JP2020085888A - Crystal structure evaluation method and crystal structure evaluation device - Google Patents

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Abstract

To provide a crystal structure evaluation method and a crystal structure evaluation device each of which allows for evaluation of non-uniformity in a crystal structure using ultrasonic waves, even when a portion having the non-uniformity in the crystal structure exists in only a part of whole material including crystal grains.SOLUTION: A crystal structure evaluation method comprises: a measuring step of causing a ultrasonic wave U to enter a material S to be inspected formed of a material including crystal grains S3, from a plurality of incidence points P on a surface, measuring intensity of a scattered wave U3 detected as scattering intensity, for every incidence point P; a statistical processing step of organizing the number of incidence points P for which prescribed scattering intensity can be acquired in the measuring step, as a function of scattering intensity, for generating a scattering intensity function; and an evaluation step of determining that, as a peak width of the scattering intensity function acquired in the statistical processing step is larger, non-uniformity of a crystal structure in the material S to be inspected is higher. There is also provided the crystal structure evaluation device comprising an ultrasonic inspection device 11 executing such a crystal structure evaluation method.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、結晶組織評価方法および結晶組織評価装置に関し、さらに詳しくは、超音波を利用して、材料の結晶組織の不均一性を評価するための結晶組織評価方法および結晶組織評価装置に関する。 The present invention relates to a crystal structure evaluation method and a crystal structure evaluation device, and more particularly, to a crystal structure evaluation method and a crystal structure evaluation device for evaluating the nonuniformity of the crystal structure of a material using ultrasonic waves.

金属材料等、結晶粒を含む材料において、結晶組織の状態を検査によって判定することが、所望の材料特性を確保するために、重要となる。非破壊で結晶粒の状態を判定する方法として、超音波による検査が利用されている。 In a material including crystal grains, such as a metal material, it is important to determine the state of the crystal structure by inspection in order to secure desired material characteristics. Ultrasonic inspection is used as a method of nondestructively determining the state of crystal grains.

例えば、特許文献1に、超音波を利用して結晶粒の異方性を判定するための方法が開示されている。ここでは、被測定材中に超音波を発振し、受振された反射波のうちから所定時間範囲の反射波を取り出して、取り出した反射波の周波数分析を行い、全周波数の反射波パワーの合計値に対する所定周波数以上の反射波パワーの合計値の割合に基づいて被測定材の結晶粒が変形を生じているか否かを判定している。被測定材内部の結晶粒に異方性を生じていると高調波や波形の歪みが生じることを利用して、上記割合が一定値以上になったときに結晶粒の異方性を生じていると判定するものである。 For example, Patent Document 1 discloses a method for determining the anisotropy of crystal grains using ultrasonic waves. Here, ultrasonic waves are oscillated in the material to be measured, the reflected waves within a predetermined time range are extracted from the reflected waves received, and the frequency analysis of the extracted reflected waves is performed. It is determined whether or not the crystal grains of the material to be measured are deformed based on the ratio of the total value of the reflected wave power of a predetermined frequency or more to the value. Utilizing the fact that the anisotropy of the crystal grains inside the material to be measured causes the distortion of harmonics and waveforms, and the anisotropy of the crystal grains occurs when the above ratio exceeds a certain value. It is determined that there is.

特開2013−257146号公報JP, 2013-257146, A

上記特許文献1に開示されている判定方法のように、超音波を利用することで、異方性等、結晶粒の状態を判定することができる。しかし、特許文献1の方法のように、単一の測定における反射波を分析する方法においては、超音波が通過する領域に存在する材料組織の平均としての状態を検出できるのみであり、結晶組織の状態が不均一に変化した領域が局所的に存在する場合には、そのような領域の存在を検出することは困難である。例えば、特許文献1の方法では、組織内に含まれる結晶粒全体が高い異方性を有している場合には、その異方性を検出することができるものの、異方性の低い結晶粒の中に、局所的に異方性の高い結晶粒が生成していたとしても、そのような異方性の高い結晶粒の存在を検出することは難しい。 By using ultrasonic waves as in the determination method disclosed in Patent Document 1, the state of crystal grains such as anisotropy can be determined. However, in the method of analyzing the reflected wave in a single measurement like the method of Patent Document 1, it is only possible to detect the state as an average of the material structure existing in the region through which the ultrasonic wave passes, and the crystal structure When a region where the state of <1> has changed nonuniformly exists locally, it is difficult to detect the presence of such a region. For example, in the method of Patent Document 1, if the entire crystal grains contained in the structure have high anisotropy, the anisotropy can be detected, but the crystal grain with low anisotropy Even if a crystal grain with high anisotropy is locally generated in the inside, it is difficult to detect the existence of such a crystal grain with high anisotropy.

金属等の材料においては、組織内の大部分の結晶粒が、粒径や異方性等の特性において、よく揃っていたとしても、それらの大部分の結晶粒とは粒径や異方性が異なる領域が、局所的に生じ、組織が不均一になる場合がある。そのような局所的な組織の不均一性が、材料の特性に大きな影響を与える可能性がある。また、微細な結晶粒よりなる均一な組織が求められる場合には、その品質保証においても、高い精度が求められる。そこで、局所的な結晶組織の不均一性を非破壊で検出することができる方法が望まれる。 In the case of materials such as metals, even if most of the crystal grains in the structure are well aligned in characteristics such as grain size and anisotropy, most of the crystal grains are similar in grain size and anisotropy. Regions with different values may locally occur, resulting in uneven tissue. Such local texture non-uniformity can significantly affect the properties of the material. Further, when a uniform structure composed of fine crystal grains is required, high accuracy is also required for quality assurance. Therefore, a method capable of non-destructively detecting the local nonuniformity of the crystal structure is desired.

本発明が解決しようとする課題は、結晶粒を含む材料において、結晶組織に不均一性を有する部位が、材料全体のうちの一部のみに存在する場合でも、超音波を用いて、その不均一性を評価することができる結晶組織評価方法および結晶組織評価装置を提供することにある。 The problem to be solved by the present invention is that, in a material containing crystal grains, even if a site having nonuniformity in the crystal structure exists only in a part of the entire material, the It is an object of the present invention to provide a crystal structure evaluation method and a crystal structure evaluation device capable of evaluating uniformity.

上記課題を解決するため、本発明にかかる結晶組織評価方法は、結晶粒を含む材料よりなる被検査材に対して、表面の複数の入射点から、超音波を入射し、検出される散乱波の強度を、散乱強度として、前記入射点ごとに計測する計測工程と、前記計測工程において所定の散乱強度が得られた前記入射点の数を、前記散乱強度の関数として整理して、散乱強度関数を作成する統計処理工程と、前記統計処理工程において得られた前記散乱強度関数のピーク幅が大きいほど、前記被検査材において、結晶組織の不均一性が高いとみなす評価工程と、を有するものである。 In order to solve the above-mentioned problems, the crystal structure evaluation method according to the present invention is a scattered wave detected by injecting ultrasonic waves from a plurality of incident points on the surface of a material to be inspected made of a material containing crystal grains. , The measurement step of measuring each of the incident points as the scattering intensity, and the number of the incident points for which a predetermined scattering intensity is obtained in the measuring step is arranged as a function of the scattering intensity to obtain the scattering intensity. A statistical processing step of creating a function, and an evaluation step of considering that the larger the peak width of the scattering intensity function obtained in the statistical processing step is, the higher the heterogeneity of the crystal structure in the inspected material is. It is a thing.

ここで、前記評価工程において、前記結晶組織の不均一性として、前記被検査材における結晶粒の粒径、成分組成、異方性のいずれか少なくとも1つにおける不均一性を評価するとよい。 Here, in the evaluation step, as the nonuniformity of the crystal structure, it is preferable to evaluate nonuniformity in at least one of a grain size, a component composition, and anisotropy of crystal grains in the material to be inspected.

前記計測工程では、入射した前記超音波の反射方向において、超音波信号の強度を、時間の関数として測定し、前記被検査材の表面で反射された反射波と、前記表面に対向する底面で反射された反射波との間の時間に観測される、前記超音波信号の強度を積分することで、前記散乱強度を求めるとよい。この場合に、前記評価工程において、前記散乱強度関数のピークの中央値の散乱強度が大きいほど、前記結晶粒の平均粒径が大きいとみなすとよい。前記計測工程では、時間の関数として測定した前記超音波信号を、周波数分析し、入射した前記超音波と同じ周波数の信号に基づいて、前記散乱強度を求めるとよい。また、前記計測工程では、超音波の発生と検出を行う超音波検査装置が、前記被検査材の周囲を、前記被検査材に対して相対的に運動することで、前記複数の入射点に対して、前記超音波の入射と検出を行うとよい。 In the measuring step, in the reflection direction of the incident ultrasonic wave, the intensity of the ultrasonic signal is measured as a function of time, and the reflected wave reflected on the surface of the inspection target material and the bottom surface facing the surface are measured. The scattering intensity may be obtained by integrating the intensity of the ultrasonic signal observed in the time between the reflected wave and the reflected wave. In this case, in the evaluation step, it may be considered that the larger the scattering intensity of the median of the peaks of the scattering intensity function, the larger the average grain size of the crystal grains. In the measuring step, the ultrasonic signal measured as a function of time may be subjected to frequency analysis, and the scattering intensity may be obtained based on a signal having the same frequency as the incident ultrasonic wave. Further, in the measuring step, an ultrasonic inspection device that performs generation and detection of ultrasonic waves moves around the inspection target material relative to the inspection target material, so that the plurality of incident points are detected. On the other hand, it is preferable that the ultrasonic wave is incident and detected.

前記被検査材は、棒材よりなり、前記計測工程において、前記棒材の周方向に沿って少なくとも180°にわたり、かつ前記棒材の長手方向に沿って少なくとも一部の領域にわたるように、前記複数の入射点を設定するとよい。 The material to be inspected is a bar material, and in the measuring step, at least 180° along the circumferential direction of the bar material, and at least a part of the area along the longitudinal direction of the bar material, It is advisable to set a plurality of incident points.

前記評価工程では、前記ピーク幅が、予め定めた閾値より大きくなった場合に、結晶組織が不均一であると評価するとよい。 In the evaluation step, the crystal structure may be evaluated to be non-uniform when the peak width is larger than a predetermined threshold value.

また、前記評価工程において、前記散乱強度関数を、中央値の散乱強度が異なる複数のピークに分離するとよい。この場合に、前記評価工程において、前記散乱強度関数を、主ピークと、前記主ピークよりもピーク高さが小さい副ピークと、の2つのピークに分離するとよい。さらに、前記散乱強度関数の最頻値を中心として、分布幅が小さい側の前記散乱強度関数を対称に複製したものを、前記主ピークとし、前記散乱強度関数から前記主ピークの寄与を除いたものを、前記副ピークとするとよい。そして、前記副ピークを、前記散乱強度関数の最頻値からの隔たりによって重みづけして積分し、得られた積分値が大きいほど、結晶組織の不均一性が高いと評価するとよい。 In the evaluation step, the scattering intensity function may be separated into a plurality of peaks having different median scattering intensities. In this case, in the evaluation step, the scattering intensity function may be separated into two peaks, a main peak and a sub-peak having a peak height smaller than that of the main peak. Further, with the mode of the scattering intensity function as the center, a symmetrical copy of the scattering intensity function on the side with a small distribution width is defined as the main peak, and the contribution of the main peak is removed from the scattering intensity function. It is preferable that the sub-peak is one. Then, the sub-peaks are weighted by the distance from the mode of the scattering intensity function and integrated, and the larger the obtained integrated value, the higher the heterogeneity of the crystal structure may be evaluated.

本発明にかかる結晶組織評価装置は、超音波の発生と検出を行う超音波検査装置を備え、結晶粒を含む材料よりなる被検査材に対して、上記のような結晶組織評価方法を実行するものである。 A crystal structure evaluation apparatus according to the present invention includes an ultrasonic inspection apparatus that generates and detects ultrasonic waves, and executes a crystal structure evaluation method as described above on a material to be inspected made of a material containing crystal grains. It is a thing.

ここで、前記結晶組織評価装置は、前記超音波検査装置を、前記被検査材に対して相対的に運動させる運動装置をさらに備えるとよい。 Here, it is preferable that the crystallographic structure evaluation apparatus further includes an exerciser that moves the ultrasonic inspection apparatus relative to the material to be inspected.

上記発明にかかる結晶組織評価方法においては、結晶粒を含む材料よりなる被検査材に対して、表面の複数の入射点から、超音波を入射し、散乱強度を、入射点ごとに計測する。この際、散乱に寄与する結晶組織の不均一性が低い(均一性が高い)と、各入射点において得られる散乱強度のばらつきが小さくなる。一方、散乱に寄与する結晶組織の不均一性が高いと、入射点によって、得られる散乱強度のばらつきが大きくなる。よって、結晶組織の不均一性が高いほど、所定の散乱強度が得られた入射点の数を、散乱強度の関数として整理した散乱強度関数において、ピーク幅が大きくなる。このように、多数の入射点に対して散乱強度を測定して得られた散乱強度関数のピーク幅に着目することで、結晶組織に不均一性を有する部位が、材料全体のうちの一部のみに存在する場合でも、超音波を用いた測定の結果から、結晶組織の不均一性を評価することができる。この際、測定結果に対して、複雑な演算処理やシミュレーション等を行うことなく、所定の散乱強度が得られた入射点の数を集計する単純な統計処理のみで、簡便に、測定結果を結晶組織の不均一性に対応づけることができる。 In the crystal structure evaluation method according to the above-mentioned invention, ultrasonic waves are incident on a material to be inspected made of a material containing crystal grains from a plurality of incident points on the surface, and the scattering intensity is measured for each incident point. At this time, if the nonuniformity of the crystal structure contributing to the scattering is low (the uniformity is high), the dispersion of the scattering intensity obtained at each incident point becomes small. On the other hand, when the nonuniformity of the crystal structure that contributes to scattering is high, the obtained scattering intensity varies greatly depending on the incident point. Therefore, the higher the nonuniformity of the crystal structure, the larger the peak width in the scattering intensity function in which the number of incident points at which a predetermined scattering intensity is obtained is arranged as a function of the scattering intensity. In this way, by paying attention to the peak width of the scattering intensity function obtained by measuring the scattering intensity at a large number of incident points, the site having non-uniformity in the crystal structure is a part of the entire material. Even when it exists only in the non-uniformity of the crystal structure, it can be evaluated from the result of the measurement using the ultrasonic wave. At this time, the measurement result can be simply crystallized by a simple statistical process for collecting the number of incident points at which a predetermined scattering intensity is obtained, without performing a complicated calculation process or simulation for the measurement result. It can correspond to the heterogeneity of the organization.

ここで、評価工程において、結晶組織の不均一性として、被検査材における結晶粒の粒径、成分組成、異方性のいずれか少なくとも1つにおける不均一性を評価する場合には、被検査材における結晶粒の粒径、成分組成、異方性は、いずれも、超音波の散乱強度に大きな影響を与える特性であるため、超音波測定によって得られた散乱強度関数のピーク幅の大きさを指標として、それらの特性における不均一性を、敏感に検出することができる。 Here, in the evaluation step, when the nonuniformity of the crystal structure is evaluated as the nonuniformity in at least one of the grain size, the component composition, and the anisotropy of the crystal grain in the inspected material, Since the grain size, component composition, and anisotropy of the crystal grains in the material all have characteristics that have a great influence on the ultrasonic scattering intensity, the peak width of the scattering intensity function obtained by ultrasonic measurement is Using as an index, it is possible to sensitively detect nonuniformity in these characteristics.

計測工程で、入射した超音波の反射方向において、超音波信号の強度を、時間の関数として測定し、被検査材の表面で反射された反射波と、表面に対向する底面で反射された反射波との間の時間に観測される、超音波信号の強度を積分することで、散乱強度を求める場合には、被検査材の表面や底面で反射された反射波と区別して、散乱による超音波信号を検出して、散乱強度関数を作成することができる。 In the measurement process, the intensity of the ultrasonic signal is measured as a function of time in the reflected direction of the incident ultrasonic wave, and the reflected wave reflected on the surface of the material to be inspected and the reflection wave reflected on the bottom surface facing the surface are measured. When calculating the scattering intensity by integrating the intensity of the ultrasonic signal observed at the time between waves, distinguish it from the reflected wave reflected on the surface or bottom of the inspected material, and The acoustic signal can be detected and a scatter intensity function can be created.

この場合に、評価工程において、散乱強度関数のピークの中央値の散乱強度が大きいほど、結晶粒の平均粒径が大きいとみなす形態によれば、結晶粒の粒径が大きくなるほど、散乱強度が大きくなることを利用して、結晶組織の不均一性のみならず、結晶粒の平均粒径についても、超音波測定によって得られた散乱強度関数に基づいて、評価することができる。 In this case, in the evaluation step, the larger the central value of the scattering intensity function, the larger the scattering intensity of the crystal grains, the larger the average grain size of the crystal grains. By utilizing the increase, not only the non-uniformity of the crystal structure but also the average grain size of the crystal grains can be evaluated based on the scattering intensity function obtained by ultrasonic measurement.

