JP2020527706A - 高密度の水素クラスターからエネルギーを生成する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
i)反応チャンバ10の内側または外側に位置する精製された水素同位体依存一次材料14においてモノアイソトピック水素原子を吸収することと、
ii)水素の励起状態の促進、ならびに、共有結合の形成、および、水素分子における再結合の防止を通して、封止された反応チャンバ10内において二次材料15の表面における一次材料14からのモノアイソトピック水素原子の脱離から高密度の水素クラスターの形成を可能にすることであって、これらのクラスターが所定の期間にわたって安定に留まることと、
iii)安定した高密度クラスターの核反応および破砕を始めることと、
iv)例えば冷却剤を通して、安定した高密度クラスターの核反応および破砕の生成物により搬送されるエネルギーを抽出することと、
を含む方法がエネルギーを提供することに使用され得る。
11 反応チャンバキャップ
14 一次材料
15 二次材料
18 チューブ支持要素
20 加熱要素
22 ジュール加熱要素
23 加熱電力入力
25 誘導加熱要素
30 冷却要素
31 冷却ジャケット
32 冷却剤
33 流体入口
34 流体出口
40 圧力監視器
41 雰囲気(外チャンバ)
42 ガス入口
43 圧力センサー
44 弁
45 雰囲気(内側チャンバ)
50 温度センサー
60 エンクロージャ
70 電解槽
71 電解槽カバー
74 電解液
75 アノード
76 電源
Claims (32)
- 一次材料において複数の水素原子を吸収することと、
複数の前記水素原子を前記一次材料から励起状態に脱離させることにより、複数の高密度の水素クラスターを形成することと、
高密度の前記水素クラスターの核反応および破砕を始めて、反応生成物を形成することと、
前記水素クラスターの前記核反応および前記破砕の前記反応生成物により搬送されるエネルギーを抽出することと、
を含む、高密度の水素クラスターからエネルギーを生成する方法。 - 前記一次材料が、封止された反応チャンバ内に位置する、
請求項1に記載の方法。 - 水素が、封止された前記反応チャンバ内に導入される、
請求項2に記載の方法。 - 封止された前記反応チャンバ内における温度を制御するステップを含む、
請求項2または請求項3に記載の方法。 - 封止された前記反応チャンバ内における圧力レベルを制御するステップを含む、
請求項2から請求項4のいずれか一項に記載の方法。 - 前記水素原子が、99%より高い純度で水素同位体を含む、
請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の方法。 - 前記水素同位体が、重水素を含む、
請求項6に記載の方法。 - 前記一次材料が、1つまたは複数の遷移金属の合金または化合物を備え、前記一次材料が、前記水素原子を取り込んで水素化物を形成するように適応される、
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の方法。 - 1つまたは複数の前記遷移金属が、金、ハフニウム、イリジウム、ランタン、マグネシウム、ネオジム、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、銀、タンタル、チタン、イットリウム、亜鉛、およびジルコニウムからなる群から選択される、
請求項8に記載の方法。 - 1つまたは複数の前記遷移金属の前記合金または前記化合物が、前記水素化物のアルファ相からベータ相への遷移においてミッシビリティギャップを示さない、
請求項8または請求項9に記載の方法。 - 前記一次材料が、前記一次材料における前記水素原子の吸収を最大化するために、マイクロまたはナノ構造物を提供するように精製されている、
請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記一次材料が、ホイル、ワイヤ、または粉末を含む、
請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記水素原子が、前記一次材料の第1の側において吸収され、前記一次材料の第2の側において脱離させられる、
請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の方法。 - 前記一次材料の前記第1の側に電解電流を印加するステップを含む、
請求項13に記載の方法。 - 複数の前記水素原子を脱離させるステップが、ある期間にわたって初期値から最終値まで前記電解電流を増やすことを含む、
請求項13または請求項14に記載の方法。 - 前記最終値が、前記初期値の少なくとも10倍であり、前記期間が、1秒未満である、
請求項15に記載の方法。 - 前記一次材料の前記第1の側に適用される圧力が、ある期間にわたって初期値から最終値まで高められる、
請求項13から請求項16のいずれか一項に記載の方法。 - 前記最終値が、前記初期値の少なくとも10倍であり、前記期間が、1秒未満である、
請求項15から請求項17のいずれか一項に記載の方法。 - 前記一次材料の前記第2の側に適用される温度が、ある期間にわたって初期値から最終値まで上昇させられる、
請求項13から請求項18のいずれか一項に記載の方法。 - 前記初期値から前記最終値までの前記温度の前記上昇が、少なくとも100ケルビンであり、前記期間が、5秒未満である、
請求項19に記載の方法。 - 封止された前記反応チャンバが、高い電子密度をもつ、
請求項2から請求項20のいずれか一項に記載の方法。 - 封止された前記反応チャンバが、低い電気陰性度をもつ原子を含む、
請求項2から請求項21のいずれか一項に記載の方法。 - 前記原子が、セシウム、カリウム、リチウム、ナトリウム、およびルビジウムからなる群から選択される、
請求項22に記載の方法。 - 封止された前記反応チャンバ内に二次材料を追加して前記励起状態の高密度化を円滑化するステップを含む、
請求項1から請求項23のいずれか一項に記載の方法。 - 前記二次材料が、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、およびニッケルからなる群から選択される、
請求項24に記載の方法。 - 前記反応生成物からの熱を冷却剤に伝達するステップを含む、
請求項1から請求項25のいずれか一項に記載の方法。 - 前記冷却剤が、水を含む、
請求項26に記載の方法。 - 共有結合の形成および再結合を防止して前記水素クラスターの安定性を維持するステップを含む、
請求項1から請求項27のいずれか一項に記載の方法。 - 前記一次材料が、水素膜として機能し、前記水素膜の脱離側が、封止された前記反応チャンバ内に位置する、
請求項1から請求項28のいずれか一項に記載の方法。 - 前記水素膜の吸収側において水電解技術を通して水素原子を吸収するステップと、前記水素膜の前記脱離側において水素原子を脱離させるステップと、
を含む、請求項29に記載の方法。 - 水素加圧チャージを通して水素原子を吸収するステップを含み、前記水素膜の吸収側が、前記水素膜の前記脱離側より高い圧力にさらされる、
請求項29または請求項30に記載の方法。 - 前記水素原子が前記一次材料のバルクから脱離するエネルギーレベルに従って、前記一次材料が選択される、
請求項1から請求項31のいずれか一項に記載の方法。
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