JP2021052102A - λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER - Google Patents
λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021052102A JP2021052102A JP2019174468A JP2019174468A JP2021052102A JP 2021052102 A JP2021052102 A JP 2021052102A JP 2019174468 A JP2019174468 A JP 2019174468A JP 2019174468 A JP2019174468 A JP 2019174468A JP 2021052102 A JP2021052102 A JP 2021052102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radio wave
- wave absorber
- type radio
- layer
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 26
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 25
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 11
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 144
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 29
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 25
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 21
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 19
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 10
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 10
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 10
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 9
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 6
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229940008099 dimethicone Drugs 0.000 description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000008415 Lactuca sativa Species 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005670 ethenylalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 235000012045 salad Nutrition 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IFPMZBBHBZQTOV-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trinitro-2-(2,4,6-trinitrophenyl)-4-[2,4,6-trinitro-3-(2,4,6-trinitrophenyl)phenyl]benzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+](=O)[O-])=CC([N+]([O-])=O)=C1C1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C(C=2C(=C(C=3C(=CC(=CC=3[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)C(=CC=2[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)=C1[N+]([O-])=O IFPMZBBHBZQTOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 1-palmitoyl-2-arachidonoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)OC(=O)CCC\C=C/C\C=C/C\C=C/C\C=C/CCCCC IIZPXYDJLKNOIY-JXPKJXOSSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXDKYLIIBXCOQO-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3,5,7,9,11-hexaoxa-2,4,6,8,10,12-hexasilacyclododecane Chemical compound C[SiH]1O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O[SiH2]O1 PXDKYLIIBXCOQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADANNTOYRVPQLJ-UHFFFAOYSA-N [dimethyl(trimethylsilyloxy)silyl]oxy-[[dimethyl(trimethylsilyloxy)silyl]oxy-dimethylsilyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C ADANNTOYRVPQLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K aluminium tristearate Chemical compound [Al+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O CEGOLXSVJUTHNZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940063655 aluminum stearate Drugs 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N hypofluorous acid Chemical compound FO AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000787 lecithin Substances 0.000 description 1
- 229940067606 lecithin Drugs 0.000 description 1
- 235000010445 lecithin Nutrition 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002737 metalloid compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229940008424 tetradecamethylhexasiloxane Drugs 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N tin(4+) Chemical compound [Sn+4] SYRHIZPPCHMRIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000015112 vegetable and seed oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000008158 vegetable oil Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、λ／４型電波吸収体等に関する。 The present invention relates to a λ / 4 type radio wave absorber and the like.
近年、携帯電話やスマートフォン等の携帯通信機器の普及が急速に進んでおり、また自動車等において多くの電子機器が搭載されるようになり、これらから発生する電波・ノイズを原因とする電波障害、他の電子機器の誤動作等の問題が多発している。このような電波障害、誤動作等を防止する方策として、各種の電波吸収体が検討されている。例えば、特許文献１には、６０〜９０ＧＨｚの周波数帯域において、電磁波吸収量が２０ｄＢ以上である周波数帯域の帯域幅が２ＧＨｚ以上である電磁波吸収体が開示されている。 In recent years, mobile communication devices such as mobile phones and smartphones have rapidly become widespread, and many electronic devices have come to be installed in automobiles, etc., and radio interference caused by radio waves and noise generated from these devices, Problems such as malfunction of other electronic devices occur frequently. Various radio wave absorbers are being studied as measures to prevent such radio interference and malfunction. For example, Patent Document 1 discloses an electromagnetic wave absorber having a bandwidth of 2 GHz or more in a frequency band having an electromagnetic wave absorption amount of 20 dB or more in a frequency band of 60 to 90 GHz.
通信技術や自動運転技術において高周波数領域の電波に関して広周波数範囲において高く吸収するλ／４型電波吸収体の需要が高まっている。これらの電波吸収体は車のバンパーなどの紫外線にさらされる可能性のある部位へ貼付して用いられることがある。このような場合、光や紫外線への耐光性、及び防汚性に優れている必要がある。 In communication technology and autonomous driving technology, there is an increasing demand for a λ / 4 type radio wave absorber that absorbs radio waves in a high frequency range at a high frequency in a wide frequency range. These radio wave absorbers may be used by being attached to a part that may be exposed to ultraviolet rays such as a bumper of a car. In such a case, it is necessary to have excellent light resistance to light and ultraviolet rays and antifouling property.
そこで、本発明は、耐光性及び防汚性に優れたλ／４型電波吸収体を提供することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a λ / 4 type radio wave absorber having excellent light resistance and antifouling property.
本発明者は、上記課題に鑑みて鋭意研究を進めた結果、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層をこの順に含むλ／４型電波吸収体であって、支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であり、且つ前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、λ／４型電波吸収体、であれば、上記課題を解決できることを見出した。本発明者はこの知見に基づいてさらに研究を進めた結果、本発明を完成させた。 As a result of diligent research in view of the above problems, the present inventor is a λ / 4 type radio wave absorber containing a support, a resistance film, a dielectric layer, and a reflective layer in this order, and is the outermost surface on the support side. It has been found that the above problem can be solved by a λ / 4 type radio wave absorber having a surface tension of 35 dyn / cm or more and a total light transmittance of 30% or less of the support. The present inventor has completed the present invention as a result of further research based on this finding.
即ち、本発明は、下記の態様を包含する。 That is, the present invention includes the following aspects.
項１． 支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層をこの順に含むλ／４型電波吸収体であって、支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であり、且つ前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、λ／４型電波吸収体。 Item 1. A λ / 4 type radio wave absorber containing a support, a resistance film, a dielectric layer, and a reflective layer in this order, the surface tension of the outermost surface on the support side is 35 dyn / cm or more, and the total light rays of the support. A λ / 4 type radio wave absorber having a transmittance of 30% or less.
項２． 前記支持体が光反射剤を含有する、項１に記載のλ／４型電波吸収体。 Item 2. Item 2. The λ / 4 type radio wave absorber according to Item 1, wherein the support contains a light reflector.
項３． 前記光反射剤が二酸化チタンである、項２に記載のλ／４型電波吸収体。 Item 3. Item 2. The λ / 4 type radio wave absorber according to Item 2, wherein the light reflector is titanium dioxide.
項４． 前記抵抗膜がモリブデンを含有する、項１〜３のいずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 Item 4. Item 2. The λ / 4 type radio wave absorber according to any one of Items 1 to 3, wherein the resistance film contains molybdenum.
項５． 前記抵抗膜が酸化インジウムを含有する、項１〜３のいずれかに記載のλ／４型電波吸収体。 Item 5. Item 2. The λ / 4 type radio wave absorber according to any one of Items 1 to 3, wherein the resistance film contains indium oxide.
項６． 成形品と、前記成形品に取り付けられた項１〜５のいずれかに記載のλ／４型電波吸収体とを備える、電波吸収体付成形品。 Item 6. A molded product with a radio wave absorber, comprising the molded product and the λ / 4 type radio wave absorber according to any one of Items 1 to 5 attached to the molded product.
項７． ミリ波レーダーである、項６に記載の電波吸収体付成形品。 Item 7. Item 6. The molded product with a radio wave absorber according to Item 6, which is a millimeter-wave radar.
項８． 支持体、抵抗膜、及び誘電体層をこの順に含むλ／４型電波吸収体用部材であって、支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であり、且つ前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、λ／４型電波吸収体用部材。 Item 8. A λ / 4 type radio wave absorber member including a support, a resistance film, and a dielectric layer in this order, having a surface tension of 35 dyn / cm or more on the outermost surface on the support side and transmitting all light rays of the support. A member for a λ / 4 type radio wave absorber having a rate of 30% or less.
本発明によれば、耐光性及び防汚性に優れたλ／４型電波吸収体を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a λ / 4 type radio wave absorber having excellent light resistance and antifouling property.
本明細書中において、「含有」及び「含む」なる表現については、「含有」、「含む」、「実質的にからなる」及び「のみからなる」という概念を含む。 In the present specification, the expressions "contains" and "contains" include the concepts of "contains", "contains", "substantially consists" and "consists of only".
１．λ／４型電波吸収体
本発明は、その一態様において、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層をこの順に含むλ／４型電波吸収体であって、支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であり、且つ前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、λ／４型電波吸収体（本明細書において、「本発明のλ／４型電波吸収体」と示すこともある。）、に関する。以下に、これについて説明する。
1. 1. λ / 4 type radio wave absorber In one aspect, the present invention is a λ / 4 type radio wave absorber including a support, a resistance film, a dielectric layer, and a reflective layer in this order, and is the surface of the outermost surface on the support side. A λ / 4 type radio wave absorber having a tension of 35 dyn / cm or more and a total light transmittance of 30% or less of the support (in the present specification, the “λ / 4 type radio wave absorber of the present invention”. It may be shown as). This will be described below.
＜１−１．支持体＞
支持体により、抵抗膜を保護することができ、電波吸収体としての耐久性を高めることが可能である。支持体は、シート状のものである限り、特に制限されない。支持体としては、特に制限されないが、例えば樹脂基材が挙げられる。
<1-1. Support>
The support can protect the resistance film and enhance the durability as a radio wave absorber. The support is not particularly limited as long as it is in the form of a sheet. The support is not particularly limited, and examples thereof include a resin base material.
本発明においては、λ／４型電波吸収体の支持体側最表面（通常、支持体の抵抗膜側とは反対側の表面）の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上である。表面張力がこのような値を採ることによって、下記の全光線透過率と相まって、優れた耐光性及び防汚性を発揮することができる。該表面張力の上限は、特に制限されないが、製造時に支持体同士のブロッキングを抑える観点から、好ましくは６０ｄｙｎ／ｃｍ以下、より好ましくは５７ｄｙｎ／ｃｍ以下、さらに好ましくは５５ｄｙｎ／ｃｍ以下である。 In the present invention, the surface tension of the outermost surface of the λ / 4 type radio wave absorber on the support side (usually, the surface opposite to the resistance film side of the support) is 35 dyn / cm or more. When the surface tension takes such a value, excellent light resistance and antifouling property can be exhibited in combination with the following total light transmittance. The upper limit of the surface tension is not particularly limited, but is preferably 60 dyn / cm or less, more preferably 57 dyn / cm or less, still more preferably 55 dyn / cm or less, from the viewpoint of suppressing blocking between the supports during production.
