JP2021027036A - Ｒｆコネクタ素子およびｒｆコネクタシステム - Google Patents

Abstract

【課題】ＲＦコネクタシステムの信号伝送性能を向上させること。【解決手段】第１の同軸コネクタ素子１００は、第１の内側導体１０４と第１の外側導体と、第１の絶縁要素１０２を備えている。第１の絶縁要素１０２は、第１の比誘電率を有する第１の誘電材料から一体形成された第１のコンタクト支持部１１４と、第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から第１のコンタクト支持部１１４と一体形成された第１の補償部１１６とを備え、第１の補償部１１６は、第１の絶縁要素１０２の前端領域に配置され、第１の内側導体１０４の第１のコンタクト領域１１０を少なくとも部分的に取り囲むことにより信号伝送性能を向上させる。【選択図】図２

Description

本発明は、嵌合可能な無線周波数（ＲＦ）コネクタ素子、ならびに第１のＲＦコネクタ素子および第２のＲＦコネクタ素子を備えるＲＦコネクタシステムに関する。

同軸コネクタ、２軸コネクタ、またはユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）コネクタなどのＲＦコネクタ、およびＲＦコネクタシステムは、数ＧＨｚの動作帯域幅を有する無線周波数ＲＦ信号を伝送するＲＦケーブルの伝送線を接続するために使用される。たとえば、従来の同軸コネクタは、同軸ケーブルの伝送線を接続する働きをする内側導体を備えており、内側導体は、同軸コネクタの中心部に設けられる。内側導体の周りには、接地線として働く外側導体が設けられており、外側導体は、内側導体を遮蔽する。内側導体および外側導体を電気的に絶縁し、同軸コネクタを安定させるために、外側導体と内側導体との間の間隙に絶縁要素が設けられる。

従来の２軸コネクタおよびＵＳＢコネクタは、複数の内側導体を備えており、各内側導体は、対応する２軸またはＵＳＢケーブルのそれぞれの伝送線を接続する働きをする。したがって、２軸またはＵＳＢケーブル内に設けられた絶縁要素は、複数の内側導体を遮蔽用の外側導体から電気的に絶縁するだけでなく、複数の内側導体を互いからも電気的に絶縁する。

今日、主な目標は、特に自動車ならびに情報および通信技術（ＩＣＴ）産業での適用のために、より速いデータ転送速度の通信リンクを伝送線によって提供することである。この目的のため、ＲＦコネクタおよびＲＦケーブルを含む伝送システム全体にわたって、均質なインピーダンスを維持する必要がある。なぜなら、インピーダンスの不連続は無線周波数信号の反射を招き、したがって信号伝送性能の損失を引き起こすからである。したがって、伝送システム内でインピーダンスの不均質性を回避するために、ＲＦコネクタのインピーダンスを接続されたＲＦケーブルのインピーダンスに整合させ、ＲＦコネクタ全体にわたって均質なインピーダンスを提供する必要がある。

一方、ＲＦコネクタを小型化し、簡単な締結機構の使用を可能にすることであり、そのような締結機構は、スナップ嵌め接続、レバー、またはスライドのような線形運動を必要とするだけであり、安価で軽量な省スペースのＲＦコネクタを提供することを可能にすることもまた目標である。そのような締結機構により、たとえば車両内でのＲＦコネクタの簡単な嵌合がさらに可能になるが、嵌合公差を回避できないため、ＲＦコネクタの信号伝送性能が低下する。

したがって、本発明の根底にある目的は、ＲＦコネクタシステムの信号伝送性能を向上させること、ならびに小型化、容易な嵌合、および容易な取付けを行うことができるＲＦコネクタシステムを提供することである。さらに、本発明の目的は、簡単で経済的な解決策を提供することである。

これらの目的のうちの少なくとも１つは、独立請求項の主題によって解決される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の主題である。

本発明は、第２のＲＦコネクタ素子に嵌合するための第１のＲＦコネクタ素子を提供し、第１のＲＦコネクタ素子は、第２のＲＦコネクタ素子の第１の相手側端子に電気的に接続するための第１のコンタクト領域を有する第１の端子と、第２のＲＦコネクタ素子の第２の相手側端子に電気的に接続するための第２のコンタクト領域を有する第２の端子と、第１の端子および第２の端子を電気的に絶縁するための第１の絶縁要素とを備えている。

本発明は、第１の絶縁要素は、第１の比誘電率を有する第１の誘電材料から一体形成された第１のコンタクト支持部と、第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から第１のコンタクト支持部と一体形成された第１の補償部とを備え、第１の補償部は、第１の絶縁要素の前端領域に配置され、第１の端子の第１のコンタクト領域を少なくとも部分的に取り囲んでいるという概念に基づいている。

言い換えれば、本発明者らは、異なる比誘電率を有する少なくとも２つの材料から一体形成された第１の絶縁要素が、ＲＦコネクタ素子の信号伝送性能を向上させることができることを見出した。より高い比誘電率を有する第１の補償部を設けることによって、第１の端子と第２の端子との間の静電容量は、これらの端子が対応する相手側端子に電気的に接続される接続区域内で増大する。したがって、ＲＦコネクタ素子が対応するＲＦコネクタ素子に嵌合された状態で、コンタクト間隙の変動によって誘起される空気間隙によって引き起こされる静電容量の減少が補償される。したがって、コンタクト間隙の変動がＲＦコネクタ素子の信号伝送性能に与える影響が低下し、ＲＦコネクタ素子の嵌合公差が増大する。

したがって、本発明によれば、第１のＲＦコネクタ素子を備えるＲＦコネクタシステムのデータ伝送性能を低下させることなく、第１のＲＦコネクタ素子を締結するための線形締結機構を使用することが可能になる。これは、同時に差し込まなければならない複数のＲＦコネクタ素子のアレイにとって特に重要である。

本発明の有利な実施形態によれば、第１の端子は第１の内側導体であり、第２の端子要素は第１の外側導体であり、第１の外側導体は第１の内側導体を取り囲んでいる。別法として、第１の端子は第１の内側導体であり、第２の端子は第２の内側導体であり、任意選択で、第１の外側導体をさらに備えることができ、第１の外側導体は、第１の端子および第２の端子を取り囲んでいる。

したがって、本発明は、単一の内側導体と、内側導体を遮蔽するための単一の外側導体とを備える同軸コネクタ素子に適用することができる。しかし、本発明は、２つの絶縁された内側導体と、２つの内側導体を遮蔽するための外側導体とを備えている２軸コネクタ素子、および任意選択で外側導体によって遮蔽された複数の内側導体を備えているＵＳＢコネクタ素子などの多線コネクタ素子に適用することもできる。当然ながら、他のＲＦコネクタ素子も可能である。

第１のＲＦコネクタ素子の動作帯域幅および信号伝送性能を最適化するために、第１の比誘電率と第２の比誘電率との比は、好ましくは１／３５〜５／８の範囲内である。

本発明の有利な実施形態によれば、第１の絶縁要素は、第１の誘電材料から第１のコンタクト支持部を射出成形し、次に第２の誘電材料から第１の補償部をオーバーモールドすることによって形成されている。このようにして、第１の絶縁要素が備えている第１の補償部の面積が小さいときでも、非常に再現性が高く簡単でコスト節約になる第１の絶縁要素の製造プロセスを実現することができる。

