JP2020132958A - Copper-clad laminate and manufacturing method of copper-clad laminate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、銅張積層板および銅張積層板の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、フレキシブルプリント配線板(FPC)などの製造に用いられる銅張積層板、およびその銅張積層板の製造方法に関する。 The present invention relates to a copper-clad laminate and a method for manufacturing a copper-clad laminate. More specifically, the present invention relates to a copper-clad laminate used for manufacturing a flexible printed wiring board (FPC) and the like, and a method for manufacturing the copper-clad laminate.
液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話などには、樹脂フィルムの表面に配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線板が用いられる。フレキシブルプリント配線板は、例えば、銅張積層板から製造される。 Flexible printed wiring boards having a wiring pattern formed on the surface of a resin film are used for liquid crystal panels, notebook computers, digital cameras, mobile phones, and the like. The flexible printed wiring board is manufactured from, for example, a copper-clad laminate.
銅張積層板の製造方法としてメタライジング法が知られている。メタライジング法による銅張積層板の製造は、例えば、つぎの手順で行なわれる。まず、樹脂フィルムの表面にニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成する。つぎに、下地金属層の上に銅薄膜層を形成する。つぎに、銅薄膜層の上に銅めっき被膜を形成する。銅めっきにより、配線パターンを形成するのに適した膜厚となるまで導体層を厚膜化する。メタライジング法により、樹脂フィルム上に直接導体層が形成された、いわゆる2層基板と称されるタイプの銅張積層板が得られる。 The metallizing method is known as a method for manufacturing a copper-clad laminate. The production of the copper-clad laminate by the metallizing method is performed, for example, by the following procedure. First, a base metal layer made of a nickel-chromium alloy is formed on the surface of the resin film. Next, a copper thin film layer is formed on the base metal layer. Next, a copper plating film is formed on the copper thin film layer. By copper plating, the conductor layer is thickened until the film thickness is suitable for forming the wiring pattern. By the metallizing method, a copper-clad laminate of a type called a so-called two-layer substrate in which a conductor layer is directly formed on a resin film can be obtained.
この種の銅張積層板を用いてフレキシブルプリント配線板を製造する方法としてセミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法によるフレキシブルプリント配線板の製造は、つぎの手順で行なわれる(特許文献1参照)。まず、銅張積層板の銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成する。つぎに、レジスト層のうち配線パターンを形成する部分に開口部を形成する。つぎに、レジスト層の開口部から露出した銅めっき被膜を陰極として電解めっきを行ない、配線部を形成する。つぎに、レジスト層を除去し、フラッシュエッチングなどにより配線部以外の導体層を除去する。これにより、フレキシブルプリント配線板が得られる。 A semi-additive method is known as a method for manufacturing a flexible printed wiring board using this type of copper-clad laminate. The flexible printed wiring board is manufactured by the semi-additive method according to the following procedure (see Patent Document 1). First, a resist layer is formed on the surface of the copper plating film of the copper-clad laminate. Next, an opening is formed in the portion of the resist layer that forms the wiring pattern. Next, electrolytic plating is performed using the copper plating film exposed from the opening of the resist layer as a cathode to form a wiring portion. Next, the resist layer is removed, and the conductor layer other than the wiring portion is removed by flash etching or the like. As a result, a flexible printed wiring board can be obtained.
セミアディティブ法において、銅めっき被膜の表面にレジスト層を形成するあたり、ドライフィルムレジストを用いることがある。この場合、銅めっき被膜の表面を化学研磨した後に、ドライフィルムレジストを貼り付ける。化学研磨により銅めっき被膜の表面に微細な凹凸をつけることで、アンカー効果によりドライフィルムレジストの密着性を高めている。しかし、銅めっき被膜の表面の凹凸が過剰であると、かえってドライフィルムレジストの密着性が悪化することがある。 In the semi-additive method, a dry film resist may be used to form a resist layer on the surface of the copper plating film. In this case, after the surface of the copper plating film is chemically polished, a dry film resist is attached. By making fine irregularities on the surface of the copper plating film by chemical polishing, the adhesion of the dry film resist is improved by the anchor effect. However, if the surface of the copper plating film is excessively uneven, the adhesion of the dry film resist may be deteriorated.
化学研磨後の銅めっき被膜の表面粗さは、銅めっき被膜の結晶粒のサイズに影響される。結晶粒が小さいほど化学研磨後の銅めっき被膜の表面が滑らかになり、結晶粒が大きいほど化学研磨後の銅めっき被膜の表面が粗くなるという傾向がある。 The surface roughness of the copper plating film after chemical polishing is affected by the size of the crystal grains of the copper plating film. The smaller the crystal grains, the smoother the surface of the copper plating film after chemical polishing, and the larger the crystal grains, the rougher the surface of the copper plating film after chemical polishing.
銅めっき被膜の結晶粒はめっき処理後の再結晶の進行にともない、徐々に大きくなる。再結晶が進行中の銅めっき被膜に化学研磨を行なうと、化学研磨の時点におけるめっき処理からの経過時間によって、化学研磨後の銅めっき被膜の表面粗さが変化する。そのため、配線加工における工程管理が困難になる。また、再結晶が終了した銅めっき被膜は結晶粒が大きくなっていることから、化学研磨後の表面粗さが過剰となることがある。そこで、銅張積層板の銅めっき被膜には、再結晶の進行が遅いことが求められる場合がある。 The crystal grains of the copper plating film gradually increase in size as the recrystallization progresses after the plating treatment. When the copper plating film in which recrystallization is in progress is chemically polished, the surface roughness of the copper plating film after the chemical polishing changes depending on the elapsed time from the plating treatment at the time of the chemical polishing. Therefore, process control in wiring processing becomes difficult. Further, since the crystal grains of the copper-plated coating that has been recrystallized are large, the surface roughness after chemical polishing may be excessive. Therefore, the copper-plated coating of the copper-clad laminate may be required to have a slow progress of recrystallization.
本発明は上記事情に鑑み、再結晶の進行が遅い銅めっき被膜を有する銅張積層板、およびその銅張積層板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a copper-clad laminate having a copper-plated coating in which recrystallization proceeds slowly, and a method for producing the copper-clad laminate.