表面張力は、ＪＩＳ Ｋ ６７６８「プラスチック−フィルム及びシート−ぬれ張力試験方法」に準じ、ぬれ張力試験用液（和光純薬製、ぬれ張力試験用混合液）を用いて測定することができる。 The surface tension can be measured by using a wet tension test liquid (a mixed liquid manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. for a wet tension test) according to JIS K 6768 "Plastic-Film and Sheet-Wet Tension Test Method".
支持体の全光線透過率は３０％以下である。支持体の全光線透過率がこのような値を採ることによって、上記の表面張力と相まって、優れた耐光性及び防汚性を発揮することができる。該全光線透過率の下限は、特に制限されず、例えば０．０１％以上、好ましくは０．０５％以上、より好ましくは０．１％以上である。 The total light transmittance of the support is 30% or less. By taking such a value for the total light transmittance of the support, excellent light resistance and antifouling property can be exhibited in combination with the above-mentioned surface tension. The lower limit of the total light transmittance is not particularly limited, and is, for example, 0.01% or more, preferably 0.05% or more, and more preferably 0.1% or more.
全光線透過率は、ヘーズメーター（日本電飾社製「ＮＤＨ−４０００」、又はその同等品）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１０５に基づいて、測定することができる。 The total light transmittance can be measured based on JIS K7105 using a haze meter (“NDH-4000” manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd. or an equivalent product thereof).
樹脂基材は、樹脂を素材として含む基材であって、シート状のものである限り、特に制限されない。樹脂基材は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。例えば、比誘電率を調整する観点から酸化チタン等が含まれていてもよい。樹脂基材中の樹脂の合計量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。 The resin base material is a base material containing a resin as a material, and is not particularly limited as long as it is in the form of a sheet. The resin base material may contain components other than the resin as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. For example, titanium oxide or the like may be contained from the viewpoint of adjusting the relative permittivity. The total amount of the resin in the resin base material is, for example, 80% by mass or more, preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more, still more preferably 99% by mass or more, and usually less than 100% by mass.
樹脂としては、特に制限されず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン樹脂、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等のポリビニルアセタール樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂等が挙げられる。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。 The resin is not particularly limited, and is, for example, a polyester resin such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, or modified polyester, a polyolefin such as a polyethylene (PE) resin, a polypropylene (PP) resin, a polystyrene resin, or a cyclic olefin resin. Similar resins, vinyl resins such as polyvinyl chloride and vinylidene chloride, polyvinyl acetal resins such as polyvinyl butyral (PVB), polyether ether ketone (PEEK) resin, polysulfone (PSF) resin, polyether sulfone (PES) resin. , Polycarbonate (PC) resin, polyamide resin, polyimide resin, acrylic resin, triacetyl cellulose (TAC) resin and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
これらの中でも、生産性や強度の観点から、好ましくはポリエステル系樹脂、より好ましくはポリエチレンテレフタレートが挙げられる。 Among these, polyester-based resins are preferable, and polyethylene terephthalate is more preferable, from the viewpoint of productivity and strength.
支持体の比誘電率は、特に制限されない。支持体の比誘電率は、例えば１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５である。 The relative permittivity of the support is not particularly limited. The relative permittivity of the support is, for example, 1 to 20, preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, and even more preferably 1 to 5.
支持体は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させるために、光反射剤を含有することが好ましい。光反射剤は、支持体材料（上記樹脂等）と混合された状態であってもよいし、支持体表面を構成するコーティング層に含まれていてもよい。好ましくは、光反射剤は、支持体材料（上記樹脂等）と混合された状態である。 The support preferably contains a light reflector in order to satisfy the above-mentioned range of surface tension and total light transmittance. The light reflector may be in a state of being mixed with the support material (the resin or the like), or may be contained in the coating layer constituting the surface of the support. Preferably, the light reflector is in a state of being mixed with the support material (the resin or the like).
光反射剤としては、紫外線や可視光等（特に紫外線）を反射、散乱等可能なものであって、且つ支持体に含まれていても本発明のλ／４型電波吸収体の電波吸収特性を著しく低下させない限り特に制限されず、例えば、無機粉体を使用することができる。 The light reflector is capable of reflecting and scattering ultraviolet rays, visible light, etc. (particularly ultraviolet rays), and even if it is contained in the support, the radio wave absorption characteristics of the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention. Is not particularly limited as long as it does not significantly reduce the amount, and for example, an inorganic powder can be used.
無機粉体の平均粒子径は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる観点から、好ましくは５０〜４００ｎｍ、より好ましくは６０〜３９０ｎｍ、さらに好ましくは７０〜３８０ｎｍである。 The average particle size of the inorganic powder is preferably 50 to 400 nm, more preferably 60 to 390 nm, and further preferably 70 to 380 nm from the viewpoint of satisfying the above-mentioned range of surface tension and total light transmittance.
無機粉体としては、例えば二酸化チタン、酸化亜鉛等の金属酸化物が挙げられる。これらの中でも、屈折率が大きく光の散乱が大きい為、全光線透過率を調整しやすいという観点から、二酸化チタンが好ましい。 Examples of the inorganic powder include metal oxides such as titanium dioxide and zinc oxide. Among these, titanium dioxide is preferable from the viewpoint that the total light transmittance can be easily adjusted because the refractive index is large and the light scattering is large.
光反射剤として適用される酸化亜鉛の平均粒子径は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる観点から、好ましくは５０〜４００ｎｍ、より好ましくは６０〜３９０ｎｍ、さらに好ましくは７０〜３８０ｎｍである。 The average particle size of zinc oxide applied as a light reflector is preferably 50 to 400 nm, more preferably 60 to 390 nm, still more preferably 70 to 70, from the viewpoint of satisfying the above-mentioned range of surface tension and total light transmittance. It is 380 nm.
酸化亜鉛として好ましくは、より分散性に優れたものであり、例えば、必要に応じて公知の方法で表面処理した酸化亜鉛を用いることができる。 The zinc oxide is preferably more dispersible, and for example, zinc oxide surface-treated by a known method can be used, if necessary.
酸化亜鉛の表面処理の方法としては、メチルハイドロジェンポリシロキサン、メチルポリシロキサン等のシリコーン処理；パーフルオロアルキルリン酸エステル、パーフルオロアルコール等によるフッ素処理；Ｎ−アシルグルタミン酸等によるアミノ酸処理；その他、レシチン処理；金属石鹸処理；脂肪酸処理；アルキルリン酸エステル処理等が挙げられる。なかでも、シリコーン表面処理を施した酸化亜鉛が好ましい。 As a method of surface treatment of zinc oxide, silicone treatment of methylhydrogenpolysiloxane, methylpolysiloxane, etc.; fluorine treatment with perfluoroalkyl phosphate, perfluoroalcohol, etc.; amino acid treatment with N-acylglutamic acid, etc.; Examples thereof include lecithin treatment; metal soap treatment; fatty acid treatment; alkyl phosphate treatment. Of these, zinc oxide with a silicone surface treatment is preferable.
酸化亜鉛の表面処理に用いられるシリコーンは、特に制限されないが、例えばメチルポリシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン、メチルハイドロジェンポリシロキサン、メチルシクロポリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ジメチルシロキサン／メチル（ポリオキシエチレン）シロキサン・メチル（ポリオキシプロピレン）シロキサン共重合体、ジメチルシロキサン／メチル（ポリオキシエチレン）シロキサン共重合体、ジメチルシロキサン・メチル（ポリオキシプロピレン）シロキサン共重合体、ジメチルシロキサン・メチルセチルオキシシロキサン共重合体、ジメチルシロキサン／メチルステアロキシシロキサン共重合体等の各種シリコーン油を挙げることができる。酸化亜鉛の表面処理に用いられるシリコーンは、好ましくはメチルハイドロジェンポリシロキサンである。 The silicone used for the surface treatment of zinc oxide is not particularly limited, and is, for example, methylpolysiloxane, methylphenylpolysiloxane, methylhydrogenpolysiloxane, methylcyclopolysiloxane, octamethylcyclotetrasiloxane, decamethylcyclopentasiloxane, and dodeca. Methylcyclohexasiloxane, octamethyltrisiloxane, tetradecamethylhexasiloxane, dimethylsiloxane / methyl (polyoxyethylene) siloxane / methyl (polyoxypropylene) siloxane copolymer, dimethylsiloxane / methyl (polyoxyethylene) siloxane co-weight Various silicone oils such as coalescing, dimethylsiloxane / methyl (polyoxypropylene) siloxane copolymer, dimethylsiloxane / methylcetyloxysiloxane copolymer, and dimethylsiloxane / methylstealoxysiloxane copolymer can be mentioned. The silicone used for the surface treatment of zinc oxide is preferably methylhydrogenpolysiloxane.
酸化亜鉛のシリコーン処理方法は、特に制限されず、従来公知の方法を適宜選択して行うことができる。 The method for treating zinc oxide with silicone is not particularly limited, and a conventionally known method can be appropriately selected and carried out.