計測工程で、時間の関数として測定した超音波信号を、周波数分析し、入射した超音波と同じ周波数の信号に基づいて、散乱強度を求める形態によれば、散乱波は、入射した超音波と同じ周波数において、強く観測されるので、その周波数の信号から散乱強度を求めることで、散乱波を、感度良く、また他の成分の寄与と区別して検出し、結晶組織の不均一性と正確に対応付けやすくなる。 In the measuring step, the ultrasonic signal measured as a function of time is subjected to frequency analysis, and based on the signal of the same frequency as the incident ultrasonic wave, according to the mode of obtaining the scattered intensity, the scattered wave is equal to the incident ultrasonic wave. Since it is strongly observed at the same frequency, the scattered wave is detected with high sensitivity and in distinction from the contributions of other components by obtaining the scattering intensity from the signal of that frequency, and it is possible to accurately detect the nonuniformity of the crystal structure. It becomes easy to match.

また、計測工程で、超音波の発生と検出を行う超音波検査装置が、被検査材の周囲を、被検査材に対して相対的に運動することで、複数の入射点に対して、超音波の入射と検出を行う場合には、従来一般に探傷装置として利用されているような超音波検査装置を用いて、複数の入射点での超音波の入射と検出を行い、結晶組織の不均一性を評価することが可能となる。 Further, in the measurement process, an ultrasonic inspection device that generates and detects ultrasonic waves moves around the inspection target material relative to the inspection target material, so When performing sound wave incidence and detection, an ultrasonic inspection device that has been conventionally used as a flaw detector is used to perform ultrasonic wave incidence and detection at multiple incident points, and the unevenness of the crystal structure is observed. It becomes possible to evaluate the sex.

被検査材が、棒材よりなり、計測工程において、棒材の周方向に沿って少なくとも180°にわたり、かつ棒材の長手方向に沿って少なくとも一部の領域にわたるように、複数の入射点を設定する場合には、棒材の断面の全域にわたり、かつ長手方向の所定領域にわたる範囲の中に、結晶組織が不均一になった部位が存在するか否かを、検査することができる。 The material to be inspected is made of a bar material, and in the measuring step, a plurality of incident points are set so as to extend over at least 180° along the circumferential direction of the bar material and over at least a part of the region along the longitudinal direction of the bar material. In the case of setting, it is possible to inspect whether or not there is a region where the crystal structure is non-uniform in the range over the entire cross section of the rod and the predetermined region in the longitudinal direction.

評価工程で、ピーク幅が、予め定めた閾値より大きくなった場合に、結晶組織が不均一であると評価する場合には、許容できる不均一性の上限に対応する散乱強度関数のピーク幅を、閾値として定めておくことで、散乱強度関数のピーク幅と結晶組織の不均一性との間の詳細な対応関係に関する情報がなくても、許容されない不均一性を結晶組織に含む被検査材を発見し、除去する等の対策を施すことができる。 In the evaluation step, when the peak width is larger than a predetermined threshold, when the crystal structure is evaluated to be non-uniform, the peak width of the scattering intensity function corresponding to the upper limit of the allowable non-uniformity is set. By setting the threshold as a threshold value, even if there is no information on the detailed correspondence between the peak width of the scattering intensity function and the nonuniformity of the crystal structure, the material to be inspected containing the nonuniformity which is not allowed is included in the crystal structure. Can be found and removed.

また、評価工程において、散乱強度関数を、中央値の散乱強度が異なる複数のピークに分離する場合には、結晶粒径等の異なる複数種の結晶組織が混在している場合に、それらの結晶組織の種類ごとに寄与を分離して、散乱強度関数の解析を行い、結晶組織の状態に関する情報を得ることができる。 Further, in the evaluation step, in the case of separating the scattering intensity function into a plurality of peaks having different median scattering intensities, when a plurality of different crystal structures such as crystal grain sizes are mixed, those crystals It is possible to obtain the information on the state of the crystal structure by analyzing the scattering intensity function by separating the contribution for each type of the structure.

この場合に、評価工程において、散乱強度関数を、主ピークと、主ピークよりもピーク高さが小さい副ピークと、の2つのピークに分離する形態によれば、簡便な解析により、散乱強度関数を分離することができる。この形態においては、主ピークを、結晶組織の大部分を占める均一性の高い領域に対応づけるとともに、副ピークを、その均一性の高い結晶組織の中に混在する、不均一な結晶組織に対応づけることができる。 In this case, in the evaluation step, according to the mode in which the scattering intensity function is separated into two peaks, that is, the main peak and the sub-peak whose peak height is smaller than that of the main peak, the scattering intensity function can be obtained by a simple analysis. Can be separated. In this form, the main peak is associated with a highly uniform region occupying most of the crystal structure, and the sub-peak is associated with a non-uniform crystal structure mixed in the highly uniform crystal structure. Can be attached.

さらに、散乱強度関数の最頻値を中心として、分布幅が小さい側の散乱強度関数を対称に複製したものを、主ピークとし、散乱強度関数から主ピークの寄与を除いたものを、副ピークとする形態によれば、特に簡便な解析によって、主ピークと副ピークの寄与を分離することができる。 Furthermore, with the mode of the scattering intensity function at the center, a symmetrical copy of the scattering intensity function on the side with a smaller distribution width is used as the main peak, and the one obtained by removing the contribution of the main peak from the scattering intensity function is the sub-peak. According to this mode, the contributions of the main peak and the sub-peak can be separated by a particularly simple analysis.

そして、副ピークを、散乱強度関数の最頻値からの隔たりによって重みづけして積分し、得られた積分値が大きいほど、前記結晶組織の不均一性が高いと評価する場合には、結晶組織の不均一性の程度に関する定量的な評価を、簡便に行うことができる。 Then, the sub-peak is weighted and integrated by the distance from the mode of the scattering intensity function, and the larger the obtained integral value is, the higher the heterogeneity of the crystal structure is, the higher the crystallinity of the crystal structure is. Quantitative evaluation of the degree of tissue heterogeneity can be easily performed.

上記発明にかかる結晶組織評価装置においては、超音波検査装置によって、被検査材上の各入射点に対して超音波を入射し、散乱の寄与を含む信号を検出することができる。そして、得られた散乱強度をもとに、上記発明にかかる結晶組織評価方法を実行することで、被検査材の結晶組織の不均一性を、簡便に評価することができる。超音波検査装置は、探傷装置等として広く利用されており、そのような装置を転用して、結晶組織評価装置を構築することができる。 In the crystal structure evaluation apparatus according to the above-mentioned invention, the ultrasonic inspection apparatus can detect the signal including the contribution of scattering by injecting the ultrasonic wave to each incident point on the material to be inspected. Then, by performing the crystal structure evaluation method according to the above-mentioned invention based on the obtained scattering intensity, it is possible to easily evaluate the nonuniformity of the crystal structure of the material to be inspected. The ultrasonic inspection device is widely used as a flaw detection device and the like, and such a device can be diverted to construct a crystal structure evaluation device.

ここで、結晶組織評価装置が、超音波検査装置を、被検査材に対して相対的に運動させる運動装置をさらに備える場合には、共通の超音波検査装置を用いて、被検査材上の複数の入射点において、測定を行い、結晶組織の不均一性を評価することができる。 Here, when the crystallographic structure evaluation apparatus further includes an exercise device that moves the ultrasonic inspection apparatus relative to the material to be inspected, a common ultrasonic inspection apparatus is used to detect the material on the material to be inspected. Measurements can be performed at a plurality of incident points to evaluate the nonuniformity of the crystal structure.

本発明の一実施形態にかかる結晶組織評価装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the crystal structure evaluation apparatus concerning one Embodiment of this invention. 上記結晶組織評価装置において得られるデータ群の一例を示している。An example of a data group obtained by the crystal structure evaluation apparatus is shown. 被検査材内での超音波の挙動を説明する図であり、(a)は被検査材全体、(b)は組織の拡大図を示している。It is a figure explaining the behavior of the ultrasonic wave in a to-be-inspected material, (a) is the whole to-be-inspected material, (b) has shown the enlarged view of a structure. 超音波検査装置によって検出される超音波信号の一例である。It is an example of the ultrasonic signal detected by the ultrasonic inspection apparatus. 結晶粒径が大きい場合について、(a)結晶組織のSEM像、(b)超音波の挙動、(c)得られる超音波信号の一例を示している。When the crystal grain size is large, (a) an SEM image of the crystal structure, (b) behavior of ultrasonic waves, and (c) an example of obtained ultrasonic signals are shown. 結晶粒径が小さい場合について、(a)結晶組織のSEM像、(b)超音波の挙動、(c)得られる超音波信号の一例を示している。In the case where the crystal grain size is small, (a) an SEM image of the crystal structure, (b) an ultrasonic behavior, and (c) an example of the obtained ultrasonic signal are shown. 結晶組織の例を、超音波の経路および得られる散乱波とともに、模式的に示す図であり、(a)は均一・微細組織、(b)は粗大な結晶粒を含む不均一・微細組織、(c)は特に微小な結晶粒を含む不均一・微細組織、(d)は均一・粗大組織を示している。It is a figure which shows typically the example of a crystal structure with the path|route of an ultrasonic wave, and the scattered wave obtained, (a) is a uniform and fine structure, (b) is a non-uniform and fine structure containing a coarse crystal grain, (C) shows a non-uniform/fine structure containing particularly fine crystal grains, and (d) shows a uniform/coarse structure. 散乱強度関数と結晶組織の状態の間の対応付けについて説明する図であり、(a)は散乱強度関数の作成について説明し、(b)は散乱強度関数のピーク幅および中央値と結晶組織の状態の関係性を示している。It is a figure explaining the correspondence between a scattering intensity function and the state of a crystal structure, (a) explains creation of a scattering intensity function, (b) is a peak width of a scattering intensity function, a median, and a crystal structure. It shows the relationship of the states. 散乱強度関数の2つのピークへの分離を説明する図である。(a)は分離前の左右非対称な散乱強度関数を示し、(b)はさらに、分離された2つのピークも表示している。It is a figure explaining the separation into two peaks of a scattering intensity function. (A) shows a left-right asymmetrical scattering intensity function before separation, and (b) also shows two separated peaks. 結晶組織の不均一性の程度が異なる場合の副ピークの寄与について説明する図である。(a)は結晶組織の均一性が高い場合、(b)は部分的に不均一組織が生成している場合について、散乱強度関数を、分離された副ピークとともに示している。It is a figure explaining contribution of a sub-peak when the degree of non-uniformity of crystal structure changes. (A) shows the scattering intensity function together with the separated sub-peaks in the case where the crystal structure has high homogeneity and (b) shows the case where a partially non-uniform structure is generated. Ti基合金に対して、熱処理温度を変化させた際に得られる散乱強度関数の変化を示しており、(a)は散乱強度関数自体、(b)は散乱強度関数における標準偏差を示している。The change in the scattering intensity function obtained when the heat treatment temperature is changed for the Ti-based alloy is shown, (a) shows the scattering intensity function itself, and (b) shows the standard deviation in the scattering intensity function. .. Ti基合金に対して、鍛錬比を変化させた際に得られる散乱強度関数の変化を示している。The change in the scattering intensity function obtained when the forging ratio is changed is shown for the Ti-based alloy. SEM像における画素のばらつきと、不均一性評価値との関係を示す図である。図中には各プロット点に対応する試料番号も表示している。It is a figure which shows the relationship between the variation of the pixel in a SEM image, and a nonuniformity evaluation value. In the figure, the sample number corresponding to each plot point is also displayed.

以下に、本発明の実施形態にかかる結晶組織評価方法および結晶組織評価装置について説明する。本発明の一実施形態にかかる結晶組織評価方法は、結晶粒を含む材料よりなる被検査材に対して、結晶組織の不均一性を評価する方法であり、本発明の一実施形態にかかる結晶組織評価装置を用いて、実行することができる。 The crystal structure evaluation method and the crystal structure evaluation apparatus according to the embodiment of the present invention will be described below. The crystal structure evaluation method according to one embodiment of the present invention is a method for evaluating the non-uniformity of the crystal structure of a material to be inspected made of a material containing crystal grains, and the crystal according to one embodiment of the present invention It can be performed using a tissue evaluation device.

[結晶組織評価装置]
まず、本発明の一実施形態にかかる結晶組織評価装置について、説明する。図1に、本実施形態にかかる結晶組織評価装置1の概略を示す。
[Crystal structure evaluation device]
First, a crystal structure evaluation apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows an outline of a crystal structure evaluation apparatus 1 according to this embodiment.

結晶組織評価装置1は、超音波検査装置11と、運動装置12と、演算・制御装置13と、を有しており、被検査材Sに対して、被検査材Sを構成する結晶組織の不均一性の評価を行う。 The crystal structure evaluation apparatus 1 includes an ultrasonic inspection apparatus 11, a motion apparatus 12, and a calculation/control apparatus 13, and with respect to the inspection material S, the crystal structure of the inspection material S is determined. Evaluate non-uniformity.

まず、本結晶組織評価装置1において検査対象となる被検査材Sは、多結晶材料等、結晶粒を含む材料よりなれば、どのようなものであってもよく、材質、形状等を限定されるものではない。材質としては、金属および非金属のいずれであってもよく、それらを共に含むものであってもよいが、以下においては、金属材料よりなる場合を主に想定している。なかでも、例として示すデータは、チタン基合金よりなる被検査材Sを対象として取得したものとなっている。チタン基合金は、α相およびβ相を形成しうる金属であり、熱処理時や鍛造時の条件によって、形成される相の状態が変化しやすいため、所望の材料特性を得るために、結晶組織の状態を評価することが重要である。なかでも、チタン基合金よりなるα+β型合金においてはα相の結晶粒とβ相の結晶粒が安定に共存し、結晶組織の評価が特に重要となる。なお、二相SUS合金をはじめとして、鉄基合金等においても、結晶組織の状態を評価するのに、本結晶組織評価装置1を、好適に用いることができる。被検査材Sの形状としては、以下では、棒材、特に丸棒材を対象として想定している。 First, the inspected material S to be inspected in the present crystal structure evaluation apparatus 1 may be any material as long as it is made of a material containing crystal grains, such as a polycrystalline material, and the material and shape are not limited. Not something. The material may be either a metal or a nonmetal, or may include both of them, but in the following, it is mainly assumed that the material is a metal material. Above all, the data shown as an example is obtained for the inspected material S made of a titanium-based alloy. Titanium-based alloys are metals that can form α-phase and β-phase, and the state of the formed phase easily changes depending on the conditions of heat treatment and forging. It is important to assess the condition of. Among them, in the α+β type alloy made of a titanium-based alloy, the α-phase crystal grains and the β-phase crystal grains coexist stably, and the evaluation of the crystal structure becomes particularly important. The crystal structure evaluation apparatus 1 of the present invention can be preferably used to evaluate the state of the crystal structure of iron-based alloys as well as two-phase SUS alloys. As the shape of the material S to be inspected, in the following, it is assumed that a bar, particularly a round bar is targeted.

超音波検査装置11は、超音波を発生させ、対象物に入射するとともに、対象物において反射、散乱等された超音波を検出する装置である。ここでは、超音波検査装置11は、運動装置12に載置した被検査材Sの表面に設定した入射点Pに対して、被検査材Sの表面から離れた位置から、略垂直に、パルス状の超音波Uを照射し、被検査材に入射させる。そして、超音波Uの反射方向において、被検査材Sによって反射や散乱を受けて戻ってきた超音波信号を検出するものである。この種の超音波検査装置11は、超音波探触子として、材料内の傷を検出する探傷装置において汎用されており、本実施形態においても、そのような超音波探触子を、超音波検査装置11として利用することができる。超音波検査装置11が発生する超音波Uの周波数としては、一般的な超音波探触子において利用される周波数を適用することができるが、結晶粒による散乱の強度を大きくする観点から、1〜30MHz程度の周波数を用いることが好ましい。また、より具体的には、材料の平均結晶粒径dと超音波の波長λとの関係として、(1/30)λ<d<(1/3)λの関係を充足する条件において、本実施形態にかかる検査を好適に適用でき、当該条件を満たす周波数を選択することが好ましい。 The ultrasonic inspection device 11 is a device that generates ultrasonic waves, makes them incident on an object, and detects ultrasonic waves reflected or scattered by the object. Here, the ultrasonic inspection apparatus 11 applies a pulse to a point of incidence P set on the surface of the material S to be inspected mounted on the exerciser 12 from a position distant from the surface of the material S to be inspected substantially perpendicularly. The ultrasonic wave U having a circular shape is irradiated and made incident on the material to be inspected. Then, in the reflection direction of the ultrasonic wave U, the ultrasonic signal returned by being reflected or scattered by the material S to be inspected is detected. The ultrasonic inspection device 11 of this type is generally used as an ultrasonic probe in a flaw detection device that detects a flaw in a material, and in the present embodiment, such an ultrasonic probe is used as an ultrasonic probe. It can be used as the inspection device 11. As the frequency of the ultrasonic wave U generated by the ultrasonic inspection device 11, a frequency used in a general ultrasonic probe can be applied, but from the viewpoint of increasing the intensity of scattering by crystal grains, 1 It is preferable to use a frequency of about 30 MHz. Further, more specifically, as a relationship between the average crystal grain size d of the material and the wavelength λ of the ultrasonic wave, under the condition that the relationship of (1/30)λ<d<(1/3)λ is satisfied, The inspection according to the embodiment can be preferably applied, and it is preferable to select a frequency that satisfies the condition.

