JP2021039102A - 検体検査装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】測定試料中の目的物質の有無を精度良く判定すること。【解決手段】実施形態に係る検体検査装置は、光学部、画像センサ、処理部、及び出力部を備える。光学部は、検査容器に設けられる光導波路に光を入射し、光導波路を伝播して光導波路から出射される光を検出する。画像センサは、光導波路を伝播する光に基づいて光導波路近傍に存在する粒子で散乱される光を光源として、光導波路についての画像信号を取得する。処理部は、光学部の出力と、画像センサの出力との少なくとも一方に基づいて、検査指標値を求める。出力部は、処理部の処理結果を出力する。【選択図】 図１

Description

本明細書及び図面に開示の実施形態は、検体検査装置に関する。
抗原抗体反応を応用して、測定試料中の目的物質の有無を検査する検体検査装置が実用化されている。例えば、検体検査装置では、測定試料が収容される検査容器内の光導波路中を伝播する光の強度が測定される。そして、光が容器内の反応状態に応じてその強度を変化することを利用して測定試料中の目的物質の有無が判定される。
この種の検体検査装置では、光の減衰を利用しているため高感度な定量測定が可能である。しかしながら、光導波路を伝播する光の減衰は用いられる光導波路の膜厚に依存するため、場合によっては均一な測定感度が得られないおそれがある。また、測定試料中に含まれる目的物質の量が所定の上限量以上である場合、又は、所定の下限量以下である場合には、反応後の光強度は、反応前の光強度からのはっきりした減衰を示さない。すなわち、測定試料中の目的物質について高精度に判定するには、目的物質の濃度範囲に制限がある。
特表２００７−５２５６５１号公報
本明細書及び図面に開示の実施形態が解決しようとする課題は、測定試料中の目的物質の有無を精度良く判定することである。ただし、本明細書及び図面に開示の実施形態により解決しようとする課題は上記課題に限られない。後述する実施形態に示す各構成による各効果に対応する課題を他の課題として位置づけることもできる。
実施形態に係る検体検査装置は、光学部、画像センサ、処理部、及び出力部を備える。光学部は、検査容器に設けられる光導波路に光を入射し、前記光導波路を伝播して前記光導波路から出射される光を検出する。画像センサは、前記光導波路を伝播する光に基づいて前記光導波路近傍に存在する粒子で散乱される光を光源として、前記光導波路についての画像信号を取得する。処理部は、前記光学部の出力と、前記画像センサの出力との少なくとも一方に基づいて、検査指標値を求める。出力部は、前記処理部の処理結果を出力する。
図１は、第１の実施形態に係る検体検査装置の機能構成を表すブロック図である。 図２は、図１の反応ユニットを示す斜視図である。 図３は、図２のＡ−Ａ断面を含む反応機構の詳細構成を示す断面図である。 図４は、本実施形態に係る測定動作シーケンスの一例を表すフローチャートである。 図５は、（Ａ）光源の動作期間、（Ｂ）下磁場又は上磁場を印加する期間、（Ｃ）光強度の測定期間、（Ｄ）粒子個数の計測期間、及び（Ｅ）光強度の関係を表すタイミングチャートである。 図６は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ１における反応機構内の状態を表す断面図である。 図７は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ１から時刻ｔ２の間におけるある時点の反応機構内の状態を表す断面図である。 図８は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ２における反応機構内の状態を表す断面図である。 図９は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ２から時刻ｔ３の間の期間の前半におけるある時点の反応機構内の状態を表す断面図である。 図１０は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ２から時刻ｔ３の間の期間の後半におけるある時点の反応機構内の状態を表す断面図である。 図１１は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ３から時刻ｔ４の間における反応機構内の状態を表す断面図である。 図１２は、第２の実施形態に係る測定動作シーケンスの一例を表すフローチャートである。
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る検体検査装置の機能構成を表すブロック図である。図１に示される検体検査装置１は、光検出回路１２、磁場発生回路１３、画像センサ１４、出力インタフェース１５、入力インタフェース１６、処理回路１７、及びメモリ１８を備える。また、検体検査装置１は、後述する反応ユニット２を支持するための支持部（図示せず）を有する。
光検出回路１２は、反応ユニット２へ光を入射し、反応ユニット２から出射された光を検出する。光検出回路１２は、射出部１２１、受光部１２２、光源１２３、及び光検出器１２４を有する。なお、光検出回路１２は、光学部の一例である。
射出部１２１は、出射窓であり、少なくとも開口さえしていればよい。例えば、射出部１２１は、光源１２３から発せられる光に対して透明（すなわち、カバーなどによる光の吸収が無視できる程度）であれば、光学ガラス、又は樹脂等でカバーされていてもよい。
光源１２３は、処理回路１７の制御に従い、光線（光Ｌ１）を照射する。この光Ｌ１は、レーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）、又は発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）等から発生され、射出部１２１を介して出射される。また、光Ｌ１は、別途付加されるレンズ等により略平行に整形されてよい。光源１２３には、例えば、ＬＤ及びＬＥＤ等のダイオード、及びキセノンランプ等が用いられる。
受光部１２２は、受光窓であり、少なくとも開口さえしていればよい。例えば、受光部１２２は、光検出器１２４へ入射する光に対して透明であれば、光学ガラス、又は透明な樹脂等によりカバーされていてもよい。