光反射剤として適用される酸化亜鉛の市販品の例としては、ＭＺ−３００（表面処理剤なし、粒径３０〜４０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ−３０３Ｓ（メチコン処理、粒径３０〜４０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ−３０３Ｍ（ジメチコン処理、粒径３０〜４０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ−５００（表面処理剤なし、粒径２０〜３０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ−５０５Ｓ（メチコン処理、粒径２０〜３０ｎｍ、テイカ（株）製）、ＭＺ−５０５Ｍ（ジメチコン処理、粒径２０〜３０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ−７００（表面処理剤なし、粒径１０〜２０ｎｍ、テイカ（株））、ＭＺ−７０７Ｓ（メチコン処理、粒径１０〜２０ｎｍ、テイカ（株））、ＦＩＮＥＸ−２５（表面処理剤なし、粒径６０ｎｍ、堺化学（株）製）、ＦＩＮＥＸ−２５ＬＰ（ジメチコン処理、粒径６０ｎｍ、堺化学（株））、ＦＩＮＥＸ−５０（表面処理剤なし、粒径２０ｎｍ、堺化学（株））、ＦＩＮＥＸ−５０ＬＰ（ジメチコン処理、粒径２０ｎｍ、堺化学（株））、ＦＩＮＥＸ−７５（表面処理剤なし、粒径１０ｎｍ、堺化学（株）製）などが挙げられる。 Examples of commercially available zinc oxide products applied as light reflectors include MZ-300 (without surface treatment agent, particle size 30-40 nm, Teika Co., Ltd.), MZ-303S (methicone treatment, particle size 30-40 nm). , Teika Co., Ltd., MZ-303M (dimethicone treatment, particle size 30-40 nm, Teika Co., Ltd.), MZ-500 (no surface treatment agent, particle size 20-30 nm, Teika Co., Ltd.), MZ-505S (Meticcon treatment, particle size 20 to 30 nm, manufactured by Teika Co., Ltd.), MZ-505M (Dimethicon treatment, particle size 20 to 30 nm, Teika Co., Ltd.), MZ-700 (no surface treatment agent, particle size 10 to 20 nm) , Teika Co., Ltd., MZ-707S (Meticcon treatment, particle size 10 to 20 nm, Teika Co., Ltd.), FINEX-25 (no surface treatment agent, particle size 60 nm, manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.), FINEX-25LP (Dimethicone treatment, particle size 60 nm, Sakai Chemical Co., Ltd.), FINEX-50 (no surface treatment agent, particle size 20 nm, Sakai Chemical Co., Ltd.), FINEX-50LP (Dimethicone treatment, particle size 20 nm, Sakai Chemical Co., Ltd.) )), FINEX-75 (without surface treatment agent, particle size 10 nm, manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.) and the like.
光反射剤として適用される二酸化チタンの平均粒子径は、上記した表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる観点から、好ましくは５０〜４００ｎｍ、より好ましくは６０〜３９０ｎｍ、さらに好ましくは７０〜３８０ｎｍである。 The average particle size of titanium dioxide applied as a light reflector is preferably 50 to 400 nm, more preferably 60 to 390 nm, still more preferably 70 to 70, from the viewpoint of satisfying the above-mentioned range of surface tension and total light transmittance. It is 380 nm.
光反射剤として適用される二酸化チタンとしては、紫外線散乱効果を高めるために、表面処理が施されたものが好ましい。二酸化チタンの表面処理法としては、特段の限定を受けずに用いることができる。表面処理法としては、例えば、二酸化チタン表面に油脂を吸着させる方法；水酸基等の官能基を利用しエステル化又はエーテル化を起こさせた二酸化チタンを脂肪酸で処理する脂肪酸処理法；脂肪酸処理法において、脂肪酸に代えてステアリン酸アルミニウム又はステアリン酸亜鉛のような脂肪酸のアルミニウム塩又は亜鉛塩を用いる金属石鹸処理法；脂肪酸処理法において、脂肪酸に代えてメチルポリシロキサンまたはメチルハイドロジェンポリシロキサンを用いるシリコーン処理法；脂肪酸処理法において、さらに脂肪酸に代えてパーフルオロアルキル基を有するフッ素化合物で処理する方法等が挙げられる。 As the titanium dioxide applied as a light reflector, it is preferable that the titanium dioxide has been surface-treated in order to enhance the ultraviolet scattering effect. As a surface treatment method for titanium dioxide, it can be used without any particular limitation. Examples of the surface treatment method include a method of adsorbing fats and oils on the surface of titanium dioxide; a fatty acid treatment method of treating titanium dioxide that has been esterified or etherified using a functional group such as a hydroxyl group with a fatty acid; in a fatty acid treatment method. , Metal soap treatment method using aluminum salt or zinc salt of fatty acid such as aluminum stearate or zinc stearate instead of fatty acid; silicone using methyl polysiloxane or methyl hydrogen polysiloxane instead of fatty acid in fatty acid treatment method. Treatment method: In the fatty acid treatment method, a method of further treating with a fluorine compound having a perfluoroalkyl group instead of the fatty acid and the like can be mentioned.
光反射剤として適用される二酸化チタンの具体例として、タイペークＣＲ−５０（酸化アルミニウム処理、粒径２５ｎｍ、石原産業（株）製）、バイエルチタンＲ−ＫＢ−１（酸化亜鉛処理、酸化アルミニウム処理、二酸化ケイ素処理、粒径３０ｎｍ〜４０ｎｍ、バイエル社製）、タイペークＴＴＯ−Ｍ−１（酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム処理、粒径１０ｎｍ〜２５ｎｍ、石原産業（株）製）、タイペークＴＴＯ−Ｄ−１（酸化ジルコニウム処理、酸化アルミニウム処理、粒径２０ｎｍ〜３０ｎｍ、石原産業（株）製）、ソラベールＣＴ−１００、ソラベールＣＴ−２００、ソラベールＣＴ−３００、ソラベールＣＴ−４３４クローダージャパン（株）製）、ＳＴＲ−１００シリーズ、ＳＴＲ−４０（堺化学（株）製）が挙げられる。但し、これら例示に限定されるものでない。 Specific examples of titanium dioxide applied as a light reflector include Typake CR-50 (aluminum oxide treatment, particle size 25 nm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), Bayer Titanium R-KB-1 (zinc oxide treatment, aluminum oxide treatment). , Silicon dioxide treatment, particle size 30nm-40nm, manufactured by Bayer), Typake TTO-M-1 (zirconium oxide, aluminum oxide treatment, particle size 10nm-25nm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), Typake TTO-D-1 (Zirconium oxide treatment, aluminum oxide treatment, particle size 20 nm to 30 nm, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.), Sorabert CT-100, Soraber CT-200, Soraber CT-300, Soraber CT-434 manufactured by Crowder Japan Co., Ltd.) , STR-100 series, STR-40 (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.). However, the present invention is not limited to these examples.
上述の表面張力及び全光線透過率の範囲を充足させる方法としては、上記した光反射剤を配合する以外にも、例えば光吸収剤を含有する塗料により支持体表面を塗工する等の方法が挙げられる。 As a method for satisfying the above-mentioned range of surface tension and total light transmittance, in addition to the above-mentioned light reflecting agent, for example, a method of coating the surface of the support with a paint containing a light absorber is used. Can be mentioned.
支持体の厚みは、特に制限されない。支持体の厚みは、例えば５μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３００μｍ以下である。 The thickness of the support is not particularly limited. The thickness of the support is, for example, 5 μm or more and 500 μm or less, preferably 10 μm or more and 300 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 300 μm or less.
支持体の層構成は特に制限されない。支持体は、１種単独の支持体から構成されるものであってもよいし、２種以上の支持体が複数組み合わされたものであってもよい。 The layer structure of the support is not particularly limited. The support may be composed of one type of support alone, or may be a combination of a plurality of types of two or more types of supports.
＜１−２．抵抗膜＞
抵抗膜は、電波吸収体において抵抗層として機能し得る層を含む限り特に制限されない。
<1-2. Resistive film>
The resistance film is not particularly limited as long as it includes a layer that can function as a resistance layer in the radio wave absorber.
抵抗膜の抵抗値は、特に制限されない。抵抗膜の抵抗値（シート抵抗）は、例えば１００〜８００Ω／□である。該範囲の中でも、より好ましくは１５０〜７５０Ω／□、さらに好ましくは２００〜６００Ω／□である。 The resistance value of the resistance film is not particularly limited. The resistance value (sheet resistance) of the resistance film is, for example, 100 to 800 Ω / □. Within this range, it is more preferably 150 to 750 Ω / □, still more preferably 200 to 600 Ω / □.
抵抗膜の抵抗値は、表面抵抗計（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＡＮＡ
ＬＹＴＥＣＨ社製、商品名「Ｌｏｒｅｓｔａ−ＥＰ」）を用いて、４端子法により測定することができる。
The resistance value of the resistance film is determined by the surface resistance meter (MITSUBISHI CHEMICAL ANA).
It can be measured by the 4-terminal method using a trade name "Loresta-EP" manufactured by LYTECH.
抵抗膜の厚みは、本発明の特性を満たし得る抵抗値となるものである限り特に制限されない。抵抗膜の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 The thickness of the resistance film is not particularly limited as long as it has a resistance value that can satisfy the characteristics of the present invention. The thickness of the resistance film is, for example, 1 nm or more and 200 nm or less, preferably 2 nm or more and 100 nm or less, and more preferably 2 nm or more and 50 nm or less.
抵抗膜の層構成は特に制限されない。抵抗膜は、１種単独の層から構成されるものであってもよいし、２種以上の層が複数組み合わされたものであってもよい。 The layer structure of the resistance film is not particularly limited. The resistance film may be composed of a single layer of one type, or may be a combination of a plurality of layers of two or more types.
＜１−２−１．抵抗層＞
抵抗層の抵抗値は、本発明の特性を満たし得るものである限り特に制限されない。抵抗層の抵抗値は、例えば１００〜８００Ω／□である。該範囲の中でも、より好ましくは１５０〜７５０Ω／□、さらに好ましくは２００〜６００Ω／□である。
<1-2-1. Resistance layer>
The resistance value of the resistance layer is not particularly limited as long as it can satisfy the characteristics of the present invention. The resistance value of the resistance layer is, for example, 100 to 800 Ω / □. Within this range, it is more preferably 150 to 750 Ω / □, still more preferably 200 to 600 Ω / □.
