JP2020527124A - 熱的特性を有する積層体を含む材料 - Google Patents
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Abstract
Description
・グレージングをはめた領域又はグレージングを通り抜けて内側へ透過した全エネルギーの、入射太陽エネルギーに対する比として定義される、日射係数g、
・入射光の量の、グレージングをはめた領域又はグレージングを透過した可視スペクトルの光の量に対する比として定義される、可視スペクトルの光透過率TL、
・光透過率TLの、日射係数gに対する比、すなわちTL/gとして定義される、選択率s。
・光透過率が可能な限り高く、少なくとも65%、あるいは更には少なくとも68%である、
・日射係数が最大で36%である、
・選択率が少なくとも1.9である。
・それぞれ550nmの波長での屈折率の値が、2.15以上である高屈折率層を含み、
・当該高屈折率層のうちの少なくとも1つの波長550nmでの屈折率の値が、2.40以上であり、
・当該高屈折率層のおのおのの光学的厚さの、それが含まれている誘電体層の組の光学的厚さに対する比の値が、0.25と0.55の間に含まれている、
という点で、特筆すべきである。
・次のものを含む誘電体層の第1の組:
・550nmでの屈折率の値が2.40より高く、光学的厚さが10nmと50nmの間、又は更には20nmと40nmの間、好ましくは30nmと40nmの間に含まれる、酸化チタンをベースとした高屈折率層、
・光学的厚さが10nmと30nmの間、好ましくは15nmと25nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層、
・厚さが10nmと20nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした下方接触層、
・厚さが6nmと20nmの間に含まれる、第1の銀ベース金属機能層、
・厚さが0.5nmと1.5nmの間に含まれる、第1のチタンベース金属ブロッカー層、
・次のものを含む誘電体層の第2の組:
・光学的厚さが5nmと15nmの間、好ましくは8nmと12nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが100nmと150nmの間、好ましくは100nmと130nmの間に含まれる、窒化ケイ素をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが10nmと30nmの間、好ましくは15nmと25nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層、
・光学的厚さが10nmと20nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした下方接触層、
・厚さが6nmと20nmの間に含まれる、第2の銀ベース金属機能層、
・厚さが0.5nmと1.5nmの間に含まれる、第2のチタンベース金属ブロッカー層、
・次のものを含む誘電体層の第3の組:
・光学的厚さが5nmと15nmの間、好ましくは8nmと12nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが100nmと150nmの間、好ましくは100nmと130nmの間に含まれる、窒化ケイ素をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが10nmと30nmの間、好ましくは15nmと25nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層、
・光学的厚さが10nmと20nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした下方接触層、
・厚さが6nmと20nmの間に含まれる、第3の銀ベース金属機能層、
・厚さが0.5nmと1.5nmの間に含まれる、第3のチタンベース金属ブロッカー層、
・次のものを含む誘電体層の第4の組:
・光学的厚さが5nmと15nmの間、好ましくは8nmと12nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした誘電体層、
・550nmでの屈折率の値が2.15より高く、光学的厚さが10nmと50nmの間、又は更には30nmと40nmの間、好ましくは20nmと30nmの間に含まれる、ケイ素とジルコニウムの窒化物をベースとした高屈折率層、
・光学的厚さが100nmと150nmの間、好ましくは100nmと130nmの間に含まれる、窒化ケイ素をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが5nmと20nmの間、好ましくは9nmと12nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層。
・次のものを含む誘電体層の第1の組:
・550nmでの屈折率の値が2.40より高く、光学的厚さが10nmと50nmの間、又は更には20nmと40nmの間、好ましくは30nmと40nmの間に含まれる、酸化チタンをベースとした高屈折率層、
