JP2020195585A - Radiation diagnostic apparatus - Google Patents

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Abstract

To appropriately reduce an influence of an afterglow.SOLUTION: A radiation diagnostic apparatus comprises a radiation detector, a reception unit, and a processing unit. The radiation detector includes a scintillator which emits light in response to incident radiation, and an optical sensor which detects the light emitted from the scintillator and outputs a signal according to the light. The reception unit receives an input of scanning conditions. The processing unit reduces an influence of an afterglow on the output from the radiation detector, on the basis of the scanning conditions.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、放射線診断装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to a radiological diagnostic apparatus.

X線CT(Computed Tomography)装置やPET(Positron Emission Tomography)装置、SPECT(Single Photon Emission Computed Tomography)装置等の放射線診断装置では、シンチレータによってX線やガンマ線等の放射線が可視光に変換される。そして、フォトダイオード等の光センサによって可視光がアナログ形式の電気信号に変換される。そして、DAS(Data Acquisition System)等によってアナログ形式の電気信号がデジタル形式の電気信号(デジタルデータ)に変換される。 In radiodiagnosis devices such as X-ray CT (Computed Tomography) devices, PET (Positron Emission Tomography) devices, and SPECT (Single Photon Emission Computed Tomography) devices, radiation such as X-rays and gamma rays is converted into visible light by a scintillator. Then, visible light is converted into an analog-type electric signal by an optical sensor such as a photodiode. Then, the analog format electric signal is converted into the digital format electric signal (digital data) by DAS (Data Acquisition System) or the like.

シンチレータは、X線の入力に対して、発せられる光が時間をかけて徐々に減衰する遅延蛍光(アフターグロー)という特性を有する。アフターグローによって、例えば、X線CT装置による撮影において、後続の複数のビューに亘って、シンチレータから光が発せられる。このため、放射線診断装置により得られる放射線画像の時間分解能が悪化したり、放射線画像にアーチファクトが発生したり、放射線画像がぼけたりする。例えば、X線のエネルギーが刻々と変化するデュアルエナジースキャンや、X線管及びX線検出器が高速で回転する高速スキャンでは、アフターグローを起因として時間分解能が顕著に悪化したり、アフターグローを起因とするアーチファクトが顕著に発生したりする。また、心臓等の動きが比較的速い撮影対象を高速スキャンで撮影する場合にも、アフターグローを起因として時間分解能が顕著に悪化したり、アフターグローを起因とするアーチファクトが顕著に発生したりする。 The scintillator has a characteristic of delayed fluorescence (afterglow) in which the emitted light is gradually attenuated over time with respect to the input of X-rays. Afterglow causes light to be emitted from the scintillator over a plurality of subsequent views, for example, in imaging with an X-ray CT apparatus. For this reason, the time resolution of the radiographic image obtained by the radiological diagnostic apparatus deteriorates, artifacts occur in the radiological image, and the radiological image is blurred. For example, in dual energy scans in which the energy of X-rays changes from moment to moment, and in high-speed scans in which the X-ray tube and X-ray detector rotate at high speed, the time resolution deteriorates significantly due to afterglow, or afterglow occurs. The resulting artifacts may be noticeable. In addition, even when a high-speed scan is used to shoot a subject with a relatively fast movement such as the heart, the time resolution is significantly deteriorated due to afterglow, and artifacts due to afterglow are remarkably generated. ..

一方で、アフターグローによって、光センサから出力される電気信号のS/N(signal-to-noise ratio)が改善される面もある。そして、例えば、骨等の動きが小さい撮影対象を撮影する場合には、ノイズの少ない画像を得るために、アフターグローの影響を許容してでも、S/Nを良好にしたいという操作者の要望がある。また、例えば、体幹部等のノイズの影響を比較的受けやすい撮影対象を撮影する場合にも、ノイズの少ない画像を得るために、アフターグローの影響を許容してでも、S/Nを良好にしたいという操作者の要望がある。 On the other hand, afterglow improves the S / N (signal-to-noise ratio) of the electric signal output from the optical sensor. Then, for example, when shooting an image with a small movement of bones or the like, the operator wants to improve the S / N even if the influence of afterglow is allowed in order to obtain an image with less noise. There is. Further, for example, when shooting a shooting target that is relatively susceptible to noise such as the trunk, the S / N ratio is good even if the influence of afterglow is allowed in order to obtain an image with less noise. There is an operator's request to do so.

したがって、撮影する部位、スキャン条件に応じて適切にアフターグローの影響を低減させることが望まれる。 Therefore, it is desired to appropriately reduce the influence of afterglow according to the part to be imaged and the scanning conditions.

特開平10−274675号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-274675 特表2016−519183号公報Special Table 2016-591183 特開平11−160440号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-160440

本発明が解決しようとする課題は、適切にアフターグローの影響を低減させることができる放射線診断装置を提供することである。 An object to be solved by the present invention is to provide a radiological diagnostic apparatus capable of appropriately reducing the influence of afterglow.

実施形態の放射線診断装置は、放射線検出器と、受付部と、処理部とを備える。放射線検出器は、入射放射線に応じて発光するシンチレータ、及び、シンチレータから発せられた光を検出し当該光に応じた信号を出力する光センサを含む。受付部は、スキャン条件の入力を受け付ける。処理部は、スキャン条件に基づいて、放射線検出器からの出力に対してアフターグローの影響を低減する処理を実行する。 The radiation diagnostic apparatus of the embodiment includes a radiation detector, a reception unit, and a processing unit. The radiation detector includes a scintillator that emits light in response to incident radiation, and an optical sensor that detects light emitted from the scintillator and outputs a signal corresponding to the light. The reception unit accepts input of scan conditions. The processing unit executes processing for reducing the influence of afterglow on the output from the radiation detector based on the scanning conditions.

図1は、第1の実施形態に係るX線CT装置の構成の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray CT apparatus according to the first embodiment. 図2は、第1の実施形態に係るX線検出器の構成の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector according to the first embodiment. 図3は、第1の実施形態に係るX線CT装置が実行する第1処理の一例の流れを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a flow of an example of the first process executed by the X-ray CT apparatus according to the first embodiment. 図4は、第1の実施形態の変形例1に係るX線検出器の構成の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector according to the first modification of the first embodiment. 図5Aは、第1の実施形態の変形例2に係る光センサの有感体積の一例を示す図である。FIG. 5A is a diagram showing an example of the sensational volume of the optical sensor according to the second modification of the first embodiment. 図5Bは、第1の実施形態の変形例2に係る光センサの有感体積の一例を示す図である。FIG. 5B is a diagram showing an example of the felt volume of the optical sensor according to the second modification of the first embodiment. 図6は、第1の実施形態の変形例3に係るX線CT装置が実行する処理の一例を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an example of processing executed by the X-ray CT apparatus according to the third modification of the first embodiment. 図7は、第2の実施形態に係るX線CT装置の構成の一例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray CT apparatus according to the second embodiment. 図8は、第2の実施形態に係るX線検出器の構成の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector according to the second embodiment. 図9は、第2の実施形態に係るX線CT装置が実行する第2処理の一例の流れを示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a flow of an example of the second process executed by the X-ray CT apparatus according to the second embodiment. 図10は、第3の実施形態に係るX線CT装置の構成の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray CT apparatus according to the third embodiment. 図11は、第3の実施形態に係るX線検出器の構成の一例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector according to the third embodiment. 図12は、第3の実施形態に係るX線CT装置が実行する第3処理の一例の流れを示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart showing a flow of an example of a third process executed by the X-ray CT apparatus according to the third embodiment.

以下、図面を参照して、放射線診断装置の実施形態について詳細に説明する。なお、一つの実施形態又は変形例に記載した内容は、他の実施形態又は他の変形例にも同様に適用されてもよい。 Hereinafter, embodiments of the radiation diagnostic apparatus will be described in detail with reference to the drawings. The contents described in one embodiment or modification may be similarly applied to other embodiments or other modifications.

(第1の実施形態)
図1を参照しながら、第1の実施形態に係るX線CT装置1の構成について説明する。図1は、第1の実施形態に係るX線CT装置1の構成の一例を示す図である。図1に示すように、X線CT装置1は、架台装置10と、寝台装置30と、コンソール装置40とを有する。X線CT装置1は、放射線診断装置の一例である。
(First Embodiment)
The configuration of the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the X-ray CT device 1 includes a gantry device 10, a sleeper device 30, and a console device 40. The X-ray CT apparatus 1 is an example of a radiological diagnostic apparatus.

図1においては、非チルト状態での回転フレーム13の回転軸又は寝台装置30の天板33の長手方向をZ軸方向とする。また、Z軸方向に直交し、床面に対し水平である軸方向をX軸方向とする。また、Z軸方向及びX軸方向に直交し、床面に対し垂直である軸方向をY軸方向とする。なお、図1は、説明のために架台装置10を複数方向から描画したものであり、X線CT装置1が架台装置10を1つ有する場合を示す。 In FIG. 1, the rotation axis of the rotation frame 13 in the non-tilt state or the longitudinal direction of the top plate 33 of the sleeper device 30 is the Z-axis direction. Further, the axial direction orthogonal to the Z-axis direction and horizontal to the floor surface is defined as the X-axis direction. Further, the axial direction orthogonal to the Z-axis direction and the X-axis direction and perpendicular to the floor surface is defined as the Y-axis direction. Note that FIG. 1 is a drawing of the gantry device 10 from a plurality of directions for the sake of explanation, and shows a case where the X-ray CT device 1 has one gantry device 10.

架台装置10は、X線管11と、X線検出器12と、回転フレーム13と、X線高電圧装置14と、制御装置15と、ウェッジ16と、コリメータ17と、DAS18とを有する。架台装置10は、収集部の一例である。 The gantry device 10 includes an X-ray tube 11, an X-ray detector 12, a rotating frame 13, an X-ray high voltage device 14, a control device 15, a wedge 16, a collimator 17, and a DAS 18. The gantry device 10 is an example of a collecting unit.

X線管11は、熱電子を発生する陰極(フィラメント)と、熱電子の衝突を受けてX線を発生する陽極(ターゲット)とを有する真空管である。X線管11は、X線高電圧装置14からの高電圧の印加により、陰極から陽極に向けて熱電子を照射することで、被検体Pに対し照射するX線を発生する。例えば、X線管11には、回転する陽極に熱電子を照射することでX線を発生させる回転陽極型のX線管がある。なお、X線管11は、X線発生部の一例である。 The X-ray tube 11 is a vacuum tube having a cathode (filament) that generates thermoelectrons and an anode (target) that generates X-rays upon collision of thermions. The X-ray tube 11 generates X-rays to irradiate the subject P by irradiating thermions from the cathode toward the anode by applying a high voltage from the X-ray high voltage device 14. For example, the X-ray tube 11 includes a rotating anode type X-ray tube that generates X-rays by irradiating a rotating anode with thermoelectrons. The X-ray tube 11 is an example of an X-ray generating unit.

X線検出器12は、X線管11から照射されて被検体Pを通過したX線を検出し、検出したX線量に対応した信号をDAS18へと出力する。X線検出器12は、例えば、X線管11の焦点を中心とした1つの円弧に沿ってチャネル方向に複数の検出素子が配列された、複数の検出素子列を有する。X線検出器12は、例えば、チャネル方向に複数の検出素子が配列された検出素子列が列方向(スライス方向、row方向)に複数配列された構造を有する。X線は、放射線の一例である。 The X-ray detector 12 detects X-rays irradiated from the X-ray tube 11 and passed through the subject P, and outputs a signal corresponding to the detected X-ray dose to the DAS 18. The X-ray detector 12 has, for example, a plurality of detection element sequences in which a plurality of detection elements are arranged in the channel direction along one arc centered on the focal point of the X-ray tube 11. The X-ray detector 12 has, for example, a structure in which a plurality of detection element sequences in which a plurality of detection elements are arranged in the channel direction are arranged in a row direction (slice direction, row direction). X-rays are an example of radiation.

図2は、第1の実施形態に係るX線検出器12の構成の一例を示す図である。図2に示すように、X線検出器12は、例えば、シンチレータアレイ12aと、光センサアレイ12bと、グリッド(図示せず)とを有する間接変換型の検出器である。 FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector 12 according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the X-ray detector 12 is, for example, an indirect conversion type detector having a scintillator array 12a, an optical sensor array 12b, and a grid (not shown).

シンチレータアレイ12aは、複数のシンチレータ12a_1を有する。シンチレータ12a_1は入射X線量に応じた光子量の光(シンチレーション光)を出力するシンチレータ結晶を有する。すなわち、シンチレータ12a_1は、入射X線に応じて発光する。グリッドは、シンチレータアレイ12aのX線入射側の面に配置され、散乱X線を吸収するX線遮蔽板を有する。なお、グリッドはコリメータ(1次元コリメータ又は2次元コリメータ)と呼ばれる場合もある。 The scintillator array 12a has a plurality of scintillators 12a_1. The scintillator 12a_1 has a scintillator crystal that outputs a photon amount of light (scintillation light) according to the incident X dose. That is, the scintillator 12a_1 emits light in response to the incident X-rays. The grid is arranged on the surface of the scintillator array 12a on the X-ray incident side, and has an X-ray shielding plate that absorbs scattered X-rays. The grid may also be called a collimator (one-dimensional collimator or two-dimensional collimator).

図2に示すように、シンチレータ12a_1は、入射X線に応じて、短波長の光90及び長波長の光91を発する。光90は、入射X線に対して即時にシンチレータ12a_1から発せられた後、即時に減衰する(即発蛍光)。一方、光91は、アフターグローであり、入射X線に対してシンチレータ12a_1から発せられた後、ゆっくり時間をかけて徐々に減衰する。ここで、アフターグローの波長(ピーク波長)は、一般的に、即発蛍光と比して長い。本実施形態では、光91の波長(ピーク波長)は、光90の波長(ピーク波長)よりも長い。 As shown in FIG. 2, the scintillator 12a_1 emits short-wavelength light 90 and long-wavelength light 91 in response to incident X-rays. The light 90 is immediately emitted from the scintillator 12a_1 with respect to the incident X-ray, and then immediately attenuated (immediate fluorescence). On the other hand, the light 91 is an afterglow, and after being emitted from the scintillator 12a_1 with respect to the incident X-rays, it is slowly attenuated over time. Here, the afterglow wavelength (peak wavelength) is generally longer than that of immediate fluorescence. In the present embodiment, the wavelength of the light 91 (peak wavelength) is longer than the wavelength of the light 90 (peak wavelength).

光センサアレイ12bは、複数の光センサ12b_1及び複数の光センサ12b_2を有する。第1の実施形態に係る光センサ12b_1,12b_2は、例えば、フォトダイオード等により実現される。X線検出器12は、単一(1つ)のシンチレータ12a_1に対して1つの光センサ12b_1及び1つの光センサ12b_2が対応付けられて構成されている。図2に示すように、シンチレータ12a_1、光センサ12b_1及び光センサ12b_2が、矢印92が示す深さ方向に沿って、この順で配置されている。光センサ12b_1は、第1の光センサの一例である。光センサ12b_2は、第2の光センサの一例である。 The optical sensor array 12b has a plurality of optical sensors 12b_1 and a plurality of optical sensors 12b_2. The optical sensors 12b_1 and 12b_2 according to the first embodiment are realized by, for example, a photodiode or the like. The X-ray detector 12 is configured such that one optical sensor 12b_1 and one optical sensor 12b_2 are associated with a single (one) scintillator 12a_1. As shown in FIG. 2, the scintillator 12a_1, the optical sensor 12b_1, and the optical sensor 12b_2 are arranged in this order along the depth direction indicated by the arrow 92. The optical sensor 12b_1 is an example of the first optical sensor. The optical sensor 12b_2 is an example of a second optical sensor.

光センサ12b_1,12b_2は、光センサ12b_1,12b_2に対応付けられたシンチレータ12a_1からの光を、光量に応じた電気信号に変換する機能を有する。すなわち、光センサ12b_1,12b_2は、単一のシンチレータ12a_1から発せられた光を検出し、検出した光に応じた電気信号を出力する。X線検出器12は、放射線検出器の一例である。また、電気信号は、信号の一例である。 The optical sensors 12b_1 and 12b_2 have a function of converting the light from the scintillator 12a_1 associated with the optical sensors 12b_1 and 12b_2 into an electric signal according to the amount of light. That is, the optical sensors 12b_1 and 12b_2 detect the light emitted from the single scintillator 12a_1 and output an electric signal corresponding to the detected light. The X-ray detector 12 is an example of a radiation detector. The electric signal is an example of a signal.

ここで、光センサ12b_1は、光90を検出可能な波長感度特性を有する。また、光センサ12b_2は、光91を検出可能な波長感度特性を有する。すなわち、光センサ12b_1により検出可能な光の波長帯域内に、光90の波長(ピーク波長)が含まれる。また、光センサ12b_2により検出可能な光の波長帯域内に、光91の波長(ピーク波長)が含まれる。本実施形態では、光センサ12b_1を構成する材料の種類と、光センサ12b_2を構成する材料の種類とが異なるため、光センサ12b_1が有する波長感度特性と、光センサ12b_2が有する波長感度特性とが異なる。 Here, the optical sensor 12b_1 has a wavelength sensitivity characteristic capable of detecting light 90. Further, the optical sensor 12b_2 has a wavelength sensitivity characteristic capable of detecting light 91. That is, the wavelength (peak wavelength) of the light 90 is included in the wavelength band of the light that can be detected by the optical sensor 12b_1. Further, the wavelength (peak wavelength) of the light 91 is included in the wavelength band of the light that can be detected by the optical sensor 12b_2. In the present embodiment, since the type of the material constituting the optical sensor 12b_1 and the type of the material constituting the optical sensor 12b_2 are different, the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_1 and the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_2 are different. different.

したがって、光センサ12b_1は、光90を検出し、光90に応じた電気信号を出力する。また、光センサ12b_2は、光91を検出し、光91に応じた電気信号を出力する。以下の説明では、光90に応じた電気信号を、第1電気信号と称し、光91に応じた電気信号を、第2電気信号と称する場合がある。 Therefore, the optical sensor 12b_1 detects the light 90 and outputs an electric signal corresponding to the light 90. Further, the optical sensor 12b_2 detects the light 91 and outputs an electric signal corresponding to the light 91. In the following description, the electric signal corresponding to the light 90 may be referred to as a first electric signal, and the electric signal corresponding to the light 91 may be referred to as a second electric signal.

図1の説明に戻り、回転フレーム13は、X線管11とX線検出器12とを対向支持し、制御装置15によってX線管11とX線検出器12とを回転させる円環状のフレームである。例えば、回転フレーム13は、アルミニウムを材料とした鋳物である。なお、回転フレーム13は、X線管11及びX線検出器12に加えて、X線高電圧装置14やウェッジ16、コリメータ17、DAS18等を更に支持することもできる。更に、回転フレーム13は、図1において図示しない種々の構成を更に支持することもできる。以下では、架台装置10において、回転フレーム13、及び、回転フレーム13と共に回転移動する部分を、回転部とも記載する。 Returning to the description of FIG. 1, the rotating frame 13 is an annular frame in which the X-ray tube 11 and the X-ray detector 12 are opposed to each other and the X-ray tube 11 and the X-ray detector 12 are rotated by the control device 15. Is. For example, the rotating frame 13 is a casting made of aluminum. In addition to the X-ray tube 11 and the X-ray detector 12, the rotating frame 13 can further support the X-ray high voltage device 14, the wedge 16, the collimator 17, the DAS 18, and the like. Further, the rotating frame 13 can further support various configurations (not shown in FIG. 1). In the following, in the gantry device 10, the rotating frame 13 and the portion that rotates and moves together with the rotating frame 13 are also referred to as a rotating portion.

X線高電圧装置14は、変圧器(トランス)及び整流器等の電気回路を有し、X線管11に印加する高電圧を発生する高電圧発生装置と、X線管11が発生するX線に応じた出力電圧の制御を行うX線制御装置とを有する。高電圧発生装置は、変圧器方式であってもよいし、インバータ方式であってもよい。なお、X線高電圧装置14は、回転フレーム13に設けられてもよいし、図示しない固定フレームに設けられても構わない。 The X-ray high-voltage device 14 has an electric circuit such as a transformer and a rectifier, and has a high-voltage generator that generates a high voltage applied to the X-ray tube 11 and an X-ray that is generated by the X-ray tube 11. It has an X-ray control device that controls the output voltage according to the above. The high voltage generator may be a transformer type or an inverter type. The X-ray high voltage device 14 may be provided on the rotating frame 13 or on a fixed frame (not shown).

制御装置15は、CPU(Central Processing Unit)等を有する処理回路と、モータ及びアクチュエータ等の駆動機構とを有する。制御装置15は、入力インターフェース43からの入力信号を受けて、架台装置10及び寝台装置30の動作制御を行う。例えば、制御装置15は、回転フレーム13の回転や架台装置10のチルト、寝台装置30及び天板33の動作等について制御を行う。一例を挙げると、制御装置15は、架台装置10をチルトさせる制御として、入力された傾斜角度(チルト角度)情報により、X軸方向に平行な軸を中心に回転フレーム13を回転させる。なお、制御装置15は架台装置10に設けられてもよいし、コンソール装置40に設けられてもよい。 The control device 15 includes a processing circuit having a CPU (Central Processing Unit) and the like, and a drive mechanism such as a motor and an actuator. The control device 15 receives an input signal from the input interface 43 and controls the operation of the gantry device 10 and the sleeper device 30. For example, the control device 15 controls the rotation of the rotating frame 13, the tilt of the gantry device 10, the operation of the sleeper device 30 and the top plate 33, and the like. As an example, the control device 15 rotates the rotating frame 13 about an axis parallel to the X-axis direction based on the input tilt angle (tilt angle) information as a control for tilting the gantry device 10. The control device 15 may be provided in the gantry device 10 or in the console device 40.

ウェッジ16は、X線管11から照射されたX線量を調節するためのフィルタである。具体的には、ウェッジ16は、X線管11から被検体Pへ照射されるX線の分布が、予め定められた分布になるように、X線管11から照射されたX線を透過して減衰するフィルタである。例えば、ウェッジ16は、ウェッジフィルタ(wedge filter)やボウタイフィルタ(bow-tie filter)であり、所定のターゲット角度や所定の厚みとなるようにアルミニウム等を加工したフィルタである。 The wedge 16 is a filter for adjusting the X-ray dose emitted from the X-ray tube 11. Specifically, the wedge 16 transmits the X-rays radiated from the X-ray tube 11 so that the distribution of the X-rays radiated from the X-ray tube 11 to the subject P becomes a predetermined distribution. It is a filter that attenuates. For example, the wedge 16 is a wedge filter or a bow-tie filter, which is a filter obtained by processing aluminum or the like so as to have a predetermined target angle and a predetermined thickness.

コリメータ17は、ウェッジ16を透過したX線の照射範囲を絞り込むための鉛板等であり、複数の鉛板等の組み合わせによってスリットを形成する。なお、コリメータ17は、X線絞りと呼ばれる場合もある。また、図1においては、X線管11とコリメータ17との間にウェッジ16が配置される場合を示すが、X線管11とウェッジ16との間にコリメータ17が配置される場合であってもよい。この場合、ウェッジ16は、X線管11から照射され、コリメータ17により照射範囲が制限されたX線を透過して減衰させる。 The collimator 17 is a lead plate or the like for narrowing the irradiation range of X-rays transmitted through the wedge 16, and a slit is formed by a combination of a plurality of lead plates or the like. The collimator 17 may be called an X-ray diaphragm. Further, in FIG. 1, a case where the wedge 16 is arranged between the X-ray tube 11 and the collimator 17 is shown, but there is a case where the collimator 17 is arranged between the X-ray tube 11 and the wedge 16. May be good. In this case, the wedge 16 is irradiated from the X-ray tube 11, and the X-ray whose irradiation range is limited by the collimator 17 is transmitted and attenuated.

DAS18は、X線検出器12が有する各検出素子によって検出されるX線の信号を収集する。例えば、DAS18は、各検出素子から出力される電気信号に対して増幅処理を行う増幅器と、電気信号をデジタル信号に変換するA/D変換器とを有し、検出データを生成する。 The DAS 18 collects X-ray signals detected by each detection element included in the X-ray detector 12. For example, the DAS 18 has an amplifier that amplifies an electric signal output from each detection element and an A / D converter that converts the electric signal into a digital signal, and generates detection data.

以下の説明では、DAS18により、第1電気信号(光90に応じた電気信号)を基に生成された検出データを、第1検出データと称する場合がある。また、DAS18により、第2電気信号(光91に応じた電気信号)を基に生成された検出データを、第2検出データと称する場合がある。 In the following description, the detection data generated by the DAS 18 based on the first electric signal (electric signal corresponding to the light 90) may be referred to as the first detection data. Further, the detection data generated by the DAS 18 based on the second electric signal (electric signal corresponding to the light 91) may be referred to as the second detection data.

DAS18が生成したデータは、回転フレーム13に設けられた発光ダイオード(Light Emitting Diode: LED)を有する送信機から、光通信によって、架台装置10の非回転部分(例えば、固定フレーム等。図1での図示は省略している)に設けられた、フォトダイオードを有する受信機に送信され、コンソール装置40へと転送される。ここで、非回転部分とは、例えば、回転フレーム13を回転可能に支持する固定フレーム等である。なお、回転フレーム13から架台装置10の非回転部分へのデータの送信方法は、光通信に限らず、非接触型の如何なるデータ伝送方式を採用してもよいし、接触型のデータ伝送方式を採用しても構わない。 The data generated by the DAS 18 is transmitted from a transmitter having a light emitting diode (LED) provided on the rotating frame 13 by optical communication to a non-rotating portion (for example, a fixed frame or the like. FIG. 1) of the gantry device 10. The light is transmitted to a receiver having a photodiode provided in (not shown in the above) and transferred to the console device 40. Here, the non-rotating portion is, for example, a fixed frame that rotatably supports the rotating frame 13. The method of transmitting data from the rotating frame 13 to the non-rotating portion of the gantry device 10 is not limited to optical communication, and any non-contact data transmission method may be adopted, and the contact-type data transmission method may be used. You may adopt it.

寝台装置30は、スキャン対象の被検体Pを載置、移動させる装置であり、基台31と、寝台駆動装置32と、天板33と、支持フレーム34とを有する。基台31は、支持フレーム34を鉛直方向に移動可能に支持する筐体である。寝台駆動装置32は、被検体Pが載置された天板33を、天板33の長手方向に移動する駆動機構であり、モータ及びアクチュエータ等を含む。支持フレーム34の上面に設けられた天板33は、被検体Pが載置される板である。なお、寝台駆動装置32は、天板33に加え、支持フレーム34を天板33の長手方向に移動してもよい。 The sleeper device 30 is a device for placing and moving the subject P to be scanned, and has a base 31, a sleeper drive device 32, a top plate 33, and a support frame 34. The base 31 is a housing that supports the support frame 34 so as to be movable in the vertical direction. The sleeper drive device 32 is a drive mechanism that moves the top plate 33 on which the subject P is placed in the longitudinal direction of the top plate 33, and includes a motor, an actuator, and the like. The top plate 33 provided on the upper surface of the support frame 34 is a plate on which the subject P is placed. In addition to the top plate 33, the sleeper drive device 32 may move the support frame 34 in the longitudinal direction of the top plate 33.

コンソール装置40は、メモリ41と、ディスプレイ42と、入力インターフェース43と、処理回路44とを有する。なお、コンソール装置40は架台装置10とは別体として説明するが、架台装置10にコンソール装置40又はコンソール装置40の各構成要素の一部が含まれてもよい。 The console device 40 includes a memory 41, a display 42, an input interface 43, and a processing circuit 44. Although the console device 40 will be described as a separate body from the gantry device 10, the gantry device 10 may include a part of each component of the console device 40 or the console device 40.

メモリ41は、例えば、RAM(Random Access Memory)、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等により実現される。メモリ41は、例えば、投影データや再構成画像データを記憶する。また、例えば、メモリ41は、X線CT装置1に含まれる回路がその機能を実現するためのプログラムを記憶する。なお、メモリ41は、X線CT装置1とネットワークを介して接続されたサーバ群(クラウド)により実現されることとしてもよい。メモリ41は、記憶部の一例である。 The memory 41 is realized by, for example, a RAM (Random Access Memory), a semiconductor memory element such as a flash memory, a hard disk, an optical disk, or the like. The memory 41 stores, for example, projection data and reconstructed image data. Further, for example, the memory 41 stores a program for the circuit included in the X-ray CT apparatus 1 to realize its function. The memory 41 may be realized by a server group (cloud) connected to the X-ray CT apparatus 1 via a network. The memory 41 is an example of a storage unit.

ディスプレイ42は、各種の情報を表示する。例えば、ディスプレイ42は、処理回路44によって生成された画像データが示す画像を表示したり、医師や診療放射線技師等の操作者からの各種操作を受け付けるためのGUI(Graphical User Interface)等を表示したりする。例えば、ディスプレイ42は、液晶ディスプレイやCRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイである。ディスプレイ42は、デスクトップ型でもよいし、コンソール装置40本体と無線通信可能なタブレット端末等で構成されることにしても構わない。 The display 42 displays various information. For example, the display 42 displays an image indicated by image data generated by the processing circuit 44, or displays a GUI (Graphical User Interface) for receiving various operations from an operator such as a doctor or a radiological technologist. Or something. For example, the display 42 is a liquid crystal display or a CRT (Cathode Ray Tube) display. The display 42 may be a desktop type, or may be composed of a tablet terminal or the like capable of wireless communication with the console device 40 main body.

入力インターフェース43は、操作者からの各種の入力操作を受け付け、受け付けた入力操作を電気信号に変換して処理回路44に出力する。例えば、入力インターフェース43は、スキャン条件を操作者から受け付ける。例えば、スキャン条件には、本スキャンにおける管電圧値や管電流値、回転部の回転速度に関する設定値、FOV(Field Of View)、撮影スライス厚、撮影範囲、撮影対象部位等が含まれる。 The input interface 43 receives various input operations from the operator, converts the received input operations into electric signals, and outputs the received input operations to the processing circuit 44. For example, the input interface 43 receives scan conditions from the operator. For example, the scan conditions include a tube voltage value and a tube current value in the main scan, a set value related to the rotation speed of the rotating portion, a FOV (Field Of View), a imaging slice thickness, an imaging range, an imaging target portion, and the like.

例えば、入力インターフェース43は、マウスやキーボード、トラックボール、スイッチ、ボタン、ジョイスティック、操作面へ触れることで入力操作を行うタッチパッド、表示画面とタッチパッドとが一体化されたタッチスクリーン、光学センサを用いた非接触入力回路、音声入力回路等により実現される。なお、入力インターフェース43は、架台装置10に設けられてもよい。また、入力インターフェース43は、コンソール装置40本体と無線通信可能なタブレット端末等で構成されることにしても構わない。また、入力インターフェース43は、マウスやキーボード等の物理的な操作部品を備えるものだけに限られない。例えば、コンソール装置40とは別体に設けられた外部の入力機器から入力操作に対応する電気信号を受け取り、この電気信号を処理回路44へ出力する電気信号の処理回路も入力インターフェース43の例に含まれる。入力インターフェース43は、受付部の一例である。 For example, the input interface 43 includes a mouse, a keyboard, a trackball, a switch, a button, a joystick, a touch pad for performing input operations by touching an operation surface, a touch screen in which a display screen and a touch pad are integrated, and an optical sensor. It is realized by the non-contact input circuit, voice input circuit, etc. used. The input interface 43 may be provided in the gantry device 10. Further, the input interface 43 may be composed of a tablet terminal or the like capable of wireless communication with the console device 40 main body. Further, the input interface 43 is not limited to one provided with physical operating parts such as a mouse and a keyboard. For example, an electric signal processing circuit that receives an electric signal corresponding to an input operation from an external input device provided separately from the console device 40 and outputs the electric signal to the processing circuit 44 is also an example of the input interface 43. included. The input interface 43 is an example of the reception unit.

処理回路44は、X線CT装置1全体の動作を制御する。なお、処理回路44は、コンソール装置40に含まれる場合に限られない。例えば、処理回路44は、複数のX線CT装置にて取得された検出データに対する処理を一括して行なう統合サーバに含まれてもよい。例えば、X線CT装置1とネットワークで接続された統合サーバが処理回路44を有してもよい。この場合、X線CT装置1は、収集した検出データを統合サーバへ送信する。そして、統合サーバは、検出データを受信する。そして、統合サーバの処理回路44は、受信した検出データに対して、以下で説明する各種の処理を実行する。 The processing circuit 44 controls the operation of the entire X-ray CT apparatus 1. The processing circuit 44 is not limited to the case where it is included in the console device 40. For example, the processing circuit 44 may be included in an integrated server that collectively performs processing on detection data acquired by a plurality of X-ray CT devices. For example, an integrated server connected to the X-ray CT apparatus 1 via a network may have a processing circuit 44. In this case, the X-ray CT apparatus 1 transmits the collected detection data to the integrated server. Then, the integrated server receives the detection data. Then, the processing circuit 44 of the integrated server executes various processes described below with respect to the received detection data.

例えば、処理回路44は、システム制御機能441、前処理機能442、処理実行機能443、再構成処理機能444、画像処理機能445及び出力機能446を実行する。例えば、処理回路44は、メモリ41からシステム制御機能441に相当するプログラム(制御プログラム)を読み出して実行することにより、入力インターフェース43を介して操作者から受け付けた入力操作に基づいて、処理回路44の各種機能を制御する。 For example, the processing circuit 44 executes the system control function 441, the preprocessing function 442, the processing execution function 443, the reconstruction processing function 444, the image processing function 445, and the output function 446. For example, the processing circuit 44 reads a program (control program) corresponding to the system control function 441 from the memory 41 and executes it, and based on the input operation received from the operator via the input interface 43, the processing circuit 44 Control various functions of.

システム制御機能441は、X線CT装置1を制御して、位置決め撮影を実行する。例えば、システム制御機能441は、X線管11の位置を所定の回転角度に固定し、天板33をZ方向に移動させながらX線管11からのX線を被検体Pに照射することで、位置決め撮影を実行する。また、処理回路44は、メモリ41から再構成処理機能444に相当するプログラムを読み出して実行することにより、位置決め撮影により収集されたX線の信号に基づいて、位置決め画像データを生成する。なお、位置決め画像データは、スキャノ画像データやスカウト画像データと呼ばれる場合もある。 The system control function 441 controls the X-ray CT apparatus 1 to perform positioning imaging. For example, the system control function 441 fixes the position of the X-ray tube 11 at a predetermined rotation angle, and irradiates the subject P with X-rays from the X-ray tube 11 while moving the top plate 33 in the Z direction. , Perform positioning shooting. Further, the processing circuit 44 reads a program corresponding to the reconstruction processing function 444 from the memory 41 and executes it to generate positioning image data based on the X-ray signal collected by the positioning imaging. The positioning image data may be referred to as a scanno image data or a scout image data.

そして、システム制御機能441は、位置決め画像データが示す位置決め画像をディスプレイ42に表示させる。そして、システム制御機能441は、位置決め画像を確認した操作者から、入力インターフェース43を介して入力されたスキャン条件を取得する。そして、システム制御機能441は、取得したスキャン条件をメモリ41に格納する。なお、システム制御機能441は、位置決め画像データに基づいて、自動的に、本スキャンのスキャン条件を設定してもよい。 Then, the system control function 441 causes the display 42 to display the positioning image indicated by the positioning image data. Then, the system control function 441 acquires the scan conditions input via the input interface 43 from the operator who confirmed the positioning image. Then, the system control function 441 stores the acquired scan conditions in the memory 41. The system control function 441 may automatically set the scan conditions for this scan based on the positioning image data.

そして、システム制御機能441は、スキャン条件に基づいて、X線CT装置1を制御して、以下に説明する、投影データを収集する本スキャンを実行する。例えば、システム制御機能441は、寝台駆動装置32を制御することにより、被検体Pを架台装置10の撮影口内へ移動させる。また、システム制御機能441は、コリメータ17の開口度及び位置を調整する。また、システム制御機能441は、制御装置15を制御することにより回転部を回転させる。また、システム制御機能441は、X線高電圧装置14を制御することにより、X線管11へ高電圧を供給させる。これにより、X線管11は、被検体Pに対して照射するX線を発生する。 Then, the system control function 441 controls the X-ray CT apparatus 1 based on the scan conditions, and executes the main scan for collecting projection data, which will be described below. For example, the system control function 441 moves the subject P into the photographing port of the gantry device 10 by controlling the sleeper drive device 32. Further, the system control function 441 adjusts the opening degree and the position of the collimator 17. Further, the system control function 441 rotates the rotating portion by controlling the control device 15. Further, the system control function 441 controls the X-ray high voltage device 14 to supply a high voltage to the X-ray tube 11. As a result, the X-ray tube 11 generates X-rays to irradiate the subject P.

システム制御機能441によって本スキャンが実行される間、DAS18は、複数の検出素子によって検出される複数のX線の信号を収集し、検出データを生成する。また、処理回路44は、メモリ41から前処理機能442に相当するプログラムを読み出して実行することにより、DAS18から出力された検出データに対して前処理を施す。例えば、前処理機能442は、DAS18から出力された検出データに対して、対数変換処理やオフセット補正処理、チャネル間の感度補正処理、ビームハードニング補正等の前処理を施す。なお、前処理を施した後のデータは、生データとも称される。また、前処理を施す前の検出データ及び前処理を施した後の生データは、総称して、投影データとも称される。 While the scan is performed by the system control function 441, the DAS 18 collects a plurality of X-ray signals detected by the plurality of detection elements and generates detection data. Further, the processing circuit 44 reads the program corresponding to the preprocessing function 442 from the memory 41 and executes it to perform preprocessing on the detection data output from the DAS 18. For example, the preprocessing function 442 performs preprocessing such as logarithmic conversion processing, offset correction processing, sensitivity correction processing between channels, and beam hardening correction on the detection data output from DAS18. The data after the preprocessing is also referred to as raw data. Further, the detection data before the preprocessing and the raw data after the preprocessing are collectively also referred to as projection data.

以下の説明では、前処理機能442により前処理が施された第1検出データを、第1生データと称する場合がある。また、前処理機能442により前処理が施された第2検出データを、第2生データと称する場合がある。 In the following description, the first detection data preprocessed by the preprocessing function 442 may be referred to as first raw data. Further, the second detection data preprocessed by the preprocessing function 442 may be referred to as second raw data.

また、処理回路44は、メモリ41から処理実行機能443に相当するプログラムを読み出して実行することにより、スキャン条件に基づいて、X線検出器12からの出力、すなわち、前処理が施された生データに対してアフターグローの影響を低減する処理(第1処理)を実行する。処理実行機能443は、処理部の一例である。処理実行機能443の詳細については後述する。 Further, the processing circuit 44 reads a program corresponding to the processing execution function 443 from the memory 41 and executes it, so that the output from the X-ray detector 12, that is, the preprocessed raw data is performed based on the scan conditions. A process (first process) for reducing the influence of afterglow on the data is executed. The processing execution function 443 is an example of a processing unit. Details of the process execution function 443 will be described later.

また、処理回路44は、メモリ41から再構成処理機能444に相当するプログラムを読み出して実行することにより、第1処理後の生データに基づいてCT画像データを再構成する。具体的には、再構成処理機能444は、第1処理後の生データに対して、フィルタ補正逆投影法や逐次近似再構成法等を用いた再構成処理を行ってCT画像データを再構成する。再構成処理機能444は、再構成処理部の一例である。CT画像データは、放射線画像データの一例である。また、CT画像は、放射線画像の一例である。 Further, the processing circuit 44 reconstructs the CT image data based on the raw data after the first processing by reading the program corresponding to the reconstruction processing function 444 from the memory 41 and executing the program. Specifically, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data by performing reconstruction processing using a filter correction back projection method, a successive approximation reconstruction method, or the like on the raw data after the first processing. To do. The reconstruction processing function 444 is an example of the reconstruction processing unit. The CT image data is an example of radiographic image data. The CT image is an example of a radiographic image.

また、処理回路44は、メモリ41から画像処理機能445に相当するプログラムを読み出して実行することにより、CT画像データに対して各種の画像処理を施す。例えば、画像処理機能445は、入力インターフェース43を介して操作者から受け付けた入力操作等に基づいて、再構成されたCT画像データを、公知の方法により任意断面の断層像データや3次元画像データに変換する。また、画像処理機能445は、変換した断層像データや3次元画像データをメモリ41に記憶させる。 Further, the processing circuit 44 performs various image processing on the CT image data by reading a program corresponding to the image processing function 445 from the memory 41 and executing the program. For example, the image processing function 445 uses a known method to convert CT image data reconstructed based on an input operation received from an operator via the input interface 43 into tomographic image data or three-dimensional image data of an arbitrary cross section. Convert to. Further, the image processing function 445 stores the converted tomographic image data and the three-dimensional image data in the memory 41.

また、処理回路44は、メモリ41から出力機能446に相当するプログラムを読み出して実行することにより、断層像データや3次元画像データ、CT画像データ等を出力する。例えば、出力機能446は、断層像データが示す断層像やCT画像データが示すCT画像等の各種の画像をディスプレイ42に表示させる。出力機能446は、表示制御部の一例である。また、例えば、出力機能446は、断層像データや3次元画像データ、CT画像データを、X線CT装置1とネットワークを介して接続された外部装置(例えば、画像データを保管するサーバ装置等)に出力する。 Further, the processing circuit 44 outputs tomographic image data, three-dimensional image data, CT image data, and the like by reading a program corresponding to the output function 446 from the memory 41 and executing the program. For example, the output function 446 displays various images such as a tomographic image indicated by the tomographic image data and a CT image indicated by the CT image data on the display 42. The output function 446 is an example of a display control unit. Further, for example, the output function 446 is an external device (for example, a server device for storing image data) in which tomographic image data, three-dimensional image data, and CT image data are connected to the X-ray CT device 1 via a network. Output to.

図1に示すX線CT装置1においては、各処理機能がコンピュータによって実行可能なプログラムの形態でメモリ41に記憶されている。処理回路44は、メモリ41から各プログラムを読み出して実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読み出した状態の処理回路44は、読み出したプログラムに対応する機能を有することとなる。なお、図1においては、システム制御機能441、前処理機能442、処理実行機能443、再構成処理機能444、画像処理機能445及び出力機能446の各処理機能が単一の処理回路44によって実現される場合を示したが、実施形態はこれに限られるものではない。例えば、処理回路44は、複数の独立したプロセッサを組み合わせて構成され、各プロセッサが各プログラムを実行することにより各処理機能を実現するものとしても構わない。また、処理回路44が有する各処理機能は、単一又は複数の処理回路に適宜に分散又は統合されて実現されてもよい。 In the X-ray CT apparatus 1 shown in FIG. 1, each processing function is stored in the memory 41 in the form of a program that can be executed by a computer. The processing circuit 44 is a processor that realizes a function corresponding to each program by reading each program from the memory 41 and executing the program. In other words, the processing circuit 44 in the state where each program is read has a function corresponding to the read program. In FIG. 1, each processing function of the system control function 441, the preprocessing function 442, the processing execution function 443, the reconstruction processing function 444, the image processing function 445, and the output function 446 is realized by a single processing circuit 44. However, the embodiment is not limited to this. For example, the processing circuit 44 may be configured by combining a plurality of independent processors, and each processor may execute each program to realize each processing function. Further, each processing function of the processing circuit 44 may be appropriately distributed or integrated into a single or a plurality of processing circuits.

上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、CPU、GPU(Graphics Processing Unit)、特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit:ASIC)、若しくは、プログラマブル論理デバイス(例えば、単純プログラマブル論理デバイス(Simple Programmable Logic Device:SPLD)、複合プログラマブル論理デバイス(Complex Programmable Logic Device:CPLD)、又は、フィールドプログラマブルゲートアレイ(Field Programmable Gate Array:FPGA))等の回路を意味する。プロセッサはメモリ41に保存されたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。 The word "processor" used in the above description means, for example, a CPU, a GPU (Graphics Processing Unit), an application specific integrated circuit (ASIC), or a programmable logic device (for example, a simple programmable logic device (for example, a simple programmable logic device). It means a circuit such as a Simple Programmable Logic Device (SPLD), a Complex Programmable Logic Device (CPLD), or a Field Programmable Gate Array (FPGA). The processor realizes the function by reading and executing the program stored in the memory 41.

なお、図1においては、単一のメモリ41が各処理機能に対応するプログラムを記憶するものとして説明した。しかしながら、複数のメモリ41を分散して配置し、処理回路44は、個別のメモリ41から対応するプログラムを読み出す構成としても構わない。また、メモリ41にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。 In addition, in FIG. 1, it has been described that a single memory 41 stores a program corresponding to each processing function. However, a plurality of memories 41 may be distributed and arranged, and the processing circuit 44 may be configured to read a corresponding program from the individual memories 41. Further, instead of storing the program in the memory 41, the program may be directly incorporated in the circuit of the processor. In this case, the processor realizes the function by reading and executing the program embedded in the circuit.

また、処理回路44は、ネットワークを介して接続された外部装置のプロセッサを利用して、各種の機能を実現することとしてもよい。例えば、処理回路44は、メモリ41から各機能に対応するプログラムを読み出して実行するとともに、X線CT装置1とネットワークを介して接続された外部のワークステーションや、サーバ群(クラウド)を計算資源として利用することにより、図1に示す各機能を実現してもよい。 Further, the processing circuit 44 may realize various functions by using a processor of an external device connected via a network. For example, the processing circuit 44 reads a program corresponding to each function from the memory 41 and executes it, and also calculates an external workstation or a server group (cloud) connected to the X-ray CT apparatus 1 via a network. Each function shown in FIG. 1 may be realized by using the above.

以上、X線CT装置1の構成の一例について説明した。かかる構成の下、X線CT装置1は、適切にアフターグローの影響を低減させることができるように、以下に説明する各種の処理を実行する。 The example of the configuration of the X-ray CT apparatus 1 has been described above. Under such a configuration, the X-ray CT apparatus 1 executes various processes described below so that the influence of afterglow can be appropriately reduced.

図3は、第1の実施形態に係るX線CT装置1が実行する第1処理の一例の流れを示すフローチャートである。図3の例に示すように、処理実行機能443は、スキャン条件が記憶されたメモリ41から、スキャン条件を取得する(ステップS101)。 FIG. 3 is a flowchart showing a flow of an example of the first process executed by the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment. As shown in the example of FIG. 3, the process execution function 443 acquires the scan condition from the memory 41 in which the scan condition is stored (step S101).

そして、処理実行機能443は、スキャン条件から、アフターグローの影響を抑制するのか、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図るのかを、判定する(ステップS102)。 Then, the process execution function 443 determines from the scan conditions whether to suppress the influence of the afterglow or to improve the S / N while allowing the influence of the afterglow (step S102).

例えば、スキャン条件に含まれる撮影対象が心臓等の動きが比較的速い部位である場合には、アフターグローを起因とする時間分解能の悪化やアーチファクトの発生が考えられる。また、スキャン条件が示す照射X線のエネルギーが刻々と変化する場合(例えば、デュアルエナジー収集の場合)にも、アフターグローを起因とする時間分解能の悪化やアーチファクトの発生が考えられる。 For example, when the imaging target included in the scanning conditions is a region such as the heart where the movement is relatively fast, deterioration of time resolution and occurrence of artifacts due to afterglow may be considered. Further, even when the energy of the irradiated X-ray indicated by the scanning condition changes from moment to moment (for example, in the case of dual energy collection), deterioration of time resolution and occurrence of artifacts due to afterglow are considered.

そこで、これらの場合、すなわち、アフターグローの影響を抑制する場合(ステップS102:アフターグローの影響を抑制)には、処理実行機能443は、ステップS103に進む。ステップS103では、処理実行機能443は、以下の式(1)にしたがって、第1生データに、第2の生データが所定の重み付けの係数αにより重み付けされることにより得られた生データを加算することにより、第3生データを生成する。 Therefore, in these cases, that is, when suppressing the influence of afterglow (step S102: suppressing the influence of afterglow), the process execution function 443 proceeds to step S103. In step S103, the processing execution function 443 adds the raw data obtained by weighting the second raw data with a predetermined weighting coefficient α to the first raw data according to the following equation (1). By doing so, the third raw data is generated.

D3=D1+(α×D2) (1) D3 = D1 + (α × D2) (1)

ただし、「+」は、加算を示す記号であり、「×」は、乗算を示す記号である。また、「D1」は、第1生データを示し、「D2」は、第2生データを示し、「D3」は、第3生データを示す。また、係数αは、0以上1未満の値である。係数αの値が、0に近づくほど、第3生データから再構成されるCT画像データにおけるアフターグローの影響が小さくなる。一方、係数αの値が、1に近づくほど、第3生データから再構成されるCT画像データにおけるアフターグローの影響が大きくなる。係数αの値は、例えば、操作者により設定される。 However, "+" is a symbol indicating addition, and "x" is a symbol indicating multiplication. Further, "D1" indicates the first raw data, "D2" indicates the second raw data, and "D3" indicates the third raw data. The coefficient α is a value of 0 or more and less than 1. The closer the value of the coefficient α is to 0, the smaller the influence of afterglow on the CT image data reconstructed from the third raw data. On the other hand, the closer the value of the coefficient α is to 1, the greater the influence of afterglow on the CT image data reconstructed from the third raw data. The value of the coefficient α is set by the operator, for example.

式(1)において、「α×D2」は、所定の係数αで重み付けされた第2生データを示す。ステップS103で生成された第3生データは、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルのデータである。 In the formula (1), “α × D2” represents the second raw data weighted by a predetermined coefficient α. The third raw data generated in step S103 is 1-channel data used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444.

このように、処理実行機能443は、スキャン条件に基づいて、光センサ12b_2の寄与を光センサ12b_1と比して低減させる。具体的には、処理実行機能443は、光センサ12b_1から出力される第1電気信号に基づく第1生データに対する光センサ12b_2から出力される第2電気信号に基づく第2生データの割合が、比較的低くなるように、第3生データを生成する。そして、処理実行機能443は、第3生データが、CT画像データを再構成する際に用いられるように制御する。そして、第1処理が終了される。この場合、再構成処理機能444は、第3生データを用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データの時間分解能の悪化、及び、アーチファクトの発生を抑制することができる。 As described above, the processing execution function 443 reduces the contribution of the optical sensor 12b_2 as compared with the optical sensor 12b_1 based on the scanning conditions. Specifically, in the processing execution function 443, the ratio of the second raw data based on the second electric signal output from the optical sensor 12b_2 to the first raw data based on the first electric signal output from the optical sensor 12b_1 is set. Generate the third raw data so that it is relatively low. Then, the processing execution function 443 controls so that the third raw data is used when reconstructing the CT image data. Then, the first process is completed. In this case, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using the third raw data. Therefore, deterioration of the time resolution of the reconstructed CT image data and occurrence of artifacts can be suppressed.

ここで、アフターグローの測定値をモデルとして用いて、ソフトウェアによって補正をかける従来手法がある。このような従来手法に対して、第1の実施形態に係るX線CT装置1は、物理的にアフターグローの影響が抑制された第3生データを用いて、CT画像データを再構成する。したがって、第1の実施形態に係るX線CT装置1によれば、従来手法よりも確実に、アフターグローの影響を低減することができる。また、第1の実施形態に係るX線CT装置1によれば、従来手法における計算機による補正を行う際の処理負荷よりも、少ない処理負荷で、アフターグローの影響を低減することができる。 Here, there is a conventional method in which the measured value of afterglow is used as a model and correction is performed by software. In contrast to such a conventional method, the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment reconstructs CT image data using third raw data in which the influence of afterglow is physically suppressed. Therefore, according to the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment, the influence of afterglow can be surely reduced as compared with the conventional method. Further, according to the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment, the influence of afterglow can be reduced with a smaller processing load than the processing load when performing correction by a computer in the conventional method.

一方、スキャン条件に含まれる撮影対象が骨等の動きが比較的小さい部位である場合には、アフターグローの影響を許容してでも、S/Nを良好にすることが考えられる。また、スキャン条件に含まれる撮像対象が、体幹部等のノイズの影響を比較的受けやすい部位である場合にも、アフターグローの影響を許容してでも、S/Nを良好にすることが考えられる。そこで、これらの場合、すなわち、S/Nの向上を図る場合(ステップS102:S/Nの向上)には、処理実行機能443は、ステップS104に進む。 On the other hand, when the imaging target included in the scanning conditions is a portion such as a bone where the movement is relatively small, it is conceivable to improve the S / N even if the influence of afterglow is allowed. In addition, even if the imaging target included in the scanning conditions is a part that is relatively susceptible to noise such as the trunk, it is possible to improve the S / N even if the effect of afterglow is allowed. Be done. Therefore, in these cases, that is, when the S / N is to be improved (step S102: improvement of the S / N), the process execution function 443 proceeds to step S104.

ステップS104では、処理実行機能443は、以下の式(2)にしたがって、第1生データに、第2生データを加算することにより、第4生データを生成する。 In step S104, the processing execution function 443 generates the fourth raw data by adding the second raw data to the first raw data according to the following equation (2).

D4=D1+D2 (2) D4 = D1 + D2 (2)

ただし、「D4」は、第4生データを示す。 However, "D4" indicates the fourth raw data.

第4生データは、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルのデータである。そして、第1処理が終了される。この場合、再構成処理機能444は、第4生データを用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データのS/Nの改善を図ることができる。 The fourth raw data is 1-channel data used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444. Then, the first process is completed. In this case, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using the fourth raw data. Therefore, it is possible to improve the S / N of the reconstructed CT image data.

以上、第1の実施形態に係るX線CT装置1について説明した。第1の実施形態に係るX線CT装置1によれば、適切にアフターグローの影響を低減させることができる。また、第1の実施形態に係るX線CT装置1によれば、従来では、アフターグローによる影響が強いため使用することが困難であった、高発光かつ低価格のシンチレータを、シンチレータ12a_1として使用することができる。また、第1の実施形態に係るX線CT装置1によれば、互いにトレードオフの関係にある時間分解能及びS/Nを適切に調整することができる。 The X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment has been described above. According to the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment, the influence of afterglow can be appropriately reduced. Further, according to the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment, a scintillator with high light emission and low cost, which has been difficult to use due to the strong influence of afterglow, is used as the scintillator 12a_1. can do. Further, according to the X-ray CT apparatus 1 according to the first embodiment, the time resolution and the S / N which are in a trade-off relationship with each other can be appropriately adjusted.

(第1の実施形態の変形例1)
なお、第1の実施形態では、光センサ12b_1及び光センサ12b_2が、矢印92が示す深さ方向に並んで配置される場合について説明した。しかしながら、光センサ12b_1及び光センサ12b_2の配置は、これに限られない。そこで、光センサ12b_1及び光センサ12b_2の配置の他の例を、第1の実施形態の変形例1として説明する。
(Modification 1 of the first embodiment)
In the first embodiment, the case where the optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2 are arranged side by side in the depth direction indicated by the arrow 92 has been described. However, the arrangement of the optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2 is not limited to this. Therefore, another example of the arrangement of the optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2 will be described as a modification 1 of the first embodiment.

以下、第1の実施形態の変形例1の説明では、第1の実施形態と異なる点を主に説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については、省略する場合がある。図4は、第1の実施形態の変形例1に係るX線検出器12の構成の一例を示す図である。 Hereinafter, in the description of the modified example 1 of the first embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted. FIG. 4 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector 12 according to the first modification of the first embodiment.

図4に示すように、矢印92が示す深さ方向ではなく、シンチレータ12a_1の一面に沿って、光センサ12b_1及び光センサ12b_2が並ぶように配置されている。このため、第1の実施形態の変形例1によれば、第1の実施形態と比較して、光センサアレイ12bの深さ方向の寸法の増大を抑制することができる。すなわち、第1の実施形態の変形例1によれば、光センサアレイ12bのサイズの増大を抑制することができる。 As shown in FIG. 4, the optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2 are arranged so as to line up along one surface of the scintillator 12a_1, not in the depth direction indicated by the arrow 92. Therefore, according to the first modification of the first embodiment, it is possible to suppress an increase in the dimension of the optical sensor array 12b in the depth direction as compared with the first embodiment. That is, according to the first modification, the increase in the size of the optical sensor array 12b can be suppressed.

以上、第1の実施形態の変形例1について説明した。第1の実施形態の変形例1によれば、図4に示すように光センサ12b_1,12b_2を配置した場合であっても、第1の実施形態と同様に、適切にアフターグローの影響を低減させることができる。また、第1の実施形態の変形例1によれば、光センサアレイ12bのサイズの増大を抑制することができる。 The modification 1 of the first embodiment has been described above. According to the first modification, even when the optical sensors 12b_1 and 12b_2 are arranged as shown in FIG. 4, the influence of the afterglow is appropriately reduced as in the first embodiment. Can be made to. Further, according to the first modification of the first embodiment, it is possible to suppress an increase in the size of the optical sensor array 12b.

(第1の実施形態の変形例2)
第1の実施形態では、光センサ12b_1を構成する材料の種類と、光センサ12b_2を構成する材料の種類とが異なるため、光センサ12b_1が有する波長感度特性と、光センサ12b_2が有する波長感度特性とが異なる場合について説明した。しかしながら、光センサ12b_1を構成する材料の種類と、光センサ12b_2を構成する材料の種類とが同一であってもよい。そして、光センサ12b_1の有感体積と、光センサ12b_2の有感体積とが異なることにより、光センサ12b_1が有する波長感度特性と、光センサ12b_2が有する波長感度特性とを異ならせてもよい。そこで、このような変形例を、第1の実施形態の変形例2として説明する。
(Modification 2 of the first embodiment)
In the first embodiment, since the type of the material constituting the optical sensor 12b_1 and the type of the material constituting the optical sensor 12b_2 are different, the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_1 and the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_2 are different. The case where is different from is explained. However, the type of material constituting the optical sensor 12b_1 and the type of material constituting the optical sensor 12b_2 may be the same. Then, the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_1 may be different from the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_2 because the sensation volume of the optical sensor 12b_1 and the sensation volume of the optical sensor 12b_2 are different. Therefore, such a modification will be described as a modification 2 of the first embodiment.

以下、第1の実施形態の変形例2の説明では、第1の実施形態と異なる点を主に説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については、省略する場合がある。第1の実施形態の変形例2では、光センサ12b_1を構成する材料の種類と、光センサ12b_2を構成する材料の種類とが同一である。ただし、後述するように、光センサ12b_1の有感体積と、光センサ12b_2の有感体積とが異なる。 Hereinafter, in the description of the modified example 2 of the first embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted. In the second modification of the first embodiment, the type of the material constituting the optical sensor 12b_1 and the type of the material constituting the optical sensor 12b_2 are the same. However, as will be described later, the sensation volume of the optical sensor 12b_1 and the sensation volume of the optical sensor 12b_2 are different.

図5Aは、第1の実施形態の変形例2に係る光センサ12b_2の有感体積の一例を示す図である。図5Bは、第1の実施形態の変形例2に係る光センサ12b_1の有感体積の一例を示す図である。ここでは、有感体積を、模式的に、直方体で表す。 FIG. 5A is a diagram showing an example of the sensational volume of the optical sensor 12b_2 according to the second modification of the first embodiment. FIG. 5B is a diagram showing an example of the felt volume of the optical sensor 12b_1 according to the second modification of the first embodiment. Here, the felt volume is schematically represented by a rectangular parallelepiped.

図5A及び図5Bに示すように、光センサ12b_2の有感体積及び光センサ12b_1の有感体積において、長さL1の辺及び長さL2の辺が共通する。長さL1の辺と、長さL2の辺とで規定される2つの面のうち1つの面Fが、シンチレータ12a_1の一面と対向する。そして、図5Aに示す矢印92により示される深さ方向に延びる長さL3の辺は、図5Bに示す深さ方向に延びる長さL4の辺よりも長い。これは、光センサ12b_1,12b_1に入射されるシンチレーション光の波長が長くなるほど、深さ方向におけるキャリアの発生位置が、より深くなるからである。したがって、光センサ12b_2の有感体積の方が、光センサ12b_1の有感体積よりも大きい。 As shown in FIGS. 5A and 5B, the side of the length L1 and the side of the length L2 are common in the sensation volume of the optical sensor 12b_2 and the sensation volume of the optical sensor 12b_1. One surface F of the two surfaces defined by the side of length L1 and the side of length L2 faces one surface of the scintillator 12a_1. The side of the length L3 extending in the depth direction indicated by the arrow 92 shown in FIG. 5A is longer than the side of the length L4 extending in the depth direction shown in FIG. 5B. This is because the longer the wavelength of the scintillation light incident on the optical sensors 12b_1 and 12b_1, the deeper the carrier generation position in the depth direction. Therefore, the sensational volume of the optical sensor 12b_2 is larger than the sensational volume of the optical sensor 12b_1.

このような構成により、光センサ12b_1は、光90を検出可能な波長感度特性を有し、光センサ12b_2は、光90及び光91を検出可能な波長感度特性を有する。そして、変形例2では、X線CT装置1は、光センサ12b_1から出力される電気信号を第1電気信号とし、光センサ12b_2から出力される電気信号を第2電気信号として、第1の実施形態と同様の処理を行う。 With such a configuration, the optical sensor 12b_1 has a wavelength sensitivity characteristic capable of detecting light 90, and the optical sensor 12b_1 has a wavelength sensitivity characteristic capable of detecting light 90 and light 91. Then, in the second modification, the X-ray CT apparatus 1 uses the electric signal output from the optical sensor 12b_1 as the first electric signal and the electric signal output from the optical sensor 12b_1 as the second electric signal in the first embodiment. Perform the same processing as the form.

以上、第1の実施形態の変形例2について説明した。第1の実施形態の変形例2によれば、光センサ12b_1を構成する材料の種類と、光センサ12b_2を構成する材料の種類とが同一であっても、光センサ12b_1が有する波長感度特性と、光センサ12b_2が有する波長感度特性とを異ならせることができる。また、第1の実施形態の変形例2によれば、第1の実施形態と同様の効果を奏する。 The modified example 2 of the first embodiment has been described above. According to the second modification of the first embodiment, even if the type of the material constituting the optical sensor 12b_1 and the type of the material constituting the optical sensor 12b_2 are the same, the wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_1 , The wavelength sensitivity characteristic of the optical sensor 12b_2 can be made different. Further, according to the second modification of the first embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained.

(第1の実施形態の変形例3)
次に、第1の実施形態の変形例3に係るX線CT装置1について説明する。第1の実施形態の変形例3では、X線CT装置1が、X線のエネルギーを推定する。
(Modification 3 of the first embodiment)
Next, the X-ray CT apparatus 1 according to the third modification of the first embodiment will be described. In the third modification of the first embodiment, the X-ray CT apparatus 1 estimates the X-ray energy.

以下、第1の実施形態の変形例3の説明では、第1の実施形態と異なる点を主に説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については、省略する場合がある。図6は、第1の実施形態の変形例3に係るX線CT装置1が実行する処理の一例を説明するための図である。 Hereinafter, in the description of the modified example 3 of the first embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted. FIG. 6 is a diagram for explaining an example of processing executed by the X-ray CT apparatus 1 according to the third modification of the first embodiment.

第1の実施形態の変形例3に係る処理実行機能443は、図6に示すように、光センサ12b_1から出力される電気信号に基づくデータ(例えば、第1生データ)61と、光センサ12b_2から出力される電気信号に基づくデータ(例えば、第2生データ)62との差D又は比を算出する。ここで、算出された差D又は比は、シンチレータ12a_1の深さ方向における光が発生した位置に対応する。例えば、シンチレータ12a_1内部をシンチレーション光が伝播する際に、シンチレータ12a_1の媒質中の光の透過率が波長によって異なる。このため、差Dが大きくなるほど、シンチレータ12a_1内を光が移動する距離が長くなる。すなわち、差Dが大きくなるほど、光が、シンチレータ12a_1内のより浅い位置で発生していることとなる。そのため、処理実行機能443は、差D又は比から、シンチレータ12a_1の深さ方向における光が発生した位置を推定することができる。そして、処理実行機能443は、推定した位置に基づいて、光センサ12b_1,12b_2に入射したX線のエネルギーを推定する。すなわち、処理実行機能443は、光センサ12b_1から出力される電気信号と、光センサ12b_2から出力される電気信号とに基づいて、入射X線のエネルギーを推定する。例えば、処理実行機能443は、光センサ12b_1から出力される電気信号に基づくデータと、光センサ12b_2から出力される電気信号に基づくデータとに基づいて、入射X線のエネルギーを推定する。 As shown in FIG. 6, the processing execution function 443 according to the third modification of the first embodiment includes data (for example, first raw data) 61 based on an electric signal output from the optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2. The difference D or the ratio with the data (for example, the second raw data) 62 based on the electric signal output from is calculated. Here, the calculated difference D or ratio corresponds to the position where the light is generated in the depth direction of the scintillator 12a_1. For example, when the scintillation light propagates inside the scintillator 12a_1, the transmittance of the light in the medium of the scintillator 12a_1 differs depending on the wavelength. Therefore, the larger the difference D, the longer the distance that the light travels in the scintillator 12a_1. That is, the larger the difference D, the shallower the light is generated in the scintillator 12a_1. Therefore, the processing execution function 443 can estimate the position where the light is generated in the depth direction of the scintillator 12a_1 from the difference D or the ratio. Then, the processing execution function 443 estimates the energy of the X-rays incident on the optical sensors 12b_1 and 12b_2 based on the estimated position. That is, the processing execution function 443 estimates the energy of the incident X-rays based on the electric signal output from the optical sensor 12b_1 and the electric signal output from the optical sensor 12b_2. For example, the processing execution function 443 estimates the energy of the incident X-ray based on the data based on the electric signal output from the optical sensor 12b_1 and the data based on the electric signal output from the optical sensor 12b_1.

このようにして推定されたエネルギーは、例えば、スペクトラルCTを実行するアプリケーション等に用いられる。 The energy estimated in this way is used, for example, in an application that performs spectral CT.

以上、第1の実施形態の変形例3に係るX線CT装置1について説明した。第1の実施形態の変形例3に係るX線CT装置1によれば、入射X線のエネルギーを推定することできる。また、第1の実施形態の変形例3に係るX線CT装置1によれば、第1の実施形態と同様の効果を奏する。 The X-ray CT apparatus 1 according to the third modification of the first embodiment has been described above. According to the X-ray CT apparatus 1 according to the third modification of the first embodiment, the energy of the incident X-ray can be estimated. Further, according to the X-ray CT apparatus 1 according to the third modification of the first embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained.

(第1の実施形態の変形例4)
なお、アフターグローの影響を抑制する場合、DAS18が、第1電気信号を増幅し、増幅された第1電気信号に、第2電気信号を加算することにより、第3電気信号を生成してもよい。第3電気信号は、CT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となる信号である。そこで、このような変形例を、第1の実施形態の変形例4として説明する。
(Modification 4 of the first embodiment)
When suppressing the influence of afterglow, even if the DAS 18 amplifies the first electric signal and adds the second electric signal to the amplified first electric signal to generate a third electric signal. Good. The third electrical signal is a signal that is the source of one channel of raw data used when reconstructing CT image data. Therefore, such a modification will be described as a modification 4 of the first embodiment.

以下、第1の実施形態の変形例4の説明では、第1の実施形態と異なる点を主に説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については、省略する場合がある。 Hereinafter, in the description of the modified example 4 of the first embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted.

第1の実施形態の変形例4では、DAS18は、処理回路と、増幅器とを有する。処理回路は、デジタル形式のデータを処理可能な回路である。例えば、処理回路は、プロセッサにより実現される。増幅器は、第1電気信号を増幅する増幅処理を行う。 In variant 4 of the first embodiment, the DAS 18 has a processing circuit and an amplifier. The processing circuit is a circuit capable of processing digital format data. For example, the processing circuit is realized by a processor. The amplifier performs an amplification process for amplifying the first electric signal.

そして、変形例4では、処理実行機能443は、第1の実施形態と同様に、スキャン条件が記憶されたメモリ41から、スキャン条件を取得する。そして、処理実行機能443は、第1の実施形態と同様に、スキャン条件から、アフターグローの影響を抑制するのか、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図るのかを、判定する。そして、処理実行機能443は、判定結果を示す判定結果情報をDAS18の処理回路に送信する。判定結果情報は、アフターグローの影響を抑制すること、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図ることを示す情報である。 Then, in the modification 4, the processing execution function 443 acquires the scan condition from the memory 41 in which the scan condition is stored, as in the first embodiment. Then, as in the first embodiment, the process execution function 443 determines whether to suppress the influence of afterglow or to improve the S / N while allowing the influence of afterglow from the scan conditions. judge. Then, the processing execution function 443 transmits the determination result information indicating the determination result to the processing circuit of DAS18. The determination result information is information indicating that the influence of the afterglow is suppressed or the S / N is improved while allowing the influence of the afterglow.

そして、DAS18の処理回路は、判定結果情報を受信する。そして、DAS18の処理回路は、判定結果情報がアフターグローの影響を抑制することを示す場合、第1電気信号を増幅器に増幅させる。そして、DAS18の処理回路は、増幅された第1電気信号に、第2電気信号が係数αにより重み付けされることにより得られた電気信号を加算することにより、第3電気信号を生成する。第3電気信号は、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となるデータである。このように、DAS18の処理回路は、スキャン条件に基づいて、光センサ12b_1の寄与を、光センサ12b_2と比して大きくする処理を実行する。変形例4に係るDAS18は、処理部の一例である。 Then, the processing circuit of DAS18 receives the determination result information. Then, the processing circuit of DAS18 amplifies the first electric signal to the amplifier when the determination result information indicates that the influence of afterglow is suppressed. Then, the processing circuit of DAS18 generates a third electric signal by adding the electric signal obtained by weighting the second electric signal by the coefficient α to the amplified first electric signal. The third electric signal is data that is the source of the raw data of one channel used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444. As described above, the processing circuit of the DAS 18 executes a process of increasing the contribution of the optical sensor 12b_1 as compared with the optical sensor 12b_2 based on the scanning conditions. The DAS 18 according to the modified example 4 is an example of the processing unit.

そして、DAS18は、第3電気信号から検出データを生成する。前処理機能442は、検出データに対して前処理を施す。そして、再構成処理機能444は、前処理が施された検出データ(生データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、変形例4によれば、再構成されたCT画像データの時間分解能の悪化、及び、アーチファクトの発生を抑制することができる。 Then, DAS18 generates detection data from the third electric signal. The preprocessing function 442 performs preprocessing on the detected data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using the preprocessed detection data (raw data). Therefore, according to the modified example 4, it is possible to suppress the deterioration of the time resolution of the reconstructed CT image data and the occurrence of artifacts.

一方、DAS18の処理回路は、判定結果情報がアフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図ることを示す場合には、第1電気信号に第2電気信号を加算することにより、第4電気信号を生成する。第4電気信号は、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となるデータである。 On the other hand, when the determination result information indicates that the S / N is improved while allowing the influence of the afterglow, the processing circuit of the DAS 18 is obtained by adding the second electric signal to the first electric signal. 4 Generates an electrical signal. The fourth electric signal is data that is the source of the raw data of one channel used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444.

そして、DAS18は、第4電気信号から検出データを生成する。前処理機能442は、検出データに対して前処理を施す。そして、再構成処理機能444は、前処理が施された検出データ(生データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データのS/Nの改善を図ることができる。 Then, DAS18 generates detection data from the fourth electric signal. The preprocessing function 442 performs preprocessing on the detected data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using the preprocessed detection data (raw data). Therefore, it is possible to improve the S / N of the reconstructed CT image data.

以上、第1の実施形態の変形例4に係るX線CT装置1について説明した。第1の実施形態の変形例4に係るX線CT装置1によれば、第1の実施形態と同様の効果を奏する。 The X-ray CT apparatus 1 according to the modified example 4 of the first embodiment has been described above. According to the X-ray CT apparatus 1 according to the fourth modification of the first embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained.

なお、変形例4において、処理実行機能443がスキャン条件をDAS18の処理回路に送信してもよい。そして、DAS18の処理回路が、スキャン条件から、アフターグローの影響を抑制するのか、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図るのかを、判定してもよい。 In the fourth modification, the processing execution function 443 may transmit the scan condition to the processing circuit of the DAS 18. Then, it may be determined from the scan conditions whether the processing circuit of the DAS 18 suppresses the influence of the afterglow or improves the S / N while allowing the influence of the afterglow.

(第1の実施形態の変形例5)
なお、アフターグローの影響を抑制する場合、光センサ12b_2における電荷の積分時間の方が光センサ12b_1における電荷の積分時間よりも短くなるように、X線検出器12が、光センサ12b_1及び光センサ12b_2を制御してもよい。そして、DAS18が、このように制御された積分時間の元で得られた第1電気信号と、第2電気信号とを加算してもよい。このような加算により得られた電気信号は、CT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となる信号である。そこで、このような変形例を、第1の実施形態の変形例5として説明する。
(Modification 5 of the first embodiment)
In addition, when suppressing the influence of afterglow, the X-ray detector 12 sets the photosensor 12b_1 and the photosensor so that the charge integration time in the optical sensor 12b_2 is shorter than the charge integration time in the photosensor 12b_1. 12b_2 may be controlled. Then, the DAS 18 may add the first electric signal obtained under the integration time controlled in this way and the second electric signal. The electric signal obtained by such addition is a signal that is the source of one channel of raw data used when reconstructing CT image data. Therefore, such a modification will be described as a modification 5 of the first embodiment.

以下、第1の実施形態の変形例5の説明では、第1の実施形態と異なる点を主に説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については、省略する場合がある。 Hereinafter, in the description of the modified example 5 of the first embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted.

第1の実施形態の変形例5では、X線検出器12は、処理回路を備える。変形例5では、X線検出器12と、処理回路44とは、互いに通信可能である。そして、変形例5では、処理実行機能443は、判定結果情報をX線検出器12の処理回路に送信する。なお、変形例5に係る判定結果情報は、変形例4に係る判定結果情報と同様の情報である。 In the fifth modification of the first embodiment, the X-ray detector 12 includes a processing circuit. In the fifth modification, the X-ray detector 12 and the processing circuit 44 can communicate with each other. Then, in the modification 5, the processing execution function 443 transmits the determination result information to the processing circuit of the X-ray detector 12. The determination result information according to the modification 5 is the same information as the determination result information according to the modification 4.

そして、X線検出器12の処理回路は、判定結果情報を受信する。そして、X線検出器12の処理回路は、判定結果情報がアフターグローの影響を抑制することを示す場合、光センサ12b_2における電荷の積分時間の方が光センサ12b_1における電荷の積分時間よりも短くなるように、光センサ12b_1及び光センサ12b_2を制御する。そして、DAS18の処理回路は、このように制御された積分時間の元で得られた第1電気信号と、第2電気信号とを加算する。このような加算により得られた電気信号は、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となる信号である。この場合、DAS18は、このような加算により得られた電気信号から検出データを生成する。前処理機能442は、検出データに対して前処理を施す。そして、再構成処理機能444は、前処理が施された検出データ(生データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データの時間分解能の悪化、及び、アーチファクトの発生を抑制することができる。 Then, the processing circuit of the X-ray detector 12 receives the determination result information. When the processing circuit of the X-ray detector 12 indicates that the determination result information suppresses the influence of afterglow, the charge integration time in the photosensor 12b_2 is shorter than the charge integration time in the photosensor 12b_1. The optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2 are controlled so as to be. Then, the processing circuit of the DAS 18 adds the first electric signal obtained under the integration time controlled in this way and the second electric signal. The electric signal obtained by such addition is a signal that is the source of the raw data of one channel used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444. In this case, the DAS 18 generates detection data from the electrical signal obtained by such addition. The preprocessing function 442 performs preprocessing on the detected data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using the preprocessed detection data (raw data). Therefore, deterioration of the time resolution of the reconstructed CT image data and occurrence of artifacts can be suppressed.

一方、X線検出器12の処理回路は、判定結果情報がアフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図ることを示す場合、光センサ12b_1における電荷の積分時間と光センサ12b_2における電荷の積分時間とが同一となるように、光センサ12b_1及び光センサ12b_2を制御する。そして、DAS18の処理回路は、このように制御された積分時間の元で得られた第1電気信号と、第2電気信号とを加算する。このような加算により得られた電気信号は、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となる信号である。この場合、DAS18は、加算により得られた電気信号から検出データを生成する。前処理機能442は、検出データに対して前処理を施す。そして、再構成処理機能444は、前処理が施された検出データ(生データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データのS/Nの改善を図ることができる。 On the other hand, when the processing circuit of the X-ray detector 12 indicates that the determination result information aims to improve the S / N while allowing the influence of afterglow, the charge integration time in the photosensor 12b_1 and the charge in the photosensor 12b_2 The optical sensor 12b_1 and the optical sensor 12b_2 are controlled so that the integration time of the above is the same. Then, the processing circuit of the DAS 18 adds the first electric signal obtained under the integration time controlled in this way and the second electric signal. The electric signal obtained by such addition is a signal that is the source of the raw data of one channel used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444. In this case, the DAS 18 generates detection data from the electrical signal obtained by the addition. The preprocessing function 442 performs preprocessing on the detected data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using the preprocessed detection data (raw data). Therefore, it is possible to improve the S / N of the reconstructed CT image data.

以上、第1の実施形態の変形例5に係るX線CT装置1について説明した。第1の実施形態の変形例5に係るX線CT装置1によれば、第1の実施形態と同様の効果を奏する。 The X-ray CT apparatus 1 according to the modified example 5 of the first embodiment has been described above. According to the X-ray CT apparatus 1 according to the fifth modification of the first embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained.

なお、変形例5において、処理実行機能443がスキャン条件をX線検出器12の処理回路に送信してもよい。そして、X線検出器12の処理回路が、スキャン条件から、アフターグローの影響を抑制するのか、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図るのかを、判定してもよい。 In the modification 5, the processing execution function 443 may transmit the scan condition to the processing circuit of the X-ray detector 12. Then, it may be determined from the scan conditions whether the processing circuit of the X-ray detector 12 suppresses the influence of afterglow or improves the S / N while allowing the influence of afterglow. ..

なお、上述した第1の実施形態では、処理実行機能443が、第1生データ(前処理が施された第1検出データ)及び第2生データ(前処理が施された第2検出データ)に対して、各種の処理を実行する場合について説明した。しかしながら、DAS18の処理回路が、判定結果情報に基づいて、第1検出データ(第1電気信号を基に生成された検出データ)及び第2検出データ(第2電気信号を基に生成された検出データ)に対して、同様の処理を実行してもよい。また、DAS18の処理回路が、第1電気信号及び第2電気信号に対して、同様の処理を実行してもよい。この場合においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる。DAS18の処理回路が、上述したような処理を行うことにより、DAS18からコンソール装置40へ送信されるデータの量を削減することができる。 In the first embodiment described above, the processing execution function 443 performs the first raw data (pre-processed first detection data) and the second raw data (pre-processed second detection data). The case where various processes are executed has been described. However, the processing circuit of DAS18 has the first detection data (detection data generated based on the first electric signal) and the second detection data (detection generated based on the second electric signal) based on the determination result information. The same processing may be executed for the data). Further, the processing circuit of the DAS 18 may execute the same processing on the first electric signal and the second electric signal. Also in this case, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. The processing circuit of the DAS 18 performs the processing as described above, so that the amount of data transmitted from the DAS 18 to the console device 40 can be reduced.

(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係るX線CT装置1について説明する。第2の実施形態では、シンチレータと、光センサとの間にフィルタが設けられ、フィルタにより光センサに入射される光の波長が変調される。
(Second Embodiment)
Next, the X-ray CT apparatus 1 according to the second embodiment will be described. In the second embodiment, a filter is provided between the scintillator and the photosensor, and the filter modulates the wavelength of light incident on the photosensor.

図7は、第2の実施形態に係るX線CT装置1の構成の一例を示す図である。以下、第2の実施形態の説明において、主に第1の実施形態と異なる点を説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については省略する場合がある。例えば、第1の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。 FIG. 7 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray CT apparatus 1 according to the second embodiment. Hereinafter, in the description of the second embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted. For example, the same components as those in the first embodiment may be designated by the same reference numerals and the description thereof may be omitted.

図7に示す第2の実施形態に係る処理回路44は、第1の実施形態に係る処理実行機能443に代えて、処理実行機能447を備える点が、図1に示す第1の実施形態に係る処理回路44と異なる。また、図7に示すように、第2の実施形態では、処理回路44と、X線検出器12との通信が可能な点が、第1の実施形態と異なる。 The point that the processing circuit 44 according to the second embodiment shown in FIG. 7 includes a processing execution function 447 instead of the processing execution function 443 according to the first embodiment is a feature of the first embodiment shown in FIG. It is different from the processing circuit 44. Further, as shown in FIG. 7, the second embodiment is different from the first embodiment in that the processing circuit 44 and the X-ray detector 12 can communicate with each other.

図8は、第2の実施形態に係るX線検出器12の構成の一例を示す図である。図8に示すように、X線検出器12は、シンチレータアレイ12aと、光センサアレイ12bと、複数のフィルタ12cと、複数の電圧印加回路12dと、グリッド(図示せず)とを有する間接変換型の検出器である。 FIG. 8 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector 12 according to the second embodiment. As shown in FIG. 8, the X-ray detector 12 has an indirect conversion having a scintillator array 12a, an optical sensor array 12b, a plurality of filters 12c, a plurality of voltage application circuits 12d, and a grid (not shown). It is a type detector.

シンチレータアレイ12aは、第1の実施形態と同様に、複数のシンチレータ12a_1を有する。 The scintillator array 12a has a plurality of scintillators 12a_1 as in the first embodiment.

光センサアレイ12bは、複数の光センサ12b_3を有する。第2の実施形態に係る光センサ12b_3は、例えば、フォトダイオード等により実現される。X線検出器12は、単一(1つ)のシンチレータ12a_1に対して1つの光センサ12b_3、1つのフィルタ12c及び1つの電圧印加回路12dが対応付けられて構成されている。図8に示すように、シンチレータ12a_1、フィルタ12c及び光センサ12b_3が、深さ方向に沿って、この順で配置されている。 The optical sensor array 12b has a plurality of optical sensors 12b_3. The optical sensor 12b_3 according to the second embodiment is realized by, for example, a photodiode or the like. The X-ray detector 12 is configured by associating a single (one) scintillator 12a_1 with one optical sensor 12b_3, one filter 12c, and one voltage application circuit 12d. As shown in FIG. 8, the scintillator 12a_1, the filter 12c, and the optical sensor 12b_3 are arranged in this order along the depth direction.

光センサ12b_3は、光センサ12b_3に対応付けられたシンチレータ12a_1からの光を、光量に応じた電気信号に変換する機能を有する。すなわち、光センサ12b_3は、単一のシンチレータ12a_1から発せられた光を検出し、検出した光に応じた電気信号を出力する。 The optical sensor 12b_3 has a function of converting the light from the scintillator 12a_1 associated with the optical sensor 12b_3 into an electric signal according to the amount of light. That is, the optical sensor 12b_3 detects the light emitted from the single scintillator 12a_1 and outputs an electric signal corresponding to the detected light.

ここで、光センサ12b_3は、光90及び光91を検出可能な波長感度特性を有する。すなわち、光センサ12b_3により検出可能な光の波長帯域内に、光90の波長(ピーク波長)、及び、光91の波長(ピーク波長)が含まれる。 Here, the optical sensor 12b_3 has a wavelength sensitivity characteristic capable of detecting light 90 and light 91. That is, the wavelength of the light 90 (peak wavelength) and the wavelength of the light 91 (peak wavelength) are included in the wavelength band of the light that can be detected by the optical sensor 12b_3.

したがって、光センサ12b_3は、光90が入射された場合には、光90を検出し、光90に応じた電気信号を出力する。また、光センサ12b_3は、光91が入射された場合には、光91を検出し、光91に応じた電気信号を出力する。 Therefore, when the light 90 is incident, the optical sensor 12b_3 detects the light 90 and outputs an electric signal corresponding to the light 90. Further, when the light 91 is incident, the optical sensor 12b_3 detects the light 91 and outputs an electric signal corresponding to the light 91.

フィルタ12cは、液晶等の偏光フィルムにより実現される。フィルタ12cは、シンチレータ12a_1と、光センサ12b_3との間に設けられる。フィルタ12cは、印加される電圧の大きさに応じた波長帯域の光を透過させる光学特性を有する。本実施形態では、フィルタ12cは、第1電圧が印加されると、光90のピーク波長を含む第1の波長帯域の光を透過させ、光91のピーク波長を含む第2の波長帯域の光を遮る。また、フィルタ12cは、第1電圧とは異なる第2電圧が印加されると、第1の波長帯域の光及び第2の波長帯域の光を透過させる。 The filter 12c is realized by a polarizing film such as a liquid crystal. The filter 12c is provided between the scintillator 12a_1 and the optical sensor 12b_3. The filter 12c has an optical property of transmitting light in a wavelength band according to the magnitude of the applied voltage. In the present embodiment, when the first voltage is applied, the filter 12c transmits light in the first wavelength band including the peak wavelength of light 90, and light in the second wavelength band including the peak wavelength of light 91. Block. Further, when a second voltage different from the first voltage is applied, the filter 12c transmits light in the first wavelength band and light in the second wavelength band.

電圧印加回路12dは、処理実行機能447による制御を受けて、フィルタ12cに電圧を印加する。例えば、電圧印加回路12dは、第1電圧又は第2電圧をフィルタ12cに印加する。 The voltage application circuit 12d applies a voltage to the filter 12c under the control of the processing execution function 447. For example, the voltage application circuit 12d applies a first voltage or a second voltage to the filter 12c.

図7の説明に戻り、処理回路44は、メモリ41から処理実行機能447に相当するプログラムを読み出して実行することにより、スキャン条件に基づいて、アフターグローに対応する波長の光91を少なくとも低減するように、フィルタ12cの光学特性を制御する処理(第2処理)を実行する。処理実行機能447は、処理部の一例である。 Returning to the description of FIG. 7, the processing circuit 44 reads the program corresponding to the processing execution function 447 from the memory 41 and executes it, thereby at least reducing the light 91 having a wavelength corresponding to the afterglow based on the scanning conditions. As described above, the process of controlling the optical characteristics of the filter 12c (second process) is executed. The processing execution function 447 is an example of a processing unit.

図9は、第2の実施形態に係るX線CT装置1が実行する第2処理の一例の流れを示すフローチャートである。図9の例に示すように、処理実行機能447は、第1の実施形態に係る第1処理のステップS101と同様に、スキャン条件が記憶されたメモリ41から、スキャン条件を取得する(ステップS201)。 FIG. 9 is a flowchart showing a flow of an example of the second process executed by the X-ray CT apparatus 1 according to the second embodiment. As shown in the example of FIG. 9, the process execution function 447 acquires the scan condition from the memory 41 in which the scan condition is stored, similarly to the step S101 of the first process according to the first embodiment (step S201). ).

そして、処理実行機能447は、第1処理のステップS102と同様に、スキャン条件から、アフターグローの影響を抑制するのか、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図るのかを、判定する(ステップS202)。 Then, the process execution function 447 determines whether to suppress the influence of the afterglow from the scan conditions or to improve the S / N while allowing the influence of the afterglow, as in the step S102 of the first process. , (Step S202).

アフターグローの影響を抑制する場合(ステップS202:アフターグローの影響を抑制)には、処理実行機能447は、ステップS203に進む。ステップS203では、処理実行機能447は、第1電圧がフィルタ12cに印加されるように、電圧印加回路12dを制御する。例えば、処理実行機能447は、第1電圧をフィルタ12cに印加するように、電圧印加回路12dを制御する。 When suppressing the influence of the afterglow (step S202: suppressing the influence of the afterglow), the process execution function 447 proceeds to step S203. In step S203, the process execution function 447 controls the voltage application circuit 12d so that the first voltage is applied to the filter 12c. For example, the processing execution function 447 controls the voltage application circuit 12d so as to apply the first voltage to the filter 12c.

この場合、光センサ12b_3は、光90を検出し、第1電気信号(光90に応じた電気信号)を出力する。第2の実施形態において、第1電気信号は、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルの生データの元となる信号である。そして、DAS18は、第1電気信号から第1検出データを生成する。そして、DAS18は、第1検出データを処理回路44に送信する。 In this case, the optical sensor 12b_3 detects the light 90 and outputs a first electric signal (an electric signal corresponding to the light 90). In the second embodiment, the first electrical signal is a signal that is the source of one channel of raw data used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444. Then, the DAS 18 generates the first detection data from the first electric signal. Then, the DAS 18 transmits the first detection data to the processing circuit 44.

そして、前処理機能442は、第1検出データに対して前処理を施す。そして、再構成処理機能444は、第1生データ(前処理が施された第1検出データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データの時間分解能の悪化、及び、アーチファクトの発生を抑制することができる。 Then, the preprocessing function 442 performs preprocessing on the first detection data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data by using the first raw data (the first detection data that has been preprocessed). Therefore, deterioration of the time resolution of the reconstructed CT image data and occurrence of artifacts can be suppressed.

一方、S/Nの向上を図る場合(ステップS202:S/Nの向上)には、処理実行機能447は、ステップS204に進む。ステップS204では、処理実行機能447は、第2電圧がフィルタ12cに印加されるように、電圧印加回路12dを制御する。例えば、処理実行機能447は、第2電圧をフィルタ12cに印加するように、電圧印加回路12dを制御する。 On the other hand, when improving the S / N (step S202: improving the S / N), the process execution function 447 proceeds to step S204. In step S204, the process execution function 447 controls the voltage application circuit 12d so that the second voltage is applied to the filter 12c. For example, the processing execution function 447 controls the voltage application circuit 12d so as to apply the second voltage to the filter 12c.

この場合、光センサ12b_3は、光90及び光91を検出し、光90及び光91に応じた電気信号を出力する。 In this case, the optical sensor 12b_3 detects the light 90 and the light 91 and outputs an electric signal corresponding to the light 90 and the light 91.

そして、DAS18は、光90及び光91に応じた電気信号から光90及び光91に応じた検出データを生成する。そして、DAS18は、光90及び光91に応じた検出データを処理回路44に送信する。 Then, the DAS 18 generates detection data corresponding to the light 90 and the light 91 from the electric signals corresponding to the light 90 and the light 91. Then, the DAS 18 transmits the detection data corresponding to the light 90 and the light 91 to the processing circuit 44.

そして、前処理機能442は、光90及び光91に応じた検出データに対して前処理を施す。このような処理により得られた生データ(前処理が施された光90及び光91に応じた検出データ)は、再構成処理機能444によりCT画像データを再構成する際に用いられる1チャネルのデータである。そして、再構成処理機能444は、このような生データを用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データのS/Nの改善を図ることができる。 Then, the preprocessing function 442 performs preprocessing on the detection data corresponding to the light 90 and the light 91. The raw data (detection data corresponding to the preprocessed light 90 and light 91) obtained by such processing is of one channel used when the CT image data is reconstructed by the reconstruction processing function 444. It is data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data using such raw data. Therefore, it is possible to improve the S / N of the reconstructed CT image data.

以上、第2の実施形態に係るX線CT装置1について説明した。第2の実施形態に係るX線CT装置1によれば、第1の実施形態と同様に、適切にアフターグローの影響を低減させることができる。 The X-ray CT apparatus 1 according to the second embodiment has been described above. According to the X-ray CT apparatus 1 according to the second embodiment, the influence of afterglow can be appropriately reduced as in the first embodiment.

(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態に係るX線CT装置1について説明する。第3の実施形態では、波長感度特性が変更可能な光センサが用いられる。
(Third Embodiment)
Next, the X-ray CT apparatus 1 according to the third embodiment will be described. In the third embodiment, an optical sensor whose wavelength sensitivity characteristic can be changed is used.

図10は、第3の実施形態に係るX線CT装置1の構成の一例を示す図である。以下、第3の実施形態の説明において、主に第1の実施形態と異なる点を説明し、第1の実施形態と同様の構成の説明については省略する場合がある。例えば、第1の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して、説明を省略する場合がある。 FIG. 10 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray CT apparatus 1 according to the third embodiment. Hereinafter, in the description of the third embodiment, the points different from those of the first embodiment will be mainly described, and the description of the configuration similar to that of the first embodiment may be omitted. For example, the same components as those in the first embodiment may be designated by the same reference numerals and the description thereof may be omitted.

図10に示す第3の実施形態に係る処理回路44は、第1の実施形態に係る処理実行機能443に代えて、処理実行機能448を備える点が、図1に示す第1の実施形態に係る処理回路44と異なる。また、図10に示すように、第3の実施形態では、処理回路44と、X線検出器12との通信が可能な点が、第1の実施形態と異なる。 The point that the processing circuit 44 according to the third embodiment shown in FIG. 10 is provided with the processing execution function 448 instead of the processing execution function 443 according to the first embodiment is the first embodiment shown in FIG. It is different from the processing circuit 44. Further, as shown in FIG. 10, the third embodiment is different from the first embodiment in that the processing circuit 44 and the X-ray detector 12 can communicate with each other.

図11は、第3の実施形態に係るX線検出器12の構成の一例を示す図である。図11に示すように、X線検出器12は、シンチレータアレイ12aと、光センサアレイ12bと、複数のバイアス電圧印加回路12eと、グリッド(図示せず)とを有する間接変換型の検出器である。 FIG. 11 is a diagram showing an example of the configuration of the X-ray detector 12 according to the third embodiment. As shown in FIG. 11, the X-ray detector 12 is an indirect conversion type detector having a scintillator array 12a, an optical sensor array 12b, a plurality of bias voltage application circuits 12e, and a grid (not shown). is there.

シンチレータアレイ12aは、第1の実施形態と同様に、複数のシンチレータ12a_1を有する。 The scintillator array 12a has a plurality of scintillators 12a_1 as in the first embodiment.

光センサアレイ12bは、複数の光センサ12b_4を有する。第3の実施形態に係る光センサ12b_4は、例えば、アバランシェフォトダイオードにより実現される。X線検出器12は、単一(1つ)のシンチレータ12a_1に対して1つの光センサ12b_4及び1つのバイアス電圧印加回路12eが対応付けられて構成されている。図11に示すように、シンチレータ12a_1及び光センサ12b_4が、深さ方向に沿って、この順で配置されている。 The optical sensor array 12b has a plurality of optical sensors 12b_4. The optical sensor 12b_4 according to the third embodiment is realized by, for example, an avalanche photodiode. The X-ray detector 12 is configured such that one optical sensor 12b_4 and one bias voltage application circuit 12e are associated with a single (one) scintillator 12a_1. As shown in FIG. 11, the scintillator 12a_1 and the optical sensor 12b_4 are arranged in this order along the depth direction.

光センサ12b_4は、光センサ12b_4に対応付けられたシンチレータ12a_1からの光を、光量に応じた電気信号に変換する機能を有する。すなわち、光センサ12b_4は、単一のシンチレータ12a_1から発せられた光を検出し、検出した光に応じた電気信号を出力する。 The optical sensor 12b_4 has a function of converting the light from the scintillator 12a_1 associated with the optical sensor 12b_4 into an electric signal according to the amount of light. That is, the optical sensor 12b_4 detects the light emitted from the single scintillator 12a_1 and outputs an electric signal corresponding to the detected light.

ここで、光センサ12b_4は、印加されるバイアス電圧の大きさに応じて変化する波長感度特性を有する。本実施形態では、光センサ12b_4は、バイアス電圧として第3電圧が印加されている場合には、光90を検出可能であり、光91を検出できない波長感度特性を有する。すなわち、第3電圧が印加されている場合には、光センサ12b_4により検出可能な光の波長帯域内に、光90の波長(ピーク波長)が含まれているが、光91の波長(ピーク波長)が含まれない。 Here, the optical sensor 12b_4 has a wavelength sensitivity characteristic that changes according to the magnitude of the applied bias voltage. In the present embodiment, the optical sensor 12b_4 has a wavelength sensitivity characteristic that can detect the light 90 and cannot detect the light 91 when a third voltage is applied as the bias voltage. That is, when the third voltage is applied, the wavelength of the light 90 (peak wavelength) is included in the wavelength band of the light that can be detected by the optical sensor 12b_4, but the wavelength of the light 91 (peak wavelength). ) Is not included.

したがって、光センサ12b_4は、第3電圧が印加されている場合には、光90を検出し、第1電気信号(光90に応じた電気信号)を出力する。 Therefore, when the third voltage is applied, the optical sensor 12b_4 detects the light 90 and outputs the first electric signal (electric signal corresponding to the light 90).

また、本実施形態では、光センサ12b_4は、バイアス電圧として、第3電圧と異なる第4電圧が印加されている場合には、光90及び光91を検出可能な波長感度特性を有する。すなわち、第4電圧が印加されている場合には、光センサ12b_4により検出可能な光の波長帯域内に、光90の波長(ピーク波長)、及び、光91の波長(ピーク波長)が含まれる。例えば、第4電圧は、第3電圧よりも大きい。バイアス電圧は、負荷電圧の一例である。 Further, in the present embodiment, the optical sensor 12b_4 has a wavelength sensitivity characteristic capable of detecting light 90 and light 91 when a fourth voltage different from the third voltage is applied as the bias voltage. That is, when the fourth voltage is applied, the wavelength of the light 90 (peak wavelength) and the wavelength of the light 91 (peak wavelength) are included in the wavelength band of the light that can be detected by the optical sensor 12b_4. .. For example, the fourth voltage is larger than the third voltage. The bias voltage is an example of the load voltage.

バイアス電圧印加回路12eは、処理実行機能448による制御を受けて、光センサ12b_4にバイアス電圧を印加する。例えば、バイアス電圧印加回路12eは、バイアス電圧として、第3電圧又は第4電圧を光センサ12b_4に印加する。 The bias voltage application circuit 12e applies a bias voltage to the optical sensor 12b_4 under the control of the processing execution function 448. For example, the bias voltage application circuit 12e applies a third voltage or a fourth voltage to the optical sensor 12b_4 as the bias voltage.

図10の説明に戻り、処理回路44は、メモリ41から処理実行機能448に相当するプログラムを読み出して実行することにより、スキャン条件に基づいて、光センサ12b_4に印加されるバイアス電圧の大きさを制御する処理(第3処理)を実行する。また、処理回路44は、処理実行機能448に相当するプログラムを実行することにより、スキャン条件に基づいて、アフターグローに対応する波長に対応する信号の出力を下げるように、バイアス電圧の大きさを制御する処理を第3処理として実行する。処理実行機能448は、処理部の一例である。 Returning to the description of FIG. 10, the processing circuit 44 reads the program corresponding to the processing execution function 448 from the memory 41 and executes it to determine the magnitude of the bias voltage applied to the optical sensor 12b_4 based on the scanning conditions. The process to be controlled (third process) is executed. Further, the processing circuit 44 executes a program corresponding to the processing execution function 448 to reduce the magnitude of the bias voltage so as to reduce the output of the signal corresponding to the wavelength corresponding to the afterglow based on the scan conditions. The process to be controlled is executed as the third process. The processing execution function 448 is an example of a processing unit.

図12は、第3の実施形態に係るX線CT装置1が実行する第3処理の一例の流れを示すフローチャートである。図12の例に示すように、処理実行機能448は、第1処理のステップS101と同様に、スキャン条件が記憶されたメモリ41から、スキャン条件を取得する(ステップS301)。 FIG. 12 is a flowchart showing a flow of an example of a third process executed by the X-ray CT apparatus 1 according to the third embodiment. As shown in the example of FIG. 12, the process execution function 448 acquires the scan condition from the memory 41 in which the scan condition is stored, as in step S101 of the first process (step S301).

そして、処理実行機能448は、第1処理のステップS102と同様に、スキャン条件から、アフターグローの影響を抑制するのか、又は、アフターグローの影響を許容しつつS/Nの向上を図るのかを、判定する(ステップS302)。 Then, the process execution function 448 determines whether to suppress the influence of the afterglow or to improve the S / N while allowing the influence of the afterglow from the scan conditions, as in the step S102 of the first process. , (Step S302).

アフターグローの影響を抑制する場合(ステップS302:アフターグローの影響を抑制)には、処理実行機能448は、ステップS303に進む。ステップS303では、処理実行機能448は、第3電圧が光センサ12b_4に印加されるように、バイアス電圧印加回路12eを制御する。例えば、処理実行機能447は、第3電圧を光センサ12b_4に印加するように、バイアス電圧印加回路12eを制御する。 When suppressing the influence of the afterglow (step S302: suppressing the influence of the afterglow), the process execution function 448 proceeds to step S303. In step S303, the process execution function 448 controls the bias voltage application circuit 12e so that the third voltage is applied to the optical sensor 12b_4. For example, the processing execution function 447 controls the bias voltage application circuit 12e so as to apply the third voltage to the optical sensor 12b_4.

この場合、光センサ12b_4は、光90を検出し、第1電気信号(光90に応じた電気信号)を出力する。第1電気信号は、再構成処理機能444により再構成されるCT画像データの元となる1チャネルの生データの元となる信号である。そして、DAS18は、第1電気信号から第1検出データを生成する。そして、DAS18は、第1検出データを処理回路44に送信する。 In this case, the optical sensor 12b_4 detects the light 90 and outputs a first electric signal (an electric signal corresponding to the light 90). The first electric signal is a signal that is the source of the raw data of one channel that is the source of the CT image data that is reconstructed by the reconstruction processing function 444. Then, the DAS 18 generates the first detection data from the first electric signal. Then, the DAS 18 transmits the first detection data to the processing circuit 44.

そして、前処理機能442は、第1検出データに対して前処理を施す。そして、再構成処理機能444は、前処理が施された第1検出データ(第1生データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データの時間分解能の悪化、及び、アーチファクトの発生を抑制することができる。 Then, the preprocessing function 442 performs preprocessing on the first detection data. Then, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data by using the preprocessed first detection data (first raw data). Therefore, deterioration of the time resolution of the reconstructed CT image data and occurrence of artifacts can be suppressed.

一方、S/Nの向上を図る場合(ステップS302:S/Nの向上)には、処理実行機能448は、ステップS304に進む。ステップS304では、処理実行機能448は、第4電圧が光センサ12b_4に印加されるように、バイアス電圧印加回路12eを制御する。例えば、処理実行機能448は、第4電圧を光センサ12b_4に印加するように、バイアス電圧印加回路12eを制御する。 On the other hand, when improving the S / N (step S302: improving the S / N), the process execution function 448 proceeds to step S304. In step S304, the process execution function 448 controls the bias voltage application circuit 12e so that the fourth voltage is applied to the optical sensor 12b_4. For example, the processing execution function 448 controls the bias voltage application circuit 12e so as to apply the fourth voltage to the optical sensor 12b_4.

この場合、光センサ12b_3は、光90及び光91を検出し、光90及び光91に応じた電気信号を出力する。 In this case, the optical sensor 12b_3 detects the light 90 and the light 91 and outputs an electric signal corresponding to the light 90 and the light 91.

そして、DAS18は、光90及び光91に応じた電気信号から光90及び光91に応じた検出データを生成する。そして、DAS18は、光90及び光91に応じた検出データを処理回路44に送信する。 Then, the DAS 18 generates detection data corresponding to the light 90 and the light 91 from the electric signals corresponding to the light 90 and the light 91. Then, the DAS 18 transmits the detection data corresponding to the light 90 and the light 91 to the processing circuit 44.

そして、前処理機能442は、光90及び光91に応じた検出データに対して前処理を施す。再構成処理機能444は、このようして得られた生データ(前処理が施された、光90及び光91に応じた検出データ)を用いて、CT画像データを再構成する。したがって、再構成されたCT画像データのS/Nの改善を図ることができる。 Then, the preprocessing function 442 performs preprocessing on the detection data corresponding to the light 90 and the light 91. The reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data by using the raw data thus obtained (preprocessed detection data corresponding to the light 90 and the light 91). Therefore, it is possible to improve the S / N of the reconstructed CT image data.

以上、第3の実施形態に係るX線CT装置1について説明した。第3の実施形態に係るX線CT装置1によれば、第1の実施形態と同様に、適切にアフターグローの影響を低減させることができる。 The X-ray CT apparatus 1 according to the third embodiment has been described above. According to the X-ray CT apparatus 1 according to the third embodiment, the influence of afterglow can be appropriately reduced as in the first embodiment.

なお、第3の実施形態において、ステップS303において、処理実行機能448が、アフターグローに対応する波長に対応する電気信号の出力を下げるように、バイアス電圧の大きさを制御する場合について説明した。しかしながら、ステップS303において、処理実行機能448が、メインピークに対応する波長(光90のピーク波長)に対応する電気信号の出力を上げるように、バイアス電圧の大きさを制御してもよい。この場合、再構成処理機能444は、前処理機能442により前処理が施された、光90及び光91に応じた検出データ(生データ)を用いて、CT画像データを再構成する。 In the third embodiment, the case where the processing execution function 448 controls the magnitude of the bias voltage so as to reduce the output of the electric signal corresponding to the wavelength corresponding to the afterglow has been described in step S303. However, in step S303, the magnitude of the bias voltage may be controlled so that the processing execution function 448 increases the output of the electric signal corresponding to the wavelength corresponding to the main peak (peak wavelength of the light 90). In this case, the reconstruction processing function 444 reconstructs the CT image data by using the detection data (raw data) corresponding to the light 90 and the light 91, which has been preprocessed by the preprocessing function 442.

なお、上述した各実施形態及び各変形例において、X線CT装置1が各種の処理を実行する場合について説明した。しかしながら、X線CT装置1と同様にシンチレータ及び光センサを含む放射線検出器を備えるPET装置、及び、SPECT装置等の放射線診断装置が、X線CT装置1が実行する各種の処理と同様の処理を実行してもよい。 In each of the above-described embodiments and modifications, the case where the X-ray CT apparatus 1 executes various processes has been described. However, similar to the X-ray CT apparatus 1, a PET apparatus including a scintillator and a radiation detector including an optical sensor, and a radiodiagnostic apparatus such as a SPECT apparatus perform the same processing as various processes performed by the X-ray CT apparatus 1. May be executed.

上述した実施形態に係る各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。即ち、各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散・統合して構成することができる。更に、各装置にて行われる各処理機能は、その全部又は任意の一部が、CPU及び当該CPUにて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されうる。 Each component of each device according to the above-described embodiment is a functional concept, and does not necessarily have to be physically configured as shown in the figure. That is, the specific form of distribution / integration of each device is not limited to the one shown in the figure, and all or part of the device is functionally or physically distributed in arbitrary units according to various loads and usage conditions. It can be integrated and configured. Further, each processing function performed by each device may be realized by a CPU and a program analyzed and executed by the CPU, or may be realized as hardware by wired logic.

また、上述した実施形態で説明した各種の処理は、予め用意されたプログラムをパーソナルコンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することによって実現することができる。このプログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布することができる。また、このプログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク(FD)、CD−ROM、MO、DVD等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行することもできる。 In addition, the various processes described in the above-described embodiment can be realized by executing a program prepared in advance on a computer such as a personal computer or a workstation. This program can be distributed via a network such as the Internet. The program can also be executed by being recorded on a computer-readable recording medium such as a hard disk, flexible disk (FD), CD-ROM, MO, or DVD, and read from the recording medium by the computer.

以上説明した少なくとも1つの実施形態又は変形例によれば、適切にアフターグローの影響を低減させることができる。 According to at least one embodiment or modification described above, the influence of afterglow can be appropriately reduced.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, as well as in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

1 X線CT装置
12 X線検出器
43 入力インターフェース
443 処理実行機能
1 X-ray CT device 12 X-ray detector 43 Input interface 443 Processing execution function

Claims (9)

入射放射線に応じて発光するシンチレータ、及び、前記シンチレータから発せられた光を検出し当該光に応じた信号を出力する光センサを含む放射線検出器と、
スキャン条件の入力を受け付ける受付部と、
前記スキャン条件に基づいて、前記放射線検出器からの出力に対してアフターグローの影響を低減する処理を実行する処理部と、
を備える、放射線診断装置。
A radiation detector including a scintillator that emits light in response to incident radiation and an optical sensor that detects light emitted from the scintillator and outputs a signal corresponding to the light.
The reception section that accepts input of scan conditions and
A processing unit that executes a process of reducing the influence of afterglow on the output from the radiation detector based on the scan conditions, and a processing unit.
A radiological diagnostic device.
前記放射線検出器は、単一のシンチレータに対して第1の光センサ及び前記第1の光センサよりも長波長の光を検出する第2の光センサが対応付けられて構成され、
前記処理部は、前記スキャン条件に基づいて前記第2の光センサの寄与を前記第1の光センサと比して低減する前記処理を実行する、
請求項1に記載の放射線診断装置。
The photodetector is configured by associating a single scintillator with a first photosensor and a second photosensor that detects light having a wavelength longer than that of the first photosensor.
The processing unit executes the processing that reduces the contribution of the second optical sensor as compared with the first optical sensor based on the scanning conditions.
The radiological diagnostic apparatus according to claim 1.
前記処理部は、前記第1の光センサから出力される信号に基づくデータに、所定の係数で重み付けされた前記第2の光センサから出力される信号に基づくデータを加算することにより得られたデータ、又は、前記第1の光センサ及び前記第2の光センサのうち前記第1の光センサから出力される信号に基づくデータを、放射線画像データを再構成する際に用いられるように制御する前記処理を実行する、
請求項2に記載の放射線診断装置。
The processing unit was obtained by adding data based on a signal output from the second optical sensor weighted by a predetermined coefficient to data based on a signal output from the first optical sensor. Control the data or the data based on the signal output from the first optical sensor among the first optical sensor and the second optical sensor so as to be used when reconstructing the radiographic image data. Perform the above process,
The radiological diagnostic apparatus according to claim 2.
前記放射線検出器は、単一のシンチレータに対して第1の光センサ及び前記第1の光センサよりも長波長の光を検出する第2の光センサが対応付けられて構成され、
前記処理部は、前記スキャン条件に基づいて前記第1の光センサの寄与を前記第2の光センサと比して大きくする前記処理を実行する、
請求項1に記載の放射線診断装置。
The photodetector is configured by associating a single scintillator with a first photosensor and a second photosensor that detects light having a wavelength longer than that of the first photosensor.
The processing unit executes the processing of increasing the contribution of the first optical sensor as compared with the second optical sensor based on the scanning conditions.
The radiological diagnostic apparatus according to claim 1.
前記第2の光センサの有感体積は、前記第1の光センサの有感体積よりも大きい、請求項2〜4のいずれか1つに記載の放射線診断装置。 The radiological diagnostic apparatus according to any one of claims 2 to 4, wherein the sensational volume of the second optical sensor is larger than the sensational volume of the first optical sensor. 前記処理部は、前記第1の光センサから出力される信号と、前記第2の光センサから出力される信号とに基づいて、前記入射放射線のエネルギーを推定する、請求項2〜5のいずれか1つに記載の放射線診断装置。 Any of claims 2 to 5, wherein the processing unit estimates the energy of the incident radiation based on the signal output from the first optical sensor and the signal output from the second optical sensor. The radiological diagnostic apparatus according to one. 前記放射線検出器は、前記シンチレータと前記光センサとの間に設けられたフィルタを更に備え、
前記処理部は、前記スキャン条件に基づいてアフターグローに対応する波長の光を少なくとも低減するように前記フィルタの特性を制御する前記処理を実行する、請求項1に記載の放射線診断装置。
The radiation detector further comprises a filter provided between the scintillator and the photosensor.
The radiation diagnostic apparatus according to claim 1, wherein the processing unit executes the processing for controlling the characteristics of the filter so as to reduce at least light having a wavelength corresponding to afterglow based on the scanning conditions.
前記光センサは、負荷電圧に応じて変化する波長感度特性を有し、
前記処理部は、前記スキャン条件に基づいて前記負荷電圧を制御する、
請求項1に記載の放射線診断装置。
The optical sensor has a wavelength sensitivity characteristic that changes according to a load voltage.
The processing unit controls the load voltage based on the scanning conditions.
The radiological diagnostic apparatus according to claim 1.
前記光センサは、アバランシェフォトダイオードであり、
前記処理部は、前記スキャン条件に基づいてアフターグローに対応する波長に対応する信号の出力を下げるか、又は、メインピークに対応する波長に対応する信号の出力を上げるように、前記アバランシェフォトダイオードに印加されるバイアス電圧を制御する、
請求項8に記載の放射線診断装置。
The optical sensor is an avalanche photodiode.
The processing unit reduces the output of the signal corresponding to the wavelength corresponding to the afterglow based on the scanning condition, or increases the output of the signal corresponding to the wavelength corresponding to the main peak. Controls the bias voltage applied to
The radiological diagnostic apparatus according to claim 8.
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