JP2021016107A - 送受信モジュール - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims abstract description 152
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 312
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 101100489713 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND1 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100032533 ADP/ATP translocase 1 Human genes 0.000 description 2
- 102100026396 ADP/ATP translocase 2 Human genes 0.000 description 2
- 101000768061 Escherichia phage P1 Antirepressor protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000796932 Homo sapiens ADP/ATP translocase 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000718417 Homo sapiens ADP/ATP translocase 2 Proteins 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 101100489717 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) GND2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
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- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/02—Transmitters
- H04B1/04—Circuits
- H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/06—Receivers
- H04B1/16—Circuits
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
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- H04B1/16—Circuits
- H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
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- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
- H04B1/52—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa
- H04B1/525—Hybrid arrangements, i.e. arrangements for transition from single-path two-direction transmission to single-direction transmission on each of two paths or vice versa with means for reducing leakage of transmitter signal into the receiver
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
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- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45731—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a transformer
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Abstract
【課題】トランスと低雑音増幅器との間にインピーダンス整合回路を設けることを必要としない送受信モジュールを提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る送受信モジュール100は、アンテナ端子ANTに出力するための送信信号TXを増幅する電力増幅器21と、アンテナ端子ANT側に接続された第1巻線L1、及び電力増幅器21の出力側に接続された第2巻線L2を含む第1トランスTR1と、アンテナ端子ANTから入力される受信信号RXを増幅する低雑音増幅器31と、第1巻線L1、及び低雑音増幅器31の入力側に接続された第3巻線L3を含む第2トランスTR2と、を備える。【選択図】図1
Description
本発明は、送受信モジュールに関する。
近年、移動体端末などに搭載されるフロントエンドモジュールの小型化に対応すべく、高周波部品の集積化による送信系フロントエンド、及び受信系フロントエンドの一体化(モジュール化)が進んでいる。
例えば、特許文献1には、電力増幅器と、低雑音増幅器と、トランスとを備えるRF(Radio Frequency)フロントエンドが記載されている。当該RFフロントエンドでは、トランスの第1巻線の両端は差動増幅器である電力増幅器に接続され、トランスの第2巻線の一端はアンテナ側に接続され、トランスの第2巻線の他端は低雑音増幅器側に接続される。また、当該RFフロントエンドは、第2巻線の他端と、グランドとの間の接続を切り替えるスイッチを備える。当該スイッチは、送信モード時には閉じられ、受信モード時には開かれる。
