JP2020077755A - Processing cup unit and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

To provide a processing cup unit and a substrate processing apparatus with reduced maintenance frequency.SOLUTION: A lower cup 11 and an upper cup 12 are provided when a process using a processing liquid is performed on a substrate W held in a horizontal posture. The upper cup 12 is arranged above the lower cup 11 so as to surround the periphery of the substrate W. The processing liquid scattered from the substrate W is stored in a groove 11g formed in the lower cup 11, vibrated by a vibrating member 14, and then discharged from a discharge space V4.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、処理カップユニットおよびそれを備えた基板処理装置に関する。   The present invention relates to a processing cup unit and a substrate processing apparatus including the processing cup unit.

半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の基板に現像液、洗浄液、リンス液またはフォトレジスト液等の処理液を用いた処理を行うために基板処理装置が用いられる。例えば、特許文献1に記載された基板処理装置においては、基板が回転保持部により水平に支持されつつ回転された状態で、基板の被処理面の中央部に処理液が吐出される。被処理面の中央部の処理液が基板の回転に伴う遠心力で被処理面の全体に拡げられる。これにより、基板の被処理面の全体に処理液が供給される。   Substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a photomask or a glass substrate for an optical disk with a treatment liquid such as a developing liquid, a cleaning liquid, a rinse liquid or a photoresist liquid Is used. For example, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the processing liquid is discharged to the central portion of the surface to be processed of the substrate while the substrate is rotated while being horizontally supported by the rotation holding unit. The processing liquid in the central portion of the surface to be processed is spread over the entire surface to be processed by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate. As a result, the processing liquid is supplied to the entire surface of the substrate to be processed.

特開2014−49679号公報JP, 2014-49679, A

特許文献1のような回転式の基板処理装置においては、遠心力により被処理面の処理液の一部が飛散する。処理液の飛散による基板処理装置の汚染を防止するため、回転保持部の周囲を取り囲むように処理カップが設けられる。しかしながら、処理カップの壁面に処理液が付着して残存するので、処理カップが汚染する。そのため、処理カップを頻繁にメンテナンスする必要がある。特に、処理液の粘度が高い場合には、処理カップに付着する処理液の量が増えることにより汚染度が増加する。この場合、処理カップのメンテナンスの頻度がより高くなる。   In the rotary substrate processing apparatus as disclosed in Patent Document 1, a part of the processing liquid on the surface to be processed is scattered by the centrifugal force. In order to prevent the substrate processing apparatus from being contaminated by the scattering of the processing liquid, a processing cup is provided so as to surround the rotation holding unit. However, since the processing liquid adheres to and remains on the wall surface of the processing cup, the processing cup is contaminated. Therefore, it is necessary to maintain the processing cup frequently. In particular, when the viscosity of the treatment liquid is high, the amount of the treatment liquid adhering to the treatment cup increases, so that the degree of contamination increases. In this case, the maintenance frequency of the processing cup becomes higher.

本発明の目的は、メンテナンスの頻度が低減された処理カップユニットおよび基板処理装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a processing cup unit and a substrate processing apparatus with reduced maintenance frequency.

(1)第1の発明に係る処理カップユニットは、水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられる処理カップユニットであって、下カップと、下カップの上方において基板の周囲を取り囲むように配置される上カップと、下カップに形成され、基板から飛散した処理液を貯留する第1の溝部と、第1の溝部に貯留された処理液を振動させる振動部材と、第1の溝部に貯留された処理液を排出する排出部とを備える。   (1) A processing cup unit according to a first aspect of the present invention is a processing cup unit that is provided so as to surround a periphery of a substrate when performing processing using a processing liquid on a substrate held in a horizontal position. And an upper cup arranged above the lower cup so as to surround the periphery of the substrate, a first groove portion formed in the lower cup for storing the processing liquid scattered from the substrate, and a first groove portion. A vibrating member that vibrates the processing liquid, and a discharge unit that discharges the processing liquid stored in the first groove portion are provided.

この処理カップユニットにおいては、水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に、下カップおよび上カップが設けられる。上カップは、下カップの上方において基板の周囲を取り囲むように配置される。基板から飛散した処理液が、下カップに形成された第1の溝部に貯留され、振動部材により振動された後、排出部により排出される。   In this processing cup unit, a lower cup and an upper cup are provided when processing a substrate held in a horizontal position with a processing liquid. The upper cup is arranged above the lower cup so as to surround the periphery of the substrate. The treatment liquid scattered from the substrate is stored in the first groove portion formed in the lower cup, vibrated by the vibrating member, and then discharged by the discharge portion.

この構成によれば、第1の溝部において処理液が振動部材により振動されることにより、処理液の粘度が高くなることが緩和される。そのため、処理液を処理カップユニット外に排出しやすくなる。この場合、下カップまたは上カップの壁面に付着して残存する処理液の量が低減される。これにより、処理カップユニットのメンテナンスの頻度を低減することができる。   According to this configuration, the processing liquid is vibrated by the vibrating member in the first groove portion, so that the viscosity of the processing liquid is increased. Therefore, the processing liquid can be easily discharged to the outside of the processing cup unit. In this case, the amount of the processing liquid adhering to and remaining on the wall surface of the lower cup or the upper cup is reduced. As a result, the frequency of maintenance of the processing cup unit can be reduced.

(2)第1の溝部は、基板から飛散した処理液を溶解する溶解液をさらに貯留してもよい。この構成によれば、基板処理において処理液を溶解する溶解液がさらに用いられる場合には、処理液に加えて溶解液が第1の溝部にさらに貯留され、処理液が溶解する。そのため、基板処理に用いられる処理液の粘度が高い場合でも、処理液が振動部材により振動されることにより低粘度化される。これにより、処理液が処理カップユニット外により容易に排出される。その結果、処理カップユニットのメンテナンスの頻度をより低減することができる。   (2) The first groove may further store a solution for dissolving the processing solution scattered from the substrate. According to this configuration, when the dissolution liquid that dissolves the processing liquid is further used in the substrate processing, the dissolution liquid is further stored in the first groove portion in addition to the processing liquid, and the processing liquid is dissolved. Therefore, even if the viscosity of the processing liquid used for the substrate processing is high, the processing liquid is vibrated by the vibrating member, so that the viscosity is lowered. As a result, the processing liquid is more easily discharged outside the processing cup unit. As a result, the frequency of maintenance of the processing cup unit can be further reduced.

(3)処理カップユニットは、基板から飛散した処理液を第1の溝部に導くように当該処理液を溶解する洗浄液を吐出する洗浄液吐出部をさらに備えてもよい。この場合、処理液に加えて洗浄液が第1の溝部にさらに貯留され、処理液が溶解する。そのため、基板処理に用いられる処理液の粘度が高い場合でも、処理液が振動部材により振動されることにより低粘度化される。これにより、処理液が処理カップユニット外により容易に排出される。その結果、処理カップユニットのメンテナンスの頻度をより低減することができる。   (3) The processing cup unit may further include a cleaning liquid ejecting unit that ejects a cleaning liquid that dissolves the processing liquid so as to guide the processing liquid scattered from the substrate to the first groove. In this case, the cleaning liquid is further stored in the first groove portion in addition to the processing liquid, and the processing liquid is dissolved. Therefore, even if the viscosity of the processing liquid used for the substrate processing is high, the processing liquid is vibrated by the vibrating member, so that the viscosity is lowered. As a result, the processing liquid is more easily discharged outside the processing cup unit. As a result, the frequency of maintenance of the processing cup unit can be further reduced.

