JP2021083309A - Light-emitting element driving device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子駆動装置に関する。 The present invention relates to a light emitting element driving device.
従来より、LED(発光ダイオード)を駆動するLEDドライバを含む様々な電源用ドライバなどは、一つのチップの半導体装置として構成されることが一般的である。このような半導体装置には、設定用抵抗および設定用コンデンサが多数、外付けで設けられることが多い。 Conventionally, various power supply drivers including an LED driver for driving an LED (light emitting diode) are generally configured as a semiconductor device of one chip. In such a semiconductor device, a large number of setting resistors and setting capacitors are often provided externally.
例えば、半導体装置が電源用ドライバである場合、出力電圧を帰還する帰還制御のために出力電圧を分圧する分圧抵抗、または過電圧検出のために出力電圧を分圧する分圧抵抗が外付けで設けられることがある。このような分圧抵抗は、出力電圧の目標値または過電圧設定値を設定するための設定用抵抗として機能する。 For example, when the semiconductor device is a power supply driver, a voltage dividing resistor that divides the output voltage for feedback control that feeds back the output voltage or a voltage dividing resistor that divides the output voltage for overvoltage detection is provided externally. May be Such a voltage dividing resistor functions as a setting resistor for setting a target value or an overvoltage set value of the output voltage.
また、半導体装置が電源用ドライバである場合、ソフトスタート機能または周波数拡散(スペクトラム拡散)機能などの設定をするために外付けの設定用コンデンサが設けられる場合もある。 Further, when the semiconductor device is a power supply driver, an external setting capacitor may be provided for setting the soft start function or the frequency spread (spread spectrum) function.
しかしながら、上記のような設定用抵抗または設定用コンデンサは、外付けであるがために接続が外れてしまったり、抵抗値または容量値の設定に誤りが生じる虞があった。例えば、上述した設定用抵抗の状態に異常が生じた場合、出力電圧の目標値が異常となったり、過電圧設定値が異常となることにより、例えば出力電圧が外付け部品耐圧または半導体装置耐圧を超えたり、発熱が異常となる虞があった。これは、装置破壊につながる虞もある。 However, since the setting resistor or the setting capacitor as described above is externally attached, there is a risk that the connection may be disconnected or an error may occur in the setting of the resistance value or the capacitance value. For example, when an abnormality occurs in the state of the setting resistor described above, the target value of the output voltage becomes abnormal or the overvoltage setting value becomes abnormal, so that the output voltage becomes, for example, the withstand voltage of the external component or the withstand voltage of the semiconductor device. There was a risk that it would exceed the limit or the heat generation would become abnormal. This may lead to device destruction.
また、例えば、上述した設定用コンデンサの状態に異常が生じた場合、半導体装置の動作・特性に悪影響を及ぼす虞があった。 Further, for example, when an abnormality occurs in the state of the setting capacitor described above, there is a possibility that the operation and characteristics of the semiconductor device may be adversely affected.
ここで、従来、例えば半導体装置がLEDドライバであった場合、半導体装置の起動時にLEDの接続有無をチェックする自己診断機能は存在する。しかしながら、このような機能では起動時に外付けの設定用部品の異常を検知することができないので、誤動作を防ぐことができない。 Here, conventionally, for example, when the semiconductor device is an LED driver, there is a self-diagnosis function for checking whether or not an LED is connected when the semiconductor device is started. However, such a function cannot detect an abnormality of an external setting component at startup, so that a malfunction cannot be prevented.
なお、特許文献1には、外付けコンデンサの異常が発生しているかを自己診断する入力回路が開示されているが、上記コンデンサは、フィルタ用コンデンサであり、設定用部品ではない。
Although
上記状況に鑑み、本発明は、外付けの設定用部品の異常に基づく誤動作を未然に抑制することが可能となる発光素子駆動装置を提供することを目的とする。 In view of the above situation, it is an object of the present invention to provide a light emitting element driving device capable of suppressing a malfunction due to an abnormality of an external setting component.
上記目的を達成するために本発明の一態様は、発光素子を駆動する発光素子駆動装置であって、
前記発光素子駆動装置の起動のときに、前記発光素子駆動装置の外部に接続された設定用部品に異常があるかを診断する診断部と、前記診断部により異常があると診断されると、前記発光素子駆動装置の起動を中止させる制御部と、を備え、
前記診断部は、抵抗である前記設定用部品の接続が外れている異常があるかを診断し、前記発光素子駆動装置は、前記抵抗の一端に接続される外部端子を更に備え、
前記診断部は、前記外部端子を介して前記抵抗に定電流を流す定電流回路と、前記外部端子に生じる電圧が入力されるコンパレータと、前記定電流を流す経路の接続・遮断を切替えるトランジスタと、を有し、
前記抵抗は、前記発光素子に電流を流す電流経路とは異なる経路に配置される構成としている(第1の構成)。
また、上記第1の構成において、さらに調光制御部を備えることとしてもよい(第2の構成)。
また、上記第1または第2の構成において、さらに過電流保護回路を備えることとしてもよい(第3の構成)。
また、上記第1から第3のいずれかの構成において、さらに異常信号に関連する信号を出力する端子を備えることとしてもよい(第4の構成)。
また、上記第1から第4のいずれかの構成において、さらに前記発光素子に対して付与する電流を調整する電流調整回路を備えることとしてもよい(第5の構成)。
また、上記第2の構成において、前記調光制御部にはPWM信号が入力されることとしてもよい(第6の構成)。
また、上記第4の構成において、前記異常信号は、複数のビット数を有し、前記制御部は、異常種別に応じて異なるビットデータの前記異常信号を異常信号出力部に前記端子から出力させることとしてもよい(第7の構成)。
In order to achieve the above object, one aspect of the present invention is a light emitting element driving device for driving a light emitting element.
When the light emitting element driving device is activated, a diagnostic unit that diagnoses whether or not there is an abnormality in the setting component connected to the outside of the light emitting element driving device, and a diagnostic unit that diagnoses that there is an abnormality by the diagnostic unit, A control unit for stopping the activation of the light emitting element driving device is provided.
The diagnostic unit diagnoses whether there is an abnormality in which the setting component, which is a resistor, is disconnected, and the light emitting element driving device further includes an external terminal connected to one end of the resistor.
The diagnostic unit includes a constant current circuit that allows a constant current to flow through the resistor via the external terminal, a comparator that inputs a voltage generated at the external terminal, and a transistor that switches connection / disconnection of the path through which the constant current flows. Have,
The resistor is arranged in a path different from the current path through which the current flows through the light emitting element (first configuration).
Further, in the first configuration, a dimming control unit may be further provided (second configuration).
Further, in the first or second configuration, an overcurrent protection circuit may be further provided (third configuration).
Further, in any of the first to third configurations, a terminal for outputting a signal related to an abnormal signal may be further provided (fourth configuration).
Further, in any of the first to fourth configurations, a current adjusting circuit for adjusting the current applied to the light emitting element may be further provided (fifth configuration).
Further, in the second configuration, a PWM signal may be input to the dimming control unit (sixth configuration).
Further, in the fourth configuration, the abnormal signal has a plurality of bits, and the control unit causes the abnormal signal output unit to output the abnormal signal of bit data different depending on the abnormality type from the terminal. This may be the case (seventh configuration).
本発明によると、外付けの設定用部品の異常に基づく誤動作を未然に抑制することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to suppress a malfunction due to an abnormality of an external setting component.
