JP2020056924A - Display - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表示装置に関する。 The present invention relates to a display device.
従来、液晶表示装置のようなフラットパネルディスプレイのインターフェース規格としては、例えば画像信号の1画素当たりの画素信号24ビット(R/G/B各8ビット)、垂直同期信号1ビット、水平同期信号1ビット、データイネーブル信号1ビットの計27ビットを4ペアの差動信号で転送するLVDS(Low Voltage Differential Signaling)転送方式の高速シリアルインターフェースが用いられている。LVDS転送方式における差動信号の送信周波数は、ドットクロックの周波数の7倍となるため、パネル解像度によっては、信号遅延に起因してデータのラッチミスによるビット誤り率(BER)が増加し、表示品位が低下する可能性がある。このため、例えば奇数列の画素の画像信号と偶数列の画素の画像信号とを2系統のLVDS信号で同時に転送するデュアルリンク方式や、4n(nは自然数)列、4n−1列、4n−2列、4n−3列の各画素の画像信号を4系統のLVDS信号で同時に転送するクアッドリンク方式がある。デュアルリンク方式では、シングルリンク方式に対し、差動信号の送信周波数を1/2とすることができ、クワッドリンク方式では、シングルリンク方式に対し、差動信号の送信周波数を1/4とすることができる。 2. Description of the Related Art Conventionally, as an interface standard of a flat panel display such as a liquid crystal display device, for example, a pixel signal of 24 bits (8 bits for each of R / G / B), a vertical synchronization signal of 1 bit, and a horizontal synchronization signal of 1 per pixel of an image signal A high-speed serial interface of an LVDS (Low Voltage Differential Signaling) transfer method for transferring a total of 27 bits, one bit and a data enable signal, by four pairs of differential signals is used. Since the transmission frequency of the differential signal in the LVDS transfer method is seven times the frequency of the dot clock, the bit error rate (BER) due to a data latch error increases due to signal delay depending on the panel resolution, and the display quality is increased. May decrease. For this reason, for example, a dual link method in which an image signal of an odd-numbered pixel and an image signal of an even-numbered pixel are simultaneously transferred using two LVDS signals, 4n (n is a natural number), 4n-1 and 4n- There is a quad link system in which image signals of each pixel in 2 columns and 4n-3 columns are simultaneously transferred by four LVDS signals. In the dual link system, the transmission frequency of the differential signal can be reduced to に 対 し compared to the single link system, and in the quad link system, the transmission frequency of the differential signal can be reduced to 4 compared to the single link system. be able to.
近年、フラットパネルディスプレイの高精細化に伴い、信号振幅が小さく、かつドットクロックの立上がり及び立下がりのダブルエッジでラッチするDDR(Double Data Rate)方式の採用により、LVDS転送方式よりも省電力で高速伝送が可能な高速シリアルインターフェースであるRSDS(Reduced Swing Differential Signaling)転送方式やmini−LVDS転送方式が採用されるケースが増加しつつある。RSDS転送方式やmini−LVDS転送方式では、差動信号数はLVDS転送方式より増加するものの、差動信号の送信周波数をLVDS転送方式よりも低くすることができる。 In recent years, with the increase in definition of flat panel displays, the adoption of a DDR (Double Data Rate) method in which the signal amplitude is small and the dot clock is latched at the rising and falling edges of the dot clock has reduced power consumption compared to the LVDS transfer method. There are increasing cases where a Reduced Swing Differential Signaling (RSDS) transfer method or a mini-LVDS transfer method, which is a high-speed serial interface capable of high-speed transmission, is adopted. In the RSDS transfer method and the mini-LVDS transfer method, although the number of differential signals increases compared to the LVDS transfer method, the transmission frequency of the differential signal can be lower than that in the LVDS transfer method.
ディスプレイサイズの大画面化に伴い、例えば、ディスプレイパネルにコラム信号を出力する複数のコラムドライブ集積回路を所定数量単位で一つのグループとして、画像供給源から転送された画像信号をグループに分割された領域に対するデータとそれに対するコントロール信号を各々分配し、各グループに一つのタイミングコントローラからデータを提供されるように構成した技術が開示されている(例えば、特許文献1)。 With the increase in screen size of the display size, for example, a plurality of column drive integrated circuits that output column signals to the display panel are grouped into a predetermined quantity unit, and the image signals transferred from the image source are divided into groups. A technique has been disclosed in which data for an area and a control signal for the area are respectively distributed, and data is provided from one timing controller to each group (for example, Patent Document 1).
さらなる高精細化に対応するため、例えば、フラットパネルディスプレイの表示領域を、画素列が並ぶ方向に2つの領域に分割し、各領域に対してそれぞれ1系統のRSDS信号を供給する構成が考えられる。これにより、全表示領域で1系統のRSDS信号を供給する構成に対し、差動信号の送信周波数を1/2とすることができるので、データのラッチミスによるビット誤り率を低減することができ、表示品質が向上する。しかしながら、このような構成では、画像供給源から供給される画像信号が従来のデュアルリンク方式やクアッドリンク方式のLVDS信号である場合に、画像表示を行うことができない。 In order to cope with higher definition, for example, a configuration in which a display area of a flat panel display is divided into two areas in a direction in which pixel rows are arranged and one system of RSDS signal is supplied to each area is considered. . This makes it possible to reduce the transmission frequency of the differential signal to 1 / compared to a configuration in which one system of the RSDS signal is supplied in the entire display area, so that the bit error rate due to a data latch miss can be reduced, Display quality is improved. However, with such a configuration, when the image signal supplied from the image supply source is a conventional dual link system or quad link system LVDS signal, image display cannot be performed.
本発明は、画素列が並ぶ方向に分割された複数の表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、デュアルリンク方式やクアッドリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる表示装置を提供することを目的とする。 The present invention displays an image supplied by a dual-link or quad-link serial signal in a configuration in which a single serial signal is supplied to each of a plurality of display areas divided in a direction in which pixel columns are arranged. It is an object of the present invention to provide a display device capable of performing the above.
本発明の一態様に係る表示装置は、複数の画素が第1方向及び前記第1方向とは異なる第2方向に並ぶ表示部と、前記画素が第2方向に並ぶ画素列ごとに画素信号を供給するソースドライバと、前記ソースドライバの前段に設けられた信号変換回路と、を備え、前記信号変換回路は、1画素当たりの前記画素信号がシリアライズされた複数組の差動信号を含む入力シリアル信号を、前記入力シリアル信号よりも差動信号の組数が多い出力シリアル信号に変換する。 A display device according to one embodiment of the present invention includes a display unit in which a plurality of pixels are arranged in a first direction and a second direction different from the first direction, and a pixel signal for each pixel column in which the pixels are arranged in the second direction. And a signal conversion circuit provided in a stage preceding the source driver. The signal conversion circuit includes an input serial circuit including a plurality of sets of differential signals obtained by serializing the pixel signals per pixel. The signal is converted into an output serial signal having a larger number of differential signal sets than the input serial signal.
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention, which are naturally included in the scope of the present invention. In addition, in order to make the description clearer, the width, thickness, shape, and the like of each part may be schematically illustrated as compared with actual embodiments, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention is not limited thereto. It is not limited. In the specification and the drawings, components similar to those described in regard to a drawing thereinabove are marked with like reference numerals, and a detailed description is omitted as appropriate.
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。図1に示すように、本実施形態に係る表示装置100は、表示基板1と、配線基板3と、回路基板4と、を含む。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a schematic configuration of the display device according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the
本実施形態において、表示基板1は、ガラス基板によって構成される。表示基板1には、画素Pix(図2参照)が図中のX方向及びY方向に配列された表示部11が設けられている。
In the present embodiment, the
また、実施形態1に係る表示装置100の表示部11は、X方向に並ぶ2つの領域に分割されている。本実施形態では、図1の左側に位置する領域を第1表示領域111とし、図1の右側に位置する領域を第2表示領域112とする。
The
表示部11は、例えば液晶表示素子を表示素子として備えた構成であっても良い。また、表示部11は、例えば有機発光ダイオード(OLED:Organic Light Emitting Diode)を発光素子として備えた構成であっても良い。また、表示部11は、例えばマイクロ発光ダイオード(MicroLED:Light Emitting Diode)を発光素子として備えた構成であっても良い。表示部11の態様により本開示が限定されるものではない。
The
表示基板1には、表示部11の画素回路に走査信号を供給する走査信号線や、表示部11の画素回路に画素信号を供給する映像信号線が設けられている。
The
また、表示基板1上には、画素信号を生成するソースドライバ5が設けられる。図1に示す例において、ソースドライバ5は、第1表示領域111及び第2表示領域112に対応して、それぞれ複数個のソースドライバICで構成されている。ソースドライバICは、例えば、表示部11の映像信号線に供給する画素信号を生成する映像線駆動回路等が集積された半導体チップである。ソースドライバICは、COG(Chip On Glass)によって表示基板1に実装される。
Further, on the
なお、図1に示す例では、それぞれ第1表示領域111及び第2表示領域112に対応するソースドライバICを3個ずつ設けた構成を例示したが、第1表示領域111及び第2表示領域112に対応するソースドライバICはそれぞれ1個でも良いし、2個あるいは4個以上の複数個であっても良い。ソースドライバICの数により本開示が限定されるものではない。
In the example illustrated in FIG. 1, a configuration in which three source driver ICs corresponding to the
また、例えば、表示基板1上には、走査信号を生成するゲートドライバ(不図示)等を配置することができる。ゲートドライバは、例えばシフトレジスタ回路等を具備した1個あるいは複数個のゲートドライバIC(不図示)で構成される。ゲートドライバの態様により本開示が限定されるものではない。
Further, for example, a gate driver (not shown) that generates a scanning signal can be disposed on the
図2は、表示部の画素配列の一例を示す回路図である。図2では、表示装置100として、液晶表示パネルを用いた場合の画素構成を例示している。本実施形態において、画素Pixは、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色されたカラーフィルタ12R,12G,12Bにそれぞれ対応する3つの副画素SPixを含む。なお、画素Pixは、4色以上に着色されたカラーフィルタにそれぞれ対応する4つ以上の副画素SPixを含む構成であっても良い。
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an example of a pixel array of the display unit. FIG. 2 illustrates a pixel configuration in the case where a liquid crystal display panel is used as the
表示基板1には、各副画素SPixのスイッチング素子Tr、映像信号線SGL、走査信号線GCL等が形成されている。映像信号線SGLは、各スイッチング素子Trに画素信号Vpixを供給するための配線である。走査信号線GCLは、各スイッチング素子Trを駆動する駆動信号を供給するための配線である。映像信号線SGL及び走査信号線GCLは、表示基板1の表面と平行な平面に延出する。本実施形態において、走査信号線GCLは、図中のX方向に延伸して設けられている。また、本実施形態において、映像信号線SGLは、図中のY方向に延伸して設けられている。
On the
映像信号線SGL及び走査信号線GCLは、スイッチング素子Trに電気的に接続される。スイッチング素子Trは、映像信号線SGLと走査信号線GCLの交点に設けられる。 The video signal line SGL and the scanning signal line GCL are electrically connected to the switching element Tr. The switching element Tr is provided at the intersection of the video signal line SGL and the scanning signal line GCL.
表示部11は、マトリクス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれスイッチング素子Tr及び液晶素子13aを備えている。スイッチング素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、例えば、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成される。スイッチング素子Trのドレインに画素電極が構成される。この画素電極と第1電極COMLとの間に絶縁層が設けられ、保持容量13bが形成される。
The
表示部11は、ゲートドライバによって走査信号線GCLが順次選択される。ゲートドライバは、走査信号線GCLを介して、副画素SPixのスイッチング素子Trのゲートに走査信号Vscanを印加する。これにより、X方向に並ぶ副画素SPix(1水平ライン)が表示駆動の対象として順次選択される。ソースドライバ5は、映像信号線SGLを介して、ゲートドライバによって選択された1水平ラインの副画素SPixのスイッチング素子Trのソースに画素信号Vpixを供給する。これにより、表示部11は、ソースドライバ5から供給される画素信号Vpixに応じて、1水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
In the
この表示動作を行う際、電極COMLには、複数の副画素SPixに対する共通電位となる駆動電圧Vcomdcが印加される。これにより、各電極COMLは、画素電極に対する共通電極として機能する。本実施形態では、表示部11の全ての電極COMLに対して共通の駆動電圧Vcomdcが印加される。
When performing this display operation, a drive voltage Vcomdc, which is a common potential for the plurality of sub-pixels SPix, is applied to the electrode COML. Thereby, each electrode COML functions as a common electrode for the pixel electrode. In the present embodiment, a common drive voltage Vcomdc is applied to all the electrodes COML of the
配線基板3は、フレキシブル配線基板(FPC:Flexible Printed Circuits)によって構成される。回路基板4は、例えばガラスエポキシ基板等のプリント基板によって構成される。
The
回路基板4には、タイミングコントローラ6(信号変換回路)が実装される。タイミングコントローラ6は、例えばFPGAで構成された半導体チップである。タイミングコントローラ6は、1つの半導体チップで構成されていても良いし、複数の半導体チップで構成されていても良い。また、回路基板4には、例えば、各種の基準電位を発生する電源回路等の回路要素を配置する態様であっても良い。
The timing controller 6 (signal conversion circuit) is mounted on the
タイミングコントローラ6は、配線基板3を介して、ソースドライバ5に接続される。なお、タイミングコントローラ6は、例えば異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)を用いたCOF(Chip On Film)によって配線基板3上に実装される態様であっても良い。この場合、配線基板3と回路基板4とが1つのフレキシブル配線基板(回路基板2)によって構成される態様であっても良い。
The
表示基板1が、本開示における「第1基板」に対応する。また、回路基板2が、本開示における「第2基板」に対応する。
The
図3は、画像信号転送用のLDVSデータフォーマットの一例を示す第1図である。図4は、画像信号転送用のLDVSデータフォーマットの一例を示す第2図である。図3では、VESAフォーマットのLDVSデータフォーマットを示している。図4では、JEITAフォーマットのLDVSデータフォーマットを示している。 FIG. 3 is a first diagram illustrating an example of an LDVS data format for image signal transfer. FIG. 4 is a second diagram illustrating an example of an LDVS data format for transferring an image signal. FIG. 3 shows an LDVS data format of the VESA format. FIG. 4 shows the LDVS data format of the JEITA format.
図3及び図4に示すLDVSデータフォーマットでは、画像信号(R信号、G信号、B信号)の1画素当たりの画素信号24ビット(R信号/G信号/B信号各8ビット)、垂直同期信号VS1ビット、水平同期信号HS1ビット、データイネーブル信号DE1ビットの計27ビットを4ペアの差動信号LVD0P/LVD0N,LVD1P/LVD1N,LVD2P/LVD2N,LVD3P/LVD3Nで転送する態様である。R7,G7,B7は、それぞれ、8ビットのR信号、G信号、B信号のMSBを示し、R0,G0,B0は、それぞれ、8ビットのR信号、G信号、B信号のLSBを示している。図3及び図4に示すように、VESAフォーマットとJEITAフォーマットとでは、R信号、G信号、B信号の各ビットの並びが異なっているが、何れのフォーマットであっても良い。 In the LDVS data format shown in FIGS. 3 and 4, 24 bits (8 bits each of R signal / G signal / B signal) per pixel of an image signal (R signal, G signal, B signal) and a vertical synchronization signal In this embodiment, a total of 27 bits of VS1 bit, horizontal synchronizing signal HS1 bit, and data enable signal DE1 bit are transferred by four pairs of differential signals LVD0P / LVD0N, LVD1P / LVD1N, LVD2P / LVD2N, LVD3P / LVD3N. R7, G7, and B7 indicate the MSBs of the 8-bit R, G, and B signals, respectively, and R0, G0, and B0 indicate the LSBs of the 8-bit R, G, and B signals, respectively. I have. As shown in FIGS. 3 and 4, the arrangement of the R signal, the G signal, and the B signal is different between the VESA format and the JEITA format, but any format may be used.
図3及び図4に示す例では、上述したように、計27ビットを4ペアの差動信号LVD0P/LVD0N,LVD1P/LVD1N,LVD2P/LVD2N,LVD3P/LVD3Nで転送するため、差動信号LVD0P/LVD0N,LVD1P/LVD1N,LVD2P/LVD2N,LVD3P/LVD3Nの送信周波数は、1画素当たりのドットクロック(LVDSクロック)の7倍となる。 In the examples shown in FIGS. 3 and 4, as described above, a total of 27 bits are transferred by four pairs of differential signals LVD0P / LVD0N, LVD1P / LVD1N, LVD2P / LVD2N, LVD3P / LVD3N. The transmission frequencies of LVD0N, LVD1P / LVD1N, LVD2P / LVD2N, and LVD3P / LVD3N are seven times the dot clock (LVDS clock) per pixel.
なお、図3及び図4では、1画素当たりのドットクロックに相当するLVDSクロックも差動信号LVDCLKP/LVDCLKNで転送する例を示したが、これに限らず、シングルエンド信号で転送する態様であっても良い。また、R信号、G信号、B信号は8ビットに限らず、例えば10ビットであっても良い。この場合、例えば、差動信号を5ペア(LVDSクロックを含めると6ペア)とすれば良い。 Although FIGS. 3 and 4 show an example in which the LVDS clock corresponding to the dot clock per pixel is also transferred by the differential signal LVDCLKP / LVDCLKN, the present invention is not limited to this, and the transfer is performed by a single-ended signal. May be. Further, the R signal, the G signal, and the B signal are not limited to 8 bits, and may be, for example, 10 bits. In this case, for example, 5 pairs of differential signals (6 pairs including the LVDS clock) may be used.