(4)第1の溝部の上方における上カップの部分には貫通孔が形成され、洗浄液吐出部は、貫通孔を通して第1の溝部に洗浄液を吐出してもよい。この場合、基板から飛散した処理液を洗浄液により第1の溝部に容易に導きつつ処理液を溶解することができる。   (4) A through hole may be formed in the upper cup portion above the first groove portion, and the cleaning liquid ejecting section may eject the cleaning liquid into the first groove portion through the through hole. In this case, the processing liquid scattered from the substrate can be easily introduced into the first groove portion by the cleaning liquid while the processing liquid can be dissolved.

(5)第1の溝部は、下カップの外周部に沿って形成されてもよい。この場合、第1の溝部と基板との距離が十分に離間する。これにより、第1の溝部に貯留された処理液が基板に再度付着することを容易に防止することができる。   (5) The first groove portion may be formed along the outer peripheral portion of the lower cup. In this case, the distance between the first groove and the substrate is sufficiently large. Accordingly, it is possible to easily prevent the processing liquid stored in the first groove from adhering to the substrate again.

(6)処理カップユニットは、第1の溝部に対向するように上カップに形成される第2の溝部をさらに備え、第1の溝部と第2の溝部との間に、処理液の散乱を許容する散乱空間が形成され、第1の溝部は、散乱空間で散乱した処理液を貯留してもよい。この場合、散乱空間で散乱した処理液は、運動エネルギーを失い、重力に導かれて落下する。これにより、基板から飛散した処理液を第1の溝部に容易に貯留することができる。   (6) The processing cup unit further includes a second groove portion formed in the upper cup so as to face the first groove portion, and scatters the processing liquid between the first groove portion and the second groove portion. An allowable scattering space may be formed, and the first groove may store the processing liquid scattered in the scattering space. In this case, the treatment liquid scattered in the scattering space loses kinetic energy and is guided by gravity and falls. Thereby, the processing liquid scattered from the substrate can be easily stored in the first groove.

(7)下カップの内縁部は、上カップの内縁部よりも内方に位置してもよい。この場合、下カップの内縁部が基板に十分に近接する。そのため、処理液の飛散距離が短い場合でも、下カップにより処理液を捕集することができる。また、下カップにより捕集された処理液を下カップに形成された第1の溝部により貯留することができる。   (7) The inner edge of the lower cup may be located inward of the inner edge of the upper cup. In this case, the inner edge of the lower cup is sufficiently close to the substrate. Therefore, even if the scattering distance of the treatment liquid is short, the treatment liquid can be collected by the lower cup. Further, the treatment liquid collected by the lower cup can be stored by the first groove portion formed in the lower cup.

(8)下カップの内縁部は、基板の外縁部の下方に位置してもよい。この場合、下カップの内縁部が基板に十分に近接する。そのため、処理液の飛散距離が短い場合でも、下カップにより処理液を捕集することができる。また、下カップにより捕集された処理液を下カップに形成された第1の溝部により貯留することができる。   (8) The inner edge of the lower cup may be located below the outer edge of the substrate. In this case, the inner edge of the lower cup is sufficiently close to the substrate. Therefore, even if the scattering distance of the treatment liquid is short, the treatment liquid can be collected by the lower cup. Further, the treatment liquid collected by the lower cup can be stored by the first groove portion formed in the lower cup.

(9)基板処理に用いられる処理液の粘度は、100cP以上300cP以下であってもよい。この構成によれば、振動部材により処理液の粘度が高くなることが緩和されるので、基板処理に用いられる処理液の粘度が比較的高い場合でも、下カップまたは上カップの壁面に付着して残存する処理液の量が低減される。これにより、処理カップユニットのメンテナンスの頻度を低減することができる。   (9) The viscosity of the treatment liquid used for the substrate treatment may be 100 cP or more and 300 cP or less. According to this configuration, the vibrating member relieves the increase in the viscosity of the processing liquid. The amount of remaining processing liquid is reduced. As a result, the frequency of maintenance of the processing cup unit can be reduced.

(10)第2の発明に係る基板処理装置は、基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、回転保持装置により保持された基板の被処理面に処理液を吐出する処理液吐出部と、回転保持装置により保持された基板の周囲を取り囲むように設けられる第1の発明に係る処理カップユニットとを備える。   (10) A substrate processing apparatus according to a second aspect of the present invention includes a rotation holding device that holds and rotates a substrate in a horizontal posture, and a processing liquid discharge that discharges a processing liquid onto a surface to be processed of the substrate held by the rotation holding device. And a processing cup unit according to the first invention, which is provided so as to surround the periphery of the substrate held by the rotation holding device.

この基板処理装置においては、回転保持装置により基板が水平姿勢で保持されて回転される。この状態で、処理液吐出部により基板の被処理面に処理液が吐出されることにより基板が処理される。基板の周囲を取り囲むように上記の処理カップユニットが設けられるので、処理液の飛散による基板処理装置の汚染が防止される。また、処理カップユニットにおいては、下カップまたは上カップの壁面に付着して残存する処理液の量が低減されるので、処理カップユニットのメンテナンスの頻度を低減することができる。   In this substrate processing apparatus, the substrate is horizontally held and rotated by the rotation holding device. In this state, the substrate is processed by discharging the processing liquid onto the surface to be processed of the substrate by the processing liquid discharger. Since the processing cup unit is provided so as to surround the periphery of the substrate, contamination of the substrate processing apparatus due to the scattering of the processing liquid is prevented. Further, in the processing cup unit, the amount of the processing liquid that adheres and remains on the wall surface of the lower cup or the upper cup is reduced, so that the frequency of maintenance of the processing cup unit can be reduced.

本発明によれば、処理カップユニットのメンテナンスの頻度を低減することができる。   According to the present invention, the frequency of maintenance of the processing cup unit can be reduced.

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一方向に沿った概略断面図である。It is a schematic sectional drawing along one direction of a substrate processing device concerning one embodiment of the present invention. 図1の処理カップユニットの部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the processing cup unit of FIG. 変形例に係る処理カップユニットの部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view of the processing cup unit which concerns on a modification.

(1)基板処理装置の構成
以下、本発明の一実施の形態に係る処理カップユニットおよび基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一方向に沿った概略断面図である。図2は、図1の処理カップユニット10の部分拡大断面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、処理カップユニット10、回転保持装置20および処理ノズル30を備える。処理カップユニット10は、基板Wから処理液が飛散することを防止する非回転カップであり、基板Wの周囲を取り囲むように設けられる。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus Hereinafter, a processing cup unit and a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view along one direction of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the processing cup unit 10 of FIG. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a processing cup unit 10, a rotation holding device 20, and a processing nozzle 30. The processing cup unit 10 is a non-rotating cup that prevents the processing liquid from scattering from the substrate W, and is provided so as to surround the periphery of the substrate W.

