JP2021040079A - Display device and driving method for display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関する。 The present invention relates to a display device and a method for driving the display device.
有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence)表示装置(以下、有機EL表示装置という)は、基板上に形成された複数の画素内の各々に複数のトランジスタ、容量素子及び有機EL発光素子(以下、発光素子という)で構成されている。各画素は、画素を制御する信号により駆動される。各画素が有するトランジスタの駆動を信号により制御することにより、発光素子に供給される電流値が制御され、表示装置は映像を表示することができる。 An organic electroluminescence display device (hereinafter referred to as an organic EL display device) is a plurality of transistors, capacitive elements, and organic EL light emitting elements (hereinafter referred to as light emitting elements) in each of a plurality of pixels formed on a substrate. It is composed of. Each pixel is driven by a signal that controls the pixel. By controlling the drive of the transistor of each pixel by a signal, the current value supplied to the light emitting element is controlled, and the display device can display an image.
例えば、特許文献1には、複数のトランジスタ、1つの容量素子、及び1つの発光素子を備える画素、及び、当該画素を含む有機EL表示装置が開示されている。
For example,
カラー表示可能な有機EL表示装置は、一般的に一画素が複数のサブ画素領域に分割されて、各サブ画素領域には発光層がそれぞれ設けられている。例えば、一画素がRGBに対応する3つのサブ画素領域に分割されている場合、RGBに対応する各サブ画素領域の発光層に直列に接続されたトランジスタによって各サブ画素領域の発光層に流れる電流が制御され、画素の輝度及び色度を調節することができる。 In an organic EL display device capable of color display, one pixel is generally divided into a plurality of sub-pixel regions, and a light emitting layer is provided in each sub-pixel region. For example, when one pixel is divided into three sub-pixel regions corresponding to RGB, a current flowing through the light emitting layer of each sub-pixel region by a transistor connected in series with the light emitting layer of each sub-pixel region corresponding to RGB. Is controlled, and the brightness and chromaticity of the pixels can be adjusted.
しかしながら、発光層を成膜する際に一般的に用いられるマスク蒸着法の精度などにより、隣接する発光層同士を電気的に絶縁することは困難である。隣接する発光層同士が電気的に絶縁されていない場合、一方の発光層に流れるべき電流が、隣接する発光層に流れてしまい(横リーク電流)、所望の色を表示できないという問題がある。 However, it is difficult to electrically insulate adjacent light emitting layers from each other due to the accuracy of the mask vapor deposition method generally used when forming a light emitting layer. When the adjacent light emitting layers are not electrically isolated from each other, there is a problem that the current that should flow to one light emitting layer flows to the adjacent light emitting layer (lateral leakage current), and a desired color cannot be displayed.
このような問題に鑑み、本発明の一実施形態は、横リーク電流の発生を抑制する表示装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、横リーク電流の発生を抑制する表示装置の駆動方法を提供すること目的の一つとする。 In view of such a problem, one of the objects of the present invention is to provide a display device that suppresses the generation of a lateral leakage current. Another object of the present embodiment is to provide a method for driving a display device that suppresses the generation of a lateral leakage current.
本発明の一実施形態に係る表示装置は、複数の画素の各々に含まれる複数のサブ画素と、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第1電極と、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた発光層と、を備え、前記第1電極には、映像信号に基づいた電圧が印加され、前記複数のサブ画素の各々は、少なくとも第1サブ画素と前記第1サブ画素に隣接する第2サブ画素とを含み、前記第1サブ画素に対応する前記第2電極と、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極とは互いに電気的に絶縁され、前記第1サブ画素に対応する前記第2電極に第1電圧が印加され、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極に第2電圧が印加され、前記第1電圧と第2電圧とは異なっている。 The display device according to the embodiment of the present invention includes a plurality of sub-pixels included in each of the plurality of pixels, a first electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels, and the plurality of sub-pixels. A second electrode provided corresponding to each of the above, and a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode corresponding to each of the plurality of sub-pixels are provided. A voltage based on a video signal is applied to the first electrode, and each of the plurality of sub-pixels includes at least a first sub-pixel and a second sub-pixel adjacent to the first sub-pixel, and the first sub-pixel is included. The second electrode corresponding to the sub-pixel and the second electrode corresponding to the second sub-pixel are electrically insulated from each other, and a first voltage is applied to the second electrode corresponding to the first sub-pixel. Then, a second voltage is applied to the second electrode corresponding to the second sub-pixel, and the first voltage and the second voltage are different from each other.
本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法は、複数の画素の各々に含まれる複数のサブ画素と、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第1電極と、
前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた発光層と、を備え、前記複数のサブ画素の各々は、少なくとも第1サブ画素と前記第1サブ画素に隣接する第2サブ画素とを含み、前記第1サブ画素に対応する前記第2電極と、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極とは互いに電気的に絶縁されている、表示装置の駆動方法であって、前記第1電極には、映像信号に基づいた電圧を印加し、前記第1サブ画素に対応する前記第2電極に第1電圧を印加し、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極に、前記第1電圧とは異なる第2電圧を印加する。
A method of driving a display device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of sub-pixels included in each of the plurality of pixels, a first electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels, and a first electrode.
A second electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels, and a light emitting layer provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels between the first electrode and the second electrode. Each of the plurality of sub-pixels includes at least a first sub-pixel and a second sub-pixel adjacent to the first sub-pixel, and the second electrode corresponding to the first sub-pixel and the second electrode. It is a method of driving a display device that is electrically isolated from the second electrode corresponding to the second sub-pixel, and a voltage based on a video signal is applied to the first electrode to obtain the first electrode. A first voltage is applied to the second electrode corresponding to one sub-pixel, and a second voltage different from the first voltage is applied to the second electrode corresponding to the second sub-pixel.
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、bなどを付した符号)を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention can be implemented in many different modes and is not construed as being limited to the description of the embodiments illustrated below. Further, in order to clarify the explanation, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is just an example, and the interpretation of the present invention is used. It is not limited. Further, in the present specification and each figure, the same elements as those described above with respect to the above-mentioned figures are designated by the same reference numerals (or reference numerals having a, b, etc. added after the numbers) to provide detailed explanations. It may be omitted as appropriate. The letters "1st" and "2nd" for each element are convenient signs used to distinguish each element, and have more meaning unless otherwise specified. Absent.
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、即ち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第1基板に対して第2基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。 As used herein, when a member or region is "above (or below)" another member or region, it is directly above (or directly below) the other member or region, unless otherwise specified. Not only in some cases, but also in the case of being above (or below) the other member or region, that is, including the case where another component is included above (or below) the other member or region. .. In the following description, unless otherwise specified, in cross-sectional view, the side on which the second substrate is arranged is referred to as "upper" or "upper", and the opposite is referred to as "lower" or "lower". Described as "downward".
本明細書において説明される第1基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、或いはトランジスタ及び表示素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第1基板の一主面を基準とし、第1基板に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第1基板の一主面を基準にして述べるものとする。 The first substrate described in the present specification has at least one planar main surface, on which each layer of an insulating layer, a semiconductor layer and a conductive layer, or each element such as a transistor and a display element is formed. Provided. In the following description, in the cross-sectional view, when one main surface of the first substrate is used as a reference and the description is made as "upper", "upper layer", "upper" or "upper surface" with respect to the first substrate, no particular notice is given. Unless otherwise specified, the description shall be made with reference to one main surface of the first substrate.
[第1実施形態]
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置を説明する。なお、本明細書などでは、表示装置はアクティブマトリクス型の有機EL表示装置であるものとして、説明する。
[First Embodiment]
In the present embodiment, the display device according to the embodiment of the present invention will be described. In the present specification and the like, the display device will be described as an active matrix type organic EL display device.
