JP2020533744A - 電池セルの製造のためのレーザーアブレーション - Google Patents

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Abstract

パルスレーザーを使用して、他の層に大きく影響を与えることなく、所望の位置で所望の深さまで所望の薄膜層を溶発することができる。レーザーアブレーションを容易にするために、電池セル層の順序を任意に最適化することができる。レーザープロセスは、最終的な薄膜電池スタックの少なくとも1つの縁部に十分に近接した薄膜層を分離して、活性な電池領域を最適化することができる。

Description

本発明は、電気化学デバイスの製造技術に関する。より具体的には、本発明は、レーザーアブレーションを使用して電池を製造する方法を提供する。
電池は、携帯用電子機器(携帯電話、携帯情報端末、音楽プレーヤー、ビデオカメラなど)、動力工具、軍事用電源(通信、照明、イメージングなど)、航空宇宙用途の電源(衛星用電源)、及び、車両用途の電源(ハイブリッド電気自動車、プラグインハイブリッド電気自動車、完全電気自動車)などの様々な用途に使用することができる。このような電池の設計は、電池がシステム内の唯一の電源ではなく、燃料電池、他の電池、ICエンジン又は他の燃焼装置、キャパシタ、太陽電池などによって追加の電力が供給される場合にも適用することができる。
固体セルは、一般に、実験状態にあり、製造が困難であり、大規模での生産に成功していない。有望ではあるが、セル構造及び製造技術の制限のために、固体セルは実現されていない。
固体電池は、実験室で液体電解質を使用する従来の電池に比べていくつかの利点があることが証明されている。安全性が一番である。固体電池は、望ましくない反応、結果として起こる熱暴走、及び最悪の場合の爆発を引き起こす可能性のある液体を含んでいないため、液体電解質セルよりも本質的に安定している。固体電池は、同じ容量又は同じ質量で、従来の電池より多くのエネルギーを保存することができる。
固体電池のこれらの優れた特性にもかかわらず、この種の電池を市場で利用可能にするために将来取り組むべき課題がある。コンパクト性及び高エネルギー密度を活用するには、そのような電池のパッケージングを改善する必要がある。民生用電子機器、RFIDなどの様々な用途で使用するには、低コストで大面積及び高速の成膜技術を開発する必要がある。
電気化学セルの製造に関連する技術が提供される。より詳細には、本発明は、固体薄膜電池デバイスを製造するための方法及びデバイスを提供する。単なる例として、本発明は、リチウムベースのセルの使用を提供しているが、亜鉛、銀、銅及びニッケルなどの他の材料を同じ又は同様の方法で設計することができることが認識される。
一実施形態では、パルスレーザーを使用して、複数の固体薄膜電池セルを連続的に堆積するプロセスにおいて、個々の固体薄膜電池セル層の電気的終端を分離及び可能にする方法が説明される。電池セル層は、カソード集電体層、カソード層、電解質層、アノード層、アノード集電体層及び絶縁層を含み得る。
一実施形態では、分離のために、パルスレーザーを使用して、他の層に大きく影響することなく、所望の位置で所望の薄膜層を所望の深さまで溶発(アブレーション)する。レーザーアブレーションを容易にするために、電池セル層の順序を任意に最適化することができる。レーザープロセスにより、最終的な薄膜電池スタックの少なくとも1つの縁部に十分に近接した薄膜の層が分離され、活性な電池面積が最適化される。
一実施形態では、レーザーアブレーションプロセスは、アノード及びカソードを電池の片側又は両側から分離する役割を果たす。電解質及び絶縁中間層は溶発されず、電池の後続の層をさらに分離し、保護する。1つの電池スタックが完成すると、全ての電極層(アノード、アノード集電体、カソード、カソード集電体)が選択的に分離され、又は、終端とされ、並列、直列又はそれらの組合せを含む、積層されたセルの接続が可能になる。後に堆積される電池スタックへの電気的接続は、前の電池スタックの側部又は上部から行うことができる。
さらなる利点として、広範囲の材料を堆積できるため、隣接するセル間の共通ラインを使用してレーザー分離及び電気的終端を迅速かつ効率的に実行し、全体のサイクル時間を短縮し、大量生産を支援することができる。
いくつかの実施形態において、固体電池の製造方法は、第1の表面領域を有する支持基板を提供する段階と、第1の表面領域をコーティングする段階と、第1の表面領域の上に第1の電極部材を形成する段階と、第1の電極部材の上に、アノード集電体、カソード集電体、アノード部材若しくはカソード部材の少なくとも1つ、又は、それらの何れかの組合せを形成する段階と、第1の空間領域を、第1の表面領域で停止する第1の電極部材の第1の厚さにわたって第1の開口の形成を引き起こす1つ以上のパルスの電磁放射の光線に晒す段階と、を含む。いくつかの実施形態では、第1の電極は、電池の第1の側部から分離されている。
いくつかの実施形態では、この方法は、第1の電極部材の上にある第2の空間領域を、第1の表面領域で停止する第1の電極部材の第2の厚さにわたって第2の開口の形成を引き起こす1つ以上のパルスの電磁放射の光線に晒す段階を含む。いくつかの実施形態では、この方法は、アノード又はカソードを形成するために、第1の電極部材の上に第2の電極部材を形成する段階を含む。いくつかの実施形態において、この方法は、第1の電極部材の上に第1の電解質材料を形成する段階を含む。いくつかの実施形態では、この方法は、第1の電極部材の上にN番目の電極部材を形成する段階を含み、Nは、10より大きい整数である。
いくつかの実施形態では、光線は、ダイオード励起固体レーザー、ファイバーレーザー、半導体レーザー又はエキシマレーザーのうちの1つから選択されるレーザー源から提供される。いくつかの実施形態では、第1の空間領域は、完成した電気化学セルの少なくとも1つの外縁部からある距離内に提供され、その結果、この距離は、完成した電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を減らすために完成した電気化学セルの幅の25%未満である。いくつかの実施形態では、複数の空間領域が形成され、その各々が、完成した電気化学セルの幅の25%未満だけ互いにオフセットされ、その結果、上部の凹んだ領域は、下部の凹んだ領域からオフセットで形成される。いくつかの実施形態では、単一のアブレーションプロセスを使用して開口が提供されるように、第1の空間領域は、一対の隣接するセル間で共有される。
いくつかの実施形態では、この方法は、第1の開口の上に充填材料を堆積させて、僅かに凹んだ領域を形成する段階と、僅かに凹んだ領域の上に絶縁材料を形成して、その平坦化された表面領域を形成する段階と、を含む。いくつかの実施形態では、電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を最小化するために、光線は、少なくとも1つの軸において5mm未満のビームスポットサイズに集束される。いくつかの実施形態では、アノード集電体及び/又はカソード集電体は、拡散障壁領域として構成される。いくつかの実施形態では、電気化学セルは、0%から100%の間の充電状態で堆積された固体薄膜電池である。
