JP2020118729A - 積層体、楕円偏光板および重合性液晶組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]垂直配向液晶硬化膜と基材とを含む積層体であって、
前記垂直配向液晶硬化膜が、重合性液晶化合物が該液晶硬化膜平面に対して垂直方向に配向した状態で硬化した重合性液晶組成物の硬化物であり、
前記垂直配向液晶硬化膜が、下記式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、下記式(3)、(4)、(5)および(6)のうちの少なくとも1つを満たす、積層体。
F(A)>F(C) (1)
Si(A)>Si(C) (2)
N(B)>N(C) (3)
P(B)>P(C) (4)
F(B)>F(C) (5)
Si(B)>Si(C) (6)
〔式(1)〜(6)中、
F(A)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
F(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
F(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(A)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
N(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中の窒素元素の存在比率(atom%)を表し、
N(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中の窒素元素の存在比率(atom%)を表し、
P(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のリン元素の存在比率(atom%)を表し、
P(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のリン元素の存在比率(atom%)を表す。〕
[2]垂直配向液晶硬化膜と基材とが隣接して存在する、前記[1]に記載の積層体。
[3]前記式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、前記式(3)および(4)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、前記式(5)および(6)のうちの少なくとも1つを満たす、前記[1]または[2]に記載の積層体。
[4]前記式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、前記式(3)、(4)、(5)および(6)のうちの少なくとも3つを満たす、前記[1]〜[3]のいずれかに記載の積層体。
[5]垂直配向液晶硬化膜がレベリング剤を含む、前記[1]〜[4]のいずれかに記載の積層体。
[6]前記レベリング剤がフッ素元素またはケイ素元素を含む、前記[1]〜[5]のいずれかに記載の積層体。
[7]垂直配向液晶硬化膜が非金属原子からなるイオン性化合物を含む、前記[1]〜[6]のいずれかに記載の積層体。
[8]垂直配向液晶硬化膜が非金属原子からなるイオン性化合物を含み、該イオン性化合物の分子量が100以上10,000以下である、前記[1]〜[7]のいずれかに記載の積層体。
[9]垂直配向液晶硬化膜がホスホニウム塩またはアンモニウム塩からなるイオン性化合物を含む、前記[1]〜[8]のいずれかに記載の積層体。
[10]垂直配向液晶硬化膜が、非イオン性シラン化合物を含む、前記[1]〜[9]のいずれかに記載の積層体。
[11]垂直配向液晶硬化膜が非イオン性シラン化合物を含み、該非イオン性シラン化合物がシランカップリング剤である、前記[1]〜[10]のいずれかに記載の積層体。
[12]垂直配向液晶硬化膜が非イオン性シラン化合物とイオン性化合物とを含む、前記[1]〜[11]のいずれかに記載の積層体。
[13]垂直配向液晶硬化膜の膜厚が0.3μm以上5.0μm以下である、前記[1]〜[12]のいずれかに記載の積層体。
[14]垂直配向液晶硬化膜が下記式(7)を満たす、前記[1]〜[13]のいずれかに記載の積層体。
−150≦RthC(550)≦−30 (7)
〔式(7)中、RthC(550)は垂直配向液晶硬化膜の波長550nmにおける厚み方向の位相差値を示す。〕
[15]垂直配向液晶硬化膜が下記式(8)を満たす、前記[1]〜[14]のいずれかに記載の積層体。
RthC(450)/RthC(550)≦1.0 (8)
〔式(8)中、RthC(450)は垂直配向液晶硬化膜の波長450nmにおける厚み方向の位相差値を示し、RthC(550)は垂直配向液晶硬化膜の波長550nmにおける厚み方向の位相差値を示す。〕
[16]水平配向位相差フィルムをさらに含む、前記[1]〜[15]のいずれかに記載の積層体。
[17]水平配向位相差フィルムが、少なくとも1つの重合性液晶化合物が該位相差フィルムの面内方向に対して水平に配向した状態で硬化してなる水平配向液晶硬化膜である、前記[16]に記載の積層体。
[18]前記[16]または[17]に記載の積層体と、偏光フィルムとを含む楕円偏光板。
[19]積層体を構成する水平配向位相差フィルムの遅相軸と、偏光フィルムの吸収軸とのなす角が45±5°である、前記[18]に記載の楕円偏光板。
[20]前記[18]または[19]に記載の楕円偏光板を含む、有機EL表示装置。
[21]波長350nmにおける吸光度が0.10以下である重合性液晶化合物、レベリング剤、並びに、非金属原子からなるイオン性化合物および非イオン性シラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む重合性液晶組成物。
[22]波長350nmにおける吸光度が0.10以下である重合性液晶化合物、レベリング剤、非金属原子からなるイオン性化合物および非イオン性シラン化合物を含む、前記[21]に記載の重合性液晶組成物。
[23]波長350nmにおける吸光度が0.10以下である重合性液晶化合物が、式(Y)で表される構造を含む重合性液晶化合物である、前記[21]または[22]に記載の重合性液晶組成物。
P11−B11−E11−B12−A11−B13 (Y)
[式(Y)中、P11は、重合性基を表わす。
A11は、2価の脂環式炭化水素基または2価の芳香族炭化水素基を表わす。
B11は、−O−、−S−、−CO−O−、−O−CO−、−O−CO−O−、−CO−NR16−、−NR16−CO−、−CO−、−CS−または単結合を表わす。R16は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表わす。
B12およびB13は、それぞれ独立に、−C≡C−、−CH=CH−、−CH2−CH2−、−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−CH=N−、−N=CH−、−N=N−、−C(=O)−NR16−、−NR16−C(=O)−、−OCH2−、−OCF2−、−CH2O−、−CF2O−、−CH=CH−C(=O)−O−、−O−C(=O)−CH=CH−、−H、−C≡Nまたは単結合を表わす。
