JP2020500392A - サイリスタ製スイッチ素子に基づく切換モジュールの制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
主電圧:サイリスタのアノードとカソードの間の電圧
主電流:サイリスタのカソードを流れる電流
制御電圧:サイリスタのゲートとカソードの間の電圧であり、ゲートがカソードと比べて高い電位を有する場合に、正である。
制御電流:サイリスタのゲートを流れる電流
点弧電流:ゲートに流れ込む制御電流であり、この場合のサイリスタの制御電流は正である。
順方向:アノードからカソードへの方向
順電圧:順方向に電極を接続した場合の主電圧であり、この場合の主電圧は正である。
順電流:順方向に流れる主電流であり、この場合の主電流は正である。
逆方向:カソードからアノードへの方向
逆電圧:逆方向に電極を接続した場合の主電圧であり、この場合の主電圧は負である。
逆電流:逆方向に流れる主電流であり、この場合の主電流は負である。
遮断状態及び導通状態:順電流が流れている場合にサイリスタが取り得る二つの安定した動作状態である。
ラッチング電流、保持電流及び回復時間:各サイリスタの特徴的なパラメータであり、大抵はそのデータシートに記載されている。
a)タップ電圧と呼ばれ、第一と第二の入力端子の間に加わり、制御変圧器の制御巻線を介した電圧を表す交流電圧、
b)誘導電圧と呼ばれ、制御巻線内に誘導される電圧を表す交流電圧、
c)負荷電流と呼ばれ、転流セルの出力配線から流れ出る交流電流、
d)負荷電流とタップ電圧の間の位相シフト。
φcap<φ≦0、ここでφcap<0
この場合、φcapは負の容量限界値を表す。
a)サイリスタ61aをサイリスタ62aに置き換えることにより、第二のスイッチ素子62から第一のスイッチ素子61に転流させる。サイリスタ61bをサイリスタ62bに置き換えるとともに、誘導電圧viを反転させる。
b)サイリスタ61aをサイリスタ62aに置き換えることにより、タップ電圧vtの正の半波において転流させる。サイリスタ62aをサイリスタ62bに置き換えるとともに、負荷電流iLと誘導電圧viを反転させる。
c)
d)両方の切換セル9a,9bにおいて同時に転流させる場合、二つの転流セル9a,9bの対称的な構成のために、次の通りとなる。
負荷電流iLとタップ電圧vtの間の十分に大きな位相シフトφ、
タップ電圧vtの次のゼロ交差までの十分な間隔、
標準的な転流が未だ複数回(nmax)中止されていないこと、
である。
αmin=φ+δ61a−ω・γ(iL,αmin) (1)
ここで、
αmin:ラジアン単位での最小点弧角
δ61a:ラジアン単位でのサイリスタ61aの保護時間
γ:二つのスイッチ素子61,62が導通状態である転流の間の時間を表す、点弧角αと負荷電流iLに依存するオーバーラップ時間
ω:ラジアン/秒単位での誘導電圧viの周波数
φ:負荷電流iLとタップ電圧vtの間の位相シフト
γ=(−acos(iL・ω・Lσ,eff/Vs+cosα)−α)/ω
ここで、
Vs:誘導電圧viの波高値
αmax+ω・γ(iL,αmax)=−δ61b (2)
ここで、
αmax:ラジアン単位での最小点弧角
δ61b:ラジアン単位でのサイリスタ61bの保護時間
φcap=−2・δ (3)
ここで、
φcap:位相シフトφの負の容量限界値
δ:ラジアン単位でのサイリスタの保護時間
φ>0
tkomm=γ+tp1
ここで、
tkomm:転流時間期間
tp1:秒単位でのサイリスタの保護時間
tkomm<ΔtNull
ここで、
ΔtNull:電圧vtの次に期待されるゼロ交差までの時間
その前に非活性化されていたサイリスタ61aが回復していること、
タップ電圧vtの次のゼロ交差までの十分な間隔が得られること、並びに
転流を開始する場合に、誘導電圧viの絶対値がタップ電圧の限界値vmaxを下回ること。
tkomm<ΔtNull
サイリスタ61bに関して、回復するための十分な時間が得られるような、タップ電圧vtのゼロ交差までの十分に大きな間隔、
転流プロセスの間に不必要に大きな電流強度を防止するような、タップ電圧vtのゼロ交差までの十分に小さい間隔、
である。
1a 一次側
1b 二次側
2 主巻線
3 二次巻線
4a 入力配線
4b 出力配線
5 切換モジュール