いくつかの実施形態では、カソード集電体の電極材料を形成する段階は、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、カソード材料の電極表面領域を形成する段階は、MgドープLiNiO、LaドープLiMn、LaドープLiCoO、LiMn、LiNiCoMn1−x−y、LiNiCoAl1−x−y、LiCuMn2−x、LiFeMn2−x、LiNiMn2−x、LiCoMn2−x、LiFePO、LiMnPO、LiNiPO、LiCoPO、LiNiO、LiCoO、LiV、LiAlCo1−x、Sの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、電解質を形成する段階は、LiSON、LiLa1−xZrO、LiLa1−xTiO、LiAlGePO、LiAlTiPO、LiSiCON、Li1.3Al0.3Ti1.7(PO、0.5LiTaO+0.5SrTiO、Li0.34La0.51TiO2.94、LiALCl、LiSiPO、LiAlSiO、LiPO、LiSP、LiPON、LiLaZr12、Li1.5Al0.5Ge1.5(PO、LiPSCl、LiNaNb12の少なくとも1つから選択される材料を堆積させる段階を含み、アノード材料の電極表面領域を形成する段階は、LiMg1−x、LiAl1−x、Sn、SnN、GeO、Li、LiC、LiSn、Li−Sn−Al、LiTi12、Li−Sb、Li−Bi、Li−In、Li−Siの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、アノード集電体材料の電極表面領域を形成する段階は、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、絶縁中間層表面領域を形成する段階は、TPGDA(トリプロピレングリコールジアクリレート)、TMPTA(トリメチロールプロパントリアクリレート)、PMPTMA(トリメチロールプロパントリメタクリレート)、PETA(ペンタエリスリトールトリアクリレート)、DPGDA(ジプロピレングリコールジアクリレート)、HDDA(1,6−ヘキサンジオールジアクリレート)の少なくとも1つから選択された材料を堆積する段階を含む。
マスクされ、単純化された、従来の固体薄膜電池スタックを示す。 マスクされ、単純化された、従来の固体薄膜電池スタックを示す。 マスクされ、単純化された、従来の固体薄膜電池スタックを示す。 マスクされ、単純化された、従来の固体薄膜電池スタックを示す。 マスクされ、単純化された、従来の固体薄膜電池スタックを示す。 単純化された従来のマスクレスレーザーパターニング操作を示す。 単純化された従来のマスクレスレーザーパターニング操作を示す。 単純化された従来のマスクレスレーザーパターニング操作を示す。 本発明の実施形態である、レーザーアブレーションにより分離されて終端されている固体薄膜電池セルのスタックを示す。 大量生産の半導体ウェハ処理で一般的に使用されるクラスターツールを示す。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造し、電気的に終端する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造し、電気的に終端する方法を示す簡略図である。 本発明の一実施形態による多層固体電池デバイスを製造し、電気的に終端する方法を示す簡略図である。 本発明の代替的な実施形態による交互並列多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の代替的な実施形態による交互並列多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の代替的な実施形態による、並列接続された直列多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 本発明の代替的な実施形態による、並列接続された直列多層固体電池デバイスを製造及び分離する方法を示す簡略図である。 レーザーアブレーションスタックの例の簡略図である。 本発明の一例によるレーザーアブレーションの顕微鏡写真であり、第1のカソード、カソード集電体、及び、下にある電解質にレーザーアブレーションされた第2のカソードからなるスタックを示す。 本発明の一例によるレーザーアブレーションの顕微鏡写真であり、第1のカソード、カソード集電体、及び、下にある電解質にレーザーアブレーションされた第2のカソードからなるスタックを示す。 本発明の一例によるレーザーアブレーションの顕微鏡写真であり、第1のカソード、カソード集電体、及び、下にある電解質にレーザーアブレーションされた第2のカソードからなるスタックを示す。 本発明の一例によるレーザーアブレーションの側部の走査型電子顕微鏡画像であり、第1カソード、カソード集電体、及び、下にある電解質にレーザーアブレーションされた第2カソードからなるスタックを示す。
固体電池の潜在的な利点には、液体電解質の不足による低い寄生質量と、既知の材料堆積技術を使用して電池の複数のスタックを互いの上に堆積させることによる容量の増加能力が含まれる。これまで、固体薄膜電池の大量生産は、小型で低容量の電池に限定されていた。
固体薄膜電池に固有の特性が高いエネルギー密度を提供するが、薄膜電池の活性容積を最大化するための現在の技術では殆ど懸念が与えられていない。高精度マスクは、固体薄膜電池の製造によく使用されるが、欠点は、よく知られている。セルの周囲に大きなマージンを設けて、マスクの位置合わせと堆積の重ね塗りを許容する必要があり、これにより、電池のポテンシャルエネルギー密度が低下する。マスクは、コスト及び複雑さを追加し、広い領域に正確にスケーリングするのが困難である。マスクは、反応物及び汚染の原因にもなり得る。
レーザーアブレーションなどのマスクレスパターニングを使用して従来の手法で活性容積を考慮すると、電気絶縁及び終端技術により、積層することができる薄膜電池の実用的な数が制限される。フルセルのレーザーアブレーションにより、底部基板及び上部集電体を介して電気的に終端された、分離された固体薄膜電池が得られる場合がある。これにより、単一の電池スタックの活性容積が最大化される場合があるが、複数の電池スタックが互いの上に連続して堆積又は積層されている場合は、うまく拡張できない。電圧は実際よりも高くなり、又は、並列接続を提供して寄生質量を追加するために追加の電気的接続を追加する必要がある。
現在の技術に欠けているのは、寄生質量を最小限に抑えて、電気的に絶縁され、終端された複数の積層固体薄膜電池を作成するための大量生産方法である。パルスレーザーは、薄膜電池及び基板を介した切断(米国特許第7862627号明細書)並びに薄膜電池のマスクレスパターニング(米国特許第8168318号明細書)を含む、いくつかの用途で薄膜電池の処理に使用されてきた。
