JP2021002691A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The disclosed embodiments relate to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
従来、基板処理装置において、リン酸処理液に基板を浸漬することで、基板上に形成されたシリコン窒化膜(SiN)とシリコン酸化膜(SiO2)のうち、シリコン窒化膜を選択的にエッチングするエッチング処理を行うことが知られている(特許文献1参照)。 Conventionally, in a substrate processing apparatus, by immersing a substrate in a phosphoric acid treatment liquid, a silicon nitride film is selectively etched out of a silicon nitride film (SiN) and a silicon oxide film (SiO2) formed on the substrate. It is known to perform etching treatment (see Patent Document 1).
上記エッチング処理においては、リン酸処理液のシリコン濃度が高くなると、シリコン窒化膜をエッチングする選択性が向上することが知られている。一方、リン酸処理液のシリコン濃度が高過ぎると、シリコン酸化膜上にシリコン酸化物(SiO2)が析出することが知られている。 In the above etching treatment, it is known that the higher the silicon concentration of the phosphoric acid treatment liquid, the better the selectivity for etching the silicon nitride film. On the other hand, it is known that if the silicon concentration of the phosphoric acid treatment liquid is too high, silicon oxide (SiO2) is deposited on the silicon oxide film.
そのため、上記基板処理装置では、リン酸処理液のシリコン濃度が一定の範囲内となるように調整されている。 Therefore, in the substrate processing apparatus, the silicon concentration of the phosphoric acid treatment liquid is adjusted to be within a certain range.
しかしながら、上記基板処理装置においては、シリコン窒化膜をエッチングする選択性を向上させつつ、シリコン酸化物の析出を抑制する点で改善の余地がある。 However, in the above-mentioned substrate processing apparatus, there is room for improvement in suppressing the precipitation of silicon oxide while improving the selectivity for etching the silicon nitride film.
実施形態の一態様は、シリコン窒化膜をエッチングする選択性を向上させつつ、シリコン酸化物の析出を抑制する基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。 One aspect of the embodiment is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that suppress the precipitation of silicon oxide while improving the selectivity for etching the silicon nitride film.
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、基板処理槽と、リン酸処理液供給部と、SiO2析出防止剤供給部と、混合部と、温調タンクとを備える。リン酸処理液供給部は、基板処理槽におけるエッチング処理で使用されるリン酸処理液を供給する。SiO2析出防止剤供給部は、SiO2析出防止剤を供給する。混合部は、リン酸処理液にSiO2析出防止剤を混合する。温調タンクは、リン酸処理液供給部に接続する。リン酸処理液供給部は、リン酸処理液を温調タンクに送液するリン酸処理液供給ラインを有する。SiO2析出防止剤供給部は、SiO2析出防止剤供給ラインを有する。リン酸処理液供給ラインとSiO2析出防止剤供給ラインとは、混合部を介して接続される。混合部により常温のリン酸処理液にSiO2析出防止剤が混合される。SiO2析出防止剤が混合されたリン酸処理液は、温調タンクにより温調され、その後、基板処理槽に供給される。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the embodiment includes a substrate processing tank, a phosphoric acid treatment liquid supply unit, a SiO2 precipitation inhibitor supply unit, a mixing unit, and a temperature control tank. The phosphoric acid treatment liquid supply unit supplies the phosphoric acid treatment liquid used in the etching treatment in the substrate treatment tank. The SiO2 precipitation inhibitor supply unit supplies the SiO2 precipitation inhibitor. In the mixing section, a SiO2 precipitation inhibitor is mixed with the phosphoric acid treatment liquid. The temperature control tank is connected to the phosphoric acid treatment liquid supply unit. The phosphoric acid treatment liquid supply unit has a phosphoric acid treatment liquid supply line that feeds the phosphoric acid treatment liquid to the temperature control tank. The SiO2 precipitation inhibitor supply unit has a SiO2 precipitation inhibitor supply line. The phosphoric acid treatment liquid supply line and the SiO2 precipitation inhibitor supply line are connected via a mixing section. The mixing section mixes the SiO2 precipitation inhibitor with the phosphoric acid treatment solution at room temperature. The phosphoric acid treatment liquid mixed with the SiO2 precipitation inhibitor is temperature-controlled by the temperature control tank, and then supplied to the substrate treatment tank.
実施形態の一態様によれば、シリコン窒化膜をエッチングする選択性を向上させつつ、シリコン酸化物の析出を抑制することができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to suppress the precipitation of silicon oxide while improving the selectivity for etching the silicon nitride film.
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate processing method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments shown below.
(第1実施形態)
図1に示すように、第1実施形態に係る基板処理装置1は、キャリア搬入出部2と、ロット形成部3と、ロット載置部4と、ロット搬送部5と、ロット処理部6と、制御部100とを有する。図1は、基板処理装置1の概略平面図である。ここでは、水平方向に直交する方向を上下方向として説明する。
(First Embodiment)
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a carrier loading / unloading section 2, a lot forming section 3, a lot loading section 4, a lot transport section 5, and a
キャリア搬入出部2は、複数枚(例えば、25枚)の基板(シリコンウエハ)8を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア9の搬入、および搬出を行う。 The carrier loading / unloading section 2 carries in and out the carrier 9 in which a plurality of (for example, 25) substrates (silicon wafers) 8 are vertically arranged and housed in a horizontal posture.