運動装置12は、超音波検査装置11に対して、被検査材Sを運動させるものである。ここでは、運動装置12は、軸回転Rと、並進運動Tを行いうる台状の装置として構成されている。被検査材Sは、運動装置12の上面に載置される。被検査材Sが丸棒材等、棒状(柱状)である場合、被検査材Sは、端面の一方において、運動装置12の上面に立てて載置される。運動装置12は、軸回転Rを行うことで、被検査材Sを、超音波検査装置11に対して回転運動させることができる。運動装置12は、被検査材Sを1周にわたって、軸回転させられるものであることが好ましい。また、運動装置12は、並進運動Tを行うことで、被検査材Sを、超音波検査装置11に対して、並進方向に移動させることができる。棒状の被検査材Sが運動装置12の上面に立てられている場合、並進運動Tとしては、被検査材Sを、長手方向に沿って移動させることになる。 The exercise device 12 moves the inspection object S with respect to the ultrasonic inspection device 11. Here, the exercise device 12 is configured as a trapezoidal device that can perform an axial rotation R and a translational movement T. The material S to be inspected is placed on the upper surface of the exercise device 12. When the material S to be inspected has a rod shape (columnar shape) such as a round bar, the material S to be inspected is placed upright on the upper surface of the exercise device 12 at one of the end faces. The exercise device 12 can rotate the material S to be inspected with respect to the ultrasonic inspection device 11 by performing the axial rotation R. It is preferable that the exercise device 12 is capable of rotating the inspected material S axially over the entire circumference. Further, the exercise device 12 can move the material S to be inspected in the translation direction with respect to the ultrasonic inspection device 11 by performing the translational movement T. When the rod-shaped inspected material S is erected on the upper surface of the exercise device 12, the translational movement T is to move the inspected material S along the longitudinal direction.

演算・制御装置13は、超音波検査装置11および運動装置12を制御するとともに、超音波検査装置11で得られたデータに対して、演算による解析を行う装置であり、例えばコンピュータより構成することができる。具体的には、演算・制御装置13は、超音波検査装置11による超音波測定の制御と、運動装置12による被検査材Sの運動の制御を行う。そして、検出した超音波の強度に対応する電気信号として、超音波検査装置11が出力する超音波信号の入力を受け、その超音波信号に対して、解析を行う。解析の内容については、結晶組織評価方法として、後に詳しく説明するが、得られた超音波信号から散乱強度を抽出するとともに、その散乱強度をもとにした統計的解析を行って、結晶組織の不均一性に関する評価を行う。 The calculation/control device 13 is a device that controls the ultrasonic inspection device 11 and the exercise device 12 and analyzes the data obtained by the ultrasonic inspection device 11 by calculation, and is configured by, for example, a computer. You can Specifically, the arithmetic/control device 13 controls the ultrasonic measurement by the ultrasonic inspection device 11 and the movement of the inspected material S by the exercise device 12. Then, an ultrasonic signal output from the ultrasonic inspection apparatus 11 is input as an electric signal corresponding to the detected ultrasonic intensity, and the ultrasonic signal is analyzed. The content of the analysis will be described in detail later as a crystal structure evaluation method, but the scattering intensity is extracted from the obtained ultrasonic signal, and a statistical analysis based on the scattering intensity is performed to determine the crystal structure. Evaluate non-uniformity.

被検査材Sに対して、結晶組織の不均一性を評価するために、超音波測定を行うに際し、演算・制御装置13は、運動装置12の軸回転Rおよび並進運動Tを駆動して、被検査材Sの表面(側面)に設定された、ある1つの入射点Pに、超音波検査装置11から超音波Uを入射することができるように、被検査材Sの回転位置および並進位置を調整し、停止させる。そして、超音波検査装置11を制御して、超音波Uを、入射点Pから、被検査材Sの内部に、略垂直に入射させるとともに、被検査材Sによって反射等を受けた超音波を検出する。この際、検出された超音波の強度を示す超音波信号が、時間の関数の形で、演算・制御装置13に入力され、記憶される。 In order to evaluate the non-uniformity of the crystal structure of the material S to be inspected, the arithmetic/control device 13 drives the axial rotation R and the translational motion T of the motion device 12 when performing ultrasonic measurement. The rotational position and translational position of the material S to be inspected so that the ultrasonic wave U can be incident from the ultrasonic inspection apparatus 11 to a certain one incident point P set on the surface (side surface) of the material S to be inspected. Adjust and stop. Then, the ultrasonic inspection apparatus 11 is controlled so that the ultrasonic waves U are made to enter the inside of the inspection object S from the incident point P substantially vertically, and the ultrasonic waves reflected by the inspection object S are received. To detect. At this time, an ultrasonic signal indicating the intensity of the detected ultrasonic wave is input to and stored in the arithmetic/control device 13 in the form of a function of time.

1つの入射点Pに対して測定を完了すると、演算・制御装置13は、運動装置12の軸回転Rを駆動し、別の1つの入射点Pに超音波Uを入射することができるように、被検査材Sを回転させ、停止させる。そして、先の入射点Pに対して行ったのと同様の測定を行い、超音波信号を取得する。1°間隔等、所定の角度間隔で被検査材Sの全周に設定された入射点Pに対して、同様の測定を行うと、次に、演算・制御装置13は、運動装置12の並進運動Tを駆動する。そして、所定の角度間隔で回転させながら、同様の測定を繰り返す。このようにして、被検査材Sの長手方向に沿って、0.5mm等、所定の長さ間隔で、全周に対する所定の角度間隔での測定を繰り返す。その結果、所定の角度間隔および長さ間隔で、被検査材Sの表面(側面)全体に設定された多数の入射点Pに対して、それぞれ、超音波信号が取得される。超音波信号は、入射点Pの数だけ取得され、図2に示すように、入射点Pの数と同じだけの超音波信号よりなるデータ群を構成する。図2では、各グラフが、1つの入射点Pにおいて検出された超音波強度を、時間の関数として表現したものとなっている。このようなデータ群に対して、後述する解析を行う。 When the measurement is completed for one incident point P, the arithmetic/control device 13 drives the axis rotation R of the exercise device 12 so that the ultrasonic wave U can be incident on another one incident point P. The material S to be inspected is rotated and stopped. Then, the same measurement as that performed on the incident point P is performed to acquire the ultrasonic signal. When the same measurement is performed on the incident points P set on the entire circumference of the material S to be inspected at a predetermined angular interval such as an interval of 1°, the arithmetic/control device 13 then causes the movement device 12 to translate. Drive movement T. Then, the same measurement is repeated while rotating at a predetermined angle interval. In this way, the measurement is repeated along the longitudinal direction of the inspection target material S at predetermined length intervals such as 0.5 mm at predetermined angle intervals with respect to the entire circumference. As a result, ultrasonic signals are acquired for a large number of incident points P set on the entire surface (side surface) of the inspection object S at predetermined angular intervals and length intervals. As many ultrasonic signals as the number of incident points P are acquired, and as shown in FIG. 2, a data group composed of the same number of ultrasonic signals as the number of incident points P is formed. In FIG. 2, each graph represents the ultrasonic wave intensity detected at one incident point P as a function of time. The analysis described below is performed on such a data group.

以上で説明した結晶組織評価装置1では、超音波検査装置11を固定し、運動装置12によって、被検査材Sを運動させて、複数の入射点Pに対する測定を行っているが、超音波検査装置11を被検査材Sに対して相対的に運動させることができれば、そのような構成に限定されず、被検査材Sを固定し、運動装置12を、被検査材Sの外周で運動させるものとしてもよい。超音波検査装置11を、被検査材Sに対して、周方向と並進方向の両方に、相対運動させることで、1つの超音波検査装置11を用いて、多数の入射点Pに対する測定を行うことができる。あるいは、多数のチャンネルを有する検査装置のように、超音波検査装置11を被検査材Sの全周を囲んで配置すれば、回転運動を行わなくても、被検査材Sの全周に設定した入射点Pに対して、一度に測定を行うことができる。 In the crystal structure evaluation apparatus 1 described above, the ultrasonic inspection apparatus 11 is fixed, and the inspected material S is moved by the movement device 12 to measure the plurality of incident points P. If the device 11 can be moved relative to the inspection material S, the configuration is not limited to such a configuration, the inspection material S is fixed, and the exercise device 12 is moved around the inspection material S. It may be one. The ultrasonic inspection apparatus 11 is relatively moved with respect to the material S to be inspected in both the circumferential direction and the translational direction, so that one ultrasonic inspection apparatus 11 is used to perform measurement on a large number of incident points P. be able to. Alternatively, if the ultrasonic inspection apparatus 11 is arranged so as to surround the entire circumference of the material S to be inspected like an inspection apparatus having a large number of channels, the ultrasonic inspection apparatus 11 is set to the entire circumference of the material S to be inspected without performing a rotational movement. Measurement can be performed at once for the incident point P.

また、上記で説明した結晶組織評価装置1では、被検査材Sに垂直に入射した超音波Uを、反射方向において検出しているが、透過方向において、透過波を検出するものであってもよい。さらに、超音波Uの入射方向は、垂直方向でなくてもよく、例えば、斜め方向とすることもできる。 Further, in the crystal structure evaluation apparatus 1 described above, the ultrasonic wave U which is vertically incident on the material S to be inspected is detected in the reflection direction, but the transmitted wave may be detected in the transmission direction. Good. Further, the incident direction of the ultrasonic waves U does not have to be the vertical direction, and may be, for example, an oblique direction.

上記のように、超音波検査装置11は、材料内の探傷にも用いられるものであり、本実施形態にかかる結晶組織評価装置1を、探傷装置としても用いることができる。つまり、結晶組織評価装置1を用いて、被検査材Sの結晶組織の不均一性を評価する際に、それと同時に、あるいは独立した工程として、被検査材Sの探傷を行うことができる。 As described above, the ultrasonic inspection apparatus 11 is also used for flaw detection in the material, and the crystallographic structure evaluation apparatus 1 according to this embodiment can also be used as a flaw detection apparatus. That is, when the crystal structure evaluation apparatus 1 is used to evaluate the nonuniformity of the crystal structure of the material S to be inspected, the material S to be inspected can be detected at the same time or as an independent step.

[結晶組織評価方法]
次に、上記のような結晶組織評価装置1を用いて、本発明の一実施形態にかかる結晶組織評価方法を実行し、被検査材Sの結晶組織の不均一性を評価する方法について説明する。
[Crystal structure evaluation method]
Next, a method for performing the crystal structure evaluation method according to the embodiment of the present invention using the crystal structure evaluation apparatus 1 as described above to evaluate the non-uniformity of the crystal structure of the inspection target material S will be described. ..

(結晶組織の状態と超音波の散乱)
結晶組織評価方法における各工程について説明する前に、結晶組織の状態と、超音波の散乱の関係について説明する。
(Crystal structure state and ultrasonic scattering)
Before describing each step in the crystal structure evaluation method, the relationship between the state of the crystal structure and the scattering of ultrasonic waves will be described.

図3(a)に、被検査材Sに入射された超音波Uの挙動を模式的に示している。また、図3(b)に、被検査材Sの内部の組織の拡大図を示している。図4には、超音波検査装置11によって得られる超音波信号の例を示している。なお、図4および後に説明する図5(c),図6(c)に示す超音波信号は、周波数分析により、入射した超音波Uの基本波と同じ周波数の成分を抜き出したものである。 FIG. 3A schematically shows the behavior of the ultrasonic waves U incident on the material S to be inspected. Further, FIG. 3B shows an enlarged view of the internal structure of the material S to be inspected. FIG. 4 shows an example of an ultrasonic signal obtained by the ultrasonic inspection device 11. The ultrasonic signals shown in FIG. 4 and FIGS. 5(c) and 6(c), which will be described later, are obtained by extracting a component having the same frequency as the fundamental wave of the incident ultrasonic wave U by frequency analysis.

図3(a)に示すように、入射した超音波Uの多くの部分は、被検査材Sの表面S1で反射され、表面反射波U1となる。表面反射波U1は、図4中に成分A1として示すように、超音波信号が検出される時間の初期に、非常に大きな振幅で検出される。また、被検査材Sにおいて、表面S1に対向する底面S2に達した超音波Uの大部分は、底面S2で反射され、底面反射波U2となる。底面反射波U2は、図4中に成分A2として示すように、超音波信号が検出される時間の終盤に、比較的大きな振幅で検出される。 As shown in FIG. 3A, most of the incident ultrasonic wave U is reflected by the surface S1 of the inspection object S and becomes a surface reflected wave U1. The surface reflected wave U1 is detected with a very large amplitude at the beginning of the time when the ultrasonic signal is detected, as indicated by the component A1 in FIG. In the material S to be inspected, most of the ultrasonic waves U reaching the bottom surface S2 facing the surface S1 are reflected by the bottom surface S2 and become bottom surface reflected waves U2. The bottom surface reflected wave U2 is detected with a relatively large amplitude at the end of the time when the ultrasonic signal is detected, as indicated by the component A2 in FIG.

超音波信号においては、図4中に成分A3として示すように、表面反射波U1による成分A1と底面反射波U2による成分A2の他に、それらの間の時間領域に、小さな振幅の信号が、長時間連続して観測される。この成分A3は、被検査材Sの内部で超音波Uが散乱されて生じる、散乱波U3に対応するものである。 In the ultrasonic signal, as shown as a component A3 in FIG. 4, in addition to the component A1 due to the surface reflected wave U1 and the component A2 due to the bottom reflected wave U2, a signal with a small amplitude is generated in the time domain between them. Observed continuously for a long time. The component A3 corresponds to the scattered wave U3 generated by the ultrasonic wave U being scattered inside the inspection object S.

図3(b)に、図3(a)中に破線で表示した領域の拡大図を、模式的に示すように、被検査材Sを構成する金属材料中には、多数の結晶粒S3が含まれている。結晶粒S3の外縁は、結晶粒界S4となっている。結晶組織中に入射された超音波Uは、結晶粒界S4で散乱を受ける。多結晶金属材料における結晶粒S3の大きさは、典型的には、サブミクロンからミクロンオーダーであり、超音波Uの散乱においては、後方散乱(レイリー散乱)の寄与が大きくなる。結晶粒界S4で生じた散乱波U3の少なくとも一部は、超音波検査装置11に到達し、検出される。超音波検査装置11に到達した散乱波U3は、超音波信号において、表面反射波U1と底面反射波U2の間の時間に観測される成分A3となる。被検査材Sの表面S1から底面S2に至る経路の全域で、結晶粒界S4による散乱が起こるため、散乱波U3による信号成分A3は、長い時間に亘って観測される。 As shown in FIG. 3B, which is an enlarged view of a region indicated by a broken line in FIG. 3A, a large number of crystal grains S3 are contained in the metal material forming the material S to be inspected. include. The outer edge of the crystal grain S3 is a crystal grain boundary S4. The ultrasonic wave U incident on the crystal structure is scattered at the crystal grain boundary S4. The size of the crystal grain S3 in the polycrystalline metal material is typically in the order of submicron to micron, and the contribution of backscattering (Rayleigh scattering) is large in the scattering of the ultrasonic wave U. At least a part of the scattered wave U3 generated at the crystal grain boundary S4 reaches the ultrasonic inspection apparatus 11 and is detected. The scattered wave U3 reaching the ultrasonic inspection device 11 becomes a component A3 observed in the time between the surface reflected wave U1 and the bottom surface reflected wave U2 in the ultrasonic signal. Scattering by the crystal grain boundaries S4 occurs over the entire path from the surface S1 to the bottom surface S2 of the inspected material S, so that the signal component A3 due to the scattered wave U3 is observed for a long time.

結晶粒界における超音波の散乱強度は、結晶粒の粒径の6乗に比例することが知られている。つまり、図5(a)に走査電子顕微鏡像(SEM)像を示すように、全体として、結晶粒S3の粒径が大きい場合には、図5(b)のように、結晶粒界S4で散乱が強く起こる。そして、図5(c)に示すように、超音波検査装置11で検出される超音波信号において、散乱波U3による成分A3の強度が大きくなる。一方、図6(a)にSEM像を示すように、全体として、結晶粒S3の粒径が小さい場合には、図6(b)のように、結晶粒界S4での散乱が弱くなる。図6(b)では、散乱がほとんど起こっていない形態を示している。そして、図6(c)に示すように、超音波検査装置11で検出される超音波信号において、散乱波U3による成分A3の強度が小さくなる。このように、結晶組織を構成する結晶粒S3の粒径は、超音波の散乱強度に反映され、粒径が大きくなるほど、散乱強度が大きくなる。 It is known that the scattering intensity of ultrasonic waves at crystal grain boundaries is proportional to the sixth power of the grain size of crystal grains. That is, as shown in the scanning electron microscope image (SEM) image in FIG. 5A, when the grain size of the crystal grain S3 is large as a whole, as shown in FIG. Strong scattering occurs. Then, as shown in FIG. 5C, in the ultrasonic signal detected by the ultrasonic inspection device 11, the intensity of the component A3 due to the scattered wave U3 increases. On the other hand, as shown in the SEM image of FIG. 6A, when the grain size of the crystal grain S3 is small as a whole, the scattering at the crystal grain boundary S4 becomes weak as shown in FIG. 6B. FIG. 6B shows a form in which almost no scattering occurs. Then, as shown in FIG. 6C, in the ultrasonic signal detected by the ultrasonic inspection device 11, the intensity of the component A3 due to the scattered wave U3 becomes small. As described above, the grain size of the crystal grains S3 forming the crystal structure is reflected on the scattering intensity of ultrasonic waves, and the scattering intensity increases as the grain size increases.

