JP2021083072A - Switching control circuit and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、スイッチング制御回路及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a switching control circuit and a semiconductor device.
ハイサイドのスイッチング素子と、ローサイドのスイッチング素子とを含み、負荷を駆動する回路としてハーフブリッジ回路がある(例えば、特許文献1)。 There is a half-bridge circuit as a circuit that includes a high-side switching element and a low-side switching element and drives a load (for example, Patent Document 1).
ところで、ローサイドのスイッチング素子がオンすると、負荷や配線等の影響により、ハイサイドのスイッチング素子と、ローサイドのスイッチング素子とが接続されたノードに負電圧が発生することがある。このような負電圧が発生すると、スイッチング制御回路の各種回路を動作させる電源回路の出力が大きく低下するため、スイッチング制御回路の動作が不安定となるという問題があった。 By the way, when the low-side switching element is turned on, a negative voltage may be generated at the node to which the high-side switching element and the low-side switching element are connected due to the influence of the load, wiring, and the like. When such a negative voltage is generated, the output of the power supply circuit that operates various circuits of the switching control circuit is greatly reduced, so that there is a problem that the operation of the switching control circuit becomes unstable.
本発明は、上記のような従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、安定に動作するスイッチング制御回路を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a switching control circuit that operates stably.
前述した課題を解決する本発明の第1の態様は、電源側の第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子とともに負荷を駆動する接地側の第2スイッチング素子と、のスイッチングを制御するスイッチング制御回路であって、前記第1スイッチング素子をオンするためのセット信号と、前記第1スイッチング素子をオフするためのリセット信号と、を入力信号に基づいて出力する信号出力回路と、前記セット信号及び前記リセット信号のそれぞれのレベルをシフトするレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路からの出力に基づいて、前記第1スイッチング素子を駆動する第1駆動回路と、前記信号出力回路の電源電圧を生成するダーリントン接続された複数のトランジスタを含む電源回路と、を備える。 A first aspect of the present invention that solves the above-mentioned problems is switching control that controls switching between a first switching element on the power supply side and a second switching element on the ground side that drives a load together with the first switching element. A signal output circuit that outputs a set signal for turning on the first switching element and a reset signal for turning off the first switching element based on an input signal, the set signal, and the circuit. A level shift circuit that shifts each level of the reset signal, a first drive circuit that drives the first switching element based on the output from the level shift circuit, and a power supply voltage of the signal output circuit are generated. It includes a power supply circuit including a plurality of transistors connected in Darlington.
また、本発明の第2の態様は、電源側の第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子とともに負荷を駆動する接地側の第2スイッチング素子と、前記第1及び第2スイッチング素子のスイッチングを制御するスイッチング制御回路と、を含む半導体装置であって、前記スイッチング制御回路は、前記第1スイッチング素子をオンするためのセット信号と、前記第1スイッチング素子をオフするためのリセット信号と、を入力信号に基づいて出力する信号出力回路と、前記セット信号及び前記リセット信号のそれぞれのレベルをシフトするレベルシフト回路と、前記レベルシフト回路からの出力に基づいて、前記第1スイッチング素子を駆動する第1駆動回路と、前記信号出力回路の電源電圧を生成するダーリントン接続された複数のトランジスタを含む電源回路と、を備える。 A second aspect of the present invention is to switch between a first switching element on the power supply side, a second switching element on the ground side that drives a load together with the first switching element, and the first and second switching elements. A semiconductor device including a switching control circuit for controlling, wherein the switching control circuit has a set signal for turning on the first switching element and a reset signal for turning off the first switching element. The first switching element is driven based on the signal output circuit that outputs based on the input signal, the level shift circuit that shifts the respective levels of the set signal and the reset signal, and the output from the level shift circuit. It includes a first drive circuit and a power supply circuit including a plurality of Darlington-connected transistors that generate a power supply voltage of the signal output circuit.
本発明によれば、安定に動作するスイッチング制御回路を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a switching control circuit that operates stably.
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも以下の事項が明らかとなる。 The description of this specification and the accompanying drawings will clarify at least the following matters.
