JP2020050871A - 配向助剤、液晶組成物及び液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】適度な極性を有する配向助剤、かかる配向助剤を含有し、低温保存安定性に優れ、かつ液晶分子に対する高い配向規制力を発揮する液晶組成物、及びコントラスト、応答速度等の特性に優れる液晶表示素子を提供する。【解決手段】本発明の配向助剤は、２つの基板間に液晶分子とともに配置され、前記液晶分子を自発的に配向させる化合物である。この配向助剤は、少なくとも１つの極性基を有し、順相薄層クロマトグラフィーにおける移動率と逆相薄層クロマトグラフィーにおける移動率との積が０．１１〜０．２であることを特徴とする。【選択図】なし

Description

本発明は、配向助剤、液晶組成物及び液晶表示素子に関する。

従来、ＶＡ方式の液晶ディスプレイ（液晶表示素子）では、電圧無印加時に液晶分子の垂直配向を誘起し、電圧印加時に液晶分子の水平配向を実現するために、電極上に配向膜として機能するポリイミド（ＰＩ）配向膜が設けられている。しかしながら、ＰＩ配向膜の成膜には、多大なコストを要するため、近年では、ＰＩ配向膜を省略しつつも、液晶分子の配向を実現するための方法が検討されている。
例えば、特許文献１には、負の誘電異方性を有する極性化合物（液晶分子）の混合物を基礎とし、少なくとも１種類の自発配向性添加剤（配向助剤）を含有する液晶媒体（液晶組成物）が開示されている。この特許文献１では、自発配向性添加剤として、水酸基を有する特定の化合物が用いられている。

ここで、極性の高い配向助剤は、基板との密着力（アンカー力）が強いことから、液晶分子の配向規制力に優れる一方、液晶分子との相溶性が低く、液晶組成物の低温保存安定性が低下する。これに対して、極性の低い配向助剤は、液晶分子との相溶性が良好であり、液晶組成物の低温保存安定性に優れる一方、基板との密着力に劣り、比較的多量で使用しても、十分な厚さの配向助剤による層が形成されず、液晶分子の良好な配向規制力が得られない。
このように、液晶組成物に対して、優れた低温保存安定性を確保することと、高い配向規制力を付与することとの２つの特性は相反する関係にあり、双方の特性をバランスよく有する液晶組成物が得られていないのが現状である。

特表２０１４−５２４９５１号公報

本発明の目的は、適度な極性を有する配向助剤、かかる配向助剤を含有し、低温保存安定性に優れ、かつ液晶分子に対する高い配向規制力を発揮する液晶組成物、及びコントラスト、応答速度等の特性に優れる液晶表示素子を提供することにある。

このような目的は、下記の（１）〜（１４）の本発明により達成される。
（１） ２つの基板間に液晶分子とともに配置され、前記液晶分子を自発的に配向させる配向助剤であって、
少なくとも１つの極性基を有し、順相薄層クロマトグラフィーにおける移動率と逆相薄層クロマトグラフィーにおける移動率との積が０．１１〜０．２であることを特徴とする配向助剤。

（２） 前記極性基は、炭素原子とヘテロ原子とが連結した原子団を有する極性要素を含む基である上記（１）に記載の配向助剤。
（３） 前記ヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＢからなる群から選択される少なくとも１種である上記（２）に記載の配向助剤。
（４） さらに、少なくとも１つの重合性基を有する上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の配向助剤。

（５） 前記重合性基は、下記一般式（ＡＰ−１）〜一般式（ＡＰ−９）で表される群より選ばれる基を含む上記（４）に記載の配向助剤。

（式中、Ｒ^ＡＰ１及びＲ^ＡＰ２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜１０のハロゲン化アルキル基を表し（ただし、アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子同士が直接隣接しないように−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されてもよく、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲン原子又は水酸基で置換されてもよい。）、Ｗ^ＡＰ１は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ_２−を表し、ｔ^ＡＰ１は、０、１又は２を表し、＊は、結合手を表す。）

（６） 上記（１）〜（５）のいずれか１つに記載の配向助剤と、負の誘電率異方性を有する液晶分子とを含有することを特徴とする液晶組成物。
（７） 当該液晶組成物中に含まれる前記配向助剤の量は、０．３〜４．３質量％である上記（６）に記載の液晶組成物。
（８） さらに、重合性化合物を含有する上記（６）又は（７）に記載の液晶組成物。
（９） ２つの基板と、該２つの基板の間に設けられた上記（６）〜（８）のいずれか１つに記載の液晶組成物を含む液晶層とを備えることを特徴とする液晶表示素子。
（１０） 前記配向助剤は、さらに、少なくとも１つの重合性基を有し、
前記液晶層は、前記配向助剤の重合物を含む上記（９）に記載の液晶表示素子。

（１１） 前記重合物の厚さは、１２〜１４０ｎｍである上記（１０）に記載の液晶表示素子。
（１２） アクティブマトリックス駆動用である上記（９）〜（１１）のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
（１３） ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＥＣＢ型である上記（９）〜（１２）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。
（１４） 前記２つの基板のうちの少なくとも一方の基板は、配向膜を有さない上記（９）〜（１３）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

本発明によれば、適度な極性を有する配向助剤が得られる。かかる配向助剤を含有することにより、低温保存安定性に優れ、かつ液晶分子に対する高い配向規制力を発揮する液晶組成物が得られる。さらに、この液晶組成物を用いることにより、コントラスト、応答速度等の特性に優れる液晶表示素子が得られる。

液晶表示素子の一実施形態を模式的に示す図である。 図１におけるＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。

以下、本発明の配向助剤、液晶組成物及び液晶表示素子について、好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の液晶組成物について説明する。
（液晶組成物）
液晶組成物は、負の誘電率異方性を有する液晶分子と、この液晶分子を自発的に配向させる機能を有し、極性基を備える配向助剤（本発明の配向助剤）とを含有している。

((配向助剤))
配向助剤（自発配向性化合物）は、液晶組成物を含む液晶層と直接当接する部材（電極（例えば、ＩＴＯ）、基板（例えば、ガラス基板、アクリル基板、透明基板、フレキシブル基板等）、樹脂層（例えば、カラーフィルタ、配向膜、オーバーコート層等）、絶縁膜（例えば、無機材料膜、ＳｉＮｘ等））に対して相互作用し、液晶層に含まれる液晶分子のホメオトロピック配列又はホモジニアス配向を誘起する機能を備えている。

配向助剤は、重合するための重合性基と、液晶分子と類似するメソゲン基と、液晶層と直接当接する部材と相互作用可能な吸着基（極性基）と、液晶分子の配向を誘起する配向誘導基を有することが好ましい。

メソゲン基に対し、吸着基及び配向誘導基が結合し、重合性基はメソゲン基、吸着基及び配向誘導基に直接又は必要に応じスペーサ基を介して置換していることが好ましい。特に、重合性基は、吸着基中に組み込まれた状態で、メソゲン基に置換していることが好ましい。
以下、化学式中の左端の＊及び右端の＊は結合手を表す。

「配向誘導基」
配向誘導基は、液晶分子の配向を誘導する機能を有しており、下記一般式（ＡＫ）で表される基であることが好ましい。

式中、Ｒ^ＡＫ１は、直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合することなく、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基で置換されてもよい。

Ｒ^ＡＫ１は、直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキル基を表すことが好ましく、直鎖状の炭素原子数１〜２０のアルキル基を表すことがより好ましく、直鎖状の炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことがさらに好ましい。
また、アルキル基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。
さらに、アルキル基中の水素原子は、フッ素原子又は塩素原子で置換されてもよく、フッ素原子で置換されてもよい。

配向助剤が液晶層に対していわゆる両親媒性を備えている観点から、上記配向誘導基は、メソゲン基に結合していることが好ましい。

「重合性基」
重合性基は、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で表されることが好ましい。
Ｐ^ＡＰ１は、下記一般式（ＡＰ−１）〜一般式（ＡＰ−９）で表される群より選ばれる基であることが好ましい。

式中、Ｒ^ＡＰ１及びＲ^ＡＰ２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜１０のハロゲン化アルキル基を表す。ただし、アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子同士が直接隣接しないように−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されてもよく、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲン原子又は水酸基で置換されてもよい。
Ｗ^ＡＰ１は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ_２−を表す。
ｔ^ＡＰ１は、０、１又は２を表す。

Ｐ^ＡＰ１は、下記一般式（ＡＰ−１）〜一般式（ＡＰ−７）で表される基であることが好ましく、下記一般式（ＡＰ−１）又は一般式（ＡＰ−２）で表される基であることがより好ましく、一般式（ＡＰ−１）であることがさらに好ましい。

Ｓｐ^ＡＰ１は、単結合又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表すことが好ましく、単結合又は直鎖状の炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表すことがより好ましく、単結合又は直鎖状の炭素原子数２〜１０のアルキレン基を表すことがさらに好ましい。
また、Ｓｐ^ＡＰ１において、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、酸素原子同士が直接隣接しないように−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

