JP2020198295A - Plasma processing apparatus - Google Patents
Plasma processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020198295A JP2020198295A JP2020067737A JP2020067737A JP2020198295A JP 2020198295 A JP2020198295 A JP 2020198295A JP 2020067737 A JP2020067737 A JP 2020067737A JP 2020067737 A JP2020067737 A JP 2020067737A JP 2020198295 A JP2020198295 A JP 2020198295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electrodes
- pair
- processing apparatus
- processing container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
本開示は、プラズマ処理装置に関する。 The present disclosure relates to a plasma processing apparatus.
上下方向に間隔を有して略水平に複数の基板を収容した処理容器内で、複数の基板に対して一括でプラズマ処理を施すように構成されたプラズマ処理装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。 There is known a plasma processing apparatus configured to collectively perform plasma processing on a plurality of substrates in a processing container accommodating a plurality of substrates substantially horizontally with an interval in the vertical direction (for example,). See Patent Document 1).
本開示は、処理容器の長手方向に沿った電界強度の均一性を向上できる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique capable of improving the uniformity of electric field strength along the longitudinal direction of a processing container.
本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、円筒体状の処理容器と、前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、を備え、前記プラズマ電極において、前記高周波電力が供給される給電位置から離れた位置の電極間距離が、前記給電位置の電極間距離より長い。 The plasma processing apparatus according to one aspect of the present disclosure is a high frequency that supplies high frequency power to a cylindrical processing container, a pair of plasma electrodes arranged to face each other along the longitudinal direction of the processing container, and the pair of plasma electrodes. The plasma electrode is provided with a power supply, and the distance between the electrodes at a position away from the feeding position where the high frequency power is supplied is longer than the distance between the electrodes at the feeding position.
本開示によれば、処理容器の長手方向に沿った電界強度の均一性を向上できる。 According to the present disclosure, the uniformity of the electric field strength along the longitudinal direction of the processing container can be improved.
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, non-limiting exemplary embodiments of the present disclosure will be described with reference to the accompanying drawings. In all the attached drawings, the same or corresponding members or parts are designated by the same or corresponding reference numerals, and duplicate description is omitted.
〔第1の実施形態〕
第1の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。図1は、第1の実施形態のプラズマ処理装置の断面図である。図2は、図1のプラズマ処理装置のプラズマ生成機構を説明するための断面図である。図3は、図1のプラズマ処理装置のプラズマ生成機構を説明するための斜視図である。
[First Embodiment]
The plasma processing apparatus of the first embodiment will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of the plasma processing apparatus of the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the plasma generation mechanism of the plasma processing apparatus of FIG. FIG. 3 is a perspective view for explaining the plasma generation mechanism of the plasma processing apparatus of FIG.
プラズマ処理装置100は、上下方向を長手方向とする処理容器1を有する。処理容器1は、下端が開口された有天井の円筒体状を有する。処理容器1の全体は、例えば石英により形成されている。処理容器1内の上端近傍には、石英により形成された天井板2が設けられており、天井板2の下側の領域が封止されている。処理容器1の下端の開口には、円筒体状に成形された金属製のマニホールド3がOリング等のシール部材4を介して連結されている。
The
マニホールド3は、処理容器1の下端を支持しており、マニホールド3の下方から基板として多数枚(例えば25〜150枚)の半導体ウエハ(以下「ウエハW」という。)を多段に載置したウエハボート5が処理容器1内に挿入される。このように処理容器1内には、上下方向に沿って間隔を有して多数枚のウエハWが略水平に収容される。ウエハボート5は、例えば石英により形成されている。ウエハボート5は、3本のロッド6を有し(図2参照)、ロッド6に形成された溝(図示せず)により多数枚のウエハWが支持される。
The manifold 3 supports the lower end of the