(有機EL表示装置の全体構成)
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。表示装置100は、基板101、表示領域103、周辺領域105、映像信号線駆動回路107、走査信号線駆動回路109、制御回路111、及び端子電極113を有する。表示領域103、映像信号線駆動回路107、走査信号線駆動回路109、制御回路111、端子電極113、及び周辺領域105は、基板101の上面に設けられる。表示領域103は、表示装置100に映像を表示するための複数の画素120を有する。各画素120は、トランジスタを有する。トランジスタを駆動することにより、表示装置100に映像を表示することができる。
(Overall configuration of organic EL display device)
FIG. 1 is a schematic plan view of a display device according to an embodiment of the present invention. The
周辺領域105には、画素120の駆動を制御するための走査信号線駆動回路109及び映像信号線駆動回路107が設けられる。図1においては、映像信号線駆動回路107はICチップを用いた例を示す。尚、基板101とは異なる基板(半導体基板など)の上に形成された駆動回路を、基板101やフレキシブルプリント回路(FPC、FlexiblePrintedCircuit)基板115の上に設けてもよい。また、映像信号線駆動回路107及び走査信号線駆動回路109に含まれる回路の一部又は全部を基板101とは異なる基板の上に形成し、基板101やFPC基板115の上に設ける構成としてもよい。また、映像信号線駆動回路107に含まれる駆動回路或いは駆動回路の一部が、基板101の上に直接形成されてもよい。なお、図1において図示は省略しているが、基板101の上面には、画素120内に設けられる発光素子などの表示素子、及び、表示素子を制御するための各種半導体素子が形成される。
The
表示装置100は、さらに、第1配線201、コンタクトホール203、第1端子配線205、第1端子207、第2配線209、コンタクトホール211、第2端子配線213、第2端子215などを有する。これらも、走査信号線駆動回路109と同様に、基板101の上面に設けられる。
The
図1においては図示していないが、例えば、各画素120に映像信号を供給するための映像信号線、各画素120に電源を供給するための電源線、走査信号線駆動回路109、制御回路111などが、表示領域103の外から延びる第1端子配線205と電気的に接続される。第1端子配線205は、表示領域103の外に延伸されて、コンタクトホール203を介して第1端子配線205と電気的に接続される。第1端子配線205は表示装置100の端部付近で露出され、第1端子207を形成する。第1端子207はFPC基板115と接続される。
Although not shown in FIG. 1, for example, a video signal line for supplying a video signal to each
図1においては図示していないが、同様にして、例えば、各画素120に映像信号を供給するための映像信号線、各画素120に電源を供給するための電源線、走査信号線駆動回路109、制御回路111などが、表示領域103の外から延びる第2配線209と電気的に接続される。第2配線209は、表示領域103の外に延伸されて、コンタクトホール211を介して第2端子配線213と電気的に接続される。第2端子配線213は、表示装置100の端部付近で露出され、第2端子215を形成する。第2端子215はFPC基板115と接続される。なお、第2配線209は、第1配線201であってもよい。コンタクトホール211は、コンタクトホール203であってもよい。第2端子配線213は、第1端子配線205であってもよい。第2端子215は、第1端子207であってもよい。
Although not shown in FIG. 1, similarly, for example, a video signal line for supplying a video signal to each
画素120への信号の供給は、外部回路(図示せず)から第1端子207、走査信号線駆動回路109及び映像信号線駆動回路107を経由して、行われる。第1端子207は、表示装置100の一つの辺に沿って並ぶように形成することができる。このため、単一のFPC基板115を介して、表示領域103に、独立して、電圧や信号を供給することができる。
The signal is supplied to the
本実施形態において、画素120は各々、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134を有する。三つのサブ画素で一つの画素120が形成されてもよい。各サブ画素には発光素子などの表示素子が一つ備えられる。サブ画素が対応する色は発光素子によって決定される。或いは、サブ画素が対応する色は、サブ画素上に設けられるカラーフィルタの特性によって決定されてもよい。サブ画素は、表示領域103で表示される映像の一部を構成する最小単位である。
In this embodiment, the
本明細書では、画素120を構成するサブ画素は、それぞれ一つの発光素子を有し、且つ、互いに異なる色を出射する。例えば、第1サブ画素130は青色を発する発光層を備え、第2サブ画素132は緑色を発する発光層を備え、第3サブ画素134は、赤色を発する発光層を備えてもよい。そして、第1サブ画素130、第2サブ画素132及び第3サブ画素134のそれぞれに任意の電圧或いは電流を供給することにより、フルカラー表示を実現することができる。図1では、一例として、画素120を構成するサブ画素の配列が、ストライプ配列である例を示している。尚、サブ画素の配列がストライプ配列限定されるわけではなく、デルタ配列、ペンタイル配列などであってもよい。また、第1サブ画素130、第2サブ画素132および第3サブ画素134の配置は限定されない。
In the present specification, each of the sub-pixels constituting the
(画素の構成)
図2は、表示装置100の概略的な断面図である。図2を参照して、表示装置100の積層構造を説明する。
(Pixel composition)
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the
表示装置100は、基板101上面に、任意の構成である下地膜501を介して、半導体層142が設けられている。
The
下地膜501の上側には、駆動トランジスタDRTが設けられる。駆動トランジスタDRTは、半導体層142、ゲート絶縁膜144、ゲート電極146、及び後述するソース又はドレイン電極156を含む。半導体層142は、ソース領域またはドレイン領域154及びチャネル領域141を含む。ソース領域またはドレイン領域154は、半導体層142に不純物を注入することで形成されてもよい。ソース領域またはドレイン領域154は、ソース電極またはドレイン電極156と電気的に接続される。ゲート電極146は、ゲート絶縁膜144を介して半導体層142と重なっている。半導体層142とゲート電極146が重なる領域が駆動トランジスタDRTのチャネル領域141である。
A drive transistor DRT is provided on the upper side of the
図2では、駆動トランジスタDRTはトップゲート型のトランジスタとして示されているが、駆動トランジスタDRTの構造に制限はない。駆動トランジスタDRTの構造は、例えば、ボトムゲート型トランジスタ、ゲート電極146を複数有するマルチゲート型トランジスタ、半導体層142の上下を二つのゲート電極146で挟持する構造を有するデュアルゲート型トランジスタであってもよい。また、図2では、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134のそれぞれには、一つの駆動トランジスタDRTが設けられる例が示されている。但し、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134は、それぞれ複数のトランジスタや容量素子などの半導体素子をさらに有してもよい。
In FIG. 2, the drive transistor DRT is shown as a top gate type transistor, but the structure of the drive transistor DRT is not limited. The structure of the drive transistor DRT may be, for example, a bottom gate type transistor, a multi-gate type transistor having a plurality of
ゲート電極146上には絶縁膜108が設けられる。絶縁膜108はトランジスタやその他の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える平坦膜としての機能を有する。絶縁膜108は、膜表面の平坦性に優れるアクリル、ポリイミド等から選ばれた有機化合物材料を用いることができる。
An insulating
絶縁膜108上には、後述する第1駆動電源線428が設けられてもよい。第1駆動電源線428と同一の層には、後述する第1リセット電圧線412(図2においては図示せず)が設けられてもよい。なお、第1駆動電源線428とゲート電極146の一部と重畳している。保持容量素子438は、ゲート電極146、絶縁膜108、及び第1駆動電源線428によって形成される。このとき、保持容量素子438の第1端子がゲート電極146であり、保持容量素子438の第2端子が第1駆動電源線428の一部である。
A first
第1駆動電源線428を覆うように絶縁膜108上には絶縁膜114が設けられる。絶縁膜114は、絶縁膜108と同様に、トランジスタやその他の半導体素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与える平坦膜としての機能を有する。絶縁膜114は、絶縁膜108と同様に、膜表面の平坦性に優れるアクリル、ポリイミド等から選ばれた有機化合物材料を用いることができる。
An insulating
絶縁膜114上には、ソースまたはドレイン電極156が設けられる。ソースまたはドレイン電極156は、ゲート絶縁膜144、絶縁膜108、及び絶縁膜114に設けられる開口を通じて半導体層142のソースまたはドレイン領域154に電気的に接続する。
A source or
ソースまたはドレイン電極156と同一の層には、導電層(図示せず)が設けられてもよい。この導電層は、ソースまたはドレイン電極156と接続されてもよい。さらに、ソースまたはドレイン電極156と同一の層には、第1端子配線205が設けられてもよい。同様に、ソースまたはドレイン電極156と同一の層には、第2端子配線213(図示せず)が設けられてもよい。
A conductive layer (not shown) may be provided on the same layer as the source or
続いて、絶縁膜148が設けられる。また、絶縁膜148上には無機絶縁膜150を設けてもよい。無機絶縁膜150はトランジスタなどの半導体素子を保護する保護膜としての機能を有する。また、無機絶縁膜150の下層に、後述する発光素子160の画素電極(以下、第1電極といいます)162と、無機絶縁膜150の下層に、無機絶縁膜150を挟むように形成される電極(図示せず)を形成してもよい。このとき、無機絶縁膜150を介して、第1電極162と、無機絶縁膜150を挟むように形成される電極(図示せず)との間で、容量を形成することができる。
Subsequently, the insulating film 148 is provided. Further, the inorganic
絶縁膜148、及び無機絶縁膜150には複数の開口が設けられる。複数の開口は、開口190を含む。開口190は、後述する発光素子160の第1電極162と、ソースまたはドレイン電極156とを電気的に接続する。開口190は、導電層を介して第1電極162とソースまたはドレイン電極156とを電気的に接続してもよい。
The insulating film 148 and the inorganic
複数の開口は、コンタクトホール203をさらに含む。コンタクトホール203は、第1配線201と第1端子配線205とを電気的に接続する。また、複数の開口は、開口158をさらに含む。開口158は、第1端子配線205に接続された第1端子207の一部を露出するように設けられる。開口158で露出した第1端子207は、例えば異方性導電膜252などによりFPC基板115と接続される。