光検出器１２４は、受光部１２２に入射された光線（光Ｌ２）を検出する。光検出器１２４には、例えば、フォトダイオード、光電子増倍管等が用いられる。
磁場発生回路１３は、処理回路１７の制御に従い、磁場を発生させる。磁場発生回路１３は、後述する上磁場印加部１３１、及び下磁場印加部１３２を有する。なお、磁場発生回路１３は、磁場発生部の一例である。
上磁場印加部１３１及び下磁場印加部１３２は、例えば永久磁石及び電磁石等で構成される。動作中は、上磁場印加部１３１、下磁場印加部１３２、及び反応ユニット２は、検体検査装置１において、鉛直方向に配置される。反応ユニット２が支持部によって支持されると、上磁場印加部１３１は反応ユニット２の上方に位置し、下磁場印加部１３２は反応ユニット２の下方に位置する。すなわち、上磁場印加部１３１及び下磁場印加部１３２は、鉛直方向に、反応ユニット２を挟み込む構成となっている。
上磁場印加部１３１は、反応ユニット２に対し、鉛直方向上向きの磁力を発生する。下磁場印加部１３２は、反応ユニット２に対し、鉛直方向下向きの磁力を発生する。
画像センサ１４は、例えばＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）センサ及びＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等により実現される。画像センサ１４は、支持部によって支持される反応ユニット２に対して、鉛直下方向に配置されている。画像センサ１４は、反応ユニット２内で発生する散乱光を受光し、受光した光を電気信号としての画像信号へ変換する。
出力インタフェース１５は、ディスプレイ１５１、及び報知器１５２などを有する、出力部の一例である。ディスプレイ１５１は、処理回路１７からの指示に従って種々の情報を表示する。ディスプレイ１５１は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、プラズマディスプレイ、またはＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）ディスプレイ等、任意のディスプレイが適宜利用可能である。報知器１５２は、処理回路１７からの指示に従って種々の音、例えば、警告音、及び測定の完了通知音を発生する。報知器１５２は、例えば、スピーカー等により実現される。
入力インタフェース１６は、ユーザから各種の入力操作を受け付け、受け付けた入力操作を電気信号に変換して処理回路１７へ出力する。入力インタフェース１６は、例えば、操作面へ触れることで指示が入力されるメンブレンスイッチ、タッチパネル、タッチパッド、スイッチ、ボタン、ジョイスティック、またはトラックボール等の一つ以上の入力機器に接続されている。
メモリ１８は、例えば、種々の情報を記憶するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）または集積回路記憶装置等の記憶装置である。また、メモリ１８は、フラッシュメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、またはＤＶＤ等の可搬性記憶媒体との間で種々の情報を読み書きする駆動装置等であってもよい。なお、メモリ１８は、必ずしも単一の記憶装置により実現される必要は無い。例えば、メモリ１８は、複数の記憶装置により実現されてもかまわない。
メモリ１８は、本実施形態に係る一つ以上の制御プログラム等を記憶している。このプログラムは、例えば、メモリ１８に予め記憶されていてもよい。また、例えば、非一過性の記憶媒体に記憶されて配布され、非一過性の記憶媒体から読み出されてメモリ１８にインストールされてもよい。また、制御プログラムは、例えば、ネットワークからダウンロードされてメモリ１８にインストールされてもよい。
処理回路１７は、検体検査装置１の制御中枢として機能するプロセッサであり、処理部の一例である。処理回路１７は、メモリ１８等に記憶されているプログラムを実行することにより、当該プログラムに対応する機能、すなわち、システム制御機能１７１、光強度測定機能１７２、粒子個数計測機能１７３、及び判定機能１７４を実現する。なお、本実施形態では、単一の物理プロセッサによってシステム制御機能１７１、光強度測定機能１７２、粒子個数計測機能１７３、及び判定機能１７４が実現される場合を説明するが、これに限定されない。例えば、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することによりシステム制御機能１７１、光強度測定機能１７２、粒子個数計測機能１７３、及び判定機能１７４を実現してもかまわない。また、光強度測定機能１７２を実行する処理回路１７は、第１の処理部の一例である。粒子個数計測機能１７３を実行する処理回路１７は、第２の処理部の一例である。判定機能１７４を実行する処理回路１７は、判定部の一例である。
また、システム制御機能１７１は、その動作がハードウェアによって実現されるものであってもよいし、ソフトウェアによって実現されるものであってもよいし、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせによって実現されるものであってもよい。光強度測定機能１７２は、その動作がハードウェアによって実現されるものであってもよいし、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせによって実現されるものであってもよい。粒子個数計測機能１７３は、その動作がハードウェアによって実現されるものであってもよいし、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせによって実現されるものであってもよい。判定機能１７４は、その動作がハードウェアによって実現されるものであってもよいし、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせによって実現されるものであってもよい。
システム制御機能１７１は、入力インタフェース１６から入力される入力情報に基づき、検体検査装置１における各部を統括して制御する機能である。