説明のために、マスクされた薄膜電池構造を図1に示す。マスクを使用して、アノード集電体(1101)及びカソード集電体(1102)を基板に堆積し、続いてカソード(1103)、電解質(1104)、アノード(1105)及び導電性保護コーティング(1106)を堆積する。堆積領域は、マスクの配置精度、マスクの弛み、堆積の重ね塗りを考慮して、十分に離して配置する必要がある。電解質(1104)は、通常、アノード(1103)とカソード(1105)との間の短絡を防ぐために特大である。導電性保護コーティング(1106)は、アノードに接触してアノードを保護するために、大きな電解質領域に広がっている。活性領域(1107)は、実際には総電池サイズのごく一部である。レーザーアブレーションは、この余分な質量を最小限に抑えるために考えられる方法である。
図2では、薄膜電池スタックの全体が、マスクレスレーザーパターニング操作によって処理されている。導電性基板(1001)の上に、カソード(1002)が堆積され、続いて電解質(1003)、アノード(1004)及び保護コーティング(1005)が続く(導電性保護コーティングは、アノード集電体として機能する)。次に、完全なスタックをレーザーカットし(1006)、レーザーカット部分を絶縁封止材(1007)で密封する。次いで、電池は、絶縁封止材(1007)に沿って分離され、個々の薄膜電池セル(1008)を残す。薄膜電池の上面(1009)及び底面(1010)は、電池の電気的終端を与える。外部接続は、図2bに示すようにこれらの電池を並列に接続することで容量を拡張することができるが、これらの接続は、質量及び複雑さを増加させる。必要に応じて、図2cに示すように、これらの電池の複数のスタックを連続的に堆積又は外部接続して電池の容量を大きくすることができる。その後の堆積層又は単純な外部接続は、直列接続により電池を追加する。この場合、電圧は、電池が堆積するたびに増加する。一般的な電子機器が通常、大きな電圧を必要とせず、むしろ並列接続から得られる、より大きな電流を必要とするため、レーザー分離へのより柔軟なアプローチが望まれる。このアプローチにより、電池の堆積中に直列又は並列の電気的終端を選択できるようになると共に、寄生質量を最小限に抑えることができる。
本発明の教示は、薄膜固体電池の1つ以上の対向する側部から電極層を分離し、電池の側部への電気的終端を可能にすることを説明する。絶縁が各層で選択可能であるため、順次堆積される薄膜電池スタックの並列及び/又は直列接続が可能である。活性領域が最大化されるように、電池の規定された縁部に近接して分離が実行される。レーザーアブレーションプロセスにより欠落材料のトレンチが作成されるため、その後に堆積される層の材料は、僅かに凹む。必要に応じてアブレーションの位置をオフセットすることにより、これらのトレンチの「積み重ね(スタックアップ)」を避けるように注意が払われる。絶縁中間層の流動性は、個々の電池セル層を平らにするために使用されるため、スタックアップ効果は、後続の層に伝播せず、望ましくない幾何学的問題を引き起こる。
本発明の実施形態は、図3に示されるように、広く利用可能な工業用ツールを使用して、様々な層又は層の組合せをレーザーアブレーションプロセスに晒しながら、支持基板(10)に薄膜の層を繰り返し堆積することにより固体薄膜電池セル(20)のスタックを形成する。例示の手段として、図4に示されるように、半導体ウェハ処理で使用されるようなクラスターツール(118)がプロセスを説明するために使用される。クラスターツールは、集電体(134)、アノード(132)、カソード(135)、電解質(131)、絶縁層(133)を堆積するチャンバー、及び、焼き鈍し、硬化又はレーザー加工(136)し得るチャンバーを含むが、これらに限定されない、任意の数のチャンバーを有してもよい。チャンバー環境には、真空チャンバー、又は、周囲のアルゴン若しくは他の不活性雰囲気を有するロードロックチャンバーが含まれる。
ガラス、セラミック又は金属を含むが、これらに限定されない任意の適切な材料から作られた支持基板がクラスターツールにロードされる。基板は、金属フィルムであることが好ましい。ニッケル材料が、アブレーションプロセス中に生じる高温下での化学的浸出の影響を受け難いため、基板は、ニッケルフィルムであってもよい。金属基板は、基板表面にわたって、好ましくは長手方向に刻まれた溝又は切り欠き部分を有してもよい。これにより、基板の重量が減少し、寄生重量の損失を回避し、結果として得られるエネルギー貯蔵デバイスのエネルギー密度を高めることができる。薄膜層が堆積され、分離され、電気的に終端され、所定の幅及び長さの少なくとも1つの固体薄膜電池セルに分離される。堆積された電池セルは、溝又は切り欠き部分の間の領域の基板に存在してもよい。
(平行層堆積及び分離)
支持基板(110)は、ロード/アンロードチャンバー(130)にロードされ、ここで説明される「平行層堆積及び分離」プロセスは、少なくとも1回実行される。図5を参照すると、支持基板(210)は、集電体チャンバー(134)に移動し、カソード集電体(212)が堆積される。その後、基板は、カソードチャンバー(135)に移動し、そこでカソード(213)が堆積される。次に、基板は、レーザーチャンバーに移動する(136)。レーザーチャンバーでは、カソード(213)及びカソード集電体(212)は、カソード集電体の下の層(支持基板(210)又は前の電池スタックであり得る)に大きく影響を与えることなく、アノード側縁部(226)に規定された近接で適切なパルスエネルギーのパルスレーザー光線によって溶発される。これにより、カソードレーザーアブレーショントレンチ(221)が残る。レーザーアブレーションは、アノード側縁部(226)の全てに沿って溶発するのに必要な回数繰り返すことができる。
次に、支持基板(210)を電解質チャンバー(131)に移動させて、電解質(214)を堆積させる。電解質(214)は、カソード(213)を覆い、カソードレーザーアブレーショントレンチ(221)を橋渡しする。電解質は、カソードアブレーショントレンチ(221)において僅かに凹む。次に、基板(210)は、アノード(215)が堆積されるアノードチャンバー(132)に移動する。次に、基板(210)は、アノード集電体(216)が堆積される集電体チャンバー(134)に移動する。アノード及びカソード集電体は、カソードアブレーショントレンチ(221)において僅かに凹む。次に、基板は、レーザーチャンバー(136)に移動し、そこで、アノード集電体(216)及びアノード(215)は、電解質(214)に大きく影響を与えることなく、カソード側縁部(228)に規定された近接で適切なパルスエネルギーのパルスレーザー光線によって溶発され、アノードレーザーアブレーショントレンチ(222)が残る。レーザーの動きは、全てのカソード側縁部(228)に沿って溶発するのに必要な回数だけ繰り返されてもよい。
次に、基板(210)を中間層チャンバ(133)に移動させ、絶縁中間層(217)を堆積させる。絶縁中間層(217)は、アノード集電体(216)を覆い、アノードレーザーアブレーショントレンチ(222)を橋渡しする。絶縁中間層は、カソードレーザーアブレーショントレンチ(221)上の凹部及びアノードレーザーアブレーショントレンチ(222)の凹部を充填し、実質的に平坦な表面を残す。結果として生じる、堆積され、分離された層は、終端前電池セル(242)の層を含む。必要に応じて、基板を集電体チャンバーに戻し、シーケンスを必要な回数だけ繰り返して、N個の多層の終端前電池セル(242)を積み重ねて、終端前電池スタック(243)を作成し、ここで、Nは、1以上の整数である。終端前電池スタック(243)を作成した後、基板は、終端プロセスのためにレーザーチャンバー(136)に戻されてもよい。