E11は、炭素数1〜12のアルカンジイル基を表わし、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、炭素数1〜5のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アルコキシ基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。また、該アルカンジイル基を構成する−CH2−は、−O−または−CO−に置き換わっていてもよい。]
本発明の積層体を構成する垂直配向液晶硬化膜は、下記式(1)および(2)のうち少なくとも1つを満たし、かつ、下記式(3)、(4)、(5)および(6)のうちの少なくとも1つを満たす。
F(A)>F(C) (1)
Si(A)>Si(C) (2)
N(B)>N(C) (3)
P(B)>P(C) (4)
F(B)>F(C) (5)
Si(B)>Si(C) (6)
F(A)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
F(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
F(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(A)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
N(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中の窒素元素の存在比率(atom%)を表し、
N(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中の窒素元素の存在比率(atom%)を表し、
P(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のリン元素の存在比率(atom%)を表し、
P(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のリン元素の存在比率(atom%)を表す。
a)式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、式(3)および(4)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、式(5)および(6)のうちの少なくとも1つを満たす。
b)式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、式(3)〜(6)のうちの少なくとも3つを満たす。
c)式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、少なくとも式(3)および(4)のうちの少なくとも1つを満たし、更に式(5)および(6)を同時に満たす。
重合性液晶化合物が垂直方向に配向しやすいことから、上記(b)の態様が好ましく、より高い精度で重合性液晶化合物が垂直に配向しやすくなることから、上記(c)の態様がより好ましい。
クロライドアニオン〔Cl−〕、
ブロマイドアニオン〔Br−〕、
ヨーダイドアニオン〔I−〕、
テトラクロロアルミネートアニオン〔AlCl4 −〕、
ヘプタクロロジアルミネートアニオン〔Al2Cl7 −〕、
テトラフルオロボレートアニオン〔BF4 −〕、
ヘキサフルオロホスフェートアニオン〔PF6 −〕、
パークロレートアニオン〔ClO4 −〕、
ナイトレートアニオン〔NO3 −〕、
アセテートアニオン〔CH3COO−〕、
トリフルオロアセテートアニオン〔CF3COO−〕、
フルオロスルホネートアニオン〔FSO3 −〕、
メタンスルホネートアニオン〔CH3SO3 −〕、
トリフルオロメタンスルホネートアニオン〔CF3SO3 −〕、
p−トルエンスルホネートアニオン〔p−CH3C6H4SO3 −〕、
ビス(フルオロスルホニル)イミドアニオン〔(FSO2)2N−〕、
ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミドアニオン〔(CF3SO2)2N−〕、
トリス(トリフルオロメタンスルホニル)メタニドアニオン〔(CF3SO2)3C−〕、
ヘキサフルオロアーセネートアニオン〔AsF6 −〕、
ヘキサフルオロアンチモネートアニオン〔SbF6 −〕、
ヘキサフルオロニオベートアニオン〔NbF6 −〕、
ヘキサフルオロタンタレートアニオン〔TaF6 −〕、
ジメチルホスフィネートアニオン〔(CH3)2POO−〕、
(ポリ)ハイドロフルオロフルオライドアニオン〔F(HF)n −〕(たとえば、nは1〜3の整数を表す)、
ジシアナミドアニオン〔(CN)2N−〕、
チオシアンアニオン〔SCN−〕、
パーフルオロブタンスルホネートアニオン〔C4F9SO3 −〕、
ビス(ペンタフルオロエタンスルホニル)イミドアニオン〔(C2F5SO2)2N−〕、
パーフルオロブタノエートアニオン〔C3F7COO−〕、および
(トリフルオロメタンスルホニル)(トリフルオロメタンカルボニル)イミドアニオン〔(CF3SO2)(CF3CO)N−〕。
N−ヘキシルピリジニウム ヘキサフルオロホスフェート、
N−オクチルピリジニウム ヘキサフルオロホスフェート、
N−メチル−4−ヘキシルピリジニウム ヘキサフルオロホスフェート、
N−ブチル−4−メチルピリジニウム ヘキサフルオロホスフェート、
N−オクチル−4−メチルピリジニウム ヘキサフルオロホスフェート、
N−ヘキシルピリジニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
N−オクチルピリジニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
N−メチル−4−ヘキシルピリジニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
N−ブチル−4−メチルピリジニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
N−オクチル−4−メチルピリジニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
N−ヘキシルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−オクチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−メチル−4−ヘキシルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−ブチル−4−メチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−オクチル−4−メチルピリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−ヘキシルピリジニウム p−トルエンスルホネート、
N−オクチルピリジニウム p−トルエンスルホネート、
N−メチル−4−ヘキシルピリジニウム p−トルエンスルホネート、
N−ブチル−4−メチルピリジニウム p−トルエンスルホネート、および
N−オクチル−4−メチルピリジニウム p−トルエンスルホネート。