ウエハボート5は、石英により形成された保温筒7を介してテーブル8上に載置されている。テーブル8は、マニホールド3の下端の開口を開閉する金属(ステンレス)製の蓋体9を貫通する回転軸10上に支持される。
The wafer boat 5 is placed on the table 8 via a heat insulating cylinder 7 made of quartz. The table 8 is supported on a rotating
回転軸10の貫通部には、磁性流体シール11が設けられており、回転軸10を気密に封止し、且つ回転可能に支持している。蓋体9の周辺部とマニホールド3の下端との間には、処理容器1内の気密性を保持するためのシール部材12が設けられている。
A
回転軸10は、例えばボートエレベータ等の昇降機構(図示せず)に支持されたアーム13の先端に取り付けられており、ウエハボート5と蓋体9とは一体として昇降し、処理容器1内に対して挿脱される。なお、テーブル8を蓋体9側へ固定して設け、ウエハボート5を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。
The rotating
また、プラズマ処理装置100は、処理容器1内へ処理ガス、パージガス等の所定のガスを供給するガス供給部20を有する。
Further, the
ガス供給部20は、ガス供給管21,22,23,24を有する。ガス供給管21,22,23は、例えば石英により形成されており、マニホールド3の側壁を内側へ貫通して上方へ屈曲されて垂直に延びる。ガス供給管21,22,23の垂直部分には、ウエハボート5のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って、それぞれ複数のガス孔21a,22a,23aが所定間隔で形成されている。各ガス孔21a,22a,23aは、水平方向にガスを吐出する。ガス供給管24は、例えば石英により形成されており、マニホールド3の側壁を貫通して設けられた短い石英管からなる。なお、図示の例では、ガス供給管21は2本、ガス供給管22,23,24はそれぞれ1本設けられている。
The
ガス供給管21は、その垂直部分が処理容器1内に設けられている。ガス供給管21には、ガス配管を介して原料ガス供給源から成膜原料を含むガス(以下「原料ガス」という。)が供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、原料ガス供給源からの原料ガスは、ガス配管及びガス供給管21を介して処理容器1内に供給される。原料ガスとしては、例えばジクロロシラン(DCS;SiH2Cl2)、モノクロロシラン(MCS;SiH3Cl)、トリクロロシラン(TCS;SiHCl3)、シリコンテトラクロライド(STC;SiCl4)、ヘキサクロロジシラン(HCD;Si2Cl6)等の塩素(Cl)を含有するシリコン(Si)化合物を利用できる。
The vertical portion of the
ガス供給管22は、その垂直部分が後述するプラズマ生成空間に設けられている。ガス供給管22には、ガス配管を介して水素ガス供給源から水素(H2)ガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、水素ガス供給源からのH2ガスは、ガス配管及びガス供給管22を介してプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器1内に供給される。
The vertical portion of the
ガス供給管23は、その垂直部分が後述するプラズマ生成空間に設けられている。ガス供給管23には、ガス配管を介して窒化ガス供給源から窒化ガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、窒化ガス供給源からのH2ガスは、ガス配管及びガス供給管23を介してプラズマ生成空間に供給され、プラズマ生成空間においてプラズマ化されて処理容器1内に供給される。窒化ガスとしては、例えばアンモニア(NH3)、窒素(N2)、ジアゼン(N2H2)、ヒドラジン(N2H4)、モノメチルヒドラジン(CH3(NH)NH2)などの有機ヒドラジン化合物を利用できる。
The vertical portion of the gas supply pipe 23 is provided in the plasma generation space described later. Nitriding gas is supplied to the gas supply pipe 23 from the nitride gas supply source via the gas pipe. The gas pipe is provided with a flow rate controller and an on-off valve. As a result, the H 2 gas from the nitride gas supply source is supplied to the plasma generation space via the gas pipe and the gas supply pipe 23, is converted into plasma in the plasma generation space, and is supplied into the
ガス供給管24には、ガス配管を介してパージガス供給源からパージガスが供給される。ガス配管には、流量制御器及び開閉弁が設けられている。これにより、パージガス供給源からのパージガスは、ガス配管及びガス供給管24を介して処理容器1内に供給される。パージガスとしては、例えばアルゴン(Ar)、窒素(N2)等の不活性ガスを利用できる。なお、パージガスがパージガス供給源からガス配管及びガス供給管24を介して処理容器1内に供給される場合を説明したが、これに限定されず、パージガスはガス供給管21、22、23のいずれから供給されてもよい。
Purge gas is supplied to the
処理容器1の側壁の一部には、プラズマ生成機構30が形成されている。プラズマ生成機構30は、窒化ガスをプラズマ化して窒化のための活性種を生成し、さらにH2ガスをプラズマ化して水素(H)ラジカルを生成する。
A
プラズマ生成機構30は、プラズマ区画壁32と、一対のプラズマ電極33と、給電ライン34と、高周波電源35と、絶縁保護カバー36と、を備える。
The
プラズマ区画壁32は、処理容器1の外壁に気密に溶接されている。プラズマ区画壁32は、例えば石英により形成される。プラズマ区画壁32は断面凹状をなし、処理容器1の側壁に形成された開口31を覆う。開口31は、ウエハボート5に支持されている全てのウエハWを上下方向にカバーできるように、上下方向に細長く形成される。プラズマ区画壁32により規定されると共に処理容器1内と連通する内側空間、すなわち、プラズマ生成空間には、H2ガスを吐出するためのガス供給管22及び窒化ガスを吐出するためのガス供給管23が配置されている。なお、原料ガスを吐出するためのガス供給管21は、プラズマ生成空間の外の処理容器1の内側壁に沿ったウエハWに近い位置に設けられている。図示の例では、開口31を挟む位置に2本のガス供給管21が配置されているが、これに限定されず、例えば2本のガス供給管21の一方のみが配置されていてもよい。
The
一対のプラズマ電極33は、それぞれ細長い形状を有し、プラズマ区画壁32の両側の壁の外面に、上下方向に沿って対向配置されている。各プラズマ電極33は、例えばプラズマ区画壁32の側面に設けられた保持部32aによって保持されている。各プラズマ電極33の下端には、給電ライン34が接続されている。以下、プラズマ電極33と給電ライン34とが接続された下端位置を給電位置とも称する。
The pair of
図4は、プラズマ生成機構30のプラズマ電極33の説明図である。一対のプラズマ電極33は、それぞれ平面視で長辺と短辺とを含む矩形をなす平板形状を有し、プラズマ区画壁32を挟んで対称に配置されている。各プラズマ電極33は、上端位置の電極間距離L41が給電位置の電極間距離L42より長くなるように、上端位置の厚さT41が給電位置の厚さT42より薄くなるように形成されている。図4の例では、各プラズマ電極33は、給電位置から上端位置に近づくほど、プラズマ区画壁32との隙間が大きくなるように傾斜する形状に加工されている。ただし、各プラズマ電極33は、上端位置の電極間距離L41が給電位置の電極間距離L42より長くなっていればよく、例えば給電位置から上端位置に近づくほどプラズマ区画壁32との隙間が大きくなるように階段状に加工されていてもよい。
