JP2021033317A

JP2021033317A - Signal processing method and signal processing system

Info

Publication number: JP2021033317A
Application number: JP2019148458A
Authority: JP
Inventors: 征幸佐藤; Masayuki Sato; 佐藤　裕樹; Hiroki Sato; 裕樹佐藤; 万哲小林; Mantetsu Kobayashi; ひとみ鈴木; Hitomi Suzuki; 藤原　宗; So Fujiwara; 宗藤原
Original assignee: New Japan Radio Co Ltd
Current assignee: New Japan Radio Co Ltd
Priority date: 2019-08-13
Filing date: 2019-08-13
Publication date: 2021-03-01
Anticipated expiration: 2039-08-13
Also published as: JP7330811B2

Abstract

To prevent connection between a receiver and a plurality of sensors from being complicated.SOLUTION: A signal processing method of the present invention includes: a first step of transmitting a carrier wave having a predetermined oscillation frequency from a transmitter to one conductive line connected to the transmitter; a second step of modulating the carrier wave, by each of a plurality of sensors provided on the one conductive line, according to the state of each sensor; and a third step of extracting a signal of each of the sensors by demodulating the carrier wave modulated in the second step.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、信号処理方法および信号処理システムに関する。 Embodiments of the present invention relate to signal processing methods and signal processing systems.

従来、発信機から導電線路に取り付けられた複数個のセンサに対して信号を送信し、この信号を受信した複数のセンサからそれぞれ検知信号を送信し、受信器が検知信号を受信する場合、発信機および受信機と各センサとを、それぞれ個別の導電線路で接続していた。 Conventionally, when a signal is transmitted from a transmitter to a plurality of sensors attached to a conductive line, a detection signal is transmitted from each of the plurality of sensors that have received the signal, and the receiver receives the detection signal, the signal is transmitted. The machine, the receiver, and each sensor were connected by individual conductive lines.

特開２０１８−７３２０７号公報JP-A-2018-73207

このように、発信機および受信機と複数のセンサとを、それぞれ個別の導電線路で接続するためには、センサの数だけ接続用の導電線路を用意しなければならず、煩雑であった。 As described above, in order to connect the transmitter and the receiver to the plurality of sensors by individual conductive lines, it is necessary to prepare as many conductive lines as the number of sensors, which is complicated.

本発明は、受信機と複数のセンサとの接続が煩雑にならない信号処理方法および信号処理システムを提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a signal processing method and a signal processing system in which connection between a receiver and a plurality of sensors is not complicated.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の信号処理方法は、発信機から所定の発振周波数の搬送波を前記発信機と接続された１本の導電線路に発信する第１工程と、前記１本の導電線路に設けられた複数のセンサのそれぞれが、前記センサの状態に応じて前記搬送波を変調する第２工程と、前記第２工程で変調された前記搬送波を復調して前記センサごとの信号を取り出す第３工程と、を含む。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the signal processing method of the present invention is a first step of transmitting a carrier wave having a predetermined oscillation frequency from a transmitter to one conductive line connected to the transmitter. Each of the plurality of sensors provided on the one conductive line demodulates the second step of modulating the carrier wave according to the state of the sensor and the carrier wave modulated in the second step. The third step of extracting a signal for each sensor is included.

本発明によれば、発信機および受信機と複数のセンサとをそれぞれ個別の導電線路で接続する必要はなく、一本の導電線路のみ用意すれば足りるので、非常に簡便な信号処理方法および信号処理システムを提供することができる。 According to the present invention, it is not necessary to connect a transmitter and a receiver to a plurality of sensors by individual conductive lines, and it is sufficient to prepare only one conductive line. Therefore, a very simple signal processing method and signal A processing system can be provided.

図１は、実施形態に係る信号処理システムのハードウェア構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a hardware configuration of a signal processing system according to an embodiment. 図２は、実施形態において各部で出力される信号を示すタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart showing signals output by each unit in the embodiment. 図３は、変調用トランジスタのオン、オフを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing on / off of the modulation transistor. 図４は、変調用トランジスタがオン、オフしたときの導電線路から出力される変調波を示すタイミングチャートである。FIG. 4 is a timing chart showing a modulation wave output from the conductive line when the modulation transistor is turned on and off. 図５は、受信機において信号を復調する場合の信号をスペクトル解析した図である。FIG. 5 is a spectrum analysis of a signal when the signal is demodulated in the receiver.

以下、添付図面を参照しながら、本発明に係る実施形態を詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、実施形態に係る信号処理システムの概略を示した図である。図１に示すように、信号処理システムは、発信機１、１本の導電線路２、複数個のセンサユニット３、受信機４を備える。発信機１は、導電線路２により受信機４と電気的に接続される。複数個のセンサユニット３も、それぞれが導電線路２により電気的に接続される。 FIG. 1 is a diagram showing an outline of a signal processing system according to an embodiment. As shown in FIG. 1, the signal processing system includes a transmitter 1, one conductive line 2, a plurality of sensor units 3, and a receiver 4. The transmitter 1 is electrically connected to the receiver 4 by a conductive line 2. The plurality of sensor units 3 are also electrically connected to each other by the conductive line 2.

発信機１は、発振周波数ｆ０の搬送波Ｎ１を生成する。搬送波Ｎ１は、音声、映像、データ等の個別の情報を重畳させて伝送するための信号である。実施形態では、搬送波Ｎ１は、複数のセンサユニット３のそれぞれから出力された出力波ＤＰを重畳させて導電線路２を伝送する。 The transmitter 1 generates a carrier wave N1 having an oscillation frequency f0. The carrier wave N1 is a signal for superimposing and transmitting individual information such as audio, video, and data. In the embodiment, the carrier wave N1 transmits the conductive line 2 by superimposing the output wave DP output from each of the plurality of sensor units 3.

発信機１は、生成した搬送波Ｎ１を抵抗Ｒ０を介して導電線路２に発信する。また、発信機１は、生成した搬送波Ｎ１を受信機４に発信する。なお、搬送波Ｎ１は、説明の都合上矩形波であるとして説明する。 The transmitter 1 transmits the generated carrier wave N1 to the conductive line 2 via the resistor R0. Further, the transmitter 1 transmits the generated carrier wave N1 to the receiver 4. The carrier wave N1 will be described as a rectangular wave for convenience of explanation.