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ヘキサフルオロホスフェート、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1−エチル−3−メチルイミダゾリウム p−トルエンスルホネート、
1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム メタンスルホネートなど。
N−ブチル−N−メチルピロリジニウム ヘキサフルオロホスフェート、
N−ブチル−N−メチルピロリジニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
N−ブチル−N−メチルピロリジニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−ブチル−N−メチルピロリジニウム p−トルエンスルホネートなど。
テトラブチルアンモニウム ヘキサフルオロホスフェート、
テトラブチルアンモニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
テトラヘキシルアンモニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
トリオクチルメチルアンモニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム ビス(フルオロスルホニル)イミド、
テトラブチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
テトラヘキシルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
トリオクチルメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
テトラブチルアンモニウム p−トルエンスルホネート、
テトラヘキシルアンモニウム p−トルエンスルホネート、
トリオクチルメチルアンモニウム p−トルエンスルホネート、
(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム p−トルエンスルホネート、
(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム ジメチルホスフィネート
1−(3−トリメトキシシリルプロピル)−1,1,1−トリブチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1−(3−トリメトキシシリルプロピル)−1,1,1−トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1−(3−トリメトキシシリルブチル)−1,1,1−トリブチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1−(3−トリメトキシシリルブチル)−1,1,1−トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
N−{(3−トリエトキシシリルプロピル)カルバモイルオキシエチル)}−N,N,N−トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、および
N−[2−{3−(3−トリメトキシシリルプロピルアミノ)−1−オキソプロポキシ}エチル]−N,N,N−トリメチルアンモニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド。
トリブチル(2−メトキシエチル)ホスホニウム ビス (トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
トリブチルメチルホスホニウムビス (トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1,1,1−トリメチル−1−[(トリメトキシシリル)メチル]ホスホニウム ビス (トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1,1,1−トリメチル−1−[2−(トリメトキシシリル)エチル]ホスホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1,1,1−トリメチル−1−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]ホスホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1,1,1−トリメチル−1−[4−(トリメトキシシリル)ブチル]ホスホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1,1,1−トリブチル−1−[(トリメトキシシリル)メチル]ホスホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、
1,1,1−トリブチル−1−[2−(トリメトキシシリル)エチル]ホスホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、および
1,1,1−トリブチル−1−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]ホスホニウム ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド。
これらの非金属原子からなるイオン性化合物はそれぞれ単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、ホスホニウム塩または窒素原子上に正の電荷を有するアンモニウム塩(前述のピリジニウム塩やイミダゾリウム塩等を含む)からなるイオン性化合物が好ましく、分子構造中にフッ素元素を含むアニオンを対アニオンとするホスホニウム塩またはアンモニウム塩からなるイオン性化合物がより好ましい。
5<M<16 (9)
式(9)中、Mは下記式(10)で表される。
M=(プラスの電荷を有する原子上に直接結合される置換基の内、分子鎖末端までの共有結合数が最も多い置換基の、プラスの電荷を有する原子から分子鎖末端までの共有結合数)÷(プラスの電荷を有する原子の数) (10)
イオン性化合物が上記(9)を満たすことにより、重合性液晶化合物の垂直配向性を効果的に向上させることができる。
(A)ネマチック相またはスメクチック相を形成し得る化合物である。
(B)該重合性液晶化合物の長軸方向(a)上にπ電子を有する。
(C)長軸方向(a)に対して交差する方向〔交差方向(b)〕上にπ電子を有する。
(D)長軸方向(a)に存在するπ電子の合計をN(πa)、長軸方向に存在する分子量の合計をN(Aa)として下記式(i)で定義される重合性液晶化合物の長軸方向(a)のπ電子密度:
D(πa)=N(πa)/N(Aa) (i)
と、交差方向(b)に存在するπ電子の合計をN(πb)、交差方向(b)に存在する分子量の合計をN(Ab)として下記式(ii)で定義される重合性液晶化合物の交差方向(b)のπ電子密度:
D(πb)=N(πb)/N(Ab) (ii)
とが、式(iii)
0≦〔D(πa)/D(πb)〕<1 (iii)
の関係にある〔すなわち、交差方向(b)のπ電子密度が、長軸方向(a)のπ電子密度よりも大きい〕。また、上記記載のように長軸およびそれに対して交差方向上にπ電子を有する重合性液晶化合物は、例えばT字構造となる。
