JP2021056399A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域に対して封止膜、有機絶縁層、および無機絶縁層が設けられる位置を検査し易くする表示装置の構造を提供すること。【解決手段】表示装置は、表示領域と、表示領域よりも外側に設けられた周辺領域と、を含み、周辺領域は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に設けられた第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層の上に設けられた第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層の上に設けられた第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層の上に設けられた第２有機絶縁層と、を含み、第１無機絶縁層の斜面よりも表示領域側の第１無機絶縁層の一部は、第２無機絶縁層に接し、第１無機絶縁層の斜面は、周辺領域の端部において露出され、有底孔を含む凹凸部を含み、凹凸部に含まれるフッ素イオンの濃度は、表示領域に設けられた第１無機絶縁層に含まれるフッ素イオンの濃度の１００倍以上である。【選択図】図６

Description

本発明の一実施形態は、表示装置およびその製造方法に関する。

従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示領域の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ材料を発光させることにより、表示領域に画像を表示する、いわゆる自発光型の表示装置である。

表示領域に含まれる発光素子は、例えば、水分が原因で劣化する。有機ＥＬ表示装置では、発光素子に水分が侵入することを防止するため、例えば、発光素子上に封止膜を設ける。有機ＥＬ表示装置の製造時の検査において、表示領域に対して封止膜が設けられる位置を検査することにより、発光素子に水分が侵入する製造不良を早期に発見することができる。例えば、特許文献１には、発光素子を覆うように、有機絶縁層、および無機絶縁層を形成し、水分を遮断する領域（水蒸気バリア領域）を当該無機絶縁層に設ける構造が開示されている。

特開２０１２−０２２８８９号公報

しかしながら、封止膜、有機絶縁層、および無機絶縁層を形成するための材料は、無色透明である場合が多い。よって、有機ＥＬ表示装置の製造時の検査において、表示領域に対して封止膜、有機絶縁層、および無機絶縁層が設けられる位置を検査することは、困難である。したがって、封止膜、有機絶縁層、および無機絶縁層が、水分を遮断するとしても、発光素子に水分が侵入する製造不良を早期に発見することは困難である。

本発明は、上記問題に鑑み、表示領域に対して封止膜、有機絶縁層、および無機絶縁層が設けられる位置を検査し易くする表示装置の構造を提供することを目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、表示領域と、表示領域よりも外側に設けられた周辺領域と、を含み、周辺領域は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜の上に設けられた第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層の上に設けられた第１有機絶縁層と、第１有機絶縁層の上に設けられた第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層の上に設けられた第２有機絶縁層と、を含み、第１無機絶縁層の斜面よりも表示領域側の第１無機絶縁層の一部は、第２無機絶縁層に接し、第１無機絶縁層の斜面は、周辺領域の端部において露出され、有底孔を含む凹凸部を含み、凹凸部に含まれるフッ素イオンの濃度は、表示領域に設けられた第１無機絶縁層に含まれるフッ素イオンの濃度の１００倍以上である。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の回路図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のＣ１−Ｃ２線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置のＤ１−Ｄ２線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の周辺領域に含まれる基板の端部の一部を示す拡大図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の周辺領域に含まれる基板の端部の一部を示す拡大図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。 図１０に示す表示装置の一部を拡大した拡大図である。 図１１に示す表示装置のＧ１−Ｇ２線に沿った断面図である。 図１０に示す表示領域のＦ１−Ｆ２線に沿った断面図である。

以下、本発明の各実施形態において、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その技術的思想の要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、図示の形状そのものが本発明の解釈を限定するものではない。また、図面において、明細書中で既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、別図であっても同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。

ある一つの膜を加工して複数の構造体を形成した場合、各々の構造体は異なる機能、役割を有する場合があり、また各々の構造体はそれが形成される下地が異なる場合がある。しかしながらこれら複数の構造体は、同一の工程で同一層として形成された膜に由来するものであり、同一の材料を有する。従って、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接して、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

「ある構造体が他の構造体から露出する」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない領域を意味する。ただし、他の構造体によって覆われていない部分が、さらに別の構造体によって覆われている場合も含む。

＜第１実施形態＞
図１〜図９を用いて、本発明の一実施形態に係る表示装置１００について説明する。

＜１．表示装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の平面図である。表示装置１００は、表示領域１０３および周辺領域１１０を有する。周辺領域１１０は表示領域１０３の外側に設けられる。表示領域１０３および周辺領域１１０は基板１０１上に、設けられる。

表示領域１０３は、表示装置１００において画像または映像を表示するための領域である。表示領域１０３は、複数の画素１０９を含む。図１に示されるように、複数の画素１０９はマトリクス状に配置される。複数の画素１０９の配置は、図１に示される構成に限定されない。複数の画素１０９の配列は、例えば、千鳥状の配列でもよい。

周辺領域１１０は、基板周縁部３００、走査線駆動回路部１０４、端子部１０５、および折曲部１３０を含む。図１に示されるように、基板周縁部３００は、例えば、第２有機絶縁層２３６（図６を参照）、第１無機絶縁層２３１（図６を参照）および第２無機絶縁層２３３（図１では省略、図６を参照）を含む。

詳細は後述するが、第１無機絶縁層２３１は、表示領域１０３及び周辺領域１１０の両方に設けられる。表示領域１０３に設けられた第１無機絶縁層２３１は凹凸部３０１（図８を参照）を含まず、周辺領域１１０に設けられた第１無機絶縁層２３１は凹凸部３０１（図８を参照）を含む。その結果、上面視において、基板周縁部３００が黒い線状に見えるため、表示装置１００の製造時の検査において、封止された位置を特定することができる。すなわち、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造時の検査において、封止された位置を特定することで、発光素子に水分が侵入する製造不良を早期に発見することができる。基板周縁部３００についての詳細は後述される。

