JP2021002625A - Manufacturing method of package device chip - Google Patents

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昌充 上里
Masamitsu Ueno
昌充 上里
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Abstract

To provide a manufacturing method of a package device chip capable of appropriately covering a side surface of a chip obtained by dividing a wafer.SOLUTION: A manufacturing method of a package device chip, comprises: making a cutting blade cut into a wafer having devices in a plurality of regions on the surface side partitioned by a planned division line to form a groove in the planned division line; attaching a resin sheet to the surface of the wafer such that the resin sheet is embedded in the groove to cover the front surface of the wafer with the resin sheet; grinding the back surface opposite to the front surface of the wafer to divide the wafer into a plurality of chips at the planned division line; exposing a portion embedded in the groove of the resin sheet to the back surface side; and cutting the resin sheet at the portion embedded by the groove.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、パッケージデバイスチップの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a packaged device chip.

近年、ウェーハの状態でパッケージングまで行うWL−CSP(Wafer Level Chip Size Package)と呼ばれる技術が注目されている。WL−CSPでは、ウェーハの表面側に形成された複数のデバイスを液状の樹脂で被覆し、この液状の樹脂を硬化させた後に、ウェーハを樹脂とともに分割予定ライン(ストリート)で切断して各デバイスに対応する複数のパッケージデバイスチップを得る。 In recent years, a technique called WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package), which performs packaging in the state of a wafer, has attracted attention. In WL-CSP, a plurality of devices formed on the surface side of the wafer are coated with a liquid resin, the liquid resin is cured, and then the wafer is cut together with the resin at a planned division line (street) to make each device. Obtain multiple packaged device chips corresponding to.

ところで、表面側のみが樹脂で被覆されたウェーハを樹脂とともに分割予定ラインで切断すると、ウェーハから切り出されるチップの側面(ウェーハの切断面)が露出する。そこで、ウェーハの表面側を液状の樹脂で被覆する前に、分割予定ラインに沿って溝を形成し、この溝にも液状の樹脂を充填することによって、チップの側面を樹脂で被覆する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 By the way, when a wafer whose surface side is coated with resin is cut together with resin along a planned division line, the side surface (cut surface of the wafer) of the chip cut out from the wafer is exposed. Therefore, before coating the surface side of the wafer with the liquid resin, a technique is used in which a groove is formed along the planned division line and the groove is also filled with the liquid resin to coat the side surface of the chip with the resin. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開2006−100535号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-100535

しかしながら、上述した技術では、ウェーハの全体を横断するように溝が形成されるので、この溝に対して液状の樹脂を供給すると、溝の両端から液状の樹脂が漏れ出る可能性が高い。液状の樹脂が溝から漏れ出てしまうと、溝に充填される樹脂の量が不足して、チップの側面を樹脂で十分に被覆できなくなる。 However, in the above-mentioned technique, a groove is formed so as to traverse the entire wafer. Therefore, when the liquid resin is supplied to the groove, there is a high possibility that the liquid resin leaks from both ends of the groove. If the liquid resin leaks out of the groove, the amount of resin filled in the groove is insufficient, and the side surface of the chip cannot be sufficiently covered with the resin.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを分割することによって得られるチップの側面を適切に被覆することができるパッケージデバイスチップの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a package device chip capable of appropriately covering the side surface of the chip obtained by dividing a wafer. That is.

本発明の一態様によれば、分割予定ラインによって区画された表面側の複数の領域にデバイスを有するウェーハに対して該表面側から切削ブレードを切り込ませて該分割予定ラインに溝を形成する溝形成ステップと、該溝に対して樹脂シートを埋め込むように該ウェーハの該表面に該樹脂シートを貼付して該ウェーハの該表面を該樹脂シートで被覆する被覆ステップと、該ウェーハの該表面とは反対側の裏面を研削して該ウェーハを薄くすることで該ウェーハを該分割予定ラインで複数のチップに分割し、該樹脂シートの該溝に埋め込まれた部分を該裏面側に露出させる研削ステップと、該裏面を研削された該ウェーハ又は該樹脂シートに支持部材を貼付する支持部材貼付ステップと、該樹脂シートを該溝に埋め込まれた部分で切断し、互いに分離された複数のパッケージデバイスチップを形成する樹脂シート切断ステップと、を含むパッケージデバイスチップの製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a cutting blade is cut from the surface side of a wafer having a device in a plurality of regions on the surface side partitioned by the planned division line to form a groove in the planned division line. A groove forming step, a coating step in which the resin sheet is attached to the surface of the wafer so as to embed a resin sheet in the groove, and the surface of the wafer is coated with the resin sheet, and the surface of the wafer. By grinding the back surface on the opposite side to thin the wafer, the wafer is divided into a plurality of chips at the planned division line, and the portion of the resin sheet embedded in the groove is exposed on the back surface side. A plurality of packages separated from each other by cutting the grinding step, the support member sticking step of sticking the support member to the wafer or the resin sheet whose back surface is ground, and the portion embedded in the groove. A method for manufacturing a packaged device chip including a resin sheet cutting step for forming a device chip is provided.

本発明の別の一態様によれば、分割予定ラインによって区画された表面側の複数の領域にデバイスを有するウェーハに対して該表面側から切削ブレードを切り込ませて該分割予定ラインに溝を形成する溝形成ステップと、該溝に対して樹脂シートを埋め込むように該ウェーハの該表面に該樹脂シートを貼付して該ウェーハの該表面を該樹脂シートで被覆する被覆ステップと、該樹脂シートを該溝に埋め込まれた部分で切断する樹脂シート切断ステップと、該樹脂シートの該ウェーハとは反対側の面に支持部材を貼付する支持部材貼付ステップと、該ウェーハの該表面とは反対側の裏面を研削して該ウェーハを薄くすることで該ウェーハを該分割予定ラインで複数のチップに分割し、該樹脂シートの該溝に埋め込まれた部分を該裏面側に露出させて、互いに分離された複数のパッケージデバイスチップを形成する研削ステップと、を含むパッケージデバイスチップの製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a cutting blade is cut from the surface side of a wafer having a device in a plurality of regions on the surface side partitioned by the planned division line, and a groove is formed in the planned division line. A groove forming step to be formed, a coating step in which the resin sheet is attached to the surface of the wafer so as to embed a resin sheet in the groove, and the surface of the wafer is coated with the resin sheet, and the resin sheet. A resin sheet cutting step for cutting the resin sheet at a portion embedded in the groove, a support member attaching step for attaching a support member to the surface of the resin sheet opposite to the wafer, and a side opposite to the surface of the wafer. By grinding the back surface of the wafer to make the wafer thinner, the wafer is divided into a plurality of chips at the planned division line, and the portion of the resin sheet embedded in the groove is exposed on the back surface side and separated from each other. A method for manufacturing a packaged device chip including a grinding step for forming a plurality of packaged device chips is provided.

本発明の更に別の一態様によれば、分割予定ラインによって区画された表面側の複数の領域にデバイスを有するウェーハの該表面とは反対側の裏面を研削して該ウェーハを薄くする研削ステップと、該裏面を研削された該ウェーハに支持部材を貼付する支持部材貼付ステップと、該ウェーハに切削ブレードを切り込ませて該ウェーハを該分割予定ラインで複数のチップに分割するウェーハ分割ステップと、隣接する2つの該チップの隙間に樹脂シートを埋め込むように該ウェーハの該表面に該樹脂シートを貼付して該ウェーハの該表面を該樹脂シートで被覆する被覆ステップと、該樹脂シートを該隙間に埋め込まれた部分で切断し、互いに分離された複数のパッケージデバイスチップを形成する樹脂シート切断ステップと、を含むパッケージデバイスチップの製造方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, a grinding step of grinding the back surface of a wafer having devices in a plurality of regions on the front surface side partitioned by a planned division line on the opposite side to the front surface to thin the wafer. A support member attachment step of attaching a support member to the wafer whose back surface has been ground, and a wafer division step of cutting a cutting blade into the wafer and dividing the wafer into a plurality of chips on the planned division line. A coating step of attaching the resin sheet to the surface of the wafer so as to embed the resin sheet in the gap between two adjacent chips and covering the surface of the wafer with the resin sheet, and the resin sheet. A method of manufacturing a package device chip comprising a resin sheet cutting step of cutting at a portion embedded in a gap to form a plurality of package device chips separated from each other is provided.

本発明の各態様にかかるパッケージデバイスチップの製造方法は、該ウェーハの該表面を被覆する該樹脂シートの一部を除去して、該ウェーハの該表面側の一部を露出させる樹脂シート除去ステップを更に含むことがある。 The method for manufacturing a package device chip according to each aspect of the present invention is a resin sheet removing step of removing a part of the resin sheet covering the surface of the wafer to expose a part of the surface side of the wafer. May further be included.

本発明の各態様にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、ウェーハの分割予定ラインに切削ブレードを切り込ませて形成した溝又はウェーハの分割予定ラインに切削ブレードを切り込ませて得られた2つのチップの隙間に対して、樹脂シートを埋め込むようにウェーハの表面に樹脂シートを貼付し、この樹脂シートを溝に埋め込まれた部分又は隙間に埋め込まれた部分で切断する。 In the method for manufacturing a packaged device chip according to each aspect of the present invention, there are two obtained by cutting a cutting blade into a groove formed by cutting a cutting blade into a planned dividing line of a wafer or by cutting a cutting blade into a planned dividing line of a wafer. A resin sheet is attached to the surface of the wafer so as to embed the resin sheet in the gap between the chips, and the resin sheet is cut at a portion embedded in the groove or a portion embedded in the gap.

そのため、ウェーハを分割することによって得られるチップの側面を、この樹脂シートによって適切に被覆することができる。すなわち、溝や隙間に対して液状の樹脂を充填する場合のように、溝や隙間から液状の樹脂が漏れ出ることはないので、ウェーハを分割することによって得られるチップの側面が露出する可能性を低く抑えられる。 Therefore, the side surface of the chip obtained by dividing the wafer can be appropriately covered with this resin sheet. That is, unlike the case where the groove or gap is filled with the liquid resin, the liquid resin does not leak from the groove or gap, so that the side surface of the chip obtained by dividing the wafer may be exposed. Can be kept low.

図1(A)は、ウェーハの斜視図であり、図1(B)は、ウェーハの断面図である。FIG. 1 (A) is a perspective view of the wafer, and FIG. 1 (B) is a cross-sectional view of the wafer. 図2(A)は、ウェーハに溝が形成される様子を模式的に示す断面図であり、図2(B)は、ウェーハの表面に樹脂シートが貼付される様子を模式的に示す断面図である。FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing how a groove is formed on the wafer, and FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing how a resin sheet is attached to the surface of the wafer. Is. 図3(A)は、樹脂シートを硬化させる様子を模式的に示す断面図であり、図3(B)は、ウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す断面図である。FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet is cured, and FIG. 3B is a cross-sectional view schematically showing how the back surface of the wafer is ground. 図4(A)は、ウェーハにダイシングテープ(支持部材)が貼付された状態を模式的に示す断面図であり、図4(B)は、樹脂シートが切断される様子を模式的に示す断面図である。FIG. 4A is a cross-sectional view schematically showing a state in which a dicing tape (support member) is attached to the wafer, and FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing a state in which the resin sheet is cut. It is a figure. 樹脂シートが切断された後の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state after the resin sheet is cut. 図6(A)は、第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で樹脂シートが切断される様子を模式的に示す断面図であり、図6(B)は、第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet is cut by the method for manufacturing the package device chip according to the first modification, and FIG. 6B is the first modification. It is sectional drawing which shows typically the state that the back surface of a wafer is ground by the manufacturing method of a package device chip. 第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハ11が研削された後の状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state after the wafer 11 was ground by the manufacturing method of the package device chip which concerns on 1st modification. 図8(A)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハの裏面が研削される様子を模式的に示す断面図であり、図8(B)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハが研削された後の状態を示す断面図である。FIG. 8A is a cross-sectional view schematically showing how the back surface of the wafer is ground by the method for manufacturing a package device chip according to a second modification, and FIG. 8B is a second modification. It is sectional drawing which shows the state after the wafer is ground by the manufacturing method of the package device chip. 図9(A)は、ウェーハが複数のチップに分割される様子を模式的に示す断面図であり、図9(B)は、ウェーハの表面に樹脂シートが貼付される様子を模式的に示す断面図である。FIG. 9A is a cross-sectional view schematically showing how the wafer is divided into a plurality of chips, and FIG. 9B schematically shows how the resin sheet is attached to the surface of the wafer. It is a sectional view. 図10(A)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で樹脂シートが切断される様子を模式的に示す断面図であり、図10(B)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で樹脂シートが切断された後の状態を示す断面図である。FIG. 10 (A) is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet is cut by the method for manufacturing the package device chip according to the second modification, and FIG. 10 (B) shows the second modification. It is sectional drawing which shows the state after the resin sheet is cut by the manufacturing method of a package device chip.

