JP2021015940A - Chuck table of processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、処理装置のチャックテーブルに関する。 The present invention relates to a chuck table of a processing apparatus.
半導体デバイス（以下、「デバイス」という。）は、電子機器の軽薄短小化、高機能化に伴い、より薄く小さく形成される傾向にある。シリコン等の基板で形成する半導体ウエーハ（以下、「ウエーハ」という。）を極薄にすることで、デバイスの薄化に対応している。ところが、ウエーハを仕上がり厚さまで薄化すると、研削歪みによってウエーハが反るおそれがある。ウエーハが反ると、その後の工程で、例えばウエーハの裏面に金属膜を被覆する工程で、反ったウエーハをハンドリングしたり固定したりすることが困難になるという課題があった。そこで、ウエーハのデバイス領域のみ薄化して、ウエーハの外周に環状の補強部を残し、薄化した部分が反ることを防ぐＴＡＩＫＯ（登録商標）研削技術が開発された（例えば、特許文献１参照）。 Semiconductor devices (hereinafter referred to as "devices") tend to be formed thinner and smaller as electronic devices become lighter, thinner, shorter, smaller, and more sophisticated. By making the semiconductor wafer (hereinafter referred to as "wafer") formed of a substrate such as silicon extremely thin, the device can be made thinner. However, if the wafer is thinned to the finished thickness, the wafer may warp due to grinding strain. When the wafer is warped, there is a problem that it becomes difficult to handle and fix the warped wafer in the subsequent steps, for example, in the step of coating the back surface of the wafer with a metal film. Therefore, a TAIKO (registered trademark) grinding technique has been developed in which only the device region of the wafer is thinned to leave an annular reinforcing portion on the outer periphery of the wafer to prevent the thinned portion from warping (see, for example, Patent Document 1). ).
また、補強部を有するＴＡＩＫＯウエーハのデバイス表面を露出させて保持したい場合、円形の凹部が嵌合するような形状のチャックテーブルが用いられる。例えば、特許文献２には、円形凹部の外周側に環状補強部が形成されたウエーハを、その表面を上にして保持する加工装置のチャックテーブルが開示されている。 Further, when it is desired to expose and hold the device surface of the TAIKO wafer having a reinforcing portion, a chuck table having a shape such that a circular recess is fitted is used. For example, Patent Document 2 discloses a chuck table of a processing device that holds a wafer having an annular reinforcing portion formed on the outer peripheral side of a circular recess with its surface facing up.
従来のチャックテーブルを用いる場合、顧客のウエーハの状況やデバイス領域の広さ等により、ウエーハは、環状の補強部の形状が異なることがある。従来のチャックテーブルは、デバイス表面を押圧するプローピングなどの処理では、ウエーハの補強部の形状が異なっていると、該円形凹部の外周側に支持されない領域が発生する恐れがあった。このため、ウエーハは、円形凹部の外周側とチャックテーブルとの間に中空の領域が発生すると、プローピングなどの処理中に外周のデバイスが破損する恐れがある。 When a conventional chuck table is used, the shape of the annular reinforcing portion of the wafer may differ depending on the condition of the customer's wafer, the size of the device area, and the like. In the conventional chuck table, in a process such as proping to press the surface of the device, if the shape of the reinforcing portion of the wafer is different, there is a possibility that an unsupported region may be generated on the outer peripheral side of the circular recess. Therefore, if a hollow region is generated between the outer peripheral side of the circular recess and the chuck table of the wafer, the outer peripheral device may be damaged during processing such as propping.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、その目的は、円形凹部の径が異なるウエーハを全面的に支持することができる処理装置のチャックテーブルを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a chuck table of a processing device capable of totally supporting wafers having different diameters of circular recesses.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の処理装置のチャックテーブルは、表面のデバイス領域に対応し裏面に形成された円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状補強部とを有するウエーハを、表面が露出した状態で保持する処理装置のチャックテーブルであって、ウエーハの該円形凹部を支持し、該円形凹部以下の直径を有する支持面を備える円柱部と、該円形凹部の直径と該支持面との直径の差が許容値を超えている際に用い、該円柱部が嵌合する開口を有し、該支持面の直径が調整される調整リングと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the chuck table of the processing apparatus of the present invention has a circular recess formed on the back surface corresponding to the device region on the front surface and an annular reinforcing portion surrounding the circular recess. A chuck table of a processing device that holds the waha with its surface exposed, a columnar portion that supports the circular recess of the waha and has a support surface having a diameter equal to or smaller than the circular recess, and the circular recess. It is provided with an adjustment ring which is used when the difference in diameter between the diameter and the support surface exceeds an allowable value, has an opening into which the columnar portion fits, and adjusts the diameter of the support surface. It is a feature.