=====本実施形態=====
図1は、本発明の一実施形態であるパワーモジュール10の構成を示す図である。パワーモジュール10は、マイコン(不図示)からの指示に基づいて、負荷11を駆動するための半導体装置であり、スイッチング制御IC(Integrated Circuit)20、ハーフブリッジ回路21、及びコンデンサ22を含んで構成される。
===== This embodiment =====
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a
スイッチング制御IC20は、マイコン(不図示)からの入力信号Sinに基づいて、ハーフブリッジ回路21の動作を制御する高耐圧集積回路(HVIC:High Voltage IC)である。スイッチング制御IC20の詳細は後述するが、スイッチング制御IC20は、端子VCC,IN,GND,B,S,HO,LOを有する。
The
ハーフブリッジ回路21は、例えば、負荷11であるエアコンのモータコイルを駆動する回路であり、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)30と、IGBT31と、を含む。
The half-
IGBT30は、ハイサイドのスイッチング素子であり、ゲート電極は、端子HOに接続され、エミッタ電極は、端子Sに接続されている。また、IGBT30のコレクタ電極には、所定の電圧Vdc(例えば、“400V”)が印加されている。
The
IGBT31は、ローサイドのスイッチング素子であり、ゲート電極は、端子LOに接続され、コレクタ電極は、端子Sに接続されている。また、IGBT31のエミッタ電極は、接地されている。
The IGBT 31 is a low-side switching element, the gate electrode is connected to the terminal LO, and the collector electrode is connected to the terminal S. Further, the emitter electrode of the
なお、本実施形態では、スイッチング素子としてIGBTを用いることとしたが、例えば、MOSトランジスタやバイポーラトランジスタであっても良い。また、IGBT30は、「電源側の第1スイッチング素子」に相当し、IGBT31は、「接地側の第2スイッチング素子」に相当する。
In the present embodiment, the IGBT is used as the switching element, but for example, a MOS transistor or a bipolar transistor may be used. Further, the
コンデンサ22は、一端が端子Bに接続され、他端が端子Sに接続されている。コンデンサ22は、後述するチャージポンプ回路41からの、ブートストラップ電圧Vbが端子Bに印加されることにより充電される。この結果、コンデンサ22の両端には、ブートストラップ電圧Vbが生じる。なお、ブートストラップ電圧Vbは、ハイサイドのIGBT30をオンさせるために用いられる電圧である。
One end of the
例えば、端子Sの電圧Vsが“0V”である場合、IGBT30のゲート電極の電圧が、IGBT30のしきい値電圧より高くなると、IGBT30はオンする。しかしながら、IGBT30がオンとなると、端子Sの電圧Vsは、電圧Vdc(例えば、“400V”)に近づくため、IGBT30をオンさせ続けるためには、IGBT30のエミッタ電極が接続された端子Sの電圧Vsを基準として、IGBT30を駆動する必要がある。
For example, when the voltage Vs of the terminal S is "0V", the
本実施形態では、端子Bには、端子Sの電圧Vsを基準として、電圧Vsよりブートストラップ電圧Vbだけ高い電圧が発生する。したがって、詳細は後述するが、スイッチング制御IC20は、ブートストラップ電圧Vbを用いることにより、IGBT30をオンすることができる。
In the present embodiment, a voltage higher than the voltage Vs by the bootstrap voltage Vb is generated at the terminal B with reference to the voltage Vs of the terminal S. Therefore, although the details will be described later, the
<<<スイッチング制御IC20の構成>>>
スイッチング制御IC20は、電源回路40、チャージポンプ回路41、信号出力回路42、レベルシフト回路43、駆動回路44,45、を含んで構成される。
<<< Configuration of switching control IC20 >>>
The
電源回路40は、端子VCCに印加される電源電圧Vcc(例えば、“20V”)に基づいて、スイッチング制御IC20の内部で用いられる電源電圧Vregを生成する。なお、詳細は後述するが、本実施形態の電源回路40は、IGBT31がオンした際にも、安定な電源電圧Vregを生成できるよう構成されている。
The
チャージポンプ回路41は、例えば、電源電圧Vccに基づいて、コンデンサ22を充電するブートストラップ電圧Vbを生成する。
The
信号出力回路42は、端子INを介して入力される、論理レベルの入力信号Sinに基づいて、IGBT30,31のスイッチングを制御するための信号を出力する。具体的には、信号出力回路42は、入力信号Sinに基づいて、ハイサイドのIGBT30をオンするためのセットパルス信号S1と、IGBT30をオフするためのリセットパルス信号S2と、ローサイドのIGBT31のスイッチングを制御するための制御信号S0とを出力する。
The
信号出力回路42は、図2に示すように、入力検出回路50、フィルタ回路51、及びパルス生成回路52を含む。なお、入力検出回路50、フィルタ回路51、及びパルス生成回路52は、グランドの電圧Vgndを基準とし、電源回路40の電源電圧Vregに基づいて動作する。このため、入力検出回路50、フィルタ回路51、及びパルス生成回路52のそれぞれの接地用のノードは、接地される端子GNDに接続されている。
As shown in FIG. 2, the
入力検出回路50は、入力信号Sinのレベルを検出し、入力信号Sinの論理レベルと同じ論理レベルの信号Saを出力する。具体的には、入力検出回路50は、入力信号Sinがハイレベル(以下、“H”レベルとする。)となると、“H”レベルの信号Saを出力し、入力信号Sinがローレベル(以下、“L”レベルとする。)となると、“L”レベルの信号Saを出力する。なお、入力検出回路50は、例えば、コンパレータ(不図示)を含んで構成される。
The
フィルタ回路51は、信号Saの高周波ノイズを除去するローパスフィルタであり、例えば、オペアンプ(不図示)等を含んで構成される。本実施形態のフィルタ回路51は、ノイズが除去した信号Saを、制御信号S0として出力する。
The
パルス生成回路52は、制御信号S0の変化点に基づいて、セットパルス信号S1と、リセットパルス信号S2とを出力する。具体的には、パルス生成回路52は、制御信号S0が“L”レベルから“H”レベルになると、“H”レベルのセットパルス信号S1を出力し、制御信号S0が“H”レベルから“L”レベルになると、“H”レベルのリセットパルス信号S2を出力する。なお、本実施形態のセットパルス信号S1、リセットパルス信号S2のそれぞれは、振幅レベルが、0Vから、電源電圧Vregのレベル(例えば、5V)まで変化するパルス信号である。
The
レベルシフト回路43は、セットパルス信号S1、リセットパルス信号S2のそれぞれレベルを、駆動回路45の論理回路(後述)を動作可能なレベルまでシフトする回路である。具体的には、レベルシフト回路43は、セットパルス信号S1のレベルをシフトし、振幅レベルが、例えばハイサイドの基準電位となる電圧Vsを基準として、数10Vのセットパルス信号S3を出力する。また、レベルシフト回路43は、リセットパルス信号S2のレベルをシフトし、電圧Vsを基準として、振幅レベルが、例えば数10Vのリセットパルス信号S4を出力する。
The
駆動回路44は、制御信号S0に基づいて、ローサイドのIGBT31を駆動する回路である。具体的には、駆動回路44は、“L”レベルの制御信号S0に基づいて、“H”レベルの駆動信号Vdr1を、端子LOを介してIGBT31のゲート電極に出力する。この結果、IGBT31はオンする。一方、駆動回路44は、“H”レベルの制御信号S0に基づいて、“L”レベルの駆動信号Vdr1を、端子LOを介してIGBT31のゲート電極に出力する。この結果、IGBT31はオフする。なお、駆動回路44は、電源電圧Vccに基づいて動作する。
The
駆動回路45は、セットパルス信号S3に基づいて、ハイサイドのIGBT30をオンし、リセットパルス信号S4に基づいて、IGBT30をオフする回路である。図3は、駆動回路45の一例を示す図である。駆動回路45は、論理回路60、インバータ61,62を含んで構成される。
The
論理回路60は、セットパルス信号S1が入力されると、“H”レベルの信号を出力し、リセットパルス信号S2が入力されると、“L”レベルの信号を出力する。なお。論理回路60は、例えば、図示しないMOSトランジスタやラッチ回路を含んで構成される。