本実施形態において、画像信号転送用のLDVSデータフォーマットの信号を、以下「LVDS信号」と称する。 In the present embodiment, a signal in the LDVS data format for transferring an image signal is hereinafter referred to as an “LVDS signal”.
図5は、RSDSデータフォーマットの一例を示す図である。図5に示す例において、RSDSクロックCLKPは、1画素当たりのドットクロック(LVDSクロック)に相当する。R[7]:1(2,3),G[7]:1(2,3),B[7]:1(2,3)は、それぞれ、8ビットのR信号、G信号、B信号のMSBを示し、R[0]:1(2,3),G[0]:1(2,3),B[0]:1(2,3)は、それぞれ、8ビットのR信号、G信号、B信号のLSBを示している。 FIG. 5 is a diagram illustrating an example of the RSDS data format. In the example shown in FIG. 5, the RSDS clock CLKP corresponds to a dot clock per pixel (LVDS clock). R [7]: 1 (2,3), G [7]: 1 (2,3), B [7]: 1 (2,3) are 8-bit R signal, G signal, and B signal, respectively. R [0]: 1 (2,3), G [0]: 1 (2,3), B [0]: 1 (2,3) are 8-bit R signals, The LSB of the G signal and the B signal is shown.
図5に示すRSDSデータフォーマットでは、RSDSクロックCLKPの立上がり及び立下がりのダブルエッジでラッチするDDR方式の採用により、1クロック当たりで2ビットの転送が可能である。このため、ドットクロック(RSDSクロックCLKP)の送信周波数で、画像信号(R信号、G信号、B信号)の1画素当たりの画素信号24ビット(R信号/G信号/B信号各8ビット)を12ペアの差動信号D00,D01,D02,D03,D10,D11,D12,D13,D20,D21,D22,D23で転送することができる。 In the RSDS data format shown in FIG. 5, the transfer of two bits per clock is possible by adopting the DDR system in which the latch is performed at the rising and falling double edges of the RSDS clock CLKP. Therefore, at the transmission frequency of the dot clock (RSDS clock CLKP), 24 bits (8 bits each of R signal / G signal / B signal) of the image signal (R signal, G signal, B signal) per pixel are converted. 12 pairs of differential signals D00, D01, D02, D03, D10, D11, D12, D13, D20, D21, D22, D23 can be transferred.
なお、図5に示す例では、1ラインのスタートパルスSTHを示したが、RSDSデータフォーマットには、ロードパルス(LD)及び極性反転信号(POL)も含まれる。これらスタートパルスSTH、ロードパルス(LD)、極性反転信号(POL)は、TTLレベル又はCMOSレベルの信号である。 Although the example shown in FIG. 5 shows the start pulse STH of one line, the RSDS data format also includes a load pulse (LD) and a polarity inversion signal (POL). These start pulse STH, load pulse (LD), and polarity inversion signal (POL) are TTL level or CMOS level signals.
本実施形態において、RSDSデータフォーマットの信号を、以下「RSDS信号」と称する。 In the present embodiment, a signal in the RSDS data format is hereinafter referred to as an “RSDS signal”.
図1に示すように、本実施形態において、タイミングコントローラ6には、奇数列((2n−1)列、nは、画像信号の水平解像度(X方向の解像度)をmとしたとき、1以上m/2以下の自然数)の画素用のLVDS−Odd信号と、偶数列((2n)列)の画素用のLVDS−Even信号とが同時に転送されるデュアルリンク方式で入力される。また、ソースドライバ5は、RSDSレシーバ(不図示)を有し、第1表示領域111用のRSDS−L信号及び第2表示領域112用のRSDS−R信号が同時に転送されることで、表示部11の画像表示を行う。このような構成において、タイミングコントローラ6は、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号を、第1表示領域111に対応するRSDS−L信号、及び第2表示領域112に対応するRSDS−R信号に変換する。なお、LVDS−Odd信号が、本開示における「第1入力シリアル信号」に対応する。また、LVDS−Even信号が、本開示における「第2入力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−L信号が、本開示における「第1出力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−R信号が、本開示における「第2出力シリアル信号」に対応する。以下、図6から図10を参照して、タイミングコントローラ6の構成及び動作を説明する。
As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the
なお、本実施形態において、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号のデータフォーマットは、図3又は図4に示すLDVSデータフォーマットであるものとして説明する。また、本実施形態において、RSDS−L信号及びRSDS−R信号のデータフォーマットは、図5に示すRSDSデータフォーマットであるものとして説明する。また、本実施形態において、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号は、デュアルリンク方式で転送される。従って、LVDS−Odd信号のLVDSクロックとLVDS−Even信号のLVDSクロックとは、同期している。 In the present embodiment, the data format of the LVDS-Odd signal and the LVDS-Even signal will be described as being the LDVS data format shown in FIG. 3 or FIG. In the present embodiment, the data format of the RSDS-L signal and the RSDS-R signal will be described as being the RSDS data format shown in FIG. In the present embodiment, the LVDS-Odd signal and the LVDS-Even signal are transferred by a dual link method. Therefore, the LVDS clock of the LVDS-Odd signal and the LVDS clock of the LVDS-Even signal are synchronized.
図6は、実施形態1に係るタイミングコントローラの内部構成の一例を示すブロック図である。図6に示すように、タイミングコントローラ6は、LVDSレシーバ61と、コントローラ62と、第1RAM631と、第2RAM632と、RSDSシリアライザ64と、を備える。LVDSレシーバ61は、第1LVDSレシーバ611、第2LVDSレシーバ612、及びクロック逓倍部615を含む。RSDSシリアライザ64は、第1RSDSシリアライザ641、第2RSDSシリアライザ642、及びクロック調整部645を含む。
FIG. 6 is a block diagram illustrating an example of an internal configuration of the timing controller according to the first embodiment. As shown in FIG. 6, the
第1LVDSレシーバ611が、本開示における「第1レシーバ」に対応する。また、第2LVDSレシーバ612が、本開示における「第2レシーバ」に対応する。また、コントローラ62が、本開示における「制御部」に対応する。また、第1RSDSシリアライザ641が、本開示における「第1シリアライザ」に対応する。また、第2RSDSシリアライザ642が、本開示における「第2シリアライザ」に対応する。
The first LVDS receiver 611 corresponds to a “first receiver” in the present disclosure. Further, the
コントローラ62は、LVDSクロックに基づき、LVDSレシーバ61、第1RAM631、第2RAM632、及びRSDSシリアライザ64における各種タイミング制御を行う。
The
第1LVDSレシーバ611は、入力されたLVDS−Odd信号の4ペアの差動信号LVD0P−Odd/LVD0N−Odd,LVD1P−Odd/LVD1N−Odd,LVD2P−Odd/LVD2N−Odd,LVD3P−Odd/LVD3N−Oddを、TTLレベル又はCMOSレベルのシングルエンド信号に変換すると共に、R信号、G信号、B信号の8bitシリアルデータを8bitパラレルデータに変換する。具体的に、第1LVDSレシーバ611は、クロック逓倍部615によってLVDSクロックを7逓倍したクロック信号によりR信号、G信号、B信号の各ビットを読み出して、LVDSクロックに同期した各8ビットの(2n−1)列データOdd−DATA(R),(G),(B)を生成し、第1RAM631及び第2RAM632に出力する。
The first LVDS receiver 611 outputs four pairs of differential signals LVD0P-Odd / LVD0N-Odd, LVD1P-Odd / LVD1N-Odd, LVD2P-Odd / LVD2N-Odd, LVD3P-DNd of the input LVDS-Odd signal. Odd is converted to a TTL level or CMOS level single-ended signal, and 8-bit serial data of the R signal, G signal, and B signal is converted to 8-bit parallel data. Specifically, the first LVDS receiver 611 reads out each bit of the R signal, the G signal, and the B signal by the clock signal obtained by multiplying the LVDS clock by 7 by the
第2LVDSレシーバ612は、入力されたLVDS−Even信号の4ペアの差動信号LVD0P−Even/LVD0N−Even,LVD1P−Even/LVD1N−Even,LVD2P−Even/LVD2N−Even,LVD3P−Even/LVD3N−Evenを、TTLレベル又はCMOSレベルのシングルエンド信号に変換すると共に、R信号、G信号、B信号の8bitシリアルデータを8bitパラレルデータに変換する。具体的に、第2LVDSレシーバ612は、クロック逓倍部615によってLVDSクロックを7逓倍したクロック信号によりR信号、G信号、B信号の各ビットを読み出して、LVDSクロックに同期した各8ビットの(2n)列データEven−DATA(R),(G),(B)を生成し、第1RAM631及び第2RAM632に出力する。
The
本実施形態において、(2n−1)列データOdd−DATA(R),(G),(B)と(2n)列データEven−DATA(R),(G),(B)とは、同時に出力される。なお、(2n−1)列データOdd−DATA(R),(G),(B)が、本開示における「第1パラレルデータ」に対応する。また、(2n)列データEven−DATA(R),(G),(B)が、本開示における「第2パラレルデータ」に対応する。 In this embodiment, (2n-1) column data Odd-DATA (R), (G), (B) and (2n) column data Even-DATA (R), (G), (B) are simultaneously Is output. Note that (2n-1) column data Odd-DATA (R), (G), and (B) correspond to “first parallel data” in the present disclosure. Further, (2n) column data Even-DATA (R), (G), and (B) correspond to “second parallel data” in the present disclosure.
第1RAM631及び第2RAM632は、所謂シングルポートRAMで構成される。なお、第1RAM631及び第2RAM632は、それぞれ、後述するメモリ領域ごとに複数のシングルポートRAMで構成される態様であることが望ましい。
The
図7は、実施形態1に係る第1RAM及び第2RAMの内部メモリ領域を示す図である。図7に示すように、第1RAM631及び第2RAM632は、それぞれ、Left−Odd−R領域、Right−Odd−R領域、Left−Even−R領域、Right−Even−R領域、Left−Odd−G領域、Right−Odd−G領域、Left−Even−G領域、Right−Even−G領域、Left−Odd−B領域、Right−Odd−B領域、Left−Even−B領域、Right−Even−B領域、の12領域に分割されたラインメモリを備えている。本実施形態では、図7の両矢印で示すように、第1RAM631と第2RAM632とで、1行ごとに交互に書き込み及び読み出しが行われる。
FIG. 7 is a diagram illustrating internal memory areas of the first RAM and the second RAM according to the first embodiment. As shown in FIG. 7, the
Left−Odd−R領域、Left−Odd−G領域、及びLeft−Odd−B領域は、本開示における「第1メモリ領域」に対応する。 The Left-Odd-R area, the Left-Odd-G area, and the Left-Odd-B area correspond to the “first memory area” in the present disclosure.
Right−Odd−R領域、Right−Odd−G領域、及びRight−Odd−B領域は、本開示における「第2メモリ領域」に対応する。 The Right-Odd-R area, the Right-Odd-G area, and the Right-Odd-B area correspond to the “second memory area” in the present disclosure.
Left−Even−R領域、Left−Even−G領域、及びLeft−Even−B領域は、本開示における「第3メモリ領域」に対応する。 The Left-Even-R area, the Left-Even-G area, and the Left-Even-B area correspond to the “third memory area” in the present disclosure.
Right−Even−R領域、Right−Even−G領域、及びRight−Even−B領域は、本開示における「第4メモリ領域」に対応する。 The Right-Even-R area, the Right-Even-G area, and the Right-Even-B area correspond to a “fourth memory area” in the present disclosure.
図8Aは、実施形態1に係る第1RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。なお、以下の説明では、説明を容易とするため、各データ及び各メモリ領域のR,G,Bの符号を省略して説明する。 FIG. 8A is a diagram for explaining data stored in the internal memory area of the first RAM according to the first embodiment. In the following description, for simplicity of description, the symbols of R, G, and B in each data and each memory area are omitted.
図8Aに示すLeft−Odd領域(第1メモリ領域)において、0(LO)が最下位アドレスを示し、m/4−1(LO)が最上位アドレスを示している。 In the Left-Odd area (first memory area) shown in FIG. 8A, 0 (LO) indicates the lowest address, and m / 4-1 (LO) indicates the highest address.
また、図8Aに示すRight−Odd領域(第2メモリ領域)において、0(RO)が最下位アドレスを示し、m/4−1(RO)が最上位アドレスを示している。 In the Right-Odd area (second memory area) shown in FIG. 8A, 0 (RO) indicates the lowest address, and m / 4-1 (RO) indicates the highest address.
また、図8Aに示すLeft−Even領域(第3メモリ領域)において、0(LE)が最下位アドレスを示し、m/4−1(LE)が最上位アドレスを示している。 In the Left-Even area (third memory area) shown in FIG. 8A, 0 (LE) indicates the lowest address, and m / 4-1 (LE) indicates the highest address.
また、図8Aに示すRight−Even領域(第4メモリ領域)において、0(RE)が最下位アドレスを示し、m/4−1(RE)が最上位アドレスを示している。 In the Right-Even area (fourth memory area) shown in FIG. 8A, 0 (RE) indicates the lowest address, and m / 4-1 (RE) indicates the highest address.
図8Aに示すように、第1RAM631は、奇数行((2q−1)行、qは、画像信号の垂直解像度(Y方向の解像度)をpとしたとき、1以上p/2以下の自然数)の(2n−1)列データOdd−DATA−1及び(2n)列データEven−DATA−1を格納する。
As shown in FIG. 8A, the
具体的に、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631のLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, the (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631のRight−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631のLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631のRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
図8Bは、実施形態1に係る第2RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。 FIG. 8B is a diagram for explaining data stored in the internal memory area of the second RAM according to the first embodiment.
図8Bに示すように、第2RAM632は、偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2及び(2n)列データEven−DATA−2を格納する。
As shown in FIG. 8B, the
具体的に、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632のLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, (2n-1) column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632のRight−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) -column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632のLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632のRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
図9は、実施形態1に係る第1RAM及び第2RAMの各メモリ領域の書き込みタイミング及び読み出しタイミングを示す図である。図10A及び図10Bは、実施形態1に係る第1RAM及び第2RAMの各メモリ領域の書き込みタイミング及び読み出しタイミングを説明する概念図である。 FIG. 9 is a diagram illustrating write timing and read timing of each memory area of the first RAM and the second RAM according to the first embodiment. 10A and 10B are conceptual diagrams illustrating write timing and read timing of each memory area of the first RAM and the second RAM according to the first embodiment.
第1RAM631には、コントローラ62から書き込み制御信号WE1及び読み出し制御信号RE1が入力される。
The
第1RAM631は、奇数行((2q−1)行)の1ライン期間において、書き込み制御信号WE1「H」により書き込み許可制御されて各データが書き込まれる。また、第1RAM631は、偶数行((2q)行)の1ライン期間において、読み出し制御信号RE1「H」により読み出し許可制御されて各データが読み出される。
In the
第2RAM632には、コントローラ62から書き込み制御信号WE2及び読み出し制御信号RE2が入力される。
The write control signal WE2 and the read control signal RE2 are input from the
第2RAM632は、偶数行((2q)行)の1ライン期間において、書き込み制御信号WE2「H」により書き込み許可制御されて各データが書き込まれる。また、第2RAM632は、奇数行((2q−1)行)の1ライン期間において、読み出し制御信号RE2「H」により読み出し許可制御されて各データが読み出される。
In the
すなわち、第1RAM631が書き込み制御されている1ライン期間において、第2RAM632が読み出し制御され、第1RAM631が読み出し制御されている1ライン期間において、第2RAM632が書き込み制御される。
That is, the reading of the
具体的には、図10Aに示すように、第1RAM631に奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1及び(2n)列データEven−DATA−1の書き込みが行われる1ライン期間において、第2RAM632から第1表示領域111に対応したデータLeft−DATA2と第2表示領域112に対応したRight−DATA2とが同時に読み出される。
More specifically, as shown in FIG. 10A, the
また、図10Bに示すように、第2RAM632に偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2及び(2n)列データEven−DATA−2の書き込みが行われる1ライン期間において、第1RAM631から第1表示領域111に対応したデータLeft−DATA1と第2表示領域112に対応したRight−DATA1とが同時に読み出される。
Further, as shown in FIG. 10B, the (2n-1) column data Odd-DATA-2 and the (2n) column data Even-DATA-2 of even-numbered rows ((2q) rows) are written into the second RAM 6321. In the line period, data Left-DATA1 corresponding to the
これにより、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号によって転送された信号を第1表示領域111及び第2表示領域112に対応した2つの信号に変換することができる。
Thus, the signals transferred by the LVDS-Odd signal and the LVDS-Even signal can be converted into two signals corresponding to the
図11は、実施形態1に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ書き込みタイミングチャートである。なお、図11では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 11 is a data write timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the first embodiment. Note that, in FIG. 11, the description of each symbol of R, G, and B is omitted.