記載された実施形態では、レーザーアブレーション分離トレンチが、電池の複数の行の間で共有されることに留意されたい。このプロセスは、大量生産に適しており、ここで、多数のセルに必要なレーザーアブレーションプロセスが1つだけである。
(終端)
分離プロセスの後、終端前電池スタック(343)は、行方向の分離のためにレーザーチャンバー(136)に移動する。図6では、少なくとも1つ又は複数の処理パスを有する適切なパルスエネルギーのパルスレーザー光線を使用して、少なくとも2つの境界縁部(327)に規定された近接で電池スタック(343)全体の全ての層を切断し、基板(310)に刻み目を付けて、少なくとも2つのレーザーカットトレンチ(363)を作成し、少なくとも1つの個別の電池セルスタック行(369)に加えて、2つのスクラップ列(368)を残す。次に、電池スタックを中間層チャンバー(133)に移動し、露出したレーザーカットトレンチ(363)を保護コーティング(301)で密閉する。
次に、列毎の分離及び終端のために、電池スタックをレーザーチャンバー(136)に戻す。少なくとも1つ又は複数の処理パスを有する適切なパルスエネルギーのパルスレーザー光線を使用して、アノード側縁部(326)若しくはカソード側縁部(328)の何れかに対する規定された近接に、又は、アノード側縁部(326)とカソード側縁部(328)との間の定義された領域に、電池スタック(343)全体の全ての層を通過し、電池セル層の少なくとも1つのアノード縁部(347)及び少なくとも1つのカソード縁部(353)を露出するために基板(310)に刻みを付けて、分離された電池スタック(354)の少なくとも1つの個々の列、少なくとも2つのレーザーカットトレンチ(351)、並びに、最大で2つのスクラップ列(355)を残す。
次いで、電池スタック(343)は、集電体チャンバー(134)に移動する。本発明の一実施形態では、少なくとも1つの低精度マスク(349)は、少なくとも1つのアノード縁部(347)と少なくとも1つのカソード縁部(353)との間の規定位置で電池スタック上に配置される。終端集電体(350)が堆積され、電池スタックをコーティングし、少なくとも1つのアノード縁部(347)及び少なくとも1つのカソード縁部(353)を覆い、終端電池スタック(352)を作成する。低精度マスク(349)は、終端集電体(350)が同じ電池スタックのアノード縁部(347)とカソード縁部(353)とを短絡させないようにする。マスク(349)が、従来の電池及び半導体マスキングよりも精度要件が遥かに低く、大量生産に適していることに留意頂きたい。
終端プロセスの代替的な実施形態では、放電状態で電池を堆積させることができる。これにより、マスクなしで終端集電体をコーティングすることが可能である。電池スタックの全体がコーティングされ、同じセルのアノード縁部及びカソード縁部が短絡する。次いで、終端集電体は、終端集電体分離領域(374)に沿ってレーザーアブレーションされ得る。
説明される実施形態では、レーザーアブレーション終端トレンチが、電池の複数の行及び列の間で共有されることに留意されたい。このプロセスは、大量生産に適しており、ここで、多数のセルに必要なレーザーアブレーションプロセスが1つだけである。
(分離)
終端された電池スタック(352)は、シートとして取り外され、自動プロセスによって、レーザーカットされた溝(351、363)に沿って分割され、基板及び終端集電体をアノード側縁部(326)とカソード側縁部(328)との間で、境界縁部(327)にも沿って分割する。
(並列交互スタック堆積及び分離)
レーザー分離プロセスは、寄生質量をさらに最適化するために、代替の薄膜電池スタックを作成するのに役立つ。そのようなスタックの1つでは、2つの平行なカソード間で集電体を共有することにより、集電体の質量を最小限に抑えることができる。図7aは、層の配置を模式的に示す。スタックを作成するために、薄膜電池は、アノードからカソード、次いで、カソードからアノードの順に交互に堆積される。レーザーアブレーションは、層を分離して電気的に終端するために使用される。以下の説明は、N個の薄膜電池スタックの1つのグループに関するものであるが、これらの教示が、「並列堆積及び分離」の説明の教示を使用して、セルの複数の行及び列に容易に拡張されることを認識することができる。
図7bを参照すると、基板(410)は、アノード(415)でコーティングされている。レーザーアブレーションは、下の層に大きく影響することなく、アノードレーザーアブレーショントレンチ(422)に沿って、薄膜電池のカソード縁部(453)からアノードを分離するために使用される。第1の電解質(414)は、第1のアノード(415)及び第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(422)上にコーティングされ、第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(422)に沿って僅かに凹んだ領域を残す。次に、第1のカソード(413)、カソード集電体(412)、及び、第2のカソード(420)はそれぞれ、第1の電解質(414)上にコーティングされ、第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(422)に沿って僅かに凹んだ領域を残す。レーザーアブレーションを使用して、下の電解質層(414)に大きく影響することなく、カソードレーザーアブレーショントレンチ(421)に沿って、薄膜電池のアノード縁部(447)から第2のカソード、カソード集電体及び第1のカソードを分離する。第2の電解質(418)及び第2のアノード(419)はそれぞれ、第2のカソード(420)及びカソードレーザーアブレーショントレンチ(421)上にコーティングされ、第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(422)及びカソードレーザーアブレーショントレンチ(421)の両方に沿って僅かに凹んだ領域を残す。レーザーアブレーションを使用して、カソード縁部(453)から少し離れた距離でカソード縁部(453)から第2のアノード(419)を分離し、第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(422)内でのアブレーションを回避する。第2の電解質(418)に大きく影響することなくアブレーションが実行され、第2のアノードレーザーアブレーショントレンチ(423)が作成される。絶縁中間層(417)が堆積され、第2のアノード(419)を覆い、第2のアノードレーザーアブレーショントレンチ(423)を橋渡しする。絶縁中間層は、カソードレーザーアブレーショントレンチ(421)上の凹部及び第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(422)の凹部を充填し、実質的に平坦な表面を残す。結果として生じる、堆積され、分離された層は、平行な交互の終端前電池セル(442)の層を含む。任意選択で、基板を集電体チャンバーに戻し、シーケンスを所望の回数繰り返すことができ、N個の複数層の電池セル(442)を積み重ねることができる。N個の電池セルの層を積み重ねた後、基板は、前述のような終端プロセスのためにレーザーチャンバ(136)に戻されてもよい。終端後、図7aに模式的に示すように、電池セルの複数の層が電気的に並列に接続される。