しかしながら、上述した特許文献1に記載の構成では、電力増幅器の特性に基づいてトランスの特性を最適化する場合、低雑音増幅器とトランスの第2巻線との間にインピーダンス整合回路を設ける必要があり、送受信モジュールの小型化に不利となる。
そこで、本発明は、トランスと低雑音増幅器との間にインピーダンス整合回路を設けることを必要としない送受信モジュールを提供することを目的とする。
本発明の一態様に係る送受信モジュールは、アンテナ端子に出力するための送信信号を増幅する電力増幅器と、アンテナ端子側に接続された第1巻線、及び電力増幅器の出力側に接続された第2巻線を含む第1トランスと、アンテナ端子から入力される受信信号を増幅する低雑音増幅器と、第1巻線、及び低雑音増幅器の入力側に接続された第3巻線を含む第2トランスと、を備える。
この態様によれば、第2トランスによりアンテナ端子と低雑音増幅器との間のインピーダンスを変換することが可能となる。よって、第2トランスと低雑音増幅器との間にインピーダンス整合回路を設ける必要がなくなる。
本発明によれば、トランスと低雑音増幅器との間にインピーダンス整合回路を設けることを必要としない送受信モジュールを提供することができる。
添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。(なお、各図において、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。)
[第1実施形態]
(1)構成
(1−1)送受信モジュール100の各部の回路構成等
送受信モジュール100
図1は、本発明の第1実施形態に係る送受信モジュール100の構成を示す概略図である。送受信モジュール100は、携帯電話などの移動通信機において、基地局との間でRF(Radio Frequency)信号を送受信するための信号処理を行うモジュールである。送受信モジュール100の動作モードは、例えば、ベースバンド回路等から供給される送信信号TXを増幅してアンテナに供給する送信モードと、アンテナから供給される受信信号RXを増幅してベースバンド回路等に供給する受信モードとを含む。
(1)構成
(1−1)送受信モジュール100の各部の回路構成等
送受信モジュール100
図1は、本発明の第1実施形態に係る送受信モジュール100の構成を示す概略図である。送受信モジュール100は、携帯電話などの移動通信機において、基地局との間でRF(Radio Frequency)信号を送受信するための信号処理を行うモジュールである。送受信モジュール100の動作モードは、例えば、ベースバンド回路等から供給される送信信号TXを増幅してアンテナに供給する送信モードと、アンテナから供給される受信信号RXを増幅してベースバンド回路等に供給する受信モードとを含む。
送受信モジュール100は、PAモジュール20と、LNAモジュール30と、第1巻線L1と、第2巻線L2と、第3巻線L3と、スイッチモジュール40とを備える。送受信モジュール100には、端子TXinと、端子ANTと、端子RXoutと、端子Ctrl1と、端子Ctrl2と、端子Ctrl3と、端子GND1と、端子GND2とが設けられる。
PAモジュール20
PAモジュール20は、電力増幅器(PA)21を備える。電力増幅器21は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、PAモジュール20には、電力増幅器21の入力端子に接続される端子20aと、電力増幅器21の出力端子に接続される端子20b1、及び20b2と、電力増幅器21の制御用端子に接続される端子20cとが設けられる。端子20aは、送受信モジュール100の端子TXinに接続される。端子TXinには、ベースバンド回路等から送信信号TXが入力される。これにより、端子20aには、端子TXinから送信信号TXが供給される。
PAモジュール20は、電力増幅器(PA)21を備える。電力増幅器21は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、PAモジュール20には、電力増幅器21の入力端子に接続される端子20aと、電力増幅器21の出力端子に接続される端子20b1、及び20b2と、電力増幅器21の制御用端子に接続される端子20cとが設けられる。端子20aは、送受信モジュール100の端子TXinに接続される。端子TXinには、ベースバンド回路等から送信信号TXが入力される。これにより、端子20aには、端子TXinから送信信号TXが供給される。
電力増幅器21は、差動増幅器として構成され、端子20aに入力された送信信号TXの電力を増幅し、増幅された送信信号TXを端子20b1、及び20b2に出力する。端子20b1は第2巻線L2の一端に接続され、端子20b2は第2巻線L2の他端に接続される。これにより、端子20b1、及び20b2から出力された送信信号TXは、第2巻線L2に供給される。なお、電力増幅器(PA)の入力端子20aまたは端子TXinは不平衡入力でもなくてもよいし、平衡入力でもよい。
端子20cは、送受信モジュール100の端子Ctrl2に接続される。端子Ctrl2には、電力増幅器21の制御信号SG2が入力される。これにより、端子Ctrl2に供給された電力増幅器21の制御信号SG2は、端子20cを通じて電力増幅器21に供給される。なお、制御信号SG2は、後述するスイッチSW1の制御信号SG1と同期させてもよい。
トランスTR1
第1巻線L1、及び第2巻線L2は、互いに磁気的に結合し、トランスTR1を構成する。第1巻線L1は、平面図視において略円形状に巻き回されたインダクタである。第2巻線L2は、平面図視において略円形状に巻き回されたインダクタである。なお、説明の便宜上、図1において第2巻線L2は点線により表されている。第1巻線L1、及び第2巻線L2の巻き回しの形状はそれぞれ、略円形状に限らず、略矩形状、略多角形、不定形等のその他任意の形状であってよい。また、第1巻線L1の巻数N1、及び第2巻線L2の巻数N2はそれぞれ特に限定されず、1回、又は複数回であってもよい。