キャリア搬入出部2には、複数個のキャリア9を載置するキャリアステージ10と、キャリア9の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア9を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア9を載置するキャリア載置台14とが設けられている。
The carrier loading / unloading section 2 includes a
キャリア搬入出部2は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア9を、キャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12や、キャリア載置台14に搬送する。すなわち、キャリア搬入出部2は、ロット処理部6で処理する前の複数枚の基板8を収容するキャリア9を、キャリアストック12や、キャリア載置台14に搬送する。
The carrier loading / unloading section 2 transports the carrier 9 carried into the
キャリアストック12は、ロット処理部6で処理する前の複数枚の基板8を収容するキャリア9を、一時的に保管する。
The
キャリア載置台14に搬送され、ロット処理部6で処理する前の複数枚の基板8を収容するキャリア9からは、後述する基板搬送機構15によって複数枚の基板8が搬出される。
The plurality of
また、キャリア載置台14に載置され、基板8を収容していないキャリア9には、基板搬送機構15から、ロット処理部6で処理した後の複数枚の基板8が搬入される。
Further, a plurality of
キャリア搬入出部2は、キャリア載置台14に載置され、ロット処理部6で処理した後の複数枚の基板8を収容するキャリア9を、キャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13や、キャリアステージ10に搬送する。
The carrier loading / unloading section 2 is mounted on a carrier mounting table 14, and a carrier 9 for accommodating a plurality of
キャリアストック13は、ロット処理部6で処理した後の複数枚の基板8を一時的に保管する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア9は、外部へ搬出される。
The
ロット形成部3には、複数枚(例えば、25枚)の基板8を搬送する基板搬送機構15が設けられている。ロット形成部3は、基板搬送機構15による複数枚(例えば、25枚)の基板8の搬送を2回行い、複数枚(例えば、50枚)の基板8からなるロットを形成する。
The lot forming unit 3 is provided with a
ロット形成部3は、基板搬送機構15を用いて、キャリア載置台14に載置されたキャリア9からロット載置部4へ複数枚の基板8を搬送し、複数枚の基板8をロット載置部4に載置することで、ロットを形成する。
The lot forming unit 3 uses the
ロットを形成する複数枚の基板8は、ロット処理部6によって同時に処理される。ロットを形成するときは、複数枚の基板8の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、複数枚の基板8の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。
The plurality of
また、ロット形成部3は、ロット処理部6で処理が行われ、ロット載置部4に載置されたロットから、基板搬送機構15を用いて複数枚の基板8をキャリア9へ搬送する。
Further, the lot forming unit 3 is processed by the
基板搬送機構15は、複数枚の基板8を支持するための基板支持部として、処理前の複数枚の基板8を支持する処理前基板支持部(不図示)と、処理後の複数枚の基板8を支持する処理後基板支持部(不図示)の2種類を有している。これにより、処理前の複数枚の基板8等に付着したパーティクル等が処理後の複数枚の基板8等に転着することを防止することができる。
The
基板搬送機構15は、複数枚の基板8の搬送途中で、複数枚の基板8の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢、および垂直姿勢から水平姿勢に変更する。
The
ロット載置部4は、ロット搬送部5によってロット形成部3とロット処理部6との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置(待機)する。
The lot loading unit 4 temporarily places (stands by) the lot transferred between the lot forming unit 3 and the
ロット載置部4には、搬入側ロット載置台17と、搬出側ロット載置台18とが設けられている。 The lot loading unit 4 is provided with a loading-side lot loading table 17 and a loading-side lot loading table 18.
搬入側ロット載置台17には、処理前のロットが載置される。搬出側ロット載置台18には、処理後のロットが載置される。 The lot before processing is placed on the carry-in side lot loading table 17. The processed lot is placed on the carry-out side lot loading table 18.
搬入側ロット載置台17、および搬出側ロット載置台18には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
A plurality of
ロット搬送部5は、ロット載置部4とロット処理部6との間や、ロット処理部6の内部間でロットの搬送を行う。
The lot transfer unit 5 transfers lots between the lot loading unit 4 and the
ロット搬送部5には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部4とロット処理部6とに沿わせて配置したレール20と、ロットを保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とを有する。
The lot transport unit 5 is provided with a
移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8で形成されるロットを保持する基板保持体22が設けられている。
The moving
ロット搬送部5は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、受取ったロットをロット処理部6に受け渡す。
The lot transfer unit 5 receives the lot placed on the carry-in side lot loading table 17 by the
また、ロット搬送部5は、ロット処理部6で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、受取ったロットを搬出側ロット載置台18に受け渡す。
Further, the lot transfer unit 5 receives the lot processed by the
さらに、ロット搬送部5は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部6の内部においてロットの搬送を行う。
Further, the lot transfer unit 5 transfers the lot inside the
ロット処理部6は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8で形成されたロットにエッチングや、洗浄や、乾燥などの処理を行う。
The
ロット処理部6には、ロットにエッチング処理を行う2台のエッチング処理装置23と、ロットの洗浄処理を行う洗浄処理装置24と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置25と、ロットの乾燥処理を行う乾燥処理装置26とが並べて設けられている。なお、エッチング処理装置23の台数は、2台に限られることはなく、1台でもよく、3台以上であってもよい。
The
エッチング処理装置23は、エッチング用の処理槽27と、リンス用の処理槽28と、基板昇降機構29,30とを有する。
The
エッチング用の処理槽27には、エッチング用の処理液(以下、「エッチング液」という。)が貯留される。リンス用の処理槽28には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。なお、エッチング用の処理槽27の詳細については後述する。
The
基板昇降機構29,30には、ロットを形成する複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
A plurality of
エッチング処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構29で受取り、受取ったロットを基板昇降機構29で降下させることでロットを処理槽27のエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行う。
The
その後、エッチング処理装置23は、基板昇降機構29を上昇させることでロットを処理槽27から取り出し、基板昇降機構29からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。
After that, the
そして、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構30で受取り、受取ったロットを基板昇降機構30で降下させることでロットを処理槽28のリンス用の処理液に浸漬させてリンス処理を行う。
Then, the lot is received from the
その後、エッチング処理装置23は、基板昇降機構30を上昇させることでロットを処理槽28から取り出し、基板昇降機構30からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。
After that, the
洗浄処理装置24は、洗浄用の処理槽31と、リンス用の処理槽32と、基板昇降機構33,34とを有する。
The
洗浄用の処理槽31には、洗浄用の処理液(SC−1等)が貯留される。リンス用の処理槽32には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。基板昇降機構33,34には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
A cleaning treatment liquid (SC-1, etc.) is stored in the cleaning
乾燥処理装置26は、処理槽35と、処理槽35に対して昇降する基板昇降機構36とを有する。
The drying
処理槽35には、乾燥用の処理ガス(IPA(イソプロピルアルコール)等)が供給される。基板昇降機構36には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。
A processing gas for drying (IPA (isopropyl alcohol) or the like) is supplied to the
乾燥処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、受取ったロットを基板昇降機構36で降下させて処理槽35に搬入し、処理槽35に供給した乾燥用の処理ガスでロットの乾燥処理を行う。そして、乾燥処理装置26は、基板昇降機構36でロットを上昇させ、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22に、乾燥処理を行ったロットを受け渡す。
The drying
基板保持体洗浄処理装置25は、処理槽37を有し、処理槽37に洗浄用の処理液、および乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。
The substrate holder cleaning
制御部100は、基板処理装置1の各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6)の動作を制御する。制御部100は、スイッチなどからの信号に基づいて、基板処理装置1の各部の動作を制御する。
The
制御部100は、例えばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体38を有する。記憶媒体38には、基板処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。
The
制御部100は、記憶媒体38に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置1の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部100の記憶媒体38にインストールされたものであってもよい。
The
コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38としては、例えばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
Examples of the
次に、エッチング用の処理槽27について、図2を参照し説明する。図2は、第1実施形態に係るエッチング用の処理槽27の構成を示す概略ブロック図である。
Next, the
エッチング用の処理槽27では、エッチング液を用いて、基板8上に形成された窒化膜(SiN)と酸化膜(SiO2)のうち、窒化膜のみを選択的にエッチングする。
In the
窒化膜のエッチング処理では、リン酸(H3PO4)水溶液にシリコン(Si)含有化合物を添加してシリコン濃度を調整した溶液が、エッチング液として一般的に用いられる。シリコン濃度の調整手法としては、既存のリン酸水溶液にダミー基板を浸漬させてシリコンを溶解させる方法(シーズニング)や、コロイダルシリカなどのシリコン含有化合物をリン酸水溶液に溶解させる方法がある。また、リン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液を添加してシリコン濃度を調整する方法もある。 In the etching treatment of the nitride film, a solution in which a silicon (Si) -containing compound is added to an aqueous solution of phosphoric acid (H3PO4) to adjust the silicon concentration is generally used as the etching solution. As a method for adjusting the silicon concentration, there are a method of immersing a dummy substrate in an existing aqueous solution of phosphoric acid to dissolve silicon (seasoning) and a method of dissolving a silicon-containing compound such as colloidal silica in the aqueous solution of phosphoric acid. There is also a method of adjusting the silicon concentration by adding an aqueous solution of a silicon-containing compound to the aqueous solution of phosphoric acid.