図１に示されるように、走査線駆動回路部は、例えば、表示領域１０３の長辺方向に沿って設けられる。走査線駆動回路部１０４の位置は、図１に示される位置に限定されない。走査線駆動回路部１０４は、表示領域１０３の短辺方向に沿って設けられてもよい。また、図１に示されるように、走査線駆動回路部１０４は、表示領域１０３を挟んだ２か所に設けられる。走査線駆動回路部１０４の設けられる位置は、図１に示される位置に限定されない。走査線駆動回路部１０４は、１か所に設けられてもよい。端子部１０５は、基板１０１の端部に設けられる。端子部１０５は、複数の端子１０７を含む。複数の端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８と接続される。ドライバＩＣ１０６は、フレキシブルプリント回路基板１０８上に設けられる。折曲部１３０は、基板１０１を折り曲げ可能な領域である。折曲部１３０は、表示領域１０３と端子部１０５との間に設けられる。表示装置１００において、基板１０１を折曲部１３０で折り曲げることで、端子部１０５と表示領域１０３の裏面を重畳させてもよい。端子部１０５と表示領域１０３の裏面を重畳させることで、表示装置１００の額縁を狭くすることができる。

映像信号および各種制御信号は、表示装置１００の外部のコントローラ（図示せず）から、フレキシブルプリント回路基板１０８を介して、表示装置１００に供給される。映像信号は、ドライバＩＣ１０６において信号処理され、複数の画素１０９に入力される。各種回路信号は、ドライバＩＣ１０６を介して、走査線駆動回路部１０４に入力される。

表示装置１００の外部のコントローラ（図示せず）から、フレキシブルプリント回路基板１０８を介して、走査線駆動回路部１０４、ドライバＩＣ１０６、および複数の画素１０９を駆動するための電力が表示装置１００に供給される。複数の画素１０９の各々は、後述する発光素子２４０を有する。表示装置１００に供給された電力の一部は、複数の画素１０９の各々が有する発光素子２４０に供給される。その結果、発光素子２４０が発光する。

また、表示装置１００において、偏光板１０２が表示領域１０３および走査線駆動回路部１０４に重畳して設けられる。表示装置１００の構造は、図１に示された構造に限定されない。表示装置１００は、偏光板１０２を有さなくてもよい。表示装置１００の構造は、本発明の一実施形態の主旨を逸脱しない範囲において、適宜決定される。

＜２．画素回路＞
図２は、本発明の一実施形態に係る複数の画素１０９の各々が有する画素回路である。図１と同一、または類似する構成については説明を省略することがある。

図２に示されるように、画素回路は、少なくともトランジスタ２１０、トランジスタ２２０、容量素子２３０、および発光素子２４０を含む。

トランジスタ２１０は、例えば、選択トランジスタとして機能する。トランジスタ２１０のゲートの導通状態が走査線１１１により制御される。トランジスタ２１０において、ゲート、ソース、およびドレインは、それぞれ、走査線１１１、信号線１１２、およびトランジスタ２２０のゲートに電気的に接続される。

トランジスタ２２０は、駆動トランジスタとして機能する。トランジスタ２２０は、発光素子２４０の発光輝度を制御する。トランジスタ２２０において、ゲート、ソース、およびドレインは、それぞれ、トランジスタ２１０のソース、駆動電源線１１４、および発光素子２４０の陽極に電気的に接続される。

容量素子２３０において、容量電極の一方は、トランジスタ２２０のゲート、およびトランジスタ２１０のドレインに、電気的に接続される。また、容量電極の他方が、発光素子２４０の陽極、およびトランジスタ２２０のドレインに接続される。

発光素子２４０において、陽極がトランジスタ２２０のドレインに接続され、陰極が基準電源線１１６に接続される。

＜３．表示領域＞
図３を用いて、表示装置１００の表示領域１０３の構成について説明する。図１または図２と同一、または類似する構成については説明を省略することがある。

図３は、本発明の一実施形態に係る画素１０９の断面図である。具体的には、図３は、図１に示す表示装置１００をＡ１−Ａ２線に沿って切断した断面図である。

基板１０１は可撓性を有してもよい。図３に示されるように、基板１０１の構造は、第１樹脂層１０１ａ、無機層１０１ｂ、および第２樹脂層１０１ｃを含む積層構造である。第１樹脂層１０１ａと第２樹脂層１０１ｃとの密着性を向上させるため、第１樹脂層１０１ａと第２樹脂層１０１ｃとの間に無機層１０１ｂを設けることが好ましい。第１樹脂層１０１ａおよび第２樹脂層１０１ｃを形成する材料は、例えば、アクリル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、またはポリエチレンナフタレートなどを用いることができる。また、無機層１０１ｂを形成する材料は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、またはアモルファスシリコンなどを用いることができる。なお、基板１０１が可撓性を必要としない場合は、基板１０１として、例えば、ガラスを用いることができる。

基板１０１上には、アンダーコート層２０２が設けらる。アンダーコート層２０２は、例えば、酸化シリコン層および窒化シリコン層を単層または積層して設けられる。本発明の一実施形態では、アンダーコート層２０２の構造は、酸化シリコン層２０２ａ、窒化シリコン層２０２ｂ、および酸化シリコン層２０２ｃの三層からなる積層構造を有する。酸化シリコン層２０２ａは、基板１０１との密着性を向上させる。窒化シリコン層２０２ｂは、外部からの水分および不純物のブロッキング膜として機能する。酸化シリコン層２０２ｃは、窒化シリコン層２０２ｂ中に含有する水素が後述する半導体層側に拡散しないようにするブロッキング膜として機能する。