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図1(A)は、本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で用いられるウェーハ11の斜視図であり、図1(B)は、ウェーハ11の断面図である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1A is a perspective view of a wafer 11 used in the method for manufacturing a package device chip according to the present embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the wafer 11.

図1(A)及び図1(B)に示すように、本実施形態のウェーハ11は、例えば、シリコン等の半導体材料を用いて円盤状に形成されており、表面11aと、表面11aとは反対側の裏面11bと、を含む。このウェーハ11の表面11a側は、交差する複数の分割予定ライン(ストリート)13によって複数の小領域に区画されており、各小領域には、電子回路等のデバイス15が形成されている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, the wafer 11 of the present embodiment is formed in a disk shape using, for example, a semiconductor material such as silicon, and the surface 11a and the surface 11a are Includes the back surface 11b on the opposite side. The surface 11a side of the wafer 11 is divided into a plurality of small regions by a plurality of intersecting scheduled division lines (streets) 13, and a device 15 such as an electronic circuit is formed in each small region.

なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料を含む円盤状のウェーハ11を用いるが、ウェーハ11の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料を含む基板をウェーハ11として用いることもできる。同様に、ウェーハ11が有するデバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 In the present embodiment, a disk-shaped wafer 11 containing a semiconductor material such as silicon is used, but the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 11 are not limited. For example, a substrate containing other materials such as semiconductors, ceramics, resins, and metals can be used as the wafer 11. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the device 15 included in the wafer 11.

本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、まず、このウェーハ11に対して表面11a側から切削ブレード(第1切削ブレード)を切り込ませて分割予定ライン13に溝を形成する(溝形成ステップ)。図2(A)は、ウェーハ11に溝17が形成される様子を模式的に示す断面図である。本実施形態では、図2(A)の切削装置2を用いてウェーハ11に溝17を形成する。 In the method for manufacturing a package device chip according to the present embodiment, first, a cutting blade (first cutting blade) is cut into the wafer 11 from the surface 11a side to form a groove in the planned division line 13 (groove formation). Step). FIG. 2A is a cross-sectional view schematically showing how a groove 17 is formed in the wafer 11. In the present embodiment, the groove 17 is formed in the wafer 11 by using the cutting device 2 shown in FIG. 2 (A).

切削装置2は、ウェーハ11を保持する際に使用されるチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料で形成された円筒状の枠体6と、多孔質材料で形成され枠体6の上部に配置される保持板8と、を含む。この保持板8の上面が、ウェーハ11を保持する保持面8aとなる。 The cutting device 2 includes a chuck table 4 used for holding the wafer 11. The chuck table 4 includes, for example, a cylindrical frame body 6 made of a metal material typified by stainless steel, and a holding plate 8 formed of a porous material and arranged on the upper part of the frame body 6. The upper surface of the holding plate 8 serves as a holding surface 8a for holding the wafer 11.

保持板8の下面側は、枠体6の内部に設けられた流路6a等を介して吸引源(不図示)に接続されている。流路6a等には、流体の流れを制御するバルブ(不図示)が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面8aに作用させてウェーハ11を吸引できる。 The lower surface side of the holding plate 8 is connected to a suction source (not shown) via a flow path 6a or the like provided inside the frame body 6. A valve (not shown) for controlling the flow of fluid is provided in the flow path 6a or the like. Therefore, when the valve is opened, the negative pressure of the suction source is applied to the holding surface 8a to suck the wafer 11.

枠体6は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面8aに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、枠体6は、移動機構(不図示)によって支持されており、上述した保持面8aに対して概ね平行な第1方向(加工送り方向)に移動する。 The frame body 6 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and is rotated around a rotation axis substantially perpendicular to the holding surface 8a described above by the force generated by the rotation drive source. Further, the frame body 6 is supported by a moving mechanism (not shown) and moves in the first direction (machining feed direction) substantially parallel to the holding surface 8a described above.

チャックテーブル4の上方には、切削ユニット10が配置されている。切削ユニット10は、例えば、筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、チャックテーブル4の保持面8aに対して概ね平行で第1方向に概ね垂直な回転軸となるスピンドル12が収容されている。 A cutting unit 10 is arranged above the chuck table 4. The cutting unit 10 includes, for example, a tubular spindle housing (not shown). In the space inside the spindle housing, a spindle 12 which is a rotation axis substantially parallel to the holding surface 8a of the chuck table 4 and substantially perpendicular to the first direction is housed.

スピンドル12の一端側には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定して形成された環状の切削ブレード(第1切削ブレード)14が装着されている。切削ブレード14に隣接する位置には、ウェーハ11や切削ブレード14に対して切削用の液体(代表的には、水)を供給するためのノズル(不図示)が設けられている。 An annular cutting blade (first cutting blade) 14 formed by fixing abrasive grains such as diamond with a binder such as resin or metal is mounted on one end side of the spindle 12. A nozzle (not shown) for supplying a cutting liquid (typically water) to the wafer 11 and the cutting blade 14 is provided at a position adjacent to the cutting blade 14.

スピンドル12の他端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、スピンドル12の一端側に装着された切削ブレード14は、回転駆動源が生じる力によって回転する。この切削ユニット10は、例えば、移動機構(不図示)によって支持されており、チャックテーブル4の保持面8aに対して概ね垂直な高さ方向と、チャックテーブル4の保持面8aに対して概ね平行で第1方向に概ね垂直な第2方向(割り出し送り方向)と、に移動する。 A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 12, and the cutting blade 14 mounted on one end side of the spindle 12 rotates by the force generated by the rotary drive source. The cutting unit 10 is supported by, for example, a moving mechanism (not shown), and is substantially parallel to the holding surface 8a of the chuck table 4 in the height direction substantially perpendicular to the holding surface 8a of the chuck table 4. Moves to the second direction (indexing feed direction), which is substantially perpendicular to the first direction.

ウェーハ11の分割予定ライン13に溝17を形成する際には、まず、このウェーハ11の裏面11bをチャックテーブル4の保持面8aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面8aに作用させる。これにより、裏面11bが保持面8aに吸引されて、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル4に保持される。なお、ウェーハ11をチャックテーブル4で保持する前には、ウェーハ11の裏面11bに粘着テープ等の保護部材を貼付しても良い。 When forming the groove 17 in the planned division line 13 of the wafer 11, first, the back surface 11b of the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 8a of the chuck table 4. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 8a. As a result, the back surface 11b is attracted to the holding surface 8a, and the wafer 11 is held on the chuck table 4 with the front surface 11a side exposed upward. Before holding the wafer 11 on the chuck table 4, a protective member such as an adhesive tape may be attached to the back surface 11b of the wafer 11.

次に、加工の対象となる分割予定ライン13と第1方向とが平行になるように、チャックテーブル4の向きを調整する。そして、この分割予定ライン13の延長線の上方に切削ブレード14が位置付けられるように、チャックテーブル4と切削ユニット10との位置の関係を調整する。 Next, the orientation of the chuck table 4 is adjusted so that the scheduled division line 13 to be machined and the first direction are parallel to each other. Then, the positional relationship between the chuck table 4 and the cutting unit 10 is adjusted so that the cutting blade 14 is positioned above the extension line of the planned division line 13.

更に、切削ブレード14の下端の高さが、ウェーハ11の表面11aの高さよりも低くなるように、切削ユニット10の高さを調整する。より詳細には、切削ブレード14の下端の高さが、ウェーハ11を分割して得られるチップの裏面となる部分と同じ高さか、又はそれよりも低くなるように、切削ユニット10の高さを調整する。更に、切削ブレード14の下端の高さが、ウェーハ11の裏面11bの高さよりも高くなるように、切削ユニット10の高さを調整する。 Further, the height of the cutting unit 10 is adjusted so that the height of the lower end of the cutting blade 14 is lower than the height of the surface 11a of the wafer 11. More specifically, the height of the cutting unit 10 is set so that the height of the lower end of the cutting blade 14 is equal to or lower than the height of the back surface portion of the chip obtained by dividing the wafer 11. adjust. Further, the height of the cutting unit 10 is adjusted so that the height of the lower end of the cutting blade 14 is higher than the height of the back surface 11b of the wafer 11.

その後、スピンドル12を回転させながら、チャックテーブル4を第1方向に移動させる。これにより、回転する切削ブレード14をウェーハ11の表面11a側から対象の分割予定ライン13に切り込ませ、ウェーハ11を切断しない深さの溝17を形成できる。なお、この溝17は、ウェーハ11を分割して得られるチップの裏面に相当する深さ(つまり、仕上げ厚みに相当する深さ)まで達している。対象の分割予定ライン13に溝17を形成した後には、同様の手順で他の全ての分割予定ライン13に溝17を形成する。 After that, the chuck table 4 is moved in the first direction while rotating the spindle 12. As a result, the rotating cutting blade 14 can be cut into the target division scheduled line 13 from the surface 11a side of the wafer 11, and a groove 17 having a depth that does not cut the wafer 11 can be formed. The groove 17 reaches a depth corresponding to the back surface of the chip obtained by dividing the wafer 11 (that is, a depth corresponding to the finishing thickness). After forming the groove 17 on the target division scheduled line 13, the groove 17 is formed on all the other scheduled division lines 13 in the same procedure.

ウェーハ11の分割予定ライン13に溝17を形成した後には、この溝17に対して樹脂シートを埋め込むようにウェーハ11の表面11aに樹脂シートを貼付して、この樹脂シートでウェーハ11の表面11aを被覆する(被覆ステップ)。図2(B)は、ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19が貼付される様子を模式的に示す断面図である。本実施形態では、図2(B)の貼付装置22を用いてウェーハ11に樹脂シート19を貼付する。 After forming the groove 17 in the planned division line 13 of the wafer 11, a resin sheet is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed a resin sheet in the groove 17, and the resin sheet is used to attach the resin sheet to the surface 11a of the wafer 11. (Coating step). FIG. 2B is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11. In the present embodiment, the resin sheet 19 is attached to the wafer 11 by using the attachment device 22 shown in FIG. 2B.

貼付装置22は、ウェーハ11を保持する際に使用されるチャックテーブル24を備えている。チャックテーブル24の構成は、切削装置2が備えるチャックテーブル4の構成と同様で良い。すなわち、チャックテーブル24は、ステンレス鋼に代表される金属材料で形成された円筒状の枠体26と、多孔質材料で形成され枠体26の上部に配置される保持板28と、を含む。この保持板28の上面が、ウェーハ11を保持する保持面28aとなる。 The sticking device 22 includes a chuck table 24 used for holding the wafer 11. The configuration of the chuck table 24 may be the same as the configuration of the chuck table 4 provided in the cutting device 2. That is, the chuck table 24 includes a cylindrical frame body 26 made of a metal material typified by stainless steel, and a holding plate 28 formed of a porous material and arranged on the upper part of the frame body 26. The upper surface of the holding plate 28 serves as a holding surface 28a for holding the wafer 11.