図7に、結晶粒径の均一度と、結晶粒径の大きさの異なる4とおりの組織を示す。なお、ここでは、各結晶粒を実際よりも拡大して表示している。上で説明したとおり、図7(a)のように、微細な結晶が均一に生成している場合には(均一・微細組織)、小さな散乱強度が観測され、図7(d)のように、粗大な結晶が均一に生成している場合には、(均一・粗大組織)、大きな散乱強度が観測される。 FIG. 7 shows four structures having different crystal grain size uniformity and different crystal grain size. In addition, here, each crystal grain is enlarged and displayed rather than actual. As described above, when fine crystals are uniformly generated (uniform/fine structure) as shown in FIG. 7A, a small scattering intensity is observed, and as shown in FIG. When coarse crystals are uniformly generated (uniform/coarse structure), a large scattering intensity is observed.

被検査材Sにおいて、異なる入射点P(図では入射点P1,P2)から、それぞれ超音波Uを入射し、信号検出を行う場合を考える。図7(a)の均一・微細組織においては、入射点Pによらず、超音波Uが通過する経路に、粒径のよく揃った小さな結晶粒S3が分布している。よって、図中で超音波の経路の先に散乱波U3の信号強度を模式的に示すように、入射点Pによらず、同程度に小さな散乱強度が観測される。一方、図7(d)の均一・粗大組織においては、入射点Pによらず、超音波Uが通過する経路に、粒径のよく揃った大きな結晶粒S3が分布している。よって、入射点Pによらず、同程度に大きな散乱強度が観測される。このように、粒径の均一性が高い(不均一性が低い)場合には、入射点P間で散乱強度が大きく変化せず、入射点Pによらず粒径を反映した散乱強度が得られる。その結果、入射点Pの間で、散乱強度が大きくばらつくことはない。 Consider a case where ultrasonic waves U are respectively incident on the material S to be inspected from different incident points P (incident points P1 and P2 in the figure) to perform signal detection. In the uniform and fine structure of FIG. 7A, regardless of the incident point P, small crystal grains S3 having a uniform grain size are distributed in the path through which the ultrasonic waves U pass. Therefore, as schematically showing the signal intensity of the scattered wave U3 at the end of the path of the ultrasonic waves in the figure, regardless of the incident point P, a scattering intensity as small as the same is observed. On the other hand, in the uniform/coarse structure of FIG. 7D, large crystal grains S3 having a uniform grain size are distributed in the path through which the ultrasonic waves U pass, regardless of the incident point P. Therefore, regardless of the incident point P, an equally large scattering intensity is observed. Thus, when the particle size is highly uniform (low inhomogeneity), the scattering intensity does not change significantly between the incident points P, and the scattering intensity that reflects the particle size is obtained regardless of the incident point P. Be done. As a result, the scattering intensity does not vary greatly between the incident points P.

これらに対し、図7(b)では、微小な結晶粒S3よりなる組織の中に、粗大な結晶粒M1(斜線にて表示)が不均一に生じた、不均一・微細組織が形成されている。また、図7(c)では、微小な結晶粒S3よりなる組織の中に、それら結晶粒S3よりもさらに微細な結晶粒M2(斜線にて表示)が不均一に生じた、不均一・微細組織が形成されている。例えば、チタン基合金において、大部分がα相の微細な結晶よりなる組織の中に、粗大なα相の生成や、β相の偏析が起こる場合に、それらのような不均一・微細組織が形成されうる。 On the other hand, in FIG. 7B, a coarse and fine crystal grain M1 (indicated by diagonal lines) is nonuniformly formed in the microstructure of the fine crystal grain S3. There is. Further, in FIG. 7C, in the structure composed of the minute crystal grains S3, the crystal grains M2 finer than the crystal grains S3 (indicated by diagonal lines) are nonuniformly generated. Tissue is formed. For example, in a titanium-based alloy, when the formation of a coarse α phase or the segregation of the β phase occurs in the structure that consists mostly of fine crystals of the α phase, such a non-uniform/fine structure may occur. Can be formed.

図7(b)および(c)のように、不均一・微細組織に対して、異なる入射点Pから、それぞれ超音波Uを入射する場合には、入射点Pによって、超音波Uが通過する経路に存在する結晶粒の粒径の分布が、変化しうる。例えば、図7(b)においては、図中の入射点P1から入射された超音波Uは、微細な結晶粒S3が生成している領域のみを通過するため、経路において、強い散乱を起こさない。一方、入射点P2から入射された超音波Uは、粗大な結晶粒M1が生成した領域を、途中に通過する。よって、通過経路の中に、超音波が強い散乱を起こす部位が存在する。そのため、被検査材Sの表面の各位置に設定された入射点Pから超音波Uを入射し、散乱強度を計測した際に、入射点P1から入射した場合のように、微細な結晶粒S3のみが生成した領域を超音波Uが通過する場合には、散乱強度が小さくなり、入射点P2から入射した場合のように、粗大な結晶粒M1が生成した領域を超音波Uが通過する場合には、散乱強度が大きくなる。その結果、入射点Pによって、散乱強度が変化し、入射点Pの間で散乱強度におけるばらつきが大きくなる。 As shown in FIGS. 7B and 7C, when the ultrasonic waves U are incident on different inhomogeneous/fine tissues from different incident points P, the ultrasonic waves U pass through the incident points P. The grain size distribution of the grains present in the pathway may vary. For example, in FIG. 7B, the ultrasonic wave U incident from the incident point P1 in the figure passes only through the region where the fine crystal grains S3 are generated, and therefore does not cause strong scattering in the path. .. On the other hand, the ultrasonic wave U incident from the incident point P2 passes through the region where the coarse crystal grains M1 are generated on the way. Therefore, there is a portion where the ultrasonic waves are strongly scattered in the passage. Therefore, when the ultrasonic wave U is incident from the incident point P set at each position on the surface of the inspected material S and the scattering intensity is measured, the fine crystal grains S3 are generated as in the case where the ultrasonic wave U is incident from the incident point P1. In the case where the ultrasonic wave U passes through the region generated by only the ultrasonic wave U, the scattering intensity becomes small, and the ultrasonic wave U passes through the region generated by the coarse crystal grain M1 as in the case where the ultrasonic wave U is incident from the incident point P2. The scattering intensity becomes large. As a result, the scattering intensity changes depending on the incident point P, and the variation in the scattering intensity between the incident points P increases.

一方、図7(c)においては、図中の入射点P2から入射された超音波Uは、特に微小な結晶粒M2が生成した領域を、途中に通過する。よって、通過経路の中に、超音波がほとんど散乱を起こさない(あるいは、弱くしか起こさない)部位が存在する。そのため、被検査材Sの表面の各位置に設定された入射点Pから超音波Uを入射し、散乱強度を計測した際に、入射点P2から入射した場合のように、特に微小な結晶粒M2が生成した領域を超音波Uが通過する場合には、入射点P1から入射した場合のように、特に微小な結晶粒M2が生成した領域を通過しない場合よりも、散乱強度が小さくなる。このように、特に微小な結晶粒M2が混在する場合にも、粗大な結晶粒M2が混在する場合と同様に、入射点Pによって、散乱強度が変化し、入射点Pの間で散乱強度におけるばらつきが大きくなる。 On the other hand, in FIG. 7(c), the ultrasonic wave U incident from the incident point P2 in the figure passes through the region where the particularly small crystal grains M2 are generated. Therefore, there is a portion in the passing path where the ultrasonic waves hardly scatter (or weakly). Therefore, when the ultrasonic wave U is incident from the incident point P set at each position on the surface of the inspection target material S and the scattering intensity is measured, as in the case where the ultrasonic wave U is incident from the incident point P2, particularly fine crystal grains When the ultrasonic wave U passes through the region generated by M2, the scattering intensity is smaller than when the ultrasonic wave U does not pass through the region generated by the minute crystal grain M2, as in the case of incidence from the incident point P1. As described above, even when the minute crystal grains M2 are mixed, the scattering intensity changes depending on the incident point P, and the scattering intensity varies between the incident points P as in the case where the coarse crystal grains M2 are mixed. The variation becomes large.

このように、入射点Pによる散乱強度のばらつきが、組織内における結晶粒径の不均一性を反映したものとなる。そこで、粒径の不均一性を定量的に解析するために、各入射点Pで得られた散乱強度に対して、統計分析を行う。具体的には、図8(a)に示すように、所定の散乱強度が得られた入射点Pの数を、散乱強度の関数として整理し、散乱強度関数を作成する。図8(a)において、横軸が、散乱強度を示し、縦軸が、データ数、つまり所定の散乱強度が観測された入射点Pの数を示している。丸印によって示すデータ点の1つ1つが、各入射点Pに対応しており、図示した形態では、例えば、散乱強度「6」が観測された入射点Pが16か所であることが、示されている。 As described above, the variation in the scattering intensity depending on the incident point P reflects the nonuniformity of the crystal grain size in the structure. Therefore, in order to quantitatively analyze the nonuniformity of the particle size, statistical analysis is performed on the scattering intensity obtained at each incident point P. Specifically, as shown in FIG. 8A, the number of incident points P at which a predetermined scattering intensity is obtained is arranged as a function of the scattering intensity to create a scattering intensity function. In FIG. 8A, the horizontal axis indicates the scattering intensity, and the vertical axis indicates the number of data, that is, the number of incident points P at which the predetermined scattering intensity is observed. Each of the data points indicated by circles corresponds to each incident point P, and in the illustrated form, for example, there are 16 incident points P at which the scattering intensity “6” was observed. It is shown.

結晶組織における粒径の均一性が高く(不均一性が低く)、各入射点Pに対して得られた散乱強度のばらつきが小さい場合には、図8(a)のような散乱強度関数において、データ点が、狭い散乱強度の領域に集中して分布し、幅の小さなピークを与えるはずである。一方、粒径の不均一性が高く、各入射点Pに対して得られた散乱強度のばらつきが大きい場合には、散乱強度関数において、データ点が、広い散乱強度に広がって分布し、幅の大きなピークを与えるはずである。つまり、散乱強度関数において、ピーク幅は、結晶組織の不均一性に高い相関を示し、ピーク幅が大きいほど、結晶組織の不均一性が高くなっていると評価することができる。 When the uniformity of the grain size in the crystal structure is high (the nonuniformity is low) and the variation of the scattering intensity obtained for each incident point P is small, the scattering intensity function as shown in FIG. , The data points should be concentrated in a region of narrow scattering intensity, giving narrow peaks. On the other hand, when the non-uniformity of the particle size is high and the dispersion of the scattering intensity obtained for each incident point P is large, the data points are spread over a wide scattering intensity in the scattering intensity function and the width is wide. Should give a big peak of. That is, in the scattering intensity function, the peak width has a high correlation with the nonuniformity of the crystal structure, and it can be evaluated that the larger the peak width, the higher the nonuniformity of the crystal structure.

さらに、上記のように、結晶組織全体として粒径が大きくなっているほど、散乱強度が大きくなるので、データ点が、散乱強度の大きな領域に分布するはずである。よって、散乱強度関数のピークの中央値(ピークトップ)における散乱強度が、粒径の平均値との間に高い相関を示し、中央値における散乱強度が大きいほど、結晶組織における平均粒径が大きくなっていると評価することができる。このように、各入射点Pに対して得られた散乱強度を統計分析して作成される散乱強度関数において、ピーク幅と中央値の散乱強度に着目することで、結晶組織における粒径分布の不均一性と、平均粒径の両方を評価することができる。 Further, as described above, the larger the grain size of the entire crystal structure, the larger the scattering intensity, and therefore the data points should be distributed in the region where the scattering intensity is large. Therefore, the scattering intensity at the median value (peak top) of the peak of the scattering intensity function shows a high correlation with the average value of the grain size, and the larger the scattering intensity at the median value, the larger the average grain size in the crystal structure. It can be evaluated that it has become. In this way, in the scattering intensity function created by statistically analyzing the scattering intensity obtained for each incident point P, the scattering intensity of the peak width and the median value is focused to determine the grain size distribution of the crystal structure. Both non-uniformity and average particle size can be evaluated.

図8(b)に、図7に示した各結晶組織に対して得られる散乱強度関数を、模式的に示す。まず、図7(a)に示す均一・微細組織に対しては、粒径の均一性が高いことを反映して、ピーク幅の小さい散乱強度関数が得られる。また、平均粒径が小さいことと対応して、ピークの中央値の散乱強度が小さくなる。図7(d)に示す均一・粗大組織についても、粒径の均一性が高いことを反映して、均一・微細組織の場合と同様に、ピーク幅の小さい散乱強度関数が得られる。一方、平均粒径が大きいことと対応して、ピークの中央値の散乱強度は大きくなる。 FIG. 8B schematically shows the scattering intensity function obtained for each crystal structure shown in FIG. First, for the uniform/fine structure shown in FIG. 7A, a scattering intensity function with a small peak width is obtained, reflecting the high uniformity of the grain size. In addition, the scattering intensity of the median value of the peaks becomes small corresponding to the small average particle size. Also for the uniform/coarse structure shown in FIG. 7D, a scattering intensity function with a small peak width is obtained, as in the case of the uniform/fine structure, reflecting the high uniformity of the grain size. On the other hand, the scattering intensity at the median of the peaks is increased corresponding to the large average particle size.

図7(b)および(c)に示す不均一・微細組織に対しては、粒径の不均一性が高いことを反映して、ピーク幅の大きい散乱強度関数が得られる。また、一部に粗大粒や特に微小な結晶粒は存在するものの、それらの数が少ないことから、平均粒径としては小さくなっていることを反映して、ピークの中央値の散乱強度は小さくなる。つまり、図7(a)の均一・微細組織の場合と、図7(b),(c)の不均一・微細組織の場合で、平均粒径としては同程度であることから、ピークの中央値の散乱強度は、ほぼ同じとなっているが、粒径の不均一性の差異により、不均一・微細組織の場合の方が、ピーク幅が広くなる。 For the nonuniform/fine structure shown in FIGS. 7B and 7C, a scattering intensity function having a large peak width is obtained, reflecting the high nonuniformity of the particle size. In addition, although there are some coarse grains and particularly fine crystal grains, the number of them is small, reflecting the fact that the average grain size is small, and the scattering intensity of the median peak is small. Become. That is, since the average grain size is the same in the case of the uniform/fine structure of FIG. 7A and the case of the uneven/fine structure of FIGS. 7B and 7C, the center of the peak Although the scattering intensities of the values are almost the same, the peak width becomes wider in the case of the nonuniform/fine structure due to the difference in the nonuniformity of the particle size.

ここまでは、結晶組織の不均一性として、粒径分布における不均一性に着目して、散乱強度関数のピーク幅と結晶組織の不均一性の関係について説明した。しかし、粒径に限らず、結晶粒S3の特性の分布における不均一性と相関を有する指標として、散乱強度関数のピーク幅を用いることができ、散乱強度関数のピーク幅が大きいほど、結晶組織の不均一性が高いと評価することができる。つまり、散乱強度関数のピーク幅が大きいほど、結晶組織を構成する多数の結晶粒S3の間で、特性のばらつきが大きいとみなすことができる。 So far, the relationship between the peak width of the scattering intensity function and the non-uniformity of the crystal structure has been described, focusing on the non-uniformity in the grain size distribution as the non-uniformity of the crystal structure. However, not only the grain size but also the peak width of the scattering intensity function can be used as an index having a correlation with the non-uniformity in the distribution of the characteristics of the crystal grain S3. It can be evaluated that the nonuniformity is high. That is, it can be considered that the larger the peak width of the scattering intensity function, the larger the variation in the characteristics among the large number of crystal grains S3 forming the crystal structure.

着目する結晶粒S3の特性としては、その特性の差異によって、超音波の散乱強度が変化するような特性であれば、特に限定されないが、超音波の散乱強度に大きな影響を与える特性として、粒径の他に、成分組成および異方性を挙げることができる。粒径、成分組成、異方性のいずれか少なくとも1つに、不均一性が存在していれば、超音波測定によって得られる散乱強度のピーク幅に、その不均一性が反映される可能性がある。 The characteristic of the crystal grain S3 of interest is not particularly limited as long as it is a characteristic in which the scattering intensity of the ultrasonic wave changes due to the difference in the characteristic, but as the characteristic that greatly affects the scattering intensity of the ultrasonic wave, In addition to the diameter, component composition and anisotropy can be mentioned. If there is nonuniformity in at least one of particle size, component composition, and anisotropy, the nonuniformity may be reflected in the peak width of the scattering intensity obtained by ultrasonic measurement. There is.