The
インバータ61は、論理回路60の信号の論理レベルを反転して出力する回路であり、NMOSトランジスタ70、PMOSトランジスタ71を含んで構成される。
The
インバータ62は、インバータ61の信号の論理レベルを反転し、駆動信号Vdr2として出力する回路であり、NMOSトランジスタ72、PMOSトランジスタ73を含んで構成される。
The
このため、駆動回路45は、セットパルス信号S1が入力されると、“H”レベルの駆動信号Vdr2を、端子HOを介してIGBT30のゲート電極に出力する。一方、駆動回路45は、リセットパルス信号S2が入力されると、“L”レベルの駆動信号Vdr2を、端子HOを介してIGBT30のゲート電極に出力する。
Therefore, when the set pulse signal S1 is input, the
ここで、駆動信号Vdr2は、端子Sの電圧Vsを基準として、論理レベルが変化する信号である。このため、IGBT30は、“H”レベルの駆動信号Vdr2に基づいて、オンし、“L”レベルの駆動信号Vdr2に基づいて、オフする。なお、駆動回路44は、「第2駆動回路」に相当し、駆動回路45は、「第1駆動回路」に相当する。また、セットパルス信号S1は、「セット信号」に相当し、リセットパルス信号S2は、「リセット信号」に相当する。
Here, the drive signal Vdr2 is a signal whose logic level changes with reference to the voltage Vs of the terminal S. Therefore, the
<<<スイッチング制御IC20の動作>>>
図4は、スイッチング制御IC20の動作を説明するための図である。なお、本実施形態における信号出力回路42での信号の遅延時間は、十分短くなるよう設計されていることとする。
<<< Operation of switching control IC20 >>>
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the switching
まず、時刻t0に入力信号Sinが“L”レベルとなると、図2の入力検出回路50も“L”レベルの信号Saを出力する。そして、フィルタ回路51は、信号Saのノイズ(不図示)を除去し、信号Saと同じ論理レベルの制御信号S0を出力する。
First, when the input signal Sin reaches the “L” level at time t0, the
また、パルス生成回路52は、制御信号S0が“L”レベルとなると、“H”レベルのリセットパルス信号S2を出力する。この結果、レベルシフト回路43からは、レベルシフトされた“H”レベルのリセットパルス信号S4が出力される。
Further, when the control signal S0 reaches the “L” level, the
そして、ローサイドの駆動回路44は、“L”レベルの制御信号S0に基づいて、駆動信号Vdr1を“H”レベルとし、ハイサイドの駆動回路45は、“H”レベルのリセットパルス信号S4に基づいて、駆動信号Vdr2を“L”レベルとする。
Then, the low-
この結果、IGBT30は、オフし、IGBT31は、オンするため、電圧Vsは、電圧Vdc(例えば、“400V”)から、電圧Vgnd(ここでは、“0V”)へと低下する。ところで、上述したように、端子Sと、負荷11との間には、負荷11へ電力を供給するための配線が接続されている。また、負荷11は、例えば、インダクタンス値の大きいモータコイルである。このため、IGBT31がオンした際、電圧Vsには、リンギングが発生し、電圧Vsは、電圧Vgndより小さな負電圧となる。
As a result, the
また、時刻t1に入力信号Sinが“H”レベルとなると、入力検出回路50も“H”レベルの信号Saを出力する。そして、フィルタ回路51は、信号Saのノイズ(不図示)を除去し、信号Saと同じ論理レベルの制御信号S0を出力する。
Further, when the input signal Sin reaches the “H” level at time t1, the
また、パルス生成回路52は、制御信号S0が“H”レベルとなると、“H”レベルのセットパルス信号S1を出力する。この結果、レベルシフト回路43からは、レベルシフトされた“H”レベルのセットパルス信号S3が出力される。
Further, when the control signal S0 reaches the “H” level, the
そして、ローサイドの駆動回路44は、“H”レベルの制御信号S0に基づいて、駆動信号Vdr1を“L”レベルとし、ハイサイドの駆動回路45は、“H”レベルのセットパルス信号S3に基づいて、駆動信号Vdr2を“H”レベルとする。
The low-
この結果、IGBT30は、オンし、IGBT31は、オフするため、電圧Vsは、電圧Vgnd(ここでは、“0V”)から、電圧Vdv(例えば、“400V”)へと上昇する。上述したように、端子Sには、配線を介して負荷11が接続されているため、IGBT30がオンした際、電圧Vsには、リンギングが発生し、電圧Vsは、電圧Vdcより大きな電圧となる。なお、時刻t2以降、時刻t0〜時刻t1までの動作が繰り返される。
As a result, the
<<<半導体基板100について>>>
上述のように、本実施形態では、IGBT31がオンした際に、電圧Vsは、電圧Vgndより低下し、負電圧(“Vs”<“0V”)となる。そして、電圧Vsが負電圧となると、GND端子から、スイッチング制御IC20が形成された半導体基板を介して端子Sへと“漏れ電流”が流れる。
<<< About the
As described above, in the present embodiment, when the
図5は、スイッチング制御IC20が形成された半導体基板100について説明するための図である。なお、図5には、便宜上、スイッチング制御IC20の回路や端子のうち、“漏れ電流”を説明するために必要な一部の構成のみを図示している。具体的には、図5では、端子GND,Sと、ハイサイドの駆動回路45のNMOSトランジスタ70と、を図示している。
FIG. 5 is a diagram for explaining the
半導体基板100は、例えば、シリコンで形成されたp型の基板であり、おもて側には、端子GND,Sと、NMOSトランジスタ70のゲート電極110、ソース電極111、ドレイン電極112、及び基板電極113と、が形成されている。
The
ここで、端子GND,Sと、NMOSトランジスタ70の各電極とは、例えばポリシリコン等の導電材料や金属電極で形成されている。
Here, the terminals GND and S and the electrodes of the
また、図3と、図5とでは、NMOSトランジスタ70の電極に、便宜上異なる符号を付しているが、NMOSトランジスタ70のゲート電極110は、“ゲート電極Gx”に相当し、ソース電極111は、“ソース電極Sx”に相当し、ドレイン電極112は、“ドレイン電極Dx”に相当し、基板電極113は、“基板電極Bx”に相当する。
Further, in FIGS. 3 and 5, the electrodes of the
半導体基板100の内部には、半導体基板100によって形成される半導体領域120、p型のウェル領域140、n型のウェル領域130、p+型のコンタクト領域150,160,161、n+型のソース領域170、n+型のドレイン領域171が形成されている。なお、以降、n+型またはp+型と記載した場合、n型またはp型よりもドーピング濃度が高いことを意味するものとする。
Inside the
半導体領域120内のおもて面側には、ウェル領域130と、コンタクト領域150と、が形成されている。そして、コンタクト領域150のおもて面には、端子GNDが形成されている。
A
ウェル領域130は、例えばリン等のn型の不純物を含む領域であり、ウェル領域130内のおもて面側には、p型のウェル領域140が形成されている。
The
ウェル領域140は、p型の不純物を含む領域であり、ウェル領域140内のおもて面側には、コンタクト領域160,161、ソース領域170、ドレイン領域171が形成されている。
The
コンタクト領域160には、端子Sが形成され、コンタクト領域161には、NMOSトランジスタ70の基板電極113(“Bx”)が形成されている。
A terminal S is formed in the
また、ソース領域170には、ソース電極111(“Sx”)が形成され、ドレイン領域171には、ドレイン電極112(“Dx”)が形成されている。ソース領域170と、ドレイン領域171との間のウェル領域140のおもて面側には、ゲート電極110(“Gx”)が形成されている。
Further, a source electrode 111 (“Sx”) is formed in the
そして、本実施形態では、端子GND(第1端子に相当)は、コンタクト領域150を介して、半導体領域120に電気的に接続され、端子S(第2端子に相当)は、コンタクト領域160を介して、ウェル領域140に電気的に接続され、基板電極113(“Bx”)も、コンタクト領域161を介して、ウェル領域140に電気的に接続されている。