光強度測定機能１７２は、光強度測定に関して、検体検査装置１における各部を制御する機能であり、第１処理部の一例である。具体的には、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、光源１２３の動作のタイミングを制御する。光源１２３の動作には、例えば、所定の時間間隔でオンオフを交互に繰り返す点滅動作と、オン状態を維持する点灯動作とがある。光強度測定では、例えば点滅動作が用いられる。
また、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、磁場発生回路１３による磁場を印加するタイミングを制御する。印加する磁場には、例えば、鉛直下向きの磁力を発生させる下磁場と、鉛直上向きの磁力を発生させる上磁場とがある。
さらに、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、光検出回路１２から出力される光強度情報をモニタしている。処理回路１７は、反応ユニット２内の反応の経過に伴う光強度の変化に基づき、測定試料中の目的物質Ｓの量に関する第１検査指標値を取得する。例えば、処理回路１７は、反応ユニット２内の反応の経過に伴う光強度の変化に基づいて目的物質Ｓの含有量に関する数値（例えば、目的物質Ｓの濃度）を第１検査指標値として算出する。具体的には、この例では、処理回路１７は、抗原抗体反応前の基準となる光強度と、抗原抗体反応後（例えば光強度測定終了時）の光強度との比較を基に、目的物質Ｓの濃度を算出する。
より具体的には、処理回路１７は、抗原抗体反応前の光強度を基準として、抗原抗体反応後の光強度がどれだけ減少したかを示す光強度の低下率を算出する。その後、処理回路１７は、光強度の低下率と目的物質Ｓの濃度との関係を示した検量線のデータを用いて、算出された光強度の低下率に対応する目的物質Ｓの濃度を得る。尚、検量線のデータは、メモリ１８に記憶されていてもよい。
粒子個数計測機能１７３は、粒子個数計測に関して、検体検査装置１における各部を制御する機能であり、第２処理部の一例である。具体的には、粒子個数計測機能１７３において処理回路１７は、光源１２３の動作タイミングを制御する。粒子個数計測では、例えば点灯動作が用いられる。
また、粒子個数計測機能１７３において処理回路１７は、画像センサ１４による撮像タイミングを制御する。処理回路１７は、画像センサ１４から出力される画像信号に基づき、目的物質Ｓの量に関する第２検査指標値を求める。具体的には、処理回路１７は、画像センサ１４から出力される画像信号から画像を生成する。処理回路１７は、生成した画像に含まれる情報、例えば、光強度が所定の値より高い粒子の個数または密度、その他の種類の異なる一つ以上の指標値、又はこれらのうちいずれかの組み合わせを第２検査指標値として求める。また、第２検査指標値には、画像センサ１４を用いて検出された光強度の平均値、合計値、又は分散値等が用いられてもよい。
判定機能１７４は、光強度測定の結果、及び／又は粒子個数計測の結果に基づき、測定試料中に目的物質があるか及びどれくらい含まれているかを判定する機能である。つまり、判定機能１７４は、測定試料中の目的物質の有無および含有の程度を判定する機能である。ここで、「目的物質の有無および含有の程度」は、例えば陰性または陽性に相当する。例えば、判定機能１７４において処理回路１７は、目的物質Ｓの濃度が閾値（第１の閾値）以上の場合に「陽性」と判定し、目的物質Ｓの濃度が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。また例えば、判定機能１７４において処理回路１７は、計測された粒子個数が閾値（第２の閾値）以上の場合に「陽性」と判定し、計測された粒子個数が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。
次に、検体検査装置１に装着される反応ユニット２について説明する。なお、反応ユニット２は、検査容器、反応容器、及び反応カートリッジ等と言い替えてもかまわない。反応ユニット２は、例えば、インフルエンザウイルス、アデノウイルス、又はＲＳ（Ｒｅｓｐｉｒａｔｏｒｙ Ｓｙｎｃｙｔｉａｌ）ウイルス等のウイルス検査など、多種の目的に用いることが可能である。
図２は、図１の反応ユニットを示す斜視図である。図３は、図２のＡ−Ａ断面を含む反応機構の詳細構成を示す断面図である。図２、及び図３に示される反応ユニット２は、外筐部２１、両面テープ２２、光導波路２３、及び透明基板２４を備える。
外筐部２１は、例えばＡＢＳ（Ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ Ｂｕｔａｄｉｅｎｅ Ｓｔｙｒｅｎｅ）等の樹脂により、略直方体形状に形成されている。外筐部２１は、遮光目的で黒色に着色されてよい。外筐部２１の下端には、略方形形状の第１凹部２１１が形成されている。また、第１凹部２１１内の上壁の一部には、略方形形状の第２凹部２１２が形成されている。第２凹部２１２内の上壁の一端部近傍には、外筐部２１を上方に貫通する孔２１ａが形成され、反対側端部近傍には、外筐部２１を上方に貫通する孔２１ｂが形成されている。
両面テープ２２は、上面が外筐部２１の第１凹部２１１内の上壁に密接して配置され、側面が第１凹部２１１内の側壁に密接して配置される。両面テープ２２は、外筐部２１の第２凹部２１２が存在する位置には設けられていない、略枠形状を有する。
光導波路２３は、一つ以上の光が透過する素材、例えば、石英ガラス、シリコン、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂等により形成される。熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、及びアクリル樹脂等を用いることができる。光導波路２３は、一部の上面が両面テープ２２の下面に密着して配置され、その他の上面が第２凹部２１２内の空間と面するように配置されている。また、光導波路２３は、側面が第１凹部２１１内の側壁に密接して配置されている。第２凹部２１２の空間と面する光導波路２３の上面の部分には、目的物質Ｓと特異的に反応する性質の物質が固定されている。
透明基板２４は、一つ以上の光が透過する素材により形成される。透明基板２４は、上面が光導波路２３の下面に密着して配置され、側面が第１凹部２１１の側面に密接して配置されている。両面テープ２２、透明基板２４、及び反応室２５（後述される）を囲む外筐部２１の内壁は、光導波路２３を物理的に保護している。