また、上記処理装置のチャックテーブルにおいて、該処理装置は、デバイスの電気特性をテストするプロービング装置であり、該円柱部の該支持面と該調整リングのウエーハを支持する表面は電極となる導電性材料が積層されている。 Further, in the chuck table of the processing device, the processing device is a probing device for testing the electrical characteristics of the device, and the supporting surface of the cylindrical portion and the surface supporting the wafer of the adjusting ring are conductive as electrodes. The materials are laminated.
本願発明によれば、ウエーハの円形凹部の径が異なっても、該ウエーハを全面的に支持することができる。これにより、本願発明は、加工で形成されたウエーハの円形凹部の形状にかかわらず、ウエーハを押圧しても、ウエーハの破損を防止することができるという効果を奏する。 According to the present invention, the wafer can be fully supported even if the diameter of the circular recess of the wafer is different. As a result, the present invention has the effect that damage to the wafer can be prevented even if the wafer is pressed, regardless of the shape of the circular recess of the wafer formed by processing.
以下、本発明に係る実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.
［実施形態］
図１は、実施形態に係るプロービング装置の一例を説明するための図である。図２は、実施形態に係るウエーハの表面側を示す斜視図である。図３は、実施形態に係るウエーハの裏面側を示す斜視図である。図４は、実施形態に係るチャックテーブルが保持するウエーハの一例を示す断面図である。図５は、実施形態に係るチャックテーブルが保持するウエーハの他の一例を示す断面図である。図６は、実施形態に係るチャックテーブルとウエーハとの関係を示す分解断面図である。図７は、実施形態に係るチャックテーブルがウエーハを保持する状態を示す断面模式図である。図８は、実施形態に係るチャックテーブルを用いた検査方法の流れを示すフローチャートである。
[Embodiment]
FIG. 1 is a diagram for explaining an example of a probing device according to an embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing the surface side of the wafer according to the embodiment. FIG. 3 is a perspective view showing the back surface side of the wafer according to the embodiment. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a wafer held by the chuck table according to the embodiment. FIG. 5 is a cross-sectional view showing another example of the wafer held by the chuck table according to the embodiment. FIG. 6 is an exploded cross-sectional view showing the relationship between the chuck table and the wafer according to the embodiment. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the chuck table according to the embodiment holds the wafer. FIG. 8 is a flowchart showing the flow of the inspection method using the chuck table according to the embodiment.
図１に示すように、プロービング装置１は、チャックテーブル１０でウエーハＷを保持し、該ウエーハＷに形成されたデバイスの電気特性をテストする。本実施形態では、プロービング装置１は、処理装置の一例である。なお、処理装置は、例えば、ウエーハＷを切削加工する加工装置等を含む。 As shown in FIG. 1, the probing apparatus 1 holds the wafer W on the chuck table 10 and tests the electrical characteristics of the device formed on the wafer W. In the present embodiment, the probing device 1 is an example of a processing device. The processing apparatus includes, for example, a processing apparatus for cutting a wafer W.
図２乃至図４を用いて、ウエーハＷについて説明する。ウエーハＷは、例えば、シリコン、ガリウムヒ素、炭化ケイ素等の半導体材料により、円形の板状に形成されている。本実施形態では、ウエーハＷは、例えば、ＴＡＩＫＯ（登録商標）ウエーハである。ウエーハＷは、互いに交差する複数の分割予定ラインＬで区画された各領域にデバイス（チップ）Ｄが配置されている。ウエーハＷは、表面Ｗａに、デバイスＤが配置されたデバイス領域Ｗ１と、デバイス領域Ｗ１を囲繞する余剰領域Ｗ２と、を有する。ウエーハＷは、裏面Ｗｂに、デバイス領域Ｗ１に対応する領域に形成された円形凹部Ｗ３と、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３を囲繞する凸状の環状補強部Ｗ４と、を有する。ウエーハＷは、裏面Ｗｂにおいて、少なくとも円形凹部Ｗ３の表面に金属膜Ｗ５が形成されている。ウエーハＷは、デバイス領域Ｗ１のデバイスＤと金属膜Ｗ５とが導通している。なお、金属膜Ｗ５は、例えば、ウエーハＷの裏面Ｗｂの全体に形成されてもよい。 The wafer W will be described with reference to FIGS. 2 to 4. The wafer W is formed in a circular plate shape by, for example, a semiconductor material such as silicon, gallium arsenide, or silicon carbide. In the present embodiment, the wafer W is, for example, a TAIKO® wafer. In the wafer W, the device (chip) D is arranged in each region partitioned by a plurality of scheduled division lines L intersecting each other. The wafer W has a device region W1 in which the device D is arranged and a surplus region W2 surrounding the device region W1 on the surface Wa. The wafer W has a circular recess W3 formed in a region corresponding to the device region W1 on the back surface Wb, and a convex annular reinforcing portion W4 surrounding the circular recess W3 of the wafer W. In the wafer W, a metal film W5 is formed on the back surface Wb at least on the surface of the circular recess W3. In the wafer W, the device D in the device region W1 and the metal film W5 are conductive. The metal film W5 may be formed on the entire back surface Wb of the wafer W, for example.
