JP2020155480A - Coil component and manufacturing method therefor - Google Patents

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Abstract

To ensure balance between inductance and magnetic saturation characteristics in a coil component having a structure in which a spiral coil pattern is covered with a magnetic element body.SOLUTION: A coil component 1 includes magnetic element bodies M1 and M2, an insulating film 51 located between the magnetic element body M1 and the magnetic element body M2, and a coil pattern CP1 which is embedded in the magnetic element body M2 and wound spirally. The insulating film 51 has a locally small thickness at a portion overlapping an inner diameter region of the coil pattern CP1 when viewed in a coil axis direction. As described above, since the thickness of the insulating film 51 is locally small at the portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern CP1, it is possible to ensure the balance between the inductance and the magnetic saturation characteristics even when a relatively thick insulating film 51 is used.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明はコイル部品及びその製造方法に関し、特に、平面スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a coil component and a method for manufacturing the same, and more particularly to a coil component having a structure in which a plane spiral coil pattern is covered with a magnetic element and a method for manufacturing the same.

スパイラル状のコイルパターンを有するチップ型のコイル部品は、インダクタンスを高めるため、磁性素体で覆われることがある。例えば、特許文献1及び2には、スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品が開示されている。 A chip-type coil component having a spiral coil pattern may be covered with a magnetic element in order to increase the inductance. For example, Patent Documents 1 and 2 disclose coil components having a structure in which a spiral coil pattern is covered with a magnetic element.

特許文献1に記載されたコイル部品は、積層された複数のコイルパターン間に磁気ギャップ層を設けた構造を有している。一方、特許文献2に記載されたコイル部品は、コイルパターンの内径領域と重なる位置において絶縁膜が除去され、これにより、コイルパターンの内径領域と重なる位置において上下の磁性素体が接触する構造を有している。 The coil component described in Patent Document 1 has a structure in which a magnetic gap layer is provided between a plurality of laminated coil patterns. On the other hand, the coil component described in Patent Document 2 has a structure in which the insulating film is removed at a position overlapping the inner diameter region of the coil pattern, whereby the upper and lower magnetic elements come into contact with each other at a position overlapping the inner diameter region of the coil pattern. Have.

国際公開第2008/007705号パンフレットInternational Publication No. 2008/007705 Pamphlet 特開2017−11185号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-11185

しかしながら、特許文献1に記載されたコイル部品は、磁気ギャップ層の厚みを厚くすると、インダクタンスが低下するという問題があった。一方、特許文献2に記載されたコイル部品は、磁気ギャップが存在しないことから磁気飽和しやすいという問題があった。 However, the coil component described in Patent Document 1 has a problem that the inductance decreases when the thickness of the magnetic gap layer is increased. On the other hand, the coil component described in Patent Document 2 has a problem that it is easily magnetically saturated because there is no magnetic gap.

したがって、本発明は、スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品において、インダクタンスと磁気飽和特性のバランスを確保することを目的とする。また、本発明は、このようなコイル部品の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to secure a balance between inductance and magnetic saturation characteristics in a coil component having a structure in which a spiral coil pattern is covered with a magnetic element. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing such a coil component.

本発明によるコイル部品は、第1及び第2の磁性素体と、第1の磁性素体と第2の磁性素体の間に位置する絶縁膜と、第2の磁性素体に埋め込まれ、スパイラル状に巻回されたコイルパターンとを備え、絶縁膜は、コイル軸方向から見てコイルパターンの内径領域と重なる部分の厚みが局所的に薄いことを特徴とする。 The coil component according to the present invention is embedded in the first and second magnetic elements, the insulating film located between the first magnetic element and the second magnetic element, and the second magnetic element. It includes a coil pattern wound in a spiral shape, and the insulating film is characterized in that the thickness of a portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern when viewed from the coil axis direction is locally thin.

本発明によれば、コイルパターンの内径領域と重なる部分において絶縁膜の厚みが局所的に薄いことから、厚さの比較的厚い絶縁膜を使用する場合であっても、インダクタンスと磁気飽和特性のバランスを確保することが可能となる。 According to the present invention, since the thickness of the insulating film is locally thin in the portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern, the inductance and magnetic saturation characteristics are exhibited even when a relatively thick insulating film is used. It is possible to secure the balance.

本発明において、絶縁膜は、第1の磁性素体と接する第1の表面と、第2の磁性素体と接する第2の表面を有し、第1の表面には、コイル軸方向から見てコイルパターンの内径領域と重なる部分に凹部が設けられていても構わない。これによれば、絶縁膜と第1の磁性素体の接触面積が増大することから、絶縁膜と第1の磁性素体の界面における剥離が生じにくくなる。 In the present invention, the insulating film has a first surface in contact with the first magnetic element and a second surface in contact with the second magnetic element, and the first surface is viewed from the coil axis direction. A recess may be provided in a portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern. According to this, since the contact area between the insulating film and the first magnetic element increases, peeling at the interface between the insulating film and the first magnetic element is less likely to occur.

本発明において、第1の磁性素体と第2の磁性素体は、コイルパターンの外側領域において接していても構わない。これによれば、コイルパターンの外側領域における磁気抵抗を小さくすることができる。 In the present invention, the first magnetic element and the second magnetic element may be in contact with each other in the outer region of the coil pattern. According to this, the magnetic resistance in the outer region of the coil pattern can be reduced.

本発明によるコイル部品の製造方法は、第1の領域よりも第1の領域に囲まれた第2の領域の厚みが薄い絶縁膜を形成する第1の工程と、絶縁膜の第2の領域が内径領域と重なるよう、絶縁膜の第1の領域上にスパイラル状に巻回されたコイルパターンを形成する第2の工程と、絶縁膜を埋め込む第1の磁性素体とコイルパターンを埋め込む第2の磁性素体を形成する第3の工程とを備えることを特徴とする。 The method for manufacturing a coil component according to the present invention includes a first step of forming an insulating film having a thickness of a second region surrounded by a first region rather than a first region, and a second region of the insulating film. The second step of forming a coil pattern spirally wound on the first region of the insulating film so that is overlapped with the inner diameter region, and the first magnetic element for embedding the insulating film and the coil pattern for embedding the coil pattern. It is characterized by including a third step of forming the magnetic element of 2.

本発明によれば、コイルパターンの内径領域と重なる部分において絶縁膜の厚みが局所的に薄い構造を得ることが可能となる。 According to the present invention, it is possible to obtain a structure in which the thickness of the insulating film is locally thin at a portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern.

本発明において、第1の工程は、突起部を有する支持体に絶縁膜をラミネートする工程を含むものであっても構わない。これによれば、支持体の突起部の形状を絶縁膜に転写することが可能となる。 In the present invention, the first step may include a step of laminating an insulating film on a support having protrusions. According to this, the shape of the protrusion of the support can be transferred to the insulating film.