外筐部２１において、第２凹部２１２の上面、第２凹部２１２の側面、両面テープ２２の内側側面、及び第２凹部２１２の空間と面する光導波路２３の上面により反応室２５が形成される。反応室２５には、検査時において、水溶液、試薬成分３０、及び試料が混和された検査液が注液される。なお、図３では、反応室２５に検査液が収容された状態の反応ユニット２を例示している。検査液は、測定試料等と言い替えてもかまわない。
次に、反応ユニット２を装着した検体検査装置１によって行われる、測定試料中の目的物質Ｓの有無を検査する際の動作（測定動作）を説明する。以下では、試薬成分３０は、目的物質Ｓを抗原として結合する性質の第１の抗体と、第１の抗体を担持する磁性粒子とを含むものとする。また、反応ユニット２の反応室２５の底壁としての光導波路２３の上面に固定された物質は、目的物質Ｓを抗原として第１の抗体とは異なる部位で結合する第２の抗体であるとする。
まず、医療スタッフ等のユーザは、患者などから取得した試料を、試薬成分３０と液媒（純水）との溶液と混和させ、検査液を作成する。ユーザは、作成した検査液を例えば、反応ユニット２の孔２１ａから反応室２５へ注入する。このとき、反応ユニット２の孔２１ｂから空気が排出される。これにより、図３に示されるように、反応室２５が検査液により満たされる。また、反応室２５の底壁として機能する光導波路２３の上面に検査液が接触することになる。
図４は、本実施形態に係る測定動作シーケンスの一例を表すフローチャートである。図５は、（Ａ）光源の動作期間、（Ｂ）下磁場又は上磁場を印加する期間、（Ｃ）光強度の測定期間、（Ｄ）粒子個数の計測期間、及び（Ｅ）光強度の関係を表すタイミングチャートである。図４の測定動作には、光強度測定及び粒子個数計測の二つがある。図４の測定動作シーケンスは、反応室２５に検査液が満たされた後に、入力インタフェース１６を介してユーザから測定動作を開始する開始指示が入力されることによって開始する。
（ステップＳ１０１）
ユーザから開始指示が入力されると、検体検査装置１の処理回路１７は、光強度測定機能１７２を実行する。光強度測定機能１７２において処理回路１７は、光源１２３を制御し、光強度測定を開始する（時刻ｔ０）。具体的には、処理回路１７は、光強度測定期間（時刻ｔ０から時刻ｔ４までの期間）にわたって、光源１２３を周期的な点滅の動作、即ち点滅動作させる。光源１２３を点滅動作させる期間は、点滅動作期間と呼ばれてもよい。
光強度測定において、光源１２３は、前述の光Ｌ１を出射する。光源１２３から出射された光Ｌ１は、透明基板２４を介して光導波路２３に入射される。光導波路２３に入射された光は、偏向された後、光導波路２３内を全反射しながら伝搬する。光導波路２３内を伝搬した光は、偏向された後、透明基板２４および受光部１２２を介して光検出器１２４へ出射される。このとき、光導波路２３は、透明基板２４から入射されて透明基板２４へと出射される光の光路となる。すなわち、光導波路２３は、光ファイバーにおけるコア（心材）同様の役割を果たす。両面テープ２２、及び透明基板２４は、それぞれ光導波路２３とは異なった屈折率を有する素材で形成されるため、光は光導波路２３との境界面で全反射する。すなわち、両面テープ２２、及び透明基板２４は、光を光導波路２３内に閉じ込めるクラッドとしての役割を果たす。
光検出器１２４は、反応ユニット２から出射された光Ｌ２を検出する。光検出器１２４は、処理回路１７へ、所定の時間間隔（例えば、光源１２３の点滅動作に同期した時間間隔）で検出した光の強度に関するデータを出力する。
（ステップＳ１０２）
光強度測定が開始された後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、例えば、下磁場の印加が開始されるタイミングを規定する情報に含まれる時間枠情報を用いて、時刻ｔ０から所定の経過時間（第１の経過時間）が経過したか否か、すなわち下磁場の印加を開始する時刻ｔ１に達したか否かを判断する。上記第１の経過時間は、例えば光強度測定を開始してからの光強度が所定の値に達するまでの時間でもよい。時刻ｔ０から時刻ｔ１の期間においては、測定される光強度は増加する。これは、検査液が反応室２５を満たすため注入されると、保存安定性を高めるために予め光導波路２３の上面に付着された糖を含有する水溶性の膜を溶解する現象によるものである。糖は、例えば二糖類である。時刻ｔ１に達している場合、処理はステップＳ１０３へ進む。そうでなければ時刻ｔ１まで待機する。
（ステップＳ１０３）
時刻ｔ１に達した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、下磁場の印加を開始する。具体的には、処理回路１７は、磁場発生回路１３により反応ユニット２の反応室２５に下磁場を印加させる。
図６は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ１における反応機構内の状態を表す断面図である。図６に示されるように、時刻ｔ１において、下磁場が印加される。下磁場は、図６における鉛直方向（Ｚ軸に沿った）下向きの矢印ＢＤによって表されている。
図７は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ１から時刻ｔ２の間におけるある時点の反応機構内の状態を表す断面図である。図７に示されるように、下磁場の印加は、検査液中で第１の抗体を担持する磁性粒子に、鉛直方向下向きの磁力を及ぼす。担持する第１の抗体と共に、磁性粒子は、重力、及び下方向の磁力により、反応室内２５内において、光導波路２３の上面へ向けて徐々に沈降する。磁性粒子が沈降すると、磁性粒子が担持する第１の抗体は、光導波路２３の上面に結合されている第２の抗体と、目的物質Ｓとしての抗原を介して結合する。このため、図５に示されるように、下磁場印加が開始されると、光導波路２３の近傍の領域で磁性粒子が増加し光強度が減少する。
（ステップＳ１０４）
下磁場の印加を開始した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、例えば下磁場の印加を終了するタイミングを規定する情報に含まれる経過時間を用いて、時刻ｔ１から所定の経過時間（第２の経過時間）が経過したか否か、すなわち下磁場の印加を終了する時刻ｔ２に達したか否かを判断する。上記第２の経過時間は、例えば時刻ｔ１における光強度が所定の値まで減少するまでの時間でもよい。時刻ｔ２に達している場合、処理はステップＳ１０５へ進む。そうでなければ時刻ｔ２まで下磁場を印加し続ける。