図４に示す一例では、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３は、直径Ｗｄとなっている。円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄは、環状補強部Ｗ４の内径である。例えば、環状補強部Ｗ４を有するウエーハＷは、顧客のウエーハＷの状況、デバイスＤの領域の広さ等により、環状補強部Ｗ４の太さを変更可能となっている。例えば、ウエーハＷの直径が３００ｍｍの場合、円形凹部Ｗ３は、約２９４〜２８０ｍｍの直径Ｗｄで形成することができる。図５に示す一例では、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３は、直径Ｗｄ’となっている。直径Ｗｄ’は、直径Ｗｄに長さαを加算した値となっている。長さαは、例えば、１〜３ｍｍを含む。本実施形態に係るウエーハＷは、円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄが変更可能となっている。このため、本実施形態に係るプロービング装置１は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の径が異なっても、該ウエーハＷをチャックテーブル１０によって全面的に支持することを目的としている。 In the example shown in FIG. 4, the circular recess W3 of the wafer W has a diameter Wd. The diameter Wd of the circular recess W3 is the inner diameter of the annular reinforcing portion W4. For example, in the wafer W having the annular reinforcing portion W4, the thickness of the annular reinforcing portion W4 can be changed depending on the condition of the wafer W of the customer, the size of the area of the device D, and the like. For example, when the diameter of the wafer W is 300 mm, the circular recess W3 can be formed with a diameter Wd of about 294 to 280 mm. In the example shown in FIG. 5, the circular recess W3 of the wafer W has a diameter Wd'. The diameter Wd'is a value obtained by adding the length α to the diameter Wd. The length α includes, for example, 1 to 3 mm. In the wafer W according to the present embodiment, the diameter Wd of the circular recess W3 can be changed. Therefore, the probing device 1 according to the present embodiment is intended to fully support the wafer W by the chuck table 10 even if the diameter of the circular recess W3 of the wafer W is different.
次に、図１、図６及び図７を用いて、プロービング装置１について説明する。なお、図６及び図７では、ウエーハＷの金属膜Ｗ５を省略しているが、ウエーハＷは、上述した金属膜Ｗ５を有している。 Next, the probing device 1 will be described with reference to FIGS. 1, 6 and 7. Although the metal film W5 of the wafer W is omitted in FIGS. 6 and 7, the wafer W has the metal film W5 described above.