(2n−1)列データOdd−DATAは、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、1列目データ、3列目データ、5列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2−1列目データ、m/2+1列目データ、m/2+3列目データ、m/2+5列目データ、・・・、m−3列目データ、m−1列目データの順に入力される。1列目データ、3列目データ、5列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2−1列目データは、第1表示領域111に対応する。m/2+1列目データ、m/2+3列目データ、m/2+5列目データ、・・・m−3列目データ、m−1列目データは、第2表示領域112に対応する。
(2n-1) column data Odd-DATA is provided in the first line data, the third column data, the fifth column data,..., M / 2− every one clock period of the write clock WCLK in one line period. 3rd column data, m / 2-1st column data, m / 2 + 1th column data, m / 2 + 3rd column data, m / 2 + 5th column data, ..., m-3th column data, m-1th column It is entered in the order of eye data. The first column data, the third column data, the fifth column data,..., The m / 2-3rd column data, and the m / 2-1 column data correspond to the
また、(2n)列データEven−DATAは、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、2列目データ、4列目データ、6列目データ、・・・、m/2−2列目データ、m/2列目データ、m/2+2列目データ、m/2+4列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−2列目データ、m列目データの順に入力される。2列目データ、4列目データ、6列目データ、・・・、m/2−2列目データ、m/2列目データは、第1表示領域111に対応する。m/2+2列目データ、m/2+4列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−2列目データ、m列目データは、第2表示領域112に対応する。
In addition, (2n) column data Even-DATA is the second column data, the fourth column data, the sixth column data,..., M / 2− every one clock period of the write clock WCLK in one line period. Second column data, m / 2 column data, m / 2 + 2 column data, m / 2 + 4 column data, m / 2 + 6 column data, ..., m-2 column data, m column data Is entered. The second column data, the fourth column data, the sixth column data,..., The m / 2−2 column data, and the m / 2 column data correspond to the
本実施形態において、(2n−1)列データOdd−DATAと、(2n)列データEven−DATAとは、書き込みクロックWCLKの同一の1クロック期間に書き込まれる。 In the present embodiment, (2n-1) column data Odd-DATA and (2n) column data Even-DATA are written in the same one clock period of the write clock WCLK.
Left−Odd領域(第1メモリ領域)及びRight−Odd領域(第2メモリ領域)には、書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第1書き込みアドレス信号Wright−Addr1−1(Wright−Addr1−2)により指定された書き込みアドレスに(2n−1)列データOdd−DATAが格納される。コントローラ62は、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、Left−Odd領域(第1メモリ領域)のアドレスを図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62は、Right−Odd領域(第2メモリ領域)のアドレスを図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に指定する。
In the Left-Odd area (first memory area) and the Right-Odd area (second memory area), the first write address signal Wright-Addr1-1 (Wright-Addr1-2) in one clock period of the write clock WCLK. (2n-1) -column data Odd-DATA is stored at the write address specified by. The
Left−Even領域(第3メモリ領域)及びRight−Even領域(第4メモリ領域)には、書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第2書き込みアドレス信号Wright−Addr2−1(Wright−Addr2−2)により指定された書き込みアドレスに(2n)列データEven−DATAが格納される。コントローラ62は、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、Left−Even領域(第3メモリ領域)のアドレスを図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62は、Right−Even領域(第4メモリ領域)のアドレスを図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に指定する。
In the Left-Even area (third memory area) and the Right-Even area (fourth memory area), the second write address signal Wright-Addr 2-1 (Wright-Addr 2-2) in one clock period of the write clock WCLK. The (2n) column data Even-DATA is stored at the write address specified by. The
具体的に、Left−Odd領域(第1メモリ領域)には、第1表示領域111に対応する1列目データ、3列目データ、5列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2−1列目データが図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に格納される。Left−Even領域(第3メモリ領域)には、第1表示領域111に対応する2列目データ、4列目データ、6列目データ、・・・、m/2−2列目データ、m/2列目データが図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第1表示領域111に対応する全ての列のデータ、すなわち、1列目データ、2列目データ、3列目データ、4列目データ、5列目データ、6列目データ、・・・m/2−3列目データ、m/2−2列目データ、m/2−1列目データ、m/2列目データがLeft−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
Specifically, in the Left-Odd area (first memory area), the first column data, the third column data, the fifth column data,..., M / 2-3 columns corresponding to the
また、具体的に、Right−Odd領域(第2メモリ領域)1,2には、第2表示領域112に対応するm/2+1列目データ、m/2+3列目データ、m/2+5列目データ、・・・、m−3列目データ、m−1列目データが図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に格納される。Right−Even領域(第4メモリ領域)には、第2表示領域112に対応するm/2+2列目データ、m/2+4列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−2列目データ、m列目データが図8A(又は図8B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第2表示領域112に対応する全ての列のデータ、すなわち、m/2+1列目データ、m/2+2列目データ、m/2+3列目データ、m/2+4列目データ、m/2+5列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−3列目データ、m−2列目データ、m−1列目データ、m列目データがRight−Odd領域(第2メモリ領域)及びRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
Specifically, the Right-Odd areas (second memory areas) 1 and 2 have m / 2 + 1 column data, m / 2 + 3 column data, and m / 2 + 5 column data corresponding to the
図12は、実施形態1に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ読み出しタイミングチャートである。なお、図12では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 12 is a data read timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the first embodiment. Note that, in FIG. 12, the description of each symbol of R, G, and B is omitted.
Left−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft−Even領域(第3メモリ領域)は、1ライン期間において、第1読み出しアドレス信号Read−Addr1−1(Read−Addr1−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62は、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(LO)アドレス、0(LE)アドレス、1(LO)アドレス、1(LE)アドレス、2(LO)アドレス、2(LE)アドレス、・・・、m/4−2(LO)アドレス、m/4−2(LE)アドレス、m/4−1(LO)アドレス、m/4−1(LE)アドレスの順に指定する。これにより、1列目データ、2列目データ、3列目データ、4列目データ、5列目データ、6列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2−2列目データ、m/2−1列目データ、m/2列目データがLeft−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft−Even領域(第3メモリ領域)から読み出され、第1表示領域111に対応する1ライン分のデータLeft−DATA1(Left−DATA2)が出力される。
In the Left-Odd area (first memory area) and the Left-Even area (third memory area), the read address is specified by the first read address signal Read-Addr1-1 (Read-Addr1-2) in one line period. Is done. Specifically, the
第1RAM631は、第1表示領域111に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft−DATA1を出力する。第2RAM632は、第1表示領域111に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft−DATA2を出力する。
The
また、Right−Odd領域(第2メモリ領域)及びRight−Even領域(第4メモリ領域)は、1ライン期間において、第2読み出しアドレス信号Read−Addr2−1(Read−Addr2−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62は、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(RO)アドレス、0(RE)アドレス、1(RO)アドレス、1(RE)アドレス、2(RO)アドレス、2(RE)アドレス、・・・、m/4−2(RO)アドレス、m/4−2(RE)アドレス、m/4−1(RO)アドレス、m/4−1(RE)アドレスの順に指定する。これにより、m/2+1列目データ、m/2+2列目データ、m/2+3列目データ、m/2+4列目データ、m/2+5列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−3列目データ、m−2列目データ、m−1列目データ、m列目データがRight−Odd領域(第2メモリ領域)及びRight−Even領域(第4メモリ領域)から読み出され、第2表示領域112に対応する1ライン分のデータRight−DATA1(Right−DATA2)が出力される。
In addition, the Right-Odd area (second memory area) and the Right-Even area (fourth memory area) are read address by the second read address signal Read-Addr2-1 (Read-Addr2-2) in one line period. Is specified. Specifically, the
第1RAM631は、第2表示領域112に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight−DATA1を出力する。第2RAM632は、第2表示領域112に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight−DATA2を出力する。
The
第1RSDSシリアライザ641は、第1表示領域111に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第1RSDSシリアライザ641は、第1表示領域111に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The first RSDS serializer 641 uses the clock signal obtained by adjusting the phase of the LVDS clock by the
第2RSDSシリアライザ642は、第2表示領域112に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第2RSDSシリアライザ642は、第2表示領域112に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The
これにより、第1表示領域111用のRSDS−L信号及び第2表示領域112用のRSDS−R信号を同時に転送することができる。
Thereby, the RSDS-L signal for the
なお、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号と、第1表示領域111及び第2表示領域112における表示とは、タイミングコントローラ6及びソースドライバ5の処理に応じて位相調整する必要はあるものの、互いに同期している必要がある。換言すれば、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号の1ライン期間と、第1表示領域111及び第2表示領域112の1ライン期間とは、実質的に同等である。本実施形態では、上述したように、(2n−1)列の画素用のLVDS−Odd信号と、(2n)列の画素用のLVDS−Even信号とが同時に転送されるデュアルリンク方式で入力され、第1表示領域111用のRSDS−L信号及び第2表示領域112用のRSDS−R信号が同時に転送されて表示部11の画像表示を行う態様であるので、本実施形態において、LVDSクロックの周波数、書き込みクロックWCLKの周波数、読み出しクロックRCLKの周波数、RSDSシリアライザ64における動作クロックの周波数は、第1表示領域111及び第2表示領域112におけるドットクロックの周波数と実質的に同等である。
Although the LVDS-Odd signal and the LVDS-Even signal and the display in the
また、上述したように、RSDSデータフォーマットでは、スタートパルスSTH、ロードパルス(LD)、極性反転信号(POL)は、TTLレベル又はCMOSレベルの信号である。このため、タイミングコントローラ6側でタイミング制御を行うことで、ソースドライバ5を構成する各ソースドライバIC側でタイミング制御を行う必要がなく、ソースドライバICの構成を単純化することができる。
As described above, in the RSDS data format, the start pulse STH, the load pulse (LD), and the polarity inversion signal (POL) are TTL level or CMOS level signals. Therefore, by performing timing control on the
本実施形態により、画素列が並ぶ方向に分割された2つの表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、デュアルリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる表示装置100を提供することができる。
According to the present embodiment, in a configuration in which one system serial signal is supplied to each of two display regions divided in the direction in which the pixel columns are arranged, an image supplied by a dual link serial signal can be displayed. The
(実施形態2)
図13は、実施形態2に係る表示装置の概略構成を示す図である。なお、実施形態1と同じ構成要素には、同じ参照符号を付して、説明を省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 13 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to the second embodiment. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
図13に示すように、実施形態2に係る表示装置100aにおいて、タイミングコントローラ6aには、(4n−3)列(nは、画像信号の水平解像度(X方向の解像度)をmとしたとき、1以上m/4以下の自然数)の画素用のLVDS−Odd1信号と、(4n−2)列の画素用のLVDS−Even1信号と、(4n−1)列の画素用のLVDS−Odd2信号と、(4n)列の画素用のLVDS−Even2信号とが同時に転送されるクアッドリンク方式で入力される。なお、LVDS−Odd1信号が、本開示における「第1入力シリアル信号」に対応する。また、LVDS−Even1信号が、本開示における「第2入力シリアル信号」に対応する。また、LVDS−Odd2信号が、本開示における「第3入力シリアル信号」に対応する。また、LVDS−Even2信号が、本開示における「第4入力シリアル信号」に対応する。以下、図14及び図17を参照して、タイミングコントローラ6aの構成及び動作を説明する。
As shown in FIG. 13, in the
本実施形態において、LVDS−Odd1信号、LVDS−Even1信号、LVDS−Odd2信号、及びLVDS−Even2信号の各LVDSクロックは、同期している。 In the present embodiment, the LVDS clocks of the LVDS-Odd1, LVDS-Even1, LVDS-Odd2, and LVDS-Even2 signals are synchronized.
図14は、実施形態2に係るタイミングコントローラの内部構成の一例を示すブロック図である。図12に示すように、タイミングコントローラ6aは、LVDSレシーバ61aと、コントローラ62aと、第1RAM631aと、第2RAM632aと、RSDSシリアライザ64と、を備える。LVDSレシーバ61aは、第1LVDSレシーバ611a、第2LVDSレシーバ612a、第3LVDSレシーバ613a、第4LVDSレシーバ614a、及びクロック逓倍部615を含む。RSDSシリアライザ64は、第1RSDSシリアライザ641、第2RSDSシリアライザ642、及びクロック調整部645を含む。
FIG. 14 is a block diagram illustrating an example of an internal configuration of the timing controller according to the second embodiment. As shown in FIG. 12, the
第1LVDSレシーバ611aが、本開示における「第1レシーバ」に対応する。また、第2LVDSレシーバ612aが、本開示における「第2レシーバ」に対応する。また、第3LVDSレシーバ613aが、本開示における「第3レシーバ」に対応する。また、第4LVDSレシーバ614aが、本開示における「第4レシーバ」に対応する。また、コントローラ62aが、本開示における「制御部」に対応する。また、第1RSDSシリアライザ641が、本開示における「第1シリアライザ」に対応する。また、第2RSDSシリアライザ642が、本開示における「第2シリアライザ」に対応する。
The
コントローラ62aは、LVDSクロックに基づき、LVDSレシーバ61a、第1RAM631a、第2RAM632a、及びRSDSシリアライザ64における各種タイミング制御を行う。
The
第1LVDSレシーバ611aは、入力されたLVDS−Odd1信号の4ペアの差動信号LVD0P−Odd1/LVD0N−Odd1,LVD1P−Odd1/LVD1N−Odd1,LVD2P−Odd1/LVD2N−Odd1,LVD3P−Odd1/LVD3N−Odd1を、TTLレベル又はCMOSレベルのシングルエンド信号に変換すると共に、R信号、G信号、B信号の8bitシリアルデータを8bitパラレルデータに変換する。具体的に、第1LVDSレシーバ611aは、クロック逓倍部615によってLVDSクロックを7逓倍したクロック信号によりR信号、G信号、B信号の各ビットを読み出して、LVDSクロックに同期した各8ビットの(4n−3)列データOdd−DATA1(R),(G),(B)を生成し、第1RAM631a及び第2RAM632aに出力する。
The
第2LVDSレシーバ612aは、入力されたLVDS−Even1信号の4ペアの差動信号LVD0P−Even1/LVD0N−Even1,LVD1P−Even1/LVD1N−Even1,LVD2P−Even1/LVD2N−Even1,LVD3P−Even1/LVD3N−Even1を、TTLレベル又はCMOSレベルのシングルエンド信号に変換すると共に、R信号、G信号、B信号の8bitシリアルデータを8bitパラレルデータに変換する。具体的に、第2LVDSレシーバ612aは、クロック逓倍部615によってLVDSクロックを7逓倍したクロック信号によりR信号、G信号、B信号の各ビットを読み出して、LVDSクロックに同期した各8ビットの(4n−2)列データEven−DATA1(R),(G),(B)を生成し、第1RAM631a及び第2RAM632aに出力する。
The second LVDS receiver 612a outputs the differential signal LVD0P-Even1 / LVD0N-Even1, LVD1P-Even1 / LVD1N-Even1, LVD2P-Even1 / LVD2N-Even1, LVD3V-En of four pairs of input LVDS-Even1 signals. Even1 is converted into a TTL level or CMOS level single-ended signal, and 8-bit serial data of the R, G, and B signals is converted into 8-bit parallel data. Specifically, the second LVDS receiver 612a reads out each bit of the R signal, the G signal, and the B signal by the clock signal obtained by multiplying the LVDS clock by 7 by the
第3LVDSレシーバ613aは、入力されたLVDS−Odd2信号の4ペアの差動信号LVD0P−Odd2/LVD0N−Odd2,LVD1P−Odd2/LVD1N−Odd2,LVD2P−Odd2/LVD2N−Odd2,LVD3P−Odd2/LVD3N−Odd2を、TTLレベル又はCMOSレベルのシングルエンド信号に変換すると共に、R信号、G信号、B信号の8bitシリアルデータを8bitパラレルデータに変換する。具体的に、第3LVDSレシーバ613aは、クロック逓倍部615によってLVDSクロックを7逓倍したクロック信号によりR信号、G信号、B信号の各ビットを読み出して、LVDSクロックに同期した各8ビットの(4n−2)列データOdd−DATA2(R),(G),(B)を生成し、第1RAM631a及び第2RAM632aに出力する。
The
第4LVDSレシーバ614aは、入力されたLVDS−Even2信号の4ペアの差動信号LVD0P−Even2/LVD0N−Even2,LVD1P−Even2/LVD1N−Even2,LVD2P−Even2/LVD2N−Even2,LVD3P−Even2/LVD3N−Even2を、TTLレベル又はCMOSレベルのシングルエンド信号に変換すると共に、R信号、G信号、B信号の8bitシリアルデータを8bitパラレルデータに変換する。具体的に、第4LVDSレシーバ614aは、クロック逓倍部615によってLVDSクロックを7逓倍したクロック信号によりR信号、G信号、B信号の各ビットを読み出して、LVDSクロックに同期した各8ビットの(4n)列データEven−DATA2(R),(G),(B)を生成し、第1RAM631a及び第2RAM632aに出力する。
The fourth LVDS receiver 614a receives the differential signal LVD0P-Even2 / LVD0N-Even2, LVD1P-Even2 / LVD1N-Even2, LVD2P-Even2 / LVD2N-EVEN2, LVD3P-DV3P-Even2, LVD1P-Even2, LVD2N-Even2, LVD3P of the input LVDS-Even2 signal. Even2 is converted into a TTL level or CMOS level single-ended signal, and the 8-bit serial data of the R, G, and B signals is converted into 8-bit parallel data. Specifically, the fourth LVDS receiver 614a reads out each bit of the R signal, the G signal, and the B signal by the clock signal obtained by multiplying the LVDS clock by 7 by the
本実施形態において、(4n−3)列データOdd−DATA1(R),(G),(B)、(4n−2)列データEven−DATA1(R),(G),(B)、(4n−1)列データOdd−DATA2(R),(G),(B)、及び(4n)列データEven−DATA2(R),(G),(B)は、同時に出力される。なお、(4n−3)列データOdd−DATA1(R),(G),(B)が、本開示における「第1パラレルデータ」に対応する。また、(4n−2)列データEven−DATA1(R),(G),(B)が、本開示における「第2パラレルデータ」に対応する。また、(4n−1)列データOdd−DATA2(R),(G),(B)が、本開示における「第3パラレルデータ」に対応する。また、(4n)列データEven−DATA2(R),(G),(B)が、本開示における「第4パラレルデータ」に対応する。 In the present embodiment, (4n-3) column data Odd-DATA1 (R), (G), (B), (4n-2) column data Even-DATA1 (R), (G), (B), (B) 4n-1) column data Odd-DATA2 (R), (G), (B) and (4n) column data Even-DATA2 (R), (G), (B) are output simultaneously. Note that (4n-3) column data Odd-DATA1 (R), (G), and (B) correspond to “first parallel data” in the present disclosure. Further, (4n-2) column data Even-DATA1 (R), (G), and (B) correspond to “second parallel data” in the present disclosure. Further, (4n-1) column data Odd-DATA2 (R), (G), and (B) correspond to “third parallel data” in the present disclosure. Further, (4n) column data Even-DATA2 (R), (G), (B) corresponds to “fourth parallel data” in the present disclosure.
