JP2020129903A - Power conversion device - Google Patents

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JP2020129903A
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勲 藤巻
Isao Fujimaki
勲 藤巻
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Abstract

To provide a power conversion device which can make a signal system electronic component difficult to adversely affect a surge in accordance with switching operation of a power switching element.SOLUTION: A conductor pattern comprises: a power system power supply pattern 30; a floating pattern (solid pattern) 40; and a signal system electronic component mounting pattern 60. Power switching elements Q1 to Q8 are mounted on the power system power supply pattern 30, and signal system electronic components 90, 100 are mounted on the signal system electronic component mounting pattern 60. The conductor pattern comprises decoupling capacitors 70, 71, 72 formed by the power system power supply pattern 30 and the floating pattern 40 facing each other.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電力変換装置に関するものである。 The present invention relates to a power conversion device.

パワースイッチング素子(トランジスタ等)を安定動作させるためにデカップリングコンデンサをパワースイッチング素子近傍に置く必要がある。また、基板における導体面と接地面との間の容量により接地用コンデンサを構成する技術が有る(例えば特許文献1,2)。 It is necessary to place a decoupling capacitor in the vicinity of the power switching element for stable operation of the power switching element (transistor or the like). In addition, there is a technique of forming a grounding capacitor by a capacitance between a conductor surface and a ground surface of a substrate (for example, Patent Documents 1 and 2).

特開平8−204341号公報JP-A-8-204341 特開平7−326840号公報JP, 7-326840, A

ところで、基板のパワー系電源パターンにパワースイッチング素子が実装されるとともに信号系電子部品実装パターンに信号系電子部品が実装される場合において、パワースイッチング素子のスイッチング動作によりパワー系電源パターンにおいてサージが発生して信号系電子部品に悪影響を及ぼすことが懸念される。 By the way, when a power switching element is mounted on the power system power supply pattern of the board and a signal system electronic component is mounted on the signal system electronic component mounting pattern, a surge occurs in the power system power supply pattern due to the switching operation of the power switching device. It is feared that the signal electronic components will be adversely affected.

本発明の目的は、パワースイッチング素子のスイッチング動作に伴うサージに対し信号系電子部品が悪影響を及ぼしにくくすることができる電力変換装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a power conversion device in which signal system electronic components are less likely to adversely affect a surge associated with a switching operation of a power switching element.

上記課題を解決するための電力変換装置は、3層以上の導体パターンを有する多層基板と、前記多層基板に実装されるパワースイッチング素子及び信号系電子部品と、を備え、前記導体パターンは、パワー系電源パターンとフローティングパターンと信号系電子部品実装パターンとを有し、前記パワー系電源パターンに前記パワースイッチング素子が実装されるとともに前記信号系電子部品実装パターンに前記信号系電子部品が実装され、前記パワー系電源パターンと前記フローティングパターンとが対向することにより形成されたデカップリングコンデンサを有していることを要旨とする。 A power conversion device for solving the above problems includes a multilayer substrate having conductor patterns of three layers or more, and a power switching element and a signal electronic component mounted on the multilayer substrate, wherein the conductor pattern is a power source. A system power supply pattern, a floating pattern, and a signal system electronic component mounting pattern, the power switching device is mounted on the power system power source pattern and the signal system electronic component is mounted on the signal system electronic component mounting pattern, The gist of the present invention is to have a decoupling capacitor formed by the power system power supply pattern and the floating pattern facing each other.

これによれば、パワースイッチング素子のスイッチング動作時にパワー系電源パターンにサージが発生しても、パワー系電源パターンとフローティングパターンとが対向することにより形成されたデカップリングコンデンサにより、放射される電界は反射、もしくはフローティングパターンに生じる変位電流が流れることで信号系電子部品に悪影響を及ぼすことが抑制できる。 According to this, even if a surge occurs in the power system power supply pattern during the switching operation of the power switching element, the radiated electric field is generated by the decoupling capacitor formed by the power system power supply pattern and the floating pattern facing each other. It is possible to suppress adverse effects on the signal system electronic components due to the displacement current flowing in the reflection or floating patterns.

また、電力変換装置において、前記導体パターンは、前記フローティングパターンと前記信号系電子部品実装パターンとの間に、信号系配線パターンを有し、前記信号系電子部品実装パターンと前記信号系配線パターンとは、非貫通ビアホールを用いて接続されているとよい。 Further, in the power conversion device, the conductor pattern has a signal system wiring pattern between the floating pattern and the signal system electronic component mounting pattern, and the signal system electronic component mounting pattern and the signal system wiring pattern Are preferably connected using non-penetrating via holes.

また、電力変換装置において、前記導体パターンは、信号系フローティングパターンを更に有し、前記信号系配線パターンと前記信号系フローティングパターンとが対向することにより形成された信号系デカップリングコンデンサを有するとよい。 In the power converter, the conductor pattern may further include a signal system floating pattern, and a signal system decoupling capacitor formed by the signal system wiring pattern and the signal system floating pattern facing each other. ..

また、電力変換装置において、前記多層基板の一方の面に前記パワー系電源パターンのみを有し、前記多層基板の他方の面に前記信号系電子部品実装パターンのみを有するとよい。 In addition, in the power conversion device, it is preferable that only one surface of the multilayer substrate has the power system power supply pattern, and the other surface of the multilayer substrate has only the signal system electronic component mounting pattern.

本発明によれば、パワースイッチング素子のスイッチング動作に伴うサージに対し信号系電子部品が悪影響を及ぼしにくくすることができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the signal electronic components from adversely affecting the surge associated with the switching operation of the power switching element.

実施形態における電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter in an embodiment. (a)は実施形態における電力変換装置の平面図、(b)は(a)のA−A線での断面図。(A) is a top view of the power converter device in embodiment, (b) is sectional drawing in the AA line of (a). (a)は別例の電力変換装置の平面図、(b)は(a)のA−A線での断面図。(A) is a top view of the power converter of another example, (b) is sectional drawing in the AA line of (a). (a)は別例の電力変換装置の平面図、(b)は(a)のA−A線での断面図。(A) is a top view of the power converter of another example, (b) is sectional drawing in the AA line of (a). (a),(b)はパワースイッチング素子のスイッチング動作時のゲート信号の変化を示すタイムチャート。(A), (b) is a time chart which shows the change of the gate signal at the time of switching operation of a power switching element. 電力変換装置の概略断面図。The schematic sectional drawing of a power converter device. 電力変換装置の概略断面図。The schematic sectional drawing of a power converter device. 比較のための概略断面図。Schematic sectional view for comparison. 比較のための概略断面図。Schematic sectional view for comparison.