The plurality of openings further include a
絶縁膜114、及び無機絶縁膜150上に発光素子160が形成される。発光素子160は、第1電極162、機能層164、第2電極166を含む。より具体的には、第1電極162は、開口190を覆い、ソース又はドレイン電極156と電気的に接続されるように設けられる。これにより、駆動トランジスタDRTを介して電流が発光素子160へ供給される。第1電極162の端部を覆うように絶縁膜168が設けられる。絶縁膜168は、隔壁である。隔壁は第1電極162の端部を覆うことにより、その上に設けられる機能層164や第2電極166の断線を防ぐことができる。
The
機能層164は、第1電極162と隔壁を覆うように設けられ、その上に第2電極166が設けられる。第1電極162と第2電極166とからそれぞれキャリアが機能層164へ注入され、キャリアの再結合が機能層164内で生じる。これにより、機能層164内の発光性分子が励起状態となり、これが基底状態へ緩和するプロセスを経て発光が得られる。したがって、第1電極162と機能層164とが接する領域が第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134における発光領域となる。
The
機能層164の構成は適宜選択することができる。機能層164は、例えば、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などを含んでもよい。図2では、機能層164が三つの層170、176、174を有する例が示されている。この場合、例えば、層170は正孔注入及び正孔輸送層、層176は発光層、層174は電子注入及び電子輸送層とすることができる。
The configuration of the
発光層である層176は、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134それぞれで異なる材料を含むように構成することができる。この場合、他の層170や層174は、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134で共通になるよう、第1サブ画素130、第2サブ画素132、第3サブ画素134、及び隔壁168の上に亘って形成することができる。層176で用いる材料を適宜選択することで、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134でそれぞれ互いに異なる発光色を得ることができる。
The
また、層174の構造を第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134で同一としてもよい。この場合、層174も第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134で共通になるよう、第1サブ画素130、第2サブ画素132、第3サブ画素134、及び隔壁168の上にわたって形成してもよい。このような構成によると、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134の層176から同一の発光色が出力される。この場合、例えば、層176を白色発光可能な構成とし、カラーフィルタを用いて種々の色(例えば、赤色、緑色、青色)をそれぞれ第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134から取り出してもよい。
Further, the structure of the
第2電極166は、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134それぞれに対応して設けられる。隣接する第2電極166同士は、互いに電気的に絶縁される。つまり、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134は、それぞれ電気的に分離される。第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134に対応する第2電極166は、それぞれに所定の電圧(後述する第2駆動電圧VSS)が印加される。第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134に対応する第2電極166は、それぞれ第1配線201及び又は第2配線209に電気的に接続されてもよい。
The
なお、表示装置100はさらに、コンタクトホール203と開口158を覆い、第1配線201、第1端子配線205とそれぞれ電気的に接続する接続電極234、236を有してもよい。これらの接続電極234、236は、第1電極162と同一層内に設けられてもよい。接続電極234、236を形成することにより、表示装置100の製造工程における第1端子配線205に対するダメージを低減することが可能となり、コンタクト抵抗の低い電気的接続が実現できる。接続電極234は、第1配線201又は第2配線209に電気的に接続されてもよい。第1配線201又は第2配線209は、接続電極234と同様に、第1電極162と同一の層に形成されることができる。
The
発光素子160上には、封止膜180が設けられる。封止膜はパッシベーション膜とも呼ばれる。封止膜180は、外部から発光素子160やトランジスタに不純物(水、酸素など)が侵入することを防ぐ機能を有する。図2に示すように、封止膜180は三つの層(層182、層184、層186)を含んでもよい。層182と層186では、無機化合物を含む無機膜を用いることができる。層182を第1無機膜182とも呼ぶ。層186を第2無機膜186とも呼ぶ。一方、第1無機膜182と第2無機膜186との間の層184は、アクリル、ポリイミド等から選ばれた有機化合物を含む膜(有機膜)を用いることができる。層184は有機膜184とも呼ぶ。有機膜184は、発光素子160や隔壁168に起因する凹凸を吸収して平坦な面を与えるように形成することができる。このため、有機膜184の厚さは第1無機膜182及び第2無機膜186に比べて厚くしてもよい。
A sealing
尚、第1無機膜182と第2無機膜186とは、少なくとも表示領域103を覆うように形成することが好ましい。また、第1無機膜182と第2無機膜186とは、コンタクトホール203や開口158と重畳しないように形成することが好ましい。これにより、第1端子配線205とFPC基板115や導電層との間でコンタクト抵抗の低い電気的接続が可能となる。さらに、表示領域103の周囲(円188で囲った領域参照)で、第1無機膜182と第2無機膜186とが直接接触することが好ましい。これにより、第1無機膜182及び第2無機膜186と比較して親水性の高い有機膜184を第1無機膜182と第2無機膜186とによって封止することができる。そのため、外部からの不純物の侵入、ならびに表示領域103内での不純物の拡散をより効果的に防ぐことができる。
The first inorganic film 182 and the second inorganic film 186 are preferably formed so as to cover at least the
第2無機膜186の上には、カバーフィルム268が設けられる。第1端子配線205は、絶縁膜114、絶縁膜108、ゲート絶縁膜144、及び下地膜501を開口する領域(領域A)と、基板101とに接するように設けられている。領域Aは、表示装置100が折り曲げることができる折り曲げ領域に対応している。カバーフィルム268は、当該折り曲げることができる領域までの表示装置100の表面を保護する。また、図示はしないが、下地膜501の下には、カバーフィルムが設けられてもよい。このカバーフィルムは、下地膜501が損傷することを保護するとともに、表示装置100の裏面も保護する。尚、カバーフィルム268及び下地膜501の下に設けられるカバーフィルムは省略されてもよい。カバーフィルム268自体に折り曲げに対して十分に柔軟性がある場合、カバーフィルム268は、折り曲げることができる領域まで延在されてもよい。
A
図示はしないが、第2配線209、コンタクトホール211、第2端子配線213及び第2端子215に関する説明は、第1配線201、コンタクトホール203、第1端子配線205及び第1端子207に関する説明を適用することができる。
Although not shown, the description of the
本発明の一実施形態における表示装置100は、上述した積層構造を有することができる。但し、表示装置100の積層構造は、以上に説明した積層構造に限定されない。例えば、第1配線201又は第2配線209は、ソースまたはドレイン電極156や第1駆動電源線428と同一の層に形成されてもよい。また、第1端子配線205や第2端子配線213は、ゲート電極146と同一の層又は第1駆動電源線と同一の層に設けてもよい。
The
図3及び図4は、本発明の一実施形態に係る表示装置100の模式的な平面図である。制御回路111に、図1に示した複数の端子電極113を介して、映像信号、回路の動作を制御するタイミング信号、電源などが供給される。制御回路111は、各信号や電源電圧などを、走査信号線駆動回路109や映像信号線駆動回路107に供給する。制御回路111は、制御回路111が有する論理回路(図示せず)や電圧生成回路(図示せず)を用いて、各信号や電源電圧などから新たな信号や電源電圧を生成し、走査信号線駆動回路109や映像信号線駆動回路107に供給してもよい。制御回路111が配置される位置は、図1に示す基板101上に限定されない。例えば、制御回路111は、端子電極113に接続されたFPC基板115上に位置してもよい。
3 and 4 are schematic plan views of the
走査信号線駆動回路109や映像信号線駆動回路107は、制御回路111から供給される各信号や電源電圧を用いて、画素120に含まれる第1サブ画素130、第2サブ画素132及び第3サブ画素134が各々有する発光素子を駆動し、発光素子を発光させることにより、表示領域103に映像を表示する役割を果たす。
The scanning signal
走査信号線駆動回路109は、表示領域103内に構成されるn行目に位置する複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、共通に、走査信号SG(n)を供給するように構成される。走査信号線駆動回路109は、表示領域103内に構成されるn行目に位置する複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、共通に、発光制御信号BG(n)を供給するように構成される。走査信号線駆動回路109は、表示領域103内に構成されるn行目に位置する複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、共通に、初期化制御信号IG(n)を供給するように構成される。走査信号線駆動回路109は、複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、第1リセット信号VL1を供給するように構成される。ここで、第1リセット信号VL1の電圧をVrst1と記す。走査信号線駆動回路109は、さらに、複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、第2リセット信号VL2を供給するように構成される。第2リセット信号VL2の電圧をViniと記す。なお、本明細書においては、Vrst1及びViniが固定電圧である例を示すが、Vrst1及びViniは時間により変動してもよい。
The scanning signal
尚、図3においては、走査信号線駆動回路109が、複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、第1リセット信号VL1を供給する例を示しているが、この例に限定されない。映像信号線駆動回路107が、複数の画素に対し、第1リセット信号VL1を供給してもよい。同様に、映像信号線駆動回路107が、複数の画素に対し、第2リセット信号VL2を供給してもよい。また、第1リセット信号VL1及び第2リセット信号線VL2は、端子電極113に電気的に接続されてもよい。このとき、Vrst1及びViniは、表示装置100の外部からFPC基板115を介して供給される。本明細書等において、Vrst1は「リセット電圧」と呼ぶことがある。また、本明細書等において、Viniは「初期化電圧」と呼ぶことがある。
Note that FIG. 3 shows an example in which the scanning signal