第1発明の銅張積層板は、基材と、前記基材の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、前記銅めっき被膜は、無通電状態で前記基材の表面にブライトナー成分を含むブライトナー液を接触させた後に、銅めっき液を用いた電解めっきにより成膜されたものであることを特徴とする。
第2発明の銅張積層板の製造方法は、基材の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、無通電状態で前記基材の表面にブライトナー成分を含むブライトナー液を接触させた後に、銅めっき液を用いた電解めっきを行なって前記銅めっき被膜を成膜することを特徴とする。
第3発明の銅張積層板の製造方法は、ロールツーロールにより基材を搬送しつつ、該基材の表面に銅めっき被膜を成膜して銅張積層板を得るにあたり、前記基材の搬送経路に、ブライトナー成分を含むブライトナー液を貯留した前処理槽と、銅めっき液を用いた電解めっきを行なうめっき槽とを、上流から下流に向かってこの順に配置することを特徴とする。
第4発明の銅張積層板の製造方法は、第2または第3発明において、前記ブライトナー液のブライトナー成分の濃度は5mg/L以上であることを特徴とする。
第5発明の銅張積層板の製造方法は、第2〜4のいずれかに発明において、前記基材の前記ブライトナー液との接触時間は5秒以上であることを特徴とする。
第6発明の銅張積層板の製造方法は、第2〜5のいずれかに発明において、前記ブライトナー液に含まれるブライトナー成分はビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドであることを特徴とする。
The copper-clad laminate of the first invention comprises a base material and a copper plating film formed on the surface of the base material, and the copper plating film is a brightener on the surface of the base material in a non-energized state. It is characterized in that the film is formed by electrolytic plating using a copper plating solution after contacting the Brightener solution containing the components.
In the method for producing a copper-clad laminate of the second invention, when a copper-plated coating is formed on the surface of a base material to obtain a copper-clad laminate, a bright containing a brightener component on the surface of the base material in a non-energized state It is characterized in that the copper plating film is formed by performing electrolytic plating with a copper plating solution after contacting the ner liquid.
The method for producing a copper-clad laminate according to the third invention is to obtain a copper-clad laminate by forming a copper plating film on the surface of the substrate while transporting the substrate by roll-to-roll. A pretreatment tank in which a Brightener liquid containing a Brightener component is stored and a plating tank for electrolytic plating using a copper plating liquid are arranged in this order from upstream to downstream in a transport path. ..
The method for producing a copper-clad laminate according to the fourth invention is characterized in that, in the second or third invention, the concentration of the Brightner component in the Brightener solution is 5 mg / L or more.
The method for producing a copper-clad laminate of the fifth invention is characterized in that, in any one of the second to fourth inventions, the contact time of the base material with the Brightener liquid is 5 seconds or more.
The method for producing a copper-clad laminate of the sixth invention is characterized in that, in any one of the second to fifth inventions, the Brightener component contained in the Brightener solution is bis (3-sulfopropyl) disulfide. ..
本発明によれば、銅めっき被膜のうち基材との界面近傍の硫黄濃度が高くなる。再結晶が進みやすい基材との界面近傍に再結晶の進行を抑制する硫黄が多く含まれるので、銅めっき被膜の再結晶の進行を遅くできる。 According to the present invention, the sulfur concentration in the copper plating film near the interface with the base material is high. Since a large amount of sulfur that suppresses the progress of recrystallization is contained in the vicinity of the interface with the base material where recrystallization easily proceeds, the progress of recrystallization of the copper plating film can be slowed down.
つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る銅張積層板1は、基材10と、基材10の表面に成膜された銅めっき被膜20とからなる。図1に示すように基材10の片面のみに銅めっき被膜20が形成されてもよいし、基材10の両面に銅めっき被膜20が形成されてもよい。
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, the copper-clad laminate 1 according to the embodiment of the present invention comprises a base material 10 and a copper plating film 20 formed on the surface of the base material 10. As shown in FIG. 1, the copper plating film 20 may be formed on only one side of the base material 10, or the copper plating film 20 may be formed on both sides of the base material 10.
銅めっき被膜20は電解めっきにより成膜される。したがって、基材10は銅めっき被膜20が成膜される側の表面に導電性を有する素材であればよい。例えば、基材10は絶縁性を有するベースフィルム11の表面に金属層12が形成されたものである。ベースフィルム11としてポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムを用いることができる。金属層12は、例えば、スパッタリング法により形成される。金属層12は下地金属層13と銅薄膜層14とからなる。下地金属層13と銅薄膜層14とはベースフィルム11の表面にこの順に積層されている。一般に、下地金属層13はニッケル、クロム、またはニッケルクロム合金からなる。特に限定されないが、下地金属層13の厚さは5〜50nmが一般的であり、銅薄膜層14の厚さは50〜400nmが一般的である。 The copper plating film 20 is formed by electrolytic plating. Therefore, the base material 10 may be a material having conductivity on the surface on the side where the copper plating film 20 is formed. For example, the base material 10 has a metal layer 12 formed on the surface of a base film 11 having an insulating property. A resin film such as a polyimide film can be used as the base film 11. The metal layer 12 is formed by, for example, a sputtering method. The metal layer 12 is composed of a base metal layer 13 and a copper thin film layer 14. The base metal layer 13 and the copper thin film layer 14 are laminated in this order on the surface of the base film 11. Generally, the base metal layer 13 is made of nickel, chromium, or a nickel-chromium alloy. Although not particularly limited, the thickness of the base metal layer 13 is generally 5 to 50 nm, and the thickness of the copper thin film layer 14 is generally 50 to 400 nm.
銅めっき被膜20は金属層12の表面に形成されている。特に限定されないが、銅めっき被膜20の厚さは1〜3μmが一般的である。なお、金属層12と銅めっき被膜20とを合わせて「導体層」と称する。 The copper plating film 20 is formed on the surface of the metal layer 12. Although not particularly limited, the thickness of the copper plating film 20 is generally 1 to 3 μm. The metal layer 12 and the copper plating film 20 are collectively referred to as a "conductor layer".