第1RAM631a及び第2RAM632aは、実施形態1と同様に、それぞれ、Left−Odd−R領域、Right−Odd−R領域、Left−Even−R領域、Right−Even−R領域、Left−Odd−G領域、Right−Odd−G領域、Left−Even−G領域、Right−Even−G領域、Left−Odd−B領域、Right−Odd−B領域、Left−Even−B領域、Right−Even−B領域、の12領域に分割されたラインメモリを備えている。本実施形態においても、実施形態1と同様に、第1RAM631aと第2RAM632aとで、1行ごとに交互に書き込み及び読み出しが行われる。
The
Left−Odd−R領域、Left−Odd−G領域、及びLeft−Odd−B領域は、本開示における「第1メモリ領域」に対応する。 The Left-Odd-R area, the Left-Odd-G area, and the Left-Odd-B area correspond to the “first memory area” in the present disclosure.
Right−Odd−R領域、Right−Odd−G領域、及びRight−Odd−B領域は、本開示における「第2メモリ領域」に対応する。 The Right-Odd-R area, the Right-Odd-G area, and the Right-Odd-B area correspond to the “second memory area” in the present disclosure.
Left−Even−R領域、Left−Even−G領域、及びLeft−Even−B領域は、本開示における「第3メモリ領域」に対応する。 The Left-Even-R area, the Left-Even-G area, and the Left-Even-B area correspond to the “third memory area” in the present disclosure.
Right−Even−R領域、Right−Even−G領域、及びRight−Even−B領域は、本開示における「第4メモリ領域」に対応する。 The Right-Even-R area, the Right-Even-G area, and the Right-Even-B area correspond to a “fourth memory area” in the present disclosure.
図15Aは、実施形態2に係る第1RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。なお、以下の説明では、説明を容易とするため、各データ及び各メモリ領域のR,G,Bの符号を省略して説明する。 FIG. 15A is a diagram for explaining data stored in an internal memory area of the first RAM according to the second embodiment. In the following description, for simplicity of description, the symbols of R, G, and B in each data and each memory area are omitted.
図15Aに示すように、第1RAM631aは、奇数行((2q−1)行、qは、画像信号の垂直解像度(Y方向の解像度)をpとしたとき、1以上p/2以下の自然数)の(4n−3)列データOdd−DATA1−1、(4n−2)列データEven−DATA1−1、(4n−1)列データOdd−DATA2−1、及び(4n)列データEven−DATA2−1を格納する。
As shown in FIG. 15A, the
具体的に、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n−3)列データOdd−DATA1−1は、第1RAM631aのLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, the (4n-3) column data Odd-DATA1-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n−1)列データOdd−DATA2−1は、第1RAM631aのLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
The (4n-1) column data Odd-DATA2-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n−3)列データOdd−DATA1−1は、第1RAM631aのRight−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (4n-3) column data Odd-DATA1-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n−1)列データOdd−DATA2−1は、第1RAM631aのRight−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (4n-1) column data Odd-DATA2-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n−2)列データEven−DATA1−1は、第1RAM631aのLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (4n-2) column data Even-DATA1-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n)列データEven−DATA2−1は、第1RAM631aのLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (4n) -column data Even-DATA 2-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n−2)列データEven−DATA1−1は、第1RAM631aのRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (4n-2) column data Even-DATA1-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(4n)列データEven−DATA2−1は、第1RAM631aのRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (4n) column data Even-DATA 2-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
図15Bは、実施形態2に係る第2RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。 FIG. 15B is a diagram for explaining data stored in the internal memory area of the second RAM according to the second embodiment.
図15Bに示すように、第2RAM632aは、偶数行((2q)行)の(4n−3)列データOdd−DATA1−2、(4n−2)列データEven−DATA1−2、(4n−1)列データOdd−DATA2−2、及び(4n)列データEven−DATA2−2を格納する。
As shown in FIG. 15B, the
具体的に、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行の(4n−3)列データOdd−DATA1−2は、第2RAM632aのLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, the even-numbered row ((2q) -row (4n-3) column data Odd-DATA1-2) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行の(4n−1)列データOdd−DATA2−2は、第2RAM632aのLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
The even-numbered row ((2q) -row (4n-1) -column data Odd-DATA2-2) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行の(4n−3)列データOdd−DATA1−2は、第2RAM632aのRight−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
Further, the even-numbered row ((2q) -row (4n-3) column data Odd-DATA1-2) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行の(4n−1)列データOdd−DATA2−2は、第2RAM632aのRight−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The even-numbered row ((2q) -row (4n-1) -column data Odd-DATA2-2) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行の(4n−2)列データEven−DATA1−2は、第2RAM632aのLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
In addition, the even-numbered row ((2q) -row (4n−2) -column data Even-DATA1-2) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行の(4n)列データEven−DATA2−2は、第2RAM632aのLeft−Even領域(第3メモリ領域)に格納される。
In addition, the even-numbered row ((2q) -row (4n) column data Even-DATA2-2) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行の(4n−2)列データEven−DATA1−2は、第2RAM632aのRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
Further, the even-numbered row ((2q) -row (4n−2) column data Even-DATA1-2) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行の(4n)列データEven−DATA2−2は、第2RAM632aのRight−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
Further, the even-numbered row ((2q) -row (4n) column data Even-DATA2-2) corresponding to the
図16A及び図16Bは、実施形態2に係る第1RAM及び第2RAMの各メモリ領域の書き込みタイミング及び読み出しタイミングを説明する概念図である。 FIGS. 16A and 16B are conceptual diagrams illustrating write timing and read timing of each memory area of the first RAM and the second RAM according to the second embodiment.
図16Aに示すように、第1RAM631aに奇数行((2q−1)行)の(4n−3)列データOdd−DATA1−1、(4n−2)列データEven−DATA1−1、(4n−1)列データOdd−DATA2−1、及び(4n)列データEven−DATA2−1の書き込みが行われる1ライン期間において、第2RAM632aから第1表示領域111に対応したデータLeft−DATA2と第2表示領域112に対応したRight−DATA2とが同時に読み出される。
As shown in FIG. 16A, (4n-3) column data Odd-DATA1-1, (4n-2) column data Even-DATA1-1, (4n-) in odd-numbered rows ((2q-1) rows) are stored in the
また、図16Bに示すように、第2RAM632aに偶数行((2q)行)の(4n−3)列データOdd−DATA1−2、(4n−2)列データEven−DATA1−2、(4n−1)列データOdd−DATA2−2、及び(4n)列データEven−DATA2−2の書き込みが行われる1ライン期間において、第1RAM631aから第1表示領域111に対応したデータLeft−DATA1と第2表示領域112に対応したRight−DATA1とが同時に読み出される。
As shown in FIG. 16B, (4n-3) column data Odd-DATA1-2, (4n-2) column data Even-DATA1-2, (4n-) of even-numbered rows ((2q) rows) are stored in the
これにより、LVDS−Odd1信号、LVDS−Even1信号、LVDS−Odd2信号、及びLVDS−Even2信号によって転送された信号を第1表示領域111及び第2表示領域112に対応した2つの信号に変換することができる。
Thereby, the signals transferred by the LVDS-Odd1, LVDS-Even1, LVDS-Odd2, and LVDS-Even2 signals are converted into two signals corresponding to the
図17は、実施形態2に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ書き込みタイミングチャートである。なお、図17では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 17 is a data write timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the second embodiment. Note that, in FIG. 17, the description of each symbol of R, G, and B is omitted.
(4n−3)列データOdd−DATA1は、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの2クロック期間ごとに、1列目データ、5列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2+1列目データ、m/2+5列目データ、・・・、m−3列目データの順に入力される。(4n−1)列データOdd−DATA2は、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの2クロック期間ごとに、3列目データ、・・・、m/2−1列目データ、m/2+3列目データ、・・・、m−1列目データの順に入力される。1列目データ、3列目データ、5列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2−1列目データは、第1表示領域111に対応する。m/2+1列目データ、m/2+3列目データ、m/2+5列目データ、・・・m−3列目データ、m−1列目データは、第2表示領域112に対応する。
(4n-3) The column data Odd-DATA1 is the first column data, the fifth column data,..., The m / 2-3rd column data every two clock periods of the write clock WCLK in one line period. The data is input in the order of the m / 2 + 1th column data, the m / 2 + 5th column data,..., the m-3th column data. (4n-1) column data Odd-DATA2, in one line period, every two clock periods of the write clock WCLK, third column data,..., M / 2−1 column data, m / 2 + 3 column Data,..., M-1st column data are input in this order. The first column data, the third column data, the fifth column data,..., The m / 2-3rd column data, and the m / 2-1 column data correspond to the
また、(4n−2)列データEven−DATA1は、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの2クロック期間ごとに、2列目データ、6列目データ、・・・、m/2−2列目データ、m/2+2列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−2列目データの順に入力される。(4n)列データEven−DATA2は、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの2クロック期間ごとに、4列目データ、・・・、m/2列目データ、m/2+4列目データ、・・・、m列目データの順に入力される。2列目データ、4列目データ、6列目データ、・・・、m/2−2列目データ、m/2列目データは、第1表示領域111に対応する。m/2+2列目データ、m/2+4列目データ、m/2+6列目データ、・・・、m−2列目データ、m列目データは、第2表示領域112に対応する。
The (4n-2) -th column data Even-DATA1 is the second-column data, the sixth-column data,..., The m / 2-2 column in every one line period in every two clock periods of the write clock WCLK. Data, m / 2 + 2nd column data, m / 2 + 6th column data,..., M−2th column data are input in this order. (4n) The column data Even-DATA2 is the fourth column data,..., The m / 2th column data, the m / 2 + 4th column data, every two clock periods of the write clock WCLK in one line period. , Are input in the order of the m-th column data. The second column data, the fourth column data, the sixth column data,..., The m / 2−2 column data, and the m / 2 column data correspond to the
本実施形態では、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、(4n−3)列データOdd−DATA1と(4n−1)列データOdd−DATA2とを切り替え、(4n−2)列データEven−DATA1と(4n)列データEven−DATA2とを切り替えるセレクタ信号I/P−SEL1(I/P−SEL2)を設けている。これにより、(4n−3)列データOdd−DATA1及び(4n−2)列データEven−DATA1を書き込むクロック期間と、(4n−1)列データOdd−DATA2及び(4n)列データEven−DATA2を書き込むクロック期間とを設けている。 In the present embodiment, (4n-3) column data Odd-DATA1 and (4n-1) column data Odd-DATA2 are switched every one clock period of the write clock WCLK, and (4n-2) column data Even-DATA1 And (4n) selector signal I / P-SEL1 (I / P-SEL2) for switching between column data Even-DATA2. Thus, the clock period for writing the (4n-3) column data Odd-DATA1 and the (4n-2) column data Even-DATA1, and the (4n-1) column data Odd-DATA2 and the (4n) column data Even-DATA2 are A writing clock period is provided.
Left−Odd領域(第1メモリ領域)及びRight−Odd領域(第2メモリ領域)には、セレクタ信号I/P−SEL1(I/P−SEL2)により選択された書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第1書き込みアドレス信号Wright−Addr1−1(Wright−Addr1−2)により指定された書き込みアドレスに(4n−3)列データOdd−DATA1及び(4n−1)列データOdd−DATA2がそれぞれ格納される。 In the Left-Odd area (first memory area) and the Right-Odd area (second memory area), in one clock period of the write clock WCLK selected by the selector signal I / P-SEL1 (I / P-SEL2). The (4n-3) column data Odd-DATA1 and the (4n-1) column data Odd-DATA2 are stored in the write address specified by the first write address signal Wright-Addr1-1 (Wright-Addr1-2). You.
Left−Even領域(第3メモリ領域)及びRight−Even(第4メモリ領域)には、セレクタ信号I/P−SEL1(I/P−SEL2)により選択された書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第2書き込みアドレス信号Wright−Addr2−1(Wright−Addr2−2)により指定された書き込みアドレスに(4n−2)列データEven−DATA1及び(4n)列データEven−DATA2がそれぞれ格納される。 In the Left-Even area (third memory area) and Right-Even (fourth memory area), in one clock period of the write clock WCLK selected by the selector signal I / P-SEL1 (I / P-SEL2), The (4n-2) column data Even-DATA1 and the (4n) column data Even-DATA2 are stored in the write address specified by the second write address signal Wright-Addr2-1 (Wright-Addr2-2).
第1RAM631a及び第2RAM632aにおける1ライン分のデータ読み出しタイミング、並びに、RSDSシリアライザ64における動作は、実施形態1と同様であるので、説明を省略する。
The data read timing for one line in the
なお、本実施形態では、上述したように、(4n−3)列の画素用のLVDS−Odd1信号と、(4n−2)列の画素用のLVDS−Even1信号と、(4n−1)列の画素用のLVDS−Odd2信号と、(4n)列の画素用のLVDS−Even2信号とが同時に転送されるクアッドリンク方式で入力され、第1表示領域111用のRSDS−L信号及び第2表示領域112用のRSDS−R信号が同時に転送されて表示部11の画像表示を行う態様である。このため、本実施形態では、LVDSクロックの周波数及び書き込みクロックWCLKの周波数は、第1表示領域111及び第2表示領域112におけるドットクロックの周波数の1/2となる。一方、読み出しクロックRCLKの周波数及びRSDSシリアライザ64における動作クロックの周波数は、第1表示領域111及び第2表示領域112におけるドットクロックの周波数と実質的に同等である。
In the present embodiment, as described above, the LVDS-Odd1 signal for the pixel in the (4n-3) column, the LVDS-Even1 signal for the pixel in the (4n-2) column, and the (4n-1) column , And an LVDS-Even2 signal for pixels in the (4n) -th column are input simultaneously in a quad link method, and the RSDS-L signal for the
本実施形態により、画素列が並ぶ方向に分割された2つの表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、クアッドリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる表示装置100aを提供することができる。
According to the present embodiment, in a configuration in which one system serial signal is supplied to each of two display regions divided in the direction in which the pixel columns are arranged, an image supplied by a quad link serial signal can be displayed. The
(実施形態3)
図18は、実施形態3に係る表示装置の概略構成を示す図である。なお、実施形態1と同じ構成要素には、同じ参照符号を付して、説明を省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 18 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to the third embodiment. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
本実施形態において、実施形態3に係る表示装置100bの表示基板1bに設けられた表示部11bは、X方向に並ぶ3つの領域に分割されている。本実施形態では、図18の左側に位置する領域を第1表示領域111とし、図18の中央に位置する領域を第2表示領域112とし、図18の右側に位置する領域を第3表示領域113とする。このような構成において、タイミングコントローラ6bは、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号を、第1表示領域111に対応するRSDS−L信号、第2表示領域112に対応するRSDS−M信号、及び、第3表示領域113に対応するRSDS−R信号に変換する。なお、RSDS−L信号が、本開示における「第1出力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−M信号が、本開示における「第2出力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−R信号が、本開示における「第3出力シリアル信号」に対応する。以下、図19から図24を参照して、タイミングコントローラ6bの構成及び動作を説明する。
In the present embodiment, the
図19は、実施形態3に係るタイミングコントローラの内部構成の一例を示すブロック図である。図19に示すように、タイミングコントローラ6bは、LVDSレシーバ61と、コントローラ62bと、第1RAM631bと、第2RAM632bと、RSDSシリアライザ64bと、を備える。LVDSレシーバ61は、第1LVDSレシーバ611、第2LVDSレシーバ612、及びクロック逓倍部615を含む。RSDSシリアライザ64bは、第1RSDSシリアライザ641b、第2RSDSシリアライザ642b、第3RSDSシリアライザ643b、及びクロック調整部645を含む。
FIG. 19 is a block diagram illustrating an example of an internal configuration of the timing controller according to the third embodiment. As shown in FIG. 19, the
第1LVDSレシーバ611が、本開示における「第1レシーバ」に対応する。また、第2LVDSレシーバ612が、本開示における「第2レシーバ」に対応する。また、コントローラ62bが、本開示における「制御部」に対応する。また、第1RSDSシリアライザ641bが、本開示における「第1シリアライザ」に対応する。また、第2RSDSシリアライザ642bが、本開示における「第2シリアライザ」に対応する。また、第3RSDSシリアライザ643bが、本開示における「第3シリアライザ」に対応する。
The first LVDS receiver 611 corresponds to a “first receiver” in the present disclosure. Further, the
コントローラ62bは、LVDSクロックに基づき、LVDSレシーバ61、第1RAM631b、第2RAM632b、及びRSDSシリアライザ64bにおける各種タイミング制御を行う。
The
図20は、実施形態3に係る第1RAM及び第2RAMの内部メモリ領域を示す図である。図20に示すように、第1RAM631b及び第2RAM632bは、それぞれ、Left−Odd−R領域、Middle−Odd−R領域、Right−Odd−R領域、Left−Even−R領域、Middle−Even−R領域、Right−Even−R領域、Left−Odd−G領域、Middle−Odd−G領域、Right−Odd−G領域、Left−Even−G領域、Middle−Even−G領域、Right−Even−G領域、Left−Odd−B領域、Middle−Odd−B領域、Right−Odd−B領域、Left−Even−B領域、Middle−Even−B領域、Right−Even−B領域、の18領域に分割されたラインメモリを備えている。本実施形態においても、実施形態1,2と同様に、第1RAM631bと第2RAM632bとで、1行ごとに交互に書き込み及び読み出しが行われる。
FIG. 20 is a diagram illustrating internal memory areas of the first RAM and the second RAM according to the third embodiment. As shown in FIG. 20, the
Left−Odd−R領域、Left−Odd−G領域、及びLeft−Odd−B領域は、本開示における「第1メモリ領域」に対応する。 The Left-Odd-R area, the Left-Odd-G area, and the Left-Odd-B area correspond to the “first memory area” in the present disclosure.