配向助剤において、重合性基（Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−）の数は、１以上５以下であることが好ましく、１以上４以下であることがより好ましく、２以上４以下であることがさらに好ましく、２又は３であることが特に好ましく、２であることが最も好ましい。
Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−中の水素原子は、重合性基、吸着基及び／又は配向誘導基で置換されてもよい。

重合性基（Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−）は、重合性基、メソゲン基、吸着基及び／又は配向誘導基に対して結合してもよい。
また、重合性基（Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−）は、メソゲン基、吸着基又は配向誘導基に対して結合することが好ましく、メソゲン基又は吸着基に対して結合することがより好ましい。
なお、分子内にＰ^ＡＰ１及び／又はＳｐ^ＡＰ１−が複数存在する場合に、それぞれ互いに同一であっても異なってもよい。

「メソゲン基」
メソゲン基は、剛直な部分を備えた基、例えば環式基を１つ以上備えた基をいい、環式基を２〜４個を備えた基が好ましく、環式基を３〜４個を備えた基がより好ましい。なお、必要に応じて、環式基は、連結基で連結されてもよい。メソゲン基は、液晶層に使用される液晶分子（液晶化合物）と類似の骨格を有することが好ましい。
なお、本明細書中において、「環式基」は、構成する原子が環状に結合した原子団をいい、炭素環、複素環、飽和又は不飽和環式構造、単環、２環式構造、多環式構造、芳香族、非芳香族などを含む。
また、環式基は、少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、さらに、少なくとも１つの置換基（ハロゲノ基、重合性基、有機基（アルキル、アルコキシ、アリール等）で置換されてもよい。環式基が単環である場合には、メソゲン基は、２個以上の単環を含んでいることが好ましい。

上記メソゲン基は、例えば、一般式（ＡＬ）で表されることが好ましい。

式中、Ｚ^ＡＬ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２は、それぞれ独立して、２価の環式基を表す。
Ｚ^ＡＬ１、Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基、吸着基、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−又は１価の有機基で置換されてもよい。
なお、分子内にＺ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ１が複数存在する場合に、それぞれ互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ^ＡＬ１は、１〜５の整数を表す。

一般式（ＡＬ）中、Ｚ^ＡＬ１は、単結合又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基であることが好ましく、単結合又は炭素原子数２〜１０のアルキレン基であることがより好ましく、単結合、−（ＣＨ_２）_２−又は−（ＣＨ_２）_４−であることがさらに好ましい。アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子同士が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。
さらに、棒状分子の直線性を高めることを目的とする場合は、Ｚ^ＡＬ１は、環と環とが直接連結した形態である単結合や、環と環とを直接結ぶ原子の数が偶数個の形態が好ましい。例えば、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−の場合、環と環とを直接結ぶ原子の数は４つである。

一般式（ＡＬ）中、Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２は、それぞれ独立して、２価の環式基を表す。２価の環式基としては、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２．２．２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基及びフルオレン−２，７−ジイル基からなる群から選択される１種であることが好ましく、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、２，６−ナフチレン基又はフェナントレン−２，７−ジイル基がより好ましく、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基であることがさらに好ましい。
なお、これらの基は、非置換又は置換基で置換されてもよい。この置換基としては、フッ素原子又は炭素原子数１〜８のアルキル基であることが好ましい。さらに、アルキル基は、フッ素原子又は水酸基で置換されてもよい。
また、環式基中の１個又は２個以上の水素原子は、ハロゲノ基、吸着基、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−又は１価の有機基で置換されてもよい。

一般式（ＡＬ）中、１価の有機基とは、有機化合物が１価の基の形態になることによって、化学構造が構成された基であり、有機化合物から水素原子を１つ取り除いてなる原子団をいう。
かかる１価の有機基としては、例えば、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数２〜１５のアルケニル基、炭素原子数１〜１４のアルコキシ基、炭素原子数２〜１５のアルケニルオキシ基などが挙げられ、炭素原子数１〜１５のアルキル基又は炭素原子数１〜１４のアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることがさらに好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数１〜２のアルコキシ基であることが特に好ましく、炭素原子数１又は２のアルキル基又は炭素原子数１のアルコキシ基であることが最も好ましい。
また、上記アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子同士が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。さらには、上記１価の有機基は、上記配向誘導基としての役割を有してもよい。
上記一般式（ＡＬ）中、ｍ^ＡＬ１は、１〜４の整数であることが好ましく、１〜３の整数であることがより好ましく、２又は３であることがさらに好ましい。

上記メソゲン基の好ましい形態としては、下記式（ｍｅ−１）〜（ｍｅ−４４）が挙げられる。

一般式（ＡＬ）は、これらの化合物から２個の水素原子が脱離した構造である。
これらの式（ｍｅ−１）〜（ｍｅ−４４）において、シクロヘキサン環、ベンゼン環又はナフタレン環中の１つ又は２つ以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−、１価の有機基（例えば、炭素原子数１〜１５のアルキル基、炭素原子数１〜１４のアルコキシ基）、吸着基又は配向誘導基で置換されてもよい。

上記メソゲン基のうち、好ましい形態は、式（ｍｅ−８）〜（ｍｅ−４４）であり、より好ましい形態は、式（ｍｅ−８）〜（ｍｅ−１０）、式（ｍｅ−１２）〜（ｍｅ−１８）、式（ｍｅ−２２）〜（ｍｅ−２４）、式（ｍｅ−２６）〜（ｍｅ−２７）及び式（ｍｅ−２９）〜（ｍｅ−４４）であり、さらに好ましい形態は、式（ｍｅ−１２）、（ｍｅ−１５）〜（ｍｅ−１６）、（ｍｅ−２２）〜（ｍｅ−２４）、（ｍｅ−２９）、（ｍｅ−３４）、（ｍｅ−３６）〜（ｍｅ−３７）、（ｍｅ−４２）〜（ｍｅ−４４）である。

上記メソゲン基のうち、特に好ましい形態は、下記一般式（ＡＬ−１）又は（ＡＬ−２）であり、最も好ましい形態は、下記一般式（ＡＬ−１）である。

式中、Ｘ^{ＡＬ１０１}〜Ｘ^{ＡＬ１１８}、Ｘ^{ＡＬ２０１}〜Ｘ^{ＡＬ２１４}は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲノ基、Ｐ^ＡＰｌ−Ｓｐ^ＡＰｌ−、吸着基又は配向誘導基を表す。
環Ａ^ＡＬ１１、環Ａ^ＡＬ１２及び環Ａ^ＡＬ２１は、それぞれ独立して、シクロヘキサン環又はベンゼン環を表す。
Ｘ^{ＡＬ１０１}〜Ｘ^{ＡＬ１１８}、Ｘ^{ＡＬ２０１}〜Ｘ^{ＡＬ２１４}のいずれか１種又は２種以上が、吸着基で置換されている。
Ｘ^{ＡＬ１０１}〜Ｘ^{ＡＬ１１８}、Ｘ^{ＡＬ２０１}〜Ｘ^{ＡＬ２１４}のいずれか１種又は２種以上が、配向誘導基で置換されている。
吸着基及び配向誘導基は、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。
一般式（ＡＬ−１）又は一般式（ＡＬ−２）は、その分子内にＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰｌ−を１種又は２種以上有する。

一般式（ＡＬ−１）において、Ｘ^{ＡＬ１０１}は、配向誘導基であることが好ましい。
一般式（ＡＬ−１）において、Ｘ^{ＡＬ１０９}、Ｘ^{ＡＬ１１０}及びＸ^{ＡＬ１１１}の少なくとも１つが吸着基であることが好ましく、Ｘ^{ＡＬ１０９}及びＸ^{ＡＬ１１０}がともに吸着基であること又はＸ^{ＡＬ１１０}が吸着基であることがより好ましく、Ｘ^{ＡＬ１１０}が吸着基であることがさらに好ましい。
一般式（ＡＬ−１）において、Ｘ^{ＡＬ１０９}、Ｘ^{ＡＬ１１０}及びＸ^{ＡＬ１１１}の少なくとも１つがＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−又は構造内に重合可能な部位を有する吸着基であることが好ましく、Ｘ^{ＡＬ１０９}及びＸ^{ＡＬ１１１}の両方又は一方がＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−であることがより好ましい。
一般式（ＡＬ−１）において、Ｘ^{ＡＬ１０４}〜Ｘ^{ＡＬ１０８}、Ｘ^{ＡＬ１１２}〜Ｘ^{ＡＬ１１６}の１つ又は２つがそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又はハロゲノ基であることが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又はフッ素原子であることがより好ましい。特に、Ｘ^{ＡＬ１０５}、Ｘ^{ＡＬ１０６}又はＸ^{ＡＬ１０７}がそれぞれ独立して、炭素原子数１〜３のアルキル基又はフッ素原子であることが好ましい。

