JP2020126249A - Polarizer, method for manufacturing the same, and optical apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a polarizer with a high transmission characteristic and suppressed reflection lights, a method for manufacturing the polarizer, and an optical apparatus having the polarizer.SOLUTION: There is provided a polarizer 100 with a wire grid structure including: a transparent substrate 1; lattice protrusions 20 arranged on the transparent substrate at smaller pitches than the wavelength of light in a used bandwidth, the protrusions 20 extending in a predetermined direction and having a reflection layer 3 and a dielectric layer 4, the reflection layer being closer to the transparent substrate 1 than the dielectric layer 4 is, the reflection layer 3 having at least one step on a side when viewed from the predetermined direction and the base on the transparent substrate 1 side having the largest width.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、偏光板及びその製造方法、並びに光学機器に関する。 The present invention relates to a polarizing plate, a method for manufacturing the same, and an optical device.

従来、偏光素子として、使用帯域の光の波長より小さいピッチの金属格子を基板上に形成し、当該金属格子上に誘電層及び無機微粒子層を形成することにより、金属格子から反射した光を干渉効果により打ち消すとともに、もう一方の偏光成分を透過させる吸収型のワイヤグリッド型偏光素子が提案されている。 Conventionally, as a polarizing element, a metal grating having a pitch smaller than the wavelength of light in the used band is formed on a substrate, and a dielectric layer and an inorganic fine particle layer are formed on the metal grating to interfere with light reflected from the metal grating. An absorptive wire grid type polarizing element has been proposed which cancels out the effect and transmits the other polarized component.

このような偏光素子に対しては、近年の液晶プロジェクタの高輝度化や高精細化に伴い、ますますの反射率低下の要求が高まっている。反射率が高い場合には、液晶パネルの誤作動の原因となったり、迷光により画質の劣化を引き起こす。 With respect to such a polarizing element, the demand for lowering the reflectance is increasing more and more with the increase in brightness and definition of liquid crystal projectors in recent years. If the reflectance is high, it may cause a malfunction of the liquid crystal panel or may deteriorate the image quality due to stray light.

ここで、反射率は、格子構造を構成する、層間の干渉や、層内の吸収によって決定づけられる。そして、要求に応じた材料を誘電層等に用いることによって、反射率を制御する方法が提案されている(特許文献1参照)。しかしながら特許文献1においては、各層が矩形形状として設計されているため、ナノレベルで完全な矩形を形成することは困難であることから、形状を加味した材料設計は非常に困難な状況となる。 Here, the reflectance is determined by the interference between layers and the absorption in the layers that form the lattice structure. Then, a method of controlling the reflectance by using a material that meets the requirements for the dielectric layer or the like has been proposed (see Patent Document 1). However, in Patent Document 1, since each layer is designed as a rectangular shape, it is difficult to form a perfect rectangular shape at the nano level. Therefore, it is very difficult to design a material considering the shape.

また、金属層を形成する前に、樹脂製の基材に微細パターンを形成して基材の反射率及び波長を制御することで、得られる偏光素子の反射率特性を制御する方法が提案されている(特許文献2参照)。しかしながら、特許文献2で用いられる基材は樹脂製であるため、無機材料で構成されるワイヤグリッド偏光素子と比較して、耐熱性や耐光性に劣り、強い光の環境下での長期使用については不安がある。 Further, before forming the metal layer, a method of controlling the reflectance characteristic of the obtained polarizing element by forming a fine pattern on the resin substrate and controlling the reflectance and wavelength of the substrate is proposed. (See Patent Document 2). However, since the base material used in Patent Document 2 is made of resin, it is inferior in heat resistance and light resistance to a wire grid polarizing element made of an inorganic material, and is used for a long time in an environment of strong light. Is anxious.

特表2010−530994号公報Japanese Patent Publication No. 2010-530994 特開2015−212741号公報JP, 2005-212741, A

本発明は上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、反射率特性の制御に優れ、優れた選択吸収性を有する偏光板及びその製造方法、並びにその偏光板を備える光学機器を提供することにある。さらに具体的には、吸収軸方向の反射を抑制した偏光板及びその製造方法、並びにその偏光板を備える光学機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above background art, and an object thereof is a polarizing plate excellent in control of reflectance characteristics and having excellent selective absorption, a manufacturing method thereof, and an optical device including the polarizing plate. Is to provide. More specifically, it is to provide a polarizing plate that suppresses reflection in the absorption axis direction, a method for manufacturing the polarizing plate, and an optical device including the polarizing plate.

本発明者らは、透明基板と、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板上に配列され、所定方向に延在する格子状凸部と、を備えるワイヤグリッド構造を有する偏光板において、格子状凸部に、透明基板側から順に、反射層と、誘電体層と、を備えさせ、前記の所定方向から見たときの、反射層の形状を特定すれば、優れた選択吸収性を有する偏光板が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。 The present inventors provide a polarizing plate having a wire grid structure, which includes a transparent substrate and lattice-shaped convex portions arranged on the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in the use band and extending in a predetermined direction. , The lattice-shaped convex portion is provided with a reflective layer and a dielectric layer in this order from the transparent substrate side, and if the shape of the reflective layer when viewed from the predetermined direction is specified, excellent selective absorption is obtained. It was found that a polarizing plate having the above can be obtained, and the present invention has been completed.

すなわち本発明は、ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、透明基板(例えば、後述の透明基板1)と、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで前記透明基板上に配列され、所定方向に延在する格子状凸部(例えば、後述の格子状凸部20)と、を備え、前記格子状凸部は、前記透明基板側から順に、反射層(例えば、後述の反射層3)と、誘電体層(例えば、後述の誘電体層4)と、を有し、前記所定方向から見たとき、前記反射層は、少なくとも1つ以上のステップを側辺に有し、且つ、透明基板側となる底辺の幅が最も大きい偏光板(例えば、後述の偏光板10)である。 That is, the present invention is a polarizing plate having a wire grid structure, which is arranged on a transparent substrate (for example, a transparent substrate 1 described later) and the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in a used band, and has a predetermined direction. And a grid-shaped convex portion (for example, a grid-shaped convex portion 20 described later) that extends in the direction of, and the grid-shaped convex portion is, in order from the transparent substrate side, a reflective layer (for example, a reflective layer 3 described below). , A dielectric layer (for example, a dielectric layer 4 described later), and when viewed from the predetermined direction, the reflective layer has at least one step on its side and a transparent substrate. It is a polarizing plate (for example, a polarizing plate 10 described later) having the largest width of the bottom side.

前記ステップは、直線及び/又は曲線で形成されていてもよい。 The steps may be formed by straight lines and/or curved lines.

前記透明基板は、使用帯域の光の波長に対して透明であり、且つ、ガラス、水晶、又はサファイアで構成されていてもよい。 The transparent substrate is transparent to the wavelength of light in the used band and may be made of glass, crystal, or sapphire.

前記反射層は、アルミニウム、又はアルミニウム合金で構成されていてもよい。 The reflective layer may be made of aluminum or an aluminum alloy.

前記誘電体層は、Si酸化物で構成されていてもよい。 The dielectric layer may be made of Si oxide.

前記吸収層は、Fe、又はTaを含むとともに、Siを含んで構成されていてもよい。 The absorption layer may be configured to include Si as well as Fe or Ta.

光が入射する前記偏光板の表面は、誘電体からなる保護膜により覆われていてもよい。 The surface of the polarizing plate on which light is incident may be covered with a protective film made of a dielectric material.

光が入射する前記偏光板の表面は、有機系撥水膜により覆われていてもよい。 The surface of the polarizing plate on which light is incident may be covered with an organic water repellent film.

また別の本発明は、ワイヤグリッド構造を有する偏光板の製造方法であって、透明基板の片面に反射層を形成する反射層形成工程と、前記反射層の前記透明基板とは反対面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、前記誘電体層の前記反射層とは反対面に吸収層を形成する吸収層形成工程と、形成された積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板上に配列される格子状凸部を形成するエッチング工程と、を有し、前記エッチング工程では、等方性エッチングと異方性エッチングを組み合わせることにより、前記反射層の側壁に少なくとも1つ以上のステップを形成するとともに、透明基板側の前記反射層の幅が最も大きくなるよう形成する偏光板の製造方法である。 Yet another aspect of the present invention is a method for manufacturing a polarizing plate having a wire grid structure, including a reflective layer forming step of forming a reflective layer on one surface of a transparent substrate, and a dielectric layer on a surface of the reflective layer opposite to the transparent substrate. A dielectric layer forming step of forming a body layer, an absorbing layer forming step of forming an absorbing layer on the surface of the dielectric layer opposite to the reflecting layer, and by selectively etching the formed laminate, An etching step of forming lattice-shaped convex portions arranged on the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in the used band, and in the etching step, isotropic etching and anisotropic etching are combined. Thus, at least one step is formed on the side wall of the reflective layer, and the polarizing layer is formed so that the width of the reflective layer on the transparent substrate side is maximized.

また別の本発明は、前記偏光板を備える光学機器である。 Still another aspect of the present invention is an optical device including the polarizing plate.

