JP2020506283A - 垂直型面蒸発源を用いた高解像度amoled素子のクラスタ型量産装備 - Google Patents
垂直型面蒸発源を用いた高解像度amoled素子のクラスタ型量産装備 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020506283A JP2020506283A JP2018520436A JP2018520436A JP2020506283A JP 2020506283 A JP2020506283 A JP 2020506283A JP 2018520436 A JP2018520436 A JP 2018520436A JP 2018520436 A JP2018520436 A JP 2018520436A JP 2020506283 A JP2020506283 A JP 2020506283A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- evaporation source
- vertical
- substrate
- surface evaporation
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 257
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 251
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 title claims abstract 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 74
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 48
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 38
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 28
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 6
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 3
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
- C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本発明は、高解像度AMOLED薄膜の大量生産が可能な垂直型面蒸発源蒸着機が装着されたクラスタ型量産装備に関し、高真空蒸着室内で垂直型蒸発源を用いて、垂直型金属面蒸発源に有機薄膜を蒸着した後、これを垂直型基板と垂直型シャドウマスクが配置されたチャンバに移送して、有機薄膜を再蒸発し、基板に微細パターン薄膜を蒸着するAMOLED素子のクラスタ型量産装備に関する。 本発明は、基板に微細パターンを蒸着することにおいて、ポイント型蒸発源又は線形蒸発源による有機物気体の広がり現象で引き起こす微細パターン蒸着の難しさを防止し、大面積基板とマスクの垂れ現象が生じることなく、基板とマスクの間の微細な空間によるシャドウ現象を画期的に低減し、連続して蒸着工程を行うことによって、アイドリングタイムが発生しないので、有機物の使用効率が上昇し、高真空の環境を維持することが可能であって、製造工程時間を減少し、面蒸発源の蒸着方向を切り換える装備及び工程が不要であって、全般的な製造コスト及び工程時間が減少し、生産収率を増大することができる。【選択図】図4
Description
本発明は、高解像度AMOLED薄膜の大量生産が可能な垂直型面蒸発源蒸着機が装着されたクラスタ型量産装備に関し、より詳しくは、高真空蒸着室内で垂直型蒸発源を用いて、垂直型金属面蒸発源に有機薄膜を蒸着した後、これを垂直型基板と垂直型シャドウマスクが配置されたチャンバに移送して、有機薄膜を再蒸発し、基板に微細パターン薄膜を蒸着するAMOLED素子のクラスタ型量産装備に関する。
従来のLCD素子は、LEDのようなバックライトユニットを別に要する構成であるので、薄くするか、フレキシブル型で可撓可能に制作することに限界があった。また、LCD素子は、印加される電場に対して、液晶分子の挙動が遅いため、反応速度が遅くて動画駆動が遅く、カラーフィルターの構成を別に要するなど、構造が複雑で生産工程の数が多いという不都合がある。
このような従来のLCD素子に代える次世代ディスプレイ素子として脚光を浴びているAMOLED(Active Matrix Organic Lighting Emitted Diode)素子は、電気を供給すると、有機物質で発光現象が発生する自発光素子であって、反応速度が非常に速く、微細パターンの構成が可能である。また、AMOLED素子は、カラーフィルタとバックライトユニットが不要な単純構造であって、生産工程も簡単であり、また、超薄膜型構成が可能であるため、超薄膜型ディスプレイを生産することに適している。このような特性により、AMOLED素子は、現在、スマートフォンと大型TVにも応用されているだけでなく、折りたたみ式のFoldableやロール式のRollableディスプレイに活用度が高くて、日本、韓国、中国などで競争的に開発研究及び生産を試みている実情である。
一般に、AMOLEDディスプレイは、ガラス基板又はPI基板にTFT素子を構成した後に、電極と多層の有機物質を高真空蒸着し、カソード電極層を蒸着した後、封止工程を介して製作される。ここで、最も核心であると言える有機薄膜は、主に、高真空チャンバで有機物パウダーを蒸発し、蒸発された有機物分子が微細なシャドウマスク又は微細金属マスクの開口を貫通して、基板に、微細なパターン薄膜で蒸着して形成される。
このような高真空で熱蒸発蒸着をするためには、高真空チャンバ内に、有機物パウダー蒸発源と基板設置装置及び微細なシャドウマスクとTFT基板を非常に精度よく整列するアライナー装置などが必要となる。また、微細金属マスク(FMM:Fine metal mask)は、主に、ニッケルと鉄の合金であるインバー(invar)物質からなり、エッチング工程やレーザ工程で製造されるので、高解像度のマスクを開発するためには、極小サイズのパターン開口を均一に形成する技術が必要である。その上に、TFT基板と微細なマスクのアライメントのためのステージ技術、及びサブミクロンの精度を制御する技術も必要である。
また、大面積の基板に均一の有機薄膜の蒸着が可能であり、温度に非常に敏感な有機分子が破損しなく、精度よい温度制御が可能であるように、高真空熱蒸着機の技術が開発されなければならない。その上に、生産用蒸着機は、数十個の高真空チャンバを連結して使うので、高真空を維持する部品とチャンバのデザイン技術及び製造技術が必要であり、また、リスク防止用及び自動化の技術が求められる。