以下に本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<スイッチング電源回路の全体構成>
図1は、LED70を駆動するための本発明の一実施形態に係るスイッチング電源回路60の全体構成を示す図である。スイッチング電源回路60は、半導体装置50と、出力段55と、を主に備えるDC/DCコンバータである。なお、スイッチング電源回路60は、入力コンデンサCi、抵抗R3、抵抗R4、および異常フラグ出力部30も備えている。
<Overall configuration of switching power supply circuit>
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a switching
半導体装置50の外部に設けられる出力段55は、スイッチング素子Q1、スイッチング素子Q2、ダイオードD1、ダイオードD2、コイルL1、ブートストラップコンデンサCb、出力コンデンサCo、抵抗R1、および抵抗R2を有している。半導体装置50は、スイッチング素子Q1およびQ2をスイッチング駆動するスイッチングドライバICとして機能する。なお、半導体装置50は、LEDドライバIC(発光素子駆動装置)として捉えることもできる。
The output stage 55 provided outside the
半導体装置50は、ロジック部(制御部)1、内部電源電圧生成部2、UVLO(Under Voltage Lock Out)部3、ドライバ制御部4、コンパレータ5、オシレータ6、周波数拡散部7、スロープ電圧生成部8、エラーアンプ9、スイッチ10、スイッチ11、インバータ12、定電流制御回路13、コンパレータ14、過電流保護回路15、スイッチ部16、トランジスタ17、ソフトスタート部18、調光制御部19、デューティ設定部20、外部抵抗診断部21、外部抵抗診断部22、および外部容量診断部23〜25を備え、これらの各構成要素を集積化して構成される。また、半導体装置50は、外部との電気的接続を確立するための外部端子T1〜T15を備えている。
The
入力コンデンサCiの一端には入力電圧Vinが印加され、抵抗R3の一端に接続される。抵抗R3の他端は、抵抗R4の一端と共にnチャネルMOSFETで構成されるスイッチング素子Q1のドレインに接続される。抵抗R4の他端は、半導体装置50が備える外部端子T14に接続される。
An input voltage Vin is applied to one end of the input capacitor Ci and is connected to one end of the resistor R3. The other end of the resistor R3 is connected to the drain of the switching element Q1 composed of the n-channel MOSFET together with one end of the resistor R4. The other end of the resistor R4 is connected to the external terminal T14 included in the
スイッチング素子Q1のソースにはダイオードD1のカソードが接続される。ダイオードD1のカソードは、半導体装置50が備える外部端子T3に接続される。ダイオードD1のアノードは接地電位の印加端に接続される。スイッチング素子Q1のゲートは、半導体装置50が備える外部端子T2に接続される。
The cathode of the diode D1 is connected to the source of the switching element Q1. The cathode of the diode D1 is connected to the external terminal T3 included in the
スイッチング素子Q1とダイオードD1との接続点にはコイルL1の一端が接続され、コイルL1の他端には、ダイオードD2のアノードとnチャネルMOSFETで構成されるスイッチング素子Q2のドレインが共通接続される。スイッチング素子Q2のソースは接地電位の印加端に接続される。スイッチング素子Q2のゲートは、半導体装置50が備える外部端子T4に接続される。ダイオードD2のカソードには、出力コンデンサCoの一端が接続され、出力コンデンサCoの他端は接地電位の印加端に接続される。
One end of the coil L1 is connected to the connection point between the switching element Q1 and the diode D1, and the drain of the switching element Q2 composed of the anode of the diode D2 and the n-channel MOSFET is commonly connected to the other end of the coil L1. .. The source of the switching element Q2 is connected to the application end of the ground potential. The gate of the switching element Q2 is connected to the external terminal T4 included in the
また、スイッチング素子Q1とコイルL1との接続点には、ブートストラップコンデンサCbの一端が接続される。ブートストラップコンデンサCbの他端は、半導体装置50が備える外部端子T1に接続される。
Further, one end of the bootstrap capacitor Cb is connected to the connection point between the switching element Q1 and the coil L1. The other end of the bootstrap capacitor Cb is connected to the external terminal T1 included in the
ダイオードD2のカソードと出力コンデンサCoの一端との接続点に出力電圧Voutが生じる。当該接続点と、接地電位の印加端との間に分圧用の抵抗R1と抵抗R2とが直列接続される。抵抗R1と抵抗R2との接続点P1には、半導体装置50が備える外部端子T5が接続される。また、ダイオードD2のカソードと出力コンデンサCo一端との接続点には、LED70のアノード側が接続される。LED70のカソード側は、半導体装置50が備える外部端子T6に接続される。
An output voltage Vout is generated at the connection point between the cathode of the diode D2 and one end of the output capacitor Co. A resistor R1 and a resistor R2 for voltage division are connected in series between the connection point and the end where the ground potential is applied. An external terminal T5 included in the
抵抗R1と抵抗R2との接続点P1は、外部端子T5およびスイッチ10を介してエラーアンプ9の第1反転入力端(−)に接続される。LED70のカソード側は、外部端子T6およびスイッチ11を介してエラーアンプ9の第2反転入力端(−)に接続される。エラーアンプ9の非反転入力端(+)には、第1参照電圧Vref1が印加される。
The connection point P1 between the resistor R1 and the resistor R2 is connected to the first inverting input terminal (−) of the error amplifier 9 via the external terminal T5 and the switch 10. The cathode side of the
スイッチ10は、ロジック部1から送られる第1切替信号SW1によりオンオフが切替えられる。スイッチ11は、第1切替信号SW1をインバータ12によって論理反転した信号によりオンオフが切替えられる。即ち、第1切替信号SW1の論理レベルに応じて、スイッチ10がオン、スイッチ11がオフの状態と、スイッチ10がオフ、スイッチ11がオンの状態を切替えることができる。
The switch 10 is switched on and off by the first switching signal SW1 sent from the
エラーアンプ9は、出力電圧Voutを抵抗R1と抵抗R2によって分圧した後の分圧電圧Vdv1とLED70のカソード電圧Vcとのいずれか一方と、参照電圧Vref1との差分を増幅して誤差電圧ERRを出力する。誤差電圧ERRは、コンパレータ5の反転入力端(−)に入力される。
The error amplifier 9 amplifies the difference between the divided voltage Vdv1 after dividing the output voltage Vout by the resistors R1 and R2, the cathode voltage Vc of the
スロープ電圧生成部8は、オシレータ6が出力するクロック信号に同期して鋸歯波状または三角波状のスロープ電圧SLを生成する。スロープ電圧SLは、コンパレータ5の非反転入力端(+)に入力される。コンパレータ5は、誤差電圧ERRとスロープ電圧SLを比較し、比較結果としての比較信号SCをドライバ制御部4に出力する。
The slope
ドライバ制御部4は、比較信号SCに基づき、デューティが調整されたパルス状のPWM(Pulse Width Modulation)信号Spwm1またはSpwm2を生成し、各々をドライバDr1またはドライバDr2に出力する。
The
ドライバDr1は、内部電源電圧Vregによる充電によってブートストラップコンデンサCbに生じた電圧(=内部電源電圧Vreg−ダイオードDbの順方向電圧)に入力電圧Vinを加えた電圧をゲート信号G1として外部端子T2を介してスイッチング素子Q1のゲートに出力することで、スイッチング素子Q1をオンとする。また、ドライバDr1は、スイッチング素子Q1のゲートとソースをショートするゲート信号G1を出力することでスイッチング素子Q1をオフとする。ドライバDr1は、ドライバ制御部4からのPWM信号Spwm1に応じてゲート信号G1を出力してスイッチング素子Q1をスイッチング駆動する。