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図1に示すように、電力変換装置としてのインバータ10は、直流電力を交流電力に変換する。インバータ10は、正極側母線Lpと負極側母線Lnと交流出力端子(OUT)を有する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1, an inverter 10 as a power converter converts DC power into AC power. The inverter 10 has a positive electrode side bus Lp, a negative electrode side bus Ln, and an AC output terminal (OUT).

正極側母線Lpと負極側母線Lnとの間において、直列接続された上アーム用パワースイッチング素子Qu(Q1〜Q4)と下アーム用パワースイッチング素子Qd(Q5〜Q8)を有する。上アーム用パワースイッチング素子Quは、並列接続された4つのパワースイッチング素子Q1〜Q4により構成されている。下アーム用パワースイッチング素子Qdは、並列接続された4つのパワースイッチング素子Q5〜Q8により構成されている。上アーム用パワースイッチング素子Qu(Q1〜Q4)と下アーム用パワースイッチング素子Qd(Q5〜Q8)との間から出力端子(OUT)が延びている。各パワースイッチング素子Q1〜Q8にはパワーMOSFETやIGBT等が用いられる。 An upper arm power switching element Qu (Q1 to Q4) and a lower arm power switching element Qd (Q5 to Q8) are connected in series between the positive electrode side bus Lp and the negative electrode side bus Ln. The upper arm power switching element Qu is composed of four power switching elements Q1 to Q4 connected in parallel. The lower arm power switching element Qd is composed of four power switching elements Q5 to Q8 connected in parallel. An output terminal (OUT) extends from between the upper arm power switching element Qu (Q1 to Q4) and the lower arm power switching element Qd (Q5 to Q8). A power MOSFET, an IGBT or the like is used for each of the power switching elements Q1 to Q8.

図1に示すように、各パワースイッチング素子Q1〜Q8のゲートには駆動回路(ゲート回路)110が接続されている。駆動回路(ゲート回路)110により各パワースイッチング素子Q1〜Q8が適宜のタイミングでオンされることにより正極側母線Lpと負極側母線Lnとの間の直流電力が交流電力に変換されて交流出力端子(OUT)からU相の交流電力として出力される。 As shown in FIG. 1, a drive circuit (gate circuit) 110 is connected to the gates of the power switching elements Q1 to Q8. The drive circuit (gate circuit) 110 turns on each of the power switching elements Q1 to Q8 at an appropriate timing to convert DC power between the positive electrode side bus Lp and the negative electrode side bus Ln into AC power, and an AC output terminal. Output from (OUT) as U-phase AC power.

例えば、正極側母線Lpと負極側母線Lnとの間において0〜300Vが印加されるとともに駆動回路110においては0〜5Vで駆動する。また、駆動回路110の構成部品としてトランジスタ等のスイッチング素子を含んでいる。 For example, 0 to 300 V is applied between the positive electrode side bus Lp and the negative electrode side bus Ln, and the drive circuit 110 drives at 0 to 5 V. Further, a switching element such as a transistor is included as a component of the drive circuit 110.

図2(a)及び図2(b)に示すように、電力変換装置としてのインバータ10は、パワースイッチング素子Q1〜Q8を実装した多層基板20を備える。多層基板20は、3つの絶縁層21,22,23が積層されている。絶縁層21は最上層であり、絶縁層23は最下層層であり、絶縁層22は絶縁層21と絶縁層23との間に位置する。 As shown in FIGS. 2A and 2B, an inverter 10 as a power conversion device includes a multilayer substrate 20 on which power switching elements Q1 to Q8 are mounted. The multi-layer substrate 20 has three insulating layers 21, 22, and 23 stacked. The insulating layer 21 is the uppermost layer, the insulating layer 23 is the lowermost layer, and the insulating layer 22 is located between the insulating layers 21 and 23.

多層基板20は、パワー系電源パターン30、フローティングパターン40、信号系配線パターン50、信号系電子部品実装パターン60を有する。パワー系電源パターン30は、絶縁層21の表層に形成された導体パターンである。フローティングパターン40は、絶縁層21と絶縁層22との間に形成された導体パターンである。フローティングパターン40は、ベタパターンである。信号系配線パターン50は、絶縁層22と絶縁層23との間に形成された導体パターンである。信号系電子部品実装パターン60は、絶縁層23の表層に形成された導体パターンである。各導体パターン(パターン30,40,50,60)は、例えば銅箔よりなる。 The multilayer substrate 20 has a power system power supply pattern 30, a floating pattern 40, a signal system wiring pattern 50, and a signal system electronic component mounting pattern 60. The power system power supply pattern 30 is a conductor pattern formed on the surface layer of the insulating layer 21. The floating pattern 40 is a conductor pattern formed between the insulating layers 21 and 22. The floating pattern 40 is a solid pattern. The signal system wiring pattern 50 is a conductor pattern formed between the insulating layer 22 and the insulating layer 23. The signal system electronic component mounting pattern 60 is a conductor pattern formed on the surface layer of the insulating layer 23. Each conductor pattern (patterns 30, 40, 50, 60) is made of, for example, copper foil.

パワー系電源パターン30は、正極側母線パターン31と負極側母線パターン32と交流出力端子(OUT)パターン33を有する。図2(a)において正極側母線パターン31がX方向に帯状に延びている。図2(a)において負極側母線パターン32がX方向に帯状に延びている。図2(a)において交流出力端子(OUT)パターン33がX方向に帯状に延びている。図2(a)において正極側母線パターン31と負極側母線パターン32とがY方向において離間して配置されているとともに正極側母線パターン31と負極側母線パターン32との間において交流出力端子(OUT)パターン33が正極側母線パターン31及び負極側母線パターン32と離間して配置されている。 The power system power supply pattern 30 has a positive electrode side bus bar pattern 31, a negative electrode side bus bar pattern 32, and an AC output terminal (OUT) pattern 33. In FIG. 2A, the positive electrode side bus bar pattern 31 extends in a strip shape in the X direction. In FIG. 2A, the negative electrode side bus bar pattern 32 extends in a strip shape in the X direction. In FIG. 2A, the AC output terminal (OUT) pattern 33 extends in a strip shape in the X direction. In FIG. 2A, the positive electrode side busbar pattern 31 and the negative electrode side busbar pattern 32 are arranged apart from each other in the Y direction, and an AC output terminal (OUT) is provided between the positive electrode side busbar pattern 31 and the negative electrode side busbar pattern 32. ) The pattern 33 is arranged separately from the positive electrode side bus bar pattern 31 and the negative electrode side bus bar pattern 32.