このように、本発明によれば、スパイラル状のコイルパターンが磁性素体で覆われた構造を有するコイル部品において、インダクタンスと磁気飽和特性のバランスを確保することが可能となる。また、本発明によれば、このようなコイル部品の製造方法を提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to secure a balance between inductance and magnetic saturation characteristics in a coil component having a structure in which a spiral coil pattern is covered with a magnetic element. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing such a coil component.

図1は、本発明の第1の実施形態によるコイル部品1の外観を示す略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing the appearance of the coil component 1 according to the first embodiment of the present invention. 図2は、コイル部品1を回路基板80に実装した状態を示す側面図であり、積層方向から見た図である。FIG. 2 is a side view showing a state in which the coil component 1 is mounted on the circuit board 80, and is a view seen from the stacking direction. 図3は、コイル部品1の断面図であり、外部端子E1,E2が現れる断面を示している。FIG. 3 is a cross-sectional view of the coil component 1, showing a cross-sectional view in which the external terminals E1 and E2 appear. 図4は、コイル部品1の断面図であり、外部端子E1,E2が現れない断面を示している。FIG. 4 is a cross-sectional view of the coil component 1, showing a cross-sectional view in which the external terminals E1 and E2 do not appear. 図5(a)〜(c)は、絶縁膜51の形状のいくつかのバリエーションを示す略断面図である。5 (a) to 5 (c) are schematic cross-sectional views showing some variations in the shape of the insulating film 51. 図6は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 6 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図7は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 7 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図8は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 8 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図9は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 9 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図10は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 10 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図11は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 11 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図12は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 12 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図13は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 13 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図14は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 14 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図15は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 15 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図16は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 16 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図17は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 17 is a process diagram for explaining a manufacturing method of the coil component 1. 図18は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 18 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図19は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 19 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図20は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 20 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図21は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 21 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図22は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 22 is a process diagram for explaining a method of manufacturing the coil component 1. 図23は、コイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。FIG. 23 is a process diagram for explaining the manufacturing method of the coil component 1. 図24は、導体層10のパターン形状を示す平面図である。FIG. 24 is a plan view showing the pattern shape of the conductor layer 10. 図25は、絶縁膜52のパターン形状を示す平面図である。FIG. 25 is a plan view showing the pattern shape of the insulating film 52. 図26は、導体層20のパターン形状を示す平面図である。FIG. 26 is a plan view showing the pattern shape of the conductor layer 20. 図27は、絶縁膜53のパターン形状を示す平面図である。FIG. 27 is a plan view showing the pattern shape of the insulating film 53. 図28は、導体層30のパターン形状を示す平面図である。FIG. 28 is a plan view showing the pattern shape of the conductor layer 30. 図29は、絶縁膜54のパターン形状を示す平面図である。FIG. 29 is a plan view showing the pattern shape of the insulating film 54. 図30は、導体層40のパターン形状を示す平面図である。FIG. 30 is a plan view showing the pattern shape of the conductor layer 40. 図31は、絶縁膜55のパターン形状を示す平面図である。FIG. 31 is a plan view showing the pattern shape of the insulating film 55. 図32は、絶縁膜51のパターン形状を示す平面図である。FIG. 32 is a plan view showing the pattern shape of the insulating film 51. 図33は、本発明の第2の実施形態によるコイル部品1Aの断面図である。FIG. 33 is a cross-sectional view of the coil component 1A according to the second embodiment of the present invention. 図34は、本発明の第3の実施形態によるコイル部品1Bの断面図である。FIG. 34 is a cross-sectional view of the coil component 1B according to the third embodiment of the present invention. 図35は、本発明の第4の実施形態によるコイル部品1Cの断面図である。FIG. 35 is a cross-sectional view of the coil component 1C according to the fourth embodiment of the present invention.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の第1の実施形態によるコイル部品1の外観を示す略斜視図である。 FIG. 1 is a schematic perspective view showing the appearance of the coil component 1 according to the first embodiment of the present invention.

本発明の第1の実施形態によるコイル部品1は電源回路用のインダクタとして用いることが好適な表面実装型のチップ部品であり、図1に示すように、第1及び第2の磁性素体M1,M2と、第1及び第2の磁性素体M1,M2に埋め込まれたコイル部Cとを備える。コイル部Cの構成については後述するが、本実施形態においてはスパイラル状のコイルパターンを有する導体層が4層積層され、これによって1つのコイル導体が形成される。そして、コイル導体の一端が第1の外部端子E1に接続され、コイル導体の他端が第2の外部端子E2に接続される。 The coil component 1 according to the first embodiment of the present invention is a surface mount type chip component suitable to be used as an inductor for a power supply circuit, and as shown in FIG. 1, the first and second magnetic elements M1 , M2 and coil portions C embedded in the first and second magnetic elements M1 and M2. The configuration of the coil portion C will be described later, but in the present embodiment, four conductor layers having a spiral coil pattern are laminated, whereby one coil conductor is formed. Then, one end of the coil conductor is connected to the first external terminal E1, and the other end of the coil conductor is connected to the second external terminal E2.

磁性素体M1,M2は、鉄(Fe)やパーマロイ系材料などからなる金属磁性粉を含有する樹脂からなる複合部材であり、コイルに電流を流すことによって生じる磁束の磁路を構成する。樹脂としては、液状又は粉体のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。磁性素体M1を構成する材料と磁性素体M2を構成する材料は、互いに同じであっても構わないし、互いに異なっていても構わない。 The magnetic elements M1 and M2 are composite members made of a resin containing a metallic magnetic powder made of iron (Fe), a permalloy-based material, or the like, and form a magnetic path of magnetic flux generated by passing an electric current through a coil. As the resin, it is preferable to use a liquid or powder epoxy resin. The material constituting the magnetic element M1 and the material constituting the magnetic element M2 may be the same as each other or may be different from each other.

本実施形態によるコイル部品1は、一般的な積層コイル部品とは異なり、積層方向であるz方向が回路基板と平行となるよう立てて実装される。具体的には、xz面を構成する磁性素体M1,M2の表面2が実装面として用いられる。そして、表面2には、第1の外部端子E1及び第2の外部端子E2が設けられる。第1の外部端子E1は、コイル部Cに形成されるコイル導体の一端が接続される端子であり、第2の外部端子E2は、コイル部Cに形成されるコイル導体の他端が接続される端子である。 Unlike a general laminated coil component, the coil component 1 according to the present embodiment is mounted upright so that the z direction, which is the stacking direction, is parallel to the circuit board. Specifically, the surface 2 of the magnetic elements M1 and M2 constituting the xz surface is used as the mounting surface. Then, a first external terminal E1 and a second external terminal E2 are provided on the surface 2. The first external terminal E1 is a terminal to which one end of the coil conductor formed in the coil portion C is connected, and the second external terminal E2 is connected to the other end of the coil conductor formed in the coil portion C. It is a terminal.