・長軸方向(a)は、例えば棒状構造を有する化合物であれば、その棒状の長軸方向である。
・長軸方向(a)上に存在するπ電子数N(πa)には、重合反応により消失するπ電子は含まない。
・長軸方向(a)上に存在するπ電子数N(πa)には、長軸上のπ電子およびこれと共役するπ電子の合計数であり、例えば長軸方向(a)上に存在する環であって、ヒュッケル則を満たす環に存在するπ電子の数が含まれる。
・交差方向(b)に存在するπ電子数N(πb)には、重合反応により消失するπ電子は含まない。
上記を満たす重合性液晶化合物は、長軸方向にメソゲン構造を有している。このメソゲン構造によって、液晶相(ネマチック相、スメクチック相)を発現する。
G1およびG2はそれぞれ独立に、二価の芳香族基または二価の脂環式炭化水素基を表す。ここで、該二価の芳香族基または二価の脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のフルオロアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、シアノ基またはニトロ基に置換されていてもよく、該二価の芳香族基または二価の脂環式炭化水素基を構成する炭素原子が、酸素原子、硫黄原子または窒素原子に置換されていてもよい。
L1、L2、B1およびB2はそれぞれ独立に、単結合または二価の連結基である。
k、lは、それぞれ独立に0〜3の整数を表し、1≦k+lの関係を満たす。ここで、2≦k+lである場合、B1およびB2、G1およびG2は、それぞれ互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
E1およびE2はそれぞれ独立に、炭素数1〜17のアルカンジイル基を表し、ここで、炭素数4〜12のアルカンジイル基がより好ましい。また、アルカンジイル基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子で置換されていてもよく、該アルカンジイル基に含まれる−CH2−は、−O−、−S−、−SiH2−、−C(=O)−で置換されていてもよい。
P1およびP2は互いに独立に、重合性基または水素原子を表し、少なくとも1つは重合性基である。
また、複数存在するG1およびG2のうち少なくとも1つは二価の脂環式炭化水素基であることが好ましく、また、L1またはL2に結合するG1およびG2のうち少なくとも1つは二価の脂環式炭化水素基であることがより好ましい。
[式(Y)中、P11は、重合性基を表わす。
A11は、2価の脂環式炭化水素基または2価の芳香族炭化水素基を表わす。
B11は、−O−、−S−、−CO−O−、−O−CO−、−O−CO−O−、−CO−NR16−、−NR16−CO−、−CO−、−CS−または単結合を表わす。R16は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表わす。
B12およびB13は、それぞれ独立に、−C≡C−、−CH=CH−、−CH2−CH2−、−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−CH=N−、−N=CH−、−N=N−、−C(=O)−NR16−、−NR16−C(=O)−、−OCH2−、−OCF2−、−CH2O−、−CF2O−、−CH=CH−C(=O)−O−、−O−C(=O)−CH=CH−、−H、−C≡Nまたは単結合を表わす。
E11は、炭素数1〜12のアルカンジイル基を表わし、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、炭素数1〜5のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アルコキシ基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。また、該アルカンジイル基を構成する−CH2−は、−O−または−CO−に置き換わっていてもよい。]
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−1,3−ジイル基、ブタン−1,4−ジイル基、ペンタン−1,5−ジイル基、へキサン−1,6−ジイル基、へプタン−1,7−ジイル基、オクタン−1,8−ジイル基、ノナン−1,9−ジイル基、デカン−1,10−ジイル基、ウンデカン−1,11−ジイル基およびドデカン−1,12−ジイル基等の炭素数1〜12の直鎖状アルカンジイル基;−CH2−CH2−O−CH2−CH2−、−CH2−CH2−O−CH2−CH2−O−CH2−CH2−および−CH2−CH2−O−CH2−CH2−O−CH2−CH2−O−CH2−CH2−等が挙げられる。
B11としては、−O−、−S−、−CO−O−、−O−CO−が好ましく、中でも、−CO−O−がより好ましい。
B12およびB13としては、それぞれ独立に、−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−、−O−C(=O)−O−が好ましく、中でも、−O−または−O−C(=O)−O−がより好ましい。
R17〜R21はそれぞれ独立に、炭素数1〜6のアルキル基または水素原子を表わす。]
P11−B11−で表わされる基が、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基であることがさらに好ましい。
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-B16-E12-B17-P12 (I)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-A14-F11 (II)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-B15-E12-B17-P12 (III)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-A13-F11 (IV)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-B14-E12-B17-P12 (V)
P11-B11-E11-B12-A11-B13-A12-F11 (VI)
(式中、
A11、B11〜B13およびP11は上記と同義であり、
A12〜A14はそれぞれ独立に、A11と同義であり、B14〜B16はそれぞれ独立に、B12と同義であり、B17はB11と同義であり、E12はE11と同義であり、P12はP11と同義である。
F11は、水素原子、炭素数1〜13のアルキル基、炭素数1〜13のアルコキシ基、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ジメチルアミノ基、ヒドロキシ基、メチロール基、ホルミル基、スルホ基(−SO3H)、カルボキシル基、炭素数1〜10のアルコキシカルボニル基またはハロゲン原子を表わし、該アルキル基およびアルコキシ基を構成する−CH2−は、−O−に置き換っていてもよい。)
−150nm≦RthC(550)≦−30nm (7)