Then, in the present embodiment, the terminal GND (corresponding to the first terminal) is electrically connected to the
このような半導体基板100においては、p型の半導体領域120と、n型のウェル領域130との間には、ダイオード190が寄生ダイオードとして形成される。また、p型のウェル領域140と、n+型のソース領域170との間には、ダイオード191が寄生ダイオードとして形成される。
In such a
このため、例えば、IGBT31がオンした際に、電圧Vsが、電圧Vgnd(“0V”)より低下し、負電圧となると、端子Sに接続されたNMOSトランジスタ70のソース電極111(“Sx”)も負電圧となる。この結果、ダイオード190,191がオンし、端子GNDから、端子Sへと、図5の一点鎖線で示す経路で“漏れ電流”が流れることになる。
Therefore, for example, when the
このような“漏れ電流”が端子GNDから、端子Sへと流れると、例えば図1に示す、端子GNDに接続され、電圧Vgndを接地電圧とする信号出力回路42に流れる電流も増加する。この結果、電源電圧Vregが大きく低下し、信号出力回路42が正常に動作しなくなることがある。
When such a "leakage current" flows from the terminal GND to the terminal S, for example, the current connected to the terminal GND shown in FIG. 1 and flowing in the
そこで、本実施形態では、電圧Vsが負電圧になった場合に、信号出力回路42を安定に動作させるべく、電源回路40を用いている。
Therefore, in the present embodiment, the
なお、本実施形態の半導体領域120は、「第1領域」に相当し、ウェル領域130は、「第2領域」に相当する。また、ウェル領域140は、「第3領域」に相当し、ソース領域170は、「第4領域」に相当する。また、ここでは、“漏れ電流”の経路を、NMOSトランジスタ70を例に挙げて説明したが、駆動回路45の他の素子(例えば、NMOSトランジスタ72)も同様に“漏れ電流を”発生させる。
The
<<<電源回路40aの一例>>>
図6は、電源回路40の構成の一実施形態である電源回路40aを示す図である。電源回路40aは、温度補償された電源電圧Vreg1(例えば、“5V”)を、電源電圧Vccに基づいて生成する回路である。電源回路40aは、バイアス回路200、出力回路201を含んで構成される。
<<< Example of
FIG. 6 is a diagram showing a
バイアス回路200は、ダーリントン接続されたトランジスタ(後述)を動作させるためのバイアス電圧V3を、生成する回路である。バイアス回路200は、電圧生成回路210,211を含んで構成される。
The
電圧生成回路210は、所定レベルの電圧V1を生成する回路であり、抵抗220、5個のダイオードD1〜D5、及びツェナーダイオード221を含んで構成される。なお、電圧生成回路210は、「第1電圧生成回路」に相当する。
The
抵抗220、ダイオードD1〜D5、及びツェナーダイオード221のそれぞれは、直列に接続されている。このため、抵抗220の一端に電源Vccが印加されると、抵抗220の他端及びダイオードD1のアノードが接続されたノードの電圧V1は、以下の式(1)で表される。
The
V1=Vz+5×Vf・・・(1)
なお、ここで、“Vz”は、ツェナーダイオード221の降伏電圧であり、“Vf”は、ダイオードD1〜D5の順方向電圧である。
V1 = Vz + 5 × Vf ... (1)
Here, "Vz" is the yield voltage of the
電圧生成回路211は、電圧V1に基づいて、バイアス電圧V3を生成する回路であり、NPNトランジスタ230、抵抗231,232、及び3個のダイオードD6〜D8を含んで構成される。なお、電圧生成回路211は、「第2電圧生成回路」に相当する。
The
NPNトランジスタ230は、ベース電極には、電圧V1が印加され、エミッタ電極には、抵抗231,232を介してダイオードD6〜D8が接続されている。このため、NPNトランジスタ230のエミッタ電極からは、以下の式(2)で示す電圧V2が出力される。
In the
V2=V1−Vbe=Vz+5×Vf−Vbe・・・(2)
なお、ここで、“Vbe”は、NPNトランジスタ230の、ベース−エミッタ間電圧である。また、電圧生成回路211では、3個のダイオードD6〜D8の順方向電圧“3×Vf”と、電圧V2との差の電圧が、抵抗231,232で構成される分圧回路で分圧される。このため、抵抗231,232が接続されたノードからのバイアス電圧V3は、以下の式(3)で表される。
V2 = V1-Vbe = Vz + 5 × Vf-Vbe ... (2)
Here, "Vbe" is the base-emitter voltage of the
V3=3×Vf+(V2−3×Vf)×(R2/(R1+R2))
=3×Vf+(Vz+2×Vf−Vbe)×(R2/(R1+R2))・・・(3)
なお、ここで、“R1”は、抵抗231の抵抗値であり、“R2”は、抵抗232の抵抗値である。
V3 = 3 x Vf + (V2-3 x Vf) x (R2 / (R1 + R2))
= 3 x Vf + (Vz + 2 x Vf-Vbe) x (R2 / (R1 + R2)) ... (3)
Here, "R1" is the resistance value of the
出力回路201は、バイアス電圧V3に基づいて、所定の電源電圧Vreg1を出力する回路であり、耐圧回路240、NPNトランジスタ241,242、及び抵抗243を含んで構成される。
The
耐圧回路240は、NPNトランジスタ241,242を過電圧から保護するための回路であり、直列に接続された4個のダイオードD9〜D12を含む。
The withstand
NPNトランジスタ241のエミッタ電極は、NPNトランジスタ242のベース電極に接続され、NPNトランジスタ241のコレクタ電極は、NPNトランジスタ242のコレクタ電極に接続されている。したがって、本実施形態のNPNトランジスタ241,242は、ダーリントン接続されているため、より大きな負荷を駆動できる。
The emitter electrode of the
また、上述のように、初段のNPNトランジスタ241のベース電極には、電圧V3が印加されるため、NPNトランジスタ242のエミッタ電極からは、以下の式(4)に示す電源電圧Vreg1が出力される。
Further, as described above, since the voltage V3 is applied to the base electrode of the
Vreg1=V3−2×Vbe
=(3×Vf+(Vz+2×Vf−Vbe)×(R2/(R1+R2))−2×Vbe・・・(4)
抵抗243は、電源電圧Vreg1を定常的に発生させるための素子である。具体的には、抵抗243を設けない場合、電源回路40aの負荷の状態が無負荷となると、NPNトランジスタ241,242に流れる電流がゼロとなる。このため、電源電圧Vreg1の生成が停止される。
Vreg1 = V3-2 × Vbe
= (3 x Vf + (Vz + 2 x Vf-Vbe) x (R2 / (R1 + R2))-2 x Vbe ... (4)
The
そして、このような場合から、電源回路40aの負荷に電流が流れると、電源回路40aが、電源電圧Vreg1を生成するまで時間がかかる。
Then, from such a case, when a current flows through the load of the
本実施形態では、電源回路40aの負荷の状態が無負荷であっても、抵抗243には、電流が流れ続ける。このため、電源回路40aは、電源回路40aの負荷の状態によらず、定常的に所定の電源電圧Vreg1を生成できる。
In the present embodiment, even if the load state of the
また、ツェナーダイオード221の降伏電圧“Vz”の温度係数は、正であり、ダイオードD1〜D12の順方向電圧“Vf”の温度係数は、負である。また、ベース−エミッタ間電圧“Vbe”の温度係数は、負である。
Further, the temperature coefficient of the yield voltage “Vz” of the
また、本実施形態では、抵抗231,232には温度係数の等しい、同じ種類の抵抗(例えば、ポリシリコン)を用いている。このため、式(4)における、“R2/(R1+R2)”の項の温度係数は、ほぼ無視できる。 Further, in the present embodiment, the same type of resistors (for example, polysilicon) having the same temperature coefficient are used for the resistors 231,232. Therefore, the temperature coefficient of the term "R2 / (R1 + R2)" in the equation (4) can be almost ignored.