映像信号線駆動回路107は、表示領域103内に構成されるm列目に位置する複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、共通に、映像信号SL(m)を供給するように構成される。以下、映像信号の電圧をVsig(m)、Vsig(n)などと記す。映像信号は、表示領域103で表示される映像データに応じて決定される。また、後述する補正方法によって、Vsig(n)が調整されてもよい。尚、本明細書などにおいて、m、nは1以上の任意の整数である。
The video signal
また、映像信号線駆動回路107は、表示領域103内に構成されるm列目に位置する複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、共通に、後述する第2駆動電圧VSSよりも高電圧の第1駆動電圧VDDを供給するように構成される。第1駆動電圧VDDは、第1駆動電源線428を介してサブ画素に供給されてもよい。第1駆動電圧VDDは、駆動トランジスタDRTを介して発光素子160の第1電極162に供給される。
Further, the video signal
図4に示すように、表示領域103内に構成されるm列目に位置する複数の画素120にそれぞれ含まれる全てのサブ画素に対し、第2駆動電圧VSSが供給される。第2駆動電圧VSSは、第2駆動電源線PVSSを介して各サブ画素に供給される。第2駆動電源線PVSSは、FPC基板115上に位置する電圧生成回路(図示せず)から第1端子207と電気的に接続された第1配線201と電気的に接続されてもよい。また、第1端子207と該第1端子207と電気的に接続された第1配線201に代わって、第2駆動電源線PVSSは、第2端子215に電気的に接続された第2配線209と電気的接続されてもよい。また、制御回路111に電圧生成回路が設けられている場合、第2駆動電圧VSSは、制御回路111から供給されてもよい。第2駆動電圧VSSは、各発光素子160の第2電極166に供給される。
As shown in FIG. 4, the second drive voltage VSS is supplied to all the sub-pixels included in the plurality of
第2駆動電圧VSSは、第1駆動電圧VDDよりも低電圧である。第2駆動電圧VSSは、少なくとも、第1電圧と該第1電圧とは異なる第2電圧とを含む。本実施形態では、第2駆動電圧VSSが、第1電圧と、該第1電圧とは異なる第2電圧と、該第1電圧及び第2電圧とは異なる第3電圧を含む場合を一例として説明する。第1サブ画素130に共通に印加される第2駆動電圧VSS(B)を第1電圧とする。第2サブ画素132に共通に印加される第2駆動電圧VSS(G)を第2電圧とする。第3サブ画素134に供給に印加される第2駆動電圧VSS(R)を第3電圧とする。ここでは、第2駆動電圧VSS電圧の大きさは、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)<第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)<第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)である。第2駆動電源線PVSSは、対応する列に位置するサブ画素が出射する色に応じた第2駆動電圧VSSを供給する第1配線201に接続される。
The second drive voltage VSS is lower than the first drive voltage VDD. The second drive voltage VSS includes at least a first voltage and a second voltage different from the first voltage. In the present embodiment, a case where the second drive voltage VSS includes a first voltage, a second voltage different from the first voltage, and a third voltage different from the first voltage and the second voltage will be described as an example. To do. The second drive voltage VSS (B) commonly applied to the
図5は、本発明の一実施形態に係るサブ画素の回路図である。図5では、n行m列の画素120に含まれるサブ画素の回路図を示している。図5に示しているサブ画素は、第1サブ画素130である。
FIG. 5 is a circuit diagram of sub-pixels according to an embodiment of the present invention. FIG. 5 shows a circuit diagram of sub-pixels included in the
図5に示す各トランジスタは、チャネル領域にシリコンやゲルマニウムなどの14族元素、或いは半導体特性を示す酸化物を有することができる。本実施形態では、nチャネル型の電界効果トランジスタとpチャネル型の電界効果トランジスタとを有する。なお、図5に示す回路構成は一例であって、この構成に限定されない。例えば、各トランジスタの極性を逆極性にして、制御信号の位相を反転し、保持容量素子Csの配置は、第1ノードと第1駆動電源線PVDDの間としてもよい。さらにこれらのトランジスタのチャネル領域は、単結晶、多結晶、微結晶、或いはアモルファスから選択される種々のモルフォロジーを有することができる。たとえば、比較的低温でアモルファスシリコンを溶融、再結晶化して得られる低温ポリシリコン(LTPS)を有することもできる。 Each transistor shown in FIG. 5 can have a Group 14 element such as silicon or germanium, or an oxide exhibiting semiconductor characteristics in the channel region. In this embodiment, it has an n-channel type field-effect transistor and a p-channel type field-effect transistor. The circuit configuration shown in FIG. 5 is an example, and is not limited to this configuration. For example, the polarity of each transistor may be reversed, the phase of the control signal may be inverted, and the holding capacitance element Cs may be arranged between the first node and the first drive power supply line P VDD. In addition, the channel regions of these transistors can have a variety of morphologies selected from single crystal, polycrystalline, microcrystal, or amorphous. For example, it may have low temperature polysilicon (LTPS) obtained by melting and recrystallizing amorphous silicon at a relatively low temperature.
図5に示すように、画素120は、駆動トランジスタDRT、選択トランジスタSST(第1スイッチ)、初期化トランジスタIST(第2スイッチ)、リセットトランジスタRST(第3スイッチ)、発光制御トランジスタBCT(第4スイッチ)、保持容量素子(第2容量素子)Cs、発光素子OLED(発光素子160)、及び付加容量Celを含む。これらのトランジスタはいずれも、第1電極(ゲート電極)と、第2電極及び第3電極からなる一対の端子(ソース電極、ドレイン電極)を有する。保持容量素子Cs(容量素子)は、一対の端子(第1端子、第2端子)を有する。付加容量Celは一対の端子(第1端子、第2端子)を有する。上述の一対の端子は、一対の電極ともいう。なお、図5では、付加容量Celを発光素子OLEDと並列に設ける例を示しているが、これに限定されない。付加容量Celは、発光素子OLEDの寄生容量であってもよいし、発光素子OLEDと並列に設けられた容量素子と発光素子OLEDの寄生容量とを含んでいてもよい。発光素子OLEDを駆動する電源として、第1駆動電源線PVDDから第1駆動電圧VDDが、第2駆動電源線PVSSから第2駆動電圧VSS(B)が供給される。リセット信号VLの電位Vrstは、第1駆動電源線PVDDから供給される高電位の第1駆動電圧VDD、及び容量信号VCの電位Vcsよりも小さい。リセット信号VLの電位Vrstは、第2駆動電圧VSS(B)と略同じであってもよい。
As shown in FIG. 5, the
駆動トランジスタDRTは、入力された映像信号を基に、発光素子OLEDに電流を流し、発光素子OLEDを発光させる役割を有する。選択トランジスタSSTは、駆動トランジスタDRTに映像信号を供給する役割を有する。初期化トランジスタISTは、駆動トランジスタDRTのゲート電極などにViniを供給し、駆動トランジスタDRTをリセットする役割を有する。発光制御トランジスタBCTは、駆動電源線PVDDと駆動トランジスタDRTとの接続、非接続を制御する。発光制御トランジスタBCTは、駆動トランジスタDRTと発光素子OLED、及び駆動トランジスタDRTと付加容量Celとの電気的な接続、非接続を制御するといってもよい。即ち、発光制御トランジスタBCTは、発光素子OLEDの発光、非発光を制御する役割を有する。リセットトランジスタRSTは、発光素子OLEDの第1端子にVrst1を供給し、駆動トランジスタDRTのソース、及び発光素子OLEDをリセットする役割を有する。 The drive transistor DRT has a role of passing a current through the light emitting element OLED based on the input video signal to cause the light emitting element OLED to emit light. The selection transistor SST has a role of supplying a video signal to the drive transistor DRT. The initialization transistor IST has a role of supplying Vini to the gate electrode of the drive transistor DRT and resetting the drive transistor DRT. The light emission control transistor BCT controls the connection and disconnection between the drive power supply line P VDD and the drive transistor DRT. It can be said that the light emission control transistor BCT controls the electrical connection and disconnection between the drive transistor DRT and the light emitting element OLED, and the drive transistor DRT and the additional capacitance Cel. That is, the light emission control transistor BCT has a role of controlling light emission and non-light emission of the light emitting element OLED. The reset transistor RST supplies Vrst1 to the first terminal of the light emitting element OLED, and has a role of resetting the source of the drive transistor DRT and the light emitting element OLED.