保持板28の下面側は、枠体26の内部に設けられた流路26a等を介して吸引源(不図示)に接続されている。流路26a等には、流体の流れを制御するバルブ(不図示)が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面28aに作用させてウェーハ11を吸引できる。このチャックテーブル24の上方には、例えば、紫外線を透過する材料で形成されたプレス板(不図示)が配置されている。このプレス板の下面は、概ね平坦である。 The lower surface side of the holding plate 28 is connected to a suction source (not shown) via a flow path 26a or the like provided inside the frame body 26. A valve (not shown) for controlling the flow of fluid is provided in the flow path 26a or the like. Therefore, when the valve is opened, the negative pressure of the suction source is applied to the holding surface 28a to suck the wafer 11. Above the chuck table 24, for example, a press plate (not shown) made of a material that transmits ultraviolet rays is arranged. The lower surface of this press plate is generally flat.

ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付する際には、まず、ウェーハ11の裏面11bをチャックテーブル24の保持面28aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面28aに作用させる。これにより、裏面11bが保持面28aに吸引されて、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル24に保持される。なお、ウェーハ11をチャックテーブル24で保持する前には、ウェーハ11の裏面11bに粘着テープ等の保護部材を貼付しても良い。 When the resin sheet 19 is attached to the front surface 11a of the wafer 11, the back surface 11b of the wafer 11 is first brought into contact with the holding surface 28a of the chuck table 24. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 28a. As a result, the back surface 11b is attracted to the holding surface 28a, and the wafer 11 is held on the chuck table 24 with the front surface 11a side exposed upward. Before holding the wafer 11 on the chuck table 24, a protective member such as an adhesive tape may be attached to the back surface 11b of the wafer 11.

その後、ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付する。樹脂シート19は、例えば、紫外線等によって硬化する硬化型の樹脂を含み、溝17に対して埋め込まれる程度に高い柔軟性を有している。一方で、樹脂シート19の形態は、この樹脂シート19が溝17から流れ出ない程度に安定している。つまり、樹脂シート19の流動性は、溝17に対して埋め込まれる程度に高く、溝17から流れ出ない程度に低い。このような樹脂シート19として、例えば、DAF(Die Attach Film)を用いることができる。 After that, the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11. The resin sheet 19 contains, for example, a curable resin that is cured by ultraviolet rays or the like, and has high flexibility to the extent that it is embedded in the groove 17. On the other hand, the form of the resin sheet 19 is stable so that the resin sheet 19 does not flow out from the groove 17. That is, the fluidity of the resin sheet 19 is high enough to be embedded in the groove 17, and low enough not to flow out of the groove 17. As such a resin sheet 19, for example, DAF (Die Attach Film) can be used.

具体的には、例えば、ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19の一方の面19aを接触させた上で、プレス板の下面を樹脂シート19の他方の面19bに押し当てる。その結果、樹脂シート19は、ウェーハ11の表面11aに貼付される。つまり、ウェーハ11の表面11aが、樹脂シート19で被覆される。また、樹脂シート19の一部は、プレス板からの圧力によって溝17に埋め込まれる。 Specifically, for example, one surface 19a of the resin sheet 19 is brought into contact with the surface 11a of the wafer 11, and then the lower surface of the press plate is pressed against the other surface 19b of the resin sheet 19. As a result, the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11. That is, the surface 11a of the wafer 11 is covered with the resin sheet 19. Further, a part of the resin sheet 19 is embedded in the groove 17 by the pressure from the press plate.

樹脂シート19でウェーハ11の表面11aを被覆した後には、この樹脂シート19を硬化させる(硬化ステップ)。図3(A)は、樹脂シート19を硬化させる様子を模式的に示す断面図である。本実施形態では、上述した貼付装置22を用いて樹脂シート19を硬化させる。 After covering the surface 11a of the wafer 11 with the resin sheet 19, the resin sheet 19 is cured (curing step). FIG. 3A is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet 19 is cured. In the present embodiment, the resin sheet 19 is cured by using the sticking device 22 described above.

例えば、プレス板の上方には、紫外線光源(不図示)が配置されている。この紫外線光源からプレス板を介して樹脂シート19に紫外線21を照射すれば、樹脂シート19は硬化する。なお、プレス板の下面は概ね平坦なので、樹脂シート19の他方の面19bにプレス板の下面を押し当てた状態で樹脂シート19に紫外線21を照射すれば、硬化後の樹脂シート19の他方の面19bも概ね平坦になる。 For example, an ultraviolet light source (not shown) is arranged above the press plate. When the resin sheet 19 is irradiated with ultraviolet rays 21 from this ultraviolet light source via a press plate, the resin sheet 19 is cured. Since the lower surface of the press plate is generally flat, if the resin sheet 19 is irradiated with ultraviolet rays 21 while the lower surface of the press plate is pressed against the other surface 19b of the resin sheet 19, the other surface of the cured resin sheet 19 can be left. The surface 19b is also substantially flat.

樹脂シート19を硬化させた後には、ウェーハ11の裏面11bを研削して、このウェーハ11を分割予定ライン13で複数のチップに分割する(研削ステップ)。図3(B)は、ウェーハ11の裏面11bが研削される様子を模式的に示す一部断面側面図である。本実施形態では、図3(B)の研削装置32を用いてウェーハ11の裏面11bを研削する。 After the resin sheet 19 is cured, the back surface 11b of the wafer 11 is ground, and the wafer 11 is divided into a plurality of chips along the scheduled division line 13 (grinding step). FIG. 3B is a partial cross-sectional side view schematically showing how the back surface 11b of the wafer 11 is ground. In this embodiment, the back surface 11b of the wafer 11 is ground using the grinding device 32 of FIG. 3 (B).

研削装置32は、ウェーハ11を保持する際に使用されるチャックテーブル34を備えている。チャックテーブル34は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料で形成された円筒状の枠体36と、多孔質材料で形成され枠体36の上部に配置される保持板38と、を含む。この保持板38の上面が、ウェーハ11を保持する保持面38aとなる。 The grinding device 32 includes a chuck table 34 used for holding the wafer 11. The chuck table 34 includes, for example, a cylindrical frame 36 formed of a metal material typified by stainless steel, and a holding plate 38 formed of a porous material and arranged on the upper portion of the frame 36. The upper surface of the holding plate 38 serves as a holding surface 38a for holding the wafer 11.

保持板38の下面側は、枠体36の内部に設けられた流路36a等を介して吸引源(不図示)に接続されている。流路36a等には、流体の流れを制御するバルブ(不図示)が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面38aに作用させてウェーハ11を吸引できる。 The lower surface side of the holding plate 38 is connected to a suction source (not shown) via a flow path 36a or the like provided inside the frame body 36. A valve (not shown) for controlling the flow of fluid is provided in the flow path 36a or the like. Therefore, when the valve is opened, the negative pressure of the suction source is applied to the holding surface 38a to suck the wafer 11.

枠体36は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面38aに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、枠体36は、移動機構(不図示)によって支持されており、上述した保持面38aに対して概ね平行な方向に移動する。 The frame body 36 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and is rotated around a rotation axis substantially perpendicular to the holding surface 38a described above by the force generated by the rotation drive source. Further, the frame body 36 is supported by a moving mechanism (not shown) and moves in a direction substantially parallel to the holding surface 38a described above.

チャックテーブル34の上方には、研削ユニット40が配置されている。研削ユニット40は、筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、チャックテーブル34の保持面38aに対して概ね垂直な回転軸となるスピンドル42が収容されている。 A grinding unit 40 is arranged above the chuck table 34. The grinding unit 40 includes a tubular spindle housing (not shown). In the space inside the spindle housing, the spindle 42, which is a rotation axis substantially perpendicular to the holding surface 38a of the chuck table 34, is housed.

スピンドル42の下端部には、円盤状のマウント44が固定されている。マウント44の下面には、このマウント44と概ね径が等しい円盤状の研削ホイール46が装着されている。研削ホイール46は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台48を備えている。ホイール基台48の下面には、複数の研削砥石50が環状に配列されている。 A disk-shaped mount 44 is fixed to the lower end of the spindle 42. A disk-shaped grinding wheel 46 having a diameter substantially equal to that of the mount 44 is mounted on the lower surface of the mount 44. The grinding wheel 46 includes a wheel base 48 made of a metal material such as stainless steel or aluminum. A plurality of grinding wheels 50 are arranged in an annular shape on the lower surface of the wheel base 48.

スピンドル42の上端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、研削ホイール46は、この回転駆動源が生じる力によって回転する。研削ホイール46に隣接する位置、又は、研削ホイール46の内部には、ウェーハ11や研削砥石50に対して研削用の液体(代表的には、水)を供給するためのノズル(不図示)が設けられている。この研削ユニット40は、例えば、移動機構(不図示)によって支持されており、チャックテーブル34の保持面38aに対して概ね垂直な方向に移動する。 A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the upper end side of the spindle 42, and the grinding wheel 46 rotates by the force generated by the rotary drive source. A nozzle (not shown) for supplying a grinding liquid (typically water) to the wafer 11 and the grinding wheel 50 is provided at a position adjacent to the grinding wheel 46 or inside the grinding wheel 46. It is provided. The grinding unit 40 is supported by, for example, a moving mechanism (not shown) and moves in a direction substantially perpendicular to the holding surface 38a of the chuck table 34.

ウェーハ11の裏面11bを研削する際には、まず、硬化させた樹脂シート19の他方の面19bを、チャックテーブル34の保持面38aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面38aに作用させる。これにより、樹脂シート19の他方の面19bは、保持面38aに吸引される。すなわち、ウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出した状態で、樹脂シート19を介してチャックテーブル34に保持される。 When grinding the back surface 11b of the wafer 11, first, the other surface 19b of the cured resin sheet 19 is brought into contact with the holding surface 38a of the chuck table 34. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 38a. As a result, the other surface 19b of the resin sheet 19 is attracted to the holding surface 38a. That is, the wafer 11 is held on the chuck table 34 via the resin sheet 19 with the back surface 11b side exposed upward.

次に、このチャックテーブル34を研削ユニット40の下方に移動させる。その後、図3(B)に示すように、チャックテーブル34とスピンドル42(研削ホイール46)とをそれぞれ回転させて、ウェーハ11の裏面11b側に研削用の液体を供給しながら、研削ユニット40(研削ホイール46)を下降させる。研削ユニット40を下降させる速度は、研削砥石50がウェーハ11の裏面11bに対して適切に押し当てられる範囲で調整される。 Next, the chuck table 34 is moved below the grinding unit 40. After that, as shown in FIG. 3B, the chuck table 34 and the spindle 42 (grinding wheel 46) are rotated, respectively, and the grinding unit 40 (grinding unit 40 (grinding wheel 46) is supplied to the back surface 11b side of the wafer 11 with a liquid for grinding. The grinding wheel 46) is lowered. The speed at which the grinding unit 40 is lowered is adjusted within a range in which the grinding wheel 50 is appropriately pressed against the back surface 11b of the wafer 11.

これにより、ウェーハ11の裏面11b側を研削して、ウェーハ11を薄くできる。本実施形態では、少なくとも樹脂シート19の溝17に埋め込まれた部分が裏面11b側に露出し、この溝17(分割予定ライン13)を境にウェーハ11が複数のチップ31(図4(A)参照)と端材33(図4(A)参照)とに分割されるまでウェーハ11を薄くする。 As a result, the back surface 11b side of the wafer 11 can be ground to make the wafer 11 thinner. In the present embodiment, at least the portion of the resin sheet 19 embedded in the groove 17 is exposed on the back surface 11b side, and the wafer 11 has a plurality of chips 31 (FIG. 4A) with the groove 17 (scheduled division line 13) as a boundary. The wafer 11 is thinned until it is divided into a scrap 33 (see FIG. 4A).