そして、本実施形態では、電源電圧Vreg1が温度補償されるよう、式(4)に基づいて、例えば、ダイオードD1〜D12の数を調整している。これにより、電源電圧Vreg1のレベルは、温度によらず一定になる。また、本実施形態では、抵抗231,232の抵抗比を変更することにより、電源電圧Vreg1を所望のレベルにすることができる。 Then, in the present embodiment, for example, the number of diodes D1 to D12 is adjusted based on the equation (4) so that the power supply voltage Vreg1 is temperature-compensated. As a result, the level of the power supply voltage Vreg1 becomes constant regardless of the temperature. Further, in the present embodiment, the power supply voltage Vreg1 can be set to a desired level by changing the resistance ratio of the resistors 231,232.
このように、電源回路40aは、ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242を含むため、出力電流能力は高い。また、電源回路40aは、温度補償された所定レベルの電源電圧Vreg1(例えば、“5V”)を出力することができる。
As described above, since the
<<<電源回路40bの一例>>>
図7は、電源回路40の構成の他の実施形態である電源回路40bの一例を示す図である。ここで、電源回路40bは、電源回路40bの出力電流能力が、電源回路40aの出力電流能力より小さい回路である。電源回路40bは、NMOSトランジスタ410、電流源411を含んで構成される。
<<< Example of
FIG. 7 is a diagram showing an example of the
NMOSトランジスタ410と、電流源411とは、ソースフォロワを構成するため、NMOSトランジスタ410のソース電極からは、NMOSトランジスタ410のゲート電極に印加されるバイアス電圧Vbiasに応じた電源電圧Vreg2が出力される。
Since the
<<<IGBT31がオンした際の波形の一例>>>
図8は、スイッチング制御IC20において、電源回路40a、または電源回路40bが用いられた場合の比較結果を示す図である。
<<< Example of waveform when
FIG. 8 is a diagram showing a comparison result when the
<<電源回路40aが用いられる場合>>
まず、スイッチング制御IC20が、電源回路40aを用いた場合の電源電圧Vreg1の変化について説明する。
<< When the
First, a change in the power supply voltage Vreg1 when the switching
スイッチング制御IC20が動作し、例えば、時刻taにおいてローサイドのIGBT31がオンすると、上述のように電圧Vsが負電圧となる。この結果、図1の端子GNDから、端子Sへと“漏れ電流”が流れるため、信号出力回路42に流れる電流は増加する。ただし、上述のように、電源回路40aは、ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242を含んでいる。このため、電源回路40aは、目的レベルの電源電圧Vreg1を生成しつつ、大きな電流を出力することができる。
When the switching
この結果、電源回路40aは、図8の実線に示すように、電源電圧Vreg1が大きく低下することを防ぐことができるため、スイッチング制御IC20の動作を安定化することができる。
As a result, as shown by the solid line in FIG. 8, the
<<電源回路40bが用いられる場合>>
つぎに、スイッチング制御IC20が、電源回路40bを用いた場合の電源電圧Vreg2の変化について説明する。ここでは、電源回路40bを用いるスイッチング制御IC20が動作し、上述した時刻taのタイミングで、ローサイドのIGBT31がオンしたこととする。
<< When the
Next, the change in the power supply voltage Vreg2 when the switching
IGBT31がオンすると、端子GNDから、端子Sへと“漏れ電流”が流れるため、信号出力回路42に流れる電流は増加する。
When the
電源回路40bは、電源回路40aと比較すると、出力安定性が悪い。このため、信号出力回路42に流れる電流が増加すると、電源回路40bの電源電圧Vreg2は、図8の一点鎖線に示すように、大きく低下することになる。そして、電源電圧Vreg2のレベルによっては、信号出力回路42は、誤動作し、例えば、誤ったタイミングで、セットパルス信号S1を出力してしまう。
The
したがって、電圧Vsが負電圧となり、半導体領域120を介して端子Sへと“漏れ電流”が流れるスイッチング制御IC20においては、出力安定性が良い電源回路40aを用いることが好ましい。そして、スイッチング制御IC20は、電源回路40aを用いることにより、スイッチング制御IC20の動作を安定化させることができる。
Therefore, in the
<<<電源回路40cの一例>>>
図9は、電源回路40の構成の一実施形態である電源回路40cを示す図である。電源回路40cは、電源回路40aと同様に、温度補償された電源電圧Vreg3(例えば、“5V”)を、電源Vccに基づいて生成する回路である。電源回路40cは、バイアス回路500、出力回路501を含んで構成される。なお、図6と、図9とで、同じ符号が付された素子は同じである。
<<< Example of
FIG. 9 is a diagram showing a
バイアス回路500は、ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242を含む出力回路501を動作させるため電圧を出力する回路である。バイアス回路500は、電圧生成回路510,511を含んで構成される。
The
電圧生成回路510は、所定レベルの電圧V10,V11を生成する回路であり、抵抗520,521、4個のダイオードD1〜D4、及びツェナーダイオード221を含んで構成される。なお、電圧生成回路510は、「第1電圧生成回路」に相当する。
The
抵抗520,521、ダイオードD1〜D4、及びツェナーダイオード221のそれぞれは、直列に接続されている。このため、抵抗520の一端に電源Vccが印加されると、抵抗520,521に流れる電流Iは、以下の式(5)で表される。
The
I=(Vcc−(Vz+4×Vf))/(R10+R11)・・・(5)
なお、ここで、“R10”は、抵抗520の抵抗値であり、“R11”は、抵抗521の抵抗値である。このため、抵抗520,521が接続されたノードの電圧V10は、式(6)で表される。
V10=Vcc−R10×I・・・(6)
I = (Vcc- (Vz + 4 × Vf)) / (R10 + R11) ... (5)
Here, "R10" is the resistance value of the
V10 = Vcc-R10 × I ... (6)
また、抵抗521と、ダイオードD1とが接続されたノードの電圧V11は、式(7)で表される。