第１のＲＦコネクタ素子の接続区域で静電容量の効率的な増加を実現するために、第１の補償部は、第１のＲＦコネクタ素子の長手方向に０．２ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲内の厚さを有する。それによって、空気間隙によって引き起こされる静電容量の減少の補償を最適化するために、第１の比誘電率と第２の比誘電率との比に基づいて、第１の補償部の厚さを変動させることができる。

別法として、第１の補償部の厚さは、最大補償長さに基づいて変動させることができる。ここで、最大補償長さとは、データ伝送性能を大幅に低下させることなく、空気間隙によって引き起こされる静電容量の減少を補償する第１の絶縁要素の前面と第２の絶縁要素の前面との間の長手方向の空気間隙に対して可能な最大の長さを意味する。たとえば、第１の補償部の厚さは、最大補償長さの０．５〜１．５倍とすることができる。

有利な実施形態によれば、第１の内側導体はレセプタクルである。しかし当然ながら、ピンも可能である。

本発明はさらに、第１のＲＦコネクタ素子に嵌合するための第２のＲＦコネクタ素子に関し、第２のＲＦコネクタ素子は、第１のＲＦコネクタ素子の第１の端子に電気的に接続するための第１の相手側端子コンタクト領域、およびＲＦケーブル素子の第１の導体に電気的に接続するための第１の相手側端子端領域を有する第１の相手側端子と、第１のＲＦコネクタ素子の第２の端子に電気的に接続するための第２の相手側端子コンタクト領域、およびＲＦケーブル素子の第２の導体に電気的に接続するための第２の相手側端子端領域を有する第２の相手側端子と、第１の相手側端子および第２の相手側端子を電気的に絶縁するための第２の絶縁要素とを備えている。

本発明によれば、第２の絶縁要素は、第３の比誘電率を有する第３の誘電材料から一体形成された第２のコンタクト支持部と、第３の比誘電率より大きい第４の比誘電率を有する第４の誘電材料から第２のコンタクト支持部と一体形成された第２の補償部とを備え、第２の補償部は、第２の絶縁要素の後端領域で、少なくとも部分的に第１の相手側端子端領域と第２の相手側端子端領域との間に配置されている。

言い換えれば、本発明者らは、異なる比誘電率を有する少なくとも２つの材料から一体形成された第２の絶縁要素を第２のＲＦコネクタ素子に提供することで、ＲＦコネクタシステムの信号伝送性能をさらに向上させることができることを見出した。この目的のため、第２の絶縁要素は、ＲＦケーブルの少なくとも１つの伝送線が第２のＲＦコネクタ素子に入る区域内に、第２の補償部を備えている。このようにして、第１の相手側端子と第２の相手側端子との間の静電容量をこの区域内で増加させることができ、したがってＲＦケーブルと第２のＲＦコネクタ素子との間の幾何学的な不連続から生じるインピーダンスの不整合を補償することができる。

第２のＲＦコネクタ素子の動作帯域幅および信号伝送性能を最適化するために、第３の比誘電率と第４の比誘電率との比は、１／３５〜５／８の範囲内である。

本発明の有利な実施形態によれば、第２の絶縁要素は、第３の誘電材料から第２のコンタクト支持部を射出成形し、次に第４の誘電材料から第２の補償部をオーバーモールドすることによって製作されている。このようにして、第２の絶縁要素が備えている第２の補償部の面積が小さいときでも、非常に再現性が高く簡単で安価な第２の絶縁要素の製造プロセスを実現することができる。

例示的な実施形態によれば、第１の相手側端子はピンである。しかし当然ながら、レセプタクルも可能である。

本発明はさらに、本発明による第１のＲＦコネクタ素子と、本発明による第２のＲＦコネクタ素子とを備えるＲＦコネクタシステムに関する。それによって、第１のＲＦコネクタ素子および第２のＲＦコネクタ素子が嵌合されたとき、第１の補償部が第２のコンタクト領域を少なくとも部分的に取り囲むことが好ましい。このようにして、ＲＦコネクタシステムが嵌合されたとき、第１の絶縁要素と第２の絶縁要素との間のコンタクト間隙の変動によって誘起される空気間隙によって引き起こされる静電容量の減少の補償を向上させることが可能になる。したがって、本発明によるＲＦコネクタシステムは、ＲＦコネクタシステムが嵌合されたとき、コンタクト間隙の変動がＲＦコネクタシステムの信号伝送性能に与える影響を低下させることができ、改善された信号伝送性能を提供することができる。

生産を簡略化し、製造コストを低減させるために、第２の比誘電率および第４の比誘電率が等しいことが好ましい。さらに、第１の比誘電率および第３の比誘電率が等しいことが好ましい。このようにして、第１のＲＦコネクタ素子および第２のＲＦコネクタ素子を同じ材料から製作し、両方に対して共通の製作方法を確立することが可能になる。

この時点で、「無線周波数信号」という用語は、約２０ｋＨｚ〜２０ＧＨｚの振動周波数を有する交流電気信号に関するが、本発明はまた、２０ＧＨｚを上回る周波数範囲に適用することもできることに言及するべきである。「信号」という用語は、アナログ信号ならびにデジタル信号を指す。

さらに、本開示では、「比誘電率」という用語は、材料の比誘電率を意味する。一般に、材料の比誘電率は、真空誘電率に対する比として表されるその絶対誘電率であると理解される。

添付の図面は、本発明のいくつかの実施形態を示すために、本明細書に組み込まれており、本明細書の一部を形成する。これらの図面は、本記載とともに、本発明の原理について説明する働きをする。これらの図面は、本発明をどのように形成および使用することができるかに関する好ましい代替の例を示すことのみを目的とし、図示および記載の実施形態のみに本発明を限定すると解釈されるべきではない。さらに、実施形態のいくつかの態様は、本発明による解決策を個々にまたは様々な組合せで形成することができる。したがって、以下に続く記載の実施形態は、単独でまたはその任意の組合せで考慮することができる。さらなる特徴および利点は、添付の図面に示されている本発明の様々な実施形態に関する以下のより詳細な説明から明らかになるであろう。添付の図面では、同様の参照符号は同様の要素を指す。

第１のＲＦコネクタ素子および第２のＲＦコネクタ素子を備える本発明の第１の実施形態によるＲＦコネクタシステムの概略断面図である。 図１の詳細図である。 第１の実施形態による第１のＲＦコネクタ素子の概略断面図である。 本発明の第２の実施形態による第１のＲＦコネクタ素子の概略上面図である。 本発明の第３の実施形態による第１のＲＦコネクタ素子の概略上面図である。 様々なコンタクト間隙の変動に対する本発明の第１の実施形態によるＲＦコネクタシステムの反射損失のシミュレーション結果を示すグラフである。 様々なコンタクト間隙の変動に対する本発明の第１の実施形態によるＲＦコネクタシステムの時間領域反射率測定（ＴＤＲ）のシミュレーション結果を示すグラフである。 様々なコンタクト間隙の変動に対する本発明の第１の実施形態によるＲＦコネクタシステムの反射損失の測定結果を示すグラフである。 様々なコンタクト間隙の変動に対する本発明の第１の実施形態によるＲＦコネクタシステムのＴＤＲの測定結果を示すグラフである。 本発明の第１の実施形態による第２のＲＦコネクタ素子の概略断面図である。 第２の補償部がＲＦコネクタシステムの反射損失に与える影響を示す測定結果を示すグラフである。 第２の補償部がＲＦコネクタシステムのＴＤＲに与える影響を示す測定結果を示すグラフである。