エッチング処理においては、エッチング液のシリコン濃度を高くすることで、窒化膜のみをエッチングする選択性を向上させることができる。しかし、エッチング処理により窒化膜がエッチング液に溶解し、エッチング液のシリコン濃度が高くなり過ぎると、エッチング液に溶け込んだシリコンがシリコン酸化物として酸化膜上に析出する。 In the etching process, by increasing the silicon concentration of the etching solution, the selectivity for etching only the nitride film can be improved. However, when the nitride film is dissolved in the etching solution by the etching process and the silicon concentration of the etching solution becomes too high, the silicon dissolved in the etching solution is deposited on the oxide film as silicon oxide.
本実施形態では、シリコン酸化物の析出を抑制するために、シリコン含有化合物水溶液を混合したリン酸水溶液にSiO2析出防止剤をさらに混合したエッチング液を用いてエッチング処理を行う。 In the present embodiment, in order to suppress the precipitation of silicon oxide, an etching treatment is performed using an etching solution in which a SiO2 precipitation inhibitor is further mixed with a phosphoric acid aqueous solution mixed with a silicon-containing compound aqueous solution.
SiO2析出防止剤としては、リン酸水溶液に溶解したシリコンイオンを溶解した状態で安定化させ、シリコン酸化物の析出を抑止する成分を含むものであれば良く、例えばフッ素成分を含むヘキサフルオロケイ酸(H2SiF6)水溶液を用いることができる。また、水溶液中のヘキサフルオロケイ酸を安定化させるため、アンモニア等の添加物を含んでも良い。 The SiO2 precipitation inhibitor may be any as long as it contains a component that stabilizes silicon ions dissolved in a phosphoric acid aqueous solution in a dissolved state and suppresses precipitation of silicon oxide. For example, hexafluorosilicic acid containing a fluorine component. An aqueous solution of (H2SiF6) can be used. Further, in order to stabilize hexafluorosilicic acid in the aqueous solution, an additive such as ammonia may be contained.
例えば、SiO2析出防止剤は、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム(NH4)2SiF6や、ヘキサフルオロケイ酸ナトリウム(Na2SiF6)などである。 For example, the SiO2 precipitation inhibitor is ammonium hexafluorosilicate (NH4) 2SiF6, sodium hexafluorosilicate (Na2SiF6), or the like.
エッチング用の処理槽27は、リン酸水溶液供給部40と、リン酸水溶液排出部41と、純水供給部42と、SiO2析出防止剤供給部43と、シリコン供給部44と、内槽45と、外槽46と、温調タンク47とを有する。
The
リン酸水溶液供給部40は、リン酸水溶液供給源40Aと、リン酸水溶液供給ライン40Bと、第1流量調整器40Cとを有する。リン酸水溶液供給部40は、リン酸処理液供給部を構成する。リン酸水溶液供給ライン40Bは、リン酸処理液供給ラインを構成する。
The phosphoric acid aqueous
リン酸水溶液供給源40Aは、リン酸水溶液を貯留するタンクである。リン酸水溶液供給ライン40Bは、リン酸水溶液供給源40Aと温調タンク47とを接続し、リン酸水溶液供給源40Aから温調タンク47にリン酸水溶液を供給する。
The phosphoric acid aqueous
第1流量調整器40Cは、リン酸水溶液供給ライン40Bに設けられ、温調タンク47へ供給されるリン酸水溶液の流量を調整する。第1流量調整器40Cは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
The first
純水供給部42は、純水供給源42Aと、純水供給ライン42Bと、第2流量調整器42Cとを有する。純水供給部42は、エッチング液を加熱することにより蒸発した水分を補給するために外槽46に純水(DIW)を供給する。
The pure
純水供給ライン42Bは、純水供給源42Aと外槽46とを接続し、純水供給源42Aから外槽46に所定温度の純水を供給する。
The pure
第2流量調整器42Cは、純水供給ライン42Bに設けられ、外槽46へ供給される純水の流量を調整する。第2流量調整器42Cは、開閉弁、流量制御弁、流量計などから構成される。
The second
SiO2析出防止剤供給部43は、SiO2析出防止剤供給源43Aと、SiO2析出防止剤供給ライン43Bと、第3流量調整器43Cとを有する。SiO2析出防止剤供給部43は、エッチング処理を行う際にSiO2析出防止剤を外槽46に供給する。また、SiO2析出防止剤供給部43は、エッチング液を加熱することにより蒸発したSiO2析出防止剤を補給するために外槽46にSiO2析出防止剤を供給する。
The SiO2 precipitation
SiO2析出防止剤供給源43Aは、SiO2析出防止剤を貯留するタンクである。SiO2析出防止剤供給ライン43Bは、SiO2析出防止剤供給源43Aと外槽46とを接続し、SiO2析出防止剤供給源43Aから外槽46にSiO2析出防止剤を供給する。
The SiO2 precipitation
第3流量調整器43Cは、SiO2析出防止剤供給ライン43Bに設けられ、外槽46へ供給されるSiO2析出防止剤の流量を調整する。第3流量調整器43Cは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
The third
シリコン供給部44は、シリコン供給源44Aと、シリコン供給ライン44Bと、第4流量調整器44Cとを有する。
The
シリコン供給源44Aは、シリコン含有化合物水溶液を貯留するタンクである。シリコン供給ライン44Bは、シリコン供給源44Aと温調タンク47とを接続し、シリコン供給源44Aから温調タンク47にシリコン含有化合物水溶液を供給する。
The
第4流量調整器44Cは、シリコン供給ライン44Bに設けられ、温調タンク47へ供給されるシリコン含有化合物水溶液の流量を調整する。第4流量調整器44Cは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
The fourth
なお、シリコン含有化合物水溶液は、エッチング液を全て入れ替える際に供給される予備液を生成する場合に供給される。 The silicon-containing compound aqueous solution is supplied when a preliminary liquid to be supplied when all the etching liquids are replaced is generated.