V11=Vz+4×Vf・・・(7)
The voltage V11 of the node to which the
V11 = Vz + 4 × Vf ... (7)
ところで、本実施形態の電圧生成回路510は4個のダイオードD1〜D4を含んでいるが、ダイオードの個数を増加させると、電圧V11のレベルが電源Vccのレベルを超えてしまうことになる。したがって、電圧生成回路510においては、電圧V11のレベルが、電圧Vccのレベルより小さくなるよう、ダイオードの個数を調整する必要がある。
By the way, the
電圧生成回路511は、出力回路501を動作させるための電圧V12,V14を生成する回路である。電圧生成回路511は、NPNトランジスタ530,531、抵抗231,232、及び3個のダイオードD6〜D8を含んで構成される。なお、電圧生成回路511は、「第2電圧生成回路」に相当する。
The
NPNトランジスタ530は、ベース電極に、電圧V10が印加され、エミッタ電極には、NPNトランジスタ531が接続されている。このため、NPNトランジスタ530は、エミッタフォロワとして動作する。したがって、NPNトランジスタ530のエミッタ電極からは、以下の式(8)で示す電圧V12が出力される。なお、以下、NPNトランジスタ530,531の、ベース−エミッタ間電圧は、“Vbe”とする。
V12=V10−Vbe・・・(8)
A voltage V10 is applied to the base electrode of the
V12 = V10-Vbe ... (8)
また、NPNトランジスタ531は、ベース電極に、電圧V11が印加され、エミッタ電極には、抵抗231,232を介してダイオードD6〜D8が接続されているため、このため、NPNトランジスタ531も、エミッタフォロワとして動作する。したがって、NPNトランジスタ531のエミッタ電極からは、以下の式(9)で示す電圧V13が出力される。
Further, since the voltage V11 is applied to the base electrode of the
V13=V11−Vbe=Vz+4×Vf−Vbe・・・(9)
また、電圧生成回路511では、3個のダイオードD6〜D8の順方向電圧“3×Vf”と、電圧V13との差の電圧が、抵抗231,232で構成される分圧回路で分圧される。このため、抵抗231,232が接続されたノードからのバイアス電圧V14は、以下の式(10)で表される。
V14=3×Vf+(V13−3×Vf)×(R2/(R1+R2))
=3×Vf+(Vz+Vf−Vbe)×(R2/(R1+R2))・・・(10)
なお、NPNトランジスタ530は、「第2トランジスタ」に相当し、NPNトランジスタ531は、「第3トランジスタ」に相当する。
V13 = V11-Vbe = Vz + 4 × Vf-Vbe ... (9)
Further, in the
V14 = 3 × Vf + (V13-3 × Vf) × (R2 / (R1 + R2))
= 3 x Vf + (Vz + Vf-Vbe) x (R2 / (R1 + R2)) ... (10)
The
ところで、電圧生成回路510のダイオードの個数は4個であるが、ダイオードの個数が少なくなると、電圧V10,V11の電圧は低下するため、結果的に、NPNトランジスタ530のコレクタ―エミッタ間の電圧Vce1と、NPNトランジスタ531のコレクタ―エミッタ間の電圧Vce2とが大きくなる。
By the way, the number of diodes in the
そこで、電圧Vce1,Vce2が、それぞれの耐圧を超えないよう、電圧生成回路510のダイオードの個数(x個)は、以下の条件を満たす必要がある。
Vcc≦Vz+x×Vf+(Vce1m+Vce2m)−Vbe・・・(11)
ここで、式(11)における電圧Vce1m,Vce2mのそれぞれは、電圧Vce1,Vce2の耐圧を示す電圧値である。
Therefore, the number of diodes (x) of the
Vcc ≦ Vz + x × Vf + (Vce1m + Vce2m) -Vbe ... (11)
Here, each of the voltages Vce1m and Vce2m in the equation (11) is a voltage value indicating the withstand voltage of the voltages Vce1 and Vce2.
出力回路501は、バイアス電圧V14に基づいて、所定の電源電圧Vreg3を出力する回路であり、耐圧回路540、NPNトランジスタ241,242、及び抵抗243を含んで構成される。
The
耐圧回路540は、NPNトランジスタ241,242を過電圧から保護するための回路であり、NPNトランジスタ550と、直列に接続された2個のダイオードD9,D10とを含む。NPNトランジスタ550は、ベース電極に、電圧V12が印加され、エミッタ電極には、ダイオードD9,10が接続されている。このため、NPNトランジスタ550は、エミッタフォロワとして動作する。なお、NPNトランジスタ550は、「第1トランジスタ」に相当する。
The withstand
ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242と、抵抗243との構成は、図6と同じであるため、大きな負荷を駆動できる。また、上述のように、初段のNPNトランジスタ241のベース電極には、電圧V14が印加されるため、NPNトランジスタ242のエミッタ電極からは、以下の式(12)に示す電源電圧Vreg3が出力される。
Since the configuration of the Darlington-connected NPN transistors 241,242 and the
Vreg3=V14−2×Vbe=(3×Vf+(Vz+Vf−Vbe)×(R2/(R1+R2)))−2×Vbe・・・(12)
なお、抵抗243は、電源電圧Vreg3を定常的に発生させるための素子であるため、電源回路40cは、電源回路40aと同様に、負荷の状態によらず、定常的に所定の電源電圧Vreg3を生成できる。
Vreg3 = V14-2 × Vbe = (3 × Vf + (Vz + Vf-Vbe) × (R2 / (R1 + R2)))-2 × Vbe ... (12)
Since the
本実施形態では、電源電圧Vreg3が温度補償されるよう、式(12)に基づいて、例えば、ダイオードD1〜D4,D6〜D8の数を調整している。これにより、電源電圧Vreg3のレベルは、温度によらず一定になる。また、例えば、抵抗231,232の抵抗比を変更することにより、電源電圧Vreg3を所望のレベルにすることができる。 In this embodiment, for example, the number of diodes D1 to D4 and D6 to D8 are adjusted based on the equation (12) so that the power supply voltage Vreg3 is temperature-compensated. As a result, the level of the power supply voltage Vreg3 becomes constant regardless of the temperature. Further, for example, the power supply voltage Vreg3 can be set to a desired level by changing the resistance ratio of the resistors 231,232.