図1に示すように、第1の外部端子E1は、表面2からyz面を構成する表面3に亘って連続的に形成され、第2の外部端子E2は、表面2からyz面を構成する表面4に亘って連続的に形成される。外部端子E1,E2は、コイル部Cに含まれる電極パターンの露出面に形成されたニッケル(Ni)とスズ(Sn)の積層膜によって構成される。 As shown in FIG. 1, the first external terminal E1 is continuously formed from the surface 2 to the surface 3 forming the yz surface, and the second external terminal E2 constitutes the yz surface from the surface 2. It is continuously formed over the surface 4. The external terminals E1 and E2 are formed of a laminated film of nickel (Ni) and tin (Sn) formed on the exposed surface of the electrode pattern included in the coil portion C.

図2は、本実施形態によるコイル部品1を回路基板80に実装した状態を示す側面図であり、積層方向から見た図である。 FIG. 2 is a side view showing a state in which the coil component 1 according to the present embodiment is mounted on the circuit board 80, and is a view seen from the stacking direction.

図2に示すように、本実施形態によるコイル部品1は、回路基板80に立てて実装される。具体的には、磁性素体M1,M2の表面2が回路基板80の実装面と対向するよう、つまり、コイル部品1の積層方向であるz方向が回路基板80の実装面と平行となるよう、実装される。 As shown in FIG. 2, the coil component 1 according to the present embodiment is mounted upright on the circuit board 80. Specifically, the surface 2 of the magnetic elements M1 and M2 faces the mounting surface of the circuit board 80, that is, the z direction, which is the stacking direction of the coil components 1, is parallel to the mounting surface of the circuit board 80. , Will be implemented.

回路基板80にはランドパターン81,82が設けられており、これらランドパターン81,82にコイル部品1の外部端子E1,E2がそれぞれ接続される。ランドパターン81,82と外部端子E1,E2との電気的・機械的接続は、ハンダ83によって行われる。外部端子E1,E2のうち、コイル部品1の表面3,4に形成された部分には、ハンダ83のフィレットが形成される。外部端子E1,E2はニッケル(Ni)とスズ(Sn)の積層膜からなり、これによりハンダの濡れ性が高められている。 Land patterns 81 and 82 are provided on the circuit board 80, and the external terminals E1 and E2 of the coil component 1 are connected to these land patterns 81 and 82, respectively. The electrical and mechanical connections between the land patterns 81 and 82 and the external terminals E1 and E2 are made by solder 83. A fillet of solder 83 is formed on the portions of the external terminals E1 and E2 formed on the surfaces 3 and 4 of the coil component 1. The external terminals E1 and E2 are made of a laminated film of nickel (Ni) and tin (Sn), which enhances the wettability of the solder.

図3及び図4は本実施形態によるコイル部品1の断面図であり、図3は外部端子E1,E2が現れる断面を示し、図4は外部端子E1,E2が現れない断面を示している。 3 and 4 are cross-sectional views of the coil component 1 according to the present embodiment, FIG. 3 shows a cross section in which the external terminals E1 and E2 appear, and FIG. 4 shows a cross section in which the external terminals E1 and E2 do not appear.

図3及び図4に示すように、コイル部品1に含まれるコイル部Cは、2つの磁性素体M1,M2に埋め込まれており、絶縁膜51〜55と導体層10,20,30,40が交互に積層された構成を有している。導体層10,20,30,40はそれぞれスパイラル状のコイルパターンCP1〜CP4を有しており、コイルパターンCP1〜CP4の上面又は下面が絶縁膜51〜55で覆われている。コイルパターンCP1〜CP4の側面は、それぞれ層内絶縁パターン61〜64で覆われている。ここで、コイルパターンCP1〜CP4の上面及び下面とは、コイル軸に対して垂直な面を指し、コイルパターンCP1〜CP4の側面とは、コイル軸に対して水平な面を指す。 As shown in FIGS. 3 and 4, the coil portion C included in the coil component 1 is embedded in two magnetic elements M1 and M2, and has an insulating film 51 to 55 and a conductor layer 10, 20, 30, 40. Have a structure in which is alternately laminated. The conductor layers 10, 20, 30, and 40 each have a spiral coil pattern CP1 to CP4, and the upper surface or the lower surface of the coil patterns CP1 to CP4 is covered with an insulating film 51 to 55. The side surfaces of the coil patterns CP1 to CP4 are covered with the in-layer insulation patterns 61 to 64, respectively. Here, the upper surface and the lower surface of the coil patterns CP1 to CP4 refer to a surface perpendicular to the coil shaft, and the side surfaces of the coil patterns CP1 to CP4 refer to a surface horizontal to the coil shaft.

コイルパターンCP1〜CP4は、絶縁膜52〜54に形成されたスルーホールを介して互いに接続されることにより、コイル導体を構成している。導体層10,20,30,40の材料としては、銅(Cu)を用いることが好ましい。コイルパターンCP1〜CP4の内径領域及び外側領域にも、磁性素体M2が埋め込まれている。絶縁膜51〜55のうち、少なくとも絶縁膜52〜54については非磁性材料が用いられる。最下層に位置する絶縁膜51及び最上層に位置する絶縁膜55については、磁性材料を用いても構わない。 The coil patterns CP1 to CP4 form a coil conductor by being connected to each other via through holes formed in the insulating films 52 to 54. Copper (Cu) is preferably used as the material for the conductor layers 10, 20, 30, and 40. The magnetic element M2 is also embedded in the inner diameter region and the outer region of the coil patterns CP1 to CP4. Of the insulating films 51 to 55, at least the insulating films 52 to 54 are made of non-magnetic materials. A magnetic material may be used for the insulating film 51 located at the bottom layer and the insulating film 55 located at the top layer.

導体層10は、磁性素体M1の上面に絶縁膜51を介して形成された1層目の導体層である。導体層10には、スパイラル状に1ターン巻回されたコイルパターンCP1と、2つの電極パターン11,12が設けられている。コイルパターンCP1の側面は、層内絶縁パターン61によって覆われている。図3に示すように、所定の断面においては、コイルパターンCP1と電極パターン11が接続されている。これに対し、電極パターン12はコイルパターンCP1とは独立して設けられている。電極パターン11は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E1が形成されている。また、電極パターン12は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E2が形成されている。 The conductor layer 10 is a first-layer conductor layer formed on the upper surface of the magnetic element M1 via an insulating film 51. The conductor layer 10 is provided with a coil pattern CP1 wound spirally for one turn and two electrode patterns 11 and 12. The side surface of the coil pattern CP1 is covered with the in-layer insulation pattern 61. As shown in FIG. 3, the coil pattern CP1 and the electrode pattern 11 are connected in a predetermined cross section. On the other hand, the electrode pattern 12 is provided independently of the coil pattern CP1. The electrode pattern 11 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E1 is formed on the surface thereof. Further, the electrode pattern 12 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E2 is formed on the surface thereof.