本発明について、図を参照してより詳細に次に説明する。まず、本発明の第１の実施形態によるＲＦコネクタシステムの概略断面図を示す図１および図２を参照する。第１の実施形態の例では、ＲＦコネクタシステムは同軸コネクタシステム１０００であり、第１の同軸コネクタ素子１００および第２の同軸コネクタ素子２００を備える。より詳細には、図１および図２は、同軸コネクタシステム１０００の一例を示し、図１および図２に矢印によって示す長手方向３０２における第１の絶縁要素１０２の前面１０３と第２の絶縁要素２０２の前面２０３との間の空気間隙３００は、０ｍｍである。しかし、第１の絶縁要素１０２の前面１０３と第２の絶縁要素２０２の前面２０３との間の空気間隙３００の長さは、たとえば０〜２ｍｍの範囲内で変動することができる。

図１および図２に示すように、第１の同軸コネクタ素子１００は、第１の絶縁要素１０２と、第１の端子の一例である第１の内側導体１０４と、第２の端子の一例である第１の外側導体１０６とを備えている。それによって、第１の絶縁要素１０２は、第１の内側導体１０４および第１の外側導体１０６を電気的に絶縁するように、第１の内側導体１０４と第１の外側導体１０６との間に配置されている。

第２の同軸コネクタ素子２００は、第２の絶縁要素２０２と、第１の相手側端子の一例である第１の相手側内側導体２０４と、第２の相手側端子の一例である第１の相手側外側導体２０６とを備えている。それによって、第２の絶縁要素２０２は、第１の相手側内側導体２０４および第１の相手側外側導体２０６を電気的に絶縁するように、第１の相手側内側導体２０４と第１の相手側外側導体２０６との間に配置されている。図１および図２の例では、第１の同軸コネクタ素子１００はレセプタクルであり、第２のコネクタ素子はピンである。

以下、第１の同軸コネクタ素子１００について、図１〜図３を参照して説明する。

第１の内側導体１０４は、第１の内側導体を第２の同軸コネクタ素子２００の第１の相手側端子コンタクト領域２１０に電気的に接続するための第１のコンタクト領域１１０を備えている。その目的のために、第１のコンタクト領域１１０は、中空部材として形成され、コンタクト開口部１０８を備え、したがって第１のコンタクト領域１１０は、第１の相手側端子コンタクト領域２１０を受け取ることができる。同軸ケーブル素子３０５の伝送線３０４を第１の内側導体１０４に電気的に接続するために、第１の内側導体１０４は、第１の端子端領域を備えている。

さらに、第１の内側導体１０４は、第１の内側導体１０４の中心から径方向に突出する第１の返しを備えることができる。第１の同軸コネクタ素子１００の製造後、第１の返しは、第１の絶縁要素１０２が備える第１の凹部に係合することができる。このようにして、第１の返しは、第１の同軸コネクタ素子１００が製造された後、第１の内側導体１０４が第１の絶縁要素１０２に対して長手方向３０２に動くことを防止することができる。

第１の外側導体１０６は、第１の内側導体１０４を遮蔽するように第１の内側導体１０４を取り囲んでいる。同軸コネクタシステムが嵌合された状態で、第１の外側導体１０６が第１の相手側外側導体２０６に電気的に接続されることを確実にするために、第１の外側導体は、第１の外側導体１０６を第１の相手側外側導体２０６に押圧するように適合された第１のばね１１３を備えることができる。同軸ケーブル素子３０５の接地線３０６を第１の外側導体１０６に電気的に接続するために、第１の外側導体１０６は、第２の端子端領域を備えている。

さらに、第１の外側導体１０６は、第１のコネクタ素子１００の製造後、第１の絶縁要素１０２に対する第１の内側導体１０４の位置合わせのカメラ検査を可能にするために、外側導体検査開口（これらの図には図示せず）を備えることができる。

本発明によれば、第１の絶縁要素１０２は、第１のコンタクト支持部１１４および第１の補償部１１６を備え、第１の補償部１１６は、第１のコンタクト支持部１１４と一体形成されて、単一の部分を形成している。第１のコンタクト支持部１１４は、第１の比誘電率を有する第１の誘電材料から一体形成されている。第１の内側導体１０４と第１の外側導体１０６との間に等方性の電気絶縁および等方性の静電容量を提供するために、第１のコンタクト支持部１１４は、実質的にリング状とすることができる。

本発明によれば、第１の補償部１１６は、第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から一体形成されている。図１〜図３に示すように、第１の補償部１１６は、第１のコンタクト領域１１０の前端部分１１８の近傍に配置され、したがって第１の補償部１１６は、第１の内側導体１０４の第１のコンタクト領域１１０を少なくとも部分的に取り囲んでいる。さらに、第１の補償部１１６は、第１の同軸コネクタ素子の開口１１９に向かって前端部分１１８の上に突出することができる。このようにして、第１の補償部１１６は、前端部分１１８付近で内側導体１０４と外側導体１０６との間の静電容量を増大させ、したがって同軸コネクタシステム１０００が嵌合されたとき、空気間隙３００によって引き起こされる静電容量の減少を補償することができる。

好ましくは、第１の補償部１１６は実質的にリング状であり、したがって前端部分１１８の近傍に等方性の静電容量の補償をもたらす。さらに、この幾何形状により、第１の同軸コネクタ素子１００製造中に第１の内側導体１０４を第１の絶縁要素１０２に容易に差し込むことが可能になる。図３から明らかなように、第１の補償部１１６はまた、補償開口部１２６を備えることができる。補償開口部１２６は、第２の同軸コネクタ素子２００の第１の相手側端子コンタクト領域２１０を受け取ることが可能であり、したがって第１の補償部１１６は、同軸コネクタシステム１０００が嵌合されたとき、第１の相手側端子コンタクト領域２１０を少なくとも部分的に取り囲むことが可能である。

第１の絶縁要素１０２に対する第１の内側導体１０４の位置合わせを制御するカメラ検査を可能にするために、第１の絶縁要素１０２は、任意選択で、第１の絶縁要素１０２の中心へ径方向に延びる検査開口を備えることができる。このようにして、第１の同軸コネクタ素子１００の製造後、カメラ検査を介して、第１の内側導体１０４の前端部分１１８が検査開口と位置合わせされているかどうかを制御することが可能になる。

ここで、第１の補償部１１６は、少なくとも検査開口の近くに配置されていることに留意されたい。したがって、第１の補償部１１６はまた、１の比誘電率を有する空気から形成された検査開口によって誘起される第１の内側導体１０４と第１の外側導体１０６との間の静電容量の減少を補償する。