第1巻線L1、及び第2巻線L2は、互いに磁気的に結合し、トランスTR1を構成する。第1巻線L1は、平面図視において略円形状に巻き回されたインダクタである。第2巻線L2は、平面図視において略円形状に巻き回されたインダクタである。なお、説明の便宜上、図1において第2巻線L2は点線により表されている。第1巻線L1、及び第2巻線L2の巻き回しの形状はそれぞれ、略円形状に限らず、略矩形状、略多角形、不定形等のその他任意の形状であってよい。また、第1巻線L1の巻数N1、及び第2巻線L2の巻数N2はそれぞれ特に限定されず、1回、又は複数回であってもよい。
第1巻線L1の一端は端子ANT1に接続され、第1巻線L1の他端は端子GND1または端子ANT2に接続される。端子ANT1は、アンテナに接続される。端子GND1は、グランドに接地される。端子ANT2は、アンテナに接続される。PAモジュール20からトランスTR1の第2巻線L2に送信信号TXが供給されると、第2巻線L2と磁気的に結合した第1巻線L1に相互誘導によって送信信号TXが誘起される。第1巻線L1に誘起された送信信号TXは、端子ANTを通じてアンテナに供給される。
トランスTR1により、送信信号TXの経路において、第1巻線L1側と第2巻線L2側とでインピーダンスを変換することができる。トランスTR1が理想的な場合、第1巻線L1側のインピーダンスをZ1、第2巻線L2側のインピーダンスをZ2とすると、Z1/Z2=(N1/N2)2の関係が成り立つ。送受信モジュール100では、例えば、電力増幅器21の特性に応じてトランスTR1のインピーダンスの変換特性が最適化されるように、第1巻線L1、及び第2巻線L2の特性を設定することができる。
トランスTR2
第1巻線L1、及び第3巻線L3は、互いに磁気的に結合し、トランスTR2を構成する。第3巻線L3は、平面図視において略円形状に巻き回されたインダクタである。なお、説明の便宜上、図1において第3巻線L3は一点鎖線により表されている。なお、第3巻線L3の巻き回しの形状はそれぞれ、略円形状に限らず、略矩形状、略多角形、不定形等のその他任意の形状であってよい。
第1巻線L1、及び第3巻線L3は、互いに磁気的に結合し、トランスTR2を構成する。第3巻線L3は、平面図視において略円形状に巻き回されたインダクタである。なお、説明の便宜上、図1において第3巻線L3は一点鎖線により表されている。なお、第3巻線L3の巻き回しの形状はそれぞれ、略円形状に限らず、略矩形状、略多角形、不定形等のその他任意の形状であってよい。
第3巻線L3の一端はLNAモジュール30の端子30aに接続され、第3巻線L3の他端はスイッチSW1の一端に接続される。端子ANTからトランスTR2の第1巻線L1に受信信号RXが供給されると、第1巻線L1と磁気的に結合した第3巻線L3に相互誘導によって受信信号RXが誘起される。第3巻線L3に誘起された受信信号RXは、端子30aを通じてLNAモジュール30に供給される。
トランスTR2により、受信信号RXの経路において、第1巻線L1側と第3巻線L3側とでインピーダンスを変換することができる。これにより、低雑音増幅器31の入力側にインピーダンス変換用の回路を設けなくとも、インピーダンス整合が可能となる。トランスTR2が理想的な場合、第1巻線L1側のインピーダンスをZ1、第3巻線L3側のインピーダンスをZ2とすると、Z1/Z3=(N1/N3)2の関係が成り立つ。送受信モジュール100では、例えば、上述したように電力増幅器21の特性に応じて設定された第1巻線L1の特性に応じて、第3巻線L3の特性を設定することができる。
LNAモジュール30
LNAモジュール30は、低雑音増幅器(LNA)31を備える。低雑音増幅器31は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、LNAモジュール30には、低雑音増幅器31の入力端子に接続される端子30aと、低雑音増幅器31の出力端子に接続される端子30bと、低雑音増幅器31の制御用端子に接続される端子30cとが設けられる。
LNAモジュール30は、低雑音増幅器(LNA)31を備える。低雑音増幅器31は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、LNAモジュール30には、低雑音増幅器31の入力端子に接続される端子30aと、低雑音増幅器31の出力端子に接続される端子30bと、低雑音増幅器31の制御用端子に接続される端子30cとが設けられる。
端子30aは、トランスTR2の第3巻線L3の一端に接続される。これにより、端子30aには、トランスTR2の第3巻線L3から受信信号RXが供給される。
低雑音増幅器31は、端子30aに入力された受信信号RXの電力を増幅し、増幅された受信信号RXを出力する。端子30bは、送受信モジュール100の端子RXoutに接続される。これにより、端子30bから出力された受信信号RXは送受信モジュール100の端子RXoutに供給され、端子RXoutからベースバンド回路等に出力される。
端子30cは、送受信モジュール100の端子Ctrl3に接続される。端子Ctrl3には、低雑音増幅器31の制御信号SG3が入力される。これにより、端子Ctrl3に供給された低雑音増幅器31の制御信号SG3は、端子30cを通じて低雑音増幅器31に供給される。
スイッチモジュール40
スイッチモジュール40は、スイッチ部の一例であって、スイッチSW1を備える。スイッチSW1は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、スイッチモジュール40には、端子40a、端子40b、端子40cが設けられる。端子40aは、送受信モジュール100の端子Ctrl1に接続される。端子Ctrl1には、スイッチSW1の制御信号SG1が入力される。これにより、端子Ctrl1に供給されたスイッチSW1の制御信号SG1は、端子40aを通じてスイッチSW1に供給される。なお、制御信号SG1は、上述した電力増幅器21の制御信号SG2と同期させてもよい。スイッチSW1は、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路を開閉するためのスイッチの一例である。