Middle−Odd−R領域、Middle−Odd−G領域、及びMiddle−Odd−B領域は、本開示における「第2メモリ領域」に対応する。 The Middle-Odd-R area, the Middle-Odd-G area, and the Middle-Odd-B area correspond to the “second memory area” in the present disclosure.
Right−Odd−R領域、Right−Odd−G領域、及びRight−Odd−B領域は、本開示における「第3メモリ領域」に対応する。 The Right-Odd-R area, the Right-Odd-G area, and the Right-Odd-B area correspond to the “third memory area” in the present disclosure.
Left−Even−R領域、Left−Even−G領域、及びLeft−Even−B領域は、本開示における「第4メモリ領域」に対応する。 The Left-Even-R area, the Left-Even-G area, and the Left-Even-B area correspond to the “fourth memory area” in the present disclosure.
Middle−Even−R領域、Middle−Even−G領域、及びMiddle−Even−B領域は、本開示における「第5メモリ領域」に対応する。 The Middle-Even-R area, the Middle-Even-G area, and the Middle-Even-B area correspond to a “fifth memory area” in the present disclosure.
Right−Even−R領域、Right−Even−G領域、及びRight−Even−B領域は、本開示における「第6メモリ領域」に対応する。 The Right-Even-R area, the Right-Even-G area, and the Right-Even-B area correspond to the “sixth memory area” in the present disclosure.
図21Aは、実施形態3に係る第1RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。なお、以下の説明では、説明を容易とするため、各データ及び各メモリ領域のR,G,Bの符号を省略して説明する。 FIG. 21A is a diagram illustrating data stored in an internal memory area of the first RAM according to the third embodiment. In the following description, for simplicity of description, the symbols of R, G, and B in each data and each memory area are omitted.
図21Aに示すLeft−Odd領域(第1メモリ領域)において、0(LO)が最下位アドレスを示し、m/6−1(LO)が最上位アドレスを示している。 In the Left-Odd area (first memory area) shown in FIG. 21A, 0 (LO) indicates the lowest address, and m / 6-1 (LO) indicates the highest address.
また、図21Aに示すMiddle−Odd領域(第2メモリ領域)において、0(MO)が最下位アドレスを示し、m/6−1(MO)が最上位アドレスを示している。 In the Middle-Odd area (second memory area) shown in FIG. 21A, 0 (MO) indicates the lowest address, and m / 6-1 (MO) indicates the highest address.
また、図21Aに示すRight−Odd領域(第3メモリ領域)において、0(RO)が最下位アドレスを示し、m/6−1(RO)が最上位アドレスを示している。 In the Right-Odd area (third memory area) shown in FIG. 21A, 0 (RO) indicates the lowest address, and m / 6-1 (RO) indicates the highest address.
また、図21Aに示すLeft−Even領域(第4メモリ領域)において、0(LE)が最下位アドレスを示し、m/6−1(LE)が最上位アドレスを示している。 In the Left-Even area (fourth memory area) shown in FIG. 21A, 0 (LE) indicates the lowest address, and m / 6-1 (LE) indicates the highest address.
また、図21Aに示すMiddle−Even領域(第5メモリ領域)において、0(ME)が最下位アドレスを示し、m/6−1(ME)が最上位アドレスを示している。 In the Middle-Even area (fifth memory area) shown in FIG. 21A, 0 (ME) indicates the lowest address, and m / 6-1 (ME) indicates the highest address.
また、図21Aに示すRight−Even領域(第6メモリ領域)において、0(RE)が最下位アドレスを示し、m/6−1(RE)が最上位アドレスを示している。 In the Right-Even area (sixth memory area) shown in FIG. 21A, 0 (RE) indicates the lowest address, and m / 6-1 (RE) indicates the highest address.
図21Aに示すように、第1RAM631bは、奇数行((2q−1)行、qは、画像信号の垂直解像度(Y方向の解像度)をpとしたとき、1以上p/3以下の自然数)の(2n−1)列データOdd−DATA−1及び(2n)列データEven−DATA−1を格納する。
As shown in FIG. 21A, the
具体的に、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631bのLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, the (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631bのMiddle−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631bのRight−Odd領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631bのLeft−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
Also, the (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631bのMiddle−Even領域(第5メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631bのRight−Even領域(第6メモリ領域)に格納される。
Further, the (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
図21Bは、実施形態3に係る第2RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。 FIG. 21B is a diagram for explaining data stored in the internal memory area of the second RAM according to the third embodiment.
図21Bに示すように、第2RAM632bは、偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2及び(2n)列データEven−DATA−2を格納する。
As shown in FIG. 21B, the
具体的に、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632bのLeft−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, (2n-1) column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632bのMiddle−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632bのRight−Odd領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) -column data Odd-DATA-2 of the even-numbered rows ((2q) rows) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632bのLeft−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632bのMiddle−Even領域(第5メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632bのRight−Even領域(第6メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
図22A及び図22Bは、実施形態3に係る第1RAM及び第2RAMの各メモリ領域の書き込みタイミング及び読み出しタイミングを説明する概念図である。 FIGS. 22A and 22B are conceptual diagrams illustrating write timing and read timing of each memory area of the first RAM and the second RAM according to the third embodiment.
図22Aに示すように、第1RAM631bに奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1及び(2n)列データEven−DATA−1の書き込みが行われる1ライン期間において、第2RAM632bから第1表示領域111に対応したデータLeft−DATA2と第2表示領域112に対応したMiddle−DATA2と第3表示領域113に対応したRight−DATA2とが同時に読み出される。
As shown in FIG. 22A, (2n-1) column data Odd-DATA-1 and (2n) column data Even-DATA-1 of odd-numbered rows ((2q-1) rows) are written into the
また、図22Bに示すように、第2RAM632bに偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2及び(2n)列データEven−DATA−2の書き込みが行われる1ライン期間において、第1RAM631bから第1表示領域111に対応したデータLeft−DATA1と第2表示領域112に対応したMiddle−DATA1と第3表示領域113に対応したRight−DATA1とが同時に読み出される。
Further, as shown in FIG. 22B, writing of (2n-1) column data Odd-DATA-2 and (2n) column data Even-DATA-2 of even-numbered rows ((2q) rows) is performed on the
これにより、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号によって転送された信号を第1表示領域111、第2表示領域112、及び第3表示領域に対応した3つの信号に変換することができる。
Thereby, the signals transferred by the LVDS-Odd signal and the LVDS-Even signal can be converted into three signals corresponding to the
図23は、実施形態3に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ書き込みタイミングチャートである。なお、図23では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 23 is a data write timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the third embodiment. Note that, in FIG. 23, the description of each symbol of R, G, and B is omitted.
図23に示す例において、(2n−1)列データOdd−DATA及び(2n)列データEven−DATAの態様は、実施形態1と同様である。 In the example illustrated in FIG. 23, the form of the (2n−1) -column data Odd-DATA and the (2n) -column data Even-DATA are the same as in the first embodiment.
Left−Odd領域(第1メモリ領域)、Middle−Odd領域(第2メモリ領域)、及びRight−Odd領域(第3メモリ領域)には、書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第1書き込みアドレス信号Wright−Addr1−1(Wright−Addr1−2)により指定された書き込みアドレスに(2n−1)列データOdd−DATAが格納される。コントローラ62bは、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、Left−Odd領域(第1メモリ領域)のアドレスを図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62bは、Middle−Odd領域(第2メモリ領域)のアドレスを図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62bは、Right−Odd領域(第3メモリ領域)のアドレスを図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に指定する。
The Left-Odd area (first memory area), the Middle-Odd area (second memory area), and the Right-Odd area (third memory area) have the first write address signal in one clock period of the write clock WCLK. The (2n-1) -column data Odd-DATA is stored at the write address specified by Right-Addr1-1 (Wright-Addr1-2). The
Left−Even領域(第4メモリ領域)、Middle−Even領域(第5メモリ領域)、及びRight−Even領域(第6メモリ領域)には、書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第2書き込みアドレス信号Wright−Addr2−1(Wright−Addr2−2)により指定された書き込みアドレスに(2n)列データEven−DATAが格納される。コントローラ62bは、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、Left−Even領域(第4メモリ領域)のアドレスを図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62bは、Middle−Even領域(第5メモリ領域)のアドレスを図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62bは、Right−Even領域(第6メモリ領域)のアドレスを図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に指定する。
The Left-Even area (fourth memory area), the Middle-Even area (fifth memory area), and the Right-Even area (sixth memory area) have the second write address signal in one clock period of the write clock WCLK. The (2n) column data Even-DATA is stored at the write address specified by Light-Addr 2-1 (Light-Addr 2-2). The
具体的に、Left−Odd領域(第1メモリ領域)には、第1表示領域111に対応する1列目データ、3列目データ、・・・、m/3−1列目データが図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に格納される。Left−Even領域(第4メモリ領域)には、第1表示領域111に対応する2列目データ、4列目データ、・・・、m/3列目データが図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第1表示領域111に対応する全ての列のデータ、すなわち、1列目データ、2列目データ、3列目データ、4列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/3−1列目データ、m/3列目データがLeft−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft−Even領域(第4メモリ領域)に格納される。
Specifically, in the Left-Odd area (first memory area), the first column data, third column data,..., M / 3-1 column data corresponding to the
また、具体的に、Middle−Odd領域(第2メモリ領域)には、第2表示領域112に対応するm/3+1列目データ、m/3+3列目データ、・・・、2m/3−1列目データが図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に格納される。Middle−Even領域(第5メモリ領域)には、第2表示領域112に対応するm/3+2列目データ、m/3+4列目データ、・・・、2m/3列目データが図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第2表示領域112に対応する全ての列のデータ、すなわち、m/3+1列目データ、m/3+2列目データ、m/3+3列目データ、m/3+4列目データ、・・・、2m/3−1列目データ、2m/3列目データがMiddle−Odd領域(第2メモリ領域)及びMiddle−Even領域(第5メモリ領域)に格納される。
Also, specifically, in the Middle-Odd area (second memory area), the m / 3 + 1st column data, the m / 3 + 3rd column data corresponding to the
また、具体的に、Right−Odd領域(第3メモリ領域)には、第3表示領域113に対応する2m/3+1列目データ、2m/3+3列目データ、・・・、m−1列目データが図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に格納される。Right−Even領域(第6メモリ領域)には、第3表示領域113に対応する2m/3+2列目データ、2m/3+4列目データ、・・・、m列目データが図21A(又は図21B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第3表示領域113に対応する全ての列のデータ、すなわち、2m/3+1列目データ、2m/3+2列目データ、2m/3+3列目データ、2m/3+4列目データ、・・・、m−1列目データ、m列目データがRight−Odd領域(第3メモリ領域)及びRight−Even(第6メモリ領域)に格納される。
Further, specifically, in the Right-Odd area (third memory area), the 2m / 3 + 1st column data, the 2m / 3 + 3rd column data,. Data is stored in order from the lower address shown in FIG. 21A (or FIG. 21B). In the Right-Even area (sixth memory area), the 2m / 3 + 2nd column data, 2m / 3 + 4th column data,..., Mth column data corresponding to the
図24は、実施形態3に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ読み出しタイミングチャートである。なお、図24では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 24 is a data read timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the third embodiment. Note that, in FIG. 24, the description of the respective symbols of R, G, and B is omitted.