導電線路２は、電気を通す性質の物体で、例えば金属で形成された１本の導線である。導電線路２は、例えば１枚の導電箔（例えばアルミ箔）である。導電線路２は、発信機１から発信された搬送波に重畳させた情報を伝送する。なお、導電線路２は、導電性を有する物体であれば、金属以外の物体であってもよいし、導電性を有する物体が混入された物体や、導電性を有する物体が織り込まれた物体であってもよい。 The conductive line 2 is an object that conducts electricity, and is, for example, a single conducting wire made of metal. The conductive line 2 is, for example, one conductive foil (for example, aluminum foil). The conductive line 2 transmits information superimposed on the carrier wave transmitted from the transmitter 1. The conductive line 2 may be an object other than metal as long as it is a conductive object, an object mixed with a conductive object, or an object woven with a conductive object. There may be.

複数個のセンサユニット３は、それぞれ導電線路２に接続されている。実施形態では、センサユニット３−１、センサユニット３−２、…、センサユニット３−ＮのＮ個のセンサユニット３が導電線路２に接続されている。なお、以降センサユニット３−１〜センサユニット３−Ｎを総称する場合はセンサユニット３という。センサユニット３は、発振部３１、整流部３２、変調用トランジスタ３３を備える。また、センサユニット３は、センサ素子５１を接続する。センサ素子５１は、抵抗性または容量性の素子である。センサ素子５１は、例えば周囲の温度、湿度、輝度等の検知対象の状態を検知する。また、センサ素子５１は、例えば人の心拍等の検知対象の状態を検知する。センサ素子５１は、検知対象の状態を検知した場合と検知していない場合とで、内部抵抗の抵抗値が異なる。また、センサ素子５１は、検知した検知対象の状態の変化に応じて内部抵抗の抵抗値が変化する。例えば、センサ素子５１が検知した検知対象が温度である場合、検知した温度が１０度である場合と３０度である場合とで内部抵抗の抵抗値が異なる。なお、センサは、センサユニット３とセンサ素子５１とを合わせたものである。 Each of the plurality of sensor units 3 is connected to the conductive line 2. In the embodiment, N sensor units 3 of the sensor unit 3-1 and the sensor unit 3-2, ..., And the sensor unit 3-N are connected to the conductive line 2. Hereinafter, when the sensor units 3-1 to the sensor units 3-N are collectively referred to, they are referred to as the sensor unit 3. The sensor unit 3 includes an oscillator unit 31, a rectifier unit 32, and a modulation transistor 33. Further, the sensor unit 3 connects the sensor element 51. The sensor element 51 is a resistive or capacitive element. The sensor element 51 detects the state of the detection target such as the ambient temperature, humidity, and brightness. Further, the sensor element 51 detects the state of the detection target such as the heartbeat of a person. The sensor element 51 has a different resistance value of internal resistance depending on whether the state of the detection target is detected or not. Further, the sensor element 51 changes the resistance value of the internal resistance according to the change in the state of the detected detection target. For example, when the detection target detected by the sensor element 51 is a temperature, the resistance value of the internal resistance differs depending on whether the detected temperature is 10 degrees or 30 degrees. The sensor is a combination of the sensor unit 3 and the sensor element 51.

発振部３１は、内部に抵抗３１Ｒ、コンデンサ３１Ｃ、増幅器等を備える。発振部３１は、抵抗３１Ｒの抵抗値と、コンデンサ３１Ｃの容量と、センサ素子５１の内部抵抗に応じた固有の周波数で発振する。そして、センサユニット３に内蔵された発振部３１は、それぞれのセンサユニット３によって異なる周波数で発振する。 The oscillator 31 includes a resistor 31R, a capacitor 31C, an amplifier, and the like inside. The oscillating unit 31 oscillates at a unique frequency corresponding to the resistance value of the resistor 31R, the capacitance of the capacitor 31C, and the internal resistance of the sensor element 51. Then, the oscillating unit 31 built in the sensor unit 3 oscillates at a different frequency depending on each sensor unit 3.

整流部３２は、導電線路２内を伝導する搬送波Ｎ１を入力して整流および平滑し、直流電圧を生成して端子３４に印加する。整流部３２が印加した直流電圧は、発振部３１等の駆動電源、すなわちセンサユニット３が駆動するための電源となる。 The rectifying unit 32 inputs the carrier wave N1 conducting in the conductive line 2, rectifies and smoothes it, generates a DC voltage, and applies it to the terminal 34. The DC voltage applied by the rectifying unit 32 serves as a driving power source for the oscillating unit 31 and the like, that is, a power source for driving the sensor unit 3.

変調用トランジスタ３３は、例えばＣＭＯＳ（Complementary Metal-oxide Semiconductor）型トランジスタで構成される。変調用トランジスタ３３は、発振部３１から発信される発振波ＤＲがゲートに入力される。すなわち、変調用トランジスタ３３は、発振部３１から発信される発振波ＤＲに応じてオン、オフの動作を行う。換言すると、変調用トランジスタ３３は、発振部３１から出力される発振波ＤＲの発振周波数に応動してオン、オフを繰り返すスイッチとして機能する。この変調用トランジスタ３３がオン、オフする周波数は、搬送波Ｎ１の発振周波数より低い。また、センサユニット３−１における変調用トランジスタ３３のオン、オフ周波数、センサユニット３−２における変調用トランジスタ３３がオン、オフする周波数、…、センサユニット３−Ｎにおける変調用トランジスタ３３がオン、オフする周波数は、互いにすべて異なる周波数となるよう、発振部３１における抵抗３１Ｒの抵抗値とコンデンサ３１Ｃの容量が調整される。 The modulation transistor 33 is composed of, for example, a CMOS (Complementary Metal-oxide Semiconductor) type transistor. In the modulation transistor 33, the oscillation wave DR transmitted from the oscillation unit 31 is input to the gate. That is, the modulation transistor 33 operates on and off according to the oscillation wave DR transmitted from the oscillation unit 31. In other words, the modulation transistor 33 functions as a switch that repeatedly turns on and off in response to the oscillation frequency of the oscillation wave DR output from the oscillation unit 31. The frequency at which the modulation transistor 33 turns on and off is lower than the oscillation frequency of the carrier wave N1. Further, the on / off frequency of the modulation transistor 33 in the sensor unit 3-1, the frequency at which the modulation transistor 33 in the sensor unit 3-2 turns on / off, ..., The modulation transistor 33 in the sensor unit 3-N turns on, The resistance value of the resistor 31R and the capacitance of the capacitor 31C in the oscillating unit 31 are adjusted so that the off frequencies are all different frequencies from each other.