成分組成における不均一性としては、成分組成の異なる結晶粒S3の混在の有無を挙げることができる。例えば、大部分の結晶粒S3が均一な成分組成を有している合金組織の中に、偏析等によって、成分組成の異なる合金よりなる結晶粒S3や、非金属よりなる結晶粒S3が、一部生成している場合に、成分組成における不均一性が高くなる。結晶粒S3の成分組成によって、超音波に対する散乱因子が異なるため、成分組成における不均一性が高いほど、散乱強度関数のピーク幅が広くなる。 The nonuniformity in the component composition may be the presence or absence of the mixture of crystal grains S3 having different component compositions. For example, in an alloy structure in which most of the crystal grains S3 have a uniform component composition, crystal grains S3 made of alloys having different component compositions or crystal grains S3 made of non-metals are When a part is generated, the non-uniformity in the component composition becomes high. Since the scattering factor for ultrasonic waves differs depending on the component composition of the crystal grain S3, the higher the nonuniformity in the component composition, the wider the peak width of the scattering intensity function.

異方性における不均一性としては、各結晶粒S3の形状の異方性の程度が揃っているか否か、また、異方性の高い形状を有する結晶粒S3の配向方向が、結晶粒間で揃っているか否かを挙げることができる。例えば、大部分の異方性の高い形状を有する結晶粒S3の中に、異方性の低い形状を有する結晶粒S3が一部生成している場合や、各結晶粒S3が異方性の高い形状を有しているものの、大部分の配向方向が揃った結晶粒S3の中に、配向方向の異なる結晶粒S3が一部生成している場合に、異方性における不均一性が高くなる。結晶粒S3の具体的な形状や配置方向によって、超音波に対する散乱因子が異なるため、形状や配向の異方性における不均一性が高いほど、散乱強度関数のピーク幅が広くなる。 The non-uniformity in anisotropy includes whether or not the shape of each crystal grain S3 has the same degree of anisotropy, and the orientation direction of the crystal grain S3 having a highly anisotropic shape is determined by It is possible to cite whether or not they are available. For example, when crystal grains S3 having a low anisotropy shape are partially generated in most crystal grains S3 having a high anisotropy shape, or when each crystal grain S3 has anisotropy. Although it has a high shape, most of the crystal grains S3 having the same orientation direction have some non-uniformity in anisotropy when some crystal grains S3 having different orientation directions are generated. Become. Since the scattering factor for ultrasonic waves differs depending on the specific shape and arrangement direction of the crystal grains S3, the higher the nonuniformity in the anisotropy of the shape and orientation, the wider the peak width of the scattering intensity function.

(結晶組織評価方法の各工程)
次に、本発明の実施形態にかかる結晶組織評価方法において、上記で説明したような散乱強度関数と結晶組織の状態の相関を利用して実行する、各工程について説明する。本実施形態にかかる評価方法においては、計測工程、統計処理工程、評価工程を、この順に実施する。
(Each step of the crystal structure evaluation method)
Next, in the crystal structure evaluation method according to the embodiment of the present invention, each process executed by utilizing the correlation between the scattering intensity function and the state of the crystal structure as described above will be described. In the evaluation method according to this embodiment, the measurement process, the statistical processing process, and the evaluation process are performed in this order.

(1)計測工程
計測工程においては、被検査材Sの表面(側面)に設定した複数の入射点Pから、超音波Uを入射し、検出される散乱波U3の強度(散乱強度)を、入射点Pごとに計測する。計測工程においては、まず、上記で、結晶組織評価装置1について説明したように、演算・制御装置13によって、運動装置12と超音波検査装置11を制御して、所定の角度間隔および長さ間隔で、被検査材Sの表面に設定した複数の入射点Pに対して、それぞれ、超音波Uを入射して、超音波信号を取得する。測定により、図2に示したようなデータ群が得られる。
(1) Measuring Process In the measuring process, the intensity (scattering intensity) of the scattered wave U3 detected by the ultrasonic waves U being incident from a plurality of incident points P set on the surface (side surface) of the material S to be inspected, Measurement is performed for each incident point P. In the measurement process, first, as described above with respect to the crystal structure evaluation apparatus 1, the arithmetic/control device 13 controls the exercise device 12 and the ultrasonic inspection device 11 to determine a predetermined angular interval and length interval. Then, the ultrasonic wave U is incident on each of the plurality of incident points P set on the surface of the inspection object S, and the ultrasonic signal is acquired. By the measurement, a data group as shown in FIG. 2 is obtained.

ここで、被検査材Sの表面において、入射点Pを設定して計測を行う範囲は、被検査材Sの中で、周囲と異なる結晶組織が不均一に生成している可能性のある領域よりも十分に大きな体積の領域に、いずれかの入射点Pから入射した超音波Uを到達させることができれば、どのように設定してもよい。被検査材S全体に対して、結晶組織が不均一になった領域が生成していないかどうかを十分に検査する観点からは、被検査材Sの中の略全域に超音波Uを到達させられるように、入射点Pを設定する範囲を設けることが好ましい。被検査材Sが、棒状材よりなる場合には、周方向に沿って全周にわたり、また長手方向に沿って少なくとも一部の領域、好ましくは全域にわたって、入射点Pを設定するとよい。なお、入射点Pは、必ずしも全周にわたって設定する必要はなく、少なくとも180°にわたって設定されていれば、断面全体にわたって組織の検査を行うことが可能である。特に、被検査材Sが、丸棒材等、中心軸を挟んで鏡面対称な形状を有している場合には、180°(半周)にわたって入射点Pを設定すれば十分である。 Here, on the surface of the material S to be inspected, the range in which the incident point P is set and the measurement is performed is a region in the material S to be inspected in which a crystal structure different from the surrounding may be nonuniformly generated. Any setting may be used as long as the ultrasonic wave U incident from any of the incident points P can reach a region having a sufficiently larger volume. From the viewpoint of sufficiently inspecting whether or not a region having a non-uniform crystal structure is generated in the entire inspected material S, the ultrasonic wave U is made to reach almost the entire inspected material S. Therefore, it is preferable to provide a range for setting the incident point P. When the material S to be inspected is a rod-shaped material, the incident point P may be set over the entire circumference in the circumferential direction and at least a part of the area along the longitudinal direction, preferably the entire area. The incident point P does not necessarily have to be set over the entire circumference, and if it is set over at least 180°, it is possible to inspect the tissue over the entire cross section. In particular, when the material S to be inspected has a shape that is mirror-symmetrical with respect to the central axis such as a round bar, it is sufficient to set the incident point P over 180° (half circumference).

設定した各入射点Pに対して、順次、超音波測定を行い、図2のようなデータ群が得られれば、次に、データ群を構成する、各入射点Pに対して得られた超音波信号のそれぞれに対して、散乱強度の抽出を行う。散乱強度は、被検査材Sの内部において発生した散乱波U3の強度を示す量である。 Ultrasonic measurement is sequentially performed on each of the set incident points P, and if a data group as shown in FIG. 2 is obtained, then the supersonic waves obtained for each incident point P forming the data group are obtained. The scattering intensity is extracted for each of the sound wave signals. The scattering intensity is an amount indicating the intensity of the scattered wave U3 generated inside the inspection object S.

この際、まず、超音波強度の時間変化として記録された各超音波信号に対して、周波数分析を行い、以降の解析に用いる特定の周波数の信号を抜き出す。例えば、各超音波信号に対して、短時間フーリエ変換(STFT)を行い、入射した超音波Uの基本波と同じ周波数の成分について、時間変化を抜き出せばよい。図4や図5(c),図6(c)に示すグラフは、そのように、STFTによって、基本波と同じ周波数の成分の時間変化を抜き出したものである。 At this time, first, frequency analysis is performed on each ultrasonic signal recorded as a temporal change in ultrasonic intensity, and a signal of a specific frequency used for subsequent analysis is extracted. For example, a short-time Fourier transform (STFT) may be performed on each ultrasonic signal to extract a temporal change with respect to a component having the same frequency as the fundamental wave of the incident ultrasonic wave U. The graphs shown in FIG. 4, FIG. 5(c), and FIG. 6(c) are obtained by extracting the time change of the component of the same frequency as the fundamental wave by the STFT.

上記でも説明したが、図4に示すように、超音波信号の初期に観測される振幅の大きな成分A1は、表面反射波U1によるものであり、終盤に観測されるある程度大きな振幅を有する成分A2は、底面反射波U2によるものである。そして、成分A1,A2の間に観測される、振幅の小さな成分A3が、散乱波U3によるものである。そこで、表面反射波U1および底面反射波U2による信号の影響を十分に除外できるように、両成分A1,A2の間の時間に、評価領域Gを設定し、評価領域Gにおいて、散乱波U3による超音波信号の強度を評価すればよい。 As described above, as shown in FIG. 4, the component A1 having a large amplitude observed in the initial stage of the ultrasonic signal is due to the surface reflected wave U1, and the component A2 having a relatively large amplitude observed in the final stage. Is due to the bottom surface reflected wave U2. The component A3 having a small amplitude observed between the components A1 and A2 is due to the scattered wave U3. Therefore, the evaluation area G is set at the time between the components A1 and A2 so that the influence of the signals of the surface reflected wave U1 and the bottom surface reflected wave U2 can be sufficiently excluded, and the scattered area U3 is set in the evaluation area G. The strength of the ultrasonic signal may be evaluated.

散乱波U3の強度は、例えば、散乱波U3のエネルギーによって評価することができる。超音波のエネルギーは、振幅の2乗に比例するので、設定した評価領域Gにおいて、振幅の2乗の値を積分して、散乱波U3の強度、つまり散乱強度とすることができる。演算・制御装置13は、このような積分によって得られた散乱強度の値を、入射点Pに対応付けて記憶する。なお、エネルギーに限らず、散乱波U3の強度と正の相関を有する量であれば、散乱強度として、解析に用いることができる。例えば、評価領域Gにおいて、振幅の絶対値を積分したものを、散乱強度として用いることができる。 The intensity of the scattered wave U3 can be evaluated by the energy of the scattered wave U3, for example. Since the energy of ultrasonic waves is proportional to the square of the amplitude, the value of the square of the amplitude can be integrated in the set evaluation region G to obtain the intensity of the scattered wave U3, that is, the scattered intensity. The calculation/control device 13 stores the value of the scattering intensity obtained by such integration in association with the incident point P. Not only the energy but also an amount having a positive correlation with the intensity of the scattered wave U3 can be used for the analysis as the scattered intensity. For example, in the evaluation area G, the integral of the absolute value of the amplitude can be used as the scattering intensity.

このようにして、ある入射点Pで得られた超音波信号に対して散乱強度を抽出することができれば、演算・制御装置13は、図2に示すように、複数の入射点Pに対して得られたデータ群を構成する超音波信号のそれぞれに対して、同様の処理を行って、散乱強度を抽出し、記憶する。なお、ここでは、散乱強度を抽出するための処理を、STFTによる周波数分析によって抜き出した、基本周波数と同じ周波数成分の信号に対して行っているが、これは、散乱波U3が、基本周波数において最も強く観測され、検出感度の確保、および他の現象の寄与との区別を行いやすいことによる。しかし、散乱強度を十分な精度で抽出できる方法であれば、超音波信号の処理方法は、上記のものに限られない。例えば、散乱波U3の寄与が十分に大きい場合等には、周波数分析を省略して、検出された超音波の全強度の時間変化信号に対して、積分等を行って、散乱強度を抽出してもよい。あるいは、周波数分析で得られた、基本周波数以外の周波数の信号に対して、散乱強度を抽出してもよい。また、周波数分析を行う場合に、具体的な手法は、STFTに限られず、例えば、高速フーリエ変換(FFT)を用いることもできる。 In this way, if the scattering intensity can be extracted from the ultrasonic signal obtained at a certain incident point P, the arithmetic/control device 13 can obtain a plurality of incident points P as shown in FIG. Similar processing is performed on each of the ultrasonic signals forming the obtained data group to extract and store the scattering intensity. Note that, here, the processing for extracting the scattered intensity is performed on the signal of the same frequency component as the fundamental frequency extracted by the frequency analysis by the STFT, but this is because the scattered wave U3 is at the fundamental frequency. This is because it is most strongly observed, and it is easy to secure detection sensitivity and distinguish it from the contribution of other phenomena. However, the method of processing the ultrasonic signal is not limited to the above as long as the method can extract the scattered intensity with sufficient accuracy. For example, when the contribution of the scattered wave U3 is sufficiently large, the frequency analysis is omitted, and the scattered intensity is extracted by performing integration or the like on the time-varying signal of the total intensity of the detected ultrasonic waves. May be. Alternatively, the scattering intensity may be extracted from a signal of a frequency other than the fundamental frequency obtained by frequency analysis. Further, when performing frequency analysis, the specific method is not limited to STFT, and for example, fast Fourier transform (FFT) can also be used.

(2)統計処理工程
統計処理工程においては、上記計測工程で、各入射点Pに対応付けて得られた散乱強度の情報をもとに、統計処理を行って、散乱強度関数を作成する。
(2) Statistical processing step In the statistical processing step, statistical processing is performed based on the information of the scattering intensity obtained in association with each incident point P in the above measurement step, and a scattering intensity function is created.

散乱強度関数の作成は、上記で、結晶組織の状態と超音波の散乱について、図8(a)を参照しながら説明したように、所定の散乱強度が得られた入射点Pの数を、散乱強度の関数として整理することによって行う。この際、散乱強度の値を、一定の間隔に区分し、各区分内の散乱強度が得られた入射点Pの数を集計すればよい。 The generation of the scattering intensity function is performed by determining the number of incident points P at which a predetermined scattering intensity is obtained, as described above with reference to FIG. 8A for the state of the crystal structure and the scattering of ultrasonic waves. It is done by organizing as a function of scattering intensity. At this time, the values of the scattering intensity may be divided into fixed intervals, and the number of incident points P at which the scattering intensity is obtained in each division may be totaled.

この際、被検査材Sの表面に設定した全入射点Pに対するデータ点を、1つの散乱強度関数にまとめてもよいが、被検査材Sの表面の領域を複数の部位に区画し、部位ごとにデータ点を整理して、複数の散乱強度関数を作成してもよい。すると、被検査材Sの部位ごとに、結晶組織の不均一性を評価することができる。例えば、被検査材Sが、丸棒材のように、棒状材よりなる場合に、長手方向に沿って、所定長さを有する複数の部位に被検査材Sを区画し、各部位ごとに、上記所定長さにわたって全周に設定された入射点Pに対応するデータ点を整理して、その部位の散乱強度関数を作成することができる。すると、部位ごとに、その部位内における結晶組織の不均一性を評価することができる。 At this time, the data points for all incident points P set on the surface of the inspection object S may be put together into one scattering intensity function, but the surface area of the inspection object S is divided into a plurality of parts, A plurality of scattering intensity functions may be created by organizing the data points for each. Then, the nonuniformity of the crystal structure can be evaluated for each part of the inspection target material S. For example, when the material S to be inspected is a rod-shaped material such as a round bar, the material S to be inspected is divided into a plurality of portions having a predetermined length along the longitudinal direction, and each portion is The data point corresponding to the incident point P set on the entire circumference over the predetermined length can be arranged to create the scattering intensity function of that portion. Then, it is possible to evaluate the non-uniformity of the crystal structure within each site for each site.

(3)評価工程
評価工程においては、上記統計処理工程において得られた散乱強度関数を用いて、被検査材Sにおける結晶組織の不均一性を評価する。
(3) Evaluation Step In the evaluation step, the nonuniformity of the crystal structure of the material S to be inspected is evaluated using the scattering intensity function obtained in the statistical processing step.

上記で、結晶組織の状態と超音波の散乱について、図7および図8(b)を参照しながら説明したように、各入射点Pに対して得られた散乱強度を統計処理して得られた散乱強度関数のピーク幅は、結晶組織の不均一性と高い相関性を示し、ピーク幅が大きいほど、結晶組織の不均一性が高いとみなすことができる。そこで評価工程においては、散乱強度関数のピーク幅を求め、その幅が大きいほど、結晶組織の不均一性が高くなっていると評価する。 As described above with reference to FIGS. 7 and 8B, the state of the crystal structure and the scattering of ultrasonic waves are obtained by statistically processing the scattering intensity obtained for each incident point P. The peak width of the scattering intensity function has a high correlation with the nonuniformity of the crystal structure, and it can be considered that the larger the peak width, the higher the nonuniformity of the crystal structure. Therefore, in the evaluation step, the peak width of the scattering intensity function is obtained, and it is evaluated that the larger the width, the higher the nonuniformity of the crystal structure.

散乱強度関数のピーク幅を求める方法は、特に限定されるものではなく、例えば、半値全幅(FWHM)を、ピーク幅とすることができる。あるいは、ピーク幅と正の相関を有する量を代わりに用いてもよい。図8(a)中に実線で示すように、散乱強度関数を正規分布に近似できる場合には、標準偏差(σ)を、ピーク幅に対応する量として、評価に用いることができる。 The method for obtaining the peak width of the scattering intensity function is not particularly limited, and the full width at half maximum (FWHM) can be used as the peak width, for example. Alternatively, an amount having a positive correlation with the peak width may be used instead. As shown by the solid line in FIG. 8A, when the scattering intensity function can be approximated to a normal distribution, the standard deviation (σ) can be used for evaluation as an amount corresponding to the peak width.