FIG. 4 is an explanatory diagram of the
上端位置における一方のプラズマ電極33とプラズマ区画壁32との隙間の幅W1と他方のプラズマ電極33とプラズマ区画壁32との隙間の幅W2の合計は、例えば上端位置の電極間距離L41に対して10〜20%であってよい。
The sum of the width W1 of the gap between one
給電ライン34は、各プラズマ電極33と高周波電源35とを電気的に接続する。図示の例では、給電ライン34は、一端が各プラズマ電極33の短辺の側部である下端に接続されており、他端が高周波電源35と接続されている。
The
高周波電源35は、各プラズマ電極33の下端に給電ライン34を介して接続され、一対のプラズマ電極33に例えば13.56MHzの高周波電力を供給する。これにより、プラズマ区画壁32により規定されたプラズマ生成空間内に、高周波電力が印加される。ガス供給管22から吐出されたH2ガスは、高周波電力が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、これにより生成された水素ラジカルが開口31を介して処理容器1の内部へと供給される。また、ガス供給管23から吐出された窒化ガスは、高周波電力が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、これにより生成された窒化のための活性種が開口31を介して処理容器1の内部へと供給される。
The high-
絶縁保護カバー36は、プラズマ区画壁32の外側に、該プラズマ区画壁32を覆うようにして取り付けられている。絶縁保護カバー36の内側部分には、冷媒通路(図示せず)が設けられており、冷媒通路に冷却された窒素(N2)ガス等の冷媒を流すことによりプラズマ電極33が冷却される。また、プラズマ電極33と絶縁保護カバー36との間に、プラズマ電極33を覆うようにシールド(図示せず)が設けられていてもよい。シールドは、例えば金属等の良導体により形成され、接地される。
The insulation
開口31に対向する処理容器1の側壁部分には、処理容器1内を真空排気するための排気口40が設けられている。排気口40は、ウエハボート5に対応して上下に細長く形成されている。処理容器1の排気口40に対応する部分には、排気口40を覆うように断面U字状に成形された排気口カバー部材41が取り付けられている。排気口カバー部材41は、処理容器1の側壁に沿って上方に延びている。排気口カバー部材41の下部には、排気口40を介して処理容器1を排気するための排気管42が接続されている。排気管42には、処理容器1内の圧力を制御する圧力制御バルブ43及び真空ポンプ等を含む排気装置44が接続されており、排気装置44により排気管42を介して処理容器1内が排気される。
An
また、処理容器1の外周を囲むようにして処理容器1及びその内部のウエハWを加熱する円筒体状の加熱機構50が設けられている。
Further, a
また、プラズマ処理装置100は、制御部60を有する。制御部60は、例えばプラズマ処理装置100の各部の動作の制御、例えば開閉弁の開閉による各ガスの供給・停止、流量制御器によるガス流量の制御、排気装置44による排気制御を行う。また、制御部60は、例えば高周波電源35による高周波電力のオン・オフ制御、加熱機構50によるウエハWの温度の制御を行う。
Further, the
制御部60は、例えばコンピュータ等であってよい。また、プラズマ処理装置100の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、DVD等であってよい。
The
次に、プラズマ処理装置100により実施される成膜方法の一例について説明する。以下では、原料ガスとしてDCSガス、窒化ガスとしてNH3ガス、パージガスとしてN2ガスを用いた例について示す。
Next, an example of the film forming method carried out by the
まず、処理容器1内の温度を300〜630℃にし、25〜175枚のウエハWが搭載されたウエハボート5を処理容器1内に搬入し、排気装置44により処理容器1内を排気しながら、処理容器1内を15〜70Paに調圧する。
First, the temperature inside the
この状態で、パージ工程(ステップS1)、原料ガス供給工程(ステップS2)、水素ラジカルパージ工程(ステップS3)、パージ工程(ステップS4)、窒化ガス供給工程(ステップS5)を所定回数繰り返し、所定膜厚のSiN膜を成膜する。 In this state, the purging step (step S1), the raw material gas supply step (step S2), the hydrogen radical purging step (step S3), the purging step (step S4), and the nitride gas supply step (step S5) are repeated a predetermined number of times. A SiN film having a thickness is formed.
ステップS1及びステップS4のパージ工程では、排気装置44により処理容器1内を排気しながら、パージガス供給源から処理容器1内にパージガスとしてN2ガスを供給することにより行われる。これにより、処理容器1内の雰囲気をN2ガスに置換する。ステップS1の好適な条件は、N2ガス流量:500〜2000sccm、時間:1〜10秒である。
The purging process of step S1 and step S4, while evacuating the
ステップS2の原料ガス供給工程では、原料ガス供給源から処理容器1内に原料ガスとしてDCSガスを供給して、ウエハWの表面にSiを吸着させる。ステップS2の好適な条件は、DCSガス流量:1000〜3000sccm、時間:1〜10秒である。
In the raw material gas supply step of step S2, DCS gas is supplied as a raw material gas from the raw material gas supply source into the
ステップS3の水素ラジカルパージ工程では、処理容器1内を排気しながら、水素ガス供給源から処理容器1内にH2ガスを供給し、プラズマ生成機構30によりH2ガスをプラズマ化して水素ラジカルを生成する。そして、ステップS2により吸着されたSiに水素ラジカルを作用させる。ステップS3の好適な条件は、高周波電力:50〜300W、H2ガス流量:500〜5000sccm、時間:5〜100秒である。
The hydrogen radical purging process of the step S3, while evacuating the
ステップS5の窒化ガス供給工程では、窒化ガス供給源から処理容器1内に窒化ガスとしてNH3ガスを供給し、プラズマ生成機構30によりNH3ガスをプラズマ化して窒化のための活性種を生成し、ステップS2により吸着されたSiを窒化する。ステップS5の好適な条件は、高周波電力:30〜300W、NH3ガス流量:2000〜7000sccm、時間:8〜30秒である。
In the nitriding gas supply step of step S5, NH 3 gas is supplied as nitriding gas into the
なお、ステップS3の水素ラジカルパージ工程とステップS4のパージ工程の順序は入れ替えてもよい。 The order of the hydrogen radical purging step in step S3 and the purging step in step S4 may be interchanged.