The driver Dr1 uses the voltage obtained by adding the input voltage Vin to the voltage generated in the bootstrap capacitor Cb (= the forward voltage of the internal power supply voltage Vreg-diode Db) by charging with the internal power supply voltage Vreg as the gate signal G1 and sets the external terminal T2. By outputting to the gate of the switching element Q1 via the device, the switching element Q1 is turned on. Further, the driver Dr1 turns off the switching element Q1 by outputting a gate signal G1 that short-circuits the gate and the source of the switching element Q1. The driver Dr1 outputs a gate signal G1 in response to the PWM signal Spwm1 from the
ドライバDr2は、内部電源電圧Vregおよび接地電位をそれぞれゲート信号G2として外部端子T4を介してスイッチング素子Q2のゲートに出力することで、スイッチング素子Q2をオンオフする。ドライバDr2は、ドライバ制御部4からのPWM信号Spwm2に応じてゲート信号G2を出力してスイッチング素子Q2をスイッチング駆動する。
The driver Dr2 turns on / off the switching element Q2 by outputting the internal power supply voltage Vreg and the ground potential as gate signals G2 to the gate of the switching element Q2 via the external terminal T4, respectively. The driver Dr2 outputs a gate signal G2 in response to the PWM signal Spwm2 from the
ここで、スイッチング素子Q2をドライバDr2によってオフに維持し、スイッチング素子Q1をドライバDr1によってオンオフ制御する場合、入力電圧Vinを降圧して出力電圧Voutを出力する降圧モードとなる。一方、スイッチング素子Q1をドライバDr1によってオンに維持し、スイッチング素子Q2をドライバDr2によってオンオフ制御する場合、入力電圧Vinを昇圧して出力電圧Voutを出力する昇圧モードとなる。これらのモードは、アプリケーションによるLED素子の段数や入力電圧Vinに応じて使い分けることとなる。 Here, when the switching element Q2 is kept off by the driver Dr2 and the switching element Q1 is controlled on and off by the driver Dr1, the step-down mode is set in which the input voltage Vin is stepped down and the output voltage Vout is output. On the other hand, when the switching element Q1 is kept on by the driver Dr1 and the switching element Q2 is controlled on and off by the driver Dr2, the step-up mode is set in which the input voltage Vin is boosted and the output voltage Vout is output. These modes are used properly according to the number of stages of the LED element and the input voltage Vin depending on the application.
第1切替信号SW1によってスイッチ10がオン、スイッチ11がオフとされた場合は、出力電圧Voutを抵抗R1およびR2によって分圧した後の分圧電圧Vdv1がエラーアンプ9に入力される。従って、分圧電圧Vdv1を帰還信号とした帰還制御が行われ、PWM制御によってPWM信号Spwm1またはSpwm2のデューティが調整され、出力電圧Voutが一定となるように制御される(第1帰還制御モード)。 When the switch 10 is turned on and the switch 11 is turned off by the first switching signal SW1, the divided voltage Vdv1 after dividing the output voltage Vout by the resistors R1 and R2 is input to the error amplifier 9. Therefore, feedback control is performed using the voltage dividing voltage Vdv1 as a feedback signal, the duty of the PWM signal Spwm1 or Spwm2 is adjusted by PWM control, and the output voltage Vout is controlled to be constant (first feedback control mode). ..
一方、第1切替信号SW1によってスイッチ10がオフ、スイッチ11がオンとされた場合は、LED70のカソード電圧Vcがエラーアンプ9に入力される。従って、カソード電圧Vcを帰還信号とした帰還制御が行われ、PWM制御によってPWM信号Spwm1またはSpwm2のデューティが調整され、カソード電圧Vcが一定となるように制御される(第2帰還制御モード)。
On the other hand, when the switch 10 is turned off and the switch 11 is turned on by the first switching signal SW1, the cathode voltage Vc of the
ここで、図2は、定電流制御回路13の具体的な構成を示す図である。定電流制御回路13は、MOSトランジスタ131、抵抗132、エラーアンプ133、スイッチ134、スイッチ135、インバータ136、およびスイッチ137を備えている。LED70のカソード側が接続される外部端子T6(図1)に、nチャネルMOSFETで構成されるMOSトランジスタ131のドレインが接続される。MOSトランジスタ131のソースは、抵抗132の一端に接続される。抵抗132の他端は、接地電位の印加端に接続される。MOSトランジスタ131と抵抗132との接続点は、スイッチ135を介してエラーアンプ133の反転入力端(−)に接続される。エラーアンプ133の非反転入力端(+)には、第2参照電圧Vref2が印加される。エラーアンプ133の出力端は、スイッチ134を介してMOSトランジスタ131のゲートに接続される。スイッチ134とMOSトランジスタ131との接続点は、スイッチ137を介して接地電位の印加端に接続される。
Here, FIG. 2 is a diagram showing a specific configuration of the constant
スイッチ134およびスイッチ135は、ロジック部1から送られる第2切替信号SW2によってオンオフが切替えられる。スイッチ137は、第2切替信号SW2をインバータ136によって論理反転した信号によりオンオフが切替えられる。即ち、第2切替信号SW2の論理レベルに応じてスイッチ134およびスイッチ135がオン、スイッチ137がオフとなる状態と、スイッチ134およびスイッチ135がオフ、スイッチ137がオンとなる状態とを切替え可能である。
The switch 134 and the
第2切替信号SW2によりスイッチ134およびスイッチ135がオン、スイッチ137がオフとされた場合、LED70およびMOSトランジスタ131を流れる電流ILを抵抗132によって電圧に変換した電流検出信号がエラーアンプ133に入力される。そして、エラーアンプ133は、電流検出信号と第2参照電圧Vref2との差分を増幅した信号をMOSトランジスタ131に出力することでMOSトランジスタ131を駆動制御する。これにより、電流ILを一定とする定電流制御が行われる。
When the switch 134 and the
一方、第2切替信号SW2によりスイッチ134およびスイッチ135がオフ、スイッチ137がオンとされると、MOSトランジスタ131のゲートは接地電位とショートされるので、MOSトランジスタ131はオフに維持される。これにより、電流ILは遮断される。
On the other hand, when the switch 134 and the
また、周波数拡散部7は、オシレータ6が生成するクロック信号の発振周波数を連続的に変化させて拡散させる機能を有する。これにより、放射電磁ノイズ(EMI)のノイズピークの低減を図ることができる。
Further, the frequency spreading unit 7 has a function of continuously changing and spreading the oscillation frequency of the clock signal generated by the
調光制御部19には、外部から外部端子T12を介して、デューティが調整されたPWM信号(パルス信号)としての調光信号DMが入力される。調光制御部19は、調光信号DMに基づいて調光制御信号DCRを生成してロジック部1に出力する。調光信号DMのデューティによって調光の明るさを調整できる。
A dimming signal DM as a PWM signal (pulse signal) whose duty is adjusted is input to the
デューティ設定部20は、デューティ設定信号DSを生成してロジック部1に出力する。デューティ設定信号DSは、調光信号DMのデューティの閾値を示す。
The
ロジック部1は、調光制御信号DCRおよびデューティ設定信号DSに基づいて調光信号DMのデューティと設定された閾値を比較し、比較結果に応じて上述した第1帰還制御モードと第2帰還制御モードとを切替える。
The
調光信号DMのデューティが閾値以上であると判定した場合、ロジック部1は、第1切替信号SW1によってスイッチ10をオフ、スイッチ11をオンとして、カソード電圧Vcを一定とするための第2帰還制御モードを有効とする。このときの各種信号波形の一例を図3に示す。
When it is determined that the duty of the dimming signal DM is equal to or higher than the threshold value, the
図3に示すように、タイミングt1において調光信号DMがHighレベルに立ち上がると、ロジック部1は、第2切替信号SW2によってスイッチ134およびスイッチ135をオン、スイッチ137をオフとする。これにより、電流ILが設定電流Isetまで立ち上がる。このとき、LED70に生じる順方向電圧は高くなるので、例えば出力電圧Voutが30V程度であると、例えばカソード電圧Vcは1V程度となり、第1参照電圧Vref1が1Vとすると、カソード電圧Vcが1Vで一定となるようPWM信号Spwm1またはSpwm2が生成される。これにより、スイッチング素子Q1またはQ2がオンオフ制御される。
