JP2021039991A

JP2021039991A - Coating device

Info

Publication number: JP2021039991A
Application number: JP2019159233A
Authority: JP
Inventors: 洋司酒田; Yoji Sakata; 慶介佐々木; Keisuke Sasaki; 正志土山; Masashi Tsuchiyama
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2019-09-02
Filing date: 2019-09-02
Publication date: 2021-03-11
Also published as: CN214077581U

Abstract

To provide a technique that can simplify a device configuration in a coating device.SOLUTION: A coating device includes three or more laminated processing blocks, a coating processing unit, and a transport unit. The coating processing unit is arranged in at least one of three or more processing blocks, and a film-forming material is applied to the substrate. The transport unit transports a substrate in three consecutive processing blocks from among three or more processing blocks.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は、塗布装置に関する。 The present disclosure relates to a coating device.

従来、半導体ウエハ等の基板に対してレジスト等の塗布処理を行う塗布装置が知られている。 Conventionally, a coating device for applying a resist or the like to a substrate such as a semiconductor wafer has been known.

特開２００９−２３１６２４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-231624

本開示は、塗布装置において、装置構成を簡略化することができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of simplifying the device configuration in a coating device.

本開示の一態様による塗布装置は、積層された３つ以上の処理ブロックと、塗布処理部と、搬送部とを備える。塗布処理部は、３つ以上の処理ブロックのうち少なくとも１つに配置され、基板に成膜材料を塗布する。搬送部は、３つ以上の処理ブロックのうち連続する３つの処理ブロックにおいて基板を搬送する。 The coating apparatus according to one aspect of the present disclosure includes three or more laminated processing blocks, a coating processing unit, and a transport unit. The coating processing unit is arranged in at least one of three or more processing blocks, and the film-forming material is applied to the substrate. The transport unit transports the substrate in three consecutive processing blocks out of three or more processing blocks.

本開示によれば、塗布装置において、装置構成を簡略化することができる。 According to the present disclosure, in the coating apparatus, the apparatus configuration can be simplified.

図１は、第１実施形態に係る塗布装置の概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of the coating apparatus according to the first embodiment. 図２は、第１実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of the coating apparatus according to the first embodiment. 図３は、第１実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。FIG. 3 is a schematic side view of the coating apparatus according to the first embodiment. 図４は、第１実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。FIG. 4 is a schematic side view of the processing station according to the first embodiment. 図５は、第１実施形態に係る搬送部をＹ軸方向に沿って見た概略側面図である。FIG. 5 is a schematic side view of the transport unit according to the first embodiment as viewed along the Y-axis direction. 図６は、第１実施形態に係る搬送部をＸ軸方向に沿って見た概略図である。FIG. 6 is a schematic view of the transport unit according to the first embodiment as viewed along the X-axis direction. 図７は、第２実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。FIG. 7 is a schematic side view of the coating apparatus according to the second embodiment. 図８は、第２実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。FIG. 8 is a schematic side view of the coating apparatus according to the second embodiment. 図９は、第２実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。FIG. 9 is a schematic side view of the processing station according to the second embodiment. 図１０は、第３実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。FIG. 10 is a schematic side view of the coating apparatus according to the third embodiment.

以下に、本開示による塗布装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による塗布装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。 Hereinafter, embodiments for carrying out the coating apparatus according to the present disclosure (hereinafter, referred to as “embodiments”) will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that this embodiment does not limit the coating apparatus according to the present disclosure. In addition, each embodiment can be appropriately combined as long as the processing contents do not contradict each other. Further, in each of the following embodiments, the same parts are designated by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。 Further, in the embodiments shown below, expressions such as "constant", "orthogonal", "vertical" or "parallel" may be used, but these expressions are strictly "constant", "orthogonal", and "parallel". It does not have to be "vertical" or "parallel". That is, each of the above expressions allows for deviations in manufacturing accuracy, installation accuracy, and the like.

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る塗布装置の概略平面図である。図２および図３は、第１実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。図４は、第１実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。 (First Embodiment)
FIG. 1 is a schematic plan view of the coating apparatus according to the first embodiment. 2 and 3 are schematic side views of the coating apparatus according to the first embodiment. FIG. 4 is a schematic side view of the processing station according to the first embodiment.

図１に示すように、第１実施形態に係る塗布装置１は、搬入出ステーションＳ１と、受渡ステーションＳ２と、処理ステーションＳ３とを備える。これらは、水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って、搬入出ステーションＳ１、受渡ステーションＳ２および処理ステーションＳ３の順番に連結されている。また、塗布装置１は、制御装置６を備える。 As shown in FIG. 1, the coating device 1 according to the first embodiment includes a loading / unloading station S1, a delivery station S2, and a processing station S3. These are connected in the order of the loading / unloading station S1, the delivery station S2, and the processing station S3 along the horizontal direction (here, the Y-axis direction). Further, the coating device 1 includes a control device 6.

＜搬入出ステーションＳ１＞
搬入出ステーションＳ１には、カセットＣを載置可能な複数の載置台１１と、載置台１１から見て前方の壁面に設けられる複数の開閉部１２と、開閉部１２を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための搬送部１３とが設けられている。 <Import / export station S1>
The loading / unloading station S1 has a plurality of mounting tables 11 on which the cassette C can be mounted, a plurality of opening / closing portions 12 provided on the wall surface in front of the loading / unloading stand 11, and a wafer from the cassette C via the opening / closing portion 12. A transport unit 13 for taking out W is provided.

カセットＣは、複数の半導体ウエハ（以下、ウエハＷと記載する）を収容可能な容器である。搬送部１３は、後述する棚ユニット２１に配置された複数の受渡部ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３（図２参照）とカセットＣとの間でウエハＷの搬送を行う。搬送部１３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 The cassette C is a container capable of accommodating a plurality of semiconductor wafers (hereinafter, referred to as wafer W). The transport unit 13 transports the wafer W between the plurality of delivery units TRS1 to TRS3 (see FIG. 2) arranged in the shelf unit 21, which will be described later, and the cassette C. The transport unit 13 includes a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport unit 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis.

＜受渡ステーションＳ２＞
受渡ステーションＳ２には、棚ユニット２１と、複数の搬送部２２とが設けられている。棚ユニット２１は、受渡ステーションＳ２の中央に配置されており、複数（ここでは、２つ）の搬送部２２は、棚ユニット２１を挟んで対向する位置にそれぞれ配置されている。 <Delivery station S2>
The delivery station S2 is provided with a shelf unit 21 and a plurality of transport units 22. The shelf unit 21 is arranged in the center of the delivery station S2, and a plurality of (here, two) transport units 22 are arranged at positions facing each other with the shelf unit 21 interposed therebetween.

棚ユニット２１には、複数の処理部が高さ方向に並べて配置される。たとえば、図２に示すように、棚ユニット２１には、後述する第１処理層Ｌ１に対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ１が配置され、第２処理層Ｌ２に対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ２が配置される。また、棚ユニット２１には、第３処理層Ｌ３に対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ３が配置される。 A plurality of processing units are arranged side by side in the height direction on the shelf unit 21. For example, as shown in FIG. 2, a plurality of delivery units TRS1 are arranged in the shelf unit 21 at a height position corresponding to the first processing layer L1 described later, and at a height position corresponding to the second processing layer L2. A plurality of delivery units TRS2 are arranged. Further, in the shelf unit 21, a plurality of delivery units TRS3 are arranged at height positions corresponding to the third processing layer L3.

受渡部ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３は、たとえば、方形の筺体を備えており、かかる筐体の内部にウエハＷを収容可能である。また、受渡部ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３は、複数の搬送部（ここでは、搬送部１３，２２，３１〜３３）によってアクセス可能である。なお、受渡部ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３は、ウエハＷの温度を予定した温度に調節する温調機構を備えていてもよい。 The delivery units TRS1 to TRS3 include, for example, a rectangular housing, and the wafer W can be accommodated inside the housing. Further, the delivery units TRS1 to TRS3 can be accessed by a plurality of transfer units (here, transfer units 13, 22, 31 to 33). The delivery units TRS1 to TRS3 may be provided with a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the wafer W to a predetermined temperature.