好ましくは、第１のコンタクト支持部１１４は、ポリマー、樹脂、またはゴムから形成されている。たとえば、第１のコンタクト支持部１１４は、ポリエチレン（ＰＥ）またはポリプロピレン（ＰＰ）などの射出成形可能な誘電材料から形成されている。別法として、第１のコンタクト支持部１１４は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなラム押出しによって処理された材料から形成することができ、または３Ｄ印刷可能なセラミックの誘電材料から形成することもできる。典型的には、そのような材料は、１〜５の範囲内の比誘電率を有し、したがって第１の補償部１１６は、少なくとも８〜３５の範囲内の比誘電率を有する材料から形成されていることが好ましい。

そのような範囲内の第２の比誘電率を実現するために、第２の誘電材料は、プラスチック系材料のセラミック粉末充填によって製作することができる。たとえば、第１の補償部１１６は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの鉱物と混合された射出成形可能なポリマーから形成することができる。鉱物の体積分率を最適化することによって、１ＧＨｚの伝送信号周波数で第２の比誘電率に対して８〜２３の範囲を実現することができる。

別法として、第２の誘電材料は、第１の誘電材料の第１の比誘電率より大きい比誘電率を有する任意の３Ｄ印刷可能なセラミックとすることができる。さらに、第２の誘電材料は、鉱物と混合された分注可能な半流動体とすることができる。たとえば、１ＧＨｚの伝送信号周波数で３５の比誘電率を有するＢａＴｉＯ_３などの鉱物と混合された半流動体が知られている。

好ましくは、第１の絶縁要素１０２は、当技術分野でオーバーモールドまたは多材料射出成形として知られている製作プロセスによって製造される。それによって、最初に第１の誘電材料の射出成形によって第１のコンタクト支持部１１４が製造され、次に第１のコンタクト支持部１１４上に、第２の誘電材料の射出成形によって第１の補償部１１６がオーバーモールドされる。このようにして、第１の絶縁要素１０２を単一の部分として製造することができ、したがって第１の同軸コネクタ素子１００は、第１の絶縁要素１０２、第１の内側導体１０４、および第１の外側導体１０６から従来の方法で組み立てることができる。

さらに、射出成形およびオーバーモールドはよく知られている方法であり、小型の同軸コネクタ素子に対しても確実で安価な製造を提供する。たとえば、これらの技法によって、２ｍｍの第１の外径１２８を有する第１の絶縁要素を製造し、０．６ｍｍの長手方向３０２の厚さおよび直径０．６ｍｍの補償開口部１２６を有する第１の補償部１１６を製作することが可能である。しかし、本発明の態様はより大きいまたはさらに小さい寸法を有する同軸コネクタシステムに適用することもできるため、これらの寸法は、小型の第１の同軸コネクタ素子１００の長さスケールを示すための例としてのみ与えられており、限定的なものであることを意味したものではない。

別法として、第１の補償部１１６は、第１のコンタクト支持部１１４が製造された後、分注可能な半流動体を分注体積で分注することによって製作することができる。別の代替手段として、好適な誘電材料と組み合わせて３Ｄ印刷を使用して、第１のコンタクト支持部１１４および第１の補償部１１６を備える単一の部分として第１の絶縁要素１０２を製造することもできる。

さらに、第１の比誘電率および第２の比誘電率の比に基づいて、長手方向３０２の第１の補償部１１６の厚さを、たとえば０．２ｍｍ〜０．８ｍｍの範囲内で変動させることも有用であろう。たとえば、長手方向３０２の第１の補償部１１６の厚さは、第１の比誘電率と第２の比誘電率との比が減少すると増大させることができ、第１の比誘電率と第２の比誘電率との比が増大すると減少させることができる。このようにして、空気間隙３００によって引き起こされる静電容量の減少の補償を最適化し、第１の同軸コネクタ素子１００の信号伝送性能をさらに向上させることが可能になる。

別法として、第１の補償部１１６の厚さは、最大補償長さに基づいて変動させることができ、最大補償長さとは、データ伝送性能を大幅に低下させることなく、空気間隙３００によって引き起こされる静電容量の減少を補償する長手方向３０２の空気間隙３００の最大の長さである。たとえば、第１の補償部１１６の厚さは、最大補償長さの０．５〜１．５倍とすることができる。たとえば、最大１ｍｍの空気間隙３００に対する公差を実現するために、第１の補償部１１６の厚さは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの範囲内で変動させることができる。

前述の図を参照して、ＲＦコネクタシステムが同軸コネクタシステム１０００であり、したがってＲＦ信号を伝送するための単一の内側導体と、内側導体を遮蔽するための外側導体とを備えている一実施形態について、詳細に説明した。しかし、本発明は、そのようなコネクタシステムに限定されるものではなく、遮蔽されているかどうかにかかわらず、複数の内側導体を備えている２軸コネクタシステムまたはＵＳＢコネクタシステムなどのＲＦコネクタシステムに適用することもできる。

図４は、本発明の第２の実施形態による第１のＲＦコネクタ素子の概略上面図を示す。第２の実施形態の例では、ＲＦコネクタシステムは２軸コネクタシステムであり、第１のＲＦコネクタ素子は第１の２軸コネクタ素子４００である。第１の２軸コネクタ素子４００は、第１の端子の一例である第１の内側導体と、第２の端子の一例である第２の内側導体とを備えている。第１の内側導体は、第１の相手側端子の一例である第１の相手側内側導体に電気的に接続するための第１のコンタクト領域を有し、第２の内側導体は、第２の相手側端子の一例である第２の相手側内側導体に電気的に接続するための第２のコンタクト領域を有している。ここで、第１の内側導体および第２の内側導体は、レセプタクルによって例示されており、第１の実施形態の第１の内側導体１０４と実質的に同等とすることができる。しかし当然ながら、第１の内側導体および第２の内側導体をピンとすることもできる。

さらに、第１の２軸コネクタ素子４００は、第１の内側導体を第２の内側導体から電気的に絶縁する第１の絶縁要素４０２を備えている。任意選択で、第１の内側導体および第２の内側導体を遮蔽するために、第１の内側導体および第２の内側導体を取り囲む第１の外側導体４０６を設けることができる。この場合、第１の絶縁要素４０２は、第１の内側導体および第２の内側導体を第１の外側導体４０６から電気的に絶縁するように配置されている。

図４から明らかなように、第１の絶縁要素４０２は、第１の比誘電率を有する第１の誘電材料から一体形成された第１のコンタクト支持部４１４と、第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から一体形成された第１の補償部４１６とを備えている。本発明によれば、第１の補償部４１６は、第１のコンタクト支持部４１４と一体形成されている。さらに、第１の補償部４１６は、第１の絶縁要素４０２の前端領域に配置され、したがって第１の補償部４１６は、第１のコンタクト領域および第２のコンタクト領域を少なくとも部分的に取り囲んでいる。