一般式（ＡＬ−２）において、Ｘ^{ＡＬ２０１}は、配向誘導基であることが好ましい。
一般式（ＡＬ−２）において、Ｘ^{ＡＬ２０７}、Ｘ^{ＡＬ２０８}及びＸ^{ＡＬ２０９}の少なくとも１つが吸着基であることが好ましく、Ｘ^{ＡＬ２０７}及びＸ^{ＡＬ２０８}がともに吸着基であること又はＸ^{ＡＬ２０８}が吸着基であることがより好ましく、Ｘ^{ＡＬ２０８}が吸着基であることがさらに好ましい。
一般式（ＡＬ−２）において、Ｘ^{ＡＬ２０７}、Ｘ^{ＡＬ２０８}及びＸ^{ＡＬ２０９}の少なくとも１つがＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−又は構造内に重合可能な部位を有する吸着基であることが好ましく、Ｘ^{ＡＬ2０７}及びＸ^{ＡＬ２０９}の両方又は一方がＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−であることがより好ましい。
一般式（ＡＬ−２）において、Ｘ^{ＡＬ２０２}〜Ｘ^{ＡＬ２０６}、Ｘ^{ＡＬ２１０}〜Ｘ^{ＡＬ２１４}の１つ又は２つがそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又はハロゲノ基であることが好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基又はフッ素原子であることがより好ましい。特に、Ｘ^{ＡＬ２０４}、Ｘ^{ＡＬ２０５}又はＸ^{ＡＬ２０６}がそれぞれ独立して、炭素原子数１〜３のアルキル基又はフッ素原子であることが好ましい。

「吸着基」
吸着基は、基板、膜、電極など液晶組成物と当接する層である吸着媒と吸着する役割を備えた基である。
吸着は、一般的に、化学結合（共有結合、イオン結合又は金属結合）をつくって吸着媒と吸着質との間で吸着する化学吸着と、化学吸着以外の物理吸着とに分別される。本明細書中において、吸着は、化学吸着又は物理吸着のいずれでもよいが、物理吸着であることが好ましい。そのため、吸着基は、吸着媒と物理吸着可能な基であることが好ましく、分子間力により吸着媒と結合可能な基であることがより好ましい。
分子間力により吸着媒と結合する形態としては、永久双極子、永久四重極子、分散力、電荷移動力又は水素結合などの相互作用による形態が挙げられる。
吸着基の好ましい形態としては、水素結合により吸着媒と結合可能な形態が挙げられる。この場合、吸着基が水素結合を介在するプロトンのドナー及びアクセプターのいずれの役割を果たしてもよく、若しくは双方の役割を果たしてもよい。

吸着基は、炭素原子とヘテロ原子とが連結した原子団を有する極性要素を含む基（以下、「吸着基」を「極性基」とも記載する。）であることが好ましい。本明細書中において、極性要素とは、炭素原子とヘテロ原子とが直接連結した原子団をいう。
ヘテロ原子としては、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ等が挙げられるが、Ｎ、Ｏ及びＢからなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、Ｎ及びＯからなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましく、Ｏであることがさらに好ましい。

また、配向助剤において、極性要素の価数は、１価、２価、３価など特に制限されず、また吸着基中の極性要素の個数も特に制限されることはない。
配向助剤は、一分子中に１〜８個の吸着基を有することが好ましく、１〜４個の吸着基を有することがより好ましく、１〜３個の吸着基を有することがさらに好ましい。
なお、吸着基からは、重合性基及び配向誘導基を除くが、吸着基中の水素原子がＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換された構造及びＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−中の水素原子が−ＯＨで置換された構造は吸着基に含む。

吸着基は、１又は２以上の極性要素を含み、環式基型と鎖式基型とに大別される。
環式基型は、その構造中に極性要素を含む環状構造を備えた環式基を含む形態であり、鎖式基型は、その構造中に極性要素を含む環状構造を備えた環式基を含まない形態である。
鎖式基型は、直鎖又は分岐した鎖状基中に極性要素を有する形態であり、その一部に極性要素を含まない環状構造を有していてもよい。

環式基型の吸着基とは、少なくとも１つの極性要素を環状の原子配列内に含む構造を有する形態を意味する。
なお、本明細書中において、環式基とは、上述した通りである。そのため、環式基型の吸着基は、極性要素を含む環式基さえ含んでいればよく、吸着基全体としては分岐しても直鎖状であってもよい。

一方、鎖式基型の吸着基とは、分子内に極性要素を含む環状の原子配列を含まず、かつ少なくとも１つの極性要素を線状の原子配列（枝分かれしてもよい）内に含む構造を有する形態を意味する。
なお、本明細書中において、鎖式基とは、構造式中に環状の原子配列を含まず、構成する原子が線状（分岐してもよい）に結合した原子団をいい、非環式基をいう。換言すると、鎖式基とは、直鎖状又は分枝状の脂肪族基をいい、飽和結合又は不飽和結合のどちらを含んでもよい。
したがって、鎖式基には、例えば、アルキル、アルケニル、アルコキシ、エステル、エーテル又はケトンなどが含まれる。なお、これらの基中の水素原子は、少なくとも１つの置換基（反応性官能基（ビニル基、アクリル基、メタクリル基等）、鎖状有機基（アルキル、シアノ等））で置換されてもよい。また、鎖式基は、直鎖状又は分岐状のいずれでもよい。

環式基型の吸着基としては、炭素原子数３〜２０の複素芳香族基（縮合環を含む）又は炭素原子数３〜２０の複素脂環族基（縮合環を含む）であることが好ましく、炭素原子数３〜１２の複素芳香族基（縮合環を含む）又は炭素原子数３〜１２の複素脂環族基（縮合環を含む）であることがより好ましく、５員環の複素芳香族基、５員環の複素脂環族基、６員環の複素芳香族基又は６員環の複素脂環族基であることがさらに好ましい。なお、これらの環構造中の水素原子は、ハロゲノ基、炭素原子数１〜５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基又はアルキルオキシ基で置換されてもよい。

鎖式基型の吸着基としては、構造内の水素原子や−ＣＨ_２−が極性要素で置換された直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキル基であることが好ましい。なお、アルキル基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。また、鎖式基型の吸着基は、その端部に１個又は２個以上の極性要素を含むことが好ましい。

吸着基中の水素原子は、重合性基で置換されてもよい。
極性要素の具体例としては、酸素原子を含む極性要素（以下、含酸素極性要素）、窒素原子を含む極性要素（以下、含窒素極性要素）、リン原子を含む極性要素（以下、含リン極性要素）、ホウ素原子を含む極性要素（以下、含ホウ素極性要素）、ケイ素原子を含む極性要素（以下、含ケイ素極性要素）又は硫黄原子を含む極性要素（以下、含硫黄極性要素）が挙げられる。吸着能の観点から、極性要素としては、含窒素極性要素、含窒素極性要素又は含酸素極性要素であることが好ましく、含酸素極性要素であることがより好ましい。

含酸素極性要素としては、水酸基、アルキロール基、アルコキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、エーテル基、カルボニル基、カーボネート基及びエステル基からなる群から選択される少なくとも１種の基又は当該基が炭素原子に連結している基であることが好ましい。
含窒素極性要素としては、シアノ基、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基、ピリジル基、カルバモイル基及びウレイド基からなる群から選択される少なくとも１種の基又は当該基が炭素原子に連結している基であることが好ましい。
含リン極性要素としては、ホスフィニル基及びリン酸基からなる群から選択される少なくとも１種の基又は当該基が炭素原子に連結している基であることが好ましい。

そのため、吸着基としては、含酸素極性要素を備えた環式基（以下、含酸素環式基）、含窒素極性要素を備えた環式基（以下、含窒素環式基）、含硫黄極性要素を備えた環式基（以下、含硫黄環式基）、含酸素極性要素を備えた鎖式基（以下、含酸素鎖式基）及び含窒素極性要素を備えた鎖式基（以下、含窒素鎖式基）からなる群から選択される１種又は２種以上の基自体又は当該基を含むことが好ましく、吸着能の観点から含酸素環式基、含硫黄環式基、含酸素鎖式基及び含窒素鎖式基からなる群から選択される１種又は２種以上の基を含むことがより好ましい。

含酸素環式基としては、環構造内に酸素原子をエーテル基として有する下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

また、含酸素環式基としては、環構造内に酸素原子をカルボニル基、カーボネート基及びエステル基として有する下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

含窒素環式基としては、下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

含酸素鎖式基としては、下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

式中、Ｒ^ａｔ１は、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。
Ｚ^ａｔ１は、単結合、炭素原子数１〜１５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基又は炭素原子数２〜１８の直鎖状若しくは分岐状のアルケニレン基を表す。ただし、アルキレン基又はアルケニレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−で置換されてもよい。
Ｘ^ａｔ１は、炭素原子数１〜１５のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