式(7)中、RthC(550)は波長550nmにおける垂直配向液晶硬化膜の膜厚方向の位相差値を表す。黒表示時の斜方反射色相をさらに向上させ得る観点から、垂直配向液晶硬化膜の膜厚方向の位相差値RthC(550)は、より好ましくは−130nm以上、さらに好ましくは−100nm以上、特に好ましくは−90nm以上であり、また、より好ましくは−40nm以下、さらに好ましくは−50nm以下である。
RthC(450)/RthC(550)≦1.0 (8)
〔式(8)中、RthC(λ)は波長λnmにおける垂直配向液晶硬化膜の膜厚方向の位相差値を表す。〕
上記式(8)を満たすことにより、該垂直配向液晶硬化膜を含む積層体において短波長側で楕円率の低下を抑制することができ、黒表示時の斜方反射色相を向上させることができる。垂直配向液晶硬化膜におけるRthC(450)/RthC(550)の値は、より好ましくは0.95以下、さらに好ましくは0.92以下であり、特に好ましくは0.9以下であり、また、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.75以上、さらに好ましくは0.8以上である。
RthC(λ)=((nxC(λ)+nyC(λ))/2−nzC(λ))×dC
(ここで、式中nxC(λ)は波長λnmにおける垂直配向液晶硬化膜の面内主屈折率、nyC(λ)は波長λnmにおける、nxC(λ)に対して面内で直交する方向の屈折率、nzC(λ)は波長λnmにおける垂直配向液晶硬化膜の厚み方向の屈折率を示し、nxC(λ)=nyC(λ)である場合には、nxC(λ)はフィルム面内で任意の方向の屈折率とすることができ、dCは垂直配向液晶硬化膜の膜厚を示す)
によって決定されることから、所望の膜厚方向の位相差値RthC(λ)を得るためには、3次元屈折率と膜厚dCとを調整すればよい。なお、3次元屈折率は、前述した重合性液晶化合物の分子構造並びに配向状態に依存する。
積層体の薄型化、基材の剥離容易性、基材のハンドリング性等の観点から、基材の厚みは、通常、5〜300μmであり、好ましくは10〜150μmである。
本発明の積層体は、例えば、
重合性液晶化合物を含む垂直配向液晶硬化膜形成用の重合性液晶組成物を基材上に塗布して塗膜を得る工程、
前記塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を形成する工程、および、
乾燥塗膜に活性エネルギー線を照射し、垂直配向液晶硬化膜を形成する工程
を含む方法により製造することができる。
なお、液晶相転移温度は、例えば、温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡や、示差走査熱量計(DSC)、熱重量示差熱分析装置(TG−DTA)等を用いて測定することができる。また、重合性液晶化合物として2種以上を組み合わせて用いる場合、上記相転移温度は、重合性液晶組成物を構成する全重合性液晶化合物を重合性液晶組成物における組成と同じ比率で混合した重合性液晶化合物の混合物を用いて、1種の重合性液晶化合物を用いる場合と同様にして測定される温度を意味する。なお、一般に前記重合性液晶組成物中における重合性液晶化合物の液晶相転移温度は、重合性液晶化合物単体としての液晶相転移温度よりも下がる場合もあることが知られている。
本発明の積層体を構成し得る水平配向位相差フィルムは、垂直配向液晶硬化膜の面内方向に対して水平方向に配向した位相差フィルムを意味し、例えば、延伸フィルムや、重合性液晶化合物を含む重合性液晶組成物の硬化物であって、重合性液晶化合物が該位相差フィルム平面に対して水平方向に配向した状態で硬化してなる硬化物(以下、「水平配向液晶硬化膜」ともいう)などであってよい。
ReA(450)/ReA(550)≦1.0 (11)
〔式(11)中、ReA(λ)は波長λnmにおける水平配向位相差フィルムの面内位相差値を表し、ReA(λ)=(nxA(λ)−nyA(λ))×dAである(式中、nxA(λ)は水平配向位相差フィルム面内における波長λnmでの主屈折率を表し、nyA(λ)はnxAと同一面内でnxAの方向に対して直交する方向の波長λnmでの屈折率を表し、dAは水平配向位相差フィルムの膜厚を示す)〕
120nm≦ReA(550)≦170nm (12)
〔式(12)中、ReA(λ)は上記と同じ意味である〕
水平配向位相差フィルムの面内位相差ReA(550)が式(12)の範囲内であると、該水平配向位相差フィルムを含む積層体(楕円偏光板)を有機EL表示装置に適用した場合の黒表示時の正面反射色相を向上させる効果(着色を抑制させる効果)が顕著になる。面内位相差値のさらに好ましい範囲は、130nm≦ReA(550)≦150nmである。
水平配向液晶硬化膜形成用の重合性液晶組成物を基材または水平配向膜上に塗布して塗膜を得る工程、
前記塗膜を乾燥させて乾燥塗膜を形成する工程、および、
乾燥塗膜に活性エネルギー線を照射し、水平配向液晶硬化膜を形成する工程
を含む方法により製造することができる。
本発明は、本発明の積層体と偏光フィルムとを含む楕円偏光板を包含する。
偏光フィルムは、偏光機能を有するフィルムであり、吸収異方性を有する色素を吸着させた延伸フィルムや吸収異方性を有する色素を塗布したフィルムを偏光子として含むフィルム等が挙げられる。吸収異方性を有する色素としては、例えば、二色性色素が挙げられる。
表示装置とは、表示素子を有する装置であり、発光源として発光素子または発光装置を含む。表示装置としては、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置、無機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置、タッチパネル表示装置、電子放出表示装置(例えば電場放出表示装置(FED)、表面電界放出表示装置(SED))、電子ペーパー(電子インクや電気泳動素子を用いた表示装置、プラズマ表示装置、投射型表示装置(例えばグレーティングライトバルブ(GLV)表示装置、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を有する表示装置)および圧電セラミックディスプレイなどが挙げられる。液晶表示装置は、透過型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、直視型液晶表示装置および投写型液晶表示装置などのいずれをも含む。これらの表示装置は、2次元画像を表示する表示装置であってもよいし、3次元画像を表示する立体表示装置であってもよい。特に本発明の楕円偏光板は、配向精度が高く、光学特性に優れることから有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置に好適に用いることができ、本発明の積層体は液晶表示装置およびタッチパネル表示装置に好適に用いることができる。本発明の積層体または楕円偏光板を用いることにより、表示装置の薄型化を実現しやすく、光学特性に優れ、良好な画像表示特性を発現することのできる表示装置を得ることが可能となる。
(1)重合性液晶化合物の調製
下記分子構造を有する重合性液晶化合物(X1)、重合性液晶化合物(X2)および重合性液晶化合物(X3)を、それぞれ調製した。重合性液晶化合物(X1)は、特開2010−31223号公報に記載の方法に準じて製造した。また、重合性液晶化合物(X2)は、特開2009−173893号公報に記載の方法に準じて製造した。重合性液晶化合物(X3)は特開2011−207765号公報を参考にして調製した。