Left−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft−Even領域(第4メモリ領域)は、1ライン期間において、第1読み出しアドレス信号Read−Addr1−1(Read−Addr1−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62bは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(LO)アドレス、0(LE)アドレス、1(LO)アドレス、1(LE)アドレス、2(LO)アドレス、2(LE)アドレス、・・・、m/6−2(LO)アドレス、m/6−2(LE)アドレス、m/6−1(LO)アドレス、m/6−1(LE)アドレスの順に指定する。これにより、1列目データ、2列目データ、3列目データ、4列目データ、5列目データ、6列目データ、・・・、m/3−3列目データ、m/3−2列目データ、m/3−1列目データ、m/3列目データがLeft−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft−Even領域(第4メモリ領域)から読み出され、第1表示領域111に対応する1ライン分のデータLeft−DATA1(Left−DATA2)が出力される。
In the Left-Odd area (first memory area) and the Left-Even area (fourth memory area), the read address is specified by the first read address signal Read-Addr1-1 (Read-Addr1-2) in one line period. Is done. Specifically, the
第1RAM631bは、第1表示領域111に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft−DATA1を出力する。第2RAM632bは、第1表示領域111に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft−DATA2を出力する。
The
また、Middle−Odd領域(第2メモリ領域)及びMiddle−Even領域(第5メモリ領域)は、1ライン期間において、第2読み出しアドレス信号Read−Addr2−1(Read−Addr2−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62bは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(MO)アドレス、0(ME)アドレス、1(MO)アドレス、1(ME)アドレス、2(MO)アドレス、2(ME)アドレス、・・・、m/6−2(MO)アドレス、m/6−2(ME)アドレス、m/6−1(MO)アドレス、m/6−1(ME)アドレスの順に指定する。これにより、m/3+1列目データ、m/3+2列目データ、m/3+3列目データ、m/3+4列目データ、m/3+5列目データ、m/3+6列目データ、・・・、2m/3−3列目データ、2m/3−2列目データ、2m/3−1列目データ、2m/3列目データがMiddle−Odd領域(第2メモリ領域)及びMiddle−Even領域(第5メモリ領域)から読み出され、第2表示領域112に対応する1ライン分のデータMiddle−DATA1(Middle−DATA2)が出力される。
In addition, the Middle-Odd area (second memory area) and the Middle-Even area (fifth memory area) use a second read address signal Read-Addr2-1 (Read-Addr2-2) in one line period to read addresses. Is specified. Specifically, the
第1RAM631bは、第2表示領域112に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータMiddle−DATA1を出力する。第2RAM632bは、第2表示領域112に対応した(2q)行の1ライン分のデータMiddle−DATA2を出力する。
The
また、Right−Odd領域(第3メモリ領域)及びRight−Even領域(第6メモリ領域)は、1ライン期間において、第3読み出しアドレス信号Read−Addr3−1(Read−Addr3−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62bは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(RO)アドレス、0(RE)アドレス、1(RO)アドレス、1(RE)アドレス、2(RO)アドレス、2(RE)アドレス、・・・、m/6−2(RO)アドレス、m/6−2(RE)アドレス、m/6−1(RO)アドレス、m/6−1(RE)アドレスの順に指定する。これにより、2m/3+1列目データ、2m/3+2列目データ、2m/3+3列目データ、2m/3+4列目データ、2m/3+5列目データ、2m/3+6列目データ、・・・、m−3列目データ、m−2列目データ、m−1列目データ、m列目データがRight−Odd領域(第3メモリ領域)及びRight−Even領域(第6メモリ領域)から読み出され、第3表示領域113に対応する1ライン分のデータRight−DATA1(Right−DATA2)が出力される。
Further, the Right-Odd area (third memory area) and the Right-Even area (sixth memory area) are read address by the third read address signal Read-Addr3-1 (Read-Addr3-2) in one line period. Is specified. Specifically, the
第1RAM631bは、第3表示領域113に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight−DATA1を出力する。第2RAM632bは、第3表示領域113に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight−DATA2を出力する。
The
第1RSDSシリアライザ641bは、第1表示領域111に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第1RSDSシリアライザ641bは、第1表示領域111に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The
第2RSDSシリアライザ642bは、第2表示領域112に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータMiddle−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第2RSDSシリアライザ642bは、第2表示領域112に対応した(2q)行の1ライン分のデータMiddle−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The second RSDS serializer 642b uses the clock signal obtained by adjusting the phase of the LVDS clock by the
第3RSDSシリアライザ643bは、第3表示領域113に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第3RSDSシリアライザ643bは、第3表示領域113に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The third RSDS serializer 643b uses the clock signal obtained by adjusting the phase of the LVDS clock by the
これにより、第1表示領域111用のRSDS−L信号、第2表示領域112用のRSDS−M信号、及び第3表示領域113用のRSDS−R信号を同時に転送することができる。
Thus, the RSDS-L signal for the
なお、本実施形態では、実施形態1と同様に、(2n−1)列の画素用のLVDS−Odd信号と、(2n)列の画素用のLVDS−Even信号とが同時に転送されるデュアルリンク方式で入力される。一方、本実施形態では、表示部11bの分割数が実施形態1とは異なり、第1表示領域111用のRSDS−L信号、第2表示領域112用のRSDS−M信号、及び第3表示領域113用のRSDS−R信号が同時に転送されて表示部11bの画像表示を行う態様である。このため、本実施形態では、LVDSクロックの周波数及び書き込みクロックWCLKの周波数は、第1表示領域111、第2表示領域112、及び第3表示領域113におけるドットクロックの周波数の1.5倍となる。一方、読み出しクロックRCLKの周波数及びRSDSシリアライザ64における動作クロックの周波数は、第1表示領域111、第2表示領域112、及び第3表示領域113におけるドットクロックの周波数と実質的に同等である。換言すれば、第1表示領域111、第2表示領域112、及び第3表示領域113におけるドットクロックの周波数を、LVDSクロックの周波数の2/3とすることができる。
In the present embodiment, as in the first embodiment, a dual link in which the LVDS-Odd signal for the pixels in the (2n-1) -th column and the LVDS-Even signal for the pixels in the (2n) -th column are simultaneously transferred. Entered by the method. On the other hand, in the present embodiment, the number of divisions of the
本実施形態により、画素列が並ぶ方向に分割された3つの表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、デュアルリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる表示装置100bを提供することができる。
According to the present embodiment, in a configuration in which one system serial signal is supplied to each of three display regions divided in the direction in which the pixel columns are arranged, an image supplied by a dual link serial signal can be displayed. The
なお、実施形態2と同様に、(4n−3)列の画素用のLVDS−Odd1信号と、(4n−2)列の画素用のLVDS−Even1信号と、(4n−1)列の画素用のLVDS−Odd2信号と、(4n)列の画素用のLVDS−Even2信号とが同時に転送されるクアッドリンク方式で入力される態様であっても良い。この場合には、実施形態2と同様に、第1LVDSレシーバ611a、第2LVDSレシーバ612a、第3LVDSレシーバ613a、及び第4LVDSレシーバ614aを含む構成とすることで、画素列が並ぶ方向に分割された3つの表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、クアッドリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる。
Note that, similarly to the second embodiment, the LVDS-Odd1 signal for the pixel in the (4n-3) column, the LVDS-Even1 signal for the pixel in the (4n-2) column, and the pixel for the (4n-1) column The LVDS-Odd2 signal and the LVDS-Even2 signal for the pixels in the (4n) th column may be input in a quad link format in which the signals are simultaneously transferred. In this case, similarly to the second embodiment, the
(実施形態4)
図25は、実施形態4に係る表示装置の概略構成を示す図である。なお、実施形態1と同じ構成要素には、同じ参照符号を付して、説明を省略する。
(Embodiment 4)
FIG. 25 is a diagram illustrating a schematic configuration of a display device according to the fourth embodiment. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
本実施形態において、実施形態4に係る表示装置100cの表示基板1cに設けられた表示部11cは、X方向に並ぶ4つの領域に分割されている。本実施形態では、図25の左端に位置する領域を第1表示領域111とし、図25の中央左寄りに位置する領域を第2表示領域112とし、図25の中央右寄りに位置する領域を第3表示領域113とし、図25の右端に位置する領域を第4表示領域114とする。このような構成において、タイミングコントローラ6cは、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号を、第1表示領域111に対応するRSDS−L1信号、第2表示領域112に対応するRSDS−L2信号、第3表示領域113に対応するRSDS−R1信号、及び、第4表示領域114に対応するRSDS−R2信号に変換する。なお、RSDS−L1信号が、本開示における「第1出力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−L2信号が、本開示における「第2出力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−R1信号が、本開示における「第3出力シリアル信号」に対応する。また、RSDS−R2信号が、本開示における「第4出力シリアル信号」に対応する。以下、図26から図31を参照して、タイミングコントローラ6cの構成及び動作を説明する。
In the present embodiment, the
図26は、実施形態4に係るタイミングコントローラの内部構成の一例を示すブロック図である。図26に示すように、タイミングコントローラ6cは、LVDSレシーバ61と、コントローラ62bと、第1RAM631cと、第2RAM632cと、RSDSシリアライザ64cと、を備える。LVDSレシーバ61は、第1LVDSレシーバ611、第2LVDSレシーバ612、及びクロック逓倍部615を含む。RSDSシリアライザ64cは、第1RSDSシリアライザ641c、第2RSDSシリアライザ642c、第3RSDSシリアライザ643c、第4RSDSシリアライザ644c、及びクロック調整部645を含む。
FIG. 26 is a block diagram illustrating an example of an internal configuration of the timing controller according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 26, the
第1LVDSレシーバ611が、本開示における「第1レシーバ」に対応する。また、第2LVDSレシーバ612が、本開示における「第2レシーバ」に対応する。また、コントローラ62cが、本開示における「制御部」に対応する。また、第1RSDSシリアライザ641cが、本開示における「第1シリアライザ」に対応する。また、第2RSDSシリアライザ642cが、本開示における「第2シリアライザ」に対応する。また、第3RSDSシリアライザ643cが、本開示における「第3シリアライザ」に対応する。また、第4RSDSシリアライザ644cが、本開示における「第4シリアライザ」に対応する。
The first LVDS receiver 611 corresponds to a “first receiver” in the present disclosure. Further, the
コントローラ62cは、LVDSクロックに基づき、LVDSレシーバ61、第1RAM631c、第2RAM632c、及びRSDSシリアライザ64cにおける各種タイミング制御を行う。
The
図27は、実施形態4に係る第1RAM及び第2RAMの内部メモリ領域を示す図である。図27に示すように、第1RAM631c及び第2RAM632cは、それぞれ、Left1−Odd−R領域、Right1−Odd−R領域、Left1−Even−R領域、Right1−Even−R領域、Left2−Odd−R領域、Right2−Odd−R領域、Left2−Even−R領域、Right2−Even−R領域、Left1−Odd−G領域、Right1−Odd−G領域、Left1−Even−G領域、Right1−Even−G領域、Left2−Odd−G領域、Right2−Odd−G領域、Left2−Even−G領域、Right2−Even−G領域、Left1−Odd−B領域、Right1−Odd−B領域、Left1−Even−B領域、Right1−Even−B領域、Left2−Odd−B領域、Right2−Odd−B領域、Left2−Even−B領域、Right2−Even−B領域、
の12領域に分割されたラインメモリを備えている。本実施形態においても、実施形態1,2,3と同様に、第1RAM631cと第2RAM632cとで、1行ごとに交互に書き込み及び読み出しが行われる。
FIG. 27 is a diagram illustrating internal memory areas of the first RAM and the second RAM according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 27, the
Line memory divided into 12 areas. Also in the present embodiment, similarly to the first, second, and third embodiments, writing and reading are alternately performed for each row in the
Left1−Odd−R領域、Left1−Odd−G領域、及びLeft1−Odd−B領域は、本開示における「第1メモリ領域」に対応する。 The Left1-Odd-R area, the Left1-Odd-G area, and the Left1-Odd-B area correspond to the “first memory area” in the present disclosure.
Left2−Odd−R領域、Left2−Odd−G領域、及びLeft2−Odd−B領域は、本開示における「第2メモリ領域」に対応する。 The Left2-Odd-R area, the Left2-Odd-G area, and the Left2-Odd-B area correspond to the “second memory area” in the present disclosure.
Right1−Odd−R領域、Right1−Odd−G領域、及びRight1−Odd−B領域は、本開示における「第3メモリ領域」に対応する。 The Right1-Odd-R area, the Right1-Odd-G area, and the Right1-Odd-B area correspond to the “third memory area” in the present disclosure.
Right2−Odd−R領域、Right2−Odd−G領域、及びRight2−Odd−B領域は、本開示における「第4メモリ領域」に対応する。 The Right2-Odd-R area, the Right2-Odd-G area, and the Right2-Odd-B area correspond to the “fourth memory area” in the present disclosure.
Left1−Even−R領域、Left1−Even−G領域、及びLeft1−Even−B領域は、本開示における「第5メモリ領域」に対応する。 The Left1-Even-R area, the Left1-Even-G area, and the Left1-Even-B area correspond to the “fifth memory area” in the present disclosure.
Left2−Even−R領域、Left2−Even−G領域、及びLeft2−Even−B領域は、本開示における「第6メモリ領域」に対応する。 The Left2-Even-R area, the Left2-Even-G area, and the Left2-Even-B area correspond to the “sixth memory area” in the present disclosure.
Right1−Even−R領域、Right1−Even−G領域、及びRight1−Even−B領域は、本開示における「第7メモリ領域」に対応する。 The Right1-Even-R area, the Right1-Even-G area, and the Right1-Even-B area correspond to the “seventh memory area” in the present disclosure.
Right2−Even−R領域、Right2−Even−G領域、及びRight2−Even−B領域は、本開示における「第8メモリ領域」に対応する。 The Right2-Even-R area, the Right2-Even-G area, and the Right2-Even-B area correspond to the “eighth memory area” in the present disclosure.
図28Aは、実施形態4に係る第1RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。なお、以下の説明では、説明を容易とするため、各データ及び各メモリ領域のR,G,Bの符号を省略して説明する。 FIG. 28A is a diagram for explaining data stored in an internal memory area of the first RAM according to the fourth embodiment. In the following description, for simplicity of description, the symbols of R, G, and B in each data and each memory area are omitted.
図28Aに示すLeft1−Odd領域(第1メモリ領域)において、0(L1O)が最下位アドレスを示し、m/8−1(L1O)が最上位アドレスを示している。 In the Left1-Odd area (first memory area) shown in FIG. 28A, 0 (L1O) indicates the lowest address, and m / 8-1 (L1O) indicates the highest address.
また、図28Aに示すLeft2−Odd領域(第2メモリ領域)において、0(L2O)が最下位アドレスを示し、m/8−1(L2O)が最上位アドレスを示している。 In the Left2-Odd area (second memory area) shown in FIG. 28A, 0 (L2O) indicates the lowest address, and m / 8-1 (L2O) indicates the highest address.
また、図28Aに示すRight1−Odd領域(第3メモリ領域)において、0(R1O)が最下位アドレスを示し、m/8−1(R1O)が最上位アドレスを示している。 In the Right1-Odd area (third memory area) shown in FIG. 28A, 0 (R1O) indicates the lowest address, and m / 8-1 (R1O) indicates the highest address.
また、図28Aに示すRight2−Odd領域(第4メモリ領域)において、0(R2O)が最下位アドレスを示し、m/8−1(R2O)が最上位アドレスを示している。 In the Right2-Odd area (fourth memory area) shown in FIG. 28A, 0 (R2O) indicates the lowest address, and m / 8-1 (R2O) indicates the highest address.
また、図28Aに示すLeft1−Even領域(第5メモリ領域)において、0(L1E)が最下位アドレスを示し、m/8−1(L1E)が最上位アドレスを示している。 In the Left1-Even area (fifth memory area) shown in FIG. 28A, 0 (L1E) indicates the lowest address, and m / 8-1 (L1E) indicates the highest address.
また、図28Aに示すLeft2−Even領域(第6メモリ領域)において、0(L2E)が最下位アドレスを示し、m/8−1(L2E)が最上位アドレスを示している。 In the Left2-Even area (sixth memory area) shown in FIG. 28A, 0 (L2E) indicates the lowest address, and m / 8-1 (L2E) indicates the highest address.
また、図28Aに示すRight1−Even領域(第7メモリ領域)において、0(R1E)が最下位アドレスを示し、m/8−1(R1E)が最上位アドレスを示している。 In the Right1-Even area (seventh memory area) shown in FIG. 28A, 0 (R1E) indicates the lowest address, and m / 8-1 (R1E) indicates the highest address.
また、図28Aに示すRight2−Even領域(第8メモリ領域)において、0(R2E)が最下位アドレスを示し、m/8−1(R2E)が最上位アドレスを示している。 In the Right2-Even area (eighth memory area) shown in FIG. 28A, 0 (R2E) indicates the lowest address, and m / 8-1 (R2E) indicates the highest address.
図28Aに示すように、第1RAM631cは、奇数行((2q−1)行、qは、画像信号の垂直解像度(Y方向の解像度)をpとしたとき、1以上p/4以下の自然数)の(2n−1)列データOdd−DATA−1及び(2n)列データEven−DATA−1を格納する。
As shown in FIG. 28A, the
具体的に、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631cのLeft1−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, the (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631cのLeft2−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631cのRight1−Odd領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) -column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered rows ((2q-1) rows) corresponding to the
また、第4表示領域114に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1は、第1RAM631cのRight2−Odd領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631cのLeft1−Even領域(第5メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631cのLeft2−Even領域(第6メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631cのRight1−Even領域(第7メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
また、第4表示領域114に対応した奇数行((2q−1)行)の(2n)列データEven−DATA−1は、第1RAM631cのRight2−Even領域(第8メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-1 of the odd-numbered row ((2q-1) row) corresponding to the
図28Bは、実施形態4に係る第2RAMの内部メモリ領域に格納されるデータを説明するための図である。 FIG. 28B is a diagram for explaining data stored in the internal memory area of the second RAM according to the fourth embodiment.
図28Bに示すように、第1RAM632cは、偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2及び(2n)列データEven−DATA−2を格納する。
As shown in FIG. 28B, the
具体的に、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第1RAM632cのLeft1−Odd領域(第1メモリ領域)に格納される。
Specifically, (2n-1) column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632cのLeft2−Odd領域(第2メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632cのRight1−Odd領域(第3メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) -column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第4表示領域114に対応した偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2は、第2RAM632cのRight2−Odd領域(第4メモリ領域)に格納される。
The (2n-1) -column data Odd-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第1表示領域111に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632cのLeft1−Even領域(第5メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第2表示領域112に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632cのLeft2−Even領域(第6メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第3表示領域113に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632cのRight1−Even領域(第7メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
また、第4表示領域114に対応した偶数行((2q)行)の(2n)列データEven−DATA−2は、第2RAM632cのRight2−Even領域(第8メモリ領域)に格納される。
The (2n) column data Even-DATA-2 of the even-numbered row ((2q) row) corresponding to the
図29A及び図29Bは、実施形態4に係る第1RAM及び第2RAMの各メモリ領域の書き込みタイミング及び読み出しタイミングを説明する概念図である。 FIGS. 29A and 29B are conceptual diagrams illustrating write timing and read timing of each memory area of the first RAM and the second RAM according to the fourth embodiment.
図29Aに示すように、第1RAM631cに奇数行((2q−1)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−1及び(2n)列データEven−DATA−1の書き込みが行われる1ライン期間において、第2RAM632cから第1表示領域111に対応したデータLeft1−DATA2と第2表示領域112に対応したLeft2−DATA2と第3表示領域113に対応したRight1−DATA2と第4表示領域114に対応したRight2−DATA2とが同時に読み出される。
As shown in FIG. 29A, writing of (2n-1) column data Odd-DATA-1 and (2n) column data Even-DATA-1 of odd-numbered rows ((2q-1) rows) is performed in the
また、図29Bに示すように、第2RAM632cに偶数行((2q)行)の(2n−1)列データOdd−DATA−2及び(2n)列データEven−DATA−2の書き込みが行われる1ライン期間において、第1RAM631cから第1表示領域111に対応したデータLeft1−DATA1と第2表示領域112に対応したLeft2−DATA1と第3表示領域113に対応したRight1−DATA1と第4表示領域114に対応したRight2−DATA1とが同時に読み出される。
Further, as shown in FIG. 29B, writing of (2n-1) column data Odd-DATA-2 and (2n) column data Even-DATA-2 of even-numbered rows ((2q) rows) is performed in the
これにより、LVDS−Odd信号及びLVDS−Even信号によって転送された信号を第1表示領域111、第2表示領域112、第3表示領域、及び第4表示領域に対応した4つの信号に変換することができる。
Thus, the signals transferred by the LVDS-Odd signal and the LVDS-Even signal are converted into four signals corresponding to the
図30は、実施形態4に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ書き込みタイミングチャートである。なお、図30では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 30 is a data write timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the fourth embodiment. Note that, in FIG. 30, the description of each symbol of R, G, and B is omitted.
図30に示す例において、(2n−1)列データOdd−DATA及び(2n)列データEven−DATAの態様は、実施形態1と同様である。 In the example shown in FIG. 30, the form of the (2n-1) -th column data Odd-DATA and the (2n) -column data Even-DATA are the same as in the first embodiment.