含窒素鎖式基としては、下記の基のいずれかを含むことが好ましい。

式中、Ｒ^ａｔ、Ｒ^ｂｔ、Ｒ^ｃｔ及びＲ^ｄｔは、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。

吸着基としては、下記一般式（ＡＴ）で表される基であることが好ましい。

式中、Ｓｐ^ＡＴ１は、単結合、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。
Ｗ^ＡＴ１は、単結合又は下記一般式（ＷＡＴ１）又は（ＷＡＴ２）を表す。
Ｚ^ＡＴ１は、極性要素を含む１価の基を表す。ただし、Ｚ^ＡＴ１中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。

（式中、Ｓｐ^ＷＡＴ１及びＳｐ^ＷＡＴ２は、それぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表し、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。）

Ｓｐ^ＡＴ１、Ｓｐ^ＷＡＴ１及びＳｐ^ＷＡＴ２は、それぞれ独立して、単結合又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表すことが好ましく、単結合又は直鎖状の炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表すことがより好ましく、単結合又は直鎖状の炭素原子数２〜１０のアルキレン基を表すことがさらに好ましい。
また、Ｓｐ^ＡＴ１、Ｓｐ^ＷＡＴ１及びＳｐ^ＷＡＴ２において、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、酸素原子が直接結合しないよういに、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。
また、Ｓｐ^ＡＴ１及びＳｐ^ＷＡＴ１中の水素原子は、それぞれ独立して、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。

Ｚ^ＡＴ１は、極性要素を含む１価の基を表すが、下記一般式（ＺＡＴ１−１）又は（ＺＡＴ１−２）で表される基であることが好ましい。

式中、Ｓｐ^{ＺＡＴ１１}及びＳｐ^{ＺＡＴ１２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。
Ｚ^{ＺＡＴ１１}は、極性要素を含む基を表す。
一般式（ＺＡＴ１−２）中のＺ^{ＺＡＴ１２}を含む環で表した構造は、５〜７員環を表す。
Ｚ^{ＺＡＴ１１}及びＺ^{ＺＡＴ１２}中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。

Ｒ^{ＺＡＴ１１}及びＲ^{ＺＡＴ１２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。

一般式（ＺＡＴ１−１）で表される基としては、下記一般式（ＺＡＴ１−１−１）〜（ＺＡＴ１−１−３０）で表される基であることが好ましい。

式中、炭素原子に結合する水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。
Ｓｐ^{ＺＡＴ１１}は、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。

Ｒ^{ＺＡＴ１１}は、炭素原子数１〜８の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。

一般式（ＺＡＴ１−２）で表される基としては、下記一般式（ＺＡＴ１−２−１）〜（ＺＡＴ１−２−９）で表される基であることが好ましい。

式中、炭素原子に結合する水素原子は、ハロゲン原子、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。
Ｓｐ^{ＺＡＴ１１}は、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。

一般式（ＺＡＴ１−１）で表される基としては、下記の基が挙げられる。

式中、Ｒ^ｔｃは、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−を表す。ただし、アルキル基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。
分子内の水素原子は、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。
＊は、結合手を表す。

配向助剤は、吸着基に含まれる極性要素や重合性基に含まれる極性要素が局在化する形態であることが好ましい。吸着基は、液晶分子を垂直配向させるために重要な構造であり、吸着基と重合性基とが隣接していることで、より良好な配向性が得られ、また液晶組成物への良好な溶解性を示す。
具体的には、配向助剤は、メソゲン基の同一環上に重合性基及び吸着基を有する形態であることが好ましい。かかる形態には、１以上の重合性基及び１以上の吸着基がそれぞれ同一環上に結合している形態と、１以上の重合性基の少なくとも一つ又は１以上の吸着基の少なくとも一つのうち、一方が他方に結合して、同一環上に重合性基及び吸着基を有する形態とが含まれる。
また、この場合、重合性基が有するスペーサ基中の水素原子が、吸着基で置換されてもよく、さらには吸着基中の水素原子が、スペーサ基を介して重合性基で置換されてもよい。

配向助剤としては、下記一般式（ＳＡＬ）で表される化合物であることが好ましい。

式中、炭素原子に結合する水素原子は、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。ただし、アルキル基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキル基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。
Ｒ^ＡＫ１は、一般式（ＡＫ）におけるＲ^ＡＫ１と同じ意味を表す。

Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２は、それぞれ独立して、一般式（ＡＬ）におけるＡ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２と同じ意味を表す。
Ｚ^ＡＬ１は、一般式（ＡＬ）におけるＺ^ＡＬ１と同じ意味を表す。
ｍ^ＡＬ１は、一般式（ＡＬ）におけるｍ^ＡＬ１と同じ意味を表す。
Ｓｐ^ＡＴ１は、一般式（ＡＴ）におけるＳｐ^ＡＴ１と同じ意味を表す。
Ｗ^ＡＴ１は、一般式（ＡＴ）におけるＷ^ＡＴ１と同じ意味を表す。
Ｚ^ＡＴ１は、一般式（ＡＴ）におけるＺ^ＡＴ１と同じ意味を表す。

このような配向助剤の中でも、本発明では、順相薄層クロマトグラフィー（順相ＴＬＣ）における移動率（Ｒｆ（ｐ））と逆相薄層クロマトグラフィー（逆相ＴＬＣ）における移動率（Ｒｆ（ｎ））との積（Ｒｆ積）が０．１１〜０．２である配向助剤を使用する。
Ｒｆ積は、配向助剤における親水性と疎水性とのバランスを示す指標である。上記構造の配向助剤では、そのＲｆ積はＲｆ（ｐ）に影響を受け易い傾向にある。
すなわち、Ｒｆ積が０．１１未満の配向助剤は、極性が高過ぎて、液晶組成物中に溶解させることが困難である。このため、液晶組成物の低温保存安定性が極めて低い。一方、Ｒｆ積が０．２超の配向助剤は、極性が低過ぎて、基板に対する密着力が得られない。このため、十分な液晶分子の配向規制力が発揮できない。

これに対して、Ｒｆ積が０．１１〜０．２の配向助剤は、親水性と疎水性とをバランスよく備えている。換言すれば、かかる配向助剤は、適度な極性を有し、基板に対する十分な密着力を発揮するとともに、液晶組成物中への溶解性も良好である。したがって、液晶組成物は、低温保存安定性に優れ、かつ液晶分子に対する高い配向規制力を発揮する。
Ｒｆ積は、０．１１〜０．２であればよいが、０．０１７〜０．２程度であることが好ましく、０．０１７〜０．１２５程度であることがより好ましく、０．０２５〜０．０５程度であることがさらに好ましい。かかる範囲のＲｆ積を有する配向助剤を用いることにより、上記効果がより向上する。

Ｒｆ積が０．１１〜０．２の配向助剤としては、下記式（ＳＡＬ−１）〜（ＳＡＬ−９）で表される化合物が挙げられる。

ここで、Ｒｆ（ｐ）は、順相ＴＬＣを用いて対象サンプルを測定した際の相対移動度であり、Ｒｆ（ｐ）＝（測定対象サンプルの移動距離／溶媒の移動距離）で表される。例えば、測定条件としては、メルク社製「シリカゲル ６０ Ｆ２５４」を使用して、トルエンと酢酸エチルとを容積比４：１で混合した混合溶媒を展開溶媒に使用して測定する。
一方、Ｒｆ（ｎ）は、逆相ＴＬＣを用いて対象サンプルを測定した際の相対移動度であり、Ｒｆ（ｎ）＝（測定対象サンプルの移動距離／溶媒の移動距離）で表される。例えば、測定条件としては、メルク社製「シリカゲル ６０ ＲＰ−１８ Ｆ２５４ｓ」を使用して、メタノールを展開溶媒に使用して測定する。

液晶組成物中に含まれる配向助剤の量は、０．３〜４．３質量％程度であることが好ましく、０．５〜４質量％程度であることがより好ましく、０．７５〜２質量％程度であることがさらに好ましい。かかる量で配向助剤を含む液晶組成物は、液晶分子の配向規制力が高く、低温安定保存性にも優れる。また、液晶表示素子に滴下ムラも生じ難くもなる。
これに対して、配向助剤の量が少な過ぎると、配向付与時の条件等によっては、液晶分子の配向が不十分となる場合がある。一方、配向助剤の量が多過ぎると、低温保存時の条件等によっては、液晶組成物の保存安定性が低下する傾向を示すとともに、重合物の厚さの均一性が損なわれて、液晶分子の配向が若干低下し易くなる。

((液晶分子))
液晶分子は、一般式（Ｎ−１）〜（Ｎ−３）で表される化合物のうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、及び
（ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）及び基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又はＣ≡Ｃ−を表す。
Ｘ^Ｎ２１は、水素原子又はフッ素原子を表す。

Ｔ^Ｎ３１は、−ＣＨ_２−又は酸素原子を表す。
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１及びｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、１、２又は３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１及びＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基であることがより好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることがさらに好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基であることが特に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）であることが最も好ましい。