好ましくは、第１の補償部４１６は実質的にリング状であり、第１の補償開口部４２６および第２の補償開口部４２８を備えている。第１の補償開口部４２６は、第１の相手側内側導体の第１の相手側コンタクト領域を受け取ることが可能であり、第２の補償開口部４２８は、第２の相手側内側導体の第２の相手側コンタクト領域を受け取ることが可能である。このようにして、第１の補償部４１６は、２軸コネクタ素子４００が相手側２軸コネクタ素子に嵌合されたとき、第１の相手側コンタクト領域および第２の相手側コンタクト領域を少なくとも部分的に取り囲むことが可能になる。

このようにして、第１の補償部４１６は、第１の内側導体と第２の内側導体との間の静電容量、ならびに第１および第２の内側導体のそれぞれと第１および第２のコンタクト領域付近の第１の外側導体４０６との間の静電容量を増大させる。したがって、２軸コネクタ素子４００が相手側２軸コネクタ素子に嵌合されたとき、第１の絶縁要素４０２の前面４０３の空気間隙によって誘起される静電容量の減少を補償することができる。

さらに、第１の絶縁要素４０２は、本発明の実施形態１に関して記載した製作プロセスのいずれかによって製造することができることが、当業者には明らかである。同様に、第１のコンタクト支持部４１４は、実施形態１の第１のコンタクト支持部１１４に関して言及した材料のいずれかから形成することができ、第１の補償部４１６は、実施形態１の第１の補償部１１６に関して言及した材料のいずれかから形成することができる。

図５は、本発明の第３の実施形態による第１のＲＦコネクタ素子の概略上面図を示す。第３の実施形態の例では、ＲＦコネクタシステムはＵＳＢコネクタシステムであり、第１のＲＦコネクタ素子は第１のＵＳＢコネクタ素子５００である。第１のＵＳＢコネクタ素子５００は、ＲＦコネクタ素子が備える複数の端子の一例である複数の内側導体５０４を備えている。第１の内側導体５０４はそれぞれ、第２のＵＳＢコネクタ素子の対応する相手側端子に電気的に接続するための第１のコンタクト領域５１０を備えている。

任意選択で、第１のＵＳＢコネクタ素子５００は、複数の内側導体５０４を遮蔽するために複数の内側導体５０４を取り囲んでいる第１の外側導体５０６を備えることができる。

第１の絶縁要素５０２がさらに設けられており、第１の絶縁要素５０２はまた、第１の舌状部材として表すことができる。第１の絶縁要素５０２は、第１の比誘電率を有する第１の誘電材料から形成された第１のコンタクト支持部５１４と、第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部５１６とを備えている。本発明によれば、第１の補償部５１６は、第１のコンタクト支持部５１４と一体形成されている。さらに、第１の補償部５１６は、第１の絶縁要素５０２の前端領域に配置され、したがって第１の補償部５１６の中では、複数のコンタクト領域５１０を少なくとも部分的に取り囲んでいる。図５によって示すように、これは、第１のコンタクト支持部５１４を第１の補償部５１６間に挟むことによって実現することができ、したがって複数の内側導体５０４が、第１のコンタクト支持部に直接接触している。

図５から明らかなように、第１の補償部５１６は実質的に矩形の形状であり、複数の第１のコンタクト領域５１０を受け取るための複数の補償凹部５２８を備えている。

このようにして、第１の補償部５１６は、複数の第１のコンタクト領域５１０付近の複数の内側導体５０４間の静電容量を増大させる。したがって、第１のＵＳＢコネクタ素子５００が第２のＵＳＢコネクタ素子に嵌合されたとき、複数の第１のコンタクト領域５１０の近傍に空気間隙によって誘起される静電容量の減少を補償することができる。

第１の絶縁要素５０２は、本発明の実施形態１に関して記載した製作プロセスのいずれかによって製造することができることが、当業者には明らかである。同様に、第１のコンタクト支持部５１４は、実施形態１の第１のコンタクト支持部１１４に関して言及した材料のいずれかから形成することができ、第１の補償部５１６は、実施形態１の第１の補償部１１６に関して言及した材料のいずれかから形成することができる。

以下、第１の補償部１１６を備える第１の絶縁要素１０２が本発明の第１の実施形態による同軸コネクタシステム１０００の信号伝送性能に与える影響について、図６〜図９によって示す。図６および図７は、図１〜図３に示す第１の同軸コネクタ素子１００を備える同軸コネクタシステム１０００に対して、反射損失のシミュレーション結果を伝送信号の周波数の関数として示すグラフ（図６）、および時間領域反射（ＴＤＲ）を時間の関数として示すグラフ（図７）を示す。これによって、空気間隙３００の様々な例および第１の補償部１１６の第２の比誘電率の様々な例に対して、シミュレーションが行われた。ここで、ＴＤＲは、６０ｐｓのパルス立上り時間に対してシミュレートされたものである。

破線１４０２および１４１０はそれぞれ、０．８ｍｍの空気間隙３００（図３および図４に示す）に対するシミュレーション結果、および第１の比誘電率に等しい、すなわち１〜５の第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対するシミュレーション結果を示す。実線１４０４および１４１２はそれぞれ、０．８ｍｍの空気間隙３００に対するシミュレーション結果、および１３に等しい、すなわち第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対するシミュレーション結果を示す。

破線１４０６および１４１４はそれぞれ、０ｍｍの空気間隙３００（図１および図２に示す）に対するシミュレーション結果、および第１の比誘電率に等しい、すなわち１〜５の第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対するシミュレーション結果を示す。実線１４０８および１４１６はそれぞれ、０ｍｍの空気間隙３００に対するシミュレーション結果、および１３に等しい、すなわち第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対するシミュレーション結果を示す。

これらのグラフ、特に図７のグラフから明らかなように、より高い比誘電率を有する第２の誘電材料を使用することで、ここではたとえば５０オームの公称インピーダンス値からのＴＤＲの最大偏差が低減される。最大偏差の低減は、矢印１４１８によって示されており、この例では０．８ｍｍの空気間隙３００に対して約３オームである。同時に、矢印１４２０によって示す公称インピーダンス値からのＴＤＲの最大偏差は、０ｍｍの空気間隙３００に対してほぼ一定のままである。

したがって、第１の比誘電率より高い第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６は、空気間隙３００が同軸コネクタシステム１０００のインピーダンスに与える影響を抑制することができることが示されている。特に、第１の補償部１１６は、０ｍｍおよび０．８ｍｍ両方の空気間隙３００に対して、公称インピーダンス値からの最大偏差を公称インピーダンス値の前後１０パーセントの許容範囲内に低減させる。したがって、本発明は、空気間隙３００に対する信号伝送性能の公差を増大させることができる。

図８および図９は、図１〜図３に示す第１の同軸コネクタ素子１００を備える同軸コネクタシステム１０００に対して、反射損失Ｓ１１の測定結果を伝送信号の周波数の関数として示すグラフ（図８）、およびＴＤＲを時間の関数として示すグラフ（図９）を示す。ここで、ＴＤＲは、２０ｐｓのパルス立上り時間に対して測定されたものである。