変調用トランジスタ３３がオフ状態の場合には、導電線路２を伝導する搬送波Ｎ１は、発信機１が生成した振幅を維持する。しかしながら、変調用トランジスタ３３がオン状態の場合には、導電線路２を伝導する搬送波Ｎ１は、発信機１が生成した振幅から変化する。すなわち、変調用トランジスタ３３がオン状態の場合には、導電線路２を伝導する搬送波Ｎ１は、変調用トランジスタ３３によって搬送波Ｎ１の振幅より小さく変調される。これを振幅変調という。すなわち、変調用トランジスタ３３は、搬送波Ｎ１を変調した変調波Ｎ２を生成させる。 When the modulation transistor 33 is in the off state, the carrier wave N1 conducting through the conductive line 2 maintains the amplitude generated by the transmitter 1. However, when the modulation transistor 33 is in the ON state, the carrier wave N1 conducting through the conductive line 2 changes from the amplitude generated by the transmitter 1. That is, when the modulation transistor 33 is in the ON state, the carrier wave N1 conducting through the conductive line 2 is modulated by the modulation transistor 33 to be smaller than the amplitude of the carrier wave N1. This is called amplitude modulation. That is, the modulation transistor 33 generates a modulation wave N2 in which the carrier wave N1 is modulated.

また、例えば、センサユニット３−１の変調用トランジスタ３３のみがオン状態の場合と、センサユニット３−１の変調用トランジスタ３３に加えてセンサユニット３−２の変調用トランジスタ３３もオン状態の場合とで、搬送波Ｎ１の変調の程度が異なる。すなわち、センサユニット３−１の変調用トランジスタ３３のみがオン状態の場合に比べて、センサユニット３−１の変調用トランジスタ３３に加えてセンサユニット３−２の変調用トランジスタ３３もオン状態の場合は、導電線路２を伝導する搬送波Ｎ１の振幅がより小さくなるように変調される。換言すると、同時にオン状態となる変調用トランジスタ３３の数が多くなるほど、搬送波Ｎ１はより振幅が小さくなるように変調される。 Further, for example, when only the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is on, or when the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-2 is also on in addition to the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1. The degree of modulation of the carrier wave N1 is different. That is, compared to the case where only the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is in the ON state, the case where the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-2 is also in the ON state in addition to the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1. Is modulated so that the amplitude of the carrier wave N1 conducting through the conductive line 2 becomes smaller. In other words, as the number of modulation transistors 33 that are turned on at the same time increases, the carrier wave N1 is modulated so that its amplitude becomes smaller.

受信機４は、変調波Ｎ２を復調して復調波ＳＧ（信号）を取り出す。復調とは、変調波Ｎ２に重畳された低周波の信号を取り出すことをいう。実施形態では、高周波の搬送波Ｎ１に、発振波ＤＲに基づいてオン、オフされた変調用トランジスタ３３から出力される低周波の出力波ＤＰが重畳されて変調された変調波Ｎ２から、発振部３１から発信された発振波ＤＲに相当する復調波ＳＧを取り出すことを復調いう。なお、出力波ＤＰは、発振波ＤＲに基づいて変調用トランジスタ３３がオン、オフしたときの変調用トランジスタ３３のドレイン端子から導電線路２に出力される信号であり、発振波ＤＲと同一の発信周波数を有する。 The receiver 4 demodulates the modulated wave N2 and takes out the demodulated wave SG (signal). Demodulation refers to extracting a low-frequency signal superimposed on the modulated wave N2. In the embodiment, the oscillation unit 31 is derived from the modulation wave N2 modulated by superimposing the low frequency output wave DP output from the modulation transistor 33 turned on and off based on the oscillation wave DR on the high frequency carrier wave N1. Taking out the demodulated wave SG corresponding to the oscillating wave DR transmitted from is called demodulation. The output wave DP is a signal output to the conductive line 2 from the drain terminal of the modulation transistor 33 when the modulation transistor 33 is turned on and off based on the oscillation wave DR, and is the same transmission as the oscillation wave DR. Has a frequency.

受信機４は、包括線検波機４１、ローパスフィルタ（以降「ＬＰＦ」と省略する）４２、複数個のバンドパスフィルタ（以降「ＢＰＦ」と省略する）４３を備える。複数個のＢＰＦ４３は、それぞれ異なる周波数帯域の情報のみを取り出す。包括線検波機４１の出力はＬＰＦ４２と電気的に接続される。また、ＬＰＦ４２の出力は複数のＢＰＦ４３と電気的に接続される。 The receiver 4 includes a comprehensive line detector 41, a low-pass filter (hereinafter abbreviated as “LPF”) 42, and a plurality of band-pass filters (hereinafter abbreviated as “BPF”) 43. The plurality of BPF 43s extract only information in different frequency bands. The output of the envelope detector 41 is electrically connected to the LPF 42. Further, the output of the LPF 42 is electrically connected to the plurality of BPF 43s.

包括線検波機４１は、公知の回路構成であり、入力された変調波Ｎ２から当該変調波Ｎ２に係る包括線波Ｐを抽出する。包括線検波機４１は、発信機１および導電線路２と接続される。包括線検波機４１は、発信機１から搬送波Ｎ１を入力する。また、包括線検波機４１は、導電線路２から変調波Ｎ２を入力する。包括線検波機４１は、入力された変調波Ｎ２に基づいて、当該変調波Ｎ２に係る包括線波Ｐを抽出する。 The comprehensive line detector 41 has a known circuit configuration, and extracts the comprehensive line wave P related to the modulated wave N2 from the input modulated wave N2. The envelope detector 41 is connected to the transmitter 1 and the conductive line 2. The envelope detector 41 inputs the carrier wave N1 from the transmitter 1. Further, the comprehensive line detector 41 inputs the modulated wave N2 from the conductive line 2. The envelope detector 41 extracts the envelope P related to the modulated wave N2 based on the input modulated wave N2.