また、それらは、ベンゼン環（芳香族環）である環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数４〜５のアルケニル基であることが好ましく、シクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。なお、ネマチック相を安定化させるためには、それらの炭素原子の数（酸素原子を含む場合には、炭素原子の数と酸素原子の数との合計）が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基は、下記式（Ｒ１）〜（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

各式中の黒点は、環構造中の炭素原子を表す。

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、Δｎを大きくすることが求められる場合には、芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましい。
具体的には、Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１及びＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましく、下記化３８の基のうちのいずれかであることがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基であることがさらに好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１及びＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合であることが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合であることがより好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合がさらに好ましい。
Ｘ^Ｎ２１は、フッ素原子であることが好ましい。
Ｔ^Ｎ３１は、酸素原子であることが好ましい。

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２及びｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、１又は２であることが好ましい。具体的には、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせが好ましい。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１）〜（Ｎ−３）で表される化合物の量は、それぞれ次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％、２０質量％である。

液晶組成物の粘度（η）を低く保ち、応答速度を高める場合は、一般式（Ｎ−１）〜（Ｎ−３）で表される化合物の量は、下限値が低くかつ上限値も低い方が好ましい。さらに、液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）を高く保ち、温度安定性を改善する場合は、その量は下限値が低くかつ上限値も低い方が好ましい。また、液晶表示素子の駆動電圧を低く保つため、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）を大きくする場合は、その量は下限値が高くかつ上限値も高い方が好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−１ａ）〜（Ｎ−１ｇ）で表される化合物を挙げることができる。

式中、Ｒ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２は、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。
ｎ^Ｎａ１１は、０又は１を表す。
ｎ^Ｎｂ１１は、１又は２を表す。
ｎ^Ｎｃ１１は、０又は１を表す。
ｎ^Ｎｄ１１は、１又は２を表す。
ｎ^Ｎｅ１１は、１又は２を表す。
ｎ^Ｎｆ１２は、１又は２を表す。
ｎ^Ｎｇ１１は、１又は２を表す。

Ａ^Ｎｅ１１は、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表す。
Ａ^Ｎｇ１１は、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、少なくとも１つは、１，４−シクロヘキセニレン基を表す。
Ｚ^Ｎｅ１１は、単結合又はエチレン基を表すが、少なくとも１つは、エチレン基を表す。
ただし、Ａ^Ｎｅ１１、Ｚ^Ｎｅ１１及び／又はＡ^Ｎｇ１１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

より具体的には、一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｎ−１−１）〜（Ｎ−１−２１）で表される化合物から選ばれることが好ましい。
一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１１１及びＲ^Ｎ１１２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１１１は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、プロピル基、ペンチル基又はビニル基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｎ１１２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、下記式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、下記式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、下記式（Ｎ−１−１．１）及び（Ｎ−１−１．３）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２５）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１２１及びＲ^Ｎ１２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１２１は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｎ１２２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％、３７質量％、４０質量％、４２質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４８質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、下記式（Ｎ−１−２．１）〜（Ｎ−１−２．２５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）〜（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）、式（Ｎ−１−２．１３）及び式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

なお、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、Δεの改良を重視する場合には、式（Ｎ−１−２．３）〜（Ｎ−１−２．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、Ｔ_ｎｉの改良を重視する場合には、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、応答速度の改良を重視する場合には、式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ−１−２．１）〜（Ｎ−１−２．２５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−２．１）〜（Ｎ−１−２．２５）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１３１及びＲ^Ｎ１３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１３１は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｎ１３２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数３〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、１−プロペニル基、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．４）、式（Ｎ−１−３．６）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできるが、式（Ｎ−１−３．１）で表される化合物と式（Ｎ−１−３．２）で表される化合物との併用、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種又は３種の併用が好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．４）、式（Ｎ−１−３．６）及び式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１４１及びＲ^Ｎ１４２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１１質量％、１０質量％、８質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．２４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−４．１）、式（Ｎ−１−４．２）及び式（Ｎ−１−４．４）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．２４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．２４）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１１質量％、１０質量％、８質量％である。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１５１及びＲ^Ｎ１５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、８質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、式（Ｎ−１−５．１）〜（Ｎ−１−５．１２）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）及び式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、８質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}及びＲ^{Ｎ１１０２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１０１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基又は１−プロペニル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１０２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．１４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物から選ばれることがさら好ましい。

式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１１１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基又は１−プロペニル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１１２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ−１−１１．２）及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−１１．２）及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物の単独又は併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１２１}及びＲ^{Ｎ１１２２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１２１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１２２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１３１}及びＲ^{Ｎ１１３２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１３１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１３２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１４１}及びＲ^{Ｎ１１４２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１４１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１４２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択され。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１４．１）〜（Ｎ−１−１４．５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−１４．１）〜（Ｎ−１−１４．３）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−１４．２）及び式（Ｎ−１−１４．３）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２０１}及びＲ^{Ｎ１２０２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２１１}及びＲ^{Ｎ１２１２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２２１}及びＲ^{Ｎ１２２２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１及びＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２２１}及びＲ^{Ｎ１２２２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．１２）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．４）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

液晶組成物は、さらに、下記一般式（Ｌ）で表される化合物（液晶分子）から選ばれる少なくとも１種を含有してもよい。一般式（Ｌ）で表される化合物は、誘電率異方性を有さないか、あるいは極めて低い。このため、かかる化合物を液晶組成物中に配合することにより、液晶組成物の各種特性を調整することができる。

式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−で置換されてもよい。
ｎ^Ｌ１は、０、１、２又は３を表す。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又はＣ≡Ｃ−を表す。
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ただし、一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物を除く。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類である。あるいは、使用する化合物の種類は、本発明の別の実施形態では、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合には、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２の双方がアルキル基であることが好ましく、揮発性を低減させることを重視する場合には、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２の双方がアルコキシ基であることが好ましく、液晶組成物の粘性の低下を重視する場合には、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２の少なくとも一方がアルケニル基であることが好ましい。
分子内に存在するハロゲン原子の数は、０、１、２又は３個であることが好ましく、０又は１個であることがより好ましく、他の液晶分子との相溶性を重視する場合には、１個であることがさらに好ましい。

Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それらがベンゼン環（芳香族環）である環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は炭素原子数４〜５のアルケニル基であることが好ましく、それらがシクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。なお、ネマチック相を安定化させるためには、炭素原子の数（酸素原子を含む場合には、炭素原子の数と酸素原子の数との合計）が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基は、下記式（Ｒ１）〜（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

各式中の黒点は、環構造中の炭素原子を表す。

ｎ^Ｌ１は、応答速度を重視する場合には０であることが好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３であることが好ましく、これらのバランスをとるためには１であることが好ましい。また、液晶組成物として求められる特性を満たすためには、ｎ^Ｌ１が異なる値である複数種類の一般式（Ｌ）で表される化合物を併用することが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、Δｎを大きくすることが求められる場合には、芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましい。
具体的には、Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましく、下記化６４の基のうちのいずれかであることがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基であることがさらに好ましい。

Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２は、応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。
一般式（Ｌ）で表される化合物は、その分子内に存在するハロゲン原子の数が０又は１個であることが好ましい。
より具体的には、一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ１１及びＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１）で表される化合物の量は、次のように設定される。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％、４５質量％、５０質量％、５５質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、９０質量％、８５質量％、８０質量％、７５質量％、７０質量％、６５質量％、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値が高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が中庸、かつ上限値が中庸であることが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ−１）におけるＲ^Ｌ１２と同じ意味を表す。

一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）〜（Ｌ−１−１．３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）及び式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることがさらに好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ−１）におけるＲ^Ｌ１２と同じ意味を表す。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）〜（Ｌ−１−２．４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）〜（Ｌ−１−２．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。
特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−２．３）で表される化合物と式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物との合計量は、低温での溶解度を良くするためには、３０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１０質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％、３８質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３２質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２２質量％である。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物と式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物との合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３２質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２２質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１３及びＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）〜（Ｌ−１−３．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。
特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）又は式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３．３）で表される化合物と、式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物と、式（Ｌ−１−３．１１）で表される化合物と式（Ｌ−１−３．１３）で表される化合物との合計量は、低温での溶解度を良くするためには、２０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−４）及び／又は（Ｌ−１−５）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１５及びＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基又は直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−４）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−４）及び（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）〜（Ｌ−１−５．３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）及び式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％である。

式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用すること、あるいは式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）及び式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することも好ましい。

液晶組成物中に含まれるこれらの化合物の合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、８０質量％、７０質量％、６０質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％である。

液晶組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することが好ましく、液晶組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１７及びＲ^Ｌ１８は、それぞれ独立して、メチル基又は水素原子を表す。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物は、式（Ｌ−１−６．１）〜（Ｌ−１−６．３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ２１及びＲ^Ｌ２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ２１は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｌ２２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−２）で表される化合物の量は、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。
その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０％質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）〜（Ｌ−２．６）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）及び式（Ｌ−２．６）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ３１及びＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量は、高い複屈折率を得る場合には高めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）〜（Ｌ−３．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−３．２）〜（Ｌ−３．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ４１及びＲ^Ｌ４２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ４１は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｌ４２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−４）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．１）〜（Ｌ−４．３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