次に、プラズマ処理装置100の作用・効果について説明する。従来のプラズマ処理装置では、プラズマ電極33の下端から高周波電力を印加する場合、給電位置である下端位置から離れた上端位置は開放端になっていた。そのため、プラズマ電極の面内における電界強度の分布は、下端位置から開放端の上端位置へ向けて電界強度が大きくなるような分布(以下「開放端効果」ともいう。)を示していた。プラズマ電極の面内における電界強度の分布が上記のような分布を有する場合、成膜時にプラズマ生成空間から発生するパーティクルは、プラズマ生成空間の上部側で多く、下部側で少なくなる傾向を示した。すなわち、パーティクルの発生量とプラズマ電極の面内における電界強度との間に相関関係が見られた。プラズマ電極の面内における電界が大きくなると、プラズマとプラズマ区画壁32との間に生成するイオンシースに生じる電位差も大きくなり、この電圧で加速されるイオンによる壁表面へのダメージが増加するためと考えられる。
Next, the action / effect of the
一方、第1の実施形態のプラズマ処理装置100では、上端位置の電極間距離L41が下端位置の電極間距離L42より長くなるように、上端位置の厚さT41が給電位置の厚さT42より薄くなるように各プラズマ電極33が形成されている。これにより、開放端効果が抑制されて、処理容器1の長手方向に沿った電界強度の均一性が向上する。また、上端位置における電界強度が小さくなり、プラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量を低減できる。
On the other hand, in the
〔第2の実施形態〕
第2の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第2の実施形態のプラズマ処理装置は、一対のプラズマ電極が給電位置から離れるにつれて互いに離間するように配置されている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
[Second Embodiment]
The plasma processing apparatus of the second embodiment will be described. The plasma processing apparatus of the second embodiment is different from the
図5は、第2の実施形態のプラズマ処理装置のプラズマ電極の説明図である。図5に示されるように、一対のプラズマ電極33Aは、それぞれ平面視で長辺と短辺とを含む矩形をなす平板形状を有し、プラズマ区画壁32を挟んで対称に配置されている。各プラズマ電極33Aは、上端位置の電極間距離L51が給電位置の電極間距離L52より長くなるように、給電位置からの距離が長くなることで電極間の距離も広がるように配置されている。図5の例では、各プラズマ電極33Aは、面内の厚みが同一又は略同一であり、給電位置から上端位置に近づくほど、プラズマ区画壁32との隙間が大きくなるように傾斜して配置されている。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a plasma electrode of the plasma processing apparatus of the second embodiment. As shown in FIG. 5, the pair of
第2の実施形態のプラズマ処理装置では、上端位置の電極間距離L51が下端位置(給電位置)の電極間距離L52より長くなるように、給電位置からの距離が長くなることで電極間の距離も広がるように一対のプラズマ電極33Aが配置されている。これにより、開放端効果が抑制されて、処理容器1の長手方向に沿った電界強度の均一性が向上する。また、上端位置における電界強度が小さくなり、プラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量を低減できる。
In the plasma processing apparatus of the second embodiment, the distance between the electrodes is increased by increasing the distance from the feeding position so that the distance L51 between the electrodes at the upper end position is longer than the distance L52 between the electrodes at the lower end position (feeding position). A pair of
〔第3の実施形態〕
第3の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第3の実施形態のプラズマ処理装置は、各プラズマ電極がプラズマ区画壁から隙間を空けて配置され、隙間の下部側に誘電体が設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
[Third Embodiment]
The plasma processing apparatus of the third embodiment will be described. The plasma processing apparatus of the third embodiment is the plasma processing apparatus of the first embodiment in that each plasma electrode is arranged with a gap from the plasma partition wall and a dielectric is provided on the lower side of the gap. Different from 100. Since the other points are the same as those of the
図6は、第3の実施形態のプラズマ処理装置のプラズマ電極の説明図である。図6(a)は処理容器及びプラズマ生成機構を説明するための横断面を示し、図6(b)は図6(a)における一点鎖線6B−6Bにおいて切断した断面を示す。 FIG. 6 is an explanatory diagram of a plasma electrode of the plasma processing apparatus of the third embodiment. FIG. 6A shows a cross section for explaining the processing container and the plasma generation mechanism, and FIG. 6B shows a cross section cut along the alternate long and short dash line 6B-6B in FIG. 6A.
図6(a)及び図6(b)に示されるように、各プラズマ電極33Bは、プラズマ区画壁32から隙間を空けて配置されている。隙間の下部側には、誘電体37が設けられている。一方、隙間の上部側には、誘電体37が設けられていない。誘電体37としては、比誘電率が1より大きい材料であればよく、例えば高純度アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、イットリア(Y2O3)、フォルステライト(Mg2SiO4)、ムライト(3Al2O3・2SiO2)等の高誘電率誘電体を好適に利用できる。
As shown in FIGS. 6A and 6B, each
ところで、一対のプラズマ電極の電極間の静電容量をC1、C1に相当する誘電率及びその厚さをそれぞれε1、d1、誘電体の面積をA1とする。また、一対のプラズマ電極に印加される高周波電力をP、高周波の電源角周波数をω、電極間に流れる電流をI1=ωC1V0cosωt、電極間電圧をV1=V0sinωtとすると、以下の(1)式で表される関係が成り立つ。 Incidentally, each of epsilon 1 of the dielectric constant and the thickness thereof corresponds to capacitance between the electrodes of the pair of plasma electrodes C 1, C 1, d 1 , the area of the dielectric to A 1. Further, assuming that the high-frequency power applied to the pair of plasma electrodes is P, the high-frequency power supply angular frequency is ω, the current flowing between the electrodes is I 1 = ωC 1 V 0 cosωt, and the voltage between the electrodes is V 1 = V 0 sinωt. , The relationship expressed by the following equation (1) holds.
いま両側のプラズマ電極33Bとプラズマ区画壁32との間に隙間があり、その隙間の静電容量をCb、Cbに相当する誘電率およびその厚さをそれぞれεb、db、誘電体の面積をA1とする。同様に、両側のプラズマ区画壁32(石英ガラス壁)の静電容量をCq、Cqに相当する誘電率およびその厚さをそれぞれεq、dq、プラズマ中に生成するイオンシースを誘電体とみなし、その静電容量をCs、Csに相当する誘電率およびその厚さをそれぞれεs、dsとする。電極間の総静電容量C1は直列に接続されたCb、Cq、Csで構成されていているとすれば、総静電容量C1は以下の(2)式で表される。
There is a gap between the current and the opposite sides of the
(2)式を(1)式に代入すると、電極に印加される高周波電力Pは以下に示される(3)式となる。 Substituting Eq. (2) into Eq. (1), the high-frequency power P applied to the electrodes becomes Eq. (3) shown below.
両側の電極とプラズマボックス壁間の電圧の合計をVb、両側の石英ガラス壁にかかる電圧をVq、イオンシースにかかる電圧をVsとすると、V0=Vb+Vq+Vsとなる。 If the total voltage between the electrodes on both sides and the plasma box wall is V b , the voltage applied to the quartz glass walls on both sides is V q , and the voltage applied to the ion sheath is V s , then V 0 = V b + V q + V s. ..