抽出された包括線波Ｐは周波数ｆ０が２倍化された高周波成分を含む。ＬＰＦ４２は、包括線検波機４１から出力された包括線波Ｐを入力する。ＬＰＦ４２は、入力された包括線波Ｐから周波数が２倍の高周波成分を取り除く。 The extracted envelope P contains a high frequency component whose frequency f0 is doubled. The LPF 42 inputs the comprehensive line wave P output from the comprehensive line detector 41. The LPF42 removes a high frequency component having twice the frequency from the input envelope P.

複数のＢＰＦ４３は、変調波Ｎ２を復調して、変調波Ｎ２からそれぞれ異なる周波数帯域の復調波ＳＧを取り出す。複数のＢＰＦ４３は、それぞれ、センサユニット３−１で生成される発振波ＤＲ１に対応した復調波ＳＧ１のみを取り出すＢＰＦ、センサユニット３−２で生成される発振波ＤＲ２に対応した復調波ＳＧ２のみを取り出すＢＰＦ、・・・、センサユニット３−Ｎで生成される発振波ＤＲＮに対応した復調波ＳＧＮのみを取り出すＢＰＦの、計Ｎ個のＢＰＦである。 The plurality of BPF 43 demodulate the modulated wave N2 and take out the demodulated wave SG having a different frequency band from the modulated wave N2. The plurality of BPF 43s take out only the demodulated wave SG1 corresponding to the oscillating wave DR1 generated by the sensor unit 3-1 and only the demodulated wave SG2 corresponding to the oscillating wave DR2 generated by the sensor unit 3-2, respectively. BPFs to be taken out, ..., BPFs to take out only the demodulated wave SGN corresponding to the oscillating wave DRN generated by the sensor unit 3-N, for a total of N BPFs.

ここからは、発信機１が生成した搬送波Ｎ１を導電線路２に発信し、発信された搬送波Ｎ１が、複数のセンサユニット３（具体的には変調用トランジスタ３３）から出力される出力波ＤＰに基づいて変調（振幅変調）され、受信機４が変調された変調波Ｎ２を復調するまでの工程について説明する。図２は、発信機１、センサユニット３、導電線路２、受信機４でそれぞれ出力される信号を示すタイミングチャートである。なお、図２では、センサユニット３−１とセンサユニット３−２の２個のセンサユニット３から出力波ＤＰが出力されるとして以降説明する。 From here, the carrier wave N1 generated by the transmitter 1 is transmitted to the conductive line 2, and the transmitted carrier wave N1 becomes an output wave DP output from a plurality of sensor units 3 (specifically, modulation transistors 33). The process until the receiver 4 demodulates the modulated wave N2 that has been modulated (amplitude modulated) based on the modulation will be described. FIG. 2 is a timing chart showing signals output by the transmitter 1, the sensor unit 3, the conductive line 2, and the receiver 4, respectively. In FIG. 2, it will be described below assuming that the output wave DP is output from the two sensor units 3 of the sensor unit 3-1 and the sensor unit 3-2.

発信機１は、所定の発振周波数の搬送波Ｎ１を導電線路２に発信する（第１工程）。搬送波Ｎ１の発振周波数はｆ０である。また、センサユニット３−１の発振部３１は、発振波ＤＲ１（端子３５における波形）を生成する。発振波ＤＲ１の発振周波数はｆ１であり、搬送波Ｎ１の発振周波数ｆ０より低い。また、センサユニット３−２の発振部３１は、発振波ＤＲ２（端子３５における波形）を生成する。発振波ＤＲ２の発振周波数はｆ２であり、発振周波数ｆ０および発振周波数ｆ１より低い。すなわち、発振周波数ｆ０＞発振周波数ｆ１＞発振周波数ｆ２である。次に、複数のセンサユニット３が生成した発振波ＤＲに基づく信号をそれぞれ１本の導電線路２に出力して搬送波Ｎ１に重畳させて搬送波Ｎ１を変調する（第２工程）。以下、最２工程について具体的に説明する。 The transmitter 1 transmits a carrier wave N1 having a predetermined oscillation frequency to the conductive line 2 (first step). The oscillation frequency of the carrier wave N1 is f0. Further, the oscillating unit 31 of the sensor unit 3-1 generates an oscillating wave DR1 (waveform at the terminal 35). The oscillation frequency of the oscillation wave DR1 is f1, which is lower than the oscillation frequency f0 of the carrier wave N1. Further, the oscillating unit 31 of the sensor unit 3-2 generates an oscillating wave DR2 (waveform at the terminal 35). The oscillation frequency of the oscillation wave DR2 is f2, which is lower than the oscillation frequency f0 and the oscillation frequency f1. That is, oscillation frequency f0> oscillation frequency f1> oscillation frequency f2. Next, signals based on the oscillation wave DR generated by the plurality of sensor units 3 are output to one conductive line 2 and superimposed on the carrier wave N1 to modulate the carrier wave N1 (second step). Hereinafter, the second step will be specifically described.

センサユニット３−１の変調用トランジスタ３３およびセンサユニット３−２の変調用トランジスタ３３がいずれもオフの場合は、導電線路２を伝導する搬送波Ｎ１は変調されない。時刻ｔ１になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいて搬送波Ｎ１を変調する。すなわち、時刻ｔ１になると、発振波ＤＲ１に基づいてセンサユニット３−１の変調用トランジスタ３３がオン状態となる。すると、センサユニット３−１から発振波ＤＲ１に対応した出力波ＤＰ１がローレベル（以降「Ｌレベル」という）で導電線路２に出力され、搬送波Ｎ１は振幅が減少するように変調される。続いて時刻ｔ２になると、センサユニット３−２で生成された発振波ＤＲ２に基づいて、ｔ１で変調された搬送波Ｎ１をさらに変調する。具体的には、時刻ｔ２になると、発振波ＤＲ２に基づいてセンサユニット３−２の変調用トランジスタ３３がオン状態となる。すると、センサユニット３−２から発振波ＤＲ２に対応した出力波ＤＰ２がＬレベルで出力され、ｔ１で変調された搬送波Ｎ１はさらに振幅が減少し、振幅が最小となるように変調される。 When both the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 and the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-2 are off, the carrier wave N1 conducting through the conductive line 2 is not modulated. At time t1, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1. That is, at time t1, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is turned on based on the oscillation wave DR1. Then, the output wave DP1 corresponding to the oscillation wave DR1 is output from the sensor unit 3-1 to the conductive line 2 at a low level (hereinafter referred to as “L level”), and the carrier wave N1 is modulated so that the amplitude decreases. Subsequently, at time t2, the carrier wave N1 modulated at t1 is further modulated based on the oscillation wave DR2 generated by the sensor unit 3-2. Specifically, at time t2, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-2 is turned on based on the oscillation wave DR2. Then, the output wave DP2 corresponding to the oscillation wave DR2 is output from the sensor unit 3-2 at the L level, and the carrier wave N1 modulated at t1 is further reduced in amplitude and modulated so that the amplitude is minimized.