搬送部２２は、ウエハＷを保持する保持部を備える。搬送部２２は、水平方向および鉛直方向への移動が可能であり、保持部を用いて保持したウエハＷを複数の受渡部ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３間で搬送する（移し替える）。 The transport unit 22 includes a holding unit that holds the wafer W. The transport unit 22 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and transports (transfers) the wafer W held by the holding unit between the plurality of delivery units TRS1 to TRS3.

＜処理ステーションＳ３：処理ブロックＢ１〜Ｂ６＞
図１〜図４に示すように、処理ステーションＳ３は、積層された６つの処理ブロックＢ１〜Ｂ６と、搬送ブロックＢＭとを備える。搬送ブロックＢＭは、搬入出ステーションＳ１〜処理ステーションＳ３の並び方向（ここでは、Ｙ軸方向）に沿って延在する。搬送ブロックＢＭには、後述する第１処理層Ｌ１に対応する搬送部３１、第２処理層Ｌ２に対応する搬送部３２および第３処理層Ｌ３に対応する搬送部３３が、処理ブロックＢ１〜Ｂ６の積層方向である高さ方向に並べて配置される（図４参照）。 <Processing station S3: Processing blocks B1 to B6>
As shown in FIGS. 1 to 4, the processing station S3 includes six stacked processing blocks B1 to B6 and a transport block BM. The transport block BM extends along the arrangement direction (here, the Y-axis direction) of the carry-in / out station S1 to the processing station S3. In the transport block BM, the transport unit 31 corresponding to the first processing layer L1, the transport unit 32 corresponding to the second treatment layer L2, and the transport unit 33 corresponding to the third treatment layer L3 are included in the treatment blocks B1 to B6. Are arranged side by side in the height direction, which is the stacking direction of the above (see FIG. 4).

各処理ブロックＢ１〜Ｂ６は、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂとを備える。フロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂと、搬送ブロックＢＭとは、搬入出ステーションＳ１〜処理ステーションＳ３の並び方向と直交する方向（ここでは、Ｘ軸方向）に沿って並べて配置される。また、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆと、バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂとは、搬送ブロックＢＭを挟んで対向する位置に配置される。具体的には、フロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆは、搬送ブロックＢＭのＸ軸正方向側に配置され、バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂは、搬送ブロックＢＭのＸ軸負方向側に配置される。 Each processing block B1 to B6 includes front side processing blocks B1F to B6F and back side processing blocks B1B to B6B. The front side processing blocks B1F to B6F, the back side processing blocks B1B to B6B, and the transport block BM are along a direction orthogonal to the arrangement direction of the loading / unloading stations S1 to the processing station S3 (here, the X-axis direction). Arranged side by side. Further, the front side processing blocks B1F to B6F and the back side processing blocks B1B to B6B are arranged at positions facing each other with the transport block BM in between. Specifically, the front side processing blocks B1F to B6F are arranged on the X-axis positive direction side of the transport block BM, and the back side processing blocks B1B to B6B are arranged on the X-axis negative direction side of the transport block BM.

フロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆは、下から順にこの順番で積層される。フロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆのうち、フロント側処理ブロックＢ３Ｆには、複数（ここでは、２つ）の塗布処理部３５が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。 The front side processing blocks B1F to B6F are laminated in this order from the bottom. Of the front side processing blocks B1F to B6F, a plurality of (here, two) coating processing units 35 are arranged side by side along the Y-axis direction in the front side processing block B3F.

塗布処理部３５は、ウエハＷに成膜材料を塗布する。具体的には、塗布処理部３５は、たとえば、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷの表面に成膜材料を供給することにより、ウエハＷの表面に膜を形成する。ここでは、成膜材料として、ＳＯＣ（Spin On Carbon）を成膜するための処理液が用いられるものとするが、これに限らず、成膜材料はレジスト等であってもよい。 The coating processing unit 35 coats the wafer W with the film-forming material. Specifically, the coating processing section 35 includes, for example, a holding section for holding and rotating the wafer W, a cup surrounding the holding section, and the like, and a film-forming material is formed on the surface of the wafer W from a chemical solution nozzle (not shown). A film is formed on the surface of the wafer W by supplying the wafer W. Here, as the film-forming material, a treatment liquid for forming an SOC (Spin On Carbon) is used, but the film-forming material is not limited to this, and the film-forming material may be a resist or the like.

なお、第１実施形態において、その他のフロント側処理ブロックＢ１Ｆ，Ｂ２Ｆ，Ｂ４Ｆ〜Ｂ６Ｆは、空の状態である（図２参照）。 In the first embodiment, the other front side processing blocks B1F, B2F, B4F to B6F are in an empty state (see FIG. 2).

バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂは、下から順にこの順番で積層される。バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂは、それぞれフロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆと同じ高さ位置に配置される。 The back side processing blocks B1B to B6B are laminated in this order from the bottom. The back side processing blocks B1B to B6B are arranged at the same height positions as the front side processing blocks B1F to B6F, respectively.

バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂのうち、バック側処理ブロックＢ１Ｂには、ウエハＷを加熱する複数（ここでは、２つ）の第１加熱部ＢＫ１と、ウエハＷを冷却する冷却部ＣＬとが、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。 Of the back-side processing blocks B1B to B6B, the back-side processing blocks B1B include a plurality of (here, two) first heating units BK1 for heating the wafer W and cooling units CL for cooling the wafer W. They are arranged side by side along the Y-axis direction.

第１加熱部ＢＫ１および冷却部ＣＬは、１つの処理ブロックＢ１〜Ｂ６に対して、高さ方向に複数（ここでは、２段）積層して配置することが可能である。たとえば、バック側処理ブロックＢ１Ｂにおいて、２つの第１加熱部ＢＫ１および冷却部ＣＬは、下段のスペースに配置されており、上段のスペースは空となっている。 A plurality of (here, two stages) of the first heating unit BK1 and the cooling unit CL can be stacked and arranged in the height direction with respect to one processing block B1 to B6. For example, in the back side processing block B1B, the two first heating units BK1 and the cooling unit CL are arranged in the lower space, and the upper space is empty.

バック側処理ブロックＢ２Ｂには、ウエハＷを加熱する複数（ここでは、３つ）の第１加熱部ＢＫ１が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。３つの第１加熱部ＢＫ１は、バック側処理ブロックＢ２Ｂのうち、たとえば下段のスペースに配置される。 In the back-side processing block B2B, a plurality of (here, three) first heating portions BK1 for heating the wafer W are arranged side by side along the Y-axis direction. The three first heating units BK1 are arranged in, for example, the lower space of the back side processing block B2B.

バック側処理ブロックＢ３Ｂには、ウエハＷを加熱する複数（ここでは、４つ）の第１加熱部ＢＫ１が配置される。具体的には、４つの第１加熱部ＢＫ１のうち３つは、バック側処理ブロックＢ３Ｂのうち上段のスペースに配置され、残りの１つは、下段のスペースに配置される。 A plurality of (here, four) first heating units BK1 for heating the wafer W are arranged in the back-side processing block B3B. Specifically, three of the four first heating units BK1 are arranged in the upper space of the back side processing block B3B, and the remaining one is arranged in the lower space.

バック側処理ブロックＢ４Ｂには、３つの第２加熱部ＢＫ２が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。第２加熱部ＢＫ２は、第１加熱部ＢＫ１よりも高い温度でウエハＷを加熱する。また、第２加熱部ＢＫ２は、第１加熱部ＢＫ１と比較して低酸素状態でウエハＷを加熱することができる。第２加熱部ＢＫ２は、第１加熱部ＢＫ１と比べて高さ寸法が大きく、１つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６に対して、高さ方向に１段しか配置することができない。 In the back side processing block B4B, three second heating portions BK2 are arranged side by side along the Y-axis direction. The second heating unit BK2 heats the wafer W at a temperature higher than that of the first heating unit BK1. Further, the second heating unit BK2 can heat the wafer W in a lower oxygen state as compared with the first heating unit BK1. The height dimension of the second heating unit BK2 is larger than that of the first heating unit BK1, and only one stage can be arranged in the height direction with respect to one processing block B4 to B6.

バック側処理ブロックＢ４Ｂと同様、バック側処理ブロックＢ５Ｂ，Ｂ６Ｂには、３つの第２加熱部ＢＫ２が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。 Similar to the back side processing block B4B, three second heating portions BK2 are arranged side by side in the back side processing blocks B5B and B6B along the Y-axis direction.