（ステップＳ１０５）
時刻ｔ２に達した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、下磁場の印加を終了する。具体的には、処理回路１７は、磁場発生回路１３に下磁場の発生と印加を停止させる。
図８は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ２における反応機構内の状態を表す断面図である。図８から理解されるように、下磁場の印加が停止された直後では、第１の抗体を担持する磁性粒子は、その下磁場による束縛（磁性粒子が磁力線に沿って短いチェーンのようにつながる状態）を保った状態となっている。
図９は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ２から時刻ｔ３の間の前半における反応機構内の状態を表す断面図である。時刻ｔ３とは、後述される上磁場の印加を開始する時刻である。下磁場の印加が停止されると、第１の抗体を担持する磁性粒子は、下磁場による束縛から解放されて自然沈降を開始する。これにより、光導波路２３の近傍領域に存在する磁性粒子の数が増加する。下磁場の印加が停止されると、光強度は、図５に示されるように、オーバーシュートを発生させた後、徐々に減少する。オーバーシュートは、チェーン状につながっていた磁性粒子が、ばらけた瞬間に各ゆるんだ磁性粒子に水和する水分子の数が増加し、浮力が増加する現象に起因する。
図１０は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ２から時刻ｔ３の間の後半における反応機構内の状態を表す断面図である。ここで第１の抗体を担持する磁性粒子が自然沈降しきる、即ち規定センシングエリア（反応室２５中に示される破線と光導波路２３との間の領域）への進入するそれ以上の第１の抗体を担持する磁性粒子がなくなる。このとき、光導波路２３の上面上の第１の抗体を担持する磁性粒子の一部は、目的物質Ｓを介して光導波路２３の上面に固定された第２の抗体と特異的に結合する。このような第１の抗体を担持する磁性粒子は、光導波路２３の上面に整列して堆積される。すなわち、センシングエリア内は、第１の抗体を介して固定化された磁性粒子を含む磁性粒子によりほぼ隙間なく占められた状態となる。
（ステップＳ１０６）
下磁場の印加を停止した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、例えば上磁場の印加が開始されるタイミングを規定する情報に含まれる経過時間を用いて、時刻ｔ２から所定の経過時間（第３の経過時間）が経過したか否か、すなわち上磁場を印加する時刻ｔ３に達したか否かを判断する。上記第３の経過時間は、例えば時刻ｔ２における光強度が所定の割合まで減少するまでの時間でもよい。時刻ｔ３に達している場合、処理はステップＳ１０７へ進む。そうでなければ時刻ｔ３まで待機する。
（ステップＳ１０７）
時刻ｔ３に達した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、上磁場の印加を開始する。具体的には、処理回路１７は、磁場発生回路１３により反応ユニット２の反応室２５に上磁場を印加させる。
図１１は、図５のタイミングチャートの時刻ｔ３から時刻ｔ４の間における反応機構内の状態を表す断面図である。図１１に示されるように、上磁場の印加は、検査液中で第１の抗体を担持する磁性粒子に、鉛直上向きの磁力を及ぼす。上磁場は、図１１における鉛直方向上向きの矢印ＢＵによって表されている。上方向の磁力により、光導波路２３の上面に沈んでいる磁性粒子のうち、光導波路２３の上面に結合されている第２の抗体と抗原を介して結合していない第１の抗体を担持する磁性粒子は、光導波路２３の近傍の領域（エバネッセント場）から引き離される。すなわち、第２の抗体と抗原とを介して結合している第１の抗体を担持している磁性粒子のみが光導波路２３の近傍の領域に残留することになる。このため、図５に示されるように、上磁場印加が開始された直後は、光強度が増大し、所定の時間が経過すると光強度が安定する。
（ステップＳ１０８）
上磁場の印加を開始した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、例えば光強度測定を終了するタイミングを規定する情報に含まれる経過時間を用いて、時刻ｔ３から所定の経過時間（第４の経過時間）が経過したか否か、すなわち光強度測定を終了する時刻ｔ４に達したか否かを判断する。上記第４の経過時間は、例えば測定している光強度が収束するまでの時間でもよい。時刻ｔ４に達している場合、処理はステップＳ１０９へ進む。そうでなければ時刻ｔ４まで測定を続ける。
（ステップＳ１０９）
時刻ｔ４に達した後、光強度測定機能１７２において処理回路１７は、光強度測定を終了する。なお、後続する粒子個数計測のため、処理回路１７は、磁場発生回路１３による上磁場の印加を継続させる。
（ステップＳ１１０）
光強度測定機能１７２において処理回路１７は、光強度測定の終了後、又は終了直前に、測定した光強度を用いて、測定試料中の目的物質Ｓの有無および含有の程度を判定可能か否かを判断する。このとき、処理回路１７は、例えば、測定した光強度が抗原抗体反応前の基準となる光強度と比較して所定の強度を有しているか否か、又は、測定した光強度が所定の値に収束しているか否か等に基づき、目的物質Ｓの有無および程度を判定可能か否かを判断する。目的物質Ｓの有無および程度を判定可能である場合、処理はステップＳ１１１へ進む。判定可能でない場合、処理はステップＳ１１２へ進む。
（ステップＳ１１１）
光強度測定機能１７２において処理回路１７は、例えば、抗原抗体反応前の基準となる光強度と、時刻ｔ４の光強度とを比較し、目的物質Ｓの濃度を算出する。具体的には、処理回路１７は、抗原抗体反応前の光強度と時刻ｔ４の光強度とを用いて光強度の低下率を算出する。その後、処理回路１７は、検量線のデータを用いて、算出された光強度の低下率に対応する目的物質の濃度を得る。
（ステップＳ１１３）