まず、テトラヒドロフラン50mLに重合性液晶化合物(X1)1mgを溶解させて溶液を得た。測定用試料として得られた溶液を光路長1cmの測定用セルに入れ、測定用試料を紫外可視分光光度計(株式会社島津製作所製「UV−2450」)にセットして吸収スペクトルを測定し、得られた吸収スペクトルから波長350nmにおける吸光度を測定したところ、0.05以下であることを確認した。
重合性液晶化合物(X1)と、重合性液晶化合物(X2)と、重合性液晶化合物(X3)とを質量比83:14:3で混合し、混合物を得た。得られた混合物100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)1.5質量部、特願2016−514802号を参考にして調製したイオン性化合物A(分子量:645)2.0質量部、シランカップリング剤「KBE−9103」(信越化学工業株式会社製)0.5質量部、光重合開始剤としてIrgacureOXE−03(BASFジャパン株式会社製)4質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
日本ゼオン社製COPフィルム(ZF14−50)にコロナ処理を実施後、バーコーターを用いて垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を塗布し、120℃で60秒間加熱した後、120℃に加熱したままの状態で高圧水銀ランプ(ユニキュアVB−15201BY−A、ウシオ電機株式会社製)を用いて、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を塗布した面から紫外線を照射(窒素雰囲気下、波長365nmにおける積算光量:500mJ/cm2)することにより、垂直配向液晶硬化膜を形成した。得られた垂直配向液晶硬化膜の膜厚をエリプソメータ(日本分光株式会社製M−220)で測定したところ、1.2μmmであった。
前記手順にて作製した基材および垂直配向液晶硬化膜から成る積層体の垂直配向液晶硬化膜面にコロナ処理を実施し、リンテック社製25μm感圧式粘着剤を介してガラスに貼合後、基材を剥離した。得られたガラス、粘着剤および垂直配向液晶硬化膜からなる積層体について、王子計測機器株式会社製KOBRA−WPRを使用して光学特性測定用サンプルへの光の入射角を変化させて正面位相差値、および進相軸中心に40°傾斜させたときの位相差値を測定した。
各波長における平均屈折率は日本分光株式会社製のエリプソメータ M−220を用いて測定した。また、膜厚は浜松ホトニクス株式会社製のOptical NanoGauge膜厚計C12562−01を使用して測定した。前述の正面位相差値、進相軸中心に40°傾斜させたときの位相差値、平均屈折率、膜厚の値から、王子計測機器技術資料(http://www.oji−keisoku.co.jp/products/kobra/reference.html)を参考に3次元屈折率を算出した。得られた3次元屈折率から、以下の式に従って各垂直配向液晶硬化膜の光学特性を計算し、Rth(450)、Rth(550)、Rth(450)/Rth(550)の値を算出した。結果を表5に示す。
RthC(λ)=((nxC(λ)+nyC(λ))/2−nzC(λ))×dC
なお、RthC(λ)は波長λnmにおける垂直配向液晶硬化膜の膜厚方向の位相差値を表す。また、nxC(λ)は波長λnmにおける垂直配向液晶硬化膜の面内主屈折率、nyC(λ)は波長λnmにおける、nxC(λ)に対して面内で直交する方向の屈折率、nzC(λ)は波長λnmにおける垂直配向液晶硬化膜の厚み方向の屈折率を示し、nxC(λ)=nyC(λ)である場合には、nxC(λ)はフィルム面内で任意の方向の屈折率とすることができ、dCは垂直配向液晶硬化膜の膜厚を示す。
前記手順にて作製した基材および垂直配向液晶硬化膜から成る積層体の垂直配向液晶硬化膜面をリンテック社製感圧式粘着剤(25μm)を介して5×5cm×厚み0.7mmのガラスに貼合し、基材のみを剥離した。得られたサンプルに対して、偏光顕微鏡(オリンパス株式会社製「BX−51」)を用いて、倍率200倍の条件で観察し、視野480μm×320μmにおける配向欠陥数をカウントした。ここで、測定用サンプルに起因する配向欠陥数のみをカウントし、サンプル以外の環境異物等に起因する欠陥数は除外しカウントしなかった。偏光顕微鏡での観察結果から、以下の評価基準に基づいて積層体(垂直配向液晶硬化膜)の配向性を評価した。〇であれば配向性に優れると判断し、△であれば光学特性に影響を与えない程度に良好な配向性であると判断した。結果を表9に示す。
評価基準:
○(非常に良い):配向欠陥数が0個以上5個以下である。
△(良い):配向欠陥数が6個以上20個以下である。
×(悪い):配向欠陥数が21個以上であるか、又は全く配向していない。
前述の方法にて作製した垂直配向液晶硬化膜および基材からなる積層体のうち、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面(垂直配向液晶硬化膜の非基材側界面A)の構成元素を、下記表1に記載の条件にてXPS(サーモフィッシャー・サイエンティフィック社製K−Alpha+)により分析した。
次に、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から、以下表1に記載のエッチング条件にてArガスクラスターイオンビームによりエッチングを実施しながらXPSにより元素情報を確認し、基材とは反対側の界面から基材側の界面まで到達するまでのエッチング時間を確認した後に、基材とは反対側の界面から100nm地点における元素分析情報を抽出することで、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点(中間点C)における液晶硬化膜中の構成元素を確認した。
最後に、垂直配向液晶硬化膜と基材から成る積層体の内、垂直配向液晶硬化膜側をリンテック社製感圧式粘着剤(25μm)を介して別途準備したTACフィルム(コニカミノルタ社製KC4UY)に貼合し、元の積層体中の基材COPフィルム(ZF14−50)を剥離した後、得られたサンプルの基材剥離面側(垂直配向液晶硬化膜の基材側界面B)の構成元素を同様にXPSにて分析した。結果を表2に示す。
垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物の調製、および垂直配向液晶硬化膜の形成を以下の通り変更したこと、および構成元素の分析の際にエッチングレートを100sec×35timesに変更したこと以外は、実施例1と同様にして垂直配向液晶硬化膜を製造、構成元素を確認し、光学特性および配向性を評価した。表3および表9に結果を示す。
液晶化合物(X2)100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)0.25質量部、特願2016−514802号を参考にして調製したイオン性化合物A(分子量:645)2.0質量部、シランカップリング剤「KBE−9103」(信越化学工業株式会社製)0.5質量部、光重合開始剤として2−ジメチルアミノ−2−ベンジル−1−(4−モルホリノフェニル)ブタン−1−オン(BASFジャパン株式会社製「イルガキュア(登録商標)369(Irg369)」)6質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