プロービング装置１は、チャックテーブル１０と、プローブ２０と、制御ユニット３０と、を備える。プロービング装置１は、チャックテーブル１０とプローブ２０とは、相対的な移動が可能な構成となっている。本実施形態では、プロービング装置１は、チャックテーブル１０が水平方向と平行なＸ軸方向とＹ軸方向との双方に移動自在に設けられ、Ｚ軸方向と平行な軸心回りに回転自在に設けられている。プローブ２０と制御ユニット３０とは、電気的に接続されている。チャックテーブル１０と制御ユニット３０とは、電気的に接続されている。
The probing device 1 includes a chuck table 10, a
チャックテーブル１０は、表面Ｗａが露出した状態でウエーハＷを保持する。チャックテーブル１０は、例えば、加工時、検査時等にウエーハＷを固定する部材である。チャックテーブル１０は、ベース部１１と、円柱部１２と、電極層１３と、を備える。例えば、ベース部１１と円柱部１２とは、一体のハット状（帽子状）に、金属部材等によって形成されている。
The chuck table 10 holds the wafer W in a state where the surface Wa is exposed. The chuck table 10 is a member for fixing the wafer W at the time of processing, inspection, etc., for example. The chuck table 10 includes a
ベース部１１は、円形の板状に形成されている。円柱部１２は、円柱状に形成されている。円柱部１２は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３と嵌合することで、円形凹部Ｗ３を全面的に支持する。本実施形態では、円柱部１２の軸方向の高さは、円形凹部Ｗ３の深さと同一になっている。なお、円柱部１２の軸方向の高さは、円形凹部Ｗ３の深さより大きくしてもよい。
The
円柱部１２は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３以下の直径を有する支持面１２ａを備える。支持面１２ａは、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３に対面して円形凹部Ｗ３を支持する。支持面１２ａは、円柱部１２の軸方向の上端に形成されている。支持面１２ａは、水平面に対して平行に形成され、平坦に形成されている。
The
電極層１３は、円柱部１２の支持面１２ａを覆うように形成されている。電極層１３は、例えば、円柱部１２の支持面１２ａに導電性部材が積層されることで、円柱部１２の支持面１２ａを覆っている。電極層１３は、金属膜Ｗ５と接触する円柱部１２の支持面１２ａの部分に積層されている。電極層１３は、制御ユニット３０の検出部３１と電気的に接続されている。本実施形態では、電極層１３は、円柱部１２の側面を含む表面全体を覆うように形成されている。さらに、電極層１３は、ベース部１１の表面の一部を覆うように形成されている。電極層１３は、円柱部１２を囲繞するように、ウエーハＷと接触するベース部１１の表面部分に形成されている。
The
チャックテーブル１０は、図６に示すように、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄ’と円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃが許容値を超えている際に用いられ、該差Ｃが許容値以下の際には用いられない調整リング１４をさらに備える。許容値は、任意の閾値が設定される。許容値は、例えば、円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄが３００ｍｍのウエーハＷの場合、２ｍｍ以上等の値が設定される。調整リング１４は、ウエーハＷの環状補強部Ｗ４と円柱部１２との間に隙間が生じる際に、該隙間に配置される部材である。換言すると、調整リング１４は、ウエーハＷの環状補強部Ｗ４と円柱部１２との間に生じる隙間を埋める部材である。
As shown in FIG. 6, the chuck table 10 is used when the difference C between the diameter Wd'of the circular recess W3 of the wafer W and the
調整リング１４は、例えば、金属部材、合成樹脂、弾性部材等によってリング状に形成されている。調整リング１４は、円柱部１２に着脱可能に装着される。調整リング１４は、チャックテーブル１０の円柱部１２が嵌合する開口１４ａを有する。本実施形態では、調整リング１４の開口１４ａの内径は、円柱部１２の直径１２ｄと略同一になっている。調整リング１４の径方向の幅は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄと円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃに応じた長さとなっている。調整リング１４の径方向の幅は、ウエーハＷの環状補強部Ｗ４と円柱部１２との間に生じた隙間を埋める長さとなっている。調整リング１４は、円柱部１２に装着されると、径方向の幅によって円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄを調整する。例えば、調整リング１４の幅が２ｍｍである場合、調整リング１４は、円柱部１２に装着されることで、支持面１２ａの直径１２ｄが４ｍｍ大きくなるように調整することができる。また、調整リング１４の軸方向（鉛直方向）の高さは、円柱部１２の高さと同一になっている。これにより、調整リング１４は、円柱部１２に装着された際に、ウエーハＷを支持する表面が円柱部１２の支持面１２ａと連続した支持面になる。
The adjusting
調整リング１４は、ウエーハＷを支持する表面に電極層１５が形成されている。電極層１５は、例えば、電極となる導電性材料が調整リング１４の表面に積層されることで、調整リング１４の表面に形成される。本実施形態では、電極層１５は、円柱部１２の電極層１３と電気的に接続するように、調整リング１４の表面全体を覆うように形成されている。これにより、調整リング１４は、チャックテーブル１０の円柱部１２に装着されると、電極層１５が円柱部１２の電極層１３と電気的に接続される。そして、調整リング１４は、チャックテーブル１０の円柱部１２の支持面１２ａにウエーハＷが載置されると、電極層１５がウエーハＷの金属膜Ｗ５と接触して電気的に接続される。
An
本実施形態では、チャックテーブル１０は、調整リング１４の開口１４ａの内径が同一で、径方向の幅が異なる複数種類の調整リング１４を、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄの種類に対応するように用意している。例えば、直径が３００ｍｍのウエーハＷにおいて、円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄの許容範囲が２９４〜２８０ｍｍの場合、チャックテーブル１０は、１．５〜３ｍｍの範囲で幅が異なる複数の調整リング１４が用意される。チャックテーブル１０は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄ’と円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃと同等の幅の調整リング１４が複数種類の調整リング１４から選択され、選択された調整リング１４が円柱部１２に装着される。