正極側母線パターン31と交流出力端子(OUT)パターン33とを跨ぐように上アーム用パワースイッチング素子Quを構成する4つのパワースイッチング素子Q1〜Q4が実装されている。また、負極側母線パターン32と交流出力端子(OUT)パターン33とを跨ぐように下アーム用パワースイッチング素子Qdを構成する4つのパワースイッチング素子Q5〜Q8が実装されている。詳しくは、パワースイッチング素子Q1〜Q8は表面実装部品であり、パターン31,32,33に表面実装されている。このようにして、パワー系電源パターン30にパワースイッチング素子Q1〜Q8が実装されている。 Four power switching elements Q1 to Q4 forming the upper arm power switching element Qu are mounted so as to straddle the positive electrode side bus bar pattern 31 and the AC output terminal (OUT) pattern 33. Further, four power switching elements Q5 to Q8 forming the lower arm power switching element Qd are mounted so as to straddle the negative electrode side bus bar pattern 32 and the AC output terminal (OUT) pattern 33. Specifically, the power switching elements Q1 to Q8 are surface-mounted components, and are surface-mounted on the patterns 31, 32, and 33. In this way, the power switching elements Q1 to Q8 are mounted on the power system power supply pattern 30.

図2(b)に示すように、信号系配線パターン50は、上アーム用パワースイッチング素子用の配線パターン51と、下アーム用パワースイッチング素子用の配線パターン52を有する。 As shown in FIG. 2B, the signal system wiring pattern 50 has a wiring pattern 51 for the upper arm power switching element and a wiring pattern 52 for the lower arm power switching element.

図2(b)に示すように、パワー系電源パターン30とフローティングパターン40とが対向している。これによりデカップリングコンデンサ70,71,72が形成されている。詳しくは、正極側母線パターン31とフローティングパターン40とが対向しており、これによりデカップリングコンデンサ70が形成されている。負極側母線パターン32とフローティングパターン40とが対向しており、これによりデカップリングコンデンサ71が形成されている。交流出力端子(OUT)パターン33とフローティングパターン40とが対向しており、これによりデカップリングコンデンサ72が形成されている。 As shown in FIG. 2B, the power system power supply pattern 30 and the floating pattern 40 face each other. As a result, the decoupling capacitors 70, 71, 72 are formed. Specifically, the positive electrode side bus bar pattern 31 and the floating pattern 40 are opposed to each other, whereby the decoupling capacitor 70 is formed. The negative electrode side bus bar pattern 32 and the floating pattern 40 face each other, and thereby a decoupling capacitor 71 is formed. The AC output terminal (OUT) pattern 33 and the floating pattern 40 are opposed to each other, whereby a decoupling capacitor 72 is formed.

図2(b)に示すように、信号系電子部品実装パターン60には信号系電子部品90,100が実装されている。図1の駆動回路110が信号系電子部品90,100により構成されている。信号系配線パターン50と信号系電子部品実装パターン60とは、非貫通ビアホール(IVH:Interstitial Via Hole)80を用いて接続されている。 As shown in FIG. 2B, the signal electronic components 90 and 100 are mounted on the signal electronic component mounting pattern 60. The drive circuit 110 of FIG. 1 is composed of signal system electronic components 90 and 100. The signal system wiring pattern 50 and the signal system electronic component mounting pattern 60 are connected using a non-penetrating via hole (IVH: Interstitial Via Hole) 80.

このように、多層基板20の一方の面にパワー系電源パターン30のみを有し、多層基板20の他方の面に信号系電子部品実装パターン60のみを有する。そして、多層基板20において、一方の面に、上アーム用パワースイッチング素子Quを構成する並列接続された4つのパワースイッチング素子Q1〜Q4及び下アーム用パワースイッチング素子Qdを構成する並列接続された4つのパワースイッチング素子Q5〜Q8が配置されている。また、多層基板20において、他方の面に、図1の駆動回路110を構成する信号系電子部品90,100が配置されている。さらに、パワー系電源パターン30及びパワースイッチング素子Q1〜Q8の反対側(直下)において、信号系配線パターン50、信号系電子部品実装パターン60、信号系電子部品90,100が配置される。 Thus, only the power system power supply pattern 30 is provided on one surface of the multilayer substrate 20, and only the signal system electronic component mounting pattern 60 is provided on the other surface of the multilayer substrate 20. Then, in the multilayer substrate 20, on one surface, four power switching elements Q1 to Q4 connected in parallel forming the power switching element Qu for the upper arm and four connected in parallel forming the power switching element Qd for the lower arm are connected. Two power switching elements Q5 to Q8 are arranged. Further, on the other surface of the multilayer substrate 20, the signal system electronic components 90 and 100 that form the drive circuit 110 of FIG. 1 are arranged. Further, on the opposite side (immediately below) of the power system power supply pattern 30 and the power switching elements Q1 to Q8, the signal system wiring pattern 50, the signal system electronic component mounting pattern 60, and the signal system electronic components 90 and 100 are arranged.

図2(a)、図2(b)に代わり、多層基板における上から2層目のパターン40を、図3(a)、図3(b)に示すように、2つの導体パターン41,42に分割してもよい。 Instead of FIGS. 2A and 2B, a second layer pattern 40 from the top of the multilayer substrate is replaced by two conductor patterns 41 and 42 as shown in FIGS. 3A and 3B. You may divide into.