(直列スタック堆積及び分離)
別の固体薄膜電池の堆積、分離及び終端方法では、2つ以上の電池層を直列に接続し、直列に接続された電池セルのグループを並列に接続することができる。これは、直列接続された電池セルを並列に積み重ねることにより、容量を増加させると同時に電圧を2倍にする(3倍にする等)という利点を与える。レーザーアブレーションを使用して、電池スタックのアノード側部及びカソード側部の両方から層を時々分離して電気的に終端し、直列接続を可能にする。図8aは、この層配置を模式的に示す。以下の説明は、N個の薄膜電池スタックの1つのグループに関するものであるが、これらの教示は、「並列堆積及び分離」の説明の教示を使用して、セルの複数の行及び列に容易に拡張されることを認識することができる。
図8bを参照すると、基板(510)は、それぞれ第1のカソード集電体(512)及び第1のカソード(513)でコーティングされている。レーザーアブレーションを使用して、第1のカソード及び第1のカソード集電体を、下の層に大きく影響を与えることなく、第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)に沿って薄膜電池のアノード縁部(547)から分離する。第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)は、重畳することなく後続の第2のカソードレーザーアブレーショントレンチ(530)を収容するために、アノード縁部(547)から僅かに増加した距離にある。第1の電解質層(514)は、第1のカソード(513)及び第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)上にコーティングされ、第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)に沿って僅かに凹んだ領域を残す。次に、第1のアノード(515)、第2のカソード集電体(516)及び第2のカソード(520)はそれぞれ、第1電解質(514)上にコーティングされ、第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)に沿って僅かに凹んだ領域を残す。レーザーアブレーションを使用して、第1の電解質(514)に大きく影響を与えることなく、第2のカソードレーザーアブレーショントレンチ(530)及び第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(531)に沿って、薄膜電池のアノード縁部(547)及びカソード縁部(553)の両方から第2のカソード(520)、第2のカソード集電体(516)及び第1のアノード(515)を分離する。次に、第2の電解質層(518)、第2のアノード(532)及び第1のアノード集電体(533)はそれぞれ、第2のカソード(520)、第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(531)、第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)及び第2のカソードレーザーアブレーショントレンチ(530)上にコーティングされ、レーザーアブレーショントレンチ(521、530、531)に沿って僅かに凹んだ領域を残す。レーザーアブレーションを使用して、第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(531)内でのアブレーションを回避するために、カソード縁部(553)から少し離れた距離で、カソード縁部(553)から第1のアノード集電体(533)及び第2のアノード(532)を分離する。第2のアノードレーザーアブレーショントレンチ(534)を作成する第2の電解質層(518)に大きく影響を与えることなく、アブレーションが実行される。絶縁中間層(517)が堆積され、第1のアノード集電体(533)を覆い、第2のアノードレーザーアブレーショントレンチ(534)を橋渡しする。絶縁中間層は、第1のカソードレーザーアブレーショントレンチ(521)、第2のカソードレーザーアブレーショントレンチ(530)及び第1のアノードレーザーアブレーショントレンチ(531)上の凹部を充填し、実質的に平坦な表面を残す。結果として生じる堆積され、分離された層は、直列の終端前電池セル(542)の層を含む。電池セルのN個の層を積み重ねた後、基板は、前述の終端プロセスのために、レーザーチャンバー(136)に戻されてもよい。終端後、図8aに模式的に示すように、複数層の直列電池セルは、電気的に並列に接続される。
(実施例)
例として、固体薄膜電池セルのレーザーアブレーションプロセスが説明される。以下の説明は、特定のレーザータイプ、波長、パルスエネルギー、パルス繰り返し率、レーザープロセス速度、及び、処理パス数を有する薄膜の特定のスタックに関するものである。レーザーアブレーションプロセスが、異なる波長、パルスエネルギー、パルス繰り返し率、プロセス速度で、異なる加工パス数を用いて、異なる薄膜スタックで、異なるアブレーション及びコーティングシーケンスの順序で、他のタイプのレーザーで実現することができることを認識することができる。この例は、包括的なものではなく、薄膜電池スタックでのレーザーアブレーションプロセスの特定の例に過ぎない。
図7bの平行交互薄膜スタックのサブセットを図9に示す。例示的なスタックは、絶縁中間層(602)、電解質(603)、第1のカソード(604)、カソード集電体(605)、及び、第2のカソード(606)が順にコーティングされた基板(601)から構成される。電解質(603)に大きく影響を与えることなく、第2のカソード(606)、集電体(605)及び第1のカソード(604)をレーザーアブレーションすることが望ましい。これにより、レーザーアブレーショントレンチ(607)が残る。
レーザーアブレーションを達成するために、15psのパルス幅、355nmの波長、20μJのパルスエネルギー、及び、200kHzのパルス繰り返し率を備えた産業用レーザーが、レーザー加工速度7m/sで、焦点距離330mmのF−θレンズを通して、10mmのクリアな開口を有するガルバノスキャナーによって操作される。レーザーは、2つの処理パスで薄膜スタック上にスキャンされる。