液晶組成物は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有してもよいし、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有してもよいし、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との双方を含有してもよいし、式（Ｌ−４．１）〜（Ｌ−４．３）で表される化合物の全てを含有してもよい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−４．１）又は式（Ｌ−４．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、９質量％、１１質量％、１２質量％、１３質量％、１８質量％、２１質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％である。

液晶組成物が式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との双方を含有する場合には、それらの液晶組成物中に含まれる合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１５質量％、１９質量％、２４質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

また、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．４）〜（Ｌ−４．６）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることがより好ましい。

液晶組成物は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有してもよく、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有してもよく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との双方を含有していてもよい。

液晶組成物中の式（Ｌ−４．４）又は式（Ｌ−４．５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、９質量％、１１質量％、１２質量％、１３質量％、１８質量％、２１質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％である。

液晶組成物が式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との双方を含有する場合には、これらの液晶組成物中に含まれる合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１５質量％、１９質量％、２４質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

また、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）〜（Ｌ−４．１０）で表される化合物から選ばれることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ５１及びＲ^Ｌ５２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ５１は、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｌ５２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−５）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。
各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

また、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）又は式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。
各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

また、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）〜（Ｌ−５．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。
各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１％質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。
Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子を表す。

Ｒ^Ｌ６１及びＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｘ^Ｌ６１及びＸ^Ｌ６２のうちの一方がフッ素原子であり、他方が水素原子であることが好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。なお、一般式（Ｌ−６）で表される化合物の量は、Δｎを大きくすることに重点を置く場合には多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置く場合には少ない方が好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）〜（Ｌ−６．９）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、式（Ｌ−６．１）〜（Ｌ−６．９）で表される化合物の中から１〜３種類選択することが好ましく、１〜４種類選択することがより好ましい。
また、併用する化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）及び式（Ｌ−６．２）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ−６．４）及び式（Ｌ−６．５）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．７）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ−６．８）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物の中から１種類とを選択し、これらを適宜組み合わせることが好ましい。
中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）、式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

また、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１０）〜（Ｌ−６．１７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることがより好ましい。

各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい含有量の上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。
Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２中に存在する水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子で置換されもよい。
Ｚ^Ｌ７１は、一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表す。
Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。

式中、Ｒ^Ｌ７１及びＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。
Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基又は１，４−フェニレン基であることが好ましい。なお、Ａ^Ｌ７１及びＡ^Ｌ７中に存在する水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子で置換されてもよい。
Ｚ^Ｌ７１は、単結合又はＣＯＯ−であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。
Ｘ^Ｌ７１及びＸ^Ｌ７２は、水素原子であることが好ましい。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−７）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

なお、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の量は、Ｔｎｉの高い液晶組成物が求められる場合には多めにすることが好ましく、低粘度の液晶組成物が求められる場合には少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）〜（Ｌ−７．４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）〜（Ｌ−７．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）〜（Ｌ−７．２３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）〜（Ｌ−７．３４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）及び／又は式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）〜（Ｌ−７．４４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）及び／又は式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．５１）〜（Ｌ−７．５３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

以上のような液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を有する化合物を含有しないことが好ましい。
なお、液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合には、カルボニル基を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を、５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることがさらに好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合には、塩素原子が置換している化合物の液晶組成物中の量を、１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることがより好ましく、８質量％以下とすることがさらに好ましく、５質量％以下とすることがさらに好ましく、３質量％以下とすることが特に好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

また、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の液晶組成物中に含まれる量を多くすることが好ましく、具体的には８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることがさらに好ましく、実質的に１００質量％とすることが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を防止又は抑制するためには、環構造としてシクロヘキセン環を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることがより好ましく、５質量％以下とすることがさらに好ましく、３質量％以下とすることが特に好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

さらに、液晶組成物の酸化による劣化を防止又は抑制するためには、連結基として−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物の粘度（η）を改善し、かつネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）を改善することを重視する場合には、水素原子がハロゲン原子で置換されてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物中に含まれる化合物（液晶分子等）が、側鎖としてアルケニル基が結合したシクロヘキシレン基を有する場合には、アルケニル基の炭素原子数は、２〜５であることが好ましい。また、液晶組成物中に含まれる化合物が、側鎖としてアルケニル基が結合したフェニレン基を有する場合には、アルケニル基の炭素原子数は、４〜５であることが好ましく、アルケニル基が有する不飽和結合とフェニレン基とは直接結合していないことが好ましい。

また、液晶組成物の安定性を重視する場合には、側鎖としてアルケニル基を有し、かつ２，３−ジフルオロベンゼン−１，４−ジイル基を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）は、好ましくは１０〜２５である。ただし、その好ましい下限値は、１０、１０．５、１１、１１．５、１２、１２．３、１２．５、１２．８、１３、１３．３、１３．５、１３．８、１４、１４．３、１４．５、１４．８、１５、１５．３、１５．５、１５．８、１６、１６．３、１６．５、１６．８、１７、１７．３、１７．５、１７．８、１８である。一方、その好ましい上限値は、２５、２４．５、２４、２３．５、２３、２２．８、２２．５、２２．３、２２、２１．８、２１．５、２１．３、２１、２０．８、２０．５、２０．３、２０、１９．８、１９．５、１９．３、１９、１８．８、１８．５、１８．３、１８、１７．８、１７．５、１７．３、１７である。

消費電力削減を重視する場合には、バックライトの光量を抑えることが有効であるので、液晶表示素子１の光の透過率を向上させることが好ましい。そのため、Ｋ_ＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合には、Ｋ_ＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。

液晶組成物の２５℃における屈折率異方性（Δｎ）（以下、単に「屈折率異方性」とも言う。）の値は、０．０８〜０．１３程度であることが好ましく、０．０９〜０．１２程度であることがより好ましい。
液晶組成物の２５℃における回転粘度（γ１）（以下、単に「回転粘度」とも言う。）は、１６５ｍＰａ・ｓ未満が好ましく、８０〜１４５ｍＰａ・ｓ程度がより好ましく、９０〜１３０ｍＰａ・ｓ程度がさらに好ましい。かかる回転粘度を有する液晶組成物を用いることにより、液晶層４（液晶表示素子１）の応答速度が低下することを防止することができる。

また、液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の値との関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

式中、γ１は、回転粘度を表し、Δｎは、屈折率異方性を表す。
Ｚは、１３，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１２，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、１１，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。

液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は、６０℃以上であることが好ましく、７５℃以上であることがより好ましく、８０℃以上であることがさらに好ましい。かかるＴｎｉを有する液晶組成物を用いることにより、実使用される温度範囲で安定した駆動が可能な液晶層４（液晶表示素子１）を得ることができる。
液晶組成物の比抵抗は、１０^１２Ω・ｍ以上であることが好ましく、１０^１３Ω・ｍ以上であることがより好ましく、１０^１４Ω・ｍ以上であることがさらに好ましい。

液晶組成物の２５℃における誘電率異方性（Δε）の絶対値は、２．５〜５程度であることが好ましく、２．６〜４．５程度であることがより好ましく、２．７〜４程度であることがさらに好ましく、２．８〜３．５程度であることがさらに好ましい。かかる誘電率異方性を有する液晶組成物を用いることにより、液晶層４（液晶表示素子１）をより低電圧で駆動することができるようになる。

なお、以上説明した液晶組成物は、上記の液晶分子以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤等のような他の化合物（分子）を含有してもよい。
ただし、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には、他の化合物は、その構造中に塩素原子を有さないことが好ましい。また、液晶組成物の紫外線等の光に対する安定性が求められる場合には、他の化合物は、その構造中にナフタレン環等に代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークを有する縮合環等を有さないことが好ましい。

（液晶表示素子）
次に、以上のような液晶組成物から形成される液晶層を備える液晶表示素子について説明する。
図１は、液晶表示素子の一実施形態に模式的に示す分解斜視図、図２は、図１におけるＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。
なお、図１及び図２では、便宜上、各部の寸法及びそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。

図１に示す液晶表示素子１は、対向するように配置されたアクティブマトリクス基板ＡＭ及びカラーフィルタ基板ＣＦと、アクティブマトリクス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの間に挟持された液晶層４とを備えている。
アクティブマトリクス基板ＡＭは、第１の基板２と、第１の基板２の液晶層４側の面に設けられた画素電極層５と、第１の基板２の液晶層４と反対側の面に設けられた第１の偏光板７とを有している。
一方、カラーフィルタ基板ＣＦは、第２の基板３と、第２の基板３の液晶層４側に設けられた共通電極層６と、第２の基板３の液晶層４と反対側の面に設けられた第２の偏光板８と、第２の基板３と共通電極層６との間に設けられたカラーフィルタ９とを有している。