導体層20は、導体層10の上面に絶縁膜52を介して形成された2層目の導体層である。導体層20には、スパイラル状に1ターン巻回されたコイルパターンCP2と、2つの電極パターン21,22が設けられている。コイルパターンCP2の側面は、層内絶縁パターン62によって覆われている。電極パターン21,22は、いずれもコイルパターンCP2とは独立して設けられている。電極パターン21は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E1が形成されている。また、電極パターン22は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E2が形成されている。 The conductor layer 20 is a second conductor layer formed on the upper surface of the conductor layer 10 via an insulating film 52. The conductor layer 20 is provided with a coil pattern CP2 wound spirally for one turn and two electrode patterns 21 and 22. The side surface of the coil pattern CP2 is covered with the intra-layer insulation pattern 62. The electrode patterns 21 and 22 are provided independently of the coil pattern CP2. The electrode pattern 21 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E1 is formed on the surface thereof. Further, the electrode pattern 22 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E2 is formed on the surface thereof.

導体層30は、導体層20の上面に絶縁膜53を介して形成された3層目の導体層である。導体層30には、スパイラル状に1ターン巻回されたコイルパターンCP3と、2つの電極パターン31,32が設けられている。コイルパターンCP3の側面は、層内絶縁パターン63によって覆われている。電極パターン31,32は、いずれもコイルパターンCP3とは独立して設けられている。電極パターン31は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E1が形成されている。また、電極パターン32は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E2が形成されている。 The conductor layer 30 is a third conductor layer formed on the upper surface of the conductor layer 20 via an insulating film 53. The conductor layer 30 is provided with a coil pattern CP3 wound in a spiral shape for one turn and two electrode patterns 31 and 32. The side surface of the coil pattern CP3 is covered with the intra-layer insulation pattern 63. The electrode patterns 31 and 32 are both provided independently of the coil pattern CP3. The electrode pattern 31 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E1 is formed on the surface thereof. Further, the electrode pattern 32 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E2 is formed on the surface thereof.

導体層40は、導体層30の上面に絶縁膜54を介して形成された4層目の導体層である。導体層40には、スパイラル状に1ターン巻回されたコイルパターンCP4と、2つの電極パターン41,42が設けられている。コイルパターンCP4の側面は、層内絶縁パターン64によって覆われている。図3に示すように、所定の断面においては、コイルパターンCP4と電極パターン42が接続されている。これに対し、電極パターン41はコイルパターンCP4とは独立して設けられている。電極パターン41は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E1が形成されている。また、電極パターン42は、コイル部Cから露出しており、その表面には外部端子E2が形成されている。 The conductor layer 40 is a fourth conductor layer formed on the upper surface of the conductor layer 30 via an insulating film 54. The conductor layer 40 is provided with a coil pattern CP4 wound in a spiral shape for one turn and two electrode patterns 41 and 42. The side surface of the coil pattern CP4 is covered with the intra-layer insulation pattern 64. As shown in FIG. 3, the coil pattern CP4 and the electrode pattern 42 are connected in a predetermined cross section. On the other hand, the electrode pattern 41 is provided independently of the coil pattern CP4. The electrode pattern 41 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E1 is formed on the surface thereof. Further, the electrode pattern 42 is exposed from the coil portion C, and an external terminal E2 is formed on the surface thereof.

そして、コイルパターンCP1〜CP4は、絶縁膜52〜54を貫通して設けられた図示しないビア導体を介して接続される。これにより、コイルパターンCP1〜CP4によって4ターンのコイル導体が形成され、その一端が外部端子E1に接続され、他端が外部端子E2に接続された構成となる。 Then, the coil patterns CP1 to CP4 are connected via via conductors (not shown) provided so as to penetrate the insulating films 52 to 54. As a result, the coil conductors of 4 turns are formed by the coil patterns CP1 to CP4, one end of which is connected to the external terminal E1 and the other end of which is connected to the external terminal E2.

本実施形態によるコイル部品1は、絶縁膜51が磁性素体M1に埋め込まれた構造を有する。その他の内部要素、つまり、導体層10,20,30,40、絶縁膜52〜55、並びに、層内絶縁パターン61〜64については、磁性素体M2に埋め込まれている。さらに、絶縁膜51は、平面視でコイルパターンCP1〜CP4と重なる第1の領域51と、第1の領域51に囲まれ、平面視でコイルパターンCP1〜CP4の内径領域と重なる第2の領域51を有しており、第1の領域51よりも第2の領域51の方が厚さが薄くなっている。また、磁性素体M1の上面のうち、絶縁膜51と接しない部分は、磁性素体M2と接している。つまり、平面視で、コイルパターンCP1〜CP4の外側領域においては、磁性素体M1と磁性素体M2が接しており、これにより、コイルパターンCP1〜CP4の外側領域における磁気抵抗が低減されている。 The coil component 1 according to the present embodiment has a structure in which the insulating film 51 is embedded in the magnetic element M1. The other internal elements, that is, the conductor layers 10, 20, 30, 40, the insulating films 52 to 55, and the in-layer insulation patterns 61 to 64 are embedded in the magnetic element M2. Furthermore, the insulating film 51 has a first region 51 1 overlapping the coil pattern CP1~CP4 in plan view, surrounded by the first region 51 1, second overlapping the inner diameter area of the coil pattern CP1~CP4 in plan view It has a region 51 2, than the first region 51 1 it is the thickness of the second region 51 2 is thinner. Further, the portion of the upper surface of the magnetic element M1 that is not in contact with the insulating film 51 is in contact with the magnetic element M2. That is, in a plan view, the magnetic element M1 and the magnetic element M2 are in contact with each other in the outer region of the coil patterns CP1 to CP4, whereby the magnetic resistance in the outer region of the coil patterns CP1 to CP4 is reduced. ..

このように、本実施形態においては、平面視でコイルパターンCP1〜CP4の内径領域と重なる部分において絶縁膜51の厚みが局所的に薄いことから、磁気ギャップの厚みを絶縁膜51の本来の厚みよりも薄くすることができる。これにより、絶縁膜51の本来の厚みが厚い場合や、絶縁膜51を全体的に薄く形成することが困難な場合であっても、第2の領域51の厚さを調節することによりインダクタンスと磁気飽和特性のバランスを確保することが可能となる。 As described above, in the present embodiment, since the thickness of the insulating film 51 is locally thin in the portion overlapping the inner diameter region of the coil patterns CP1 to CP4 in a plan view, the thickness of the magnetic gap is set to the original thickness of the insulating film 51. Can be made thinner than. Thus, if the original thickness thick and the insulating film 51, even if it is difficult to entirely form a thin insulating film 51, the inductance by adjusting the thickness of the second region 51 2 It is possible to secure a balance between the magnetic saturation characteristics and the magnetic saturation characteristics.