＜処理ステーションＳ３：搬送ブロックＢＭ＞
搬送ブロックＢＭは、上述したフロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ６Ｆとバック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ６Ｂとの間に配置される。図４に示すように、搬送ブロックＢＭには、複数（ここでは、３つ）の搬送部３１〜３３が、高さ方向に並べて配置される。具体的には、搬送部３１〜３３は、下から順にこの順番で配置される。搬送部３１〜３３は、ウエハＷを保持する保持部を備える。また、搬送部３１〜３３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能である。 <Processing station S3: Transport block BM>
The transport block BM is arranged between the front side processing blocks B1F to B6F and the back side processing blocks B1B to B6B described above. As shown in FIG. 4, a plurality of (here, three) transport units 31 to 33 are arranged side by side in the height direction on the transport block BM. Specifically, the transport units 31 to 33 are arranged in this order from the bottom. The transport units 31 to 33 include a holding unit that holds the wafer W. Further, the transport units 31 to 33 can move in the horizontal direction and the vertical direction, and can rotate around the vertical axis.

搬送部３１は、処理ブロックＢ１および処理ブロックＢ２の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ１および処理ブロックＢ２におけるウエハＷの搬送を担当する。具体的には、搬送部３１は、処理ブロックＢ１内におけるウエハＷの搬送、処理ブロックＢ２内におけるウエハＷの搬送、並びに、処理ブロックＢ１および処理ブロックＢ２間におけるウエハＷの搬送を行う。 The transport unit 31 is arranged at a height position of the processing block B1 and the processing block B2, and is in charge of transporting the wafer W in the processing block B1 and the processing block B2. Specifically, the transport unit 31 transports the wafer W in the processing block B1, transports the wafer W in the processing block B2, and transports the wafer W between the processing block B1 and the processing block B2.

搬送部３２は、処理ブロックＢ３の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ３におけるウエハＷの搬送を担当する。搬送部３３は、処理ブロックＢ４〜Ｂ６の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ４〜Ｂ６におけるウエハＷの搬送を担当する。 The transport unit 32 is arranged at a height position of the processing block B3 and is in charge of transporting the wafer W in the processing block B3. The transport unit 33 is arranged at a height position of the processing blocks B4 to B6, and is in charge of transporting the wafer W in the processing blocks B4 to B6.

このように、第１実施形態に係る塗布装置１は、６つの処理ブロックＢ１〜Ｂ６のうち連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６においてウエハＷを搬送する搬送部３３を備える。言い換えれば、塗布装置１は、連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６で１つの搬送部３３を共用することとした。このため、塗布装置１によれば、たとえば、３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６ごとに搬送部を設けた構成と比較して、装置構成を簡略化することができる。 As described above, the coating apparatus 1 according to the first embodiment includes a transport unit 33 for transporting the wafer W in three consecutive processing blocks B4 to B6 among the six processing blocks B1 to B6. In other words, in the coating device 1, one transport unit 33 is shared by three consecutive processing blocks B4 to B6. Therefore, according to the coating device 1, for example, the device configuration can be simplified as compared with a configuration in which a transport unit is provided for each of the three processing blocks B4 to B6.

また、第１実施形態に係る塗布装置１では、第１加熱部ＢＫ１よりも高い温度でウエハＷを加熱する複数の第２加熱部ＢＫ２を、連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６からなる第３処理層Ｌ３に配置することとした。 Further, in the coating apparatus 1 according to the first embodiment, the plurality of second heating units BK2 that heat the wafer W at a temperature higher than that of the first heating unit BK1 are formed by a third processing block B4 to B6 that are continuous. It was decided to arrange it on the processing layer L3.

第２加熱部ＢＫ２は、第１加熱部ＢＫ１と比較して処理温度に達するまでに時間を要する。すなわち、第２加熱部ＢＫ２における処理時間は、第１加熱部ＢＫ１と比較して長くなる。これは、言い換えれば、第２加熱部ＢＫ２へのウエハＷの搬入出の頻度は、第１加熱部ＢＫ１へのウエハＷの搬入出の頻度と比較して少ないと言える。このように、処理時間が長く、ウエハＷの搬入出の頻度が比較的少ない第２加熱部ＢＫ２を第３処理層Ｌ３に配置することで、塗布装置１の装置構成を簡略化しつつも、スループットの低下を抑制することができる。 The second heating unit BK2 requires more time to reach the processing temperature than the first heating unit BK1. That is, the processing time in the second heating unit BK2 is longer than that in the first heating unit BK1. In other words, it can be said that the frequency of loading and unloading the wafer W to and from the second heating section BK2 is lower than the frequency of loading and unloading the wafer W to and from the first heating section BK1. In this way, by arranging the second heating unit BK2 on the third processing layer L3, which has a long processing time and a relatively low frequency of loading and unloading the wafer W, the throughput of the coating device 1 is simplified while the throughput is simplified. Can be suppressed.

また、第１実施形態に係る塗布装置１では、連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６からなる第３処理層Ｌ３を、それ以外の処理ブロックＢ１〜Ｂ３よりも上段に配置することとした。すなわち、第１実施形態に係る塗布装置１では、高さ方向に積層される３つの処理層Ｌ１〜Ｌ３のうち、連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６からなる第３処理層Ｌ３を最上段に配置することとした。 Further, in the coating apparatus 1 according to the first embodiment, the third processing layer L3 composed of three consecutive processing blocks B4 to B6 is arranged above the other processing blocks B1 to B3. That is, in the coating apparatus 1 according to the first embodiment, among the three treatment layers L1 to L3 stacked in the height direction, the third treatment layer L3 composed of three consecutive treatment blocks B4 to B6 is placed on the uppermost stage. I decided to place it.

このように、第２加熱部ＢＫ２が配置される第３処理層Ｌ３を最上段に配置することで、第２加熱部ＢＫ２から発せられる熱が他の処理層Ｌ１，Ｌ２に配置された処理部に影響を与えることを抑制することができる。 In this way, by arranging the third processing layer L3 in which the second heating unit BK2 is arranged at the uppermost stage, the heat generated from the second heating unit BK2 is arranged in the other processing layers L1 and L2. It is possible to suppress the influence on.

また、第１実施形態に係る塗布装置１では、第３処理層Ｌ３以外の処理層である第２処理層Ｌ２に塗布処理部３５を配置することとした。塗布処理部３５による塗布処理は、第２加熱部ＢＫ２による加熱処理と比較して処理時間が短い。また、第２加熱部ＢＫ２による加熱処理は、塗布処理部３５による塗布処理の後に行われる。したがって、第２加熱部ＢＫ２が配置される第３処理層Ｌ３以外の第２処理層Ｌ２に塗布処理部３５を配置して、塗布処理後のウエハＷが効率良く払い出されるようにすることで、装置構成を簡略化しつつも、スループットの低下を抑制することができる。また、これにより、塗布装置１におけるタクトが後段の露光装置におけるタクトよりも長くなってしまうことを抑制することができる。すなわち、露光装置における処理のスループットが塗布装置１における処理によって律速されてしまうことを抑制することができる。 Further, in the coating apparatus 1 according to the first embodiment, the coating treatment unit 35 is arranged on the second treatment layer L2, which is a treatment layer other than the third treatment layer L3. The coating treatment by the coating treatment unit 35 has a shorter treatment time than the heat treatment by the second heating unit BK2. Further, the heat treatment by the second heating unit BK2 is performed after the coating treatment by the coating processing unit 35. Therefore, by arranging the coating processing unit 35 in the second processing layer L2 other than the third processing layer L3 in which the second heating unit BK2 is arranged so that the wafer W after the coating treatment is efficiently discharged. It is possible to suppress a decrease in throughput while simplifying the device configuration. Further, this can prevent the tact in the coating device 1 from becoming longer than the tact in the exposure device in the subsequent stage. That is, it is possible to prevent the throughput of the processing in the exposure apparatus from being rate-determined by the processing in the coating apparatus 1.