すなわち、本実施形態に係る液晶表示素子１は、第１の偏光板７と、第１の基板２と、画素電極層５と、液晶層４と、共通電極層６と、カラーフィルタ９と、第２の基板３と、第２の偏光板８と、がこの順で積層された構成を有している。
第１の基板２及び第２の基板３は、それぞれ、例えばガラス材料、又はプラスチック材料のような柔軟性（可撓性）を有する材料で形成されている。
第１の基板２及び第２の基板３は、双方が透光性を有していても、一方のみが透光性を有していてもよい。後者の場合は、他方の基板は、例えば金属材料、シリコン材料のような不透明な材料で構成することができる。

画素電極層５は、図２に示すように、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン１１と、表示信号を供給するための複数のデータバスライン１２と、複数の画素電極１３とを有している。なお、図２には、一対のゲートバスライン１１、１１及び一対のデータバスライン１２、１２が示されている。
複数のゲートバスライン１１と複数のデータバスライン１２とは、互いに交差してマトリクス状に配置され、これらで囲まれた領域により、液晶表示素子１の単位画素が形成されている。各単位画素内には、１つの画素電極１３が形成されている。

画素電極１３は、互いに直交して十字形状をなす２つの幹部と、各幹部から分岐し、外方に向かって延在する複数の枝部とを備える構造（いわゆるフィッシュボーン構造）を有している。
一対のゲートバスライン１１、１１の間には、ゲートバスライン１１とほぼ平行にＣｓ電極１４が設けられている。また、ゲートバスライン１１とデータバスライン１２とが互いに交差する交差部近傍には、ソース電極１５及びドレイン電極１６を含む薄膜トランジスタが設けられている。ドレイン電極１６には、コンタクトホール１７が設けられている。

ゲートバスライン１１及びデータバスライン１２は、それぞれ、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はこれらを含有する合金で形成することが好ましく、Ｍｏ、Ａｌ又はこれらを含有する合金で形成することがより好ましい。
画素電極１３は、例えば、光の透過率を向上させるために透明電極で構成されている。透明電極は、ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ、ＴｉＯ、ＡＺＴＯ（ＡｌＺｎＳｎＯ）のような化合物をスパッタリング等することにより形成される。
透明電極の平均厚さは、１０〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。また、電気的抵抗を低減するために、アモルファスのＩＴＯ膜を焼成することにより多結晶のＩＴＯ膜として透明電極を形成することもできる。

一方、共通電極層６は、例えば、併設された複数のストライプ状の共通電極（透明電極）を有している。この共通電極も、画素電極１３と同様に形成することができる。
カラーフィルタ９は、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は染色法等によって作成することができる。
顔料分散法では、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、第２の基板３上に所定のパターンとなるように供給した後、加熱又は光照射することにより硬化させる。この操作を、赤、緑、青の３色について行うことにより、カラーフィルタ９を得ることができる。
なお、カラーフィルタ９は、第１の基板２側に配置してもよい。

また、液晶表示素子１は、光の漏れを防止する観点から、ブラックマトリクス（図示せず）を設けるようにしてもよい。このブラックマトリクスは、薄膜トランジスタに対応する部分に形成することが好ましい。
なお、ブラックマトリクスは、第２の基板３側にカラーフィルタ９とともに配置してもよく、第１の基板２側にカラーフィルタ９とともに配置してもよく、ブラックマトリクスを第１の基板２側にカラーフィルタ９を第２の基板３側にそれぞれ個別に配置してもよい。また、ブラックマトリクスは、カラーフィルタ９の各色を重ね合わせ、透過率を低下させた部分で構成することもできる。

アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとは、それらの周縁領域において、エポキシ系熱硬化性組成物やアクリル系ＵＶ硬化性組成物等で構成されるシール材（封止材）によって互いに貼り合わされている。
なお、アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの間には、それらの離間距離を保持するスペーサを配置してもよい。スペーサとしては、例えばガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子のような粒状スペーサ、フォトリソグラフィー法により形成された樹脂製のスペーサ柱等が挙げられる。
アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの平均離間距離（すなわち、液晶層４の平均厚さ）は、１〜１００μｍ程度であることが好ましい。

第１の偏光板７及び第２の偏光板８は、それらの透過軸の位置関係を調整することにより、視野角やコントラストが良好になるように設計することができる。具体的には、第１の偏光板７及び第２の偏光板８は、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直交するように配置することが好ましい。特に、第１の偏光板７及び第２の偏光板８のうちのいずれか一方は、その透過軸が電圧無印加時の液晶分子の配向方向と平行となるように配置されることが好ましい。

また、第１の偏光板７及び第２の偏光板８を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶層４の屈折率異方性（Δｎ）と液晶層４の平均厚さとの積を調整することが好ましい。さらに、液晶表示素子１は、視野角を広げるための位相差フィルムを備えてもよい。
なお、液晶表示素子１では、アクティブマトリックス基板ＡＭ及びカラーフィルタ基板ＣＦのうちの少なくとも一方の液晶層４側に、液晶層４に接触するようにして、ポリイミド配向膜等の配向膜を設けることができる。換言すれば、本発明では、配向助剤を含有する液晶組成物を用いるため、アクティブマトリックス基板ＡＭ及びカラーフィルタ基板ＣＦの一方又は双方に設けられる配向膜を省略することができる。

（液晶表示素子の製造方法）
次に、このような液晶表示素子１を製造する方法について説明する。
本実施形態の液晶表示素子の製造方法は、基板及び液晶組成物を準備する準備工程［１］と、各部を組み立てる組立工程［２］と、配向助剤及び／又は重合性化合物を重合させる重合工程［３］と、シール材を硬化させる硬化工程［４］とを有している。
［１］ 準備工程
まず、アクティブマトリックス基板ＡＭと、カラーフィルタ基板ＣＦと、前述したような液晶組成物とを用意する。

［２］ 組立工程
次に、アクティブマトリクス基板ＡＭ及びカラーフィルタ基板ＣＦの少なくとも一方の縁部に沿って、ディスペンサーを用いてシール材を閉ループ土手状に描画する。
その後、所定量の液晶組成物をシール材の内側に滴下した後、減圧下に液晶組成物に接触するように、アクティブマトリクス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとを対向させて配置する。
このような滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法では、液晶表示素子１のサイズに応じて最適な注入量を滴下する必要がある。前述したような液晶組成物は、例えば、滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に滴下し続けることが可能である。このため、液晶表示素子１の歩留まりを高く維持することができる。

特に、スマートフォンに多用される小型の液晶表示素子は、液晶組成物の最適な注入量が少ないため、そのズレ量を一定範囲内に制御すること自体が難しい。しかしながら、前述したような液晶組成物を用いることにより、小型の液晶表示素子においても安定かつ最適な注入量を正確に滴下することができる。
また、ＯＤＦ法によれば、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象である。

［３］ 重合工程
次に、紫外線、電子線のような活性エネルギー線を液晶組成物に対して照射することにより、配向助剤及び／又は重合性化合物を重合させる。
これにより、液晶層４の界面に液晶配向を制御する配向助剤の重合物を含むポリマ層が形成され、液晶層４が得られる。
ポリマ層（重合物）の厚さは、１２〜１４０ｎｍ程度であることが好ましく、１２〜１００ｎｍ程度であることがより好ましい。かかる厚さのポリマ層であれば、液晶分子に対する十分な配向規制力を発揮するとともに、その配向規制力がポリマ層全体において均一になり易い。
液晶分子に対して十分なプレチルト角を付与するためには、適度な重合速度が望ましい。このため、重合の際には、活性エネルギー線を単一、併用又は順番に照射することが好ましい。紫外線を使用する場合は、偏光光源を用いてもよいし、非偏光光源を用いてもよい。

なお、本実施形態のように、液晶組成物に接触させるように、２つの基板を対向させた状態で重合を行う場合は、少なくとも照射面側に位置する基板は、活性エネルギー線に対して適当な透過性を有する必要がある。
また、重合は次のように複数段階で行ってもよい。具体的には、まず、電場、磁場又は温度等の条件を調整し、液晶分子の配向状態を変化させる。この状態で、活性エネルギー線を液晶組成物に照射して、配向助剤及び／又は重合性化合物を重合させる。次に、電場又は磁場を与えることなく、活性化エネルギー線を液晶組成物に照射して、残存する配向助剤及び／又は重合性化合物を重合させる。

特に、紫外線を使用する場合は、液晶組成物に対して交流電界を印加しつつ、紫外線を照射することが好ましい。
印加する交流の周波数は、１０Ｈｚ〜１０ｋＨｚ程度であることが好ましく、６０Ｈｚ〜１０ｋＨｚ程度であることがより好ましい。
印加する交流の電圧は、液晶表示素子１の所望のプレチルト角に依存して選ばれる。つまり、印加する交流の電圧を調整することにより、液晶表示素子１のプレチルト角を制御することができる。
本発明の配向助剤を使用することにより、液晶分子を垂直配向させることができる。この場合、配向安定性及びコントラストの観点からプレチルト角を８０〜８９．９°程度に制御することが好ましい。