次に時刻ｔ３になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいてｔ２で変調された搬送波Ｎ１を変調する。すなわち、時刻ｔ３になると、発振波ＤＲ１に基づいてセンサユニット３−１の変調用トランジスタ３３がオフ状態となる。すると、センサユニット３−１から発振波ＤＲ１に対応した出力波ＤＰ１がハイレベル（以降「Ｈレベル」という）で出力され、センサユニット３−１によるｔ２で変調されたた搬送波Ｎ１の変調は解除され、搬送波Ｎ１の振幅は振幅が最小の状態から振幅が減少状態にもどるように変調される。次に時刻ｔ４になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいて搬送波Ｎ１を変調する（第２工程）。すなわち、時刻ｔ４になると、発振波ＤＲ１に基づいてセンサユニット３−１の変調用トランジスタ３３が再びオン状態となる。すると、センサユニット３−１から発振波ＤＲ１に対応した出力波ＤＰ１がＬレベルで出力され、ｔ３で変調されたた搬送波Ｎ１は振幅がさらに減少する（振幅が最小となる）ように変調される。次に時刻ｔ５になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいて搬送波Ｎ１を変調する。すなわち、時刻ｔ５になると、発振波ＤＲ１に基づいてセンサユニット３−１の変調用トランジスタ３３が再びオフ状態となる。すると、センサユニット３−１から発振波ＤＲ１に対応した信号の出力がＨレベルで出力され、センサユニット３−１による搬送波Ｎ１の変調は解除され、ｔ４で変調された振幅が減少状態にもどる。 Next, at time t3, the carrier wave N1 modulated at t2 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1. That is, at time t3, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is turned off based on the oscillation wave DR1. Then, the output wave DP1 corresponding to the oscillation wave DR1 is output from the sensor unit 3-1 at a high level (hereinafter referred to as “H level”), and the modulation of the carrier wave N1 modulated by t2 by the sensor unit 3-1 is canceled. Then, the amplitude of the carrier wave N1 is modulated so that the amplitude returns from the minimum amplitude state to the decreasing amplitude state. Next, at time t4, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1 (second step). That is, at time t4, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is turned on again based on the oscillation wave DR1. Then, the output wave DP1 corresponding to the oscillation wave DR1 is output from the sensor unit 3-1 at the L level, and the carrier wave N1 modulated at t3 is modulated so that the amplitude is further reduced (the amplitude is minimized). .. Next, at time t5, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1. That is, at time t5, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is turned off again based on the oscillation wave DR1. Then, the output of the signal corresponding to the oscillation wave DR1 is output from the sensor unit 3-1 at the H level, the modulation of the carrier wave N1 by the sensor unit 3-1 is canceled, and the amplitude modulated by t4 returns to the reduced state.

次に時刻ｔ６になると、センサユニット３−２で生成された発振波ＤＲ２に基づいて搬送波Ｎ１を変調する。すなわち、時刻ｔ６になると、発振波ＤＲ２に基づいてセンサユニット３−２の変調用トランジスタ３３がオフ状態となる。すると、センサユニット３−２から発振波ＤＲ２に対応した信号の出力がＨレベルで出力され、センサユニット３−２による搬送波Ｎ１の変調は解除される。 Next, at time t6, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR2 generated by the sensor unit 3-2. That is, at time t6, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-2 is turned off based on the oscillation wave DR2. Then, the output of the signal corresponding to the oscillation wave DR2 is output from the sensor unit 3-2 at the H level, and the modulation of the carrier wave N1 by the sensor unit 3-2 is canceled.

次に、時刻ｔ７になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいて搬送波Ｎ１を変調する。すなわち、時刻ｔ７になると、発振波ＤＲ１に基づいてセンサユニット３−１の変調用トランジスタ３３がオン状態となる。すると、センサユニット３−１から発振波ＤＲ１に対応した信号がＬレベルで出力され、搬送波Ｎ１は振幅が減少する（振幅が減少する）ように変調される。次に時刻ｔ８になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいて搬送波Ｎ１を変調する。すなわち、時刻ｔ８になると、センサユニット３−１で生成された発振波ＤＲ１に基づいて搬送波Ｎ１を変調する。具体的には、時刻ｔ８になると、発振波ＤＲ１に基づいてセンサユニット３−１の変調用トランジスタ３３がオフ状態となる。すると、センサユニット３−１から発振波ＤＲ１に対応した信号の出力がＨレベルで出力され、センサユニット３−１による搬送波Ｎ１の変調は解除される。 Next, at time t7, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1. That is, at time t7, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is turned on based on the oscillation wave DR1. Then, the signal corresponding to the oscillation wave DR1 is output from the sensor unit 3-1 at the L level, and the carrier wave N1 is modulated so that the amplitude decreases (the amplitude decreases). Next, at time t8, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1. That is, at time t8, the carrier wave N1 is modulated based on the oscillation wave DR1 generated by the sensor unit 3-1. Specifically, at time t8, the modulation transistor 33 of the sensor unit 3-1 is turned off based on the oscillation wave DR1. Then, the output of the signal corresponding to the oscillation wave DR1 is output from the sensor unit 3-1 at the H level, and the modulation of the carrier wave N1 by the sensor unit 3-1 is canceled.