ウェーハ11の裏面11bを研削した後には、このウェーハ11にダイシングテープ(支持部材)を貼付する(支持部材貼付ステップ)。図4(A)は、ウェーハ11にダイシングテープ(支持部材)35が貼付された状態を模式的に示す断面図である。ダイシングテープ35は、代表的には、樹脂等の材料によって形成された円形のフィルムであり、その一方の面35aには、接着剤を含む接着層(不図示)が設けられている。 After grinding the back surface 11b of the wafer 11, a dicing tape (support member) is attached to the wafer 11 (support member attachment step). FIG. 4A is a cross-sectional view schematically showing a state in which the dicing tape (support member) 35 is attached to the wafer 11. The dicing tape 35 is typically a circular film formed of a material such as resin, and an adhesive layer (not shown) containing an adhesive is provided on one surface 35a of the dicing tape 35.

このダイシングテープ35の一方の面35aを、研削されたウェーハ11の裏面11bに密着させることにより、ウェーハ11にダイシングテープ35が貼付される。なお、本実施形態では、ウェーハ11を囲む環状のフレーム37をダイシングテープ35の外周部に固定する。そのため、ウェーハ11は、ダイシングテープ35を介してフレーム37に支持される。 The dicing tape 35 is attached to the wafer 11 by bringing one surface 35a of the dicing tape 35 into close contact with the back surface 11b of the ground wafer 11. In the present embodiment, the annular frame 37 surrounding the wafer 11 is fixed to the outer peripheral portion of the dicing tape 35. Therefore, the wafer 11 is supported by the frame 37 via the dicing tape 35.

ウェーハ11にダイシングテープ35を貼付した後には、樹脂シート19を溝17に埋め込まれた部分で切断する(樹脂シート切断ステップ)。具体的には、樹脂シート19の溝17に埋め込まれた部分に対して、切削ブレード14よりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)を切り込ませ、この樹脂シート19を切断する。図4(B)は、樹脂シート19が切断される様子を模式的に示す断面図である。本実施形態では、図4(B)の切削装置62を用いて樹脂シート19を切断する。 After the dicing tape 35 is attached to the wafer 11, the resin sheet 19 is cut at the portion embedded in the groove 17 (resin sheet cutting step). Specifically, a cutting blade (second cutting blade) thinner than the cutting blade 14 is cut into the portion embedded in the groove 17 of the resin sheet 19, and the resin sheet 19 is cut. FIG. 4B is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet 19 is cut. In this embodiment, the resin sheet 19 is cut using the cutting device 62 shown in FIG. 4 (B).

切削装置62の基本的な構造は、切削装置2の構造と同様である。すなわち、切削装置62は、ウェーハ11を保持する際に使用されるチャックテーブル64を備えている。チャックテーブル64は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料で形成された円筒状の枠体66と、多孔質材料で形成され枠体66の上部に配置される保持板68と、を含む。この保持板68の上面が、ウェーハ11を保持する保持面68aとなる。 The basic structure of the cutting device 62 is the same as that of the cutting device 2. That is, the cutting device 62 includes a chuck table 64 used for holding the wafer 11. The chuck table 64 includes, for example, a cylindrical frame 66 formed of a metal material typified by stainless steel, and a holding plate 68 formed of a porous material and arranged above the frame 66. The upper surface of the holding plate 68 serves as a holding surface 68a for holding the wafer 11.

保持板68の下面側は、枠体66の内部に設けられた流路66a等を介して吸引源(不図示)に接続されている。流路66a等には、流体の流れを制御するバルブ(不図示)が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面68aに作用させてウェーハ11を吸引できる。 The lower surface side of the holding plate 68 is connected to a suction source (not shown) via a flow path 66a or the like provided inside the frame body 66. A valve (not shown) for controlling the flow of fluid is provided in the flow path 66a or the like. Therefore, if the valve is opened, the negative pressure of the suction source can be applied to the holding surface 68a to suck the wafer 11.

枠体66は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面68aに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、枠体66は、移動機構(不図示)によって支持されており、上述した保持面68aに対して概ね平行な第1方向(加工送り方向)に移動する。この枠体66の側方には、環状のフレーム37を固定するための複数のクランプ70が配置されている。 The frame body 66 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and is rotated around a rotation axis substantially perpendicular to the holding surface 68a described above by the force generated by the rotation drive source. Further, the frame body 66 is supported by a moving mechanism (not shown) and moves in the first direction (machining feed direction) substantially parallel to the holding surface 68a described above. A plurality of clamps 70 for fixing the annular frame 37 are arranged on the side of the frame body 66.

チャックテーブル64の上方には、切削ユニット72が配置されている。切削ユニット72は、例えば、筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、チャックテーブル64の保持面68aに対して概ね平行で第1方向に概ね垂直な回転軸となるスピンドル74が収容されている。 A cutting unit 72 is arranged above the chuck table 64. The cutting unit 72 includes, for example, a tubular spindle housing (not shown). In the space inside the spindle housing, a spindle 74 which is a rotation axis substantially parallel to the holding surface 68a of the chuck table 64 and substantially perpendicular to the first direction is housed.

スピンドル74の一端側には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定して形成された環状の切削ブレード(第2切削ブレード)76が装着されている。この切削ブレード76の厚み(すなわち、一対の側面の距離)は、溝17を形成する際に使用された切削ブレード14の厚みよりも小さい。切削ブレード76に隣接する位置には、ウェーハ11や切削ブレード76に対して切削用の液体(代表的には、水)を供給するためのノズル(不図示)が設けられている。 An annular cutting blade (second cutting blade) 76 formed by fixing abrasive grains such as diamond with a binder such as resin or metal is mounted on one end side of the spindle 74. The thickness of the cutting blade 76 (that is, the distance between the pair of side surfaces) is smaller than the thickness of the cutting blade 14 used to form the groove 17. A nozzle (not shown) for supplying a cutting liquid (typically water) to the wafer 11 and the cutting blade 76 is provided at a position adjacent to the cutting blade 76.

スピンドル74の他端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、スピンドル74の一端側に装着された切削ブレード76は、回転駆動源が生じる力によって回転する。この切削ユニット72は、例えば、移動機構(不図示)によって支持されており、チャックテーブル64の保持面68aに対して概ね垂直な高さ方向と、チャックテーブル64の保持面68aに対して概ね平行で第1方向に概ね垂直な第2方向(割り出し送り方向)と、に移動する。 A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 74, and the cutting blade 76 mounted on one end side of the spindle 74 rotates by the force generated by the rotary drive source. The cutting unit 72 is supported by, for example, a moving mechanism (not shown), and is substantially parallel to the holding surface 68a of the chuck table 64 in the height direction substantially perpendicular to the holding surface 68a of the chuck table 64. Moves to the second direction (indexing feed direction), which is substantially perpendicular to the first direction.

樹脂シート19を切断する際には、まず、ウェーハ11に貼付されたダイシングテープ35の他方の面35bをチャックテーブル64の保持面68aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面68aに作用させる。これにより、ダイシングテープ35の他方の面35bは、保持面68aに吸引される。すなわち、ウェーハ11は、樹脂シート19が上方に露出した状態で、ダイシングテープ35を介してチャックテーブル64に保持される。なお、環状のフレーム37は、クランプ70に固定される。 When cutting the resin sheet 19, first, the other surface 35b of the dicing tape 35 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 68a of the chuck table 64. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 68a. As a result, the other surface 35b of the dicing tape 35 is attracted to the holding surface 68a. That is, the wafer 11 is held on the chuck table 64 via the dicing tape 35 with the resin sheet 19 exposed upward. The annular frame 37 is fixed to the clamp 70.

次に、樹脂シート19の溝17に埋め込まれた一部分(1本の分割予定ライン13に相当する部分)と第1方向とが平行になるように、チャックテーブル64の向きを調整する。そして、樹脂シート19の加工の対象となる部分の延長線の上方に切削ブレード76が位置付けられるように、チャックテーブル64と切削ユニット72との位置の関係を調整する。 Next, the orientation of the chuck table 64 is adjusted so that the portion (the portion corresponding to one scheduled division line 13) embedded in the groove 17 of the resin sheet 19 and the first direction are parallel to each other. Then, the positional relationship between the chuck table 64 and the cutting unit 72 is adjusted so that the cutting blade 76 is positioned above the extension line of the portion of the resin sheet 19 to be machined.

つまり、樹脂シート19のチップ31の側面から離れた部分(チップ31の側面と接触しない位置)に切削ブレード76を切り込めるように、チャックテーブル64と切削ユニット72との位置の関係を調整する。更に、切削ブレード76の下端の高さが、研削された後のウェーハ11の裏面11bの高さと同じか、又はそれよりも低くなるように、切削ユニット72の高さを調整する。 That is, the positional relationship between the chuck table 64 and the cutting unit 72 is adjusted so that the cutting blade 76 can be cut into a portion of the resin sheet 19 away from the side surface of the chip 31 (a position that does not contact the side surface of the chip 31). Further, the height of the cutting unit 72 is adjusted so that the height of the lower end of the cutting blade 76 is equal to or lower than the height of the back surface 11b of the wafer 11 after being ground.

その後、スピンドル74を回転させながら、チャックテーブル64を第1方向に移動させる。これにより、回転する切削ブレード76をウェーハ11の表面11a側から樹脂シート19の加工の対象となる部分に切り込ませ、この樹脂シート19を切断できる。樹脂シート19の加工の対象となる一部分を切断した後には、この樹脂シート19の溝17に埋め込まれた残りの全ての部分(残りの分割予定ライン13に相当する部分)を同様の手順で切断する。図5は、樹脂シート19が切断された後の状態を示す断面図である。 After that, the chuck table 64 is moved in the first direction while rotating the spindle 74. As a result, the rotating cutting blade 76 can be cut from the surface 11a side of the wafer 11 into the portion to be processed of the resin sheet 19, and the resin sheet 19 can be cut. After cutting a part of the resin sheet 19 to be processed, all the remaining parts (the part corresponding to the remaining planned division line 13) embedded in the groove 17 of the resin sheet 19 are cut by the same procedure. To do. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state after the resin sheet 19 is cut.

図5に示すように、樹脂シート19が切断されると、複数のチップ31は、それぞれ、樹脂シート19を切断して得られる封止材39により封止される。つまり、それぞれがチップ31と封止材39とを含み互いに分離された複数のパッケージデバイスチップ41が完成する。本実施形態では、ウェーハ11の溝17に対して樹脂シート19を埋め込んだ上で、この樹脂シート19をチップ31の側面から離れた位置で切断しているので、チップ31の側面は封止材39で覆われ露出しない。 As shown in FIG. 5, when the resin sheet 19 is cut, the plurality of chips 31 are each sealed with a sealing material 39 obtained by cutting the resin sheet 19. That is, a plurality of package device chips 41 each including the chip 31 and the sealing material 39 and separated from each other are completed. In the present embodiment, since the resin sheet 19 is embedded in the groove 17 of the wafer 11 and the resin sheet 19 is cut at a position away from the side surface of the chip 31, the side surface of the chip 31 is a sealing material. Covered with 39 and not exposed.

以上のように、本実施形態にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、ウェーハ11の分割予定ライン13に切削ブレード(第1切削ブレード)14を切り込ませて形成した溝17に対して、樹脂シート19を埋め込むようにウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付し、切削ブレード14よりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)76で、樹脂シート19の溝17に埋め込まれた部分を切断する。 As described above, in the method for manufacturing the package device chip according to the present embodiment, the resin sheet is formed in the groove 17 formed by cutting the cutting blade (first cutting blade) 14 into the planned division line 13 of the wafer 11. A resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed 19, and a cutting blade (second cutting blade) 76 thinner than the cutting blade 14 cuts a portion embedded in the groove 17 of the resin sheet 19.