In the present embodiment, the chuck table 10 has a plurality of types of adjustment rings 14 having the same inner diameter of the
チャックテーブル１０は、図６及び図７に示すように、吸引経路４１を有している。吸引経路４１は、吸引源４０に接続されている。チャックテーブル１０は、吸引経路４１を介して吸引源４０に接続されている。吸引経路４１は、ウエーハＷの環状補強部Ｗ４が当接するチャックテーブル１０のベース部１１の部分で吸引するように、チャックテーブル１０に設けられている。図７に示す一例では、チャックテーブル１０は、調整リング１４が円柱部１２に装着された状態で、ウエーハＷが円柱部１２に装着されている。この場合、チャックテーブル１０は、ベース部１１に接触したウエーハＷの環状補強部Ｗ４及び調整リング１４を吸引源４０によって吸引することで、ウエーハＷを保持している。
The chuck table 10 has a
図１に戻り、プローブ２０は、ウエーハＷのデバイスＤに当接可能な端子２１を有する。端子２１は、導電性の金属部材によって形成されている。端子２１は、二つで一組となるように配置され、一組の二つの端子２１が、デバイスＤの一対の電極に当接可能である。なお、プローブ２０は、端子２１が３つ以上あってもよい。また、ウエーハＷは、分割予定ラインＬ上に特性評価用金属素子が形成されていることがある。この場合、端子２１は、当該特性評価用金属素子に当接される。プローブ２０は、制御ユニット３０の制御によって端子２１に電源からの電力を供給する。
Returning to FIG. 1, the
制御ユニット３０は、プロービング装置１の動作を統括的に制御するコンピュータである。制御ユニット３０は、画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが検査内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットとに接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。 The control unit 30 is a computer that comprehensively controls the operation of the probing device 1. The control unit 30 is connected to a display unit (not shown) composed of a liquid crystal display device or the like for displaying an image or the like, and an input unit (not shown) used when the operator registers inspection content information or the like. The input unit is composed of at least one of a touch panel provided on the display unit and an external input device such as a keyboard.
制御ユニット３０は、プローブ２０の端子２１を、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷのデバイスＤに当接された端子２１に電力を供給した結果に基づいて、デバイスＤの電気特性をテスト（試験）する機能を有する。制御ユニット３０は、端子２１への電力の供給に応じた電気特性を、チャックテーブル１０の電極層１３を介して検出する検出部３１を備える。検出部３１は、チャックテーブル１０の電極層１３と電気的に接続されている。制御ユニット３０は、検出部３１によって検出した電気特性に基づいて、ウエーハＷのデバイスＤをテストする。制御ユニット３０は、テスト結果に基づいて、デバイスＤの良否を判定する。
The control unit 30 tests (tests) the electrical characteristics of the device D based on the result of supplying electric power to the terminal 21 of the
以上、本実施形態に係るプロービング装置１のチャックテーブル１０の構成例について説明した。なお、図１、図６及び図７を用いて説明した上記の構成はあくまで一例であり、本実施形態に係るプロービング装置１のチャックテーブル１０の構成は係る例に限定されない。本実施形態に係るチャックテーブル１０の機能構成は、仕様や運用に応じて柔軟に変形可能である。 The configuration example of the chuck table 10 of the probing device 1 according to the present embodiment has been described above. The above configuration described with reference to FIGS. 1, 6 and 7 is merely an example, and the configuration of the chuck table 10 of the probing apparatus 1 according to the present embodiment is not limited to such an example. The functional configuration of the chuck table 10 according to the present embodiment can be flexibly modified according to specifications and operations.
（デバイス検査方法）
デバイス検査方法は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを検査する方法である。デバイス検査方法は、図８に示しように、ウエーハ準備ステップＳＴ１と、調整リング判定ステップＳＴ２と、装着ステップＳＴ３と、保持ステップＳＴ４と、給電ステップＳＴ５と、テストステップＳＴ６と、を備える。
(Device inspection method)
The device inspection method is a method of inspecting the wafer W held on the chuck table 10. As shown in FIG. 8, the device inspection method includes a wafer preparation step ST1, an adjustment ring determination step ST2, a mounting step ST3, a holding step ST4, a feeding step ST5, and a test step ST6.