本発明によれば、優れた選択吸収性を有する偏光板及びその製造方法、並びにその偏光板を備える光学機器を提供できる。さらに具体的には、吸収軸方向の反射を抑制した偏光板及びその製造方法、並びにその偏光板を備える光学機器を提供できる。従って、本発明によれば、高い透過率特性を有するとともに低い反射率を実現した偏光板及びその製造方法、並びにその偏光板を備える光学機器を提供できる。
また本発明によれば、底部が最も太い形状のグリッドを有する偏光板を形成できるため、偏光板の機械的強度を向上できる。
さらに、反射層のステップ数や形状を調整することにより、光学特性の制御が可能となるため、例えば、必要な波長において最適となる偏光板を作成することができ、設計の自由度が増加する。
According to the present invention, it is possible to provide a polarizing plate having an excellent selective absorption property, a method for manufacturing the same, and an optical device including the polarizing plate. More specifically, it is possible to provide a polarizing plate that suppresses reflection in the absorption axis direction, a method for manufacturing the polarizing plate, and an optical device including the polarizing plate. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a polarizing plate having a high transmittance characteristic and a low reflectance, a manufacturing method thereof, and an optical device including the polarizing plate.
Further, according to the present invention, since it is possible to form a polarizing plate having a grid having a thickest bottom, it is possible to improve the mechanical strength of the polarizing plate.
Furthermore, since the optical characteristics can be controlled by adjusting the number of steps and the shape of the reflective layer, for example, it is possible to create an optimal polarizing plate at a required wavelength and increase the degree of freedom in design. ..

本発明の一実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate which concerns on one Embodiment of this invention. 従来構造の一実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate which concerns on one Embodiment of a conventional structure. 本発明の一実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate which concerns on one Embodiment of this invention. ステップ角87°の偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate of step angle 87 degrees. ステップ角45°の偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate of step angle 45 degrees. ステップ角4°の偏光板を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the polarizing plate of step angle 4 degrees. 実施例1、2、及び5、並びに比較例1の偏光板について、波長と吸収軸透過率との関係を検証した結果を示すグラフである。5 is a graph showing the results of verifying the relationship between wavelength and absorption axis transmittance for the polarizing plates of Examples 1, 2, and 5 and Comparative Example 1. 実施例1、2、及び5、並びに比較例1の偏光板について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示すグラフである。5 is a graph showing the results of verifying the relationship between wavelength and absorption axis reflectance for the polarizing plates of Examples 1, 2, and 5 and Comparative Example 1. 実施例1〜5、および比較例1の偏光板について、波長520〜590nmにおけるステップ角度と吸収軸反射率(Rs)との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the step angle in wavelength 520-590 nm, and absorption axis reflectance (Rs) about the polarizing plate of Examples 1-5 and Comparative Example 1.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳しく説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[偏光板]
本発明の偏光板は、ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、透明基板と、使用帯域の光の波長よりも短いピッチ(周期)で透明基板上に配列されて所定方向に延在する格子状凸部と、を備える。また、この格子状凸部は、透明基板側から順に、少なくとも、反射層と、誘電体層と、を有する。なお、本発明の偏光板は、本発明の効果を発現する限りにおいて、透明基板、反射層、誘電体層、以外の層が存在していてもよい。
[Polarizer]
The polarizing plate of the present invention is a polarizing plate having a wire grid structure, which is arranged on the transparent substrate at a pitch (cycle) shorter than the wavelength of light in the used band and extends in a predetermined direction. And a convex portion. The lattice-shaped convex portion has at least a reflective layer and a dielectric layer in this order from the transparent substrate side. The polarizing plate of the present invention may have layers other than the transparent substrate, the reflective layer, and the dielectric layer as long as the effects of the present invention are exhibited.

図1は、本発明の一実施形態に係る偏光板100を示す断面模式図である。図1に示すように、偏光板100は、使用帯域の光に透明な透明基板1と、透明基板1の一方の面上に使用帯域の光の波長よりも短いピッチで配列された格子状凸部20と、を備える。格子状凸部20は、透明基板1側から順に、第2の誘電体層2と、反射層3と、誘電体層4と、吸収層5と、第3の誘電体層6と、を有する。即ち、偏光板100は、反射層3と、誘電体層4と、が透明基板1側からこの順に積層されて形成された格子状凸部20が、透明基板1上に一次元格子状に配列されたワイヤグリッド構造を有する。 FIG. 1 is a schematic sectional view showing a polarizing plate 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a polarizing plate 100 includes a transparent substrate 1 that is transparent to light in a use band, and a grid-like convex array arranged on one surface of the transparent substrate 1 at a pitch shorter than the wavelength of light in the use band. And a unit 20. The lattice-shaped convex portion 20 has a second dielectric layer 2, a reflective layer 3, a dielectric layer 4, an absorption layer 5, and a third dielectric layer 6 in order from the transparent substrate 1 side. .. That is, in the polarizing plate 100, the grid-shaped convex portions 20 formed by laminating the reflective layer 3 and the dielectric layer 4 in this order from the transparent substrate 1 side are arranged in a one-dimensional grid on the transparent substrate 1. Has a wire grid structure.

ここで、図1に示すように格子状凸部20の延在する方向(所定方向)を、Y軸方向と称する。また、Y軸方向に直交し、透明基板1の主面に沿って格子状凸部20が配列する方向を、X軸方向と称する。この場合、偏光板100に入射する光は、透明基板1の格子状凸部20が形成されている側において、好適にはX軸方向及びY軸方向に直交する方向から入射する。 Here, the direction (predetermined direction) in which the grid-shaped convex portions 20 extend as shown in FIG. 1 is referred to as the Y-axis direction. Further, a direction orthogonal to the Y-axis direction and in which the lattice-shaped convex portions 20 are arranged along the main surface of the transparent substrate 1 is referred to as an X-axis direction. In this case, the light that enters the polarizing plate 100 preferably enters from the direction orthogonal to the X-axis direction and the Y-axis direction on the side of the transparent substrate 1 where the lattice-shaped convex portions 20 are formed.

ワイヤグリッド構造を有する偏光板は、透過、反射、干渉及び光学異方性による偏光波の選択的光吸収の4つの作用を利用することで、Y軸方向に平行な電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を減衰させ、X軸方向に平行な電界成分をもつ偏光波(TM波(P波))を透過させる。従って、図1においては、Y軸方向が偏光板の吸収軸の方向であり、X軸方向が偏光板の透過軸の方向である。 A polarizing plate having a wire grid structure utilizes four effects of transmission, reflection, interference, and selective light absorption of a polarized wave due to optical anisotropy, so that a polarized wave having an electric field component parallel to the Y-axis direction ( TE waves (S waves) are attenuated and polarized waves (TM waves (P waves)) having an electric field component parallel to the X-axis direction are transmitted. Therefore, in FIG. 1, the Y-axis direction is the absorption axis direction of the polarizing plate, and the X-axis direction is the transmission axis direction of the polarizing plate.

図1に示される偏光板100の格子状凸部20が形成された側から入射した光Lは、吸収層5及び誘電体層4を通過する際に一部が吸収されて減衰する。吸収層5及び誘電体層4を透過した光のうち、偏光波(TM波(P波))は高い透過率で反射層3を透過する。一方、吸収層5及び誘電体層4を透過した光のうち、偏光波(TE波(S波))は反射層3で反射される。反射層3で反射されたTE波は、吸収層5及び誘電体層4を通過する際に一部は吸収され、一部は反射して反射層3に戻る。反射層3で反射されたTE波は、吸収層5及び誘電体層4を通過する際に干渉して減衰する。以上のようにTE波の選択的減衰を行うことにより、偏光板100は、所望の偏光特性を得ることができる。 The light L incident from the side of the polarizing plate 100 shown in FIG. 1 on which the grid-shaped convex portions 20 are formed is partially absorbed and attenuated when passing through the absorption layer 5 and the dielectric layer 4. Of the light transmitted through the absorption layer 5 and the dielectric layer 4, the polarized wave (TM wave (P wave)) passes through the reflective layer 3 with high transmittance. On the other hand, of the light transmitted through the absorption layer 5 and the dielectric layer 4, the polarized wave (TE wave (S wave)) is reflected by the reflective layer 3. The TE wave reflected by the reflection layer 3 is partially absorbed when passing through the absorption layer 5 and the dielectric layer 4, and partly reflected and returned to the reflection layer 3. The TE wave reflected by the reflection layer 3 interferes with and attenuates when passing through the absorption layer 5 and the dielectric layer 4. By performing the TE wave selective attenuation as described above, the polarizing plate 100 can obtain desired polarization characteristics.

本発明の偏光板における格子状凸部は、図1に示すように各一次元格子の延在する方向(所定方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、反射層3と、誘電体層4と、を有する。 As shown in FIG. 1, the lattice-shaped convex portions of the polarizing plate of the present invention are the same as the reflection layer 3 when viewed from the extending direction (predetermined direction) of each one-dimensional lattice, that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction. , And the dielectric layer 4.

ここで本明細書における寸法につき、図1を用いて説明する。高さとは、図1における透明基板1の主面に垂直な方向の寸法を意味する。幅Wとは、格子状凸部20の延びる方向に沿うY軸方向から見たときに、高さ方向に直交するX軸方向の寸法を意味する。また、偏光板100を格子状凸部20の延びる方向に沿うY軸方向から見たときに、格子状凸部20のX軸方向の繰り返し間隔を、ピッチPと称する。 Here, dimensions in this specification will be described with reference to FIGS. The height means the dimension in the direction perpendicular to the main surface of the transparent substrate 1 in FIG. The width W means a dimension in the X-axis direction orthogonal to the height direction when viewed from the Y-axis direction along the extending direction of the grid-shaped convex portions 20. Further, when the polarizing plate 100 is viewed from the Y-axis direction along the extending direction of the grid-shaped convex portions 20, the repeating interval of the grid-shaped convex portions 20 in the X-axis direction is referred to as a pitch P.