ところで、３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６で１つの搬送部３３を共用する場合、搬送部３３の昇降軸が長くなることで、昇降軸の傾きや撓みなどが生じるおそれがある。搬送部３３は、この点に考慮した軸構成を備えている。かかる搬送部３３の構成について図５および図６を参照して説明する。図５は、第１実施形態に係る搬送部３３をＹ軸方向に沿って見た概略側面図である。また、図６は、第１実施形態に係る搬送部３３をＸ軸方向に沿って見た概略図である。 By the way, when one transport unit 33 is shared by the three processing blocks B4 to B6, the elevating shaft of the transport unit 33 becomes long, so that the elevating shaft may be tilted or bent. The transport unit 33 has a shaft configuration in consideration of this point. The configuration of the transport unit 33 will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a schematic side view of the transport unit 33 according to the first embodiment as viewed along the Y-axis direction. Further, FIG. 6 is a schematic view of the transport unit 33 according to the first embodiment as viewed along the X-axis direction.

図５および図６に示すように、搬送部３３は、ウエハＷを保持する保持部３３１と、保持部３３１を昇降させる昇降部３３２と、昇降部３３２を水平移動させる水平移動部３３３とを備える。 As shown in FIGS. 5 and 6, the transport unit 33 includes a holding unit 331 for holding the wafer W, an elevating unit 332 for raising and lowering the holding unit 331, and a horizontal moving unit 333 for horizontally moving the elevating unit 332. ..

昇降部３３２は、高さ方向（Ｚ軸方向）に延在する一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａを備える。一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａは、処理ブロックＢ４〜Ｂ６に跨がって延在する。たとえば、一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａは、処理ブロックＢ４の下端から処理ブロックＢ６の上端まで延在する。 The elevating portion 332 includes a pair of elevating shaft portions 332a and 332a extending in the height direction (Z-axis direction). The pair of elevating shaft portions 332a and 332a extend over the processing blocks B4 to B6. For example, the pair of elevating shaft portions 332a and 332a extend from the lower end of the processing block B4 to the upper end of the processing block B6.

一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａは、Ｙ軸方向に沿って、一定の間隔を開けて並べて配置される。昇降部３３２は、一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａ間に配置され、一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａに左右両端を保持される。昇降部３３２は、図示しないモータ等の駆動部を備えており、保持部３３１を一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａに沿って、すなわち、Ｚ軸方向に沿って移動（昇降）させる。 The pair of elevating shaft portions 332a and 332a are arranged side by side at regular intervals along the Y-axis direction. The elevating portion 332 is arranged between the pair of elevating shaft portions 332a and 332a, and the left and right ends are held by the pair of elevating shaft portions 332a and 332a. The elevating portion 332 includes a driving portion such as a motor (not shown), and moves (elevates) the holding portion 331 along the pair of elevating shaft portions 332a and 332a, that is, along the Z-axis direction.

水平移動部３３３は、第１水平軸部３３３ａと、第２水平軸部３３３ｂとを備える。第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂは、水平方向、具体的には、搬入出ステーションＳ１〜処理ステーションＳ３の並び方向であるＹ軸方向に沿って延在する。 The horizontal moving portion 333 includes a first horizontal shaft portion 333a and a second horizontal shaft portion 333b. The first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b extend in the horizontal direction, specifically, along the Y-axis direction which is the arrangement direction of the loading / unloading stations S1 to the processing stations S3.

第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂは、一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａをＹ軸方向に移動可能に保持する。第１水平軸部３３３ａと第２水平軸部３３３ｂとは、異なる高さ位置に配置される。具体的には、第１水平軸部３３３ａは、第３処理層Ｌ３の中で最下段の処理ブロックＢ４の高さ位置に配置され、第２水平軸部３３３ｂは、第３処理層Ｌ３の中で最上段の処理ブロックＢ６の高さ位置に配置される。 The first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b hold the pair of elevating shaft portions 332a and 332a so as to be movable in the Y-axis direction. The first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b are arranged at different height positions. Specifically, the first horizontal axis portion 333a is arranged at the height position of the lowermost processing block B4 in the third processing layer L3, and the second horizontal axis portion 333b is in the third processing layer L3. It is arranged at the height position of the processing block B6 on the uppermost stage.

第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂのうち、第１水平軸部３３３ａには、モータ等の駆動部３３３ｃが設けられており、水平移動部３３３は、駆動部３３３ｃを用いて一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａをＹ軸方向に移動させる。なお、第２水平軸部３３３ｂには駆動源は設けられていない。 Of the first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b, the first horizontal shaft portion 333a is provided with a drive unit 333c such as a motor, and the horizontal movement unit 333 is paired by using the drive unit 333c. The elevating shaft portions 332a and 332a of the above are moved in the Y-axis direction. The second horizontal shaft portion 333b is not provided with a drive source.

このように、第１実施形態に係る搬送部３３は、異なる高さ位置に配置された複数の水平軸部、具体的には、第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂを用いて一対の昇降軸部３３２ａ，３３２ａを保持することとした。これにより、３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６に跨がる長い昇降軸部３３２ａ，３３２ａの傾きや撓みを抑制することができる。また、第１水平軸部３３３ａを最下段の処理ブロックＢ４の高さ位置に配置し、第２水平軸部３３３ｂを最上段の処理ブロックＢ６の高さ位置に配置することで、昇降軸部３３２ａ，３３２ａの傾きや撓みをより好適に抑制することができる。 As described above, the transport portion 33 according to the first embodiment uses a plurality of horizontal shaft portions, specifically, the first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b, which are arranged at different height positions. It was decided to hold a pair of elevating shaft portions 332a and 332a. As a result, it is possible to suppress the inclination and bending of the long elevating shaft portions 332a and 332a straddling the three processing blocks B4 to B6. Further, by arranging the first horizontal shaft portion 333a at the height position of the lowermost processing block B4 and arranging the second horizontal shaft portion 333b at the height position of the uppermost processing block B6, the elevating shaft portion 332a , 332a can be more preferably suppressed from tilting and bending.

また、第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂのうち第１水平軸部３３３ａにのみ駆動部３３３ｃを設けることとした。このため、たとえば、第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂの両方に駆動部を設けた場合と比較して搬送部３３のコストを低く抑えることができる。 Further, of the first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b, the drive unit 333c is provided only on the first horizontal shaft portion 333a. Therefore, for example, the cost of the transport unit 33 can be kept low as compared with the case where the drive unit is provided on both the first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b.

ここでは、第１水平軸部３３３ａに駆動部３３３ｃが設けられる場合の例を示したが、駆動部３３３ｃは、第２水平軸部３３３ｂに設けられてもよい。また、ここでは、処理ブロックＢ４の高さ位置に第１水平軸部３３３ａが設けられ、処理ブロックＢ６の高さ位置に第２水平軸部３３３ｂが設けられることとした。これに限らず、第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂは、少なくとも異なる高さ位置に設けられていればよい。また、搬送部３３は、３つ以上の水平軸部を備えていてもよい。 Here, an example of the case where the drive unit 333c is provided on the first horizontal shaft portion 333a is shown, but the drive unit 333c may be provided on the second horizontal shaft portion 333b. Further, here, the first horizontal shaft portion 333a is provided at the height position of the processing block B4, and the second horizontal shaft portion 333b is provided at the height position of the processing block B6. Not limited to this, the first horizontal shaft portion 333a and the second horizontal shaft portion 333b may be provided at least at different height positions. Further, the transport portion 33 may include three or more horizontal shaft portions.

＜制御装置６＞
図１に示すように、制御装置６は、制御部６１と、記憶部６２とを備える。制御部６１は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体には、塗布装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。 <Control device 6>
As shown in FIG. 1, the control device 6 includes a control unit 61 and a storage unit 62. The control unit 61 is, for example, a computer, and has a storage medium that can be read by the computer. The storage medium stores programs that control various processes executed in the coating device 1.

制御部６１は、記憶媒体に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって塗布装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部６１の記憶媒体にインストールされたものであってもよい。 The control unit 61 controls the operation of the coating device 1 by reading and executing the program stored in the storage medium. The program may be stored in a storage medium readable by a computer, and may be installed in the storage medium of the control unit 61 from another storage medium.

コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

＜塗布装置１の具体的動作の一例＞
次に、塗布装置１の具体的動作の一例について説明する。たとえば、第１実施形態に係る塗布装置１では、搬送部１３が載置台１１に載置されたカセットＣからウエハＷを取り出して棚ユニット２１の受渡部ＴＲＳ２に載置する。つづいて、第２処理層Ｌ２に対応する搬送部３２が受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出して塗布処理部３５へ搬送し、塗布処理部３５がウエハＷに対して塗布処理を行う。 <Example of specific operation of coating device 1>
Next, an example of a specific operation of the coating device 1 will be described. For example, in the coating apparatus 1 according to the first embodiment, the transport unit 13 takes out the wafer W from the cassette C placed on the mounting table 11 and places it on the delivery unit TRS2 of the shelf unit 21. Subsequently, the transfer unit 32 corresponding to the second processing layer L2 takes out the wafer W from the delivery unit TRS2 and conveys it to the coating processing unit 35, and the coating processing unit 35 performs the coating process on the wafer W.

つづいて、搬送部３２が塗布処理後のウエハＷを塗布処理部３５から取り出して棚ユニット２１の受渡部ＴＲＳ２に載置した後、搬送部２２が受渡部ＴＲＳ２から受渡部ＴＲＳ１へウエハＷを移し替える。 Subsequently, the transfer unit 32 takes out the wafer W after the coating process from the coating process unit 35 and places it on the delivery unit TRS2 of the shelf unit 21, and then the transfer unit 22 transfers the wafer W from the delivery unit TRS2 to the delivery unit TRS1. Change.

つづいて、第１処理層Ｌ１に対応する搬送部３１が受渡部ＴＲＳ１からウエハＷを取り出して冷却部ＣＬへ搬送し、冷却部ＣＬがウエハＷの温度を予め設定された温度に調整（冷却）する。その後、搬送部３１が冷却部ＣＬからウエハＷを取り出して第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１がウエハＷを予め設定された温度に加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、ウエハＷを４５０℃に加熱する。その後、搬送部３１が第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して再び冷却部ＣＬへ搬送し、冷却部ＣＬがウエハＷの温度を予め設定された温度に調整（冷却）する。 Subsequently, the transport unit 31 corresponding to the first processing layer L1 takes out the wafer W from the delivery unit TRS1 and transports the wafer W to the cooling unit CL, and the cooling unit CL adjusts the temperature of the wafer W to a preset temperature (cooling). To do. After that, the transport unit 31 takes out the wafer W from the cooling unit CL and conveys it to the first heating unit BK1, and the first heating unit BK1 heats the wafer W to a preset temperature. For example, the first heating unit BK1 heats the wafer W to 450 ° C. After that, the transport unit 31 takes out the wafer W from the first heating unit BK1 and conveys it to the cooling unit CL again, and the cooling unit CL adjusts (cools) the temperature of the wafer W to a preset temperature.

つづいて、搬送部３１が冷却部ＣＬからウエハＷを取り出して棚ユニット２１の受渡部ＴＲＳ１へ載置した後、搬送部２２が受渡部ＴＲＳ１から受渡部ＴＲＳ３へウエハＷを移し替える。 Subsequently, the transfer unit 31 takes out the wafer W from the cooling unit CL and places it on the delivery unit TRS1 of the shelf unit 21, and then the transfer unit 22 transfers the wafer W from the delivery unit TRS1 to the delivery unit TRS3.

つづいて、第３処理層Ｌ３に対応する搬送部３３が受渡部ＴＲＳ３からウエハＷを取り出して第２加熱部ＢＫ２に搬送し、第２加熱部ＢＫ２がウエハＷを予め設定された温度に加熱する。たとえば、第２加熱部ＢＫ２は、ウエハＷを５５０℃に加熱する。 Subsequently, the transfer unit 33 corresponding to the third processing layer L3 takes out the wafer W from the delivery unit TRS3 and conveys it to the second heating unit BK2, and the second heating unit BK2 heats the wafer W to a preset temperature. .. For example, the second heating unit BK2 heats the wafer W to 550 ° C.

その後、搬送部３３が第２加熱部ＢＫ２からウエハＷを取り出して受渡部ＴＲＳ３に載置し、搬送部２２が受渡部ＴＲＳ３から受渡部ＴＲＳ２へウエハＷを移し替える。そして、搬送部１３が受渡部ＴＲＳ２からウエハＷを取り出してカセットＣへ戻す。これにより、塗布装置１による一連の基板処理（塗布処理）が終了する。なお、その後、カセットＣは露光装置へ搬送され、カセットＣに収容された塗布処理後のウエハＷは、露光装置において露光処理が施される。 After that, the transfer unit 33 takes out the wafer W from the second heating unit BK2 and places it on the delivery unit TRS3, and the transfer unit 22 transfers the wafer W from the transfer unit TRS3 to the delivery unit TRS2. Then, the transport unit 13 takes out the wafer W from the delivery unit TRS2 and returns it to the cassette C. As a result, a series of substrate treatments (coating treatments) by the coating apparatus 1 are completed. After that, the cassette C is conveyed to the exposure apparatus, and the coated wafer W housed in the cassette C is exposed in the exposure apparatus.

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る塗布装置の構成について図７および図８を参照して説明する。図７および図８は、第２実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。図９は、第２実施形態に係る処理ステーションの概略側面図である。 (Second Embodiment)
Next, the configuration of the coating apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 7 and 8. 7 and 8 are schematic side views of the coating apparatus according to the second embodiment. FIG. 9 is a schematic side view of the processing station according to the second embodiment.

図７および図８に示すように、第２実施形態に係る塗布装置１Ａは、処理ステーションＳ３Ａを備えており、処理ステーションＳ３Ａは、高さ方向に積層される第１処理層Ｌ１Ａ〜第４処理層Ｌ４Ａを備える。 As shown in FIGS. 7 and 8, the coating apparatus 1A according to the second embodiment includes a processing station S3A, and the processing station S3A is a first processing layer L1A to a fourth processing laminated in the height direction. It includes layer L4A.

第１処理層Ｌ１Ａ〜第３処理層Ｌ３は、それぞれ処理ブロックＢ１〜Ｂ３に相当する。このうちフロント側処理ブロックＢ１Ｆ〜Ｂ３Ｆには、それぞれ複数（ここでは、２つ）の塗布処理部３５が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。すなわち、第２実施形態に係る塗布装置１Ａには、合計６つの塗布処理部３５が設けられている。また、バック側処理ブロックＢ１Ｂ〜Ｂ３Ｂには、それぞれ複数（ここでは、６つ）の第１加熱部ＢＫ１が配置される。６つの第１加熱部ＢＫ１のうち３つは、上段のスペースに配置され、残りの３つは、下段のスペースに配置される。 The first treatment layer L1A to the third treatment layer L3 correspond to the treatment blocks B1 to B3, respectively. Of these, a plurality of (here, two) coating processing units 35 are arranged side by side along the Y-axis direction in each of the front side processing blocks B1F to B3F. That is, the coating device 1A according to the second embodiment is provided with a total of six coating processing units 35. Further, a plurality of (here, six) first heating units BK1 are arranged in each of the back side processing blocks B1B to B3B. Three of the six first heating units BK1 are arranged in the upper space, and the remaining three are arranged in the lower space.

第４処理層Ｌ４Ａは、第１実施形態に係る第３処理層Ｌ３と同様であり、連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６からなる。また、第１実施形態に係る塗布装置１と同様、バック側処理ブロックＢ４Ｂ〜Ｂ６Ｂには、それぞれ３つの第２加熱部ＢＫ２が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。 The fourth treatment layer L4A is the same as the third treatment layer L3 according to the first embodiment, and is composed of three consecutive treatment blocks B4 to B6. Further, similarly to the coating apparatus 1 according to the first embodiment, three second heating portions BK2 are arranged side by side in the back side processing blocks B4B to B6B, respectively, along the Y-axis direction.

また、塗布装置１Ａが備える受渡ステーションＳ２Ａには、棚ユニット２１Ａが配置される。棚ユニット２１Ａには、第１処理層Ｌ１Ａに対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ１Ａが配置され、第２処理層Ｌ２Ａに対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ２Ａが配置され、第３処理層Ｌ３Ａに対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ３Ａが配置される。また、棚ユニット２１Ａには、第４処理層Ｌ４Ａに対応する高さ位置に複数の受渡部ＴＲＳ４Ａが配置される。 Further, a shelf unit 21A is arranged at the delivery station S2A included in the coating device 1A. In the shelf unit 21A, a plurality of delivery units TRS1A are arranged at height positions corresponding to the first processing layer L1A, and a plurality of delivery units TRS2A are arranged at height positions corresponding to the second processing layer L2A. A plurality of delivery units TRS3A are arranged at height positions corresponding to the processing layer L3A. Further, in the shelf unit 21A, a plurality of delivery units TRS4A are arranged at height positions corresponding to the fourth processing layer L4A.