ウエーハ準備ステップＳＴ１は、チャックテーブル１０に用いるウエーハＷを準備するステップである。例えば、ウエーハ準備ステップＳＴ１は、チャックテーブル１０の円柱部１２に装着するウエーハＷの直径Ｗｄ等の情報を取得し、制御ユニット３０によって実施する検査の準備を行う。ウエーハＷの直径Ｗｄ等の情報は、例えば、ウエーハＷの製品情報として取得してもよいし、実際に計測して取得してもよい。制御ユニット３０は、検査内容情報を登録することにより、プローブ２０の検査動作の準備を行う。デバイス検査方法は、ウエーハ準備ステップＳＴ１が終了すると、調整リング判定ステップＳＴ２に進む。
The wafer preparation step ST1 is a step of preparing a wafer W to be used for the chuck table 10. For example, the wafer preparation step ST1 acquires information such as the diameter Wd of the wafer W mounted on the
調整リング判定ステップＳＴ２は、調整リング１４がチャックテーブル１０に必要であるか否かを判定するステップである。調整リング判定ステップＳＴ２では、例えば、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄと円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃが許容値を超えていると、制御ユニット３０は、調整リング１４が必要であると判定する。例えば、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄと円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃが許容値以下であると、制御ユニット３０は、調整リング１４が必要ではない、すなわち不要であると判定する。デバイス検査方法は、調整リング１４が必要であると判定した場合（調整リング判定ステップＳＴ２で必要）、装着ステップＳＴ３に進む。
The adjustment ring determination step ST2 is a step of determining whether or not the
装着ステップＳＴ３は、調整リング１４をチャックテーブル１０に装着するステップである。装着ステップＳＴ３では、制御ユニット３０等は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄと円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃに対応した調整リング１４を選択する。そして、装着ステップＳＴ３では、例えば、機械、オペレータ等によって調整リング１４の開口１４ａにチャックテーブル１０の円柱部１２を嵌合させるように、調整リング１４がチャックテーブル１０に装着される。デバイス検査方法は、装着ステップＳＴ３が終了すると、保持ステップＳＴ４に進む。
The mounting step ST3 is a step of mounting the adjusting
保持ステップＳＴ４は、ウエーハＷをチャックテーブル１０の円柱部１２の支持面１２ａに載置する。例えば、ウエーハＷがと調整リング１４を備えている場合、図７に示したように、ウエーハＷは、円形凹部Ｗ３と調整リング１４とが接触した状態で円柱部１２に載置される。この場合、チャックテーブル１０は、円柱部１２とウエーハＷの環状補強部Ｗ４との間に調整リング１４が介在し、調整リング１４がウエーハＷのデバイス領域Ｗ１の縁部を支持する。その後、保持ステップＳＴ４では、制御ユニット３０がオペレータからの検査動作の開始指示を受け付けると、吸引源４０を駆動させることで、ウエーハＷ及び調整リング１４をチャックテーブル１０のベース部１１に吸引保持する。これにより、チャックテーブル１０は、図６に示したように、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄ’と円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃが生じていても、円形凹部Ｗ３の外周に支持されない領域が発生することを調整リング１４によって防止している。換言すると、チャックテーブル１０は、円形凹部Ｗ３の外周側と円柱部１２との間に調整リング１４が介在するので、ウエーハＷと円柱部１２との間に中空の領域が発生することなく、円柱部１２でウエーハＷを保持している。デバイス検査方法は、保持ステップＳＴ４が終了すると、給電ステップＳＴ５に進む。
In the holding step ST4, the wafer W is placed on the
給電ステップＳＴ５は、プローブ２０の端子２１をチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷのデバイスＤに対して接触させて給電するステップである。給電ステップＳＴ５では、制御ユニット３０は、プローブ２０の端子２１をチャックテーブル１０のウエーハＷの検査位置に接触させ、端子２１を介してデバイスＤに給電する。この場合、制御ユニット３０は、プローブ２０の端子２１でウエーハＷを押圧することになる。本実施形態に係るチャックテーブル１０は、保持しているウエーハＷと円柱部１２との間に生じる中空の領域を調整リング１４が塞いでいるため、プローブ２０の端子２１によってウエーハＷが押圧されても、デバイスＤが破損することはない。
The power feeding step ST5 is a step in which the terminal 21 of the