そのため、ウェーハ11を分割することによって得られるチップ31の側面を、この樹脂シート19によって適切に被覆することができる。すなわち、溝に対して液状の樹脂を充填する場合のように、溝から液状の樹脂が漏れ出ることはないので、ウェーハ11を分割することによって得られるチップ31の側面が露出する可能性を低く抑えられる。 Therefore, the side surface of the chip 31 obtained by dividing the wafer 11 can be appropriately covered with the resin sheet 19. That is, unlike the case where the groove is filled with the liquid resin, the liquid resin does not leak from the groove, so that the side surface of the chip 31 obtained by dividing the wafer 11 is less likely to be exposed. It can be suppressed.

なお、上述した実施形態の一連の手順は、矛盾を生じない範囲でその一部を入れ替えたり、省略したり、変更したりすることができる。例えば、上述した実施形態では、ウェーハ11の裏面11bを研削した後に、樹脂シート19を切断しているが、樹脂シート19を切断してから、ウェーハ11の裏面11bを研削しても良い(第1変形例)。 It should be noted that the series of procedures of the above-described embodiment can be partially replaced, omitted, or changed without causing a contradiction. For example, in the above-described embodiment, the resin sheet 19 is cut after the back surface 11b of the wafer 11 is ground, but the back surface 11b of the wafer 11 may be ground after the resin sheet 19 is cut (the first). 1 variant).

この第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、上述した実施形態と同様の手順でウェーハ11に溝17を形成し(溝形成ステップ)、ウェーハ11の表面11aを樹脂シート19で被覆し(被覆ステップ)、その後、樹脂シート19を硬化させる(硬化ステップ)。 In the method for manufacturing a package device chip according to the first modification, a groove 17 is formed in the wafer 11 (groove formation step) in the same procedure as in the above-described embodiment, and the surface 11a of the wafer 11 is covered with the resin sheet 19. (Coating step), and then the resin sheet 19 is cured (curing step).

樹脂シート19を硬化させた後には、この樹脂シート19の溝17に埋め込まれた部分に対して、溝17を形成する際に使用された切削ブレード(第1切削ブレード)よりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)を切り込ませ、この樹脂シート19を切断する(樹脂シート切断ステップ)。図6(A)は、第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で樹脂シート19が切断される様子を模式的に示す断面図である。この第1変形例では、図6(A)の切削装置82を用いて樹脂シート19を切断する。 After the resin sheet 19 is cured, a cutting blade (first cutting blade) thinner than the cutting blade (first cutting blade) used for forming the groove 17 with respect to the portion embedded in the groove 17 of the resin sheet 19 ( The second cutting blade) is cut, and the resin sheet 19 is cut (resin sheet cutting step). FIG. 6A is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet 19 is cut by the method for manufacturing the package device chip according to the first modification. In this first modification, the resin sheet 19 is cut using the cutting device 82 shown in FIG. 6 (A).

切削装置82の基本的な構造は、切削装置62の構造と同様である。すなわち、切削装置82は、ウェーハ11を保持する際に使用されるチャックテーブル84を備えている。チャックテーブル84は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属材料で形成された円筒状の枠体86と、多孔質材料で形成され枠体86の上部に配置される保持板88と、を含む。この保持板88の上面が、ウェーハ11を保持する保持面88aとなる。 The basic structure of the cutting device 82 is the same as that of the cutting device 62. That is, the cutting device 82 includes a chuck table 84 used for holding the wafer 11. The chuck table 84 includes, for example, a cylindrical frame 86 formed of a metal material typified by stainless steel, and a holding plate 88 formed of a porous material and arranged on the upper portion of the frame 86. The upper surface of the holding plate 88 serves as a holding surface 88a for holding the wafer 11.

保持板88の下面側は、枠体86の内部に設けられた流路86a等を介して吸引源(不図示)に接続されている。流路86a等には、流体の流れを制御するバルブ(不図示)が設けられている。そのため、バルブを開けば、吸引源の負圧を保持面88aに作用させてウェーハ11を吸引できる。 The lower surface side of the holding plate 88 is connected to a suction source (not shown) via a flow path 86a or the like provided inside the frame body 86. A valve (not shown) for controlling the flow of fluid is provided in the flow path 86a or the like. Therefore, when the valve is opened, the negative pressure of the suction source is applied to the holding surface 88a to suck the wafer 11.

枠体86は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、この回転駆動源が生じる力によって、上述した保持面88aに対して概ね垂直な回転軸の周りに回転する。また、枠体86は、移動機構(不図示)によって支持されており、上述した保持面88aに対して概ね平行な第1方向(加工送り方向)に移動する。 The frame body 86 is connected to a rotation drive source (not shown) such as a motor, and is rotated around a rotation axis substantially perpendicular to the holding surface 88a described above by the force generated by the rotation drive source. Further, the frame body 86 is supported by a moving mechanism (not shown) and moves in the first direction (machining feed direction) substantially parallel to the holding surface 88a described above.

チャックテーブル84の上方には、切削ユニット90が配置されている。切削ユニット90は、例えば、筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、チャックテーブル84の保持面88aに対して概ね平行で第1方向に概ね垂直な回転軸となるスピンドル92が収容されている。 A cutting unit 90 is arranged above the chuck table 84. The cutting unit 90 includes, for example, a tubular spindle housing (not shown). In the space inside the spindle housing, a spindle 92 which is a rotation axis substantially parallel to the holding surface 88a of the chuck table 84 and substantially perpendicular to the first direction is housed.

スピンドル92の一端側には、ダイヤモンド等の砥粒を樹脂や金属等の結合材で固定して形成された環状の切削ブレード(第2切削ブレード)94が装着されている。この切削ブレード94の厚み(すなわち、一対の側面の距離)は、溝17を形成する際に使用された切削ブレードの厚みよりも小さい。切削ブレード94に隣接する位置には、ウェーハ11や切削ブレード94に対して切削用の液体(代表的には、水)を供給するためのノズル(不図示)が設けられている。 An annular cutting blade (second cutting blade) 94 formed by fixing abrasive grains such as diamond with a binder such as resin or metal is mounted on one end side of the spindle 92. The thickness of the cutting blade 94 (that is, the distance between the pair of side surfaces) is smaller than the thickness of the cutting blade used to form the groove 17. A nozzle (not shown) for supplying a cutting liquid (typically water) to the wafer 11 and the cutting blade 94 is provided at a position adjacent to the cutting blade 94.

スピンドル92の他端側には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、スピンドル92の一端側に装着された切削ブレード94は、回転駆動源が生じる力によって回転する。この切削ユニット90は、例えば、移動機構(不図示)によって支持されており、チャックテーブル84の保持面88aに対して概ね垂直な高さ方向と、チャックテーブル84の保持面88aに対して概ね平行で第1方向に概ね垂直な第2方向(割り出し送り方向)と、に移動する。 A rotary drive source (not shown) such as a motor is connected to the other end side of the spindle 92, and the cutting blade 94 mounted on one end side of the spindle 92 rotates by the force generated by the rotary drive source. The cutting unit 90 is supported by, for example, a moving mechanism (not shown), and is substantially parallel to the holding surface 88a of the chuck table 84 in the height direction substantially perpendicular to the holding surface 88a of the chuck table 84. Moves to the second direction (indexing feed direction), which is substantially perpendicular to the first direction.

樹脂シート19を切断する際の手順も、上述した実施形態にかかる手順と同様である。具体的には、まず、ウェーハ11の裏面11bをチャックテーブル84の保持面88aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面88aに作用させる。これにより、裏面11bが保持面88aに吸引され、ウェーハ11は、樹脂シート19の他方の面19bが上方に露出した状態でチャックテーブル84に保持される。なお、ウェーハ11をチャックテーブル84で保持する前には、ウェーハ11の裏面11bに粘着テープ等の保護部材を貼付しても良い。 The procedure for cutting the resin sheet 19 is also the same as the procedure for the above-described embodiment. Specifically, first, the back surface 11b of the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 88a of the chuck table 84. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 88a. As a result, the back surface 11b is attracted to the holding surface 88a, and the wafer 11 is held on the chuck table 84 with the other surface 19b of the resin sheet 19 exposed upward. Before holding the wafer 11 on the chuck table 84, a protective member such as an adhesive tape may be attached to the back surface 11b of the wafer 11.

次に、樹脂シート19の溝17に埋め込まれた一部分(1本の分割予定ライン13に相当する部分)と第1方向とが平行になるように、チャックテーブル84の向きを調整する。そして、樹脂シート19の加工の対象となる部分の延長線の上方に切削ブレード94が位置付けられるように、チャックテーブル84と切削ユニット90との位置の関係を調整する。 Next, the orientation of the chuck table 84 is adjusted so that the portion (the portion corresponding to one scheduled division line 13) embedded in the groove 17 of the resin sheet 19 and the first direction are parallel to each other. Then, the positional relationship between the chuck table 84 and the cutting unit 90 is adjusted so that the cutting blade 94 is positioned above the extension line of the portion of the resin sheet 19 to be processed.

つまり、樹脂シート19の溝17の側面から離れた部分(溝17の側面と接触しない位置)に切削ブレード94を切り込めるように、チャックテーブル84と切削ユニット90との位置の関係を調整する。更に、切削ブレード94の下端の高さが、溝17に埋め込まれた樹脂シート19の下端(溝17の底)の高さと同じか、又はそれよりも低くなるように、切削ユニット90の高さを調整する。 That is, the positional relationship between the chuck table 84 and the cutting unit 90 is adjusted so that the cutting blade 94 can be cut into a portion of the resin sheet 19 away from the side surface of the groove 17 (a position that does not contact the side surface of the groove 17). Further, the height of the cutting unit 90 is such that the height of the lower end of the cutting blade 94 is equal to or lower than the height of the lower end (bottom of the groove 17) of the resin sheet 19 embedded in the groove 17. To adjust.

その後、スピンドル92を回転させながら、チャックテーブル84を第1方向に移動させる。これにより、回転する切削ブレード94をウェーハ11の表面11a側から樹脂シート19の加工の対象となる部分に切り込ませ、この樹脂シート19を切断できる。樹脂シート19の加工の対象となる一部分を切断した後には、この樹脂シート19の溝17に埋め込まれた残りの全ての部分(残りの分割予定ライン13に相当する部分)を同様の手順で切断する。 After that, the chuck table 84 is moved in the first direction while rotating the spindle 92. As a result, the rotating cutting blade 94 can be cut from the surface 11a side of the wafer 11 into the portion to be processed of the resin sheet 19, and the resin sheet 19 can be cut. After cutting a part of the resin sheet 19 to be processed, all the remaining parts (the part corresponding to the remaining planned division line 13) embedded in the groove 17 of the resin sheet 19 are cut by the same procedure. To do.

樹脂シート19を切断した後には、この樹脂シート19の他方の面19b(ウェーハ11とは反対側の面)に支持部材51(図6(B)参照)を貼付する(支持部材貼付ステップ)。支持部材51としては、例えば、ダイシングテープや任意の基板等を用いることができる。 After cutting the resin sheet 19, the support member 51 (see FIG. 6B) is attached to the other surface 19b (the surface opposite to the wafer 11) of the resin sheet 19 (support member attachment step). As the support member 51, for example, a dicing tape, an arbitrary substrate, or the like can be used.

樹脂シート19に支持部材51を貼付した後には、ウェーハ11の裏面11bを研削して、このウェーハ11を分割予定ライン13で複数のチップ31に分割する(研削ステップ)。図6(B)は、第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハ11の裏面11bが研削される様子を模式的に示す断面図である。この第1変形例では、上述した研削装置32を用いてウェーハ11の裏面11bを研削する。 After the support member 51 is attached to the resin sheet 19, the back surface 11b of the wafer 11 is ground, and the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31 along the scheduled division line 13 (grinding step). FIG. 6B is a cross-sectional view schematically showing how the back surface 11b of the wafer 11 is ground by the method for manufacturing the package device chip according to the first modification. In this first modification, the back surface 11b of the wafer 11 is ground using the grinding device 32 described above.