6a,6b 第一の負荷分岐部
7a,7b 第二の負荷分岐部
8 制御巻線
9a,9b 転流セル
10 第一の端子
20 第二の端子
50 制御ユニット
61 スイッチ素子
62 スイッチ素子
63 スイッチ素子
64 スイッチ素子
61a,61b,62a... サイリスタ
301 初期状態
302 最終状態
400 転流方式
401 調査
402 工程
403 調査
404 工程
500 代替の転流方式(強制転流)
501 工程
502 工程
503 工程
A アノード端子
K カソード端子
G ゲート端子
iL 負荷電流
ISC 短絡電流の波高値
Lσ,eff 制御変圧器の漏れインダクタンス
vi 誘導電圧
vmax タップ電圧の限界値
vprim 入力電圧
vsek 出力電圧
vt タップ電圧
Sact 実際のステータス
Sref 所望のステータス
t0...t5 時点
ΔtNull 電圧vtの次に期待されるゼロ交差までの時間間隔
φ 負荷電流iLとタップ電圧vtの間の位相シフト
φcap 位相シフトφの負の容量限界値
α ラジアン単位でのサイリスタの点弧角
αmin 容量領域での転流時の最小点弧角
αmax 容量領域での転流時の最大点弧角
δ ラジアン単位でのサイリスタの保護時間
γ 転流の間に両方のスイッチ素子61,62が導通状態である時間を表す、点弧角αと負荷電流iLに依存するオーバーラップ時間
ω ラジアン/秒単位での誘導電圧の周波数
tp1 秒単位でのサイリスタの保護時間
tkomm サイリスタのオーバーラップ時間γと保護時間tp1の合計により定義される転流時間期間
tz2 強制転流時の点弧時点
Claims (10)
- それぞれ第一の端子(10)と第二の端子(20)を介して制御変圧器(1)の制御巻線(8)に組み込まれた第一の転流セル(9a)と第二の転流セル(9b)から構成される少なくとも一つの切換モジュール(5)を制御する方法であって、
各切換モジュール(5)が入力配線(4a)と出力配線(4b)を備え、
これらの転流セル(9a,9b)が、
逆並列に接続された二つのサイリスタ(61a,61b)を有する第一のスイッチ素子(61)と、
逆並列に接続された二つのサイリスタ(62a,62b)を有する第二のスイッチ素子(62)と、
を備えた方法において、
第一の端子(10)と第二の端子(20)の間に加わる、制御変圧器(1)の制御巻線(8)による電圧であるタップ電圧(vt)を確定する工程と、
制御巻線(8)に誘導される電圧である誘導電圧(vi)を確定する工程と、
転流セル(9a)の出力配線(4b)から流れ出る負荷電流(iL)を検出する工程と、
負荷電流(iL)とタップ電圧(vt)の間の位相シフト(φ)を確定する工程と、
第一のスイッチ素子(61)から第二のスイッチ素子(62)に電流を転流させるとの転流コマンドの受信後に、第一の転流方式(400)に基づき、第一の調査が実行され、この第一の調査(401a)が、
負荷電流(iL)とタップ電圧(vt)の間の位相シフト(φ)が限界範囲外に有るのか否かが調査されて、
この位相シフト(φ)が限界範囲外に有る場合に、第一の調査(401a)の結果が肯定的であると評価される、
ことから成る工程と、
第二の調査(401c)が実行され、この第二の調査(401c)が、
前記の電圧(vt)の次に期待されるゼロ交差までの時間が転流時間期間(tkomm)よりも長いのか否かが調査されて、
長い場合に、この結果が肯定的であると評価される、
ことから成る工程と、
第一と第二の調査(401a,401c)が肯定的である場合に、工程(402)において、第一のスイッチ素子(61)に属し、誘導電圧(vi)に対してブロック方向に有る第一のサイリスタ(61a,61b)が非活性化されるとともに、第二のスイッチ素子(62)に属し、前記の電圧(vi)に対して阻止方向に有る第二のサイリスタ(62a,62b)が活性化されることによって、転流プロセスが準備される工程と、
工程(402)での転流プロセスの準備後に、
タップ電圧(vt)の次に期待されるゼロ交差までの時間が転流時間期間(tkomm)よりも長い場合(403c)に、第一のサイリスタ(61a,61b)が回復しているのか否かの第三の調査が実行されて、回復している場合に、この調査(403a)が肯定的であると評価され、
第三の調査が肯定的であると評価された場合に、工程(404)において、第二のサイリスタ(62a,62b)に対して逆並列である第三のサイリスタ(62a,62b)が活性化されるとともに、第一のサイリスタ(61a,61b)に対して逆並列である第四のサイリスタ(61a,61b)が非活性化されることによって、転流が開始され、
第一及び/又は第二の調査(401a,401c)が肯定的であると評価されない場合に、転流が開始されないか、或いは第三の調査(403a)が肯定的であると評価されない場合に、第一の転流方式に基づく転流が中止される工程と、
を有することを特徴とする方法。 - 前記の転流は、第二のサイリスタ(62a,62b)が非活性化されるとともに、第一のサイリスタ(61a,61b)が活性化されることによって中止される、請求項1に記載の方法。
- 前記の転流プロセスを準備する工程(402)の後に、
タップ電圧(vt)の次に期待されるゼロ交差までの時間が転流時間期間(tkomm)よりも長い場合に、誘導電圧(vi)の絶対値がタップ電圧の限界値(vmax)を下回るのか否かの第四の調査が行なわれて、下回る場合に、この結果が肯定的であると評価され、
第三の調査と第四の調査の結果が肯定的であると評価された場合に、転流が開始され、
肯定的であると評価されない場合に、第二のサイリスタ(62a,62b)が非活性化されるとともに、第一のサイリスタ(61a,61b)が活性化されることによって、転流が中止される、
、請求項1又は2に記載の方法。 - 第一の転流方式(400)に基づく転流が所定の回数(nmax)よりも多い回数中止されることと、
負荷電流(iL)とタップ電圧(vt)の位相シフトが限界範囲内に有ることと、
の一つ以上の場合に、
転流コマンドの受信後に、
工程(501)で、点弧時点(tz2)を待ち、
工程(502)で、点弧時点(tz2)に到達したら、第四のサイリスタが非活性化されるとともに、第三のサイリスタが活性化され、
工程(503)で、タップ電圧(vt)のゼロ交差後に、第一のサイリスタが非活性化されるとともに、第二のサイリスタが活性化される、
第二の転流方式(500)による転流が実行される、
、請求項1から3までのいずれか一つに記載の方法。 - 前記の点弧時点(tz2)が、サイリスタの保護時間(tp1)と第二の転流方式(500)から得られる最大電流負荷との関数に基づき確定される、請求項4に記載の方法。
- 前記の転流時間期間(tkomm)がサイリスタのオーバーラップ時間(γ)と保護時間(tp1)の合計に等しい、請求項1から5までのいずれか一つに記載の方法。
- 前記のオーバーラップ時間(γ)が、点弧角(α)と負荷電流(iL)に依存するとともに、転流セル(9a)の二つのスイッチ素子(61,62)が転流プロセスの間に導通状態である時間を規定する、請求項1から6までのいずれか一つに記載の方法。
- 負荷電流(iL)とタップ電圧(vt)の間の位相シフト(φ)の限界範囲に関して、次の式が適用される、
φcap<φ≦0、ここで、φcap<0
、請求項1から7までのいずれか一つに記載の方法。 - サイリスタは、点弧を可能とするように、そのゲート端子(G)を駆動された場合に活性化され、
サイリスタは、そのサイリスタの点弧を防止するように、そのゲート端子(G)を駆動されない場合に非活性化される、
、請求項1から8までのいずれか一つに記載の方法。 - コンピュータプログラム製品であって、不揮発性でありコンピュータ読取可能な媒体で提供されて、制御ユニット(50)が請求項1から9までのいずれか一つに記載の方法を実施することを許容するコンピュータプログラム製品。
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STEFAN P ENGEL他1名: ""Control of Thyristor−Based Commutation Cells"", ENERGY CONVERSION CONGRESS AND EXPOSITION(ECCE), JPN6021043578, 15 September 2012 (2012-09-15), pages 2030 - 2037, ISSN: 0004631582 * |
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