給電ステップＳＴ５では、プロービング装置１は、プローブ２０の端子２１に電力を給電した状態で、該端子２１をデバイスＤに当接させる。すると、デバイスＤが良品の場合、制御ユニット３０は、チャックテーブル１０の電極層１３を介して導通することを検出部３１によって検出する。デバイスＤが不良品の場合、制御ユニット３０は、チャックテーブル１０の電極層１３を介して導通することを検出部３１によって検出できない。デバイス検査方法は、給電ステップＳＴ５が終了すると、テストステップＳＴ６に進む。
In the power feeding step ST5, the probing device 1 brings the terminal 21 into contact with the device D while supplying power to the terminal 21 of the
テストステップＳＴ６は、ウエーハＷのデバイスＤの電気特性をテストするステップである。テストステップＳＴ６では、制御ユニット３０は、チャックテーブル１０の電極層１３からの入力結果に基づいてデバイスＤの電気特性を検出し、検出した電気特性を記録する。制御ユニット３０は、デバイスＤの電気特性のテストが終了すると、プローブ２０への給電を終了し、プローブ２０をチャックテーブル１０から離れた所定の位置に移動させる。デバイス検査方法は、テストステップＳＴ６が終了すると、図８に示す処理手順を終了させる。
The test step ST6 is a step of testing the electrical characteristics of the device D of the wafer W. In the test step ST6, the control unit 30 detects the electrical characteristics of the device D based on the input result from the
また、デバイス検査方法は、調整リング１４が必要ではないと判定した場合（調整リング判定ステップＳＴ２で不要）、上述した装着ステップＳＴ３を実行することなく、上述した保持ステップＳＴ４に進む。
Further, in the device inspection method, when it is determined that the
保持ステップＳＴ４は、図１に示したように、ウエーハＷをチャックテーブル１０の円柱部１２の支持面１２ａに載置する。その後、保持ステップＳＴ４では、制御ユニット３０がオペレータからの検査動作の開始指示を受け付けると、上述した吸引源４０を駆動させることで、ウエーハＷをチャックテーブル１０のベース部１１に吸引保持する。これにより、チャックテーブル１０は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３が円柱部１２と直に接触した状態で、ウエーハＷを保持している。デバイス検査方法は、保持ステップＳＴ４が終了すると、上述した給電ステップＳＴ５に進む。
In the holding step ST4, as shown in FIG. 1, the wafer W is placed on the
給電ステップＳＴ５では、制御ユニット３０は、プローブ２０の端子２１をチャックテーブル１０のウエーハＷの検査位置に接触させ、端子２１を介してデバイスＤに給電する。この場合、制御ユニット３０は、プローブ２０の端子２１でウエーハＷを押圧することになる。本実施形態に係るチャックテーブル１０は、保持しているウエーハＷと円柱部１２との間に中空の領域が存在しないため、プローブ２０の端子２１によってウエーハＷが押圧されても、デバイスＤが破損することはない。そして、給電ステップＳＴ５では、プロービング装置１は、プローブ２０の端子２１に電力を給電した状態で、該端子２１をデバイスＤに当接させる。デバイス検査方法は、給電ステップＳＴ５が終了すると、上述したテストステップＳＴ６に進む。
In the power feeding step ST5, the control unit 30 brings the terminal 21 of the
テストステップＳＴ６では、制御ユニット３０は、チャックテーブル１０の電極層１３からの入力結果に基づいてデバイスＤの電気特性を検出し、検出した電気特性を記録する。制御ユニット３０は、デバイスＤの電気特性のテストが終了すると、プローブ２０への給電を終了し、プローブ２０をチャックテーブル１０から離れた所定の位置に移動させる。デバイス検査方法は、テストステップＳＴ６が終了すると、図８に示す処理手順を終了させる。
In the test step ST6, the control unit 30 detects the electrical characteristics of the device D based on the input result from the
以上説明したように、実施形態に係るチャックテーブル１０は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径Ｗｄと円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄとの差Ｃが許容値を超えている際に、調整リング１４によって支持面１２ａの直径１２ｄを調整することができる。これにより、チャックテーブル１０は、ウエーハＷの円形凹部Ｗ３の径が異なっても、該ウエーハＷを全面的に支持することができる。その結果は、チャックテーブル１０は、円形凹部Ｗ３の直径が異なるウエーハＷを保持している状態で、該ウエーハＷの表面が押圧されても、ウエーハＷを破損させないという効果を奏する。また、チャックテーブル１０は、円形凹部Ｗ３の直径が異なる複数種類のウエーハＷを保持することができるので、コストの高騰、管理を複雑化することなく、装置の共通化に貢献することができる。さらに、チャックテーブル１０は、調整リング１４を用いることで、環状補強部Ｗ４の形状が異なるウエーハＷを保持できるので、様々な形状の環状補強部Ｗ４によってウエーハＷの変形を抑制することに貢献することができる。