特に、携帯電話用のAMOLED素子は、解像度が約600ppiに至っているが、新たに浮上している量子点(Quantum Dot)物質では、高解像度を実現することができないので、多くの国がAMOLED解像度の向上のための開発競争に集中している。よって、AMOLED素子の時代は、長期間維持されると見込んでいる。VR市場も、非常に短い視野距離を要するので、高解像度のディスプレイ素子の開発が最も切実な状況である。例えば、AMOLEDの解像度を2250ppiまでは製作することにより、VR時代に対応することができるが、未だ2250ppiの解像度を有するAMOLED生産装備技術は開発された例がなく、そこで、初高解像度のAMOLED素子の大量生産が可能な装備及び工程技術が切実な状況である。
図1では、600ppi級の解像度を有するAMOLED素子を生産する従来のAMOLED薄膜生産蒸着技術の一例を示している。
図1に示しているように、高真空チャンバ(図示せず)の上に基板10が配置され、基板の直下にマスク12が並んで付着されており、その下に、所定間隔で離隔して配置された線形蒸発源14が前後方向にスキャニングし、上方向に有機物を蒸発させて、広がり角をもって噴出蒸発される有機物気体分子ビーム13が、基板に微細パターン11を形成するようになっている。ここで、線形蒸発源から噴出される有機物分子の広がり角によってシャドウ現象が生じることになり、これによって、シャドウ距離(SD)が大きい(3〜8μm)パターンが形成されるので、極微細パターンを形成することに限界がある。また、従来のAMOLED薄膜生産蒸着機は、基板の大型化による基板の垂れ現象又はマスクの垂れ現象により、微細アライメントを行うことができないので、超高解像度の素子を製作することに限界があり、その結果、生産収率が低下するという問題もある。
また、クラスタ型量産装備においても、従来の生産装備は、それぞれの工程チャンバで求められる面蒸発源の蒸発面方向を一々に合わせなければならないので、面蒸発源を回転させる工程を追加せざるを得なく、そこで、これによる機械設備の追加及び生産時間の増大による生産コストの増加及び生産収率の低下を引き起こす。
本発明は、前記のような問題点を解決するために案出されたもので、本発明の第1の目的は、基板に微細パターンを蒸着することにおいて、ポイント型蒸発源又は線形蒸発源による有機物気体の広がり現象で引き起こす微細パターン蒸着の難しさを防止し、大面積基板とマスクの垂れ現象が生じることなく、基板とマスクの間の微細な空間によるシャドウ現象を画期的に低減する高解像度AMOLED薄膜の大量生産が可能な垂直型面蒸発源蒸着機が装着されたクラスタ型量産装備を提供することである。
また、本発明の第2の目的は、基板に微細パターンを蒸着することにおいて、流れが切れることなく、連続して蒸着工程が行われることによって、アイドリングタイムが発生しないので、有機物の使用効率が上昇し、高真空の環境を維持することが可能であって、製造工程時間を減少させる高解像度AMOLED薄膜の大量生産が可能な垂直型面蒸発源蒸着機が装着されたクラスタ型量産装備を提供することである。
更に、本発明の第3の目的は、面蒸発源の蒸着方向を切り換える装備及び工程が不要であって、全般的な製造コスト及び工程時間が減少し、生産収率が増大する垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備を提供することである。
上述した問題を解決するために、本発明による垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備は、基板ロード室(61)と、垂直型面蒸発源(20)と垂直型有機物パウダー蒸発源(30)を備える面蒸着室(62)と、面ソースFMM蒸着室(63)と、冷却室(64)と、マスク保存室(65)と、基板アンロード室(66)と、これらのそれぞれのチャンバと連結されたロボット室(60)とを備える六角モジュール(100)を含み、基板(10)に、微細パターン薄膜を蒸着させることを特徴とする。
前記面蒸着室(62)は、デュアル垂直式面蒸着室からなり、各チャンバ内の少なくとも2つの垂直型有機物パウダー蒸発源(30)は、左右又は上下動をし、スキャニング又は一定の角度で回転をした後、左右又は上下動をし、スキャニングしつつ、少なくとも2つの垂直型面蒸発源(20)に交互に有機薄膜(22)を蒸着させる。
前記面蒸着室(62)は、前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)が左右又は上下動をし、スキャニング又は一定の角度で回転をした後、左右又は上下動し、スキャニングしつつ、前記垂直型面蒸発源(20)の金属面シート(S)に有機薄膜(22)を蒸着させる。
前記面蒸着室(62)は、前記垂直型面蒸発源(20)と垂直型有機物パウダー蒸発源(30)とが互いに垂直に対向し、前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)から噴射される有機物気体が水平に飛行して、前記垂直型面蒸発源(20)の金属面シート(S)に有機薄膜で蒸着される。
前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)は、蒸発源るつぼ本体(34)と、前記蒸発源るつぼ本体(34)の側面に、上下又は左右に多数形成された蒸発ノズル(31)と、
前記蒸発源るつぼ本体(34)の下部に連結して配置され、有機物パウダー(P)を収めている有機物保存るつぼ(35)と、前記有機物保存るつぼ(35)の上部を覆う有機物保存部蓋体(36)と、前記蒸発源るつぼ本体(34)、有機物保存るつぼ(35)、及び有機物保存部蓋体(35)の外側を囲むように設けられる加熱線(32)とを含む。
前記蒸発源るつぼ本体(34)の下部に連結して配置され、有機物パウダー(P)を収めている有機物保存るつぼ(35)と、前記有機物保存るつぼ(35)の上部を覆う有機物保存部蓋体(36)と、前記蒸発源るつぼ本体(34)、有機物保存るつぼ(35)、及び有機物保存部蓋体(35)の外側を囲むように設けられる加熱線(32)とを含む。
前記蒸発源るつぼ本体(34)、有機物保存るつぼ(35)、及び有機物保存部蓋体(36)は、分解及び組立が可能であるように、第1の連結フランジ(37)及び第2の連結フランジ(38)によって互いに連結されている。
前記蒸発ノズル(31)には、有機物気体が放出することを防ぐための自動開閉式キャップが設置される。
前記蒸発ノズル(31)は、前記蒸発源るつぼ本体(34)に対応する両側面に形成され、前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)の両側面と離隔配置されている2つの面蒸発源(20)の金属面シートに、同時に有機薄膜(22)を蒸着する。
前記加熱線(32)の外側には、前記蒸発ノズル(31)の噴出孔を除く蒸発源全体の外面を囲むように、蒸発源カバー(33)が形成される。
前記面蒸着室(62)内には、多数の垂直型有機物パウダー蒸発源(30)と、多数の垂直型面蒸発源(20)とが備えられる。
前記面ソースFMM蒸着室(63)は、基板(10)、マスク(12)、有機薄膜が蒸着された面蒸発源(20)、及び前記面蒸発源(20)を加熱するヒータ加熱線23が順番に配列され、前記基板(10)の蒸着面と面蒸発源(20)の有機薄膜(22)とは、垂直状態で互いに対向するように離隔している。
前記面ソースFMM蒸着室(63)は、デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室(63)からなり、各チャンバ内の基板(10)、マスク(12)、面蒸発源(20)、及びヒータ加熱線23は、垂直に配置される。