実線１４２２および１４３２はそれぞれ、０ｍｍの空気間隙３００（図１および図２に示す）に対する測定結果、および１３に等しい、すなわち第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対する測定結果を示す。破線１４２４および１４３４はそれぞれ、０ｍｍの空気間隙３００に対する測定結果、および第１の比誘電率に等しい、すなわち１〜５の第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対する測定結果を示す。

実線１４２６および１４３６はそれぞれ、１．０ｍｍの空気間隙３００に対する測定結果、および１３に等しい、すなわち第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対する測定結果を示す。破線１４２８および１４３８はそれぞれ、１．０ｍｍの空気間隙３００に対する測定結果、および第１の比誘電率に等しい、すなわち１〜５の第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から形成された第１の補償部１１６に対する測定結果を示す。

図８および図９の測定結果は、図６および図７のシミュレーション結果を裏付けている。特に、図８は、より高い比誘電率を有する第１の補償部１１６を追加することによって、−１０ｄＢの反射損失に対する高周波帯域幅が改善されたことを示す。詳細には、１ｍｍの空気間隙３００に対して、第１の補償部１１６が第１のコンタクト支持部１１４に等しい比誘電率を有する場合、反射損失は１０ＧＨｚを下回る周波数でのみ−１０ｄＢを下回るが、第１の補償部１１６がより高い比誘電率を有する場合、反射損失は最高約１１ＧＨｚの周波数でも−１０ｄＢを下回る。０ｍｍの空気間隙３００に対して、第１の補償部が第１のコンタクト支持部に等しい比誘電率を有する場合、反射損失は約１１．５ＧＨｚを下回る周波数でのみ−１０ｄＢを下回るが、第１の補償部がより高い比誘電率を有する場合、反射損失は最高約１２ＧＨｚの周波数でも−１０ｄＢを下回る。

図９もまた、高い誘電材料を有する第１の補償部１１６を使用することで、１ｍｍの空気間隙３００に対して公称値からのＴＤＲの最大偏差を大幅に低減させることができることを示す。したがって、０ｍｍおよび１ｍｍの両方の空気間隙３００に対して、ＴＤＲの偏差は、全周波範囲内で１０パーセントの許容公差の範囲内のままである。したがって、第１の補償部１１６を使用することで、最高１ｍｍの空気間隙に対して、空気間隙３００が第１のコネクタ素子１００の信号伝送性能に与える影響を大幅に低減させることができ、したがってそのような空気間隙を誘起する可能性のある線形締結機構を使用することが可能になる。

図１０は、以下に詳細に説明する本発明の第１の実施形態による第２の同軸コネクタ素子２００の概略断面図を示す。

上述したように、第２の同軸コネクタ素子２００は、従来の方法で配置された第２の絶縁要素２０２、第１の相手側内側導体２０４、および第１の相手側外側導体２０６を備えている。

第１の相手側内側導体２０４は、第１のコネクタ素子１００の第１のコンタクト領域１１０に電気的に接続するための第１の相手側端子コンタクト領域２１０を備えており、第１の相手側端子コンタクト領域２１０は、ピン状の部材とすることができる。同軸ケーブル素子３０５の伝送線３０４に電気的に接続するために、第１の相手側内側導体２０４は、第１の相手側端子端領域２０８を備えている。さらに、第１の相手側内側導体２０４は、第２の絶縁要素２０２が備える第２の凹部に係合することができる第２の返しを備えることができる。このようにして、第２の返しは、第２の同軸コネクタ素子２００の製造後、第１の相手側内側導体２０４が第２の絶縁要素２０２に対して長手方向３０２に動くことを防止することができる。

第１の相手側外側導体２０６は、第１の相手側内側導体２０４を遮蔽するように第１の相手側内側導体２０４を取り囲んでいる。さらに、第１の相手側外側導体２０６は、第２の同軸コネクタ素子２００の製造後、第１の相手側外側導体２０６が第２の絶縁要素２０２に対して長手方向３０２に動くことを防止するくぼみを備えることができる。

第１の相手側外側導体２０６を同軸ケーブル素子３０５の接地線３０６に電気的に接続するために、第１の相手側外側導体２０６は、第２の相手側端子端領域２１４を備えている。たとえば、第１の相手側外側導体２０６および接地線３０６は、圧着またははんだ付けなどの従来の方法によって電気的に接続することができる。しかし、任意の他の従来の方法を使用して、第１の相手側外側導体２０６を接地線３０６に電気的に接続することもできることが、当業者には理解されよう。

本発明によれば、第２の絶縁要素２０２は、第２のコンタクト支持部２１６および第２の補償部２１８を備え、第２の補償部２１８は、第２のコンタクト支持部２１６と一体形成されて、単一の部分を形成している。第２のコンタクト支持部２１６は、第３の比誘電率を有する第３の誘電材料から一体形成されている。第２の補償部２１８は、第３の比誘電率より大きい第４の比誘電率を有する第４の誘電材料から一体形成されている。

図１０から明らかなように、第２の補償部２１８は、第２の絶縁要素２０２の後端部分に配置され、第１の相手側内側導体２０４の第１の相手側端子端領域２０８を少なくとも部分的に取り囲んでいる。任意選択で、第２の補償部２１８は、第１の相手側内側導体２０４の第１の相手側端子端領域２０８の上に突出することができ、伝送線３０４および接地線３０６を電気的に絶縁する同軸ケーブル絶縁要素３０８を少なくとも部分的に受け取ることが可能な第２のコンタクト開口部２２０を備えることができる。

この配置により、補償部２１８は、第１の相手側端子端領域２０８の近傍で第１の相手側内側導体２０４と第１の相手側外側導体２０６との間の静電容量を増加させることができる。したがって、伝送線３０４を第１の相手側内側導体２０４の第１の相手側端子端領域２０８に電気的に接続するために必要な同軸ケーブル３０５の伝送線３０４のピグテールによって引き起こされる静電容量の減少を補償することができる。こうした静電容量の補償により、同軸コネクタシステム１０００の信号伝送性能をさらに向上させることができる。

第１の相手側内側導体２０４と第１の相手側外側導体２０６との間に等方性の電気絶縁および等方性の静電容量を提供するために、第２のコンタクト支持部２１６および第２の補償部２１８は、実質的にリング状にすることができる。

好ましくは、第２のコンタクト支持部２１６は、ポリマー、樹脂、またはゴムから形成されている。たとえば、第２のコンタクト支持部２１６は、ポリエチレン（ＰＥ）またはポリプロピレン（ＰＰ）などの射出成形可能な誘電材料から形成されている。しかし、第２のコンタクト支持部２１６はまた、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなラム押出しによって処理された材料から形成することができ、または３Ｄ印刷可能なセラミックの誘電材料から形成することもできる。典型的には、そのような材料は、１〜５の範囲内の比誘電率を有している。

同軸コネクタシステム１０００内に均質な静電容量を提供するために、第１のコンタクト支持部１１４および第２のコンタクト支持部２１６は、同じ材料から形成され、したがって同じ比誘電率を有していることが好ましい。このようにして、第１のコンタクト支持部１１４および第２のコンタクト支持部２１６の製造も統合し、したがって簡略化することができる。