内槽45は、上部が開放され、エッチング液が上部付近まで供給される。内槽45では、基板昇降機構29によってロット(複数枚の基板8)がエッチング液に浸漬され、基板8にエッチング処理が行われる。内槽45は、基板処理槽を構成する。
The upper part of the
外槽46は、内槽45の上部周囲に設けられるとともに上部が開放される。外槽46には、内槽45からオーバーフローしたエッチング液が流入する。また、外槽46には、シリコン含有化合物水溶液が混合されたリン酸水溶液である予備液が温調タンク47から供給される。また、外槽46には、純水供給部42から純水が供給される。また、外槽46には、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤が供給される。外槽46に供給されたSiO2析出防止剤は、外槽46内のエッチング液や、温調タンク47から供給される予備液に混合される。すなわち、SiO2析出防止剤は、外槽46においてリン酸水溶液に混合される。
The
外槽46と内槽45とは第1循環ライン50によって接続される。第1循環ライン50の一端は、外槽46に接続され、第1循環ライン50の他端は、内槽45内に設置された処理液供給ノズル49に接続される。
The
第1循環ライン50には、外槽46側から順に、第1ポンプ51、第1ヒーター52およびフィルタ53が設けられる。外槽46内のエッチング液は第1ヒーター52によって加温されて処理液供給ノズル49から内槽45内に流入する。第1ヒーター52は、内槽45に供給されるエッチング液を、エッチング処理に適した第1所定温度に加温する。
The
第1ポンプ51を駆動させることにより、エッチング液は、外槽46から第1循環ライン50を経て内槽45内に送られる。また、エッチング液は、内槽45からオーバーフローすることで、再び外槽46へと流出する。このようにして、エッチング液の循環路55が形成される。すなわち、循環路55は、外槽46、第1循環ライン50、内槽45によって形成される。循環路55では、内槽45を基準として外槽46が第1ヒーター52よりも上流側に設けられる。
By driving the
温調タンク47では、リン酸水溶液供給部40から供給されたリン酸水溶液と、シリコン供給部44から供給されたシリコン含有化合物水溶液とが混合されて予備液が生成され、予備液が貯留される。すなわち、温調タンク47では、外槽46(循環路55)に供給される前のリン酸水溶液にシリコン含有化合物水溶液が混合される。
In the
温調タンク47には、温調タンク47内の予備液を循環させる第2循環ライン60が接続される。また、温調タンク47には、供給ライン70の一端が接続される。供給ライン70の他端は、外槽46に接続される。温調タンク47は、予備液を貯留する予備タンクである。温調タンク47は、混合部を構成する。
A
第2循環ライン60には、第2ポンプ61および第2ヒーター62が設けられている。第2ヒーター62をONにした状態で第2ポンプ61を駆動させることにより、温調タンク47内の予備液が加温されて循環する。第2ヒーター62は、予備液を、エッチング処理に適した第2所定温度に加温する。なお、第2所定温度は、第1所定温度と同じ温度であってもよく、異なる温度であってもよい。
The
供給ライン70には、第3ポンプ71と、第5流量調整器72とが設けられる。第5流量調整器72は、外槽46へ供給される予備液の流量を調整する。第5流量調整器72は、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。
The
温調タンク47に貯留された予備液は、エッチング液の全部、または一部を入れ替える際に、供給ライン70を介して外槽46に供給される。
The reserve liquid stored in the
リン酸水溶液排出部41は、エッチング処理で使用されたエッチング液の全部、または一部を入れ替える際にエッチング液を排出する。リン酸水溶液排出部41は、排出ライン41Aと、第6流量調整器41Bと、冷却タンク41Cとを有する。
The phosphoric acid aqueous
排出ライン41Aは、第1循環ライン50に接続される。第6流量調整器41Bは、排出ライン41Aに設けられ、排出されるエッチング液の排出量を調整する。第6流量調整器41Bは、開閉弁や、流量制御弁や、流量計などから構成される。冷却タンク41Cは、排出ライン41Aを流れてきたエッチング液を一時的に貯留するとともに冷却する。
The
なお、第1流量調整器40C〜第6流量調整器41Bを構成する開閉弁の開閉や、流量制御弁の開度は、制御部100からの信号に基づいてアクチュエータ(不図示)が動作することで、変更される。すなわち、第1流量調整器40C〜第6流量調整器41Bを構成する開閉弁や、流量制御弁は、制御部100によって制御される。
The actuator (not shown) operates based on the signal from the
次に、第1実施形態に係る基板処理装置1におけるSiO2析出防止剤の供給方法について図3を参照し説明する。図3は、第1実施形態に係るSiO2析出防止剤の供給方法を説明するフローチャートである。なお、ここでは、温調タンク47において、シリコン含有水溶液がリン酸水溶液に混合され、予備液として貯留されているものとする。
Next, a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart illustrating a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor according to the first embodiment. Here, it is assumed that the silicon-containing aqueous solution is mixed with the phosphoric acid aqueous solution and stored as a reserve liquid in the
基板処理装置1は、第1タイミングであるか否かを判定する(S10)。第1タイミングは、予め設定されたタイミングであり、エッチング処理中に、リン酸水溶液排出部41によってエッチング液の一部が排出され、温調タンク47から予備液を外槽46に供給するタイミングである。基板処理装置1は、例えば、エッチング処理の経過時間に基づいて第1タイミングであるか否かを判定する。
The substrate processing device 1 determines whether or not it is the first timing (S10). The first timing is a preset timing, and is a timing at which a part of the etching solution is discharged by the phosphoric acid aqueous
基板処理装置1は、第1タイミングである場合には(S10:Yes)、リン酸水溶液排出部41によってエッチング液の一部を排出する(S11)。 In the case of the first timing (S10: Yes), the substrate processing apparatus 1 discharges a part of the etching solution by the phosphoric acid aqueous solution discharging unit 41 (S11).