目的物質Ｓの濃度を算出すると、処理回路１７は、判定機能１７４を実行する。判定機能１７４において処理回路１７は、ステップＳ１１１で算出した目的物質Ｓの濃度に基づき、検査液中の目的物質の有無および含有の程度を判定する。具体的には、処理回路１７は、目的物質Ｓの濃度が閾値以上の場合に「陽性」と判定し、目的物質Ｓの濃度が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。
なお、処理回路１７は、光強度の低下率に基づいて検査液中の目的物質の有無および含有の程度を判定してもよい。具体的には、この場合、処理回路１７は、光強度の低下率が閾値以上の場合に「陽性」と判定し、光強度の低下率が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。この場合、上記のステップＳ１１１において、必ずしも目的物質Ｓに関する濃度を算出する必要はない。
（ステップＳ１１４）
検査液中の目的物質Ｓの有無および程度を判定すると、処理回路１７は、システム制御機能１７１を実行する。システム制御機能１７１において処理回路１７は、ステップＳ１１３で判定された目的物質Ｓの有無および程度をディスプレイ１５１に表示させる。具体的には、処理回路１７は、目的物質Ｓの有無および程度に関して、「陰性」または「陽性」の判定結果をディスプレイ１５１に表示させる。また、処理回路１７は、ディスプレイ１５１に判定結果の確からしさを示す確率を一緒に表示させてもよい。ステップＳ１１４の後、処理は終了する。
（ステップＳ１１２）
目的物質Ｓの有無を判定できない場合、処理回路１７は、粒子個数計測機能１７３にスイッチングして計測を開始する。つまり、処理回路１７は、粒子個数計測機能１７３を実行する。粒子個数計測機能１７３において処理回路１７は、光源１２３を制御し、粒子個数計測を開始する。具体的には、処理回路１７は、光源１２３を点滅動作から点灯動作に切り替え、粒子個数計測期間（時刻ｔ４から時刻ｔ５までの期間）にわたって、光源１２３を点灯動作させる。光源１２３を点灯動作させる期間は、点灯動作期間と呼ばれてもよい。
粒子個数計測において、光源１２３は、光Ｌ１を出射する。光Ｌ１は、光導波路２３と反応室２５内の検査液、両面テープ２２、及び透明基板２４との境界面で全反射することによって光導波路２３内を伝搬する。このような全反射状態において、境界面からしみ出した光、すなわちエバネッセント光が存在する。エバネッセント光は、光導波路２３の近傍の領域に固定されている磁性粒子によって散乱する。
粒子個数計測期間の所定の時点において、処理回路１７は、画像センサ１４を制御し、エバネッセント光の散乱光を受光させ、受光させた光を画像信号へ変換させる。処理回路１７は、画像センサ１４で変換された画像信号に基づいて画像を生成する。処理回路１７は、例えば、生成した画像に含まれる光点のうち、予め設定した大きさ以上の光点の数を計測する。予め設定した大きさ以上の光点は、例えば、光導波路２３の上面に、第１の抗体、目的物質Ｓ、及び第２の抗体を介して結合された磁性粒子を表す。
（ステップＳ１１５）
粒子個数計測が開始された後、処理回路１７は、例えば、粒子個数を全て計測したか否か、すなわち粒子個数計測を終了するか否かを判断する。粒子個数の計測が完了している場合、処理はステップＳ１１６へと進み、そうでなければ粒子個数の計測が完了するまで待機する。
（ステップＳ１１６）
粒子個数計測機能１７３において処理回路１７は、粒子個数計測を終了する。
（ステップＳ１１７）
粒子個数計測が終了すると、処理回路１７は、判定機能１７４を実行する。判定機能１７４において処理回路１７は、ステップＳ１１２で計測した粒子個数に基づき、検査液中の目的物質Ｓの有無および含有の程度を判定する。例えば、処理回路１７は、予め定めた粒子個数と、粒子個数計測結果とを比較し、検査液中の目的物質Ｓについての最終判定を実施する。具体的には、処理回路１７は、計測された粒子個数が閾値以上の場合に「陽性」と判定し、計測された粒子個数が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。
（ステップＳ１１８）
最終判定を実施すると、処理回路１７は、システム制御機能１７１を実行する。システム制御機能１７１において処理回路１７は、ステップＳ１１７で実施された最終判定の結果をディスプレイ１５１に表示させる。具体的には、処理回路１７は、目的物質Ｓの有無および程度に関して、「陰性」または「陽性」の判定結果をディスプレイ１５１に表示させる。また、処理回路１７は、判定結果の確からしさを示す確率を一緒に表示してもよい。ステップＳ１１８の後、処理は終了する。 以上のように、本実施形態では、検体検査装置１は、処理回路１７の光強度測定機能１７２により、反応ユニット２内の光導波路を伝搬する光の強度を測定し、第１検査指標値を取得する。検体検査装置１は、処理回路１７の粒子個数計測機能１７３により、光導波路の画像に基づいて第２検査指標値を取得する。そして、検体検査装置１は、処理回路１７の判定機能１７４により、第１及び／又は第２検査指標値に基づき、検査液中の目的物質の有無および含有の程度を判定するようにしている。よって、本検体検査装置１は、光の減衰を利用した目的物質の定量測定と、視覚的情報を利用した目的物質の定量測定とを１回の検査シーケンスで実施し、最終的な判定を下すためにそれらの測定の結果を使うことが可能となる。また、光導波路中を伝搬する光は、画像センサ１４によるモニタの際にも使用できるため、本検体検査装置１は、画像センサ１４を使用するために別途光源を設ける必要がない。
（第１の実施形態の変形例）
第１の実施形態に係る検体検査装置１は、光強度測定を行った後に、粒子個数計測を行ったがこれに限らない。例えば、図４に示される例では、光強度に基づく判定結果が取得されない場合、粒子個数に基づく判定結果がディスプレイ１５１に表示される場合を説明したが、これに限定されない。
別の例では、検体検査装置１は、光強度測定と粒子個数計測とを並列又は同時に行ってもよい。具体的には、例えば、処理回路１７は、ステップＳ１０８において、光強度が収束したと判断すると、粒子個数計測機能１７３を実行する。粒子個数計測機能１７３において処理回路１７は、例えば、点滅動作を実施する光源１２３から照射される光によるエバネッセント光の散乱光についての画像を生成する。処理回路１７は、例えば、生成した画像に含まれる光点のうち、予め設定した大きさ以上の光点の数を計測する。