発光素子OLEDの第1端子は第1電極162である。保持容量素子Csは、駆動トランジスタDRTの閾値に相当する電圧を確保する役割を有する。また、保持容量素子Csは、画素120が発光するために駆動トランジスタDRTのゲートに入力する電圧を維持する役割を有する。即ち、保持容量素子Csは、入力された映像信号を、詳述すれば、入力された映像信号の階調レベルを保持するための役割を有する。発光素子OLEDは、ダイオード特性を有する。また、発光素子OLEDは、発光素子160であり、第1電極162と、第2電極166と、第1電極162と第2電極166との間に位置する発光層(機能層、有機層)164と、を含む。付加容量Celは、発光素子OLEDが含む容量である。なお、本発明の一実施形態においては、付加容量Celと容量素子Csとによって、入力された映像信号を保持してもよい。
The first terminal of the light emitting element OLED is the
初期化トランジスタISTのゲート電極は、初期化制御線416に電気的に接続される。初期化制御線416には、初期化制御信号IG(n)が供給される。初期化トランジスタISTは、初期化制御信号IG(n)に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。初期化制御信号IG(n)に供給される信号がローのとき、初期化トランジスタISTは、非導通状態となる。初期化制御信号IG(n)に供給される信号がハイのとき、初期化トランジスタISTは、導通状態となる。初期化トランジスタISTのソース電極は、第2リセット電圧線414に電気的に接続される。第2リセット電圧線414には、第2リセット信号VL2が供給される。初期化トランジスタISTのドレイン電極は、駆動トランジスタDRTのゲート電極、選択トランジスタSSTのドレイン電極、及び保持容量素子Csの第1の端子に電気的に接続される。保持容量素子Csの第2端子は、駆動トランジスタDRTのソース電極、リセットトランジスタRSTのドレイン電極、発光素子OLEDの第1端子、及び付加容量Celの第1端子に電気的に接続される。
The gate electrode of the initialization transistor IST is electrically connected to the
選択トランジスタSSTのゲート電極は、走査信号線410に電気的に接続される。走査信号線410には、走査信号SG(n)が供給される。選択トランジスタSSTは、走査信号SG(n)に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。走査信号SG(n)に供給される信号がローのとき、選択トランジスタSSTは、非導通状態となる。走査信号SG(n)に供給される信号がハイのとき、選択トランジスタSSTは、導通状態となる。選択トランジスタSSTのソース電極は、映像信号線409に電気的に接続される。映像信号線409には、映像信号SL(m)が供給される。選択トランジスタSSTのドレイン電極は、駆動トランジスタDRTのドレイン電極、及び保持容量素子Csの第1端子に電気的に接続される。
The gate electrode of the selection transistor SST is electrically connected to the
発光制御トランジスタBCTのゲート電極及びリセットトランジスタRSTのゲート電極は、発光制御線418に電気的に接続される。発光制御線418には、発光制御信号BG(n)が供給される。発光制御トランジスタBCT及びリセットトランジスタRSTは、発光制御信号BG(n)に供給される信号によって、導通状態、非導通状態が制御される。発光制御信号BG(n)に供給される信号がローのとき、発光制御トランジスタBCTは、非導通状態となる。発光制御信号BG(n)に供給される信号がハイのとき、発光制御トランジスタBCTは、導通状態となる。発光制御信号BG(n)に供給される信号がローのとき、リセットトランジスタRSTは、導通状態となる。発光制御信号BG(n)に供給される信号がハイのとき、リセットトランジスタRSTは、非導通状態となる。発光制御トランジスタBCTのドレイン電極は、駆動電源線PVDDに電気的に接続される。駆動電源線PVDDは、駆動電源線428である。発光制御トランジスタBCTのソース電極は、駆動トランジスタDRTのドレイン電極と電気的に接続される。リセットトランジスタRSTのソース電極は、第1リセット電圧線412に電気的に接続される。第1リセット電圧線412には、第1リセット信号VL1が供給される。
The gate electrode of the light emission control transistor BCT and the gate electrode of the reset transistor RST are electrically connected to the light
発光素子OLEDの第2端子、及び付加容量Celの第2端子は、第2駆動電源線PVSSに電気的に接続される。第2駆動電源線PVSSは、第1配線201と電気的に接続されてもよい。
The second terminal of the light emitting element OLED and the second terminal of the additional capacitance Cel are electrically connected to the second drive power supply line PVSS. The second drive power line PVSS may be electrically connected to the
初期化トランジスタISTのドレイン電極、選択トランジスタSSTのドレイン電極、駆動トランジスタDRTのゲート電極、及び保持容量素子Csの第1端子は、第1ノードA(n)に電気的に接続される。リセットトランジスタRSTのドレイン電極、駆動トランジスタDRTのソース電極、保持容量素子Csの第2端子、発光素子OLEDの第1端子、及び付加容量Celの第1端子は、第2ノードB(n)に電気的に接続される。駆動トランジスタDRTのドレイン電極、及び発光制御トランジスタBCTのソース電極は、第3ノードC(n)に電気的に接続される。 The drain electrode of the initialization transistor IST, the drain electrode of the selection transistor SST, the gate electrode of the drive transistor DRT, and the first terminal of the holding capacitance element Cs are electrically connected to the first node A (n). The drain electrode of the reset transistor RST, the source electrode of the drive transistor DRT, the second terminal of the holding capacitance element Cs, the first terminal of the light emitting element OLED, and the first terminal of the additional capacitance Cel are electrically connected to the second node B (n). Connected to. The drain electrode of the drive transistor DRT and the source electrode of the light emission control transistor BCT are electrically connected to the third node C (n).
第1リセット電圧線412は、各サブ画素に共通の電圧Vrst1を供給する。第2リセット電圧線414は、各サブ画素に共通の電圧Viniを供給する。なお、Vrst1とViniは略同一の電圧であってもよい。Vrst1とViniが略同一であることによって、駆動トランジスタDRTのリセット時に、駆動トランジスタDRTのゲート電極の電圧と駆動トランジスタDRTのソース電極の電圧とを略同一にすることができるため、駆動トランジスタDRTのリセットと、駆動トランジスタDRTの閾値補正との両方を精度よく行うことができる。
The first
本明細書などにおいて、導通状態とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極とが導通し、トランジスタに電流が流れる状態、トランジスタがオン(ON)の状態、スイッチがオン(ON)の状態を示すものとする。また、本明細書などにおいて、非導通状態とは、トランジスタのソース電極とドレイン電極とが非導通となり、トランジスタに電流が流れていない状態、トランジスタがオフ(OFF)の状態、スイッチがオフ(OFF)の状態を示すものとする。なお、各トランジスタにおいて、ソース電極とドレイン電極とは、各電極の電圧によって、入れ替わる場合がある。また、トランジスタまたはスイッチが電流を流していない状態、電流を流さない状態、オフの状態であっても、リーク電流などのように、わずかに電流が流れることは、当業者であれば容易に理解できることである。 In the present specification and the like, the conduction state indicates a state in which the source electrode and the drain electrode of the transistor are conductive and a current flows through the transistor, the transistor is on (ON), and the switch is on (ON). And. Further, in the present specification and the like, the non-conducting state means a state in which the source electrode and the drain electrode of the transistor are non-conducting and no current is flowing through the transistor, the transistor is off (OFF), and the switch is off (OFF). ) Shall indicate the state. In each transistor, the source electrode and the drain electrode may be interchanged depending on the voltage of each electrode. Also, those skilled in the art can easily understand that a slight current flows, such as a leak current, even when the transistor or switch does not pass current, does not pass current, or is off. You can do it.
以上、図5を参照して第1サブ画素130の回路構成について説明した。尚、第2サブ画素132及び第3サブ画素134の回路図は、発光素子OLEDの第2電極166に印加される第2駆動電圧VSSが、第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)又は第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)であることを除いて、図5に示している第1サブ画素130の回路図と実質的に同一であるため、詳細な説明は省略する。
The circuit configuration of the
(駆動方法)
次に、本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明する。図6は、n行目m列目のサブ画素のタイミングチャートである。n行目m列目のサブ画素は、第1サブ画素130、第2サブ画素132又は第3サブ画素134であってもよい。ここでは、n行目m列目のサブ画素が第1サブ画素130である場合を例として説明する。尚、第2サブ画素132及び第3サブ画素134の駆動方法は、以下に説明する第1サブ画素130の駆動方法と同様である。
(Drive method)
Next, a method of driving the display device according to the embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a timing chart of the sub-pixels in the nth row and the mth column. The sub-pixel in the n-th row and m-th column may be the
図7は、図6に示すタイミングチャートの期間T0における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。期間T0において、はじめに、初期化制御信号IG(n)、走査信号SG(n)及び発光制御信号BG(n)には、ロー電圧が供給される。よって、初期化トランジスタIST、選択トランジスタSST、及び発光制御トランジスタBCTは非導通状態である。一方、リセットトランジスタRSTは導通状態である。なお、駆動トランジスタDRTは、非導通状態であるとするが、導通状態であってもよい。よって、第1リセット信号VL1に供給されるVrst1が、リセットトランジスタRSTのドレイン電極、駆動トランジスタDRTのソース電極、保持容量素子Csの第2端子、発光素子OLEDの第1端子(第1電極162)、及び付加容量Celの第1端子に供給される。ノードB(n)の電圧はVrst1である。 FIG. 7 shows the state of the sub-pixel in the nth row and the mth column in the period T0 of the timing chart shown in FIG. In the period T0, first, a low voltage is supplied to the initialization control signal IG (n), the scanning signal SG (n), and the light emission control signal BG (n). Therefore, the initialization transistor IST, the selection transistor SST, and the light emission control transistor BCT are in a non-conducting state. On the other hand, the reset transistor RST is in a conductive state. The drive transistor DRT is assumed to be in a non-conducting state, but may be in a conducting state. Therefore, Vrst1 supplied to the first reset signal VL1 is the drain electrode of the reset transistor RST, the source electrode of the drive transistor DRT, the second terminal of the holding capacitance element Cs, and the first terminal of the light emitting element OLED (first electrode 162). , And is supplied to the first terminal of the additional capacitance Cel. The voltage of node B (n) is Vrst1.
図8は、図6に示すタイミングチャートの期間T1における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。期間T1において、次に、初期化制御信号IG(n)に供給される電圧は、ロー電圧からハイ電圧になる。よって、初期化トランジスタISTが導通状態となる。初期化制御線416に供給される初期化電圧Viniが、初期化トランジスタISTのドレイン電極、駆動トランジスタDRTのゲート電極、選択トランジスタSSTのドレイン電極、及び保持容量素子Cs第1の端子に供給される。ノードA(n)の電圧はViniである。
FIG. 8 shows the state of the sub-pixels in the nth row and the mth column in the period T1 of the timing chart shown in FIG. In the period T1, the voltage supplied to the initialization control signal IG (n) then changes from low voltage to high voltage. Therefore, the initialization transistor IST becomes conductive. The initialization voltage Vini supplied to the
期間T1においては、駆動トランジスタDRTのソース電極と駆動トランジスタDRTのゲート電極とがリセット(初期化)される。なお、Viniの電位は、Vrstの電位よりも高く、その電位差は駆動トランジスタDRTの閾値電圧よりも大きい。よって、期間T1における動作により、駆動トランジスタDRTは、前の映像信号に基づく状態からリセットされ、強制的にオン状態となる。 In the period T1, the source electrode of the drive transistor DRT and the gate electrode of the drive transistor DRT are reset (initialized). The potential of Vini is higher than the potential of Vrst, and the potential difference is larger than the threshold voltage of the drive transistor DRT. Therefore, the operation in the period T1 resets the drive transistor DRT from the state based on the previous video signal and forcibly turns it on.