基板処理装置1は、エッチング液の排出が終わった後に、温調タンク47から予備液を外槽46に供給し(S12)、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤を外槽46に供給する(S13)。これにより、SiO2析出防止剤が外槽46においてエッチング液(予備液)に混合される。なお、エッチング液のSiO2析出防止剤の濃度が、予め設定された範囲内の濃度となるように、SiO2析出防止剤の供給量は制御される。
After the etching solution is discharged, the substrate processing device 1 supplies the preliminary solution from the
基板処理装置1は、第1タイミングではない場合には(S10:No)、第2タイミングであるか否かを判定する(S14)。第2タイミングは、エッチング液からSiO2析出防止剤が蒸発し、エッチング液のSiO2析出防止剤の濃度が、予めされた濃度よりも低下するタイミングである。 When it is not the first timing (S10: No), the substrate processing device 1 determines whether or not it is the second timing (S14). The second timing is the timing at which the SiO2 precipitation inhibitor evaporates from the etching solution and the concentration of the SiO2 precipitation inhibitor in the etching solution becomes lower than the predetermined concentration.
基板処理装置1は、例えば、エッチング処理の経過時間に基づいて第2タイミングであるか否かを判定する。なお、基板処理装置1は、エッチング液のSiO2析出防止剤の濃度を計測し、計測した濃度に基づいて第2タイミングであるか否かを判定してもよい。 The substrate processing apparatus 1 determines whether or not it is the second timing based on, for example, the elapsed time of the etching process. The substrate processing apparatus 1 may measure the concentration of the SiO2 precipitation inhibitor in the etching solution and determine whether or not it is the second timing based on the measured concentration.
基板処理装置1は、第2タイミングである場合には(S14:Yes)、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤を外槽46に供給する(S15)。なお、エッチング液のSiO2析出防止剤の濃度が、予め設定された範囲内の濃度となるように、SiO2析出防止剤の供給量は制御される。
In the case of the second timing (S14: Yes), the substrate processing apparatus 1 supplies the SiO2 precipitation inhibitor to the
基板処理装置1は、第2タイミングではない場合には(S14:No)、今回の処理を終了する。 If it is not the second timing (S14: No), the substrate processing apparatus 1 ends the current processing.
なお、基板処理装置1は、第2タイミングであるか否かの判定を、第1タイミングであるか否かの判定よりも先に行ってもよい。 The substrate processing device 1 may determine whether or not it is the second timing before the determination of whether or not it is the first timing.
基板処理装置1は、外槽46において、リン酸水溶液にSiO2析出防止剤を混合させたエッチング液を生成し、エッチング液を供給した内槽45に基板8を浸漬することで、基板8にエッチング処理を行う。これにより、エッチング液のシリコン濃度が高くなった場合でも、シリコン酸化物の析出を抑制することができる。そのため、基板8の窒化膜のみをエッチングする選択性を向上させつつ、シリコン酸化物の析出を抑制することができる。
The substrate processing apparatus 1 generates an etching solution in which an aqueous phosphoric acid solution is mixed with a SiO2 precipitation inhibitor in the
なお、基板処理装置1では、SiO2析出防止剤を含まないエッチング液を内槽45に供給してエッチング処理を行ってもよい。この場合、SiO2析出防止剤を含まないエッチング液のシリコン濃度が高くなり、シリコン酸化物が析出する場合に、エッチング液にSiO2析出防止剤を混合し、SiO2析出防止剤を含むエッチング液によりエッチング処理を行う。
In the substrate processing apparatus 1, an etching solution containing no SiO2 precipitation inhibitor may be supplied to the
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る基板処理装置1について図4を参照し説明する。図4は、第2実施形態に係るエッチング用の処理槽27を示す概略ブロック図である。ここでは、第1実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態と同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
(Second Embodiment)
Next, the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic block diagram showing a
SiO2析出防止剤供給ライン43Bは、SiO2析出防止剤供給源43Aと温調タンク47とを接続し、SiO2析出防止剤供給源43Aから温調タンク47にSiO2析出防止剤を供給する。
The SiO2 precipitation
温調タンク47に供給されたSiO2析出防止剤は、温調タンク47の第2循環ライン60を循環することで温調タンク47内の予備液に均一に混合される。温調タンク47は、SiO2析出防止剤を含む予備液を貯留する。
The SiO2 precipitation inhibitor supplied to the
温調タンク47に貯留された予備液は、供給ライン70を介して外槽46に供給され、エッチング液として内槽45に供給される。このように、SiO2析出防止剤は、循環路55に供給される前の予備液(リン酸水溶液)に混合される。温調タンク47は、混合部を構成する。
The reserve liquid stored in the
次に、第2実施形態に係る基板処理装置1におけるSiO2析出防止剤の供給方法について図5を参照し説明する。図5は、第2実施形態に係るSiO2析出防止剤の供給方法を説明するフローチャートである。なお、ここでは、SiO2析出防止剤が混合された予備液が温調タンク47に、予め貯留されているものとする。
Next, a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor in the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a flowchart illustrating a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor according to the second embodiment. Here, it is assumed that the preliminary liquid mixed with the SiO2 precipitation inhibitor is stored in advance in the
基板処理装置1は、第3タイミングであるか否かを判定する(S20)。第3タイミングは、上記した第1タイミングおよび第2タイミングのうちいずれかとなるタイミングである。すなわち、基板処理装置1は、第1タイミング、または第2タイミングとなると、第3タイミングであると判定する。 The substrate processing device 1 determines whether or not it is the third timing (S20). The third timing is any of the above-mentioned first timing and second timing. That is, the substrate processing device 1 determines that the third timing is reached when the first timing or the second timing is reached.
