周波数２０MHzのスポット照射を行う条件であり、発光条件Cは、例えば、発光強度大で変調周波数２０MHzの全面照射を行う条件とする。

そして、ホスト制御部１３から測距開始トリガが供給されると、測距センサ１２の制御部３１および発光タイミング制御部３２は、初めに、発光条件Aに対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力し、発光条件Aによる照射光の発光を行わせるとともに、受光パルスを発行して画素アレイ部３５の各画素７１を駆動し、受光を開始する。

測距センサ１２は、所定のセンサ起動動作（StartUp）に続いて、発光条件Aにおける反射光を受光し、位相０度と位相１８０度の第１マイクロフレームを生成し、次に、位相９０度と位相２７０度の第２マイクロフレームを生成する。そして、測距センサ１２は、第１マイクロフレームと第２マイクロフレームとに基づいて、第１デプスフレームを生成する。

続いて、測距センサ１２の制御部３１および発光タイミング制御部３２は、発光条件Bに対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力し、発光条件Bで照射光の発光を行わせるとともに、受光パルスを発行して画素アレイ部３５の各画素７１を駆動し、受光を開始する。

測距センサ１２は、所定のセンサ起動動作（StartUp）に続いて、発光条件Bにおける反射光を受光し、位相０度と位相１８０度の第１マイクロフレームを生成し、次に、位相９０度と位相２７０度の第２マイクロフレームを生成する。そして、測距センサ１２は、第１マイクロフレームと第２マイクロフレームとに基づいて、第２デプスフレームを生成する。

続いて、測距センサ１２の制御部３１および発光タイミング制御部３２は、発光条件Cに対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力し、発光条件Cで照射光の発光を行わせるとともに、受光パルスを発行して画素アレイ部３５の各画素７１を駆動し、受光を開始する。

測距センサ１２は、所定のセンサ起動動作（StartUp）に続いて、発光条件Cにおける反射光を受光し、位相０度と位相１８０度の第１マイクロフレームを生成し、次に、位相９０度と位相２７０度の第２マイクロフレームを生成する。そして、測距センサ１２は、第１マイクロフレームと第２マイクロフレームとに基づいて、第３デプスフレームを生成する。

続いて、測距センサ１２は、第１ないし第３デプスフレームから、１つのデプスマップ（第１デプスマップ）と信頼度マップを生成し、入出力端子３９−５を介してホスト制御部１３へ出力する。

以上で１回の測距開始トリガに対応した動作が終了する。なお、反射光の受光結果に基づくマイクロフレームの生成、デプスフレームの生成、および、デプスマップの生成の処理は、データ処理部３７で実行される。次の測距開始トリガに対応した駆動では、例えば、変調周波数が異なる発光条件により、デプスマップ（第２デプスマップ）が生成される。

以上のように、測距センサ１２は、複数の発光条件からなるセットをホスト制御部１３から取得しておき、デプスフレーム単位で、照明装置１１の発光条件を切り替える制御を行うことができる。

図９は、測距センサ１２が照明装置１１に対して発光条件の変更を実行する第２の制御例を示すシーケンス図である。

図９の例は、測距センサ１２が、２種類の発光条件A、Bで２枚のデプスフレームを生成し、２枚のデプスフレームから１つのデプスマップを生成して出力する例を示している。１枚のデプスフレームに必要なマイクロフレームの数は、２Phase方式の場合、２枚であるので、合計４枚のマイクロフレームで１つのデプスマップが生成される。

測距センサ１２の制御部３１は、ホスト制御部１３から測距開始トリガが供給される前に、２種類の発光条件AおよびBを１セットとして、ホスト制御部１３から取得し、内部のメモリに記憶する。ここで、発光条件Aは、例えば、標準の発光強度で変調周波数２０MHzの全面照射を行う条件であり、発光条件Bは、例えば、発光強度大で変調周波数２０MHzの全面照射を行う条件とする。

ここで、図９の第２の制御が、図８に示した第１の制御と異なる点は、発光条件の変更が、デプスフレーム単位ではなく、マイクロフレーム単位で行われる点である。

具体的には、測距センサ１２の制御部３１および発光タイミング制御部３２は、発光条件Aに対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力し、発光条件Aで照射光の発光を行わせる。