回転保持装置20は、例えばスピンチャックであり、駆動装置21および回転保持部23を含む。駆動装置21は、例えば電動モータであり、回転軸22を有する。回転保持部23は、駆動装置21の回転軸22の先端に取り付けられ、基板Wを水平姿勢で保持した状態で鉛直軸の周りで回転駆動される。以下の説明では、図1の太い矢印で示すように、水平面内において、回転保持部23に保持された基板Wの中心部に向かう方向を内方と定義し、その反対方向を外方と定義する。   The rotation holding device 20 is, for example, a spin chuck, and includes a drive device 21 and a rotation holding portion 23. The drive device 21 is, for example, an electric motor and has a rotating shaft 22. The rotation holding unit 23 is attached to the tip of the rotation shaft 22 of the drive unit 21, and is rotationally driven around the vertical axis while holding the substrate W in a horizontal posture. In the following description, as indicated by the thick arrow in FIG. 1, in the horizontal plane, the direction toward the center of the substrate W held by the rotation holding unit 23 is defined as the inner side, and the opposite direction is defined as the outer side. To do.

処理ノズル30は、処理液供給系Aに接続され、図1に点線の矢印で示すように、基板Wの中心の上方における処理位置と処理カップユニット10の外方の待機位置との間で移動可能に設けられる。処理ノズル30は、基板処理時には、待機位置から処理位置に移動し、処理液供給系Aに貯留された処理液を回転する基板Wの被処理面の中心付近に吐出する。処理液供給系Aに貯留された処理液は、例えばレジスト液等の塗布液であり、比較的高い粘度を有する。本例では、処理液の粘度は100cP以上300cP以下である。   The processing nozzle 30 is connected to the processing liquid supply system A and moves between a processing position above the center of the substrate W and a standby position outside the processing cup unit 10 as shown by a dotted arrow in FIG. It is possible. During the substrate processing, the processing nozzle 30 moves from the standby position to the processing position and discharges the processing liquid stored in the processing liquid supply system A near the center of the surface to be processed of the rotating substrate W. The treatment liquid stored in the treatment liquid supply system A is a coating liquid such as a resist liquid and has a relatively high viscosity. In this example, the viscosity of the treatment liquid is 100 cP or more and 300 cP or less.

図2に示すように、処理カップユニット10は、回転保持部23に保持された基板Wの周囲を取り囲むように設けられ、下カップ11、上カップ12および側壁部13を含む。下カップ11は、基板Wの下方の空間の周囲を取り囲むように配置される。本例においては、下カップ11の内縁部は、上カップ12の内縁部よりも内方に位置し、基板Wの外縁部の下方に位置する。また、下カップ11が基板Wの下方に配置される後述のミスト付着防止部材17と干渉することを防止するために、下カップ11の内縁部における上部には切欠11nが形成される。   As shown in FIG. 2, the processing cup unit 10 is provided so as to surround the periphery of the substrate W held by the rotation holding portion 23, and includes a lower cup 11, an upper cup 12, and a side wall portion 13. The lower cup 11 is arranged so as to surround the space below the substrate W. In the present example, the inner edge of the lower cup 11 is located inward of the inner edge of the upper cup 12 and below the outer edge of the substrate W. Further, in order to prevent the lower cup 11 from interfering with a mist adhesion preventing member 17 described below which is arranged below the substrate W, a notch 11n is formed in an upper portion of an inner edge portion of the lower cup 11.

下カップ11の上面11aは、内方から外方に向かって斜め下方にわずかに傾斜する。下カップ11の上面11aには、下カップ11の外周部に沿って下方に凹みかつ水平面内で円環状に延びる溝部11gが形成される。溝部11g内には、振動部材14が設けられる。ここで、水平面内で円環状に延びる1つの振動部材14が設けられてもよいし、複数の振動部材14が略等角度間隔で配置されてもよい。振動部材14は、例えば超音波振動子である。   The upper surface 11a of the lower cup 11 is slightly inclined obliquely downward from the inside toward the outside. On the upper surface 11a of the lower cup 11, a groove portion 11g is formed that is recessed downward along the outer peripheral portion of the lower cup 11 and extends annularly in the horizontal plane. The vibrating member 14 is provided in the groove 11g. Here, one vibrating member 14 that extends annularly in the horizontal plane may be provided, or a plurality of vibrating members 14 may be arranged at substantially equal angular intervals. The vibrating member 14 is, for example, an ultrasonic transducer.

上カップ12は、側壁部13の後述する厚肉部13aの上部から内方に突出しかつ基板Wの上方の空間の周囲を取り囲むように下カップ11の上方に配置される。上カップ12の下面12aは、部分p1,p2,p3を含む。下面12aの部分p1は、内方から外方に向かって斜め下方に急激に傾斜する。下面12aの部分p2は、部分p1の外周部から外方に向かって斜め下方に緩やかに傾斜する。下面12aの部分p3は、部分p2の外周部から外方に向かって略水平に延びる。   The upper cup 12 is arranged above the lower cup 11 so as to protrude inward from an upper portion of a thick-walled portion 13a of the side wall portion 13 which will be described later and to surround a space above the substrate W. The lower surface 12a of the upper cup 12 includes portions p1, p2 and p3. The portion p1 of the lower surface 12a is sharply inclined obliquely downward from the inside toward the outside. The part p2 of the lower surface 12a is gently inclined obliquely downward from the outer peripheral portion of the part p1 toward the outside. The part p3 of the lower surface 12a extends substantially horizontally outward from the outer peripheral part of the part p2.

これにより、下カップ11の上面11aと上カップ12の下面12aとの間隔は、内方から外方に向かって漸次減少する。以下、下カップ11の上面11aと上カップ12の下面12aの部分p2との間の空間を捕集空間V1と呼ぶ。下カップ11の上面11aと上カップ12の下面12aの部分p3との間の空間を集合空間V2と呼ぶ。捕集空間V1の上下方向の最大長さは、例えば20mm以上50mm以下である。捕集空間V1の径方向の最大長さは、例えば20mm以上40mm以下である。   As a result, the distance between the upper surface 11a of the lower cup 11 and the lower surface 12a of the upper cup 12 gradually decreases from the inside toward the outside. Hereinafter, the space between the upper surface 11a of the lower cup 11 and the portion p2 of the lower surface 12a of the upper cup 12 will be referred to as a collection space V1. The space between the upper surface 11a of the lower cup 11 and the portion p3 of the lower surface 12a of the upper cup 12 is referred to as a gathering space V2. The maximum length in the vertical direction of the collection space V1 is, for example, 20 mm or more and 50 mm or less. The maximum radial length of the collection space V1 is, for example, 20 mm or more and 40 mm or less.

上カップ12の下面12aには、上カップ12の外周部に沿って上方に凹みかつ水平面内で円環状に延びる溝部12gが形成される。これにより、下カップ11の溝部11gと上カップ12の溝部12gとの間に、集合空間V2よりも大きい散乱空間V3が形成される。溝部12gの底部には、略上下方向に延びかつ散乱空間V3に連なる複数の貫通孔12hが略等角度間隔で形成される。図2では、1つの貫通孔12hのみが図示されている。   On the lower surface 12a of the upper cup 12, there is formed a groove 12g which is recessed upward along the outer peripheral portion of the upper cup 12 and extends annularly in the horizontal plane. As a result, a scattering space V3 larger than the gathering space V2 is formed between the groove 11g of the lower cup 11 and the groove 12g of the upper cup 12. A plurality of through holes 12h extending substantially vertically and continuing to the scattering space V3 are formed at the bottom of the groove 12g at substantially equal angular intervals. In FIG. 2, only one through hole 12h is shown.