散乱強度関数のピーク幅を見積もると、次に、そのピーク幅をもとに、結晶組織における不均一性の程度を評価する。具体的には、ピーク幅が大きいほど、不均一性が高いと評価する。ここで、散乱強度関数のピーク幅に不均一性が反映される結晶粒S3の特性としては、結晶粒径、成分組成、異方性等を挙げることができるが、事前の試験等により、対象としている被検査材Sを構成する材料において、不均一性が生じる可能性のある特性がいずれであるかが分かっていれば、散乱強度関数のピーク幅を、その特性における不均一性の程度に変換することができる。例えば、材料製造時の条件の揺らぎ等による結晶組織の不均一性として、結晶粒径の不均一性が最も出現しやすい場合には、散乱強度関数のピーク幅を、結晶粒径における不均一性の程度に変換することができる。 After estimating the peak width of the scattering intensity function, the degree of nonuniformity in the crystal structure is evaluated based on the peak width. Specifically, it is evaluated that the larger the peak width, the higher the nonuniformity. Here, as the characteristic of the crystal grain S3 in which the non-uniformity is reflected in the peak width of the scattering intensity function, the crystal grain size, the component composition, the anisotropy, etc. can be mentioned. If it is known which of the characteristics that may cause nonuniformity in the material forming the inspection target material S, the peak width of the scattering intensity function is set to the degree of nonuniformity in the characteristics. Can be converted. For example, when unevenness of the crystal grain size is most likely to appear as the unevenness of the crystal structure due to fluctuations in the conditions at the time of manufacturing the material, the peak width of the scattering intensity function is defined as the unevenness in the crystal grain size. Can be converted to a degree.

散乱強度関数のピーク幅をもとに、結晶組織における不均一性の程度を評価するに際し、結晶組織の不均一性の程度とピーク幅の間の対応関係を示す参照データを、事前の試験等によって収集しておけば、被検査材Sに対する測定で得られたピーク幅を、結晶組織の不均一性の程度に、対応付けることができる。例えば、事前に、種々の条件で製造し、結晶粒径の不均一性の程度を変化させた参照試料を多数準備し、それぞれに対して、断面のSEM観察等によって、結晶組織の不均一性の程度を確認するとともに、散乱強度関数のピーク幅を見積もっておけばよい。そして、検査対象となる被検査材Sに対して実際に得られた散乱強度関数のピーク幅を、各参照試料に対して得られたピーク幅と比較する。ピーク幅が近い参照試料があれば、被検査材Sは、その参照試料と同程度の粒径の不均一性を有していると評価することができる。 When evaluating the degree of non-uniformity in the crystal structure based on the peak width of the scattering intensity function, reference data showing the correspondence relationship between the degree of non-uniformity of the crystal structure and the peak width was used in advance tests, etc. If it is collected by, the peak width obtained by the measurement for the inspected material S can be associated with the degree of nonuniformity of the crystal structure. For example, a large number of reference samples prepared in advance under various conditions and having varying degrees of nonuniformity of the crystal grain size are prepared, and the nonuniformity of the crystal structure is observed by SEM observation of the cross section for each of the reference samples. And the peak width of the scattering intensity function should be estimated. Then, the peak width of the scattering intensity function actually obtained for the inspected material S to be inspected is compared with the peak width obtained for each reference sample. If there is a reference sample having a similar peak width, it is possible to evaluate that the material S to be inspected has the same degree of non-uniformity in particle size as the reference sample.

あるいは、金属材料の製造工程等において、製造された各個体が、材料特性等の観点から許容できない不均一性を、結晶組織に有しているか否かを判定する場合には、被検査材Sの粒径の不均一性がどの程度であるかを、詳細に評価することまでは必要でない。このような場合には、複数種の参照試料を用いた参照データの収集を行う必要はなく、許容される不均一性の上限となる参照試料を1種類作製し、その参照試料に対して、散乱強度関数のピーク幅を、閾値として予め見積もっておくだけで十分である。そして、見積もられた閾値と、検査対象となる被検査材Sに対して実際に得られた散乱強度関数のピーク幅を比較すればよい。得られたピーク幅が、設定した閾値以下である場合には、許容できない水準の結晶組織の不均一性は、発生しておらず、十分に高い均一性を有する結晶組織が得られていると評価することができる。一方、得られたピーク幅が、閾値よりも大きい場合には、許容できない水準の不均一性を有する結晶組織が生じていると評価される。 Alternatively, in the process of manufacturing a metal material, when it is determined whether or not each manufactured individual has non-uniform crystal structure that cannot be tolerated from the viewpoint of material properties, etc. It is not necessary to evaluate the degree of non-uniformity of the particle size of the above. In such a case, it is not necessary to collect reference data using a plurality of types of reference samples, one reference sample that is the upper limit of allowable heterogeneity is prepared, and the reference sample is It is sufficient to estimate the peak width of the scattering intensity function as a threshold value in advance. Then, the estimated threshold value may be compared with the peak width of the scattering intensity function actually obtained for the inspection target material S to be inspected. When the obtained peak width is less than or equal to the set threshold value, non-uniformity of the crystal structure at an unacceptable level does not occur, and a crystal structure having sufficiently high uniformity is obtained. Can be evaluated. On the other hand, when the obtained peak width is larger than the threshold value, it is estimated that a crystal structure having an unacceptable level of nonuniformity is generated.

金属材料の製造工程において、許容できない水準の不均一性を有する結晶組織が生じていると判定された個体は、以降の工程における加工や出荷の対象から除外すればよい。また、製造装置の点検や製造条件の見直し等を行い、その後製造される個体において、結晶組織の均一性を高められるように、対策を施すことができる。 Individuals determined to have a crystal structure having an unacceptable level of nonuniformity in the manufacturing process of the metal material may be excluded from the objects of processing and shipping in the subsequent steps. In addition, the manufacturing apparatus may be inspected, the manufacturing conditions may be reviewed, and measures may be taken so that the uniformity of the crystal structure can be improved in the individual manufactured later.

統計処理工程において、被検査材Sの表面を複数の部位に区画して、部位ごとに散乱強度関数を作成している場合には、それら部位ごとに、結晶組織の不均一性を評価することができる。例えば、各部位の中に、許容できない水準の不均一性を有する結晶組織が生じているか否かを、判定することができる。もし、棒状の被検査材Sの長手方向に沿って、一部の部位にのみ、許容できない水準の不均一性が発見された場合には、切断等によって、その部位のみ除去する等の対応も行いうる。 In the statistical processing step, when the surface of the material S to be inspected is divided into a plurality of parts and a scattering intensity function is created for each part, the nonuniformity of the crystal structure should be evaluated for each part. You can For example, it is possible to determine whether or not a crystalline structure having an unacceptable level of nonuniformity occurs in each part. If an unacceptable level of non-uniformity is found in only some parts along the longitudinal direction of the rod-shaped test material S, it is possible to remove only that part by cutting or the like. You can do it.

以上のように、本実施形態にかかる結晶組織評価方法においては、結晶粒S3の状態によって超音波の散乱強度が異なることを利用して、被検査材Sの表面の複数の入射点Pから超音波を入射した際に観測される散乱強度に基づいて、結晶組織の不均一性を、非破壊で、簡便に評価することができる。多結晶金属材料の結晶粒S3の粒径は、典型的には、サブミクロンからミクロンオーダーであり、超音波の波長よりも小さいが、散乱現象、特に後方散乱を利用して、評価を行うことで、粒径等、結晶組織が有する特性における不均一性を、高感度に検出できる。 As described above, in the crystal structure evaluation method according to the present embodiment, by utilizing the fact that the scattering intensity of ultrasonic waves differs depending on the state of the crystal grains S3, the ultrasonic wave is superposed from a plurality of incident points P on the surface of the inspection object S. Based on the scattering intensity observed when a sound wave is incident, the nonuniformity of the crystal structure can be evaluated easily and nondestructively. The grain size of the crystal grain S3 of the polycrystalline metal material is typically in the submicron to micron order and smaller than the wavelength of ultrasonic waves, but the scattering phenomenon, particularly backscattering, should be used for evaluation. Thus, the nonuniformity in the characteristics of the crystal structure such as the grain size can be detected with high sensitivity.

1点のみに超音波を入射して検査を行う場合や、広い領域に一括して超音波を照射して検査を行う場合とは異なり、多数の入射点Pに対して個別に測定した散乱強度のデータを、統計的に解析することで、結晶組織全体の中で、構造が不均一になった領域が、ごく一部であったとしても、そのような領域の存在を、敏感に検知することができる。また、図4等に示されるように、散乱波U3の強度は、表面反射波U1や底面反射波U2に比べて弱いが、統計処理を利用することで、ノイズの影響を低減して、散乱波U3の強度に基づいて、精度の高い解析を行うことができる。ノイズの影響は、統計処理の基礎となる散乱強度を、積分によって求めることで、一層低減される。このように、ノイズの影響の低減によって、測定の感度および精度を高めることで、金属材料等の製造工程において、多数の個体が連続的に製造される場合に、一部の個体の、ごく限られた領域に、結晶組織が不均一になった部位が存在する場合でも、そのような不均一な結晶組織を、高感度、また高精度に発見し、所望の材料特性を与えるような結晶組織を均一に有する個体を、正確に選別することができる。 Unlike the case where the ultrasonic wave is incident on only one point for the inspection or the ultrasonic wave is collectively applied to a wide area for the inspection, the scattering intensity individually measured for a large number of incident points P is used. By statistically analyzing the data of 1., the presence of such a region can be sensitively detected even if the region where the structure becomes nonuniform is a small part in the entire crystal structure. be able to. Further, as shown in FIG. 4 and the like, the intensity of the scattered wave U3 is weaker than the surface reflected wave U1 and the bottom reflected wave U2, but by using statistical processing, the influence of noise can be reduced and A highly accurate analysis can be performed based on the intensity of the wave U3. The influence of noise is further reduced by calculating the scattering intensity, which is the basis of statistical processing, by integration. In this way, by increasing the sensitivity and accuracy of the measurement by reducing the influence of noise, when a large number of individuals are continuously manufactured in the manufacturing process of metal materials, etc. Even if there is a region where the crystal structure is non-uniform in the specified region, such a non-uniform crystal structure can be found with high sensitivity and high accuracy, and the crystal structure that gives the desired material properties. It is possible to accurately select individuals having a uniform value.

本実施形態にかかる結晶組織評価方法においては、各入射点Pに対して得られた超音波信号に対して、適宜、周波数解析や積分を行ったうえで、散乱強度のデータを統計処理し、そのピーク幅を評価するだけで、結晶組織の不均一性に関する情報を得ることができる。検出された超音波信号に対して、波形の解析等の複雑な演算処理や、結晶組織のモデルを仮定してのシミュレーション等を行う必要がない。各入射点Pでの超音波の入射と検出という簡素な計測と、統計処理を中心とした単純な演算処理のみで、結晶組織の不均一性を簡便に評価することができる。その結果、多数の個体に対して検査を行う場合等にも、各個体に対する検査を、短時間で完了することができる。 In the crystal structure evaluation method according to the present embodiment, the ultrasonic signal obtained for each incident point P is appropriately subjected to frequency analysis and integration, and then statistically processed for the scattering intensity data, Only by evaluating the peak width, it is possible to obtain information regarding the nonuniformity of the crystal structure. It is not necessary to perform a complicated calculation process such as a waveform analysis or a simulation assuming a model of a crystal structure on the detected ultrasonic signal. The inhomogeneity of the crystal structure can be easily evaluated only by simple measurement such as incidence and detection of ultrasonic waves at each incident point P and simple arithmetic processing centered on statistical processing. As a result, even when a large number of individuals are inspected, the inspection of each individual can be completed in a short time.

(4)その他の工程
(4−1)平均結晶粒径の評価
本実施形態にかかる結晶組織評価方法においては、上記の評価工程において、散乱強度関数のピーク幅に基づいて、結晶粒径の不均一性等、結晶組織における不均一性を評価している。評価工程においては、散乱強度関数のピーク幅の他に、ピークの中央値の散乱強度に注目することで、結晶粒S3の平均粒径に関する情報も、結晶組織の不均一性に関する情報と合わせて、得ることができる。
(4) Other Steps (4-1) Evaluation of Average Crystal Grain Size In the crystal structure evaluation method according to the present embodiment, in the above evaluation step, the crystal grain size difference is determined based on the peak width of the scattering intensity function. The nonuniformity in the crystal structure such as the uniformity is evaluated. In the evaluation step, not only the peak width of the scattering intensity function but also the scattering intensity of the median of the peaks is focused, so that the information on the average grain size of the crystal grains S3 is also combined with the information on the nonuniformity of the crystal structure. ,Obtainable.

上記で説明したように、散乱強度関数のピークの中央値における散乱強度が大きいほど、結晶粒S3の平均粒径が大きいと評価すればよい。結晶組織の不均一性と、平均結晶粒径を合わせて評価することで、例えば、金属材料等の製造工程において、所望の材料特性を与えるような、所定の範囲の粒径を有する結晶粒S3が均一性高く生成した個体を、高度に選別することができる。 As described above, the larger the scattering intensity at the median of the peaks of the scattering intensity function, the larger the average grain size of the crystal grains S3 may be evaluated. By evaluating the nonuniformity of the crystal structure and the average crystal grain size together, for example, the crystal grains S3 having a grain size within a predetermined range that gives desired material characteristics in the manufacturing process of a metal material or the like. Individuals generated with high uniformity can be highly selected.

(4−2)散乱強度関数の複数成分への分離と不均一性の定量評価
上記のように、散乱強度関数において、散乱強度(横軸)の値は、結晶粒径を反映し、結晶粒径が大きいほど、散乱強度値が大きくなるが、結晶粒径の分布範囲の異なる複数の種類の結晶組織が混在している場合には、散乱強度関数は、それら複数種の結晶組織の寄与を足し合わせたものとなる。この場合に、得られる散乱強度関数が、左右非対称な形状をとる場合がある。例えば、図7(b),(c)に示したように、均一性の高い微小な結晶粒S3よりなる組織の中に、粗大な結晶粒M1、またはそれら微細な結晶粒S3よりもさらに小さな結晶粒M2が、不均一に混在している場合に、それら混在した結晶粒M1,M2の占める領域が小さければ、図8を参照しながら既に説明したように、それら混在した結晶粒M1,M2の寄与による散乱強度関数の不均一性を無視して、散乱強度関数を、ピーク中央値を挟んで対称な関数として扱うことができる。しかし、混在した不均一な結晶粒M1,M2の占める領域が大きければ、それら結晶粒M1,M2の寄与による散乱強度関数の不均一性が無視できない場合がある。そのような場合には、評価工程において、散乱強度関数を、散乱強度の中央値が異なる複数のピーク成分に分離することが好ましい。
(4-2) Separation of Scattering Intensity Function into Multiple Components and Quantitative Evaluation of Nonuniformity As described above, in the scattering intensity function, the value of the scattering intensity (horizontal axis) reflects the crystal grain size, The larger the diameter is, the larger the scattering intensity value is, but when a plurality of types of crystal structures having different distribution ranges of the crystal grain size are mixed, the scattering intensity function determines the contribution of the plurality of types of crystal structures. It will be a sum. In this case, the obtained scattering intensity function may have a bilaterally asymmetrical shape. For example, as shown in FIGS. 7B and 7C, in a structure composed of minute crystal grains S3 having high uniformity, the crystal grains M1 larger than the coarse crystal grains M1 or smaller than the fine crystal grains S3 are finer. When the crystal grains M2 are nonuniformly mixed and the area occupied by the mixed crystal grains M1 and M2 is small, the mixed crystal grains M1 and M2 are already described with reference to FIG. The scattering intensity function can be treated as a symmetric function with respect to the peak median value, ignoring the non-uniformity of the scattering intensity function due to However, if the area occupied by the mixed nonuniform crystal grains M1 and M2 is large, the nonuniformity of the scattering intensity function due to the contribution of the crystal grains M1 and M2 may not be negligible. In such a case, in the evaluation step, it is preferable to separate the scattering intensity function into a plurality of peak components having different median scattering intensities.