As described above, the chuck table 10 according to the embodiment is adjusted when the difference C between the diameter Wd of the circular recess W3 of the wafer W and the
チャックテーブル１０は、円柱部１２の支持面１２ａには電極層１３、調整リング１４のウエーハＷを支持する表面には電極層１５がそれぞれ積層されている。これにより、チャックテーブル１０は、円柱部１２の支持面１２ａの直径１２ｄを調整リング１４で調整しても、円柱部１２に載置されたウエーハＷと支持面１２ａ及び調整リング１４とを電気的に接続することができる。その結果、チャックテーブル１０は、環状補強部Ｗ４を有するウエーハＷをテストするプロービング装置１に用いても、円柱部１２がウエーハＷの円形凹部Ｗ３の直径に係わらず、ウエーハＷをプローブ２０等で押圧しても、ウエーハＷを破損させないという効果を奏する。また、チャックテーブル１０は、調整リング１４を用いている場合、該調整リング１４がウエーハＷの円形凹部Ｗ３の外周を支持するので、ウエーハＷのデバイス領域Ｗ１の環状補強部Ｗ４寄りが押圧されても、デバイスＤが破損することを防止できる。そして、プロービング装置１は、１つのチャックテーブル１０によって複数種類のウエーハＷを処理することができるので、システムの簡単化を図ることができる。
In the chuck table 10, the
上述した実施形態では、チャックテーブル１０は、調整リング１４の軸方向の高さと円柱部１２の高さとを同一にする場合について説明したが、これに限定されない。例えば、調整リング１４は、軸方向の高さを円柱部１２の高さよりも小さくしてもよい。この場合、調整リング１４は、チャックテーブル１０とウエーハＷの環状補強部Ｗ４との間の空間を部分的に塞ぐことができるので、チャックテーブル１０が保持しているウエーハＷの表面が押圧されても、ウエーハＷを破損させない。
In the above-described embodiment, the chuck table 10 has described the case where the height of the adjusting
上述した実施形態では、チャックテーブル１０は、環状の調整リング１４を用いる場合について説明したが、これに限定されない。例えば、調整リング１４は、複数のパーツに分解され、ベース部１１に配置された場合に環状となる構成としてもよい。例えば、調整リング１４は、チャックテーブル１０の円柱部１２とウエーハＷとの間を部分的に塞ぐ複数のセグメントと、セグメント同士を連結する連結部と、を有する環状の構成としてもよい。
In the above-described embodiment, the case where the chuck table 10 uses the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.
１ プロービング装置（処理装置）
１０ チャックテーブル
１１ ベース部
１２ 円柱部
１２ａ 支持面
１２ｄ 円柱部の直径
１３ 電極層
１４ 調整リング
１４ａ 開口
１５ 電極層
２０ プローブ
２１ 端子
３０ 制御ユニット
３１ 検出部
Ｗ ウエーハ
Ｗ１ デバイス領域
Ｗ２ 余剰領域
Ｗ３ 円形凹部
Ｗ４ 環状補強部
Ｗａ 表面
Ｗｂ 裏面
Ｗｄ 円形凹部の直径
1 Probing device (processing device)
10 Chuck table 11
Claims (2)
ウエーハの該円形凹部を支持し、該円形凹部以下の直径を有する支持面を備える円柱部と、
該円形凹部の直径と該支持面との直径の差が許容値を超えている際に用い、該円柱部が嵌合する開口を有し、該支持面の直径が調整される調整リングと、
を備えることを特徴とする処理装置のチャックテーブル。 A chuck table of a processing device that holds a wafer having a circular recess formed on the back surface corresponding to a device region on the front surface and an annular reinforcing portion surrounding the circular recess in an exposed state.
A cylindrical portion that supports the circular recess of the wafer and has a support surface having a diameter equal to or smaller than that of the circular recess.
An adjustment ring that is used when the difference between the diameter of the circular recess and the diameter of the support surface exceeds an allowable value, has an opening into which the columnar portion fits, and adjusts the diameter of the support surface.
A chuck table of a processing apparatus, which comprises.
Priority Applications (1)
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2019
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