本発明の偏光板において、格子状凸部のピッチPは、使用帯域の光の波長よりも短ければ特に制限されない。作製の容易性及び安定性の観点から、格子状凸部のピッチPは、例えば、100nm〜200nmが好ましい。この格子状凸部のピッチPは、走査型電子顕微鏡又は透過型電子顕微鏡で観察することにより測定することができる。例えば、走査型電子顕微鏡又は透過型電子顕微鏡を用いて、任意の4箇所についてピッチPを測定し、その算術平均値を格子状凸部のピッチPとすることができる。以下、この測定方法を電子顕微鏡法と称する。 In the polarizing plate of the present invention, the pitch P of the lattice-shaped convex portions is not particularly limited as long as it is shorter than the wavelength of light in the used band. From the viewpoint of ease of production and stability, the pitch P of the lattice-shaped convex portions is preferably 100 nm to 200 nm, for example. The pitch P of the lattice-shaped convex portions can be measured by observing with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. For example, using a scanning electron microscope or a transmission electron microscope, the pitch P can be measured at any four points, and the arithmetic mean value thereof can be used as the pitch P of the grid-shaped convex portions. Hereinafter, this measuring method is referred to as an electron microscope method.

本発明の偏光板は、格子状凸部の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、反射層が、少なくとも1つ以上のステップを側辺に有し、且つ、透明基板側となる底辺の幅が最も大きいことを特徴とする。これにより、反射率特性の制御に優れ、優れた選択吸収性を有する偏光板、具体的には、吸収軸方向の反射を抑制した偏光板を実現することができる。 In the polarizing plate of the present invention, the reflective layer has at least one step on its side when viewed from the direction in which the lattice-shaped convex portions extend (predetermined direction: Y-axis direction), and the transparent substrate. It is characterized by the largest width of the bottom side. Accordingly, it is possible to realize a polarizing plate having excellent control of reflectance characteristics and excellent selective absorption, specifically, a polarizing plate in which reflection in the absorption axis direction is suppressed.

なお、反射層に形成されるステップとは、反射層を格子状凸部の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、反射層の幅が段階的または連続的に変化する形状を意味する。したがって、本発明におけるステップは、直線で形成されるものに限られず、例えば曲線等で形成されていてもよい。またステップは、1つのみに限らず、2つ以上が含まれるマルチステップとなっていてもよい。 The step of forming the reflective layer means that the width of the reflective layer changes stepwise or continuously when the reflective layer is viewed from the extending direction of the lattice-shaped convex portions (predetermined direction: Y-axis direction). Means the shape. Therefore, the steps in the present invention are not limited to those formed by a straight line, and may be formed by a curved line, for example. Moreover, the number of steps is not limited to one, and may be a multi-step including two or more steps.

ワイヤグリッド構造を有する偏光板は、上記の通り、格子状凸部の延在する方向(Y軸方向)に平行な電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を減衰させ、X軸方向に平行な電界成分をもつ偏光波(TM波(P波))を透過させる。すなわち、格子状凸部の延在する方向(Y軸方向)に平行な電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を、透過させず反射させない特性が求められ、反射率の低減は重要な要求特性となる。 As described above, the polarizing plate having the wire grid structure attenuates a polarized wave (TE wave (S wave)) having an electric field component parallel to the extending direction (Y-axis direction) of the lattice-shaped convex portion, and the X-axis. A polarized wave (TM wave (P wave)) having an electric field component parallel to the direction is transmitted. That is, it is required that the polarized wave (TE wave (S wave)) having the electric field component parallel to the extending direction of the lattice-shaped convex portions (Y-axis direction) is not transmitted and reflected, and the reduction of the reflectance is required. It becomes an important required characteristic.

ここで、本発明の偏光板は、反射層にステップが形成されているため、透明基板に垂直に入射した、格子状凸部の延在する方向(Y軸方向)に平行な電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))は、反射層で反射された後に一部がステップによって屈曲し、散乱する。格子状凸部の延在する方向(Y軸方向)に平行な電界成分をもつ、散乱した偏光波(TE波(S波))は、反射に寄与しないこととなり、その結果、吸収軸方向の反射を抑制することができる。 Here, since the polarizing plate of the present invention has the step formed in the reflective layer, it has an electric field component that is vertically incident on the transparent substrate and is parallel to the extending direction of the lattice-shaped convex portions (Y-axis direction). The polarized wave (TE wave (S wave)) is partially reflected by the reflection layer and then bent by steps and scattered. The scattered polarized wave (TE wave (S wave)) having an electric field component parallel to the extending direction of the lattice-shaped convex portion (Y axis direction) does not contribute to the reflection, and as a result, in the absorption axis direction. Reflection can be suppressed.

(透明基板)
透明基板(図1における透明基板1)としては、使用帯域の光に対して透光性を示す基板であれば特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。「使用帯域の光に対して透光性を示す」とは、使用帯域の光の透過率が100%であることを意味するものではなく、偏光板としての機能を保持可能な透光性を示せばよい。使用帯域の光としては、例えば、波長380nm〜810nm程度の可視光が挙げられる。
(Transparent substrate)
The transparent substrate (transparent substrate 1 in FIG. 1) is not particularly limited as long as it is a substrate that transmits light in the used band, and can be appropriately selected according to the purpose. The phrase "shows translucency with respect to the light in the used band" does not mean that the light transmittance in the used band is 100%, but does not mean that the function as a polarizing plate can be maintained. Just show it. Examples of the light in the used band include visible light having a wavelength of about 380 nm to 810 nm.

透明基板の主面形状は特に制限されず、目的に応じた形状(例えば、矩形形状)が適宜選択される。透明基板の平均厚みは、例えば、0.3mm〜1mmが好ましい。 The shape of the main surface of the transparent substrate is not particularly limited, and a shape (for example, rectangular shape) suitable for the purpose is appropriately selected. The average thickness of the transparent substrate is preferably 0.3 mm to 1 mm, for example.

透明基板の構成材料としては、屈折率が1.1〜2.2の材料が好ましく、ガラス、水晶、サファイア等が挙げられる。コスト及び透光率の観点からは、ガラス、特に石英ガラス(屈折率1.46)やソーダ石灰ガラス(屈折率1.51)を用いることが好ましい。ガラス材料の成分組成は特に制限されず、例えば光学ガラスとして広く流通しているケイ酸塩ガラス等の安価なガラス材料を用いることができる。 As a constituent material of the transparent substrate, a material having a refractive index of 1.1 to 2.2 is preferable, and glass, crystal, sapphire and the like can be mentioned. From the viewpoint of cost and light transmittance, it is preferable to use glass, particularly quartz glass (refractive index 1.46) or soda lime glass (refractive index 1.51). The component composition of the glass material is not particularly limited, and for example, an inexpensive glass material such as silicate glass widely distributed as optical glass can be used.

また、熱伝導性の観点からは、熱伝導性が高い水晶やサファイアを用いることが好ましい。これにより、強い光に対して高い耐光性が得られ、発熱量の多いプロジェクタの光学エンジン用の偏光板として好ましく用いられる。 From the viewpoint of thermal conductivity, it is preferable to use quartz or sapphire, which have high thermal conductivity. Thereby, high light resistance to strong light is obtained, and it is preferably used as a polarizing plate for an optical engine of a projector which generates a large amount of heat.

なお、水晶等の光学活性の結晶からなる透明基板を用いる場合には、結晶の光学軸に対して平行方向又は垂直方向に格子状凸部20を配置することが好ましい。これにより、優れた光学特性が得られる。ここで、光学軸とは、その方向に進む光のO(常光線)とE(異常光線)の屈折率の差が最小となる方向軸である。 When using a transparent substrate made of an optically active crystal such as quartz, it is preferable to dispose the lattice-shaped convex portions 20 in a direction parallel or perpendicular to the optical axis of the crystal. Thereby, excellent optical characteristics can be obtained. Here, the optical axis is a directional axis that minimizes the difference in refractive index between O (ordinary ray) and E (extraordinary ray) of light traveling in that direction.

(第2の誘電体層)
第2の誘電体層(図1における第2の誘電体層2)は、本発明においては任意の層である。透明基板上に形成され、本発明における反射層と透明基板との間に形成される。
(Second dielectric layer)
The second dielectric layer (second dielectric layer 2 in FIG. 1) is an optional layer in the present invention. It is formed on a transparent substrate and is formed between the reflective layer and the transparent substrate in the present invention.

図1に示される本発明の一実施形態に係る偏光板100における第2の誘電体層2は、透明基板1上に積層されており、エッチングにより掘り込まれた掘込み量Hの部分は、格子状凸部20の一部を形成する。 The second dielectric layer 2 in the polarizing plate 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is laminated on the transparent substrate 1, and the portion of the dug amount H dug by etching is A part of the grid-shaped convex portion 20 is formed.

第2の誘電体層を構成する材料としては、後述する誘電体層と同じであっても、異なるものであってもよく、例えば、SiO等のSi酸化物、Al、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、等の金属酸化物、MgF、氷晶石、ゲルマニウム、二酸化チタン、ケイ素、フッ化マグネシウム、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、又はこれらの組み合わせ等の一般的な材料が挙げられる。中でも、第2の誘電体層は、Si酸化物で構成されることが好ましい。 The material forming the second dielectric layer may be the same as or different from the dielectric layer to be described later, and may be, for example, a Si oxide such as SiO 2 , Al 2 O 3 , or beryllium oxide. , Metal oxides such as bismuth oxide, MgF 2 , cryolite, germanium, titanium dioxide, silicon, magnesium fluoride, boron nitride, boron oxide, tantalum oxide, carbon, or a general material such as a combination thereof. Can be mentioned. Above all, the second dielectric layer is preferably composed of Si oxide.

第2の誘電体層の屈折率は、1.0より大きく、2.5以下であることが好ましい。反射層の光学特性は、周囲の屈折率によっても影響を受けるため、誘電体層の材料を選択することで、偏光板特性を制御することができる。 The refractive index of the second dielectric layer is preferably more than 1.0 and 2.5 or less. Since the optical characteristics of the reflective layer are affected by the refractive index of the surroundings, the polarizing plate characteristics can be controlled by selecting the material of the dielectric layer.