図9は、図6に示すタイミングチャートの期間T2における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。期間T2において、発光制御信号BG(n)に供給される電圧は、ロー電圧からハイ電圧になる。よって、発光制御トランジスタBCTが導通状態となる。また、リセットトランジスタRSTは非導通状態となる。よって、発光制御トランジスタBCTが駆動電源線428に接続されるため、ノードC(n)の電圧が駆動電源線428に供給される第1駆動電圧VDDとなる。したがって、駆動トランジスタDRTに電流が流れる(駆動トランジスタDRTは期間T1における動作によって導通状態とされている)。したがって、駆動トランジスタDRTのソース電極及び保持容量素子Csの第2端子が充電される。ノードA(n)の電圧はViniであり、駆動トランジスタDRTのソース電極の電圧が、Vini−Vthnになったとき、駆動トランジスタDRTは非導通状態となる。ノードA(n)の電圧は、Viniを維持している。ノードB(n)の電圧は、Vini−Vthnである。ノードC(n)の電圧は、VDDである。なお、Vthnは、駆動トランジスタの閾値電圧である。したがって、ノードA(n)とノードB(n)との間、すなわち、保持容量素子Csに、駆動トランジスタDRTの閾値電圧に相当する電荷を保持することができる。即ち、T2期間において、駆動トランジスタDRTの閾値を補正することができる。これにより、映像信号のばらつきによる輝度ムラを抑制することができる。
FIG. 9 shows the state of the sub-pixels in the nth row and the mth column in the period T2 of the timing chart shown in FIG. In the period T2, the voltage supplied to the light emission control signal BG (n) changes from a low voltage to a high voltage. Therefore, the light emission control transistor BCT becomes conductive. Further, the reset transistor RST is in a non-conducting state. Therefore, since the light emission control transistor BCT is connected to the drive
図10は、図6に示すタイミングチャートの期間T3における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。期間T2と期間T3の間において、初期化制御信号IG(n+1)に供給される電圧は、ハイ電圧からロー電圧になる。よって、初期化トランジスタISTは非導通状態となる。また、期間T3において、走査信号SG(n)に供給される電圧は、ロー電圧からハイ電圧になる。よって、選択トランジスタSSTが導通状態となる。映像信号線409に映像信号SL(m)の電圧Vsig(n)が供給されると、選択トランジスタSSTのドレイン電極、初期化トランジスタISTのドレイン電極、駆動トランジスタDRTのゲート電極、及び保持容量素子Csの第1端子がVsig(n)となる。すなわち、ノードA(n)の電圧は、Vsig(n)である。ノードB(n)の電圧は、Vini−Vthnである。ノードC(n)の電圧は、VDDである。このとき、各サブ画素によって、駆動トランジスタDRTの閾値電圧がばらついていたとしても、T2期間における先の動作によって各サブ画素のノードA(n)、ノードB(n)間にはそれぞれの閾値電圧に相当する電位差が取得されている。そのため、映像信号Vsigがそれに上乗せされる形で駆動トランジスタDRTを制御することができ、駆動トランジスタDRTは、各映像信号の電圧に則った電流を流すことができる。
FIG. 10 shows the state of the sub-pixels in the nth row and the mth column in the period T3 of the timing chart shown in FIG. During the period T2 and the period T3, the voltage supplied to the initialization control signal IG (n + 1) changes from a high voltage to a low voltage. Therefore, the initialization transistor IST is in a non-conducting state. Further, in the period T3, the voltage supplied to the scanning signal SG (n) changes from a low voltage to a high voltage. Therefore, the selection transistor SST becomes conductive. When the voltage Vsig (n) of the video signal SL (m) is supplied to the
図11は、図6に示すタイミングチャートの期間T4における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。期間T3と期間T4の間において、走査信号SG(n)に供給される電圧は、ハイ電圧からロー電圧になる。よって、選択トランジスタSSTが非導通状態となる。したがって、駆動トランジスタDRTは、各映像信号の電圧に則った電流を流すことができる。したがって、第1駆動電源線428から第2駆動電源線PVSSに電流が流れ、発光素子OLEDが発光する。
FIG. 11 shows the state of the sub-pixels in the nth row and the mth column in the period T4 of the timing chart shown in FIG. During the period T3 and the period T4, the voltage supplied to the scanning signal SG (n) changes from a high voltage to a low voltage. Therefore, the selection transistor SST is in a non-conducting state. Therefore, the drive transistor DRT can flow a current according to the voltage of each video signal. Therefore, a current flows from the first drive
図12及び図13は、図6に示すタイミングチャートの期間T5における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。図12は、図6に示すタイミングチャートの期間T51における、n行目m列目のサブ画素の状態を示しており、図13は、図6に示すタイミングチャートの期間T52における、n行目m列目のサブ画素の状態を示している。期間T5は、1/60秒以下の間隔で、黒挿入を行う期間T51を含む。期間T51における動作は、T1期間の初めの動作と同じであるから詳細な説明は省略する。また、期間T52における動作は、期間T4の動作と同じであるから詳細な説明は省略する。期間T5においては、リセットトランジスタRSTを導通状態とすることで、発光素子OLEDの画素電極にVrst1を供給することができる。すなわち、表示装置100は黒を表示することができる。黒挿入は、例えば、60Hzのうち、1回は、非発光期間における黒表示であり、59回は黒挿入である。
12 and 13 show the state of the sub-pixels in the nth row and the mth column in the period T5 of the timing chart shown in FIG. FIG. 12 shows the state of the sub-pixels in the nth row and mth column in the period T51 of the timing chart shown in FIG. 6, and FIG. 13 shows the nth row m in the period T52 of the timing chart shown in FIG. The state of the sub-pixels in the column is shown. The period T5 includes a period T51 in which black insertion is performed at intervals of 1/60 second or less. Since the operation in the period T51 is the same as the operation at the beginning of the T1 period, detailed description thereof will be omitted. Further, since the operation in the period T52 is the same as the operation in the period T4, detailed description thereof will be omitted. During the period T5, Vrst1 can be supplied to the pixel electrodes of the light emitting element OLED by making the reset transistor RST conductive. That is, the
以上に説明した期間T0〜T5を含む期間を1フレーム(1F)として、1Fごとに1画面の映像が切り替えられる。 The video on one screen is switched for each 1F, with the period including the periods T0 to T5 described above as one frame (1F).
上述したように、本発明の一実施形態における表示装置100は、表示領域103に含まれる画素120の第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134の第2電極166はそれぞれ、隣接するサブ画素の第2電極166と電気的に絶縁されている。即ち、各サブ画素の発光素子160(発光素子OLED)は、隣接する発光素子160と電気的に絶縁されている。さらに、各サブ画素の第2電極166に供給される第2駆動電圧VSSの大きさは、第1サブ画素130に供給される第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)<第2サブ画素132に供給される第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)<第3サブ画素134に供給される第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)の関係を有する。
As described above, in the
図14は、各サブ画素の第2電極166に供給される第2駆動電圧VSSの大きさが、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)<第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)<第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)の関係を有する場合の、青色を出射する第1サブ画素130、緑色を出射する第2サブ画素132及び赤色を出射する第3サブ画素134にそれぞれ含まれる発光素子OLED(発光素子160)I−V特性を示す図面である。図15は、従来のように、隣接する発光素子間で第2電極を共有し、第2電極に共通の駆動電圧(共通電圧)Vcomが供給される場合の、青色サブ画素に含まれる青色を出射する発光素子(B)、緑色サブ画素に含まれる緑色を出射する発光素子(G)及び赤色サブ画素に含まれる赤色を出射する発光素子(R)のI−V特性を示す図面である。
In FIG. 14, the magnitude of the second drive voltage VSS supplied to the
図14を参照すると、本発明の一実施形態のように、第2駆動電圧VSSの大きさが、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)<第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)<第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)の関係を有する場合、各サブ画素の発光素子OLEDのI−V特性は略一致する。したがって、第1サブ画素130、第2サブ画素132及び第3サブ画素134の各発光素子OLEDに電流が流れ始める閾値電圧は、略同一の電圧Vaである。一方、図15を参照すると、発光素子(B)、発光素子(G)及び発光素子(R)に電流が流れ始める閾値電圧は、それぞれ異なっている。より詳細には、発光素子(R)の閾値電圧が最も小さく、発光素子(B)の閾値電圧が最も大きい。
Referring to FIG. 14, as in one embodiment of the present invention, the magnitude of the second drive voltage VSS is such that the second drive voltage VSS (B) (first voltage) <second drive voltage VSS (G) (first). When there is a relationship of (2 voltage) <second drive voltage VSS (R) (third voltage), the IV characteristics of the light emitting element OLED of each sub-pixel are substantially the same. Therefore, the threshold voltage at which the current starts to flow in each of the light emitting element OLEDs of the
一般的に、隣接する有機EL発光素子間では、正孔輸送層を介して横リークパスが存在する。そのため、前述したように、発光素子の閾値電圧が互いに異なると、従来のように、隣接する発光素子間で第2電極を共有し、第2電極に共通の駆動電圧(共通電圧)Vcomが供給される場合、所望の発光素子に流れるべき電流が、所望の発光素子に隣接する、より低い閾値電圧を有する発光素子に流れてしまい(横リーク電流)、所望の映像を表示することができない。図15に示すように、発光素子(R)の閾値電圧が最も小さく、発光素子(B)の閾値電圧が最も大きい場合、例えば、一画素において、発光素子(B)のみを低階調で発光させる際に横リーク電流が発生すると、発光素子(B)よりも低い閾値電圧を有する発光素子(B)に隣接する発光素子(G)(緑色サブ画素)又は発光素子(R)(赤色サブ画素)に電流が流れてしまい、本来、青色単色表示であるべき映像が緑色又は赤色にシフトしてしまい、所望の映像を表示することができない。 Generally, there is a lateral leak path between adjacent organic EL light emitting elements via a hole transport layer. Therefore, as described above, when the threshold voltages of the light emitting elements are different from each other, the second electrode is shared between the adjacent light emitting elements as in the conventional case, and a common drive voltage (common voltage) Vcom is supplied to the second electrode. If this is the case, the current that should flow to the desired light emitting element will flow to the light emitting element having a lower threshold voltage adjacent to the desired light emitting element (lateral leakage current), and the desired image cannot be displayed. As shown in FIG. 15, when the threshold voltage of the light emitting element (R) is the smallest and the threshold voltage of the light emitting element (B) is the largest, for example, in one pixel, only the light emitting element (B) emits light with low gradation. When a lateral leak current is generated at the time of making the light emitting element (B), the light emitting element (G) (green subpixel) or the light emitting element (R) (red subpixel) adjacent to the light emitting element (B) having a lower threshold voltage than the light emitting element (B) ), And the image that should have been displayed in a single blue color shifts to green or red, and the desired image cannot be displayed.
一方、本発明の一実施形態のように、第2駆動電圧VSSの大きさが、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)<第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)<第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)の関係を有する場合、発光開始時の発光素子(R)、発光素子(G)、発光素子(B)の第1電極の電位が同等、好ましくは0.2V以下となる。その結果、横リーク電流の発生が抑制され、所望の発光素子に電流を流すことができるため、色相シフトを防止することができる。 On the other hand, as in one embodiment of the present invention, the magnitude of the second drive voltage VSS is such that the second drive voltage VSS (B) (first voltage) <second drive voltage VSS (G) (second voltage) < When there is a relationship of the second drive voltage VSS (R) (third voltage), the potentials of the first electrodes of the light emitting element (R), the light emitting element (G), and the light emitting element (B) at the start of light emission are the same, preferably. Is 0.2 V or less. As a result, the generation of the lateral leakage current is suppressed, and the current can be passed through the desired light emitting element, so that the hue shift can be prevented.
各サブ画素における第2駆動電圧VSSの値は、発光素子の閾値電圧の差異に応じて設定すれば良い。すなわち、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)、第2駆動電圧VSS(G)(第2電圧)、第2駆動電圧VSS(R)(第3電圧)の電位の差異は、各サブ画素における発光素子の閾値電圧の差異に対応したものとなる。 The value of the second drive voltage VSS in each sub-pixel may be set according to the difference in the threshold voltage of the light emitting element. That is, the difference in potential between the second drive voltage VSS (B) (first voltage), the second drive voltage VSS (G) (second voltage), and the second drive voltage VSS (R) (third voltage) is different. It corresponds to the difference in the threshold voltage of the light emitting element in the sub-pixel.
このように本発明の一実施形態によると、画素120の第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134の各第2電極166をそれぞれ電気的に絶縁することにより、横リーク電流の発生を抑制することができる。また、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134の各第2電極166に供給される第2駆動電圧VSSの大きさを互いに異なるように調節することにより、色相シフトを防止し、所望の映像を表示することができる。さらに、第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134の各第2電極166に印加される第2駆動電圧VSSの大きさを適宜調節することにより、白表示をする際に、画素120の第1サブ画素130、第2サブ画素132、及び第3サブ画素134の各第1電極162の印加される電圧の大きさを略同一にすることができ、色純度を向上させることができる。
As described above, according to one embodiment of the present invention, the
[第2実施形態]
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置の別の構成を説明する。なお、上述した第1実施形態と同様の構成に関しては詳細な説明を省略し、第1実施形態の構成とは異なる構成について説明する。
[Second Embodiment]
In the present embodiment, another configuration of the display device according to the embodiment of the present invention will be described. A detailed description of the configuration similar to that of the first embodiment described above will be omitted, and a configuration different from the configuration of the first embodiment will be described.
図16は、本実施形態に係る表示装置100Aの模式的な断面図である。本実施形態に係る表示装置100Aは、画素120Aに含まれる第1サブ画素130Aの第2電極166Aのみが、第2サブ画素132A及び第3サブ画素134Aの各第2電極166と電気的に絶縁されていることを除いて、第1実施形態の表示装置100の構成と同様である。つまり、表示装置100Aにおいて、画素120Aに含まれる第1サブ画素130A、第2サブ画素132A、及び第3サブ画素134Aのうち、第1サブ画素130Aのみが、第2サブ画素132A及び第3サブ画素134Aと電気的に分離される。
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view of the
図17は、本実施形態に係る表示装置100Aの模式的な平面図である。第1サブ画素130Aの第2電極166Aには、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)が印加される。一方、第2サブ画素132A及び第3サブ画素134Aの第2電極166は、互いに電気的に接続されており、第1電圧とは異なる第2駆動電圧VSS(R/G)(第2電圧)が印加される。ここでは、第2駆動電圧VSSの大きさは、第2駆動電圧VSS(B)(第1電圧)<第2駆動電圧VSS(R/G)(第2電圧)である。
FIG. 17 is a schematic plan view of the
本実施形態は、第2サブ画素132Aと第3サブ画素134Aとの混色を考慮しなくてもよい場合、例えば、第2サブ画素132A及び第3サブ画素134Aの各発光素子OLEDに電流が流れ始める閾値電圧の差が無視できる程度に小さい場合に適用することができる。
In the present embodiment, when it is not necessary to consider the color mixing of the
本実施形態によると、画素120Aの第1サブ画素130Aの第2電極166Aと、第2サブ画素132A及び第3サブ画素134の各第2電極166とを電気的に絶縁することにより、第1サブ画素130Aから第2サブ画素132A及び第3サブ画素134への横リーク電流の発生を抑制することができ、第1サブ画素130Aのみ発光させる際に、色相シフトを防止することができる。また、第1実施形態に比べて、各サブ画素の第2電極のレイアウトを簡略化できるため、発光素子OLEDをより微細化することが可能である。
According to the present embodiment, the
本発明の実施形態として上述した各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。 As an embodiment of the present invention, based on the display device of each of the above-described embodiments, those skilled in the art appropriately add, delete, or change the design, or add, omit, or change the conditions of the process. Those are also included in the scope of the present invention as long as they have the gist of the present invention.
本明細書においては、表示装置として有機EL表示装置を例示した。表示装置の大きさは、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。 In this specification, an organic EL display device is exemplified as a display device. The size of the display device can be applied from small to medium size to large size without any particular limitation.
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 Of course, other effects different from the effects brought about by the embodiments of the above-described embodiments that are clear from the description of the present specification or that can be easily predicted by those skilled in the art will naturally occur. It is understood that it is brought about by the present invention.