測距センサ１２は、所定のセンサ起動動作（StartUp）に続いて、発光条件Aにおける反射光を受光し、位相０度と位相１８０度の第１マイクロフレームを生成する。

次に、制御部３１および発光タイミング制御部３２は、発光条件Bに対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力し、発光条件Bで照射光の発光を行わせる。

測距センサ１２は、発光条件Bにおける反射光を受光し、位相０度と位相１８０度の第２マイクロフレームを生成する。

次に、制御部３１および発光タイミング制御部３２は、発光条件Aに対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力し、発光条件Aで照射光の発光を行わせる。

測距センサ１２は、発光条件Aにおける反射光を受光し、位相９０度と位相２７０度の第３マイクロフレームを生成する。

測距センサ１２は、発光条件Bにおける反射光を受光し、位相９０度と位相２７０度の第４マイクロフレームを生成する。

そして、測距センサ１２は、発光条件Aにおける第１マイクロフレームと第３マイクロフレームとに基づいて、第１デプスフレームを生成し、発光条件Bにおける第２マイクロフレームと第４マイクロフレームとに基づいて、第２デプスフレームを生成する。

最後に、測距センサ１２は、第１および第２デプスフレームから、１つのデプスマップ（第１デプスマップ）と信頼度マップを生成し、入出力端子３９−５を介してホスト制御部１３へ出力する。

以上で１回の測距開始トリガに対応した動作が終了する。マイクロフレームの生成、デプスフレームの生成、および、デプスマップの生成の処理は、データ処理部３７で実行される。次の測距開始トリガに対応した駆動では、例えば、変調周波数が異なる発光条件により、デプスマップ（第２デプスマップ）が生成される。

以上のように、測距センサ１２は、複数の発光条件からなるセットをホスト制御部１３から取得しておき、マイクロフレーム単位で、照明装置１１の発光条件を切り替える制御を行うことができる。マイクロフレーム単位で発光条件を切り替えることにより、測定対象の物体が動被写体などであっても、異なる発光条件で、ほぼ同時に測定することができる。

また、上述した第２の制御では、異なる発光条件AとBのデプスフレームを生成する場合、測距センサ１２は、発光条件Aで１枚のデプスフレームに必要な２枚のマイクロフレーム（位相０度と位相１８０度のマイクロフレームと、位相９０度と位相２７０度のマイクロフレーム）を生成した後、発光条件Bで１枚のデプスフレームに必要な２枚のマイクロフレームを生成するのではなく、位相０度と位相１８０度のマイクロフレームを発光条件AとBで生成し、次に、位相９０度と位相２７０度のマイクロフレームを発光条件AとBで生成した。

このように、同一の発光条件で、１枚のデプスフレームに必要な２枚のマイクロフレームを連続して生成するのではなく、同一の位相の２枚のマイクロフレームを、異なる発光条件で連続して生成する駆動も可能である。勿論、同一の発光条件で、１枚のデプスフレームに必要な２枚のマイクロフレームを連続して生成してもよい。

図１０は、測距センサ１２が光源設定情報を照明装置１１へ送信する場合の具体的な送信タイミングを説明する図である。

図１０には、測距センサ１２が照明装置１１へ送信する発光パルスと、フォトダイオード８１で生成した電荷を、第１タップとしてのFD部８２Aと第２タップとしてのFD部８２Bとに振り分ける振り分け信号GDAおよびGDBが示されている。

測距センサ１２が１つのマイクロフレームを生成するマイクロフレーム期間には、リセット期間と、露光期間と、読み出し期間とが含まれる。リセット期間は、各画素７１が、余分な電荷をリセットするリセット動作を行う期間であり、露光期間は、各画素７１が露光動作を行う期間であり、読み出し期間は、各画素７１が蓄積電荷に応じた検出信号をカラム処理部３６に出力する期間である。

測距センサ１２の制御部３１は、各画素７１の動作タイミングが読み出し期間であるときに、光源設定情報を、照明装置１１へ出力する。制御部３１は、測距センサ１２全体の動作を制御しているので、これらの動作タイミングを把握している。そのため、１マイクロフレームの単位時間は、フレームレート換算で数百ないし２００００fps程度の微小時間となるが、高速なフレームレートであっても、リアルタイムに、光源設定情報を送信することができる。 SPIやI2C等のシリアル通信を用いた場合には、レジスタ設定により、複雑かつ詳細な設定が可能となる。