このように、電源回路40cは、電源回路40aと同様に、ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242を含むため、出力電流能力は高く、温度補償された所定レベルの電源電圧Vreg3(例えば、“5V”)を出力することができる。
As described above, since the
また、NPNトランジスタ550のエミッタ―コレクタ間の耐圧を、電圧Vce3mとし、NPNトランジスタ242のエミッタ―コレクタ間の耐圧を、電圧Vce4mとし、耐圧回路540に含まれるダイオードの個数を、y個とすると、本実施形態では、以下の条件が満たされる必要がある。
Vcc≦Vf×y+Vce3m+Vce4m+Vreg3・・・(13)
Further, assuming that the withstand voltage between the emitter and collector of the
Vcc ≦ Vf × y + Vce3m + Vce4m + Vreg3 ... (13)
このように、本実施形態では、例えば耐圧回路540のダイオードの個数を調整することにより、電源Vccのレベルが高い場合であっても、ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242を適切に保護することができる。
As described above, in the present embodiment, for example, by adjusting the number of diodes in the withstand
===まとめ===
以上、本実施形態のパワーモジュール10について説明した。スイッチング制御IC20の電源回路40aは、ダーリントン接続された2個のNPNトランジスタ241,242を含んでいる。このため、スイッチング制御IC20は、電圧Vsが負電圧になった場合であっても、安定に動作することができる。
=== Summary ===
The
また、スイッチング制御IC20は、例えば、図5に示した半導体基板100に形成されている。そして、このような半導体基板100においては、電圧Vsが負電圧になると、ダイオード190,191がオンするため、“漏れ電流”が発生する。しかしながら、電源回路40aは、高い出力安定性を有するため、“漏れ電流”が発生し、信号出力回路42の電流が増加した場合であっても、信号出力回路42を安定に動作させることができる。
Further, the switching
また、“漏れ電流”は、例えば、ハイサイドの駆動回路45のNMOSトランジスタ70を介して、発生する。
Further, the "leakage current" is generated, for example, via the
また、抵抗243には、電源電圧Vreg1に応じた電流が流れるため、電源回路40aは、電源回路40aの負荷の状態によらず、定常的に安定した電源電圧Vreg1を生成できる。
Further, since the current corresponding to the power supply voltage Vreg1 flows through the
また、ダーリントン接続されたNPNトランジスタ241,242の電源側には、耐圧回路240が設けられている。このため、電源電圧Vccが、例えば“20V”と高い場合であっても、低耐圧用のNPNトランジスタ241,242を用いることができる。
Further, a withstand
また、耐圧回路240は、n個(ここでは、n=4)のダイオードD9〜D12を含む。このように、直列に接続された複数のダイオードを用いることにより、適切にNPNトランジスタ241,242を過電圧から保護することができる。
Further, the withstand
また、耐圧回路540は、2個のダイオードD9,D10に直列に接続されたNPNトランジスタ550を含む。このような構成の回路を用いることにより、適切にNPNトランジスタ241,242を過電圧から保護することができる。
Further, the withstand
また、バイアス回路200は、電源電圧Vreg1の温度変化を補償するためのバイアス電圧V3を、NPNトランジスタ241のベース電極に印加する。これにより、電源電圧Vreg1の温度特性を向上することができる。
Further, the
また、電源電圧Vreg1の温度補償を行うため、バイアス回路200は、例えば、正の温度係数を有するツェナーダイオード221と、負の温度係数を有するm個(ここでは、m=5)のダイオードD1〜D5を含んでいる。
Further, in order to compensate the temperature of the power supply voltage Vreg1, the
また、電圧生成回路511は、直列に接続されたNPNトランジスタ530,531を含むため、レベルの異なる電圧V12,14を生成することができる。ここで、電圧V12は、ダーリントン接続されたトランジスタを保護するためのNPNトランジスタ550を動作させるための電圧である。また、電圧V14は、ダーリントン接続された2段のトランジスタのうち、初段のNPNトランジスタ241を動作させるための電圧である。
Further, since the
また、電圧生成回路211は、NPNトランジスタ230と、i個(ここでは、i=3)のダイオードD6〜D8と、抵抗231,232で構成される「分圧抵抗回路」と、を用いることにより、電圧V1のレベルを所望の電圧V3へとシフトすることができる。このため、本実施形態では、電源電圧Vreg1のレベルを容易に調整することができる。
Further, the
また、電圧生成回路511は、直列に接続されたNPNトランジスタ530,531を含む回路を用いた場合であっても、電圧V14のレベルを調整することができる。このような回路を用いた場合であっても、電源回路40cは、所望のレベルの電源電圧Vreg3を出力することができる。
Further, the
また、スイッチング制御IC20において、ローサイドの駆動回路44は、IGBT31のスイッチングを制御する。
Further, in the
また、本実施形態では、ダーリントン接続された2段のトランジスタのそれぞれは、NPNトランジスタ241,242であることとしたが、たとえば、PNPトランジスタを用いることもできる。なお、電源回路40aは、例えば、3段以上のトランジスタをダーリントン接続した構成を含んでも、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
Further, in the present embodiment, each of the two-stage transistors connected in Darlington is an NPN transistor 241,242, but for example, a PNP transistor can also be used. The
上記の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。また、本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更や改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれるのはいうまでもない。 The above embodiment is for facilitating the understanding of the present invention, and is not for limiting the interpretation of the present invention. Further, it is needless to say that the present invention can be changed or improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes an equivalent thereof.
10 パワーモジュール
20 スイッチング制御IC
21 ハーフブリッジ回路
22 コンデンサ
30,31 IGBT
40,400 電源回路
41 チャージポンプ回路
42 信号出力回路
43 レベルシフト回路
44,45 駆動回路
50 入力検出回路
51 フィルタ回路
52 パルス生成回路
60 論理回路
61,62 インバータ
70,72,410 NMOSトランジスタ
71,73 PMOSトランジスタ
100 半導体基板
110 ゲート電極
111 ソース電極
112 ドレイン電極
113 基板電極
120 半導体領域
130,140 ウェル領域
150,160,161 コンタクト領域
170 ソース領域
171 ドレイン領域
190,191 ダイオード
200,500 バイアス回路
201,501 出力回路
210,211,510,511 電圧生成回路
220,231,232,243,520,521 抵抗
221 ツェナーダイオード
230,241,242,530,531,550 NPNトランジスタ
240,540 耐圧回路
411 電流源
D1〜D12 ダイオード
10
21 Half-
40,400
Claims (17)
前記第1スイッチング素子をオンするためのセット信号と、前記第1スイッチング素子をオフするためのリセット信号と、を入力信号に基づいて出力する信号出力回路と、
前記セット信号及び前記リセット信号のそれぞれのレベルをシフトするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路からの出力に基づいて、前記第1スイッチング素子を駆動する第1駆動回路と、
前記信号出力回路の電源電圧を生成するダーリントン接続された複数のトランジスタを含む電源回路と、
を備えるスイッチング制御回路。 A switching control circuit that controls switching between a first switching element on the power supply side and a second switching element on the ground side that drives a load together with the first switching element.
A signal output circuit that outputs a set signal for turning on the first switching element and a reset signal for turning off the first switching element based on an input signal.
A level shift circuit that shifts the respective levels of the set signal and the reset signal, and
Based on the output from the level shift circuit, the first drive circuit that drives the first switching element and
A power supply circuit including a plurality of Darlington-connected transistors that generate a power supply voltage of the signal output circuit, and a power supply circuit.
A switching control circuit.
前記スイッチング制御回路は、p型の第1領域と、前記第1領域内に形成されたn型の第2領域と、前記第2領域内に形成されたp型の第3領域と、前記第3領域内に形成されたn型の第4領域と、を少なくとも有する半導体基板に形成された集積回路であり、
前記信号出力回路の基準となる第1端子は、前記第1領域に電気的に接続され、
前記第1スイッチング素子と、前記第2スイッチング素子と、が接続されるとともに、前記第1駆動回路の基準となる第2端子は、前記第4領域に電気的に接続される、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 1.