前記ヒータ加熱線(23)は、前記面蒸発源(20)の後面の全域を囲むように設けられ、前記ヒータ加熱線(23)の後面には、ヒータカバー(24)をさらに形成することにより、ヒータ加熱線(23)で発生する赤外線が面蒸発源(20)の後面のみを向かうようにすることを特徴とする請求項12に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
更に、前記面ソースFMM蒸着室(63)は、基板(10)とマスク(12)の整列及びその間の距離を微調整するために、整列アラインメント(50)を備える。
前記整列アラインメント(50)は、前記マスク(12)をXYZ方向に微調整する第1のXYZステージ(51)、及び前記基板(10)をXYZ方向に微調整する第2の XYZステージ(52)とからなり、前記第1のXYZステージ(51)は、マスクホルダー支持軸(53)と連結され、前記マスクホルダー支持軸(53)の両端には、マスク(12)を垂直に支持するように、上下方向にマスクホルダー(55)が形成され、前記第2の XYZステージ(52)は、基板ホルダー支持軸(54)と連結され、前記基板ホルダー支持軸(54)の両端には、基板(10)を垂直に支持するように、上下方向に基板ホルダー(56)が形成される。
前記冷却室(64)は、内部に冷却板(40)が設けられ、蒸着された有機薄膜(22)を蒸発させた前記垂直型面蒸発源(20)の加熱された金属膜シート(S)を、前記冷却板(45)に密着させて急速冷却されるようにする。
前記冷却室(64)は、垂直に設けられた冷却板(40)と、前記冷却板(40)に対して水平方向に往復動可能なプッシャーヘッド(42)と、前記プッシャーヘッド(42)を往復動するように形成されたプッシャーロッド(43)とを含み、前記冷却板(40)の内部には、冷却水ライン(41)を形成する。
前記ロボット室(60)は、真空ロボット回転本体(70)と、前記真空ロボット回転本体(70)に連結されたエンドエフェクト(71)とからなるロボットを含み、基板(10)、面蒸発源(20)、金属面シート(S)、マスク(12)は、前記ロボットにより、各チャンバに、垂直に引込み及び搬出される。
前記基板(10)は、前記六角モジュール(100)からなる基板ロード及びベークモジュール(101)、フリップ及びプラズマ前処理モジュール(102)、HILオープンマスク工程モジュール(103)、HTLRシャドウマスクパターンモジュール(104)、HTLGシャドウマスクパターンモジュール(105)、HTLBシャドウマスクパターンモジュール(106)、Rシャドウマスクパターンモジュール(107)、Gシャドウマスクパターンモジュール(108)、Bシャドウマスクパターンモジュール(109)、ETL/EILオープンマスク工程モジュール(110)と、カソードオープンマスク工程モジュール(111)、CPL薄膜オープンマスク工程モジュール(112)、基板アンロード及びフリップモジュール(113)の工程を、順番に経る。
また、本発明による 垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備は、多数の垂直型面蒸発源と多数の垂直型有機物パウダー蒸発源とを備える面蒸着室を含むことを特徴とする。
前記面蒸着室は、前記垂直型有機物パウダー蒸発源が左右又は上下動をし、スキャニング及び回転をしつつ、前記垂直型面蒸発源に有機薄膜を蒸着させる。
本発明による垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備を用いることにより、基板に微細パターンを蒸着することにおいて、ポイント型蒸発源又は線形蒸発源による有機物気体の広がり現象で引き起こす微細パターン蒸着の難しさを防止し、大面積基板とマスクの垂れ現象が生じることなく、基板とマスクの間の微細な空間によるシャドウ現象を画期的に低減することができる。
また、本発明による量産装備は、基板に微細パターンを蒸着することにおいて、流れが切れることなく、連続して蒸着工程を行うことによって、アイドリングタイムが発生しないので、有機物の使用効率が上昇し、高真空の環境を維持することが可能であって、製造工程時間を減少することができる。
更に、本発明による量産装備は、面蒸発源の蒸着方向を切り換える装備及び工程が不要であって、全般的な製造コスト及び工程時間が減少し、生産収率を増大することができる。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例を具体的に説明する。本発明の実施例は、様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が下記で説明する実施例に限定されるものと解析されてはいけない。また、各図に示されている各要素の形状は、より明らかな説明を強調するために、誇張されることがある。
図2(A)は、本発明の一実施例による垂直型有機物パウダー蒸発源を介して、垂直型面蒸発源に有機薄膜を蒸着する過程を示す図であり、図2(B)は、本発明の一実施例による垂直型面蒸発源の有機薄膜を再蒸発して、基板に有機物パターンを蒸着する過程を示す図、図3は、本発明の一実施例による垂直型有機物パウダー蒸発源の構造を示す断面図、図4は、本発明の一実施例による基板に、AMOLED生産用有機物パターンを蒸着する六角モジュールの構造を示す図、図5は、本発明の一実施例による垂直型有機物パウダー蒸発源の回転及びスキャンにより、2つの面蒸発源に連続して有機薄膜が形成される過程を示す図、図6は、本発明の一実施例による加熱された面蒸発源を押圧して冷却板に接触させて、急速冷却する過程を示す図、図7は、本発明の一実施例による垂直に配置された基板とマスクを、基板ホルダーとマスクホルダーにより微細に整列するステージの構造を示す図、図8は、本発明の一実施例による微細パターンを有するAMOLED素子の構造を示す図、図9は、本発明の一実施例によるAMOLED素子を大量生産する六角モジュールからなる量産装備の構造を示す図である。
図1乃至図7に示しているように、本発明の一実施例による垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備は、基板10に微細パターン薄膜を蒸着するために、基板ロード室61と、垂直型面蒸発源20及び垂直型有機物パウダー蒸発源30を備える面蒸着室62と、面ソースFMM蒸着室63と、冷却室64と、マスク保存室65と、基板アンロード室66とを含み、これらのそれぞれのチャンバに連結された中央には、ロボット室60が設けられる六角モジュール100を含む。ここで、基板10と面蒸発源20、マスクは、ロボット室60内のロボットにより、各チャンバへの移動が可能である。
基板ロード室61は、蒸着工程が行われない基板10が設けられ、基板アンロード室66には、蒸着工程済みの基板10が設けられる。
面蒸着室62は、垂直型有機物パウダー蒸発源30が、左右又は上下往復動でスキャニング及び回転をしつつ、垂直型面蒸発源20の金属面シート(S)に有機薄膜22を蒸着させる。
垂直型面蒸発源20は、金属面シート(S)に有機物が蒸着され、有機薄膜22が形成されたもので、垂直に配置された金属面シートに互いに垂直に対向し、面シート全体のスキャンができるように設けられた垂直型有機物パウダー蒸発源30から噴射される有機物気体が水平に飛行して、金属面シート(S)に蒸着されることになる。