側壁部13は、厚肉部13aおよび薄肉部13bを含む。本例においては、上カップ12、厚肉部13aおよび薄肉部13bは一体的に形成される。図2では、上カップ12と、厚肉部13aと、薄肉部13bとの境界が点線で図示されている。厚肉部13aは、下カップ11および上カップ12の外方に配置される。また、厚肉部13aの内縁部は、下カップ11の外縁部の上方に位置する。側壁部13の外周下部には、上方に凹みかつ水平面内で円環状に延びる溝部13gが形成される。   The side wall portion 13 includes a thick wall portion 13a and a thin wall portion 13b. In this example, the upper cup 12, the thick portion 13a, and the thin portion 13b are integrally formed. In FIG. 2, the boundaries between the upper cup 12, the thick portion 13a, and the thin portion 13b are shown by dotted lines. The thick portion 13a is arranged outside the lower cup 11 and the upper cup 12. The inner edge of the thick wall portion 13 a is located above the outer edge of the lower cup 11. A groove portion 13g, which is recessed upward and extends annularly in a horizontal plane, is formed in the lower outer periphery of the side wall portion 13.

薄肉部13bは、厚肉部13aよりも小さい厚みを有し、厚肉部13aの外縁部の下方から下カップ11の外方および下カップ11の下方に沿って延びる。これにより、薄肉部13bと下カップ11との間に排出空間V4が形成される。厚肉部13aの内縁部と下カップ11の外縁部との間には、散乱空間V3と排出空間V4とを接続する微小な隙間Sが設けられる。   The thin portion 13b has a smaller thickness than the thick portion 13a, and extends from below the outer edge portion of the thick portion 13a to the outside of the lower cup 11 and below the lower cup 11. As a result, the discharge space V4 is formed between the thin portion 13b and the lower cup 11. A minute gap S that connects the scattering space V3 and the discharge space V4 is provided between the inner edge of the thick portion 13a and the outer edge of the lower cup 11.

下カップ11の下方には、排出空間V4に連なる排気流路F1および廃液流路F2が設けられる。排気流路F1は、図1の排気系Bに接続される。排気系Bは、排気流路F1から排出される気体を工場内の排気設備に導く。廃液流路F2は、排気流路F1の外方に位置し、図1の廃液系Cに接続される。廃液系Cは、廃液流路F2から排出される液体を工場内の廃液設備に導く。   Below the lower cup 11, an exhaust flow passage F1 and a waste liquid flow passage F2 which are continuous with the discharge space V4 are provided. The exhaust passage F1 is connected to the exhaust system B of FIG. The exhaust system B guides the gas discharged from the exhaust passage F1 to the exhaust equipment in the factory. The waste liquid flow passage F2 is located outside the exhaust flow passage F1 and is connected to the waste liquid system C of FIG. The waste liquid system C guides the liquid discharged from the waste liquid flow path F2 to the waste liquid facility in the factory.

上カップ12には、複数の貫通孔12hにそれぞれ対応する複数の洗浄ノズル15が取り付けられる。複数の洗浄ノズル15は、配管Pを通して図1の洗浄液供給系Dに接続される。なお、配管Pは、上カップ12の上部において、水平面内で円環状に引き回されている。各洗浄ノズル15は、配管Pおよび対応する貫通孔12hを通して、洗浄液供給系Dに貯留された洗浄液を上方から散乱空間V3および溝部11gに吐出する。これにより、下カップ11、上カップ12および側壁部13が洗浄され、洗浄液が溝部11gに貯留される。   A plurality of cleaning nozzles 15 corresponding to the plurality of through holes 12h are attached to the upper cup 12. The plurality of cleaning nozzles 15 are connected to the cleaning liquid supply system D of FIG. The pipe P is annularly routed in the horizontal plane above the upper cup 12. Each cleaning nozzle 15 discharges the cleaning liquid stored in the cleaning liquid supply system D from above into the scattering space V3 and the groove portion 11g through the pipe P and the corresponding through hole 12h. As a result, the lower cup 11, the upper cup 12, and the side wall portion 13 are cleaned, and the cleaning liquid is stored in the groove 11g.

洗浄液供給系Dに貯留された洗浄液は、処理液を溶解するリンス液等の液体である。具体的には、洗浄液は、例えばPGME(propyleneglycol monomethyl ether:プロピレングリコールモノメチルエーテル)であってもよいし、PGMEA(propyleneglycol monomethyl ether acetate:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)であってもよいし、シクロヘキサノンであってもよい。あるいは、洗浄液は、例えばPGMEとPGMEAとの混合液であってもよいし、その混合比は例えば7:3であってもよい。   The cleaning liquid stored in the cleaning liquid supply system D is a liquid such as a rinse liquid that dissolves the processing liquid. Specifically, the cleaning liquid may be, for example, PGME (propyleneglycol monomethyl ether), PGMEA (propyleneglycol monomethyl ether acetate), or cyclohexanone. May be. Alternatively, the cleaning liquid may be, for example, a mixed liquid of PGME and PGMEA, and the mixing ratio thereof may be 7: 3, for example.

処理カップユニット10は、バット16、ミスト付着防止部材17および複数の気体ノズル18をさらに含む。バット16は、基板Wに吐出された処理液を回収するために用いられる部材であり、例えば円板形状を有する。バット16は、図1の駆動装置21の回転軸22の周囲を取り囲むように基板Wの下方に配置される。   The processing cup unit 10 further includes a vat 16, a mist adhesion preventing member 17, and a plurality of gas nozzles 18. The bat 16 is a member used to collect the processing liquid discharged onto the substrate W, and has, for example, a disc shape. The bat 16 is arranged below the substrate W so as to surround the rotary shaft 22 of the drive device 21 of FIG. 1.

ミスト付着防止部材17は、後述する処理液のミストが基板Wの下面に付着することを防止する部材であり、例えば略円板形状を有する。ミスト付着防止部材17は、図1の回転保持部23の周囲を取り囲むように基板Wとバット16との間に配置され、図示しない支持部材によりバット16に支持される。   The mist adhesion preventing member 17 is a member that prevents a mist of the processing liquid described later from adhering to the lower surface of the substrate W, and has, for example, a substantially disc shape. The mist adhesion preventing member 17 is arranged between the substrate W and the bat 16 so as to surround the rotation holding portion 23 of FIG. 1, and is supported by the bat 16 by a supporting member (not shown).

ミスト付着防止部材17の上面は、基板Wの被処理面とは反対側の下面に近接しつつ、基板Wの下面に沿って内方から外方に延びる。これにより、ミスト付着防止部材17の上面と基板Wの下面との間の空間V5が狭く形成維持される。ミスト付着防止部材17の上面と基板Wの下面との間隔は、例えば2mm以上3mm以下であり、最大でも5mmである。   The upper surface of the mist adhesion preventing member 17 extends from the inner side to the outer side along the lower surface of the substrate W while being close to the lower surface of the substrate W opposite to the surface to be processed. As a result, the space V5 between the upper surface of the mist adhesion preventing member 17 and the lower surface of the substrate W is formed and maintained narrow. The distance between the upper surface of the mist adhesion preventing member 17 and the lower surface of the substrate W is, for example, 2 mm or more and 3 mm or less, and is 5 mm at the maximum.