第1のレーザー加工パスの結果を図10aに示す。レーザーアブレーションは、第2のカソード(702)を部分的にアブレーションする。第2のレーザー加工パスの結果を図10bに示す。レーザーアブレーショントレンチ(707)が明確に示されており、電解質(703)が露出している。図10cのさらなるエネルギー分散分光法(EDS)分析により、サンプルの非アブレーション領域がカソード材料(710)で構成され、その下にある電解質材料(711)がアブレーショントレンチに露出していることが確認される。
アブレーショントレンチのSEM断面を図11に示す。基板(801)、絶縁中間層(802)、電解質(803)、第1のカソード(804)、カソード集電体(805)、第2のカソード(806)及びレーザーアブレーショントレンチ(807)の一部が示されている。
一実施形態では、本発明は、固体電池用の電気化学セルを製造する方法を提供する。この方法は、第1の表面領域を有する支持基板を提供する段階と、第1の表面領域をコーティングする段階と、を含む。この方法は、形成されるべき又は形成される少なくとも1つの完成した電気化学セルの近傍内の空間領域で、支持基板上の1つ又は複数のレーザー分離領域を画定する段階を含む。この方法は、第1の表面領域を覆うように第1の表面領域の上に第1の電極部材を形成する段階と、第1の電極部材の上にあるアノード集電体、カソード集電体、アノード部材若しくはカソード部材、又は、任意の何れかの組み合わせを形成する段階と、を含む。一実施形態では、この方法は、レーザー分離領域の上にある第1の空間領域を1つ以上のパルスで構成される電磁放射の光線に晒し、第1の表面領域で停止しながら、第1の電極部材の第1の厚さの全体にわたって第1の開口の形成を引き起こすことができる材料を溶発するために材料の除去を開始する段階を含む。第1の電極部材のレーザー分離領域の上にある第2の空間領域を1つ以上のパルスで構成された電磁放射の光線に晒して材料の溶発を開始し、材料をアブレーションする段階は、第1の表面領域で停止しながら第1の電極部材の第2の厚さの全体にわたって第2の開口を形成する段階を含む。この方法は、アノード又はカソードを形成するために、第1の電極部材の上に第2の電極部材を形成する段階を含む。
一実施形態では、この方法はまた、第1の電極部材の上に第1の電解質材料を形成する段階と、第1の電極部材の上にN番目の電極部材を形成する段階と、を含み、Nは、10より大きい整数である。一実施形態では、光線は、ダイオード励起固体レーザー、ファイバーレーザー、半導体レーザー又はエキシマレーザーのうちの1つから選択されたレーザー源から提供される。一実施形態では、レーザー分離領域は、完成した電気化学セルの少なくとも1つの外縁部からある距離内に提供され、その結果、その距離は、完成した電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を低減するために、完成した電気化学セルの幅の25%未満であり、僅かに凹んだ領域を形成するために第1の開口の上に充填材料を堆積し、その上に平坦化された表面領域を形成するために僅かに凹んだ領域の上に絶縁材料を形成する。
一実施形態では、レーザー分離領域は、複数の分離領域を含み、それらの各々は、完成した電気化学セルの幅の25%未満だけ互いにオフセットされるように規定され、その結果、上部の凹部領域は、下部の凹部領域からオフセットして形成され、レーザー分離領域上に一対の凹部領域の幾何学的な積み重なりを防ぐ。一実施形態では、レーザーアブレーション領域は、単一のアブレーションプロセスを使用して開口が提供されるように、一対の隣接するセル間で共有される。一実施形態では、電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を最小限に抑えるために、光線は、少なくとも1つの軸で5mm未満のビームスポットサイズに集束され、アノード集電体及び/又はカソード集電体は、拡散障壁領域として構成される。一実施形態では、電気化学セルは、0%から100%の充電状態で堆積された固体薄膜電池である。一実施形態では、カソード集電体の電極材料を形成する段階は、特に、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含む。一実施形態では、カソード材料の電極表面領域を形成する段階は、特に、MgドープLiNiO、LaドープLiMn、LaドープLiCoO、LiMn、LiNiCoMn1−x−y、LiNiCoAl1−x−y、LiCuMn2−x、LiFeMn2−x、LiNiMn2−x、LiCoMn2−x、LiFePO、LiMnPO、LiNiPO、LiCoPO、LiNiO、LiCoO、LiV、LiAlCo1−x、Sの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含む。一実施形態では、電解質を形成する段階は、特に、LiSON、LiLa1−xZrO、LiLa1−xTiO、LiAlGePO、LiAlTiPO、LiSiCON、Li1.3Al0.3Ti1.7(PO、0.5LiTaO+0.5SrTiO、Li0.34La0.51TiO2.94、LiALCl、LiSiPO、LiAlSiO、LiPO、LiSP、LiPON、LiLaZr12、Li1.5Al0.5Ge1.5(PO、LiPSCl、LiNaNb12の少なくとも1つから選択される材料を堆積させる段階を含む。一実施形態では、アノード材料の電極表面領域を形成する段階は、特に、LiMg1−x、LiAl1−x、Sn、SnN、GeO、Li、LiC、LiSn、Li−Sn−Al、LiTi12、Li−Sb、Li−Bi、Li−In、Li−Siの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含む。一実施形態では、アノード集電体材料の電極表面領域を形成する段階は、特に、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含む。一実施形態では、絶縁中間層表面領域を形成する段階は、特に、TPGDA(トリプロピレングリコールジアクリレート)、TMPTA(トリメチロールプロパントリアクリレート)、PMPTMA(トリメチロールプロパントリメタクリレート)、PETA(ペンタエリスリトールトリアクリレート)、DPGDA(ジプロピレングリコールジアクリレート)、HDDA(1,6−ヘキサンジオールジアクリレート)の少なくとも1つから選択された材料を堆積する段階を含む。勿論、他の変形、修正及び代替が存在する可能性がある。
本発明及び代替実施形態の説明は、固体薄膜電池スタックの柔軟な分離及び終端の技術を教示する。これらの技術は、作成されたセル内の寄生質量を最小限に抑え、容易に利用可能な大量生産機器と、複数の電池スタックにうまく対応できる効率的なプロセスを活用する。堆積又はアブレーションの順序の変更、並びに、層又はレーザーアブレーションシーケンスの追加又は除去は、これらの教示の精神から逸脱しないことを当業者は理解すべきである。添付の特許請求の範囲は、そのような変形を含むことを意図している。
10 支持基板
20 固体薄膜電池セル
110 支持基板
118 クラスターツール
130 ロード/アンロードチャンバー
131 電解質
132 アノード
133 絶縁層
134 集電体
135 カソード
136 レーザーチャンバー
210 支持基板
212 カソード集電体
213 カソード
214 電解質