具体的には、まず、樹脂シート19に貼付された支持部材51の露出している表面を、チャックテーブル34の保持面38aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面38aに作用させる。これにより、支持部材51の表面は、保持面38aに吸引される。すなわち、ウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出した状態で、樹脂シート19及び支持部材51を介してチャックテーブル34に保持される。 Specifically, first, the exposed surface of the support member 51 attached to the resin sheet 19 is brought into contact with the holding surface 38a of the chuck table 34. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 38a. As a result, the surface of the support member 51 is attracted to the holding surface 38a. That is, the wafer 11 is held on the chuck table 34 via the resin sheet 19 and the support member 51 with the back surface 11b side exposed upward.

次に、このチャックテーブル34を研削ユニット40の下方に移動させる。その後、図6(B)に示すように、チャックテーブル34とスピンドル42(研削ホイール46)とをそれぞれ回転させて、ウェーハ11の裏面11b側に研削用の液体を供給しながら、研削ユニット40(研削ホイール46)を下降させる。研削ユニット40を下降させる速度は、研削砥石50がウェーハ11の裏面11bに対して適切に押し当てられる範囲で調整される。 Next, the chuck table 34 is moved below the grinding unit 40. After that, as shown in FIG. 6B, the chuck table 34 and the spindle 42 (grinding wheel 46) are rotated, respectively, and the grinding unit 40 (grinding unit 40 (grinding wheel 46) is supplied to the back surface 11b side of the wafer 11 with a liquid for grinding. The grinding wheel 46) is lowered. The speed at which the grinding unit 40 is lowered is adjusted within a range in which the grinding wheel 50 is appropriately pressed against the back surface 11b of the wafer 11.

これにより、ウェーハ11の裏面11b側を研削して、ウェーハ11を薄くできる。第1変形例では、少なくとも樹脂シート19の溝17に埋め込まれた部分が裏面11b側に露出し、この溝17(分割予定ライン13)を境にウェーハ11が複数のチップ31と端材33とに分割されるまでウェーハ11を薄くする。図7は、第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハ11が研削された後の状態を示す断面図である。 As a result, the back surface 11b side of the wafer 11 can be ground to make the wafer 11 thinner. In the first modification, at least the portion of the resin sheet 19 embedded in the groove 17 is exposed on the back surface 11b side, and the wafer 11 is formed by the plurality of chips 31 and the end material 33 with the groove 17 (scheduled division line 13) as a boundary. The wafer 11 is thinned until it is divided into two. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state after the wafer 11 is ground by the method for manufacturing the package device chip according to the first modification.

図7に示すように、ウェーハ11が複数のチップ31に分割されると、各チップ31は樹脂シート19を切断して得られる封止材39により封止された状態になる。つまり、それぞれがチップ31と封止材39とを含み互いに分離された複数のパッケージデバイスチップ41が完成する。第1変形例では、ウェーハ11の溝17に対して樹脂シート19を埋め込んだ上で、この樹脂シート19をチップ31の側面から離れた位置で切断しているので、チップ31の側面は封止材39で覆われ露出しない。 As shown in FIG. 7, when the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31, each chip 31 is in a state of being sealed by a sealing material 39 obtained by cutting the resin sheet 19. That is, a plurality of package device chips 41 each including the chip 31 and the sealing material 39 and separated from each other are completed. In the first modification, since the resin sheet 19 is embedded in the groove 17 of the wafer 11 and the resin sheet 19 is cut at a position away from the side surface of the chip 31, the side surface of the chip 31 is sealed. It is covered with material 39 and is not exposed.

以上のように、第1変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でも、ウェーハ11の分割予定ライン13に切削ブレード(第1切削ブレード)を切り込ませて形成した溝17に対して、樹脂シート19を埋め込むようにウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付し、溝17を形成する際に使用された切削ブレードよりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)94で、樹脂シート19の溝17に埋め込まれた部分を切断する。 As described above, also in the method for manufacturing the package device chip according to the first modification, the resin sheet is formed in the groove 17 formed by cutting the cutting blade (first cutting blade) into the planned division line 13 of the wafer 11. A cutting blade (second cutting blade) 94 thinner than the cutting blade used when the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed the 19 and used to form the groove 17, and the groove 17 of the resin sheet 19 is formed. Cut the part embedded in.

そのため、ウェーハ11を分割することによって得られるチップ31の側面を、この樹脂シート19によって適切に被覆することができる。すなわち、溝に対して液状の樹脂を充填する場合のように、溝から液状の樹脂が漏れ出ることはないので、ウェーハ11を分割することによって得られるチップ31の側面が露出する可能性を低く抑えられる。 Therefore, the side surface of the chip 31 obtained by dividing the wafer 11 can be appropriately covered with the resin sheet 19. That is, unlike the case where the groove is filled with the liquid resin, the liquid resin does not leak from the groove, so that the side surface of the chip 31 obtained by dividing the wafer 11 is less likely to be exposed. It can be suppressed.

また、例えば、ウェーハ11に溝17を形成せずに、このウェーハ11の裏面11bを研削することもできる(第2変形例)。この第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法では、ウェーハ11の裏面11bを研削し(研削ステップ)、ウェーハ11に支持部材を貼付した上で(支持部材貼付ステップ)、ウェーハ11に切削ブレード(第1切削ブレード)を切り込ませてこのウェーハ11を分割予定ライン13で複数のチップ31に分割する(ウェーハ分割ステップ)。 Further, for example, the back surface 11b of the wafer 11 can be ground without forming the groove 17 in the wafer 11 (second modification). In the method for manufacturing a package device chip according to this second modification, the back surface 11b of the wafer 11 is ground (grinding step), a support member is attached to the wafer 11 (support member attachment step), and then a cutting blade is attached to the wafer 11. (The first cutting blade) is cut and the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31 along the scheduled division line 13 (wafer division step).

その後、隣接する2つのチップ31の隙間に樹脂シート19を埋め込むようにウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付し(被覆ステップ)、この樹脂シート19を硬化させて(硬化ステップ)、ウェーハ11の分割に使用された切削ブレードよりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)を樹脂シート19の隙間に埋め込まれた部分に切り込ませて、この樹脂シート19を切断する(樹脂シート切断ステップ)。 After that, the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed the resin sheet 19 in the gap between the two adjacent chips 31 (coating step), and the resin sheet 19 is cured (curing step), and the wafer 11 is cured. A cutting blade (second cutting blade) thinner than the cutting blade used for the division is cut into the portion embedded in the gap of the resin sheet 19 to cut the resin sheet 19 (resin sheet cutting step).

図8(A)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハ11の裏面11bが研削される様子を模式的に示す断面図である。この第2変形例でも、上述した研削装置32を用いてウェーハ11の裏面11bを研削する。 FIG. 8A is a cross-sectional view schematically showing how the back surface 11b of the wafer 11 is ground by the method for manufacturing the package device chip according to the second modification. Also in this second modification, the back surface 11b of the wafer 11 is ground using the grinding device 32 described above.

具体的には、まず、ウェーハ11の表面11a側に粘着テープ等の保護部材61を貼付して、この保護部材61の露出している表面を、チャックテーブル34の保持面38aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面38aに作用させる。これにより、保護部材61の表面は、保持面38aに吸引される。すなわち、ウェーハ11は、裏面11b側が上方に露出した状態で、保護部材61を介してチャックテーブル34に保持される。 Specifically, first, a protective member 61 such as an adhesive tape is attached to the surface 11a side of the wafer 11, and the exposed surface of the protective member 61 is brought into contact with the holding surface 38a of the chuck table 34. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 38a. As a result, the surface of the protective member 61 is attracted to the holding surface 38a. That is, the wafer 11 is held on the chuck table 34 via the protective member 61 with the back surface 11b side exposed upward.

次に、このチャックテーブル34を研削ユニット40の下方に移動させる。その後、図8(A)に示すように、チャックテーブル34とスピンドル42(研削ホイール46)とをそれぞれ回転させて、ウェーハ11の裏面11b側に研削用の液体を供給しながら、研削ユニット40(研削ホイール46)を下降させる。研削ユニット40を下降させる速度は、研削砥石50がウェーハ11の裏面11bに対して適切に押し当てられる範囲で調整される。 Next, the chuck table 34 is moved below the grinding unit 40. After that, as shown in FIG. 8A, the chuck table 34 and the spindle 42 (grinding wheel 46) are rotated, respectively, and the grinding unit 40 (grinding unit 40 (grinding wheel 46) is supplied to the back surface 11b side of the wafer 11 with a liquid for grinding. The grinding wheel 46) is lowered. The speed at which the grinding unit 40 is lowered is adjusted within a range in which the grinding wheel 50 is appropriately pressed against the back surface 11b of the wafer 11.

これにより、ウェーハ11の裏面11b側を研削して、ウェーハ11を薄くできる。第2変形例では、チップ31の仕上げ厚みに相当する厚みになるまで、ウェーハ11を薄くする。図8(B)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でウェーハ11が研削された後の状態を示す断面図である。 As a result, the back surface 11b side of the wafer 11 can be ground to make the wafer 11 thinner. In the second modification, the wafer 11 is thinned to a thickness corresponding to the finishing thickness of the chip 31. FIG. 8B is a cross-sectional view showing a state after the wafer 11 is ground by the method for manufacturing the package device chip according to the second modification.

ウェーハ11の裏面11bを研削した後には、この研削された後のウェーハ11の裏面11bに支持部材63(図9(A)参照)を貼付する(支持部材貼付ステップ)。支持部材63としては、例えば、ダイシングテープや任意の基板等を用いることができる。併せて、保護部材61をウェーハ11の表面11aから剥離して除去する。 After the back surface 11b of the wafer 11 is ground, the support member 63 (see FIG. 9A) is attached to the back surface 11b of the wafer 11 after being ground (support member attachment step). As the support member 63, for example, a dicing tape, an arbitrary substrate, or the like can be used. At the same time, the protective member 61 is peeled off from the surface 11a of the wafer 11 and removed.

ウェーハ11の裏面11bに支持部材63を貼付した後には、このウェーハ11に対して表面11a側から切削ブレード(第1切削ブレード)を切り込ませて、ウェーハ11を分割予定ライン13で複数のチップ31に分割する(ウェーハ分割ステップ)。図9(A)は、ウェーハ11が複数のチップ31に分割される様子を模式的に示す断面図である。第2変形例では、上述した切削装置2を用いてウェーハ11を複数のチップ31に分割する。 After the support member 63 is attached to the back surface 11b of the wafer 11, a cutting blade (first cutting blade) is cut into the wafer 11 from the front surface 11a side, and the wafer 11 is divided into a plurality of chips along the scheduled division line 13. Divide into 31 (wafer division step). FIG. 9A is a cross-sectional view schematically showing how the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31. In the second modification, the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31 by using the cutting device 2 described above.

具体的には、まず、このウェーハ11に貼付された支持部材63の露出している表面をチャックテーブル4の保持面8aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面8aに作用させる。これにより、支持部材63の表面が保持面8aに吸引されて、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル4に保持される。 Specifically, first, the exposed surface of the support member 63 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 8a of the chuck table 4. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 8a. As a result, the surface of the support member 63 is attracted to the holding surface 8a, and the wafer 11 is held on the chuck table 4 with the surface 11a side exposed upward.

次に、加工の対象となる分割予定ライン13と第1方向とが平行になるように、チャックテーブル4の向きを調整する。そして、この分割予定ライン13の延長線の上方に切削ブレード14が位置付けられるように、チャックテーブル4と切削ユニット10との位置の関係を調整する。 Next, the orientation of the chuck table 4 is adjusted so that the scheduled division line 13 to be machined and the first direction are parallel to each other. Then, the positional relationship between the chuck table 4 and the cutting unit 10 is adjusted so that the cutting blade 14 is positioned above the extension line of the planned division line 13.