例えば、図7(b)に示すように、均一性の高い微細な結晶粒S3が大部分の領域を占める中に、少量の粗大な結晶粒M1が、不均一に混在している場合に、得られる散乱強度関数は、図9(a)に示すように、高散乱強度側の分布幅が、低散乱強度側の分布幅よりも大きくなった、左右非対称な分布をとる。この場合に、非対称な散乱強度関数を、図9(b)に示すように、2つのピーク成分に分離することができる。図9(b)では、図9(a)に示した散乱強度関数の全成分を、破線で示した主ピークと、細い実線で示した副ピークの2つのピーク成分に分離している。副ピークは、主ピークよりもピーク高さ(ピーク中央における縦軸の値)が小さくなっており、かつ、ピーク中央の散乱強度(横軸の値)が大きくなっている。このように分離された2つのピークのうち、主ピークは、結晶粒径が小さく、かつ大きな領域を占める結晶組織、つまり均一性の高い微細な結晶粒S3よりなる組織に、帰属することができる。一方、副ピークは、結晶粒径が大きく、かつ占有する領域が狭い結晶組織、つまり粗大な結晶粒M1が不均一に生成した組織に、帰属することができる。主ピークおよび副ピークをそれぞれ解析することで、それら2種の組織における結晶粒径や組織の不均一性等、結晶組織に関する情報を、組織間で分離して得ることができる。なお、図7(c)のように、均一性の高い結晶粒S3よりなる組織の中に、それらの結晶粒S3よりもさらに結晶粒径が小さくなった結晶粒M2が局所的に生成している場合には、散乱強度関数は、低散乱強度側の分布幅が、高散乱強度側の分布幅よりも大きくなった、左右非対称な分布をとる。この場合にも、同様にピーク分離を行うことができ、主ピークよりも低散乱強度側に、副ピークが出現することになる。 For example, as shown in FIG. 7B, when a small amount of coarse crystal grains M1 are mixed nonuniformly while the highly uniform fine crystal grains S3 occupy most of the region, As shown in FIG. 9A, the obtained scattering intensity function has a laterally asymmetric distribution in which the distribution width on the high scattering intensity side is larger than the distribution width on the low scattering intensity side. In this case, the asymmetric scattering intensity function can be separated into two peak components as shown in FIG. 9(b). In FIG. 9B, all the components of the scattering intensity function shown in FIG. 9A are separated into two peak components, a main peak shown by a broken line and a sub-peak shown by a thin solid line. The sub-peak has a smaller peak height (value on the vertical axis at the center of the peak) and a higher scattering intensity (value on the horizontal axis) at the center of the peak than the main peak. Of the two peaks thus separated, the main peak can be assigned to a crystal structure having a small crystal grain size and occupying a large region, that is, a microstructure S3 having high uniformity. .. On the other hand, the sub-peak can be assigned to a crystal structure having a large crystal grain size and a narrow occupied area, that is, a structure in which coarse crystal grains M1 are nonuniformly generated. By analyzing each of the main peak and the sub-peak, information on the crystal structure such as the crystal grain size and the nonuniformity of the structure in these two types of structures can be obtained by separating the structures. As shown in FIG. 7C, a crystal grain M2 having a crystal grain size smaller than those of the crystal grains S3 is locally generated in the structure of the crystal grains S3 having high uniformity. In this case, the scattering intensity function has a bilaterally asymmetric distribution in which the distribution width on the low scattering intensity side is larger than the distribution width on the high scattering intensity side. In this case as well, peak separation can be performed in the same manner, and a sub-peak appears on the side of lower scattering intensity than the main peak.

散乱強度関数の複数のピーク成分への分離は、公知のデータ解析法によって行うことができ、例えば、複数のガウス関数を用いたカーブフィッティング法を利用することができる。しかし、散乱強度関数を、主ピークと副ピークの2つのピーク成分のみの重ね合わせに近似することができ、かつ、副ピークの寄与が過度に大きくない場合には、簡素な手法によって、ピーク分離を行うことができる。まず、散乱強度関数の最頻値(縦軸の値が最大となった時の横軸の値;図9(a)中に一点鎖線にて表示)を中心として、分布幅が小さい側の散乱強度関数、つまり図9(a)では低散乱強度側の散乱強度関数を、対称に複製し、それを主ピークとする。換言すると、最頻値よりも低散乱強度側の散乱強度関数を、最頻値を境として高散乱強度側に折り返して、それを低散乱強度側の散乱強度関数と接合したものを、主ピークとする。そして、全体の散乱強度関数から、得られた主ピークの寄与を除いたもの、つまり得られた主ピークの強度を減じたものを、副ピークとする。このようにして、簡便に、主ピークと副ピークの分離を行うことができる。 Separation of the scattering intensity function into a plurality of peak components can be performed by a known data analysis method, and for example, a curve fitting method using a plurality of Gaussian functions can be used. However, when the scattering intensity function can be approximated to the superposition of only two peak components of the main peak and the sub-peak, and the contribution of the sub-peak is not excessively large, the peak separation can be performed by a simple method. It can be performed. First, with respect to the mode of the scattering intensity function (the value on the horizontal axis when the value on the vertical axis becomes maximum; indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 9A), the scattering on the side with a small distribution width The intensity function, that is, the scattering intensity function on the low scattering intensity side in FIG. 9A, is symmetrically duplicated and is used as the main peak. In other words, the scattering intensity function on the lower scattering intensity side than the mode is folded back to the high scattering intensity side at the mode, and is joined to the scattering intensity function on the low scattering intensity side to obtain the main peak. And Then, a sub-peak is obtained by removing the contribution of the obtained main peak from the entire scattering intensity function, that is, one obtained by subtracting the intensity of the obtained main peak. In this way, the main peak and the sub-peak can be easily separated.

散乱強度関数は、2つのピーク成分のみならず、さらに多数のピーク成分に分離してもよいが、主ピークと副ピークの2つの成分に分離できる場合には、ピーク分離の結果を用いて、結晶組織の不均一性の程度を、簡便に定量化することができる。例として、図10に、結晶組織の不均一性の程度が異なる場合について、得られる散乱強度関数(太線)と、そこから分離される副ピーク(細線)を示す。図10(a)は、結晶組織の均一性が高い場合を示しており、図7(a)のように、微細な結晶粒S3が均一性高く形成されている状態に近い。この場合には、対称性の高い散乱強度関数が得られ、副ピークの寄与がわずかとなっている。一方、図10(b)は、結晶組織が局所的に不均一になった領域が存在する場合を示しており、図7(b)のように、微細な結晶粒S3が均一性高く形成された領域の中に、部分的に、無視できない量の粗大な結晶粒M1が生成した状態に対応している。この場合には、高散乱強度側に広がった散乱強度関数が得られ、副ピークの寄与が大きくなっている。このように、副ピークの寄与の大きさは、結晶組織の不均一性の程度の指標となり、副ピークの寄与が大きいほど、結晶組織の不均一性が高いと評価することができる。 The scattering intensity function may be separated into not only two peak components but also a larger number of peak components. However, when it is possible to separate into two components, a main peak and a sub-peak, the result of peak separation is used. The degree of non-uniformity of the crystal structure can be easily quantified. As an example, FIG. 10 shows the obtained scattering intensity function (thick line) and the sub-peaks (thin line) separated therefrom when the degree of nonuniformity of the crystal structure is different. FIG. 10A shows a case where the crystal structure has high uniformity, and is close to a state in which fine crystal grains S3 are formed with high uniformity as in FIG. 7A. In this case, a scattering intensity function with high symmetry is obtained, and the contribution of the sub-peak is small. On the other hand, FIG. 10B shows the case where there is a region where the crystal structure is locally nonuniform, and as shown in FIG. 7B, fine crystal grains S3 are formed with high uniformity. This corresponds to a state where a large amount of coarse crystal grains M1 that cannot be ignored is partially generated in the region. In this case, a scattering intensity function expanded to the high scattering intensity side is obtained, and the contribution of the sub-peak is large. As described above, the size of the contribution of the sub-peak becomes an index of the degree of non-uniformity of the crystal structure, and the larger the contribution of the sub-peak, the higher the non-uniformity of the crystal structure can be evaluated.

さらに結晶組織の不均一性を定量的に評価できるパラメータとして、不均一性評価値を導入することができる。不均一性評価値は、副ピークを、散乱強度関数の最頻値(あるいは主ピークの中央値)からの隔たり(横軸における距離)で重みづけして積分することで、算出できる。例えば、散乱強度の値をxとし、副ピークを表す関数をf(x)とし、さらに散乱強度関数の最頻値をx=mとした場合に、不均一性評価値は、f(x)・|x−m|を、副ピークが出現しているxの全領域について積分した値として、算出することができる。その不均一性評価値は、最頻値からの隔たりである|x−m|によって重みづけされたものとなる。このようにして求められる不均一性評価値は、副ピークのピーク高さやピーク幅が大きいほど、つまり不均一に生成した結晶粒M1(M2)が占める領域の割合が大きいほど、大きくなる。加えて、不均一性評価値は、主ピークを与える結晶組織と、副ピークを与える結晶組織の間で、結晶粒径が大きく離れているほど、大きくなる。つまり、均一性の高い組織を構成する結晶粒S3から、粒径が大きく異なる結晶粒M1(M2)が生成しているほど、不均一性評価値が大きくなる。よって、不均一性評価値は、結晶組織の不均一性を定量的に評価できる良い指標となり、不均一性評価値が大きいほど、結晶組織の不均一性が高いと評価することができる。 Further, a nonuniformity evaluation value can be introduced as a parameter for quantitatively evaluating the nonuniformity of the crystal structure. The non-uniformity evaluation value can be calculated by weighting the sub-peaks by the distance (distance on the horizontal axis) from the mode of the scattering intensity function (or the median of the main peaks) and integrating. For example, when the value of the scattering intensity is x, the function representing the sub-peak is f(x), and the mode of the scattering intensity function is x=m, the nonuniformity evaluation value is f(x). It is possible to calculate |x−m| as a value integrated over the entire region of x where the sub-peak appears. The non-uniformity evaluation value is weighted by |x−m| which is the distance from the mode. The nonuniformity evaluation value thus obtained becomes larger as the peak height and the peak width of the sub-peak are larger, that is, as the ratio of the region occupied by the nonuniformly generated crystal grains M1 (M2) is larger. In addition, the nonuniformity evaluation value becomes larger as the crystal grain size is far apart between the crystal structure giving the main peak and the crystal structure giving the sub-peak. In other words, the nonuniformity evaluation value increases as the crystal grains M1 (M2) having greatly different grain sizes are generated from the crystal grains S3 forming the highly uniform structure. Therefore, the nonuniformity evaluation value is a good index for quantitatively evaluating the nonuniformity of the crystal structure, and the larger the nonuniformity evaluation value, the higher the nonuniformity of the crystal structure can be evaluated.

(4−3)材料の探傷
さらに、結晶組織評価装置1に備えられる超音波検査装置11は、材料の探傷にも用いることができるため、被検査材Sに対して、結晶組織の不均一性の評価に加えて、傷や欠陥の有無も検査することができる。ここで、傷や欠陥とは、結晶粒オーダーでない大きなサイズのもの、おおむねサブミリメートル以上のものを指す。
(4-3) Material flaw detection Further, since the ultrasonic inspection apparatus 11 provided in the crystal structure evaluation apparatus 1 can be used for material flaw detection, the crystal structure of the material S to be inspected is not uniform. In addition to the evaluation, it is possible to inspect for scratches and defects. Here, the scratches and defects refer to large sizes that are not on the order of crystal grains, generally to sub-millimeters or larger.

もし、被検査材Sの内部に傷が存在しているとすれば、計測工程で、各入射点Pに対応して得られる、図4に示すような超音波信号において、表面反射波U1による成分A1と底面反射波U2による成分A2の間に、傷で反射された反射波による成分が観測されるはずである。そのような成分が観測された場合には、被検査材Sにおいて、その入射点Pから内部に入った位置に、傷が存在すると判定することができる。傷に由来する信号成分から外して評価領域Gを設定し、散乱強度を求めれば、探傷と結晶組織の不均一性の評価の両方を、共通のデータを用いて行うことができる。さらに、得られた超音波信号に対して、底面反射波U2の解析や、音速、速度分散、減衰等の解析を実施し、被検査材Sを構成する材料の各種特性の分析を、合わせて行ってもよい。 If there is a scratch inside the material S to be inspected, in the measurement process, in the ultrasonic signal as shown in FIG. A component due to the reflected wave reflected by the scratch should be observed between the component A1 and the component A2 due to the bottom surface reflected wave U2. When such a component is observed, it can be determined that there is a flaw in the material S to be inspected at a position inside the incident point P. If the evaluation region G is set by removing the signal component derived from the scratch and the scattering intensity is obtained, both the flaw detection and the evaluation of the nonuniformity of the crystal structure can be performed using common data. Further, analysis of the bottom surface reflected wave U2 and analysis of sound velocity, velocity dispersion, attenuation, etc. are performed on the obtained ultrasonic signal, and analysis of various characteristics of the material constituting the inspection object S is also performed. You can go.

以下に本発明の実施例を示す。なお、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。ここでは、チタン基合金を試料として用い、上記実施形態にかかる結晶組織評価方法の妥当性を検証した。また、不均一性評価値の有効性についても検証した。 Examples of the present invention will be shown below. The present invention is not limited to these examples. Here, the validity of the crystal structure evaluation method according to the above-described embodiment was verified by using a titanium-based alloy as a sample. In addition, the validity of the nonuniformity evaluation value was also verified.

[1]結晶組織評価方法の妥当性
[1−1]熱処理温度を変化させる場合
(試験方法)
試験においては、チタン基よりなるα+β型合金(α相およびβ相を形成する合金)を試料として用いた。具体的には、上記の合金よりなるφ55mmの丸棒材を鋳造し、所定の温度で3時間の熱処理を行ったあと、空冷した。熱処理の温度は、800℃〜950℃の範囲で5とおりに変化させた。
[1] Validity of crystal structure evaluation method [1-1] When heat treatment temperature is changed (test method)
In the test, a titanium-based α+β type alloy (alloy forming an α phase and a β phase) was used as a sample. Specifically, a φ55 mm round bar made of the above alloy was cast, heat-treated at a predetermined temperature for 3 hours, and then air-cooled. The temperature of the heat treatment was changed in five ways within the range of 800°C to 950°C.

各温度で熱処理した試料に対して、断面を切り出し、SEMによる観察を行って、組織の状態を観察した。 A cross section was cut out from the sample heat-treated at each temperature and observed by SEM to observe the state of the structure.

さらに、各温度で熱処理した試料に対して、上記で、本発明の実施形態にかかる結晶組織評価方法として説明したのと同様の方法で、計測工程および統計処理工程を実行し、散乱強度関数を作成した。そして、散乱強度関数の標準偏差を求めた。ここで、超音波として、20MHzの周波数のパルスを用い、試料の全周に沿って1°間隔、また長手方向に沿って50mmの領域にわたって0.2mm間隔で入射点を設定して、計測工程を実施した。得られた超音波信号に対しては、STFTによる周波数分析を行い、入射した基本波と同じ周波数の成分に対して、エネルギーの積分値を算出して、散乱強度とした。 Furthermore, with respect to the sample heat-treated at each temperature, in the same method as described above as the crystal structure evaluation method according to the embodiment of the present invention, the measurement step and the statistical processing step are executed to calculate the scattering intensity function. Created. Then, the standard deviation of the scattering intensity function was obtained. Here, as the ultrasonic waves, a pulse having a frequency of 20 MHz is used, and the incident points are set at intervals of 1° along the entire circumference of the sample and at intervals of 0.2 mm over a region of 50 mm along the longitudinal direction, and the measurement step Was carried out. The obtained ultrasonic signal was subjected to frequency analysis by STFT, and the integral value of energy was calculated for the component of the same frequency as the incident fundamental wave to obtain the scattering intensity.

(結果)
SEM観察によって、熱処理温度を高くするほど、α相およびβ相がより均一に生成し、結晶組織がより均一となることが確認された。
(result)
It was confirmed by SEM observation that the higher the heat treatment temperature, the more uniformly the α phase and the β phase were generated, and the more uniform the crystal structure was.

図11(a)に、各温度での熱処理を経た試料に対して得られた、散乱強度関数を示す。これによると、熱処理温度が上昇するのに伴い、低散乱強度側にピークが移動している。また、熱処理温度が上昇するのに伴い、ピークの幅が狭まっている。 FIG. 11A shows the scattering intensity function obtained for the sample that has been subjected to the heat treatment at each temperature. According to this, as the heat treatment temperature rises, the peak moves to the low scattering intensity side. Further, the peak width narrows as the heat treatment temperature rises.

さらに、図11(b)に、図11(a)の各散乱強度関数に対して得られた標準偏差の値を、熱処理温度に対してプロットしている。ここでは、最小の標準偏差(処理温度950℃)の値を100%として規格化して、各熱処理温度における値を示している。図11(b)によると、熱処理温度が上昇するのに伴い、標準偏差が小さくなること、つまり散乱強度関数のピークの幅が狭まることが、一層明瞭に示されている。 Further, in FIG. 11B, the standard deviation value obtained for each scattering intensity function of FIG. 11A is plotted against the heat treatment temperature. Here, the value of the minimum standard deviation (processing temperature 950° C.) is normalized with 100%, and the value at each heat treatment temperature is shown. According to FIG. 11B, it is more clearly shown that the standard deviation decreases as the heat treatment temperature increases, that is, the peak width of the scattering intensity function narrows.

高温で熱処理を行うほど、散乱強度関数の中央値の散乱強度が小さくなるとともに、散乱強度関数のピーク幅が狭まるという結果から、熱処理温度の上昇に伴い、結晶粒の平均粒径が小さくなるとともに、結晶組織の不均一性が低くなっている、つまり均一性が高まっていると解釈できる。この傾向は、SEM観察で見られた傾向と一致している。以上より、本発明の実施形態にかかる評価方法において、超音波測定に基づく散乱強度関数のピークの中央値およびピーク幅に基づいて、結晶粒径の大きさおよび結晶組織の不均一性を評価することの妥当性が、確認される。 As the heat treatment is performed at a higher temperature, the scattering intensity of the median of the scattering intensity function becomes smaller and the peak width of the scattering intensity function becomes narrower. Therefore, the average grain size of the crystal grains becomes smaller as the heat treatment temperature increases. It can be interpreted that the nonuniformity of the crystal structure is low, that is, the uniformity is high. This tendency is consistent with the tendency observed in SEM observation. As described above, in the evaluation method according to the embodiment of the present invention, the size of the crystal grain size and the nonuniformity of the crystal structure are evaluated based on the median of the peak and the peak width of the scattering intensity function based on the ultrasonic measurement. The validity of the thing is confirmed.