215 アノード
216 アノード集電体
217 絶縁中間層
221 カソードレーザーアブレーショントレンチ
222 アノードレーザーアブレーショントレンチ
226 アノード側縁部
228 カソード側縁部
242 終端前電池セル
243 終端前電池スタック
301 保護コーティング
310 基板
326 アノード側縁部
327 境界縁部
328 カソード側縁部
343 電池スタック
347 アノード縁部
349 低精度マスク
350 終端集電体
351 レーザーカットトレンチ
352 終端電池スタック
353 カソード縁部
354 電池スタック
355 スクラップ列
363 レーザーカットトレンチ
368 スクラップ列
369 電池セルスタック行
410 基板
412 カソード集電体
413 カソード
414 電解質
415 アノード
417 絶縁中間層
418 電解質
419 アノード
420 カソード
421 カソードレーザーアブレーショントレンチ
422 アノードレーザーアブレーショントレンチ
423 アノードレーザーアブレーショントレンチ
442 電池セル
447 アノード縁部
453 カソード縁部
510 基板
512 カソード集電体
513 カソード
514 電解質層
515 アノード
516 カソード集電体
517 絶縁中間層
518 電解質層
520 カソード
521 カソードレーザーアブレーショントレンチ
530 カソードレーザーアブレーショントレンチ
531 アノードレーザーアブレーショントレンチ
532 アノード
533 カソード縁部
534 アノードレーザーアブレーショントレンチ
547 アノード縁部
553 カソード縁部
601 基板
602 絶縁中間層
603 電解質
604 カソード
605 カソード集電体
606 カソード
607 レーザーアブレーショントレンチ
702 カソード
703 電解質
707 レーザーアブレーショントレンチ
710 カソード材料
711 電解質材料
801 基板
802 絶縁中間層
803 電解質
804 カソード
805 カソード集電体
806 カソード
807 レーザーアブレーショントレンチ
1001 導電性基板
1002 カソード
1003 電解質
1004 アノード
1005 保護コーティング
1006 レーザーカット
1007 絶縁性封止材
1008 薄膜電池セル
1009 上面
1010 底面
1101 アノード集電体
1102 カソード集電体
1103 カソード
1104 電解質
1105 アノード
1106 導電性保護コーティング
1107 活性領域

Claims (26)

  1. 第1の表面領域を有する金属フィルム基板を提供する段階と、
    前記第1の表面領域をコーティングする段階と、
    前記第1の表面領域の上に第1の電極部材を形成する段階と、
    前記第1の電極部材の上に、アノード集電体、カソード集電体、アノード部材若しくはカソード部材の少なくとも1つ、又は、それらの何れかの組合せを形成する段階と、
    第1の空間領域を、前記第1の表面領域で停止する前記第1の電極部材の第1の厚さにわたって第1の開口の形成を引き起こす1つ以上のパルスの電磁放射の光線に晒す段階と、
    を含む、固体電池の製造方法。
  2. 前記第1の電極部材の上にある第2の空間領域を、前記第1の表面領域で停止する前記第1の電極部材の第2の厚さの全体にわたって第2の開口の形成を引き起こす1つ以上のパルスの電磁放射の光線に晒す段階をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  3. アノード又はカソードを形成するために、前記第1の電極部材の上に第2の電極部材を形成する段階をさらに含む、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記第1の電極部材の上に第1の電解質材料を形成する段階をさらに含む、請求項1から3の何れか一項に記載の方法。
  5. 前記第1の電極部材の上にN番目の電極部材を形成する段階をさらに含み、Nが10より大きい整数である、請求項1から4の何れか一項に記載の方法。
  6. 前記光線が、ダイオード励起固体レーザー、ファイバーレーザー、半導体レーザー又はエキシマレーザーのうちの1つから選択されるレーザー源から提供される、請求項1から5の何れか一項に記載の方法。
  7. 前記第1の空間領域が、前記完成した電気化学セルの少なくとも1つの外縁部からある距離内に提供され、その結果、前記距離が、前記完成した電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を減らすために前記完成した電気化学セルの幅の25%未満である、請求項1から6の何れか一項に記載の方法。
  8. 前記第1の開口の上に充填材料を堆積させて、僅かに凹んだ領域を形成する段階と、前記僅かに凹んだ領域の上に絶縁材料を形成して、その上に平坦化された表面領域を形成する段階と、をさらに含む、請求項1から7の何れか一項に記載の方法。
  9. 複数の空間領域が形成され、その各々が、前記完成した電気化学セルの幅の25%未満だけ互いにオフセットされ、その結果、上部の凹んだ領域が、下部の凹んだ領域からオフセットで形成される、請求項1から8の何れか一項に記載の方法。
  10. 単一のアブレーションプロセスを使用して前記開口が提供されるように、前記第1の空間領域が、一対の隣接するセル間で共有される、請求項1から9の何れか一項に記載の方法。
  11. 前記電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を最小化するために、前記光線が、少なくとも1つの軸において5mm未満のビームスポットサイズに集束される、請求項1から10の何れか一項に記載の方法。
  12. 前記アノード集電体及び/又はカソード集電体が、拡散障壁領域として構成される、請求項1から11の何れか一項に記載の方法。
  13. 前記電気化学セルが、0%から100%の間の充電状態で堆積された固体薄膜電池である、請求項1から12の何れか一項に記載の方法。
  14. 前記カソード集電体の電極材料を形成する段階が、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    カソード材料の電極表面領域を形成する前記段階が、MgドープLiNiO、LaドープLiMn、LaドープLiCoO、LiMn、LiNiCoMn1−x−y、LiNiCoAl1−x−y、LiCuMn2−x、LiFeMn2−x、LiNiMn2−x、LiCoMn2−x、LiFePO、LiMnPO、LiNiPO、LiCoPO、LiNiO、LiCoO、LiV、LiAlCo1−x、Sの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    電解質を形成する前記段階が、LiSON、LiLa1−xZrO、LiLa1−xTiO、LiAlGePO、LiAlTiPO、LiSiCON、Li1.3Al0.3Ti1.7(PO、0.5LiTaO+0.5SrTiO、Li0.34La0.51TiO2.94、LiAlCl、LiSiPO、LiAlSiO、LiPO、LiSP、LiPON、LiLaZr12、Li1.5Al0.5Ge1.5(PO、LiPSCl、LiNaNb12の少なくとも1つから選択される材料を堆積させる段階を含み、