・光学的厚さが10nmと30nmの間、好ましくは15nmと25nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層、
・厚さが10nmと20nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした下方接触層、
・厚さが6nmと20nmの間に含まれる、第1の銀ベース金属機能層、
・厚さが0.5nmと1.5nmの間に含まれる、第1のチタンベース金属ブロッカー層、
・次のものを含む誘電体層の第2の組:
・光学的厚さが5nmと15nmの間、好ましくは8nmと12nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが100nmと150nmの間、好ましくは100nmと130nmの間に含まれる、窒化ケイ素をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが10nmと30nmの間、好ましくは15nmと25nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層、
・光学的厚さが10nmと20nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした下方接触層、
・厚さが6nmと20nmの間に含まれる、第2の銀ベース金属機能層、
・厚さが0.5nmと1.5nmの間に含まれる、第2のチタンベース金属ブロッカー層、
・次のものを含む誘電体層の第3の組:
・光学的厚さが5nmと15nmの間、好ましくは8nmと12nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが100nmと150nmの間、好ましくは100nmと130nmの間に含まれる、窒化ケイ素をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが10nmと30nmの間、好ましくは15nmと25nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層、
・光学的厚さが10nmと20nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした下方接触層
・厚さが6nmと20nmの間に含まれる、第3の銀ベース金属機能層、
・厚さが0.5nmと1.5nmの間に含まれる、第3のチタンベース金属ブロッカー層、
・次のものを含む誘電体層の第4の組:
・光学的厚さが5nmと15nmの間、好ましくは8nmと12nmの間に含まれる、酸化亜鉛をベースとした誘電体層、
・550nmでの屈折率の値が2.15より高く、光学的厚さが10nmと50nmの間、又は更には30nmと40nmの間、好ましくは20nmと30nmの間に含まれる、ケイ素とジルコニウムの窒化物をベースとした高屈折率層、
・光学的厚さが100nmと150nmの間、好ましくは100nmと130nmの間に含まれる、窒化ケイ素をベースとした誘電体層、
・光学的厚さが5nmと20nmの間、好ましくは9nmと12nmの間に含まれる、亜鉛とスズの酸化物をベースとした平滑化層。
・基材から出発してそれぞれCFM1、CFM2及びCFM3と表示される、3つの銀ベースの金属機能層、
・それぞれED1、ED2、ED3及びED4と表示される、誘電体層の4つの組、
・それぞれB1、B2及びB3と表示される、3つのブロッカー層。
・a*Tとb*Tは、D65光源を用い、基準観測者について2°の視野及びグレージングの表面に対する垂線に対してゼロの観測角で、L*a*b* CIE 1976色空間での透過で測定されたパラメーターa*及びb*の値である。
・Rextは、D65光源を用い、上述の二層グレージングの厚さ6mmのソーダ石灰シリカガラスの外側面で観測者について2°の視野で測定し、パーセントで表された、可視スペクトルでの光反射率の値である。
・a*Rextとb*Rextは、D65光源を用い、上述の二層グレージングの厚さ6mmのソーダ石灰シリカガラスの外側面で観測者について2°の視野で、当該グレージングの表面に対する垂線に対してゼロの観測角で、L*a*b* CIE 1976色空間での反射で測定されたパラメーターa*及びb*の値である。
・Rintは、D65光源を用い、上述の二層グレージングの厚さ4mmのソーダ石灰シリカガラスの外側面で観測者について2°の視野で測定し、パーセントで表された、可視スペクトルでの光反射率の値である。
・a*Rintとb*Rintは、D65光源を用い、上述の二層グレージングの厚さ4mmのソーダ石灰シリカガラスの外側面で観測者について2°の視野で、当該グレージングの表面に対する垂線に対してゼロの観測角で、L*a*b* CIE 1976色空間での反射で測定されたパラメーターa*及びb*の値である。
・a*60とb*60は、D65光源を用い、単一グレージングの表面に対する垂線に対して60°の観測角で、グレージングに対する観測者について2°の視野で、L*a*b* CIE 1976色空間での反射で測定されたパラメーターa*及びb*の値である。