垂直型有機物パウダー蒸発源30は、円筒状の蒸発源るつぼ本体34と、蒸発源るつぼ本体34の側面に上下に多数形成された蒸発ノズル31と、蒸発源るつぼ本体34の下部に連通するように連結配置され、有機物パウダー(P)を収めている四角筒状有機物保存るつぼ35と、有機物保存るつぼ35の上部を覆う有機物保存部蓋体36と、加熱線32とを含み、面蒸発源20の金属面シートと離隔した平行なラインに沿って往復動可能に設置され、金属面シートの全体がスキャンできるように設けられる。
ここで、蒸発源るつぼ本体34、有機物保存るつぼ35、及び有機物保存部蓋体36は、分解・組立が可能であるように、第1の連結フランジ37及び第2の連結フランジ38によって互いに連結されているので、有機物パウダー(P)の保存、及び垂直型有機物パウダー蒸発源30の洗浄が容易である。
また、蒸発源るつぼ本体34の側面に、上下に多数形成された蒸発ノズル31には、有機物気体を噴射しないことにおいて、内側の有機物気体が蒸発ノズル31を介して放出されることを防ぐために、自動開閉式キャップ(図示せず)を設ける。
有機物気体は、有機物保存るつぼ35に保存された有機物パウダー(P)の気化によって、生成される。
ここで、蒸発ノズル31は、図3に示しているように、上下方向に縦長の蒸発源るつぼ本体34に、その本体長さに沿って、上下方向に並んで多数配列され、面蒸発源20の金属面シートの左側から右側方向、又は右側から左側方向にスキャニングしつつ、面シートの全域に有機物気体を噴射する方法もあるが、左右方向に横長の蒸発源るつぼ本体34に、その本体長さに沿って、左右方向に並んで多数配列され、面蒸発源20の金属面シートの上側から下側方向、又は下側から上側方向にスキャニングしつつ、面シートの全域に有機物気体を噴射する方法もある。
また、蒸発ノズル31は、蒸発源るつぼ本体34の対応する両側面に垂直に一列に形成され、垂直型有機物パウダー蒸発源30の両側面に配置されている2つの面蒸発源20の金属面シートに、同時に有機薄膜22を蒸着することもできる。
また、加熱線32は、蒸発源るつぼ本体34、有機物保存るつぼ35、及び有機物保存部蓋体35の外側を囲むように設けられる。赤外線を効率よく放出する加熱線32は、保存るつぼ内の有機物パウダー39を加熱して気化させると共に、蒸発源るつぼ本体34及び蒸発ノズル31内で気化した有機物気体が固化しないようにする。また、加熱線32の外側には、蒸発ノズル31の噴出孔を除く蒸発源の全外面を囲むように、蒸発源カバー33が形成されて、保温役割を果たす。
本発明では、蒸発源るつぼ本体34を円筒状に示しているが、これに限定されるものではなく、有機物保存るつぼ35も、四角筒状に限定されない。
ここで、面蒸着室62は、デュアル垂直式面蒸着室62からなり、各チャンバ内の垂直型有機物パウダー蒸発源30は、左右又は上下動をしてスキャニングするか、いずれか1中心軸を中心に所定角度で回転した後、左右又は上下動してスキャニングすることにより、少なくとも2以上の面蒸発源20に、交互に有機薄膜22を蒸着することができる。
また、図5に示しているように、有機薄膜蒸着済みの面蒸発源20を、真空ロボットがデュアル垂直式面蒸着室62から取出し、新規の面蒸発源20を引込む間、垂直型有機物パウダー蒸発源30は回転して、他の面蒸発源25に同じく、左右又は上下動をしつつスキャニングすることにより、有機薄膜22を蒸着させる。
このような過程を繰返すことで、垂直型有機物パウダー蒸発源30は、休止時間なく、継続して工程を行うので、アイドリングタイムが生じなく、有機物パウダー(P)が内部で固化する現象が発生しないので、有機物パウダー(P)の使用量を極大化する。
本発明では、図5に、垂直型有機物パウダー蒸発源30が、2つの面蒸発源20に交互に有機薄膜22を蒸着することだけを示しているが、これに限定されることではなく、垂直型有機物パウダー蒸発源30の回転角度及び配列される面蒸発源の数、面蒸発源のサイズ、面蒸発源とパウダー蒸発源の距離などによって、3個、4個又は多数の面蒸発源20を蒸着することもできる。
面ソースFMM(Fine metal mask)蒸着室63は、面蒸発源を加熱して、マスクが整列された基板に蒸着させるもので、基板10、マスク12、面蒸発源20、及びヒータ加熱線23が順番に配列され、基板10の蒸着面と面蒸発源20の有機薄膜22は、垂直状態で互いに対向するように離隔して設けられる。
また、面蒸発源20の後面に、ヒータ加熱線23を設けて、面蒸発源20を加熱する。
ここで、面ソースFMM蒸着室63は、デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室63からなり、各チャンバ内の基板10、マスク12、面蒸発源20、及びヒータ加熱線23が、デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室63内に垂直に配置され、基板10、マスク12、及び面蒸発源20は、真空ロボットによって、垂直状態で引込及び排出される。
また、ヒータ加熱線23は、面蒸発源20の後面全域を囲むように設けられ、ヒータ加熱線23の後面には、ヒータカバー24がさらに形成されて、ヒータ加熱線23で発生する赤外線が、面蒸発源20の後面のみに向かうようにする。
ここで、ヒータカバー24は、赤外線をよく反射する材質の金属、例えば、Alのような金属を用いて製作するのが望ましい。これは、蒸発源カバー33においても、同様である。
デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室63内において、ヒータ加熱線23により面蒸発源20に蒸着された有機薄膜22が蒸発することになり、気化した有機物気体は水平に飛行して、マスク12の微細パターンを通して、基板10に蒸着することになる。
ここで、面蒸発源20と基板10との間の距離を短くして、面蒸発源から気化した有機物気体を、水平移動によって垂直状態の基板に蒸着するようにして、シャドウ現象を減少させるのが望ましい。
更に、このような蒸着過程におけるシャドウ現象は、基板とマスクの整列、及びこれらの間の距離によっても発生するところ、基板10とマスク12の整列、及びこれらの間の距離を微調整するために、整列アラインメント50が、デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室63内に設けられる。
図7に示しているように、整列アラインメント50は、第1のXYZステージ51及び第2のXYZステージ52からなり、第1のXYZステージ51は、マスク12を、XYZ方向に微調整する役割を果たし、第2のXYZステージ52は、基板10を、XYZ方向に微調整する役割を果たす。
ここで、第1のXYZステージ51は、マスクホルダー支持軸53に連結されており、マスクホルダー支持軸53の両端には、マスク12を垂直に支持するように、上下方向にマスクホルダー55が形成されている。ここで、マスク12は、常時、マスクフレーム15に据え置きて移動及び工程を行うので、マスクホルダー55は、マスク12とマスクホルダー55を同時に保持できるように製作するのが望ましい。
また、第2のXYZステージ52は、基板ホルダー支持軸54に連結されており、基板ホルダー支持軸54の両端には、基板10を垂直に支持するように、上下方向に基板ホルダー56が形成されている。