本例においては、ミスト付着防止部材17の上面と基板Wの下面との間隔は、内方から外方に向かって漸次減少する。この場合、空間V5をより狭く形成することができる。また、ミスト付着防止部材17の外縁部は、基板Wの外縁部よりも内方に位置する。この場合にも、空間V5を狭く形成することができる。   In this example, the distance between the upper surface of the mist adhesion preventing member 17 and the lower surface of the substrate W gradually decreases from the inner side to the outer side. In this case, the space V5 can be formed narrower. Further, the outer edge portion of the mist adhesion preventing member 17 is located inward of the outer edge portion of the substrate W. Also in this case, the space V5 can be formed narrow.

複数の気体ノズル18は、気体供給部Eに接続され、基板Wの下方においてミスト付着防止部材17を斜め上方に貫通するように略等角度間隔で設けられる。各気体ノズル18は、気体供給部Eに封入された気体を回転する基板Wの下面に供給する。基板Wの下面に供給された気体は、基板Wの下面に沿って内方から外方に導かれる。気体供給部Eに封入された気体は、例えば窒素である。気体供給部Eに封入された気体は、クリーンエア等の他の気体であってもよい。   The plurality of gas nozzles 18 are connected to the gas supply unit E and are provided at substantially equal angular intervals so as to penetrate the mist adhesion preventing member 17 obliquely upward below the substrate W. Each gas nozzle 18 supplies the gas enclosed in the gas supply unit E to the lower surface of the rotating substrate W. The gas supplied to the lower surface of the substrate W is guided from the inner side to the outer side along the lower surface of the substrate W. The gas enclosed in the gas supply unit E is, for example, nitrogen. The gas sealed in the gas supply unit E may be another gas such as clean air.

(2)基板処理装置の動作
図1および図2を参照しながら、基板処理装置100の動作を説明する。基板Wは、被処理面が上方に向けられた状態で回転保持部23により水平姿勢で保持される。この状態で、基板Wが回転保持部23により回転されるとともに、処理ノズル30から基板Wの被処理面の中心付近に処理液が吐出される。これにより、基板Wの被処理面の中心付近に吐出された処理液が、基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの被処理面の全体に拡げられ、基板Wの被処理面に処理液の膜が形成される。
(2) Operation of Substrate Processing Apparatus The operation of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. 1 and 2. The substrate W is horizontally held by the rotation holding unit 23 with the surface to be processed facing upward. In this state, the substrate W is rotated by the rotation holding unit 23, and the processing liquid is ejected from the processing nozzle 30 to the vicinity of the center of the surface to be processed of the substrate W. As a result, the processing liquid discharged near the center of the surface to be processed of the substrate W is spread over the entire surface to be processed of the substrate W by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate W, and the processing liquid is applied to the surface to be processed of the substrate W. Film is formed.

ここで、基板Wが所定の回転速度よりも大きい回転速度で回転される場合には、基板Wの被処理面に供給された高い運動エネルギーを有する処理液が、基板Wの被処理面から振り切られ、上下方向に幅をもって、基板Wの周縁部から外方に飛散する。基板Wから飛散した処理液は、下カップ11の上面11aと上カップ12の下面12aにより捕集空間V1に捕集される。   Here, when the substrate W is rotated at a rotation speed higher than a predetermined rotation speed, the processing liquid having high kinetic energy supplied to the surface to be processed of the substrate W is shaken off from the surface to be processed of the substrate W. And has a width in the vertical direction, and scatters outward from the peripheral portion of the substrate W. The processing liquid scattered from the substrate W is collected in the collection space V1 by the upper surface 11a of the lower cup 11 and the lower surface 12a of the upper cup 12.

捕集空間V1に捕集された処理液は、下カップ11の上面11aおよび上カップ12の下面12aに沿って外方に導かれ、集合空間V2で集合しつつ集合空間V2を通過する。集合空間V2を通過した処理液が飛散空間V3に到達し、側壁部13の厚肉部13aに衝突して散乱空間V3で上下方向および径方向に散乱する。散乱後の処理液の一部は、運動エネルギーを失い、重力で落下することにより溝部11gに貯留される。一方、散乱後の処理液の他の一部はミストになることがある。   The treatment liquid collected in the collection space V1 is guided outward along the upper surface 11a of the lower cup 11 and the lower surface 12a of the upper cup 12, passes through the collection space V2 while collecting in the collection space V2. The treatment liquid that has passed through the gathering space V2 reaches the scattering space V3, collides with the thick wall portion 13a of the side wall portion 13, and is scattered vertically and radially in the scattering space V3. A part of the treated liquid after scattering loses kinetic energy and falls by gravity and is stored in the groove 11g. On the other hand, the other part of the treatment liquid after scattering may become mist.

このような場合でも、集合空間V2の間隔は、内方から外方に向かって漸次減少する。また、基板Wから飛散した処理液は、内方から外方に向かって連続的に集合空間V2を通過する。そのため、処理液のミストは、外方に向かって集合空間V2を通過する処理液の流れにより押し戻され、処理液のミストが再び集合空間V2を通過して捕集空間V1に戻ることがない。これにより、処理液のミストが逆流して基板Wの被処理面および下面に付着することが防止されるとともに、処理液のミストが処理カップユニット10外に飛散することが防止される。   Even in such a case, the interval of the gathering space V2 gradually decreases from the inside toward the outside. Further, the processing liquid scattered from the substrate W continuously passes through the collecting space V2 from the inside to the outside. Therefore, the mist of the treatment liquid is pushed outward by the flow of the treatment liquid passing through the collection space V2, and the mist of the treatment liquid does not pass through the collection space V2 again and return to the collection space V1. This prevents the mist of the processing liquid from flowing back and adhering to the surface to be processed and the lower surface of the substrate W, and prevents the mist of the processing liquid from scattering outside the processing cup unit 10.

また、ミスト付着防止部材17により、ミスト付着防止部材17の上面と基板Wの下面との間の空間V5が狭く形成される。また、複数の気体ノズル18により基板Wの下面に沿って内方から外方に気体が供給される。そのため、空間V5が陽圧に維持される。さらに、散乱空間V3の雰囲気は、隙間Sを通して排出空間V4に導かれた後、排気流路F1から排出される。排気流路F1から排出された気体は、排気系Bにより工場内の排気設備に導かれる。   Further, the mist adhesion preventing member 17 forms a narrow space V5 between the upper surface of the mist adhesion preventing member 17 and the lower surface of the substrate W. Further, gas is supplied from the inside to the outside along the lower surface of the substrate W by the plurality of gas nozzles 18. Therefore, the space V5 is maintained at a positive pressure. Further, the atmosphere in the scattering space V3 is guided to the discharge space V4 through the gap S and then discharged from the exhaust flow path F1. The gas discharged from the exhaust flow path F1 is guided to the exhaust equipment in the factory by the exhaust system B.