[1−2]鍛錬比を変化させる場合
(試験方法)
ここでも、チタン基よりなるα+β型合金を試料として用いた。具体的には、上記試験[1−1]と同様に鋳造した丸棒材に対して、鍛造を施した。鍛造に際し、鍛錬比を3とおりに変化させた。試料A,B,Cの順に、鍛錬比を大きくしている。
[1-2] When changing the training ratio (test method)
Here again, an α+β type alloy composed of titanium base was used as a sample. Specifically, the round bar material cast in the same manner as in the above test [1-1] was forged. During forging, the forging ratio was changed in three ways. The training ratio is increased in the order of Samples A, B, and C.

各鍛錬比の試料に対して、上記試験[1−1]と同様に、SEM観察と、超音波測定に基づく散乱強度関数の作成を行った。 Similar to the above test [1-1], SEM observation and a scattering intensity function based on ultrasonic measurement were performed on the samples of each forging ratio.

(結果)
SEM観察によって、鍛錬比を大きくするほど、粗大な結晶粒が増加するとともに、結晶粒の大きさが不均一になることが確認された。
(result)
It was confirmed by SEM observation that the larger the wrought ratio, the larger the number of coarse crystal grains and the more nonuniform the crystal grain size.

図12に、各鍛錬比の試料に対して得られた、散乱強度関数を示す。これによると、試料A,B,Cの順に鍛錬比が上昇するのに伴い、高散乱強度側にピークが移動している。また、鍛錬比が上昇するのに伴い、ピークの幅が広がっている。 FIG. 12 shows the scattering intensity function obtained for the samples of each training ratio. According to this, as the training ratio increases in the order of Samples A, B, and C, the peak moves to the high scattering intensity side. In addition, the peak width widens as the training ratio increases.

鍛錬比を大きくするほど、散乱強度関数の中央値の散乱強度が大きくなるとともに、散乱強度関数のピーク幅が広がるという結果から、鍛錬比の上昇に伴い、結晶粒の平均粒径が大きくなるとともに、結晶組織の不均一性が高まっていると解釈できる。この傾向は、SEM観察で見られた傾向と一致している。この試験[1−2]の結果からも、試験[1−1]の結果と同様に、本発明の実施形態にかかる評価方法において、超音波測定に基づく散乱強度関数のピークの中央値およびピーク幅に基づいて、結晶粒径の大きさおよび結晶組織の不均一性を評価することの妥当性が、確認される。 As the training ratio increases, the median scattering intensity of the scattering intensity function increases, and the peak width of the scattering intensity function widens.As the training ratio increases, the average grain size of the crystal grains increases. It can be interpreted that the heterogeneity of the crystal structure is increasing. This tendency is consistent with the tendency observed in SEM observation. Also from the result of this test [1-2], as in the case of the result of test [1-1], in the evaluation method according to the embodiment of the present invention, the median and peak of the peaks of the scattering intensity function based on the ultrasonic measurement. Based on the width, the validity of evaluating the size of the crystal grain size and the nonuniformity of the crystal structure is confirmed.

試験[1−1]のように熱処理温度を変化させた場合と、試験[1−2]のように鍛錬比を変化させた場合で、結晶組織の構造およびその変化の詳細は異なっているが、いずれの試験においても、結晶粒径が大きくなるほど、散乱強度関数において、ピークの中央値の散乱強度が大きくなるとともに、ピーク幅が広がるという傾向が確認されている。つまり、結晶組織の構造の詳細によらず、散乱強度関数を、結晶粒径および結晶組織の不均一性の評価に利用可能であると言える。 Although the structure of the crystal structure and details of the change are different between the case where the heat treatment temperature is changed as in the test [1-1] and the case where the wrought ratio is changed as in the test [1-2]. In each of the tests, it has been confirmed that the larger the crystal grain size, the larger the scattering intensity at the center value of the peak and the wider the peak width in the scattering intensity function. That is, it can be said that the scattering intensity function can be used for evaluating the nonuniformity of the crystal grain size and the crystal structure, regardless of the details of the structure of the crystal structure.

[2]不均一性評価値の有効性
(試験方法)
上記試験[1−2]と同様に、チタン基よりなるα+β型合金に対して、異なる鍛錬比で鍛造を行い、結晶組織の不均一性の程度が異なる3種の試料を作製した。

SEM観察により、試料(1)→(2)→(3)の順に、結晶組織の不均一性が高くなり(試料(3)が最も高い)、微細な結晶粒の中に、粗大な結晶粒が多く混在するようになっていることが確認された。
[2] Effectiveness of non-uniformity evaluation value (test method)
Similarly to the above test [1-2], the α+β type alloy made of titanium base was forged with different forging ratios to prepare three kinds of samples having different degrees of nonuniformity of the crystal structure.

By SEM observation, inhomogeneity of the crystal structure increases in the order of sample (1)→(2)→(3) (sample (3) is the highest), and coarse crystal grains are contained in the fine crystal grains. It was confirmed that many of them were mixed.

試料(1)〜(3)のそれぞれについて、試験[1−1]と同様に超音波測定に基づく散乱強度関数の作成を行った。そして、得られた散乱強度関数を、それぞれ、主ピークと、主ピークよりも高散乱強度側に位置する副ピークに分離した。そして、副ピーク(f(x))を、散乱強度関数の最頻値(m)からの隔たりによって重みづけし(f(x)・|x−m|)、その値を散乱強度の全領域で積分することで、不均一性評価値を得た。 For each of the samples (1) to (3), a scattering intensity function based on ultrasonic measurement was created in the same manner as in the test [1-1]. Then, each of the obtained scattering intensity functions was separated into a main peak and a sub-peak located on the higher scattering intensity side of the main peak. Then, the sub-peak (f(x)) is weighted by the distance from the mode (m) of the scattering intensity function (f(x)·|x−m|), and the value is calculated over the entire range of the scattering intensity. The nonuniformity evaluation value was obtained by integrating with.

(結果)
図13に、試料(1)〜(3)のそれぞれについて、SEM像における画素のばらつきと、得られた不均一性評価値との関係を示す。不均一性評価値は、最も値が小さくなった試料(1)の場合を「1」として、規格化して示している。SEM像における画素のばらつきの評価としては、SEM像を二値化したうえで、縦方向および横方向への移動平均を求め、得られた画像における強度分布のヒストグラムの尖度を、画素のばらつきとして、図13の横軸に表示した。
(result)
FIG. 13 shows the relationship between the pixel variation in the SEM image and the obtained nonuniformity evaluation value for each of the samples (1) to (3). The non-uniformity evaluation value is normalized and shown as "1" for the sample (1) having the smallest value. As the evaluation of the pixel variation in the SEM image, after binarizing the SEM image, the moving averages in the vertical and horizontal directions are obtained, and the kurtosis of the histogram of the intensity distribution in the obtained image is calculated as the pixel variation. Is displayed on the horizontal axis of FIG.

図13によると、結晶組織の不均一性と、不均一性評価値の間に、正の相関が見られる。つまり、試料(1)→(2)→(3)と結晶組織の不均一性が高くなり、SEM像における画素のばらつきが大きくなるのに伴って、散乱強度関数から得られた不均一性評価値が、大きくなっている。このことより、不均一性評価値を、結晶組織の不均一性を定量的に表すパラメータとして、有効に利用できることが、示される。 According to FIG. 13, a positive correlation is seen between the nonuniformity of the crystal structure and the nonuniformity evaluation value. That is, as the sample (1)→(2)→(3) becomes more inhomogeneous in its crystal structure and the pixel variation in the SEM image becomes larger, the inhomogeneity evaluation obtained from the scattering intensity function is evaluated. The value is increasing. This shows that the nonuniformity evaluation value can be effectively used as a parameter that quantitatively represents the nonuniformity of the crystal structure.

以上、本発明の実施形態について説明した。本発明は、これらの実施形態に特に限定されることなく、種々の改変を行うことが可能である。上で説明したように、結晶組織評価装置を、透過方向にて透過波を検出する形態で構成することもできるが、透過波の強度は、散乱波の強度が大きいほど、小さくなる。よって、この場合には、所定の透過強度が得られた入射点の数を、透過強度の関数として整理して作成した散乱強度関数において、ピーク幅と結晶粒の不均一性の対応付けは、上記実施形態のように反射方向で散乱波を直接検出する場合と、同様に行うことができるが、散乱強度関数のピークの中央値の散乱強度と、平均粒径との関係は逆になり、中央値の強度が大きいほど、結晶粒の平均粒径が小さくなっていると、対応付けることができる。 The embodiments of the present invention have been described above. The present invention is not particularly limited to these embodiments, and various modifications can be made. As described above, the crystal structure evaluation apparatus can be configured to detect the transmitted wave in the transmission direction, but the intensity of the transmitted wave becomes smaller as the intensity of the scattered wave becomes higher. Therefore, in this case, in the scattering intensity function created by organizing the number of incident points at which the predetermined transmission intensity was obtained as a function of the transmission intensity, the correspondence between the peak width and the non-uniformity of the crystal grains is: When directly detecting scattered waves in the reflection direction as in the above embodiment, the same procedure can be performed, but the relationship between the average particle size and the scattering intensity of the median of the peaks of the scattering intensity function is reversed, It can be associated that the larger the median strength, the smaller the average grain size of the crystal grains.

1 結晶組織評価装置
11 超音波検査装置
12 運動装置
13 演算・制御装置
M1 粗大な結晶粒
M2 特に微小な結晶粒
P,P1,P2 入射点
S 被検査材
S1 表面
S2 底面
S3 結晶粒
S4 結晶粒界
U 入射する超音波
U1 表面反射波
U2 底面反射波
U3 散乱波
1 Crystal Structure Evaluation Device 11 Ultrasonic Inspection Device 12 Exercise Device 13 Calculation/Control Device M1 Coarse Crystal Grain M2 Particularly Fine Crystal Grains P, P1, P2 Incident Point S Inspection Material S1 Surface S2 Bottom S3 Crystal Grain S4 Crystal Grain Field U Incident ultrasonic wave U1 Surface reflected wave U2 Bottom reflected wave U3 Scattered wave

Claims (14)

結晶粒を含む材料よりなる被検査材に対して、表面の複数の入射点から、超音波を入射し、検出される散乱波の強度を、散乱強度として、前記入射点ごとに計測する計測工程と、
前記計測工程において所定の散乱強度が得られた前記入射点の数を、前記散乱強度の関数として整理して、散乱強度関数を作成する統計処理工程と、
前記統計処理工程において得られた前記散乱強度関数のピーク幅が大きいほど、前記被検査材において、結晶組織の不均一性が高いとみなす評価工程と、を有することを特徴とする結晶組織評価方法。
A measurement step in which ultrasonic waves are incident from a plurality of incident points on the surface of a material to be inspected made of a material containing crystal grains, and the intensity of scattered waves detected is measured as the scattering intensity for each of the incident points. When,
In the measurement step, the number of the incident points for which a predetermined scattering intensity is obtained is arranged as a function of the scattering intensity, and a statistical processing step of creating a scattering intensity function,
The larger the peak width of the scattering intensity function obtained in the statistical processing step, the more inhomogeneity of the crystal structure in the material to be inspected, the evaluation step, and a crystal structure evaluation method, characterized in that .
前記評価工程において、前記結晶組織の不均一性として、前記被検査材における結晶粒の粒径、成分組成、異方性のいずれか少なくとも1つにおける不均一性を評価することを特徴とする請求項1に記載の結晶組織評価方法。 In the evaluation step, as the nonuniformity of the crystal structure, nonuniformity in at least one of a grain size, a component composition, and anisotropy of crystal grains in the inspected material is evaluated. Item 2. The crystal structure evaluation method according to Item 1. 前記計測工程では、入射した前記超音波の反射方向において、超音波信号の強度を、時間の関数として測定し、前記被検査材の表面で反射された反射波と、前記表面に対向する底面で反射された反射波との間の時間に観測される、前記超音波信号の強度を積分することで、前記散乱強度を求めることを特徴とする請求項1または2に記載の結晶組織評価方法。 In the measuring step, in the reflection direction of the incident ultrasonic wave, the intensity of the ultrasonic signal is measured as a function of time, and the reflected wave reflected on the surface of the inspection target material and the bottom surface facing the surface are measured. The crystal structure evaluation method according to claim 1 or 2, wherein the scattering intensity is obtained by integrating the intensity of the ultrasonic signal observed at a time between the reflected wave and the reflected wave. 前記評価工程において、前記散乱強度関数のピークの中央値の散乱強度が大きいほど、前記結晶粒の平均粒径が大きいとみなすことを特徴とする請求項3に記載の結晶組織評価方法。 The crystal structure evaluation method according to claim 3, wherein in the evaluation step, the larger the scattering intensity of the median of the peaks of the scattering intensity function, the larger the average grain size of the crystal grains. 前記計測工程では、時間の関数として測定した前記超音波信号を、周波数分析し、入射した前記超音波と同じ周波数の信号に基づいて、前記散乱強度を求めることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の結晶組織評価方法。 5. In the measuring step, the ultrasonic signal measured as a function of time is subjected to frequency analysis, and the scattering intensity is obtained based on a signal having the same frequency as the incident ultrasonic wave. The crystal structure evaluation method according to any one of 1. 前記計測工程では、超音波の発生と検出を行う超音波検査装置が、前記被検査材の周囲を、前記被検査材に対して相対的に運動することで、前記複数の入射点に対して、前記超音波の入射と検出を行うことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の結晶組織評価方法。 In the measuring step, an ultrasonic inspection device that performs generation and detection of ultrasonic waves moves around the inspection material relative to the inspection material, with respect to the plurality of incident points. The crystal structure evaluation method according to any one of claims 1 to 5, wherein the ultrasonic wave is incident and detected. 前記被検査材は、棒材よりなり、
前記計測工程において、前記棒材の周方向に沿って少なくとも180°にわたり、かつ前記棒材の長手方向に沿って少なくとも一部の領域にわたるように、前記複数の入射点を設定することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の結晶組織評価方法。
The inspected material is a bar material,
In the measuring step, the plurality of incident points are set so as to extend over at least 180° along the circumferential direction of the rod and at least a part of the region along the longitudinal direction of the rod. The crystal structure evaluation method according to any one of claims 1 to 6.
前記評価工程では、前記ピーク幅が、予め定めた閾値より大きくなった場合に、結晶組織が不均一であると評価することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の結晶組織評価方法。 8. The crystal according to claim 1, wherein in the evaluation step, the crystal structure is evaluated to be non-uniform when the peak width is larger than a predetermined threshold value. Organization evaluation method. 前記評価工程において、前記散乱強度関数を、中央値の散乱強度が異なる複数のピークに分離することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の結晶組織評価方法。 9. The crystal structure evaluation method according to claim 1, wherein in the evaluation step, the scattering intensity function is separated into a plurality of peaks having different median scattering intensities. 前記評価工程において、前記散乱強度関数を、主ピークと、前記主ピークよりもピーク高さが小さい副ピークと、の2つのピークに分離することを特徴とする請求項9に記載の結晶組織評価方法。 10. The crystal structure evaluation according to claim 9, wherein in the evaluation step, the scattering intensity function is separated into two peaks, a main peak and a sub-peak having a peak height smaller than the main peak. Method. 前記散乱強度関数の最頻値を中心として、分布幅が小さい側の前記散乱強度関数を対称に複製したものを、前記主ピークとし、前記散乱強度関数から前記主ピークの寄与を除いたものを、前記副ピークとすることを特徴とする請求項10に記載の結晶組織評価方法。 With the mode of the scattering intensity function as the center, a symmetrical copy of the scattering intensity function on the side with a small distribution width is used as the main peak, and the contribution of the main peak is removed from the scattering intensity function. The crystal structure evaluation method according to claim 10, wherein the sub-peak is used. 前記副ピークを、前記散乱強度関数の最頻値からの隔たりによって重みづけして積分し、得られた積分値が大きいほど、前記結晶組織の不均一性が高いと評価することを特徴とする請求項10または11に記載の結晶組織評価方法。 The sub-peak is weighted and integrated by the distance from the mode of the scattering intensity function, and the larger the obtained integral value is, the higher the heterogeneity of the crystal structure is evaluated. The crystal structure evaluation method according to claim 10. 超音波の発生と検出を行う超音波検査装置を備え、
結晶粒を含む材料よりなる被検査材に対して、請求項1から12のいずれか1項に記載の結晶組織評価方法を実行することを特徴とする結晶組織評価装置。
Equipped with an ultrasonic inspection device that generates and detects ultrasonic waves,
A crystal structure evaluation apparatus, characterized by executing the crystal structure evaluation method according to claim 1 on a material to be inspected made of a material containing crystal grains.
前記超音波検査装置を、前記被検査材に対して相対的に運動させる運動装置をさらに備えることを特徴とする請求項13に記載の結晶組織評価装置。 The crystal structure evaluation apparatus according to claim 13, further comprising an exerciser that moves the ultrasonic inspection apparatus relative to the material to be inspected.
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