スイッチモジュール40は、スイッチ部の一例であって、スイッチSW1を備える。スイッチSW1は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、スイッチモジュール40には、端子40a、端子40b、端子40cが設けられる。端子40aは、送受信モジュール100の端子Ctrl1に接続される。端子Ctrl1には、スイッチSW1の制御信号SG1が入力される。これにより、端子Ctrl1に供給されたスイッチSW1の制御信号SG1は、端子40aを通じてスイッチSW1に供給される。なお、制御信号SG1は、上述した電力増幅器21の制御信号SG2と同期させてもよい。スイッチSW1は、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路を開閉するためのスイッチの一例である。
スイッチSW1の一端は端子40bに接続され、スイッチSW1の他端は端子40cに接続される。スイッチSW1は、端子40aを通じて供給される制御信号SG1に応じて、開状態と閉状態とが切り替わる。スイッチSW1が開状態の場合、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路は閉じられない。スイッチSW1が閉状態の場合、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路は閉じられる。
(1−2)送受信モジュール100の層構造及び各巻線の配置等
次に、図2A〜2D、3A〜3D、及び4A〜4Dを参照して、送受信モジュール100の層構造、並びにトランスTR1、及びトランスTR2が含む各巻線の配置等について説明する。
次に、図2A〜2D、3A〜3D、及び4A〜4Dを参照して、送受信モジュール100の層構造、並びにトランスTR1、及びトランスTR2が含む各巻線の配置等について説明する。
送受信モジュール100は、低温焼結セラミック(LTCC:Low Temperature Co−fired Ceramics)、及びガラスエポキシ等の樹脂や液晶ポリマー等によって形成された一又は複数の層(後述する第1層S1、第2層S2、及び第3層S3等)を含んで構成することができる。送受信モジュール100の第1巻線L1、第2巻線L2、及び第3巻線L3は、当該一又は複数の層のそれぞれに対して、例えば以下に例示する態様を含む任意の態様で配置することができる。
図2A〜2Dはそれぞれ、第1巻線L1が第2巻線L2と第3巻線L3との間に設けられる場合の送受信モジュール100の図1におけるA−A′線による断面図である。ここで、本実施形態において、「巻線αが巻線βと巻線γとの間に設けられる」とは、巻線αの高さ(図1等の平面図に垂直な方向における位置)が、巻線βの高さと巻線γの高さとの間にあればよく、必ずしも、平面図視において巻線αが巻線β又は巻線γと重なっていなくてもよい。
例えば図2Aに示すとおり、第2巻線L2、第1巻線L1、及び第3巻線L3は第1層S1内に設けられてもよい。或いは、例えば図2Bに示すとおり、第2巻線L2、及び第1巻線L1は第1層S1内に設けられ、第3巻線L3は第2層S2内に設けられてもよい。或いは、例えば図2Cに示すとおり、第2巻線L2は第1層S1内に設けられ、第1巻線L1、及び第3巻線L3は第2層S2内に設けられてもよい。或いは、例えば図2Dに示すとおり、第2巻線L2は第1層S1内に設けられ、第1巻線L1は第2層S2内に設けられ、第3巻線L3は第3層S3内に設けられてもよい。
第1巻線L1が第2巻線L2と第3巻線L3との間に設けられる場合、第1巻線L1が第2巻線L2と第3巻線L3とを隔てるように配置されるため、第2巻線L2と第3巻線L3との間の磁気的な結合(相互インダクタンス)が減少する。これにより、第3巻線L3側(低雑音増幅器31側)に送信信号TXが漏れるが抑制される。
図3A〜3Dはそれぞれ、第2巻線L2が第1巻線L1と第3巻線L3との間に設けられる場合の送受信モジュール100の図1におけるA−A′線による断面図である。例えば図3Aに示すとおり、第1巻線L1、第2巻線L2、及び第3巻線L3は第1層S1内に設けられてもよい。或いは、例えば図3Bに示すとおり、第1巻線L1、及び第2巻線L2は第1層S1内に設けられ、第3巻線L3は第2層S2内に設けられてもよい。或いは、例えば図3Cに示すとおり、第1巻線L1は第1層S1内に設けられ、第2巻線L2、及び第3巻線L3は第2層S2内に設けられてもよい。或いは、例えば図3Dに示すとおり、第1巻線L1は第1層S1内に設けられ、第2巻線L2が第2層S2内に設けられ、第3巻線L3は第3層S3内に設けられてもよい。
第2巻線L2が第1巻線L1と第3巻線L3との間に設けられる場合、第2巻線L2が第1巻線L1の近傍に配置されるため、第1巻線L1と第2巻線L2との間の磁気的な結合(相互インダクタンス)が増加する。
図4A〜4Dはそれぞれ、第3巻線L3が第1巻線L1と第2巻線L2との間に設けられる場合の送受信モジュール100の図1におけるA−A′線による断面図である。例えば図4Aに示すとおり、第1巻線L1、第3巻線L3、及び第2巻線L2は第1層S1内に設けられてもよい。或いは、例えば図4Bに示すとおり、第1巻線L1、及び第3巻線L3は第1層S1内に設けられ、第2巻線L2は第2層S2内に設けられてもよい。或いは、例えば図4Cに示すとおり、第1巻線L1は第1層S1内に設けられ、第3巻線L3、及び第2巻線L2は第2層S2内に設けられてもよい。或いは、例えば図4Dに示すとおり、第1巻線L1は第1層S1内に設けられ、第3巻線L3は第2層S2内に設けられ、第2巻線L2は第3層S3内に設けられてもよい。
第3巻線L3が第1巻線L1と第2巻線L2との間に設けられる場合、第3巻線L3が第1巻線L1の近傍に配置されるため、第1巻線L1と第3巻線L3との間の磁気的な結合(相互インダクタンス)が増加する。
(2)動作
次に、図5A、5B、6A、及び6Bを参照して、送受信モジュール100の動作について説明する。送受信モジュール100は、例えば、TDD(Time Division Duplex)によって、送信モードと受信モードとを時間帯毎に切り替えながら動作する。