また、VsとV0の関係は以下の(4)式で表される。 The relationship between V s and V 0 is expressed by the following equation (4).
(4)式を(3)式に代入すれば、高周波電力Pは以下の(5)式のように表される。 By substituting the equation (4) into the equation (3), the high frequency power P is expressed as the following equation (5).
(5)式において、プラズマ電極に印加される高周波電力Pが一定ならばV0も一定であるから、プラズマ電極33Bとプラズマ区画壁32間距離dbが大きくなると、Vsは小さくなる。また、プラズマ電極33Bとプラズマ区画壁間32の誘電率εbが小さいほど、Vsは小さくなる。
In equation (5), since V 0 If the high frequency power P is constant to be applied to the plasma electrode is also constant and between the
図7は、プラズマ電極33Bの下端からの距離Xとイオンシースに発生する電圧(以下「イオンシース電圧」と記す)Vs(最大値)との関係の説明図である。図7中、横軸はプラズマ電極33Bの下端からの距離Xを示し、縦軸はイオンシース電圧Vsを示す。また、図7中、一点鎖線は各プラズマ電極33Bとプラズマ区画壁32との隙間の下部側に誘電体37が設けられている場合のイオンシース電圧Vsを示し、破線は該隙間に誘電体37が設けられていない場合のイオンシース電圧Vsを示す。実線は各プラズマ電極33Bとプラズマ区画壁32との隙間の下部側に誘電体37が設けられている場合で、高周波電力をやや低減してイオンシース電圧Vsを平均化した場合を示す。
Figure 7 is a voltage generated in the distance X and the ion sheath from the lower end of the
第3の実施形態のプラズマ処理装置では、各プラズマ電極33Bがプラズマ区画壁32から隙間を空けて配置されており、隙間の下部側には誘電体37が設けられ、隙間の上部側には誘電体37が設けられていない。これにより、図7の一点鎖線で示されるように、開放端効果が抑制されて、処理容器1の長手方向に沿ったイオンシース電圧Vsの均一性が向上する。さらに、プラズマ電極33Bに印加する高周波電力をやや小さく調整すれば、図7の実線で示されるように、上端位置におけるイオンシース電圧Vsが小さくなり、プラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量を低減できる。
In the plasma processing apparatus of the third embodiment, each
一方、図7の破線で示されるように、各プラズマ電極33Bとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37が設けられていない場合、プラズマ電極の面内における電界強度の分布は、下端位置から開放端の上端位置へ向けて電界強度が大きくなるため、プラズマ電極上端側でのイオンシース電圧Vsも大きくなりプラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量が増加する。
On the other hand, as shown by the broken line in FIG. 7, when the dielectric 37 is not provided in the gap between each
〔第4の実施形態〕
第4の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第4の実施形態のプラズマ処理装置は、各プラズマ電極がプラズマ区画壁から隙間を空けて配置され、隙間に下部側から上部側へ向けて厚さが薄くなる誘電体が設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
[Fourth Embodiment]
The plasma processing apparatus of the fourth embodiment will be described. In the plasma processing apparatus of the fourth embodiment, each plasma electrode is arranged with a gap from the plasma partition wall, and the gap is provided with a dielectric material whose thickness decreases from the lower side to the upper side. , Different from the
図8は、第4の実施形態のプラズマ処理装置のプラズマ電極の説明図である。図8(a)は処理容器及びプラズマ生成機構を説明するための横断面を示し、図8(b)は図8(a)における一点鎖線8B−8Bにおいて切断した断面を示す。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a plasma electrode of the plasma processing apparatus of the fourth embodiment. FIG. 8A shows a cross section for explaining the processing container and the plasma generation mechanism, and FIG. 8B shows a cross section cut along the alternate long and
図8(a)及び図8(b)に示されるように、各プラズマ電極33Cは、プラズマ区画壁32から隙間を空けて配置されている。隙間には、下部側から上部側へ向けて厚さが薄くなる誘電体37Cが設けられている。図8(a)及び図8(b)の例では、誘電体37Cは、下部側から上部側へ向けて厚さが薄くなるように傾斜する形状に加工されている。ただし、誘電体37Cは、上部側が下部側より薄くなるように形成されていればよく、例えば下部側から上部側に近づくほど、厚さが薄くなるように階段状に加工されていてもよい。
As shown in FIGS. 8A and 8B, each
図9は、プラズマ電極33Cの下端からの距離Xとイオンシース電圧Vsとの関係の説明図である。図9中、横軸はプラズマ電極33Cの下端からの距離Xを示し、縦軸はイオンシース電圧Vsを示す。また、図9中、一点鎖線は各プラズマ電極33Cとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37Cが設けられている場合のイオンシース電圧Vsを示し、破線は該隙間に誘電体37Cが設けられていない場合のイオンシース電圧Vsを示す。実線は各プラズマ電極33Cとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37Cが設けられている場合で、高周波電力をやや低減してイオンシース電圧Vsを平均化した場合を示す。
FIG. 9 is an explanatory diagram of the relationship between the distance X from the lower end of the
第4の実施形態のプラズマ処理装置では、各プラズマ電極33Cがプラズマ区画壁32から隙間を空けて配置されており、隙間に下部側から上部側へ向けて厚さが薄くなる誘電体37Cが設けられている。これにより、図9の一点鎖線で示されるように、開放端効果が抑制されて、処理容器1の長手方向に沿ったイオンシース電圧Vsの均一性が向上する。さらに、プラズマ電極33Cに印加する高周波電力をやや小さく調整すれば、図9の実線で示されるように、上端位置におけるイオンシース電圧Vsが小さくなり、プラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量を低減できる。
In the plasma processing apparatus of the fourth embodiment, each
一方、図9の破線で示されるように、各プラズマ電極33Cとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37Cが設けられていない場合、プラズマ電極の面内における電界強度の分布は、下端位置から開放端の上端位置へ向けて電界強度が大きくなるため、プラズマ電極上端側でのイオンシース電圧Vsも大きくなりプラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量が増加する。
On the other hand, as shown by the broken line in FIG. 9, when the dielectric 37C is not provided in the gap between each
〔第5の実施形態〕
第5の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第5の実施形態のプラズマ処理装置は、各プラズマ電極がプラズマ区画壁から隙間を空けて配置され、隙間に下部側から上部側へ向けて比誘電率が低くなる誘電体が設けられている点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
[Fifth Embodiment]