時刻ｔ９以降は、センサユニット３−１およびセンサユニット３−２は、時刻ｔ１〜時刻ｔ８の動作を繰り返す。このようなセンサユニット３−１およびセンサユニット３−２の動作によって搬送波Ｎ１から変調された信号が変調波Ｎ２である。変調波Ｎ２は、受信機４の包括線検波機４１に入力される信号である。 After the time t9, the sensor unit 3-1 and the sensor unit 3-2 repeat the operations of the time t1 to the time t8. The signal modulated from the carrier wave N1 by the operation of the sensor unit 3-1 and the sensor unit 3-2 is the modulated wave N2. The modulated wave N2 is a signal input to the envelope detector 41 of the receiver 4.

受信機４は、第２工程が変調した搬送波Ｎ１から復調された復調波ＳＧを取り出す（第３工程）。すなわち、包括線検波機４１は、変調波Ｎ２を包括線検波して包括線波Ｐを生成する。包括線波Ｐは、変調波Ｎ２の振幅が減少すると立ち下がり、変調波Ｎ２の振幅が増加すると立ち上がる波形である。この包括線波Ｐには、周波数がｆ０の２倍の高周波成分が重畳されている。続いて、ＬＰＦ４２によって包括線波Ｐに重畳されている高周波成分を取り除き、ＢＰＦ４３によって復調波ＳＧ１と復調波ＳＧ２を取り出す。 The receiver 4 takes out the demodulated wave SG demodulated from the carrier wave N1 modulated by the second step (third step). That is, the comprehensive line detector 41 detects the modulated wave N2 in a comprehensive line and generates a comprehensive line wave P. The envelope P is a waveform that falls when the amplitude of the modulated wave N2 decreases and rises when the amplitude of the modulated wave N2 increases. A high frequency component having a frequency twice that of f0 is superimposed on the envelope P. Subsequently, the high frequency component superimposed on the envelope P is removed by the LPF 42, and the demodulated wave SG1 and the demodulated wave SG2 are taken out by the BPF 43.

復調波ＳＧ１は、センサユニット３−１に対応したＢＰＦ４３から取り出される。復調波ＳＧ１は、包括線波Ｐが立ち上がった後の最初の立ち下りで立ち下り、包括線波Ｐが立ち下がった後の最初の立ち上がりで立ち上がる波形である。復調波ＳＧ１は、発振波ＤＲ１の波形を上下反転させた、発振波ＤＲ１と同一周波数（ｆ１）の波形である。 The demodulated wave SG1 is taken out from the BPF 43 corresponding to the sensor unit 3-1. The demodulated wave SG1 is a waveform that falls at the first fall after the comprehensive line wave P rises and rises at the first rise after the comprehensive line wave P falls. The demodulated wave SG1 is a waveform having the same frequency (f1) as the oscillating wave DR1 which is obtained by inverting the waveform of the oscillating wave DR1 upside down.

復調波ＳＧ２は、センサユニット３−２に対応したＢＰＦ４３から取り出される。復調波ＳＧ２は、包括線波Ｐの連続する２回目の立ち下りで立ち下り、包括線波Ｐの連続する２回目の立ち上がりで立ち上がる波形である。復調波ＳＧ２は、発振波ＤＲ２の波形を上下反転させた、発振波ＤＲ２と同一周波数（ｆ２）の波形である。 The demodulated wave SG2 is taken out from the BPF 43 corresponding to the sensor unit 3-2. The demodulated wave SG2 is a waveform that falls at the second consecutive fall of the envelope P and rises at the second consecutive rise of the envelope P. The demodulated wave SG2 is a waveform having the same frequency (f2) as the oscillating wave DR2, which is obtained by inverting the waveform of the oscillating wave DR2 upside down.

このように、実施形態では、発信機１が１本の導電線路２に搬送波Ｎ１を発信し、複数のセンサが生成した発振波ＤＲに基づく出力波ＤＰを導電線路２に出力して、導電線路２に発信された搬送波Ｎ１を変調波Ｎ２に変調し、受信機４が、変調波Ｎ２を復調して復調波ＳＧを取り出す。そのため、１本の導電線路で、複数のセンサユニット３と受信機４とのデータのやり取りをすることができるので、複数のセンサユニット３ごとに、受信機４とのデータのやり取りをするための導線を設ける必要がないので、受信機４と複数のセンサユニット３との接続が煩雑になることはない。 As described above, in the embodiment, the transmitter 1 transmits the carrier wave N1 to one conductive line 2, outputs the output wave DP based on the oscillation wave DR generated by the plurality of sensors to the conductive line 2, and the conductive line 2. The carrier wave N1 transmitted to 2 is modulated into the modulated wave N2, and the receiver 4 demodulates the modulated wave N2 and takes out the demodulated wave SG. Therefore, since data can be exchanged between the plurality of sensor units 3 and the receiver 4 with one conductive line, data can be exchanged with the receiver 4 for each of the plurality of sensor units 3. Since it is not necessary to provide a conducting wire, the connection between the receiver 4 and the plurality of sensor units 3 is not complicated.

続いて、変調用トランジスタ３３のオン、オフに伴って搬送波Ｎ１が変調される原理について説明する。図３は、変調用トランジスタ３３のオン、オフを示す図である。なお、発信機１と導電線路２の間には抵抗Ｒ０を挿入し、変調用トランジスタ３３は、アノード側（端子３６）が導電線路２と電気的に接続され、グラウンドレベル側は抵抗ＲＬが挿入されている。 Subsequently, the principle that the carrier wave N1 is modulated as the modulation transistor 33 is turned on and off will be described. FIG. 3 is a diagram showing on / off of the modulation transistor 33. A resistor R0 is inserted between the transmitter 1 and the conductive line 2, the anode side (terminal 36) of the modulation transistor 33 is electrically connected to the conductive line 2, and the resistor RL is inserted on the ground level side. Has been done.

図３（ａ）は、変調用トランジスタ３３がオンしている状態を示す。端子３５にＨレベルの発振波が出力される（すなわち、変調用トランジスタ３３のゲート端子にＨレベルの発振波ＤＲが入力される）と、変調用トランジスタ３３はオン状態となる。変調用トランジスタ３３がオン状態となると、変調用トランジスタ３３のドレイン端子−ソース端子間が導通して電流が流れ、変調用トランジスタ３３のドレイン端子は、電位が低い出力波ＤＰを導電線路２に出力する。 FIG. 3A shows a state in which the modulation transistor 33 is turned on. When the H level oscillation wave is output to the terminal 35 (that is, the H level oscillation wave DR is input to the gate terminal of the modulation transistor 33), the modulation transistor 33 is turned on. When the modulation transistor 33 is turned on, a current flows through the drain terminal and the source terminal of the modulation transistor 33, and the drain terminal of the modulation transistor 33 outputs a low potential output wave DP to the conductive line 2. To do.