100,100A・・・表示装置、101・・・基板、103・・・表示領域、105・・・周辺領域、107・・・映像信号線駆動回路、109・・・走査信号線駆動回路、111・・・制御回路、113・・・端子電極、115・・・FPC基板、120・・・画素、130・・・第1サブ画素、132・・・第2サブ画素、134・・・第3サブ画素、201・・・第1配線、203・・・コンタクトホール、205・・・第1端子配線、207・・・第1端子、209・・・第2配線、211・・・コンタクトホール、213・・・第2端子配線、215・・・第2端子、108・・・絶縁膜、114・・・絶縁膜、141・・・チャネル領域、142・・・半導体層、144・・・ゲート絶縁膜、146・・・ゲート電極、148・・・絶縁膜、150・・・無機絶縁膜、154・・・ドレイン領域/ソース領域、156・・・ドレイン電極/ソース電極、160・・・発光素子、162・・・第1電極、164・・・機能層、166・・・第2電極、168・・・絶縁膜(隔壁)、170・・・層、174・・・層、176・・・層、180・・・封止膜、182・・・第1無機膜、184・・・有機膜、186・・・第2無機膜、190・・・開口、234・・・接続電極、236・・・接続電極、252・・・異方性導電膜、268・・・カバーフィルム、409・・・映像信号線、410・・・走査信号線、412・・・第1リセット電圧線、414・・・第2リセット電圧線、416・・・初期化制御線、418・・・発光制御線、428・・・駆動電源線、434・・・駆動トランジスタ、438・・・保持容量素子、450・・・第3リセット電圧線、452・・・第4リセット電圧線、501・・・下地膜、SST・・・選択トランジスタ、DRT・・・駆動トランジスタ、BCT・・・発光制御トランジスタ、RST・・・リセットトランジスタ、IST・・・初期化トランジスタ、PST・・・電源トランジスタ、Cel・・・付加容量、Cs・・・保持容量素子、OLED・・・発光素子、PVDD・・・第1駆動電源線、PVSS・・・第2駆動電源線、IG(n)・・・初期化制御信号、BG(n)・・・発光制御信号、SG(n)・・・走査信号、SL(m)・・・映像信号、VL1・・・第1リセット信号、VL2・・・第2リセット信号
100, 100A ... Display device, 101 ... Board, 103 ... Display area, 105 ... Peripheral area, 107 ... Video signal line drive circuit, 109 ... Scan signal line drive circuit, 111 ... control circuit, 113 ... terminal electrode, 115 ... FPC substrate, 120 ... pixel, 130 ... first sub-pixel, 132 ... second sub-pixel, 134 ... third Sub-pixel, 201 ... 1st wiring, 203 ... Contact hole, 205 ... 1st terminal wiring, 207 ... 1st terminal, 209 ... 2nd wiring, 211 ... Contact hole, 213 ... 2nd terminal wiring, 215 ... 2nd terminal, 108 ... Insulation film, 114 ... Insulation film, 141 ... Channel area, 142 ... Semiconductor layer, 144 ... Gate Insulating film, 146 ... Gate electrode, 148 ... Insulating film, 150 ... Inorganic insulating film, 154 ... Drain region / source region, 156 ... Drain electrode / source electrode, 160 ... Light emission Elements, 162 ... 1st electrode, 164 ... Functional layer, 166 ... 2nd electrode, 168 ... Insulating film (partition wall), 170 ... Layer, 174 ... Layer, 176 ... -Layer, 180 ... sealing film, 182 ... first inorganic film, 184 ... organic film, 186 ... second inorganic film, 190 ... opening, 234 ... connection electrode, 236 ... connection electrode, 252 ... anisotropic conductive film, 268 ... cover film, 409 ... video signal line, 410 ... scanning signal line, 412 ... first reset voltage line, 414 ... second reset voltage line, 416 ... initialization control line, 418 ... light emission control line, 428 ... drive power supply line, 434 ... drive transistor, 438 ... holding capacitance element, 450 ... 3rd reset voltage line, 452 ... 4th reset voltage line, 501 ... Underlayer, SST ... Selective transistor, DRT ... Drive transistor, BCT ... Emission control transistor, RST ...・ ・ Reset transistor, IST ・ ・ ・ Initialization transistor, PST ・ ・ ・ Power supply transistor, Cel ・ ・ ・ Additional capacitance, Cs ・ ・ ・ Holding capacitance element, OLED ・ ・ ・ Light emitting element, P VDD ・ ・ ・ First drive power supply Line, PVSS: 2nd drive power supply line, IG (n): initialization control signal, BG (n): light emission control signal, SG (n): scanning signal, SL (m) ...・ ・ Video signal, VL1 ・ ・ ・ 1st reset signal, VL2 ・ ・ ・ 2nd reset signal
Claims (16)
前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第1電極と、
前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた発光層と、
を備え、
前記第1電極には、映像信号に基づいた電圧が印加され、
前記複数のサブ画素の各々は、少なくとも第1サブ画素と前記第1サブ画素に隣接する第2サブ画素とを含み、
前記第1サブ画素に対応する前記第2電極と、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極とは互いに電気的に絶縁され、
前記第1サブ画素に対応する前記第2電極に第1電圧が印加され、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極に第2電圧が印加され、前記第1電圧と第2電圧とは異なっている、表示装置。 Multiple sub-pixels included in each of the multiple pixels,
A first electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels,
A second electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels,
A light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode corresponding to each of the plurality of sub-pixels,
With
A voltage based on the video signal is applied to the first electrode.
Each of the plurality of sub-pixels includes at least a first sub-pixel and a second sub-pixel adjacent to the first sub-pixel.
The second electrode corresponding to the first sub-pixel and the second electrode corresponding to the second sub-pixel are electrically insulated from each other.
A first voltage is applied to the second electrode corresponding to the first sub-pixel, a second voltage is applied to the second electrode corresponding to the second sub-pixel, and the first voltage and the second voltage are Different, display device.
前記第3サブ画素に対応する前記第2電極は、前記前記第1サブ画素に対応する前記第2電極及び前記第2サブ画素に対応する前記第2電極と電気的に絶縁され、
前記第3サブ画素に対応する前記第2電極に第3電圧が印加され、前記第3電圧は、前記第1電圧及び前記第2電圧とは異なる、請求項1に記載の表示装置。 Each of the plurality of sub-pixels further includes a third sub-pixel adjacent to at least one of the first sub-pixel and the second sub-pixel.
The second electrode corresponding to the third sub-pixel is electrically insulated from the second electrode corresponding to the first sub-pixel and the second electrode corresponding to the second sub-pixel.
The display device according to claim 1, wherein a third voltage is applied to the second electrode corresponding to the third sub-pixel, and the third voltage is different from the first voltage and the second voltage.
前記第3サブ画素に対応する前記第2電極には前記第2電圧が印加される、請求項1に記載の表示装置。 Each of the plurality of sub-pixels further includes a third sub-pixel adjacent to at least one of the first sub-pixel and the second sub-pixel.
The display device according to claim 1, wherein the second voltage is applied to the second electrode corresponding to the third sub-pixel.
前記第2サブ画素は、赤色及び緑色の一方を表示し、
前記第3サブ画素は赤色及び緑色の他方を表示する、請求項2に記載の表示装置。 The first sub-pixel displays blue and
The second sub-pixel displays one of red and green, and displays one of them.
The display device according to claim 2, wherein the third sub-pixel displays the other of red and green.
前記第2サブ画素は、赤色及び緑色の一方を表示し、
前記第3サブ画素は赤色及び緑色の他方を表示する、請求項3に記載の表示装置。 The first sub-pixel displays blue and
The second sub-pixel displays one of red and green, and displays one of them.
The display device according to claim 3, wherein the third sub-pixel displays the other of red and green.
前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第1電極と、
前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記複数のサブ画素の各々に対応して設けられた発光層と、
を備え、
前記複数のサブ画素の各々は、少なくとも第1サブ画素と前記第1サブ画素に隣接する第2サブ画素とを含み、
前記第1サブ画素に対応する前記第2電極と、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極とは互いに電気的に絶縁されている、表示装置の駆動方法であって、
前記第1電極には、映像信号に基づいた電圧を印加し、
前記第1サブ画素に対応する前記第2電極に第1電圧を印加し、前記第2サブ画素に対応する前記第2電極に、前記第1電圧とは異なる第2電圧を印加する、表示装置の駆動方法。 Multiple sub-pixels included in each of the multiple pixels,
A first electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels,
A second electrode provided corresponding to each of the plurality of sub-pixels,
A light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode corresponding to each of the plurality of sub-pixels,
With
Each of the plurality of sub-pixels includes at least a first sub-pixel and a second sub-pixel adjacent to the first sub-pixel.
A method for driving a display device, wherein the second electrode corresponding to the first sub-pixel and the second electrode corresponding to the second sub-pixel are electrically insulated from each other.
A voltage based on the video signal is applied to the first electrode.
A display device that applies a first voltage to the second electrode corresponding to the first sub-pixel and applies a second voltage different from the first voltage to the second electrode corresponding to the second sub-pixel. Driving method.
前記第3サブ画素に対応する前記第2電極は、前記前記第1サブ画素に対応する前記第2電極及び前記第2サブ画素に対応する前記第2電極と電気的に絶縁され、
前記第3サブ画素に対応する前記第2電極には前記第1電圧及び前記第2電圧とは異なる第3電圧を印加する、請求項9に記載の表示装置の駆動方法。 Each of the plurality of sub-pixels further includes a third sub-pixel adjacent to at least one of the first sub-pixel and the second sub-pixel.
The second electrode corresponding to the third sub-pixel is electrically insulated from the second electrode corresponding to the first sub-pixel and the second electrode corresponding to the second sub-pixel.
The method for driving a display device according to claim 9, wherein a third voltage different from the first voltage and the second voltage is applied to the second electrode corresponding to the third sub-pixel.
前記第3サブ画素に対応する前記第2電極には、前記第2電圧を印加する、請求項9に記載の表示装置の駆動方法。 Each of the plurality of sub-pixels further includes a third sub-pixel adjacent to at least one of the first sub-pixel and the second sub-pixel.
The method for driving a display device according to claim 9, wherein the second voltage is applied to the second electrode corresponding to the third sub-pixel.
前記第2サブ画素は、赤色及び緑色の一方を表示し、
前記第3サブ画素は赤色及び緑色の他方を表示する、請求項10に記載の表示装置の駆動方法。 The first sub-pixel displays blue and
The second sub-pixel displays one of red and green, and displays one of them.
The method for driving a display device according to claim 10, wherein the third sub-pixel displays the other of red and green.
前記第2サブ画素は、赤色及び緑色の一方を表示し、
前記第3サブ画素は赤色及び緑色の他方を表示する、請求項11に記載の表示装置の駆動方法。 The first sub-pixel displays blue and
The second sub-pixel displays one of red and green,
The method for driving a display device according to claim 11, wherein the third sub-pixel displays the other of red and green.
When a predetermined pixel among the plurality of pixels displays white, the first electrode corresponding to the first sub pixel included in the predetermined pixel and the first electrode corresponding to the second sub pixel are included. The method for driving a display device according to any one of claims 10 to 15, wherein substantially the same voltage is applied to the first electrode corresponding to the third sub-pixel.
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JP2019161576A JP2021040079A (en) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | Display device and driving method for display device |
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