日本ゼオン社製COPフィルム(ZF14−50)にコロナ処理を実施後、バーコーターを用いて垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を塗布し、120℃で60秒間加熱した後、120℃に加熱したままの状態で高圧水銀ランプ(ユニキュアVB−15201BY−A、ウシオ電機株式会社製)を用いて、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を塗布した面から紫外線を照射(窒素雰囲気下、波長365nmにおける積算光量:500mJ/cm2)することにより、垂直配向液晶硬化膜を形成した。得られた垂直配向液晶硬化膜の膜厚をエリプソメータ(日本分光株式会社製M−220)で測定したところ、0.6μmであった。
垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物の調製方法を以下の通り変更したこと、および構成元素の分析の際にエッチングレートを5sec×50timesに変更したこと以外は、実施例1と同様にして垂直配向液晶硬化膜を製造、構成元素を確認し、光学特性および配向性を評価した。表4および表9に結果を示す。
重合性液晶化合物(X1)と、重合性液晶化合物(X2)を質量比90:10で混合し、混合物を得た。得られた混合物100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)0.25質量部、特願2016−514802号を参考にして調製したイオン性化合物A(分子量:645)2.0質量部、シランカップリング剤「KBE−9103」(信越化学工業株式会社製)0.5質量部、光重合開始剤として2−ジメチルアミノ−2−ベンジル−1−(4−モルホリノフェニル)ブタン−1−オン(BASFジャパン株式会社製「イルガキュア(登録商標)369(Irg369)」)6質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物の調製方法を以下の通り変更したこと、および構成元素の分析の際にエッチングレートを5sec×50timesに変更したこと以外は、実施例1と同様にして垂直配向液晶硬化膜を製造、構成元素を確認し、光学特性および配向性を評価した。表5および表9に結果を示す。
重合性液晶化合物(X1)と、重合性液晶化合物(X2)を質量比90:10で混合し、混合物を得た。得られた混合物100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)0.25質量部、特願2016−514802号を参考にして調製したイオン性化合物A(分子量:645)3.0質量部、シランカップリング剤「KBE−9103」(信越化学工業株式会社製)1.0質量部、光重合開始剤として2−ジメチルアミノ−2−ベンジル−1−(4−モルホリノフェニル)ブタン−1−オン(BASFジャパン株式会社製「イルガキュア(登録商標)369(Irg369)」)6質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物の調製方法を以下の通り変更したこと、および構成元素の分析の際にエッチングレートを50sec×100timesに変更したこと以外は、実施例1と同様にして垂直配向液晶硬化膜を製造、構成元素を確認し、光学特性および配向性を評価した。表6および表9に結果を示す。
重合性液晶化合物(X1)と、重合性液晶化合物(X2)を質量比90:10で混合し、混合物を得た。得られた混合物100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)1.00質量部、特願2016−514802号を参考にして調製したイオン性化合物A(分子量:645)2.0質量部、シランカップリング剤「KBE−9103」(信越化学工業株式会社製)0.5質量部、光重合開始剤として2−ジメチルアミノ−2−ベンジル−1−(4−モルホリノフェニル)ブタン−1−オン(BASFジャパン株式会社製「イルガキュア(登録商標)369(Irg369)」)6質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物の調製方法を以下の通り変更したこと、および構成元素の分析の際にエッチングレートを5sec×50timesに変更したこと以外は、実施例1と同様にして垂直配向液晶硬化膜を製造、構成元素を確認し、光学特性および配向性を評価した。表7および表9に結果を示す。
重合性液晶化合物(X1)と、重合性液晶化合物(X2)を質量比90:10で混合し、混合物を得た。得られた混合物100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)0.10質量部、特願2016−514802号を参考にして調製したイオン性化合物A(分子量:645)1.5質量部、シランカップリング剤「KBE−9103」(信越化学工業株式会社製)0.25質量部、光重合開始剤として2−ジメチルアミノ−2−ベンジル−1−(4−モルホリノフェニル)ブタン−1−オン(BASFジャパン株式会社製「イルガキュア(登録商標)369(Irg369)」)6質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物の調製を以下の通り変更したこと、構成元素の分析の際にエッチングレートを100sec×35timesに変更したこと以外は、実施例1と同様にして垂直配向液晶硬化膜を製造、構成元素を確認し、光学特性および配向性を評価した。表8および表9に結果を示す。
重合性液晶化合物(X1)100質量部に対して、レベリング剤「F−556」(DIC社製)0.25質量部、光重合開始剤として2−ジメチルアミノ−2−ベンジル−1−(4−モルホリノフェニル)ブタン−1−オン(BASFジャパン株式会社製「イルガキュア(登録商標)369(Irg369)」)6質量部を添加した。さらに、固形分濃度が13%となるようにN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を添加した。この混合物を80℃で1時間攪拌することにより、垂直配向液晶硬化膜形成用重合性液晶組成物を得た。
2:垂直配向液晶硬化膜
11:積層体
(A):非基材側界面
(B):基材側界面
(C):中間点
Claims (23)
- 垂直配向液晶硬化膜と基材とを含む積層体であって、
前記垂直配向液晶硬化膜が、重合性液晶化合物が該液晶硬化膜平面に対して垂直方向に配向した状態で硬化した重合性液晶組成物の硬化物であり、
前記垂直配向液晶硬化膜が、下記式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、下記式(3)、(4)、(5)および(6)のうちの少なくとも1つを満たす、積層体。
F(A)>F(C) (1)
Si(A)>Si(C) (2)
N(B)>N(C) (3)
P(B)>P(C) (4)
F(B)>F(C) (5)
Si(B)>Si(C) (6)
〔式(1)〜(6)中、
F(A)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
F(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