第1のXYZステージ51及び第2のXYZステージ52を用いて、垂直に基板10とマスク12を高精度でアラインメントすることになると、大面積の基板10と大面積のマスク12であっても、上下方向で確実に取ってくれるので、基板10及びマスク12の垂れ現象が防止される。
冷却室64は、内部に冷却板40が設けられるチャンバであって、蒸着された有機薄膜22を蒸発させた面蒸発源20の加熱された金属膜シート(S)を、冷却板45に密着させて、早い時間内に冷却させる。
図6には、冷却室内で急速冷却する一例が示されており、垂直に設けられた冷却板40と、冷却板に対して水平方向に往復動自在なプッシャーヘッド(pusher head)42とを含む。プッシャーヘッド42は、金属膜シート(S)を冷却板40に接触するように押圧する。この時、プッシャーヘッド42は、金属膜シート(S)とフレーム21の形状に合わせて、縁部を凹に形成しているが、これに限定されず、金属膜シート(S)とフレーム21を安定して押圧する様々な形態で製作することが可能である。
プッシャーヘッド42の往復動のために、プッシャーヘッド42には、プッシャーロッド(pusher rod)43が形成され、ここで、プッシャーロッド43は、油圧シリンダのように往復動が可能な装置に連結されて、プッシャーヘッド42が安定に金属膜シート(S)を押圧して、金属膜シート(S)が冷却板40と均一に接触するようにする。
また、冷却板40内には、冷却水ライン41をさらに形成して、冷却板40が常時低温を維持するようにすることによって、冷却室64内に別の冷却設備を不要にする。冷却室64内に金属膜シート(S)を垂直に引込み又は搬出することも、真空ロボットによって行われる。
マスク保存室65は、パターンが形成された多数のマスク12が設けられるチャンバであって、マスクは、ロボットによって、FMM蒸着室への移動が可能となる。
ロボット室60は、基板ロード室61、面蒸着室62、面ソースFMM蒸着室63、冷却室64、マスク保存室65、及び基板アンロード室66と連結されるように、六角モジュール100の中央に、六角又は四角に設けられるものであって、その内部には、真空ロボット回転本体70と、本体に連結されたエンドエフェクト(end effector)71とからなるロボットを含む。ここで、基板10と面蒸発源20、金属面シート(S)、マスク12は、この真空ロボットによって、各チャンバに移動される。
すなわち、ロボットは、基板10、面蒸発源20、金属面シート(S)、マスク12を、デュアル垂直式面蒸着室62、デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室63、冷却室64に、垂直に引込み及び搬出するために、真空ロボット回転本体70が六角ロボット室60に固定されており、エンドエフェクト71が相対的に回転自在に設けられる。また、エンドエフェクト71は、それぞれのチャンバ内に、基板10、面蒸発源20、金属面シート(S)、又はマスク12が安着するように、本体が伸びるように形成することができる。また、エンドエフェクト71は、真空ロボット回転本体70の一端に設けられることにより、基板10、面蒸発源20、金属面シート(S)、又はマスク12を垂直に保持する。
以下、図4を参考して、六角モジュール100において、蒸着工程を順番に説明すると、以下の通りである。
基板10を、基板ロード室61内に載置する。
デュアル面蒸着室62内に設けられた2つの垂直型有機物パウダー蒸発源30により、それぞれ蒸発した有機物気体が、2つの垂直型面蒸発源20の金属膜シートにそれぞれ、有機薄膜で蒸着されて、2つの垂直型面蒸発源20を形成する。
蒸着が完了して、2つの垂直型面蒸発源20が形成されると、ロボットは、該当2つの垂直型面蒸発源20を垂直状態で、デュアル垂直型面蒸発源FMM蒸着室63に各々移送させる。
同様に、ロボットは、基板ロード室61から2つの基板10、マスク保存室65から2つのマスク12を、デュアル垂直型面蒸発源FMM蒸着室63にそれぞれ移送させる。
デュアル垂直型の面蒸発源FMM蒸着室63内では、それぞれ、基板10、マスク12、及び垂直型面蒸発源20の位置配列を微調整して整列させた後、面蒸発源20を加熱し、面蒸発源20に蒸着された有機薄膜22が気化して、マスク後の基板に蒸着されるようにする。
基板に蒸着が完了すると、次工程のために、基板10は、ロボットにより、基板アンロード室66に移送され、面蒸発源の加熱された金属面シートは、ロボットによって、冷却室64に移送されて急速冷却される。
六角モジュール100の基板ロード室61及び基板アンロード室66は、図4に示しているように、六角ロボット室60を基準に、対向して設置するのが好適であるが、これに限定されるものではなく、工程ラインの形態によって、適切に配置することができる。
また、基板ロード室61と基板アンロード室66は、隣接したモジュールからの基板移送のために、コンベアーベルトを用いた基板移動手段を含むことが望ましく、その他にも、基板10を移送する様々な移送手段を用いることができる。
図8には、このような方法で形成された微細パターンを有するAMOLED素子構造の一例を示しており、AMOLED素子は、TFT基板10に、HIL(Hole Injection Layer)薄膜200と、HTL(R)(Hole Transport Layer Red)薄膜201、HTL(G)(Hole Transport Layer Green)薄膜202、HTL(B)(Hole Transport Layer Blue)薄膜203、Red薄膜204、Green薄膜205、Blue薄膜206、ETL(Electron Transport Layer)薄膜207、EIL(Electron Injection Layer)薄膜208、金属カソード薄膜209、CPL(Capping Layer)薄膜210、第1のSiN薄膜211、ポリマー薄膜212、第2のSiN薄膜213、バリア層薄膜214が積層され、その上に、ガラス基板215を積層して形成する。
ここで、HTLは、各R、G、B層とキャビティ効果を与えるために、HTL(R)、HTL(G)、HTL(B)薄膜に分けてパターン蒸着するので、それぞれの発光層の厚さが異にして蒸着される。結果として、微細パターン薄膜は、計6回の工程を行うべきである。この6回の微細パターンを除く残りの蒸着工程には、主に、オープンマスク工程が行われる。
図9は、図8における有機薄膜の蒸着を高速に行う目的で、多数の六角モジュールを連結してなる量産用蒸着機の構造を示しており、本発明の一実施例による量産装備は、基板ロード及びベークモジュール101と、フリップ及びプラズマ前処理モジュール102と、HILオープンマスク工程モジュール103と、HTLRシャドウマスクパターンモジュール104と、HTLGシャドウマスクパターンモジュール105と、HTLBシャドウマスクパターンモジュール106と、Rシャドウマスクパターンモジュール107と、Gシャドウマスクパターンモジュール108と、Bシャドウマスクパターンモジュール109と、ETL/EILオープンマスク工程モジュール110と、カソードオープンマスク工程モジュール111と、CPL薄膜オープンマスク工程モジュール112と、基板アンロード及びフリップモジュール113とを含む。