絶縁膜51の第2の領域51の断面形状については特に限定されず、図5(a)に示すように第1の領域51と第2の領域51の境界がほぼ垂直であっても構わないし、図5(b)に示すように第1の領域51と第2の領域51の境界がテーパー状であっても構わない。また、図5(c)に示すように第2の領域51が複数設けられていても構わない。 There is no particular limitation on the second region 51 2 of the cross-sectional shape of the insulating film 51, a first region 51 1 and the second boundary second region 51 is substantially vertical as shown in FIG. 5 (a) it may be, the first region 51 1 and the second region 51 2 of the boundary as shown in FIG. 5 (b) may be a tapered shape. Further, as shown in FIG. 5 (c), a plurality of second regions 521 may be provided.

本実施形態においては、絶縁膜51の表面のうち、磁性素体M2と接する上面51Uはほぼ平坦であるが、磁性素体M1と接する下面51Bが凹部を有しており、これによって、第2の領域51の厚みが薄くされている。その結果、磁性素体M1がこの凹部に埋め込まれた状態となる。これにより、磁性素体M1と絶縁膜51との接触面積が増大することから、磁性素体M1と絶縁膜51の熱膨張係数に差がある場合であっても、両者の界面における剥離が生じにくくなる。特に、図5(c)に示すように第2の領域51を複数設ければ、磁性素体M1と絶縁膜51との接触面積をより増大させることが可能となる。一方、磁性素体M2と絶縁膜52〜55及び層内絶縁パターン61〜64については、接触面積が広く、且つ、複雑に入り組んでいることから、両者の界面における剥離はそもそも生じにくい。これにより、本実施形態によるコイル部品1は、高い信頼性を確保することも可能となる。 In the present embodiment, of the surface of the insulating film 51, the upper surface 51U in contact with the magnetic element M2 is substantially flat, but the lower surface 51B in contact with the magnetic element M1 has a recess, whereby the second surface is formed. region 51 2 the thickness of which is thinned. As a result, the magnetic element M1 is embedded in this recess. As a result, the contact area between the magnetic element M1 and the insulating film 51 increases, so that even if there is a difference in the coefficient of thermal expansion between the magnetic element M1 and the insulating film 51, peeling occurs at the interface between the two. It becomes difficult. In particular, if a plurality of second regions 521 are provided as shown in FIG. 5C, the contact area between the magnetic element M1 and the insulating film 51 can be further increased. On the other hand, since the magnetic element M2, the insulating films 52 to 55, and the in-layer insulating patterns 61 to 64 have a wide contact area and are intricately intertwined, peeling at the interface between the two is unlikely to occur in the first place. This makes it possible to ensure high reliability of the coil component 1 according to the present embodiment.

次に、本実施形態によるコイル部品1の製造方法について説明する。 Next, a method of manufacturing the coil component 1 according to the present embodiment will be described.

図6〜図23は、本実施形態によるコイル部品1の製造方法を説明するための工程図である。図6〜図23に示す工程図は、1個のコイル部品1に対応する断面を示しているが、実際には、集合基板を用いて多数のコイル部品1を同時に作製することによって多数個取りすることができる。 6 to 23 are process diagrams for explaining the manufacturing method of the coil component 1 according to the present embodiment. The process diagrams shown in FIGS. 6 to 23 show a cross section corresponding to one coil component 1, but in reality, a large number of coil components 1 are taken by simultaneously manufacturing a large number of coil components 1 using an assembly substrate. can do.

まず、基材71の表面に銅(Cu)などの金属箔72が設けられた支持体70を用意し(図6)、金属箔72に突起部72aを形成する(図7)。突起部72aの形成方法としては、突起部72aを形成すべき領域の金属箔72を選択的にメッキ成長させる方法を用いても構わないし、突起部72aを形成すべき領域をマスクした状態で金属箔72の露出面をエッチングする方法を用いても構わない。 First, a support 70 provided with a metal foil 72 such as copper (Cu) on the surface of the base material 71 is prepared (FIG. 6), and a protrusion 72a is formed on the metal foil 72 (FIG. 7). As a method for forming the protrusions 72a, a method of selectively plating and growing the metal foil 72 in the region where the protrusions 72a should be formed may be used, or the metal in a state where the region where the protrusions 72a should be formed is masked. A method of etching the exposed surface of the foil 72 may be used.

次に、突起部72aが設けられた金属箔72の表面に、絶縁膜51及びシード層13を形成する(図8)。絶縁膜51及びシード層13の形成は、ラミネート法によって行うことができる。これにより、突起部72aの形状が絶縁膜51に転写され、絶縁膜51には厚い第1の領域51と薄い第2の領域51が形成される。 Next, the insulating film 51 and the seed layer 13 are formed on the surface of the metal foil 72 provided with the protrusions 72a (FIG. 8). The insulating film 51 and the seed layer 13 can be formed by a laminating method. Thus, the shape of the protrusion 72a is transferred to the insulating film 51, 2 is thicker first region 51 1 and the thin second region 51 is formed in the insulating film 51.

次に、シード層13をパターニングすることによって絶縁膜51の一部を露出させた後(図9)、絶縁膜51の露出部分に層内絶縁パターン61を形成する(図10)。層内絶縁パターン61は感光性永久レジストからなるコイルパターンCP1のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターン61によって区画された領域はスパイラル状である。 Next, a part of the insulating film 51 is exposed by patterning the seed layer 13 (FIG. 9), and then an in-layer insulating pattern 61 is formed in the exposed portion of the insulating film 51 (FIG. 10). The intra-layer insulation pattern 61 is a negative pattern of the coil pattern CP1 made of a photosensitive permanent resist, and therefore the region partitioned by the intra-layer insulation pattern 61 is spiral.

次に、電解メッキによってシード層13を成長させることにより、導体層10を形成する(図11)。これにより、層内絶縁パターン61によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンCP1が形成される。この時、コイルパターンCP1の内径領域及び外側領域には、犠牲パターンVP1が形成される。導体層10の平面形状は図24に示すとおりであり、スパイラル状に巻回されたコイルパターンCP1と、コイルパターンCP1の外側領域に位置する2つの電極パターン11,12と、コイルパターンCP1の内径領域及び外側領域に位置する犠牲パターンVP1からなる。図24に示すように、コイルパターンCP1の一端は、電極パターン11に接続されている。 Next, the conductor layer 10 is formed by growing the seed layer 13 by electrolytic plating (FIG. 11). As a result, the spiral coil pattern CP1 is formed in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern 61. At this time, the sacrificial pattern VP1 is formed in the inner diameter region and the outer region of the coil pattern CP1. The planar shape of the conductor layer 10 is as shown in FIG. 24, the coil pattern CP1 wound in a spiral shape, the two electrode patterns 11 and 12 located in the outer region of the coil pattern CP1, and the inner diameter of the coil pattern CP1. It consists of a sacrifice pattern VP1 located in the region and the outer region. As shown in FIG. 24, one end of the coil pattern CP1 is connected to the electrode pattern 11.

