JP2020089089A - 発電装置 - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 229920006328 Styrofoam Polymers 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000008261 styrofoam Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- -1 for example Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005422 Nernst effect Effects 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920006327 polystyrene foam Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
[2]上記光反射層が、金属層を含む、[1]に記載の発電装置。
[3]上記赤外放射層が、ホウケイ酸ガラスからなる、[1]又は[2]に記載の発電装置。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施形態に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に制限されるものではない。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本発明の実施形態に係る発電装置は、可視光、及び、近赤外光を反射する光反射層と、上記光反射層の一方の主面に配置された、可視光、及び、近赤外光を透過し、中赤外光を吸収する赤外放射層と、上記光反射層の他方の主面に配置され、上記光反射層側と、その反対側との温度差により起電力を生じる平板状の熱発電素子と、を有する発電装置である。
なお、本明細書において、主面とは、シート状物(フィルム、シート、及び、平板状物)の面積がほぼ最大となる面を意味する。例えば、フィルムであれば、フィルムの表面及び裏面のそれぞれを主面と称する。なお、シート状物には積層体も含む。
また、上記以外にも、例えば、特開2016−96242号公報等に記載される有機化合物等も使用可能である。
セラミックスとしては、特に制限されないが、例えば、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、及び、窒化ケイ素(Si3N4)等が使用できる。
樹脂としては例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、及び、ポリイミド等が使用できる。
このうち、光反射層は、可視光、及び、近赤外光を反射する機能を有する。なお、本明細書において、可視光とは波長が0.4〜0.8μmの光を意味し、近赤外光とは、波長が0.8μmを超え、2.5μm以下の光を意味する。
なお、上限としては特に制限されないが、100%以下が好ましい。
(1)波長0.4〜2.0μm
・使用装置:紫外可視近赤外分光光度計(型番:V−570、日本分光株式会社製)
(2)波長2.0〜15μm
・使用装置:フーリエ変換赤外分光装置(型番:iS50R、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製)
吸収率は、上記の方法により得られた反射率と透過率の和を100(%)から引いた値;(吸収率)=100−反射率−透過率
を意味する。
すなわち、光反射層は、単一の層から形成されていてもよく、複数の層から形成された積層体であってもよいが、少なくとも金属層を有することが好ましい。
光反射層の形成方法としては特に制限されず、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、RF(高周波)スパッタ法、及び、印刷法等の公知の方法により形成可能である。
なお、本明細書において、中赤外光とは、波長が2.5μmを超え、15μm以下の光を意味する。
なお、透過率の上限としては特に制限されないが、一般に、100%以下が好ましい。
なかでも、中赤外光のうち、「大気の窓」と呼ばれる8〜13μmの波長域のみ吸収率が高い構造があると、放射冷却の効率は更に高くなることが予想される。
なお多層膜以外に、金属を含めた無機物や有機物の2次元や3次元構造を生成することでも中赤外光の領域においてに高い吸収率を持たせることができる。
ここに、太陽光(例えば、「AM1.5G」)が積層体側から入射した場合(図1中「hν」として記載した)を考える。このとき、赤外放射層においては、可視光、及び、近赤外光が透過する。一方、太陽光には、一般に中赤外光はほとんど含まれておらず、その影響は小さいものと推測される。
赤外放射層を透過した太陽光は、光反射層により反射される。上記により、太陽光の照射を原因とした積層体の温度上昇は抑制されるものと推測される。
このため、昼間、及び、夜間を問わず、言い換えれば太陽光の照射の有無に関わらず、上面の温度より下面の温度が相対的に高くなりやすいため、結果として同一極性の電流が取得できるものと推測される。
図3においては、熱発電素子13が熱源である建造物30側となるよう、発電装置が配置されている。このようにすると、下面側が加熱され、放射冷却される上面側との温度差がより大きくなり、より大きな起電力が得られやすい。
また、熱源は構造物以外でもよく、例えば、地面、及び、水面等に接するように配置されてもよい。
5cm角、厚み1mmのホウケイ酸ガラス(「パイレックス(商品名)」)を準備し、真空蒸着法により、一方の主面にアルミニウム膜(厚み100nm)を成膜した。
次に、熱電変換素子(「型番TEC1-12706」、4cm角)を準備し、アルミニウム膜側を接着した。これにより、ホウケイ酸ガラス/アルミニウム膜/熱電変換素子を順に有する発電装置1を作成した。
上記により得られた発電装置1、及び、発電装置2について、ホウケイ酸ガラス側(発電装置1)、黒色塗膜側(発電装置2)から光を照射した場合の反射率、及び、吸収率(放射率)を以下の方法により求めた。結果を下記の表1に示した。
・使用装置:紫外可視近赤外分光光度計(型番:V−570、日本分光株式会社製)
(2)波長2.0〜15μm
・使用装置:フーリエ変換赤外分光装置(型番:iS50R、サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製)
吸収率は、上記の方法により得られた反射率と透過率の和を100(%)から引いた値;(吸収率)=100−反射率−透過率
とした。
発電装置1、及び、発電装置2を、ホウケイ酸ガラス面が上に、熱電変換素子が下になるよう、発泡スチロール板上(発泡スチロール板には、熱電変換素子が接触する)に配置した。
ホウケイ酸ガラス面に太陽光が照射されるよう調整して屋外に配置し、発生する電圧、及び、太陽光強度を測定し、結果を図4に示した。また、昼間の時間帯に発電装置1と2を屋外に配置した際の赤外線カメラ画像を図5に示した。
これは、発電装置2では、昼間から夜間にかけて太陽光強度(図4の右軸)が減少することによって外気温が低下し、熱電変換素子の上下間の温度が逆転した(相対的に、昼間は太陽光照射側が高温となり、夜間は発泡スチロール板側が高温となった)ことを示している。
上記により発電装置1では、昼間、夜間(太陽光照射の有無)に関わらず、同一極性の電流を取り出すことが可能である。
11 光反射層
12 赤外放射層
13 熱発電素子
21、22 基板
23、24 電極
25 p型半導体ブロック
26 n型半導体ブロック
30 建造物
Claims (3)
- 可視光、及び、近赤外光を反射する光反射層と、
前記光反射層の一方の主面に配置された、可視光、及び、近赤外光を透過し、中赤外光を吸収する赤外放射層と、
前記光反射層の他方の主面に配置され、前記光反射層側と、その反対側との温度差により起電力を生じる平板状の熱発電素子と、を有する発電装置。 - 前記光反射層が、金属層を含む、請求項1に記載の発電装置。
- 前記赤外放射層が、ホウケイ酸ガラスからなる、請求項1又は2に記載の発電装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018221087A JP7090904B2 (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 発電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018221087A JP7090904B2 (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 発電装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020089089A true JP2020089089A (ja) | 2020-06-04 |
JP2020089089A5 JP2020089089A5 (ja) | 2021-08-26 |
JP7090904B2 JP7090904B2 (ja) | 2022-06-27 |
Family
ID=70909376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018221087A Active JP7090904B2 (ja) | 2018-11-27 | 2018-11-27 | 発電装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7090904B2 (ja) |
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