図３（ｂ）は、変調用トランジスタ３３がオフしている状態を示す。端子３５にＬレベルの発振波が出力される（すなわち、変調用トランジスタ３３のゲート端子にＬレベルの発振波が入力される）と、変調用トランジスタ３３はオフ状態となる。変調用トランジスタ３３がオフ状態となると、変調用トランジスタ３３のドレイン端子−ソース端子間に流れる電流が遮断され、変調用トランジスタ３３のドレイン端子は、電位が高い出力波ＤＰを導電線路２に出力する。 FIG. 3B shows a state in which the modulation transistor 33 is off. When the L-level oscillation wave is output to the terminal 35 (that is, the L-level oscillation wave is input to the gate terminal of the modulation transistor 33), the modulation transistor 33 is turned off. When the modulation transistor 33 is turned off, the current flowing between the drain terminal and the source terminal of the modulation transistor 33 is cut off, and the drain terminal of the modulation transistor 33 outputs a high potential output wave DP to the conductive line 2. ..

図４は、センサユニット３−１において、発振波ＤＲ１に基づいて、変調用トランジスタ３３のドレイン端子から導電線路２に出力された出力波ＤＰによって、搬送波Ｎ１を変調した変調波Ｎ２を示すタイミングチャートである。発振波ＤＲ１が図４のように発振した場合の搬送波Ｎ１の変調波Ｎ２への変化について説明する。発振波ＤＲ１がＬレベルの状態（すなわち、時刻ｔ２２−時刻ｔ２３、時刻ｔ２４−時刻ｔ２５、時刻ｔ２６−時刻ｔ２７、時刻ｔ２８−時刻ｔ２９、時刻ｔ３０−時刻ｔ３１の間）では、変調用トランジスタ３３がオフしている。この状態での変調波Ｎ２の振幅は、搬送波Ｎ１の振幅と同じ振幅である。これに対して、発振波ＤＲ１がＨレベルの状態（すなわち、時刻ｔ２１−時刻ｔ２２、時刻ｔ２３−時刻ｔ２４、時刻ｔ２５−時刻ｔ２６、時刻ｔ２７−時刻ｔ２８、時刻ｔ２９−時刻ｔ３０、時刻ｔ３１−時刻ｔ３２の間）では、変調用トランジスタ３３がオンしている。この状態では、変調波Ｎ２の振幅は、変調波Ｎ２の振幅＝搬送波Ｎ１の振幅・抵抗ＲＬの抵抗値／（抵抗Ｒ０の抵抗値＋抵抗ＲＬの抵抗値）に従い減少する。 FIG. 4 is a timing chart showing the modulation wave N2 in which the carrier wave N1 is modulated by the output wave DP output from the drain terminal of the modulation transistor 33 to the conductive line 2 based on the oscillation wave DR1 in the sensor unit 3-1. Is. The change of the carrier wave N1 to the modulated wave N2 when the oscillating wave DR1 oscillates as shown in FIG. 4 will be described. In the state where the oscillation wave DR1 is at the L level (that is, between time t22-time t23, time t24-time t25, time t26-time t27, time t28-time t29, time t30-time t31), the modulation transistor 33 It's off. The amplitude of the modulated wave N2 in this state is the same as the amplitude of the carrier wave N1. On the other hand, the oscillation wave DR1 is in the H level state (that is, time t21-time t22, time t23-time t24, time t25-time t26, time t27-time t28, time t29-time t30, time t31-time. During t32), the modulation transistor 33 is on. In this state, the amplitude of the modulated wave N2 decreases according to the amplitude of the modulated wave N2 = the amplitude of the carrier wave N1 and the resistance value of the resistance RL / (the resistance value of the resistance R0 + the resistance value of the resistance RL).

図４には示していないが、図４の変調波Ｎ２に対して、さらにセンサユニット３−２における発振波ＤＲ２に基づく出力波ＤＰ２が出力された場合は、図４に示す搬送波Ｎ１の振幅は、上式に基づいてさらに減少する。 Although not shown in FIG. 4, when the output wave DP2 based on the oscillation wave DR2 in the sensor unit 3-2 is further output with respect to the modulated wave N2 in FIG. 4, the amplitude of the carrier wave N1 shown in FIG. 4 is , Further decrease based on the above equation.

図５は、受信機４が受信し、包括線検波した包括線波Ｐから復調波ＳＧを取り出すまでの各信号をスペクトル解析した図である。図５（ａ）は、搬送波Ｎ１をスペクトル解析した図である。図５（ａ）に示すように、搬送波Ｎ１は、横軸における周波数ｆ０の位置に、縦軸方向に搬送波Ｎ１の振幅の大きさ分の長さの矢印で表される。また、図５（ｂ）は、搬送波Ｎ１に加え、センサユニット３−１から出力される出力波ＤＰ１とセンサユニット３−２から出力される出力波ＤＰ２をスペクトル解析した図である。出力波ＤＰ１の波形は、図５（ｂ）に示すように、搬送波Ｎ１のスペクトル波形を中心として、搬送波Ｎ１の波形から出力波ＤＰ１の周波数ｆ１分両側に離れた位置に表わされる。出力波ＤＰ２の波形は、図５（ｂ）に示すように、搬送波Ｎ１のスペクトル波形を中心として、搬送波Ｎ１の波形から出力波ＤＰ２の周波数ｆ２分両側に離れた位置に表わされる。 FIG. 5 is a spectrum analysis of each signal received by the receiver 4 until the demodulated wave SG is taken out from the envelope P that has been detected by the envelope. FIG. 5A is a spectrum analysis of the carrier wave N1. As shown in FIG. 5A, the carrier wave N1 is represented by an arrow having a length corresponding to the magnitude of the amplitude of the carrier wave N1 in the vertical axis direction at the position of the frequency f0 on the horizontal axis. Further, FIG. 5B is a spectrum analysis of the output wave DP1 output from the sensor unit 3-1 and the output wave DP2 output from the sensor unit 3-2 in addition to the carrier wave N1. As shown in FIG. 5B, the waveform of the output wave DP1 is represented at a position separated from the waveform of the carrier wave N1 on both sides of the frequency f1 of the output wave DP1 with the spectral waveform of the carrier wave N1 as the center. As shown in FIG. 5B, the waveform of the output wave DP2 is represented at a position separated from the waveform of the carrier wave N1 on both sides of the frequency f2 of the output wave DP2 with the spectral waveform of the carrier wave N1 as the center.