また、図９に示すように、塗布装置１Ａが備える搬送ブロックＢＭＡには、それぞれ第１処理層Ｌ１Ａ〜Ｌ４Ａに対応する搬送部３１Ａ〜３４Ａが、高さ方向に並べて配置される。 Further, as shown in FIG. 9, in the transport block BMA provided in the coating device 1A, the transport portions 31A to 34A corresponding to the first treatment layers L1A to L4A are arranged side by side in the height direction.

搬送部３１Ａは、処理ブロックＢ１の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ１におけるウエハＷの搬送を担当する。搬送部３２Ａは、処理ブロックＢ２の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ２におけるウエハＷの搬送を担当する。搬送部３３Ａは、処理ブロックＢ３の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ３におけるウエハＷの搬送を担当する。搬送部３４Ａは、処理ブロックＢ４〜Ｂ６の高さ位置に配置され、処理ブロックＢ４〜Ｂ６におけるウエハＷの搬送を担当する。 The transport unit 31A is arranged at a height position of the processing block B1 and is in charge of transporting the wafer W in the processing block B1. The transport unit 32A is arranged at a height position of the processing block B2 and is in charge of transporting the wafer W in the processing block B2. The transport unit 33A is arranged at a height position of the processing block B3 and is in charge of transporting the wafer W in the processing block B3. The transport unit 34A is arranged at a height position of the processing blocks B4 to B6, and is in charge of transporting the wafer W in the processing blocks B4 to B6.

第２実施形態に係る塗布装置１Ａでは、搬送部１３が載置台１１に載置されたカセットＣからウエハＷを取り出して受渡部ＴＲＳ１Ａ〜ＴＲＳ３Ａの何れかに載置する。ここでは、受渡部ＴＲＳ２ＡにウエハＷが載置されたとする。つづいて、第２処理層Ｌ２Ａに対応する搬送部３２Ａが受渡部ＴＲＳ２ＡからウエハＷを取り出して塗布処理部３５へ搬送し、塗布処理部３５がウエハＷに対して塗布処理を行う。 In the coating apparatus 1A according to the second embodiment, the transport unit 13 takes out the wafer W from the cassette C mounted on the mounting table 11 and places it on any of the delivery units TRS1A to TRS3A. Here, it is assumed that the wafer W is placed on the delivery unit TRS2A. Subsequently, the transfer unit 32A corresponding to the second processing layer L2A takes out the wafer W from the delivery unit TRS2A and conveys it to the coating processing unit 35, and the coating processing unit 35 performs the coating process on the wafer W.

つづいて、搬送部３２Ａが塗布処理後のウエハＷを塗布処理部３５から取り出してバック側処理ブロックＢ１Ｂに配置された第１加熱部ＢＫ１へ搬送し、第１加熱部ＢＫ１が、ウエハＷを予め設定された温度に加熱する。たとえば、第１加熱部ＢＫ１は、ウエハＷを２５０℃に加熱する。 Subsequently, the transport unit 32A takes out the wafer W after the coating process from the coating process unit 35 and conveys the wafer W to the first heating unit BK1 arranged in the back side processing block B1B, and the first heating unit BK1 previously transfers the wafer W. Heat to the set temperature. For example, the first heating unit BK1 heats the wafer W to 250 ° C.

つづいて、搬送部３２Ａが第１加熱部ＢＫ１からウエハＷを取り出して棚ユニット２１Ａの受渡部ＴＲＳ２Ａに載置した後、搬送部２２が受渡部ＴＲＳ２Ａから受渡部ＴＲＳ４ＡへウエハＷを移し替える。 Subsequently, the transfer section 32A takes out the wafer W from the first heating section BK1 and places it on the delivery section TRS2A of the shelf unit 21A, and then the transfer section 22 transfers the wafer W from the delivery section TRS2A to the delivery section TRS4A.

つづいて、第４処理層Ｌ４Ａに対応する搬送部３４Ａが受渡部ＴＲＳ４ＡからウエハＷを取り出して第２加熱部ＢＫ２に搬送し、第２加熱部ＢＫ２がウエハＷを予め設定された温度に加熱する。たとえば、第２加熱部ＢＫ２は、ウエハＷを４５０℃に加熱する。 Subsequently, the transfer unit 34A corresponding to the fourth processing layer L4A takes out the wafer W from the delivery unit TRS4A and conveys it to the second heating unit BK2, and the second heating unit BK2 heats the wafer W to a preset temperature. .. For example, the second heating unit BK2 heats the wafer W to 450 ° C.

その後、搬送部３４Ａが第２加熱部ＢＫ２からウエハＷを取り出して受渡部ＴＲＳ４Ａに載置し、搬送部２２が受渡部ＴＲＳ４Ａから受渡部ＴＲＳ２ＡへウエハＷを移し替える。そして、搬送部１３が受渡部ＴＲＳ２ＡからウエハＷを取り出してカセットＣへ戻す。これにより、塗布装置１Ａによる一連の基板処理（塗布処理）が終了する。なお、その後、カセットＣは露光装置へ搬送され、カセットＣに収容された塗布処理後のウエハＷは、露光装置において露光処理が施される。 After that, the transfer unit 34A takes out the wafer W from the second heating unit BK2 and places it on the delivery unit TRS4A, and the transfer unit 22 transfers the wafer W from the transfer unit TRS4A to the delivery unit TRS2A. Then, the transport unit 13 takes out the wafer W from the delivery unit TRS2A and returns it to the cassette C. As a result, a series of substrate treatments (coating treatments) by the coating apparatus 1A are completed. After that, the cassette C is conveyed to the exposure apparatus, and the coated wafer W housed in the cassette C is exposed in the exposure apparatus.

（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る塗布装置の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、第３実施形態に係る塗布装置の概略側面図である。 (Third Embodiment)
Next, the configuration of the coating apparatus according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a schematic side view of the coating apparatus according to the third embodiment.

図１０に示すように、第３実施形態に係る塗布装置１Ｂは、処理ステーションＳ３Ｂを備える。処理ステーションＳ３Ｂは、たとえば第２実施形態に係る処理ステーションＳ３Ａと同様、第１処理層Ｌ１Ａ〜第４処理層Ｌ４Ａを備える。 As shown in FIG. 10, the coating apparatus 1B according to the third embodiment includes a processing station S3B. The processing station S3B includes, for example, the first processing layer L1A to the fourth processing layer L4A, similarly to the processing station S3A according to the second embodiment.

第３実施形態に係る塗布装置１Ｂにおいて、第４処理層Ｌ４Ａを構成する３つのフロント側処理ブロックＢ４Ｆ〜Ｂ６Ｆには、それぞれ３つの現像処理部３７が、Ｙ軸方向に沿って並べて配置される。現像処理部３７は、露光処理後のウエハＷに対して現像処理を施す処理部である。 In the coating apparatus 1B according to the third embodiment, three developing processing units 37 are arranged side by side along the Y-axis direction in each of the three front-side processing blocks B4F to B6F constituting the fourth processing layer L4A. .. The development processing unit 37 is a processing unit that performs a development process on the wafer W after the exposure process.

現像処理部３７は、ウエハＷを保持して回転させる保持部と、保持部を囲むカップなどを備えており、不図示の薬液ノズルからウエハＷの表面に現像液を供給する。その後、現像処理部３７は、図示しない洗浄液供給機構からの洗浄液によりウエハＷの表面に残存する現像液を洗い流し、つづいて保持部を用いてウエハＷを高速で回転させることによってウエハＷを乾燥させる。 The developing unit 37 includes a holding unit that holds and rotates the wafer W, a cup that surrounds the holding unit, and the like, and supplies a developing solution to the surface of the wafer W from a chemical solution nozzle (not shown). After that, the developing processing unit 37 washes away the developing liquid remaining on the surface of the wafer W with a cleaning liquid from a cleaning liquid supply mechanism (not shown), and subsequently, the wafer W is dried by rotating the wafer W at high speed using the holding unit. ..