以上のように、測距センサ１２が、照明装置１１に設定する複数の発光条件からなるセットを取得し、自身の動作に合わせて、照明装置１１の発光条件を変更する制御を行うことにより、ホスト制御部１３は照明装置１１の制御を行う必要がなくなる。そして、測距センサ１２が自身の動作に合わせたタイミングで照明装置１１の発光条件を変更する制御を実行することにより、照明装置１１の制御を高速に行うことができる。

なお、図８ないし図１０では、デプスフレーム単位で照明装置１１の発光条件を切り替える例と、マイクロフレーム単位で照明装置１１の発光条件を切り替える例とを説明したが、デプスマップ単位でも照明装置１１の発光条件を切り替えることができることは言うまでもない。

＜５．測距センサの第１の変形例＞
次に、測距センサ１２の変形例について説明する。

図１１は、照明装置１１と、第１の変形例に係る測距センサ１２の詳細構成例を示すブロック図である。

図１１において、図４で説明した照明装置１１と測距センサ１２の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略する。

第１の変形例に係る測距センサ１２は、図４に示した測距センサ１２の構成例に対して、条件切替判定部１０１が新たに追加されている。その他の構成は、図４の測距センサ１２と同一である。

第１の変形例に係る測距センサ１２は、上述した図４の測距センサ１２と同様に、ホスト制御部１３から取得した複数の発光条件を、マイクロフレーム単位、デプスフレーム単位、または、デプスマップ単位の任意の単位で、予め決定された順番で順に切り替える制御を行う機能に加えて、反射光を受光した受光結果に応じて照明装置１１の発光条件を自身で決定し、切り替える制御を行う機能を有している。

条件切替判定部１０１は、データ処理部３７で生成されたデプスフレームと信頼度フレームを取得する。そして、条件切替判定部１０１は、取得したデプスフレームと信頼度フレームとに基づいて、次のデプスフレームで設定する発光条件を決定し、制御部３１に供給する。

制御部３１は、条件切替判定部１０１から供給される発光条件に基づいて、照明装置１１と、自身の動作を制御する。すなわち、制御部３１は、発光強度などの光源設定情報を照明装置１１へ供給するとともに、変調周波数と発光期間の情報を、発光タイミング制御部３２に供給する。また、制御部３１は、駆動制御情報を、画素制御部３４、カラム処理部３６、および、データ処理部３７に供給する。

例えば、条件切替判定部１０１は、デプスフレームの測距値に基づいて、精度が必要となる被写体を撮像していると判定した場合、図７のAのように、照射エリアを全エリアから被写体領域のみに限定したり、図６のBのように、発光強度を上げるように、発光条件を変更する。精度が必要となる被写体か否かは、測距値が近距離を示すかどうかで判定することができる。例えば、測定誤差が５ｃｍある場合に、測距値が１ｍであるときの５ｃｍと、測距値が７ｍであるときの５ｃｍとでは、１ｍのときの方が誤差成分の影響が大きい。そのため、測距値が、近距離として予め設定した値（例えば１ｍ）以下である場合に、精度が必要となる被写体を撮像していると判定することができる。照射エリアが全エリアから被写体領域のみに限定された場合、画素アレイ部３５の受光エリアも、限定された被写体領域に対応する一部の領域のみを駆動するように変更することができる。

また例えば、条件切替判定部１０１は、デプスフレームの測距値が室内環境での測定であることを示しているかを判定し、室内環境での測定であると判定された場合、図６のAのように面照射からスポット照射に変更するように、発光条件を変更する。測距値が室内環境での測定であるか否かは、前景と背景との距離の差や、背景の測距値（の大きさ）に基づいて判定することができる。室内環境での測定である場合、乱反射の影響が大きくなる。そこで、測距センサ１２は、スポット照射による測距を行い、明部（スポット部分）と暗部（スポット以外の部分）のデータを取得する。乱反射の影響を受ける暗部のデータを取得することで、乱反射成分を除去する信号処理を行うことができ、測距精度を向上させることができる。その他、例えば、乱反射によるノイズと思われる測距値が得られた場合、乱反射の影響を抑えることができるスポット照射による測距を行うことで、測距精度を向上させることができる。