・基材から出発してそれぞれAg1、Ag2及びAg3と表示される、3つの銀ベース金属機能層、
・それぞれD1、D2、D3及びD4と表示される、誘電体層の4つの組、
・それぞれB1、B2及びB3と表示される、金属チタンをベースとした3つのブロッカー層。
Claims (17)
- 透明基材を含む材料であり、その少なくとも1つの表面に、銀ベースのn個の金属機能層とn+1個の誘電体層の組とを含む積層体が堆積されており、ここでのnは3以上であり、各銀ベースの金属機能層が、誘電体層の2つの組の間に配置されている、材料であって、前記基材から出発して最初の銀ベースの金属機能層の下に位置する誘電体層の組と、前記基材から出発して最後の銀ベースの金属機能層の上に位置する誘電体層の組とが、
・それぞれ、550nmの波長での屈折率の値が2.15以上である高屈折率層を含み、
・前記高屈折率層のうちの少なくとも1つの、波長550nmでの屈折率の値が、2.40以上であり、
・前記高屈折率層のおのおのの光学的厚さの、それが含まれている前記誘電体層の組の光学的厚さに対する比の値が、0.25と0.55の間に含まれている、
ことを特徴とする材料。 - 前記高屈折率層のおのおのの光学的厚さが、10nmと70nmの間、好ましくは20nmと50nmの間に含まれる、請求項1に記載の材料。
- 前記基材から出発して最後の銀ベースの金属機能層の上に位置する誘電体層の組の光学的厚さが、前記基材から出発して最初の銀ベースの金属機能層の下に位置する誘電体層の組の光学的厚さ以下である、請求項1又は2に記載の材料。
- 前記基材から出発して最後の銀ベースの金属機能層の上に位置する誘電体層の組の光学的厚さが、20nmと50nmの間、好ましくは30nmと40nmの間に含まれ、前記基材から出発して最初の銀ベースの金属機能層の下に位置する誘電体層の組の光学的厚さが、50nmと100nmの間、好ましくは55nmと75nmの間に含まれる、請求項3に記載の材料。
- 前記最初の銀ベースの機能層の下に位置する誘電体層の組の光学的厚さが、前記最初及び最後の銀ベースの金属機能層の間に位置する誘電体層の組のおのおのの光学的厚さより小さい、請求項1〜4のいずれか一項に記載の材料。
- 前記最初及び最後の銀ベースの金属機能層の間に位置する誘電体層の組のおのおのの光学的厚さが、100nmと200nmの間、好ましくは150nmと180nmの間に含まれる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の材料。
- 前記高屈折率層の550nmでの吸収係数の値が、0.02以下である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の材料。
- 前記基材から出発して最初及び最後の銀ベースの金属機能層の間に位置する誘電体層の各組が、550nmでの屈折率の値が2.15以上である高屈折率層を含まない、請求項1〜7のいずれか一項に記載の材料。
- 前記高屈折率層が、TiO2、MnO、WO3、NiO、ZnTiO4、Nb2O5、BaTiO3、Bi2O3、SiZrNから選ばれる化合物をベースとしている、請求項1〜8のいずれか一項に記載の材料。
- 前記最初の銀ベースの金属機能層の下に位置する誘電体層の組に含まれる高屈折率層が、酸化チタンをベースとしており、前記基材から最後の機能層の上に位置する誘電体層の組に含まれる高屈折率層が、ジルコニウムとケイ素の窒化物をベースとしている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の材料。
- 各銀ベースの金属機能層の厚さが、前記基材から出発してそれに先立つ銀ベースの機能層の厚さより大きい、請求項1〜10のいずれか一項に記載の材料。
- 前記銀ベースの金属機能層のおのおのの厚さが、6nmと20nmの間に含まれる、請求項1〜11のいずれか一項に記載の材料。
- 前記積層体が、銀ベースの金属機能層の上にそれと接して配置された少なくとも1つのブロッカー層を更に含んでおり、1以上の前記ブロッカー層が、好ましくは、Ti及びNiCrから選ばれる金属又は合金をベースとする金属層である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の材料。
- 前記積層体が、銀ベースの金属機能層の下にそれと接して配置された少なくとも1つの下方接触層を更に含んでおり、1以上の前記下方接触層が、亜鉛酸化物、ニッケル酸化物、マグネシウム酸化物、亜鉛スズ酸化物、亜鉛マグネシウム酸化物、亜鉛チタン酸化物から選ばれる酸化物をベースとしている、請求項1〜13のいずれか一項に記載の材料。
- 少なくとも1つの平滑化層が、酸化亜鉛をベースとした下方接触層の下にそれと接して配置されており、1以上の前記平滑化層が、スズと亜鉛の酸化物をベースとしている、請求項14に記載の材料。
- 前記透明基材がガラスシートである、請求項1〜15のいずれか一項に記載の材料。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載の材料を少なくとも1つ含む、グレージング。
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