次に、導体層10の表面に絶縁膜52及びシード層23を形成する(図12)。絶縁膜52及びシード層23の形成は、ラミネート法によって行うことができる。次に、シード層23及び絶縁膜52をスパイラル状にパターニングした後、シード層23をさらにパターニングすることによって絶縁膜52の一部を露出させる(図13)。絶縁膜52のパターン形状は、図25に示すとおりであり、コイルパターンCP1の内径領域に対応する位置に開口部52aが設けられ、コイルパターンCP1の外側領域に対応する位置に開口部52bが設けられる。また、絶縁膜52には、コイルパターンCP1の他端と重なる位置に開口部52cが形成され、電極パターン11,12と重なる位置に開口部52dが形成される。 Next, the insulating film 52 and the seed layer 23 are formed on the surface of the conductor layer 10 (FIG. 12). The insulating film 52 and the seed layer 23 can be formed by a laminating method. Next, after the seed layer 23 and the insulating film 52 are patterned in a spiral shape, a part of the insulating film 52 is exposed by further patterning the seed layer 23 (FIG. 13). The pattern shape of the insulating film 52 is as shown in FIG. 25, and the opening 52a is provided at a position corresponding to the inner diameter region of the coil pattern CP1 and the opening 52b is provided at a position corresponding to the outer region of the coil pattern CP1. Be done. Further, in the insulating film 52, an opening 52c is formed at a position overlapping the other end of the coil pattern CP1, and an opening 52d is formed at a position overlapping the electrode patterns 11 and 12.

次に、絶縁膜52の露出部分に層内絶縁パターン62を形成する(図14)。層内絶縁パターン62は感光性永久レジストからなるコイルパターンCP2のネガパターンであり、したがって、層内絶縁パターン62によって区画された領域はスパイラル状である。 Next, the in-layer insulation pattern 62 is formed in the exposed portion of the insulating film 52 (FIG. 14). The intra-layer insulation pattern 62 is a negative pattern of the coil pattern CP2 made of a photosensitive permanent resist, and therefore the region partitioned by the intra-layer insulation pattern 62 is spiral.

次に、電解メッキによってシード層23及び犠牲パターンVP1を成長させることにより、導体層20を形成する(図15)。これにより、層内絶縁パターン62によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンCP2が形成され、コイルパターンCP2の内径領域及び外側領域には、犠牲パターンVP2が形成される。導体層20の平面形状は図26に示すとおりであり、スパイラル状に巻回されたコイルパターンCP2と、コイルパターンCP2の外側領域に位置する2つの電極パターン21,22と、コイルパターンCP2の内径領域及び外側領域に位置する犠牲パターンVP2からなる。 Next, the conductor layer 20 is formed by growing the seed layer 23 and the sacrificial pattern VP1 by electrolytic plating (FIG. 15). As a result, the spiral coil pattern CP2 is formed in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern 62, and the sacrificial pattern VP2 is formed in the inner diameter region and the outer region of the coil pattern CP2. The planar shape of the conductor layer 20 is as shown in FIG. 26, the coil pattern CP2 wound in a spiral shape, the two electrode patterns 21 and 22 located in the outer region of the coil pattern CP2, and the inner diameter of the coil pattern CP2. It consists of a sacrifice pattern VP2 located in the region and the outer region.

上述した方法を繰り返すことにより、シード層33及び絶縁膜53のパターニング、層内絶縁パターン63の形成、導体層30の形成を行う(図16)。これにより、層内絶縁パターン63によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンCP3が形成され、コイルパターンCP3の内径領域及び外側領域には、犠牲パターンVP3が形成される。絶縁膜53のパターン形状は、図27に示すとおりであり、コイルパターンCP3の内径領域に対応する位置に開口部53aが設けられ、コイルパターンCP3の外側領域に対応する位置に開口部53bが設けられる。また、絶縁膜53には、コイルパターンCP2の一端と重なる位置に開口部53cが形成され、電極パターン21,22と重なる位置に開口部53dが形成される。導体層30の平面形状は図28に示すとおりであり、スパイラル状に巻回されたコイルパターンCP3と、コイルパターンCP3の外側領域に位置する2つの電極パターン31,32と、コイルパターンCP3の内径領域及び外側領域に位置する犠牲パターンVP3からなる。 By repeating the above-mentioned method, the seed layer 33 and the insulating film 53 are patterned, the in-layer insulating pattern 63 is formed, and the conductor layer 30 is formed (FIG. 16). As a result, the spiral coil pattern CP3 is formed in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern 63, and the sacrificial pattern VP3 is formed in the inner diameter region and the outer region of the coil pattern CP3. The pattern shape of the insulating film 53 is as shown in FIG. 27, and the opening 53a is provided at a position corresponding to the inner diameter region of the coil pattern CP3, and the opening 53b is provided at a position corresponding to the outer region of the coil pattern CP3. Be done. Further, in the insulating film 53, an opening 53c is formed at a position overlapping one end of the coil pattern CP2, and an opening 53d is formed at a position overlapping the electrode patterns 21 and 22. The planar shape of the conductor layer 30 is as shown in FIG. 28, the coil pattern CP3 wound in a spiral shape, the two electrode patterns 31 and 32 located in the outer region of the coil pattern CP3, and the inner diameter of the coil pattern CP3. It consists of a sacrificial pattern VP3 located in the region and the outer region.

同様の工程を繰り返すことにより、シード層43及び絶縁膜53のパターニング、層内絶縁パターン64の形成、導体層40の形成を行う(図17)。これにより、層内絶縁パターン64によって区画された領域にスパイラル状のコイルパターンCP4が形成され、コイルパターンCP4の内径領域及び外側領域には、犠牲パターンVP4が形成される。絶縁膜54のパターン形状は、図29に示すとおりであり、コイルパターンCP4の内径領域に対応する位置に開口部54aが設けられ、コイルパターンCP4の外側領域に対応する位置に開口部54bが設けられる。また、絶縁膜54には、コイルパターンCP3の一端と重なる位置に開口部54cが形成され、電極パターン31,32と重なる位置に開口部54dが形成される。導体層40の平面形状は図30に示すとおりであり、スパイラル状に巻回されたコイルパターンCP4と、コイルパターンCP4の外側領域に位置する2つの電極パターン41,42と、コイルパターンCP4の内径領域及び外側領域に位置する犠牲パターンVP4からなる。図30に示すように、コイルパターンCP4の一端は、電極パターン42に接続されている。 By repeating the same steps, the seed layer 43 and the insulating film 53 are patterned, the in-layer insulating pattern 64 is formed, and the conductor layer 40 is formed (FIG. 17). As a result, the spiral coil pattern CP4 is formed in the region partitioned by the intra-layer insulation pattern 64, and the sacrificial pattern VP4 is formed in the inner diameter region and the outer region of the coil pattern CP4. The pattern shape of the insulating film 54 is as shown in FIG. 29, and the opening 54a is provided at a position corresponding to the inner diameter region of the coil pattern CP4, and the opening 54b is provided at a position corresponding to the outer region of the coil pattern CP4. Be done. Further, in the insulating film 54, an opening 54c is formed at a position overlapping one end of the coil pattern CP3, and an opening 54d is formed at a position overlapping the electrode patterns 31 and 32. The planar shape of the conductor layer 40 is as shown in FIG. 30, the coil pattern CP4 wound in a spiral shape, the two electrode patterns 41 and 42 located in the outer region of the coil pattern CP4, and the inner diameter of the coil pattern CP4. It consists of a sacrifice pattern VP4 located in the region and the outer region. As shown in FIG. 30, one end of the coil pattern CP4 is connected to the electrode pattern 42.