さらに例えば、条件切替判定部１０１は、受光した反射光の強度を表す信頼度（信頼度フレーム）に基づいて、発光強度が大きいと判定した場合、発光強度を下げたり、反対に、発光強度が小さいと判定した場合、発光強度を上げたりするように、発光条件を変更することができる。

上述した例では、条件切替判定部１０１が、デプスフレームまたは信頼度フレームに基づいて発光条件を決定する例について説明したが、デプスマップや信頼度マップに基づいて、発光条件を決定してもよい。また、各画素から出力される検出信号に基づいて、発光条件の変更を決定してもよい。例えば、検出信号が画素の飽和状態を示すか否かに基づいて、発光強度を変更することができる。

なお、図１１の測距センサ１２において、条件切替判定部１０１は、データ処理部３７の一部として組み込んで実現してもよいし、制御部３１の一部として組み込んで実現してもよい。

＜６．測距センサの第２の変形例＞
図１２は、照明装置１１と、第２の変形例に係る測距センサ１２の詳細構成例を示すブロック図である。

図１２において、図４で説明した照明装置１１と測距センサ１２の構成例と対応する部分については同一の符号を付してあり、その部分の説明は省略する。

第２の変形例に係る測距センサ１２は、図４に示した測距センサ１２の構成例に対して、条件切替判定部１１１と温度センサ１１２が新たに追加されている。その他の構成は、図４の測距センサ１２と同一である。また、照明装置１１にも温度センサ１２１が新たに追加されている。

条件切替判定部１１１には、温度センサ１１２から、画素アレイ部３５内の画素温度が供給される。また、照明装置１１の温度センサ１２１で検出された発光源５２（レーザ光源）の温度（光源温度）が、入出力端子５３−１および３９−３を介して、照明装置１１から条件切替判定部１１１に供給される。

条件切替判定部１１１は、測距中の環境条件、具体的には、温度センサ１１２で検出された画素温度と、照明装置１１で検出された光源温度とに基づいて、次のデプスフレームで設定する発光条件を決定し、制御部３１に供給する。また、条件切替判定部１１１は、画素温度または光源温度のいずれか一方に基づいて、発光条件を決定してもよい。

例えば、条件切替判定部１１１は、照明装置１１から供給される光源温度が高い（所定の温度以上である）と判定された場合、発光強度を下げたり、発光期間を短くするように、発光条件を変更する。また例えば、条件切替判定部１１１は、温度センサ１１２から供給される画素温度が高い（所定の温度以上である）と判定された場合、露光期間（発光期間と同等）を短くするように、発光条件を変更する。画素温度が高く、かつ、光源温度が低い状態である場合には、露光期間の変更とともに、発光強度を大きくすることで、受光量の減少による精度劣化を抑えることができる。

温度センサ１１２は、画素アレイ部３５内の画素付近に配置され、画素温度を検出して、条件切替判定部１１１に供給する。温度センサ１１２は、画素アレイ部３５内に、複数個配置されてもよい。

照明装置１１の温度センサ１２１は、発光源５２の付近に配置され、光源温度を検出し、発光制御部５１に供給する。

なお、図１２の測距センサ１２において、条件切替判定部１１１は、データ処理部３７の一部として組み込んで実現してもよいし、制御部３１の一部として組み込んで実現してもよい。

また、温度センサ１１２および１２１の検出結果に基づく発光条件の変更は、第１の変形例と同様に、デプスフレーム単位で行ってもし、デプスマップ単位で行ってもよい。

＜７．発光条件制御処理のフローチャート＞
次に、図１３のフローチャートを参照して、第１の変形例に係る測距センサ１２による発光条件制御処理を説明する。この処理は、例えば、ホスト制御部１３から、発光条件と測距開始トリガが供給されたとき、開始される。

初めに、ステップＳ１において、測距センサ１２の制御部３１は、ホスト制御部１３から供給された発光条件と測距開始トリガを取得する。発光条件は１つでもよし、複数の発光条件からなるセットでもよい。