基板処理装置1は、第3タイミングである場合には(S20:Yes)、リン酸水溶液排出部41によってエッチング液の一部を排出する(S21)。基板処理装置1は、エッチング液の排出が終わった後に、温調タンク47からSiO2析出防止剤が混合された予備液を外槽46に供給する(S22)。
In the case of the third timing (S20: Yes), the substrate processing apparatus 1 discharges a part of the etching solution by the phosphoric acid aqueous solution discharge unit 41 (S21). The substrate processing apparatus 1 supplies the preliminary liquid mixed with the SiO2 precipitation inhibitor from the
基板処理装置1は、温調タンク47からの予備液の供給が終わった後に、リン酸水溶液供給部40からリン酸水溶液を温調タンク47に供給し(S23)、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤を温調タンク47に供給する(S24)。これにより、温調タンク47では、SiO2析出防止剤が混合された予備液が新たに生成される。
After the supply of the preliminary liquid from the
基板処理装置1は、第3タイミングではない場合には(S20:No)、第4タイミングであるか否かを判定する(S25)。第4タイミングは、温調タンク47内の予備液からSiO2析出防止剤が蒸発し、予備液のSiO2析出防止剤の濃度が、予めされた濃度よりも低下するタイミングである。
When it is not the third timing (S20: No), the substrate processing device 1 determines whether or not it is the fourth timing (S25). The fourth timing is a timing at which the SiO2 precipitation inhibitor evaporates from the reserve liquid in the
基板処理装置1は、例えば、予備液の貯留時間や、第2ヒーター62による加熱時間などに基づいて第4タイミングであるか否かを判定する。なお、基板処理装置1は、予備液のSiO2析出防止剤の濃度を計測し、計測した濃度に基づいて第4タイミングであるか否かを判定してもよい。
The substrate processing device 1 determines whether or not it is the fourth timing based on, for example, the storage time of the preliminary liquid, the heating time by the
基板処理装置1は、第4タイミングである場合には(S25:Yes)、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤を温調タンク47に供給する(S26)。なお、予備液のSiO2析出防止剤の濃度が、予め設定された範囲内の濃度となるように、SiO2析出防止剤の供給量は制御される。
In the case of the fourth timing (S25: Yes), the substrate processing apparatus 1 supplies the SiO2 precipitation
基板処理装置1は、第4タイミングではない場合には(S25:No)、今回の処理を終了する。 If it is not the fourth timing (S25: No), the substrate processing apparatus 1 ends the current processing.
なお、基板処理装置1は、第4タイミングであるか否かの判定を、第3タイミングであるか否かの判定よりも先に行ってもよい。 The substrate processing device 1 may determine whether or not it is the fourth timing before the determination of whether or not it is the third timing.
第2実施形態に係る基板処理装置1は、温調タンク47でリン酸水溶液にSiO2析出防止剤を混合させた予備液を生成し、SiO2析出防止剤を混合した予備液を外槽46に供給する。すなわち、基板処理装置1は、循環路55に供給される前の予備液にSiO2析出防止剤を混合する。
The substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment generates a preliminary solution in which a SiO2 precipitation inhibitor is mixed with a phosphoric acid aqueous solution in a
基板処理装置1は、予め予備液にSiO2析出防止剤を混合し、SiO2析出防止剤の濃度が均一になった予備液を外槽46に供給する。このように、SiO2析出防止剤が均一に混合された予備液を外槽46に供給することで、外槽46内のエッチング液においてSiO2析出防止剤の濃度が偏ることを抑制することできる。従って、内槽45に供給されるエッチング液のSiO2析出防止剤の濃度にばらつきが生じることを抑制することができる。そのため、基板8全体において、窒化膜をエッチングする選択性を向上させつつ、シリコン酸化物の析出を抑制することができる。
The substrate processing apparatus 1 mixes the SiO2 precipitation inhibitor with the preliminary solution in advance, and supplies the preliminary solution having a uniform concentration of the SiO2 precipitation inhibitor to the
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る基板処理装置1について図6を参照し説明する。図6は、第3実施形態に係るエッチング用の処理槽27を示す概略ブロック図である。ここでは、第1実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第1実施形態と同様の構成については、第1実施形態と同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
(Third Embodiment)
Next, the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a schematic block diagram showing a
エッチング用の処理槽27は、さらにミキサー80を有する。ミキサー80は、供給ライン70とSiO2析出防止剤供給ライン43Bとに接続される。
The
ミキサー80は、例えば、図7に示すように、内管81の一端が外管82内で開口する二重管である。内管81の他端は、SiO2析出防止剤供給ライン43Bに接続される。外管82は、供給ライン70に接続される。具体的には、ミキサー80は、供給ライン70に介挿され、外管82は、供給ライン70の一部を構成する。図7は、第3実施形態に係るミキサー80の概略構成断面図である。ミキサー80は、外管82を流れる予備液(リン酸水溶液)に内管81から流出したSiO2析出防止剤を混合する。ミキサー80は、混合部を構成する。
The
内管81から流出したSiO2析出防止剤が外管82を流れる予備液に均一に混合されるように、内管81は、例えば、螺旋状に形成される。ミキサー80は、内管81から流出されたSiO2析出防止剤に乱流を発生させ、予備液にSiO2析出防止剤を混合する。ミキサー80によってSiO2析出防止剤が混合された予備液は、外槽46に供給される。すなわち、SiO2析出防止剤は、循環路55に供給される前の予備液(リン酸水溶液)に混合される。
The
なお、ミキサー80は、乱流を発生させて予備液にSiO2析出防止剤を混合すればよく、例えば、外管82の内壁に凹凸を設けてもよく、内管81の内壁や外壁に凹凸を設けてもよい。また、ミキサー80は、スタティックミキサーであってもよい。
The
また、ミキサー80は、内管81の他端を供給ライン70に接続し、外管82をSiO2析出防止剤供給ライン43Bに接続してもよい。
Further, in the
次に、第3実施形態に係る基板処理装置1におけるSiO2析出防止剤の供給方法について図8を参照し説明する。図8は、第3実施形態に係るSiO2析出防止剤の供給方法を説明するフローチャートである。 Next, a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor in the substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a flowchart illustrating a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor according to the third embodiment.
基板処理装置1は、第3タイミングであるか否かを判定する(S30)。基板処理装置1は、第3タイミングである場合には(S30:Yes)、リン酸水溶液排出部41によってエッチング液の一部を排出する(S31)。 The substrate processing device 1 determines whether or not it is the third timing (S30). In the case of the third timing (S30: Yes), the substrate processing apparatus 1 discharges a part of the etching solution by the phosphoric acid aqueous solution discharging unit 41 (S31).