抵抗層の厚みは、本発明の特性を満たし得る抵抗値となるものである限り特に制限されない。抵抗層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 The thickness of the resistance layer is not particularly limited as long as it has a resistance value that can satisfy the characteristics of the present invention. The thickness of the resistance layer is, for example, 1 nm or more and 200 nm or less, preferably 2 nm or more and 100 nm or less, and more preferably 2 nm or more and 50 nm or less.
抵抗層の層構成は特に制限されない。抵抗層は、１種単独の抵抗層から構成されるものであってもよいし、２種以上の抵抗層が複数組み合わされたものであってもよい。 The layer structure of the resistance layer is not particularly limited. The resistance layer may be composed of one type of resistance layer alone, or may be a combination of a plurality of types of resistance layers of two or more types.
＜１−２−１−１．酸化インジウム含有抵抗層＞
抵抗層としては、例えば酸化インジウム等の抵抗層材料を含有する抵抗層が挙げられる。好ましい一態様において、抵抗層材料としては、酸化インジウムに他の材料（ドーパント）がドープされてなる材料を含有することが好ましい。他の材料としては、特に制限されないが、例えば酸化スズ及び酸化亜鉛、並びにそれらの混合物等が挙げられる。
<1-2-1-1. Indium oxide-containing resistance layer>
Examples of the resistance layer include a resistance layer containing a resistance layer material such as indium oxide. In a preferred embodiment, the resistance layer material preferably contains a material obtained by doping indium oxide with another material (dopant). Other materials are not particularly limited, and examples thereof include tin oxide and zinc oxide, and mixtures thereof.
酸化インジウムに酸化スズがドープされてなる材料の中でも、好ましくは、酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ２Ｏ３）に酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ２）をドープしたもの（酸化インジウムスズ）（ｔｉｎ−ｄｏｐｅｄ ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ；ＩＴＯ）が挙げられる。非晶質構造が極めて安定であり、高温多湿の環境下においても抵抗層のシート抵抗の変動を抑えることができる点から、ＩＴＯ中のＳｎＯ２含有量は、好ましくは１〜４０重量％、より好ましくは２〜３５重量％である。 Among the materials obtained by doping indium oxide with tin oxide, preferably, indium (III) oxide (In 2 O 3 ) doped with tin (IV) (SnO 2 ) (indium tin oxide) (tin-). Doped indium oxide; ITO) can be mentioned. The SnO 2 content in ITO is preferably 1 to 40% by weight, because the amorphous structure is extremely stable and the fluctuation of the sheet resistance of the resistance layer can be suppressed even in a high temperature and high humidity environment. It is preferably 2 to 35% by weight.
抵抗層中の上記抵抗層材料の含有量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。 The content of the resistance layer material in the resistance layer is, for example, 50% by mass or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% by mass or more, and usually less than 100% by mass. is there.
＜１−３−１−２．モリブデン含有抵抗層＞
抵抗層としては、耐久性、シート抵抗の調整が容易である観点から、モリブデンを含有する抵抗層が好ましく用いられる。モリブデンの含有量の下限は特に限定されないが、より耐久性を高める観点から、５重量％が好ましく、７重量％がより好ましく、９重量％が更に好ましく、１１重量％がより更に好ましく、１３重量％が特に好ましく、１５重量％が非常に好ましく、１６重量％が最も好ましい。また、上記モリブデンの含有量の上限は、表面抵抗値の調整の容易化の観点から、３０重量％が好ましく、２５重量％がより好ましく、２０重量％が更に好ましい。
<1-3-1-2. Molybdenum-containing resistance layer>
As the resistance layer, a resistance layer containing molybdenum is preferably used from the viewpoint of durability and easy adjustment of sheet resistance. The lower limit of the molybdenum content is not particularly limited, but from the viewpoint of further enhancing durability, 5% by weight is preferable, 7% by weight is more preferable, 9% by weight is further preferable, 11% by weight is further preferable, and 13% by weight is used. % Is particularly preferred, 15% by weight is very preferred, and 16% by weight is most preferred. The upper limit of the molybdenum content is preferably 30% by weight, more preferably 25% by weight, still more preferably 20% by weight, from the viewpoint of facilitating adjustment of the surface resistance value.
上記抵抗層は、モリブデンを含有している場合、さらにニッケル及びクロムを含有することがより好ましい。抵抗層にモリブデンに加えてニッケル及びクロムを含有することでより耐久性に優れた電波吸収体とすることができる。ニッケル、クロム及びモリブデンを含有する合金としては、例えば、ハステロイＢ−２、Ｂ−３、Ｃ−４、Ｃ−２０００、Ｃ−２２、Ｃ−２７６、Ｇ−３０、Ｎ、Ｗ、Ｘ等の各種グレードが挙げられる。 When the resistance layer contains molybdenum, it is more preferable that the resistance layer further contains nickel and chromium. By containing nickel and chromium in addition to molybdenum in the resistance layer, a more durable radio wave absorber can be obtained. Alloys containing nickel, chromium and molybdenum include, for example, Hastelloy B-2, B-3, C-4, C-2000, C-22, C-276, G-30, N, W, X and the like. Various grades can be mentioned.
上記抵抗層がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、モリブデンの含有量が５重量％以上、ニッケルの含有量が４０重量％以上、クロムの含有量が１重量％以上であることが好ましい。モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量が上記範囲であることで、より耐久性に優れた電波吸収体とすることができる。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が７重量％以上、ニッケル含有量が４５重量％以上、クロム含有量が３重量％以上であることがより好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が９重量％以上、ニッケル含有量が４７重量％以上、クロム含有量が５重量％以上であることが更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１１重量％以上、ニッケル含有量が５０重量％以上、クロム含有量が１０重量％以上であることがより更に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１３重量％以上、ニッケル含有量が５３重量％以上、クロム含有量が１２重量％以上であることが特に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１５重量％以上、ニッケル含有量が５５重量％以上、クロム含有量が１５重量％以上であることが非常に好ましい。上記モリブデン、ニッケル及びクロムの含有量は、モリブデン含有量が１６重量％以上、ニッケル含有量が５７重量％以上、クロム含有量が１６重量％以上であることが最も好ましい。また、上記ニッケルの含有量は、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６５重量％以下であることが更に好ましい。上記クロム含有量の上限は、５０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以下であることがより好ましく、３５重量％以下であることが更に好ましい。 When the resistance layer contains molybdenum, nickel and chromium, it is preferable that the molybdenum content is 5% by weight or more, the nickel content is 40% by weight or more, and the chromium content is 1% by weight or more. When the contents of molybdenum, nickel and chromium are in the above range, a radio wave absorber having more excellent durability can be obtained. The molybdenum, nickel and chromium contents are more preferably 7% by weight or more, nickel content of 45% by weight or more, and chromium content of 3% by weight or more. The molybdenum, nickel and chromium contents are more preferably 9% by weight or more, the nickel content is 47% by weight or more, and the chromium content is 5% by weight or more. The molybdenum, nickel and chromium contents are more preferably 11% by weight or more, the nickel content is 50% by weight or more, and the chromium content is 10% by weight or more. As for the contents of molybdenum, nickel and chromium, it is particularly preferable that the molybdenum content is 13% by weight or more, the nickel content is 53% by weight or more, and the chromium content is 12% by weight or more. As for the contents of molybdenum, nickel and chromium, it is very preferable that the molybdenum content is 15% by weight or more, the nickel content is 55% by weight or more, and the chromium content is 15% by weight or more. Most preferably, the molybdenum, nickel and chromium contents are 16% by weight or more, the nickel content is 57% by weight or more, and the chromium content is 16% by weight or more. The nickel content is preferably 80% by weight or less, more preferably 70% by weight or less, and further preferably 65% by weight or less. The upper limit of the chromium content is preferably 50% by weight or less, more preferably 40% by weight or less, and further preferably 35% by weight or less.
上記抵抗層は、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属を含有してもよい。そのような金属としては、例えば、鉄、コバルト、タングステン、マンガン、チタン等が挙げられる。上記抵抗層がモリブデン、ニッケル及びクロムを含有する場合、上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の上限は、抵抗層の耐久性の観点から、好ましくは４５重量％、より好ましくは４０重量％、更に好ましくは３５重量％、より更に好ましくは３０重量％、特に好ましくは２５重量％、非常に好ましくは２３重量％である。上記モリブデン、ニッケル及びクロム以外の金属の合計含有量の下限は、例えば１重量％以上である。 The resistance layer may contain a metal other than molybdenum, nickel and chromium. Examples of such a metal include iron, cobalt, tungsten, manganese, titanium and the like. When the resistance layer contains molybdenum, nickel and chromium, the upper limit of the total content of metals other than molybdenum, nickel and chromium is preferably 45% by weight, more preferably 40, from the viewpoint of durability of the resistance layer. It is by weight%, more preferably 35% by weight, even more preferably 30% by weight, particularly preferably 25% by weight, and very preferably 23% by weight. The lower limit of the total content of the metals other than molybdenum, nickel and chromium is, for example, 1% by weight or more.
上記抵抗層が鉄を含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は２５重量％、より好ましい上限は２０重量％、更に好ましい上限は１５重量％であり、好ましい下限は１重量％である。上記抵抗層がコバルト及び／又はマンガンを含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、それぞれ独立して、含有量の好ましい上限は５重量％、より好ましい上限は４重量％、更に好ましい上限は３重量％であり、好ましい下限は０．１重量％である。上記抵抗層がタングステンを含有する場合、抵抗層の耐久性の観点から、含有量の好ましい上限は８重量％、より好ましい上限は６重量％、更に好ましい上限は４重量％であり、好ましい下限は１重量％である。 When the resistance layer contains iron, the preferable upper limit of the content is 25% by weight, the more preferable upper limit is 20% by weight, the further preferable upper limit is 15% by weight, and the preferable lower limit is 15% by weight from the viewpoint of the durability of the resistance layer. 1% by weight. When the resistance layer contains cobalt and / or manganese, the preferable upper limit of the content is 5% by weight, the more preferable upper limit is 4% by weight, and the further preferable upper limit is independently from the viewpoint of the durability of the resistance layer. It is 3% by weight, and the preferable lower limit is 0.1% by weight. When the resistance layer contains tungsten, the preferable upper limit of the content is 8% by weight, the more preferable upper limit is 6% by weight, the further preferable upper limit is 4% by weight, and the preferable lower limit is 4% by weight from the viewpoint of the durability of the resistance layer. 1% by weight.