The switching control circuit includes a p-type first region, an n-type second region formed in the first region, a p-type third region formed in the second region, and the first region. It is an integrated circuit formed on a semiconductor substrate having at least an n-type fourth region formed in three regions.
The first terminal, which is a reference of the signal output circuit, is electrically connected to the first region.
The first switching element and the second switching element are connected, and the second terminal, which is a reference of the first drive circuit, is electrically connected to the fourth region.
Switching control circuit.
前記第1駆動回路は、ソース電極が前記第4領域に電気的に接続され、前記第3領域内に形成されたNMOSトランジスタを含む、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 2.
The first drive circuit comprises an NMOS transistor in which the source electrode is electrically connected to the fourth region and formed in the third region.
Switching control circuit.
前記電源回路は、前記複数のトランジスタのうち、前記電源電圧が生成されるノードと、接地との間に抵抗を有する、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to any one of claims 1 to 3.
The power supply circuit has a resistor between the node in which the power supply voltage is generated and the ground among the plurality of transistors.
Switching control circuit.
前記電源回路は、前記複数のトランジスタを過電圧から保護する耐圧回路を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to any one of claims 1 to 4.
The power supply circuit includes a withstand voltage circuit that protects the plurality of transistors from overvoltage.
Switching control circuit.
前記耐圧回路は、直列に接続されたn(nは変数)個のダイオードを含む、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 5.
The withstand voltage circuit includes n (n is a variable) diodes connected in series.
Switching control circuit.
前記電源回路は、前記電源電圧の温度変化を補償するためのバイアス電圧を、前記複数のトランジスタのうち、初段のトランジスタのベース電極に対して印加するバイアス回路を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to any one of claims 1 to 6.
The power supply circuit includes a bias circuit that applies a bias voltage for compensating for a temperature change in the power supply voltage to the base electrode of the first-stage transistor among the plurality of transistors.
Switching control circuit.
前記バイアス回路は、
ツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードに直列に接続されたm(mは変数)個のダイオードと、を含み、所定レベルの電圧を生成する第1電圧生成回路と、
前記所定レベルの電圧に基づいて、前記初段のトランジスタのベース電極に対して前記バイアス電圧を印加する第2電圧生成回路と、を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 7.
The bias circuit is
A first voltage generation circuit that includes a Zener diode and m (m is a variable) diodes connected in series with the Zener diode to generate a predetermined level of voltage.
A second voltage generation circuit that applies the bias voltage to the base electrode of the first-stage transistor based on the predetermined level of voltage.
Switching control circuit.
前記第2電圧生成回路は、
前記所定レベルの電圧と、i(iは変数)個のダイオードの順方向電圧と、の差に応じた電圧を、前記バイアス電圧として生成する分圧抵抗回路を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 8.
The second voltage generation circuit is
The voltage divider resistor circuit is provided to generate a voltage corresponding to the difference between the predetermined level voltage and the forward voltage of i (i is a variable) diode as the bias voltage.
Switching control circuit.
前記耐圧回路は、前記n個のダイオードに直列に接続された第1トランジスタを含む、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 6.
The withstand voltage circuit includes a first transistor connected in series with the n diodes.
Switching control circuit.
前記電源回路は、前記電源電圧の温度変化を補償するためのバイアス電圧を、前記複数のトランジスタのうち、初段のトランジスタのベース電極に対して印加するバイアス回路を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 10.
The power supply circuit includes a bias circuit that applies a bias voltage for compensating for a temperature change in the power supply voltage to the base electrode of the first-stage transistor among the plurality of transistors.
Switching control circuit.
前記バイアス回路は、
ツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオードに直列に接続されたm(mは変数)個のダイオードと、を含み、所定レベルの電圧を生成する第1電圧生成回路と、
前記所定レベルの電圧に基づいて、前記初段のトランジスタのベース電極に対して前記バイアス電圧を印加する第2電圧生成回路と、を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 11.
The bias circuit is
A first voltage generation circuit that includes a Zener diode and m (m is a variable) diodes connected in series with the Zener diode to generate a predetermined level of voltage.
A second voltage generation circuit that applies the bias voltage to the base electrode of the first-stage transistor based on the predetermined level of voltage.
Switching control circuit.
前記第2電圧生成回路は、
前記第1トランジスタを動作させるための電圧を出力する第2トランジスタと、
前記第2トランジスタの接地側に設けられ、前記初段のトランジスタを動作させるための電圧を出力する第3トランジスタと、を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 12.
The second voltage generation circuit is
A second transistor that outputs a voltage for operating the first transistor, and
A third transistor provided on the ground side of the second transistor and outputting a voltage for operating the first-stage transistor is provided.
Switching control circuit.
前記第2電圧生成回路は、
前記所定レベルの電圧と、i(iは変数)個のダイオードの順方向電圧と、の差に応じた電圧を、前記バイアス電圧として生成する分圧抵抗回路を備える、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to claim 12.
The second voltage generation circuit is
The voltage divider resistor circuit is provided to generate a voltage corresponding to the difference between the predetermined level voltage and the forward voltage of i (i is a variable) diode as the bias voltage.
Switching control circuit.
前記第2スイッチング素子のスイッチングを制御するための制御信号に基づいて、前記第2スイッチング素子を駆動する第2駆動回路を備え、
前記信号出力回路は、前記制御信号を、前記入力信号に基づいて出力する、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to any one of claims 1 to 14.
A second drive circuit for driving the second switching element is provided based on a control signal for controlling switching of the second switching element.
The signal output circuit outputs the control signal based on the input signal.
Switching control circuit.
前記複数のトランジスタのそれぞれは、NPNトランジスタである、
スイッチング制御回路。 The switching control circuit according to any one of claims 1 to 15.
Each of the plurality of transistors is an NPN transistor.
Switching control circuit.
前記スイッチング制御回路は、
前記第1スイッチング素子をオンするためのセット信号と、前記第1スイッチング素子をオフするためのリセット信号と、を入力信号に基づいて出力する信号出力回路と、
前記セット信号及び前記リセット信号のそれぞれのレベルをシフトするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路からの出力に基づいて、前記第1スイッチング素子を駆動する第1駆動回路と、
前記信号出力回路の電源電圧を生成するダーリントン接続された複数のトランジスタを含む電源回路と、
を備える半導体装置。
A semiconductor device including a first switching element on the power supply side, a second switching element on the ground side that drives a load together with the first switching element, and a switching control circuit that controls switching between the first and second switching elements. And
The switching control circuit is
A signal output circuit that outputs a set signal for turning on the first switching element and a reset signal for turning off the first switching element based on an input signal.
A level shift circuit that shifts the respective levels of the set signal and the reset signal, and
Based on the output from the level shift circuit, the first drive circuit that drives the first switching element and
A power supply circuit including a plurality of Darlington-connected transistors that generate a power supply voltage of the signal output circuit, and a power supply circuit.
A semiconductor device equipped with.
Priority Applications (2)
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