高い第４の比誘電率を実現するために、第４の誘電材料は、プラスチック系材料のセラミック粉末充填によって製作することができる。好ましくは、第４の誘電材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの鉱物と混合された射出成形可能なポリマーとすることができる。鉱物の体積分率を最適化することによって、１ＧＨｚの伝送信号周波数で第４の比誘電率に対して８〜２３の範囲を実現することができる。

別法として、第４の誘電材料は、第３の誘電材料の第３の比誘電率より大きい比誘電率を有する任意の３Ｄ印刷可能なセラミックとすることができる。別法として、第４の誘電材料は、鉱物と混合された分注可能な半流動体とすることができる。たとえば、１ＧＨｚの周波数で３５の比誘電率を有するＢａＴｉＯ_３などの鉱物と混合された半流動体が知られている。

好ましくは、第２の絶縁要素２０２は、当技術分野でオーバーモールドまたは多材料射出成形として知られている製作プロセスによって製造される。それによって、最初に第３の誘電材料の射出成形によって第２のコンタクト支持部２１６が製造され、次に第２のコンタクト支持部２１６上に、第４の誘電材料の射出成形によって第２の補償部２１８がオーバーモールドされる。

このようにして、第２の絶縁要素２０２を単一の部分として製造することができ、したがって第２の同軸コネクタ素子２００は、第２の絶縁要素２０２、第１の相手側内側導体２０４、および第１の相手側外側導体２０６から十分に確立した方法で組み立てることができる。さらに、射出成形およびオーバーモールドは、小型の同軸コネクタ素子に対して確実で安価な製造技法を提供する。たとえば、これらの技法によって、２ｍｍの第１の外径１２８を有する図１および図２ならびに図１０に示す第２の絶縁要素２０２を製造し、２ｍｍの長手方向３０２の厚さを有する第１の補償部１１６を製作することが可能である。

しかし、本発明の態様はより大きいまたはさらに小さい寸法を有する同軸コネクタシステム１０００に適用することもできるため、これらの寸法は、小型の第２の同軸コネクタ素子２００の概略的な寸法を示すための例としてのみ与えられており、限定的なものであることを意味したものではない。

さらに、第３の比誘電率および第４の比誘電率の比に基づいて、長手方向３０２の第２の補償部２１８の厚さを変動させることも有用であろう。たとえば、長手方向３０２の第２の補償部２１８の厚さは、第３の比誘電率および第４の比誘電率の比が減少すると増大させることができ、第３の比誘電率および第４の比誘電率の比が増大すると減少させることができる。このようにして、伝送線３０４のピグテールによって引き起こされる静電容量の減少の補償を最適化し、第２の同軸コネクタ素子２００の信号伝送性能を向上させることが可能になる。

別法として、第２の補償部２１８は、第２のコンタクト支持部２１６が製造された後、分注可能な半流動体を分注体積で分注することによって製作することができる。別の代替手段として、好適な誘電材料と組み合わせて３Ｄ印刷を使用して、第２のコンタクト支持部２１６および第２の補償部２１８を備える単一の部分として第２の絶縁要素２０２を製造することもできる。

同軸コネクタシステム１０００の製造プロセスを統合および簡略化するために、第２の誘電材料および第４の誘電材料として同じ材料を使用することが好ましい。したがって、第２の比誘電率および第４の比誘電率が等しいことが好ましい。

図１、図２、および図１０を参照して、第２のＲＦコネクタ素子が第２の同軸コネクタ素子２００であり、したがってＲＦ信号を伝送するための内側導体と、内側導体を遮蔽するための外側導体とを備えている一実施形態について、詳細に説明した。しかし、本発明は、同軸コネクタシステムに限定されるものではなく、遮蔽されているかどうかにかかわらず、複数の内側導体を備えている２軸コネクタシステムまたはＵＳＢコネクタシステムなどのＲＦコネクタシステムに適用することもできる。

２軸コネクタシステムまたはＵＳＢコネクタシステムでは、第２の補償部２１８は、複数の内側導体の相手側端子端領域のそれぞれの間に配置することができるように形成することができる。このようにして、それぞれ複数の内側導体のうちの１つに電気的に接続された複数の伝送線を有するＲＦケーブル素子のピグテールによって引き起こされる静電容量の減少の補償を最適化することが可能になる。

第２の補償部２１８がＲＦコネクタシステムの性能に与える影響について、図１１および図１２によって以下に示す。

図１１および図１２は、例示的なＲＦコネクタシステムに対して、反射損失Ｓ１１の測定結果を伝送信号の周波数の関数として示すグラフ（図１１）、およびＴＤＲを時間の関数として示すグラフ（図１２）を示す。ここで、ＴＤＲは、５０ｐｓのパルス立上り時間に対して測定されたものである。

実線１４４２および１４４６はそれぞれ、第３の比誘電率に等しい、すなわち１〜５の第４の比誘電率を有する第４の誘電材料から形成された第２の補償部２１８を備えるＲＦコネクタシステムに対する測定結果を示す。実線１４４４および１４４８はそれぞれ、１１に等しい、すなわち第３の比誘電率より大きい第４の比誘電率を有する第４の誘電材料から形成された第２の補償部２１８を備えるＲＦコネクタシステムに対する測定結果を示す。

図１１は、より高い比誘電率を有する第２の補償部１１６を追加することによって、−１５ｄＢの反射損失に対する高周波帯域幅が改善されたことを示す。特に、第２の補償部１１６が第３の比誘電率より高い第４の比誘電率を有するとき、−１５ｄＢの動作帯域幅が２．５ＧＨｚから４ＧＨｚに増大したことが示されている。言い換えれば、動作帯域幅のカバー範囲が６０％増大し、これは伝送チャネルのチャネル容量を５Ｇｂｐｓ未満から７．５Ｇｂｐｓに増大させることができることを意味する。

図１２は、第３の比誘電率より高い第４の比誘電率を有する第２の補償部２１８を使用することで、この例では１００オームである公称値からのＴＤＲの最大偏差を大幅に低減させることができることを示す。これは、矢印１４５０によって示されている。したがって、より高い比誘電率を有する第２の補償部２１８を使用することで、全周波数範囲を１０パーセント上回る許容公差の範囲内（破線１４５２および１４５４によって示す）にとどまるように、公称値からのＴＤＲの最大偏差をさらに低減させる。したがって、より高い比誘電率を有する第２の補償部２１８を使用することによって、ＲＦコネクタシステムの信号伝送性能をさらに向上させることができる。

ここで、ここまで本発明による第１のＲＦコネクタ素子をレセプタクルによって例示し、第２のＲＦコネクタ素子をピンによって例示してきたことに言及するべきである。しかし、第１のＲＦコネクタ素子の例で説明した本発明の態様はまた、第２のＲＦコネクタ素子に適用することもできることが、当業者には明らかである。同様に、第２のＲＦコネクタ素子の例で説明した本発明の態様はまた、第１のＲＦコネクタ素子に適用することもできる。

特に、第１の絶縁要素は、第１の補償部に加えて第２の補償部を備えることができ、第２の補償部は、第１のコンタクト支持部と一体形成され、第１の内側導体の第１の端子端領域を少なくとも部分的に取り囲んでいる。同様に、第２の絶縁要素は、第２の補償部に加えて第１の補償部を備えることができ、第１の補償部は、第２のコンタクト支持部と一体形成され、第２の絶縁要素の前端領域に配置されている。