上記の構成によれば、基板Wの外方から基板Wの下面に向かう気流が形成されることがミスト付着防止部材17により防止される。したがって、処理カップユニット10で跳ね返った処理液のミストが基板Wの下面に付着することはなく、基板Wの被処理面の処理液が下面に回り込むこともない。これにより、基板Wの下面を洗浄液で洗浄しない場合でも、処理液による基板の下面の汚染を防止することができる。また、処理カップユニット10で跳ね返った処理液が基板Wの被処理面に付着することもないので、被処理面に形成される膜が汚染されることを防止することができる。   According to the above configuration, the mist adhesion preventing member 17 prevents the formation of an air flow from the outside of the substrate W toward the lower surface of the substrate W. Therefore, the mist of the processing liquid rebounded by the processing cup unit 10 does not adhere to the lower surface of the substrate W, and the processing liquid on the surface to be processed of the substrate W does not flow around to the lower surface. Accordingly, even if the lower surface of the substrate W is not cleaned with the cleaning liquid, it is possible to prevent the lower surface of the substrate from being contaminated by the processing liquid. Further, since the processing liquid splashed by the processing cup unit 10 does not adhere to the surface to be processed of the substrate W, it is possible to prevent the film formed on the surface to be processed from being contaminated.

散乱空間V3に到達した処理液の一部は、散乱空間V3に接する処理カップユニット10内の壁面に付着する。ここで、複数の洗浄ノズル15から複数の貫通孔12hをそれぞれ通して散乱空間V3および溝部11gに洗浄液が吐出される。散乱空間V3に吐出された洗浄液は、散乱空間V3に接する処理カップユニット10内の壁面を伝って下方に導かれる。これにより、壁面に付着した洗浄液が溶解され、図2に矢印Xで示すように洗浄液とともに下カップ11の溝部11g内に貯留される。   A part of the processing liquid that has reached the scattering space V3 adheres to the wall surface inside the processing cup unit 10 that is in contact with the scattering space V3. Here, the cleaning liquid is discharged from the plurality of cleaning nozzles 15 through the plurality of through holes 12h into the scattering space V3 and the groove portion 11g. The cleaning liquid discharged to the scattering space V3 is guided downward along the wall surface inside the processing cup unit 10 in contact with the scattering space V3. As a result, the cleaning liquid adhering to the wall surface is dissolved and stored in the groove portion 11g of the lower cup 11 together with the cleaning liquid as indicated by the arrow X in FIG.

ここで、溶解されかつ溝部11g内に貯留された処理液は、溝部11g内に設けられた振動部材14により振動されることにより低粘度化される。低粘度化された処理液は、気流により隙間Sを通して排出空間V4に導かれる。ここで、溝部11gは、下カップ11の外周部に沿って形成されるので、溝部11gと基板Wとの距離は十分に離間する。そのため、低粘度化された処理液が逆流して基板Wに再度付着することが容易に防止される。   Here, the processing liquid that has been dissolved and stored in the groove 11g is vibrated by the vibrating member 14 provided in the groove 11g, so that the viscosity is reduced. The low-viscosity treatment liquid is guided to the discharge space V4 through the gap S by the air flow. Here, since the groove portion 11g is formed along the outer peripheral portion of the lower cup 11, the distance between the groove portion 11g and the substrate W is sufficiently separated. Therefore, it is possible to easily prevent the processing liquid having the reduced viscosity from flowing back and adhering to the substrate W again.

また、溝部11gから排出空間V4に導かれた処理液が側壁部13の薄肉部13bに衝突し、上方向に拡がるかまたは浮上した場合でも、その処理液は溝部13gに捕捉され、重力により下方の排出空間V4に戻される。その後、排出空間V4の処理液は、廃液流路F2から排出され、廃液系Cにより工場内の廃液設備に導かれる。   Further, even when the processing liquid guided from the groove portion 11g to the discharge space V4 collides with the thin portion 13b of the side wall portion 13 and spreads upward or floats, the processing liquid is trapped in the groove portion 13g and downward due to gravity. Is returned to the discharge space V4. After that, the processing liquid in the discharge space V4 is discharged from the waste liquid flow path F2 and guided to the waste liquid equipment in the factory by the waste liquid system C.

上記の構成によれば、処理液の粘度が高い場合でも、処理カップユニット10の壁面に処理液が付着したまま残存することがない。そのため、処理カップユニット10内における排気および廃液のための経路が処理液で詰まることが防止される。また、処理液が低粘度化されるので、処理カップユニット10外に容易に排出される。これらにより、処理カップユニット10の汚染が防止され、処理カップユニット10内で処理液がパーティクルとして発生することも防止される。したがって、処理カップユニット10を取り外して洗浄する頻度または処理カップユニット10を交換する頻度が減少する。その結果、処理カップユニット10のメンテナンスの頻度を低減することができる。   According to the above configuration, even if the viscosity of the treatment liquid is high, the treatment liquid does not remain attached to the wall surface of the treatment cup unit 10. Therefore, it is possible to prevent the passage for exhaust and waste liquid in the processing cup unit 10 from being clogged with the processing liquid. Further, since the treatment liquid has a low viscosity, it is easily discharged to the outside of the treatment cup unit 10. As a result, the processing cup unit 10 is prevented from being contaminated and the processing liquid is prevented from being generated as particles in the processing cup unit 10. Therefore, the frequency of removing and cleaning the processing cup unit 10 or the frequency of exchanging the processing cup unit 10 is reduced. As a result, the frequency of maintenance of the processing cup unit 10 can be reduced.

(3)変形例
本実施の形態において、下カップ11の上面11aは内方から外方に向かって斜め下方にわずかに傾斜するが、下カップ11の形状はこれに限定されない。図3は、変形例に係る処理カップユニット10の部分拡大断面図である。図3に示すように、下カップ11の上面11aは、内方から外方に向かって斜め上方に傾斜してもよい。この構成において、下カップ11がミスト付着防止部材17と干渉しない場合には、下カップ11に切欠11nが形成されなくてもよい。あるいは、下カップ11の上面11aは、ほとんど傾斜せずに、略水平であってもよい。
(3) Modification In the present embodiment, the upper surface 11a of the lower cup 11 is slightly inclined obliquely downward from the inner side to the outer side, but the shape of the lower cup 11 is not limited to this. FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of the processing cup unit 10 according to the modification. As shown in FIG. 3, the upper surface 11a of the lower cup 11 may be inclined obliquely upward from the inside toward the outside. In this configuration, if the lower cup 11 does not interfere with the mist adhesion preventing member 17, the notch 11n may not be formed in the lower cup 11. Alternatively, the upper surface 11a of the lower cup 11 may be substantially horizontal with almost no inclination.

(4)効果
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、回転保持装置20により基板Wが水平姿勢で保持されて回転される。この状態で、処理ノズル30により基板Wの被処理面に処理液が吐出されることにより基板Wが処理される。基板Wの周囲を取り囲むように処理カップユニット10が設けられるので、処理液の飛散による基板処理装置100の汚染が防止される。
(4) Effects In the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment, the rotation holding device 20 holds and rotates the substrate W in a horizontal posture. In this state, the processing liquid is discharged from the processing nozzle 30 onto the surface to be processed of the substrate W, whereby the substrate W is processed. Since the processing cup unit 10 is provided so as to surround the substrate W, the substrate processing apparatus 100 is prevented from being contaminated due to the scattering of the processing liquid.