ステップＳ２において、制御部３１は、所定の発光条件で照明装置１１に照射光の発光を行わせるとともに、自身による受光動作を開始する。より具体的には、制御部３１は、所定の発光条件に対応する光源設定情報と発光パルスを照明装置１１へ出力するとともに、発光期間と変調周波数の情報を、発光タイミング制御部３２に供給する。発光タイミング制御部３２は、発光期間と変調周波数の情報に基づいて、発光パルスを生成し、照明装置１１へ供給するとともに、受光パルスを画素変調部３３に供給する。また、制御部３１は、画素アレイ部３５の受光エリアを含む駆動制御情報を、画素制御部３４、カラム処理部３６、および、データ処理部３７に供給する。照明装置１１は、測距センサ１２からの光源設定情報と発光パルスとに基づいて、照射光を発光する。

ステップＳ３において、画素アレイ部３５の各画素７１は、画素変調部３３と画素制御部３４の制御にしたがい、照明装置１１から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を画素単位にデータ処理部３７に供給する。

ステップＳ４において、データ処理部３７は、各画素７１の検出信号に基づいて、デプスフレームと信頼度フレームを算出し、条件切替判定部１０１に供給する。

ステップＳ５において、条件切替判定部１０１は、データ処理部３７からのデプスフレームと信頼度フレームに基づいて発光条件の変更が必要であるかを判定する。例えば、条件切替判定部１０１は、上述したように、精度が必要となる被写体を撮像しているか、室内環境での測定であるかなどを判定する。

ステップＳ５で、発光条件の変更が必要ではないと判定された場合、処理はステップＳ２へ戻され、上述したステップＳ２ないしＳ５の処理が繰り返される。この場合、発光条件が変更されずに、照射光の発光と、反射光の受光が行われる。

一方、ステップＳ５で、発光条件の変更が必要であると判定された場合、処理はステップＳ６に進み、次のデプスフレームで設定する発光条件を決定し、制御部３１に供給する。その後、処理はステップＳ２へ戻され、上述したステップＳ２ないしＳ５の処理が実行される。この場合、変更後の発光条件で、照射光の発光と、反射光の受光が行われる。

図１３の発光条件制御処理は、予め決定された所定数のデプスマップと信頼度マップを出力した場合など、所定の終了条件を満たした場合、終了される。

以上の発光条件制御処理によれば、測距センサ１２が、反射光を受光した受光結果に応じて照明装置１１の発光条件を自身で決定し、切り替える制御を行うことができる。

なお、図１３のフローチャートは、第１の変形例に係る測距センサ１２が行う発光条件制御処理の例であるが、第２の変形例に係る測距センサ１２も同様に、温度センサ１１２および１２１の検出結果に基づいて発光条件を決定し、切り替える制御を行うことができる。

＜８．測距センサのチップ構成例＞
図１４は、測距センサ１２のチップ構成例を示す斜視図である。

測距センサ１２は、図１４のAに示されるように、第１のダイ（基板）１４１と、第２のダイ（基板）１４２とが積層された１つのチップで構成することができる。

第１のダイ１４１には、例えば、受光部としての画素アレイ部３５が少なくとも配置され、第２のダイ１４２には、例えば、画素アレイ部３５から出力される検出信号を用いて、デプスフレームやデプスマップを生成する処理などを行うデータ処理部３７などが配置される。

なお、測距センサ１２は、第１のダイ１４１と第２のダイ１４２とに加えて、もう１つのロジックダイを積層した３層で構成したり、４層以上のダイ（基板）の積層で構成してもよい。

また、測距センサ１２の一部の機能は、測距センサ１２とは別の信号処理チップで行う構成とすることもできる。例えば、図１４のBに示されるように、測距センサ１２としてのセンサチップ１５１と、後段の信号処理を行うロジックチップ１５２とを中継基板１５３上に形成して構成することができる。ロジックチップ１５２には、上述した測距センサ１２のデータ処理部３７が行う処理の一部、例えば、デプスフレームやデプスマップを生成する処理などを行う構成とすることができる。