他にも、図2(a)、図2(b)に代わり、図4(a)、図4(b)に示すように導体パターンを5層有する構成としてもよい。図4(a)、図4(b)において、多層基板における上から2層目の導体パターンをベタパターン(フローティングパターン40)とするとともに、多層基板における上から3層目の導体パターンとして信号系フローティングパターン45を追加する。信号系フローティングパターン45は、上アーム信号系配線用のフローティングパターン46と、下アーム信号系配線用のフローティングパターン47を有し、図3(a),(b)で示したように2つの導体パターンに分割している。信号系フローティングパターン45は、ベタパターンである。信号系配線パターン50の配線パターン51と上アーム信号系配線用のフローティングパターン46とが対向することにより信号系デカップリングコンデンサ75が形成されている。また、信号系配線パターン50の配線パターン52と下アーム信号系配線用のフローティングパターン47とが対向することにより信号系デカップリングコンデンサ76が形成されている。これにより、信号系配線パターン50は電位的にフロートさせているので、それぞれの電位に対する保護を分割したパターンに担わせることでノイズ耐性向上を図る。 In addition, instead of FIGS. 2(a) and 2(b), five conductor patterns may be provided as shown in FIGS. 4(a) and 4(b). In FIGS. 4A and 4B, the conductor pattern of the second layer from the top in the multilayer substrate is a solid pattern (floating pattern 40), and the signal pattern is used as the conductor pattern of the third layer from the top in the multilayer substrate. A floating pattern 45 is added. The signal system floating pattern 45 has a floating pattern 46 for the upper arm signal system wiring and a floating pattern 47 for the lower arm signal system wiring, and has two conductors as shown in FIGS. 3(a) and 3(b). It is divided into patterns. The signal system floating pattern 45 is a solid pattern. The signal system decoupling capacitor 75 is formed by the wiring pattern 51 of the signal system wiring pattern 50 and the floating pattern 46 for the upper arm signal system wiring facing each other. The signal system decoupling capacitor 76 is formed by the wiring pattern 52 of the signal system wiring pattern 50 and the floating pattern 47 for the lower arm signal system wiring facing each other. As a result, the signal-system wiring pattern 50 is floated in terms of potential, so that noise resistance is improved by having the divided patterns bear protection for each potential.

次に、作用について説明する。
デカップリングコンデンサをパワースイッチング素子の近くに実装する場合においては、デカップリングコンデンサをパワースイッチング素子の近傍に配置しないと効果が無い。また、パワースイッチング素子の近傍にデカップリングコンデンサを配置する必要があるが、配線都合により近くに置きにくい場合がある。さらに、図1のようにパワースイッチング素子を並列に接続して動作させる場合、均等に配置することはできない。また、電力回路では大電流を扱うためパワースイッチング素子を並列に接続して動作させる場合、それぞれのパワースイッチング素子に対し、同様にデカップリングコンデンサを配置するのは困難であるとともに、複数のデカップリングコンデンサが必要となる。また、コンデンサ容量に基づくインピーダンスにより、効果的に減衰させることができる周波数帯域が決まるため、広帯域にデカップリングの効果をもたせるためには複数容量のデカップリングコンデンサが必要となる。
Next, the operation will be described.
When the decoupling capacitor is mounted near the power switching element, there is no effect unless the decoupling capacitor is arranged near the power switching element. Further, it is necessary to dispose a decoupling capacitor near the power switching element, but it may be difficult to place it near the decoupling capacitor due to wiring. Further, when the power switching elements are connected in parallel and operated as shown in FIG. 1, they cannot be arranged evenly. Further, in a power circuit, when a power switching element is connected in parallel to operate a large current in order to operate, it is difficult to similarly place a decoupling capacitor for each power switching element, and a plurality of decoupling capacitors are also arranged. A capacitor is needed. Further, the impedance based on the capacitance of the capacitor determines the frequency band in which it can be effectively attenuated. Therefore, a decoupling capacitor having a plurality of capacities is required in order to have a decoupling effect in a wide band.

これに対し本実施形態においては、多層基板20における上から2層目での導体パターンとして、可能な限り大きくベタパターン(フローティングパターン40)を形成し、このベタパターン(フローティングパターン40)に対向する最上層(1層目)の配線(パワー系電源パターン30)間の分布定数により電源間のデカップリングコンデンサ70,71,72が形成されている。例えば、数百pF程度の容量を形成して、高周波動作用のデカップリングとする。なお、コンデンサ容量を変化させるためには内装の導体ベタパターン(フローティングパターン40)と1層目の導体パターン(パワー系電源パターン30)の対向面積、距離を調整すればよい。また、このデカップリングコンデンサはパワースイッチング素子の配置とは無関係にパワースイッチング素子直近に配置されるのでデカップリングコンデンサとしては最適な配置位置である。 On the other hand, in the present embodiment, a solid pattern (floating pattern 40) is formed as large as possible as the conductor pattern in the second layer from the top of the multilayer substrate 20 and faces the solid pattern (floating pattern 40). The decoupling capacitors 70, 71, 72 between the power supplies are formed by the distributed constant between the wirings (power system power supply pattern 30) of the uppermost layer (first layer). For example, a capacitance of about several hundred pF is formed to provide decoupling for high frequency operation. In order to change the capacitance of the capacitor, the facing area and distance between the conductor solid pattern (floating pattern 40) and the conductor pattern (power system power supply pattern 30) of the first layer may be adjusted. Further, since this decoupling capacitor is arranged in the immediate vicinity of the power switching element regardless of the arrangement of the power switching element, it is an optimal arrangement position for the decoupling capacitor.

このように、多層基板の内部構造を用いてデカップリングコンデンサ70,71,72を分布定数素子として用いる。そのために、多層基板20における最上層(1層目)での導体パターン(パワー系電源パターン30)として、パワースイッチング素子を実装するものとし、大電流に対応するため太い配線とする。 Thus, the decoupling capacitors 70, 71 and 72 are used as distributed constant elements by using the internal structure of the multilayer substrate. Therefore, a power switching element is mounted as a conductor pattern (power system power supply pattern 30) in the uppermost layer (first layer) of the multilayer substrate 20, and a thick wiring is used to handle a large current.

一方、多層基板20における上から3層目での導体パターンとして、信号系配線が形成されるとともに、3層目と4層目の配線接続は2層目のベタパターン形成に邪魔にならないように非貫通ビアホール(IVH)80が用いられている。 On the other hand, the signal system wiring is formed as the conductor pattern of the third layer from the top of the multilayer substrate 20, and the wiring connection of the third layer and the fourth layer does not interfere with the formation of the solid pattern of the second layer. A non-penetrating via hole (IVH) 80 is used.

多層基板20における最下層(4層目)での導体パターンとして、信号系電子部品実装パターン60とし、信号系電子部品90,100を実装する。
このように構成されていることにより、波形安定性がよく、ベタパターンによるデカップリングを実施することでゲート信号のサージを低減できる。
The signal system electronic component mounting pattern 60 is used as the conductor pattern in the lowermost layer (fourth layer) of the multilayer substrate 20, and the signal system electronic components 90 and 100 are mounted.
With such a configuration, the waveform stability is good, and the surge of the gate signal can be reduced by performing the decoupling with the solid pattern.

具体的には、図5(a)に示すように、ハーフブリッジ回路動作において、上アーム用パワースイッチング素子Qu(Q1〜Q4)がオフすると遅れて下アーム用パワースイッチング素子Qd(Q5〜Q8)がオンする。図5(b)に示すように、下アーム用パワースイッチング素子Qd(Q5〜Q8)がオフすると遅れて上アーム用パワースイッチング素子Qu(Q1〜Q4)がオンする。このように動作するとき、図5(a)に示すように、上アーム用パワースイッチング素子Qu(Q1〜Q4)がオンからオフに切り替わった後のゲート振動の大きさΔV1を低減することができる。また、図5(b)に示すように、上アーム用パワースイッチング素子Qu(Q1〜Q4)がオフからオンに切り替わる前のゲート振動の大きさΔV2を低減することができる。 Specifically, as shown in FIG. 5A, in the half bridge circuit operation, when the upper arm power switching element Qu (Q1 to Q4) is turned off, the lower arm power switching element Qd (Q5 to Q8) is delayed. Turns on. As shown in FIG. 5B, when the lower arm power switching element Qd (Q5 to Q8) is turned off, the upper arm power switching element Qu (Q1 to Q4) is turned on with a delay. When operating in this way, as shown in FIG. 5A, it is possible to reduce the magnitude ΔV1 of the gate vibration after the upper arm power switching elements Qu (Q1 to Q4) are switched from on to off. .. Further, as shown in FIG. 5B, it is possible to reduce the magnitude ΔV2 of the gate vibration before the upper arm power switching elements Qu (Q1 to Q4) are switched from OFF to ON.

また、部品点数の削減が可能となる。特に、多層基板の内部構造でデカップリングコンデンサを形成できるので、コンデンサ費用が削減できる。
また、部品を減らすことができるので、パワースイッチング素子間を狭め、装置の小型化が可能となる。また、配線自由度が高い。さらに、配線がし易いので設計コスト、基板製造コスト低減を期待できる。
Further, the number of parts can be reduced. In particular, since the decoupling capacitor can be formed by the internal structure of the multilayer substrate, the capacitor cost can be reduced.
Further, since the number of parts can be reduced, the space between the power switching elements can be narrowed and the device can be downsized. In addition, the degree of freedom in wiring is high. Further, since wiring is easy, reduction in design cost and board manufacturing cost can be expected.

ちなみに、図8に示す特許文献1におけるプリント基板内蔵型パイパスコンデンサの場合には、ICの電源安定のためのものである。また、図9に示す特許文献2のマイクロ波半導体集積回路モジュールの場合には、MMIC電源供給系配線の特性インピーダンスを低減することで電源系への電気的振動を低減(脈動電流による電位変動の低減)を狙ったものである。 Incidentally, in the case of the printed circuit board built-in type bypass capacitor shown in FIG. 8 for stabilizing the power supply of the IC. In the case of the microwave semiconductor integrated circuit module of Patent Document 2 shown in FIG. 9, the electrical impedance to the power supply system is reduced by reducing the characteristic impedance of the MMIC power supply system wiring (potential fluctuation due to pulsating current). Reduction).

図6に示す本実施形態においては、主回路(パワー回路)と駆動回路(ゲートドライブ回路)を分離するためのものである。デカップリングする対象は図6に示した主回路(P)と主回路(OUT)、または主回路(OUT)と主回路(N)、主回路(P)と主回路(N)である。パワースイッチング素子により断続的に主回路(OUT)は主回路(P電位)、主回路(N)電位と切替が発生するが、この電位の切り替わりのタイミングで発生するサージを駆動回路に届かないようにするため、基板内層に配置するのはフローティング(ベタ)パターンである。つまり、特許文献1,2の場合では内層は接地としているが、図6に示す本実施形態においては、フローティングとしており、内層をフローティングすることで、主回路側から放射される電界は反射、もしくはフローティングパターンに生じる変位電流により電位的に低い別の主回路側へと伝達されることで駆動回路を守ることができる。また、図4に対応する説明図である図7に示すごとく、厳密には駆動回路配線も上アーム用、下アーム用で駆動回路の二次側(パワースイッチング素子に接続する側)で別電位となるため、さらに上下アーム駆動回路間のカップリングを抑えることができる。 In the present embodiment shown in FIG. 6, the main circuit (power circuit) and the drive circuit (gate drive circuit) are separated. Objects to be decoupled are the main circuit (P) and the main circuit (OUT), the main circuit (OUT) and the main circuit (N), or the main circuit (P) and the main circuit (N) shown in FIG. The power switching element causes the main circuit (OUT) to switch between the main circuit (P potential) and the main circuit (N) potential intermittently, but the surge generated at the timing of this potential switching should not reach the drive circuit. Therefore, a floating (solid) pattern is arranged in the inner layer of the substrate. That is, in the cases of Patent Documents 1 and 2, the inner layer is grounded, but in the present embodiment shown in FIG. 6, it is floating, and by floating the inner layer, the electric field radiated from the main circuit side is reflected or The displacement current generated in the floating pattern is transmitted to another main circuit side having a lower potential, so that the drive circuit can be protected. In addition, as shown in FIG. 7 which is an explanatory view corresponding to FIG. 4, strictly speaking, the drive circuit wiring is for the upper arm and the lower arm, and different potentials are provided on the secondary side (the side connected to the power switching element) of the drive circuit. Therefore, the coupling between the upper and lower arm drive circuits can be further suppressed.

図8において多層基板のICを実装する面に配置する配線を電源(+)とした場合、基板内部の誘電体を利用してコンデンサを作る場合、対向する内部配線層は電源(−)もしくはGNDとする必要がある。この構造により、従来基板外層に配置するデカップリングコンデンサを基板配線のみで構成している。つまり、同じ電源系の回路にのみ適用するものである。また、この形状から上下の配線層を対向させる必要がある。 In FIG. 8, when the wiring to be mounted on the IC mounting surface of the multilayer substrate is used as a power source (+), and when a capacitor is formed using a dielectric inside the substrate, the opposing internal wiring layer is a power source (-) or GND. And need to. With this structure, the decoupling capacitor conventionally arranged on the outer layer of the substrate is composed of only the substrate wiring. That is, it is applied only to circuits of the same power supply system. Further, it is necessary to make the upper and lower wiring layers face each other due to this shape.

このように、特許文献1は同電位系の回路では有効であるが、スイッチング電源のような異電位系回路(駆動系が0〜300V、制御系が0〜5V、かつ、駆動系の0Vと制御系の0Vは異なる)場合においては寧ろ誤動作要因になるため図2の構成を適用することはできない。 As described above, although Patent Document 1 is effective in a circuit of the same potential system, a circuit of a different potential system such as a switching power supply (0-300V for the drive system, 0-5V for the control system, and 0V for the drive system In the case where 0V of the control system is different), the configuration of FIG. 2 cannot be applied because it causes a malfunction rather.

図9に示す特許文献2のマイクロ波半導体集積回路モジュールの場合には、MMICを搭載する基板はMSL(Micro Strip Line)やSL(Strip Line)により配線設計されるが、線路幅が狭いと特性インピーダンスが高い(誘導性)となるため、MMIC動作時の瞬間的な消費電流変化等により生じる電流変化により電圧変動が生じる。この電位変動を最小とするため、配線の特性インピーダンスを低減させる。つまり、線路を幅広にし、容量性配線(<50Ω)としている。この構造を取るためにはMMICを搭載する多層基板はMSL構造とする必要があるため、内部接地層は電源、信号系GNDに接続されている必要がある。このように、特許文献2はMSL構造、SL構造を主体とした配線構造であるため、図6に示す本実施形態とはそもそも基板構成が異なり、図6に示す本実施形態では線路インピーダンスを下げることを目的とせず、そもそも内層はフローティングさせているためMSL、SL構造とはならない。 In the case of the microwave semiconductor integrated circuit module of Patent Document 2 shown in FIG. 9, the board on which the MMIC is mounted is designed by MSL (Micro Strip Line) or SL (Strip Line). Since the impedance is high (inductive), a voltage change occurs due to a current change caused by an instantaneous change in consumption current during MMIC operation. In order to minimize this potential fluctuation, the characteristic impedance of the wiring is reduced. In other words, the line is wide and capacitive wiring (<50Ω) is used. In order to take this structure, the multi-layer substrate on which the MMIC is mounted needs to have the MSL structure, and therefore the internal ground layer needs to be connected to the power supply and the signal system GND. As described above, since the patent document 2 is a wiring structure mainly composed of the MSL structure and the SL structure, the substrate structure is different from the present embodiment shown in FIG. 6 in the first place, and the line impedance is lowered in the present embodiment shown in FIG. For that purpose, since the inner layer is made to float in the first place, it does not have the MSL or SL structure.

次に、パワースイッチング素子Q1〜Q8と信号系電子部品90,100が混載されている場合の対応について説明する。
本実施形態では、図2(a)及び図2(b)に示すように、多層基板20の一方の面にパワー系電源パターン30のみを有し、多層基板20の他方の面に信号系電子部品実装パターン60のみを有している。つまり、多層基板20の一方の面にパワースイッチング素子Q1〜Q8が配置されるとともに多層基板20の他方の面に信号系電子部品90,100が配置されている。
Next, the correspondence when the power switching elements Q1 to Q8 and the signal system electronic components 90 and 100 are mounted together will be described.
In this embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, only the power system power supply pattern 30 is provided on one surface of the multilayer substrate 20, and the signal system electronics is provided on the other surface of the multilayer substrate 20. It has only the component mounting pattern 60. That is, the power switching elements Q1 to Q8 are arranged on one surface of the multilayer substrate 20, and the signal system electronic components 90, 100 are arranged on the other surface of the multilayer substrate 20.

まず、配線の制約について、パワースイッチング素子等を制御するための駆動回路(ゲートドライバや電圧センシング回路等)をパワースイッチング素子の近傍に実装すると、太い配線が形成できない。そのため、多層基板の内層にパワー系電源ラインを設けるとパターンの熱が多層基板の内部にこもり、放熱性が低下する。さらには、ノイズ発生源であるパワースイッチング素子に直結する線路が多層基板の内部を通り、外層に実装された信号系電子部品90,100の直下を通るのでノイズの影響を受け易い。 First, regarding wiring restrictions, if a drive circuit (gate driver, voltage sensing circuit, etc.) for controlling a power switching element or the like is mounted near the power switching element, thick wiring cannot be formed. Therefore, when the power system power supply line is provided in the inner layer of the multi-layer substrate, the heat of the pattern is trapped inside the multi-layer substrate, and the heat dissipation is deteriorated. Furthermore, the line directly connected to the power switching element, which is a noise generation source, passes through the inside of the multilayer substrate and directly below the signal electronic components 90 and 100 mounted on the outer layers, so that it is easily affected by noise.

また、スルーホール接続による障害について、多層基板の内層を配線するため、スルーホールで外層パターンと接続するが、スルーホール自体の厚みが薄いため、電流を流すために多くのスルーホールが必要であり、また、スルーホールの金属部の厚みはコントロールが難しいため、抵抗損失を生じる。 In addition, regarding the failure due to through-hole connection, the inner layer of the multilayer substrate is wired, so the through-hole is connected to the outer layer pattern, but since the thickness of the through-hole itself is thin, many through-holes are required to pass current. Moreover, it is difficult to control the thickness of the metal part of the through hole, and thus resistance loss occurs.

本実施形態においては、多層基板の外層の片面をパワースイッチング素子Q1〜Q8、反対の面を信号系電子部品90,100に分離したレイアウトとしている。
これにより、配線自由度の向上が図られ、パワースイッチング素子Q1〜Q8と信号系電子部品90,100が分離するため、それぞれの配線がクロスしないため、パワースイッチング素子Q1〜Q8は片面外層のみで配線できる。
In this embodiment, one side of the outer layer of the multi-layer substrate is a power switching element Q1 to Q8, and the other side is a signal system electronic component 90, 100.
As a result, the degree of freedom of wiring is improved, and the power switching elements Q1 to Q8 and the signal system electronic components 90 and 100 are separated, so that the wirings do not cross each other. Can be wired.

また、放熱性改善が可能となり、発熱源であるパワースイッチング素子Q1〜Q8と直結する配線を片面に集約するため、冷却器はこちらの面のみを冷却すればよい。また、スルーホールをパワー系電源配線に適用しないのでスルーホールによる電流制限や抵抗損失が生じない。 Further, since the heat dissipation can be improved and the wirings directly connected to the power switching elements Q1 to Q8 which are heat sources are integrated on one side, the cooler only needs to cool this side. Further, since the through hole is not applied to the power system power supply wiring, current limitation and resistance loss due to the through hole do not occur.

つまり、ハーフブリッジ回路において、パワースイッチング素子を並列に接続して動作させる場合、パワースイッチング素子とデカップリングコンデンサ、図1に示すスナバ回路120,130を構成する抵抗121,131、コンデンサ122,132を、多層基板20の上面に、それ以外の信号系電子部品は多層基板20の下面に配置する。 That is, in the half bridge circuit, when the power switching elements are connected in parallel to operate, the power switching element and the decoupling capacitor, the resistors 121 and 131 and the capacitors 122 and 132 that configure the snubber circuits 120 and 130 shown in FIG. The signal system electronic components other than the above are arranged on the upper surface of the multilayer substrate 20, and the lower surface of the multilayer substrate 20.

このように配置することで、電力入力(+,−)、電力出力配線を1面で構成できるので電力線にスルーホールを用いなくても済む。車載用として多く用いられる電力変換装置においては、効率化が求められており、高速でスイッチング動作させるのに有利な表面実装タイプのパワースイッチング素子にはこのような配置は最適である。なお、従来の基板配置では複雑な引き回し、配線パターンになるため高速スイッチング(高周波動作)させた場合、わずかな配線インダクタンスによる寄生発振が生じやすく誤動作を生じやすいが、本実施形態のようなレイアウトであればスルーホールや配線の多層化による配線インダクタンスの増加が抑えられるため、GaNなどのHEMTを用いたパワースイッチング素子を搭載した装置を安定して動作させることが可能となる。 By arranging in this way, the power input (+,-) and power output wirings can be formed on one surface, and thus it is not necessary to use through holes in the power lines. In a power conversion device that is often used for vehicles, efficiency is required, and such an arrangement is optimal for a surface mounting type power switching element that is advantageous for high-speed switching operation. It should be noted that in the conventional board layout, since complicated routing and wiring patterns result in high speed switching (high frequency operation), parasitic oscillation is likely to occur due to a slight wiring inductance and malfunction may occur. If so, an increase in wiring inductance due to the multi-layering of through holes and wiring can be suppressed, so that a device equipped with a power switching element using a HEMT such as GaN can be stably operated.

このようにして、多層基板の内層に電力配線を行わないので、基板片面を冷却すれば、パワースイッチング素子のみならず、配線も同時に冷却でき、放熱性がよい。また、ゲート駆動回路をパワースイッチング素子の直下に配置するので、ゲート駆動回路配線が最短となる。さらに、電力系配線を1面で形成できるのでシンプルであり、最短配線が可能である。さらには、配線インダクタンスが低減するので、高周波スイッチングが可能なHEMTで電力変換装置を構成しても寄生発振による影響を小さくすることができる(安定して動作させられる)。 In this way, since power wiring is not performed on the inner layer of the multi-layer substrate, if one surface of the substrate is cooled, not only the power switching element but also the wiring can be cooled at the same time, and the heat dissipation is good. Further, since the gate drive circuit is arranged directly below the power switching element, the gate drive circuit wiring becomes shortest. Further, since the power system wiring can be formed on one surface, it is simple and the shortest wiring is possible. Further, since the wiring inductance is reduced, the influence of parasitic oscillation can be reduced (stable operation) even if the power conversion device is configured with a HEMT capable of high frequency switching.

上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)電力変換装置としてのインバータ10の構成として、3層以上の導体パターンを有する多層基板20と、多層基板20に実装されるパワースイッチング素子Q1〜Q8及び信号系電子部品90,100と、を備える。導体パターンは、パワー系電源パターン30とフローティングパターン(ベタパターン)40と信号系電子部品実装パターン60とを有する。パワー系電源パターン30にパワースイッチング素子Q1〜Q8が実装されるとともに信号系電子部品実装パターン60に信号系電子部品90,100が実装されている。パワー系電源パターン30とフローティングパターン40とが対向することにより形成されたデカップリングコンデンサ70,71,72を有する。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.
(1) As a configuration of the inverter 10 as a power conversion device, a multilayer substrate 20 having conductor patterns of three or more layers, power switching elements Q1 to Q8 and signal system electronic components 90 and 100 mounted on the multilayer substrate 20, Equipped with. The conductor pattern includes a power system power supply pattern 30, a floating pattern (solid pattern) 40, and a signal system electronic component mounting pattern 60. The power switching elements Q1 to Q8 are mounted on the power system power supply pattern 30, and the signal system electronic components 90 and 100 are mounted on the signal system electronic component mounting pattern 60. It has decoupling capacitors 70, 71, 72 formed by the power system power supply pattern 30 and the floating pattern 40 facing each other.

よって、パワースイッチング素子Q1〜Q8のスイッチング動作時にパワー系電源パターン30にサージが発生しても、パワー系電源パターン30とフローティングパターン40とが対向することにより形成されたデカップリングコンデンサ70,71,72により、放射される電界は反射、もしくはフローティングパターン40に生じる変位電流が流れることで信号系電子部品90,100に悪影響を及ぼすことが抑制できる。 Therefore, even if a surge occurs in the power system power supply pattern 30 during the switching operation of the power switching elements Q1 to Q8, the decoupling capacitors 70, 71 formed by the power system power supply pattern 30 and the floating pattern 40 facing each other. Due to 72, it is possible to suppress the radiated electric field from being adversely affected by the reflection or the displacement current generated in the floating pattern 40 flowing to the signal electronic components 90 and 100.

(2)導体パターンは、フローティングパターン40と信号系電子部品実装パターン60との間に、信号系配線パターン50を有し、信号系電子部品実装パターン60と信号系配線パターン50とは、非貫通ビアホール(IVH)80を用いて接続されている。よって、信号系電子部品実装パターン60と信号系配線パターン50との接続に非貫通ビアホール(IVH)80を用いることによりフローティングパターン(ベタパターン)40の形成に邪魔にならないようにすることができる。 (2) The conductor pattern has the signal system wiring pattern 50 between the floating pattern 40 and the signal system electronic component mounting pattern 60, and the signal system electronic component mounting pattern 60 and the signal system wiring pattern 50 are non-penetrating. It is connected using a via hole (IVH) 80. Therefore, by using the non-penetrating via hole (IVH) 80 for connecting the signal system electronic component mounting pattern 60 and the signal system wiring pattern 50, the formation of the floating pattern (solid pattern) 40 can be prevented.

(3)導体パターンは、信号系フローティングパターン45を更に有し、信号系配線パターン50と信号系フローティングパターン45とが対向することにより形成された信号系デカップリングコンデンサ75,76を有する。よって、駆動回路110の配線も上アーム用、下アーム用で、駆動回路の二次側(パワースイッチング素子に接続する側)で別電位となるため、上下アーム駆動回路間(図4(b)のパターン51,52間)のカップリングを抑えることができる。 (3) The conductor pattern further has the signal system floating pattern 45, and has the signal system decoupling capacitors 75 and 76 formed by the signal system wiring pattern 50 and the signal system floating pattern 45 facing each other. Therefore, the wiring of the drive circuit 110 is also for the upper arm and for the lower arm, and different potentials are provided on the secondary side of the drive circuit (the side connected to the power switching element), so that the upper and lower arm drive circuits are connected (see FIG. 4B). (Between the patterns 51 and 52) can be suppressed.

(4)多層基板20の一方の面にパワー系電源パターン30のみを有し、多層基板20の他方の面に信号系電子部品実装パターン60のみを有する。よって、配線の制約を受けにくくすることができる。 (4) Only the power system power supply pattern 30 is provided on one surface of the multilayer substrate 20, and only the signal system electronic component mounting pattern 60 is provided on the other surface of the multilayer substrate 20. Therefore, it is possible to prevent the wiring from being restricted.

実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 図1ではハーフブリッジ回路であったが、フルブリッジ回路等に適用してもよい。
○ 電力変換装置はインバータ以外でもよい。例えば、パワースイッチング素子を用いたDC/DCコンバータ等であってもよい。図3では導体パターンを4層有する構成とし、図4では導体パターンを5層有する構成であったが、信号配線を増やす等の理由により、導体パターンを6層以上有する基板を用いてもよい。また、信号系配線が簡略化され、信号系配線パターンが不要になった場合は、導体パターンを3層だけ有する構成としても良い。
The embodiment is not limited to the above, and may be embodied as follows, for example.
Although the half bridge circuit is shown in FIG. 1, it may be applied to a full bridge circuit or the like.
○ The power converter may be other than the inverter. For example, a DC/DC converter using a power switching element may be used. In FIG. 3, the conductor pattern has four layers, and in FIG. 4, the conductor pattern has five layers. However, a substrate having six or more conductor patterns may be used for reasons such as an increase in signal wiring. Further, when the signal system wiring is simplified and the signal system wiring pattern becomes unnecessary, it may be configured to have only three conductor patterns.

10…インバータ、20…多層基板、30…パワー系電源パターン、40…フローティングパターン、45…信号系フローティングパターン、50…信号系配線パターン、60…信号系電子部品実装パターン、70,71,72…デカップリングコンデンサ、75,76…信号系デカップリングコンデンサ、80…非貫通ビアホール、90,100…信号系電子部品、Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6,Q7,Q8…パワースイッチング素子。 10... Inverter, 20... Multilayer substrate, 30... Power system power supply pattern, 40... Floating pattern, 45... Signal system floating pattern, 50... Signal system wiring pattern, 60... Signal system electronic component mounting pattern, 70, 71, 72... Decoupling capacitors, 75, 76... Signal system decoupling capacitors, 80... Non-penetrating via holes, 90, 100... Signal system electronic parts, Q1, Q2, Q3, Q4, Q5, Q6, Q7, Q8... Power switching elements.

Claims (4)

3層以上の導体パターンを有する多層基板と、
前記多層基板に実装されるパワースイッチング素子及び信号系電子部品と、
を備え、
前記導体パターンは、パワー系電源パターンとフローティングパターンと信号系電子部品実装パターンとを有し、
前記パワー系電源パターンに前記パワースイッチング素子が実装されるとともに前記信号系電子部品実装パターンに前記信号系電子部品が実装され、
前記パワー系電源パターンと前記フローティングパターンとが対向することにより形成されたデカップリングコンデンサを有していることを特徴とする電力変換装置。
A multilayer substrate having a conductor pattern of three or more layers;
A power switching element and a signal electronic component mounted on the multilayer substrate,
Equipped with
The conductor pattern has a power system power supply pattern, a floating pattern, and a signal system electronic component mounting pattern,
The power switching device is mounted on the power system power supply pattern and the signal system electronic component is mounted on the signal system electronic component mounting pattern,
A power conversion device comprising a decoupling capacitor formed by the power system power supply pattern and the floating pattern facing each other.
前記導体パターンは、前記フローティングパターンと前記信号系電子部品実装パターンとの間に、信号系配線パターンを有し、
前記信号系電子部品実装パターンと前記信号系配線パターンとは、非貫通ビアホールを用いて接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
The conductor pattern has a signal system wiring pattern between the floating pattern and the signal system electronic component mounting pattern,
The power conversion device according to claim 1, wherein the signal system electronic component mounting pattern and the signal system wiring pattern are connected using a non-penetrating via hole.
前記導体パターンは、信号系フローティングパターンを更に有し、
前記信号系配線パターンと前記信号系フローティングパターンとが対向することにより形成された信号系デカップリングコンデンサを有することを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。
The conductor pattern further has a signal system floating pattern,
The power conversion device according to claim 2, further comprising a signal system decoupling capacitor formed by the signal system wiring pattern and the signal system floating pattern facing each other.
前記多層基板の一方の面に前記パワー系電源パターンのみを有し、
前記多層基板の他方の面に前記信号系電子部品実装パターンのみを有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電力変換装置。
Having only the power system power supply pattern on one surface of the multilayer substrate,
The power conversion device according to claim 1, wherein only the signal system electronic component mounting pattern is provided on the other surface of the multilayer substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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