処理カップユニット10においては、ミスト付着防止部材17が、基板Wの下方に配置される。この構成によれば、基板Wから飛散した処理液が下カップ11または上カップ12に衝突して処理液のミストが発生した場合でも、ミスト付着防止部材17により基板Wの下面に処理液のミストが付着することが防止される。これにより、処理液による基板Wの下面の汚染を防止することができる。また、基板Wの下面に処理液が付着しないので、基板Wの下面を洗浄するための洗浄液を基板Wの下面に供給する必要がない。そのため、基板処理における洗浄液の使用量を削減することができる。   In the processing cup unit 10, the mist adhesion preventing member 17 is arranged below the substrate W. According to this configuration, even when the processing liquid scattered from the substrate W collides with the lower cup 11 or the upper cup 12 to generate a mist of the processing liquid, the mist adhesion preventing member 17 causes the mist of the processing liquid on the lower surface of the substrate W. Are prevented from adhering. As a result, it is possible to prevent the lower surface of the substrate W from being contaminated by the processing liquid. Further, since the processing liquid does not adhere to the lower surface of the substrate W, it is not necessary to supply the cleaning liquid for cleaning the lower surface of the substrate W to the lower surface of the substrate W. Therefore, the amount of cleaning liquid used in substrate processing can be reduced.

また、処理カップユニット10においては、基板Wから飛散した処理液が、下カップ11に形成された溝部11gに溶解されつつ貯留され、振動部材14により振動された後、排出空間V4から排出される。この構成によれば、溝部11gにおいて処理液が振動部材14により振動されることにより低粘度化される。そのため、処理液が処理カップユニット10外に容易に排出される。この場合、下カップ11、上カップ12または側壁部13の壁面に付着して残存する処理液の量が低減される。これにより、処理カップユニット10のメンテナンスの頻度を低減することができる。   In the processing cup unit 10, the processing liquid scattered from the substrate W is stored while being dissolved in the groove portion 11g formed in the lower cup 11, vibrated by the vibrating member 14, and then discharged from the discharge space V4. .. According to this configuration, the treatment liquid is vibrated by the vibrating member 14 in the groove portion 11g, so that the viscosity is reduced. Therefore, the processing liquid is easily discharged to the outside of the processing cup unit 10. In this case, the amount of the processing liquid adhering to and remaining on the wall surface of the lower cup 11, the upper cup 12, or the side wall portion 13 is reduced. As a result, the frequency of maintenance of the processing cup unit 10 can be reduced.

さらに、本実施の形態においては、下カップ11の内縁部が基板Wに十分に近接する。具体的には、下カップ11の内縁部は、上カップ12の内縁部よりも内方に位置する。あるいは、下カップ11の内縁部は、基板Wの外縁部またはミスト付着防止部材17の外縁部の下方に位置する。そのため、基板Wの回転速度が小さいか、または処理液の粘度が大きいことにより処理液の飛散距離が短い場合でも、下カップ11により処理液を捕集することができる。   Further, in the present embodiment, the inner edge portion of lower cup 11 is sufficiently close to substrate W. Specifically, the inner edge of the lower cup 11 is located inward of the inner edge of the upper cup 12. Alternatively, the inner edge of the lower cup 11 is located below the outer edge of the substrate W or the outer edge of the mist adhesion preventing member 17. Therefore, the processing liquid can be collected by the lower cup 11 even when the scattering distance of the processing liquid is short due to the low rotation speed of the substrate W or the high viscosity of the processing liquid.

下カップ11により捕集された処理液は、下カップ11に形成された溝部11gに導かれる。これにより、処理液を処理カップユニット10外に排出することができる。また、基板Wの近傍で処理液が下カップ11に衝突して処理液の一部がミストになった場合でも、ミスト付着防止部材17により基板Wの下面に処理液のミストが付着することが防止される。したがって、処理液による基板Wの下面の汚染を防止することができる。   The treatment liquid collected by the lower cup 11 is guided to the groove 11g formed in the lower cup 11. As a result, the processing liquid can be discharged to the outside of the processing cup unit 10. Further, even when the processing liquid collides with the lower cup 11 in the vicinity of the substrate W and a part of the processing liquid becomes mist, the mist adhesion preventing member 17 may cause the processing liquid mist to adhere to the lower surface of the substrate W. To be prevented. Therefore, it is possible to prevent the lower surface of the substrate W from being contaminated by the processing liquid.

(5)他の実施の形態
(a)上記実施の形態において、処理カップユニット10は気体ノズル18を含むが、本発明はこれに限定されない。ミスト付着防止部材17の上面と基板Wの下面との間の空間V5が十分に狭く形成される場合には、処理カップユニット10は気体ノズル18を含まなくてもよい。
(5) Other Embodiments (a) In the above embodiment, the processing cup unit 10 includes the gas nozzle 18, but the present invention is not limited to this. When the space V5 between the upper surface of the mist adhesion preventing member 17 and the lower surface of the substrate W is formed sufficiently narrow, the processing cup unit 10 may not include the gas nozzle 18.

(b)上記実施の形態において、処理カップユニット10は洗浄ノズル15を含むが、本発明はこれに限定されない。処理液の粘度が高くなることを緩和することが可能な場合には、処理カップユニット10は洗浄ノズル15を含まなくてもよい。また、基板処理において、処理液を溶解する有機溶剤等の溶解液が用いられることがある(例えばプリウエット処理)。この場合、処理液に加えて溶解液が溝部11gにさらに貯留され、処理液が溶解する。そのため、このような場合にも、処理カップユニット10は洗浄ノズル15を含まなくてもよい。   (B) In the above embodiment, the processing cup unit 10 includes the cleaning nozzle 15, but the present invention is not limited to this. The treatment cup unit 10 may not include the cleaning nozzle 15 if it is possible to mitigate the increase in the viscosity of the treatment liquid. Further, in the substrate processing, a solution such as an organic solvent that dissolves the processing solution may be used (for example, pre-wet processing). In this case, the dissolution liquid is further stored in the groove 11g in addition to the processing liquid, and the processing liquid is dissolved. Therefore, even in such a case, the processing cup unit 10 may not include the cleaning nozzle 15.

(c)上記実施の形態において、処理カップユニット10はミスト付着防止部材17を含むが、本発明はこれに限定されない。処理液による基板Wの下面の汚染を防止可能である場合には、処理カップユニット10はミスト付着防止部材17を含まなくてもよい。例えば、基板Wの下面に洗浄液を供給する洗浄ノズルが基板処理装置100に設けられ、基板Wの下面に付着した処理液が除去される場合には、処理カップユニット10はミスト付着防止部材17を含まなくてもよい。   (C) In the above embodiment, the processing cup unit 10 includes the mist adhesion preventing member 17, but the present invention is not limited to this. When it is possible to prevent the lower surface of the substrate W from being contaminated by the processing liquid, the processing cup unit 10 may not include the mist adhesion preventing member 17. For example, when the cleaning nozzle that supplies the cleaning liquid to the lower surface of the substrate W is provided in the substrate processing apparatus 100 and the processing liquid attached to the lower surface of the substrate W is removed, the processing cup unit 10 includes the mist adhesion preventing member 17. It may not be included.

(6)請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
(6) Correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment Hereinafter, an example of the correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment will be described, but the present invention is not limited to the following examples. Not limited. As each constituent element of the claims, various other elements having the configurations or functions described in the claims may be used.