As shown in FIG. 3, when the dimming signal DM rises to the High level at the timing t1, the
そして、電流ILが設定電流Isetとなるよう一定に制御されている間に、タイミングt2において調光信号DMが立ち下がると、ロジック部1は、第2切替信号SW2によってスイッチ134およびスイッチ135をオフ、スイッチ137をオンとするので、電流ILはゼロまで減少する。このとき、LED70に生じる順方向電圧が低くなり、上記の例では例えばカソード電圧Vcは10V程度に上昇する。従って、1Vである第1参照電圧Vref1よりもカソード電圧Vcがかなり高くなり、PWM信号Spwm1またはSpwm2としてはLowレベルが維持され、スイッチング素子Q1またはQ2はオフを維持される。
Then, when the dimming signal DM falls at the timing t2 while the current IL is constantly controlled to be the set current Set, the
このような動作の繰り返しにより、スイッチング損失を抑制しつつ、LED70の明るめの調光を行うことができる。
By repeating such an operation, it is possible to perform bright dimming of the
一方、調光信号DMのデューティが閾値より低いと判定した場合、ロジック部1は、第1切替信号SW1によってスイッチ10をオン、スイッチ11をオフとして、出力電圧Voutを一定とするための第1帰還制御モードを有効とする。このときの各種信号波形の一例を図4に示す。
On the other hand, when it is determined that the duty of the dimming signal DM is lower than the threshold value, the
図4に示すように、調光信号DMが立ち上がるタイミングt11において、ロジック部1は、第2切替信号SW2によってスイッチ134およびスイッチ135をオン、スイッチ137をオフとするので、電流ILが設定電流Isetまで立ち上がる。そして、電流ILが設定電流Isetとなるよう一定に制御されている間に、タイミングt12において調光信号DMが立ち下がると、ロジック部1は、第2切替信号SW2によってスイッチ134およびスイッチ135をオフ、スイッチ137をオンとするので、電流ILはゼロまで減少する。このような動作の繰り返しにより、LED70の暗めの調光を行うことができる。
As shown in FIG. 4, at the timing t11 when the dimming signal DM rises, the
このとき、第1帰還制御モードが有効であるので、調光信号DMのレベル(電流ILのオンオフ)に依らず、出力電圧Voutを一定とすべく常時、PWM信号Spwm1またはSpwm2が生成される。調光信号DMのデューティが低い場合に仮に第2帰還制御モードを有効とすると、調光信号DMのHighレベルとなる短い期間のみでPWM信号Spwm1またはSpwm2が生成されるので、出力電圧Voutを所定レベルに維持できない。そこで、調光信号DMのデューティが低い場合は、第1帰還制御モードを有効として、出力電圧Voutを所定レベルで維持できるようにしている。 At this time, since the first feedback control mode is effective, the PWM signal Spwm1 or Spwm2 is always generated in order to keep the output voltage Vout constant regardless of the level of the dimming signal DM (on / off of the current IL). If the second feedback control mode is enabled when the duty of the dimming signal DM is low, the PWM signal Spwm1 or Spwm2 is generated only in a short period when the dimming signal DM is at the high level, so the output voltage Vout is set. Cannot maintain level. Therefore, when the duty of the dimming signal DM is low, the first feedback control mode is enabled so that the output voltage Vout can be maintained at a predetermined level.
また、過電流保護回路15は、外部端子T14を介して入力される電圧信号により検出されるコイルL1に流れるコイル電流が所定の過電流設定値に達すると、ロジック部1に指令を行う。これにより、ドライバ制御部4は、ロジック部1からの指令により、PWM信号Spwm1またはSpwm2を強制的にLowレベルに立ち下げ、スイッチング素子Q1またはQ2をオフにする。従って、コイル電流は過電流設定値を上回らないように制限される。
Further, the
ソフトスタート部18は、半導体装置50の起動時に過電流保護回路15における電流制限値を徐々に上昇させる制御を行う。これによりコイル電流のピークが徐々に上昇してからコイル電流は定常状態に至る。
The soft start unit 18 controls to gradually increase the current limit value in the
コンパレータ14は、出力電圧Voutを分圧した分圧電圧Vdv1を所定の基準電圧と比較し、分圧電圧Vdv1が基準電圧を上回るとその旨を示す論理レベルの比較信号DET1をロジック部1に出力する。これを受けてロジック部1は、スイッチング素子Q1またはQ2をオフとするよう制御する。これにより、出力電圧Voutが過電圧設定値以下に制限される過電圧保護が行われる。
The
内部電源電圧生成部2は、外部端子T8を介して外部より入力電圧Vinに基づく電源電圧Vccが入力され、電源電圧Vccに基づき内部電源電圧Vregを生成する。内部電源電圧Vregは、ロジック部1を含めた各部に供給される。
The internal power supply voltage generation unit 2 receives a power supply voltage Vcc based on the input voltage Vin from the outside via the external terminal T8, and generates an internal power supply voltage Vreg based on the power supply voltage Vcc. The internal power supply voltage Vreg is supplied to each unit including the
イネーブルを示すイネーブル信号ENが外部端子T7を介して外部より内部電源電圧生成部2に入力されると、内部電源電圧生成部2は、内部電源電圧Vregを立ち上げる。内部電源電圧Vregが所定のUVLO解除電圧に達しない間はUVLO部3はロジック部1をスタンバイ状態に維持させる。そして、内部電源電圧VregがUVLO解除電圧に達すると、UVLO部3はロジック部1のスタンバイ状態を解除する。これにより、半導体装置50は起動する。
When the enable signal EN indicating enable is input to the internal power supply voltage generation unit 2 from the outside via the external terminal T7, the internal power supply voltage generation unit 2 raises the internal power supply voltage Vreg. The UVLO unit 3 keeps the
ディスエーブルを示すイネーブル信号ENが内部電源電圧生成部2に入力されると、内部電源電圧生成部2は、内部電源電圧Vregを立ち下げる。内部電源電圧Vregが所定のUVLO検出電圧を下回ると、UVLO部3はロジック部1をスタンバイ状態とする。これにより、スイッチング素子Q1およびQ2はオフを維持され、半導体装置50はパワーオフ状態となる。このとき、ロジック部1は、トランジスタ17をオンさせることにより、外部端子T15を介して出力コンデンサCoを放電させる。これにより、出力電圧Voutを確実に0Vとすることができる。
When the enable signal EN indicating disable is input to the internal power supply voltage generation unit 2, the internal power supply voltage generation unit 2 lowers the internal power supply voltage Vreg. When the internal power supply voltage Vreg falls below a predetermined UVLO detection voltage, the UVLO unit 3 puts the
また、スイッチ部16および異常フラグ出力部30は、異常検知時にエラー信号を外部へ出力するエラー信号出力部を構成し、その詳細は後述する。
Further, the
<外付け設定用部品の自己診断機能>
ここで、半導体装置50外部に設けられる分圧用の抵抗R2は、第1帰還制御モードにおける出力電圧Voutの目標電圧を設定すると共に、過電圧設定値を設定する設定用抵抗として機能する。
<Self-diagnosis function of external setting parts>
Here, the voltage dividing resistor R2 provided outside the
また、オシレータ6に外部端子T10を介して外部接続される抵抗Rs1は、オシレータ6の発振周波数を設定する設定用抵抗として機能する。
Further, the resistor Rs1 externally connected to the
周波数拡散部7に外部端子T9を介して接続されるコンデンサCs1は、周波数拡散部7による発振周波数の変動幅または変動周期を設定する設定用コンデンサとして機能する。 The capacitor Cs1 connected to the frequency spreading unit 7 via the external terminal T9 functions as a setting capacitor for setting the fluctuation width or fluctuation cycle of the oscillation frequency by the frequency spreading unit 7.