ここで、ベーク工程とは、基板のベーキング工程を意味し、フリップ工程は、基板をフリップする工程をいう。
また、基板ロード及びベークモジュール101、フリップ及びプラズマ前処理モジュール102、HILオープンマスク工程モジュール103、HTLRシャドウマスクパターンモジュール104、HTLGシャドウマスクパターンモジュール105、HTLBシャドウマスクパターンモジュール106、Rシャドウマスクパターンモジュール107、Gシャドウマスクパターンモジュール108、Bシャドウマスクパターンモジュール109、ETL/EILオープンマスク工程モジュール110、カソードオープンマスク工程モジュール111、CPL薄膜オープンマスク工程モジュール112、基板アンロード及びフリップモジュール113が該当順番に連結されて、各工程が行われる。
ここで、各モジュールが連結される部位は、1モジュールの基板アンロード室66と次のモジュールの基板ロード室61が互いに連結される形式を取る。例えば、Rシャドウマスクパターンモジュール107の基板アンロード室66は、次の段階であるGシャドウマスクパターンモジュール108の基板ロード室61に連結される。
また、各モジュールは、高真空状態を維持しており、各モジュール間の連結部品も、高真空を維持していて、それぞれの工程を行う度に、高真空の環境を解体又は設定する面倒がないというメリットがある。また、連結部品には、漏れが生じないように処理して、高真空の環境が維持されるようにする。
本量産装備により、目的とする生産タックタイムは1分以内であり、また、総チャンバの数は69個であり、面ソースとFMM工程を用い、目的とするAMOLED素子の解像度は、1200ppi〜2250ppiであり、使用する基板のサイズは、6世代級である。このような量産装備により、工数の実行において、基板とマスクの垂れが防止されるので、7世代級も可能となるはずである。
前述した本発明の説明は、例示に過ぎず、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更することなく、他の具体的な形態に容易に変形できるということを理解されるだろう。例えば、単一型として説明している各構成要素は、分散して実施することができ、同様に、分散して説明している構成要素は、結合した形態で実施することができる。
Claims (21)
- 基板ロード室(61)と、垂直型面蒸発源(20)と垂直型有機物パウダー蒸発源(30)を備える面蒸着室(62)と、面ソースFMM蒸着室(63)と、冷却室(64)と、マスク保存室(65)と、基板アンロード室(66)と、これらのそれぞれのチャンバと連結されたロボット室(60)とを備える六角モジュール(100)を含み、
基板(10)に、微細パターン薄膜を蒸着させることを特徴とする垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。 - 前記面蒸着室(62)は、
デュアル垂直式面蒸着室からなり、各チャンバ内の少なくとも2つの垂直型有機物パウダー蒸発源(30)は、左右又は上下動をし、スキャニング又は一定の角度で回転をした後、左右又は上下動をし、スキャニングしつつ、少なくとも2つの垂直型面蒸発源(20)に交互に有機薄膜(22)を蒸着させることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。 - 前記面蒸着室(62)は、前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)が左右又は上下動をし、スキャニング又は一定の角度で回転をした後、左右又は上下動し、スキャニングしつつ、前記垂直型面蒸発源(20)の金属面シート(S)に有機薄膜(22)を蒸着させることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記面蒸着室(62)は、前記垂直型面蒸発源(20)と垂直型有機物パウダー蒸発源(30)とが互いに垂直に対向し、前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)から噴射される有機物気体が水平に飛行して、前記垂直型面蒸発源(20)の金属面シート(S)に有機薄膜で蒸着されることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)は、
蒸発源るつぼ本体(34)と、
前記蒸発源るつぼ本体(34)の側面に、上下又は左右に多数形成された蒸発ノズル(31)と、
前記蒸発源るつぼ本体(34)の下部に連結して配置され、有機物パウダー(P)を収めている有機物保存るつぼ(35)と、
前記有機物保存るつぼ(35)の上部を覆う有機物保存部蓋体(36)と、
前記蒸発源るつぼ本体(34)、有機物保存るつぼ(35)、及び有機物保存部蓋体(35)の外側を囲むように設けられる加熱線(32)とを含むことを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。 - 前記蒸発源るつぼ本体(34)、有機物保存るつぼ(35)、及び有機物保存部蓋体(36)は、分解及び組立が可能であるように、第1の連結フランジ(37)及び第2の連結フランジ(38)によって互いに連結されていることを特徴とする請求項5に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記蒸発ノズル(31)には、有機物気体が放出することを防ぐための自動開閉式キャップが設置されることを特徴とする請求項5に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記蒸発ノズル(31)は、前記蒸発源るつぼ本体(34)に対応する両側面に形成され、前記垂直型有機物パウダー蒸発源(30)の両側面と離隔配置されている2つの面蒸発源(20)の金属面シートに、同時に有機薄膜(22)を蒸着することを特徴とする請求項5に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記加熱線(32)の外側には、前記蒸発ノズル(31)の噴出孔を除く蒸発源全体の外面を囲むように、蒸発源カバー(33)が形成されることを特徴とする請求項5に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記面蒸着室(62)内には、多数の垂直型有機物パウダー蒸発源(30)と、多数の垂直型面蒸発源(20)とが備えられることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記面ソースFMM蒸着室(63)は、基板(10)、マスク(12)、有機薄膜が蒸着された面蒸発源(20)、及び前記面蒸発源(20)を加熱するヒータ加熱線23が順番に配列され、前記基板(10)の蒸着面と面蒸発源(20)の有機薄膜(22)とは、垂直状態で互いに対向するように離隔配置されていることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記面ソースFMM蒸着室(63)は、デュアル垂直式面蒸発源FMM蒸着室(63)からなり、各チャンバ内の基板(10)、マスク(12)、面蒸発源(20)、及びヒータ加熱線23は、垂直に配置されることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記ヒータ加熱線(23)は、前記面蒸発源(20)の後面の全域を囲むように設けられ、前記ヒータ加熱線(23)の後面には、ヒータカバー(24)をさらに形成することにより、ヒータ加熱線(23)で発生する赤外線が面蒸発源(20)の後面のみを向かうようにすることを特徴とする請求項12に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 更に、前記面ソースFMM蒸着室(63)は、基板(10)とマスク(12)の整列及びその間の距離を微調整するために、整列アラインメント(50)を備えることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記整列アラインメント(50)は、前記マスク(12)をXYZ方向に微調整する第1のXYZステージ(51)、及び前記基板(10)をXYZ方向に微調整する第2の XYZステージ(52)とからなり、
前記第1のXYZステージ(51)は、マスクホルダー支持軸(53)と連結され、前記マスクホルダー支持軸(53)の両端には、マスク(12)を垂直に支持するように、上下方向にマスクホルダー(55)が形成され、
前記第2の XYZステージ(52)は、基板ホルダー支持軸(54)と連結され、前記基板ホルダー支持軸(54)の両端には、基板(10)を垂直に支持するように、上下方向に基板ホルダー(56)が形成されることを特徴とする請求項14に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。 - 前記冷却室(64)は、内部に冷却板(40)が設けられ、蒸着された有機薄膜(22)を蒸発させた前記垂直型面蒸発源(20)の加熱された金属膜シート(S)を、前記冷却板(45)に密着させて急速冷却されるようにすることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記冷却室(64)は、垂直に設けられた冷却板(40)と、前記冷却板(40)に対して水平方向に往復動可能なプッシャーヘッド(42)と、前記プッシャーヘッド(42)を往復動するように形成されたプッシャーロッド(43)とを含み、
前記冷却板(40)の内部には、冷却水ライン(41)を形成することを特徴とする請求項16に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。 - 前記ロボット室(60)は、真空ロボット回転本体(70)と、前記真空ロボット回転本体(70)に連結されたエンドエフェクト(71)とからなるロボットを含み、基板(10)、面蒸発源(20)、金属面シート(S)、マスク(12)は、前記ロボットにより、各チャンバに、垂直に引込み及び搬出されることを特徴とする請求項1に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記基板(10)は、前記六角モジュール(100)からなる基板ロード及びベークモジュール(101)、フリップ及びプラズマ前処理モジュール(102)、HILオープンマスク工程モジュール(103)、HTLRシャドウマスクパターンモジュール(104)、HTLGシャドウマスクパターンモジュール(105)、HTLBシャドウマスクパターンモジュール(106)、Rシャドウマスクパターンモジュール(107)、Gシャドウマスクパターンモジュール(108)、Bシャドウマスクパターンモジュール(109)、ETL/EILオープンマスク工程モジュール(110)と、カソードオープンマスク工程モジュール(111)、CPL薄膜オープンマスク工程モジュール(112)、基板アンロード及びフリップモジュール(113)の工程を、順番に経ることを特徴とする請求項1乃至18のいずれか1項に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 多数の垂直型面蒸発源と多数の垂直型有機物パウダー蒸発源とを備える面蒸着室を含むことを特徴とする垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
- 前記面蒸着室は、前記垂直型有機物パウダー蒸発源が左右又は上下動をし、スキャニング及び回転をしつつ、前記垂直型面蒸発源に有機薄膜を蒸着させることを特徴とする請求項20に記載の垂直型面蒸発源を用いた高解像度AMOLED素子のクラスタ型量産装備。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0182310 | 2017-12-28 | ||
KR1020170182310A KR101921648B1 (ko) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 수직형 면증발원을 이용한 고해상도 amoled 소자의 클러스터형 양산장비 |
PCT/KR2018/002624 WO2019132116A1 (ko) | 2017-12-28 | 2018-03-06 | 수직형 면증발원을 이용한 고해상도 amoled 소자의 클러스터형 양산장비 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020506283A true JP2020506283A (ja) | 2020-02-27 |
Family
ID=64602983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018520436A Pending JP2020506283A (ja) | 2017-12-28 | 2018-03-06 | 垂直型面蒸発源を用いた高解像度amoled素子のクラスタ型量産装備 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020506283A (ja) |
KR (1) | KR101921648B1 (ja) |
CN (1) | CN110214383A (ja) |
WO (1) | WO2019132116A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200143605A (ko) | 2019-06-14 | 2020-12-24 | 삼성전자주식회사 | 열분해막을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 반도체 제조 장비 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자 |
CN117845174B (zh) * | 2023-11-15 | 2024-10-18 | 安徽越好电子装备有限公司 | 卧式真空镀膜系统及其镀膜方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070046375A (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | 주성엔지니어링(주) | 기판과 마스크 정렬 장치 및 정렬 방법 |
KR101097737B1 (ko) * | 2009-03-31 | 2011-12-22 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 박막 증착 장치와 박막 증착 방법 및 박막 증착 시스템 |
KR101119853B1 (ko) * | 2009-05-07 | 2012-02-28 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 시스템 |
KR20150139222A (ko) * | 2014-06-03 | 2015-12-11 | (주)브이앤아이솔루션 | Oled 증착기 |
US10837111B2 (en) * | 2015-01-12 | 2020-11-17 | Applied Materials, Inc. | Holding arrangement for supporting a substrate carrier and a mask carrier during layer deposition in a processing chamber, apparatus for depositing a layer on a substrate, and method for aligning a substrate carrier supporting a substrate and a mask carrier |
KR101771526B1 (ko) * | 2015-10-21 | 2017-08-29 | (주)알에프 | 청소 로봇 |
KR101984345B1 (ko) * | 2015-11-20 | 2019-06-04 | 황창훈 | 유기소자 생산용 면증발원을 구비한 면증발 증착장치 |
KR20170102615A (ko) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 진중 김 | 플렉서블 oled 소자 패턴 제작용 면증발 증착기 |
KR20170104103A (ko) * | 2016-03-06 | 2017-09-14 | 진중 김 | 고해상도 오엘이디 패턴 증착용 곡면증발원 |
KR20160099506A (ko) * | 2016-03-17 | 2016-08-22 | 주식회사 파인에바 | 선형 증발 증착 장치 |
-
2017
- 2017-12-28 KR KR1020170182310A patent/KR101921648B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-03-06 WO PCT/KR2018/002624 patent/WO2019132116A1/ko active Application Filing
- 2018-03-06 JP JP2018520436A patent/JP2020506283A/ja active Pending
- 2018-03-06 CN CN201880000412.1A patent/CN110214383A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110214383A (zh) | 2019-09-06 |
KR101921648B1 (ko) | 2018-11-26 |
WO2019132116A1 (ko) | 2019-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101760897B1 (ko) | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 | |
CN102867919B (zh) | 有机层沉积设备 | |
US8876975B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
US8951349B2 (en) | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same | |
US8883259B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
JP5417552B2 (ja) | 蒸着粒子射出装置および蒸着装置 | |
US8616930B1 (en) | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
US20130217164A1 (en) | Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same | |
CN109722635A (zh) | 蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法 | |
US20120094025A1 (en) | Substrate Depositing System and Method | |
KR101174883B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 | |
JP2011049167A (ja) | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 | |
US9935268B2 (en) | Depositing method of deposition material using laser beams as mask | |
KR101193192B1 (ko) | 박막 증착 장치 | |
JP2004103341A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
KR20120131547A (ko) | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
US8709837B2 (en) | Deposition apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same | |
KR20170102615A (ko) | 플렉서블 oled 소자 패턴 제작용 면증발 증착기 | |
KR101925064B1 (ko) | 면증발원을 이용한 고해상도 amoled 소자의 양산장비 | |
JP2020506283A (ja) | 垂直型面蒸発源を用いた高解像度amoled素子のクラスタ型量産装備 | |
KR101097334B1 (ko) | 박막 증착 장치 | |
KR101174885B1 (ko) | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 | |
KR20170059333A (ko) | 유기소자 생산용 면증발원과 면증발 증착기 | |
KR20200028753A (ko) | 초대면적 oled tv 제조용 수직형 면증발원을 이용한 클러스터형 양산장비 | |
KR20200061751A (ko) | 초대면적 qd-oled tv 제조용 수직형 벨트면증발원을 이용한 클러스터형 양산용 증착장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200904 |