JP2020149816A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動電圧の均一化を目的とする。【解決手段】発光層４４と複数の画素電極３６との間に介在する複数層は、キャリア発生層５０の上にある少なくとも１層からなる上層５２と、キャリア発生層５０の下にある１つ又はそれ以上の層からなる下層５４と、を含む。キャリア発生層５０は、発光層４４の下面に接触する１層及びキャリア発生層５０の下面に接触する１層のいずれよりも、キャリア移動度が１００倍以上高い。複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、異なる発光色に応じた複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分けられる。複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群が発光層４４の下面から反射面４０までに有する距離Ｄｒ，Ｄｇ，Ｄｂにおいて異なる。複数の第１セクションＳ１ｒ，Ｓ１ｇ，Ｓ１ｂは、厚みｔが均一である。【選択図】図６

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、表示装置は、画素数の増加によって隣同士の画素が接近するようになってきた。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、発光層が画素ごとに分離していても、全画素に連続する層（例えばホール注入層）を有することがある。

ホール注入層は、アノードから発光層へのホール注入をアシストする役割を持つが、低抵抗であるために、隣接画素へのホールのリーク（横リーク）を引き起こし、非点灯とすべき画素の微弱な発光（電気混色）の原因となる。これはディスプレイのコントラストや効率の低下をもたらす。

特開２０１４−６３８２９号公報 特表２００４−５１４２５７号公報

横リークを悪化させる要因の一つとして、赤、緑及び青（ＲＧＢ）素子それぞれの駆動電圧が異なることが挙げられる。通常、Ｂ素子に対してＲＧ素子は、マイクロキャビティ効果を引き出す光学調整のために、アノード側の層の膜厚が厚いので、駆動電圧が高くなる。このため、ＲＧ素子を発光させた時のリーク電流が、非発光とすべきＢ素子を発光させやすい。なお、引用文献１及び２には、駆動電圧を低下させることが開示されているとしても、ＲＧＢ素子それぞれの駆動電圧を均一化することの開示はない。

本発明は、駆動電圧の均一化を目的とする。

本発明に係る表示装置は、反射面をそれぞれが有する複数の画素電極と、前記複数の画素電極に接触して載るエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層に接触して載る共通電極と、を有し、前記エレクトロルミネセンス層は、発光層と、前記発光層と前記複数の画素電極との間に介在する複数層と、を含み、前記複数層は、キャリア発生層と、前記キャリア発生層の上にある少なくとも１層からなる上層と、前記キャリア発生層の下にある１つ又はそれ以上の層からなる下層と、を含み、前記キャリア発生層は、前記発光層の下面に接触する１層及び前記キャリア発生層の下面に接触する１層のいずれよりも、キャリア移動度が１００倍以上高く、前記発光層は、前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の発光セクションを含み、前記上層は、前記複数の発光セクションにそれぞれ重なる複数の第１セクションを含み、前記下層は、前記複数の発光セクションにそれぞれ重なる複数の第２セクションを含み、前記複数の発光セクションは、異なる発光色に応じた複数グループに分けられ、前記複数グループのそれぞれに前記複数の発光セクションの対応する一群が含まれ、前記複数グループのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、前記複数の発光セクションの対応する前記一群が前記発光層の前記下面から前記反射面までに有する距離において異なり、前記複数の第１セクションは、厚みが均一であることを特徴とする。

本発明によれば、複数の第１セクションの厚みが均一であることから、キャリア発生層から発光層までの距離が、発光色にかかわらず均一になっている。これにより、駆動電圧の均一化が可能になる。

実施形態に係る表示装置の平面図である。 表示装置の使用状態を示す概略図である。 図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。 表示装置の表示領域を一部拡大した図である。 図４に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。 図４に示す表示装置のVI−VI線断面図である。 図１に示す表示装置の回路図である。 実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

図１は、実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、実際には、折り曲げて使用するので、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。

表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳＰの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、表示領域ＤＡの外側で、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。

表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。

図４は、表示装置の表示領域ＤＡを一部拡大した図である。図５は、図４に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面図である。

基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。

基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。

薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよい。

バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。

ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。

第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化膜２８が設けられている。平坦化膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。