ソフトスタート部18に外部端子T11を介して接続されるコンデンサCs2は、ソフトスタート時間(出力電圧Voutの立ち上がり時間)を設定する設定用コンデンサとして機能する。 The capacitor Cs2 connected to the soft start unit 18 via the external terminal T11 functions as a setting capacitor for setting the soft start time (rise time of the output voltage Vout).
デューティ設定部20に外部端子T13を介して接続されるコンデンサCs3は、第1帰還制御モードと第2帰還制御モードを切替えるための調光信号DMのデューティ閾値を設定する設定用コンデンサとして機能する。
The capacitor Cs3 connected to the
これらの設定用抵抗および設定用コンデンサは、外付けであるがために接続が外れたり、抵抗値または容量値の設定に誤りが生じる虞がある。そこで、本実施形態の半導体装置50では、これらの外付け設定用部品が異常状態でないかを装置の起動時に診断する自己診断機能を有しており、これについて図5に示すフローチャートに沿って説明する。
Since these setting resistors and setting capacitors are external, there is a risk that the connection may be disconnected or an error may occur in the setting of the resistance value or capacitance value. Therefore, the
図5のフローチャートは、UVLO部3によってロジック部1のスタンバイ状態が解除されて半導体装置50が起動する際に開始される。
The flowchart of FIG. 5 is started when the standby state of the
まず、ステップS1で、分圧用の抵抗R2の接続が外れていないかの診断が行われる。この診断は外部抵抗診断部21を用いて行われる。外部抵抗診断部21の構成を図6に示す。外部抵抗診断部21は、トランジスタ21Aと、定電流回路21Bと、コンパレータ21Cと、を有する。
First, in step S1, it is diagnosed whether or not the voltage dividing resistor R2 is disconnected. This diagnosis is performed using the external
pチャネルMOSFETで構成されるトランジスタ21Aのソースには、所定の電源電圧V21が印加される。トランジスタ21Aのドレインは、定電流回路21Bの一端に接続される。定電流回路21の他端は、外部端子T5を介して抵抗R1とR2との接続点に接続されると共に、コンパレータ21Cの非反転入力端(+)に接続される。コンパレータ21Cの反転入力端(−)には、基準電圧Vref21が印加される。コンパレータ21Cは、検出信号DET21をロジック部1へ出力する。
A predetermined power supply voltage V21 is applied to the source of the
ステップS1では、ロジック部1は、トランジスタ21Aにゲート信号を印加し、トランジスタ21Aをオンとさせて定電流I21の発生を試みる。ここで、もし抵抗R2の接続が正常であれば、定電流I21が抵抗R2に流れて発生する電圧降下に基づいた電圧がコンパレータ21Cの非反転入力端に印加されるので、コンパレータ21の出力である検出信号DET21はLowレベルとなる。一方、抵抗R2の接続が外れていた場合は、定電流I21が流れず、電源電圧V21がコンパレータ21の非反転入力端に印加されるので、検出信号DET21はHighレベルとなる。このように検出信号DET21の論理レベルによって抵抗R2の接続が外れていないかの診断を行える。
In step S1, the
ロジック部1は、検出信号DET21の論理レベルに応じて抵抗R21の接続が異常であるか否かを判定し(ステップS2)、異常である場合(ステップS2のY)はステップS8に進む。ステップS8では、ロジック部1は半導体装置50の起動を中止する。それと共に、ロジック部1は、スイッチ部16および異常フラグ出力部30を用いてエラー信号を外部へ報知する。
The
ここで、スイッチ部16および異常フラグ出力部30の構成を図9に示す。スイッチ部16は、トランジスタ16A、トランジスタ16B、およびトランジスタ16Cを有する。これらのトランジスタはいずれもnチャネルMOSFETで構成される。異常フラグ出力部30は、電源電圧V30、抵抗30A、抵抗30B、および抵抗30Cを有する。
Here, the configuration of the
トランジスタ16Aのドレインは、半導体装置50が備える外部端子T16を介してプルアップ用の抵抗30Aの一端に接続される。トランジスタ16Bのドレインは、半導体装置50が備える外部端子T17を介してプルアップ用の抵抗30Bの一端に接続される。トランジスタ16Cのドレインは、半導体装置50が備える外部端子T18を介してプルアップ用の抵抗30Cの一端に接続される。抵抗30A〜30Cの各他端には、電源電圧V30が印加される。
The drain of the
ロジック部1によりトランジスタ16Aのオンオフが切替えられることに応じて、外部端子T16から異常出力フラグ部30を介して異常フラグ信号flg1がLow/Highレベルを切替えられて出力される。ロジック部1によりトランジスタ16Bのオンオフが切替えられることに応じて、外部端子T17から異常出力フラグ部30を介して異常フラグ信号flg2がLow/Highレベルを切替えられて出力される。ロジック部1によりトランジスタ16Cのオンオフが切替えられることに応じて、外部端子T18から異常出力フラグ部30を介して異常フラグ信号flg3がLow/Highレベルを切替えられて出力される。
According to the on / off switching of the
即ち、ロジック部1の制御によるトランジスタ16A〜16Cのオンオフの組み合わせによって異常フラグ信号flg1〜flg3から成る3ビットのエラー信号Serrが生成される。エラー信号Serrのビットデータは、過電圧発生時、過電流発生時、および自己診断におけるステップS8の発生時などの各異常種別に応じて異なるものが生成される。
That is, a 3-bit error signal Serr composed of the abnormality flag signals flg1 to flg3 is generated by the combination of turning on and off the
なお、半導体装置50が例えば車載用である場合は、エラー信号Serrは、例えばECU(Electronic Control Unit)に含まれるマイコンに送られる。
When the
説明を図5のフローチャートに戻して、ステップS2で抵抗R2の接続に異常がなかった場合は(ステップS2のN)、ステップS3に進む。ステップS3では、外付けの抵抗Rs1の抵抗値が規定範囲内であるかの診断が行われる。この診断は外部抵抗診断部22を用いて行われる。外部抵抗診断部22の構成を図7に示す。外部抵抗診断部22は、トランジスタ22Aと、抵抗22Bと、第1コンパレータ22Cと、第2コンパレータ22Dと、を有する。
Returning the explanation to the flowchart of FIG. 5, if there is no abnormality in the connection of the resistor R2 in step S2 (N in step S2), the process proceeds to step S3. In step S3, it is diagnosed whether the resistance value of the external resistor Rs1 is within the specified range. This diagnosis is performed using the external
pチャネルMOSFETで構成されるトランジスタ22Aのソースには、電源電圧V22が印加される。トランジスタ22Aのドレインは、抵抗22Bの一端に接続される。抵抗22Bの他端は、外部端子T10を介して抵抗Rs1の一端に接続されると共に、第1コンパレータ22Cの反転入力端(−)および第2コンパレータ22Dの非反転入力端(+)に接続される。第1コンパレータ22Cの非反転入力端(+)には、第1基準電圧Vref221が印加される。第2コンパレータ22Dの反転入力端(−)には、第2基準電圧Vref222が印加される。第1コンパレータ22Cは、第1検出信号DET221をロジック部1に出力する。第2コンパレータ22Dは、第2検出信号DET222をロジック部1に出力する。
A power supply voltage V22 is applied to the source of the