Left1−Odd領域(第1メモリ領域)、Left2−Odd領域(第2メモリ領域)、Right1−Odd領域(第3メモリ領域)、及びRight2−Odd領域(第4メモリ領域)には、書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第1書き込みアドレス信号Wright−Addr1−1,2により指定された書き込みアドレスに(2n−1)列データOdd−DATAが格納される。コントローラ62cは、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、Left1−Odd領域(第1メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62cは、Left2−Odd領域(第2メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62cは、Right1−Odd領域(第3メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62cは、Right2−Odd領域(第4メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。
The write clock WCLK is provided in the Left1-Odd area (first memory area), the Left2-Odd area (second memory area), the Right1-Odd area (third memory area), and the Right2-Odd area (fourth memory area). In one clock period, (2n-1) column data Odd-DATA is stored at the write address specified by the first write address signal Right-Addr 1-1, 2. The
Left1−Even領域(第5メモリ領域)、Left2−Even領域(第6メモリ領域)、Right1−Even領域(第7メモリ領域)、及びRight2−Even領域(第8メモリ領域)には、書き込みクロックWCLKの1クロック期間において、第2書き込みアドレス信号Wright−Addr2−1(Wright−Addr2−2)により指定された書き込みアドレスに(2n)列データEven−DATAが格納される。コントローラ62cは、1ライン期間において、書き込みクロックWCLKの1クロック期間ごとに、Left1−Even領域(第5メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62cは、Left2−Even領域(第6メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62cは、Right1−Even領域(第7メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。続いて、コントローラ62cは、Right2−Even領域(第8メモリ領域)のアドレスを図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に指定する。
The write clock WCLK is provided in the Left1-Even area (fifth memory area), the Left2-Even area (sixth memory area), the Right1-Even area (seventh memory area), and the Right2-Even area (eighth memory area). In the one clock period, (2n) column data Even-DATA is stored at the write address specified by the second write address signal Wright-Addr 2-1 (Wright-Addr 2-2). The
具体的に、Left1−Odd領域(第1メモリ領域)には、第1表示領域111に対応する1列目データ、・・・、m/4−1列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。Left1−Even領域(第5メモリ領域)には、第1表示領域111に対応する2列目データ、・・・、m/4列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第1表示領域111に対応する全ての列のデータ、すなわち、1列目データ、2列目データ、・・・、m/4−1列目データ、m/4列目データがLeft1−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft1−Even領域(第5メモリ領域)に格納される。
Specifically, in the Left1-Odd area (first memory area), the first column data,..., M / 4-first column data corresponding to the
また、具体的に、Left2−Odd領域(第2メモリ領域)には、第2表示領域112に対応するm/4+1列目データ、・・・、m/2−1列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。Left2−Even領域(第6メモリ領域)には、第2表示領域112に対応するm/4+2列目データ、・・・、m/2列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第2表示領域112に対応する全ての列のデータ、すなわち、m/4+1列目データ、m/4+2列目データ、・・・、3m/4−1列目データ、3m/4列目データがLeft2−Odd領域(第2メモリ領域)及びLeft2−Even領域(第6メモリ領域)に格納される。
Further, specifically, in the Left2-Odd area (second memory area), the data of the m / 4 + 1st column,..., M / 2−1th column corresponding to the
また、具体的に、Right1−Odd領域(第3メモリ領域)には、第3表示領域113に対応するm/2+1列目データ、・・・、3m/4−1列目データが図21に示す下位アドレスから順に格納される。第7メモリ領域Right1−Even1,2には、第3表示領域113に対応するm/2+2列目データ、・・・、3m/4列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第3表示領域113に対応する全ての列のデータ、すなわち、m/2+1列目データ、m/2+2列目データ、・・・、3m/4−1列目データ、3m/4列目データがRight1−Odd領域(第3メモリ領域)及びRight1−Even領域(第7メモリ領域)に格納される。
Specifically, in the Right1-Odd area (third memory area), the m / 2 + 1th column data,..., 3m / 4-1st column data corresponding to the
また、具体的に、Right2−Odd領域(第4メモリ領域)には、第4表示領域114に対応する3m/4+1列目データ、・・・、m−1列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。Right2−Even領域(第8メモリ領域)には、第4表示領域114に対応する3m/4+2列目データ、・・・、m列目データが図28A(又は図28B)に示す下位アドレスから順に格納される。これにより、第4表示領域114に対応する全ての列のデータ、すなわち、3m/4+1列目データ、3m/4+2列目データ、・・・、m−1列目データ、m列目データがRight2−Odd領域(第4メモリ領域)及びRight2−Even領域(第8メモリ領域)に格納される。
Further, specifically, in the Right2-Odd area (fourth memory area), the 3m / 4 + 1st column data,..., M-1st column data corresponding to the
図31は、実施形態4に係る第1RAM及び第2RAMにおける1ライン分のデータ読み出しタイミングチャートである。なお、図31では、R,G,Bの各符号の記載を省略している。 FIG. 31 is a data read timing chart for one line in the first RAM and the second RAM according to the fourth embodiment. Note that, in FIG. 31, the description of each symbol of R, G, and B is omitted.
Left1−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft1−Even領域(第5メモリ領域)は、1ライン期間において、第1読み出しアドレス信号Read−Addr1−1(Read−Addr1−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62cは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(L1O)アドレス、0(L1E)アドレス、1(L1O)アドレス、1(L1E)アドレス、2(L1O)アドレス、2(L1E)アドレス、・・・、m/8−2(L1O)アドレス、m/8−2(L1E)アドレス、m/8−1(L1O)アドレス、m/8−1(L1E)アドレスの順に指定する。これにより、1列目データ、2列目データ、3列目データ、4列目データ、5列目データ、6列目データ、・・・、m/4−3列目データ、m/4−2列目データ、m/4−1列目データ、m/4列目データがLeft1−Odd領域(第1メモリ領域)及びLeft1−Even領域(第5メモリ領域)から読み出され、第1表示領域111に対応する1ライン分のデータLeft1−DATA1(Left1−DATA2)が出力される。
In the Left1-Odd area (first memory area) and the Left1-Even area (fifth memory area), the read address is specified by the first read address signal Read-Addr1-1 (Read-Addr1-2) in one line period. Is done. Specifically, the
第1RAM631cは、第1表示領域111に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft1−DATA1を出力する。第2RAM632cは、第1表示領域111に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft1−DATA2を出力する。
The
また、第2メモリ領域Left2−Odd領域(第2メモリ領域)及びLeft2−Even領域(第6メモリ領域)は、1ライン期間において、第2読み出しアドレス信号Read−Addr2−1(Read−Addr2−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62cは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(L2O)アドレス、0(L2E)アドレス、1(R2O)アドレス、1(R2E)アドレス、2(R2O)アドレス、2(R2E)アドレス、・・・、m/8−2(R2O)アドレス、m/8−2(R2E)アドレス、m/8−1(L2O)アドレス、m/8−1(L2E)アドレスの順に指定する。これにより、m/4+1列目データ、m/4+2列目データ、m/4+3列目データ、m/4+4列目データ、m/4+5列目データ、m/4+6列目データ、・・・、m/2−3列目データ、m/2−2列目データ、m/2−1列目データ、m/2列目データがLeft2−Odd領域(第2メモリ領域)及びLeft2−Even領域(第6メモリ領域)から読み出され、第2表示領域112に対応する1ライン分のデータLeft2−DATA1(Left2−DATA2)が出力される。
In the second memory area Left2-Odd area (second memory area) and Left2-Even area (sixth memory area), the second read address signal Read-Addr2-1 (Read-Addr2-2) in one line period. ) Specifies the read address. Specifically, the
第1RAM631cは、第2表示領域112に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft2−DATA1を出力する。第2RAM632cは、第2表示領域112に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft2−DATA2を出力する。
The
また、Right1−Odd領域(第3メモリ領域)及びRight1−Even領域(第7メモリ領域)1,2は、1ライン期間において、第3読み出しアドレス信号Read−Addr3−1(Read−Addr3−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62cは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(R1O)アドレス、0(R1E)アドレス、・・・、m/8−1(R1O)アドレス、m/8−1(R1E)アドレスの順に指定する。これにより、m/2+1列目データ、m/2+2列目データ、m/2+3列目データ、m/2+4列目データ、m/2+5列目データ、m/2+6列目データ、・・・、3m/4−3列目データ、3m/4−2列目データ、3m/4−1列目データ、3m/4列目データがRight1−Odd領域(第3メモリ領域)及びRight1−Even領域(第7メモリ領域)から読み出され、第3表示領域113に対応する1ライン分のデータRight1−DATA1(Right1−DATA2)が出力される。
The Right1-Odd area (third memory area) and the Right1-Even areas (seventh memory area) 1 and 2 have the third read address signal Read-Addr3-1 (Read-Addr3-2) in one line period. Specifies the read address. Specifically, in one line period, the
第1RAM631cは、第3表示領域113に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight1−DATA1を出力する。第2RAM632cは、第3表示領域113に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight1−DATA2を出力する。
The
また、Right2−Odd領域(第4メモリ領域)及びRight2−Even領域(第8メモリ領域)は、1ライン期間において、第4読み出しアドレス信号Read−Addr4−1(Read−Addr4−2)により読み出しアドレスが指定される。具体的に、コントローラ62cは、1ライン期間において、読み出しクロックRCLKの1クロック期間ごとに、0(R2O)アドレス、0(R2E)アドレス、1(R2O)アドレス、1(R2E)アドレス、2(R2O)アドレス、2(R2E)アドレス、・・・、m/8−2(R2O)アドレス、m/8−2(R2E)、m/8−1(R2O)アドレス、m/8−1(R2E)アドレスの順に指定する。これにより、3m/4+1列目データ、3m/4+2列目データ、3m/4+3列目データ、3m/4+4列目データ、3m/4+5列目データ、3m/4+6列目データ、・・・、m−3列目データ、m−2列目データ、m−1列目データ、m列目データがRight2−Odd領域(第4メモリ領域)及びRight2−Even領域(第8メモリ領域)から読み出され、第4表示領域114に対応する1ライン分のデータRight2−DATA1(Right2−DATA2)が出力される。
Further, the Right2-Odd area (fourth memory area) and the Right2-Even area (eighth memory area) are read address by the fourth read address signal Read-Addr4-1 (Read-Addr4-2) in one line period. Is specified. Specifically, the
第1RAM631cは、第4表示領域114に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight2−DATA1を出力する。第2RAM632cは、第4表示領域114に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight4−DATA2を出力する。
The
第1RSDSシリアライザ641cは、第1表示領域111に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft1−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第1RSDSシリアライザ641cは、第1表示領域111に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft1−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The first RSDS serializer 641c uses the clock signal obtained by adjusting the phase of the LVDS clock by the
第2RSDSシリアライザ642cは、第2表示領域112に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータLeft2−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第2RSDSシリアライザ642cは、第2表示領域112に対応した(2q)行の1ライン分のデータLeft2−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The
第3RSDSシリアライザ643cは、第3表示領域113に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight1−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第3RSDSシリアライザ643cは、第3表示領域113に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight1−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The
第4RSDSシリアライザ644cは、第4表示領域114に対応した(2q−1)行の1ライン分のデータRight2−DATA1の入力順に、クロック調整部645によってLVDSクロックを位相調整したクロック信号により図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。また、第4RSDSシリアライザ644cは、第4表示領域114に対応した(2q)行の1ライン分のデータRight2−DATA2の入力順に、図5に示すRSDSデータフォーマットのシリアルデータに変換する。
The
これにより、第1表示領域111用のRSDS−L1信号、第2表示領域112用のRSDS−L2信号、第3表示領域113用のRSDS−R1信号、及び第4表示領域114用のRSDS−R2信号を同時に転送することができる。
Thus, the RSDS-L1 signal for the
なお、本実施形態では、実施形態1と同様に、(2n−1)列の画素用のLVDS−Odd信号と、(2n)列の画素用のLVDS−Even信号とが同時に転送されるデュアルリンク方式で入力される。一方、本実施形態では、第1表示領域111用のRSDS−L1信号、第2表示領域112用のRSDS−L2信号、第3表示領域113用のRSDS−R1信号、及び第4表示領域114用のRSDS−R2信号が同時に転送されて表示部11cの画像表示を行う態様である。このため、本実施形態では、LVDSクロックの周波数及び書き込みクロックWCLKの周波数は、第1表示領域111、第2表示領域112、及び第3表示領域113におけるドットクロックの周波数の2倍となる。一方、読み出しクロックRCLKの周波数及びRSDSシリアライザ64における動作クロックの周波数は、第1表示領域111、第2表示領域112、第3表示領域113、及び第4表示領域114におけるドットクロックの周波数と実質的に同等である。換言すれば、第1表示領域111、第2表示領域112、第3表示領域113、及び第4表示領域114におけるドットクロックの周波数を、LVDSクロックの周波数の1/2とすることができる。
In the present embodiment, as in the first embodiment, a dual link in which the LVDS-Odd signal for the pixels in the (2n-1) -th column and the LVDS-Even signal for the pixels in the (2n) -th column are simultaneously transferred. Entered by the method. On the other hand, in the present embodiment, the RSDS-L1 signal for the
本実施形態により、画素列が並ぶ方向に分割された4つの表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、デュアルリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる表示装置100cを提供することができる。
According to the present embodiment, in a configuration in which one system serial signal is supplied to each of four display regions divided in the direction in which the pixel columns are arranged, an image supplied by a dual link serial signal can be displayed. The
なお、実施形態2と同様に、(4n−3)列の画素用のLVDS−Odd1信号と、(4n−2)列の画素用のLVDS−Even1信号と、(4n−1)列の画素用のLVDS−Odd2信号と、(4n)列の画素用のLVDS−Even2信号とが同時に転送されるクアッドリンク方式で入力される態様であっても良い。この場合には、実施形態2と同様に、第1LVDSレシーバ611a、第2LVDSレシーバ612a、第3LVDSレシーバ613a、及び第4LVDSレシーバ614aを含む構成とすることで、画素列が並ぶ方向に分割された4つの表示領域に対し、それぞれ1系統のシリアル信号を供給する構成において、クアッドリンク方式のシリアル信号で供給される画像を表示することができる。
Note that, similarly to the second embodiment, the LVDS-Odd1 signal for the pixel in the (4n-3) column, the LVDS-Even1 signal for the pixel in the (4n-2) column, and the pixel for the (4n-1) column The LVDS-Odd2 signal and the LVDS-Even2 signal for the pixels in the (4n) th column may be input in a quad link format in which the signals are simultaneously transferred. In this case, as in the second embodiment, the
なお、上述した実施形態では、本開示における「出力シリアル信号」の一例としてRSDS信号を例示したが、これに限るものではなく、例えば、mini−LVDS信号であっても良い。 In the above-described embodiment, an RSDS signal is illustrated as an example of the “output serial signal” in the present disclosure. However, the present invention is not limited to this, and may be, for example, a mini-LVDS signal.
上述した実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 In the above-described embodiment, each component can be appropriately combined. In addition, it is understood that other operational effects brought about by the aspects described in the present embodiment are clear from the description of the present specification, or those that can be appropriately conceived by those skilled in the art are naturally brought about by the present invention. .
1,1b,1c 表示基板(第1基板)
2 回路基板(第2基板)
3 配線基板
4 回路基板
5 ソースドライバ
6,6a,6b,6c タイミングコントローラ(信号変換回路)
11,11b,11c 表示部
12R,12G,12B カラーフィルタ
13a 液晶素子
13b 保持容量
61,61a, LVDSレシーバ
62,62a,62b,62c コントローラ(制御部)
64 RSDSシリアライザ
100,100a,100b,100c 表示装置
111 第1表示領域
112 第2表示領域
113 第3表示領域
114 第4表示領域
611,611a 第1LVDSレシーバ(第1レシーバ)
612,612a 第2LVDSレシーバ(第2レシーバ)
613a 第3LVDSレシーバ(第3レシーバ)
614a 第4LVDSレシーバ(第4レシーバ)
615 クロック逓倍部
631,631a,631b,631c 第1RAM
632,632a,632b,632c 第2RAM
641,641b,641c 第1RSDSシリアライザ(第1シリアライザ)
642,642b,642c 第2RSDSシリアライザ(第2シリアライザ)
643b,643c 第3RSDSシリアライザ(第3シリアライザ)
644c 第4RSDSシリアライザ(第4シリアライザ)
645 クロック調整部
1, 1b, 1c Display substrate (first substrate)
2 circuit board (second board)
3
11, 11b,
64
612, 612a 2nd LVDS receiver (2nd receiver)
613a Third LVDS receiver (third receiver)
614a 4th LVDS receiver (4th receiver)
615
632, 632a, 632b, 632c Second RAM
641, 641b, 641c First RSDS serializer (first serializer)
642, 642b, 642c Second RSDS serializer (second serializer)
643b, 643c Third RSDS serializer (third serializer)
644c 4th RSDS serializer (4th serializer)
645 Clock adjustment unit
Claims (14)
前記画素が第2方向に並ぶ画素列ごとに画素信号を供給するソースドライバと、
前記ソースドライバの前段に設けられた信号変換回路と、
を備え、
前記信号変換回路は、
1画素当たりの前記画素信号がシリアライズされた複数組の差動信号を含む入力シリアル信号を、前記入力シリアル信号よりも差動信号の組数が多い出力シリアル信号に変換する
表示装置。 A display unit in which a plurality of pixels are arranged in a first direction and a second direction different from the first direction;
A source driver that supplies a pixel signal for each pixel column in which the pixels are arranged in a second direction;
A signal conversion circuit provided before the source driver,
With
The signal conversion circuit,
A display device for converting an input serial signal including a plurality of sets of differential signals obtained by serializing the pixel signal per pixel into an output serial signal having a larger number of differential signal sets than the input serial signals.