１００ 第１の同軸コネクタ素子
１０２、４０２、５０２ 第１の絶縁要素
１０３、４０３ 第１の絶縁要素の前面
１０４ 第１の内側導体
１０６ 第１の外側導体
１０８ コンタクト開口部
１１０ 第１のコンタクト領域
１１３ 第１のばね
１１４、４１４、５１４ 第１のコンタクト支持部
１１６、４１６、５１６ 第１の補償部
１１８ 前端部分
１１９ 開口
１２６ 補償開口部
２００ 第２の同軸コネクタ素子
２０２ 第２の絶縁要素
２０３ 第２の絶縁要素の前面
２０４ 第１の相手側内側導体
２０６ 第１の相手側外側導体
２０８ 第１の相手側端子端領域
２１０ 第１の相手側端子コンタクト領域
２１４ 第２の相手側端子端領域
２１６ 第２のコンタクト支持部
２１８ 第２の補償部
２２０ 第２のコンタクト開口部
３００ 空気間隙
３０２ 長手方向
３０４ 伝送線
３０５ 同軸ケーブル
３０６ 接地線
３０８ 同軸ケーブル絶縁要素
４００ 第１の２軸コネクタ素子
４０６ 第１の外側導体
４２６ 第１の補償開口部
４２８ 第２の補償開口部
５００ 第１のＵＳＢコネクタ素子
５０４ 内側導体
５０６ 第１の外側導体
５１０ 第１のコンタクト領域
５２８ 補償凹部
１４０２、１４０６、１４１０、１４１４ 破線
１４０４、１４０８、１４１２、１４１６ 実線
１４１８、１４２０ 矢印
１４２２、１４２６、１４３２、１４３６ 実線
１４２４、１４２８、１４３４、１４３８ 破線
１４４２、１４４４ 実線
１４４６、１４４８ 実線
１４５０ 矢印
１４５２、１４５４ 破線

Claims (10)

1. 第２のＲＦコネクタ素子に嵌合するための第１のＲＦコネクタ素子（１００、４００、５００）であって、
   前記第２のＲＦコネクタ素子の第１の相手側端子に電気的に接続するための第１のコンタクト領域（１１０、４１０、５１０）を有する第１の端子（１０４、４０４、５０４）と、
   前記第２のＲＦコネクタ素子の第２の相手側端子に電気的に接続するための第２のコンタクト領域を有する第２の端子（１０６、４０６、５０６）と、
   前記第１の端子（１０４、４０４、５０４）および前記第２の端子（１０６、４０６、５０６）を電気的に絶縁するための第１の絶縁要素（１０２、４０２、５０２）とを備え、
   前記第１の絶縁要素（１０２、４０２、５０２）は、第１の比誘電率を有する第１の誘電材料から一体形成された第１のコンタクト支持部（１１４、４１４、５１４）と、前記第１の比誘電率より大きい第２の比誘電率を有する第２の誘電材料から、前記第１のコンタクト支持部（１１４、４１４、５１４）と一体形成された第１の補償部（１１６、４１６、５１６）とを備え、
   前記第１の補償部（１１６、４１６、５１６）は、前記第１の絶縁要素（１０２、４０２、５０２）の前端領域に配置され、前記第１の端子（１０２、４０２、５０２）の前記第１のコンタクト領域（１１０、５１０）を少なくとも部分的に取り囲んでいる、第１のＲＦコネクタ素子（１００、４００、５００）。
2. 前記第１の端子（１０４）は第１の内側導体であり、前記第２の端子要素（１０６）は第１の外側導体であり、前記第１の外側導体は前記第１の内側導体を取り囲んでいる、請求項１に記載の第１のＲＦコネクタ素子（１００）。
3. 前記第１の端子（４０４、５０４）は第１の内側導体であり、前記第２の端子は第２の内側導体である、請求項１に記載の第１のＲＦコネクタ素子（４００、５００）。
4. 第１の外側導体（４０６、５０６）をさらに備え、前記第１の外側導体（４０６、５０６）は、前記第１の端子および前記第２の端子を取り囲んでいる、請求項３に記載の第１のＲＦコネクタ素子（４００、５００）。
5. 前記第１の比誘電率と前記第２の比誘電率との比は、１／３５〜５／８の範囲内である、請求項１に記載の第１のＲＦコネクタ素子（１００、４００、５００）。
6. 前記第１の絶縁要素（１０２、４０２、５０２）は、前記第１の誘電材料から前記第１のコンタクト支持部（１１４、４１４、５１４）を射出成形し、次に前記第２の誘電材料から前記第１の補償部（１１６、４１６、５１６）をオーバーモールドすることによって形成されている、請求項１に記載の第１のＲＦコネクタ素子（１００、４００、５００）。
7. 前記第１の端子（１０４、５０４）はレセプタクルである、請求項１に記載の第１のＲＦコネクタ素子（１００、４００、５００）。
8. 第１のＲＦコネクタ素子（１００）に嵌合するための第２のＲＦコネクタ素子（２００）であって、
   前記第１のＲＦコネクタ素子（１００）の第１の端子（１０４）に電気的に接続するための第１の相手側端子コンタクト領域（２１０）、およびＲＦケーブル素子（３０５）の第１の導体（３０４）に電気的に接続するための第１の相手側端子端領域（２０８）を有する第１の相手側端子（２０４）と、
   前記第１のＲＦコネクタ素子（１００）の第２の端子（１０６）に電気的に接続するための第２の相手側端子コンタクト領域、および前記ＲＦケーブル素子（３０５）の第２の導体（３０６）に電気的に接続するための第２の相手側端子端領域（２１４）を有する第２の相手側端子（２０６）と、
   前記第１の相手側端子（２０４）および前記第２の相手側端子（２０６）を電気的に絶縁するための第２の絶縁要素（２０２）とを備え、
   前記第２の絶縁要素（２０２）は、第３の比誘電率を有する第３の誘電材料から一体形成された第２のコンタクト支持部（２１６）と、前記第３の比誘電率より大きい第４の比誘電率を有する第４の誘電材料から前記第２のコンタクト支持部（２１６）と一体形成された第２の補償部（２１８）とを備え、
   前記第２の補償部（２１８）は、前記第２の絶縁要素（２０２）の後端領域で、少なくとも部分的に前記第１の相手側端子端領域（２０８）と前記第２の相手側端子端領域との間に配置されている、第２のＲＦコネクタ素子（２００）。
9. 前記第３の比誘電率と前記第４の比誘電率との比は、１／３５〜５／８の範囲内である、請求項８に記載の第２のＲＦコネクタ素子（２００）。
10. 前記第２の絶縁要素（２０２）は、前記第３の誘電材料から前記第２のコンタクト支持部（２１６）を射出成形し、次に前記第４の誘電材料から前記第２の補償部（２１８）をオーバーモールドすることによって製作されている、請求項８に記載の第２のＲＦコネクタ素子（２００）。

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