更に、切削ブレード14の下端の高さが、研削された後のウェーハ11の裏面11bの高さと同じか、又はそれよりも低くなるように、切削ユニット10の高さを調整する。その後、スピンドル12を回転させながら、チャックテーブル4を第1方向に移動させる。これにより、回転する切削ブレード14をウェーハ11の表面11a側から対象の分割予定ライン13に切り込ませ、ウェーハ11を分割予定ライン13で切断できる。 Further, the height of the cutting unit 10 is adjusted so that the height of the lower end of the cutting blade 14 is equal to or lower than the height of the back surface 11b of the wafer 11 after being ground. After that, the chuck table 4 is moved in the first direction while rotating the spindle 12. As a result, the rotating cutting blade 14 can be cut into the target split line 13 from the surface 11a side of the wafer 11, and the wafer 11 can be cut at the scheduled split line 13.

対象の分割予定ライン13でウェーハ11を切断した後には、同様の手順により、他の全ての分割予定ライン13でウェーハ11を切断する。その結果、ウェーハ11は、複数のチップ31と端材33とに分割される。つまり、隣接する2つのチップ31の間や、チップ31と端材33との間には、切削ブレード14の厚みに相当する隙間65(図9(B)参照)が形成される。 After cutting the wafer 11 on the target planned division line 13, the wafer 11 is cut on all the other scheduled division lines 13 by the same procedure. As a result, the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31 and scraps 33. That is, a gap 65 (see FIG. 9B) corresponding to the thickness of the cutting blade 14 is formed between the two adjacent chips 31 and between the insert 31 and the end material 33.

ウェーハ11を分割予定ライン13で複数のチップ31に分割した後には、隣接する2つのチップ31の隙間65に樹脂シート19を埋め込むようにウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付して、この樹脂シート19でウェーハ11の表面11aを被覆する(被覆ステップ)。図9(B)は、ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19が貼付される様子を模式的に示す断面図である。第2変形例では、上述した貼付装置22を用いてウェーハ11に樹脂シート19を貼付する。 After the wafer 11 is divided into a plurality of chips 31 on the scheduled division line 13, the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed the resin sheet 19 in the gap 65 between the two adjacent chips 31. The surface 11a of the wafer 11 is coated with the resin sheet 19 (coating step). FIG. 9B is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11. In the second modification, the resin sheet 19 is attached to the wafer 11 by using the attachment device 22 described above.

具体的には、まず、ウェーハ11に貼付された支持部材63の露出している表面をチャックテーブル24の保持面28aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面28aに作用させる。これにより、支持部材63の表面が保持面28aに吸引されて、ウェーハ11は、表面11a側が上方に露出した状態でチャックテーブル24に保持される。 Specifically, first, the exposed surface of the support member 63 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 28a of the chuck table 24. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 28a. As a result, the surface of the support member 63 is attracted to the holding surface 28a, and the wafer 11 is held on the chuck table 24 with the surface 11a side exposed upward.

その後、ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付する。具体的には、例えば、ウェーハ11の表面11aに樹脂シート19の一方の面19aを接触させた上で、プレス板の下面を樹脂シート19の他方の面19bに押し当てる。その結果、樹脂シート19は、ウェーハ11の表面11aに貼付される。つまり、ウェーハ11の表面11aが、樹脂シート19で被覆される。また、樹脂シート19の一部は、プレス板からの圧力によって隙間65に埋め込まれる。 After that, the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11. Specifically, for example, one surface 19a of the resin sheet 19 is brought into contact with the surface 11a of the wafer 11, and then the lower surface of the press plate is pressed against the other surface 19b of the resin sheet 19. As a result, the resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11. That is, the surface 11a of the wafer 11 is covered with the resin sheet 19. Further, a part of the resin sheet 19 is embedded in the gap 65 by the pressure from the press plate.

樹脂シート19でウェーハ11の表面11aを被覆した後には、この樹脂シート19を硬化させる(硬化ステップ)。第2変形例でも、上述した貼付装置22を用いて樹脂シート19を硬化させる。すなわち、貼付装置22の紫外線光源からプレス板を介して樹脂シート19に紫外線を照射することで、樹脂シート19を硬化させる。 After covering the surface 11a of the wafer 11 with the resin sheet 19, the resin sheet 19 is cured (curing step). Also in the second modification, the resin sheet 19 is cured by using the sticking device 22 described above. That is, the resin sheet 19 is cured by irradiating the resin sheet 19 with ultraviolet rays from the ultraviolet light source of the sticking device 22 via the press plate.

樹脂シート19を硬化させた後には、この樹脂シート19の隙間65に埋め込まれた部分に対して、切削ブレード14よりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)を切り込ませ、この樹脂シート19を切断する(樹脂シート切断ステップ)。図10(A)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で樹脂シート19が切断される様子を模式的に示す断面図である。この第2変形例では、上述した切削装置82を用いて樹脂シート19を切断する。 After the resin sheet 19 is cured, a cutting blade (second cutting blade) thinner than the cutting blade 14 is cut into the portion embedded in the gap 65 of the resin sheet 19, and the resin sheet 19 is formed. Cut (resin sheet cutting step). FIG. 10A is a cross-sectional view schematically showing how the resin sheet 19 is cut by the method for manufacturing the package device chip according to the second modification. In this second modification, the resin sheet 19 is cut using the cutting device 82 described above.

具体的な手順は、上述した実施形態や第1変形例にかかる手順と同様である。まず、ウェーハ11に貼付された支持部材63の露出している表面をチャックテーブル84の保持面88aに接触させる。そして、バルブを開いて、吸引源の負圧を保持面88aに作用させる。これにより、支持部材63の表面は、保持面88aに吸引される。すなわち、ウェーハ11は、樹脂シート19が上方に露出した状態で、支持部材63を介してチャックテーブル84に保持される。 The specific procedure is the same as the procedure related to the above-described embodiment and the first modification. First, the exposed surface of the support member 63 attached to the wafer 11 is brought into contact with the holding surface 88a of the chuck table 84. Then, the valve is opened to apply the negative pressure of the suction source to the holding surface 88a. As a result, the surface of the support member 63 is attracted to the holding surface 88a. That is, the wafer 11 is held on the chuck table 84 via the support member 63 with the resin sheet 19 exposed upward.

次に、樹脂シート19の隙間65に埋め込まれた一部分(1本の分割予定ライン13に相当する部分)と第1方向とが平行になるように、チャックテーブル84の向きを調整する。そして、樹脂シート19の加工の対象となる部分の延長線の上方に切削ブレード94が位置付けられるように、チャックテーブル84と切削ユニット90との位置の関係を調整する。 Next, the orientation of the chuck table 84 is adjusted so that the portion (the portion corresponding to one scheduled division line 13) embedded in the gap 65 of the resin sheet 19 and the first direction are parallel to each other. Then, the positional relationship between the chuck table 84 and the cutting unit 90 is adjusted so that the cutting blade 94 is positioned above the extension line of the portion of the resin sheet 19 to be processed.

つまり、樹脂シート19のチップ31の側面から離れた部分(チップ31の側面と接触しない位置)に切削ブレード94を切り込めるように、チャックテーブル84と切削ユニット90との位置の関係を調整する。更に、切削ブレード94の下端の高さが、隙間65に埋め込まれた樹脂シート19の下端の高さと同じか、又はそれよりも低くなるように、切削ユニット90の高さを調整する。 That is, the positional relationship between the chuck table 84 and the cutting unit 90 is adjusted so that the cutting blade 94 can be cut into a portion of the resin sheet 19 away from the side surface of the chip 31 (a position that does not contact the side surface of the chip 31). Further, the height of the cutting unit 90 is adjusted so that the height of the lower end of the cutting blade 94 is equal to or lower than the height of the lower end of the resin sheet 19 embedded in the gap 65.

その後、スピンドル92を回転させながら、チャックテーブル84を第1方向に移動させる。これにより、回転する切削ブレード94をウェーハ11の表面11a側から樹脂シート19の加工の対象となる部分に切り込ませ、この樹脂シート19を切断できる。 After that, the chuck table 84 is moved in the first direction while rotating the spindle 92. As a result, the rotating cutting blade 94 can be cut from the surface 11a side of the wafer 11 into the portion to be processed of the resin sheet 19, and the resin sheet 19 can be cut.

樹脂シート19の加工の対象となる一部分を切断した後には、この樹脂シート19の隙間65に埋め込まれた残りの全ての部分(残りの分割予定ライン13に相当する部分)を同様の手順で切断する。図10(B)は、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法で樹脂シート19が切断された後の状態を示す断面図である。 After cutting a part of the resin sheet 19 to be processed, all the remaining parts (the part corresponding to the remaining planned division line 13) embedded in the gap 65 of the resin sheet 19 are cut by the same procedure. To do. FIG. 10B is a cross-sectional view showing a state after the resin sheet 19 is cut by the method for manufacturing the package device chip according to the second modification.

図10(B)に示すように、樹脂シート19が切断されると、各チップ31は封止材39により封止された状態になる。つまり、それぞれがチップ31と封止材39とを含み互いに分離された複数のパッケージデバイスチップ41が完成する。第2変形例では、隣接する2つのチップ31の隙間65に対して樹脂シート19を埋め込んだ上で、この樹脂シート19をチップ31の側面から離れた位置で切断しているので、チップ31の側面は封止材39で覆われ露出しない。 As shown in FIG. 10B, when the resin sheet 19 is cut, each chip 31 is in a state of being sealed by the sealing material 39. That is, a plurality of package device chips 41 each including the chip 31 and the sealing material 39 and separated from each other are completed. In the second modification, the resin sheet 19 is embedded in the gap 65 between the two adjacent chips 31, and the resin sheet 19 is cut at a position away from the side surface of the chip 31, so that the chip 31 The side surface is covered with the sealing material 39 and is not exposed.

以上のように、第2変形例にかかるパッケージデバイスチップの製造方法でも、ウェーハ11の分割予定ライン13に切削ブレード(第1切削ブレード)14を切り込ませて得られた2つのチップ31の隙間65に対して、樹脂シート19を埋め込むようにウェーハ11の表面11aに樹脂シート19を貼付し、この切削ブレード14よりも薄い切削ブレード(第2切削ブレード)94で、樹脂シート19の隙間65に埋め込まれた部分を切断する。 As described above, also in the method for manufacturing the package device chip according to the second modification, the gap between the two chips 31 obtained by cutting the cutting blade (first cutting blade) 14 into the planned division line 13 of the wafer 11. A resin sheet 19 is attached to the surface 11a of the wafer 11 so as to embed the resin sheet 19 with respect to 65, and a cutting blade (second cutting blade) 94 thinner than the cutting blade 14 is used in the gap 65 of the resin sheet 19. Cut the embedded part.

そのため、ウェーハ11を分割することによって得られるチップ31の側面を、この樹脂シート19によって適切に被覆することができる。すなわち、チップの隙間に対して液状の樹脂を充填する場合のように、隙間から液状の樹脂が漏れ出ることはないので、ウェーハ11を分割することによって得られるチップ31の側面が露出する可能性を低く抑えられる。 Therefore, the side surface of the chip 31 obtained by dividing the wafer 11 can be appropriately covered with the resin sheet 19. That is, unlike the case where the liquid resin is filled in the gap between the chips, the liquid resin does not leak from the gap, so that the side surface of the chip 31 obtained by dividing the wafer 11 may be exposed. Can be kept low.