ステップS2で、ロジック部1は、トランジスタ22Aをオンとさせる。これにより、電源電圧V22を抵抗22Bと抵抗Rsc1で分圧した分圧電圧Vdv22を第1コンパレータ22Cおよび第2コンパレータ22Dによってモニタする。抵抗Rs1の抵抗値が規定範囲の上限値を上回っていれば、第2コンパレータ22Dの出力である第2検出信号DET222はHighレベルとなる。抵抗Rs1の抵抗値が規定範囲の下限値を下回っていれば、第1コンパレータ22Cの出力である第1検出信号DET221はHighレベルとなる。そして、抵抗Rs1の抵抗値が上限値以下且つ下限値以上である場合は、第1検出信号DET221および第2検出信号DET222は共にLowレベルとなる。
In step S2, the
従って、第1検出信号DET221および第2検出信号DET222のいずれかがHighレベルの場合は抵抗Rs1の抵抗値は規定範囲外である異常状態であり、いずれもがLowレベルの場合は抵抗値は規定範囲内で正常であることとなる。 Therefore, when either the first detection signal DET221 or the second detection signal DET222 is at the High level, the resistance value of the resistor Rs1 is out of the specified range, which is an abnormal state, and when both are at the Low level, the resistance value is specified. It will be normal within the range.
ロジック部1は、第1検出信号DET221および第2検出信号DET222に基づいて抵抗Rs1の抵抗値の設定に異常があるか否かを判定し(ステップS4)、もし異常がある場合は(ステップS4のY)、ステップS8に進み、起動が中止されると共にエラー信号Serrが外部へ出力される。
The
一方、抵抗Rs1の抵抗値の設定に異常がなかった場合は(ステップS4のN)、ステップS5に進む。ステップS5では、外付けのコンデンサCs1〜Cs3の容量値が規定範囲内であるかの診断が行われる。この診断は外部容量診断部23〜25を用いて行われる。ここで、コンデンサCs1の容量値を診断する外部容量診断部23の構成を図8に示す。
On the other hand, if there is no abnormality in the setting of the resistance value of the resistor Rs1 (N in step S4), the process proceeds to step S5. In step S5, it is diagnosed whether the capacitance values of the external capacitors Cs1 to Cs3 are within the specified range. This diagnosis is performed using the external volume
外部容量診断部23は、トランジスタ23Aと、定電流回路23Bと、定電流回路23Cと、トランジスタ23Dと、コンパレータ23Eと、制御部/タイマ部23Fと、を有する。pチャネルMOSFETで構成されるトランジスタ23Aのソースには、電源電圧V23が印加される。トランジスタ23Aのドレインは、定電流回路23Bの一端に接続される。定電流回路23Bの他端は、外部端子T9を介してコンデンサCs1の一端に接続されると共に、コンパレータ23Eの非反転入力端(+)に接続される。コンパレータ23Eの反転入力端(−)には、基準電圧Vref23が印加される。外部端子T9は、定電流回路23Cの一端に接続される。定電流回路23Cの他端は、nチャネルMOSFETで構成されるトランジスタ23Dのドレインに接続される。トランジスタ23Dのソースは、接地電位の印加端に接続される。コンパレータ23Eは、検出信号DET23を制御部/タイマ部23Fに出力する。
The external
外部容量診断部23による容量値診断処理について図10に示すフローチャートに沿って説明する。
The capacity value diagnosis process by the external
図10のフローチャートが開始されて、まずステップS51で、ロジック部1は、制御部/タイマ部23Fに容量診断開始の指令を行う。これにより、制御部/タイマ部23は、第1所定時間の期間だけトランジスタ23Aをオフ、トランジスタ23Dをオンとさせる。これにより、コンデンサCs1から外部端子T9およびトランジスタ23Dを介して定電流I232で第1所定時間の期間放電が行われる。そして、ステップS52で、第1所定時間を経過すると、制御部/タイマ部23Fは、トランジスタ23Aをオフ、トランジスタ23Dをオフとして放電を停止させる。ここで、制御部/タイマ部23は、コンパレータ23Eの出力である検出信号DET23を確認する。
The flowchart of FIG. 10 is started. First, in step S51, the
半導体装置50がパワーオフ状態となってから、半導体装置50が再起動する際に、コンデンサCs1には電荷が残存している。定電流I232の電流値とコンデンサCs1の規定範囲における容量上限値とから、外部端子T9に生じる端子電圧Vtの放電による降下速度が決まる。この降下速度と再起動時にコンデンサCs1に残存している電荷により生じる電圧とから、端子電圧Vtが放電により0V(電荷ゼロ)となるまでの時間として第1所定時間が定められる。
When the
従って、コンデンサCs1の容量値が容量上限値以下であれば、第1所定時間以内に放電によって端子電圧Vtは0Vに達する。この場合、第1所定時間が経過すると、端子電圧Vtは0Vであるので、コンパレータ23Eの出力である検出信号DET23はLowレベルとなる。一方、コンデンサCs1の容量値が容量上限値よりも大きければ、第1所定時間の期間だけ放電を行っても電圧の降下速度が低いため端子電圧Vtは0Vより高くなる。従って、コンパレータ23Eの出力である検出信号DET23はHighレベルとなる。即ち、ステップS52で、制御部/タイマ部23は、検出信号DET23の論理レベルに基づきコンデンサCs1の容量値が容量上限値よりも大きいかを判定できる。
Therefore, if the capacitance value of the capacitor Cs1 is equal to or less than the capacitance upper limit value, the terminal voltage Vt reaches 0V by discharging within the first predetermined time. In this case, when the first predetermined time elapses, the terminal voltage Vt is 0V, so that the detection signal DET23, which is the output of the
もし容量値が容量上限値よりも大きい場合は(ステップS52のY)、ステップS56に進み、制御部/タイマ部23は、容量値に異常がある旨の診断結果信号をロジック部1に出力して図10の処理は終了する。一方、容量値が容量上限値以下である場合は(ステップS52のN)、ステップS53に進む。
If the capacity value is larger than the capacity upper limit value (Y in step S52), the process proceeds to step S56, and the control unit /
ステップS53で、制御部/タイマ部23Fは、第2所定時間の期間だけトランジスタ23Aをオン、トランジスタ23Dをオフとさせる。これにより、電源電圧V23からトランジスタ23Aおよび外部端子T9を介して定電流I231で第2所定時間の期間充電が行われる。そして、ステップS54で、第2所定時間を経過すると、制御部/タイマ部23Fは、トランジスタ23Aをオフ、トランジスタ23Dをオフとして充電を停止させる。ここで、制御部/タイマ部23は、検出信号DET23を確認する。
In step S53, the control unit /
先の放電によって端子電圧Vtは0Vとなっている。定電流I231の電流値とコンデンサCs1の規定範囲における容量下限値とから、外部端子T9に生じる端子電圧Vtの充電による上昇速度が決まる。この上昇速度に基づき端子電圧Vtが0Vから充電により電源電圧V23となるまでの時間として第2所定時間が定められる。 The terminal voltage Vt has become 0V due to the previous discharge. From the current value of the constant current I231 and the lower limit of the capacitance in the specified range of the capacitor Cs1, the rising speed of the terminal voltage Vt generated in the external terminal T9 due to charging is determined. Based on this rising speed, a second predetermined time is set as the time from the terminal voltage Vt of 0V to the power supply voltage V23 by charging.