次に、図5A、5B、6A、及び6Bを参照して、送受信モジュール100の動作について説明する。送受信モジュール100は、例えば、TDD(Time Division Duplex)によって、送信モードと受信モードとを時間帯毎に切り替えながら動作する。
図5Aは、送信モードから受信モードに切り替わる場合の送受信モジュール100のタイミングチャートの一例を示す図である。まず、時刻T1において、電力増幅器21(PA21)がオンからオフに切り替わり、電力増幅器21による送信信号TXの増幅、及びトランスTR1への送信信号TXの供給が停止する。その後、時刻T2において、スイッチSW1が開状態から閉状態に切り替わり、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられる。その後、時刻T3において、低雑音増幅器31(LNA31)がオフからオンに切り替わり、低雑音増幅器31による受信信号RXの増幅が開始される。なお、電力増幅器21の制御信号SG2と、スイッチSW1の制御信号SG1とを同期させることにより、電力増幅器21のオンからオフへの切り替え(時刻T1)と、スイッチSW1の開状態から閉状態への切り替え(時刻T2)とを、同期させてもよい。なお、スイッチの切り替え時間はTDDでの送受切り替え時間がミリ秒(msec)オーダーである場合が多いことから、その場合にはマイクロ秒(μsec)オーダーで切り替えるとよい。
図5Bは、送信モードから受信モードに切り替わる場合の送受信モジュール100のタイミングチャートの他の一例を示す図である。まず、時刻T1において、低雑音増幅器31がオフからオンに切り替わり、低雑音増幅器31は受信信号RXの増幅が可能な状態となる。その後、時刻T2において、電力増幅器21がオンからオフに切り替わり、電力増幅器21による送信信号TXの増幅、及びトランスTR1への送信信号TXの供給が停止する。その後、時刻T3において、スイッチSW1が開状態から閉状態に切り替わり、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられ、低雑音増幅器31による受信信号RXの増幅が開始される。なお、電力増幅器21の制御信号SG2と、スイッチSW1の制御信号SG1とを同期させることにより、電力増幅器21のオンからオフへの切り替え(時刻T2)と、スイッチSW1の開状態から閉状態への切り替え(時刻T3)とを、同期させてもよい。
図6Aは、受信モードから送信モードに切り替わる場合の送受信モジュール100のタイミングチャートの一例を示す図である。まず、時刻T1において、低雑音増幅器31がオンからオフに切り替わり、低雑音増幅器31による受信信号RXの増幅が停止する。その後、時刻T2において、スイッチSW1が閉状態から開状態に切り替わり、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられない状態となる。その後、時刻T3において、電力増幅器21がオフからオンに切り替わり、電力増幅器21による送信信号TXの増幅、及びトランスTR1への送信信号TXの供給が開始される。なお、電力増幅器21の制御信号SG2と、スイッチSW1の制御信号SG1とを同期させることにより、電力増幅器21のオフからオンへの切り替え(時刻T3)と、スイッチSW1の閉状態から開状態への切り替え(時刻T2)とを、同期させてもよい。
図6Bは、受信モードから送信モードに切り替わる場合の送受信モジュール100のタイミングチャートの他の一例を示す図である。まず、時刻T1において、スイッチSW1が閉状態から開状態に切り替わり、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられない状態となり、低雑音増幅器31に受信信号RXが供給されず、低雑音増幅器31による受信信号RXの増幅が停止する。その後、時刻T2において、電力増幅器21がオフからオンに切り替わり、電力増幅器21による送信信号TXの増幅、及びトランスTR1への送信信号TXの供給が開始される。その後、時刻T3において、低雑音増幅器31がオンからオフに切り替わる。なお、電力増幅器21の制御信号SG2と、スイッチSW1の制御信号SG1とを同期させることにより、電力増幅器21のオフからオンへの切り替え(時刻T2)と、スイッチSW1の閉状態から開状態への切り替え(時刻T1)とを、同期させてもよい。また、図5Aから図6Bの動作において、電力増幅器21がオンの場合は、必ずスイッチSW1が開いた状態、すなわち、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられた状態となり、低雑音増幅器31に送信信号TXが漏れることが抑制される。
[変形例]
図7は、本発明の第1実施形態の変形例に係る送受信モジュール101の構成を示す概略図である。送受信モジュール101が備えるLNAモジュール30は、差動増幅器として構成される低雑音増幅器31を含む。LNAモジュール30には、低雑音増幅器31の入力端子に接続される端子30a1、及び30a2と、低雑音増幅器31の出力端子に接続される端子30b1、及び端子30b2と、低雑音増幅器31の制御用端子に接続される端子30cとが設けられる。
図7は、本発明の第1実施形態の変形例に係る送受信モジュール101の構成を示す概略図である。送受信モジュール101が備えるLNAモジュール30は、差動増幅器として構成される低雑音増幅器31を含む。LNAモジュール30には、低雑音増幅器31の入力端子に接続される端子30a1、及び30a2と、低雑音増幅器31の出力端子に接続される端子30b1、及び端子30b2と、低雑音増幅器31の制御用端子に接続される端子30cとが設けられる。
また、送受信モジュール101は、低雑音増幅器31の入力側に配置されたスイッチモジュール50を備える。スイッチモジュール50は、スイッチ部の一例であって、スイッチSW2(第1スイッチ)、及びスイッチSW3(第2スイッチ)を備える。スイッチSW2、及びSW3は、例えば、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ(FET)等によって構成することができる。また、スイッチモジュール50には、端子50a、端子50b1、端子50b2、端子50c1、及び端子50c2が設けられる。