＜９．他の発光制御方法との比較＞
上述の測距システム１は、照明装置１１の発光条件をホスト制御部１３から測距センサ１２へ供給し、測距センサ１２が、取得した発光条件に基づいて照明装置１１の発光を制御する構成とされていた。

これに対して、図１５に示されるように、ホスト制御部１８１が、発光条件を照明装置１８３へ供給し、発光条件に対応する受光条件を測距センサ１８２に供給する方法も考えられる。発光条件に対応する受光条件には、例えば、変調周波数や、発光期間に対応する露光期間などがある。測距開始トリガは、図１の測距システム１と同様に、ホスト制御部１８１から測距センサ１８２へ供給され、発光パルスは、測距センサ１８２で生成されて、照明装置１８３へ供給される。

このような制御方法においては、ホスト制御部１８１が、発光条件を変更し、新たな発光条件を照明装置１８３へ供給しようとする場合、照明装置１８３の発光を一時的に止める必要が有るので、発光パルスの出力を止める必要があり、そのため、測距センサ１８２の動作も一時的に止める必要がある。発光パルスは、測距開始トリガの受信による測距開始動作に同期して生成、出力されるので、発光パルスの出力を止めた場合、ホスト制御部１８１は、測距開始トリガを、再度、出力する必要となる。

すなわち、図１５の測距システムの制御方法において、発光条件の変更は、測距開始トリガを出力するタイミング毎となるため、デプスマップ単位でしか、発光条件の変更ができない。

これに対して、図１の測距システム１では、デプスマップ単位だけでなく、デプスフレーム単位やマイクロフレーム単位でも、発光条件を変更することができる。これにより、シーン変化に追従するような高速な発光条件の切り替えも可能となる。

また、発光条件の切り替えの制御についてホスト制御部１３が関与しないため、ホスト制御部１３自身は、測距開始トリガ出力後、停止状態（待機状態）とすることができるので、測距システム１が組み込まれているホスト装置全体の低消費電力にも貢献することができる。

図１の測距システム１の発光条件変更の制御方法は、indirect ToF方式の測距システムに限定されず、Structured Light方式やdirectToFの測距システムにも適用できる。

＜１０．電子機器への適用例＞
上述した測距システム１は、例えば、スマートフォン、タブレット型端末、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、テレビ受像機、ウェアラブル端末、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどの電子機器に搭載することができる。

図１６は、測距システム１を搭載した電子機器としてのスマートフォンの構成例を示すブロック図である。

図１６に示すように、スマートフォン２０１は、測距モジュール２０２、撮像装置２０３、ディスプレイ２０４、スピーカ２０５、マイクロフォン２０６、通信モジュール２０７、センサユニット２０８、タッチパネル２０９、および制御ユニット２１０が、バス２１１を介して接続されて構成される。また、制御ユニット２１０では、CPUがプログラムを実行することによって、アプリケーション処理部２２１およびオペレーションシステム処理部２２２としての機能を備える。

測距モジュール２０２には、図１の測距システム１が適用される。例えば、測距モジュール２０２は、スマートフォン２０１の前面に配置され、スマートフォン２０１のユーザを対象とした測距を行うことにより、そのユーザの顔や手、指などの表面形状のデプス値を測距結果として出力することができる。図１のホスト制御部１３は、図１６の制御ユニット２１０に対応する。

撮像装置２０３は、スマートフォン２０１の前面に配置され、スマートフォン２０１のユーザを被写体とした撮像を行うことにより、そのユーザが写された画像を取得する。なお、図示しないが、スマートフォン２０１の背面にも撮像装置２０３が配置された構成としてもよい。

ディスプレイ２０４は、アプリケーション処理部２２１およびオペレーションシステム処理部２２２による処理を行うための操作画面や、撮像装置２０３が撮像した画像などを表示する。スピーカ２０５およびマイクロフォン２０６は、例えば、スマートフォン２０１により通話を行う際に、相手側の音声の出力、および、ユーザの音声の収音を行う。

通信モジュール２０７は、通信ネットワークを介した通信を行う。センサユニット２０８は、速度や加速度、近接などをセンシングし、タッチパネル２０９は、ディスプレイ２０４に表示されている操作画面に対するユーザによるタッチ操作を取得する。