従って、コンデンサCs1の容量値が容量下限値より小さい場合、第2所定時間以内に充電は完了して端子電圧Vtは電源電圧V23に達する。この場合、第2所定時間が経過すると、端子電圧Vtは電源電圧V23であるので、コンパレータ23Eの出力である検出信号DET23はHighレベルとなる。一方、コンデンサCs1の容量値が容量下限値以上である場合、第2所定時間の期間だけ充電を行っても電圧の降下速度が低いため端子電圧Vtは電源電圧V23に達しない。従って、コンパレータ23Eの出力である検出信号DET23はLowレベルとなる。即ち、ステップS54で、制御部/タイマ部23は、検出信号DET23の論理レベルに基づきコンデンサCs1の容量値が容量下限値よりも小さいかを判定できる。なお、このとき、制御部/タイマ部23によって基準電圧Vref23は、ステップS52のときとは異なる電圧値に切替えられる。
Therefore, when the capacitance value of the capacitor Cs1 is smaller than the capacitance lower limit value, charging is completed within the second predetermined time, and the terminal voltage Vt reaches the power supply voltage V23. In this case, when the second predetermined time elapses, the terminal voltage Vt is the power supply voltage V23, so that the detection signal DET23, which is the output of the
もし容量値が容量下限値よりも小さい場合は(ステップS54のY)、ステップS56に進み、制御部/タイマ部23は、容量値に異常がある旨の診断結果信号をロジック部1に出力して図10の処理は終了する。一方、容量値が容量下限値以上である場合は(ステップS54のN)、ステップS55に進み、容量値は規定範囲内であって異常はない旨の診断結果信号をロジック部1に出力して図10の処理は終了する。
If the capacitance value is smaller than the capacitance lower limit value (Y in step S54), the process proceeds to step S56, and the control unit /
上述した外部容量診断部23の構成(図8)は、外部容量診断部24、25の構成も同様である。また、外部容量診断部24、25を用いたコンデンサCs2、Cs3の容量値診断処理も上述した図10の処理と同様である。
The configuration of the external capacity diagnosis unit 23 (FIG. 8) described above is the same as the configuration of the external
図5のフローチャートにおけるステップS5で、上記のコンデンサCs1〜Cs3の容量値診断が順次行われるが、途中、容量値が異常であると判断された段階でそれ以降のコンデンサの診断は行わずに、ステップS6でロジック部1は容量値に異常が生じたと判定する。コンデンサCs1〜Cs3の全ての容量値に異常がなかった場合にステップS6でロジック部1は容量値に異常が生じていないと判定する。
In step S5 in the flowchart of FIG. 5, the capacitance value diagnosis of the above capacitors Cs1 to Cs3 is sequentially performed, but on the way, when the capacitance value is determined to be abnormal, the subsequent capacitors are not diagnosed. In step S6, the
ステップS6で容量値に異常が生じたと判定した場合は(ステップS6のY)、ステップS8に進み、起動が中止されると共にエラー信号Serrが外部へ出力される。一方、ステップS6で容量値に異常が生じていないと判定した場合は(ステップS6のN)、ステップS7に進む。ステップS7で、ロジック部1の制御によってスイッチング素子Q1またはQ2のスイッチング駆動が開始され、ソフトスタート部18によるソフトスタートが開始される。これにより、出力電圧Voutが0Vから立ち上がる。ソフトスタート部18の設定用であるコンデンサCs2の診断を行ってからソフトスタートを開始するので、ソフトスタート時間が異常に短くなって出力電圧Voutがオーバーシュートし、過電圧保護が間に合わないといった事態が生じることを回避できる。
If it is determined in step S6 that an abnormality has occurred in the capacitance value (Y in step S6), the process proceeds to step S8, the startup is stopped, and the error signal Serr is output to the outside. On the other hand, if it is determined in step S6 that no abnormality has occurred in the capacitance value (N in step S6), the process proceeds to step S7. In step S7, the switching drive of the switching element Q1 or Q2 is started by the control of the
このように本実施形態によれば、半導体装置50の起動時に、外付けの設定用部品である抵抗R2、抵抗Rs1、およびコンデンサCs1〜Cs3に異常が生じていないか順次診断することにより、異常を検知した場合に装置の起動を中止して、誤動作を未然に防止することが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, when the
なお、本実施形態の変形例としては以下としてもよい。例えば、図7に示した外部抵抗診断部22の構成では、外付けの抵抗Rs1の接続が外れた場合には、外部端子T10はオープンとなるので、第2コンパレータ22Dの出力である第2検出信号DET222はHighレベルとなる。従って、外部抵抗診断部22は、抵抗Rs1の抵抗値の異常と共に抵抗Rs1の接続が外れた異常も検知できる。これにより、分圧用の抵抗R2の診断に外部抵抗診断部22と同様の構成を用いてもよい。この場合、抵抗R2の抵抗値が下限値より小さい異常も検知できる。
The following may be used as a modification of the present embodiment. For example, in the configuration of the external resistance
また、図5に示した外付け設定用部品の診断の順番(ステップS1、S3、S5)は、これに限ることはなく、任意である。 Further, the order of diagnosis (steps S1, S3, S5) of the external setting parts shown in FIG. 5 is not limited to this, and is arbitrary.
また、上記実施形態では、外付け設定用部品のいずれに異常が生じた場合でも、ステップS8(図5)で図9に示す構成によって一律に同じビットデータのエラー信号Serrを出力するようにしたが、異常の生じている設定用部品ごとにエラー信号Serrのビットデータを異ならせてもよい。これにより、どの設定用部品に異常が生じたかを報知できる。なお、図9に示すような3ビットのビット数では8通りの異常種別を報知できるが、足りない場合はビット数を増やしてもよい。 Further, in the above embodiment, even if an abnormality occurs in any of the external setting components, the error signal Serr of the same bit data is uniformly output according to the configuration shown in FIG. 9 in step S8 (FIG. 5). However, the bit data of the error signal Serr may be different for each setting component in which the abnormality has occurred. As a result, it is possible to notify which setting component has an abnormality. Although eight types of abnormalities can be notified by the number of 3 bits as shown in FIG. 9, the number of bits may be increased if the number of abnormalities is insufficient.