図５（ｃ）は、包括線波Ｐから、周波数がｆ０の２倍となった高周波成分をＬＰＦ４２で取り去った図である。図５（ｄ）は、図５（ｃ）の波形から、それぞれのＢＰＦ４３によって復調波ＳＧ１（すなわち発振波ＤＲ）と復調波ＳＧ２（すなわち発振波ＤＲ２）の波形を取り出す図である。 FIG. 5C is a diagram in which the high frequency component whose frequency is twice that of f0 is removed from the envelope P by LPF42. FIG. 5D is a diagram in which the waveforms of the demodulated wave SG1 (that is, the oscillation wave DR) and the demodulated wave SG2 (that is, the oscillation wave DR2) are extracted from the waveform of FIG. 5C by the respective BPF 43s.

以上説明したように、実施形態は、発信機１から所定の発振周波数の搬送波Ｎ１を発信機１と接続された１本の導電線路２に発信する第１工程と、複数のセンサユニット３のそれぞれが、センサユニット３が検知した検知対象の状態に基づいた発振波ＤＲを生成し、複数のセンサユニット３が生成した発振波ＤＲに基づく出力波ＤＰをそれぞれ１本の導電線路に出力して搬送波Ｎ１に重畳させた変調波Ｎ２を生成する第２工程と、第２工程が生成した変調波Ｎ２から発振波ＤＲの発振周波数に相当する復調波ＳＧを取り出す第３工程と、を含む。このような構成により、そのため、１本の導電線路で、複数のセンサユニット３と受信機４とのデータのやり取りをすることができるので、複数のセンサユニット３ごとに、受信機４とのデータのやり取りをするための導線を設ける必要がないので、受信機４と複数のセンサユニット３との接続が煩雑にならない。 As described above, in the embodiment, the first step of transmitting the carrier wave N1 having a predetermined oscillation frequency from the transmitter 1 to one conductive line 2 connected to the transmitter 1 and the plurality of sensor units 3 respectively. However, an oscillation wave DR based on the state of the detection target detected by the sensor unit 3 is generated, and an output wave DP based on the oscillation wave DR generated by the plurality of sensor units 3 is output to one conductive line, respectively, to carry out a carrier wave. The second step of generating the modulated wave N2 superimposed on N1 and the third step of extracting the demodulated wave SG corresponding to the oscillation frequency of the oscillation wave DR from the modulated wave N2 generated by the second step are included. With such a configuration, therefore, data can be exchanged between the plurality of sensor units 3 and the receiver 4 with one conductive line, so that the data with the receiver 4 can be exchanged for each of the plurality of sensor units 3. Since it is not necessary to provide a lead wire for exchanging data, the connection between the receiver 4 and the plurality of sensor units 3 is not complicated.

以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although the embodiment of the present invention has been described above, this embodiment is presented as an example and is not intended to limit the scope of the invention. This novel embodiment can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. This embodiment and its modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

例えば、実施形態では、搬送波Ｎ１、変調波Ｎ２および発振波を矩形波として説明した。しかしながらこれに限らず、搬送波Ｎ１、変調波Ｎ２および発振波ＤＲは正弦波であってもよい。 For example, in the embodiment, the carrier wave N1, the modulated wave N2, and the oscillating wave have been described as rectangular waves. However, the present invention is not limited to this, and the carrier wave N1, the modulated wave N2, and the oscillation wave DR may be sinusoidal waves.

１発信機
２導電線路
３センサ
４受信機
３１発振部
３３変調用トランジスタ
４１包括線検波機
４２ローパスフィルタ
４３バンドパスフィルタ
５１センサ素子
ＤＰ１出力波
ＤＰ２出力波
ＤＲ１発振波
ＤＲ２発振波
Ｎ１搬送波
Ｎ２変調波
Ｒ０抵抗
ＳＧ１復調波
ＳＧ２復調波
ｆ０発振周波数
ｆ１発振周波数
ｆ２発振周波数 1 Transmitter 2 Conductive line 3 Sensor 4 Receiver 31 Oscillator 33 Modulation transistor 41 Comprehensive line detector 42 Low pass filter 43 Band pass filter 51 Sensor element DP1 Output wave DP2 Output wave DR1 Oscillation wave DR2 Oscillation wave N1 Carrier wave N2 Modulation wave R0 resistance SG1 demodulated wave SG2 demodulated wave f0 oscillation frequency f1 oscillation frequency f2 oscillation frequency

Claims

The first step of transmitting a carrier wave having a predetermined oscillation frequency from a transmitter to one conductive line connected to the transmitter, and
A second step in which each of the plurality of sensors provided on the one conductive line modulates the carrier wave according to the state of the sensor,
A third step of demodulating the carrier wave modulated in the second step and extracting signals for each of the plurality of sensors, and a third step.
Signal processing methods including.

In the second step, the output wave generated by turning on / off the modulation transistor based on the oscillation wave according to the state of the sensor is output to the one conductive line to modulate the carrier wave.
The signal processing method according to claim 1.

One conductive line and
A transmitter connected to the one conductive line and transmitting a carrier wave having a predetermined oscillation frequency to the conductive line.
A plurality of sensors that are connected to the one conductive line and output a signal that modulates the carrier wave.
A receiver connected to the conductive line, demodulating the modulated carrier wave, and extracting signals for each of the plurality of sensors.
Signal processing system with.

The sensor is connected to a sensor element, an oscillating unit that oscillates according to the state of the sensor element, and a signal for modulating the carrier wave by on / off operation according to the output of the oscillating unit. The output modulation transistor and
The signal processing system according to claim 3.

The sensor further includes a rectifying unit that generates a DC voltage that drives the oscillating unit from the carrier wave.
The signal processing system according to claim 4.