また、光強度測定の結果（第１検査指標値）と画像センサ１４の出力に基づく計測の結果（第２検査指標値）は、判定結果の取得の有無にかかわらず、ディスプレイ１５１に表示するようにしても良い。
また、第１の実施形態に係る検体検査装置１は、一連の動作の中で、光強度測定と、粒子個数計測とを行ったがこれに限らない。光強度測定と、粒子個数計測とが別々に実施され、光学部で検出された結果から求められる検査指標と、画像センサで検出された結果から求められる検査指標とがそれぞれ取得され、それらに基づく判定などがディスプレイ１５１に表示されてもよい。
また、第１の実施形態に係る検体検査装置１は、光学部で検出された結果から求められる第１検査指標値及び／又は画像センサで検出された結果から求められる第２検査指標値とに基づいて判定される目的物質の有無及び程度を表示するようにしている。しかしながら、表示されるのは目的物質の有無および程度に限定されない。第１及び／又は第２検査指標値それ自体がディスプレイ１５１に表示されても構わない。
また、第１の実施形態に係る検体検査装置１は、処理回路１７の光強度測定機能１７２により第１検査指標値を取得し、粒子個数計測機能１７３により第２検査指標値を取得する場合を例に説明した。しかしながら、処理回路１７により取得される検査指標値は、これらに限定されない。処理回路１７は、第１及び第２検査指標値から、目的物質に関する第３検査指標値を取得してもよい。第３検査指標値は、例えば、第１検査指標値および第２検査指標値の相関性に関する指標値である。第１検査指標値および第２検査指標値は、同一対象について測定（計測）を行った結果なので、それらは相関性が高いと考えられる。例えば、処理回路１７は、第１検査指標値および第２検査指標値の相関性が低いという第３検査指標値に基づいて、ユーザに対して相関性が低い旨の報知をしてもよい。
（第２の実施形態）
第１の実施形態に係る測定動作シーケンスは、光強度測定の終了後、又は終了直前に、測定試料中の目的物質Ｓの有無および含有の程度を判定可能かまたは判定すべきか否かを判断する。また、第１の実施形態の変形例に係る測定動作シーケンスは、上記判断を行わず、光強度測定と粒子個数計測とを並列又は同時に行っていた。第２の実施形態に係る測定動作シーケンスは、以下に説明されるように上記判断を行わず、光強度測定後に目的物質の有無などの判定を行った後に、粒子個数計測を行うか否かの判定を行う。
図１２は、第２の実施形態に係る測定動作シーケンスの一例を表すフローチャートである。図１２の測定動作には、光強度測定および粒子個数計測の二つがある。また、光強度測定のタイミングチャートは、図５と同様である。図１２の測定動作シーケンスは、反応室２５に検査液が満たされた後に、入力インタフェース１６を介してユーザから測定動作を開始する開始指示が入力されることによって開始する。
なお、図１２のステップＳ２０１からステップＳ２０９までの説明は、図４のステップＳ１０１からステップＳ１０９までと同様であるため省略する。ステップＳ２０９を実行した後、処理はステップＳ２１０へ進む。
（ステップＳ２１０）
光強度測定機能１７２において処理回路１７は、例えば、抗原抗体反応前の基準となる光強度と、時刻ｔ４の光強度とを比較し、目的物質Ｓの濃度を算出する。具体的には、処理回路１７は、抗原抗体反応前の光強度と時刻ｔ４の光強度とを用いて光強度の低下率を算出する。その後、処理回路１７は、検量線のデータを用いて、算出された光強度の低下率に対応する目的物質Ｓの濃度を得る。
（ステップＳ２１１）
目的物質Ｓの濃度を算出すると、処理回路１７は、判定機能１７４を実行する。判定機能１７４において処理回路１７は、ステップＳ２１０で算出した目的物質Ｓの濃度に基づき、検査液中の目的物質Ｓの有無および含有の程度を判定する。具体的には、処理回路１７は、目的物質Ｓに関する濃度が閾値以上の場合に「陽性」と判定し、目的物質Ｓに関する濃度が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。
なお、処理回路１７は、光強度の低下率に基づいて検査液中の目的物質の有無および含有の程度を判定してもよい。具体的には、処理回路１７は、光強度の低下率が閾値以上の場合に「陽性」と判定し、光強度の低下率が閾値未満の場合に「陰性」と判定する。この場合、上記のステップＳ２１０において、必ずしも目的物質Ｓに関する濃度を算出する必要はない。
（ステップＳ２１２）
検査液中の目的物質Ｓの有無および程度を判定すると、処理回路１７は、システム制御機能１７１を実行する。システム制御機能１７１において処理回路１７は、ステップＳ２１１の判定結果に基づいて、粒子個数計測を実行するか否かを決定する。具体的には、処理回路１７は、判定結果が「陽性」の場合には粒子個数計測を実行せずに、処理をステップＳ２１３へ進める。他方、処理回路１７は、判定結果が「陽性」ではない場合、即ち「陰性」の場合に粒子個数計測を実行するため、処理をステップＳ２１４へ進める。
（ステップＳ２１３）
ステップＳ２１１において「陽性」と判定された後、処理回路１７は、光強度測定において陽性と判定された旨の判定結果をディスプレイ１５１に表示させる。また、処理回路１７は、判定結果の確からしさを示す確率を一緒に表示してもよい。ステップＳ２１３の後、処理は終了する。
（ステップＳ２１４）
ステップＳ２１１において「陰性」と判定された後、処理回路１７は、粒子個数計測機能１７３にスイッチングして計測を開始する。尚、以降のステップＳ２１５からステップＳ２１７までの説明は、図４のステップＳ１１５からステップＳ１１７までと同様であるため説明を省略する。
（ステップＳ２１８）
ステップＳ２１７において最終判定を実施すると、処理回路１７は、システム制御機能１７１を実行する。システム制御機能１７１において処理回路１７は、最終判定の結果をディスプレイ１５１に表示させる。具体的には、処理回路１７は、目的物質Ｓの有無および程度に関して、「陰性」または「陽性」の判定結果をディスプレイ１５１に表示させる。また、処理回路１７は、判定結果の確からしさを示す確率を一緒に表示してもよい。さらに、処理回路１７は、粒子個数計測による判定結果と共に光強度測定において陰性と判定された旨の先行の判定結果の注釈などをユーザに報知してもよい。ステップＳ２１８の後、処理は終了する。
