JP2020137349A - Temperature protection circuit and switching power supply - Google Patents
Temperature protection circuit and switching power supply Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020137349A JP2020137349A JP2019031538A JP2019031538A JP2020137349A JP 2020137349 A JP2020137349 A JP 2020137349A JP 2019031538 A JP2019031538 A JP 2019031538A JP 2019031538 A JP2019031538 A JP 2019031538A JP 2020137349 A JP2020137349 A JP 2020137349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- resistor
- bipolar transistor
- switching power
- protection circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、スイッチング電源の温度保護回路、及び、スイッチング電源に関する。 The present invention relates to a temperature protection circuit for a switching power supply and a switching power supply.
従来のフライバック式のスイッチング電源の温度保護回路において、温度センサーによる二次側のダイオードの監視、又は、二次側にある部品で、一次側のＭＯＳＦＥＴの温度が監視されていた。特許文献１においては、温度センサーにより、二次側のダイオードの監視が行われている発明が開示されている。
In the temperature protection circuit of a conventional flyback type switching power supply, the temperature of the diode on the secondary side is monitored by a temperature sensor, or the temperature of the MOSFET on the primary side is monitored by a component on the secondary side.
しかしながら、大きな出力を持つフライバック型のスイッチング電源では、二次側のダイオードよりも、一次側のＭＯＳＦＥＴの方が、温度上昇が早く、高負荷時には、大きな温度差ができる。このため、一次側のＭＯＳＦＥＴを保護できない状況となることがある。また、二次側の部品で、一次側のＭＯＳＦＥＴを監視する場合、構造上可能な場合もあるが、一般的には、安全距離、及び、絶縁を取ることが難しい。 However, in a flyback type switching power supply having a large output, the temperature of the MOSFET on the primary side rises faster than that of the diode on the secondary side, and a large temperature difference can be generated when the load is high. Therefore, the MOSFET on the primary side may not be protected. Further, when monitoring the MOSFET on the primary side with the component on the secondary side, it may be structurally possible, but in general, it is difficult to obtain a safe distance and insulation.
本発明の目的は、容易な構成で、スイッチング電源の温度保護を可能とすることである。 An object of the present invention is to enable temperature protection of a switching power supply with a simple configuration.
第１の発明の温度保護回路は、温度センサーを備え、前記スイッチング電源の一次側に設けられることを特徴とする。 The temperature protection circuit of the first invention includes a temperature sensor and is provided on the primary side of the switching power supply.
本発明では、本発明では、温度保護回路は、スイッチング電源の一次側に設けられている。これにより、安全距離、絶縁を保った状態で、温度センサーを一次側のヒートシンクに接触させることができる。このように、本発明によれば、容易な構成で、スイッチング電源の温度保護を行うことができる。 In the present invention, in the present invention, the temperature protection circuit is provided on the primary side of the switching power supply. As a result, the temperature sensor can be brought into contact with the heat sink on the primary side while maintaining a safe distance and insulation. As described above, according to the present invention, the temperature of the switching power supply can be protected with a simple configuration.
第２の発明の温度保護回路は、第１の発明の温度保護回路において、前記温度センサーは、スイッチング電源の一次側に設けられたスイッチング素子用のヒートシンクに接触されていることを特徴とする。 The temperature protection circuit of the second invention is characterized in that, in the temperature protection circuit of the first invention, the temperature sensor is in contact with a heat sink for a switching element provided on the primary side of a switching power supply.