なお、本発明は、上述した実施形態や各変形例の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態や各変形例では、溝17の形成に用いた切削装置とは別の切削装置を用いて樹脂シート19を切断したが、例えば、2組の切削ユニットを備える1台の切削装置で溝17の形成し、樹脂シート19を切断しても良い。 The present invention is not limited to the description of the above-described embodiment and each modification, and can be modified in various ways. For example, in the above-described embodiment and each modification, the resin sheet 19 is cut by using a cutting device different from the cutting device used to form the groove 17, but for example, one unit including two sets of cutting units. The groove 17 may be formed by a cutting device, and the resin sheet 19 may be cut.

また、上述した実施形態や各変形例では、切削ブレード76や切削ブレード94を用いる方法(切削加工)によって、樹脂シート19を溝17に埋め込まれた部分又は隙間65に埋め込まれた部分で切断したが、樹脂シート19を切断する方法に特段の制限はない。例えば、レーザービームを照射する方法(アブレーション加工)によって、この樹脂シート19を切断しても良い。また、ウェーハ11に貼付されたダイシングテープ35等を拡張する方法(エキスパンド)によって、この樹脂シート19を切断することもできる。 Further, in the above-described embodiment and each modification, the resin sheet 19 is cut at a portion embedded in the groove 17 or a portion embedded in the gap 65 by a method (cutting process) using the cutting blade 76 or the cutting blade 94. However, there are no particular restrictions on the method of cutting the resin sheet 19. For example, the resin sheet 19 may be cut by a method of irradiating a laser beam (ablation processing). Further, the resin sheet 19 can also be cut by a method (expanding) of expanding the dicing tape 35 or the like attached to the wafer 11.

また、上述した実施形態や各変形例では、ウェーハ11の表面11a側が樹脂シート19で完全に覆われているが、任意のタイミングで樹脂シート19の一部を除去し、ウェーハ11の表面11a側に設けられている電極等(ウェーハ11の表面11a側の一部)を露出させても良い(樹脂シート除去ステップ)。具体的には、例えば、バイト等の工具を用いて樹脂シート19を切削することで、この樹脂シート19の他方の面19b側の一部を除去してウェーハ11の表面11a側の一部を露出させることができる。 Further, in the above-described embodiment and each modification, the surface 11a side of the wafer 11 is completely covered with the resin sheet 19, but a part of the resin sheet 19 is removed at an arbitrary timing to remove the surface 11a side of the wafer 11. The electrodes and the like (a part of the surface 11a side of the wafer 11) provided on the wafer 11 may be exposed (resin sheet removing step). Specifically, for example, by cutting the resin sheet 19 with a tool such as a cutting tool, a part of the resin sheet 19 on the other surface 19b side is removed, and a part of the surface 11a side of the wafer 11 is removed. Can be exposed.

また、上述した実施形態では、ウェーハ11の裏面11bを研削した後に、このウェーハ11の裏面11bにダイシングテープ35を貼付したが、樹脂シート19の他方の面19bにダイシングテープ35を貼付することもできる。なお、この場合には、切削ブレード76をウェーハ11の裏面11b側から樹脂シート19に切り込ませることになる。そして、ダイシングテープ35の代わりに、支持部材として機能する任意の基板等をウェーハ11や樹脂シート19に貼付しても良い。 Further, in the above-described embodiment, the dicing tape 35 is attached to the back surface 11b of the wafer 11 after grinding the back surface 11b of the wafer 11, but the dicing tape 35 may be attached to the other surface 19b of the resin sheet 19. it can. In this case, the cutting blade 76 is cut into the resin sheet 19 from the back surface 11b side of the wafer 11. Then, instead of the dicing tape 35, an arbitrary substrate or the like that functions as a support member may be attached to the wafer 11 or the resin sheet 19.

その他、上述した実施形態や各変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて変更して実施できる。 In addition, the above-described embodiments, structures, methods, and the like according to each modification can be modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

11 :ウェーハ
11a :表面
11b :裏面
13 :分割予定ライン(ストリート)
15 :デバイス
17 :溝
19 :樹脂シート
19a :一方の面
19b :他方の面
21 :紫外線
31 :チップ
33 :端材
35 :ダイシングテープ(支持部材)
35a :一方の面
35b :他方の面
37 :フレーム
39 :封止材
41 :パッケージデバイスチップ
51 :支持部材
61 :保護部材
63 :支持部材
65 :隙間
2 :切削装置
4 :チャックテーブル
6 :枠体
6a :流路
8 :保持板
8a :保持面
10 :切削ユニット
12 :スピンドル
14 :切削ブレード(第1切削ブレード)
22 :貼付装置
24 :チャックテーブル
26 :枠体
26a :流路
28 :保持板
28a :保持面
32 :研削装置
34 :チャックテーブル
36 :枠体
36a :流路
38 :保持板
38a :保持面
40 :研削ユニット
42 :スピンドル
44 :マウント
46 :研削ホイール
48 :ホイール基台
50 :研削砥石
62 :切削装置
64 :チャックテーブル
66 :枠体
66a :流路
68 :保持板
68a :保持面
70 :クランプ
72 :切削ユニット
74 :スピンドル
76 :切削ブレード(第2切削ブレード)
82 :切削装置
84 :チャックテーブル
86 :枠体
86a :流路
88 :保持板
88a :保持面
90 :切削ユニット
92 :スピンドル
94 :切削ブレード(第2切削ブレード)
11: Wafer 11a: Front surface 11b: Back surface 13: Scheduled division line (street)
15: Device 17: Groove 19: Resin sheet 19a: One side 19b: The other side 21: Ultraviolet rays 31: Chip 33: Scrap 35: Dicing tape (support member)
35a: One side 35b: The other side 37: Frame 39: Encapsulant 41: Package device chip 51: Support member 61: Protective member 63: Support member 65: Gap 2: Cutting device 4: Chuck table 6: Frame 6a: Flow path 8: Holding plate 8a: Holding surface 10: Cutting unit 12: Spindle 14: Cutting blade (first cutting blade)
22: Pasting device 24: Chuck table 26: Frame body 26a: Flow path 28: Holding plate 28a: Holding surface 32: Grinding device 34: Chuck table 36: Frame body 36a: Flow path 38: Holding plate 38a: Holding surface 40: Grinding unit 42: Spindle 44: Mount 46: Grinding wheel 48: Wheel base 50: Grinding grinding stone 62: Cutting device 64: Chuck table 66: Frame body 66a: Flow path 68: Holding plate 68a: Holding surface 70: Clamp 72: Cutting unit 74: Spindle 76: Cutting blade (second cutting blade)
82: Cutting device 84: Chuck table 86: Frame body 86a: Flow path 88: Holding plate 88a: Holding surface 90: Cutting unit 92: Spindle 94: Cutting blade (second cutting blade)

Claims (4)

分割予定ラインによって区画された表面側の複数の領域にデバイスを有するウェーハに対して該表面側から切削ブレードを切り込ませて該分割予定ラインに溝を形成する溝形成ステップと、
該溝に対して樹脂シートを埋め込むように該ウェーハの該表面に該樹脂シートを貼付して該ウェーハの該表面を該樹脂シートで被覆する被覆ステップと、
該ウェーハの該表面とは反対側の裏面を研削して該ウェーハを薄くすることで該ウェーハを該分割予定ラインで複数のチップに分割し、該樹脂シートの該溝に埋め込まれた部分を該裏面側に露出させる研削ステップと、
該裏面を研削された該ウェーハ又は該樹脂シートに支持部材を貼付する支持部材貼付ステップと、
該樹脂シートを該溝に埋め込まれた部分で切断し、互いに分離された複数のパッケージデバイスチップを形成する樹脂シート切断ステップと、を含むことを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。
A groove forming step in which a cutting blade is cut from the surface side of a wafer having devices in a plurality of regions on the surface side partitioned by the planned division line to form a groove in the planned division line.
A coating step of attaching the resin sheet to the surface of the wafer so as to embed the resin sheet in the groove and covering the surface of the wafer with the resin sheet.
By grinding the back surface of the wafer opposite to the front surface to make the wafer thinner, the wafer is divided into a plurality of chips along the planned division line, and the portion of the resin sheet embedded in the groove is divided into the same. Grinding steps to expose on the back side,
A support member attachment step for attaching a support member to the wafer or the resin sheet whose back surface is ground, and
A method for manufacturing a package device chip, which comprises a resin sheet cutting step of cutting the resin sheet at a portion embedded in the groove to form a plurality of package device chips separated from each other.
分割予定ラインによって区画された表面側の複数の領域にデバイスを有するウェーハに対して該表面側から切削ブレードを切り込ませて該分割予定ラインに溝を形成する溝形成ステップと、
該溝に対して樹脂シートを埋め込むように該ウェーハの該表面に該樹脂シートを貼付して該ウェーハの該表面を該樹脂シートで被覆する被覆ステップと、
該樹脂シートを該溝に埋め込まれた部分で切断する樹脂シート切断ステップと、
該樹脂シートの該ウェーハとは反対側の面に支持部材を貼付する支持部材貼付ステップと、
該ウェーハの該表面とは反対側の裏面を研削して該ウェーハを薄くすることで該ウェーハを該分割予定ラインで複数のチップに分割し、該樹脂シートの該溝に埋め込まれた部分を該裏面側に露出させて、互いに分離された複数のパッケージデバイスチップを形成する研削ステップと、を含むことを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。
A groove forming step in which a cutting blade is cut from the surface side of a wafer having devices in a plurality of regions on the surface side partitioned by the planned division line to form a groove in the planned division line.
A coating step of attaching the resin sheet to the surface of the wafer so as to embed the resin sheet in the groove and covering the surface of the wafer with the resin sheet.
A resin sheet cutting step of cutting the resin sheet at a portion embedded in the groove, and
A support member attaching step of attaching the support member to the surface of the resin sheet opposite to the wafer, and
By grinding the back surface of the wafer opposite to the front surface to make the wafer thinner, the wafer is divided into a plurality of chips along the planned division line, and the portion of the resin sheet embedded in the groove is divided into the same. A method for manufacturing a package device chip, which comprises a grinding step of exposing to the back surface side to form a plurality of package device chips separated from each other.
分割予定ラインによって区画された表面側の複数の領域にデバイスを有するウェーハの該表面とは反対側の裏面を研削して該ウェーハを薄くする研削ステップと、
該裏面を研削された該ウェーハに支持部材を貼付する支持部材貼付ステップと、
該ウェーハに切削ブレードを切り込ませて該ウェーハを該分割予定ラインで複数のチップに分割するウェーハ分割ステップと、
隣接する2つの該チップの隙間に樹脂シートを埋め込むように該ウェーハの該表面に該樹脂シートを貼付して該ウェーハの該表面を該樹脂シートで被覆する被覆ステップと、
該樹脂シートを該隙間に埋め込まれた部分で切断し、互いに分離された複数のパッケージデバイスチップを形成する樹脂シート切断ステップと、を含むことを特徴とするパッケージデバイスチップの製造方法。
A grinding step of grinding the back surface of a wafer having devices in a plurality of regions on the front surface side partitioned by a planned division line on the opposite side to the front surface to make the wafer thinner.
A support member attachment step for attaching a support member to the wafer whose back surface has been ground, and a support member attachment step.
A wafer division step in which a cutting blade is cut into the wafer and the wafer is divided into a plurality of chips on the planned division line.
A coating step of attaching the resin sheet to the surface of the wafer so as to embed the resin sheet in the gap between two adjacent chips and covering the surface of the wafer with the resin sheet.
A method for manufacturing a package device chip, which comprises a resin sheet cutting step of cutting the resin sheet at a portion embedded in the gap to form a plurality of package device chips separated from each other.
該ウェーハの該表面を被覆する該樹脂シートの一部を除去して、該ウェーハの該表面側の一部を露出させる樹脂シート除去ステップを更に含むことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のパッケージデバイスチップの製造方法。 Claims 1 to 3 further include a resin sheet removing step of removing a part of the resin sheet covering the surface of the wafer to expose a part of the surface side of the wafer. The method for manufacturing a packaged device chip according to any one of.
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