アプリケーション処理部２２１は、スマートフォン２０１によって様々なサービスを提供するための処理を行う。例えば、アプリケーション処理部２２１は、測距モジュール２０２から供給されるデプスマップに基づいて、ユーザの表情をバーチャルに再現したコンピュータグラフィックスによる顔を作成し、ディスプレイ２０４に表示する処理を行うことができる。また、アプリケーション処理部２２１は、測距モジュール２０２から供給されるデプスマップに基づいて、例えば、任意の立体的な物体の三次元形状データを作成する処理を行うことができる。

オペレーションシステム処理部２２２は、スマートフォン２０１の基本的な機能および動作を実現するための処理を行う。例えば、オペレーションシステム処理部２２２は、測距モジュール２０２から供給されるデプスマップに基づいて、ユーザの顔を認証し、スマートフォン２０１のロックを解除する処理を行うことができる。また、オペレーションシステム処理部２２２は、測距モジュール２０２から供給されるデプスマップに基づいて、例えば、ユーザのジェスチャを認識する処理を行い、そのジェスチャに従った各種の操作を入力する処理を行うことができる。

このように構成されているスマートフォン２０１では、上述した測距システム１を適用することで、例えば、高精度かつ高速にデプスマップを生成することができる。これにより、スマートフォン２０１は、測距情報をより正確に検出することができる。

＜１１．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図１７は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１７に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むADＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１７の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図１８は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図１８では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図１８には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。
マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、車外情報検出ユニット１２０３０や車内情報検出ユニット１２０４０に適用され得る。具体的には、車外情報検出ユニット１２０３０や車内情報検出ユニット１２０４０として測距システム１による測距を利用することで、運転者のジェスチャを認識する処理を行い、そのジェスチャに従った各種（例えば、オーディオシステム、ナビゲーションシステム、エアーコンディショニングシステム）の操作を実行したり、より正確に運転者の状態を検出することができる。また、測距システム１による測距を利用して、路面の凹凸を認識して、サスペンションの制御に反映させたりすることができる。

本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

本明細書において複数説明した本技術は、矛盾が生じない限り、それぞれ独立に単体で実施することができる。もちろん、任意の複数の本技術を併用して実施することもできる。また、上述した任意の本技術の一部または全部を、上述していない他の技術と併用して実施することもできる。

また、例えば、１つの装置（または処理部）として説明した構成を分割し、複数の装置（または処理部）として構成するようにしてもよい。逆に、以上において複数の装置（または処理部）として説明した構成をまとめて１つの装置（または処理部）として構成されるようにしてもよい。また、各装置（または各処理部）の構成に上述した以外の構成を付加するようにしてももちろんよい。さらに、システム全体としての構成や動作が実質的に同じであれば、ある装置（または処理部）の構成の一部を他の装置（または他の処理部）の構成に含めるようにしてもよい。

さらに、本明細書において、システムとは、複数の構成要素（装置、モジュール（部品）等）の集合を意味し、すべての構成要素が同一筐体中にあるか否かは問わない。したがって、別個の筐体に収納され、ネットワークを介して接続されている複数の装置、及び、１つの筐体の中に複数のモジュールが収納されている１つの装置は、いずれも、システムである。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、本明細書に記載されたもの以外の効果があってもよい。