基板処理装置1は、エッチング液の排出が終わった後に、温調タンク47から予備液を外槽46に供給し(S32)、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤を供給する(S33)。これにより、ミキサー80の内管81からSiO2析出防止剤が流出し、SiO2析出防止剤が混合された予備液が外槽46に供給される。基板処理装置1は、第3タイミングではない場合には(S30:No)、今回の処理を終了する。
After the etching solution is discharged, the substrate processing apparatus 1 supplies the preliminary solution from the
なお、エッチング液のSiO2析出防止剤が蒸発し、SiO2析出防止剤の濃度が低下した場合には、ミキサー80は、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤のみを外槽46に供給してもよい。
When the SiO2 precipitation inhibitor in the etching solution evaporates and the concentration of the SiO2 precipitation inhibitor decreases, the
第3実施形態に係る基板処理装置1は、ミキサー80によって、SiO2析出防止剤を混合した予備液を外槽46に供給する。具体的には、基板処理装置1は、ミキサー80によって乱流を発生させてSiO2析出防止剤を予備液に混合し、SiO2析出防止剤が均一に混合された予備液を外槽46に供給する。このように、SiO2析出防止剤が均一に混合された予備液を外槽46に供給することで、外槽46内のエッチング液においてSiO2析出防止剤の濃度が偏ることを抑制することできる。従って、内槽45に供給されるエッチング液のSiO2析出防止剤の濃度にばらつきが生じることを抑制することができる。そのため、基板8全体において、窒化膜をエッチングする選択性を向上させつつ、シリコン酸化物の析出を抑制することができる。
The substrate processing apparatus 1 according to the third embodiment supplies the preliminary liquid mixed with the SiO2 precipitation inhibitor to the
(第4実施形態)
次に、第4実施形態に係る基板処理装置1について図9を参照し説明する。図9は、第4実施形態に係るエッチング用の処理槽27を示す概略ブロック図である。ここでは、第3実施形態とは異なる箇所を中心に説明し、第3実施形態と同様の構成については、第3実施形態と同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
(Fourth Embodiment)
Next, the substrate processing apparatus 1 according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic block diagram showing a
リン酸水溶液供給部40は、さらに分岐ライン40Dと、切替弁40Eとを有する。
The phosphoric acid aqueous
分岐ライン40Dは、切替弁40Eを介してリン酸水溶液供給ライン40Bに接続される。分岐ライン40Dは、リン酸水溶液供給ライン40Bと外槽46とを接続する。
The
ミキサー80は、切替弁40Eよりもリン酸水溶液供給源40A側のリン酸水溶液供給ライン40BとSiO2析出防止剤供給ライン43Bとに接続される。
The
ミキサー80は、図10に示すように、内管81の一端が外管82内で開口する二重管である。内管81の他端は、SiO2析出防止剤供給ライン43Bに接続される。外管82は、リン酸水溶液供給ライン40Bに接続され、リン酸水溶液供給ライン40Bの一部を構成する。図10は、第4実施形態に係るミキサー80の概略構成断面図である。ミキサー80は、外管82を流れるリン酸水溶液に内管81から流出したSiO2析出防止剤を混合する。
As shown in FIG. 10, the
内管81から流出したSiO2析出防止剤が外管82を流れるリン酸水溶液に均一に混合されるように、内管81は、例えば、螺旋状に形成される。ミキサー80は、内管81から流出されたSiO2析出防止剤に乱流を発生させ、リン酸水溶液にSiO2析出防止剤を混合する。
The
ミキサー80によってSiO2析出防止剤が混合されたリン酸水溶液は、切替弁40E、分岐ライン40Dを介して外槽46に供給される。すなわち、SiO2析出防止剤は、循環路55に供給される前のリン酸水溶液に混合される。
The phosphoric acid aqueous solution mixed with the SiO2 precipitation inhibitor by the
なお、ミキサー80は、乱流を発生させてリン酸水溶液にSiO2析出防止剤を混合すればよく、例えば、外管82の内壁に凹凸を設けてもよく、内管81の内壁や外壁に凹凸を設けてもよい。
The
ミキサー80は、内管81の他端をリン酸水溶液供給ライン40Bに接続し、外管82をSiO2析出防止剤供給ライン43Bに接続してもよい。
In the
次に、第4実施形態に係る基板処理装置1におけるSiO2析出防止剤の供給方法について図11を参照し説明する。図11は、第4実施形態に係るSiO2析出防止剤の供給方法を説明するフローチャートである。 Next, a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor in the substrate processing apparatus 1 according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart illustrating a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor according to the fourth embodiment.
基板処理装置1は、第3タイミングであるか否かを判定する(S40)。基板処理装置1は、第3タイミングである場合には(S40:Yes)、リン酸水溶液排出部41によってエッチング液の一部を排出する(S41)。 The substrate processing device 1 determines whether or not it is the third timing (S40). In the case of the third timing (S40: Yes), the substrate processing apparatus 1 discharges a part of the etching solution by the phosphoric acid aqueous solution discharging unit 41 (S41).
基板処理装置1は、エッチング液の排出が終わった後に、温調タンク47から予備液を外槽46に供給する(S42)。
The substrate processing apparatus 1 supplies the preliminary liquid from the
基板処理装置1は、リン酸水溶液供給部40からリン酸水溶液を、分岐ライン40Dを介して外槽46に供給し(S43)、SiO2析出防止剤供給部43からSiO2析出防止剤を供給する(S44)。これにより、ミキサー80によってSiO2析出防止剤が常温のリン酸水溶液に混合された状態で、外槽46に供給される。
The substrate processing device 1 supplies the phosphoric acid aqueous solution from the phosphoric acid aqueous
基板処理装置1は、第3タイミングではない場合には(S40:No)、今回の処理を終了する。 If it is not the third timing (S40: No), the substrate processing apparatus 1 ends the current processing.