    アノード材料の電極表面領域を形成する前記段階が、LiMg1−x、LiAl1−x、Sn、SnN、GeO、Li、LiC、LiSn、Li−Sn−Al、LiTi12、Li−Sb、Li−Bi、Li−In、Li−Siの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    アノード集電体材料の電極表面領域を形成する前記段階が、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    絶縁中間層表面領域を形成する段階が、TPGDA(トリプロピレングリコールジアクリレート)、TMPTA(トリメチロールプロパントリアクリレート)、PMPTMA(トリメチロールプロパントリメタクリレート)、PETA(ペンタエリスリトールトリアクリレート)、DPGDA(ジプロピレングリコールジアクリレート)、HDDA(1,6−ヘキサンジオールジアクリレート)の少なくとも1つから選択された材料を堆積する段階を含む、請求項1から13の何れか一項に記載の方法。
  15. 前記金属フィルム基板が、ニッケルフィルムである、請求項1から14の何れか一項に記載の方法。
  16. 前記基板の第1の表面領域が、前記基板の長さに対して長手方向の溝又は切り欠き部分を有する、請求項1から15の何れか一項に記載の方法。
  17. 前記第1の電極部材が、前記溝又は切り欠き部分の間の前記基板の第1の表面領域のみに形成されるように、前記第1の電極部材を形成する段階が、前記基板の長手方向の溝又は切り欠き部分と位置合わせされる、請求項16に記載の方法。
  18. 第1の表面領域を有する基板を提供する段階と、
    前記第1の表面領域をコーティングする段階と、
    前記第1の表面領域の上に第1の電極部材を形成する段階と、
    前記第1の電極部材の上のアノード集電体、カソード集電体、アノード部材若しくはカソード部材の少なくとも1つ、又は、それらの何れかの組合せを形成する段階と、
    前記第1の電極部材の上にある第1の空間領域を、前記第1の表面領域で停止する前記第1の電極部材の第1の厚さの全体にわたって第1の開口の形成を引き起こす1つ以上のパルスの電磁放射の光線に晒す段階と、
    前記第1の電極部材の上にある第2の空間領域を、前記第1の表面領域で停止する前記第1の電極部材の第2の厚さの全体にわたって第2の開口の形成を引き起こす1つ以上のパルスの電磁放射の光線に晒す段階と、
    前記第1の電極部材の上に第2の電極部材を形成して、アノード又はカソードを形成する段階と、
    を含む、固体電池用の電気化学セルの製造方法。
  19. 前記第1の電極部材の上に第1の電解質材料を形成する段階と、前記第1の電極部材の上にN番目の電極部材を形成する段階と、をさらに含み、Nが10より大きい整数である、請求項18に記載の方法。
  20. 前記光線が、ダイオード励起固体レーザー、ファイバーレーザー、半導体レーザー又はエキシマレーザーのうちの1つから選択されるレーザー源から提供される、請求項18又は19に記載の方法。
  21. 前記第1の空間領域が、前記完成した電気化学セルの少なくとも1つの外縁部からある距離内に提供され、その結果、前記距離が、前記完成した電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を減らすために前記完成した電気化学セルの幅の25%未満である、請求項18から20の何れか一項に記載の方法。
  22. 複数の空間領域が形成され、その各々が、前記完成した電気化学セルの幅の25%未満だけ互いにオフセットされ、その結果、上部の凹んだ領域が、下部の凹んだ領域からオフセットで形成される、請求項18から21の何れか一項に記載の方法。
  23. 単一のアブレーションプロセスを使用して前記開口が提供されるように、前記第1の空間領域が、一対の隣接するセル間で共有される、請求項18から22の何れか一項に記載の方法。
  24. 前記電気化学セルの活性エネルギー密度の損失を最小化するために、前記光線が、少なくとも1つの軸において5mm未満のビームスポットサイズに集束され、前記アノード集電体及び/又はカソード集電体が、拡散障壁領域として構成される、請求項18から23の何れか一項に記載の方法。
  25. 前記電気化学セルが、0%から100%の間の充電状態で堆積された固体薄膜電池である、請求項18から24の何れか一項に記載の方法。
  26. 前記カソード集電体の電極材料を形成する段階が、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    カソード材料の電極表面領域を形成する前記段階が、MgドープLiNiO、LaドープLiMn、LaドープLiCoO、LiMn、LiNiCoMn1−x−y、LiNiCoAl1−x−y、LiCuMn2−x、LiFeMn2−x、LiNiMn2−x、LiCoMn2−x、LiFePO、LiMnPO、LiNiPO、LiCoPO、LiNiO、LiCoO、LiV、LiAlCo1−x、Sの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    電解質を形成する前記段階が、LiSON、LiLa1−xZrO、LiLa1−xTiO、LiAlGePO、LiAlTiPO、LiSiCON、Li1.3Al0.3Ti1.7(PO、0.5LiTaO+0.5SrTiO、Li0.34La0.51TiO2.94、LiALCl、LiSiPO、LiAlSiO、LiPO、LiSP、LiPON、LiLaZr12、Li1.5Al0.5Ge1.5(PO、LiPSCl、LiNaNb12の少なくとも1つから選択される材料を堆積させる段階を含み、
    アノード材料の電極表面領域を形成する前記段階が、LiMg1−x、LiAl1−x、Sn、SnN、GeO、Li、LiC、LiSn、Li−Sn−Al、LiTi12、Li−Sb、Li−Bi、Li−In、Li−Siの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    アノード集電体材料の電極表面領域を形成する前記段階が、Au、Pt、Cu、Ni、Ni−Cr、V、Al、Ti、Mnのうちの少なくとも1つから選択される材料を堆積する段階を含み、
    絶縁中間層表面領域を形成する段階が、TPGDA(トリプロピレングリコールジアクリレート)、TMPTA(トリメチロールプロパントリアクリレート)、PMPTMA(トリメチロールプロパントリメタクリレート)、PETA(ペンタエリスリトールトリアクリレート)、DPGDA(ジプロピレングリコールジアクリレート)、HDDA(1,6−ヘキサンジオールジアクリレート)の少なくとも1つから選択された材料を堆積する段階を含む、請求項18から25の何れか一項に記載の方法。
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