次に、導体層40の表面に絶縁膜55を形成した後(図18)、絶縁膜55をパターニングすることによって、犠牲パターンVP4を露出させる(図19)。絶縁膜55のパターン形状は、図31に示すとおりであり、コイルパターンCP4の内径領域に対応する位置に開口部55aが設けられ、コイルパターンCP4の外側領域に対応する位置に開口部55bが設けられる。次に、ウェットエッチングを行うことにより、犠牲パターンVP1〜VP4を除去する(図20)。コイルパターンCP1〜CP4については、絶縁膜51〜55及び層内絶縁パターン61〜64で覆われているため、エッチングされることはない。これにより、コイルパターンCP1〜CP4の内径領域及び外側領域には、空間Sが形成される。 Next, after forming the insulating film 55 on the surface of the conductor layer 40 (FIG. 18), the sacrificial pattern VP4 is exposed by patterning the insulating film 55 (FIG. 19). The pattern shape of the insulating film 55 is as shown in FIG. 31, and the opening 55a is provided at a position corresponding to the inner diameter region of the coil pattern CP4, and the opening 55b is provided at a position corresponding to the outer region of the coil pattern CP4. Be done. Next, the sacrificial patterns VP1 to VP4 are removed by performing wet etching (FIG. 20). Since the coil patterns CP1 to CP4 are covered with the insulating films 51 to 55 and the in-layer insulating patterns 61 to 64, they are not etched. As a result, a space S is formed in the inner diameter region and the outer region of the coil patterns CP1 to CP4.

次に、この空間Sを埋める磁性素体M2を形成した後(図21)、支持体70を剥離する(図22)。これにより、凹凸を有する絶縁膜51の下面51Bが露出する。次に、絶縁膜51をパターニングすることによって、コイルパターンCP1の外側領域に位置する磁性素体M2を露出させる。絶縁膜51のパターン形状は、図32に示すとおりであり、コイルパターンCP1の外側領域に対応する位置に開口部51bが設けられる。コイルパターンCP1の内径領域と重なる位置には凹部が設けられており、この部分が厚みの薄い第2の領域51を構成する。 Next, after forming the magnetic element M2 that fills this space S (FIG. 21), the support 70 is peeled off (FIG. 22). As a result, the lower surface 51B of the insulating film 51 having irregularities is exposed. Next, the insulating film 51 is patterned to expose the magnetic element M2 located in the outer region of the coil pattern CP1. The pattern shape of the insulating film 51 is as shown in FIG. 32, and the opening 51b is provided at a position corresponding to the outer region of the coil pattern CP1. To overlap with the inner diameter area of the coil pattern CP1 is provided with a recess, this portion constitutes a 2 thin second region 51 thickness.

そして、絶縁膜51を覆うように磁性素体M1を形成すれば、本実施形態によるコイル部品1が完成する。 Then, if the magnetic element M1 is formed so as to cover the insulating film 51, the coil component 1 according to the present embodiment is completed.

このように、本実施形態においては、突起部72aが設けられた金属箔72の表面に絶縁膜51をラミネートしていることから、突起部72aの形状が絶縁膜51に転写される。これにより、厚みの厚い第1の領域51と厚みの薄い第2の領域51を形成することが可能となる。したがって、ラミネートする絶縁膜51の厚みが厚い場合であっても、平面視でコイルパターンCP1〜CP4の内径領域と重なる位置においては、絶縁膜51の厚さを局所的に薄くできる。これにより、インダクタンスと磁気飽和特性のバランスを確保することが可能となる。 As described above, in the present embodiment, since the insulating film 51 is laminated on the surface of the metal foil 72 provided with the protrusions 72a, the shape of the protrusions 72a is transferred to the insulating film 51. Thus, it is possible to form a thin second region 51 2 thick first region 51 1 and the thickness of the thickness. Therefore, even when the thickness of the insulating film 51 to be laminated is thick, the thickness of the insulating film 51 can be locally reduced at a position where it overlaps with the inner diameter region of the coil patterns CP1 to CP4 in a plan view. This makes it possible to secure a balance between the inductance and the magnetic saturation characteristic.

ここで、インダクタンスをより高める必要がある場合には、突起部72aの高さをより高くすることによって、絶縁膜51の第2の領域51の厚さをより薄くすれば良い。一方、より磁気飽和しにくくする必要がある場合には、突起部72aの高さをより低くすることによって、絶縁膜51の第2の領域51の厚さをより厚くすれば良い。このように、絶縁膜51の本来の厚さである第1の領域51の厚さにかかわらず、絶縁膜51の第2の領域51の厚さを調整することによって、インダクタンス及び磁気飽和特性を調整することができる。インダクタンスと磁気飽和特性の調整は、絶縁膜51の第2の領域51の厚さだけでなく、図5(c)に示したように、第2の領域51の数によって調整することも可能である。 Here, when it is necessary to increase the inductance by a higher height of the projections 72a, it may be thinner second region 51 2 of the thickness of the insulating film 51. On the other hand, when it is necessary to more difficult to magnetic saturation, by further reducing the height of the protrusion 72a, it may be thicker second region 51 2 of the thickness of the insulating film 51. Thus, regardless of the first region 51 the thickness of 1 which is the original thickness of the insulating film 51, by adjusting the second region 51 2 of the thickness of the insulating film 51, the inductance and magnetic saturation The characteristics can be adjusted. Adjustment of inductance and magnetic saturation characteristic, not only the second region 51 2 of the thickness of the insulating film 51, as shown in FIG. 5 (c), also be adjusted by the second region 51 second number It is possible.

図33は、本発明の第2の実施形態によるコイル部品1Aの断面図である。 FIG. 33 is a cross-sectional view of the coil component 1A according to the second embodiment of the present invention.

図33に示すように、本発明の第2の実施形態によるコイル部品1Aは、絶縁膜51の表面のうち、磁性素体M2と接する上面51U側に凹部が設けられている点において、第1の実施形態によるコイル部品1と相違している。その他の基本的な構成は、第1の実施形態によるコイル部品1と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態が例示するように、絶縁膜51の凹部はいずれの表面に設けても構わない。 As shown in FIG. 33, the coil component 1A according to the second embodiment of the present invention is first in that a recess is provided on the upper surface 51U side of the surface of the insulating film 51 in contact with the magnetic element M2. It is different from the coil component 1 according to the embodiment of. Since the other basic configurations are the same as those of the coil component 1 according to the first embodiment, the same elements are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. As illustrated in this embodiment, the recess of the insulating film 51 may be provided on any surface.

図34は、本発明の第3の実施形態によるコイル部品1Bの断面図である。 FIG. 34 is a cross-sectional view of the coil component 1B according to the third embodiment of the present invention.

図34に示すように、本発明の第3の実施形態によるコイル部品1Bは、コイルパターンCP1〜CP4がいずれもスパイラル状に3ターン巻回された構成を有している点において、第1の実施形態によるコイル部品1と相違している。その他の基本的な構成は、第1の実施形態によるコイル部品1と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態が例示するように、各コイルパターンのターン数については特に限定されない。 As shown in FIG. 34, the coil component 1B according to the third embodiment of the present invention has a configuration in which the coil patterns CP1 to CP4 are all wound in a spiral shape for three turns. It is different from the coil component 1 according to the embodiment. Since the other basic configurations are the same as those of the coil component 1 according to the first embodiment, the same elements are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. As illustrated by this embodiment, the number of turns of each coil pattern is not particularly limited.

図35は、本発明の第4の実施形態によるコイル部品1Cの断面図である。 FIG. 35 is a cross-sectional view of the coil component 1C according to the fourth embodiment of the present invention.

図35に示すように、本発明の第4の実施形態によるコイル部品1Cは、外部端子E1,E2が磁性素体M2の上面に配置されている点において、第1の実施形態によるコイル部品1と相違している。その他の基本的な構成は、第1の実施形態によるコイル部品1と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態においては、磁性素体M2を貫通するバンプ導体91,92が設けられ、バンプ導体91及び電極パターン41,31,21,11を介して外部端子E1とコイルパターンCP1が接続され、バンプ導体92を介して外部端子E2とコイルパターンCP4が接続される。本実施形態が例示するように、本発明において外部端子E1,E2が形成される位置は特に限定されない。 As shown in FIG. 35, the coil component 1C according to the fourth embodiment of the present invention has the coil component 1 according to the first embodiment in that the external terminals E1 and E2 are arranged on the upper surface of the magnetic element M2. Is different from. Since the other basic configurations are the same as those of the coil component 1 according to the first embodiment, the same elements are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted. In the present embodiment, bump conductors 91 and 92 penetrating the magnetic element M2 are provided, and the external terminal E1 and the coil pattern CP1 are connected via the bump conductor 91 and the electrode patterns 41, 31, 21 and 11, and the bumps are formed. The external terminal E2 and the coil pattern CP4 are connected via the conductor 92. As illustrated by the present embodiment, the positions where the external terminals E1 and E2 are formed in the present invention are not particularly limited.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention, and these are also the present invention. Needless to say, it is included in the range.

1,1A〜1C コイル部品
2〜4 コイル部品の表面
10,20,30,40 導体層
11,12,21,22,31,32,41,42 電極パターン
13,23,33,43 シード層
51〜55 絶縁膜
51 第1の領域
51 第2の領域
51B 下面
51U 上面
52a〜55a,51b〜55b,52c〜54c,52d〜54d 開口部
61〜64 層内絶縁パターン
70 支持体
71 基材
72 金属箔
72a 突起部
80 回路基板
81,82 ランドパターン
91,92 バンプ導体
C コイル部
CP1〜CP4 コイルパターン
E1,E2 外部端子
M1,M2 磁性素体
S 空間
VP1〜VP4 犠牲パターン
1,1A ~ 1C Coil parts 2-4 Surfaces of coil parts 10, 20, 30, 40 Conductor layers 11, 12, 21, 22, 31, 32, 41, 42 Electrode patterns 13, 23, 33, 43 Seed layers 51 ~ 55 Insulation film 51 1 First region 51 2 Second region 51B Lower surface 51U Upper surface 52a to 55a, 51b to 55b, 52c to 54c, 52d to 54d Opening 61 to 64 In-layer insulation pattern 70 Support 71 Base material 72 Metal foil 72a Protrusion 80 Circuit board 81, 82 Land pattern 91,92 Bump conductor C Coil part CP1 to CP4 Coil pattern E1, E2 External terminals M1, M2 Magnetic element S Space VP1 to VP4 Sacrifice pattern

Claims (5)

第1及び第2の磁性素体と、
前記第1の磁性素体と前記第2の磁性素体の間に位置する絶縁膜と、
前記第2の磁性素体に埋め込まれ、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、を備え、
前記絶縁膜は、コイル軸方向から見て前記コイルパターンの内径領域と重なる部分の厚みが局所的に薄いことを特徴とするコイル部品。
With the first and second magnetic elements,
An insulating film located between the first magnetic element and the second magnetic element,
A coil pattern embedded in the second magnetic element and wound in a spiral shape is provided.
The insulating film is a coil component characterized in that the thickness of a portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern when viewed from the coil axis direction is locally thin.
前記絶縁膜は、前記第1の磁性素体と接する第1の表面と、前記第2の磁性素体と接する第2の表面を有し、
前記第1の表面には、前記コイル軸方向から見て前記コイルパターンの前記内径領域と重なる部分に凹部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のコイル部品。
The insulating film has a first surface in contact with the first magnetic element and a second surface in contact with the second magnetic element.
The coil component according to claim 1, wherein the first surface is provided with a recess in a portion overlapping the inner diameter region of the coil pattern when viewed from the coil axis direction.
前記第1の磁性素体と前記第2の磁性素体は、前記コイルパターンの外側領域において接していることを特徴とする請求項1又は2に記載のコイル部品。 The coil component according to claim 1 or 2, wherein the first magnetic element and the second magnetic element are in contact with each other in an outer region of the coil pattern. 第1の領域よりも前記第1の領域に囲まれた第2の領域の厚みが薄い絶縁膜を形成する第1の工程と、
前記絶縁膜の前記第2の領域が内径領域と重なるよう、前記絶縁膜の第1の領域上にスパイラル状に巻回されたコイルパターンを形成する第2の工程と、
前記絶縁膜を埋め込む第1の磁性素体と、前記コイルパターンを埋め込む第2の磁性素体を形成する第3の工程と、を備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。
The first step of forming an insulating film in which the thickness of the second region surrounded by the first region is thinner than that of the first region, and
A second step of forming a coil pattern spirally wound on the first region of the insulating film so that the second region of the insulating film overlaps the inner diameter region.
A method for manufacturing a coil component, which comprises a first magnetic element for embedding the insulating film and a third step for forming a second magnetic element for embedding the coil pattern.
前記第1の工程は、突起部を有する支持体に前記絶縁膜をラミネートする工程を含むことを特徴とする請求項4に記載のコイル部品の製造方法。 The method for manufacturing a coil component according to claim 4, wherein the first step includes a step of laminating the insulating film on a support having a protrusion.
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