また、アンダーコート層２０２の構造は、トランジスタ２２０と重畳する位置に遮光層２０３を有する構造であってもよい。アンダーコート層２０２が遮光層２０３を有することで、遮光層２０３が外光を遮断する。その結果、トランジスタ２２０への外光の侵入を防止し、トランジスタ特性の変動を抑制することができる。また、遮光層２０３は導電層として用いられてもよい。遮光層２０３に導電層を用いることで、遮光層に所定の電圧を印加することができる。遮光層２０３に所定の電圧を印加することで、トランジスタ２２０の特性を制御することができる。

トランジスタ２２０がアンダーコート層２０２上に設けられる。トランジスタ２２０は、半導体層２０４、ゲート絶縁層２０５、およびゲート電極２０６ａを含む。図１に示される画素回路においては、トランジスタ２２０として、ｎｃｈトランジスタを用いる例について示しているが、ｐｃｈトランジスタを用いることもできる。本発明の一実施形態では、ｎｃｈＴＦＴは、チャネル領域２０４ａとソース領域２０４ｄまたはドレイン領域２０４ｅ（高濃度不純物領域）との間に、低濃度不純物領域２０４ｂおよび２０４ｃを有する。半導体層２０４を形成する材料は、例えば、アモルファスシリコン、ポリシリコン、またはＩＧＺＯなどの酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁層２０５を形成する材料は、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。また、ゲート絶縁層２０５は、単層または積層とすることができる。ゲート電極２０６ａを形成する材料は、例えば、ＭｏＷを用いることができる。なお、図３においては、トランジスタ２２０の構造が示されているが、トランジスタ２１０の構造もトランジスタ２２０の構造と同様である。

第１層間絶縁層２０７がゲート電極２０６ａを覆うように設けられる。第１層間絶縁層２０７を形成する材料は、例えば、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。また、第１層間絶縁層２０７は、単層または積層とすることができる。ソース電極２０８ａまたはドレイン電極２０８ｂが第１層間絶縁層２０７上に設けられる。ソース電極２０８ａまたはドレイン電極２０８ｂは、第１層間絶縁層２０７およびゲート絶縁層２０５の開口部を介して、半導体層２０４のソース領域２０４ｄまたはドレイン領域２０４ｅと接続される。

導電層２０６ｂがゲート絶縁層２０５上に設けられる。導電層２０６ｂは、ゲート電極２０６ａと同一の工程で形成される。導電層２０６ｂは、ゲート絶縁層２０５を間に挟んで、半導体層２０４のソース領域２０４ｄまたはドレイン領域２０４ｅにより容量を構成する。また、導電層２０６ｂは、第１層間絶縁層２０７を間に挟んで、ソース電極２０８ａまたはドレイン電極２０８ｂにより容量を構成する。

第２層間絶縁層２０９が、ソース電極２０８ａまたはドレイン電極２０８ｂ上に設けられる。

平坦化膜２１１が第２層間絶縁層２０９上に設けられる。平坦化膜２１１を形成する材料は、例えば、感光性アクリルまたはポリイミドなどの有機材料を用いることができる。平坦化膜２１１を設けることにより、トランジスタ２２０による段差を平坦化することができる。

透明導電膜２１２ａおよび２１２ｂが平坦化膜２１１上に設けられる。透明導電膜２１２ａは、平坦化膜２１１および第２層間絶縁層２０９に設けられた開口部を介して、ソース電極２０８ａまたはドレイン電極２０８ｂと電気的に接続される。

絶縁層２１３が透明導電膜２１２ａおよび２１２ｂ上に設けられる。絶縁層２１３には、透明導電膜２１２ａおよびソース電極２０８ａまたはドレイン電極２０８ｂと重畳する領域と、透明導電膜２１２ａと隣の画素の透明導電膜２１２ｂとの間の領域とに開口部が設けられる。

画素電極２２２が絶縁層２１３上に設けられる。画素電極２２２は、絶縁層２１３の開口部を介して、透明導電膜２１２ａと電気的に接続される。本発明の一実施形態では、画素電極２２２は、反射電極として形成される。画素電極２２２の構造は、例えば、ＩＺＯ、Ａｇ、ＩＺＯの三層からなる積層構造を有する。

任意の位置の画素電極２２２と、隣の画素の画素電極２２２との境界に、絶縁層２２５が設けられる。絶縁層２２５は、各画素を離間するために設けられ、バンクまたはリブとも呼ばれる。絶縁層２２５を形成する材料は、平坦化膜２１１の材料と同様の有機材料を用いることができる。絶縁層２２５は、画素電極２２２の一部を露出するように開口される。また、開口部の側面は、緩やかなテーパー形状となることが好ましい。開口部の側面が急峻な形状となる場合、後に形成される有機層２２３にカバレッジ不良が生じる。

ここで、平坦化膜２１１と絶縁層２２５とは、絶縁層２１３に設けられた開口部において接触している。表示装置１００は、このような構成を有することで、絶縁層２２５の形成時における熱処理の際に、平坦化膜２１１から脱離する水分やガスを、絶縁層２１３の開口部を介して絶縁層２２５から除去することができる。これにより、平坦化膜２１１と絶縁層２２５との界面における剥離を抑制することができる。