平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去されて、その上に導電膜３２が形成されている。導電膜３２は、例えば酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）からなる。導電膜３２は、相互に分離された第１導電膜３２ａ及び第２導電膜３２ｂを含む。平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１導電膜３２ａにて被覆される。第１導電膜３２ａを被覆するように、平坦化膜２８の上に無機絶縁膜３４が設けられている。無機絶縁膜３４は、例えば、シリコン窒化膜等の無機膜からなる。無機絶縁膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。表示装置は、複数の画素電極３６を有する。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。

第２導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらに無機絶縁膜３４の下方）に設けられている。第２導電膜３２ｂ、無機絶縁膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。

図６は、図４に示す表示装置のVI−VI線断面図である。平坦化膜２８の上には、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層３８が形成されている。絶縁層３８としては平坦化膜２８と同じくポリイミドや感光性アクリル等の樹脂が用いられる。絶縁層３８は、複数の画素電極３６の表面を発光領域として露出するように、複数の開口を有する。絶縁層３８は、それぞれの画素電極３６の周端部に載る。開口の開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。

画素電極３６は、反射面４０を有する反射電極である。例えば、酸化インジウム亜鉛膜３６ａ、Ａｇ膜３６ｂ、酸化インジウム亜鉛膜３６ｃの三層積層構造になっている。酸化インジウム亜鉛膜３６ａ，３６ｃは透明であり、中間層のＡｇ層３６ｂの表面が反射面４０である。なお、酸化インジウム亜鉛膜３６ａ，３６ｃに代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。

複数の画素電極３６の上に、有機材料からなるエレクトロルミネセンス層４２が積層されている。エレクトロルミネセンス層４２は、複数の画素電極３６にそれぞれ接触する複数の接触領域を有する。複数の接触領域は、それぞれ、絶縁層３８の複数の開口に重なる（又は一致する）。エレクトロルミネセンス層４２は、複数の開口の内側で複数の画素電極３６に接触する。エレクトロルミネセンス層４２は、絶縁層３８の上に載る。

エレクトロルミネセンス層４２は、発光層４４を有する。発光層４４は、複数の画素電極３６にそれぞれ重なる複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂを含む。複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂは、異なる発光色に応じた複数グループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに分けられる。発光色は、例えば、赤、緑及び青（ＲＧＢ）を含む。それぞれのグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂに、複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群が含まれる。共通するグループＧｒ，Ｇｇ，Ｇｂにおいて隣り合う一対の発光セクション（一対の発光セクションＥＭｒ、一対の発光セクションＥＭｇ、一対の発光セクションＥＭｂ）は連続している（図４参照）。

エレクトロルミネセンス層４２は、発光層４４の下及び上にそれぞれ、第１キャリア調整層４６及び第２キャリア調整層４８を含む。第１キャリア調整層４６及び第２キャリア調整層４８は、キャリアを発光層４４に効率良く供給するためのものである。第１キャリア調整層４６及び第２キャリア調整層４８は、供給するキャリアの電荷の正負が逆である。本実施例では、画素電極３６が陽極であれば、第１キャリア調整層４６が供給するキャリアは正孔であり、第２キャリア調整層４８が供給するキャリアは電子である。

［第１キャリア調整層］
第１キャリア調整層４６は、発光層４４と複数の画素電極３６との間に介在する。第１キャリア調整層４６は、マイクロキャビティ効果を得るために、発光セクションの発光色に応じた厚みを有する。つまり、発光セクションで発生した光が画素電極３６の反射面４０で反射して共振するマイクロキャビティ構造において、発光層４４の下面から反射面４０までの距離Ｄｒ，Ｄｇ，Ｄｂが光の波長に対応するように、第１キャリア調整層４６の厚みが調整されている。

［キャリア発生層］
第１キャリア調整層４６は、キャリア発生層５０を含む。キャリア発生層５０は、ホスト材料及びゲスト材料を含む。ホスト材料にゲスト材料がドーピングされている。ゲスト材料は、キャリアとして正孔を供給するドーパント（アクセプタ）又は電子を供給するドーパント（ドナー）である。p型ドーパントとしてホウ素が知られる。

ホスト材料は、キャリア発生層５０の下面に接触する１層（第１キャリア輸送層ＨＴＬ又は追加キャリア輸送層ＨＴＬｒ，ＨＴＬｇ）を構成する材料と同じである。キャリア発生層５０は、その下面に接触する１層（第１キャリア輸送層ＨＴＬ又は追加キャリア輸送層ＨＴＬｒ，ＨＴＬｇ）よりも、キャリア移動度が１００倍以上高い。また、キャリア発生層５０は、発光層４４の下面に接触する１層（第１キャリアブロック層ＥＢＬ）よりも、キャリア移動度が１００倍以上高い。発光層４４には、キャリア発生層５０から湧き出したキャリアが供給される。

［上層］
第１キャリア調整層４６は、キャリア発生層５０の上に、少なくとも１層からなる上層５２を含む。上層５２は、複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂにそれぞれ重なる複数の第１セクションＳ１ｒ，Ｓ１ｇ，Ｓ１ｂを含む。複数の第１セクションＳ１ｒ，Ｓ１ｇ，Ｓ１ｂは、厚みｔが均一である。したがって、キャリア発生層５０から発光層４４までの距離が、発光色にかかわらず均一になっているので、駆動電圧の均一化が可能になる。

第１キャリア調整層４６の最上層は、第１キャリアブロック層ＥＢＬである。第１キャリアブロック層ＥＢＬは、発光層４４の下面に接触する１層であり、キャリア発生層５０の上面に接触する。第１キャリアブロック層ＥＢＬは、キャリア発生層５０から供給されるキャリアとは電荷の正負が反対のキャリアをブロックするようになっている。

［下層］
第１キャリア調整層４６は、キャリア発生層５０の下にある下層５４を含む。下層５４は、１つ又はそれ以上の層からなる。下層５４は、複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂにそれぞれ重なる複数の第２セクションＳ２ｒ，Ｓ２ｇ，Ｓ２ｂを含む。複数の第２セクションＳ２ｒ，Ｓ２ｇ，Ｓ２ｂは、発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの異なる発光色に応じた複数グループＧ２ｒ，Ｇ２ｇ，Ｇ２ｂに分けられる。複数グループＧ２ｒ，Ｇ２ｇ，Ｇ２ｂのそれぞれに、複数の第２セクションＳ２ｒ，Ｓ２ｇ，Ｓ２ｂの対応する一群が含まれる。

複数グループＧ２ｒ，Ｇ２ｇ，Ｇ２ｂのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、複数の第２セクションＳ２ｒ，Ｓ２ｇ，Ｓ２ｂの対応する一群が有する厚みＴｒ，Ｔｇ，Ｔｂにおいて異なる。例えば、青のグループＧ２ｂに属する第２セクションＳ２ｂは、赤及び緑のグループＧ２ｒ，Ｇ２ｇに属する第２セクションＳ２ｒ，Ｓ２ｇよりも薄い（Ｔｂ＜Ｔｒ，Ｔｂ＜Ｔｇ）。赤及び緑のグループＧ２ｒ，Ｇ２ｇに属する第２セクションＳ２ｒ，Ｓ２ｇは、同じ厚み（Ｔｒ＝Ｔｇ）であってもよいし、異なる厚み（Ｔｒ≠Ｔｇ）であってもよい。これにより、複数グループＧ２ｒ，Ｇ２ｇ，Ｇ２ｂのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、複数の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの対応する一群が発光層４４の下面から反射面４０までに有する距離において異なる（Ｄｂ＜Ｄｒ，Ｄｂ＜Ｄｇ）。

第１キャリア調整層４６の最下層は、第１キャリア注入層ＨＩＬである。第１キャリア注入層ＨＩＬは、キャリア発生層５０の下面に接触する１層の下方にある。第１キャリア注入層ＨＩＬの下面が複数の画素電極３６と接触する。第１キャリア注入層ＨＩＬは、キャリア移動度において、キャリア発生層５０と同じであってもよいが、これに限定されるものではない。つまり、第１キャリア注入層ＨＩＬは、キャリア発生層５０よりもドーピング濃度が低くてもよい。

第１キャリア注入層ＨＩＬの上に、第１キャリア輸送層ＨＴＬが積層されている。赤及び緑の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇの下では、第１キャリア輸送層ＨＴＬの上にそれぞれ追加キャリア輸送層ＨＴＬｒ，ＨＴＬｇが積層する。赤の追加キャリア輸送層ＨＴＬｒと緑の追加キャリア輸送層ＨＴＬｇは、厚みが異なっていてもよいし、同じ厚みであってもよい。青の発光セクションＥＭｂの下には、追加キャリア輸送層は設けられない。これにより、第１キャリア調整層４６は、青の発光セクションＥＭｂの下と、赤又は緑の発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇの下とで、厚みが異なる。

［第２キャリア調整層］
第２キャリア調整層４８の最上層は、第２キャリア注入層ＥＩＬである。第２キャリア注入層ＥＩＬの下に、第２キャリア輸送層ＥＴＬが積層されている。第２キャリア調整層４８の最下層は、第２キャリアブロック層ＨＢＬである。第２キャリアブロック層ＨＢＬがブロックするキャリアは、第２キャリア注入層ＥＩＬ及び第２キャリア輸送層ＥＴＬが注入輸送するキャリアとは、電荷の正負が逆である。発光層４４は、第２キャリアブロック層ＨＢＬの下面に接触して設けられている。第２キャリア調整層４８は、発光セクションＥＭｒ，ＥＭｇ，ＥＭｂの発光色にかかわらず均一の厚みを有していてもよい。

エレクトロルミネセンス層４２を構成する各層は、蒸着によって形成してもよいし、溶媒分散の上での塗布によって形成してもよく、画素電極３６（各サブ画素）に対して選択的に形成してもよいし、表示領域ＤＡを覆う全面にベタ形成されてもよい。

エレクトロルミネセンス層４２の上に、共通電極５６が設けられている。共通電極５６は、エレクトロルミネセンス層４２に接触して載る。ここでは、トップエミッション構造が採用されているため、共通電極５６は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、エレクトロルミネセンス層４２からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。画素電極３６が陽極であれば、共通電極５６は陰極である。複数の画素電極３６と、共通電極５６と、複数の画素電極３６のそれぞれの中央部と共通電極５６の間に介在するエレクトロルミネセンス層４２と、で後述する画素ごとに一つの発光素子ＯＤ（図７参照）が構成される。

共通電極５６の上に封止層５８が形成されている。封止層５８は、先に形成したエレクトロルミネセンス層４２を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一つとしており、高いガスバリア性が要求される。封止層５８は、有機膜６０及びこれを挟む一対の無機膜６２（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層５８には、さらに、タッチセンシングを行うための電極が設けられてもよいし、保護膜となる樹脂層や偏光板（例えば円偏光板）を積層してもよい。

図７は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。図１に示す集積回路チップＣＰ内に信号駆動回路ＳＤが配置されている。隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸである。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量Ｃｓを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量Ｃｓに電荷が蓄積される。保持容量Ｃｓに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。

［変形例］
図８は、実施形態の変形例に係る表示装置の断面図である。この例では、キャリア発生層１５０には、その上及び下にそれぞれ、第１キャリアブロック層ＥＢＬが積層している。つまり、キャリア発生層１５０の上面及び下面にそれぞれ第１キャリアブロック層ＥＢＬが接触している。キャリア発生層１５０のホスト材料は、第１キャリアブロック層ＥＢＬ（キャリア発生層１５０の下面及び上面に接触する１層）を構成する材料である。言い換えると、キャリア発生層１５０は、第１キャリアブロック層ＥＢＬにゲスト材料がドーピングされたものであり、キャリアブロック層でもある。つまり、キャリア発生層１５０は、複数層からなるキャリアブロック層の中間層である。

上層１５２は、キャリア発生層１５０の上面に接触する第１キャリアブロック層ＥＢＬからなる。下層１５４は、キャリア発生層の下面に接触する第１キャリアブロック層ＥＢＬを含む。

キャリア発生層１５０の上面に積層する第１キャリアブロック層ＥＢＬは、発光層１４４の下面に接触する。したがって、キャリア発生層１５０のホスト材料は、発光層１４４の下面に接触する１層を構成する材料でもある。その他の内容は、上記実施形態で説明した内容が該当する。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０ 基板、１２ バリア無機膜、１２ａ シリコン酸化膜、１２ｂ シリコン窒化膜、１２ｃ シリコン酸化膜、１４ 機能膜、１６ 半導体層、１８ ゲート絶縁膜、２０ ゲート電極、２２ 層間絶縁膜、２４ ドレイン電極、２６ パッシベーション膜、２８ 平坦化膜、３０ 画素コンタクト部、３２ 導電膜、３２ａ 第１導電膜、３２ｂ 第２導電膜、３４ 無機絶縁膜、３６ 画素電極、３６ａ 酸化インジウム亜鉛膜、３６ｂ Ａｇ膜、３６ｃ 酸化インジウム亜鉛膜、３８ 絶縁層、４０ 反射面、４２ エレクトロルミネセンス層、４４ 発光層、４６ 第１キャリア調整層、４８ 第２キャリア調整層、５０ キャリア発生層、５２ 上層、５４ 下層、５６ 共通電極、５８ 封止層、６０ 有機膜、６２ 無機膜、１４４ 発光層、１５０ キャリア発生層、１５２ 上層、１５４ 下層、Ｃad 付加容量、ＣＬ１ 第１保持容量線、ＣＬ２ 第２保持容量線、ＣＰ 集積回路チップ、Ｃｓ 保持容量、ＤＡ 表示領域、ＤＬ 信号線、ＤＳＰ ディスプレイ、ＥＢＬ 第１キャリアブロック層、ＥＩＬ 第２キャリア注入層、ＥＭｂ 発光セクション、ＥＭｇ 発光セクション、ＥＭｒ 発光セクション、ＥＴＬ 第２キャリア輸送層、ＦＰ フレキシブルプリント基板、Ｇ２ｂ グループ、Ｇ２ｇ グループ、Ｇ２ｒ グループ、ＧＤ 走査回路、ＧＬ 走査線、Ｇｂ グループ、Ｇｇ グループ、Ｇｒ グループ、ＨＢＬ 第２キャリアブロック層、ＨＩＬ 第１キャリア注入層、ＨＴＬ 第１キャリア輸送層、ＨＴＬｇ 追加キャリア輸送層、ＨＴＬｒ 追加キャリア輸送層、ＯＤ 発光素子、ＰＷＬ 電源線、ＰＸ 画素、Ｓ１ｂ 第１セクション、Ｓ１ｇ 第１セクション、Ｓ１ｒ 第１セクション、Ｓ２ｂ 第２セクション、Ｓ２ｇ 第２セクション、Ｓ２ｒ 第２セクション、ＳＤ 信号駆動回路、ＳＰ スペーサ、ｔ 厚み、ＴＲ 薄膜トランジスタ、ＴＲ２ 薄膜トランジスタ、Ｗ１ 第１配線層、Ｗ２ 第２配線層。

Claims (6)

1. 反射面をそれぞれが有する複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極に接触して載るエレクトロルミネセンス層と、
   前記エレクトロルミネセンス層に接触して載る共通電極と、
   を有し、
   前記エレクトロルミネセンス層は、発光層と、前記発光層と前記複数の画素電極との間に介在する複数層と、を含み、
   前記複数層は、キャリア発生層と、前記キャリア発生層の上にある少なくとも１層からなる上層と、前記キャリア発生層の下にある１つ又はそれ以上の層からなる下層と、を含み、
   前記キャリア発生層は、前記発光層の下面に接触する１層及び前記キャリア発生層の下面に接触する１層のいずれよりも、キャリア移動度が１００倍以上高く、
   前記発光層は、前記複数の画素電極にそれぞれ重なる複数の発光セクションを含み、
   前記上層は、前記複数の発光セクションにそれぞれ重なる複数の第１セクションを含み、
   前記下層は、前記複数の発光セクションにそれぞれ重なる複数の第２セクションを含み、
   前記複数の発光セクションは、異なる発光色に応じた複数グループに分けられ、前記複数グループのそれぞれに前記複数の発光セクションの対応する一群が含まれ、
   前記複数グループのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、前記複数の発光セクションの対応する前記一群が前記発光層の前記下面から前記反射面までに有する距離において異なり、
   前記複数の第１セクションは、厚みが均一であることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置において、
   前記複数の第２セクションは、前記異なる発光色に応じた複数グループに分けられ、前記複数グループのそれぞれに前記複数の第２セクションの対応する一群が含まれ、
   前記複数グループのそれぞれと他の少なくとも１つとでは、前記複数の第２セクションの対応する前記一群が有する厚みにおいて異なることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２に記載された表示装置において、
   前記発光層の前記下面に接触する前記１層は、前記キャリア発生層の上面に接触することを特徴とする表示装置。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
   前記キャリア発生層は、ホスト材料及びゲスト材料から形成され、
   前記ホスト材料は、前記発光層の前記下面に接触する前記１層を構成する材料及び前記キャリア発生層の前記下面に接触する前記１層を構成する材料の少なくとも一方であることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
   前記下層は、前記キャリア発生層の前記下面に接触する前記１層の下に、前記複数の画素電極に接触するキャリア注入層を含むことを特徴とする表示装置。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
   前記発光層の前記下面に接触する前記１層は、前記キャリア発生層から供給されるキャリアとは電荷の正負が反対のキャリアをブロックするようになっていることを特徴とする表示装置。

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