上記実施の形態においては、基板Wが基板の例であり、処理カップユニット10が処理カップユニットの例であり、下カップ11が下カップの例であり、上カップ12が上カップの例である。溝部11g,12gがそれぞれ第1および第2の溝部の例であり、振動部材14が振動部材の例であり、排出空間V4が排出部の例であり、洗浄ノズル15が洗浄液吐出部の例であり、貫通孔12hが貫通孔の例である。散乱空間V3が散乱空間の例であり、回転保持装置20が回転保持装置の例であり、処理ノズル30が処理液吐出部の例であり、基板処理装置100が基板処理装置の例である。   In the above embodiment, the substrate W is an example of a substrate, the processing cup unit 10 is an example of a processing cup unit, the lower cup 11 is an example of a lower cup, and the upper cup 12 is an example of an upper cup. .. The grooves 11g and 12g are examples of the first and second grooves, respectively, the vibrating member 14 is an example of a vibrating member, the discharge space V4 is an example of a discharge part, and the cleaning nozzle 15 is an example of a cleaning liquid discharge part. Yes, the through hole 12h is an example of the through hole. The scattering space V3 is an example of a scattering space, the rotation holding device 20 is an example of a rotation holding device, the processing nozzle 30 is an example of a processing liquid ejecting unit, and the substrate processing apparatus 100 is an example of a substrate processing apparatus.

10…処理カップユニット,11…下カップ,11a…上面,11g,12g…溝部,11n…切欠,12…上カップ,12a…下面,12h…貫通孔,13…側壁部,13a…厚肉部,13b…薄肉部,14…振動部材,15…洗浄ノズル,16…バット,17…ミスト付着防止部材,18…気体ノズル,20…回転保持装置,21…駆動装置,22…回転軸,23…回転保持部,30…処理ノズル,100…基板処理装置,A…処理液供給系,B…排気系,C…廃液系,D…洗浄液供給系,E…気体供給部,F1…排気流路,F2…廃液流路,P…配管,p1〜p3…部分,S…隙間,V1…捕集空間,V2…集合空間,V3…散乱空間,V4…排出空間,V5…空間,W…基板   10 ... Processing cup unit, 11 ... Lower cup, 11a ... Upper surface, 11g, 12g ... Groove part, 11n ... Notch, 12 ... Upper cup, 12a ... Lower surface, 12h ... Through hole, 13 ... Side wall part, 13a ... Thick part, Reference numeral 13b ... Thin portion, 14 ... Vibration member, 15 ... Cleaning nozzle, 16 ... Butt, 17 ... Mist adhesion preventing member, 18 ... Gas nozzle, 20 ... Rotation holding device, 21 ... Driving device, 22 ... Rotation shaft, 23 ... Rotation Holding unit, 30 ... Processing nozzle, 100 ... Substrate processing apparatus, A ... Processing liquid supply system, B ... Exhaust system, C ... Waste liquid system, D ... Cleaning liquid supply system, E ... Gas supply unit, F1 ... Exhaust flow path, F2 ... Waste liquid flow path, P ... Piping, p1-p3 ... Part, S ... Gap, V1 ... Collection space, V2 ... Collection space, V3 ... Scattering space, V4 ... Discharge space, V5 ... Space, W ... Substrate

Claims (10)

水平姿勢で保持される基板に処理液を用いた処理を行う際に基板の周囲を取り囲むように設けられる処理カップユニットであって、
下カップと、
前記下カップの上方において基板の周囲を取り囲むように配置される上カップと、
前記下カップに形成され、基板から飛散した処理液を貯留する第1の溝部と、
前記第1の溝部に貯留された処理液を振動させる振動部材と、
前記第1の溝部に貯留された処理液を排出する排出部とを備える、処理カップユニット。
A processing cup unit provided so as to surround the periphery of a substrate when performing processing using a processing liquid on a substrate held in a horizontal posture,
Lower cup,
An upper cup arranged to surround the periphery of the substrate above the lower cup,
A first groove portion formed in the lower cup for storing the processing liquid scattered from the substrate;
A vibrating member for vibrating the treatment liquid stored in the first groove portion;
A processing cup unit, comprising: a discharge unit configured to discharge the processing liquid stored in the first groove.
前記第1の溝部は、基板から飛散した処理液を溶解する溶解液をさらに貯留する、請求項1記載の処理カップユニット。 The processing cup unit according to claim 1, wherein the first groove portion further stores a solution for dissolving the processing solution scattered from the substrate. 基板から飛散した処理液を前記第1の溝部に導くように当該処理液を溶解する洗浄液を吐出する洗浄液吐出部をさらに備える、請求項1または2記載の処理カップユニット。 The processing cup unit according to claim 1 or 2, further comprising a cleaning liquid ejecting unit that ejects a cleaning liquid that dissolves the processing liquid so as to guide the processing liquid scattered from the substrate to the first groove. 前記第1の溝部の上方における前記上カップの部分には貫通孔が形成され、
前記洗浄液吐出部は、前記貫通孔を通して前記第1の溝部に洗浄液を吐出する、請求項3記載の処理カップユニット。
A through hole is formed in the upper cup portion above the first groove portion,
The processing cup unit according to claim 3, wherein the cleaning liquid discharger discharges the cleaning liquid into the first groove through the through hole.
前記第1の溝部は、前記下カップの外周部に沿って形成される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の処理カップユニット。 The processing cup unit according to claim 1, wherein the first groove portion is formed along an outer peripheral portion of the lower cup. 前記第1の溝部に対向するように前記上カップに形成される第2の溝部をさらに備え、
前記第1の溝部と前記第2の溝部との間に、処理液の散乱を許容する散乱空間が形成され、
前記第1の溝部は、前記散乱空間で散乱した処理液を貯留する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の処理カップユニット。
Further comprising a second groove portion formed in the upper cup so as to face the first groove portion,
A scattering space that allows scattering of the treatment liquid is formed between the first groove portion and the second groove portion,
The processing cup unit according to claim 1, wherein the first groove portion stores the processing liquid scattered in the scattering space.
前記下カップの内縁部は、前記上カップの内縁部よりも内方に位置する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の処理カップユニット。 The processing cup unit according to claim 1, wherein an inner edge portion of the lower cup is located more inward than an inner edge portion of the upper cup. 前記下カップの内縁部は、基板の外縁部の下方に位置する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の処理カップユニット。 The processing cup unit according to claim 1, wherein an inner edge portion of the lower cup is located below an outer edge portion of the substrate. 基板処理に用いられる処理液の粘度は、100cP以上300cP以下である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の処理カップユニット。 The processing cup unit according to claim 1, wherein the processing liquid used for the substrate processing has a viscosity of 100 cP or more and 300 cP or less. 基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持装置と、
前記回転保持装置により保持された基板の被処理面に処理液を吐出する処理液吐出部と、
前記回転保持装置により保持された基板の周囲を取り囲むように設けられる請求項1〜9のいずれか一項に記載の処理カップユニットとを備える、基板処理装置。
A rotation holding device that holds and rotates the substrate in a horizontal posture,
A processing liquid ejecting section for ejecting a processing liquid onto the surface to be processed of the substrate held by the rotation holding device;
A substrate processing apparatus comprising: the processing cup unit according to claim 1, which is provided so as to surround a periphery of the substrate held by the rotation holding device.
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