このように、塗布装置１Ｂは、塗布処理部３５だけでなく、現像処理部３７を備えていてもよい。この場合、塗布装置１Ｂのように、現像処理部３７は、連続する３つの処理ブロックＢ４〜Ｂ６からなる第４処理層Ｌ４Ａに配置されることが好ましい。露光処理よりも後の現像処理を実施する現像処理部３７を第４処理層Ｌ４Ａに配置することで、露光装置における処理のスループットが塗布装置１Ｂにおける処理によって律速されてしまうことを抑制することができる。 As described above, the coating device 1B may include not only the coating processing unit 35 but also the developing processing unit 37. In this case, like the coating device 1B, the developing processing unit 37 is preferably arranged in the fourth processing layer L4A composed of three consecutive processing blocks B4 to B6. By arranging the development processing unit 37 that performs the development processing after the exposure processing on the fourth processing layer L4A, it is possible to prevent the throughput of the processing in the exposure apparatus from being rate-determined by the processing in the coating apparatus 1B. it can.

なお、ここでは、第４処理層Ｌ４Ａにおける各処理ブロックＢ４〜Ｂ６に現像処理部３７が配置される場合の例を示したが、現像処理部３７は、処理ブロックＢ４〜Ｂ６のうち少なくとも１つに配置されればよい。 Here, an example in which the developing processing unit 37 is arranged in each processing block B4 to B6 in the fourth processing layer L4A is shown, but the developing processing unit 37 is at least one of the processing blocks B4 to B6. It may be placed in.

また、ここでは、第２実施形態に係る塗布装置１Ａに現像処理部３７が設けられる場合の例を示したが、第１実施形態に係る塗布装置１に現像処理部３７を設けることも可能である。この場合、現像処理部３７は、たとえば、第３処理層Ｌ３を構成する処理ブロックＢ４〜Ｂ６のうち少なくとも１つに配置されることが好ましい。 Further, although an example in which the developing process unit 37 is provided in the coating device 1A according to the second embodiment is shown here, it is also possible to provide the developing process unit 37 in the coating device 1 according to the first embodiment. is there. In this case, it is preferable that the developing processing unit 37 is arranged in at least one of the processing blocks B4 to B6 constituting the third processing layer L3, for example.

（その他の実施形態）
上述した実施形態では、塗布装置が、連続する３つの処理ブロックからなる処理層を１つ備える場合の例について説明した。これに限らず、塗布装置は、連続する３つの処理ブロックからなる処理層を複数備えていてもよい。すなわち、塗布装置は、１つの搬送部が連続する３つの処理ブロックで共用される処理層を複数備えていてもよい。また、処理ステーションにおいて積層される処理ブロックの数は３つであってもよい。すなわち、塗布装置は、積層された３つの処理ブロックと、これら３つの処理ブロックにおいて共用される１つの搬送部とを備える構成であってもよい。 (Other embodiments)
In the above-described embodiment, an example in which the coating apparatus includes one processing layer composed of three consecutive processing blocks has been described. Not limited to this, the coating apparatus may include a plurality of processing layers composed of three consecutive processing blocks. That is, the coating apparatus may include a plurality of processing layers in which one transport unit is shared by three continuous processing blocks. Further, the number of processing blocks stacked at the processing station may be three. That is, the coating device may be configured to include three laminated processing blocks and one transport unit shared by these three processing blocks.

また、上述した実施形態では、連続する３つの処理ブロックからなる処理層が、処理ステーションの最上段に配置される場合の例について説明した。これに限らず、連続する３つの処理ブロックからなる処理層は、処理ステーションの最上段以外の場所、たとえば処理ステーションの最下段に配置されてもよい。 Further, in the above-described embodiment, an example in which a processing layer composed of three consecutive processing blocks is arranged at the uppermost stage of the processing station has been described. Not limited to this, the processing layer composed of three consecutive processing blocks may be arranged at a place other than the uppermost stage of the processing station, for example, at the lowermost stage of the processing station.

また、上述した実施形態では、塗布処理部を備える塗布装置の例について説明したが、たとえば、塗布装置（基板処理装置）は、塗布処理部に代えて、塗布処理部以外の処理部を備える構成であってもよい。たとえば、基板処理装置は、塗布処理部に代えて、現像処理部を備える構成であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, an example of a coating device including a coating processing unit has been described. For example, the coating device (board processing device) has a configuration in which a processing unit other than the coating processing unit is provided instead of the coating processing unit. It may be. For example, the substrate processing apparatus may be configured to include a developing processing unit instead of the coating processing unit.

また、上述した実施形態では、塗布装置が複数の塗布処理部を備える場合の例について説明したが、塗布装置は、少なくとも１つの塗布処理部を備えていればよい。 Further, in the above-described embodiment, an example in which the coating device includes a plurality of coating processing units has been described, but the coating device may include at least one coating processing unit.

上述してきたように、実施形態に係る塗布装置（一例として、塗布装置１）は、積層された３つ以上の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１〜Ｂ６）と、塗布処理部（一例として、塗布処理部３５）と、搬送部（一例として、搬送部３３）とを備える。塗布処理部は、３つ以上の処理ブロックのうち少なくとも１つ（一例として、処理ブロックＢ３）に配置され、基板（一例として、ウエハＷ）に成膜材料（一例として、ＳＯＣ、レジスト等）を塗布する。搬送部は、３つ以上の処理ブロックのうち連続する３つの処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ４〜Ｂ６）において基板を搬送する。したがって、実施形態に係る塗布装置によれば、装置構成を簡略化することができる。 As described above, the coating apparatus according to the embodiment (as an example, the coating apparatus 1) includes three or more laminated processing blocks (as an example, processing blocks B1 to B6) and a coating processing unit (as an example, as an example). A coating processing unit 35) and a transport unit (as an example, a transport unit 33) are provided. The coating processing unit is arranged on at least one of three or more processing blocks (processing block B3 as an example), and a film forming material (SOC, resist, etc.) is applied to a substrate (wafer W as an example). Apply. The transport unit transports the substrate in three consecutive processing blocks (for example, processing blocks B4 to B6) out of three or more processing blocks. Therefore, according to the coating apparatus according to the embodiment, the apparatus configuration can be simplified.

また、実施形態に係る塗布装置は、基板を加熱する第１加熱部（一例として、第１加熱部ＢＫ１）と、基板を第１加熱部よりも高い温度で加熱する第２加熱部（一例として、第２加熱部ＢＫ２）とを備えていてもよい。この場合、第２加熱部は、連続する３つの処理ブロックに配置されてもよい。このように、処理時間が長く、基板の搬入出の頻度が比較的少ない第２加熱部を、連続する３つの処理ブロックに配置することで、装置構成を簡略化しつつも、スループットの低下を抑制することができる。 Further, the coating apparatus according to the embodiment includes a first heating unit (for example, the first heating unit BK1) for heating the substrate and a second heating unit (for example, the first heating unit BK1) for heating the substrate at a temperature higher than that of the first heating unit. , The second heating unit BK2) may be provided. In this case, the second heating unit may be arranged in three consecutive processing blocks. In this way, by arranging the second heating unit, which has a long processing time and a relatively low frequency of loading and unloading of the substrate, in three consecutive processing blocks, the device configuration is simplified and the decrease in throughput is suppressed. can do.

連続する３つの処理ブロックは、連続する３つの処理ブロック以外の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ１〜Ｂ３）よりも上段に配置されてもよい。これにより、第２加熱部から発せられる熱が他の処理ブロックに配置された処理部に影響を与えることを抑制することができる。 The three consecutive processing blocks may be arranged above the processing blocks other than the three consecutive processing blocks (for example, the processing blocks B1 to B3). As a result, it is possible to prevent the heat generated from the second heating unit from affecting the processing units arranged in the other processing blocks.

塗布処理部は、連続する３つの処理ブロック以外の処理ブロック（一例として、処理ブロックＢ３）に配置されてもよい。また、３つの処理ブロックには、塗布処理部によって成膜材料が塗布された後の基板に対する処理を行う処理部（一例として、第２加熱部ＢＫ２）が配置されてもよい。塗布処理後の基板が効率良く払い出されるようにすることで、装置構成を簡略化しつつも、スループットの低下を抑制することができる。 The coating processing unit may be arranged in a processing block (for example, processing block B3) other than the three consecutive processing blocks. Further, the three processing blocks may be provided with a processing unit (for example, a second heating unit BK2) that processes the substrate after the film-forming material has been applied by the coating processing unit. By efficiently discharging the substrate after the coating process, it is possible to suppress a decrease in throughput while simplifying the apparatus configuration.