The plasma processing apparatus of the fifth embodiment will be described. In the plasma processing apparatus of the fifth embodiment, each plasma electrode is arranged with a gap from the plasma partition wall, and a dielectric whose relative permittivity decreases from the lower side to the upper side is provided in the gap. Therefore, it is different from the
図10は、第5の実施形態のプラズマ処理装置のプラズマ電極の説明図である。図10(a)は処理容器及びプラズマ生成機構を説明するための横断面を示し、図10(b)は図10(a)における一点鎖線10B−10Bにおいて切断した断面を示す。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a plasma electrode of the plasma processing apparatus of the fifth embodiment. FIG. 10A shows a cross section for explaining the processing container and the plasma generation mechanism, and FIG. 10B shows a cross section cut along the alternate long and
図10(a)及び図10(b)に示されるように、各プラズマ電極33Dは、プラズマ区画壁32から隙間を空けて配置されている。隙間には、下部側から上部側へ向けて比誘電率が低くなる誘電体37Dが設けられている。図10(a)及び図10(b)の例では、誘電体37Dは、下部側から上部側へ向けて比誘電率が連続的に低くなっている。ただし、誘電体37Dは、下部側から上部側へ向けて比誘電率が低くなっていればよく、例えば異なる比誘電率の誘電体が組み合わされて形成されていてもよい。この場合、上部側に比誘電率の低い誘電体が配置され、下部側に比誘電率の高い誘電体が配置される。
As shown in FIGS. 10A and 10B, each
図11は、プラズマ電極33Dの下端からの距離Xとイオンシース電圧Vsとの関係の説明図である。図11中、横軸はプラズマ電極33Dの下端からの距離Xを示し、縦軸はイオンシース電圧Vsを示す。また、図11中、一点鎖線は各プラズマ電極33Dとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37Dが設けられている場合のイオンシース電圧Vsを示し、破線は該隙間に誘電体37Dが設けられていない場合のイオンシース電圧Vsを示す。実線は各プラズマ電極33Dとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37Dが設けられている場合で、高周波電力をやや低減してイオンシース電圧Vsを平均化した場合を示す。
FIG. 11 is an explanatory diagram of the relationship between the distance X from the lower end of the
第5の実施形態のプラズマ処理装置では、各プラズマ電極33Dがプラズマ区画壁32から隙間を空けて配置されており、隙間に下部側から上部側へ向けて比誘電率が低くなる誘電体37Dが設けられている。これにより、図11の一点鎖線で示されるように、開放端効果が抑制されて、処理容器1の長手方向に沿ったイオンシース電圧Vsの均一性が向上する。さらに、プラズマ電極33Dに印加する高周波電力をやや小さく調整すれば、図11の実線で示されるように、上端位置におけるイオンシース電圧Vsが小さくなり、プラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量を低減できる。
In the plasma processing apparatus of the fifth embodiment, each
一方、図11の破線で示されるように、各プラズマ電極33Dとプラズマ区画壁32との隙間に誘電体37Dが設けられていない場合、プラズマ電極の面内における電界強度の分布は、下端位置から開放端の上端位置へ向けて電界強度が大きくなるため、プラズマ電極上端側でのイオンシース電圧Vsも大きくなりプラズマ生成空間の上部側で発生するパーティクルの量が増加する。
On the other hand, as shown by the broken line in FIG. 11, when the dielectric 37D is not provided in the gap between each
〔第6の実施形態〕
第6の実施形態のプラズマ処理装置について説明する。第6の実施形態のプラズマ処理装置は、給電位置が各プラズマ電極の上下方向における中間位置である点で、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と異なる。なお、その他の点については、第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様であるので、以下では異なる点を中心に説明する。
[Sixth Embodiment]
The plasma processing apparatus of the sixth embodiment will be described. The plasma processing apparatus of the sixth embodiment is different from the
図12は、第6の実施形態のプラズマ処理装置のプラズマ電極の説明図である。図12に示されるように、一対のプラズマ電極33Eは、それぞれ平面視で長辺と短辺とを含む矩形をなす平板形状を有し、プラズマ区画壁32を挟んで対称に配置されている。各プラズマ電極33Eは、上端位置の電極間距離L61及び下端位置の電極間距離L62が給電位置の電極間距離L63より長くなるように、上端位置の厚さT61及び下端位置の厚さT62が給電位置の厚さT63より薄くなるように形成されている。図12の例では、各プラズマ電極33Eは、給電位置から上端位置及び下端位置に近づくほど、プラズマ区画壁32との隙間が大きくなるように傾斜する形状に加工されている。ただし、各プラズマ電極33Eは、上端位置の電極間距離L61及び下端位置の電極間距離L62が給電位置の電極間距離L63より長くなっていればよい。例えば、各プラズマ電極33Eは、給電位置から上端位置及び下端位置に近づくほどプラズマ区画壁32との隙間が大きくなるように階段状に加工されていてもよい。
FIG. 12 is an explanatory diagram of a plasma electrode of the plasma processing apparatus of the sixth embodiment. As shown in FIG. 12, the pair of
給電ライン34は、各プラズマ電極33Eと高周波電源35とを電気的に接続する。図示の例では、給電ライン34は、一端が各プラズマ電極33Eの上下方向における中間位置に接続されており、他端が高周波電源35と接続されている。
The
第6の実施形態のプラズマ処理装置では、上端位置及び下端位置の電極間距離L61,L62が給電位置(中間位置)の電極間距離L63より長くなるように、各プラズマ電極33Eの上端位置及び下端位置の厚さT61,T62が給電位置の厚さT63より薄い。これにより、開放端効果が抑制されて、処理容器1の長手方向に沿った電界強度の均一性が向上する。また、上端位置及び下端位置における電界強度が小さくなり、プラズマ生成空間の上部側及び下部側で発生するパーティクルの量を低減できる。
In the plasma processing apparatus of the sixth embodiment, the upper end position and the lower end of each
以上に説明したように、実施形態によれば、一対のプラズマ電極の電極間であって、少なくとも処理容器1の長手方向において給電位置から近い位置でのプラズマ電極間の電気長が、給電位置から離れた位置でのプラズマ電極間の電極長よりも短い。これにより、処理容器1の長手方向に沿った電界強度の均一性を向上できる。ここで、プラズマ電極間の電気長とは、プラズマ電極間に挟まれる、各種物質で構成される複数の区間について、個々の区間の長さをその区間を構成する物質の比誘電率で割ったものを、全ての区間で合算した値で定義する。
As described above, according to the embodiment, the electric length between the electrodes of the pair of plasma electrodes, at least in the longitudinal direction of the
〔実施例〕
第1の実施形態のプラズマ処理装置100と同様の構成のプラズマ処理装置を用いて、一対のプラズマ電極33の電極間距離がプラズマ電極の面内における電界強度の分布に与える影響について、有限要素法による電磁場解析により検証した。シミュレーションでは、上端位置の電極間距離が給電位置の電極間距離より長い場合について、プラズマ電極33の長手方向(処理容器1の上下方向)における電界強度の分布を計算した。また、比較のために、上端位置の電極間距離と給電位置の電極間距離が等しい場合について、プラズマ電極33の長手方向(処理容器1の上下方向)における電界強度の分布を計算した。
〔Example〕
Using a plasma processing device having the same configuration as the