なお、本技術は、以下の構成を取ることができる。
（１）
照明装置から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部と
を備える測距センサ。
（２）
前記制御部は、前記検出信号を画素から出力する画素読み出し期間に、前記照明装置の発光条件を変更する制御を行う
前記（１）に記載の測距センサ。
（３）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、発光源を切り替える制御を行う
前記（１）または（２）に記載の測距センサ。
（４）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、変調周波数を切り替える制御を行う
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の測距センサ。
（５）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、照射方式を切り替える制御を行う
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の測距センサ。
（６）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、発光強度を切り替える制御を行う
前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の測距センサ。
（７）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、照射エリアを切り替える制御を行う
前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の測距センサ。
（８）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件を、マイクロフレーム単位で切り替える制御を行う
前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の測距センサ。
（９）
前記制御部は、前記照明装置の発光条件を、デプスフレーム単位で切り替える制御を行う
前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の測距センサ。
（１０）
前記制御部は、上位の制御部から取得した前記照明装置の発光条件を、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせたタイミングで、前記照明装置に供給する
前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の測距センサ。
（１１）
前記制御部は、前記画素アレイ部の各画素の受光結果に応じて前記照明装置の発光条件を決定し、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせたタイミングで、前記照明装置に供給する
前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の測距センサ。
（１２）
前記制御部は、前記画素アレイ部の各画素の受光結果に基づく測距値に基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
前記（１１）に記載の測距センサ。
（１３）
前記制御部は、前記測距値が近距離を示すか否かに基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
前記（１２）に記載の測距センサ。
（１４）
前記制御部は、前記測距値が室内環境での測定であることを示しているか否かに基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
前記（１２）に記載の測距センサ。
（１５）
前記制御部は、環境条件に応じて前記照明装置の発光条件を決定し、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせたタイミングで、前記照明装置に供給する
前記（１）乃至（１４）のいずれかに記載の測距センサ。
（１６）
内部の温度を測定する温度センサをさらに備え、
前記制御部は、前記環境条件として前記温度センサの検出結果に基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
前記（１５）に記載の測距センサ。
（１７）
前記制御部は、前記環境条件として前記照明装置の温度センサの検出結果に基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
前記（１５）に記載の測距センサ。
（１８）
物体に照射光を照射する照明装置と、
前記照射光が前記物体で反射されて返ってきた反射光を受光する測距センサと
を備え、
前記測距センサは、
前記反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部と
を備える
測距システム。
（１９）
物体に照射光を照射する照明装置と、
前記照射光が前記物体で反射されて返ってきた反射光を受光する測距センサと
を備え、
前記測距センサは、
前記反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部と
を備える
測距システム
を備える電子機器。

１測距システム，１１照明装置，１２測距センサ，１３ホスト制御部，３１制御部，３２発光タイミング制御部，３７データ処理部，５１発光制御部，５２発光源，７１画素，１０１条件切替判定部，１１１条件切替判定部，１１２温度センサ，２０１スマートフォン，２０２測距モジュール，１２１温度センサ， LD１第１のレーザ光源， LD２第２のレーザ光源， LD３第３のレーザ光源

Claims

照明装置から照射された照射光が物体で反射されて返ってきた反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部と
を備える測距センサ。
前記制御部は、前記検出信号を画素から出力する画素読み出し期間に、前記照明装置の発光条件を変更する制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、発光源を切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、変調周波数を切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、照射方式を切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、発光強度を切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件の制御として、照射エリアを切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件を、マイクロフレーム単位で切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記照明装置の発光条件を、デプスフレーム単位で切り替える制御を行う
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、上位の制御部から取得した前記照明装置の発光条件を、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせたタイミングで、前記照明装置に供給する
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記画素アレイ部の各画素の受光結果に応じて前記照明装置の発光条件を決定し、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせたタイミングで、前記照明装置に供給する
請求項１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記画素アレイ部の各画素の受光結果に基づく測距値に基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
請求項１１に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記測距値が近距離を示すか否かに基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
請求項１２に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記測距値が室内環境での測定であることを示しているか否かに基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
請求項１２に記載の測距センサ。
前記制御部は、環境条件に応じて前記照明装置の発光条件を決定し、前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせたタイミングで、前記照明装置に供給する
請求項１に記載の測距センサ。
内部の温度を測定する温度センサをさらに備え、
前記制御部は、前記環境条件として前記温度センサの検出結果に基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
請求項１５に記載の測距センサ。
前記制御部は、前記環境条件として前記照明装置の温度センサの検出結果に基づいて、前記照明装置の発光条件を決定する
請求項１５に記載の測距センサ。
物体に照射光を照射する照明装置と、
前記照射光が前記物体で反射されて返ってきた反射光を受光する測距センサと
を備え、
前記測距センサは、
前記反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部と
を備える
測距システム。
物体に照射光を照射する照明装置と、
前記照射光が前記物体で反射されて返ってきた反射光を受光する測距センサと
を備え、
前記測距センサは、
前記反射光を受光し、受光量に応じた検出信号を出力する画素が２次元配置された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素の動作に合わせて、前記照明装置の発光条件を制御する制御部と
を備える
測距システム
を備える電子機器。