<液晶表示装置(LCD)への適用>
以上説明した実施形態に係る半導体装置(スイッチング電源回路)を適用する対象の一例として、液晶表示装置について説明する。液晶表示装置の構成例を図11に示す。なお、図11に示す構成は所謂エッジライト方式のものであり、これに限らず直下方式の構成でもよい。
<Application to liquid crystal display (LCD)>
A liquid crystal display device will be described as an example of a target to which the semiconductor device (switching power supply circuit) according to the above-described embodiment is applied. A configuration example of the liquid crystal display device is shown in FIG. The configuration shown in FIG. 11 is a so-called edge light system, and is not limited to this, and a direct system may be used.
図11に示す液晶表示装置Xは、バックライト81と、液晶パネル82と、を備えている。バックライト81は、液晶パネル82を背面から照明する照明装置(発光装置の一例)である。バックライト81は、LED光源部811、導光板812、反射板813、および光学シート類814を有している。
The liquid crystal display device X shown in FIG. 11 includes a
LED光源部811はLEDと、LEDを実装する基板を含んでおり、当該LEDを駆動するスイッチング電源回路として先述した実施形態のものを適用できる。LED光源部811から出射された光は、導光板812の側面から内部に入光される。例えばアクリル板で構成される導光板812は、内部に入光された光を全反射させながら内部全体に導き、光学シート類814が配される側の面から面状の光として出射させる。反射板813は、導光板812から漏れ出た光を反射させて導光板812の内部へ戻す。光学シート類814は、拡散シートやレンズシート等からなり、液晶パネル82に照明する光の輝度均一化や輝度向上等を目的とする。
The LED
<車載ディスプレイについて>
上述した実施形態に係る半導体装置を適用した液晶表示装置は、特に車載ディスプレイに適用することが好適である。先述したような誤動作を未然に防止する技術は、自動車の電気/電子に関する機能安全についての国際規格であるISO26262なども策定されている状況では、安全性の点で重要となる。
<About in-vehicle display>
The liquid crystal display device to which the semiconductor device according to the above-described embodiment is applied is particularly preferably applied to an in-vehicle display. The technology for preventing malfunctions as described above is important in terms of safety in the situation where ISO 26262, which is an international standard for functional safety of automobiles, has been established.
車載ディスプレイは、例えば図12に示す車載ディスプレイYのように、車両の運転席前方のダッシュボードに設けられる。車載ディスプレイYは、例えば、カーナビゲーション情報、車両後方の撮像画像、スピードメータ、タコメータ、燃料計、燃費計、シフトポジション等の各種画像を表示し、ユーザに様々な情報を伝えることが可能である。 The in-vehicle display is provided on the dashboard in front of the driver's seat of the vehicle, for example, as in the in-vehicle display Y shown in FIG. The in-vehicle display Y can display various images such as car navigation information, a captured image of the rear of the vehicle, a speedometer, a tachometer, a fuel gauge, a fuel consumption meter, and a shift position, and can convey various information to the user. ..
<その他>
なお、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
<Others>
It should be considered that the above-described embodiment is an example in all respects and is not restrictive, and the technical scope of the present invention is not the description of the above-mentioned embodiment but the scope of claims. It is shown and should be understood to include all modifications that fall within the meaning and scope of the claims.
本発明は、例えば車載用LEDドライバICに利用することができる。 The present invention can be used, for example, in an in-vehicle LED driver IC.
1 ロジック部
2 内部電源電圧生成部
3 UVLO部
4 ドライバ制御部
5 コンパレータ
6 オシレータ
7 周波数拡散部
8 スロープ電圧生成部
9 エラーアンプ
10 スイッチ
11 スイッチ
12 インバータ
13 定電流制御回路
14 コンパレータ
15 過電流保護回路
16 スイッチ部
16A〜16C トランジスタ
17 トランジスタ
18 ソフトスタート部
19 調光制御部
20 デューティ設定部
21 外部抵抗診断部
21A トランジスタ
21B 定電流回路
21C コンパレータ
22 外部抵抗診断部
22A トランジスタ
22B 抵抗
22C 第1コンパレータ
22D 第2コンパレータ
23 外部容量診断部
23A トランジスタ
23B 定電流回路
23C 定電流回路
23D トランジスタ
23E コンパレータ
23F 制御部/タイマ部
24 外部容量診断部
25 外部容量診断部
30 異常フラグ出力部
30A〜30C 抵抗
50 半導体装置
55 出力段
60 スイッチング電源回路
70 LED
81 バックライト
82 液晶パネル
811 LED光源部
812 導光板
813 反射板
814 光学シート類
131 トランジスタ
132 抵抗
133 エラーアンプ
134 スイッチ
135 スイッチ
136 インバータ
137 スイッチ
Q1、Q2 スイッチング素子
Cb ブートストラップコンデンサ
D1、D2 ダイオード
L1 コイル
Co 出力コンデンサ
Ci 入力コンデンサ
R1〜R4、Rs1 抵抗
Cs1〜Cs3 コンデンサ
T1〜T18 外部端子
X 液晶表示装置
Y 車載ディスプレイ
1 Logic part 2 Internal power supply voltage generation part 3
81
Claims (7)
前記発光素子駆動装置の起動のときに、前記発光素子駆動装置の外部に接続された設定用部品に異常があるかを診断する診断部と、前記診断部により異常があると診断されると、前記発光素子駆動装置の起動を中止させる制御部と、を備え、
前記診断部は、抵抗である前記設定用部品の接続が外れている異常があるかを診断し、前記発光素子駆動装置は、前記抵抗の一端に接続される外部端子を更に備え、
前記診断部は、前記外部端子を介して前記抵抗に定電流を流す定電流回路と、前記外部端子に生じる電圧が入力されるコンパレータと、前記定電流を流す経路の接続・遮断を切替えるトランジスタと、を有し、
前記抵抗は、前記発光素子に電流を流す電流経路とは異なる経路に配置される、発光素子駆動装置。 A light emitting element driving device that drives a light emitting element.
When the light emitting element driving device is activated, a diagnostic unit that diagnoses whether or not there is an abnormality in the setting component connected to the outside of the light emitting element driving device, and a diagnostic unit that diagnoses that there is an abnormality by the diagnostic unit, A control unit for stopping the activation of the light emitting element driving device is provided.
The diagnostic unit diagnoses whether there is an abnormality in which the setting component, which is a resistor, is disconnected, and the light emitting element driving device further includes an external terminal connected to one end of the resistor.
The diagnostic unit includes a constant current circuit that allows a constant current to flow through the resistor via the external terminal, a comparator that inputs a voltage generated at the external terminal, and a transistor that switches connection / disconnection of the path through which the constant current flows. Have,
A light emitting element driving device in which the resistor is arranged in a path different from the current path through which a current flows through the light emitting element.
前記制御部は、異常種別に応じて異なるビットデータの前記異常信号を異常信号出力部に前記端子から出力させることを特徴とする請求項4に記載の発光素子駆動装置。 The abnormal signal has a plurality of bits and has a plurality of bits.
The light emitting element driving device according to claim 4, wherein the control unit causes the abnormality signal output unit to output the abnormality signal of bit data different depending on the abnormality type from the terminal.
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