また、実施形態に係る塗布装置（塗布、現像装置）は、塗布処理部によって成膜材料が塗布され、露光装置によって露光処理が施された基板に対して現像処理を施す現像処理部（一例として、現像処理部３７）をさらに備えていてもよい。この場合、現像処理部は、連続する３つの処理ブロックのうち少なくとも１つ（一例として、処理ブロックＢ４〜Ｂ６）に配置されてもよい。これにより、露光装置における処理のスループットが塗布装置における処理によって律速されてしまうことを抑制することができる。現像処理は、成膜材料が塗布された基板上に現像液を供給した後、基板上面に現像液の液溜りがある状態で現像の進行を待つ工程と、その後、洗浄液を基板上に供給して現像液を基板上面から洗い落とす工程とを含む。そのため、塗布処理の手法が、基板上に成膜材料を供給し基板を回転させて成膜材料を乾燥させるものの場合は、現像処理の時間が、塗布処理の時間よりも長くなる傾向になる。例えば、塗布処理の時間が約１分のとき、現像処理の時間は１．５〜２倍程度になることがある。そのような場合も、現像処理部が、連続する３つの処理ブロックのうち少なくとも１つに配置されていると、この塗布、現像装置のスループットが連続する３つの処理ブロックで共用される搬送部によって律速されてしまうことを抑制することができる。 Further, the coating apparatus (coating and developing apparatus) according to the embodiment is a developing processing unit (as an example) in which a film-forming material is applied by a coating processing unit and a developing process is performed on a substrate that has been exposed by an exposure device. , Development processing unit 37) may be further provided. In this case, the developing processing unit may be arranged in at least one of three consecutive processing blocks (for example, processing blocks B4 to B6). As a result, it is possible to prevent the throughput of the processing in the exposure apparatus from being rate-determined by the processing in the coating apparatus. The development process involves supplying a developer onto a substrate coated with a film-forming material and then waiting for the progress of development with a pool of developer on the upper surface of the substrate, and then supplying a cleaning solution onto the substrate. This includes a step of washing off the developer from the upper surface of the substrate. Therefore, when the coating treatment method is to supply the film-forming material on the substrate and rotate the substrate to dry the film-forming material, the development treatment time tends to be longer than the coating treatment time. For example, when the coating treatment time is about 1 minute, the development treatment time may be about 1.5 to 2 times longer. Even in such a case, if the developing processing unit is arranged in at least one of the three continuous processing blocks, the throughput of the coating and developing apparatus is shared by the three continuous processing blocks. It is possible to suppress the rate-determining.

搬送部は、基板を保持する保持部（一例として、保持部３３１）と、保持部を昇降させる昇降部（一例として、昇降部３３２）と、昇降部を水平移動させる水平移動部（一例として、水平移動部３３３）とを備えていてもよい。この場合、昇降部は、高さ方向に延在する昇降軸部（一例として、一対の昇降軸部３３２ａ）を備えていてもよく、水平移動部は、水平方向に延在する複数の水平軸部（一例として、第１水平軸部３３３ａおよび第２水平軸部３３３ｂ）を備えていてもよい。そして、複数の水平軸部は、異なる高さ位置において昇降軸部を保持してもよい。これにより、３つの処理ブロックに跨がる長い昇降軸部の傾きや撓みを抑制することができる。 The transport unit includes a holding unit that holds the substrate (holding unit 331 as an example), an elevating unit that raises and lowers the holding unit (as an example, an elevating part 332), and a horizontal moving unit that moves the elevating part horizontally (as an example). It may be provided with a horizontal moving unit 333). In this case, the elevating portion may include an elevating shaft portion (for example, a pair of elevating shaft portions 332a) extending in the height direction, and the horizontal moving portion may include a plurality of horizontal shafts extending in the horizontal direction. A portion (for example, a first horizontal shaft portion 333a and a second horizontal shaft portion 333b) may be provided. Then, the plurality of horizontal shaft portions may hold the elevating shaft portions at different height positions. As a result, it is possible to suppress the inclination and bending of the long elevating shaft portion straddling the three processing blocks.

複数の水平軸部は、連続する３つの処理ブロックのうち最下段の処理ブロックの高さ位置に配置される第１水平軸部（一例として、第１水平軸部３３３ａ）と、連続する３つの処理ブロックのうち最上段の処理ブロックの高さ位置に配置される第２水平軸部（一例として、第２水平軸部３３３ｂ）とを含んでいてもよい。これにより、昇降軸部の傾きや撓みをより好適に抑制することができる。 The plurality of horizontal axis portions are the first horizontal axis portion (for example, the first horizontal axis portion 333a) arranged at the height position of the lowest processing block among the three continuous processing blocks, and three consecutive horizontal axis portions. A second horizontal shaft portion (for example, a second horizontal shaft portion 333b) arranged at a height position of the uppermost processing block among the processing blocks may be included. As a result, the inclination and bending of the elevating shaft portion can be more preferably suppressed.

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. Indeed, the above embodiments can be embodied in a variety of forms. Further, the above-described embodiment may be omitted, replaced or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and the purpose thereof.

Ｃカセット
Ｗウエハ
Ｓ１搬入出ステーション
Ｓ２受渡ステーション
Ｓ３処理ステーション
ＢＭ搬送ブロック
Ｂ１〜Ｂ６処理ブロック
Ｂ１Ｆ〜Ｂ６Ｆフロント側処理ブロック
Ｂ１Ｂ〜Ｂ６Ｂバック側処理ブロック
Ｌ１第１処理層
Ｌ２第２処理層
Ｌ３第３処理層
ＢＫ１第１加熱部
ＢＫ２第２加熱部
ＣＬ冷却部
ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３受渡部
１塗布装置
２１棚ユニット
３１〜３３搬送部
３５塗布処理部
３７現像処理部 C Cassette W Wafer S1 Loading / unloading station S2 Delivery station S3 Processing station BM Transfer blocks B1 to B6 Processing blocks B1F to B6F Front side processing blocks B1B to B6B Back side processing block L1 First processing layer L2 Second processing layer L3 Third processing Layer BK1 First heating unit BK2 Second heating unit CL Cooling unit TRS1 to TRS3 Delivery unit 1 Coating device 21 Shelf unit 31 to 33 Transport unit 35 Coating processing unit 37 Development processing unit

Claims

Three or more stacked processing blocks and
A coating processing unit, which is arranged in at least one of the three or more processing blocks and coats a film-forming material on a substrate,
A coating apparatus including a transport unit for transporting a substrate in three consecutive processing blocks among the three or more processing blocks.

The first heating unit that heats the substrate and
A second heating unit that heats the substrate at a temperature higher than that of the first heating unit is provided.
The second heating unit is
The coating apparatus according to claim 1, which is arranged in the three consecutive processing blocks.

The coating apparatus according to claim 2, wherein the three consecutive processing blocks are arranged above the processing blocks other than the three continuous processing blocks.

The coating processing unit
Arranged in the processing block other than the three consecutive processing blocks,
The above three processing blocks include
The coating apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a processing unit for processing the substrate after the film-forming material has been applied by the coating processing unit is arranged.

A development processing unit is further provided, wherein the film-forming material is applied by the coating processing unit and the substrate that has been exposed by the exposure apparatus is developed.
The developing unit
The coating apparatus according to any one of claims 1 to 4, which is arranged in at least one of the three consecutive processing blocks.

The transport unit
A holding portion for holding the substrate and
An elevating part that raises and lowers the holding part,
A horizontally moving part for horizontally moving the elevating part is provided.
The elevating part
Equipped with an elevating shaft that extends in the height direction
The horizontal moving part is
With multiple horizontal axes extending horizontally,
The plurality of horizontal axis portions
The coating device according to any one of claims 1 to 5, which holds the elevating shaft portion at different height positions.

The plurality of horizontal axis portions
A first horizontal axis portion arranged at the height position of the lowermost processing block among the three consecutive processing blocks, and
The coating apparatus according to claim 6, further comprising a second horizontal shaft portion arranged at a height position of the uppermost processing block among the three consecutive processing blocks.