第３の発明の温度保護回路は、第１又は第２の発明の温度保護回路において、ベースが、前記温度センサーの出力端子に接続され、エミッタが、第２バイポーラトランジスタのエミッタと、第１抵抗と、に接続され、コレクタが、基準電位に接続された、ｐｎｐ型の第１バイポーラトランジスタと、ベースが、第２抵抗と第３抵抗との間に接続され、エミッタが、第１バイポーラトランジスタのエミッタと、前記第１抵抗と、に接続され、コレクタが、第４抵抗を介して、基準電位に接続された、ｐｎｐ型の第２バイポーラトランジスタと、ベースが、第５抵抗を介して、前記第２バイポーラトランジスタのコレクタと前記第４抵抗との間に接続され、コレクタが、制御回路のフィードバック端子に接続され、エミッタが、基準電位に接続された、ｎｐｎ型の第３バイポーラトランジスタと、カソードが、前記第１抵抗と、前記第２抵抗と、に接続され、アノードが、基準電位に接続された、ツェナーダイオードと、をさらに備えることを特徴とする。 In the temperature protection circuit of the third invention, in the temperature protection circuit of the first or second invention, the base is connected to the output terminal of the temperature sensor, and the emitter is the emitter of the second bipolar transistor and the first resistor. And, the collector is connected to the reference potential, the pnp type first bipolar transistor, the base is connected between the second resistor and the third resistor, and the emitter is the first bipolar transistor. A pnp-type second bipolar transistor connected to the emitter and the first resistor, the collector connected to the reference potential via the fourth resistor, and the base via the fifth resistor. An npn-type third bipolar transistor and a cathode, which are connected between the collector of the second bipolar transistor and the fourth resistor, the collector is connected to the feedback terminal of the control circuit, and the emitter is connected to the reference potential. However, the Zener diode, which is connected to the first resistor and the second resistor and whose anode is connected to the reference potential, is further provided.
第４の発明のスイッチング電源は、第１〜第３のいずれかの発明の温度保護回路を備えることを特徴とする。 The switching power supply of the fourth invention is characterized by including the temperature protection circuit of any one of the first to third inventions.
本発明によれば、容易な構成で、スイッチング電源の温度保護を行うことができる。 According to the present invention, the temperature of the switching power supply can be protected with a simple configuration.
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係るスイッチング電源の回路構成を示す図である。スイッチング電源１は、コンデンサＣ１と、スイッチング素子２と、制御ＩＣ３と、トランス４と、ダイオードＤ１と、コンデンサＣ２と、シャントレギュレーター５と、フォトカプラ６と、を備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram showing a circuit configuration of a switching power supply according to an embodiment of the present invention. The switching
図示しない整流回路は、交流電源から入力される交流電圧を整流する。コンデンサＣ１は、整流回路が整流した電圧を平滑する。平滑された電圧は、スイッチング素子２に供給される。制御ＩＣ３（制御回路）は、スイッチング素子２を制御する。制御ＩＣ３の電源端子ＶＣＣは、トランス４の補助巻線４３に接続されている。制御ＩＣ３は、補助巻線４３から出力された電圧を整流した電源電圧によって動作する。スイッチング素子２は、制御ＩＣ３により制御され、任意の周波数でスイッチングすることにより、任意の周波数の交流電圧をトランス４の一次巻線４１に供給する。スイッチング素子２は、例えば、ｎ型のＭＯＳＦＥＴである。スイッチング素子２は、コンデンサＣ１からの電圧、又は、接地電位の電圧を一次巻線４１に供給する。トランス４は、一次巻線４１に供給された電圧を変圧して二次巻線４２から出力する。ダイオードＤ１は、二次巻線４２からの交流電圧を整流する。コンデンサＣ２は、ダイオードＤ１が整流した電圧を平滑する。コンデンサＣ２が平滑した電圧が、スイッチング電源１の出力電圧である。スイッチング電源１からの出力電圧は、例えば、図示しない増幅器に供給される。スイッチング電源１と増幅器とで増幅装置が構成される。
A rectifier circuit (not shown) rectifies an AC voltage input from an AC power supply. The capacitor C1 smoothes the voltage rectified by the rectifier circuit. The smoothed voltage is supplied to the switching element 2. The control IC 3 (control circuit) controls the switching element 2. The power supply terminal VCS of the control IC 3 is connected to the auxiliary winding 43 of the transformer 4. The control IC 3 operates by a power supply voltage obtained by rectifying the voltage output from the auxiliary winding 43. The switching element 2 is controlled by the control IC 3 and switches at an arbitrary frequency to supply an AC voltage of an arbitrary frequency to the primary winding 41 of the transformer 4. The switching element 2 is, for example, an n-type MOSFET. The switching element 2 supplies the voltage from the capacitor C1 or the voltage of the ground potential to the primary winding 41. The transformer 4 transforms the voltage supplied to the primary winding 41 and outputs it from the
シャントレギュレーター５は、スイッチング電源１の二次側でフォトカプラ６に接続されている。また、シャントレギュレーター５は、スイッチング電源１の出力電圧に応じて、フォトカプラ６に流れる電流を変化させる。シャントレギュレーター５のリファレンス端子は、抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ３との間に接続されている。シャントレギュレーター７のカソードは、フォトカプラ８（発光ダイオードのカソード）に接続されている。シャントレギュレーター７のアノードは、接地電位に接続されている。
The shunt regulator 5 is connected to the
フォトカプラ６（フィードバック素子）は、発光ダイオードと、フォトトランジスタと、を有する。発光ダイオードのアノードには、抵抗Ｒ４を介して、スイッチング電源１の出力電圧が供給される。発光ダイオードのカソードは、シャントレギュレーター５に接続されている。フォトトランジスタのコレクタは、制御ＩＣ３のフィードバック端子ＦＢに接続されている。フォトトランジスタのエミッタは、接地電位に接続されている。また、スイッチング電源１の出力電圧は、抵抗Ｒ４、Ｒ５を介して、シャントレギュレーター７に供給される。制御ＩＣ３は、フォトカプラ６にスイッチング電源１の一次側で接続されている。
The photocoupler 6 (feedback element) includes a light emitting diode and a phototransistor. The output voltage of the
シャントレギュレーター５は、リファレンス端子に入力される、スイッチング電源１の出力電圧の抵抗Ｒ１、Ｒ２と抵抗Ｒ３とによる分圧に応じて、カソードの吸い込み電流が増減する。シャントレギュレーター５は、リファレンス端子の電圧が高いほど、カソードの吸い込み電流が増加する。また、シャントレギュレーター５は、リファレンス端子の電圧が低いほど、カソードの吸い込み電流が減少する。
In the shunt regulator 5, the suction current of the cathode increases or decreases according to the voltage division of the output voltage of the
フォトカプラ６においては、シャントレギュレーター５の吸い込み電流の増減に応じて、発光ダイオードの電流が増減する。フォトトランジスタの電流の増減は、制御ＩＣ３のフィードバック端子ＦＢの電圧を変化させる。ここで、制御ＩＣ３のフィードバック端子ＦＢには、抵抗を介して、電源が接続されている。このため、フォトトランジスタの電流が増加するほど、フィードバック端子ＦＢの電圧は、減少する。制御ＩＣ３は、フィードバック端子ＦＢの電圧に応じて、スイッチング素子２によるオン／オフのデューティーを変化させて、スイッチング電源１の出力電圧を調整する。
In the
スイッチング電源１は、さらに、温度保護回路７を備える。温度保護回路７は、温度センサー８と、バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ３と、等を備える。温度センサー８は、ヒートシンク９に接触されている。ヒートシンク９は、スイッチング素子２用のヒートシンクである。スイッチング素子２の温度が上昇すると、ヒートシンク９の温度が上昇する。ヒートシンク９の温度が上昇すると、温度センサー８からの出力が上昇する。温度センサー８の電源端子Ｖは、トランス４の補助巻線４３に接続されている。温度センサー８のグラウンド端子Ｇは、接地電位に接続されている。温度センサー８の出力端子Ｏは、バイポーラトランジスタＱ１に接続されている。
The
バイポーラトランジスタＱ１（第１バイポーラトランジスタ）は、ｐｎｐ型のバイポーラトランジスタである。バイポーラトランジスタＱ１のベースは、温度センサー８の出力端子Ｏに接続されている。バイポーラトランジスタＱ１のエミッタは、バイポーラトランジスタＱ２のエミッタと、抵抗Ｒ６（第１抵抗）と、に接続されている。バイポーラトランジスタＱ１のコレクタは、接地電位（基準電位）に接続されている。バイポーラトランジスタＱ２は、ｐｎｐ型のバイポーラトランジスタである。バイポーラトランジスタＱ２のベースは、抵抗Ｒ７（第２抵抗）と抵抗Ｒ８（第３抵抗）との間に接続されている。バイポーラトランジスタＱ２のエミッタは、バイポーラトランジスタＱ１のエミッタと、抵抗Ｒ６と、に接続されている。バイポーラトランジスタＱ２のコレクタは、抵抗Ｒ９（第４抵抗）を介して、接地電位に接続されている。 The bipolar transistor Q1 (first bipolar transistor) is a pnp type bipolar transistor. The base of the bipolar transistor Q1 is connected to the output terminal O of the temperature sensor 8. The emitter of the bipolar transistor Q1 is connected to the emitter of the bipolar transistor Q2 and the resistor R6 (first resistor). The collector of the bipolar transistor Q1 is connected to the ground potential (reference potential). The bipolar transistor Q2 is a pnp type bipolar transistor. The base of the bipolar transistor Q2 is connected between the resistor R7 (second resistor) and the resistor R8 (third resistor). The emitter of the bipolar transistor Q2 is connected to the emitter of the bipolar transistor Q1 and the resistor R6. The collector of the bipolar transistor Q2 is connected to the ground potential via a resistor R9 (fourth resistor).
バイポーラトランジスタＱ３は、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタである。バイポーラトランジスタＱ３のベースは、抵抗Ｒ１０（第５抵抗）を介して、バイポーラトランジスタＱ２のコレクタと抵抗Ｒ９との間に接続されている。バイポーラトランジスタＱ３のコレクタは、制御ＩＣ３（制御回路）のフィードバック端子ＦＢに接続されている。バイポーラトランジスタＱ３のエミッタは、接地電位に接続されている。 The bipolar transistor Q3 is an npn type bipolar transistor. The base of the bipolar transistor Q3 is connected between the collector of the bipolar transistor Q2 and the resistor R9 via a resistor R10 (fifth resistor). The collector of the bipolar transistor Q3 is connected to the feedback terminal FB of the control IC3 (control circuit). The emitter of the bipolar transistor Q3 is connected to the ground potential.
ヒートシンク９の温度が上昇すると、温度センサー８の出力端子Ｏの電圧が、特性に応じて上昇する。出力端子Ｏの電圧が上昇すると、ツェナーダイオードＤ２と抵抗Ｒ７、Ｒ８との分圧で設定されたバイポーラトランジスタＱ２のベース電圧に近づく。出力端子Ｏの電圧と、バイポーラトランジスタＱ２のベース電圧とが、等しくなると、バイポーラトランジスタＱ２がオンし、抵抗Ｒ６と抵抗Ｒ９とで分圧された電圧が発生し、バイポーラトランジスタＱ３がオンする。バイポーラトランジスタＱ３がオンすることで、制御ＩＣ３のフィードバック端子ＦＢがローとなり、制御ＩＣ３は、二次側の電圧をオフする。 When the temperature of the heat sink 9 rises, the voltage of the output terminal O of the temperature sensor 8 rises according to the characteristics. When the voltage of the output terminal O rises, it approaches the base voltage of the bipolar transistor Q2 set by dividing the voltage between the Zener diode D2 and the resistors R7 and R8. When the voltage of the output terminal O and the base voltage of the bipolar transistor Q2 become equal, the bipolar transistor Q2 is turned on, a voltage divided by the resistor R6 and the resistor R9 is generated, and the bipolar transistor Q3 is turned on. When the bipolar transistor Q3 is turned on, the feedback terminal FB of the control IC3 becomes low, and the control IC3 turns off the voltage on the secondary side.
従来の、温度センサーが二次側に設置される構造に比べて、温度センサーが一次側に設置される構造のメリットは、以下のとおりである。
（１）保護素子の検出の追従性の向上
（２）絶縁距離を最小化できることによる小型化
Compared with the conventional structure in which the temperature sensor is installed on the secondary side, the advantages of the structure in which the temperature sensor is installed on the primary side are as follows.
(1) Improvement of detection followability of protective element (2) Miniaturization by minimizing insulation distance
従来のスイッチング電源の温度保護としては、二次側のダイオードＤ１のヒートシンク１０に温度センサーが接触され、温度が検出されていた。この従来技術では、１／８パワー等の場合は、問題ないが、負荷が重い場合、スイッチング素子２の温度上昇が急になり、本来保護したい目的の素子を保護できない。そのため、スイッチング素子２用のヒートシンク９に温度センサー８を接触させ、温度検出することが、最も効果的である。しかしながら、ヒートシンク９に温度センサー８を接触させるためには、二次側の素子では、空間距離、及び、沿面距離が問題となる。一次−二次間の沿面距離は、厳密には、動作電圧によるが、ＡＣ２４０Ｖ／５０Ｈｚの商用電源の場合、通常、６ｍｍ程度確保する必要がある。
As the temperature protection of the conventional switching power supply, the temperature sensor is brought into contact with the
従来技術では、一次側部品に二次側部品を接触させている例もあるが、この場合、ヒートシンクの羽が、基板面に接触していなかったため、パッケージを絶縁体とみなし、接触面から部品に沿った足までの距離を沿面距離とすることで、安全基準をクリアできている。ブリッジダイオードに主に使用されるヒートシンクは、羽が基板に接触する構造であるため、同様の構造とすると、沿面距離を取ることが難しいことがわかる。また、実際に二次側の温度センサーでＭＯＳＦＥＴ（スイッチング素子）を監視する例では、羽の先であり、ＭＯＳＦＥＴ近傍に配置できていないため、温度追従性も悪い。 In the prior art, there is an example in which the secondary side component is in contact with the primary side component, but in this case, since the wings of the heat sink are not in contact with the substrate surface, the package is regarded as an insulator and the component is viewed from the contact surface. By setting the distance to the foot along the line as the creepage distance, the safety standard can be cleared. Since the heat sink mainly used for the bridge diode has a structure in which the wings come into contact with the substrate, it can be seen that it is difficult to obtain a creepage distance if the same structure is used. Further, in the example of actually monitoring the MOSFET (switching element) with the temperature sensor on the secondary side, the temperature followability is poor because it is the tip of the wing and cannot be arranged near the MOSFET.
これらの問題を解決するためには、温度保護回路を一次側に設けることで、沿面距離、空間距離の要求を小さくし、より温度上昇の大きいＭＯＳＦＥＴ近傍に設置することが可能となる。また、一次−二次間の沿面距離を考慮して、温度センサーを配置する必要がないため、より小型に配置できるようになる。 In order to solve these problems, by providing a temperature protection circuit on the primary side, the requirements for creepage distance and spatial distance can be reduced, and it becomes possible to install the temperature protection circuit in the vicinity of the MOSFET with a larger temperature rise. Further, since it is not necessary to arrange the temperature sensor in consideration of the creepage distance between the primary and secondary, it becomes possible to arrange the temperature sensor in a smaller size.
以上説明したように、本実施形態では、温度保護回路７は、スイッチング電源１の一次側に設けられている。これにより、安全距離、絶縁を保った状態で、温度センサー８を一次側のヒートシンク９に接触させることができる。このように、本発明によれば、容易な構成で、スイッチング電源１の温度保護を行うことができる。
As described above, in the present embodiment, the temperature protection circuit 7 is provided on the primary side of the switching
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明を適用可能な形態は、上述の実施形態には限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることが可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments to which the present invention can be applied are not limited to the above-described embodiments, and modifications can be made as appropriate without departing from the spirit of the present invention. is there.
本発明は、スイッチング電源の温度保護回路、及び、スイッチング電源に好適に採用され得る。 The present invention can be suitably adopted for a temperature protection circuit of a switching power supply and a switching power supply.
１ スイッチング電源
２ スイッチング素子
３ 制御ＩＣ（制御回路）
４ トランス
７ 温度保護回路
８ 温度センサー
９ ヒートシンク
Ｄ２ ツェナーダイオード
Ｑ１ バイポーラトランジスタ（第１バイポーラトランジスタ）
Ｑ２ バイポーラトランジスタ（第２バイポーラトランジスタ）
Ｑ３ バイポーラトランジスタ（第３バイポーラトランジスタ）
Ｒ６ 抵抗（第１抵抗）
Ｒ７ 抵抗（第２抵抗）
Ｒ８ 抵抗（第３抵抗）
Ｒ９ 抵抗（第４抵抗）
Ｒ１０ 抵抗（第５抵抗）
1 Switching power supply 2 Switching element 3 Control IC (control circuit)
4 Transformer 7 Temperature protection circuit 8 Temperature sensor 9 Heat sink D2 Zener diode Q1 Bipolar transistor (first bipolar transistor)
Q2 Bipolar transistor (second bipolar transistor)
Q3 Bipolar transistor (3rd bipolar transistor)
R6 resistor (first resistor)
R7 resistor (second resistor)
R8 resistor (third resistor)
R9 resistor (4th resistor)
R10 resistor (fifth resistor)
Claims (4)
エミッタが、第２バイポーラトランジスタのエミッタと、第１抵抗と、に接続され、
コレクタが、基準電位に接続された、ｐｎｐ型の第１バイポーラトランジスタと、
ベースが、第２抵抗と第３抵抗との間に接続され、
エミッタが、第１バイポーラトランジスタのエミッタと、前記第１抵抗と、に接続され、
コレクタが、第４抵抗を介して、基準電位に接続された、ｐｎｐ型の第２バイポーラトランジスタと、
ベースが、第５抵抗を介して、前記第２バイポーラトランジスタのコレクタと前記第４抵抗との間に接続され、
コレクタが、制御回路のフィードバック端子に接続され、
エミッタが、基準電位に接続された、ｎｐｎ型の第３バイポーラトランジスタと、
カソードが、前記第１抵抗と、前記第２抵抗と、に接続され、
アノードが、基準電位に接続された、ツェナーダイオードと、をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の温度保護回路。 The base is connected to the output terminal of the temperature sensor,
The emitter is connected to the emitter of the second bipolar transistor and the first resistor.
The collector is connected to the reference potential, and the pnp type first bipolar transistor and
The base is connected between the 2nd and 3rd resistors,
The emitter is connected to the emitter of the first bipolar transistor and the first resistor.
A pnp type second bipolar transistor in which the collector is connected to the reference potential via the fourth resistor, and
The base is connected between the collector of the second bipolar transistor and the fourth resistor via a fifth resistor.
The collector is connected to the feedback terminal of the control circuit,
An npn-type third bipolar transistor whose emitter is connected to a reference potential,
The cathode is connected to the first resistor and the second resistor,
The temperature protection circuit according to claim 1 or 2, wherein the anode further comprises a Zener diode connected to a reference potential.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019031538A JP2020137349A (en) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | Temperature protection circuit and switching power supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019031538A JP2020137349A (en) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | Temperature protection circuit and switching power supply |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020137349A true JP2020137349A (en) | 2020-08-31 |
Family
ID=72279276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019031538A Pending JP2020137349A (en) | 2019-02-25 | 2019-02-25 | Temperature protection circuit and switching power supply |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2020137349A (en) |
-
2019
- 2019-02-25 JP JP2019031538A patent/JP2020137349A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5056395B2 (en) | Switching power supply | |
| JP2016036242A (en) | Insulated synchronous rectification dc/dc converter and its feedback circuit, its synchronous rectification controller, a power supply device using the same, power supply adapter and electronic apparatus | |
| KR100296635B1 (en) | Smps having low voltage protection circuit | |
| US20050201126A1 (en) | DC-DC converter | |
| KR20060130310A (en) | Electronic apparatus and control method thereof | |
| JP5126967B2 (en) | Switching power supply | |
| JP6149953B1 (en) | Protection circuit and switching power supply | |
| JP5137121B2 (en) | Switching power supply | |
| US10483864B1 (en) | Method for detecting short circuit conditions in frequency control loop components | |
| JP2003153529A (en) | Switching power supply circuit | |
| JP2020137349A (en) | Temperature protection circuit and switching power supply | |
| US10615681B2 (en) | Switching power supply circuit | |
| US9906146B2 (en) | Thermal protection circuit for switching power supply | |
| KR101220775B1 (en) | Switching mode power supply(SMPS) having over current protection | |
| JP2017135914A (en) | Automatic voltage regulator | |
| US10819239B2 (en) | Switched-mode power supply having a load increase circuit | |
| JPS6316310Y2 (en) | ||
| KR102334524B1 (en) | Switching mode power supply | |
| JP6394343B2 (en) | Power supply device and lighting device | |
| JPS585588B2 (en) | DC-DC converter overvoltage protection circuit | |
| JP2005198469A (en) | Switching power supply unit | |
| JP2730975B2 (en) | Hybrid integrated circuit | |
| JPS642503Y2 (en) | ||
| JPH0370468A (en) | Self exciting switching type constant voltage circuit | |
| JPH1155946A (en) | Protection circuit against overcurrent |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210928 |