絶縁層２２５の形成後、有機ＥＬ層を形成する有機層２２３を形成する。有機層２２３は、画素電極２２２側から順に、少なくとも、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層が積層されている。正孔輸送層、発光層、または電子輸送層は、有機物を含んでもよい。また、図３においては、有機層２２３が、各画素１０９に対して選択的に設けられるように記載しているが、有機層２２３の構造は図３に示される構造に限定されない。例えば、有機層２２３のうち発光層は各画素に対して選択的に設け、正孔輸送層および電子輸送層は全画素を覆うように設けてもよい。また、これらの層の形成方法は、蒸着による形成方法でもよく、溶媒分散の上での塗布形成方法であっても良い。また、正孔輸送層および電子輸送層だけでなく、発光層も、全画素を覆うように設けてもよい。発光層が全画素を覆うように設けられる場合、全画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。

有機層２２３の形成後、対向電極２２４を形成する。本発明の一実施形態では、有機ＥＬ層がトップエミッション構造であるため、対向電極２２４は光透過性を有する必要がある。なお、本明細書等において、トップエミッション構造とは、画素電極２２２上に、有機層２２３を挟んで配置される対向電極２２４から光を出射する構造である。本発明の一実施形態では、有機ＥＬ層からの発光が透過する程度のＭｇＡｇ薄膜を、対向電極２２４として形成する。上述の有機層２２３の形成順序に従うと、画素電極２２２が陽極となり、対向電極２２４が陰極となる。

封止膜２６０が発光素子２４０の対向電極２２４上に、設けられる。封止膜２６０の構造は、第１無機絶縁層２３１、第１有機絶縁層２３２、および第２無機絶縁層２３３の積層構造を有する。

第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３を形成する材料は、例えば、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、窒化アルミニウム、酸窒化シリコンまたは酸窒化アルミニウムなどを用いることができる。第１無機絶縁層２３１の膜厚は、例えば、７５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。第２無機絶縁層２３３の膜厚は、例えば、７５０ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下である。第１無機絶縁層２３１または第２無機絶縁層２３３の構造は、積層構造としてもよい。なお、封止膜２６０は、外部からの水分が有機層２２３に侵入することを防止することを機能の一つとする。封止膜２６０を形成する材料は、ガスバリア性の高い材料であることが好ましい。例えば、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３は、窒化シリコンまたは窒化アルミニウムなどの窒化物を含むことが好ましい。なお、窒化物には、酸素を含む窒化物が含まれるものとする。

第１有機絶縁層２３２を形成する材料は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、またはシロキサン樹脂などを用いることができる。第１有機絶縁層２３２の膜厚は、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下である。

第２有機絶縁層２３６が封止膜２６０上に設けられる。第２有機絶縁層２３６は、例えば、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３をエッチングするためのマスクとして機能する。第２有機絶縁層２３６を形成する材料は、例えば、アクリル系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂、またはウレタン系樹脂などの粘着材を用いることができる。第２有機絶縁層２３６の膜厚は、例えば、５μｍ以上２５μｍ以下である。

偏光板１０２が第２有機絶縁層２３６上に設けられる。偏光板１０２は、１／４波長板と、直線偏光板とを含む積層構造を有する。その結果、表示装置１００は、発光領域からの光を偏光板１０２の表示側の面から外部に放出することができる。

表示装置１００には、必要に応じて、偏光板１０２上にカバーガラスを設けてもよい。この場合、樹脂等を用いた充填材を偏光板１０２とカバーガラスの間に設けてもよい。偏光板１０２とカバーガラスの間に充填材を設けることで、偏光板１０２とカバーガラスの空隙を埋めることができる。また、カバーガラスには、タッチセンサ等が設けられてもよい。

＜４．周辺領域＞
図４〜図８を用いて、表示装置１００の周辺領域１１０の構成について説明する。図１〜図３と同一、または類似する構成については説明を省略することがある。

図４は、図１に示される表示装置１００をＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面図である。図４に示されるように、周辺領域１１０の上部は、種々の配線が引き回される領域である。周辺領域１１０において、発光素子２４０の対向電極２２４は、透明導電膜２２６と接続される陰極コンタクト１４０が設けられる。透明導電膜２２６は、導電層２２７、導電層２２８、配線層２２９と電気的に接続される。つまり、対向電極２２４は、配線層２２９によって、複数の端子１０７（図１）のいずれかと電気的に接続される。

基板１０１の端部では、基板１０１の中央から外側に向かって傾斜を有するように、第２有機絶縁層２３６、第２無機絶縁層２３３、および第１無機絶縁層２３１が設けられる。第２有機絶縁層２３６の斜面の一部、第２無機絶縁層２３３の斜面の一部、および第１無機絶縁層２３１の斜面の一部は、露出している。

第１無機絶縁層２３１は、基板１０１の中央から隔壁２７１まで第１有機絶縁層２３２で覆われ、隔壁２７１の上部において第２無機絶縁層２３３に接し覆われる。第１無機絶縁層２３１は、隔壁２７１の上部から基板１０１の外側に向かって、第２無機絶縁層２３３に接し覆われる。第１無機絶縁層２３１の斜面の一部は、第２無機絶縁層２３３に覆われずに露出される。

第２無機絶縁層２３３は、基板１０１の中央から外側に向かって、第２有機絶縁層２３６に接し覆われる。第２無機絶縁層２３３の斜面の一部は、第２有機絶縁層２３６に覆われずに露出される。

第２有機絶縁層２３６は、基板１０１の中央から外側に向かって、偏光板１０２に接し覆われる。第２有機絶縁層２３６の斜面の一部は、偏光板１０２に覆われずに露出される。

図５は、図１に示す表示装置１００をＣ１−Ｃ２線に沿って切断した断面図である。図１〜４と同一、または類似する構成については説明を省略することがある。図５に示されるように、基板１０１の周辺領域１１０は、走査線駆動回路部１０４が設けられる領域である。走査線駆動回路部１０４は、トランジスタ２５０を含む。トランジスタ２５０は、画素１０９に設けられるトランジスタ２１０および２２０と同様の構成であってもよく、異なる構成であってもよい。また、走査線駆動回路部１０４においては、遮光層２０３を設けなくてもよい。

走査線駆動回路部１０４と基板１０１の端部の間の領域に、対向電極２２４と透明導電膜２２６Ａが接続される陰極コンタクト１４０Ａが設けられる。透明導電膜２２６Ａは、導電層２２７Ａ、導電層２２８Ａ、配線層２２９Ａと電気的に接続される。すなわち、対向電極２２４は、配線層２２９Ａによって、複数の端子１０７のいずれかと電気的に接続される。

図５に示される基板１０１の周辺領域１１０において、基板周縁部３００の構造は図４〜６において説明された構造と同様の構造であるため、ここでの説明は省略される。

図６は、図１に示す表示装置１００をＤ１−Ｄ２線に沿って切断した断面図である。図６に示される基板１０１の周辺領域１１０は、折曲部１３０と複数の端子１０７と、を含む。

発光素子２４０の対向電極２２４は、透明導電膜２２６と接続される陰極コンタクト１４０Ｂが設けられる。配線層２４３は、引き回し配線である。配線層２４３は、周辺領域１１０において延伸し、基板１０１の端部付近で露出される。配線層２４３と透明導電膜２４５と接する領域が端子１０７となる。

基板１０１の折り曲げに伴い、特に、無機絶縁層などは靱性に乏しいため、容易にクラックを生ずる。本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、折曲部１３０の無機絶縁層が除去されているため、基板１０１の折り曲げに伴い、折曲部１３０にクラックが入ることがない。なお、この領域の強度確保のため、折曲部１３０を覆うように、配線層２４４上に樹脂層等をさらに設けても良い。

図６に示される基板１０１の折曲部１３０近傍の基板周縁部３００の構造も、図４および５において説明された構造と同様の構造であるため、ここでの説明は省略される。なお、図６において、基板周縁部３００の第１無機絶縁層２３１と第２層間絶縁層２０９の間に設けられる隔壁２７２はなくてもよい。その場合、図４および５と同様に、第１無機絶縁層２３１が第２層間絶縁層２０９と重畳し接する。

図７は、図６に示される基板周縁部の一部３０５を拡大した図である。図７に示されるように、基板周縁部３００において、第１無機絶縁層２３１が露出する領域の幅はＷで示される。第１無機絶縁層２３１が露出する斜面と、第１無機絶縁層２３１が接する隔壁２７２の表面とのなす角度はαで示される。本発明の一実施形態において、第１無機絶縁層２３１が露出する領域の幅Ｗは、３．７μｍ以上５．６μｍ以下の範囲の値であることが好ましく、角度αは２０度以上２６度以下の範囲の値であることが好ましい。

図８（Ａ）は、図７に示される基板周縁部の一部３０５をさらに拡大し、基板周縁部の一部３０７を示した拡大図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）を上面からみた上面図である。図８（Ａ）は、図８（Ｂ）のＥ１−Ｅ２線に沿って切断した断面図である。

図８（Ａ）および（Ｂ）に示されるように、基板周縁部の一部３０７において、第１無機絶縁層２３１が露出する領域は、凹凸部３０１を含む。凹凸部３０１は、例えば、複数の有底孔３０２を含む。有底孔３０２の径はＤで示され、有底孔３０２の深さはＤＥＰで示される。

有底孔３０２の径Ｄは、第１無機絶縁層２３１の露出する斜面に形成される径を直径とする。なお、有底孔３０２の径Ｄは、第１無機絶縁層２３１の露出する斜面に形成される径の直径でなくともよい。例えば、有底孔３０２の底面の径としてもよい。また、有底孔３０２が円とみなせない場合、有底孔３０２の径Ｄの周囲の長さを円周とするような円の直径を、有底孔３０２の径Ｄの直径とする。また、図８（Ａ）に示されるように、有底孔３０２の深さＤＥＰは、例えば、第１無機絶縁層２３１の露出する斜面から、第１無機絶縁層２３１の露出する斜面と平行な線に接する点に引いた垂線の長さと定義する。本発明の一実施形態において、有底孔３０２の径Ｄは、０．１μｍ以上０．６μｍ以下の範囲の値であることが好ましい。

図８（Ａ）および（Ｂ）において、有底孔３０２の形状は、円状である例が示される。有底孔３０２の形状は、図８（Ａ）および（Ｂ）に示された形状に限定されない。有底孔３０２の形状は、だ円状でもよく、多角形状でもよい。また、図８（Ａ）および（Ｂ）において、有底孔３０２は、互いに接する部分と接しない部分を含むが、この構成に限定されない。さらに、複数の有底孔３０２の大きさは、略同じであってもよく、異なっていてもよい。複数の有底孔３０２の配置はランダムに設けられるが、Ｅ１−Ｅ２に沿う方向と、Ｅ１−Ｅ２交差する方向に配列されてもよい。また、凹凸部３０１の一部の領域において、複数の有底孔３０２の大きさは、第２無機絶縁層２３３側から、第２層間絶縁層２０９側に向かって、大きくなるように設けられてもよく、複数の有底孔３０２の大きさは、第２無機絶縁層２３３側から、第２層間絶縁層２０９側に向かって、小さくなるように設けられてもよい。

第１有機絶縁層２３２を、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３で封止することで、外部から侵入した水分が、第１有機絶縁層２３２を介して発光素子２４０に到達することを抑制することができる。また、第２有機絶縁層２３６が、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３をエッチングするためのマスクとして機能するため、第２無機絶縁層２３３の斜面の一部、および第１無機絶縁層２３１の斜面の一部を、基板１０１の中央に設けられる第２無機絶縁層２３３、および第１無機絶縁層２３１対して露出させることができる。さらに、基板周縁部３００において、第１無機絶縁層２３１が露出する領域が、凹凸部３０１を含むことで、表示装置に入射する光が乱反射する。その結果、基板周縁部３００は、黒い線のように見えるようになる。よって、表示装置１００の製造時の検査において、表示領域１０３に対して基板周縁部３００を特定することができる。すなわち、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造時の検査において、表示装置１００の封止される位置を特定することができる。したがって、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、発光素子に水分が侵入する製造不良を早期に発見することが可能な表示装置である。

なお、図４〜８においては、第２有機絶縁層２３６が、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３を覆い、第２有機絶縁層２３６をエッチングによって後退させることで、第１無機絶縁層２３１がエッチングされた例を示した。第２有機絶縁層２３６をエッチングによって後退させることで、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３の両方がエッチングされてもよい。その場合、第１無機絶縁層２３１と同様に、第２無機絶縁層２３３も凹凸部３０１を有してもよい。

本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、図４〜図８を参照して説明した構造を有することで、外部から侵入する水分を低減することができる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造時の検査において、表示装置１００の封止される位置を特定することができる。したがって、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、発光素子に水分が侵入する製造不良を早期に発見することが可能な表示装置である。

＜５．表示装置の製造方法＞
図９Ａおよび図９Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造方法を示す断面図である。図９Ａおよび図９Ｂに示されるように、製造方法の説明は、図６と同様に、図１に示す表示装置１００をＤ１−Ｄ２線に沿って切断した断面図を例に説明される。基板１０１から対向電極２２４までの製造方法は、例えば、公知技術である表示装置におけるトランジスタの作製工程および発光素子の作製工程を利用することができる。なお、これらの作製方法について、ここでの詳細な説明は省略される。図１〜図８と同一、または類似する構成については説明を省略することがある。

図９Ａに示されるように、封止膜２６０が発光素子２４０の対向電極２２４上に形成される。封止膜２６０の一つとして、第１無機絶縁層２３１を形成する。続いて、封止膜２６０の一つとして、第１有機絶縁層２３２が、第１無機絶縁層２３１上に形成される。第１無機絶縁層２３１は、スパッタリング法またはＣＶＤ法などで形成することができる。また、第１有機絶縁層２３２は、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法、またはインクジェット法などで形成することができる。

次に、封止膜２６０の一つとして、第２無機絶縁層２３３が第１有機絶縁層２３２上に形成される。第２無機絶縁層２３３は、第１無機絶縁層２３１と同様に、スパッタリング法またはＣＶＤ法などで形成することができる。

続いて、図９Ｂに示されるように、第２有機絶縁層２３６が、第２無機絶縁層２３３上に形成される。第２有機絶縁層２３６の膜厚が１０μｍ未満の場合、後工程におけるハンドリングに伴うキズを防止できない可能性がある。また、第２有機絶縁層２３６の膜厚が、例えば、２０μｍを超えると、第２有機絶縁層２３６を形成する材料である樹脂の塗布量が多くなるため、硬化不良に起因する表示不良（スジ等）が生じる可能性がある。よって、第２有機絶縁層２３６の膜厚は、１０ｎｍ以上２０μｍ以下の範囲の値であることが好ましい。

次に、図示は省略されるが、第２有機絶縁層２３６をマスクとして、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３をエッチングする。本発明の一実施形態において、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３は、ドライエッチングによって形成される。例えば、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３は、フッ素系ガスと、酸素ガス（Ｏ_２ガス）を用いて、ドライエッチングされる。フッ素系ガスと、酸素ガス（Ｏ_２ガス）を用いることによって、第２無機絶縁層２３３は、図５および図６に示されるような斜面と、凹凸部３０１を有することができる。

また、例えば、フッ素系ガスと、酸素ガス（Ｏ_２ガス）のガス流量比を変えることで、第１無機絶縁層２３１の斜面の角度α、第１無機絶縁層２３１の幅Ｗ、有底孔３０２の径Ｄ、有底孔３０２の深さＤＥＰなどを変えることができる。すなわち、フッ素系ガスと、酸素ガス（Ｏ_２ガス）のガス流量比を変えることで凹凸部３０１の構造を変えることができる。具体的には、フッ素系ガスに対して酸素ガス（Ｏ_２ガス）のガス流量比を減らすことで、有底孔３０２の径Ｄを大きく、有底孔３０２の深さＤＥＰを深くすることができる。すなわち、第１無機絶縁層２３１の表面を粗くすることができる。

例えば、イオンクロマトグラフ法によって、ドライエッチング前後の第１無機絶縁層２３１中のイオン種成分を測定すると、ドライエッチング後の第１無機絶縁層２３１におけるフッ素イオンの割合は、ドライエッチング前の第１無機絶縁層２３１におけるフッ素イオンの割合の２倍以上となる。このとき、第１無機絶縁層２３１の面積は、２１０μｍ^２である。

また、例えば、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）によって、ドライエッチング前後の第１無機絶縁層２３１中のイオン種成分を測定すると、ドライエッチング後の第１無機絶縁層２３１におけるフッ素イオンの割合は、ドライエッチング前の第１無機絶縁層２３１におけるフッ素イオンの割合の１００倍以上となる。このとき、第１無機絶縁層２３１の面積は、５００μｍ^２である。

第２無機絶縁層２３３の表面が粗くなると、凹凸部３０１の凹凸の差がより明瞭になるため、表示装置に入射する光が乱反射し易くなる。その結果、基板周縁部３００の黒い線が、より明瞭になる。よって、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造時の検査において、表示装置１００の封止される位置を特定し易くなるため、発光素子に水分が侵入する製造不良を発見し易くなる。

第２有機絶縁層２３６をエッチングによって後退させることで、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３がエッチングされ、第２有機絶縁層２３６、第２無機絶縁層２３３、および第１無機絶縁層２３１に斜面が形成される。また、第２有機絶縁層２３６をエッチングによって後退させることで、第２無機絶縁層２３３の斜面の一部、および第１無機絶縁層２３１の斜面の一部を、基板１０１の中央に設けられる第２無機絶縁層２３３、および第１無機絶縁層２３１対して露出させることができる。基板１０１の中央に設けられる第２無機絶縁層２３３、および第１無機絶縁層２３１は、第２有機絶縁層２３６によって覆われている。そのため、基板１０１の中央に設けられる第２無機絶縁層２３３、および第１無機絶縁層２３１には、基板周縁部３００に示されるような凹凸部３０１は形成されない。したがって、本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、基板１０１の中央部（表示領域１０３の中央部）と、表示領域１０３に連続して設けられる周辺領域１１０の基板周縁部３００において、第１無機絶縁層２３１の表面の粗さを変えることができる。本発明の一実施形態に係る第１無機絶縁層２３１の構成によって、表示領域１０３の中央部と、基板周縁部３００の色目を変えることができる。

また、第２有機絶縁層２３６をマスクとして、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３をエッチングすることで、基板１０１の周辺領域１１０において、第１無機絶縁層２３１および第２無機絶縁層２３３が除去され、端子１０７を露出させることができる。

最後に、第２有機絶縁層２３６上に、偏光板１０２を貼り付けることで、本発明の一実施形態に係る表示装置１００を製造することができる。

＜第２実施形態＞
本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構造の他の一例について、図１０乃至図１３を参照して説明する。本発明の一実施形態では、封止膜２６０の上方にタッチセンサ１２０が設けられた表示装置１００Ａについて説明する。図１〜図９と同一、または類似する構成については説明を省略することがある。

図１０は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ａの平面図である。図１０に示す表示装置１００Ａは、基板１０１上に設けられた表示領域１０３と重なるようにタッチセンサ１２０が設けられていること、および走査線駆動回路部１０４と、偏光板１０２の図示を省略していること以外は、図１に示す表示装置１００の構成と同様である。

タッチセンサ１２０は、行方向にストライプ状に配列された複数のセンサ電極１２１と、列方向にストライプ状に配列された複数のセンサ電極１２２と、をする。センサ電極１２１とセンサ電極１２２の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。各センサ電極１２１と各センサ電極１２２は互いに離間しており、これらの間で容量が形成される。例えば、人の指等がセンサ電極１２１およびセンサ電極１２２を介して表示領域１０３に触れる（以下、タッチとする）ことで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、センサ電極１２１とセンサ電極１２２により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ１２０が形成される。

センサ電極１２２は、周辺領域１１０に配置される配線層２４３と電気的に接続される。端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８と接続され、ドライバＩＣ１０６からタッチセンサ用信号が、端子１０７を経由してセンサ電極１２２に与えられる。なお、配線層２４３は、走査線駆動回路部１０４と重なる領域に設けられていてもよい。

同様に、センサ電極１２１は、周辺領域１１０に配置される配線層２４４と電気的に接続される。端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８と接続され、ドライバＩＣ１０６からタッチセンサ用信号が、端子１０７を介してセンサ電極１２２に与えられる。

タッチセンサ１２０において、センサ電極１２１は、ほぼ四角形の形状を有する複数の開口１３４を含む導電層１３１と、接続電極１２３と、を有し、センサ電極１２２は、ほぼ四角形の形状を有する複数の開口１３２を含む導電層１３３と、接続領域１３５と、を有している。また、センサ電極１２１と、センサ電極１２２とは、互いに離間しており、電気的に独立する。

図１１は、図１０に示す表示装置１００Ａにおける領域１５０の拡大図である。図１１において、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とを区別するために、異なるハッチングを付して図示しているが、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とは同じ導電層から形成されるものである。センサ電極１２１において、左右に隣り合う導電層１３３は、接続領域１３５を介して接続されている。センサ電極１２２において、上下に隣り合う導電層１３１は、接続電極１２３を介して接続されている。導電層１３１および導電層１３３の各々において、複数の開口１３２および複数の開口１３４は、マトリクス状に配列されている。これにより、導電層１３１および導電層１３３は、メッシュ状の形状を有している。ここで、導電層１３１を構成する配線の幅ｌは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。同様に、導電層１３３を構成する配線の幅ｍは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。

図１１に示すように、左右に隣り合う導電層１３３を接続する接続領域１３５は、第１方向に沿って設けられており、上下に隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１２３は、第１方向と交差する第２方向に沿って設けられている。換言すると、接続電極１２３は、センサ電極１２１の一部と交差する領域を有している。なお、図１１において、接続電極１２３の幅は、導電層１３１の幅ｌと同じ幅で図示しているが、導電層１３１の幅ｌよりも大きくてもよい。接続電極１２３は、画素１０９の発光素子２４０の発光領域と重ならないことが好ましい。

図１２は、図１１に示すタッチセンサ１２０をＧ１−Ｇ２線に沿って切断した断面図である。なお、図１２において、第１無機絶縁層２３１よりも下層の構造については図示を省略している。図１２に示すように、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とが接触することを防止するために、センサ電極１２１の導電層１３１およびセンサ電極１２２の導電層１３３の下層に第３無機絶縁層２３７を設ける。そして、当該第３無機絶縁層２３７を介して、センサ電極１２２の上下に隣り合う導電層１３１を接続するための接続電極１２３を設ける。これにより、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とが交差する領域において、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とが接触することを防止できる。

第３無機絶縁層２３７は第２有機絶縁層２３６と接する。第３無機絶縁層２３７の材料として、第１無機絶縁層２３１または第２無機絶縁層２３３の材料と同様の材料を用いることで、第３無機絶縁層２３７は、第２有機絶縁層２３６との密着性を向上させることができる。第３無機絶縁層２３７の材料として、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、または窒化酸化シリコンなどを用いることができる。

図１３は、図１０に示す表示装置１００ＡをＦ１−Ｆ２線に沿って切断した断面図である。具体的には、図１３は、センサ電極１２２と接続電極１２３との接続領域を示す。基板１０１から封止膜２６０までの構成については、図１と同様である。本発明の一実施形態では、封止膜２６０の第２無機絶縁層２３３上に、タッチセンサ１２０が設けられている。第２無機絶縁層２３３上に、接続電極１２３が設けられ、接続電極１２３上に、第２有機絶縁層２３６が設けられ、第２有機絶縁層２３６上に、センサ電極１２２が設けられている。配線層２４４Ａは、周辺領域１１０において延伸し、周辺領域１１０の端部付近で露出される。配線層２４４Ａと透明導電膜２４５と接する領域が端子１０７となる。

表示装置１００Ａの基板周縁部３００の構成は、表示装置１００と同様の構成を有する。したがって、封止膜２６０の上方にタッチセンサ１２０が設けられた表示装置１００Ａにおいても、表示装置１００と同様に、製造時の検査において、封止される位置を特定することができる。

本発明の実施形態として上述した表示装置１００および１００Ａを元にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の一実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の自発光型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置に適用することができる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に相当し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、本発明の一実施形態において態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００、１００Ａ：表示装置、１０１：基板、１０１ａ：第１樹脂層、１０１ｂ：無機層、１０１ｃ：第２樹脂層、１０２：偏光板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路部、１０５：端子部、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路基板、１０９：画素、１１０：周辺領域、１１１：走査線、１１２：信号線、１１４：駆動電源線、１１６：基準電源線、１２０：タッチセンサ、１２１：センサ電極、１２２：センサ電極、１２３：接続電極、１３０：折曲部、１３１：導電層、１３２：開口、１３３：導電層、１３４：開口、１３５：接続領域、１４０：陰極コンタクト、１４０Ａ：陰極コンタクト、１４０Ｂ：陰極コンタクト、１５０：領域、２０２：アンダーコート層、２０２ａ：酸化シリコン層、２０２ｂ：窒化シリコン層、２０２ｃ：酸化シリコン層、２０３：遮光層、２０４：半導体層、２０４ａ：チャネル領域、２０４ｂ：低濃度不純物領域、２０４ｃ：低濃度不純物領域、２０４ｄ：ソース領域、２０４ｅ：ドレイン領域、２０５：ゲート絶縁層、２０６ａ：ゲート電極、２０６ｂ：導電層、２０７：第１層間絶縁層、２０８ａ：ソース電極、２０８ｂ：ドレイン電極、２０９：第２層間絶縁層、２１０：トランジスタ、２１１：平坦化膜、２１２ａ：透明導電膜、２１２ｂ：透明導電膜、２１３：絶縁層、２２０：トランジスタ、２２２：画素電極、２２３：有機層、２２４：対向電極、２２５：絶縁層、２２６：透明導電膜、２２６Ａ：透明導電膜、２２７：導電層、２２７Ａ：導電層、２２８：導電層、２２８Ａ：導電層、２２９：配線層、２２９Ａ：配線層、２３０：容量素子、２３１：第１無機絶縁層、２３２：第１有機絶縁層、２３３：第２無機絶縁層、２３６：第２有機絶縁層、２３７：第３無機絶縁層、２４０：発光素子、２４３：配線層、２４４：配線層、２４４Ａ：配線層、２４５：透明導電膜、２５０：トランジスタ、２６０：封止膜、２７１：隔壁、２７２：隔壁、３００：基板周縁部、３０１：凹凸部、３０２：有底孔、基板周縁部の一部：３０５、基板周縁部の一部：３０７

Claims (7)

1. 表示領域と、
   前記表示領域よりも外側に設けられた周辺領域と、
   を含み、
   前記周辺領域は、
   層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜の上に設けられた第１無機絶縁層と、
   前記第１無機絶縁層の上に設けられた第１有機絶縁層と、
   前記第１有機絶縁層の上に設けられた第２無機絶縁層と、
   前記第２無機絶縁層の上に設けられた第２有機絶縁層と、
   を含み、
   前記第１無機絶縁層の斜面よりも前記表示領域側の前記第１無機絶縁層の一部は、前記第２無機絶縁層に接し、
   前記第１無機絶縁層の斜面は、
   前記周辺領域の端部において露出され、
   有底孔を含む凹凸部を含み、
   前記凹凸部に含まれるフッ素イオンの濃度は、前記表示領域に設けられた第１無機絶縁層に含まれるフッ素イオンの濃度の１００倍以上である、
   表示装置。
2. 前記表示領域における前記第１無機絶縁層は、前記凹凸部を含まない、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１無機絶縁層の斜面と、前記第１無機絶縁層が接する前記層間絶縁膜の表面とがなす角度αは、２０度以上２６度以下である、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記有底孔の径は、０．１μｍ以上０．６μｍ以下である、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 断面視において、前記第１無機絶縁層が露出する幅Ｗは、３．７μｍ以上５．６μｍ以下である請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層の少なくとも１つは、窒化物を含む、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記窒化物は、窒化シリコンである請求項６に記載の表示装置。

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