なお、ミキサー80は、リン酸水溶液供給源40Aからリン酸水溶液を供給しない状態で、内管81からSiO2析出防止剤を外槽46に供給することも可能である。また、基板処理装置1は、ミキサー80によってSiO2析出防止剤を混合したリン酸水溶液を供給ライン70に供給してもよく、温調タンク47に供給してもよい。
The
第4実施形態に係る基板処理装置1は、ミキサー80によって、リン酸水溶液供給ライン40Bを流れるリン酸水溶液にSiO2析出防止剤を混合する。
The substrate processing apparatus 1 according to the fourth embodiment mixes the SiO2 precipitation inhibitor with the phosphoric acid aqueous solution flowing through the phosphoric acid aqueous
SiO2析出防止剤の沸点は、温調タンク47内の予備液や、外槽46内のエッチング液の温度よりも低い。そのため、SiO2析出防止剤を予備液やエッチング液に直接混合すると、これらの液と混合する前にSiO2析出防止剤の一部が蒸発するおそれがある。
The boiling point of the SiO2 precipitation inhibitor is lower than the temperature of the preliminary liquid in the
リン酸水溶液供給ライン40Bを流れるリン酸水溶液は加温されておらず、常温であるため、温調タンク47内の予備液や、外槽46のエッチング液よりも温度が低い。第4実施形態に係る基板処理装置1は、SiO2析出防止剤を、温度が低く、常温のリン酸水溶液に混合し、SiO2析出防止剤を混合した常温のリン酸水溶液を外槽46に供給することで、SiO2析出防止剤が蒸発することを抑制することができる。
Since the phosphoric acid aqueous solution flowing through the phosphoric acid aqueous
(変形例)
変形例に係る基板処理装置1は、供給ライン70を内槽45に接続し、温調タンク47から予備液を内槽45に供給可能としてもよい。
(Modification example)
In the substrate processing device 1 according to the modified example, the
また、変形例に係る基板処理装置1は、シリコン供給ライン44Bを外槽46に接続し、シリコン含有化合物水溶液を外槽46に供給可能としてもよい。
Further, in the substrate processing device 1 according to the modified example, the
上記基板処理装置1は、複数枚の基板8を同時に処理する装置であるが、基板8を1枚ずつ洗浄する枚葉式の装置であってもよい。
The substrate processing device 1 is an apparatus for simultaneously processing a plurality of
また、上記基板処理装置1では、SiO2析出防止剤の供給方法として、最初にリン酸水溶液排出部41によってエッチング液の一部を排出していたが、これに限らず、予備液、リン酸水溶液やSiO2析出防止剤の供給と共にエッチング液の排出を行ってもよい。
Further, in the substrate processing apparatus 1, as a method of supplying the SiO2 precipitation inhibitor, a part of the etching solution was first discharged by the phosphoric acid aqueous
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and variations can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the broader aspects of the invention are not limited to the particular details and representative embodiments expressed and described as described above. Therefore, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general concept of the invention as defined by the appended claims and their equivalents.
1 基板処理装置
6 ロット処理部
8 基板
23 エッチング処理装置
27 エッチング用の処理槽
40 リン酸水溶液供給部(リン酸処理液供給部)
40A リン酸水溶液供給源
40B リン酸水溶液供給ライン(リン酸処理液供給ライン)
43 SiO2析出防止剤供給部
43A SiO2析出防止剤供給源
43B SiO2析出防止剤供給ライン
45 内槽(基板処理槽)
46 外槽(混合部)
47 温調タンク(混合部、タンク)
50 第1循環ライン
51 第1ポンプ
52 第1ヒーター
55 循環路
70 供給ライン
80 ミキサー(混合部)
1
40A phosphoric acid aqueous
43 SiO2 anti-precipitation
46 Outer tank (mixing part)
47 Temperature control tank (mixing part, tank)
50
Claims (3)
前記基板処理槽におけるエッチング処理で使用されるリン酸処理液を供給するリン酸処理液供給部と、
SiO2析出防止剤を供給するSiO2析出防止剤供給部と、
前記リン酸処理液に前記SiO2析出防止剤を混合する混合部と、
前記リン酸処理液供給部に接続する温調タンクと
を備え、
前記リン酸処理液供給部は、前記リン酸処理液を前記温調タンクに送液するリン酸処理液供給ラインを有し、
前記SiO2析出防止剤供給部は、SiO2析出防止剤供給ラインを有し、
前記リン酸処理液供給ラインと前記SiO2析出防止剤供給ラインとは、前記混合部を介して接続され、
前記混合部により常温の前記リン酸処理液に前記SiO2析出防止剤が混合され、
前記SiO2析出防止剤が混合された前記リン酸処理液は、前記温調タンクにより温調され、その後、前記基板処理槽に供給される
基板処理装置。 Substrate processing tank and
A phosphoric acid treatment liquid supply unit that supplies a phosphoric acid treatment liquid used in the etching treatment in the substrate treatment tank,
The SiO2 precipitation inhibitor supply unit that supplies the SiO2 precipitation inhibitor,
A mixing portion in which the SiO2 precipitation inhibitor is mixed with the phosphoric acid treatment liquid, and
A temperature control tank connected to the phosphoric acid treatment liquid supply unit is provided.
The phosphoric acid treatment liquid supply unit has a phosphoric acid treatment liquid supply line that feeds the phosphoric acid treatment liquid to the temperature control tank.
The SiO2 precipitation inhibitor supply unit has a SiO2 precipitation inhibitor supply line.
The phosphoric acid treatment liquid supply line and the SiO2 precipitation inhibitor supply line are connected via the mixing portion.
The mixing section mixes the SiO2 precipitation inhibitor with the phosphoric acid treatment solution at room temperature.
A substrate processing apparatus in which the phosphoric acid treatment liquid mixed with the SiO2 precipitation inhibitor is temperature-controlled by the temperature control tank and then supplied to the substrate treatment tank.
請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate treatment apparatus according to claim 1, wherein the mixing unit mixes the SiO2 precipitation inhibitor into the phosphoric acid treatment solution by generating turbulence in the phosphoric acid treatment solution and the SiO2 precipitation inhibitor.
前記SiO2析出防止剤が混合された前記リン酸処理液を温調タンクにより温調する工程と、
前記SiO2析出防止剤が混合され、かつ前記温調タンクによって温調された前記リン酸処理液を、エッチング処理が行われる基板処理槽に供給する工程と
を含む基板処理方法。 A step of mixing the phosphoric acid treatment liquid at room temperature supplied by the phosphoric acid treatment liquid supply line and the SiO2 precipitation inhibitor supplied by the SiO2 precipitation inhibitor supply line by the mixing unit.
A step of adjusting the temperature of the phosphoric acid treatment liquid mixed with the SiO2 precipitation inhibitor by a temperature control tank, and
A substrate treatment method including a step of supplying the phosphoric acid treatment liquid to which the SiO2 precipitation inhibitor is mixed and temperature-controlled by the temperature control tank to a substrate treatment tank to be etched.
Priority Applications (1)
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