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、検体検査装置１は、測定試料中の目的物質の有無を精度良く判定することができる。
実施形態の説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、或いは、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Ｓｉｍｐｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＰＬＤ）、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ：ＦＰＧＡ））等の回路を意味する。プロセッサは記憶回路に保存されたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、記憶回路にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成してもかまわない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、上記各実施形態の各プロセッサは、プロセッサごとに単一の回路として構成される場合に限らず、複数の独立した回路を組み合わせて１つのプロセッサとして構成し、その機能を実現するようにしてもよい。さらに、上記各実施形態における複数の構成要素を１つのプロセッサへ統合してその機能を実現するようにしてもよい。
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、実施形態同士の組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
１…検体検査装置
１２…光検出回路
１２１…射出部
１２２…受光部
１２３…光源
１２４…光検出器
１３…磁場発生回路
１３１…上磁場印加部
１３２…下磁場印加部
１４…画像センサ
１５…出力インタフェース
１５１…ディスプレイ
１５２…報知器
１６…入力インタフェース
１７…処理回路
１７１…システム制御機能
１７２…光強度測定機能
１７３…粒子個数計測機能
１７４…判定機能
１８…メモリ
２…反応ユニット
２１…外筐部
２１ａ，２１ｂ…孔
２１１…第１凹部
２１２…第２凹部
２２…両面テープ
２３…光導波路
２４…透明基板
２５…反応室
３０…試薬成分
Ｌ１，Ｌ２…光
Ｓ…目的物質

Claims (10)

  1. 検査容器に設けられる光導波路に光を入射し、前記光導波路を伝播して前記光導波路から出射される光を検出する光学部と、
    前記光導波路を伝播する光に基づいて前記光導波路近傍に存在する粒子で散乱される光を光源として、前記光導波路についての画像信号を取得する画像センサと、
    前記光学部の出力と、前記画像センサの出力との少なくとも一方に基づいて検査指標値を求める処理部と、
    前記処理部の処理結果を出力する出力部と
    を具備する検体検査装置。
  2. 前記処理部は、
    前記光学部で検出された結果に基づき、前記検査容器に収容される試料に含まれ得る目的物質の量に関する第１検査指標値を求める第１処理部と、
    前記画像センサで取得された画像信号に基づいて前記目的物質の量に関する第２検査指標値を求める第２処理部と
    を備え、
    前記出力部は、前記第１及び第２検査指標値の少なくとも一方を前記処理結果として出力する、請求項１に記載の検体検査装置。
  3. 前記処理部は、前記画像センサで取得された画像信号に基づき、前記検査容器に収容される試料に含まれ得る目的物質の量に関する種類の異なる複数の検査指標値を求め、
    前記出力部は、前記検査指標値の一つ又は組み合わせを前記処理結果として出力する、請求項１に記載の検体検査装置。
  4. 前記処理部は、前記第１検査指標値と、前記第２検査指標値とに基づいて前記目的物質の量に関する第３検査指標値を求め、
    前記出力部は、前記第３検査指標値を前記処理結果として出力する、請求項２に記載の検体検査装置。
  5. 前記処理部は、
    前記光学部で検出された結果に基づき、前記検査容器に収容される試料に含まれ得る目的物質の量に関する第１検査指標値を求める第１処理部と、
    前記画像センサで取得された画像信号に基づいて前記目的物質の量に関する第２検査指標値を求める第２処理部と、
    前記第１検査指標値と、前記第２検査指標値とに基づいて前記試料中の前記目的物質の有無を判定する判定部と
    を備え、
    前記出力部は、前記目的物質の有無を前記処理結果として出力する、請求項１に記載の検体検査装置。
  6. 前記処理部は、
    前記画像センサで取得された画像信号に基づき、前記検査容器に収容される試料に含まれ得る目的物質の量に関する検査指標値を求める第２処理部と、
    前記検査指標値に基づいて前記試料中の前記目的物質の有無を判定する判定部と
    を備え、
    前記出力部は、前記目的物質の有無を前記処理結果として出力する、請求項１に記載の検体検査装置。
  7. 前記画像センサおよび前記光導波路は、前記画像センサが前記光導波路の鉛直下方に配置されるように構成される請求項１乃至６のいずれかに記載の検体検査装置。
  8. 前記光導波路は、一方の表面が前記検査容器に収容される検査液と接触するように設けられ、
    前記画像センサは、前記検査液と前記光導波路との境界面に生じるエバネッセント光が前記粒子で散乱される光を用いて前記画像信号を取得する請求項１乃至７のいずれかに記載の検体検査装置。
  9. 前記第１処理部は、前記目的物質に反応する第１成分と、前記光導波路の表面に固定され、前記目的物質に反応する第２成分を用いる前記試料中の反応の経過に伴う光の強度変化に基づき、前記目的物質の含有量に関する数値を前記第１検査指標値として算出する請求項２に記載の検体検査装置。
  10. 前記光学部は、点滅する光源から前記光導波路へ入射され、前記光導波路を伝播して前記光導波路から出射される光を検出し、
    前記画像センサは、点灯する光源から前記光導波路へ入射され、前記光導波路を伝播する光に基づく散乱光を、前記画像信号を取得するために用いる請求項１乃至９のいずれかに記載の検体検査装置。
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