端子50aは、送受信モジュール101の端子Ctrl1に接続される。端子Ctrl1には、スイッチSW2、及びSW3の制御信号SG4が入力される。これにより、端子Ctrl1に供給されたスイッチSW2、及びSW3の制御信号SG4は、端子50aを通じてスイッチSW2、及びSW3のそれぞれに供給される。なお、制御信号SG4は、上述した電力増幅器21の制御信号SG2と同期させてもよい。
スイッチSW2、及びSW3はそれぞれ、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路を開閉するためのスイッチの一例である。スイッチSW2の一端は端子50b1に接続され、スイッチSW2の他端は端子50c1に接続される。スイッチSW2は、端子50aを通じて供給される制御信号SG4に応じて、開状態と閉状態とが切り替わる。スイッチSW3の一端は端子50b2に接続され、スイッチSW3の他端は端子50c2に接続される。スイッチSW3は、端子50aを通じて供給される制御信号SG4に応じて、開状態と閉状態とが切り替わる。
スイッチSW2、及びSW3の少なくともいずれかが開状態の場合、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路は閉じられず、スイッチSW2、及びSW3のいずれもが閉状態の場合、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路は閉じられる。
以上説明したとおり、本実施形態の送受信モジュールは、アンテナ端子に出力するための送信信号を増幅する電力増幅器と、アンテナ端子側に接続された第1巻線、及び電力増幅器の出力側に接続された第2巻線を含む第1トランスと、アンテナ端子から入力される受信信号を増幅する低雑音増幅器と、第1巻線、及び低雑音増幅器の入力側に接続された第3巻線を含む第2トランスと、を備える。これにより、第2トランスによりアンテナ端子と低雑音増幅器との間のインピーダンスを変換することが可能となる。よって、第2トランスと低雑音増幅器との間にインピーダンス整合回路を設ける必要がなくなる。
また、上述した送受信モジュールにおいて、電力増幅器は、差動増幅器であってよい。これにより、送信信号について、対雑音性能の向上、利得の増加、及び偶数次波歪みの改善等の効果が奏される。
また、上述した送受信モジュールにおいて、低雑音増幅器は、差動増幅器であってよい。これにより、受信信号について、対雑音性能の向上、利得の増加、及び偶数次波歪みの改善等の効果が奏される。
また、上述した送受信モジュールは、第2トランスから低雑音増幅器に受信信号を供給するための回路を開閉するためのスイッチ、を更に備えてもよい。これにより、送信信号が低雑音増幅器側に漏れることが抑制される。
また、上述した送受信モジュールにおいて、スイッチ部は、一端が第3巻線の一端側に接続され、他端がグランド側に接続されてもよい。これにより、送信信号が低雑音増幅器側に漏れることが抑制される。
また、上述した送受信モジュールにおいて、低雑音増幅器は、差動増幅器であって、スイッチ部は、一端が第3巻線の一端側に接続され、他端が低雑音増幅器の一の入力端子側に接続される第1スイッチと、一端が第3巻線の他端側に接続され、他端が低雑音増幅器の他の入力端子側に接続される第2スイッチと、を含んでよい。これにより、送信信号が低雑音増幅器側に漏れることが抑制される。
また、上述した送受信モジュールにおいて、第1巻線は、第2巻線と第3巻線との間に設けられてもよい。これにより、第1巻線が第2巻線と第3巻線とを隔てるように配置されるため、第2巻線と第3巻線との間の磁気的な結合(相互インダクタンス)が減少する。このため、第3巻線側(低雑音増幅器側)に送信信号が漏れることが抑制される。
また、上述した送受信モジュールは、第2巻線、第1巻線、及び第3巻線が設けられる第1層を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第2巻線、及び第1巻線が設けられる第1層と、第3巻線が設けられる第2層と、を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。また、これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第2巻線が設けられる第1層と、第1巻線、及び第3巻線が設けられる第2層と、を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。また、これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第2巻線が設けられる第1層と、第1巻線が設けられる第2層と、第3巻線が設けられる第3層と、を更に備えてもよい。これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールにおいて、第2巻線は、第1巻線と第3巻線との間に設けられてもよい。これにより、第2巻線が第1巻線の近傍に配置されるため、第1巻線と第2巻線との磁気的な結合(相互インダクタンス)を増加させることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線、第2巻線、及び第3巻線が設けられる第1層を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線、及び第2巻線が設けられる第1層と、第3巻線が設けられる第2層と、を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。また、これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線が設けられる第1層と、第2巻線、及び第3巻線が設けられる第2層と、を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。