銅めっき被膜20は、特に限定されないが、図2に示すめっき装置3により成膜される。
めっき装置3は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材10を搬送しつつ、基材10に対して電解めっきを行なう装置である。めっき装置3はロール状に巻回された基材10を繰り出す供給装置31と、めっき後の基材10(銅張積層板1)をロール状に巻き取る巻取装置32とを有する。
The copper plating film 20 is not particularly limited, but is formed by the plating apparatus 3 shown in FIG.
The plating device 3 is a device that performs electrolytic plating on the base material 10 while transporting the long strip-shaped base material 10 by roll-to-roll. The plating device 3 has a supply device 31 for feeding out the base material 10 wound in a roll shape, and a winding device 32 for winding up the base material 10 (copper-clad laminate 1) after plating in a roll shape.
また、めっき装置3は基材10を搬送する上下一対のエンドレスベルト33(下側のエンドレスベルト33は図示省略)を有する。各エンドレスベルト33には基材10を把持する複数のクランプ34が設けられている。供給装置31から繰り出された基材10は、その幅方向が鉛直方向に沿う懸垂姿勢となり、両縁が上下のクランプ34に把持される。基材10はエンドレスベルト33の駆動によりめっき装置3内を周回した後、クランプ34から開放され、巻取装置32で巻き取られる。 Further, the plating apparatus 3 has a pair of upper and lower endless belts 33 (the lower endless belt 33 is not shown) that conveys the base material 10. Each endless belt 33 is provided with a plurality of clamps 34 for gripping the base material 10. The base material 10 unwound from the supply device 31 is in a suspended posture in the width direction along the vertical direction, and both edges are gripped by the upper and lower clamps 34. The base material 10 circulates in the plating device 3 by driving the endless belt 33, is released from the clamp 34, and is wound by the winding device 32.
基材10の搬送経路には、上流から下流に向かって、前処理槽40、めっき槽35、および後処理槽36がこの順に配置されている。基材10はめっき槽35内を搬送されつつ、電解めっきによりその表面に銅めっき被膜20が成膜される。これにより、長尺帯状の銅張積層板1が得られる。 In the transport path of the base material 10, a pretreatment tank 40, a plating tank 35, and a posttreatment tank 36 are arranged in this order from upstream to downstream. While the base material 10 is conveyed in the plating tank 35, a copper plating film 20 is formed on the surface thereof by electrolytic plating. As a result, a long strip-shaped copper-clad laminate 1 can be obtained.
図3に示すように、前処理槽40は基材10の搬送方向に沿った横長の槽である。前処理槽40の内部は6つの区間41〜46に区分けされている。基材10の搬送経路の上流から下流に向かって、アルカリ処理区間41、水洗区間42、酸処理区間43、水洗区間44、ブライトナー処理区間45、水洗区間46の順に並んでいる。 As shown in FIG. 3, the pretreatment tank 40 is a horizontally long tank along the transport direction of the base material 10. The inside of the pretreatment tank 40 is divided into six sections 41 to 46. From upstream to downstream of the transport path of the base material 10, the alkali-treated section 41, the water-washed section 42, the acid-treated section 43, the water-washed section 44, the Brightner-treated section 45, and the water-washed section 46 are arranged in this order.
アルカリ処理区間41には水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムなどのアルカリ塩を用いた脱脂液が貯留されている。アルカリ処理区間41を搬送される基材10は、その全体が脱脂液に浸漬される。このアルカリ処理により基材10の表面に付着している油脂を除去する。 A degreasing solution using an alkali salt such as sodium hydroxide or sodium carbonate is stored in the alkali treatment section 41. The entire base material 10 transported through the alkali treatment section 41 is immersed in the degreasing liquid. The oil and fat adhering to the surface of the base material 10 is removed by this alkali treatment.
各水洗区間42、44、46には水が貯留されている。水洗区間42、44、46を搬送される基材10は、その全体が水に浸漬され、これにより水洗される。 Water is stored in each of the flush sections 42, 44, and 46. The entire base material 10 transported through the water-washing sections 42, 44, and 46 is immersed in water and is washed with water.
酸処理区間43には硫酸、塩酸などの酸が貯留されている。酸処理区間43を搬送される基材10は、その全体が酸に浸漬される。この酸処理により基材10の表面(銅薄膜層14の表面)の酸化物を除去する。 Acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid are stored in the acid treatment section 43. The entire base material 10 transported through the acid treatment section 43 is immersed in the acid. By this acid treatment, the oxide on the surface of the base material 10 (the surface of the copper thin film layer 14) is removed.
ブライトナー処理区間45にはブライトナー液が貯留されている。ブライトナー液とはブライトナー成分を含む液である。ブライトナー成分として一般的にめっき液に添加されるものを用いることができる。特に限定されないが、ブライトナー成分として、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド(略称SPS)、3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸(略称MPS)などから選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。 The Brightner liquid is stored in the Brightener treatment section 45. The Brightener liquid is a liquid containing a Brightner component. As the Brightener component, one generally added to the plating solution can be used. Although not particularly limited, as a brightener component, one type selected from bis (3-sulfopropyl) disulfide (abbreviated as SPS), 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid (abbreviated as MPS), etc. may be used alone or in two types. It is preferable to use the above in combination.
ブライトナー液は硫酸および銅を含むことが好ましい。そうすれば、ブライトナー液を貯留している槽の壁面に藻が発生することを防止できる。また、ブライトナー液としてめっき槽35に貯留される銅めっき液を用いてもよい。この場合、銅めっき液には、ブライトナー成分以外の添加剤、すなわち、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などが含まれてもよい。ブライトナー液として銅めっき液を用いれば、銅めっき液とは別にブライトナー液を調製する必要がなくなる。 The Brightener solution preferably contains sulfuric acid and copper. By doing so, it is possible to prevent algae from growing on the wall surface of the tank that stores the Brightener solution. Further, a copper plating solution stored in the plating tank 35 may be used as the Brightener solution. In this case, the copper plating solution may contain additives other than the Brightener component, that is, a leveler component, a polymer component, a chlorine component, and the like. If a copper plating solution is used as the brightener solution, it is not necessary to prepare a brightener solution separately from the copper plating solution.