図13は、プラズマ電極の長手方向における位置Lと電界強度Epとの関係のシミュレーション結果を示す図である。図13中、横軸はプラズマ電極33の長手方向における位置Lを示し、縦軸は電界強度Ep[V/m]を示す。また、図13中、実線は上端位置の電極間距離が給電位置の電極間距離より長い場合の結果を示し、破線は上端位置の電極間距離と給電位置の電極間距離が等しい場合の結果を示す。
Figure 13 is a diagram showing a simulation result of a relationship between the position L and the electric field strength E p in the longitudinal direction of the plasma electrode. In FIG. 13, the horizontal axis represents the position L of the
図13に示されるように、上端位置の電極間距離が給電位置の電極間距離より長い場合、上端位置の電極間距離と給電位置の電極間距離が等しい場合と比較して、プラズマ生成空間の上部側での電界強度が小さくなっていることが分かる。また、製品ウエハ領域における電界強度の均一性が向上していることが分かる。 As shown in FIG. 13, when the distance between the electrodes at the upper end position is longer than the distance between the electrodes at the feeding position, the distance between the electrodes at the upper end position is equal to the distance between the electrodes at the feeding position. It can be seen that the electric field strength on the upper side is small. It can also be seen that the uniformity of the electric field strength in the product wafer region is improved.
以上、第1の実施形態から第6の実施形態について説明したが、上記の第1の実施形態から第6の実施形態の2つ以上を組み合わせてもよい。 Although the first to sixth embodiments have been described above, two or more of the above first to sixth embodiments may be combined.
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The above-described embodiment may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the scope and purpose of the appended claims.
上記の実施形態では、一対のプラズマ電極がプラズマ区画壁の両側の壁の外面に配置されている場合を説明したが、これに限定されず、例えば一対のプラズマ電極は処理容器内に配置されていてもよい。 In the above embodiment, the case where the pair of plasma electrodes are arranged on the outer surfaces of the walls on both sides of the plasma partition wall has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, the pair of plasma electrodes are arranged in the processing container. You may.
上記の実施形態では、各プラズマ電極が平板形状を有する場合を説明したが、これに限定されず、例えば各プラズマ電極は棒形状を有していてもよい。 In the above embodiment, the case where each plasma electrode has a flat plate shape has been described, but the present invention is not limited to this, and for example, each plasma electrode may have a rod shape.
1 処理容器
30 プラズマ生成機構
32 プラズマ区画壁
33 プラズマ電極
35 高周波電源
100 プラズマ処理装置
W ウエハ
1 Processing
Claims (13)
前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、
前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
前記プラズマ電極において、前記高周波電力が供給される給電位置から離れた位置の電極間距離が、前記給電位置の電極間距離より長い、
プラズマ処理装置。 Cylindrical processing container and
A pair of plasma electrodes arranged to face each other along the longitudinal direction of the processing container,
A high-frequency power supply that supplies high-frequency power to the pair of plasma electrodes,
With
In the plasma electrode, the distance between the electrodes at a position away from the feeding position where the high frequency power is supplied is longer than the distance between the electrodes at the feeding position.
Plasma processing equipment.
請求項1に記載のプラズマ処理装置。 Each of the pair of plasma electrodes has a flat plate shape, and the thickness of the position away from the feeding position is thinner than the thickness of the feeding position.
The plasma processing apparatus according to claim 1.
請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。 Each of the pair of plasma electrodes has a flat plate shape, and is arranged so as to be separated from each other as the distance from the feeding position increases.
The plasma processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記給電位置は、前記矩形の短辺の側部である、
請求項1乃至3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 The pair of plasma electrodes have a rectangular shape including a long side and a short side in a plan view.
The feeding position is a side portion of the short side of the rectangle.
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
前記一対のプラズマ電極は、前記プラズマ区画壁の両側の壁の外面に配置されている、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 Further provided with a plasma partition wall covering an opening formed along the longitudinal direction of the processing vessel.
The pair of plasma electrodes are arranged on the outer surfaces of the walls on both sides of the plasma partition wall.
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
請求項5に記載のプラズマ処理装置。 The pair of plasma electrodes are symmetrically arranged across the plasma partition wall.
The plasma processing apparatus according to claim 5.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 The pair of plasma electrodes are arranged in the processing container.