また、これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線が設けられる第1層と、第2巻線が設けられる第2層と、第3巻線が設けられる第3層と、を更に備えてもよい。これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールにおいて、第3巻線は、第1巻線と第2巻線との間に設けられてもよい。これにより、第3巻線が第1巻線の近傍に配置されるため、第1巻線と第3巻線との磁気的な結合(相互インダクタンス)を増加させることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線、第3巻線、及び第2巻線が設けられる第1層を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線、及び第3巻線が設けられる第1層と、第2巻線が設けられる第2層と、を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。また、これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線が設けられる第1層と、第3巻線、及び第2巻線が設けられる第2層と、を更に備えてもよい。これにより、送受信モジュールを簡易に構成することが可能となる。また、これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
また、上述した送受信モジュールは、第1巻線が設けられる第1層と、第3巻線が設けられる第2層と、第2巻線が設けられる第3層と、を更に備えてもよい。これにより、各巻線を容易にレイアウトすることが可能となる。
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。
100、101…送受信モジュール、20…PAモジュール、21…電力増幅器、30…LNAモジュール、31…低雑音増幅器、40、50…スイッチモジュール、SW1、SW2、SW3…スイッチ、TR1…第1トランス、TR2…第2トランス、L1…第1巻線、L2…第2巻線、L3…第3巻線
図6Bは、受信モードから送信モードに切り替わる場合の送受信モジュール100のタイミングチャートの他の一例を示す図である。まず、時刻T1において、スイッチSW1が閉状態から開状態に切り替わり、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられない状態となり、低雑音増幅器31に受信信号RXが供給されず、低雑音増幅器31による受信信号RXの増幅が停止する。その後、時刻T2において、電力増幅器21がオフからオンに切り替わり、電力増幅器21による送信信号TXの増幅、及びトランスTR1への送信信号TXの供給が開始される。その後、時刻T3において、低雑音増幅器31がオンからオフに切り替わる。なお、電力増幅器21の制御信号SG2と、スイッチSW1の制御信号SG1とを同期させることにより、電力増幅器21のオフからオンへの切り替え(時刻T2)と、スイッチSW1の閉状態から開状態への切り替え(時刻T1)とを、同期させてもよい。また、図5Aから図6Bの動作において、電力増幅器21がオンの場合は、必ずスイッチSW1が開いた状態、すなわち、トランスTR2から低雑音増幅器31に受信信号RXを供給するための回路が閉じられない状態となり、低雑音増幅器31に送信信号TXが漏れることが抑制される。
Claims (21)
- アンテナ端子に出力するための送信信号を増幅する電力増幅器と、
前記アンテナ端子側に接続された第1巻線、及び前記電力増幅器の出力側に接続された第2巻線を含む第1トランスと、
前記アンテナ端子から入力される受信信号を増幅する低雑音増幅器と、
前記第1巻線、及び前記低雑音増幅器の入力側に接続された第3巻線を含む第2トランスと、
を備える送受信モジュール。 - 前記電力増幅器は、差動増幅器である、請求項1に記載の送受信モジュール。
- 前記低雑音増幅器は、差動増幅器である、請求項1又は2に記載の送受信モジュール。
- 前記第2トランスから前記低雑音増幅器に受信信号を供給するための回路を開閉するためのスイッチ部、を更に備える、請求項1から3のいずれか一項に記載の送受信モジュール。
- 前記スイッチ部はスイッチを含み、
前記スイッチの一端は前記第3巻線の一端側に接続され、前記スイッチの他端はグランド側に接続される、請求項4に記載の送受信モジュール。 - 前記低雑音増幅器は、差動増幅器であって、
前記スイッチ部は、第1スイッチ及び第2スイッチを含み、
前記第1スイッチの一端は前記第3巻線の一端側に接続され、前記第1スイッチの他端は前記低雑音増幅器の一の入力端子側に接続され、
前記第2スイッチの一端は前記第3巻線の他端側に接続され、前記第2スイッチの他端は前記低雑音増幅器の他の入力端子側に接続される、
請求項4に記載の送受信モジュール。 - 前記第1巻線は、前記第2巻線と前記第3巻線との間に設けられる、請求項1から6のいずれか一項に記載の送受信モジュール。
- 前記第2巻線、前記第1巻線、及び前記第3巻線が設けられる第1層を更に備える、請求項7に記載の送受信モジュール。
- 前記第2巻線、及び前記第1巻線が設けられる第1層と、
前記第3巻線が設けられる第2層と、を更に備える請求項7に記載の送受信モジュール。 - 前記第2巻線が設けられる第1層と、
前記第1巻線、及び前記第3巻線が設けられる第2層と、を更に備える請求項7に記載の送受信モジュール。 - 前記第2巻線が設けられる第1層と、
前記第1巻線が設けられる第2層と、
前記第3巻線が設けられる第3層と、を更に備える請求項7に記載の送受信モジュール。 - 前記第2巻線は、前記第1巻線と前記第3巻線との間に設けられる、請求項1から6のいずれか一項に記載の送受信モジュール。
- 前記第1巻線、前記第2巻線、及び前記第3巻線が設けられる第1層を更に備える、請求項12に記載の送受信モジュール。
- 前記第1巻線、及び前記第2巻線が設けられる第1層と、
前記第3巻線が設けられる第2層と、を更に備える請求項12に記載の送受信モジュール。 - 前記第1巻線が設けられる第1層と、