上記抵抗層は、ケイ素及び／又は炭素を含有してもよい。抵抗層がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、それぞれ独立して、１重量％以下であることが好ましく０．５重量％以下であることがより好ましい。また、抵抗層がケイ素及び／又は炭素を含有する場合、上記ケイ素及び／又は炭素の含有量は、０．０１重量％以上であることが好ましい。 The resistance layer may contain silicon and / or carbon. When the resistance layer contains silicon and / or carbon, the content of silicon and / or carbon is preferably 1% by weight or less, more preferably 0.5% by weight or less, respectively. .. When the resistance layer contains silicon and / or carbon, the content of the silicon and / or carbon is preferably 0.01% by weight or more.
＜１−２−２．バリア層＞
耐久性の観点から、抵抗膜はバリア層を含むことが好ましい。バリア層は、抵抗層の少なくとも一方の表面上に配置される。バリア層について以下に詳述する。
<1-2-2. Barrier layer>
From the viewpoint of durability, the resistance film preferably includes a barrier layer. The barrier layer is placed on at least one surface of the resistance layer. The barrier layer will be described in detail below.
バリア層は、抵抗層を保護し、その劣化を抑えることができる層である限り、特に制限されない。バリア層の素材としては、例えば金属化合物、半金属化合物、好ましくは金属又は半金属の酸化物、窒化物、窒化酸化物等が挙げられる。バリア層は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、上記素材以外の成分が含まれていてもよい。その場合、バリア層中の上記素材量は、例えば８０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、より好ましくは９５質量％以上、さらに好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。 The barrier layer is not particularly limited as long as it is a layer capable of protecting the resistance layer and suppressing its deterioration. Examples of the material of the barrier layer include metal compounds, metalloid compounds, preferably metal or metalloid oxides, nitrides, nitride oxides and the like. The barrier layer may contain components other than the above-mentioned materials as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In that case, the amount of the material in the barrier layer is, for example, 80% by mass or more, preferably 90% by mass or more, more preferably 95% by mass or more, still more preferably 99% by mass or more, and usually less than 100% by mass. ..
バリア層が含む金属元素としては、例えばチタン、アルミニウム、ニオブ、コバルト、ニッケル等が挙げられる。バリア層が含む半金属元素としては、例えばケイ素、ゲルマニウム、アンチモン、ビスマス等が挙げられる。 Examples of the metal element contained in the barrier layer include titanium, aluminum, niobium, cobalt, nickel and the like. Examples of the metalloid element contained in the barrier layer include silicon, germanium, antimony, and bismuth.
上記酸化物としては、例えばＭＯＸ［式中、Ｘは式：ｎ／１００≦Ｘ≦ｎ／２（ｎは金属又は半金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。 As the oxide, for example, MO X [in the formula, X is a number satisfying the formula: n / 100 ≦ X ≦ n / 2 (n is a valence of a metal or a metalloid), and M is a metal element or It is a metalloid element. ], Examples thereof include compounds represented by.
上記窒化物としては、例えばＭＮｙ［式中、Ｙは式：ｎ／１００≦Ｙ≦ｎ／３（ｎは金属又は半金属の価数である）を満たす数であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。 As the above-mentioned nitride, for example, MN y [in the formula, Y is a number satisfying the formula: n / 100 ≦ Y ≦ n / 3 (n is a valence of a metal or a metalloid), and M is a metal element or It is a metalloid element. ], Examples thereof include compounds represented by.
上記窒化酸化物としては、例えばＭＯＸＮｙ［式中、ＸとＹは、ｎ／１００≦Ｘ、ｎ／１００≦Ｙ、かつ、Ｘ＋Ｙ＜ｎ／２（ｎは金属又は半金属の価数である）であり、Ｍは金属元素又は半金属元素である。］で表される化合物が挙げられる。 Examples of the nitride oxide include MO X N y [in the formula, X and Y are n / 100 ≦ X, n / 100 ≦ Y, and X + Y <n / 2 (n is a metal or metalloid valence). ), And M is a metal element or a metalloid element. ], Examples thereof include compounds represented by.
上記酸化物又は窒化酸化物の酸化数Ｘに関しては、例えばＭＯｘ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面を、ＦＥ−ＴＥＭ−ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＯｘ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＯとの元素比率からＸを算出することにより、酸素原子の価数を算出することができる。 For the oxidation number X of the oxide or oxynitride, for example MO a cross-section of the layer containing the x or MO x N y, FE-TEM -EDX ( e.g., manufactured by JEOL Ltd. "JEM-ARM200F") Elemental analysis Then, the valence of the oxygen atom can be calculated by calculating X from the elemental ratio of M and O per area of the cross section of the layer containing MO x or MO x N y.
上記窒化物又は窒化酸化物の窒素化数Ｙに関しては、例えばＭＮｙ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面を、ＦＥ−ＴＥＭ−ＥＤＸ（例えば、日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）により元素分析し、ＭＮｙ又はＭＯｘＮｙを含む層の断面の面積当たりのＭとＮとの元素比率からＹを算出することにより、窒素原子の価数を算出することができる。 Regarding the nitrogen oxide number Y of the nitride or nitride oxide, for example , the cross section of the layer containing MN y or MO x N y is elementalized by FE-TEM-EDX (for example, "JEM-ARM200F" manufactured by JEOL Ltd.). The valence of nitrogen atoms can be calculated by analyzing and calculating Y from the elemental ratio of M and N per area of the cross section of the layer containing MN y or MO x N y.
バリア層の素材の具体例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｕＯ、ＣｕＮ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）等が挙げられる。 Specific examples of the material of the barrier layer include SiO 2 , SiO x , Al 2 O 3 , MgAl 2 O 4 , CuO, CuN, TiO 2 , TiN, AZO (aluminum-doped zinc oxide) and the like.
バリア層の厚みは、特に制限されない。バリア層の厚みは、例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。 The thickness of the barrier layer is not particularly limited. The thickness of the barrier layer is, for example, 1 nm or more and 200 nm or less, preferably 1 nm or more and 100 nm or less, and more preferably 1 nm or more and 20 nm or less.
バリア層の層構成は特に制限されない。バリア層は、１種単独のバリア層から構成されるものであってもよいし、２種以上のバリア層が複数組み合わされたものであってもよい。 The layer structure of the barrier layer is not particularly limited. The barrier layer may be composed of one type of barrier layer alone, or may be a combination of two or more types of barrier layers.
＜１−３．誘電体層＞
誘電体層は、電波吸収体において目的の波長に対して誘電体として機能し得るものである限り、特に制限されない。誘電体層としては、特に制限されないが、例えば粘着剤層、樹脂シート、発泡体層等が挙げられる。
<1-3. Dielectric layer>
The dielectric layer is not particularly limited as long as it can function as a dielectric for a target wavelength in the radio wave absorber. The dielectric layer is not particularly limited, and examples thereof include an adhesive layer, a resin sheet, and a foam layer.
粘着剤層としては、粘着剤を含むものである限り、特に制限されない。粘着剤層は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、粘着剤以外の成分が含まれていてもよい。その場合、樹脂シート中の樹脂の合計量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。 The pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited as long as it contains a pressure-sensitive adhesive. The pressure-sensitive adhesive layer may contain components other than the pressure-sensitive adhesive as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In that case, the total amount of the resin in the resin sheet is, for example, 50% by mass or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% by mass or more, and usually less than 100% by mass. is there.
粘着剤としては、特に制限されず、例えばアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、フッ素系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、耐候性が高いという観点から、アクリル系粘着剤が好ましい。 The adhesive is not particularly limited, and for example, acrylic adhesive, urethane adhesive, polyolefin adhesive, polyester adhesive, vinyl alkyl ether adhesive, polyamide adhesive, rubber adhesive, silicone adhesive. Examples thereof include adhesives and fluorine-based adhesives. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable from the viewpoint of high weather resistance.
樹脂シートは、樹脂を素材として含むシート状のものである限り、特に制限されない。樹脂シートは、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、樹脂以外の成分が含まれていてもよい。その場合、樹脂シート中の樹脂の合計量は、例えば５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、通常１００質量％未満である。 The resin sheet is not particularly limited as long as it is in the form of a sheet containing resin as a material. The resin sheet may contain components other than the resin as long as the effects of the present invention are not significantly impaired. In that case, the total amount of the resin in the resin sheet is, for example, 50% by mass or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, still more preferably 95% by mass or more, and usually less than 100% by mass. is there.
樹脂としては、特に制限されず、例えばエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、塩化ビニル、ウレタン、アクリル、アクリルウレタン、ポリオレフィン、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、エポキシ等の合成樹脂や、ポリイソプレンゴム、ポリスチレン・ブタジエンゴム、ポリブタジエンゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル・ブタジエンゴム、ブチルゴム、アクリルゴム、エチレン・プロピレンゴムおよびシリコーンゴム等の合成ゴム材料を樹脂成分として用いることが好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上の組合せで使用することができる。 The resin is not particularly limited, and is, for example, ethylene vinyl acetate copolymer (EVA), vinyl chloride, urethane, acrylic, acrylic urethane, polyolefin, polyethylene, polypropylene, silicone, polyethylene terephthalate, polyester, polystyrene, polyimide, polycarbonate, polyamide. , Polysulfon, polyether sulfone, synthetic resins such as epoxy, polyisoprene rubber, polystyrene / butadiene rubber, polybutadiene rubber, chloroprene rubber, acrylonitrile / butadiene rubber, butyl rubber, acrylic rubber, ethylene / propylene rubber, silicone rubber, etc. It is preferable to use a rubber material as a resin component. These can be used alone or in combination of two or more.