F(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のフッ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(A)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
Si(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のケイ素元素の存在比率(atom%)を表し、
N(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中の窒素元素の存在比率(atom%)を表し、
N(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中の窒素元素の存在比率(atom%)を表し、
P(B)は、垂直配向液晶硬化膜の基材側の界面における液晶硬化膜中のリン元素の存在比率(atom%)を表し、
P(C)は、垂直配向液晶硬化膜の基材とは反対側の界面から該液晶硬化膜側に厚み方向で100nmの地点における液晶硬化膜中のリン元素の存在比率(atom%)を表す。〕 - 垂直配向液晶硬化膜と基材とが隣接して存在する、請求項1に記載の積層体。
- 前記式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、前記式(3)および(4)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、前記式(5)および(6)のうちの少なくとも1つを満たす、請求項1または2に記載の積層体。
- 前記式(1)および(2)のうちの少なくとも1つを満たし、かつ、前記式(3)、(4)、(5)および(6)のうちの少なくとも3つを満たす、請求項1〜3のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜がレベリング剤を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の積層体。
- 前記レベリング剤がフッ素元素またはケイ素元素を含む、請求項1〜5のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜が非金属原子からなるイオン性化合物を含む、請求項1〜6のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜が非金属原子からなるイオン性化合物を含み、該イオン性化合物の分子量が100以上10,000以下である、請求項1〜7のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜がホスホニウム塩またはアンモニウム塩からなるイオン性化合物を含む、請求項1〜8のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜が非イオン性シラン化合物を含む、請求項1〜9のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜が非イオン性シラン化合物を含み、該非イオン性シラン化合物がシランカップリング剤である、請求項1〜10のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜が非イオン性シラン化合物とイオン性化合物とを含む、請求項1〜11のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜の膜厚が0.3μm以上5.0μm以下である、請求項1〜12のいずれかに記載の積層体。
- 垂直配向液晶硬化膜が下記式(7)を満たす、請求項1〜13のいずれかに記載の積層体。
−150≦RthC(550)≦−30 (7)
〔式(7)中、RthC(550)は垂直配向液晶硬化膜の波長550nmにおける厚み方向の位相差値を示す。〕 - 垂直配向液晶硬化膜が下記式(8)を満たす、請求項1〜14のいずれかに記載の積層体。
RthC(450)/RthC(550)≦1.0 (8)
〔式(8)中、RthC(450)は垂直配向液晶硬化膜の波長450nmにおける厚み方向の位相差値を示し、RthC(550)は垂直配向液晶硬化膜の波長550nmにおける厚み方向の位相差値を示す。〕 - 水平配向位相差フィルムをさらに含む、請求項1〜15のいずれかに記載の積層体。
- 水平配向位相差フィルムが、少なくとも1つの重合性液晶化合物が該位相差フィルムの面内方向に対して水平に配向した状態で硬化してなる水平配向液晶硬化膜である、請求項16に記載の積層体。
- 請求項16または17に記載の積層体と、偏光フィルムとを含む楕円偏光板。
- 積層体を構成する水平配向位相差フィルムの遅相軸と、偏光フィルムの吸収軸とのなす角が45±5°である、請求項18に記載の楕円偏光板。
- 請求項18または19に記載の楕円偏光板を含む、有機EL表示装置。
- 波長350nmにおける吸光度が0.10以下である重合性液晶化合物、レベリング剤、並びに、非金属原子からなるイオン性化合物および非イオン性シラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種を含む重合性液晶組成物。
- 波長350nmにおける吸光度が0.10以下である重合性液晶化合物、レベリング剤、非金属原子からなるイオン性化合物および非イオン性シラン化合物を含む、請求項21に記載の重合性液晶組成物。
- 波長350nmにおける吸光度が0.10以下である重合性液晶化合物が、式(Y)で表される構造を含む重合性液晶化合物である、請求項21または22に記載の重合性液晶組成物。
P11−B11−E11−B12−A11−B13 (Y)
[式(Y)中、P11は、重合性基を表わす。
A11は、2価の脂環式炭化水素基または2価の芳香族炭化水素基を表わす。
B11は、−O−、−S−、−CO−O−、−O−CO−、−O−CO−O−、−CO−NR16−、−NR16−CO−、−CO−、−CS−または単結合を表わす。R16は、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基を表わす。
B12およびB13は、それぞれ独立に、−C≡C−、−CH=CH−、−CH2−CH2−、−O−、−S−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−CH=N−、−N=CH−、−N=N−、−C(=O)−NR16−、−NR16−C(=O)−、−OCH2−、−OCF2−、−CH2O−、−CF2O−、−CH=CH−C(=O)−O−、−O−C(=O)−CH=CH−、−H、−C≡Nまたは単結合を表わす。
E11は、炭素数1〜12のアルカンジイル基を表わし、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、炭素数1〜5のアルコキシ基で置換されていてもよく、該アルコキシ基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。また、該アルカンジイル基を構成する−CH2−は、−O−または−CO−に置き換わっていてもよい。]
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