第2の誘電体層の膜厚は、特に制限されず、例えば、10nm〜100nmが好ましい。なお、第2の誘電体層の膜厚は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The film thickness of the second dielectric layer is not particularly limited and is preferably 10 nm to 100 nm, for example. The film thickness of the second dielectric layer can be measured, for example, by the electron microscope method described above.

(反射層)
反射層(図1における反射層3)は、透明基板の片側面に形成され、吸収軸であるY軸方向に、帯状に延びた金属膜が配列されたものである。なお、本発明においては、例えば上記した図1に示される偏光板100のように、透明基板と反射層との間に、第2の誘電体層等の別の層が存在していてもよい。
(Reflective layer)
The reflective layer (reflective layer 3 in FIG. 1) is formed on one side surface of the transparent substrate and has a strip-shaped metal film arranged in the Y-axis direction which is the absorption axis. In the present invention, another layer such as the second dielectric layer may be present between the transparent substrate and the reflective layer, as in the polarizing plate 100 shown in FIG. 1 described above. ..

反射層は、ワイヤグリッド型偏光子としての機能を発現に寄与し、反射層の延在する方向(長手方向)に平行な方向に電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を減衰させ、反射層の延在する方向(長手方向)に直交する方向に電界成分をもつ偏光波(TM波(P波))を透過させる。 The reflective layer contributes to the function as a wire grid type polarizer and attenuates a polarized wave (TE wave (S wave)) having an electric field component in a direction parallel to the extending direction (longitudinal direction) of the reflective layer. Then, a polarized wave (TM wave (P wave)) having an electric field component is transmitted in a direction orthogonal to the extending direction (longitudinal direction) of the reflective layer.

本発明の偏光板における反射層は、透明基板の面方向に対して略垂直に延びており、格子状凸部の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、少なくとも1つ以上のステップを側辺に有し、且つ、透明基板側となる底辺の幅が最も大きいことを特徴とする。本発明においてはこれにより、反射率特性の制御に優れた偏光板を実現することができ、優れた選択吸収性を有する偏光板、具体的には、吸収軸方向の反射を抑制した偏光板を得ることができる。 The reflective layer in the polarizing plate of the present invention extends substantially perpendicular to the surface direction of the transparent substrate, and when viewed from the direction in which the lattice-shaped convex portions extend (predetermined direction: Y-axis direction), that is, the predetermined direction. It is characterized in that it has at least one or more steps on the side and has the largest width of the bottom side on the transparent substrate side in a cross-sectional view orthogonal to. In the present invention, this makes it possible to realize a polarizing plate having excellent control of reflectance characteristics, and a polarizing plate having excellent selective absorption, specifically, a polarizing plate in which reflection in the absorption axis direction is suppressed. Obtainable.

反射層の構成材料としては、使用帯域の光に対して反射性を有する材料であれば特に制限されず、例えば、Al、Ag、Cu、Mo、Cr、Ti、Ni、W、Fe、Si、Ge、Te等の元素単体、又はこれらの1種以上の元素を含む合金が挙げられる。中でも、反射層は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されることが好ましい。なお、これらの金属材料以外にも、例えば着色等により表面の反射率が高く形成された金属以外の無機膜や樹脂膜で構成してもよい。 The constituent material of the reflective layer is not particularly limited as long as it is a material having reflectivity for light in the used band, and examples thereof include Al, Ag, Cu, Mo, Cr, Ti, Ni, W, Fe, Si, Examples include simple elements such as Ge and Te, and alloys containing one or more of these elements. Above all, the reflective layer is preferably made of aluminum or an aluminum alloy. In addition to these metal materials, for example, an inorganic film or a resin film other than a metal whose surface has a high reflectance due to coloring or the like may be used.

反射層の膜厚(図1における8)は、特に制限されず、例えば、100nm〜300nmが好ましい。なお、反射層の膜厚は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The film thickness of the reflective layer (8 in FIG. 1) is not particularly limited and is preferably 100 nm to 300 nm, for example. The film thickness of the reflective layer can be measured, for example, by the electron microscope method described above.

本発明の偏光板の反射層の幅では最も大きい幅となる、透明基板側となる底辺の幅は、格子状凸部のピッチPとの関係にもよるが、例えば、ピッチPに対する割合が20〜50%であることが好ましい。なお、これらの幅は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The width of the bottom side on the transparent substrate side, which is the largest width of the reflective layer of the polarizing plate of the present invention, depends on the relationship with the pitch P of the grid-shaped convex portions, but for example, the ratio to the pitch P is 20. It is preferably ˜50%. Note that these widths can be measured by, for example, the electron microscope method described above.

図1に示される本発明の一実施形態に係る偏光板100においては、反射層3は、格子状凸部20の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、両側辺にそれぞれ1つのステップ10を有し、且つ、透明基板1側となる底辺の幅が最も大きい。さらに詳細には、偏光板100の反射層3は、所定方向に直交する断面視で、略長方形の上に略等脚台形が結合した形状であり、台形部分の下底の長さが長方形部分の幅と等しく、台形部分の上底(透明基板1の反対側)ほど幅が狭くなるよう側辺が傾斜した先細形状を有する。 In the polarizing plate 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the reflection layer 3 is viewed from the extending direction (predetermined direction: Y-axis direction) of the grid-shaped convex portions 20, that is, the predetermined direction. In a cross-sectional view orthogonal to, each side has one step 10, and the bottom side on the transparent substrate 1 side has the largest width. More specifically, the reflection layer 3 of the polarizing plate 100 has a shape in which a substantially isosceles trapezoid is combined with a substantially rectangular shape in a cross-sectional view orthogonal to a predetermined direction, and the length of the lower base of the trapezoidal portion is the rectangular shape. The width of the trapezoidal portion is smaller than that of the transparent substrate 1.

図1に示される本発明の一実施形態に係る偏光板100においては、θsで示される反射層3のステップ角は、0°<θs<90°の範囲を取りうるが、中では、15°<θs<90°の範囲であることが好ましい。 In the polarizing plate 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1, the step angle of the reflective layer 3 represented by θs may be in the range of 0°<θs<90°, but in the range of 15°. It is preferably in the range of <θs<90°.

反射層の側辺に少なくとも1つ以上のステップを備えさせ、且つ、透明基板側となる底辺の幅を最も大きくする方法としては、例えば、等方性エッチングと異方性エッチングを組み合わせて用いて、そのバランスを変化させる方法が挙げられる。 As a method of providing at least one step on the side of the reflective layer and maximizing the width of the bottom side on the transparent substrate side, for example, a combination of isotropic etching and anisotropic etching is used. , There is a method of changing the balance.

(誘電体層)
誘電体層(図1における誘電体層4)は、反射層上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びた誘電体膜が配列されたものである。なお、本発明においては、反射層と誘電体層との間には、別の層が存在していてもよい。
(Dielectric layer)
The dielectric layer (dielectric layer 4 in FIG. 1) is formed on the reflective layer and has dielectric films arranged in a strip shape arranged in the Y-axis direction which is the absorption axis. In the present invention, another layer may exist between the reflective layer and the dielectric layer.

誘電体層の膜厚(図1における9)は、吸収層で反射した偏光に対して、吸収層を透過して反射層で反射した偏光の位相が半波長ずれる範囲で形成される。具体的には、誘電体層の膜厚は、偏光の位相を調整して干渉効果を高めることが可能な1〜500nmの範囲で適宜設定される。この誘電体層の膜厚は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The film thickness of the dielectric layer (9 in FIG. 1) is formed within a range in which the phase of the polarized light reflected by the absorbing layer and transmitted by the absorbing layer and reflected by the reflecting layer is shifted by a half wavelength. Specifically, the film thickness of the dielectric layer is appropriately set within a range of 1 to 500 nm capable of adjusting the phase of polarized light to enhance the interference effect. The film thickness of this dielectric layer can be measured, for example, by the electron microscope method described above.

誘電体層を構成する材料としては、SiO等のSi酸化物、Al、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、等の金属酸化物、MgF、氷晶石、ゲルマニウム、二酸化チタン、ケイ素、フッ化マグネシウム、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、又はこれらの組み合わせ等の一般的な材料が挙げられる。中でも、誘電体層4は、Si酸化物で構成されることが好ましい。 Materials for forming the dielectric layer include Si oxides such as SiO 2 , metal oxides such as Al 2 O 3 , beryllium oxide and bismuth oxide, MgF 2 , cryolite, germanium, titanium dioxide, silicon and fluorine. Typical materials include magnesium chloride, boron nitride, boron oxide, tantalum oxide, carbon, or a combination thereof. Above all, the dielectric layer 4 is preferably made of Si oxide.

誘電体層の屈折率は、1.0より大きく、2.5以下であることが好ましい。反射層の光学特性は、周囲の屈折率によっても影響を受けるため、誘電体層の材料を選択することで、偏光特性を制御することができる。 The refractive index of the dielectric layer is preferably more than 1.0 and 2.5 or less. Since the optical characteristics of the reflective layer are affected by the refractive index of the surroundings, the polarization characteristics can be controlled by selecting the material of the dielectric layer.

また、誘電体層の膜厚や屈折率を適宜調整することにより、反射層で反射したTE波について、吸収層を透過する際に一部を反射して反射層に戻すことができ、吸収層を通過した光を干渉により減衰させることができる。このようにしてTE波の選択的減衰を行うことにより、所望の偏光特性を得ることができる。 Further, by appropriately adjusting the film thickness and the refractive index of the dielectric layer, it is possible to partially reflect the TE wave reflected by the reflective layer when returning through the absorption layer and return it to the reflective layer. The light passing through can be attenuated by interference. By selectively attenuating the TE wave in this manner, desired polarization characteristics can be obtained.

本発明の偏光板においては、誘電体層の幅は特に限定されるものではなく、下層として位置する反射層の幅よりも大きくても小さくても問題ない。誘電体層の幅は、格子状凸部のピッチPとの関係にもよるが、例えば、ピッチPに対する割合が20〜50%であることが好ましい。なお、これらの幅は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 In the polarizing plate of the present invention, the width of the dielectric layer is not particularly limited, and there is no problem if it is larger or smaller than the width of the reflective layer positioned as the lower layer. The width of the dielectric layer depends on the relationship with the pitch P of the grid-shaped convex portions, but the ratio to the pitch P is preferably 20 to 50%, for example. Note that these widths can be measured by, for example, the electron microscope method described above.

図1に示される本発明の一実施形態に係る偏光板100の誘電体層4は、反射層4上に、透明基板1の面方向に対して垂直に積層されており、格子状凸部の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、矩形状を有する。また誘電体層4の幅は、下層に位置する反射層4における長方形部分の幅と略同一である。 The dielectric layer 4 of the polarizing plate 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is laminated on the reflective layer 4 perpendicularly to the surface direction of the transparent substrate 1, and has a lattice-shaped convex portion. It has a rectangular shape when viewed from the extending direction (predetermined direction: Y-axis direction), that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction. The width of the dielectric layer 4 is substantially the same as the width of the rectangular portion of the reflective layer 4 located below.

(吸収層)
吸収層(図1における吸収層5)は、誘電体層上に形成され、吸収軸であるY軸方向に帯状に延びて配列されたものである。吸収層は、格子状凸部20の一部を形成する。
(Absorption layer)
The absorption layer (absorption layer 5 in FIG. 1) is formed on the dielectric layer and is arranged so as to extend in a band shape in the Y-axis direction which is the absorption axis. The absorption layer forms a part of the grid-shaped convex portion 20.

吸収層の構成材料としては、金属材料や半導体材料等の光学定数の消衰定数が零でない、光吸収作用を持つ物質の1種以上が挙げられ、適用される光の波長範囲によって適宜選択される。金属材料としては、Ta、Al、Ag、Cu、Au、Mo、Cr、Ti、W、Ni、Fe、Sn等の元素単体、又はこれらの1種以上の元素を含む合金が挙げられる。また、半導体材料としては、Si、Ge、Te、ZnO、シリサイド材料(β−FeSi、MgSi、NiSi、BaSi、CrSi、CoSi、TaSi等)が挙げられる。これらの材料を用いることにより、偏光板100は、適用される可視光域に対して高い消光比が得られる。中でも、吸収層は、Fe又はTaを含むとともに、Siを含んで構成されることが好ましい。 Examples of the constituent material of the absorption layer include one or more kinds of substances having a light absorption effect, such as a metal material and a semiconductor material, having an extinction constant of optical constants which is not zero, and are appropriately selected according to the wavelength range of the applied light. It Examples of the metal material include simple elements such as Ta, Al, Ag, Cu, Au, Mo, Cr, Ti, W, Ni, Fe, and Sn, or alloys containing one or more of these elements. Examples of the semiconductor material include Si, Ge, Te, ZnO, and silicide materials (β-FeSi 2 , MgSi 2 , NiSi 2 , BaSi 2 , CrSi 2 , CoSi 2 , TaSi, etc.). By using these materials, the polarizing plate 100 can obtain a high extinction ratio in the visible light range to which it is applied. Above all, it is preferable that the absorption layer contains Si in addition to Fe or Ta.

吸収層として半導体材料を用いる場合には、吸収作用に半導体のバンドギャップエネルギーが関与するため、バンドギャップエネルギーが使用帯域以下であることが必要である。例えば、可視光で使用する場合、波長400nm以上での吸収、即ち、バンドギャップとしては3.1ev以下の材料を使用する必要がある。 When a semiconductor material is used for the absorption layer, the bandgap energy of the semiconductor is involved in the absorption action, so the bandgap energy needs to be within the usable band. For example, when used in visible light, it is necessary to use a material having absorption at a wavelength of 400 nm or more, that is, a band gap of 3.1 ev or less.

吸収層の膜厚(図1における10)は、特に制限されず、例えば、10nm〜100nmが好ましい。この吸収層5の膜厚は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The thickness of the absorption layer (10 in FIG. 1) is not particularly limited, and is preferably 10 nm to 100 nm, for example. The film thickness of the absorption layer 5 can be measured, for example, by the electron microscope method described above.

なお、吸収層は、蒸着法やスパッタ法により、高密度の膜として形成可能である。また、吸収層は、構成材料の異なる2層以上から構成されていてもよい。 Note that the absorption layer can be formed as a high-density film by an evaporation method or a sputtering method. Further, the absorption layer may be composed of two or more layers having different constituent materials.

吸収層の幅は、格子状凸部のピッチPとの関係にもよるが、例えば、ピッチPに対する割合が20〜50%であることが好ましい。なお、これらの幅は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The width of the absorption layer depends on the relationship with the pitch P of the grid-shaped convex portions, but the ratio to the pitch P is preferably 20 to 50%. Note that these widths can be measured by, for example, the electron microscope method described above.

図1に示される本発明の一実施形態に係る偏光板100の吸収層5は、誘電体層4上に、透明基板1の面方向に対して垂直に積層されており、格子状凸部の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、矩形状を有する。また吸収層5の幅は、下層に位置する反射層4における長方形部分の幅、及び誘電体層5の幅と略同一である。 The absorption layer 5 of the polarizing plate 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is laminated on the dielectric layer 4 perpendicularly to the surface direction of the transparent substrate 1 and has a lattice-shaped convex portion. It has a rectangular shape when viewed from the extending direction (predetermined direction: Y-axis direction), that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction. The width of the absorption layer 5 is substantially the same as the width of the rectangular portion of the reflection layer 4 located below and the width of the dielectric layer 5.

(第3の誘電体層)
第3の誘電体層(図1における誘電体層2)は、本発明においては任意の層である。透明基板上に形成され、本発明における誘電体層のとは別に、その上層として形成される。
(Third dielectric layer)
The third dielectric layer (dielectric layer 2 in FIG. 1) is an optional layer in the present invention. It is formed on a transparent substrate, and is formed as an upper layer of the dielectric layer in addition to the dielectric layer of the present invention.

図1に示される本発明の一実施形態に係る偏光板100における第3の誘電体層6は、吸収層5上に積層されており、格子状凸部20の一部を形成する。 The third dielectric layer 6 in the polarizing plate 100 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 is laminated on the absorption layer 5 and forms a part of the grid-shaped convex portion 20.

第3の誘電体層を構成する材料としては、前述した誘電体層、及び存在する場合には第2の誘電体層と同じであっても、異なるものであってもよく、例えば、SiO等のSi酸化物、Al、酸化ベリリウム、酸化ビスマス、等の金属酸化物、MgF、氷晶石、ゲルマニウム、二酸化チタン、ケイ素、フッ化マグネシウム、窒化ボロン、酸化ボロン、酸化タンタル、炭素、又はこれらの組み合わせ等の一般的な材料が挙げられる。中でも、第2の誘電体層は、Si酸化物で構成されることが好ましい。 The material forming the third dielectric layer may be the same as or different from the above-mentioned dielectric layer and, if present, the second dielectric layer. For example, SiO 2 Si oxides such as, metal oxides such as Al 2 O 3 , beryllium oxide and bismuth oxide, MgF 2 , cryolite, germanium, titanium dioxide, silicon, magnesium fluoride, boron nitride, boron oxide, tantalum oxide, Common materials such as carbon, or a combination thereof, may be mentioned. Above all, the second dielectric layer is preferably composed of Si oxide.

第3の誘電体層の屈折率は、1.0より大きく、2.5以下であることが好ましい。反射層の光学特性は、周囲の屈折率によっても影響を受けるため、誘電体層の材料を選択することで、偏光板特性を制御することができる。 The refractive index of the third dielectric layer is preferably more than 1.0 and 2.5 or less. Since the optical characteristics of the reflective layer are affected by the refractive index of the surroundings, the polarizing plate characteristics can be controlled by selecting the material of the dielectric layer.

第3の誘電体層の膜厚(図1における11)は、特に制限されず、例えば、10nm〜100nmが好ましい。なお、第3の誘電体層の膜厚は、例えば上述の電子顕微鏡法により測定可能である。 The film thickness of the third dielectric layer (11 in FIG. 1) is not particularly limited and is preferably 10 nm to 100 nm, for example. The film thickness of the third dielectric layer can be measured, for example, by the electron microscope method described above.

(拡散バリア層)
本発明の偏光板は、誘電体層と吸収層との間に、拡散バリア層を有していてもよい。拡散バリア層を有することにより、吸収層における光の拡散が防止される。拡散バリア層は、Ta、W、Nb、Ti等の金属膜で構成することができる。
(Diffusion barrier layer)
The polarizing plate of the present invention may have a diffusion barrier layer between the dielectric layer and the absorption layer. By having the diffusion barrier layer, diffusion of light in the absorption layer is prevented. The diffusion barrier layer can be composed of a metal film of Ta, W, Nb, Ti or the like.

(保護膜)
また、本発明の偏光板は、光学特性の変化に影響を与えない範囲において、光の入射側の表面が、誘電体からなる保護膜により覆われていてもよい。保護膜は、誘電体膜で構成され、例えば偏光板の表面(ワイヤグリッドが形成された面)上に、CVD(Chemical Vapor Deposition)やALD(Atomic Layer Deposition)を利用することにより形成可能である。これにより、金属膜に対する必要以上の酸化反応を抑制することができる。
(Protective film)
Further, in the polarizing plate of the present invention, the surface on the light incident side may be covered with a protective film made of a dielectric material as long as the change in optical characteristics is not affected. The protective film is made of a dielectric film and can be formed, for example, on the surface of the polarizing plate (the surface on which the wire grid is formed) by using CVD (Chemical Vapor Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition). .. As a result, it is possible to suppress unnecessary oxidation reaction with respect to the metal film.

(有機系撥水膜)
さらに、本発明の偏光板は、光の入射側の表面が、有機系撥水膜により覆われていてもよい。有機系撥水膜は、例えばパーフルオロデシルトリエトキシシラン(FDTS)等のフッ素系シラン化合物等で構成され、例えば上述のCVDやALDを利用することにより形成可能である。これにより、偏光板の耐湿性等の信頼性を向上できる。
(Organic water repellent film)
Furthermore, in the polarizing plate of the present invention, the surface on the light incident side may be covered with an organic water repellent film. The organic water-repellent film is made of, for example, a fluorine-based silane compound such as perfluorodecyltriethoxysilane (FDTS), and can be formed by using the above-mentioned CVD or ALD, for example. Thereby, the reliability of the polarizing plate such as the moisture resistance can be improved.

なお、本発明は図1に示される上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形及び改良は、本発明に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment shown in FIG. 1, and modifications and improvements within the range in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.

図3は、本発明の実施形態の一つに係る偏光板300を示す断面模式図である。図3に示される偏光板300は、透明基板1上に格子状凸部20を備える。格子状凸部20としては、透明基板1上に直接、反射層3が形成されており、反射層3の上に誘電体層4、その上に吸収層5が形成されている。すなわち、図3に示される偏光板300は、図1に示される偏光板100に存在する、第2の誘電体層2、第3の誘電体層6を備えない偏光板である。 FIG. 3 is a schematic sectional view showing a polarizing plate 300 according to one embodiment of the present invention. The polarizing plate 300 shown in FIG. 3 includes the grid-shaped convex portions 20 on the transparent substrate 1. As the lattice-shaped convex portion 20, the reflective layer 3 is formed directly on the transparent substrate 1, the dielectric layer 4 is formed on the reflective layer 3, and the absorption layer 5 is formed thereon. That is, the polarizing plate 300 shown in FIG. 3 is a polarizing plate that does not include the second dielectric layer 2 and the third dielectric layer 6 that are present in the polarizing plate 100 shown in FIG.

図3に示される実施形態においては、図1と同様に、格子状凸部20の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、両側辺にそれぞれ1つのステップを有し、且つ、透明基板1側となる底辺の幅が最も大きい。さらに詳細には、偏光板300の反射層3は、所定方向に直交する断面視で、略長方形の上に略等脚台形が結合した形状であり、台形部分の下底の長さが長方形部分の幅と等しく、台形部分の上底(透明基板1の反対側)ほど幅が狭くなるよう側辺が傾斜した先細形状を有する。 In the embodiment shown in FIG. 3, as in FIG. 1, when viewed from the extending direction of the lattice-shaped convex portions 20 (predetermined direction: Y-axis direction), that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction, both sides Each side has one step, and the bottom side on the transparent substrate 1 side has the largest width. More specifically, the reflective layer 3 of the polarizing plate 300 has a shape in which a substantially isosceles trapezoid is combined with a substantially rectangular shape in a cross-sectional view orthogonal to a predetermined direction, and the length of the lower bottom of the trapezoidal portion is the rectangular shape. The width of the trapezoidal portion is smaller than that of the transparent substrate 1.

図4は、本発明のまた別の実施形態に係る偏光板400を示す断面模式図である。図4に示される偏光板400は、格子状凸部20として、透明基板1上に直接、反射層3が形成されており、反射層3の上に誘電体層4、その上に吸収層5が形成されている。 FIG. 4 is a schematic sectional view showing a polarizing plate 400 according to another embodiment of the present invention. In the polarizing plate 400 shown in FIG. 4, the reflective layer 3 is directly formed on the transparent substrate 1 as the grid-shaped convex portions 20, the dielectric layer 4 is formed on the reflective layer 3, and the absorption layer 5 is formed on the dielectric layer 4. Are formed.

図4に示される実施形態においては、格子状凸部20の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、両側辺にそれぞれ4つのステップを有し、且つ、透明基板1側となる底辺の幅が最も大きい。 In the embodiment shown in FIG. 4, when viewed from the extending direction of the grid-shaped convex portions 20 (predetermined direction: Y-axis direction), that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction, four steps are provided on each side. And the width of the bottom side on the transparent substrate 1 side is the largest.

図5は、本発明のまた別の実施形態に係る偏光板500を示す断面模式図である。図5に示される偏光板500は、格子状凸部20として、透明基板1上に直接、反射層3が形成されており、反射層3の上に誘電体層4、その上に吸収層5が形成されている。 FIG. 5 is a schematic sectional view showing a polarizing plate 500 according to still another embodiment of the present invention. In the polarizing plate 500 shown in FIG. 5, the reflective layer 3 is directly formed on the transparent substrate 1 as the grid-shaped convex portions 20, the dielectric layer 4 is formed on the reflective layer 3, and the absorbing layer 5 is formed on the dielectric layer 4. Are formed.

図5に示される実施形態においては、格子状凸部20の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、略直角の2つのステップを両側辺にそれぞれ有し、且つ、透明基板1側となる底辺の幅が最も大きい。 In the embodiment shown in FIG. 5, when viewed from the extending direction of the lattice-shaped convex portions 20 (predetermined direction: Y-axis direction), that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction, two substantially orthogonal steps are performed. The width of the bottom side which is on both sides and is on the transparent substrate 1 side is the largest.

図6は、本発明のまた別の実施形態に係る偏光板600を示す断面模式図である。図6に示される偏光板600は、格子状凸部20として、透明基板1上に直接、反射層3が形成されており、反射層3の上に誘電体層4、その上に吸収層5が形成されている。 FIG. 6 is a schematic sectional view showing a polarizing plate 600 according to another embodiment of the present invention. In the polarizing plate 600 shown in FIG. 6, the reflective layer 3 is directly formed on the transparent substrate 1 as the grid-shaped convex portions 20, the dielectric layer 4 is provided on the reflective layer 3, and the absorbing layer 5 is provided thereon. Are formed.

図6に示される実施形態においては、格子状凸部20の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、曲線で形成されるステップを両側辺にそれぞれ1つ有し、且つ、透明基板1側となる底辺の幅が最も大きい。曲線で形成される領域は、誘電体層4に近づくほど(透明基板1の反対側ほど)小さくなり、幅が狭くなる先細形状を有する。 In the embodiment shown in FIG. 6, when viewed from the extending direction of the lattice-shaped convex portions 20 (predetermined direction: Y-axis direction), that is, in a cross-sectional view orthogonal to the predetermined direction, steps formed by curves are performed. There is one on each side, and the width of the bottom on the transparent substrate 1 side is the largest. The region formed by the curved line has a tapered shape in which the region becomes smaller as it gets closer to the dielectric layer 4 (the side opposite to the transparent substrate 1), and the width becomes narrower.

[偏光板の製造方法]
本発明の偏光板の製造方法は、反射層形成工程と、誘電体層形成工程と、吸収層形成工程と、エッチング工程と、を有する。
[Production method of polarizing plate]
The method for manufacturing a polarizing plate of the present invention includes a reflective layer forming step, a dielectric layer forming step, an absorbing layer forming step, and an etching step.

反射層形成工程では、透明基板の片面に反射層を形成する。誘電体層形成工程では、反射層形成工程で形成された反射層上に、誘電体層を形成する。吸収層形成工程では、誘電体層形成工程で形成された誘電体層上に、吸収層を形成する。これらの各層形成工程では、例えばスパッタ法や蒸着法により、各層を形成可能である。 In the reflective layer forming step, a reflective layer is formed on one surface of the transparent substrate. In the dielectric layer forming step, a dielectric layer is formed on the reflecting layer formed in the reflecting layer forming step. In the absorbing layer forming step, the absorbing layer is formed on the dielectric layer formed in the dielectric layer forming step. In each of these layer forming steps, each layer can be formed by, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.

エッチング工程では、上述の各層形成工程を経て形成された積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板上に配列される格子状凸部を形成する。具体的には、例えばフォトリソグラフィ法やナノインプリント法により、一次元格子状のマスクパターンを形成する。そして、上記積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板上に配列される格子状凸部を形成する。エッチング方法としては、例えば、エッチング対象に対応したエッチングガスを用いたドライエッチング法が挙げられる。 In the etching step, by selectively etching the laminated body formed through each of the above-described layer forming steps, the grid-shaped convex portions arranged on the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in the used band are formed. .. Specifically, for example, a one-dimensional lattice-shaped mask pattern is formed by a photolithography method or a nanoimprint method. Then, by selectively etching the laminated body, lattice-shaped convex portions arranged on the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in the used band are formed. Examples of the etching method include a dry etching method using an etching gas corresponding to the etching target.

特に本発明においては、等方性エッチングと異方性エッチングを組み合わせてバランスを変化させることにより、反射層の側壁に少なくとも1つ以上のステップを形成するとともに、透明基板側の前記反射層の幅が最も大きくする。 In particular, in the present invention, at least one step is formed on the side wall of the reflective layer by changing the balance by combining isotropic etching and anisotropic etching, and at the same time, the width of the reflective layer on the transparent substrate side is formed. Is the largest.

なお、本発明の偏光板の製造方法は、その表面を誘電体からなる保護膜で被覆する工程を有していてもよい。また、本発明の偏光板の製造方法は、その表面を有機系撥水膜で被覆する工程を有していてもよい。 The polarizing plate manufacturing method of the present invention may include a step of coating the surface thereof with a protective film made of a dielectric material. Further, the method for producing a polarizing plate of the present invention may have a step of coating the surface thereof with an organic water repellent film.

[光学機器]
本発明の光学機器は、上述した本発明に係る偏光板を備える。光学機器としては、液晶プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ、デジタルカメラ等が挙げられる。本発明に係る偏光板は、透過軸方向の偏光の透過率力が高い偏光板として、種々の用途に利用することが可能である。また、有機材料からなる有機偏光板に比べて、耐熱性に優れる無機偏光板であるため、耐熱性が要求される液晶プロジェクタ、ヘッドアップディスプレイ等の用途に特に好適である。
[Optical equipment]
The optical device of the present invention includes the polarizing plate of the present invention described above. Examples of the optical device include a liquid crystal projector, a head-up display, a digital camera and the like. The polarizing plate according to the present invention can be used for various purposes as a polarizing plate having a high transmittance of polarized light in the transmission axis direction. Further, since it is an inorganic polarizing plate having excellent heat resistance as compared with an organic polarizing plate made of an organic material, it is particularly suitable for applications such as liquid crystal projectors and head-up displays that require heat resistance.

本発明に係る光学機器が複数の偏光板を備える場合、複数の偏光板の少なくとも1つが本発明に係る偏光板であればよい。例えば、本実施形態に係る光学機器が液晶プロジェクタである場合、液晶パネルの入射側及び出射側に配置される偏光板の少なくとも一方が、本発明に係る偏光板であればよい。 When the optical device according to the present invention includes a plurality of polarizing plates, at least one of the plurality of polarizing plates may be the polarizing plate according to the present invention. For example, when the optical device according to the present embodiment is a liquid crystal projector, at least one of the polarizing plates arranged on the incident side and the emitting side of the liquid crystal panel may be the polarizing plate according to the present invention.

以上説明した本発明の偏光板及びその製造方法、並びに光学機器によれば、次のような効果が奏される。 According to the polarizing plate, the method for manufacturing the same, and the optical device of the present invention described above, the following effects are achieved.

本発明に係る偏光板は、優れた選択吸収性を有する偏光板となり、具体的には、吸収軸方向の反射を抑制した偏光板となる。従って、本発明によれば、高い透過率特性を有するとともに低い反射率を実現した偏光板及びその製造方法、並びにその偏光板を備える光学機器を提供できる。
また本発明によれば、底部が最も太い形状のグリッドを有する偏光板を形成できるため、偏光板の機械的強度を向上できる。
さらに、反射層のステップ数や形状を調整することにより、光学特性の制御が可能となるため、反射率特性の制御に優れ、例えば、必要な波長において最適となる偏光板を作成することができ、設計の自由度が増加する。
The polarizing plate according to the present invention is a polarizing plate having excellent selective absorption properties, and specifically, a polarizing plate in which reflection in the absorption axis direction is suppressed. Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a polarizing plate having a high transmittance characteristic and a low reflectance, a manufacturing method thereof, and an optical device including the polarizing plate.
Further, according to the present invention, since it is possible to form a polarizing plate having a grid having a thickest bottom, it is possible to improve the mechanical strength of the polarizing plate.
Furthermore, since it is possible to control the optical characteristics by adjusting the number of steps and the shape of the reflective layer, it is possible to create a polarizing plate that excels in the control of reflectance characteristics and is optimal for the required wavelength. , The freedom of design increases.

次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

<実施例1〜5及び比較例1>
[偏光板の作成]
実施例1〜5では、図1に示す構造を有する偏光板100であって、反射層3のステップ角θsが、それぞれ、87°、45°、21°、8°、4°である偏光板につき、シミュレーションに供した。
また、比較例1として、実施例1の偏光板100とは吸収層3の構造のみが異なる偏光板200を作成し、シミュレーションに供した。比較例1となる偏光板200は、図2に示される構造であり、格子状凸部20の延在する方向(所定方向:Y軸方向)から見たとき、すなわち所定方向に直交する断面視で、反射層3の形状が矩形であり、ステップを有さない(ステップ角θs=0°)。
<Examples 1 to 5 and Comparative Example 1>
[Creation of polarizing plate]
In Examples 1 to 5, the polarizing plate 100 having the structure shown in FIG. 1 is used, in which the step angle θs of the reflective layer 3 is 87°, 45°, 21°, 8°, and 4°, respectively. Therefore, it was subjected to a simulation.
Further, as Comparative Example 1, a polarizing plate 200 having a different structure of the absorbing layer 3 from the polarizing plate 100 of Example 1 was prepared and subjected to simulation. The polarizing plate 200 serving as Comparative Example 1 has the structure shown in FIG. 2, and is a cross-sectional view when viewed from the direction (predetermined direction: Y-axis direction) in which the grid-shaped convex portions 20 extend, that is, orthogonal to the predetermined direction. Then, the reflection layer 3 has a rectangular shape and has no step (step angle θs=0°).

偏光板100におけるステップ角θsは、以下の式1により求められる。
[式1]
θs=arctan{Hs/(W−Ws)/2}
ここで、図1に示すように、Hsはステップ10の高さ、Wは格子状凸部20の幅、Wsは反射層3の頂点幅、である。
The step angle θs of the polarizing plate 100 is calculated by the following equation 1.
[Formula 1]
θs=arctan{Hs/(W−Ws)/2}
Here, as shown in FIG. 1, Hs is the height of step 10, W is the width of the lattice-shaped convex portion 20, and Ws is the width of the apex of the reflective layer 3.

図7に、実施例1とした、反射層3のステップ角θsが87°の偏光板700の断面模式図、図8に、実施例2とした、反射層3のステップ角θsが45°の偏光板800の断面模式図、図9に、実施例5とした、反射層3のステップ角θsが4°の偏光板900の断面模式図を示す。 FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of a polarizing plate 700 in which the step angle θs of the reflective layer 3 is 87° according to Example 1, and FIG. 9 is a schematic sectional view of a polarizing plate 800, and FIG. 9 is a schematic sectional view of a polarizing plate 900 having a step angle θs of the reflection layer 3 of 4° as Example 5.

[シミュレーション方法]
実施例1〜3及び比較例1の偏光板の光学特性について、RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)法による電磁界シミュレーションにより検証した。シミュレーションには、Grating Solver Development社のグレーティングシミュレータGsolverV51を用いた。
[Simulation method]
The optical characteristics of the polarizing plates of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were verified by electromagnetic field simulation by the RCWA (Rigrous Coupled Wave Analysis) method. For the simulation, a grating simulator Gsolver V51 manufactured by Grating Solver Development was used.

波長と吸収軸透過率との関係の検証にあたっては、格子状凸部の延在する方向(長手方向)に平行な方向に電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を入射させたときの透過率を検証した。また、波長と吸収軸反射率との関係の検証にあたっては、格子状凸部の延在する方向(長手方向)に平行な方向に電界成分をもつ偏光波(TE波(S波))を、入射角5°で入射させたときの反射率を検証した。 In verifying the relationship between the wavelength and the absorption axis transmittance, a polarized wave (TE wave (S wave)) having an electric field component was made incident in a direction parallel to the extending direction (longitudinal direction) of the lattice-shaped convex portion. The transmittance at that time was verified. Further, in verifying the relationship between the wavelength and the absorption axis reflectance, a polarized wave (TE wave (S wave)) having an electric field component in a direction parallel to the extending direction (longitudinal direction) of the lattice-shaped convex portion, The reflectance when the light was incident at an incident angle of 5° was verified.

[シミュレーション結果]
図10に、実施例1、2、及び5、並びに比較例1の偏光板について、波長と吸収軸透過率との関係を検証した結果を示す。
図11に、実施例1、2、及び5、並びに比較例1の偏光板について、波長と吸収軸反射率との関係を検証した結果を示す。
図12に、実施例1〜5、および比較例1の偏光板について、波長520〜590nmにおけるステップ角度と吸収軸反射率(Rs)との関係を示す。
[simulation result]
FIG. 10 shows the results of verifying the relationship between the wavelength and the absorption axis transmittance for the polarizing plates of Examples 1, 2, and 5 and Comparative Example 1.
FIG. 11 shows the results of verifying the relationship between the wavelength and the absorption axis reflectance of the polarizing plates of Examples 1, 2, and 5 and Comparative Example 1.
FIG. 12 shows the relationship between the step angle and the absorption axis reflectance (Rs) at wavelengths of 520 to 590 nm for the polarizing plates of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1.

図10においては、横軸は波長λ(nm)を示しており、縦軸は吸収軸透過率(%)を示している。ここで、吸収軸透過率とは、偏光板に入射する吸収軸方向(Y軸方向)の偏光(TE波)の透過率を意味する。図10においては、破線で示されるグラフが、実施例となる本発明の偏光板100の結果を表しており、実線で示されるグラフ(Ref)が、比較例となる偏光板200の結果を表している。 In FIG. 10, the horizontal axis represents wavelength λ (nm) and the vertical axis represents absorption axis transmittance (%). Here, the absorption axis transmittance means the transmittance of polarized light (TE wave) in the absorption axis direction (Y-axis direction) incident on the polarizing plate. In FIG. 10, the graph indicated by the broken line represents the result of the polarizing plate 100 of the present invention as the example, and the graph (Ref) indicated by the solid line represents the result of the polarizing plate 200 as the comparative example. ing.

図11においては、横軸は波長λ(nm)を示しており、縦軸は吸収軸反射率(%)を示している。ここで、吸収軸反射率とは、偏光板に入射する吸収軸方向(Y軸方向)の偏光(TE波)の反射率を意味する。図11においては、破線で示されるグラフが、実施例となる本発明の偏光板100の結果を表しており、実線で示されるグラフ(Ref)が、比較例となる偏光板200の結果を表している。 In FIG. 11, the horizontal axis represents the wavelength λ (nm), and the vertical axis represents the absorption axis reflectance (%). Here, the absorption axis reflectance means the reflectance of polarized light (TE wave) in the absorption axis direction (Y-axis direction) incident on the polarizing plate. In FIG. 11, a graph shown by a broken line shows the result of the polarizing plate 100 of the present invention as an example, and a graph (Ref) shown by a solid line shows the result of the polarizing plate 200 as a comparative example. ing.

図11に示されるように、図1に示す構造を有する偏光板100については、ステップ角θsを87°から小さくしていくと、可視域全体の吸収軸反射率が小さくなる傾向がみられ(45°付近)、ステップ角θsをさらに小さくしていくと、波長650nm以下の透過軸反射率が上昇していく傾向がある。 As shown in FIG. 11, in the polarizing plate 100 having the structure shown in FIG. 1, when the step angle θs is decreased from 87°, the absorption axis reflectance in the entire visible region tends to decrease ( When the step angle θs is further reduced, the transmission axis reflectance at wavelengths of 650 nm or less tends to increase.

図12に示されるように、ステップ角θが90°となるときの吸収軸反射率(Rs)は3.5であり、吸収軸反射率(Rs)が3.5未満となる範囲は、15°<θ<90°の範囲であることが判る。したがって、本発明の偏光板におけるステップ角θは、15°<θ<90°の範囲とすることが好ましい。 As shown in FIG. 12, the absorption axis reflectance (Rs) is 3.5 when the step angle θ is 90°, and the range in which the absorption axis reflectance (Rs) is less than 3.5 is 15 It can be seen that the range is °<θ<90°. Therefore, the step angle θ in the polarizing plate of the present invention is preferably in the range of 15°<θ<90°.

100、200、300、400、500、600、700、800、900 偏光板
1 透明基板
2 第2の誘電体層
3 反射層
4 誘電体層
5 吸収層
6 第3の誘電体層
7 第2の誘電体層の膜厚
8 反射層の膜厚
9 誘電体層の膜厚
10 吸収層の膜厚
11 第3の誘電体層の膜厚
10 ステップ
20 格子状凸部
L 入射光
P 格子状凸部のピッチ
W ライン幅
S スペース幅
H 掘り込み量
Hs ステップ高さ
Ws 金属層頂点の幅
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900 Polarizing plate 1 Transparent substrate 2 Second dielectric layer 3 Reflective layer 4 Dielectric layer 5 Absorption layer 6 Third dielectric layer 7 Second Film thickness of dielectric layer 8 Film thickness of reflective layer 9 Film thickness of dielectric layer 10 Film thickness of absorbing layer 11 Film thickness of third dielectric layer 10 Step 20 Lattice convex portion L Incident light P Lattice convex portion Pitch W Line width S Space width H Excavation amount Hs Step height Ws Metal layer vertex width

Claims (10)

ワイヤグリッド構造を有する偏光板であって、
透明基板と、
使用帯域の光の波長よりも短いピッチで前記透明基板上に配列され、所定方向に延在する格子状凸部と、を備え、
前記格子状凸部は、前記透明基板側から順に、反射層と、誘電体層と、を有し、
前記所定方向から見たとき、前記反射層は、少なくとも1つ以上のステップを側辺に有し、且つ、透明基板側となる底辺の幅が最も大きい偏光板。
A polarizing plate having a wire grid structure,
A transparent substrate,
Arranged on the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in the band of use, comprising a lattice-shaped convex portion extending in a predetermined direction,
The lattice-shaped convex portion has, in order from the transparent substrate side, a reflective layer and a dielectric layer,
When viewed from the predetermined direction, the reflective layer is a polarizing plate having at least one step on its side and having the largest width of the bottom side on the transparent substrate side.
前記ステップは、直線及び/又は曲線で形成されている請求項1記載の偏光板。 The polarizing plate according to claim 1, wherein the step is formed by a straight line and/or a curved line. 前記透明基板は、使用帯域の光の波長に対して透明であり、且つ、ガラス、水晶、又はサファイアで構成される請求項1または2に記載の偏光板。 The polarizing plate according to claim 1 or 2, wherein the transparent substrate is transparent to a wavelength of light in a use band and is made of glass, crystal, or sapphire. 前記反射層は、アルミニウム、又はアルミニウム合金で構成される請求項1から3いずれか記載の偏光板。 The polarizing plate according to claim 1, wherein the reflective layer is made of aluminum or an aluminum alloy. 前記誘電体層は、Si酸化物で構成される請求項1から4いずれか記載の偏光板。 The polarizing plate according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of Si oxide. 前記吸収層は、Fe、又はTaを含むとともに、Siを含んで構成される請求項1から5いずれか記載の偏光板。 The polarizing plate according to any one of claims 1 to 5, wherein the absorption layer contains Si or Si while containing Fe or Ta. 光が入射する前記偏光板の表面は、誘電体からなる保護膜により覆われている請求項1から6いずれか記載の偏光板。 7. The polarizing plate according to claim 1, wherein the surface of the polarizing plate on which light is incident is covered with a protective film made of a dielectric material. 光が入射する前記偏光板の表面は、有機系撥水膜により覆われている請求項1から7いずれか記載の偏光板。 The polarizing plate according to claim 1, wherein a surface of the polarizing plate on which light is incident is covered with an organic water repellent film. ワイヤグリッド構造を有する偏光板の製造方法であって、
透明基板の片面に反射層を形成する反射層形成工程と、
前記反射層の前記透明基板とは反対面に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と、
前記誘電体層の前記反射層とは反対面に吸収層を形成する吸収層形成工程と、
形成された積層体を選択的にエッチングすることにより、使用帯域の光の波長よりも短いピッチで透明基板上に配列される格子状凸部を形成するエッチング工程と、を有し、
前記エッチング工程では、等方性エッチングと異方性エッチングを組み合わせることにより、前記反射層の側壁に少なくとも1つ以上のステップを形成するとともに、透明基板側の前記反射層の幅が最も大きくなるよう形成する偏光板の製造方法。
A method for manufacturing a polarizing plate having a wire grid structure,
A reflective layer forming step of forming a reflective layer on one surface of the transparent substrate,
A dielectric layer forming step of forming a dielectric layer on the surface of the reflective layer opposite to the transparent substrate;
An absorption layer forming step of forming an absorption layer on the surface of the dielectric layer opposite to the reflection layer;
By selectively etching the formed laminate, an etching step of forming lattice-shaped convex portions arranged on the transparent substrate at a pitch shorter than the wavelength of light in the used band, and
In the etching process, isotropic etching and anisotropic etching are combined to form at least one step on the side wall of the reflective layer and to maximize the width of the reflective layer on the transparent substrate side. A method for manufacturing a polarizing plate to be formed.
請求項1から9いずれか記載の偏光板を備える光学機器。 An optical device comprising the polarizing plate according to claim 1.
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003508813A (en) * 1999-09-07 2003-03-04 モックステック Improved wire grid polarization beam splitter
JP2005172844A (en) * 2003-12-05 2005-06-30 Enplas Corp Wire grid polarizer
JP2010145854A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Asahi Kasei E-Materials Corp Wire grid polarizer
JP2011141468A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Seiko Epson Corp Polarizing element, method for manufacturing the polarizing element, and electronic apparatus
JP2013167823A (en) * 2012-02-16 2013-08-29 Dexerials Corp Inorganic polarizing plate
JP2013200339A (en) * 2012-03-23 2013-10-03 Seiko Epson Corp Polarization element and method of manufacturing polarization element
JP2016045345A (en) * 2014-08-22 2016-04-04 デクセリアルズ株式会社 Inorganic polarizer and manufacturing method of the same
JP2016212156A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 デクセリアルズ株式会社 Polarizing element
WO2017073266A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 デクセリアルズ株式会社 Inorganic polarizing plate and method for manufacturing same
JP6230689B1 (en) * 2016-12-28 2017-11-15 デクセリアルズ株式会社 Polarizing plate, method for producing the same, and optical instrument

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003508813A (en) * 1999-09-07 2003-03-04 モックステック Improved wire grid polarization beam splitter
JP2005172844A (en) * 2003-12-05 2005-06-30 Enplas Corp Wire grid polarizer
JP2010145854A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Asahi Kasei E-Materials Corp Wire grid polarizer
JP2011141468A (en) * 2010-01-08 2011-07-21 Seiko Epson Corp Polarizing element, method for manufacturing the polarizing element, and electronic apparatus
JP2013167823A (en) * 2012-02-16 2013-08-29 Dexerials Corp Inorganic polarizing plate
JP2013200339A (en) * 2012-03-23 2013-10-03 Seiko Epson Corp Polarization element and method of manufacturing polarization element
JP2016045345A (en) * 2014-08-22 2016-04-04 デクセリアルズ株式会社 Inorganic polarizer and manufacturing method of the same
JP2016212156A (en) * 2015-04-30 2016-12-15 デクセリアルズ株式会社 Polarizing element
WO2017073266A1 (en) * 2015-10-29 2017-05-04 デクセリアルズ株式会社 Inorganic polarizing plate and method for manufacturing same
JP6230689B1 (en) * 2016-12-28 2017-11-15 デクセリアルズ株式会社 Polarizing plate, method for producing the same, and optical instrument

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