請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein a transmission frequency of the input serial signal is higher than a transmission frequency of the output serial signal.
前記画素列の(2n−1)列(nは、1以上の自然数)に対応する第1入力シリアル信号と、
前記画素列の(2n)列に対応する第2入力シリアル信号と、
を含む
請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 The input serial signal is
A first input serial signal corresponding to (2n-1) columns (n is a natural number of 1 or more) of the pixel columns;
A second input serial signal corresponding to the (2n) column of the pixel columns;
The display device according to claim 1 or 2, comprising:
前記第1入力シリアル信号を第1パラレルデータに変換する第1レシーバと、
前記第2入力シリアル信号を第2パラレルデータに変換する第2レシーバと、
前記画素が前記第1方向に並ぶ(2q−1)行(qは、1以上の自然数)の前記第1パラレルデータ及び前記第2パラレルデータを格納する第1RAMと、
前記画素が前記第1方向に並ぶ(2q)行の前記第1パラレルデータ及び前記第2パラレルデータを格納する第2RAMと、
少なくとも前記第1RAM及び前記第2RAMの書き込み制御及び読み出し制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記第1RAMを書き込み制御している期間に前記第2RAMを読み出し制御し、前記第1RAMを読み出し制御している期間に前記第2RAMを書き込み制御する
請求項3に記載の表示装置。 The signal conversion circuit,
A first receiver for converting the first input serial signal into first parallel data;
A second receiver for converting the second input serial signal into second parallel data;
A first RAM for storing (2q-1) rows (q is a natural number of 1 or more) of the first parallel data and the second parallel data in which the pixels are arranged in the first direction;
A second RAM for storing the first parallel data and the second parallel data in (2q) rows in which the pixels are arranged in the first direction;
A control unit that performs at least write control and read control of the first RAM and the second RAM;
With
The control unit includes:
The display device according to claim 3, wherein the second RAM is read-controlled during a period in which the first RAM is being write-controlled, and the second RAM is write-controlled during a period in which the first RAM is being read-controlled.
前記出力シリアル信号は、
前記第1表示領域に対応する第1出力シリアル信号と、
前記第2表示領域に対応する第2出力シリアル信号と、
を含み、
前記第1RAM及び前記第2RAMは、
前記第1表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第1メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第2メモリ領域と、
前記第1表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第3メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第4メモリ領域と、
を含み、
前記制御部は、
前記第1メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第3メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第2メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第4メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行う
請求項4に記載の表示装置。 The display unit has a first display area and a second display area arranged in a first direction,
The output serial signal is
A first output serial signal corresponding to the first display area;
A second output serial signal corresponding to the second display area;
Including
The first RAM and the second RAM are:
A first memory area for storing the first parallel data corresponding to the first display area;
A second memory area for storing the first parallel data corresponding to the second display area;
A third memory area for storing the second parallel data corresponding to the first display area;
A fourth memory area for storing the second parallel data corresponding to the second display area;
Including
The control unit includes:
Simultaneously writing the first parallel data into the first memory area and writing the second parallel data into the third memory area;
The display device according to claim 4, wherein writing of the first parallel data to the second memory area and writing of the second parallel data to the fourth memory area are performed simultaneously.
前記画素列の(4n−3)列(nは、1以上の自然数)に対応する第1入力シリアル信号と、
前記画素列の(4n−2)列に対応する第2入力シリアル信号と、
前記画素列の(4n−1)列に対応する第3入力シリアル信号と、
前記画素列の(4n)列に対応する第4入力シリアル信号と、
を含む
請求項1又は請求項2に記載の表示装置。 The input serial signal is
A first input serial signal corresponding to (4n−3) columns (n is a natural number of 1 or more) of the pixel columns;
A second input serial signal corresponding to the (4n-2) column of the pixel column;
A third input serial signal corresponding to the (4n-1) column of the pixel columns;
A fourth input serial signal corresponding to the (4n) columns of the pixel columns;
The display device according to claim 1 or 2, comprising:
前記第1入力シリアル信号を第1パラレルデータに変換する第1レシーバと、
前記第2入力シリアル信号を第2パラレルデータに変換する第2レシーバと、
前記第3入力シリアル信号を第3パラレルデータに変換する第3レシーバと、
前記第4入力シリアル信号を第4パラレルデータに変換する第4レシーバと、
前記画素が前記第1方向に並ぶ(2q−1)行(qは、1以上の自然数)の前記第1パラレルデータ、前記第2パラレルデータ、前記第3パラレルデータ、及び前記第4パラレルデータを格納する第1RAMと、
前記画素が前記第1方向に並ぶ(2q)行の前記第1パラレルデータ、前記第2パラレルデータ、前記第3パラレルデータ、及び前記第4パラレルデータを格納する第2RAMと、
少なくとも前記第1RAM及び前記第2RAMの書き込み制御及び読み出し制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記第1RAMを書き込み制御している期間に前記第2RAMを読み出し制御し、前記第1RAMを読み出し制御している期間に前記第2RAMを書き込み制御する
請求項6に記載の表示装置。 The signal conversion circuit,
A first receiver for converting the first input serial signal into first parallel data;
A second receiver for converting the second input serial signal into second parallel data;
A third receiver for converting the third input serial signal into third parallel data;
A fourth receiver for converting the fourth input serial signal into fourth parallel data;
The first parallel data, the second parallel data, the third parallel data, and the fourth parallel data of (2q-1) rows (q is a natural number of 1 or more) in which the pixels are arranged in the first direction. A first RAM for storing;
A second RAM that stores the first parallel data, the second parallel data, the third parallel data, and the fourth parallel data of (2q) rows in which the pixels are arranged in the first direction;
A control unit that performs at least write control and read control of the first RAM and the second RAM;
With
The control unit includes:
The display device according to claim 6, wherein the read control of the second RAM is performed during a period in which the write control of the first RAM is performed, and the write control of the second RAM is performed during a period in which the read control of the first RAM is performed.
前記出力シリアル信号は、
前記第1表示領域に対応する第1出力シリアル信号と、
前記第2表示領域に対応する第2出力シリアル信号と、
を含み、
前記第1RAM及び前記第2RAMは、
前記第1表示領域に対応する前記第1パラレルデータ及び前記第3パラレルデータを格納する第1メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第1パラレルデータ及び前記第3パラレルデータを格納する第2メモリ領域と、
前記第1表示領域に対応する前記第2パラレルデータ及び前記第4パラレルデータを格納する第3メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第2パラレルデータ及び前記第4パラレルデータを格納する第4メモリ領域と、
を含み、
前記制御部は、
前記第1メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第3メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第1メモリ領域への前記第3パラレルデータの書き込みと前記第3メモリ領域への前記第4パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第2メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第4メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第2メモリ領域への前記第3パラレルデータの書き込みと前記第4メモリ領域への前記第4パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第1メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第1メモリ領域への前記第3パラレルデータの書き込みとを交互に行い、
前記第3メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みと前記第3メモリ領域への前記第4パラレルデータの書き込みとを交互に行い、
前記第2メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第2メモリ領域への前記第3パラレルデータの書き込みとを交互に行い、
前記第4メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みと前記第4メモリ領域への前記第4パラレルデータの書き込みとを交互に行う
請求項7に記載の表示装置。 The display unit has a first display area and a second display area arranged in a first direction,
The output serial signal is
A first output serial signal corresponding to the first display area;
A second output serial signal corresponding to the second display area;
Including
The first RAM and the second RAM are:
A first memory area for storing the first parallel data and the third parallel data corresponding to the first display area;
A second memory area for storing the first parallel data and the third parallel data corresponding to the second display area;
A third memory area for storing the second parallel data and the fourth parallel data corresponding to the first display area;
A fourth memory area for storing the second parallel data and the fourth parallel data corresponding to the second display area;
Including
The control unit includes:
Simultaneously writing the first parallel data into the first memory area and writing the second parallel data into the third memory area;
Simultaneously writing the third parallel data into the first memory area and writing the fourth parallel data into the third memory area;
Simultaneously writing the first parallel data into the second memory area and writing the second parallel data into the fourth memory area;
Simultaneously writing the third parallel data into the second memory area and writing the fourth parallel data into the fourth memory area;
Writing the first parallel data into the first memory area and writing the third parallel data into the first memory area alternately;
Writing the second parallel data into the third memory area and writing the fourth parallel data into the third memory area alternately;
Writing the first parallel data into the second memory area and writing the third parallel data into the second memory area alternately;
The display device according to claim 7, wherein writing of the second parallel data to the fourth memory area and writing of the fourth parallel data to the fourth memory area are alternately performed.
前記第1メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第3メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第2メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第4メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第1メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第2メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しとを同時に行い、
前記第3メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しと前記第4メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを同時に行い、
前記信号変換回路は、
前記第1メモリ領域及び前記第3メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第1出力シリアル信号を生成する第1シリアライザと、
前記第2メモリ領域及び前記第4メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第2出力シリアル信号を生成する第2シリアライザと、
を備える
請求項5又は8に記載の表示装置。 The control unit is
Reading the first parallel data from the first memory area and reading the second parallel data from the third memory area alternately;
Reading the first parallel data from the second memory area and reading the second parallel data from the fourth memory area alternately;
Simultaneously reading the first parallel data from the first memory area and reading the first parallel data from the second memory area;
Simultaneously reading the second parallel data from the third memory area and reading the second parallel data from the fourth memory area;
The signal conversion circuit,
A first serializer that serializes data read from the first memory area and the third memory area to generate the first output serial signal;
A second serializer that serializes data read from the second memory area and the fourth memory area to generate the second output serial signal;
The display device according to claim 5, further comprising:
前記出力シリアル信号は、
前記第1表示領域に対応する第1出力シリアル信号と、
前記第2表示領域に対応する第2出力シリアル信号と、
前記第3表示領域に対応する第3出力シリアル信号と、
を含み、
前記第1RAM及び前記第2RAMは、
前記第1表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第1メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第2メモリ領域と、
前記第3表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第3メモリ領域と、
前記第1表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第4メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第5メモリ領域と、
前記第3表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第6メモリ領域と、
を含み、
前記制御部は、
前記第1メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第4メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第2メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第5メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第3メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第6メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行う
請求項4に記載の表示装置。 The display unit has a first display area, a second display area, and a third display area arranged in a first direction,
The output serial signal is
A first output serial signal corresponding to the first display area;
A second output serial signal corresponding to the second display area;
A third output serial signal corresponding to the third display area;
Including
The first RAM and the second RAM are:
A first memory area for storing the first parallel data corresponding to the first display area;
A second memory area for storing the first parallel data corresponding to the second display area;
A third memory area for storing the first parallel data corresponding to the third display area;
A fourth memory area for storing the second parallel data corresponding to the first display area;
A fifth memory area for storing the second parallel data corresponding to the second display area;
A sixth memory area for storing the second parallel data corresponding to the third display area;
Including
The control unit includes:
Simultaneously writing the first parallel data into the first memory area and writing the second parallel data into the fourth memory area;
Simultaneously writing the first parallel data into the second memory area and writing the second parallel data into the fifth memory area;
The display device according to claim 4, wherein writing of the first parallel data to the third memory area and writing of the second parallel data to the sixth memory area are performed simultaneously.
前記第1メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第4メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第2メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第5メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第3メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第6メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第1メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第2メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第3メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しとを同時に行い、
前記第4メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しと前記第5メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しと前記第6メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを同時に行い、
前記信号変換回路は、
前記第1メモリ領域及び前記第4メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第1出力シリアル信号を生成する第1シリアライザと、
前記第2メモリ領域及び前記第5メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第2出力シリアル信号を生成する第2シリアライザと、
前記第3メモリ領域及び前記第6メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第3出力シリアル信号を生成する第3シリアライザと、
を備える
請求項10に記載の表示装置。 The control unit is
Reading the first parallel data from the first memory area and reading the second parallel data from the fourth memory area alternately;
Reading the first parallel data from the second memory area and reading the second parallel data from the fifth memory area alternately;
Reading the first parallel data from the third memory area and reading the second parallel data from the sixth memory area alternately;
Simultaneously reading the first parallel data from the first memory area, reading the first parallel data from the second memory area, and reading the first parallel data from the third memory area;
Simultaneously reading the second parallel data from the fourth memory area, reading the second parallel data from the fifth memory area, and reading the second parallel data from the sixth memory area;
The signal conversion circuit,
A first serializer that serializes data read from the first memory area and the fourth memory area to generate the first output serial signal;
A second serializer that serializes data read from the second memory area and the fifth memory area to generate the second output serial signal;
A third serializer that serializes data read from the third memory area and the sixth memory area to generate the third output serial signal;
The display device according to claim 10, further comprising:
前記出力シリアル信号は、
前記第1表示領域に対応する第1出力シリアル信号と、
前記第2表示領域に対応する第2出力シリアル信号と、
前記第3表示領域に対応する第3出力シリアル信号と、
前記第4表示領域に対応する第4出力シリアル信号と、
を含み、
前記第1RAM及び前記第2RAMは、
前記第1表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第1メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第2メモリ領域と、
前記第3表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第3メモリ領域と、
前記第4表示領域に対応する前記第1パラレルデータを格納する第4メモリ領域と、
前記第1表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第5メモリ領域と、
前記第2表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第6メモリ領域と、
前記第3表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第7メモリ領域と、
前記第4表示領域に対応する前記第2パラレルデータを格納する第8メモリ領域と、
を含み、
前記制御部は、
前記第1メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第5メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第2メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第6メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第3メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第7メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行い、
前記第4メモリ領域への前記第1パラレルデータの書き込みと前記第8メモリ領域への前記第2パラレルデータの書き込みとを同時に行う
請求項4に記載の表示装置。 The display unit has a first display area, a second display area, a third display area, and a fourth display area arranged in a first direction,
The output serial signal is
A first output serial signal corresponding to the first display area;
A second output serial signal corresponding to the second display area;
A third output serial signal corresponding to the third display area;
A fourth output serial signal corresponding to the fourth display area;
Including
The first RAM and the second RAM are:
A first memory area for storing the first parallel data corresponding to the first display area;
A second memory area for storing the first parallel data corresponding to the second display area;
A third memory area for storing the first parallel data corresponding to the third display area;
A fourth memory area for storing the first parallel data corresponding to the fourth display area;
A fifth memory area for storing the second parallel data corresponding to the first display area;
A sixth memory area for storing the second parallel data corresponding to the second display area;
A seventh memory area for storing the second parallel data corresponding to the third display area;
An eighth memory area for storing the second parallel data corresponding to the fourth display area;
Including
The control unit includes:
Simultaneously writing the first parallel data into the first memory area and writing the second parallel data into the fifth memory area;
Simultaneously writing the first parallel data into the second memory area and writing the second parallel data into the sixth memory area;
Simultaneously writing the first parallel data into the third memory area and writing the second parallel data into the seventh memory area;
The display device according to claim 4, wherein writing of the first parallel data to the fourth memory area and writing of the second parallel data to the eighth memory area are performed simultaneously.
前記第1メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第5メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第2メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第6メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第3メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第7メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第4メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第8メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを交互に行い、
前記第1メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第2メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第3メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しと前記第4メモリ領域からの前記第1パラレルデータの読み出しとを同時に行い、
前記第5メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しと前記第6メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しと前記第7メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しと前記第8メモリ領域からの前記第2パラレルデータの読み出しとを同時に行い、
前記信号変換回路は、
前記第1メモリ領域及び前記第5メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第1出力シリアル信号を生成する第1シリアライザと、
前記第2メモリ領域及び前記第6メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第2出力シリアル信号を生成する第2シリアライザと、
前記第3メモリ領域及び前記第7メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第3出力シリアル信号を生成する第3シリアライザと、
前記第4メモリ領域及び前記第8メモリ領域から読み出されたデータをシリアライズして、前記第4出力シリアル信号を生成する第4シリアライザと、
を備える
請求項12に記載の表示装置。 The control unit is
Reading the first parallel data from the first memory area and reading the second parallel data from the fifth memory area alternately;
Reading the first parallel data from the second memory area and reading the second parallel data from the sixth memory area alternately;
Reading the first parallel data from the third memory area and reading the second parallel data from the seventh memory area alternately;
Reading the first parallel data from the fourth memory area and reading the second parallel data from the eighth memory area alternately;
Reading the first parallel data from the first memory area, reading the first parallel data from the second memory area, reading the first parallel data from the third memory area, and reading the fourth memory area And reading of the first parallel data from
Reading the second parallel data from the fifth memory area, reading the second parallel data from the sixth memory area, reading the second parallel data from the seventh memory area, and reading the eighth memory area And the reading of the second parallel data from
The signal conversion circuit,
A first serializer that serializes data read from the first memory area and the fifth memory area to generate the first output serial signal;
A second serializer that serializes data read from the second memory area and the sixth memory area to generate the second output serial signal;
A third serializer that serializes data read from the third memory area and the seventh memory area and generates the third output serial signal;
A fourth serializer that serializes data read from the fourth memory area and the eighth memory area to generate the fourth output serial signal;
The display device according to claim 12, comprising:
前記信号変換回路が設けられた第2基板と、
を備える
請求項1から13の何れか一項に記載の表示装置。 A first substrate provided with the display unit and the source driver;
A second substrate provided with the signal conversion circuit;
The display device according to any one of claims 1 to 13.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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