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 4.
前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、
前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
前記一対のプラズマ電極の電極間であって、少なくとも前記処理容器の長手方向において給電位置から近い位置に比誘電率が1より大きい誘電体が設けられている、
プラズマ処理装置。 Cylindrical processing container and
A pair of plasma electrodes arranged to face each other along the longitudinal direction of the processing container,
A high-frequency power supply that supplies high-frequency power to the pair of plasma electrodes,
With
A dielectric having a relative permittivity greater than 1 is provided between the electrodes of the pair of plasma electrodes, at least at a position close to the feeding position in the longitudinal direction of the processing container.
Plasma processing equipment.
請求項8に記載のプラズマ処理装置。 The thickness of the dielectric at a position away from the feeding position is thinner than the thickness of the feeding position.
The plasma processing apparatus according to claim 8.
請求項8又は9に記載のプラズマ処理装置。 The dielectric constant of the dielectric at a position away from the feeding position is lower than the relative permittivity of the feeding position.
The plasma processing apparatus according to claim 8 or 9.
前記一対のプラズマ電極は、前記プラズマ区画壁の両側の壁の外面に配置されており、
前記プラズマ電極と前記プラズマ区画壁との間に前記誘電体が設けられている、
請求項8乃至10のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 Further provided with a plasma partition wall covering an opening formed along the longitudinal direction of the processing vessel.
The pair of plasma electrodes are arranged on the outer surfaces of the walls on both sides of the plasma partition wall.
The dielectric is provided between the plasma electrode and the plasma partition wall.
The plasma processing apparatus according to any one of claims 8 to 10.
請求項1乃至11のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 The processing container accommodates a plurality of substrates at intervals along the longitudinal direction.
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 11.
前記処理容器の長手方向に沿って対向配置された一対のプラズマ電極と、
前記一対のプラズマ電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
を備え、
前記一対のプラズマ電極の電極間であって、少なくとも前記処理容器の長手方向において給電位置から近い位置でのプラズマ電極間の電気長が、前記給電位置から離れた位置でのプラズマ電極間の電極長よりも短い、
プラズマ処理装置。 Cylindrical processing container and
A pair of plasma electrodes arranged to face each other along the longitudinal direction of the processing container,
A high-frequency power supply that supplies high-frequency power to the pair of plasma electrodes,
With
The electrical length between the electrodes of the pair of plasma electrodes at a position close to the feeding position in at least the longitudinal direction of the processing container is the electrode length between the plasma electrodes at a position away from the feeding position. Shorter than
Plasma processing equipment.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010412317.1A CN112017936B (en) | 2019-05-28 | 2020-05-15 | Plasma processing apparatus |
US16/883,598 US11692269B2 (en) | 2019-05-28 | 2020-05-26 | Plasma processing apparatus |
KR1020200063728A KR102615569B1 (en) | 2019-05-28 | 2020-05-27 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019099722 | 2019-05-28 | ||
JP2019099722 | 2019-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020198295A true JP2020198295A (en) | 2020-12-10 |
JP7130014B2 JP7130014B2 (en) | 2022-09-02 |
Family
ID=73648263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020067737A Active JP7130014B2 (en) | 2019-05-28 | 2020-04-03 | Plasma processing equipment |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7130014B2 (en) |
KR (1) | KR102615569B1 (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280378A (en) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Batch-type remote plasma treatment apparatus |
WO2005083766A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing device |
JP2006028625A (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Denso Corp | Cvd apparatus |
JP2010009890A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Plasma processing device |
US20120225218A1 (en) * | 2011-01-10 | 2012-09-06 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for dielectric deposition |
JP2013131475A (en) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Sharp Corp | Plasma processing apparatus and semiconductor device |
JP2015082533A (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4857849B2 (en) | 2006-03-24 | 2012-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
2020
- 2020-04-03 JP JP2020067737A patent/JP7130014B2/en active Active
- 2020-05-27 KR KR1020200063728A patent/KR102615569B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002280378A (en) * | 2001-01-11 | 2002-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Batch-type remote plasma treatment apparatus |
WO2005083766A1 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing device |
JP2006028625A (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-02 | Denso Corp | Cvd apparatus |
JP2010009890A (en) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Plasma processing device |
US20120225218A1 (en) * | 2011-01-10 | 2012-09-06 | Plasmasi, Inc. | Apparatus and method for dielectric deposition |
JP2013131475A (en) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Sharp Corp | Plasma processing apparatus and semiconductor device |
JP2015082533A (en) * | 2013-10-21 | 2015-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200136840A (en) | 2020-12-08 |
KR102615569B1 (en) | 2023-12-18 |
JP7130014B2 (en) | 2022-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10679831B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium | |
KR100955359B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
JP6656103B2 (en) | Method and apparatus for forming nitride film | |
KR20180128835A (en) | Method of forming silicon nitride film, film forming apparatus and storage medium | |
US11495442B2 (en) | Batch type substrate processing apparatus | |
KR20200112692A (en) | Processing apparatus and processing method | |
US12060640B2 (en) | Film forming method and system | |
TWI754364B (en) | Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
KR20180062386A (en) | Processing method and processing apparatus | |
US20130213575A1 (en) | Atmospheric Pressure Plasma Generating Apparatus | |
JP6987021B2 (en) | Plasma processing equipment and plasma processing method | |
WO2021193302A1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP7130014B2 (en) | Plasma processing equipment | |
KR20200007097A (en) | Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method, plasma generation part, program, plasma generation method, electrode, and reaction tube | |
US11692269B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
KR20170102326A (en) | Plasma processing equipment | |
US11031214B2 (en) | Batch type substrate processing apparatus | |
JP7536106B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND RECORDING MEDIUM | |
US20240014013A1 (en) | Plasma processing apparatus and plasma processing method | |
US20220238335A1 (en) | Method for forming film and processing apparatus | |
JP7453079B2 (en) | Temperature sensor and plasma processing equipment | |
JP4680619B2 (en) | Plasma deposition system | |
JP5874854B1 (en) | Plasma processing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7130014 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |