JP2020166285A - Display - Google Patents

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JP2020166285A
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Abstract

To provide a display that can prevent a reduction in adhesive strength of a sealant to improve reliability.SOLUTION: In a display, a first substrate has an inorganic insulating film, wiring, an organic insulating film, and a mounting part having a pad; a seal bonding the first substrate to a second substrate has a first seal part with a first width formed along the mounting part and a second seal part with a second width intersecting the first seal part; the first width is larger than the second width; the organic insulating film has a first groove part that is a non-forming part of the organic insulating film extending along the first seal part in an area overlapping the first seal part, a second groove part that is a non-forming part of the organic insulating film extending along the second seal part in an area overlapping the second seal part, and a removal part of the organic insulating film that is connected to the first groove part and second groove part at an intersection part at which the first seal part and the second seal part intersect each other and extended to an end of the first seal part and an end of the second seal part.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to display devices.

近年、液晶表示装置などの表示装置は、各種分野で利用されている。例えば、液晶表示パネルにおいては、液晶層を挟持した一対の基板がシール材によって接着されている。ところで、額縁サイズの増加を招くことなく、基板同士の接着強度を増加するために、配線群上に設けられた絶縁膜の一部を除去し、一対の基板が当該絶縁膜を介さずにシール材によって接着される技術が開示されている。 In recent years, display devices such as liquid crystal display devices have been used in various fields. For example, in a liquid crystal display panel, a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer are bonded by a sealing material. By the way, in order to increase the adhesive strength between the substrates without inviting an increase in the frame size, a part of the insulating film provided on the wiring group is removed, and the pair of substrates are sealed without passing through the insulating film. Techniques for bonding by materials are disclosed.

特開2008−46307号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-46307

本実施形態の目的は、シール材の接着強度の低下を抑制し、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することにある。 An object of the present embodiment is to provide a display device capable of suppressing a decrease in adhesive strength of a sealing material and improving reliability.

本実施形態によれば、
第1基板端部を有する第1基板と、第2基板端部を有し、前記第1基板に対向する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板を接着するシールと、を備え、前記第1基板は、複数の画素を有する表示領域と、前記第2基板に重なり前記表示領域を含む第1領域と、前記第2基板に重ならない第2領域と、前記第1領域及び前記第2領域に亘って形成された有機絶縁膜と、を有し、前記第2基板端部は、前記第1領域と前記第2領域との境界であり、前記第2領域は、前記第1基板端部と前記第2基板端部との間の領域であり、前記シールは、前記表示領域と前記第2基板端部との間において前記第2基板端部に沿って形成された第1シール部を有し、前記有機絶縁膜は、前記表示領域と前記第2基板端部との間において、前記第1シール部に沿って延出した当該有機絶縁膜の非形成部となる第1溝部と、前記第1溝部において、前記第1基板端部側の第1側壁と、前記第1側壁から離間した第2側壁と、を有し、前記第1側壁は、前記表示領域と前記第2基板端部との間において前記第2基板端部に沿って形成され、前記第2側壁は、前記第2基板端部と前記第1基板端部との間において前記第2基板端部に沿って形成されている、表示装置が提供される。
According to this embodiment
A first substrate having a first substrate end portion, a second substrate having a second substrate end portion and facing the first substrate, and a seal for adhering the first substrate and the second substrate are provided. The first substrate includes a display region having a plurality of pixels, a first region that overlaps the second substrate and includes the display region, a second region that does not overlap the second substrate, the first region, and the first substrate. It has an organic insulating film formed over a second region, the second substrate end portion is a boundary between the first region and the second region, and the second region is the first region. It is a region between the edge of the substrate and the end of the second substrate, and the seal is formed along the end of the second substrate between the display region and the end of the second substrate. A first organic insulating film having a sealing portion, which is a non-forming portion of the organic insulating film extending along the first sealing portion between the display region and the end portion of the second substrate. The groove portion, the first side wall on the end side of the first substrate, and the second side wall separated from the first side wall in the first groove portion, and the first side wall has the display area and the first side wall. The second side wall is formed along the second substrate end between the two substrate ends, and the second side wall is formed on the second substrate end between the second substrate end and the first substrate end. A display device is provided that is formed along the line.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する表示パネルの構成及び等価回路を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration and an equivalent circuit of a display panel constituting the liquid crystal display device of the present embodiment. 図2は、図1に示した表示パネルの領域Aを拡大した図である。FIG. 2 is an enlarged view of the area A of the display panel shown in FIG. 図3は、図2のB−C線における表示パネルの断面を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a cross section of the display panel taken along the line BC of FIG. 図4は、本実施形態に係る第1の変形例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a first modification according to the present embodiment. 図5は、本実施形態に係る第2の変形例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a second modification according to the present embodiment. 図6は、本実施形態に係る第3の変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a third modification according to the present embodiment. 図7は、シール材塗布の工程を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing a process of applying a sealing material. 図8は、本実施形態に係る第4の変形例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a fourth modification according to the present embodiment. 図9は、シール材塗布の工程を模式的に示す図である。FIG. 9 is a diagram schematically showing a process of applying a sealing material.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. Further, in order to clarify the explanation, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is merely an example, and the present invention It does not limit the interpretation. Further, in the present specification and each figure, components exhibiting the same or similar functions as those described above with respect to the above-mentioned figures may be designated by the same reference numerals, and duplicate detailed description may be omitted as appropriate. ..

まず、本実施形態に係る表示装置について詳細に説明する。
図1は、本実施形態の表示装置を構成する表示パネルの構成を示す図である。なお、本実施形態においては、表示装置が液晶表示パネルを有する場合について説明するが、これに限らず、表示パネルが表示パネルとして有機エレクトロルミネッセンス等の自発光型表示パネルを有するものであっても良いし、表示パネルが電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示パネル等を有するものであっても良い。
First, the display device according to the present embodiment will be described in detail.
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a display panel constituting the display device of the present embodiment. In this embodiment, the case where the display device has a liquid crystal display panel will be described, but the present invention is not limited to this, and the display panel may have a self-luminous display panel such as organic electroluminescence as the display panel. Alternatively, the display panel may have an electronic paper type display panel or the like having an electroluminescent element or the like.

ここで、図1では、互いに交差する第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面における表示パネルPNLの平面図を示している。なお、本明細書において、第1方向X及び第2方向Yとは、図中の矢印の方向に限定されるものではなく、矢印の180度反対の方向も含むものとする。 Here, FIG. 1 shows a plan view of the display panel PNL in the XY planes defined by the first direction X and the second direction Y intersecting each other. In the present specification, the first direction X and the second direction Y are not limited to the direction of the arrow in the drawing, but include the direction 180 degrees opposite to the arrow.

すなわち、表示パネルPNLは、アレイ基板(第1基板)ARと、アレイ基板ARに対向配置された対向基板(第2基板)CTと、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。アレイ基板ARと対向基板CTとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材SEによって接着されている。液晶層LQは、アレイ基板ARと対向基板CTとの間のセルギャップにおいてシール材SEによって囲まれた内側に保持されている。表示パネルPNLは、シール材SEによって囲まれた内側に、画像を表示するアクティブエリア(表示領域)ACTを備えている。アクティブエリアACTは、例えば、略長方形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている。なお、アクティブエリアACTは、他の多角形状であっても良いし、そのエッジが曲線状に形成されていても良い。 That is, the display panel PNL is a liquid crystal held between the array substrate (first substrate) AR, the facing substrate (second substrate) CT arranged to face the array substrate AR, and the array substrate AR and the facing substrate CT. It has a layer LQ. The array substrate AR and the facing substrate CT are adhered to each other by the sealing material SE with a predetermined cell gap formed between them. The liquid crystal layer LQ is held inside surrounded by the sealing material SE in the cell gap between the array substrate AR and the facing substrate CT. The display panel PNL is provided with an active area (display area) ACT for displaying an image inside the seal material SE. The active area ACT has, for example, a substantially rectangular shape, and is composed of a plurality of pixel PXs arranged in a matrix. The active area ACT may have another polygonal shape, or its edge may be formed in a curved shape.

アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿って延出したゲート配線G、第2方向Yに沿って延出したソース配線S、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWと電気的に接続された画素電極PEなどを備えている。共通電極CEは、アレイ基板AR及び対向基板CTの少なくとも一方に備えられている。 In the active area ACT, the array substrate AR includes a gate wiring G extending along the first direction X, a source wiring S extending along the second direction Y, and a gate wiring G and a source wiring S in each pixel PX. It includes an electrically connected switching element SW, a pixel electrode PE electrically connected to the switching element SW in each pixel PX, and the like. The common electrode CE is provided on at least one of the array substrate AR and the counter substrate CT.

なお、表示パネルPNLの詳細な構成については説明を省略するが、TN(Twisted Nematic)モード、OCB(Optically Compensated Bend)モード、VA(Vertical Aligned)モードなどの基板主面(X−Y平面)の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、あるいは、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モードでは、画素電極PEがアレイ基板ARに備えられる一方で、共通電極CEが対向基板CTに備えられている。また、IPS(In−Plane Switching)モード、IPSモードの1つであるFFS(Fringe Field Switching)モードなどの基板主面に沿った横電界を利用する表示モードでは、画素電極PE及び共通電極CEの双方がアレイ基板ARに備えられている。さらには、表示パネルPNLは、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。 Although the detailed configuration of the display panel PNL will be omitted, the description of the substrate main surface (XY plane) such as TN (Twisted Nematic) mode, OCB (Optically Compensated Bend) mode, and VA (Vertical Aligned) mode will be omitted. In the display mode that uses the longitudinal electric field along the normal or the display mode that uses the gradient electric field that is inclined in the diagonal direction with respect to the main surface of the substrate, the pixel electrode PE is provided in the array substrate AR, while the common electrode The CE is provided on the facing substrate CT. Further, in a display mode using a transverse electric field along the main surface of the substrate, such as an IPS (In-Plane Switching) mode and an FFS (Fringe Field Switching) mode, which is one of the IPS modes, the pixel electrode PE and the common electrode CE Both are provided in the array substrate AR. Further, the display panel PNL may have a configuration corresponding to a display mode in which the above-mentioned vertical electric field, horizontal electric field, and gradient electric field are appropriately combined and used.

また、表示パネルPNLは、その背面側に配置されたバックライトユニットからの光を選択的に透過することによって画像を表示する透過型パネルとして構成されても良いし、表示パネルPNLに入射する外光を選択的に反射することによって画像を表示する反射型パネルとして構成されても良いし、透過型及び反射型を組み合わせた半透過型パネルとして構成されても良い。 Further, the display panel PNL may be configured as a transmissive panel that displays an image by selectively transmitting light from a backlight unit arranged on the back side thereof, or may be configured as a transmissive panel that is incident on the display panel PNL. It may be configured as a reflective panel that displays an image by selectively reflecting light, or may be configured as a transflective panel that combines a transmissive type and a reflective type.

駆動ICチップ2及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット(FPC)基板3などの表示パネルPNLの駆動に必要な信号供給源は、アクティブエリア(表示領域)ACTよりも外側の周辺エリア(非表示領域)PRPに位置している。図示した例では、駆動ICチップ2及びFPC基板3は、対向基板CTの1つの基板端部CTEよりも外側に延出したアレイ基板ARの実装部MTに実装されている。実装部MTは、アレイ基板ARの1つの基板端部AREに沿って形成されている。この実装部MTは、詳述しないが、信号供給源と電気的に接続するためのパッドを有している。パッドには、上記のゲート配線やソース配線などと電気的に接続されたものが含まれる。なお、図示した例では、対向基板CTの他の3つの基板端部は、アレイ基板ARの他の3つの基板端部と対向している。尚、実装部MTが矩形状のアレイ基板の1つの基板端部に形成されるものに限定されるものでなく、2つの基板端部、或いは、2つ以上の基板端部に形成されるものであってもよい。また、アレイ基板が多角形状であっても同じである。 The signal supply source required to drive the display panel PNL such as the drive IC chip 2 and the flexible printed circuit (FPC) board 3 is the peripheral area (non-display area) PRP outside the active area (display area) ACT. Is located in. In the illustrated example, the drive IC chip 2 and the FPC substrate 3 are mounted on the mounting portion MT of the array substrate AR extending outward from one substrate end CTE of the opposing substrate CT. The mounting portion MT is formed along one substrate end ARE of the array substrate AR. Although not described in detail, this mounting portion MT has a pad for electrically connecting to a signal supply source. The pad includes a pad that is electrically connected to the above-mentioned gate wiring, source wiring, and the like. In the illustrated example, the other three substrate ends of the facing substrate CT face each other of the other three substrate ends of the array substrate AR. The mounting portion MT is not limited to the one formed at one substrate end of the rectangular array substrate, but is formed at two substrate ends or two or more substrate ends. It may be. The same applies even if the array substrate has a polygonal shape.

シール材SEは、アクティブエリアACTを取り囲む額縁状に形成されている。図示した例では、シール材SEは、矩形状に形成されている。すなわち、シール材SEは、第1シール部SL1、第2シール部SL2、第3シール部SL3、及び、第4シール部SL4を有している。第1シール部SL1及び第4シール部SL4は、いずれも第1方向Xに沿って延出し、X−Y平面において、アクティブエリアACTを挟んで対向している。第2シール部SL2及び第3シール部SL3は、いずれも第2方向Yに沿って延出し、X−Y平面において、アクティブエリアACTを挟んで対向している。第1シール部SL1は、実装部MTに沿って形成されている。第2シール部SL2及び第3シール部SL3は、それぞれ第1シール部SL1の両端部において第1シール部SL1と交差している。第4シール部SL4は、その両端部において第2シール部SL2及び第3シール部SL3と交差している。第1シール部SL1は、第2シール部SL2、第3シール部SL3、及び、第4シール部SL4よりも幅広に形成されている。一例では、第1シール部SL1の第1幅W1は、第2シール部SL2の第2幅W2より大きい。第1幅W1は、第2幅W2の1.5から4倍であり、好適には第2幅W2の1.5から2.5倍である。尚、シール部の幅とは、シール部の長さ方向における中心、或いは、長さを3等分した3分の1から3分の2の間における幅である。 The sealing material SE is formed in a frame shape surrounding the active area ACT. In the illustrated example, the sealing material SE is formed in a rectangular shape. That is, the sealing material SE has a first sealing portion SL1, a second sealing portion SL2, a third sealing portion SL3, and a fourth sealing portion SL4. Both the first seal portion SL1 and the fourth seal portion SL4 extend along the first direction X and face each other with the active area ACT in between in the XY plane. Both the second seal portion SL2 and the third seal portion SL3 extend along the second direction Y and face each other with the active area ACT in between in the XY plane. The first seal portion SL1 is formed along the mounting portion MT. The second seal portion SL2 and the third seal portion SL3 intersect with the first seal portion SL1 at both ends of the first seal portion SL1, respectively. The fourth seal portion SL4 intersects the second seal portion SL2 and the third seal portion SL3 at both ends thereof. The first seal portion SL1 is formed wider than the second seal portion SL2, the third seal portion SL3, and the fourth seal portion SL4. In one example, the first width W1 of the first seal portion SL1 is larger than the second width W2 of the second seal portion SL2. The first width W1 is 1.5 to 4 times the second width W2, and preferably 1.5 to 2.5 times the second width W2. The width of the seal portion is the center in the length direction of the seal portion, or the width between one-third and two-thirds of the length divided into three equal parts.

図2は、図1に示した表示パネルPNLの領域Aを拡大した図である。図示した領域Aは、シール材SEにおいて、第1シール部SL1と第2シール部SL2とが交差する交差部CRを含む領域である。なお、図1に示した第1シール部SL1と第3シール部SL3とが交差する交差部を含む領域においても、図2に示した領域Aと同様の構造が適用されているが、その説明は省略する。 FIG. 2 is an enlarged view of the area A of the display panel PNL shown in FIG. The illustrated region A is a region of the sealing material SE including the intersection CR where the first sealing portion SL1 and the second sealing portion SL2 intersect. The same structure as that of the region A shown in FIG. 2 is applied to the region including the intersection where the first seal portion SL1 and the third seal portion SL3 shown in FIG. 1 intersect. Is omitted.

図示した例では、交差部CRにおいて、シール材SEが延在していない空隙30が形成されているが、この空隙30は消失している場合もあり得る。また、空隙30から第1方向Xに沿って図示した破線は、2回の描画プロセスに分けてそれぞれ塗布したシール材間の境界線30Lを示している。この境界線30Lは、それぞれのシール材が幅方向に広がった後に硬化した状態では消失している。なお、境界線30Lを挟んでそれぞれ塗布したシール材が互いに離間していても良い。このようなシール材SEにおいて、第1シール部SL1は、第2シール部SL2よりも幅広に形成されている。尚、シール材の塗布は、ディスペンサを用いて描画することに限定されず、印刷版を用いた印刷やインクジェットを用いた描画であってもよい。この場合、境界線30Lは存在しない場合がある。 In the illustrated example, the gap 30 in which the sealing material SE does not extend is formed in the intersection CR, but the gap 30 may disappear. Further, the broken line shown along the first direction X from the gap 30 indicates the boundary line 30L between the sealing materials applied in each of the two drawing processes. The boundary line 30L disappears in a cured state after each sealing material spreads in the width direction. It should be noted that the sealing materials coated on the boundary line 30L may be separated from each other. In such a sealing material SE, the first sealing portion SL1 is formed wider than the second sealing portion SL2. The coating of the sealant is not limited to drawing using a dispenser, and may be printing using a printing plate or drawing using an inkjet. In this case, the boundary line 30L may not exist.

アレイ基板ARは、配線群WG、第3絶縁膜(後述する有機絶縁膜)13などを備えている。配線群WGは、周辺エリアPRPに配置された複数の配線WR1、WR2…を有している。図示した例では、配線WR1は、アレイ基板ARの基板端部ARAに最も近接して形成された最外周配線である。配線WR1、WR2…は、実装部MTと電気的に接続されている。配線WR1、WR2…は、例えば、アクティブエリアACTから周辺エリアPRPに引き出されたソース配線やゲート配線、周辺エリアに形成された回路に対する制御信号、クロック信号、電源などが供給される各種配線である。 The array substrate AR includes a wiring group WG, a third insulating film (organic insulating film described later) 13, and the like. The wiring group WG has a plurality of wirings WR1, WR2 ... Arranged in the peripheral area PRP. In the illustrated example, the wiring WR1 is the outermost wiring formed closest to the substrate end ARA of the array substrate AR. The wirings WR1, WR2 ... Are electrically connected to the mounting portion MT. Wiring WR1, WR2 ... Are, for example, various wirings to which source wiring and gate wiring drawn from the active area ACT to the peripheral area PRP, control signals, clock signals, power supplies, etc. for circuits formed in the peripheral area are supplied. ..

第3絶縁膜13は、配線群WGと重なる領域に形成されている。図示した例では、第3絶縁膜13は、配線群WGにおける最外周配線を含む全ての配線と重なるように形成されている。第3絶縁膜13には、溝部4が形成されている。溝部4は、第1シール部SL1と重なる領域において、第1方向Xに沿って形成され、また、第2シール部SL2と重なる領域において、第2方向に沿って形成されている。また、第3絶縁膜13には、交差部CRにおいて、対向基板CTの基板端部CTEと対向する位置まで拡張された除去部(凹部)4Eが形成されている。この除去部4Eは、溝部4に繋がっている。図示した例では、除去部4Eは、アレイ基板ARの基板端部ARAまで延在している。このような除去部4Eは、例えば、略三角形状に形成されている。除去部4Eの斜辺41は、配線群WGの配線方向に沿って延出している。除去部4Eの斜辺41と対向する頂角42は、基板端部ARAと基板端部CTEとの交点付近に位置している。第3絶縁膜13は、駆動ICチップ2が配置される実装部MTにおいても形成されていない。除去部4Eは実装部MTの第3絶縁膜13が形成されていない領域まで延在していてもよい。 The third insulating film 13 is formed in a region overlapping the wiring group WG. In the illustrated example, the third insulating film 13 is formed so as to overlap all the wiring including the outermost wiring in the wiring group WG. A groove 4 is formed in the third insulating film 13. The groove portion 4 is formed along the first direction X in the region overlapping the first seal portion SL1, and is formed along the second direction in the region overlapping the second seal portion SL2. Further, the third insulating film 13 is formed with a removing portion (recess) 4E extended to a position facing the substrate end portion CTE of the opposing substrate CT at the intersecting portion CR. The removing portion 4E is connected to the groove portion 4. In the illustrated example, the removal portion 4E extends to the substrate end ARA of the array substrate AR. Such a removing portion 4E is formed, for example, in a substantially triangular shape. The hypotenuse 41 of the removing portion 4E extends along the wiring direction of the wiring group WG. The apex angle 42 facing the hypotenuse 41 of the removing portion 4E is located near the intersection of the substrate end portion ARA and the substrate end portion CTE. The third insulating film 13 is not formed even in the mounting portion MT in which the drive IC chip 2 is arranged. The removing portion 4E may extend to a region where the third insulating film 13 of the mounting portion MT is not formed.

図3は、図2のB−C線における表示パネルPNLの断面を示す図である。なお、図3では、主に周辺エリアPRPにおける表示パネルPNLの構造を図示しており、アクティブエリアACTにおける表示パネルPNLの詳細な構造については図示を省略している。 FIG. 3 is a diagram showing a cross section of the display panel PNL in line BC of FIG. Note that FIG. 3 mainly illustrates the structure of the display panel PNL in the peripheral area PRP, and the detailed structure of the display panel PNL in the active area ACT is not shown.

表示パネルPNLは、アレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向する対向基板CTと、アレイ基板ARと対向基板CTの間に保持された液晶層LQと、を備えている。アレイ基板ARと対向基板CTとは、周辺エリアPRPにおいてシール材SEによって接着されている。 The display panel PNL includes an array substrate AR, an opposing substrate CT facing the array substrate AR, and a liquid crystal layer LQ held between the array substrate AR and the opposing substrate CT. The array substrate AR and the facing substrate CT are adhered to each other by the sealing material SE in the peripheral area PRP.

アレイ基板ARの説明において、「上」とは、対向基板CTに近接する側を意味する。アレイ基板ARは、第1絶縁基板10、第1配線5、第2配線6、第1絶縁膜11、第2絶縁膜12、第3絶縁膜13、第4絶縁膜14、第1配向膜AL1等を備えている。第1絶縁基板10は、ガラスや樹脂などの材料を用いて形成されている。第1絶縁基板10は、第1絶縁膜11に覆われている。なお、第1絶縁基板10と第1絶縁膜11との間に、他の絶縁膜や電極、配線などが介在していても良い。第1配線5は、第1絶縁膜11の上に形成されている。図示した例では、配線WR2や配線WR3などが第1配線5に相当する。第2絶縁膜12は、第1配線5及び第1絶縁膜11を覆っている。第2配線6は、第2絶縁膜12の上に形成されている。図示した例では、配線WR1や配線WR4などが第2配線6に相当する。第3絶縁膜13は、第2配線6及び第2絶縁膜12を覆っている。第1配線5及び第2配線6は、例えば、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)などの金属材料を用いて形成されている。 In the description of the array substrate AR, “upper” means the side close to the opposite substrate CT. The array substrate AR includes a first insulating substrate 10, a first wiring 5, a second wiring 6, a first insulating film 11, a second insulating film 12, a third insulating film 13, a fourth insulating film 14, and a first alignment film AL1. Etc. are provided. The first insulating substrate 10 is formed by using a material such as glass or resin. The first insulating substrate 10 is covered with the first insulating film 11. In addition, another insulating film, electrodes, wiring, or the like may be interposed between the first insulating substrate 10 and the first insulating film 11. The first wiring 5 is formed on the first insulating film 11. In the illustrated example, the wiring WR2, the wiring WR3, and the like correspond to the first wiring 5. The second insulating film 12 covers the first wiring 5 and the first insulating film 11. The second wiring 6 is formed on the second insulating film 12. In the illustrated example, the wiring WR1 and the wiring WR4 correspond to the second wiring 6. The third insulating film 13 covers the second wiring 6 and the second insulating film 12. The first wiring 5 and the second wiring 6 are formed by using a metal material such as molybdenum (Mo), tungsten (W), aluminum (Al), and titanium (Ti).

第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12は、無機絶縁膜に相当し、例えばシリコン酸化物(SiO)やシリコン窒化物(SiN)などの無機材料によって形成されている。第3絶縁膜13は、上記の通り、有機絶縁膜に相当し、例えば各種樹脂等の有機材料によって形成されている。第3絶縁膜13は、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12よりも厚い膜厚を有している。 The first insulating film 11 and the second insulating film 12 correspond to an inorganic insulating film, and are formed of an inorganic material such as silicon oxide (SiO) or silicon nitride (SiN). As described above, the third insulating film 13 corresponds to an organic insulating film and is formed of an organic material such as various resins. The third insulating film 13 has a thicker film thickness than the first insulating film 11 and the second insulating film 12.

図示した例では、第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12は、アクティブエリアACTから周辺エリアPRPに亘って概ね連続的に形成され、第1絶縁基板10の基板端部10Eまで延在している。第3絶縁膜13は、周辺エリアPRPにおいて、第2絶縁膜12まで貫通する溝部4によって途切れている。つまり、第3絶縁膜13は、周辺エリアPRPにおいて、基板端部10E側に位置する第1セグメント131と、アクティブエリアACT側に向かって延在する第2セグメント132とに分離されている。なお、図2に示した除去部4Eは、詳述しないが、溝部4と同様に第2絶縁膜12まで貫通している。 In the illustrated example, the first insulating film 11 and the second insulating film 12 are formed substantially continuously from the active area ACT to the peripheral area PRP and extend to the substrate end portion 10E of the first insulating substrate 10. There is. The third insulating film 13 is interrupted by a groove 4 penetrating to the second insulating film 12 in the peripheral area PRP. That is, the third insulating film 13 is separated into a first segment 131 located on the substrate end 10E side and a second segment 132 extending toward the active area ACT side in the peripheral area PRP. Although not described in detail, the removing portion 4E shown in FIG. 2 penetrates to the second insulating film 12 in the same manner as the groove portion 4.

最外周配線である配線WR1の溝部4側の端部Dと、第3絶縁膜13の溝部4に面した端部Eとの距離Lは、例えば10μm以上に設定されている。 The distance L between the end D on the groove 4 side of the wiring WR1, which is the outermost wiring, and the end E facing the groove 4 of the third insulating film 13 is set to, for example, 10 μm or more.

図示した例では、第4絶縁膜14は、第3絶縁膜13の上に形成されている。第4絶縁膜14は、無機絶縁膜に相当し、例えばシリコン窒化物(SiN)などの無機材料によって形成されている。第4絶縁膜14は、図示したようにアクティブエリアACTから周辺エリアPRPに亘って概ね連続的に形成されていてもよいし、アクティブエリアACTのみに形成されていてもよい。この第4絶縁膜14は、例えば、アレイ基板ARが画素電極及び共通電極を備える構成において、画素電極と共通電極との間に介在する層間絶縁膜に相当する。ここで、第4絶縁膜14は、縦電界や傾斜電界を利用する表示モードなどにおいては、省略される場合もある。 In the illustrated example, the fourth insulating film 14 is formed on the third insulating film 13. The fourth insulating film 14 corresponds to an inorganic insulating film and is formed of an inorganic material such as silicon nitride (SiN). As shown in the figure, the fourth insulating film 14 may be formed substantially continuously from the active area ACT to the peripheral area PRP, or may be formed only in the active area ACT. The fourth insulating film 14 corresponds to an interlayer insulating film interposed between the pixel electrodes and the common electrodes in a configuration in which the array substrate AR includes the pixel electrodes and the common electrodes. Here, the fourth insulating film 14 may be omitted in a display mode that utilizes a longitudinal electric field or a gradient electric field.

第1配向膜AL1は、第4絶縁膜14の上に形成されており、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。図3では第1配向膜の端部はシール材SE形成領域内に位置しているが、第1絶縁基板の基板端部10Eまで設ける構成であってもよい。 The first alignment film AL1 is formed on the fourth insulating film 14 and is arranged on the surface of the array substrate AR in contact with the liquid crystal layer LQ. In FIG. 3, the end portion of the first alignment film is located in the sealing material SE forming region, but a configuration may be provided up to the substrate end portion 10E of the first insulating substrate.

一方、対向基板CTは、第2絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、第2配向膜AL2等を備えている。第2絶縁基板20は、ガラスや樹脂などの材料を用いて形成されている。 On the other hand, the facing substrate CT includes a second insulating substrate 20, a light-shielding layer BM, a color filter CF, an overcoat layer OC, a second alignment film AL2, and the like. The second insulating substrate 20 is formed by using a material such as glass or resin.

遮光層BMは、第2絶縁基板20のアレイ基板ARに対向する側に形成されている。遮光層BMは、詳述しないがアクティブエリアACTにおいて各画素を区画するように形成されている。また、遮光層BMは、周辺エリアPRPにおいての概ね全体に亘って延在している。なお、図示した例では、遮光層BMは、スリット22を有している。スリット22は、例えば、配線WR1と対向している。一例では、スリット22の幅は、配線WR1の幅と同等もしくはそれ以下である。 The light-shielding layer BM is formed on the side of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR. Although not described in detail, the light-shielding layer BM is formed so as to partition each pixel in the active area ACT. Further, the light-shielding layer BM extends over almost the entire peripheral area PRP. In the illustrated example, the light-shielding layer BM has a slit 22. The slit 22 faces, for example, the wiring WR1. In one example, the width of the slit 22 is equal to or less than the width of the wiring WR1.

カラーフィルタCFは、アクティブエリアACTにおいて、第2絶縁基板20のアレイ基板ARに対向する側に形成され、その端部が遮光層BMと重なっている。カラーフィルタCFは、着色された樹脂材料によって形成されている。なお、カラーフィルタCFは、アレイ基板ARに設けても良い。 The color filter CF is formed on the side of the second insulating substrate 20 facing the array substrate AR in the active area ACT, and its end portion overlaps with the light shielding layer BM. The color filter CF is formed of a colored resin material. The color filter CF may be provided on the array substrate AR.

オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFと遮光層BMを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂材料によって形成されている。第2配向膜AL2は、オーバーコート層OCのアレイ基板ARと対向する側に形成されており、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。 The overcoat layer OC covers the color filter CF and the light-shielding layer BM. The overcoat layer OC is formed of a transparent resin material. The second alignment film AL2 is formed on the side of the overcoat layer OC facing the array substrate AR, and is arranged on the surface of the facing substrate CT in contact with the liquid crystal layer LQ.

図示した例では、表示パネルPNLは、さらに、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に介在するスペーサPSを備えている。このスペーサPSは、第1絶縁基板10の基板端部10Eと第2絶縁基板20の基板端部20Eとが対向する領域に位置している。一例では、スペーサPSは、対向基板CTに備えられ、オーバーコート層OCのアレイ基板ARと対向する側に形成されている。スペーサPSの先端部は、第3絶縁膜13の第1セグメント131に接触している。このようなスペーサPSは、図面の法線方向に連続的に延出した壁状に形成されても良いし、不連続の壁状に形成されても良いし、点在した柱状に形成されても良い。また、スペーサSPはアレイ基板AR側に形成されていてもよい。図では基板端部に設けられているスペーサPSのみ記載されているが、アクティブエリアACTや周辺エリアPRPに他のスペーサPSを設けても良い。 In the illustrated example, the display panel PNL further includes a spacer PS interposed between the array substrate AR and the opposing substrate CT. The spacer PS is located in a region where the substrate end portion 10E of the first insulating substrate 10 and the substrate end portion 20E of the second insulating substrate 20 face each other. In one example, the spacer PS is provided on the facing substrate CT and is formed on the side of the overcoat layer OC facing the array substrate AR. The tip of the spacer PS is in contact with the first segment 131 of the third insulating film 13. Such a spacer PS may be formed in the shape of a wall continuously extending in the normal direction of the drawing, may be formed in the shape of a discontinuous wall, or may be formed in scattered columns. Is also good. Further, the spacer SP may be formed on the AR side of the array substrate. In the figure, only the spacer PS provided at the end of the substrate is shown, but other spacer PS may be provided in the active area ACT or the peripheral area PRP.

上述したアレイ基板ARと対向基板CTとは、シール材SEによって接着されている。シール材SEは、溝部4にも充填されており、第3絶縁膜13の上面及び側面、さらには、溝部4において露出した第2絶縁膜12にも接触している。液晶層LQは、アレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に封入されている。 The array substrate AR and the facing substrate CT described above are adhered to each other by a sealing material SE. The sealing material SE is also filled in the groove portion 4, and is in contact with the upper surface and the side surface of the third insulating film 13 and also the second insulating film 12 exposed in the groove portion 4. The liquid crystal layer LQ is enclosed between the first alignment film AL1 of the array substrate AR and the second alignment film AL2 of the opposing substrate CT.

本実施形態によれば、シール材SEは、実装部MTに沿って形成された第1シール部SL1及び第1シール部SL1と交差する第2シール部SL2を有し、第1シール部SL1の第1幅W1は、第2シール部SL2の第2幅W2よりも大きい。つまり、表示に寄与しない周辺エリアPRPの実装部MT側で、より多くのシール材SEが塗布されている。このため、シール材SEの接着強度の低下を抑制することが可能である。したがって、シール材SEの剥れが抑制され、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することができる。 According to the present embodiment, the sealing material SE has a first sealing portion SL1 formed along the mounting portion MT and a second sealing portion SL2 intersecting the first sealing portion SL1, and the first sealing portion SL1. The first width W1 is larger than the second width W2 of the second seal portion SL2. That is, more sealing material SE is applied on the mounting portion MT side of the peripheral area PRP that does not contribute to the display. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the adhesive strength of the sealing material SE. Therefore, it is possible to provide a display device capable of suppressing peeling of the sealing material SE and improving reliability.

また、実装部MTに沿った第1シール部SL1においてシール材SEの接着強度が確保されるため、第1シール部SL1とは異なる部分のシール材SEの幅は、第1シール部SL1よりも小さくすることが可能となる。つまり、額縁状の周辺エリアPRPにおいて、実装部MTに沿った辺とは異なる辺に沿った幅を小さくすることができ、狭額縁化が可能となる。一例では、実装部MTとは異なる辺に沿った幅を1mm以下に設定した狭額縁仕様の表示装置において、シール材SEの接着強度を十分に確保できた。 Further, since the adhesive strength of the sealing material SE is ensured in the first sealing portion SL1 along the mounting portion MT, the width of the sealing material SE in the portion different from the first sealing portion SL1 is larger than that of the first sealing portion SL1. It can be made smaller. That is, in the frame-shaped peripheral area PRP, the width along the side different from the side along the mounting portion MT can be reduced, and the frame can be narrowed. In one example, in a display device having a narrow frame specification in which the width along a side different from that of the mounting portion MT is set to 1 mm or less, sufficient adhesive strength of the sealing material SE can be secured.

また、本実施形態によれば、表示パネルPNLの有機絶縁膜である第3絶縁膜13には溝部4が形成されている。溝部を形成することで、シール材SEとアレイ基板ARとの接触面積が増大し、シール材SEの接着強度を高めることが出来る。また、第3絶縁膜13の溝部4を無機絶縁膜である第2絶縁膜12まで貫通させた場合、シール材SEは、第3絶縁膜13のみならず溝部4において第2絶縁膜12と接着されている。図3に示したように、アレイ基板ARは、無機材料の第2絶縁膜12と有機材料の第3絶縁膜13とが積層された積層構造を有している。このような無機絶縁膜と有機絶縁膜との界面では、無機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造や、有機絶縁膜と有機絶縁膜との積層構造比べて、剥離を生じる可能性が高い。そのため、シール材SEが有機絶縁膜である第3絶縁膜13のみならず無機絶縁膜である第2絶縁膜12に直接接着されることにより、第2絶縁膜12と第3絶縁膜13との界面での剥離を抑制することが可能となる。したがって、シール材SEのアレイ基板ARとの接着強度をより強化することが可能となる。 Further, according to the present embodiment, the groove portion 4 is formed in the third insulating film 13 which is the organic insulating film of the display panel PNL. By forming the groove portion, the contact area between the sealing material SE and the array substrate AR is increased, and the adhesive strength of the sealing material SE can be increased. Further, when the groove 4 of the third insulating film 13 is penetrated to the second insulating film 12 which is an inorganic insulating film, the sealing material SE adheres to the second insulating film 12 not only in the third insulating film 13 but also in the groove 4. Has been done. As shown in FIG. 3, the array substrate AR has a laminated structure in which the second insulating film 12 made of an inorganic material and the third insulating film 13 made of an organic material are laminated. At the interface between the inorganic insulating film and the organic insulating film, there is a high possibility that peeling will occur as compared with the laminated structure of the inorganic insulating film and the inorganic insulating film or the laminated structure of the organic insulating film and the organic insulating film. Therefore, the sealing material SE is directly adhered not only to the third insulating film 13 which is an organic insulating film but also to the second insulating film 12 which is an inorganic insulating film, so that the second insulating film 12 and the third insulating film 13 are attached to each other. It is possible to suppress peeling at the interface. Therefore, it is possible to further strengthen the adhesive strength of the sealing material SE with the array substrate AR.

なお、対向基板CTにおいては、オーバーコート層OCや遮光層BM等の有機絶縁膜が積層された積層構造を有しているため、層間の界面での剥離は起こりにくい傾向にある。 Since the opposed substrate CT has a laminated structure in which organic insulating films such as the overcoat layer OC and the light-shielding layer BM are laminated, peeling at the interface between the layers tends to be difficult to occur.

また、第3絶縁膜13は、第1シール部SL1と第2シール部SL2とが交差する交差部において、溝部4に繋がり第2絶縁膜12まで貫通した除去部4Eを有している。この除去部4Eは、対向基板CTの基板端部CTEまで拡張されている。つまり、除去部4Eにおいて、シール材SEが第2絶縁膜12に接触される面積が拡張されるため、シール材SEによるアレイ基板ARと対向基板CTとの接着強度をより強化することが可能となる。特に、除去部4Eが三角形状に形成され、その斜辺が周辺エリアPRPの配線群WGの配線方向に延出している場合、配線群WGのほとんどの配線が第3絶縁膜13によって覆われる一方で、シール材SEと第2絶縁膜12との接着面積を拡大することが可能となる。 Further, the third insulating film 13 has a removing portion 4E that is connected to the groove portion 4 and penetrates to the second insulating film 12 at the intersection where the first sealing portion SL1 and the second sealing portion SL2 intersect. The removing portion 4E is extended to the substrate end CTE of the opposing substrate CT. That is, since the area in which the sealing material SE is in contact with the second insulating film 12 is expanded in the removing portion 4E, it is possible to further strengthen the adhesive strength between the array substrate AR and the opposing substrate CT by the sealing material SE. Become. In particular, when the removing portion 4E is formed in a triangular shape and its hypotenuse extends in the wiring direction of the wiring group WG of the peripheral area PRP, most of the wiring of the wiring group WG is covered with the third insulating film 13. , The adhesive area between the sealing material SE and the second insulating film 12 can be expanded.

さらに、本実施形態によれば、第3絶縁膜13は、溝部4によって基板端部10E側の第1セグメント131と、アクティブエリアACT側の第2セグメント132とに分離されている。有機絶縁膜である第3絶縁膜13は、無機絶縁膜に比べて高い透水性を有する材料によって形成される場合がある。このような場合であっても、第3絶縁膜13が溝部4を有していることにより、溝部4で水分の浸潤経路が遮られ、表示パネルPNLの外部からアクティブエリアACT側に向かう水分の侵入を抑制することが可能である。したがって、水分侵入に伴う不具合(例えば、液晶材料や配線の劣化など)の発生を抑制することが可能となる。 Further, according to the present embodiment, the third insulating film 13 is separated into a first segment 131 on the substrate end portion 10E side and a second segment 132 on the active area ACT side by the groove portion 4. The third insulating film 13 which is an organic insulating film may be formed of a material having higher water permeability than the inorganic insulating film. Even in such a case, since the third insulating film 13 has the groove portion 4, the infiltration path of water is blocked by the groove portion 4, and the moisture from the outside of the display panel PNL toward the active area ACT side is blocked. It is possible to suppress infiltration. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects (for example, deterioration of the liquid crystal material and wiring) due to the intrusion of moisture.

また、図3に示した例では、遮光層BMは、スリット22を有している。このため、遮光層BMが高い透水性を有する材料によって形成された場合であっても、遮光層BMがスリット22を有していることにより、表示パネルPNLの外部からの水分の侵入を抑制することが可能である。なお、アレイ基板ARが備える配線群WGのうち、少なくとも1つの配線(図3に示した例では配線WR1)は、遮光層BMのスリット22に対向して形成されており、アレイ基板ARの下方から照射される光の漏れを抑制することができる。 Further, in the example shown in FIG. 3, the light-shielding layer BM has a slit 22. Therefore, even when the light-shielding layer BM is formed of a material having high water permeability, the light-shielding layer BM has the slit 22 to suppress the invasion of moisture from the outside of the display panel PNL. It is possible. Of the wiring group WG included in the array substrate AR, at least one wiring (wiring WR1 in the example shown in FIG. 3) is formed so as to face the slit 22 of the light-shielding layer BM, and is below the array substrate AR. Leakage of light emitted from the can be suppressed.

また、本実施形態によれば、スペーサPSは、周辺エリアPRPにおいて、アレイ基板ARと対向基板CTとの間に介在している。このため、周辺エリアPRPにおいて、アレイ基板ARと対向基板CTとのギャップを保持することが可能となる。また、これらのアレイ基板AR及び対向基板CTを備えた表示パネルPNLは、例えば、複数のアレイ基板ARを形成するための第1マザー基板と、複数の対向基板CTを形成するための第2マザー基板とをシール材SEで貼り合わせた後にそれぞれカットすることで製造される。この際、第1マザー基板及び第2マザー基板のそれぞれのカットラインにスペーサPSを設けることにより、カットラインにおいてシール材SEがほとんど介在しない。このため、カットの際に加えられた外部応力がスペーサPSに向かって集中し、マザー基板のカット不良を抑制することが可能となる。また、カットラインに沿った位置には、シール材SEがほとんど存在しないため、切り出した表示パネルPNLを容易に分離することが可能となる。 Further, according to the present embodiment, the spacer PS is interposed between the array substrate AR and the facing substrate CT in the peripheral area PRP. Therefore, it is possible to maintain a gap between the array substrate AR and the opposing substrate CT in the peripheral area PRP. Further, the display panel PNL provided with these array substrate AR and facing substrate CT is, for example, a first mother substrate for forming a plurality of array substrate AR and a second mother substrate for forming a plurality of opposing substrate CT. It is manufactured by bonding a substrate with a sealing material SE and then cutting each of them. At this time, by providing the spacer PS at each cut line of the first mother substrate and the second mother substrate, the sealing material SE hardly intervenes in the cut line. Therefore, the external stress applied at the time of cutting is concentrated toward the spacer PS, and it is possible to suppress the cutting failure of the mother substrate. Further, since the sealing material SE is hardly present at the position along the cut line, the cut out display panel PNL can be easily separated.

また、本実施形態によれば、最外周配線である配線WR1の端部Dと第3絶縁膜13の端部Eとの距離Lは、10μm以上設けて形成される。このため、溝部4によって水分の浸潤経路が遮られるため、外部からの水分による配線WR1への影響を抑制することが可能となる。また、配線WR1が比較的厚膜の第3絶縁膜13によって覆われているため、アレイ基板AR及び対向基板CTを圧着した際に、シール材SEに含まれる含有物(例えばファイバー)から配線WR1を保護することが可能となる。 Further, according to the present embodiment, the distance L between the end D of the wiring WR1 which is the outermost wiring and the end E of the third insulating film 13 is provided to be 10 μm or more. Therefore, since the infiltration path of water is blocked by the groove portion 4, it is possible to suppress the influence of water from the outside on the wiring WR1. Further, since the wiring WR1 is covered with the third insulating film 13 having a relatively thick film, when the array substrate AR and the facing substrate CT are crimped, the wiring WR1 is removed from the inclusions (for example, fibers) contained in the sealing material SE. Can be protected.

なお、最外周配線が無機絶縁膜である第2絶縁膜12によって覆われている場合には、必ずしも最外周配線と重なる位置に第3絶縁膜13が配置されていなくても良い。尚、狭額縁化を優先させるために、第2絶縁膜12まで貫通させていない溝部4を第2配線6等を形成した領域に設けることも可能である。また、溝部4は第3絶縁膜を第2絶縁膜12まで貫通させ、除去部4Eでは第3絶縁膜を部分的に残存させる構造であってもよい。また、除去部における距離Lを溝部4における距離Lよりも大きくすることも可能である。また、配線WR1と斜辺41とを平行にする必要はなく、斜辺41の端部における距離Lよりも、斜辺41の中心部における距離Lが大きくなるようにしてもよい。 When the outermost wiring is covered with the second insulating film 12, which is an inorganic insulating film, the third insulating film 13 does not necessarily have to be arranged at a position overlapping the outermost wiring. In order to give priority to narrowing the frame, it is also possible to provide a groove portion 4 that does not penetrate to the second insulating film 12 in the region where the second wiring 6 or the like is formed. Further, the groove portion 4 may have a structure in which the third insulating film penetrates to the second insulating film 12 and the removing portion 4E partially leaves the third insulating film. It is also possible to make the distance L in the removing portion larger than the distance L in the groove portion 4. Further, it is not necessary to make the wiring WR1 and the hypotenuse 41 parallel to each other, and the distance L at the center of the hypotenuse 41 may be larger than the distance L at the end of the hypotenuse 41.

次に、本実施形態の変形例について説明する。 Next, a modified example of this embodiment will be described.

図4は、本実施形態に係る第1の変形例を示す図である。第1の変形例は、図2に示した構成例と比較すると、第3絶縁膜13がアレイ基板ARの基板端部ARAに沿った領域31まで形成されている点で相違している。換言すると、第3絶縁膜13の除去部4Eは、基板端部ARAまで延在していない。領域31に形成された第3絶縁膜13には、図3に示したのと同様に、スペーサPSが対向している。シール材SEにおいては、上記の構成例と同様に、第1シール部SL1は、第2シール部SL2よりも幅広に形成されている。 FIG. 4 is a diagram showing a first modification according to the present embodiment. The first modification is different from the configuration example shown in FIG. 2 in that the third insulating film 13 is formed up to the region 31 along the substrate end ARA of the array substrate AR. In other words, the removing portion 4E of the third insulating film 13 does not extend to the substrate end portion ARA. As shown in FIG. 3, the spacer PS faces the third insulating film 13 formed in the region 31. In the sealing material SE, the first sealing portion SL1 is formed wider than the second sealing portion SL2, as in the above configuration example.

このような変形例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。また、アレイ基板ARの基板端部ARAに沿って第3絶縁膜13が形成されたことにより、その第3絶縁膜13と対向するスペーサPSを配置することが可能となる。このため、周辺エリアPRPにおいて、アレイ基板ARと対向基板CTとのギャップをより安定に保持することが可能となる。 Even in such a modified example, the same effect as the above-mentioned configuration example can be obtained. Further, since the third insulating film 13 is formed along the substrate end portion ARA of the array substrate AR, the spacer PS facing the third insulating film 13 can be arranged. Therefore, in the peripheral area PRP, the gap between the array substrate AR and the opposing substrate CT can be maintained more stably.

図5は、本実施形態に係る第2の変形例を示す図である。第2の変形例は、図2に示した構成例と比較すると、略三角形状に形成された除去部4Eの内側に、さらに第3絶縁膜13の島部32が形成されている点で相違している。第1の変形例と同様に、島部32には、スペーサPSが対向している。なお、島部32は、溝部4及び除去部4Eとシール材SEとの接着面積が一定以上確保されていれば、その形状や大きさは特に限定されない。島部は1つに限らず、2つ以上設けてもよい。 FIG. 5 is a diagram showing a second modification according to the present embodiment. The second modification is different from the configuration example shown in FIG. 2 in that the island portion 32 of the third insulating film 13 is further formed inside the removal portion 4E formed in a substantially triangular shape. are doing. Similar to the first modification, the spacer PS faces the island portion 32. The shape and size of the island portion 32 are not particularly limited as long as the adhesive area between the groove portion 4 and the removing portion 4E and the sealing material SE is secured to a certain extent or more. The number of islands is not limited to one, and two or more may be provided.

このような変形例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
図6は、本実施形態に係る第3の変形例を示す図である。第3の変形例は、図2に示した構成例と比較すると、第3絶縁膜13の除去部4Eに面した端部(あるいは、除去部4Eの斜辺)が曲線部33を有する点で相違している。この曲線部33は、例えばシール材SEの交差部CRに沿った曲線状に形成されている。一例では、曲線部33は、シール材SEを塗布する際の軌跡に沿って形成されている。
Even in such a modified example, the same effect as the above-mentioned configuration example can be obtained.
FIG. 6 is a diagram showing a third modification according to the present embodiment. The third modification is different from the configuration example shown in FIG. 2 in that the end portion (or the hypotenuse of the removal portion 4E) of the third insulating film 13 facing the removal portion 4E has a curved portion 33. are doing. The curved portion 33 is formed in a curved shape along, for example, the intersection CR of the sealing material SE. In one example, the curved portion 33 is formed along a trajectory when the sealing material SE is applied.

このような変形例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、第3絶縁膜13の除去部4Eに面した端部において、第3絶縁膜13の膜厚相当の比較的大きな段差(例えば2μm)が形成されたとしても、あるいは、シール材SEの塗布位置にバラツキが生じたとしても、第3絶縁膜13の上面及び除去部4Eにほぼ同等のシール材SEを塗布することが可能となる。このため、シール材SEの偏りに起因した接着強度の低下を抑制することが可能となる。 Even in such a modified example, the same effect as the above-mentioned configuration example can be obtained. In addition, even if a relatively large step (for example, 2 μm) corresponding to the film thickness of the third insulating film 13 is formed at the end of the third insulating film 13 facing the removing portion 4E, or the sealing material SE Even if the coating position varies, it is possible to coat the upper surface of the third insulating film 13 and the removing portion 4E with substantially the same sealing material SE. Therefore, it is possible to suppress a decrease in adhesive strength due to the bias of the sealing material SE.

図7は、シール材を塗布する工程を模式的に示す図である。一例では、アレイ基板ARを形成するための第1マザー基板M1の一方の主面側(つまり、後に対向基板CTとなる第2マザー基板を接着する側)には、シール材SE1、SE2、SE3が塗布される。ここでは、アレイ基板3つ分のシール材のレイアウトを示している。なお、シール材SE1、SE2、SE3を塗布する順序については、特に制限はない。 FIG. 7 is a diagram schematically showing a process of applying the sealing material. In one example, the sealing materials SE1, SE2, and SE3 are placed on one main surface side of the first mother substrate M1 for forming the array substrate AR (that is, the side to which the second mother substrate that later becomes the facing substrate CT is adhered). Is applied. Here, the layout of the sealing material for three array substrates is shown. The order in which the sealing materials SE1, SE2, and SE3 are applied is not particularly limited.

アレイ基板AR1は、第2方向YのカットラインCL1、CL2及び第1方向XのカットラインCL5、CL6でカットされることにより形成される。アレイ基板AR2は、第2方向YのカットラインCL2、CL3及び第1方向XのカットラインCL5、CL6でカットされることにより形成される。アレイ基板AR3は、第2方向YのカットラインCL3、CL4及び第1方向XのカットラインCL5、CL6でカットされることにより形成される。 The array substrate AR1 is formed by being cut at the cut lines CL1 and CL2 in the second direction Y and the cut lines CL5 and CL6 in the first direction X. The array substrate AR2 is formed by being cut at the cut lines CL2 and CL3 in the second direction Y and the cut lines CL5 and CL6 in the first direction X. The array substrate AR3 is formed by being cut at the cut lines CL3 and CL4 in the second direction Y and the cut lines CL5 and CL6 in the first direction X.

シール材SE1は、アレイ基板AR1の領域で、カットラインCL1に沿い、カットラインCL6よりもカットラインCL5に近接する側に沿い、カットラインCL2に沿って塗布された後に、アレイ基板AR2の領域で、カットラインCL5に沿って塗布され、さらに、アレイ基板AR3の領域で、カットラインCL3に沿い、カットラインCL6よりもカットラインCL5に近接する側に沿い、カットラインCL4に沿い、一続きに塗布される。 The sealing material SE1 is applied along the cut line CL1 along the cut line CL1 and closer to the cut line CL5 than the cut line CL6 in the region of the array substrate AR1, and after being applied along the cut line CL2, in the region of the array substrate AR2. , Applied along the cut line CL5, and further, in the region of the array substrate AR3, along the cut line CL3, along the side closer to the cut line CL5 than the cut line CL6, and continuously applied along the cut line CL4. Will be done.

シール材SE2は、アレイ基板AR1の領域で、カットラインCL5に沿って塗布された後に、アレイ基板AR2の領域で、カットラインCL2に沿い、カットラインCL6よりもカットラインCL5に近接する側に沿い、カットラインCL3に沿って塗布され、さらに、アレイ基板AR3の領域で、カットラインCL5に沿い、一続きに塗布される。 The sealing material SE2 is applied along the cut line CL5 in the region of the array substrate AR1, and then along the cut line CL2 in the region of the array substrate AR2 and along the side closer to the cut line CL5 than the cut line CL6. , Is applied along the cut line CL3, and is further applied continuously along the cut line CL5 in the region of the array substrate AR3.

シール材SE3は、アレイ基板AR1乃至AR3の各領域において、シール材SE1及びシール材SE2と隣接する位置でカットラインCL6に沿って一続きに塗布される。つまり、アレイ基板AR1乃至AR3の各実装部MT1乃至MT3に沿って形成されるシール部は、シール材SEが2回塗布されることによって形成されている。シール材SE1乃至SE3が略同等の幅W12で塗布される場合には、各実装部MT1乃至MT3に沿ったシール部の幅W11は、幅W12の略2倍となる。尚、シール材SE1の塗布幅とSE2の塗布幅とに対し、シール材SE3の塗布幅を異ならせることで、幅W11に対する幅12を2倍以外に設定することも可能である。 The sealing material SE3 is continuously applied along the cut line CL6 at positions adjacent to the sealing material SE1 and the sealing material SE2 in each region of the array substrates AR1 to AR3. That is, the sealing portion formed along the mounting portions MT1 to MT3 of the array substrates AR1 to AR3 is formed by applying the sealing material SE twice. When the sealing materials SE1 to SE3 are applied with substantially the same width W12, the width W11 of the sealing portion along each mounting portion MT1 to MT3 is substantially twice the width W12. By making the coating width of the sealing material SE3 different from the coating width of the sealing material SE1 and the coating width of SE2, it is possible to set the width 12 with respect to the width W11 to a value other than double.

図8は、本実施形態に係る第4の変形例を示す図である。第4の変形例は、図2に示した構成例と比較すると、シール材SEの交差部CRにおいて空隙30が消失している点で相違している。すなわち、シール材SEは、交差部CRにおいて、アレイ基板ARの基板端部ARAまで延在している。このようなシール材SEにおいても、上記の構成例と同様に、第1シール部SL1は、第2シール部SL2よりも幅広に形成されている。 FIG. 8 is a diagram showing a fourth modification according to the present embodiment. The fourth modification is different from the configuration example shown in FIG. 2 in that the void 30 disappears at the intersection CR of the sealing material SE. That is, the sealing material SE extends to the substrate end ARA of the array substrate AR at the intersection CR. In such a sealing material SE, the first sealing portion SL1 is formed wider than the second sealing portion SL2, as in the above configuration example.

このような変形例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、この変形例におけるシール材SEは、上記のいずれの例よりも簡易な方法で形成可能である。以下に、そのシール材SEの形成方法の一例について説明する。 Even in such a modified example, the same effect as the above-mentioned configuration example can be obtained. In addition, the sealing material SE in this modification can be formed by a simpler method than in any of the above examples. An example of the method for forming the sealing material SE will be described below.

図9は、シール材SEを塗布する工程を模式的に示す図である。一例では、アレイ基板ARを形成するための第1マザー基板M1の一方の主面側(つまり、後に対向基板CTとなる第2マザー基板を接着する側)には、シール材SE4、SE5、SE6、SE7、SE8が塗布される。ここでは、アレイ基板3つ分のシール材のレイアウトを示している。なお、シール材SE4、SE5、SE6、SE7、SE8を塗布する順序については、特に制限はない。これらのシール材SE4、SE5、SE6、SE7、SE8は、ほぼ一定の幅W21で塗布される。 FIG. 9 is a diagram schematically showing a step of applying the sealing material SE. In one example, the sealing materials SE4, SE5, and SE6 are placed on one main surface side of the first mother substrate M1 for forming the array substrate AR (that is, the side to which the second mother substrate that later becomes the facing substrate CT is adhered). , SE7, SE8 are applied. Here, the layout of the sealing material for three array substrates is shown. The order in which the sealing materials SE4, SE5, SE6, SE7, and SE8 are applied is not particularly limited. These sealing materials SE4, SE5, SE6, SE7, and SE8 are applied with a substantially constant width W21.

シール材SE4は、カットラインCL5に沿って塗布される。シール材SE4は、幅W21の略中央がカットラインCL5に沿うように形成される。シール材SE5はカットラインCL6よりもカットラインCL5に近接する側に沿って塗布される。シール材SE6は、カットラインCL1に沿って塗布される。シール材SE6は、幅W21の略中央がカットラインCL1に沿うように形成される。シール材SE7は、カットラインCL2に沿って塗布される。シール材SE7は、幅W21の略中央がカットラインCL2に沿うように形成される。シール材SE8は、カットラインCL3に沿って塗布される。シール材SE8は、幅W21の略中央がカットラインCL3に沿うように形成される。シール材SE9は、カットラインCL4に沿って塗布される。シール材SE9は、幅W21の略中央がカットラインCL4に沿うように形成される。 The sealing material SE4 is applied along the cut line CL5. The sealing material SE4 is formed so that substantially the center of the width W21 is along the cut line CL5. The sealing material SE5 is applied along the side closer to the cut line CL5 than the cut line CL6. The sealing material SE6 is applied along the cut line CL1. The sealing material SE6 is formed so that substantially the center of the width W21 is along the cut line CL1. The sealing material SE7 is applied along the cut line CL2. The sealing material SE7 is formed so that the substantially center of the width W21 is along the cut line CL2. The sealing material SE8 is applied along the cut line CL3. The sealing material SE8 is formed so that substantially the center of the width W21 is along the cut line CL3. The sealing material SE9 is applied along the cut line CL4. The sealing material SE9 is formed so that substantially the center of the width W21 is along the cut line CL4.

図示した第1マザー基板M1と図示しない第2マザー基板とを貼り合わせた後にカットラインCL1乃至CL6に沿ってカットした際に、シール材SE4、SE6乃至SE9は幅W21の半分の幅W22となる。一方で、アレイ基板AR1乃至AR3のそれぞれの領域において、実装部MT1乃至MT3に沿って形成されるシール部は、幅W21で形成されたシール材SE5によって形成される。つまり、実装部MT1乃至MT3に沿って形成されるシール部の幅は、他の3辺に沿ったシール部の幅の略2倍となる。このようなシール材SEの形成方法によれば、実装部に沿って形成されるシール部について、複数回に亘ってシール材を塗布することなく、他の辺に沿ったシール部よりも幅広に形成することが可能である。 When the first mother substrate M1 shown and the second mother substrate (not shown) are bonded together and then cut along the cut lines CL1 to CL6, the sealing materials SE4 and SE6 to SE9 have a width W22 that is half the width W21. .. On the other hand, in each region of the array substrates AR1 to AR3, the sealing portion formed along the mounting portions MT1 to MT3 is formed by the sealing material SE5 formed with the width W21. That is, the width of the seal portion formed along the mounting portions MT1 to MT3 is approximately twice the width of the seal portion along the other three sides. According to such a method of forming the sealing material SE, the sealing portion formed along the mounting portion is wider than the sealing portion along the other sides without applying the sealing material a plurality of times. It is possible to form.

なお、シール材SE4は、必ずしもカットラインCL5と重なる必要はなく、シール材SE4が、カットラインCL5よりもカットラインCL6に近接する側に塗布されていてもよい。 The seal material SE4 does not necessarily have to overlap with the cut line CL5, and the seal material SE4 may be applied to the side closer to the cut line CL6 than the cut line CL5.

以上説明したように、本実施形態によれば、シール材の接着強度の低下を抑制し、信頼性を向上することが可能な表示装置を提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a display device capable of suppressing a decrease in the adhesive strength of the sealing material and improving reliability.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

5…第1配線 6…第2配線 10…第1絶縁基板 12…第2絶縁膜(無機絶縁膜)
13…第3絶縁膜(有機絶縁膜) 4…溝部 4E…除去部(凹部)
MT…実装部
SE…シール材 SL1…第1シール部 SL2…第2シール部
スペーサ…PS
5 ... 1st wiring 6 ... 2nd wiring 10 ... 1st insulating substrate 12 ... 2nd insulating film (inorganic insulating film)
13 ... Third insulating film (organic insulating film) 4 ... Groove 4E ... Removal part (recess)
MT ... Mounting part SE ... Sealing material SL1 ... 1st sealing part SL2 ... 2nd sealing part Spacer ... PS

Claims (6)

第1基板端部を有する第1基板と、
第2基板端部を有し、前記第1基板に対向する第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板を接着するシールと、を備え、
前記第1基板は、複数の画素を有する表示領域と、前記第2基板に重なり前記表示領域を含む第1領域と、前記第2基板に重ならない第2領域と、前記第1領域及び前記第2領域に亘って形成された有機絶縁膜と、を有し、
前記第2基板端部は、前記第1領域と前記第2領域との境界であり、
前記第2領域は、前記第1基板端部と前記第2基板端部との間の領域であり、
前記シールは、前記表示領域と前記第2基板端部との間において前記第2基板端部に沿って形成された第1シール部を有し、
前記有機絶縁膜は、
前記表示領域と前記第2基板端部との間において、前記第1シール部に沿って延出した当該有機絶縁膜の非形成部となる第1溝部と、
前記第1溝部において、前記第1基板端部側の第1側壁と、
前記第1側壁から離間した第2側壁と、を有し、
前記第1側壁は、前記表示領域と前記第2基板端部との間において前記第2基板端部に沿って形成され、
前記第2側壁は、前記第2基板端部と前記第1基板端部との間において前記第2基板端部に沿って形成されている、表示装置。
The first substrate having the end of the first substrate and
A second substrate having a second substrate end and facing the first substrate,
A seal for adhering the first substrate and the second substrate is provided.
The first substrate includes a display region having a plurality of pixels, a first region that overlaps the second substrate and includes the display region, a second region that does not overlap the second substrate, the first region, and the first substrate. It has an organic insulating film formed over two regions.
The end of the second substrate is a boundary between the first region and the second region.
The second region is a region between the end of the first substrate and the end of the second substrate.
The seal has a first seal portion formed along the second substrate end portion between the display area and the second substrate end portion.
The organic insulating film is
Between the display area and the end portion of the second substrate, a first groove portion that is a non-forming portion of the organic insulating film extending along the first seal portion and a first groove portion.
In the first groove portion, the first side wall on the end side of the first substrate and
It has a second side wall separated from the first side wall, and has.
The first side wall is formed between the display area and the end portion of the second substrate along the end portion of the second substrate.
A display device in which the second side wall is formed between the end of the second substrate and the end of the first substrate along the end of the second substrate.
前記第1基板端部及び前記第2基板端部は、第1方向に延出し、
前記有機絶縁膜は、前記第1側壁と前記第2側壁とを繋ぐ第3側壁を有し、
前記第3側壁は、前記第1方向に対して斜めに形成され、前記第2基板端部と交差する、請求項1に記載の表示装置。
The end of the first substrate and the end of the second substrate extend in the first direction.
The organic insulating film has a third side wall that connects the first side wall and the second side wall.
The display device according to claim 1, wherein the third side wall is formed obliquely with respect to the first direction and intersects the end portion of the second substrate.
前記シール部は、前記第1シール部と交差する第2シール部を有し、
前記有機絶縁膜は、前記第2シール部と重なる領域において、前記第2シール部に沿って延出した第2溝部を有し、
前記第2側壁は、前記第1シール部と前記第2シール部とが交差する交差部に位置する、請求項1または請求項2に記載の表示装置。
The seal portion has a second seal portion that intersects with the first seal portion.
The organic insulating film has a second groove portion extending along the second seal portion in a region overlapping the second seal portion.
The display device according to claim 1 or 2, wherein the second side wall is located at an intersection where the first seal portion and the second seal portion intersect.
前記第1シール部は、第1幅を有し、
前記第2シール部は、第2幅を有し、
前記第1幅は、前記第2幅より大きい、請求項3に記載の表示装置。
The first seal portion has a first width and has a first width.
The second seal portion has a second width and has a second width.
The display device according to claim 3, wherein the first width is larger than the second width.
前記第1基板は、前記第1基板端部と直交する第2方向に延出する第3基板端部を有し、
前記第2シール部は、前記第3基板端部に沿って形成され、
前記第2溝部は、前記表示領域と前記第3基板端部との間に位置し、
前記有機絶縁膜は、前記第2溝部において、前記第3基板端部側の第4側壁を有し、
前記第4側壁は、前記第2方向に沿って延出し、
前記第2側壁及び前記第4側壁は、前記交差部において繋がっている、請求項3に記載の表示装置。
The first substrate has a third substrate end extending in a second direction orthogonal to the first substrate end.
The second seal portion is formed along the end portion of the third substrate, and is formed.
The second groove portion is located between the display area and the end portion of the third substrate.
The organic insulating film has a fourth side wall on the end side of the third substrate in the second groove portion.
The fourth side wall extends along the second direction.
The display device according to claim 3, wherein the second side wall and the fourth side wall are connected at the intersection.
前記有機絶縁膜は、
前記第1側壁と対向する前記表示領域側の第5側壁と、
前記第4側壁と対向する前記表示領域側の第6側壁と、
前記交差部において前記第5側壁と前記第6側壁とを繋ぐ第7側壁と、を有し、
前記第1溝部は、前記第1側壁及び前記第5側壁により形成され、
前記第2溝部は、前記第4側壁及び前記第6側壁により形成され、
前記第7側壁は、前記第1方向及び前記第2方向に対して斜めに形成されている、請求項5に記載の表示装置。
The organic insulating film is
With the fifth side wall on the display area side facing the first side wall,
With the sixth side wall on the display area side facing the fourth side wall,
At the intersection, the fifth side wall and the seventh side wall connecting the sixth side wall are provided.
The first groove portion is formed by the first side wall and the fifth side wall.
The second groove portion is formed by the fourth side wall and the sixth side wall.
The display device according to claim 5, wherein the seventh side wall is formed obliquely with respect to the first direction and the second direction.
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