JP2020199258A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 強度変調粒子線治療（ＩＭＰＴ）モードで使用可能なハドロン治療装置の品質保証のためのファントム（１０）において、前記ハドロン治療装置が、低エネルギー限界と高エネルギー限界との間のエネルギーを有するハドロンビームを生成するように構成され、前記ファントム（１０）が：
   ａ）第１の縁部（５０）及び前記第１の縁部に平行な第２の縁部（６０）を有するベースプレート（３５）を備えるフレーム構造（３０）と；
   ｂ）それぞれがエネルギーウェッジの底面（７５）、前記エネルギーウェッジの底面に対して傾斜したエネルギーウェッジの第１の面（８０）、及び前記エネルギーウェッジの底面（７５）に垂直なエネルギーウェッジの第２の面（９０）を有する、前記ベースプレート（３５）に取り付けられた１つ又は複数のエネルギーウェッジ（７０）であって、前記エネルギーウェッジの第２の面（９０）が前記第２の縁部（６０）に対して平行である、１つ又は複数のエネルギーウェッジ（７０）と：
   ｃ）前記第２の縁部（６０）に配置され、前記ベースプレート（３５）に垂直に取り付けられた２Ｄ検出器（２００）と、を備え；
   前記１つ又は複数のウェッジ（７０）及び２Ｄ検出器（２００）が、前記フレーム構造（３０）に対して既知の固定位置にあり、
   前記ファントム（１０）が、拡大ブラッグピーク（ＳＯＢＰ）ウェッジ（１７０）を備え、前記ＳＯＢＰウェッジ（１７０）が、ＳＯＢＰウェッジの底面（１７５）、前記ＳＯＢＰウェッジの底面に対して傾斜したＳＯＢＰウェッジの第１面（１８０）、及び前記ＳＯＢＰウェッジの底面（１７５）に対して垂直なＳＯＢＰウェッジの第２の面（１９０）を備え、前記ＳＯＢＰウェッジ（１７０）が前記ベースプレート（３５）に取り付けられ、前記ＳＯＢＰウェッジの第２の面が前記第２の縁部に対して平行であり、
   前記ＳＯＢＰウェッジ（１７０）が、１．３よりも高い、好ましくは１．５よりも高い、より好ましくは１．７よりも高い相対密度を有する材料から形成され、前記ＳＯＢＰウェッジの底面（１７５）に平行な線に沿って測定される、前記ＳＯＢＰウェッジの第１の面（１８０）と第２の面（１９０）との間の距離が、０と、前記高エネルギー限界に等しいエネルギーを有するハドロンビームの前記材料への侵入深度との間で変動することを特徴とする、ファントム（１０）。
2. 請求項１に記載のファントム（１０）において、前記エネルギーウェッジの少なくとも１つが、１．３よりも高い、好ましくは１．５よりも高い、より好ましくは１．７よりも高い相対密度を有する同じ材料から形成されることを特徴とする、ファントム（１０）。
3. 請求項１又は２に記載のファントム（１０）において、前記材料が、ポリフッ化ビニリデン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトンポリマー、及びそれらの混合物から選択されることを特徴とする、ファントム（１０）。
4. 請求項１乃至３の何れか１項に記載のファントム（１０）において、前記フレーム構造が、前記ベースプレート（３５）及び前記２Ｄ検出器（２００）に取り付けられた１つ又は２つのハンドル（３２）を備えることを特徴とする、ファントム（１０）。
5. 請求項１乃至４の何れか１項に記載のファントム（１０）において、前記２Ｄ検出器（１８０）が、非晶質シリコンアクティブフラットパネル検出器を含むことを特徴とする、ファントム（１０）。
6. 請求項１乃至５の何れか１項に記載のファントム（１０）において、前記ベースプレート（３５）及び１つ又は複数の前記ウェッジの底面（７５）及び／又は前記ＳＯＢＰウェッジの底面（１７５）が、前記ウェッジを前記ベースプレートに取り付けるための固定手段を備えることを特徴とする、ファントム（１０）。
7. 請求項１乃至６の何れか１項に記載のファントム（１０）において、前記エネルギーウェッジの底面（７５）に平行な線に沿って測定される、前記エネルギーウェッジ（７０）の１つの前記エネルギーウェッジの第１の面（８０）と前記第２の面（９０）との間の距離が、前記ウェッジの中間高さにおける前記高エネルギー限界と前記低エネルギー限界との間の公称エネルギーを有するハドロンビームの前記材料への侵入深度であり、且つ前記エネルギーウェッジの底部の高さで１５ｍｍ未満短く、前記エネルギーウェッジの頂部の高さで１５ｍｍ未満長く、前記高さが、前記エネルギーウェッジの底面（７５）に垂直に測定されることを特徴とする、ファントム（１０）。
8. 強度変調粒子線治療（ＩＭＰＴ）モードで使用可能なハドロン治療装置の品質保証のための方法において、前記ハドロン治療装置が、基準位置を有する患者ポジショナを備え、前記方法が：
   ａ）請求項１乃至７の何れか１項に記載のファントム（１０）を用意するステップと；
   ｂ）前記ファントム（１０）を前記患者ポジショナ上に位置決めするステップと；
   ｃ）変調ビームを用いて前記ファントム（１０）を照射するステップであって、前記変調ビームが、それぞれが異なるエネルギーを有し、且つ物質中にＳＯＢＰを生成するために選択された線量を有する複数のビームを含み、前記変調ビームが、前記ＳＯＢＰウェッジの底面（１７５）に対して垂直に測定される高さにおいて、前記ＳＯＢＰウェッジの底面（１７５）に平行な方向で前記ＳＯＢＰウェッジの第１の面に向けられる、ステップと；
   ｄ）前記２Ｄ検出器（２００）における前記変調ビームの応答を得るステップと；
   ｅ）前記ＳＯＢＰウェッジの底部の高さと前記ＳＯＢＰウェッジの頂部の高さとの間の複数の高さでステップ（ｃ）及び（ｄ）を繰り返すステップと；
   ｆ）それぞれの高さにおける前記複数の応答から、ＳＯＢＰを再構成するステップと、を含むことを特徴とする、方法。
9. 請求項８に記載のステップｃ）～ｆ）を行うためのコードを含み、
   強度変調粒子線治療（ＩＭＰＴ）モードで使用可能なハドロン治療装置のプロセッサによって実行されるとき、前記ハドロン治療装置は、低エネルギー限界と高エネルギー限界との間に含まれるエネルギーを有するハドロンビームを生成するように構成され、前記ハドロン治療装置は、基準位置を有する患者ポジショナを備え、請求項１乃至７の何れか１項に記載のファントムが前記患者ポジショナ上に位置決めされることを特徴とする、コンピュータプログラム。
10. ハドロン治療装置の品質保証のための、請求項１乃至７の何れか１項に記載のファントム（１０）及び請求項９に記載のコンピュータプログラムを有する制御装置を含むことを特徴とする、システム。