誘電体層は、粘着性を備えるものであってもよい。このため、粘着性を有しない誘電体を粘着剤層により他の層に積層させる場合、該誘電体と粘着剤層とを合わせたものが「誘電体層」となる。隣接する層と積層し易いという観点から、誘電体層は、好ましくは粘着剤層を含む。 The dielectric layer may have adhesiveness. Therefore, when a dielectric having no adhesiveness is laminated on another layer by the pressure-sensitive adhesive layer, the combination of the dielectric and the pressure-sensitive adhesive layer becomes a "dielectric layer". The dielectric layer preferably includes an adhesive layer from the viewpoint of easy stacking with the adjacent layer.
誘電体層の比誘電率は、特に制限されない。誘電体層の比誘電率は、例えば１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜５である。 The relative permittivity of the dielectric layer is not particularly limited. The relative permittivity of the dielectric layer is, for example, 1 to 20, preferably 1 to 15, more preferably 1 to 10, and even more preferably 1 to 5.
誘電体層の比誘電率は、ネットワークアナライザー、空洞共振器などを用いて１０ＧＨｚにおける比誘電率を空洞共振器摂動法により測定することができるによって測定することができる。 The relative permittivity of the dielectric layer can be measured by using a network analyzer, a cavity resonator, or the like, and the relative permittivity at 10 GHz can be measured by the cavity resonator perturbation method.
誘電体層の厚みは、特に制限されない。誘電体層の厚みは、例えば１００〜１０００μｍ、好ましくは２００〜８００μｍ、より好ましくは３００〜７００μｍ、さらに好ましくは３５０〜６５０μｍである。 The thickness of the dielectric layer is not particularly limited. The thickness of the dielectric layer is, for example, 100 to 1000 μm, preferably 200 to 800 μm, more preferably 300 to 700 μm, and even more preferably 350 to 650 μm.
誘電体層の厚みは、Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＳＴＡＮＤＭＳ−１１Ｃ＋Ｎｉｋｏｎ ＤＩＧＩＭＩＣＲＯ ＭＦＣ−１０１によって測定することができる。 The thickness of the dielectric layer can be measured by Nikon DIGIMICRO STANDMS-11C + Nikon DIGIMICRO MFC-101.
誘電体層の層構成は特に制限されない。誘電体層は、１種単独の誘電体層から構成されるものであってもよいし、２種以上の誘電体層が複数組み合わされたものであってもよい。例えば、粘着性を有しない誘電体とその両面に配置された粘着剤層とからなる３層構造の誘電体層、粘着性を有する誘電体からなる１層構造の誘電体層等が挙げられる。 The layer structure of the dielectric layer is not particularly limited. The dielectric layer may be composed of one type of single dielectric layer, or may be a combination of two or more types of dielectric layers. For example, a three-layer structure dielectric layer composed of a non-adhesive dielectric and adhesive layers arranged on both sides thereof, a one-layer structure dielectric layer composed of an adhesive dielectric, and the like can be mentioned.
＜１−４．反射層＞
反射層は、電波吸収体において電波の反射層として機能し得るものである限り、特に制限されない。反射層としては、特に制限されないが、例えば金属膜が挙げられる。
<1-4. Reflective layer>
The reflective layer is not particularly limited as long as it can function as a radio wave reflecting layer in the radio wave absorber. The reflective layer is not particularly limited, and examples thereof include a metal film.
金属膜は、金属を素材として含む層である限り、特に制限されない。金属膜は、本発明の効果が著しく損なわれない限りにおいて、金属以外の成分が含まれていてもよい。その場合、金属膜中の金属の合計量は、例えば３０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは９０質量％以上、特に好ましくは９５質量％以上、非常に好ましくは９９質量％以上であり、通常１００質量％未満である。 The metal film is not particularly limited as long as it is a layer containing metal as a material. The metal film may contain a component other than the metal as long as the effect of the present invention is not significantly impaired. In that case, the total amount of the metal in the metal film is, for example, 30% by mass or more, preferably 50% by mass or more, more preferably 75% by mass or more, still more preferably 80% by mass or more, still more preferably 90% by mass or more. , Particularly preferably 95% by mass or more, very preferably 99% by mass or more, and usually less than 100% by mass.
金属としては、特に制限されず、例えばアルミニウム、銅、鉄、銀、金、クロム、ニッケル、モリブデン、ガリウム、亜鉛、スズ、ニオブ、インジウム等が挙げられる。また、金属化合物、例えばＩＴＯ等も、金属膜の素材として使用することができる。これらは１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。 The metal is not particularly limited, and examples thereof include aluminum, copper, iron, silver, gold, chromium, nickel, molybdenum, gallium, zinc, tin, niobium, and indium. Further, a metal compound such as ITO can also be used as a material for the metal film. These may be one kind alone or a combination of two or more kinds.
反射層の厚みは、特に制限されない。反射層の厚みは、例えば１μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは２μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下である。 The thickness of the reflective layer is not particularly limited. The thickness of the reflective layer is, for example, 1 μm or more and 500 μm or less, preferably 2 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 100 μm or less.
反射層の層構成は特に制限されない。反射層は、１種単独の反射層から構成されるものであってもよいし、２種以上の反射層が複数組み合わされたものであってもよい。 The layer structure of the reflective layer is not particularly limited. The reflective layer may be composed of one type of single reflective layer, or may be a combination of a plurality of two or more types of reflective layers.
＜１−５．層構成＞
本発明のλ／４型電波吸収体において、各層は、電波吸収性能を発揮することができる順に配置される。支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層は、この順に配置される。
<1-5. Layer structure>
In the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention, each layer is arranged in the order in which the radio wave absorption performance can be exhibited. The support, the resistance film, the dielectric layer, and the reflective layer are arranged in this order.
本発明のλ／４型電波吸収体においては、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層以外に、他の層を含むものであってもよい。他の層は、支持体、抵抗膜、誘電体層、及び反射層それぞれの層の、どちらか一方の表面上に配置され得る。 The λ / 4 type radio wave absorber of the present invention may include other layers in addition to the support, the resistance film, the dielectric layer, and the reflective layer. The other layer may be placed on the surface of either the support, the resistance film, the dielectric layer, and the reflective layer, respectively.
他の層としては、例えば、反射層の誘電体層側とは反対側の面上に配置される粘着剤層が挙げられる。この粘着剤層により、本発明のλ／４型電波吸収体を、他の部材（例えば、自動車内のデバイス等）により容易に取り付けることが可能になる。この観点から、本発明のλ／４型電波吸収体は、反射層の誘電体層側とは反対側の面上に粘着剤層が配置されていることが好ましい。 Examples of the other layer include an adhesive layer arranged on a surface of the reflective layer opposite to the dielectric layer side. This pressure-sensitive adhesive layer makes it possible to easily attach the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention by another member (for example, a device in an automobile). From this viewpoint, in the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer is arranged on the surface of the reflective layer opposite to the dielectric layer side.
粘着剤としては、特に制限されず、例えばアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリオレフィン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ビニルアルキルエーテル系粘着剤、ポリアミド系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、フッ素系粘着剤等が挙げられる。 The adhesive is not particularly limited, and for example, acrylic adhesive, urethane adhesive, polyolefin adhesive, polyester adhesive, vinyl alkyl ether adhesive, polyamide adhesive, rubber adhesive, silicone adhesive. Examples thereof include adhesives and fluorine-based adhesives.
＜１−６．製造方法＞
本発明のλ／４型電波吸収体は、その構成に応じて、様々な方法、例えば公知の製造方法に従って又は準じて得ることができる。例えば、支持体上に抵抗膜、誘電体層、及び反射層を順に積層させる工程を含む方法により、得ることができる。
<1-6. Manufacturing method>
The λ / 4 type radio wave absorber of the present invention can be obtained according to or according to various methods, for example, a known manufacturing method, depending on its configuration. For example, it can be obtained by a method including a step of sequentially laminating a resistance film, a dielectric layer, and a reflective layer on a support.
積層方法は特に制限されない。 The laminating method is not particularly limited.
抵抗膜は、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、パルスレーザーデポジション法等により行うことができる。これらの中でも、膜厚制御性の観点から、スパッタリング法が好ましい。スパッタリング法としては、特に限定されないが、例えば、直流マグネトロンスパッタ、高周波マグネトロンスパッタ及びイオンビームスパッタ等が挙げられる。また、スパッタ装置は、バッチ方式であってもロール・ツー・ロール方式であってもよい。 The resistance film can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, an ion plating method, a chemical vapor deposition method, a pulse laser deposition method, or the like. Among these, the sputtering method is preferable from the viewpoint of film thickness controllability. The sputtering method is not particularly limited, and examples thereof include DC magnetron sputtering, high frequency magnetron sputtering, and ion beam sputtering. Further, the sputtering apparatus may be a batch system or a roll-to-roll system.
誘電体層や反射層は、例えば誘電体層が有する粘着性を利用して、積層することができる。 The dielectric layer and the reflective layer can be laminated by utilizing, for example, the adhesiveness of the dielectric layer.
２．λ／４型電波吸収体部材
本発明は、その一態様において、支持体、抵抗膜、及び誘電体層をこの順に含むλ／４型電波吸収体であって、支持体側最表面の表面張力が３５ｄｙｎ／ｃｍ以上であり、且つ前記支持体の全光線透過率が３０％以下である、λ／４型電波吸収体用部材、に関する。λ／４型電波吸収体用部材は、反射層として機能し得る被着体に接するように配置することによりλ／４型電波吸収体を形成するための部材である。支持体、抵抗膜、誘電体層、その他の構成については、本発明のλ／４型電波吸収体に関する説明と同様である。
2. λ / 4 type radio wave absorber member In one aspect of the present invention, the λ / 4 type radio wave absorber includes a support, a resistance film, and a dielectric layer in this order, and the surface tension of the outermost surface on the support side is high. The present invention relates to a member for a λ / 4 type radio wave absorber, which has a total light transmittance of 35 dyn / cm or more and the total light transmittance of the support is 30% or less. The λ / 4 type radio wave absorber member is a member for forming a λ / 4 type radio wave absorber by arranging it in contact with an adherend that can function as a reflective layer. The support, resistance film, dielectric layer, and other configurations are the same as those described for the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention.
３．用途
本発明のλ／４型電波吸収体は、不要な電磁波を吸収する性能を有するため、例えば光トランシーバや、次世代移動通信システム（５Ｇ）、近距離無線転送技術等における電波対策部材として好適に利用できる。また、その他の用途として自動車、道路、人の相互間で情報通信を行う高度道路交通システム（ＩＴＳ）や自動車衝突防止システムに用いるミリ波レーダーにおいても、電波干渉抑制やノイズ低減の目的で用いることができる。
3. 3. Applications The λ / 4 type radio wave absorber of the present invention has the ability to absorb unnecessary electromagnetic waves, and is therefore suitable as a radio wave countermeasure member in, for example, optical transceivers, next-generation mobile communication systems (5G), short-range wireless transfer technology, and the like. Can be used for. In addition, it should also be used for the purpose of suppressing radio wave interference and reducing noise in intelligent transportation systems (ITS) that communicate information between automobiles, roads, and people, and millimeter-wave radars used in automobile collision prevention systems. Can be done.
本発明は、その一態様において、成形品と、前記成形品に取り付けられた本発明のλ／４型電波吸収体とを備える、電波吸収体付成形品、に関する。成形品としては、例えば上記各種用途において使用される部材等が挙げられる。本発明のλ／４型電波吸収体を成形品に取り付ける方法としては、特に制限されず、例えば粘着剤を介して取り付ける方法や、固定具により取り付ける方法が挙げられる。電波吸収体付成形品の好ましい一例としては、ミリ波レーダーが挙げられる。 The present invention relates to, in one aspect, a molded product and a molded product with a radio wave absorber, comprising the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention attached to the molded product. Examples of the molded product include members used in the above-mentioned various uses. The method of attaching the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention to the molded product is not particularly limited, and examples thereof include a method of attaching via an adhesive and a method of attaching with a fixture. A preferred example of a molded product with a radio wave absorber is a millimeter wave radar.
本発明のλ／４型電波吸収体が対象とする電波の周波数は、好ましくは１０〜１５０ＧＨｚ、より好ましくは２０〜１２０ＧＨｚ、さらに好ましくは３０〜１００ＧＨｚ、さらにより好ましくは５５〜９０ＧＨｚ、特に好ましくは７０〜９０ＧＨｚである。 The frequency of the radio wave targeted by the λ / 4 type radio wave absorber of the present invention is preferably 10 to 150 GHz, more preferably 20 to 120 GHz, still more preferably 30 to 100 GHz, still more preferably 55 to 90 GHz, and particularly preferably. It is 70 to 90 GHz.
以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
（１）支持体の全光線透過率の測定方法
以下の参考例において、支持体の全光線透過率を、ヘーズメーター（日本電飾社製「ＮＤＨ−４０００」）を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１０５に基づいて、測定した。
(1) Method for measuring the total light transmittance of the support In the following reference example, the total light transmittance of the support is measured based on JIS K7105 using a haze meter (“NDH-4000” manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.). And measured.
（２）支持体表面の表面張力の測定方法
以下の参考例において、支持体表面の表面張力を、次のようにして測定した。支持体の抵抗膜と面する側とは反対の表面における表面張力を、ＪＩＳ Ｋ ６７６８「プラスチック−フィルム及びシート−ぬれ張力試験方法」に準じ、ぬれ張力試験用液（和光純薬製、ぬれ張力試験用混合液）を用いて測定した。
(2) Method for measuring surface tension on the surface of the support In the following reference example, the surface tension on the surface of the support was measured as follows. The surface tension on the surface of the support opposite to the side facing the resistance film is adjusted according to JIS K 6768 "Plastic-Film and Sheet-Wet Tension Test Method" for wet tension test liquid (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., wet tension). It was measured using a test mixture).
（３）支持体の準備
（参考例１）
以下のようにして、光反射剤として酸化チタン（平均粒径２００ｎｍ、商品名：ＳＴ−４１、石原産業社製）を１０重量％含有する、厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（全光線透過率：１１％、表面張力：４３ｄｙｎ／ｃｍ）を得た。
(3) Preparation of support (Reference example 1)
A 125 μm-thick polyethylene terephthalate (PET) film (total light transmittance) containing 10% by weight of titanium oxide (average particle size 200 nm, trade name: ST-41, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) as a light reflector as follows. Rate: 11%, surface tension: 43 dyn / cm) was obtained.
ポリエチレンテレフタレートに上記酸化チタン１０重量％を添加し、２８０℃で溶融押出し、冷却固化して未延伸フィルムを得た。この未延伸フィルムを縦方向に１００℃３倍、および横方向に１２０℃３．３倍に延伸し熱処理して１２５μｍの厚みのフィルムを得た。 10% by weight of the above titanium oxide was added to polyethylene terephthalate, melt-extruded at 280 ° C., and cooled and solidified to obtain an unstretched film. This unstretched film was stretched 3 times at 100 ° C. in the vertical direction and 3.3 times at 120 ° C. in the horizontal direction and heat-treated to obtain a film having a thickness of 125 μm.
（参考例２）
以下のようにして、光反射剤として酸化チタン（平均粒径２００ｎｍ、商品名：ＳＴ−４１、石原産業社製）を２５重量％含有する、厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（全光線透過率：２８％、表面張力：４２ｄｙｎ／ｃｍ）を得た。
(Reference example 2)
A 125 μm-thick polyethylene terephthalate (PET) film (total light transmittance) containing 25% by weight of titanium oxide (average particle size 200 nm, trade name: ST-41, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) as a light reflector as follows. Rate: 28%, surface tension: 42 dyn / cm) was obtained.
ポリエチレンテレフタレートに上記酸化チタン２５重量％を添加し、２８０℃で溶融押出し、冷却固化して未延伸フィルムを得た。この未延伸フィルムを縦方向に１００℃３倍、および横方向に１２０℃３．３倍に延伸し熱処理して１２５μｍの厚みのフィルムを得た。 Titanium oxide (25% by weight) was added to polyethylene terephthalate, melt-extruded at 280 ° C., and cooled and solidified to obtain an unstretched film. This unstretched film was stretched 3 times at 100 ° C. in the vertical direction and 3.3 times at 120 ° C. in the horizontal direction and heat-treated to obtain a film having a thickness of 125 μm.
（参考例３）
以下のようにして、光反射剤として酸化亜鉛（平均粒径３００ｎｍ、商品名：ＸＺ−３００Ｆ−ＬＰ、堺化学社製）を１１重量％含有する、厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（全光線透過率：８％、表面張力：３８ｄｙｎ／ｃｍ）を得た。
(Reference example 3)
A 125 μm-thick polyethylene terephthalate (PET) film containing 11% by weight of zinc oxide (average particle size 300 nm, trade name: XZ-300F-LP, manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd.) as a light reflector as follows. Light transmittance: 8%, surface tension: 38 dyn / cm) was obtained.
ポリエチレンテレフタレートに上記酸化チタン１１重量％を添加し、２８０℃で溶融押出し、冷却固化して未延伸フィルムを得た。この未延伸フィルムを縦方向に１００℃３倍、および横方向に１２０℃３．３倍に延伸し熱処理して１２５μｍの厚みのフィルムを得た。 11% by weight of the above titanium oxide was added to polyethylene terephthalate, melt-extruded at 280 ° C., and cooled and solidified to obtain an unstretched film. This unstretched film was stretched 3 times at 100 ° C. in the vertical direction and 3.3 times at 120 ° C. in the horizontal direction and heat-treated to obtain a film having a thickness of 125 μm.
（参考例４）
光反射剤を含まない、厚み１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（全光線透過率：９５％、表面張力：３０ｄｙｎ／ｃｍ）を用意した。
(Reference example 4)
A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 125 μm (total light transmittance: 95%, surface tension: 30 dyn / cm) containing no light reflector was prepared.
（参考例５）
以下のようにして、光反射剤として酸化チタン（平均粒径２００ｎｍ、商品名：ＳＴ−４１、石原産業社製）が表面にコーティングされた（酸化チタン含有量は１．１重量％）、厚み約１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（全光線透過率：８０％、表面張力：４５ｄｙｎ／ｃｍ）を得た。
(Reference example 5)
The surface was coated with titanium oxide (average particle size 200 nm, trade name: ST-41, manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.) as a light reflector as follows (titanium oxide content is 1.1% by weight), thickness. A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of about 125 μm (total light transmittance: 80%, surface tension: 45 dyn / cm) was obtained.
厚み約１２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに上記酸化チタンの水分散液を塗布し、厚み３００ｎｍになるようにした。 The above-mentioned aqueous dispersion of titanium oxide was applied to a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of about 125 μm so as to have a thickness of 300 nm.
（４）λ／４型電波吸収体の製造
（実施例１）
参考例１のＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、シート抵抗値３７０Ω／□の抵抗膜を形成した。スパッタリングは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。次いで、形成した抵抗膜上に粘着テープ（アクリル両面粘着テープ、厚み３０μｍ、比誘電率２．６）を介して厚み４００μｍ且つ比誘電率２．７のポリカーボネートからなる誘電体を積層し、誘電体層上に厚み１２μｍの銅からなる反射層を積層して、λ／４型電波吸収体を得た。
(4) Manufacture of λ / 4 type radio wave absorber (Example 1)
A resistance film having a sheet resistance value of 370 Ω / □ was formed on the PET film of Reference Example 1 by DC pulse sputtering. Sputtering was carried out using indium tin oxide (ITO) as a target, introduced at an output of 0.4 kW and an Ar gas flow rate of 100 sccm, and adjusted to a pressure of 0.12 Pa. Next, a dielectric material made of polycarbonate having a thickness of 400 μm and a relative permittivity of 2.7 is laminated on the formed resistance film via an adhesive tape (acrylic double-sided adhesive tape, thickness 30 μm, relative permittivity 2.6). A reflective layer made of copper having a thickness of 12 μm was laminated on the layer to obtain a λ / 4 type radio wave absorber.
（実施例２）
参考例２のＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、シート抵抗値３８０Ω／□の抵抗膜を形成した。スパッタリングはハステロイＣ−２７６をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。これ以降は、実施例１と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。
(Example 2)
A resistance film having a sheet resistance value of 380Ω / □ was formed on the PET film of Reference Example 2 by DC pulse sputtering. Sputtering was carried out using Hastelloy C-276 as a target, introduced at an output of 0.4 kW and an Ar gas flow rate of 100 sccm, and adjusted to a pressure of 0.12 Pa. After that, a λ / 4 type radio wave absorber was obtained in the same manner as in Example 1.
（実施例３）
参考例３のＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、シート抵抗値３７５Ω／□の抵抗膜を形成した。スパッタリングは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。これ以降は、実施例１と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。
(Example 3)
A resistance film having a sheet resistance value of 375 Ω / □ was formed on the PET film of Reference Example 3 by DC pulse sputtering. Sputtering was carried out using indium tin oxide (ITO) as a target, introduced at an output of 0.4 kW and an Ar gas flow rate of 100 sccm, and adjusted to a pressure of 0.12 Pa. After that, a λ / 4 type radio wave absorber was obtained in the same manner as in Example 1.
（比較例１）
参考例４のＰＥＴフィルム上に、ＤＣパルススパッタリングにより、シート抵抗値３８５Ω／□の抵抗膜を形成した。スパッタリングはハステロイＣ−２７６をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。これ以降は、実施例１と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。
(Comparative Example 1)
A resistance film having a sheet resistance value of 385Ω / □ was formed on the PET film of Reference Example 4 by DC pulse sputtering. Sputtering was carried out using Hastelloy C-276 as a target, introduced at an output of 0.4 kW and an Ar gas flow rate of 100 sccm, and adjusted to a pressure of 0.12 Pa. After that, a λ / 4 type radio wave absorber was obtained in the same manner as in Example 1.
（比較例２）
参考例５のＰＥＴフィルムの酸化チタンコーティング面とは反対側の表面上に、ＤＣパルススパッタリングにより、シート抵抗値３７９Ω／□の抵抗膜を形成した。スパッタリングは酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）をターゲットに用い、出力０．４ｋＷ、Ａｒガス流量１００ｓｃｃｍで導入して圧力０．１２Ｐａとなるように調整して行った。これ以降は、実施例１と同様にして、λ／４型電波吸収体を得た。
(Comparative Example 2)
A resistance film having a sheet resistance value of 379Ω / □ was formed on the surface of the PET film of Reference Example 5 opposite to the titanium oxide-coated surface by DC pulse sputtering. Sputtering was carried out using indium tin oxide (ITO) as a target, introduced at an output of 0.4 kW and an Ar gas flow rate of 100 sccm, and adjusted to a pressure of 0.12 Pa. After that, a λ / 4 type radio wave absorber was obtained in the same manner as in Example 1.
（５）評価
（５−１）防汚性の評価
λ／４型電波吸収体の支持体の抵抗膜に面する側とは反対の表面にサラダ油をスポイトで１滴滴下した後、リグロインを含ませたワイパー（商品名：クリーンワイパー ＳＦ３０Ｃ クラレ社製）で２０往復ラビングした後、光学顕微鏡写真にて、サラダ油の付着の有無を確認した。前記表面にサラダ油の付着が顕著に認められる場合を×とし、まったく認められない場合を○とした。
(5) Evaluation
(5-1) Evaluation of antifouling property A wiper containing ligroine after dropping a drop of salad oil with a dropper on the surface of the support of the λ / 4 type radio wave absorber opposite to the side facing the resistance film. After 20 reciprocating rubbing with a clean wiper SF30C manufactured by Kuraray Co., Ltd., the presence or absence of salad oil adhesion was confirmed by an optical micrograph. The case where the vegetable oil was remarkably adhered to the surface was marked with x, and the case where it was not observed at all was marked with ◯.
（５−２）耐光性の評価
λ／４型電波吸収体をサンシャインウエザーメーター（Ｓ−８０、スガ試験機（株）製）を用いて、サンシャインカーボンアーク灯、相対湿度６０％の条件下、１０００時間の露光を行った。その後、誘電体層と支持体間、または誘電体層と反射層間に剥がれがある場合を×とした。
(5-2) Evaluation of light resistance A λ / 4 type radio wave absorber was used with a sunshine weather meter (S-80, manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.) under the conditions of a sunshine carbon arc lamp and a relative humidity of 60%. An exposure of 1000 hours was performed. After that, the case where there was peeling between the dielectric layer and the support, or between the dielectric layer and the reflective layer was marked with x.
（５−３）総合判定
防汚性、耐光性の評価結果が両方とも○であるものを○、それ以外は×と判定した。
(5-3) Comprehensive Judgment When the evaluation results of antifouling property and light resistance were both ○, it was judged as ○, and the others were judged as ×.
（６）結果
結果を表１示す。
(6) Results The results are shown in Table 1.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019174468A JP7479811B2 (en) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | λ/4 type radio wave absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019174468A JP7479811B2 (en) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | λ/4 type radio wave absorber |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021052102A true JP2021052102A (en) | 2021-04-01 |
| JP2021052102A5 JP2021052102A5 (en) | 2022-06-23 |
| JP7479811B2 JP7479811B2 (en) | 2024-05-09 |
Family
ID=75158112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019174468A Active JP7479811B2 (en) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | λ/4 type radio wave absorber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7479811B2 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3096987U (en) * | 2003-04-08 | 2004-01-08 | 株式会社インクコーポレーション | Cloth for wall covering |
| JP2010157696A (en) * | 2008-12-05 | 2010-07-15 | Toray Ind Inc | Radiowave absorber |
| JP2018056562A (en) * | 2016-09-23 | 2018-04-05 | 積水化学工業株式会社 | RESISTANCE FILM FOR λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER AND λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER |
| WO2018230578A1 (en) * | 2017-06-14 | 2018-12-20 | 日東電工株式会社 | Electromagnetic wave absorber |
| WO2019054378A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | マクセルホールディングス株式会社 | Electromagnetic wave-absorbing sheet |
| WO2019077808A1 (en) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 関西ペイント株式会社 | Milliwave band radio wave absorption sheet and milliwave radio wave absorption method |
-
2019
- 2019-09-25 JP JP2019174468A patent/JP7479811B2/en active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3096987U (en) * | 2003-04-08 | 2004-01-08 | 株式会社インクコーポレーション | Cloth for wall covering |
| JP2010157696A (en) * | 2008-12-05 | 2010-07-15 | Toray Ind Inc | Radiowave absorber |
| JP2018056562A (en) * | 2016-09-23 | 2018-04-05 | 積水化学工業株式会社 | RESISTANCE FILM FOR λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER AND λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER |
| WO2018230578A1 (en) * | 2017-06-14 | 2018-12-20 | 日東電工株式会社 | Electromagnetic wave absorber |
| WO2019054378A1 (en) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | マクセルホールディングス株式会社 | Electromagnetic wave-absorbing sheet |
| WO2019077808A1 (en) * | 2017-10-19 | 2019-04-25 | 関西ペイント株式会社 | Milliwave band radio wave absorption sheet and milliwave radio wave absorption method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7479811B2 (en) | 2024-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1125996C (en) | Wavelength selective applied films with glare control | |
| WO2007054655A8 (en) | Substrate which is equipped with a stack having thermal properties | |
| CN101558336A (en) | A solar control film | |
| WO2007054656A8 (en) | Substrate which is equipped with a stack having thermal properties | |
| JP6789437B2 (en) | λ / 4 type radio wave absorber | |
| WO2018230093A1 (en) | Electromagnetic-wave absorber and molded article provided with electromagnetic-wave absorber | |
| JP2021103785A (en) | Electromagnetic wave absorber | |
| CN107075157A (en) | Optical film including infrared absorption layer | |
| JP7479811B2 (en) | λ/4 type radio wave absorber | |
| JP6901630B2 (en) | Radio wave absorber | |
| JP2021192426A (en) | RESISTANCE FILM MEMBER FOR λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER | |
| JP2020161584A (en) | λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER | |
| WO2021246438A1 (en) | Radio wave absorber | |
| WO2020196356A1 (en) | λ/4 TYPE RADIOWAVE ABSORBER | |
| WO2020196368A1 (en) | λ/4 RADIOWAVE ABSORBER | |
| WO2021060353A1 (en) | λ/4 WAVE ABSORBER | |
| JP2015093424A (en) | Heat insulating laminate and composition for forming heat insulating laminate | |
| WO2021060352A1 (en) | λ/4 TYPE RADIO WAVE ABSORBER | |
| JP2021136447A (en) | λ/4 RADIO WAVE ABSORBER | |
| JP7305392B2 (en) | λ/4 type wave absorber | |
| EP3647838A1 (en) | Infrared ray-reflective substrate | |
| EP3427942A1 (en) | Light-transmitting laminate and method for producing light-transmitting laminate | |
| JP2022181199A (en) | λ/4 type radio wave absorption sheet | |
| JP2022059141A (en) | Coating for forming antiviral coating layer, coating layer, and laminate film | |
| Chigane et al. | Redox Deposition of Silica Thin Films: Effect of Hydrogen Peroxide and Poly (vinylpyrrolidone) on Film Growth |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220615 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220615 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230517 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230523 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230713 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20230713 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231010 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20240208 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240301 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240402 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240424 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7479811 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |