JP2020118790A - Display - Google Patents

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光隆 沖田
Mitsutaka Okita
光隆 沖田
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    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Abstract

To provide a display that can prevent a reduction in display quality.SOLUTION: A display comprises: a first substrate that includes a first principal surface and a first concave part; a second substrate that includes a second principal surface opposite to the first principal surface, a main spacer provided on the second principal surface and in contact with the first principal surface, and a sub spacer provided on the second principal surface and separated from the first substrate; and a liquid crystal layer that is located between the first substrate and the second substrate. The sub spacer has an end that is located inside the first concave part; the main spacer has a first height and the sub spacer has a second height, and the second height is larger than the first height.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to a display device.

一例では、第1基板と第2基板との間隔を規定する第1スペーサと、第1基板の凹部に対向する位置に設けられた第2スペーサと、を備えた液晶表示装置が開示されている。この第2スペーサは、第1スペーサとほぼ同じ高さを有している。外部から押圧力が加わった場合には、第1スペーサは、その付近における両基板の間隔を保持するように機能する一方で、第2スペーサは、凹部に嵌り込む。 In one example, a liquid crystal display device is disclosed that includes a first spacer that defines a distance between the first substrate and the second substrate, and a second spacer that is provided at a position facing the recess of the first substrate. .. The second spacer has substantially the same height as the first spacer. When a pressing force is applied from the outside, the first spacer functions to maintain the space between the substrates in the vicinity thereof, while the second spacer fits in the recess.

特開2007−316329号公報JP, 2007-316329, A

本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。 An object of the present embodiment is to provide a display device capable of suppressing deterioration of display quality.

本実施形態によれば、
第1主面と、第1凹部と、を備えた第1基板と、前記第1主面に対向する第2主面と、前記第2主面に設けられ前記第1主面に接するメインスペーサと、前記第2主面に設けられ前記第1基板から離間したサブスペーサと、を備えた第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に位置する液晶層と、を備え、前記サブスペーサは、前記第1凹部の内部に位置する端部を有し、前記メインスペーサは、第1高さを有し、前記サブスペーサは、第2高さを有し、前記第2高さは、前記第1高さより大きい、表示装置が提供される。
According to this embodiment,
A first substrate having a first main surface and a first recess, a second main surface facing the first main surface, and a main spacer provided on the second main surface and in contact with the first main surface. A second substrate having a sub-spacer provided on the second main surface and separated from the first substrate, and a liquid crystal layer located between the first substrate and the second substrate. The sub-spacer has an end located inside the first recess, the main spacer has a first height, the sub-spacer has a second height, and the second spacer has a second height. A display device having a height greater than the first height is provided.

図1は、本実施形態の表示装置DSPを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a display device DSP of this embodiment. 図2は、表示装置DSPの比較例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a comparative example of the display device DSP. 図3は、輝点発生荷重を評価する実験装置LDの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of an experimental device LD for evaluating the bright spot generation load. 図4は、本実施形態の表示パネルPNLの構成例を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a configuration example of the display panel PNL of this embodiment. 図5は、本実施形態の表示装置DSPの構成例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of the display device DSP of the present embodiment. 図6は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing an example of a pixel layout. 図7は、図6に示した画素レイアウトに対応した遮光層BMを示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing the light shielding layer BM corresponding to the pixel layout shown in FIG. 図8は、図7に示したA−B線に沿った表示装置DSPの断面図である。FIG. 8 is a sectional view of the display device DSP taken along the line AB shown in FIG. 7. 図9は、図7に示したC−D線に沿った表示装置DSPの断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of the display device DSP taken along the line C-D shown in FIG. 7. 図10は、図9に示した第1基板SUB1の変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the first substrate SUB1 shown in FIG.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and a person having ordinary skill in the art can easily think of appropriate modifications while keeping the gist of the invention, and are naturally included in the scope of the invention. Further, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual mode, but this is merely an example, and It does not limit the interpretation. Further, in the present specification and the drawings, constituent elements that exhibit the same or similar functions as those described above with respect to the already-existing drawings are designated by the same reference numerals, and redundant detailed description may be appropriately omitted. ..

図1は、本実施形態の表示装置DSPを示す断面図である。一例では、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。本明細書において、第3方向Zを示す矢印の先端に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。また、第3方向Zを示す矢印の先端側に表示装置DSPを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面に向かって見ることを平面視という。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a display device DSP of this embodiment. In one example, the first direction X, the second direction Y, and the third direction Z are orthogonal to each other, but may intersect at an angle other than 90 degrees. The first direction X and the second direction Y correspond to the directions parallel to the main surface of the substrate forming the display device DSP, and the third direction Z corresponds to the thickness direction of the display device DSP. In this specification, the direction toward the tip of the arrow indicating the third direction Z is referred to as upward (or simply upward), and the direction opposite from the tip of the arrow is referred to as downward (or simply downward). Further, it is assumed that there is an observation position for observing the display device DSP on the tip side of the arrow indicating the third direction Z, and from this observation position, the observation position is directed to the XY plane defined by the first direction X and the second direction Y. Seeing is called planar view.

本実施形態においては、表示装置DSPの一例として、液晶表示装置について説明する。 In the present embodiment, a liquid crystal display device will be described as an example of the display device DSP.

図1では、第2方向Y及び第3方向Zによって規定されるY−Z平面における表示装置DSPの断面を概略的に示している。表示装置DSPは、表示パネルPNLを備えている。表示パネルPNLは、第1基板SUB1、第2基板SUB2、シールSE、及び、液晶層LCを備えている。シールSEは、セルギャップが形成された状態で第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持されている。 FIG. 1 schematically shows a cross section of the display device DSP in the YZ plane defined by the second direction Y and the third direction Z. The display device DSP includes a display panel PNL. The display panel PNL includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, a seal SE, and a liquid crystal layer LC. The seal SE bonds the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 together with the cell gap formed. The liquid crystal layer LC is held between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2.

第1基板SUB1は、主面1Aと、主面1Bと、凹部CC1と、を備えている。さらに、図示しないが第1基板SUB1の主面1Aの上面と第2基板SUB2の主面2Bの下面には配向膜が形成される。主面1A及び凹部CC1は、液晶層LCに接している。主面1Aは、X−Y平面とほぼ平行な平坦面である。主面1Bは、主面1Aとは反対側に位置し、液晶層LCに接していない。凹部CC1は、主面1Aに対して窪んでいる。凹部CC1は、底部CBを有している。底部CBとは、凹部CC1において、第2基板SUB2から最も離れた部分、あるいは、主面1Bに最も近接した部分に相当する。凹部CC1は、主面1Aから底部CBまでの深さDPを有している。このような凹部CC1は、後述するが、有機絶縁膜を貫通する貫通孔、あるいは、有機絶縁膜の凹部によって形成されるものである。深さDPは、例えば、1μm〜5μmであり、第1基板SUB1に備えられる無機絶縁膜の膜厚より大きい。凹部CC1が有機絶縁膜の貫通孔によって形成される場合、深さDPは、有機絶縁膜の膜厚とほぼ同等である。また、凹部CC1は、第3方向Zに積層された複数の有機絶縁膜の貫通孔によって形成されてもよい。 The first substrate SUB1 includes a main surface 1A, a main surface 1B, and a recess CC1. Further, although not shown, an alignment film is formed on the upper surface of the main surface 1A of the first substrate SUB1 and the lower surface of the main surface 2B of the second substrate SUB2. The main surface 1A and the recess CC1 are in contact with the liquid crystal layer LC. The main surface 1A is a flat surface that is substantially parallel to the XY plane. The main surface 1B is located on the opposite side of the main surface 1A and is not in contact with the liquid crystal layer LC. The recess CC1 is recessed with respect to the main surface 1A. The recess CC1 has a bottom CB. The bottom portion CB corresponds to a portion of the recess CC1 that is farthest from the second substrate SUB2 or a portion that is closest to the main surface 1B. The recess CC1 has a depth DP from the main surface 1A to the bottom CB. As will be described later, such a recess CC1 is formed by a through hole penetrating the organic insulating film or a recess of the organic insulating film. The depth DP is, for example, 1 μm to 5 μm, and is larger than the film thickness of the inorganic insulating film provided on the first substrate SUB1. When the recess CC1 is formed by the through hole of the organic insulating film, the depth DP is almost equal to the film thickness of the organic insulating film. Further, the recess CC1 may be formed by through holes of a plurality of organic insulating films stacked in the third direction Z.

第2基板SUB2は、主面2Aと、主面2Bと、メインスペーサMSPと、サブスペーサSSPと、を備えている。主面2Bは、液晶層LCを挟んで主面1Aに対向し、X−Y平面とほぼ平行な平坦面である。図示した例では、主面2Bは、液晶層LCに接しているが、液晶層LCに接していない場合もありうる。主面2Aは、主面2Bとは反対側に位置し、液晶層LCに接していない。メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPは、いずれも主面2Bに設けられている。但し、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPが主面2Bに接していてもよいし、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPと主面2Bとの間に、絶縁層や導電層が介在していてもよい。 The second substrate SUB2 includes a main surface 2A, a main surface 2B, a main spacer MSP, and a sub spacer SSP. The main surface 2B is a flat surface that faces the main surface 1A with the liquid crystal layer LC interposed therebetween and is substantially parallel to the XY plane. In the illustrated example, the main surface 2B is in contact with the liquid crystal layer LC, but may not be in contact with the liquid crystal layer LC. The main surface 2A is located on the opposite side to the main surface 2B and is not in contact with the liquid crystal layer LC. Both the main spacer MSP and the sub spacer SSP are provided on the main surface 2B. However, the main spacer MSP and the sub spacer SSP may be in contact with the main surface 2B, or an insulating layer or a conductive layer may be interposed between the main spacer MSP and the sub spacer SSP and the main surface 2B.

メインスペーサMSPは、外部から表示パネルPNLに押圧力が加わっていない定常状態において、液晶層LCを保持するためのセルギャップを形成するものである。メインスペーサMSPは、主面1Aに接する端部MSPEを有している。メインスペーサMSPは、主面2Bから端部MSPEまでの高さH1を有している。
サブスペーサSSPは、定常状態において、第1基板SUB1から離間しており、セルギャップ形成に寄与しないものである。サブスペーサSSPは、凹部CC1と重畳する位置に形成されている。サブスペーサSSPは、凹部CC1の内部に位置する端部SSPEを有している。サブスペーサSSPは、主面2Bから端部SSPEまでの高さH2を有している。高さH2は、高さH1より大きい。つまり、サブスペーサSSPの端部SSPEは、メインスペーサMSPの端部MSPEよりも、第1基板SUB1の主面1Bに近接している。なお、第2基板SUB2の主面2Aと主面2Bとの間の第3方向Zに沿った厚さについて、メインスペーサMSPが接する位置での厚さT21は、サブスペーサSSPが接する位置での厚さT22と同等である。したがって、メインスペーサMSPの高さH1及びサブスペーサSSPの高さH2は、X−Y平面に平行な同一平面を基準として計測されるものである。また、端部MSPE及び端部SSPEとは、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPのそれぞれにおいて、主面2Bから最も離れた部分、あるいは、最も主面1Bに近接した部分に相当する。
The main spacer MSP forms a cell gap for holding the liquid crystal layer LC in a steady state in which a pressing force is not applied to the display panel PNL from the outside. The main spacer MSP has an end portion MSPE in contact with the main surface 1A. The main spacer MSP has a height H1 from the main surface 2B to the end MSPE.
The sub-spacer SSP is separated from the first substrate SUB1 in the steady state and does not contribute to the formation of the cell gap. The sub spacer SSP is formed at a position overlapping the recess CC1. The sub spacer SSP has an end portion SSPE located inside the recess CC1. The sub spacer SSP has a height H2 from the main surface 2B to the end portion SSPE. The height H2 is larger than the height H1. That is, the end portion SSPE of the sub spacer SSP is closer to the main surface 1B of the first substrate SUB1 than the end portion MSPE of the main spacer MSP. Regarding the thickness along the third direction Z between the main surface 2A and the main surface 2B of the second substrate SUB2, the thickness T21 at the position where the main spacer MSP contacts is the thickness at the position where the sub spacer SSP contacts. It is equivalent to the thickness T22. Therefore, the height H1 of the main spacer MSP and the height H2 of the sub spacer SSP are measured with reference to the same plane parallel to the XY plane. In addition, the end portion MSPE and the end portion SSPE correspond to a portion farthest from the main surface 2B or a portion closest to the main surface 1B in each of the main spacer MSP and the sub spacer SSP.

定常状態のサブスペーサSSPについて、より詳細に説明する。端部SSPEは、底部CBから離間している。端部SSPEの第3方向Zに沿った位置は、底部CBと主面1Aとの間にある。底部CBと端部SSPEとの間の距離D10は、凹部CC1の深さDPより小さい。また、サブスペーサSSPは、凹部CC1のいずれの部分にも接していない。このため、液晶層LCは、凹部CC1とサブスペーサSPとの間に位置している。当然のことながら、液晶層LCは、凹部CC1の底部CBとサブスペーサSPの端部SSPEとの間にも位置している。 The sub-spacer SSP in the steady state will be described in more detail. The end portion SSPE is separated from the bottom portion CB. The position of the end portion SSPE along the third direction Z is between the bottom portion CB and the main surface 1A. The distance D10 between the bottom portion CB and the end portion SSPE is smaller than the depth DP of the recess CC1. Further, the sub spacer SSP is not in contact with any part of the recess CC1. Therefore, the liquid crystal layer LC is located between the recess CC1 and the sub spacer SP. As a matter of course, the liquid crystal layer LC is also located between the bottom portion CB of the recess CC1 and the end portion SSPE of the sub spacer SP.

底部CBと主面2Bとの間の距離D11は、サブスペーサSSPの高さH2より大きい。また、主面1Aと主面2Bとの間の距離D12は、メインスペーサMSPの高さH1と同等であり、サブスペーサSSPの高さH2より小さい。なお、距離D11は、距離D10と高さH2との和と同等である。高さH2と高さH1との差分は、深さDPより小さい。なお、第1基板SUB1の主面1Aと主面1Bとの間の第3方向Zに沿った厚さについて、メインスペーサMSPの端部MSPEが接する位置での厚さT11は、サブスペーサSSPの端部SSPEが接する位置での厚さT12より大きく、深さDPは、厚さT11と厚さT12との差分に相当する。 The distance D11 between the bottom portion CB and the main surface 2B is larger than the height H2 of the sub spacer SSP. The distance D12 between the main surface 1A and the main surface 2B is equal to the height H1 of the main spacer MSP and smaller than the height H2 of the sub spacer SSP. The distance D11 is equal to the sum of the distance D10 and the height H2. The difference between the height H2 and the height H1 is smaller than the depth DP. Regarding the thickness along the third direction Z between the main surface 1A and the main surface 1B of the first substrate SUB1, the thickness T11 at the position where the end portion MSPE of the main spacer MSP is in contact is the thickness of the sub spacer SSP. The depth DP is greater than the thickness T12 at the position where the end portion SSPE contacts, and the depth DP corresponds to the difference between the thickness T11 and the thickness T12.

なお、本明細書において、深さDP、高さH1及びH2、厚さT11及びT12、厚さT21及びT22、距離D10、距離D11及びD12は、第3方向Zに沿った長さに相当する。 In this specification, the depth DP, the heights H1 and H2, the thicknesses T11 and T12, the thicknesses T21 and T22, the distance D10, and the distances D11 and D12 correspond to the length along the third direction Z. ..

表示パネルPNLの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルPNLは、第3方向Zに沿った縦電界を利用する表示モード、X−Y平面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、X−Y平面に沿った横電界を利用する表示モード、さらには、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を有していてもよい。
本実施形態の表示パネルPNLは、第1基板SUB1の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えるが、これに限らない。例えば、表示パネルPNLは、第2基板SUB2の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えていてもよいし、透過表示機能及び反射表示機能の双方を備えていてもよい。
A detailed configuration of the display panel PNL will be omitted here, but the display panel PNL is a display mode using a vertical electric field along the third direction Z, and an inclination inclined in an oblique direction with respect to the XY plane. Any of a display mode using an electric field, a display mode using a horizontal electric field along the XY plane, and a display mode using a combination of the above vertical electric field, horizontal electric field, and gradient electric field as appropriate You may have a structure.
The display panel PNL of the present embodiment has a transmissive display function of displaying an image by selectively transmitting light from the back side of the first substrate SUB1, but the present invention is not limited to this. For example, the display panel PNL may have a reflective display function of displaying an image by selectively reflecting light from the front surface side of the second substrate SUB2, or may have both a transmissive display function and a reflective display function. You may have it.

図2は、表示装置DSPの比較例を示す断面図である。図示した比較例は、図1に示した構成例と比較して、サブスペーサSSPの端部SSPEは主面1Aから離間し、サブスペーサSSPの高さH2はメインスペーサMSPの高さH1より小さい点で相違している。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing a comparative example of the display device DSP. In the illustrated comparative example, the end portion SSPE of the sub-spacer SSP is separated from the main surface 1A, and the height H2 of the sub-spacer SSP is smaller than the height H1 of the main spacer MSP, as compared with the configuration example illustrated in FIG. They differ in points.

図3は、輝点発生荷重を評価する実験装置LDの断面図である。ここでは、サブスペーサSSPの図示を省略している。実験装置LDは、実験対象である表示パネルPNLを支持する支持部STと、表示パネルPNLを押圧する荷重部PLと、を備えている。支持部STは、第1基板SUB1の主面1Bを部分的(線状または点状)に支持する。荷重部PLは、第2基板SUB2の主面2Aから第1基板SUB1に向かって荷重をかける。荷重がかかった表示パネルPNLは変形し、変形に伴って第1方向X及び第2方向Yのいずれか一方、または、第1方向X及び第2方向Yの双方に沿って、第1基板SUB1と第2基板SUB2とのずれが生ずる。このような基板同士のずれは、第2基板SUB2に設けられたメインスペーサMSPが第1基板SUB1の配向膜を擦り、配向膜を損傷させ、液晶分子の配向不良に起因した光漏れ(輝点)を生ずる原因となりうる。上記の実験装置LDでは、荷重部PLが表示パネルPNLを押圧する荷重と、輝点の有無との関係を測定した。輝点発生荷重とは、輝点が発生した際の荷重である。発明者が確認したところ、図2に示した比較例における輝点発生荷重を1としたときに、図1に示した本実施形態の構成例における輝点発生荷重は、比較例の約1.2倍であった。従って、図1に示すように、サブスペーサSSPを形成することにより、外部から荷重がかかった際にも、第1基板SUB1及び第2基板SUB2のX−Y平面での横ずれを防止し、輝点発生の低減に対し一定の効果がある。 FIG. 3 is a cross-sectional view of an experimental device LD for evaluating the bright spot generation load. Here, the illustration of the sub spacer SSP is omitted. The experimental apparatus LD includes a support portion ST that supports the display panel PNL that is an experiment target, and a load portion PL that presses the display panel PNL. The support portion ST partially (linearly or dot-likely) supports the main surface 1B of the first substrate SUB1. The load part PL applies a load from the main surface 2A of the second substrate SUB2 toward the first substrate SUB1. The display panel PNL under load is deformed, and along with the deformation, one of the first direction X and the second direction Y, or along both the first direction X and the second direction Y, the first substrate SUB1. And the second substrate SUB2 is displaced. Such misalignment between the substrates is caused by the main spacer MSP provided on the second substrate SUB2 rubbing the alignment film of the first substrate SUB1 and damaging the alignment film, resulting in light leakage (bright spots caused by misalignment of liquid crystal molecules). ) May occur. In the above experimental device LD, the relationship between the load with which the load part PL presses the display panel PNL and the presence or absence of a bright spot was measured. The bright spot generation load is a load when bright spots are generated. The inventors have confirmed that when the bright spot generating load in the comparative example shown in FIG. 2 is 1, the bright spot generating load in the configuration example of the present embodiment shown in FIG. 1 is about 1. It was double. Therefore, as shown in FIG. 1, by forming the sub-spacer SSP, the lateral displacement of the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 in the XY plane is prevented even when a load is applied from the outside, and the brightness is reduced. It has a certain effect on the reduction of spot generation.

再び図1を参照しながら説明する。外部から表示パネルPNLに押圧力が加わった場合には、サブスペーサSSPは、その端部SSPEが凹部CC1の側面に接することなく凹部CC1の底部CBに接し、表示パネルPNLの過度の変形が抑制される。すなわち、サブスペーサSSPが凹部CC1の内部にとどまるため、第1基板SUB1と第2基板SUB2とのずれが抑制される。このため、メインスペーサMSPの可動量を制限することができる。これにより、メインスペーサMSPの可動による配向膜の損傷を抑制することができ、液晶分子の配向不良に起因した表示品位の低下を抑制することができる。 The description will be continued with reference to FIG. 1 again. When a pressing force is applied to the display panel PNL from the outside, the end portion SSPE of the sub spacer SSP is in contact with the bottom portion CB of the recess CC1 without contacting the side surface of the recess CC1, and excessive deformation of the display panel PNL is suppressed. To be done. That is, since the sub-spacer SSP stays inside the recess CC1, the displacement between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 is suppressed. Therefore, the movable amount of the main spacer MSP can be limited. As a result, damage to the alignment film due to the movement of the main spacer MSP can be suppressed, and deterioration in display quality due to poor alignment of liquid crystal molecules can be suppressed.

図1に示した本実施形態の構成例において、主面1Aは第1主面に相当し、凹部CC1は第1凹部に相当し、主面2Bは第2主面に相当し、高さH1は第1高さに相当し、高さH2は第2高さに相当し、距離D11は第1距離に相当し、距離D12は第2距離に相当する。 In the configuration example of the present embodiment shown in FIG. 1, the main surface 1A corresponds to the first main surface, the recess CC1 corresponds to the first recess, the main surface 2B corresponds to the second main surface, and the height H1. Corresponds to the first height, the height H2 corresponds to the second height, the distance D11 corresponds to the first distance, and the distance D12 corresponds to the second distance.

図4は、本実施形態の表示パネルPNLの構成例を示す平面図である。第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせるシールSEは、ループ状に形成され、液晶注入口を含まない。表示パネルPNLは、画像を表示する表示領域DAと、表示領域DAを囲む額縁状の非表示領域NDAと、を備えている。表示領域DAは、シールSEによって囲まれた内側に位置している。 FIG. 4 is a plan view showing a configuration example of the display panel PNL of this embodiment. The seal SE that attaches the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 is formed in a loop shape and does not include a liquid crystal injection port. The display panel PNL includes a display area DA for displaying an image and a frame-shaped non-display area NDA surrounding the display area DA. The display area DA is located inside surrounded by the seal SE.

ICチップ1及びフレキシブルプリント回路基板2は、非表示領域NDAに位置し、第1基板SUB1に接続されている。なお、ICチップ1は、フレキシブルプリント回路基板2に実装されていてもよい。ICチップ1は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。ここでのディスプレイドライバは、後述する信号線駆動回路SD、走査線駆動回路GD、及び、共通電極駆動回路CDの少なくとも一部を含むものである。 The IC chip 1 and the flexible printed circuit board 2 are located in the non-display area NDA and are connected to the first substrate SUB1. The IC chip 1 may be mounted on the flexible printed circuit board 2. The IC chip 1 has, for example, a built-in display driver that outputs a signal necessary for displaying an image. The display driver here includes at least a part of a signal line driving circuit SD, a scanning line driving circuit GD, and a common electrode driving circuit CD which will be described later.

このような表示パネルPNLは、例えば以下のようなプロセスによって製造される。すなわち、第1基板SUB1及び第2基板SUB2をそれぞれ用意した後に、メインスペーサMSPの高さH1を計測し、液晶層LCの体積を算出する。その後、シールSEをループ状に形成し、シールSEが未硬化の状態で、算出した体積の液晶材料をシールSEの内側に滴下する。その後、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を貼り合わせ、シールSEを硬化させる。 Such a display panel PNL is manufactured by the following process, for example. That is, after preparing the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 respectively, the height H1 of the main spacer MSP is measured and the volume of the liquid crystal layer LC is calculated. After that, the seal SE is formed in a loop shape, and a liquid crystal material having a calculated volume is dropped inside the seal SE while the seal SE is in an uncured state. After that, the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are attached to each other, and the seal SE is cured.

図5は、本実施形態の表示装置DSPの構成例を示す図である。表示装置DSPは、表示領域DAにおいて、複数の画素PXを備えている。複数の画素PXは、マトリクス状に配置されている。また、表示装置DSPは、表示領域DAにおいて、複数本の走査線G(G1〜Gn)、複数本の信号線S(S1〜Sm)、共通電極CEなどを備えている。走査線Gは、各々走査線駆動回路GDに接続されている。信号線Sは、各々信号線駆動回路SDに接続されている。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置され、共通電極駆動回路CDに接続されている。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備え、図1に示した第1基板SUB1に設けられている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。
FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of the display device DSP of the present embodiment. The display device DSP includes a plurality of pixels PX in the display area DA. The plurality of pixels PX are arranged in a matrix. Further, the display device DSP includes a plurality of scanning lines G (G1 to Gn), a plurality of signal lines S (S1 to Sm), a common electrode CE, and the like in the display area DA. The scanning lines G are each connected to the scanning line drive circuit GD. The signal lines S are each connected to the signal line drive circuit SD. The common electrode CE is arranged over the plurality of pixels PX and is connected to the common electrode drive circuit CD.
Each pixel PX includes a switching element SW, a pixel electrode PE, a common electrode CE, a liquid crystal layer LC, etc., and is provided on the first substrate SUB1 shown in FIG. The switching element SW is composed of, for example, a thin film transistor (TFT), and is electrically connected to the scanning line G and the signal line S. The pixel electrode PE is electrically connected to the switching element SW. Each of the pixel electrodes PE faces the common electrode CE and drives the liquid crystal layer LC by an electric field generated between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The storage capacitor CS is formed, for example, between an electrode having the same potential as the common electrode CE and an electrode having the same potential as the pixel electrode PE.

図6は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。図6において、第2方向Yに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向E1と定義し、第2方向Yに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向E2と定義する。なお、第2方向Yと方向E1とのなす角度θ1は、第2方向Yと方向E2とのなす角度θ2とほぼ同一である。走査線G11乃至G13は、それぞれ第1方向Xに沿って延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。信号線S11乃至S15は、それぞれ概ね第2方向Yに沿って延出し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。 FIG. 6 is a plan view showing an example of a pixel layout. In FIG. 6, a direction that intersects the second direction Y at an acute angle in the counterclockwise direction is defined as a direction E1, and a direction that intersects the second direction Y at an acute angle in the clockwise direction is defined as a direction E2. The angle θ1 formed by the second direction Y and the direction E1 is substantially the same as the angle θ2 formed by the second direction Y and the direction E2. The scanning lines G11 to G13 extend along the first direction X and are arranged in the second direction Y at intervals. The signal lines S11 to S15 extend substantially along the second direction Y and are arranged in the first direction X at intervals.

画素電極PE11乃至PE14は、走査線G11及びG12の間に配置されている。画素電極PE11乃至PE14は、第1方向Xに沿って並んでいる。画素電極PE21乃至PE24は、走査線G12及びG13の間に配置されている。画素電極PE21乃至PE24は、第1方向Xに沿って並んでいる。画素電極PE11及びPE21は信号線S11及びS12の間に配置され、画素電極PE12及びPE22は信号線S12及びS13の間に配置され、画素電極PE13及びPE23は信号線S13及びS14の間に配置され、画素電極PE14及びPE24は信号線S14及びS15の間に配置されている。 The pixel electrodes PE11 to PE14 are arranged between the scanning lines G11 and G12. The pixel electrodes PE11 to PE14 are arranged side by side along the first direction X. The pixel electrodes PE21 to PE24 are arranged between the scanning lines G12 and G13. The pixel electrodes PE21 to PE24 are arranged in the first direction X. The pixel electrodes PE11 and PE21 are arranged between the signal lines S11 and S12, the pixel electrodes PE12 and PE22 are arranged between the signal lines S12 and S13, and the pixel electrodes PE13 and PE23 are arranged between the signal lines S13 and S14. The pixel electrodes PE14 and PE24 are arranged between the signal lines S14 and S15.

画素電極PE11乃至PE14は、それぞれ方向E1に沿って延出した帯電極Pa1を有している。画素電極PE21乃至PE24は、それぞれ方向E2に沿って延出した帯電極Pa2を有している。図示した例では、帯電極Pa1及びPa2は、2本であるが、1本でもよいし、3本以上であってもよい。なお、画素電極PEの形状はこれに限ったものではなく、矩形状であってもよいし、正方形であってもよい。 Each of the pixel electrodes PE11 to PE14 has a strip electrode Pa1 extending along the direction E1. The pixel electrodes PE21 to PE24 each have a strip electrode Pa2 extending along the direction E2. In the illustrated example, the number of the band electrodes Pa1 and Pa2 is two, but it may be one or three or more. The shape of the pixel electrode PE is not limited to this, and may be rectangular or square.

共通電極CE11及びCE12は、信号線S11乃至S15の上に重畳している。画素電極PE11乃至PE14は、共通電極CE11の上に重畳している。画素電極PE21乃至PE24は、共通電極CE12の上に重畳している。図示した例では、走査線G12は、共通電極CE11及びCE12の間に位置している。 The common electrodes CE11 and CE12 are superimposed on the signal lines S11 to S15. The pixel electrodes PE11 to PE14 overlap the common electrode CE11. The pixel electrodes PE21 to PE24 overlap with the common electrode CE12. In the illustrated example, the scanning line G12 is located between the common electrodes CE11 and CE12.

図7は、図6に示した画素レイアウトに対応した遮光層BMを示す平面図である。遮光層BMは、図1に示した第2基板SUB2に設けられている。遮光層BMは、図示した例では格子状に形成され、遮光部BMX及びBMYを備えている。遮光層BMによって囲まれた開口部OPは、画素PXにおいて表示に寄与する領域に相当する。遮光部BMXは、間隔をおいて第2方向Yに並び、それぞれ第1方向Xに沿って延出している。遮光部BMXは、平面視で走査線G11乃至G13のそれぞれと重畳している。遮光部BMXは、第2方向Yに沿ってほぼ一定の幅WXを有する帯状に形成されている。遮光部BMYは、間隔をおいて第1方向Xに並び、それぞれ第2方向Yに沿って延出している。遮光部BMYは、平面視で信号線S11乃至S15のそれぞれと重畳している。遮光部BMYは、第1方向Xに沿ってほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。 FIG. 7 is a plan view showing the light shielding layer BM corresponding to the pixel layout shown in FIG. The light shielding layer BM is provided on the second substrate SUB2 shown in FIG. The light-shielding layer BM is formed in a lattice shape in the illustrated example, and includes light-shielding portions BMX and BMY. The opening OP surrounded by the light shielding layer BM corresponds to a region that contributes to display in the pixel PX. The light shielding portions BMX are arranged in the second direction Y at intervals and extend along the first direction X, respectively. The light shielding portion BMX is overlapped with each of the scanning lines G11 to G13 in a plan view. The light shielding portion BMX is formed in a strip shape having a substantially constant width WX along the second direction Y. The light shielding portions BMY are arranged in the first direction X at intervals and extend along the second direction Y, respectively. The light blocking portion BMY overlaps with each of the signal lines S11 to S15 in a plan view. The light blocking portion BMY is formed in a band shape having a substantially constant width along the first direction X.

ここで、第1基板SUB1に設けられる凹部CC1乃至CC3と、第2基板SUB2に設けられるメインスペーサMSP及びサブスペーサSSPとの位置関係の一例について説明する。なお、遮光部BMX2は、遮光部BMXのうち、走査線G12に重なる遮光部に相当する。 Here, an example of the positional relationship between the recesses CC1 to CC3 provided in the first substrate SUB1 and the main spacers MSP and the sub spacers SSP provided in the second substrate SUB2 will be described. The light-shielding portion BMX2 corresponds to a light-shielding portion of the light-shielding portion BMX that overlaps the scanning line G12.

凹部CC1乃至CC3は、間隔をおいて第1方向Xに並び、遮光部BMX2に重畳している。また、凹部CC1乃至CC3の各々は、隣接する信号線の間に位置している。 The recesses CC1 to CC3 are arranged in the first direction X at intervals and overlap the light shield BMX2. Each of the recesses CC1 to CC3 is located between the adjacent signal lines.

サブスペーサSSP及びメインスペーサMSPは、第1方向Xに並び、遮光部BMX2に重畳している。メインスペーサMSPは、凹部CC2及びCC3の間に位置し、また、走査線G12と信号線S13との交差部に位置している。サブスペーサSSPは、凹部CC1に重畳し、また、信号線S11及びS12の間に位置している。 The sub spacer SSP and the main spacer MSP are arranged in the first direction X and overlap the light shield BMX2. The main spacer MSP is located between the recesses CC2 and CC3, and is also located at the intersection of the scanning line G12 and the signal line S13. The sub spacer SSP overlaps the recess CC1 and is located between the signal lines S11 and S12.

サブスペーサSSPは、第1方向Xに沿った長さLX1と、第2方向Yに沿った長さLY1とを有している。長さLX1は、長さLY1より大きい。すなわち、サブスペーサSSPは、平面視において、第1方向Xに拡張された横長の形状を有している。図示した例では、サブスペーサSSPは、長円形状に形成されているが、長方形状などの他の形状に形成されていてもよい。なお、図中のサブスペーサSSPは、いずれも同様の形状を有している。 The sub-spacer SSP has a length LX1 along the first direction X and a length LY1 along the second direction Y. The length LX1 is greater than the length LY1. That is, the sub-spacer SSP has a laterally elongated shape expanded in the first direction X in a plan view. In the illustrated example, the sub spacer SSP is formed in an oval shape, but may be formed in another shape such as a rectangular shape. The sub-spacers SSP in the figure have the same shape.

凹部CC1は、第1方向Xに沿った長さLX11と、第2方向Yに沿った長さLY11とを有している。長さLX11は、長さLY11より大きい。また、長さLX11は、サブスペーサSSPの長さLX1より大きい。長さLY11は、サブスペーサSSPの長さLY1より大きい。つまり、凹部CC1は、サブスペーサSSPが入り込むのに十分な大きさを有している。なお、長さLX1と長さLX11との差分は、第1方向Xに沿った基板同士のずれの許容量に応じて決定され、同様に、長さLY1と長さLY11との差分は、第2方向Yに沿った基板同士のずれの許容量に応じて決定される。 The recess CC1 has a length LX11 along the first direction X and a length LY11 along the second direction Y. The length LX11 is greater than the length LY11. Further, the length LX11 is larger than the length LX1 of the sub spacer SSP. The length LY11 is larger than the length LY1 of the sub spacer SSP. That is, the recess CC1 has a size sufficient for the sub spacer SSP to enter. Note that the difference between the length LX1 and the length LX11 is determined according to the allowable amount of displacement between the substrates along the first direction X, and similarly, the difference between the length LY1 and the length LY11 is It is determined according to the allowable amount of displacement between the substrates along the two directions Y.

凹部CC2及びCC3については、いずれのサブスペーサとも重畳しない。このため、凹部CC2及びCC3は、凹部CC1とは異なる形状を有する場合がありうる。例えば、凹部CC2及びCC3の間においてメインスペーサMSPが接触する領域を平坦化するために、凹部CC2及びCC3の第1方向Xに沿った長さは、凹部CC1の長さLX11よりも小さくしてもよい。あるいは、凹部CC2及びCC3の間隔D2は、凹部CC1及びCC2の間隔D1よりも大きくしてもよい。これにより、メインスペーサMSPが凹部CC2及びCC3の間に接触した際に、凹部CC2及びCC3の影響を受けにくくなり、セルギャップを均一化することができる。なお、ここでの間隔D1及びD2は、いずれも第1方向Xに沿った長さである。 The recesses CC2 and CC3 do not overlap any of the sub spacers. Therefore, the recesses CC2 and CC3 may have a different shape from the recess CC1. For example, in order to flatten the region where the main spacer MSP contacts between the recesses CC2 and CC3, the lengths of the recesses CC2 and CC3 along the first direction X are made smaller than the length LX11 of the recess CC1. Good. Alternatively, the distance D2 between the concave portions CC2 and CC3 may be larger than the distance D1 between the concave portions CC1 and CC2. As a result, when the main spacer MSP comes into contact between the recesses CC2 and CC3, it is less likely to be affected by the recesses CC2 and CC3, and the cell gap can be made uniform. It should be noted that the intervals D1 and D2 here are both lengths along the first direction X.

メインスペーサMSPは、第1方向Xに沿った長さLX2と、第2方向Yに沿った長さLY2とを有している。長さLX2は、長さLY2と同等である。図示した例では、メインスペーサMSPは、平面視においてほぼ円形状に形成されているが、正方形状などの他の形状に形成されてもよい。長さLY2は、サブスペーサSSPの長さLY1より大きい。 The main spacer MSP has a length LX2 along the first direction X and a length LY2 along the second direction Y. The length LX2 is equal to the length LY2. In the illustrated example, the main spacer MSP is formed in a substantially circular shape in plan view, but may be formed in another shape such as a square shape. The length LY2 is larger than the length LY1 of the sub spacer SSP.

上記の通り、メインスペーサMSPは、走査線G12と信号線S13との交差部に位置しており、遮光部BMX2と遮光部BMYとの交差部に重畳している。このため、メインスペーサMSPの周囲は、遮光部BMX2及び遮光部BMYによって遮光される。しかも、表示パネルPNLに押圧力が加わった場合にメインスペーサMSPの可動量が制限されるため、メインスペーサMSPの周囲の遮光面積を低減することができる。これにより、一画素PXあたりの開口部OPの面積を増加することができる。 As described above, the main spacer MSP is located at the intersection of the scanning line G12 and the signal line S13, and overlaps with the intersection of the light blocking portion BMX2 and the light blocking portion BMY. Therefore, the periphery of the main spacer MSP is shielded by the light shield BMX2 and the light shield BMY. Moreover, since the movable amount of the main spacer MSP is limited when the pressing force is applied to the display panel PNL, the light shielding area around the main spacer MSP can be reduced. As a result, the area of the opening OP per pixel PX can be increased.

一方で、サブスペーサSSPは、信号線S11及びS12の間に位置しており、遮光部BMX2と重畳するが、遮光部BMYとは重畳しない。このため、サブスペーサSSPがメインスペーサMSPと同様の長さLY2を有する場合には、サブスペーサSSPの周囲を遮光するために、遮光部BMX2の第2方向Yに沿った幅を拡張する必要がある。図示した例では、サブスペーサSSPの長さLY1がメインスペーサMSPの長さLY2より小さいため、遮光部BMX2を拡張することなく、サブスペーサSSPの周囲を遮光することができる。例えば、遮光部BMX2において、サブスペーサSSPと重畳する位置における幅W11は、凹部CC2と重畳する位置における幅W12と同等である。ここでの幅W11及びW12は、いずれも第2方向Yに沿った長さである。 On the other hand, the sub-spacer SSP is located between the signal lines S11 and S12 and overlaps the light shield BMX2, but does not overlap the light shield BMY. Therefore, when the sub-spacer SSP has the same length LY2 as the main spacer MSP, it is necessary to extend the width of the light-shielding portion BMX2 along the second direction Y to shield the periphery of the sub-spacer SSP. is there. In the illustrated example, since the length LY1 of the sub spacer SSP is smaller than the length LY2 of the main spacer MSP, it is possible to shield the surroundings of the sub spacer SSP without expanding the light shielding portion BMX2. For example, in the light shield BMX2, the width W11 at the position overlapping the sub spacer SSP is equal to the width W12 at the position overlapping the recess CC2. Each of the widths W11 and W12 here is a length along the second direction Y.

図7に示した構成例において、凹部CC1乃至CC3はそれぞれ第1凹部乃至第3凹部に相当し、長さLX1は第1長さに相当し、長さLY1は第2長さに相当し、長さLY2は第3長さに相当し、幅W11は第1幅に相当し、幅W12は第2幅に相当する。 In the configuration example shown in FIG. 7, the recesses CC1 to CC3 correspond to the first recess to the third recess, the length LX1 corresponds to the first length, and the length LY1 corresponds to the second length. The length LY2 corresponds to the third length, the width W11 corresponds to the first width, and the width W12 corresponds to the second width.

図8は、図7に示したA−B線に沿った表示装置DSPの断面図である。表示装置DSPは、表示パネルPNLと、光学素子OD1及びOD2と、照明装置ILと、を備えている。照明装置IL、光学素子OD1、表示パネルPNL、及び、光学素子OD2は、この順に第3方向Zに沿って配置されている。 FIG. 8 is a sectional view of the display device DSP taken along the line AB shown in FIG. 7. The display device DSP includes a display panel PNL, optical elements OD1 and OD2, and an illumination device IL. The illumination device IL, the optical element OD1, the display panel PNL, and the optical element OD2 are arranged in this order along the third direction Z.

第1基板SUB1は、絶縁基板10、絶縁膜11乃至14、走査線G12、半導体層SC、信号線S13、共通電極CE11及びCE12、配向膜AL1などを備えている。絶縁基板10は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。半導体層SCは、絶縁基板10と絶縁膜11との間に位置している。半導体層SCは、図5に示したスイッチング素子SWに含まれる。半導体層SCは、例えば、多結晶シリコン(例えば低温ポリシリコン)によって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。走査線G12は、絶縁膜11及び12の間に位置している。信号線S13は、絶縁膜12及び13の間に位置している。信号線S13は、絶縁膜11及び12を貫通する貫通孔CH1において、半導体層SCにコンタクトしている。走査線G12及び信号線S13は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。 The first substrate SUB1 includes an insulating substrate 10, insulating films 11 to 14, a scanning line G12, a semiconductor layer SC, a signal line S13, common electrodes CE11 and CE12, an alignment film AL1 and the like. The insulating substrate 10 is a light transmissive substrate such as a glass substrate or a flexible resin substrate. The semiconductor layer SC is located between the insulating substrate 10 and the insulating film 11. The semiconductor layer SC is included in the switching element SW shown in FIG. The semiconductor layer SC is formed of, for example, polycrystalline silicon (for example, low temperature polysilicon), but may be formed of amorphous silicon or an oxide semiconductor. The scanning line G12 is located between the insulating films 11 and 12. The signal line S13 is located between the insulating films 12 and 13. The signal line S13 is in contact with the semiconductor layer SC in the through hole CH1 penetrating the insulating films 11 and 12. The scanning line G12 and the signal line S13 are metal materials such as aluminum (Al), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), tungsten (W), copper (Cu), and chromium (Cr), and these. It is formed of an alloy or the like that is a combination of the above metal materials, and may have a single layer structure or a multilayer structure.

共通電極CE11及びCE12は、絶縁膜13及び14の間に位置している。共通電極CE11及びCE12は、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。配向膜AL1は、絶縁膜14の上に位置している。 The common electrodes CE11 and CE12 are located between the insulating films 13 and 14. The common electrodes CE11 and CE12 are transparent electrodes formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The alignment film AL1 is located on the insulating film 14.

絶縁膜11、12、14は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜13は、例えば、アクリル樹脂などの有機材料によって形成された有機絶縁膜である。なお、絶縁膜13は、無機絶縁膜であってもよい。 The insulating films 11, 12, and 14 are inorganic insulating films formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, and may have a single-layer structure or a multi-layer structure. Good. The insulating film 13 is, for example, an organic insulating film formed of an organic material such as acrylic resin. The insulating film 13 may be an inorganic insulating film.

第2基板SUB2は、絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタ層CF、オーバーコート層OC、配向膜AL2、メインスペーサMSPなどを備えている。絶縁基板20は、絶縁基板10と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層BM及びカラーフィルタ層CFは、絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。遮光層BMは、図7に示した遮光部BMX及びBMYを備えている。カラーフィルタ層CFは、例えば、赤色、緑色、青色のそれぞれのカラーフィルタを備えている。オーバーコート層OCは、カラーフィルタ層CFを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜AL2は、オーバーコート層OCの下面OCBを覆っている。配向膜AL1及び配向膜AL2は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。上述した第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、配向膜AL1及び配向膜AL2が対向するように配置されている。 The second substrate SUB2 includes an insulating substrate 20, a light shielding layer BM, a color filter layer CF, an overcoat layer OC, an alignment film AL2, a main spacer MSP, and the like. Like the insulating substrate 10, the insulating substrate 20 is a light-transmissive substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The light blocking layer BM and the color filter layer CF are located on the side of the insulating substrate 20 that faces the first substrate SUB1. The light blocking layer BM includes the light blocking portions BMX and BMY shown in FIG. 7. The color filter layer CF includes, for example, red, green, and blue color filters. The overcoat layer OC covers the color filter layer CF. The overcoat layer OC is formed of a transparent resin. The alignment film AL2 covers the lower surface OCB of the overcoat layer OC. The alignment films AL1 and AL2 are formed of, for example, a material exhibiting horizontal alignment. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 described above are arranged so that the alignment films AL1 and AL2 face each other.

メインスペーサMSPは、オーバーコート層OCの下面OCBに接して設けられている。図示した例では、メインスペーサMSPの一部が配向膜AL2によって覆われているが、端部MSPEは、配向膜AL2から露出している。この端部MSPEは、共通電極CE11と共通電極CE12との間において、配向膜AL1の上面ALAに接している。なお、メインスペーサMSPの全体が配向膜AL2によって覆われる場合もありうる。この場合、絶縁膜14とメインスペーサMSPとの間に配向膜AL1及びAL2が介在する。メインスペーサの直下では、走査線G12と信号線S13とが交差している。
このような例においては、上面ALAは図1に示した主面1Aあるいは第1主面に相当し、下面OCBは主面2Bあるいは第2主面に相当し、また、絶縁基板10の下面10Bは主面1Bに相当し、絶縁基板20の上面20Aは主面2Aに相当する。また、絶縁基板20の下面20Bが主面2Bあるいは第2主面に相当する場合もありうる。
The main spacer MSP is provided in contact with the lower surface OCB of the overcoat layer OC. In the illustrated example, a part of the main spacer MSP is covered with the alignment film AL2, but the end portion MSPE is exposed from the alignment film AL2. The end portion MSPE is in contact with the upper surface ALA of the alignment film AL1 between the common electrode CE11 and the common electrode CE12. The entire main spacer MSP may be covered with the alignment film AL2. In this case, the alignment films AL1 and AL2 are interposed between the insulating film 14 and the main spacer MSP. Immediately below the main spacer, the scanning line G12 and the signal line S13 intersect.
In such an example, the upper surface ALA corresponds to the main surface 1A or the first main surface shown in FIG. 1, the lower surface OCB corresponds to the main surface 2B or the second main surface, and the lower surface 10B of the insulating substrate 10 is used. Corresponds to the main surface 1B, and the upper surface 20A of the insulating substrate 20 corresponds to the main surface 2A. Further, the lower surface 20B of the insulating substrate 20 may correspond to the main surface 2B or the second main surface.

液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、配向膜AL1と配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子LMを備えている。液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。 The liquid crystal layer LC is located between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and is held between the alignment films AL1 and AL2. The liquid crystal layer LC includes liquid crystal molecules LM. The liquid crystal layer LC is made of a positive type (dielectric anisotropy is positive) liquid crystal material or a negative type (dielectric anisotropy is negative) liquid crystal material.

偏光板PL1を含む光学素子OD1は、絶縁基板10の下面10Bに接着されている。偏光板PL2を含む光学素子OD2は、絶縁基板20の上面20Aに接着されている。なお、光学素子OD1及び光学素子OD2は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。 The optical element OD1 including the polarizing plate PL1 is adhered to the lower surface 10B of the insulating substrate 10. The optical element OD2 including the polarizing plate PL2 is adhered to the upper surface 20A of the insulating substrate 20. In addition, the optical element OD1 and the optical element OD2 may include a retardation plate, a scattering layer, an antireflection layer, or the like, if necessary.

このような表示パネルPNLにおいては、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子LMは、配向膜AL1及び配向膜AL2の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ILから表示パネルPNLに向けて照射された光は、光学素子OD1及び光学素子OD2によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子LMは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ILからの光の一部は、光学素子OD1及び光学素子OD2を透過し、明表示となる。 In such a display panel PNL, the liquid crystal molecules LM are initially in a predetermined direction between the alignment films AL1 and AL2 in an off state where an electric field is not formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE. It is oriented. In such an off state, the light emitted from the illumination device IL toward the display panel PNL is absorbed by the optical element OD1 and the optical element OD2, resulting in a dark display. On the other hand, in the ON state in which the electric field is formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the liquid crystal molecules LM are aligned in a direction different from the initial alignment direction by the electric field, and the alignment direction is controlled by the electric field. .. In such an ON state, part of the light from the illumination device IL is transmitted through the optical element OD1 and the optical element OD2, resulting in bright display.

図9は、図7に示したC−D線に沿った表示装置DSPの断面図である。ここでは、絶縁基板10と絶縁膜12との間の層の図示を省略している。第1基板SUB1は、さらに、信号線S11乃至S14、ドレイン電極DE11乃至DE13、画素電極PE11乃至PE13などを備えている。ドレイン電極DE11乃至DE13の各々は、図5に示したスイッチング素子SWに含まれる電極である。例えば、ドレイン電極DE12は、図8に示した半導体層SCを介して信号線S13と電気的に接続されている。 FIG. 9 is a cross-sectional view of the display device DSP taken along the line C-D shown in FIG. 7. Here, illustration of layers between the insulating substrate 10 and the insulating film 12 is omitted. The first substrate SUB1 further includes signal lines S11 to S14, drain electrodes DE11 to DE13, pixel electrodes PE11 to PE13, and the like. Each of the drain electrodes DE11 to DE13 is an electrode included in the switching element SW shown in FIG. For example, the drain electrode DE12 is electrically connected to the signal line S13 via the semiconductor layer SC shown in FIG.

信号線S11乃至S14は、いずれも絶縁膜13によって覆われている。ドレイン電極DE11乃至DE13は、絶縁膜12の上に位置している。ドレイン電極DE11は信号線S11と信号線S12との間に位置し、ドレイン電極DE12は信号線S12と信号線S13との間に位置し、ドレイン電極DE13は信号線S13と信号線S14との間に位置している。 The signal lines S11 to S14 are all covered with the insulating film 13. The drain electrodes DE11 to DE13 are located on the insulating film 12. The drain electrode DE11 is located between the signal line S11 and the signal line S12, the drain electrode DE12 is located between the signal line S12 and the signal line S13, and the drain electrode DE13 is located between the signal line S13 and the signal line S14. Is located in.

位置P1は、ドレイン電極DE11上における絶縁膜13の縁部を示している。位置P2及びP3は、ドレイン電極DE12上における絶縁膜13の縁部を示している。位置P4は、ドレイン電極DE13上における絶縁膜13の縁部を示している。位置P1及びP2は、信号線S12に隣接し、位置P1と信号線S12との間隔は信号線S12と位置P2との間隔より小さい。位置P3及びP4は、信号線13に隣接し、位置P3と信号線S13との間隔は信号線S13と位置P4との間隔と同等である。第1方向Xに沿った位置P1から位置P2までの長さは、図7に示した間隔D1に相当する。第1方向Xに沿った位置P3から位置P4までの長さは、間隔D2に相当する。間隔D1は、間隔D2より小さい。 The position P1 indicates the edge of the insulating film 13 on the drain electrode DE11. Positions P2 and P3 indicate the edges of the insulating film 13 on the drain electrode DE12. The position P4 indicates the edge of the insulating film 13 on the drain electrode DE13. The positions P1 and P2 are adjacent to the signal line S12, and the distance between the position P1 and the signal line S12 is smaller than the distance between the signal line S12 and the position P2. The positions P3 and P4 are adjacent to the signal line 13, and the distance between the position P3 and the signal line S13 is equal to the distance between the signal line S13 and the position P4. The length from the position P1 to the position P2 along the first direction X corresponds to the distance D1 shown in FIG. 7. The length from the position P3 to the position P4 along the first direction X corresponds to the distance D2. The distance D1 is smaller than the distance D2.

絶縁膜13は、貫通孔CH11乃至CH13を有している。貫通孔CH11乃至CH13は、それぞれドレイン電極DE11乃至DE13まで貫通している。凹部CC1乃至CC3は、それぞれ貫通孔CH11乃至CH13によって形成されている。例えば、貫通孔CH11は、信号線S11及びS12の間に位置し、幅W21を有している。ここでの幅W21は、絶縁膜13から露出したドレイン電極DE11の第1方向Xに沿った長さに相当する。また、ドレイン電極DE11は、第1方向Xに沿った幅W22を有している。幅W21及びW22は、信号線S11及びS12の第1方向Xに沿った間隔D21より小さい。図示した例では、幅W21は幅W22より小さいが、幅W21は幅W22より大きくてもよい。貫通孔CH11において、信号線S11及びS12のいずれも露出することはない。 The insulating film 13 has through holes CH11 to CH13. The through holes CH11 to CH13 penetrate to the drain electrodes DE11 to DE13, respectively. The recesses CC1 to CC3 are formed by through holes CH11 to CH13, respectively. For example, the through hole CH11 is located between the signal lines S11 and S12 and has a width W21. The width W21 here corresponds to the length along the first direction X of the drain electrode DE11 exposed from the insulating film 13. Further, the drain electrode DE11 has a width W22 along the first direction X. The widths W21 and W22 are smaller than the distance D21 along the first direction X between the signal lines S11 and S12. In the illustrated example, the width W21 is smaller than the width W22, but the width W21 may be larger than the width W22. In the through hole CH11, neither of the signal lines S11 and S12 is exposed.

画素電極PE11乃至PE13は、絶縁膜14の上に位置し、配向膜AL1によって覆われている。画素電極PE11乃至PE13は、上記のITOやIZOなどの透明導電材料によって形成されている。画素電極PE11乃至PE13は、それぞれドレイン電極DE11乃至DE13と電気的に接続されている。例えば、画素電極PE11は、貫通孔CH11においてドレイン電極DE11にコンタクトしている。なお、ドレイン電極DE11と画素電極PE11との間に、他の透明電極(例えば共通電極CEと同一工程で形成される電極)や、他の金属電極(例えば共通電極CEを低抵抗化するための金属配線と同一工程で形成される電極)などが介在していてもよい。 The pixel electrodes PE11 to PE13 are located on the insulating film 14 and covered with the alignment film AL1. The pixel electrodes PE11 to PE13 are formed of the transparent conductive material such as ITO or IZO described above. The pixel electrodes PE11 to PE13 are electrically connected to the drain electrodes DE11 to DE13, respectively. For example, the pixel electrode PE11 is in contact with the drain electrode DE11 in the through hole CH11. Between the drain electrode DE11 and the pixel electrode PE11, another transparent electrode (for example, an electrode formed in the same step as the common electrode CE) or another metal electrode (for example, for reducing the resistance of the common electrode CE) is used. Electrodes formed in the same step as the metal wiring) may be interposed.

第2基板SUB2において、サブスペーサSSPは、メインスペーサMSPと同様に、オーバーコート層OCの下面OCBに接して設けられている。これらのサブスペーサSSP及びメインスペーサMSPは、同一材料を用いて同一工程で形成される。図1に示した例と同様に、メインスペーサMSPは高さH1を有し、サブスペーサSSPは高さH2を有し、高さH2は高さH1より高い。ここでの高さH1及びH2は、オーバーコート層OCの下面OCBが第2主面2Bに相当するものとして、下面OCBを基準とした第3方向Zに沿った長さとして定義されたものである。なお、上記の通り、絶縁基板20の下面20Bが第2主面2Bに相当してもよい。この場合、下面20Bを基準とした第3方向Zに沿った長さとして、メインスペーサMSPの高さH11と、サブスペーサSSPの高さH12とを定義することができる。このような場合であっても、高さH12は、高さH11より高い。但し、下面20Bを基準としたメインスペーサMSPの高さH11と、下面OCBを基準としたサブスペーサSSPの高さH2とを比較した場合には、高さH11が高さH2より高い場合がありうる。
サブスペーサSSPの一部は、配向膜AL2によって覆われている。サブスペーサSSPは、凹部CC1に重畳している。サブスペーサSSPの端部SSPEは、凹部CC1の内側に位置している。端部SSPEは、配向膜AL1から離間している。つまり、端部SSPEは、第1基板SUB1に接していない。端部SSPEは、端部MSPEよりも絶縁基板10に近接している。
In the second substrate SUB2, the sub spacer SSP is provided in contact with the lower surface OCB of the overcoat layer OC, similarly to the main spacer MSP. The sub spacer SSP and the main spacer MSP are formed by using the same material in the same process. Similar to the example shown in FIG. 1, the main spacer MSP has a height H1, the sub spacer SSP has a height H2, and the height H2 is higher than the height H1. The heights H1 and H2 here are defined as lengths along the third direction Z with the lower surface OCB as a reference, with the lower surface OCB of the overcoat layer OC corresponding to the second main surface 2B. is there. As described above, the lower surface 20B of the insulating substrate 20 may correspond to the second main surface 2B. In this case, the height H11 of the main spacer MSP and the height H12 of the sub spacer SSP can be defined as the length along the third direction Z with respect to the lower surface 20B. Even in such a case, the height H12 is higher than the height H11. However, when the height H11 of the main spacer MSP based on the lower surface 20B is compared with the height H2 of the sub spacer SSP based on the lower surface OCB, the height H11 may be higher than the height H2. sell.
A part of the sub spacer SSP is covered with the alignment film AL2. The sub spacer SSP overlaps the recess CC1. The end portion SSPE of the sub spacer SSP is located inside the recess CC1. The edge portion SSPE is separated from the alignment film AL1. That is, the edge portion SSPE is not in contact with the first substrate SUB1. The edge part SSPE is closer to the insulating substrate 10 than the edge part MSPE.

カラーフィルタ層CFと、メインスペーサMSP及びサブスペーサSSPとの位置関係に着目する。カラーフィルタ層CFは、互いに異なる色のカラーフィルタCF1乃至CF3を備えている。一例では、カラーフィルタCF1は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF2は赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタCF3は青色カラーフィルタである。サブスペーサSSPと重畳するカラーフィルタの個数は、メインスペーサMSPと重畳するカラーフィルタの個数より少ない。図示した例では、単一色のカラーフィルタCF1のみがサブスペーサSSPと重畳する一方で、複数色のカラーフィルタCF2及びCF3がメインスペーサMSPと重畳している。 Attention is paid to the positional relationship between the color filter layer CF and the main spacer MSP and the sub spacer SSP. The color filter layer CF includes color filters CF1 to CF3 having different colors. In one example, the color filter CF1 is a green color filter, the color filter CF2 is a red color filter, and the color filter CF3 is a blue color filter. The number of color filters overlapping the sub spacer SSP is smaller than the number of color filters overlapping the main spacer MSP. In the illustrated example, only the single color filter CF1 overlaps the sub spacer SSP, while the multiple color filters CF2 and CF3 overlap the main spacer MSP.

図9に示した構成例において、絶縁基板10は第1絶縁基板に相当し、絶縁基板20は第2絶縁基板に相当し、信号線S11及びS12は第1信号線及び第2信号線に相当し、絶縁膜13は第1有機絶縁膜に相当し、オーバーコート層OCは第2有機絶縁膜に相当する。 In the configuration example shown in FIG. 9, the insulating substrate 10 corresponds to the first insulating substrate, the insulating substrate 20 corresponds to the second insulating substrate, and the signal lines S11 and S12 correspond to the first signal line and the second signal line. However, the insulating film 13 corresponds to the first organic insulating film, and the overcoat layer OC corresponds to the second organic insulating film.

図10は、図9に示した第1基板SUB1の変形例を示す断面図である。図9に示した構成例と比較して、第1基板SUB1が金属配線ML11及びML12と、絶縁膜15と、を備えた点で相違している。凹部CC1において、画素電極PE11とドレイン電極DE11との間には、接続電極BE及びREが配置されている。なお、接続電極BE及びREのいずれかが省略されてもよい。金属配線ML11及びML12は、絶縁膜13及び15の間に位置している。接続電極BE、金属配線ML1及びML2は、同一の金属材料によって形成されている。図8に示した共通電極CE11は、絶縁膜15及び14の間に位置している。接続電極REは、共通電極CE11と同一の透明導電材料によって形成されている。一例では、絶縁膜13及び15は、有機絶縁膜であるが、絶縁膜15は、無機絶縁膜であってもよい。 FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the first substrate SUB1 shown in FIG. As compared with the configuration example shown in FIG. 9, the first substrate SUB1 is different in that the first substrate SUB1 includes metal wirings ML11 and ML12 and an insulating film 15. In the recess CC1, the connection electrodes BE and RE are arranged between the pixel electrode PE11 and the drain electrode DE11. Note that either of the connection electrodes BE and RE may be omitted. The metal wirings ML11 and ML12 are located between the insulating films 13 and 15. The connection electrode BE and the metal wirings ML1 and ML2 are formed of the same metal material. The common electrode CE11 shown in FIG. 8 is located between the insulating films 15 and 14. The connection electrode RE is formed of the same transparent conductive material as the common electrode CE11. In one example, the insulating films 13 and 15 are organic insulating films, but the insulating film 15 may be an inorganic insulating film.

このような変形例においては、凹部CC1は、絶縁膜13及び15の貫通孔によって形成される。絶縁膜13及び15が有機絶縁膜である場合、図9に示した構成例と比較して、より深い凹部CC1を形成することができる。このため、外部から押圧力が加わった際に、サブスペーサSSPが凹部CC1から離脱しにくくなり、第1基板SUB1と第2基板SUB2とのずれを抑制することができる。 In such a modified example, the recess CC1 is formed by a through hole in the insulating films 13 and 15. When the insulating films 13 and 15 are organic insulating films, a deeper recess CC1 can be formed as compared with the configuration example shown in FIG. Therefore, when a pressing force is applied from the outside, the sub spacer SSP is less likely to be separated from the recess CC1, and the displacement between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 can be suppressed.

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to provide the display device capable of suppressing the deterioration of the display quality.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples, and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and the gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.

DSP…表示装置 PNL…表示パネル MSP…メインスペーサ SSP…サブスペーサ CC…凹部 CH…貫通孔 AL…配向膜 S…信号線 G…走査線 DSP...Display device PNL...Display panel MSP...Main spacer SSP...Sub spacer CC...Recessed portion CH...Through hole AL...Alignment film S...Signal line G...Scanning line

Claims (14)

第1主面と、第1凹部と、を備えた第1基板と、
前記第1主面に対向する第2主面と、前記第2主面に設けられ前記第1主面に接するメインスペーサと、前記第2主面に設けられ前記第1基板から離間したサブスペーサと、を備えた第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に位置する液晶層と、を備え、
前記サブスペーサは、前記第1凹部の内部に位置する端部を有し、
前記メインスペーサは、第1高さを有し、
前記サブスペーサは、第2高さを有し、
前記第2高さは、前記第1高さより大きい、表示装置。
A first substrate having a first main surface and a first recess;
A second main surface facing the first main surface, a main spacer provided on the second main surface and in contact with the first main surface, and a sub-spacer provided on the second main surface and separated from the first substrate. And a second substrate including
A liquid crystal layer located between the first substrate and the second substrate,
The sub-spacer has an end located inside the first recess,
The main spacer has a first height,
The sub spacer has a second height,
The display device, wherein the second height is larger than the first height.
前記液晶層は、前記第1凹部と前記サブスペーサとの間に位置する、請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the liquid crystal layer is located between the first recess and the sub spacer. 前記第1凹部は、底部を有し、
前記底部と前記第2主面との間の第1距離は、前記第2高さより大きい、請求項2に記載の表示装置。
The first recess has a bottom,
The display device according to claim 2, wherein a first distance between the bottom portion and the second main surface is larger than the second height.
前記第1主面と前記第2主面との間の第2距離は、前記第1高さと同等であり、前記第2高さより小さい、請求項3に記載の表示装置。 The display device according to claim 3, wherein a second distance between the first main surface and the second main surface is equal to the first height and smaller than the second height. 前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、第1方向に並び、
前記サブスペーサは、前記第1方向に沿った第1長さと、前記第1方向に交差する第2方向に沿った第2長さと、を有し、
前記第1長さは、前記第2長さより大きい、請求項1に記載の表示装置。
The main spacer and the sub spacer are arranged in the first direction,
The sub spacer has a first length along the first direction and a second length along a second direction intersecting the first direction,
The display device according to claim 1, wherein the first length is greater than the second length.
前記メインスペーサは、前記第2方向に沿った第3長さを有し、
前記第3長さは、前記第2長さより大きい、請求項5に記載の表示装置。
The main spacer has a third length along the second direction,
The display device according to claim 5, wherein the third length is larger than the second length.
前記第1基板は、前記サブスペーサと前記メインスペーサとの間に位置する第2凹部を備え、
前記第2基板は、前記第1方向に沿って延出した遮光部を備え、
平面視で、前記遮光部は、前記サブスペーサ、前記第2凹部、及び、前記メインスペーサと重畳し、
前記遮光部は、前記サブスペーサと重畳する位置において第1幅を有し、前記第2凹部と重畳する位置において第2幅を有し、
前記第1幅は、前記第2幅と同等である、請求項6に記載の表示装置。
The first substrate includes a second recess located between the sub spacer and the main spacer,
The second substrate includes a light shielding portion extending along the first direction,
In a plan view, the light shielding portion overlaps the sub spacer, the second recess, and the main spacer,
The light-shielding portion has a first width at a position overlapping with the sub spacer and a second width at a position overlapping with the second recess,
The display device according to claim 6, wherein the first width is equal to the second width.
前記第1基板は、第3凹部を備え、
前記メインスペーサは、前記第2凹部と前記第3凹部との間に位置し、
前記第2凹部と前記第3凹部との間隔は、前記第1凹部と前記第2凹部との間隔より大きい、請求項7に記載の表示装置。
The first substrate includes a third recess,
The main spacer is located between the second recess and the third recess,
The display device according to claim 7, wherein a distance between the second concave portion and the third concave portion is larger than a distance between the first concave portion and the second concave portion.
前記第1基板は、第1絶縁基板と、前記第1絶縁基板と前記液晶層との間に位置する第1有機絶縁膜と、を備え、
前記第1有機絶縁膜は、貫通孔を有し、
前記第1凹部は、前記貫通孔によって形成される、請求項1に記載の表示装置。
The first substrate includes a first insulating substrate, and a first organic insulating film located between the first insulating substrate and the liquid crystal layer,
The first organic insulating film has a through hole,
The display device according to claim 1, wherein the first recess is formed by the through hole.
前記第1基板は、第1信号線と、第2信号線と、前記第1信号線と前記第2信号線との間に位置するドレイン電極と、を備え、
前記第1有機絶縁膜は、前記第1信号線及び前記第2信号線を覆い、
前記貫通孔は、前記ドレイン電極まで貫通している、請求項9に記載の表示装置。
The first substrate includes a first signal line, a second signal line, and a drain electrode located between the first signal line and the second signal line,
The first organic insulating film covers the first signal line and the second signal line,
The display device according to claim 9, wherein the through hole penetrates to the drain electrode.
前記第1信号線及び前記第2信号線は、第1方向に沿って間隔をおいて並び、
前記貫通孔は、前記第1信号線と前記第2信号線との間に位置し、前記第1方向に沿った幅を有し、
前記幅は、前記間隔より小さい、請求項10に記載の表示装置。
The first signal line and the second signal line are arranged at intervals along the first direction,
The through hole is located between the first signal line and the second signal line, and has a width along the first direction,
The display device according to claim 10, wherein the width is smaller than the interval.
前記第2基板は、第2絶縁基板と、第2有機絶縁膜と、前記第2絶縁基板と前記第2有機絶縁膜との間に位置するカラーフィルタ層と、を備え、
前記カラーフィルタ層は、前記サブスペーサと重畳する単一色のカラーフィルタと、前記メインスペーサと重畳する複数色のカラーフィルタと、を備える、請求項1に記載の表示装置。
The second substrate includes a second insulating substrate, a second organic insulating film, and a color filter layer located between the second insulating substrate and the second organic insulating film,
The display device according to claim 1, wherein the color filter layer includes a color filter of a single color that overlaps with the sub spacer and a color filter of a plurality of colors that overlaps with the main spacer.
前記第2基板は、第2絶縁基板と、前記第2主面を有する第2有機絶縁膜と、を備え、
前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、それぞれ前記第2主面を基準とした前記第1高さ及び前記第2高さを有している、請求項1に記載の表示装置。
The second substrate includes a second insulating substrate and a second organic insulating film having the second main surface,
The display device according to claim 1, wherein each of the main spacer and the sub spacer has the first height and the second height with respect to the second main surface.
前記第2基板は、前記第2主面を有する第2絶縁基板を備え、
前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、それぞれ前記第2主面を基準とした前記第1高さ及び前記第2高さを有している、請求項1に記載の表示装置。
The second substrate includes a second insulating substrate having the second main surface,
The display device according to claim 1, wherein each of the main spacer and the sub spacer has the first height and the second height with respect to the second main surface.
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