ブライトナー処理区間45を搬送される基材10は、その全体がブライトナー液に浸漬される。このブライトナー処理により基材10の表面(銅薄膜層14の表面)にブライトナー液が接触し、ブライトナー成分が吸着する。 The entire base material 10 transported through the Brightener treatment section 45 is immersed in the Brightener liquid. By this Brightener treatment, the Brightener liquid comes into contact with the surface of the base material 10 (the surface of the copper thin film layer 14), and the Brightener component is adsorbed.
基材10は、前処理槽40を搬送される間に、アルカリ処理、酸処理、ブライトナー処理が行なわれる。アルカリ処理、酸処理、ブライトナー処理はこの順に行なうことが好ましい。そうすれば、油脂および酸化物が除去された清浄な金属表面にブライトナー成分を吸着させることができる。ただし、前処理として少なくともブライトナー処理を行なえばよい。その他の処理は必要に応じて行なえばよい。 The base material 10 is subjected to alkali treatment, acid treatment, and Brightener treatment while being conveyed in the pretreatment tank 40. It is preferable that the alkali treatment, the acid treatment, and the Brightener treatment are performed in this order. Then, the Brightener component can be adsorbed on a clean metal surface from which fats and oils and oxides have been removed. However, at least the Brightener treatment may be performed as the pretreatment. Other processing may be performed as needed.
前処理は無通電状態、すなわち基材10に電流を供給しない状態で行なわれる。無通電状態でブライトナー処理を行なったとしても、基材10の表面(銅薄膜層14の表面)にはブライトナー成分が吸着する。 The pretreatment is performed in a non-energized state, that is, in a state where no current is supplied to the base material 10. Even if the Brightener treatment is performed in a non-energized state, the Brightener component is adsorbed on the surface of the base material 10 (the surface of the copper thin film layer 14).
各区間41〜46の内部に、基材10に向かって処理液(アルカリ、酸、ブライトナー液、洗浄水)を噴出するノズルを設けることが好ましい。 It is preferable to provide a nozzle for ejecting the treatment liquid (alkali, acid, Brightener liquid, washing water) toward the base material 10 inside each section 41 to 46.
図2に示すように、めっき槽35は基材10の搬送方向に沿った横長の単一の槽である。めっき槽35には銅めっき液が貯留されている。めっき槽35内を搬送される基材10は、その全体が銅めっき液に浸漬されている。 As shown in FIG. 2, the plating tank 35 is a single horizontally long tank along the transport direction of the base material 10. A copper plating solution is stored in the plating tank 35. The entire base material 10 conveyed in the plating tank 35 is immersed in a copper plating solution.
銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば、特に限定されず用いられる。水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などが挙げられる。無機銅塩として、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅などが挙げられる。アルカンスルホン酸銅塩として、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅などが挙げられる。アルカノールスルホン酸銅塩として、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅などが挙げられる。有機酸銅塩として、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などが挙げられる。 The copper plating solution contains a water-soluble copper salt. Any water-soluble copper salt generally used in the copper plating solution is used without particular limitation. Examples of the water-soluble copper salt include an inorganic copper salt, an alkane sulfonic acid copper salt, an alkanol sulfonic acid copper salt, and an organic acid copper salt. Examples of the inorganic copper salt include copper sulfate, copper oxide, copper chloride, and copper carbonate. Examples of the alkane sulfonic acid copper salt include copper methanesulfonate and copper propane sulfonate. Examples of the alkanol sulfonic acid copper salt include copper isethionic acid and copper propanol sulfonate. Examples of the organic acid copper salt include copper acetate, copper citrate, copper tartrate and the like.
銅めっき液に用いる水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された1種類を単独で用いてもよいし、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、硫酸銅と塩化銅とを組み合わせる場合のように、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された1つのカテゴリー内の異なる2種類以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、銅めっき液の管理の観点からは、1種類の水溶性銅塩を単独で用いることが好ましい。 As the water-soluble copper salt used in the copper plating solution, one type selected from inorganic copper salt, alkane sulfonic acid copper salt, alkanol sulfonic acid copper salt, organic acid copper salt and the like may be used alone, or two or more types may be used. May be used in combination. For example, as in the case of combining copper sulfate and copper chloride, two or more different types in one category selected from inorganic copper salt, alkane sulfonic acid copper salt, alkanol sulfonic acid copper salt, organic acid copper salt, etc. It may be used in combination. However, from the viewpoint of controlling the copper plating solution, it is preferable to use one kind of water-soluble copper salt alone.
銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のpHおよび硫酸イオン濃度を調整できる。 The copper plating solution may contain sulfuric acid. By adjusting the amount of sulfuric acid added, the pH and sulfate ion concentration of the copper plating solution can be adjusted.
銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含んでもよい。添加剤として、ブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などが挙げられる。銅めっき液はブライトナー成分、レベラー成分、ポリマー成分、塩素成分などから選択された1種類を含んでもよいし、2種類以上を含んでもよい。 The copper plating solution may contain additives that are generally added to the plating solution. Examples of the additive include a Brightner component, a leveler component, a polymer component, a chlorine component and the like. The copper plating solution may contain one type selected from a Brightener component, a leveler component, a polymer component, a chlorine component, and the like, or may contain two or more types.
ブライトナー成分は硫黄を含む。ブライトナー成分として、特に限定されないが、ビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド(略称SPS)、3−メルカプトプロパン−1−スルホン酸(略称MPS)などから選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。レベラー成分は窒素を含有するアミンなどで構成される。レベラー成分として、特に限定されないが、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ヤヌス・グリーンBなどから選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。ポリマー成分として、特に限定されないが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。塩素成分として、特に限定されないが、塩酸、塩化ナトリウムなどから選択された1種類を単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。 The Brightner component contains sulfur. The Brightener component is not particularly limited, but one type selected from bis (3-sulfopropyl) disulfide (abbreviated as SPS), 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid (abbreviated as MPS), etc. may be used alone or as two types. It is preferable to use the above in combination. The leveler component is composed of nitrogen-containing amines and the like. The leveler component is not particularly limited, but it is preferable to use one selected from diallyldimethylammonium chloride, Janus Green B, etc. alone or in combination of two or more. The polymer component is not particularly limited, but it is preferable to use one selected from polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer alone or in combination of two or more. The chlorine component is not particularly limited, but it is preferable to use one selected from hydrochloric acid, sodium chloride and the like alone or in combination of two or more.
銅めっき液の各成分の含有量は任意に選択できる。ただし、銅めっき液は銅を15〜70g/L、硫酸を20〜250g/L含有することが好ましい。そうすれば、銅めっき被膜20を十分な速度で成膜できる。銅めっき液はブライトナー成分を1〜30mg/L含有することが好ましい。そうすれば、析出結晶を微細化し銅めっき被膜20の表面を平滑にできる。銅めっき液はレベラー成分を0.5〜50mg/L含有することが好ましい。そうすれば、突起を抑制し平坦な銅めっき被膜20を形成できる。銅めっき液はポリマー成分を10〜1,500mg/L含有することが好ましい。そうすれば、基材10端部への電流集中を緩和し均一な銅めっき被膜20を形成できる。銅めっき液は塩素成分を20〜80mg/L含有することが好ましい。そうすれば、異常析出を抑制できる。 The content of each component of the copper plating solution can be arbitrarily selected. However, the copper plating solution preferably contains 15 to 70 g / L of copper and 20 to 250 g / L of sulfuric acid. Then, the copper plating film 20 can be formed at a sufficient speed. The copper plating solution preferably contains 1 to 30 mg / L of the Brightener component. Then, the precipitated crystals can be made finer and the surface of the copper plating film 20 can be smoothed. The copper plating solution preferably contains a leveler component of 0.5 to 50 mg / L. Then, the protrusions can be suppressed and the flat copper plating film 20 can be formed. The copper plating solution preferably contains a polymer component of 10 to 1,500 mg / L. Then, the current concentration on the end of the base material 10 can be relaxed and a uniform copper plating film 20 can be formed. The copper plating solution preferably contains a chlorine component of 20 to 80 mg / L. Then, abnormal precipitation can be suppressed.
銅めっき液の温度は23〜38℃が好ましい。また、めっき槽35内の銅めっき液を撹拌することが好ましい。銅めっき液を撹拌する手段は、特に限定されないが、噴流を利用した手段を用いることができる。例えば、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材10に吹き付けることで、銅めっき液を撹拌できる。 The temperature of the copper plating solution is preferably 23 to 38 ° C. Further, it is preferable to stir the copper plating solution in the plating tank 35. The means for stirring the copper plating solution is not particularly limited, but a means using a jet can be used. For example, the copper plating solution can be agitated by spraying the copper plating solution ejected from the nozzle onto the base material 10.
めっき槽35の内部には、基材10の搬送方向に沿って複数のアノードが配置されている。アノードの材質および構造は、特に限定されないが、例えばチタンに酸化イリジウムをコーティングしたメッシュ状の不溶性電極でよい。また、基材10には、それを把持するクランプ34を介して電流が供給されている。基材10とアノードとの間に電流を流すと、基材10をカソードとした電解めっきが行なわれる。電解めっきを行なうことで、基材10の表面に銅めっき被膜20を成膜でき、長尺帯状の銅張積層板1が得られる。 Inside the plating tank 35, a plurality of anodes are arranged along the transport direction of the base material 10. The material and structure of the anode are not particularly limited, but may be, for example, a mesh-like insoluble electrode obtained by coating titanium with iridium oxide. Further, an electric current is supplied to the base material 10 via a clamp 34 that grips the base material 10. When an electric current is passed between the base material 10 and the anode, electrolytic plating is performed using the base material 10 as a cathode. By performing electrolytic plating, a copper plating film 20 can be formed on the surface of the base material 10, and a long strip-shaped copper-clad laminate 1 can be obtained.
めっき槽35の内部に配置された複数のアノードは、それぞれに整流器が接続されている。したがって、アノードごとに異なる電流密度となるように設定できる。電流密度は0.3〜10A/dm2に設定することが好ましい。また、電流密度は基材10の搬送方向の下流側に向かって、段階的に上昇するよう設定することが好ましい。 A rectifier is connected to each of the plurality of anodes arranged inside the plating tank 35. Therefore, the current density can be set to be different for each anode. The current density is preferably set to 0.3 to 10 A / dm 2 . Further, it is preferable that the current density is set so as to gradually increase toward the downstream side in the transport direction of the base material 10.
以上のように、無通電状態で基材10の表面にブライトナー液を接触させた後に、銅めっき液を用いた電解めっきを行なって銅めっき被膜20を成膜する。このような方法により形成された銅めっき被膜20は基材10との界面近傍に不純物として硫黄を多く含む。すなわち、図1に示すように、銅めっき被膜20は基材10との界面近傍の高硫黄濃度層21と、その上に積層された低硫黄濃度層22とからなる。ここで、高硫黄濃度層21は相対的に硫黄濃度が高い層であり、低硫黄濃度層22は相対的に硫濃度が低い層である。 As described above, after the Brightener solution is brought into contact with the surface of the base material 10 in a non-energized state, electrolytic plating using the copper plating solution is performed to form a copper plating film 20. The copper-plated coating 20 formed by such a method contains a large amount of sulfur as an impurity in the vicinity of the interface with the base material 10. That is, as shown in FIG. 1, the copper plating film 20 includes a high sulfur concentration layer 21 near the interface with the base material 10 and a low sulfur concentration layer 22 laminated on the high sulfur concentration layer 21. Here, the high sulfur concentration layer 21 is a layer having a relatively high sulfur concentration, and the low sulfur concentration layer 22 is a layer having a relatively low sulfur concentration.
このように、高硫黄濃度層21と低硫黄濃度層22とが形成される理由は、つぎのとおりであると考えられる。
前処理槽40で基材10がブライトナー液と接触することで基材10の表面、すなわち銅薄膜層14の表面にブライトナー成分が吸着する。この状態の基材10に対して電解めっきを行なうと、電解の初期において、銅薄膜層14の表面に吸着していたブライトナー成分を取り込みつつ銅めっき被膜20が形成される。そのため、銅めっき被膜20のうち基材10との界面近傍はブライトナー成分に由来する硫黄を多く含むこととなり、高硫黄濃度層21となる。
The reason why the high sulfur concentration layer 21 and the low sulfur concentration layer 22 are formed in this way is considered to be as follows.
When the base material 10 comes into contact with the Brightener liquid in the pretreatment tank 40, the Brightener component is adsorbed on the surface of the base material 10, that is, the surface of the copper thin film layer 14. When the base material 10 in this state is electroplated, the copper plating film 20 is formed while incorporating the Brightener component adsorbed on the surface of the copper thin film layer 14 in the initial stage of electrolysis. Therefore, the vicinity of the interface between the copper plating film 20 and the base material 10 contains a large amount of sulfur derived from the Brightener component, and the high sulfur concentration layer 21 is formed.
引き続き電解めっきを行なうと、ブライトナー成分は銅めっき液から供給されるのみであるため、通常の電解で得られる硫黄濃度の層が形成される。これが低硫黄濃度層22である。 When electrolytic plating is subsequently performed, since the Brightener component is only supplied from the copper plating solution, a layer having a sulfur concentration obtained by ordinary electrolysis is formed. This is the low sulfur concentration layer 22.
このような構造を有する銅めっき被膜20は再結晶の進行が遅いという性質を有する。その理由は不明なところもあるが、概ねつぎのとおりであると考えられる。
銅めっき被膜20は電解めっきが終了した直後から、不純物が多い部分が伸びようとし、不純物が少ない部分が縮もうとする。しかし、銅めっき被膜20は基材10と密着しているため実際には伸び縮みできず、それゆえ銅めっき被膜20に応力が発生する。特に、銅めっき被膜20のうち基材10との界面近傍では応力が大きくなる。そのため、銅めっき被膜20の再結晶は基材10との界面近傍から進行する。
The copper-plated coating 20 having such a structure has a property that the progress of recrystallization is slow. The reason for this is unknown, but it is thought to be as follows.
Immediately after the electrolytic plating of the copper plating film 20 is completed, the portion containing a large amount of impurities tends to grow, and the portion containing a small amount of impurities tends to shrink. However, since the copper plating film 20 is in close contact with the base material 10, it cannot actually expand and contract, and therefore stress is generated in the copper plating film 20. In particular, the stress increases in the vicinity of the interface between the copper plating film 20 and the base material 10. Therefore, the recrystallization of the copper plating film 20 proceeds from the vicinity of the interface with the base material 10.
一方、銅めっき被膜20のうち基材10との界面近傍は硫黄濃度が高い。銅めっき被膜20中の硫黄は再結晶の進行を抑制する効果がある。再結晶が進みやすい基材10との界面近傍に再結晶の進行を抑制する硫黄が多く含まれることから、銅めっき被膜20の再結晶の進行を遅くできる。 On the other hand, the sulfur concentration in the copper plating film 20 near the interface with the base material 10 is high. Sulfur in the copper plating film 20 has the effect of suppressing the progress of recrystallization. Since a large amount of sulfur that suppresses the progress of recrystallization is contained in the vicinity of the interface with the base material 10 where recrystallization easily proceeds, the progress of recrystallization of the copper plating film 20 can be slowed down.
上記の効果を奏するには、電解めっきを行なう前に、基材10の表面に十分な量のブライトナー成分が吸着していればよい。そこで、ブライトナー液のブライトナー成分の濃度(以下、「ブライトナー濃度」と称する。)を5mg/L以上とすることが好ましい。また、基材10のブライトナー液との接触時間(以下、「接触時間」と称する。)を5秒以上とすることが好ましい。なお、接触時間は、基材10の搬送速度およびブライトナー処理区間45の長さにより調整できる。 In order to obtain the above effects, it is sufficient that a sufficient amount of the Brightener component is adsorbed on the surface of the base material 10 before the electrolytic plating is performed. Therefore, it is preferable that the concentration of the Brightner component in the Brightner solution (hereinafter, referred to as "Brightner concentration") is 5 mg / L or more. Further, it is preferable that the contact time of the base material 10 with the Brightner solution (hereinafter, referred to as "contact time") is 5 seconds or more. The contact time can be adjusted by the transport speed of the base material 10 and the length of the Brightener treatment section 45.
ブライトナー成分は銅に吸着することから、銅薄膜層14の表面がブライトナー成分で覆われた時点で吸着が進まなくなると考えられる。ブライトナー成分の吸着量が飽和状態となった後は、ブライトナー濃度を高くしても、接触時間を長くしても、高硫黄濃度層21の硫黄濃度は高くならないと考えられる。この観点からすれば、ブライトナー濃度、および接触時間に上限はない。 Since the Brightener component is adsorbed on copper, it is considered that the adsorption does not proceed when the surface of the copper thin film layer 14 is covered with the Brightner component. After the adsorption amount of the Brightener component is saturated, it is considered that the sulfur concentration in the high sulfur concentration layer 21 does not increase even if the Brightner concentration is increased or the contact time is lengthened. From this point of view, there is no upper limit to the Brightner concentration and contact time.
なお、銅めっき被膜20は硫黄以外の不純物、例えば、銅めっき液の添加剤に由来する窒素、塩素、炭素、酸素などを含んでもよい。 The copper plating film 20 may contain impurities other than sulfur, such as nitrogen, chlorine, carbon, and oxygen derived from additives in the copper plating solution.
つぎに、実施例を説明する。
(再結晶時間測定試験)
まず、再結晶時間測定試験を行なった。
つぎの手順で、基材を準備した。ベースフィルムとして、厚さ35μmのポリイミドフィルム(宇部興産社製 Upilex−35SGAV1)を用意した。ベースフィルムをマグネトロンスパッタリング装置にセットした。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されている。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はCrが20質量%、Niが80質量%である。真空雰囲気下で、ベースフィルムの片面に、厚さ25nmのニッケルクロム合金からなる下地金属層を形成し、その上に厚さ150nmの銅薄膜層を形成した。
Next, an embodiment will be described.
(Recrystallization time measurement test)
First, a recrystallization time measurement test was performed.
The substrate was prepared by the following procedure. As a base film, a polyimide film having a thickness of 35 μm (Upilex-35SGAV1 manufactured by Ube Industries, Ltd.) was prepared. The base film was set in the magnetron sputtering apparatus. A nickel-chromium alloy target and a copper target are installed in the magnetron sputtering apparatus. The composition of the nickel-chromium alloy target is 20% by mass of Cr and 80% by mass of Ni. Under a vacuum atmosphere, a base metal layer made of a nickel-chromium alloy having a thickness of 25 nm was formed on one side of the base film, and a copper thin film layer having a thickness of 150 nm was formed on the base metal layer.
つぎに、ブライトナー液を調製した。ブライトナー液はブライトナー成分を含有する。ブライトナー成分としてビス(3−スルホプロピル)ジスルフィド(RASCHIG GmbH社製の試薬、以下同じ。)を用いた。また、ブライトナー液は硫酸銅を120g/L、硫酸を70g/L含有する。 Next, a Brightener solution was prepared. The Brightner solution contains a Brightner component. Bis (3-sulfopropyl) disulfide (reagent manufactured by RASCHIG GmbH, the same applies hereinafter) was used as the Brightener component. The Brightner solution contains 120 g / L of copper sulfate and 70 g / L of sulfuric acid.
つぎに、銅めっき液を調製した。銅めっき液は硫酸銅を120g/L、硫酸を70g/L、ブライトナー成分を16mg/L、レベラー成分を50mg/L、ポリマー成分を1,100mg/L、塩素成分を50mg/L含有する。ブライトナー成分としてビス(3−スルホプロピル)ジスルフィドを用いた。レベラー成分としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド−二酸化硫黄共重合体(ニットーボーメディカル株式会社製 PAS−A―5)を用いた。ポリマー成分としてポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体(日油株式会社製 ユニルーブ50MB−11)を用いた。塩素成分として塩酸(和光純薬工業株式会社製の35%塩酸)を用いた。 Next, a copper plating solution was prepared. The copper plating solution contains 120 g / L of copper sulfate, 70 g / L of sulfuric acid, 16 mg / L of Brightener component, 50 mg / L of leveler component, 1,100 mg / L of polymer component, and 50 mg / L of chlorine component. Bis (3-sulfopropyl) disulfide was used as the Brightener component. A diallyldimethylammonium chloride-sulfur dioxide copolymer (PAS-A-5 manufactured by Nittobo Medical Co., Ltd.) was used as a leveler component. A polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer (Unilube 50MB-11 manufactured by NOF CORPORATION) was used as a polymer component. Hydrochloric acid (35% hydrochloric acid manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used as the chlorine component.
基材に対して前処理および電解めっきを行ない、基材の片面に厚さ2.0μmの銅めっき被膜を成膜した。前処理としてアルカリ処理、酸処理、ブライトナー処理をこの順に行なった。アルカリ処理は基材を脱脂液(ユケン工業株式会社製 パクナLF−612N2、40g/L)に浸漬することにより行なった。酸処理は基材を硫酸(関東化学株式会社製の96%硫酸を100g/Lに調整)に浸漬することにより行なった。アルカリ処理、酸処理の処理時間はそれぞれ20秒である。 The base material was pretreated and electrolytically plated to form a 2.0 μm-thick copper plating film on one side of the base material. As pretreatment, alkali treatment, acid treatment, and Brightener treatment were performed in this order. The alkaline treatment was carried out by immersing the base material in a degreasing solution (Pakuna LF-612N2, 40 g / L manufactured by Yuken Kogyo Co., Ltd.). The acid treatment was carried out by immersing the base material in sulfuric acid (96% sulfuric acid manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. adjusted to 100 g / L). The treatment time for the alkali treatment and the acid treatment is 20 seconds each.
また、銅めっき液の温度を31℃とした。電解めっきにおいて、めっき開始から終了までの電流密度を0.4A/dm2で40秒、1.5A/dm2で40秒、3.0A/dm2で175秒と変化させた。 The temperature of the copper plating solution was 31 ° C. In electrolytic plating, the current density from the start to the end of plating was changed to 0.4 A / dm 2 for 40 seconds, 1.5 A / dm 2 for 40 seconds, and 3.0 A / dm 2 for 175 seconds.
以上の手順において、ブライトナー処理における接触時間を5、15、25秒の3パターンで変化させた。また、ブライトナー液のブライトナー濃度を5、15、25mg/Lの3パターンで変化させた。さらに、ブライトナー処理を行なわない試料も作成した。 In the above procedure, the contact time in the Brightener treatment was changed in three patterns of 5, 15, and 25 seconds. In addition, the Brightner concentration of the Brightner solution was changed in three patterns of 5, 15, and 25 mg / L. Furthermore, a sample not subjected to Brightener treatment was also prepared.
以上の処理により得られた10種類の銅張積層板をそれぞれ試料1〜10と称する。試料1〜10について、銅めっき被膜の再結晶時間を測定した。再結晶時間は四探針法により銅めっき被膜の抵抗率の変化を観察することで測定した。銅めっき被膜の再結晶の進行にともない、結晶粒が大きくなり、抵抗率が変化する。抵抗率が一定になった時点で再結晶終了と判断する。めっき処理から再結晶終了までの経過時間を再結晶時間とした。なお、抵抗率の測定器として、三菱ケミカルアナリティック製のロレスタAX MCP−T370を用いた。 The 10 types of copper-clad laminates obtained by the above treatment are referred to as Samples 1 to 10, respectively. The recrystallization time of the copper plating film was measured for Samples 1 to 10. The recrystallization time was measured by observing the change in resistivity of the copper plating film by the four-probe method. As the recrystallization of the copper plating film progresses, the crystal grains become larger and the resistivity changes. When the resistivity becomes constant, it is judged that recrystallization is completed. The elapsed time from the plating treatment to the end of recrystallization was defined as the recrystallization time. As a resistivity measuring instrument, Lola TAX MCP-T370 manufactured by Mitsubishi Chemical Analytical Co., Ltd. was used.
その結果を表1に示す。
表1より、ブライトナー処理を行なうと(試料2〜10)、それを行なわない場合(試料1)に比べて銅めっき被膜の再結晶の進行が遅くなることが分かる。また、接触時間を長くするほど再結晶時間が長くなる。接触時間を5秒以上にすれば、再結晶時間を十分に長くできる。少なくとも、接触時間が5〜25秒の範囲で再結晶時間を十分に長くできる。また、ブライトナー濃度を濃くするほど再結晶時間が長くなる。ブライトナー濃度を5mg/L以上にすれば、再結晶時間を十分に長くできる。少なくとも、ブライトナー濃度が5〜25mg/Lの範囲で再結晶時間を十分に長くできる。 From Table 1, it can be seen that when the Brightener treatment is performed (Samples 2 to 10), the progress of recrystallization of the copper plating film is slower than when it is not performed (Sample 1). In addition, the longer the contact time, the longer the recrystallization time. If the contact time is 5 seconds or more, the recrystallization time can be sufficiently lengthened. At least, the recrystallization time can be sufficiently long in the range of 5 to 25 seconds. In addition, the higher the Brightner concentration, the longer the recrystallization time. When the Brightner concentration is 5 mg / L or more, the recrystallization time can be sufficiently lengthened. At least, the recrystallization time can be sufficiently lengthened in the range of Brightener concentration of 5 to 25 mg / L.
(光沢度測定試験)
つぎに、試料1〜10について光沢度測定試験を行なった。
試料1〜10のそれぞれに対して、めっき直後の銅めっき被膜の表面の光沢度を測定した。また、めっき処理から1週間経過した試料1〜10のそれぞれに対して化学研磨を行ない、化学研磨後の銅めっき被膜の表面の光沢度を測定した。さらに、めっき処理から2週間経過した試料1〜10のそれぞれに対して化学研磨を行ない、化学研磨後の銅めっき被膜の表面の光沢度を測定した。光沢度の測定器として、日本電色工業株式会社製のVSR400を用いた。
(Gloss measurement test)
Next, a glossiness measurement test was performed on the samples 1 to 10.
The glossiness of the surface of the copper plating film immediately after plating was measured for each of Samples 1 to 10. In addition, each of the samples 1 to 10 one week after the plating treatment was chemically polished, and the glossiness of the surface of the copper plating film after the chemical polishing was measured. Further, each of the samples 1 to 10 2 weeks after the plating treatment was chemically polished, and the glossiness of the surface of the copper plating film after the chemical polishing was measured. As a glossiness measuring instrument, VSR400 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. was used.
その結果を表2に示す。
光沢度は銅めっき被膜の表面粗さの指標として用いることができる。光沢度が高いほど滑らかであり、光沢度が低いほど粗い。表2より、接触時間を5秒以上、ブライトナー濃度を5mg/L以上とすれば、めっき処理から2周間後でも光沢度0.9以上を維持でき、化学研磨後の銅めっき被膜の表面を滑らかにできることが確認できた。 The glossiness can be used as an index of the surface roughness of the copper plating film. The higher the gloss, the smoother it is, and the lower the gloss, the coarser it is. From Table 2, if the contact time is 5 seconds or more and the Brightener concentration is 5 mg / L or more, the glossiness can be maintained at 0.9 or more even two weeks after the plating treatment, and the surface of the copper plating film after chemical polishing can be maintained. It was confirmed that it can be smoothed.
1 銅張積層板
10 基材
11 ベースフィルム
12 金属層
13 下地金属層
14 銅薄膜層
20 銅めっき被膜
21 高硫黄濃度層
22 低硫黄濃度層
1 Copper-clad laminate 10 Base film 11 Base film 12 Metal layer 13 Base metal layer 14 Copper thin film layer 20 Copper plating film 21 High sulfur concentration layer 22 Low sulfur concentration layer
Claims (6)
前記基材の表面に成膜された銅めっき被膜と、を備え、
前記銅めっき被膜は、無通電状態で前記基材の表面にブライトナー成分を含むブライトナー液を接触させた後に、銅めっき液を用いた電解めっきにより成膜されたものである
ことを特徴とする銅張積層板。 With the base material
A copper-plated coating film formed on the surface of the base material is provided.
The copper plating film is characterized in that it is formed by electrolytic plating using a copper plating solution after contacting a brightener solution containing a Brightener component with the surface of the base material in a non-energized state. Copper-clad laminate.
無通電状態で前記基材の表面にブライトナー成分を含むブライトナー液を接触させた後に、銅めっき液を用いた電解めっきを行なって前記銅めっき被膜を成膜する
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。 When forming a copper plating film on the surface of a base material to obtain a copper-clad laminate,
A copper clading characterized in that the surface of the base material is brought into contact with a Brightener solution containing a Brightener component in a non-energized state, and then electrolytic plating is performed using the copper plating solution to form the copper plating film. Method of manufacturing laminated plate.
前記基材の搬送経路に、ブライトナー成分を含むブライトナー液を貯留した前処理槽と、銅めっき液を用いた電解めっきを行なうめっき槽とを、上流から下流に向かってこの順に配置する
ことを特徴とする銅張積層板の製造方法。 In obtaining a copper-clad laminate by forming a copper plating film on the surface of the base material while transporting the base material by roll-to-roll.
In the transport path of the base material, a pretreatment tank for storing a Brightener liquid containing a Brightener component and a plating tank for performing electrolytic plating with a copper plating liquid are arranged in this order from upstream to downstream. A method for manufacturing a copper-clad laminate characterized by.
ことを特徴とする請求項2または3記載の銅張積層板の製造方法。 The method for producing a copper-clad laminate according to claim 2 or 3, wherein the concentration of the Brightner component in the Brightener solution is 5 mg / L or more.
ことを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の銅張積層板の製造方法。 The method for producing a copper-clad laminate according to any one of claims 2 to 4, wherein the contact time of the base material with the Brightener liquid is 5 seconds or more.
ことを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載の銅張積層板の製造方法。 The method for producing a copper-clad laminate according to any one of claims 2 to 5, wherein the Brightner component contained in the Brightener solution is bis (3-sulfopropyl) disulfide.
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