前記第2巻線、及び前記第3巻線が設けられる第2層と、を更に備える請求項12に記載の送受信モジュール。 - 前記第1巻線が設けられる第1層と、
前記第2巻線が設けられる第2層と、
前記第3巻線が設けられる第3層と、を更に備える請求項12に記載の送受信モジュール。 - 前記第3巻線は、前記第1巻線と前記第2巻線との間に設けられる、請求項1から6のいずれか一項に記載の送受信モジュール。
- 前記第1巻線、前記第3巻線、及び前記第2巻線が設けられる第1層を更に備える、請求項17に記載の送受信モジュール。
- 前記第1巻線、及び前記第3巻線が設けられる第1層と、
前記第2巻線が設けられる第2層と、を更に備える請求項17に記載の送受信モジュール。 - 前記第1巻線が設けられる第1層と、
前記第3巻線、及び前記第2巻線が設けられる第2層と、を更に備える請求項17に記載の送受信モジュール。 - 前記第1巻線が設けられる第1層と、
前記第3巻線が設けられる第2層と、
前記第2巻線が設けられる第3層と、を更に備える請求項17に記載の送受信モジュール。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019130428A JP2021016107A (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 送受信モジュール |
CN202010654522.9A CN112290968B (zh) | 2019-07-12 | 2020-07-08 | 收发模块 |
US16/925,540 US11437964B2 (en) | 2019-07-12 | 2020-07-10 | Transceiver module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019130428A JP2021016107A (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 送受信モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021016107A true JP2021016107A (ja) | 2021-02-12 |
Family
ID=74102454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019130428A Pending JP2021016107A (ja) | 2019-07-12 | 2019-07-12 | 送受信モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11437964B2 (ja) |
JP (1) | JP2021016107A (ja) |
CN (1) | CN112290968B (ja) |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7010279B2 (en) | 2002-11-27 | 2006-03-07 | Broadcom Corporation | Radio frequency integrated circuit electro-static discharge circuit |
US7369096B2 (en) | 2003-10-10 | 2008-05-06 | Broadcom Corporation | Impedance matched passive radio frequency transmit/receive switch |
US8270912B2 (en) * | 2007-12-12 | 2012-09-18 | Broadcom Corporation | Method and system for a transformer in an integrated circuit package |
CN102263572B (zh) * | 2010-05-28 | 2014-06-18 | 创杰科技股份有限公司 | 无线通信收发机 |
CN102281081B (zh) * | 2010-06-08 | 2013-12-04 | 创杰科技股份有限公司 | 无线通信收发机 |
CN103378869B (zh) * | 2012-04-25 | 2015-06-10 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 共享多绕组变压器的收发器 |
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DE102013101771A1 (de) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Intel Mobile Communications GmbH | Sendeanordnung und Verfahren zum Analysieren eines verstärkten Sendesignals |
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-
2019
- 2019-07-12 JP JP2019130428A patent/JP2021016107A/ja active Pending
-
2020
- 2020-07-08 CN CN202010654522.9A patent/CN112290968B/zh active Active
- 2020-07-10 US US16/925,540 patent/US11437964B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112290968A (zh) | 2021-01-29 |
US20210013853A1 (en) | 2021-01-14 |
CN112290968B (zh) | 2022-07-05 |
US11437964B2 (en) | 2022-09-06 |
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