紫外線を照射する際の温度は、液晶組成物の液晶状態が保持される温度範囲内であることが好ましい。具体的な温度は、室温に近い温度、すなわち、典型的には１５〜３５℃程度であることが好ましい。
紫外線を発生させるランプとしては、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、蛍光管等を用いることができる。
また、照射する紫外線は、液晶組成物の吸収波長域でない波長を有する紫外線であることが好ましく、必要に応じて所定の波長をカットして使用することがより好ましい。

照射する紫外線の強度は、０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１００Ｗ／ｃｍ^２程度であることが好ましく、２ｍＷ／ｃｍ^２〜５０Ｗ／ｃｍ^２程度であることがより好ましい。なお、強度を変化させつつ、紫外線を照射するようにしてもよい。
照射する紫外線のエネルギー量は、適宜調整することができるが、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜５００Ｊ／ｃｍ^２程度であることが好ましく、１００ｍＪ／ｃｍ^２〜２００Ｊ／ｃｍ^２程度であることがより好ましい。
また、紫外線を照射する時間は、その強度により適宜選択されるが、１０〜３６００秒程度であることが好ましく、１０〜６００秒程度であることがより好ましい。

［４］硬化工程
次に、加熱、紫外線（活性エネルギー線）照射等により、シール材を硬化させる。これにより、液晶表示素子１が得られる。
なお、［２］組立工程では、滴下注入（ＯＤＦ）法に代えて、真空注入法を用いるようにしてもよい。例えば、真空注入法では、まず、アクティブマトリクス基板ＡＭ及びカラーフィルタ基板ＣＦの少なくとも一方の縁部に沿って、注入口を残すようにしてシール材をスクリーン印刷する。その後、２つの基板ＡＭ、ＣＦを貼り合わせ、加熱、紫外線照射等によりシール材を熱硬化させる。次に、液晶組成物を真空下で注入口を介して、２つの基板ＡＭ、ＣＦの間のシール材で区画された空間内に注入した後、注入口を封止する。その後、［３］重合工程に移行する。
このようにして得られた液晶表示素子１は、ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＥＣＢ型の液晶表示素子であることが好ましく、ＰＳＡ型の液晶表示素子であることがより好ましい。

以上、本発明の配向助剤、液晶組成物及び液晶表示素子を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を有する任意の構成に置換してもよく、他の任意の構成が付加されていてもよい。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。
液晶混合物について測定した特性は、次の通りである。
Ｔｎｉ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２９３Ｋにおける屈折率異方性
Δε ：２９３Ｋにおける誘電率異方性
γ１ ：２９３Ｋにおける回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
Ｋ１１ ：２９３Ｋにおける広がりの弾性定数（ｐＮ）
Ｋ３３ ：２９３Ｋにおける曲がりの弾性定数（ｐＮ）

１．液晶混合物の調製
以下では、化合物の記載について、次の略号を用いる。略号中のｎは自然数である。
（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１：炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１−：炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１：炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基

（連結構造）
−ｎＯ− −Ｃ_ｎＨ_２ｎＯ−
（環構造）

液晶混合物ＬＣ−１の組成及び物性について、以下の表１に示す。

２．液晶組成物の調製
（実施例１〜９）
液晶混合物ＬＣ−１に対して、上記の配向助剤ＳＡＬ−１〜ＳＡＬ−９をそれぞれ混合して、加熱溶解することにより液晶組成物を得た。なお、液晶組成物中に含まれる配向助剤ＳＡＬ−１〜ＳＡＬ−９の量は、それぞれ下記表２又は表３に示すようになるように調製した。

（比較例１）
液晶混合物ＬＣ−１に対して、下記の化合物Ａを混合して、加熱溶解することにより液晶組成物を得た。なお、液晶組成物中に含まれる化合物Ａの量は、下記表３に示すようになるように調製した。

（比較例２）
液晶混合物ＬＣ−１に対して、下記の化合物Ｂを混合して、加熱溶解することにより液晶組成物を得た。なお、液晶組成物中に含まれる化合物Ｂの量は、下記表３に示すようになるように調製した。

（比較例３）
液晶混合物ＬＣ−１に対して、下記の化合物Ｃを混合して、加熱溶解することにより液晶組成物を得た。なお、液晶組成物中に含まれる化合物Ｃの量は、下記表３に示すようになるように調製した。

（比較例４）
液晶混合物ＬＣ−１に対して、下記の化合物Ｄを混合して、加熱溶解することにより液晶組成物を得た。なお、液晶組成物中に含まれる化合物Ｄの量は、下記表３に示すようになるように調製した。

３．測定
各実施例及び各比較例で使用した配向助剤または化合物について、Ｒｆ（ｐ）及びＲｆ（ｎ）を測定し、Ｒｆ積を求めた。
Ｒｆ（ｐ）は、順相ＴＬＣ（メルク社製、「シリカゲル ６０ Ｆ２５４」）を使用して、トルエンと酢酸エチルとを容積比４：１で混合した混合溶媒を展開溶媒に使用して測定した。
また、Ｒｆ（ｎ）は、逆相ＴＬＣ（メルク社製、「シリカゲル ６０ ＲＰ−１８ Ｆ２５４ｓ」）を使用して、メタノールを展開溶媒に使用して測定した。

４．評価
各実施例及び各比較例で得られた液晶組成物について、以下の評価を行った。

４−１．垂直配向性の評価
まず、アクティブ素子により駆動される画素電極を含む画素電極層を有するが、配向膜を有さない第１の基板と、共通電極層を有するが、配向膜を有さない第２の基板とを作製した。その後、第１基板の外周縁部に沿ってシール材を配置し、第１基板上であってシール材の内側に液晶組成物を滴下した。
次に、シール材を介して第２の基板が第１の基板に対向するように配置し、液晶組成物を第１基板と第２基板とで挟持した。この状態で、シール材を常圧で１１０℃、２時間の条件で硬化させた。これにより、セルギャップ３．５μｍの液晶セルを得た。
このときの垂直配向性を、偏光顕微鏡を用いて観察し、以下の４段階で評価した。

［評価基準］
◎：端部なども含め、全面に渡り均一に垂直配向
○：ごく僅かに配向欠陥が有るも許容できるレベル
△：端部なども含め、配向欠陥が多く許容できないレベル
×：配向不良がかなり劣悪

４−２．滴下ムラの評価
液晶組成物の１滴を２枚のスライドガラスを挟み、これを更に２枚の偏光板で挟み、クロスニコル条件下、液晶部分から同心円状に広がる色ムラの程度を観察し、以下の４段階で評価した。
［評価基準］
◎：色ムラが生じない。
○：極軽微な色ムラが生じた。
△：目立つ色ムラが生じた。
×：酷い色ムラが生じた。

４−３．低温保存安定性の評価
液晶組成物をメンブレンフィルタ（Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、ＰＴＦＥフィルタ：厚さ１３ｍｍ、孔径０．２μｍ）にてろ過を行い、真空減圧条件にて１５分間静置し溶存空気の除去を行った。
これをアセトンにて洗浄し十分に乾燥させたバイアル瓶に０．５ｇ秤量し、−２５℃の低温環境下に１４日間静置した。
その後、目視にて析出の有無を観察し、以下の４段階で判定した。

［評価基準］
◎：１４日静置後においても、析出が確認できなかった。
○：７日静置後において、析出が確認された。
△：３日静置後において、析出が確認された。
×：１日静置後において、析出が確認された。

また、垂直配向性の評価を行った後の液晶セルを分解し、第１基板の表面に形成されたポリマ層の厚さを、ＡＦＭ（ＳＰＭ）にて距離５０μｍにわたって計測し、平均値を出すことにより算出した。
以上の結果を表２及び表３に示す。

表２及び表３に示すように、Ｒｆ積が０．１１〜０．２である本発明の配向助剤を使用した各実施例では、垂直配向性及び低温安定保存性に優れ、液滴ムラも生じなかった。また、その効果は、ポリマ層の厚さを設定することにより向上した。
これに対して、Ｒｆ積が０．１１〜０．２の範囲外である化合物を使用した各比較例では、垂直配向性、液滴ムラ及び低温安定保存性の少なくも１つに劣っていた。

１ 液晶表示素子
ＡＭ アクティブマトリクス基板
ＣＦ カラーフィルタ基板
２ 第１の基板
３ 第２の基板
４ 液晶層
５ 画素電極層
６ 共通電極層
７ 第１の偏光板
８ 第２の偏光板
９ カラーフィルタ
１１ ゲートバスライン
１２ データバスライン
１３ 画素電極
１４ Ｃｓ電極
１５ ソース電極
１６ ドレイン電極
１７ コンタクトホール

Claims (14)

1. ２つの基板間に液晶分子とともに配置され、前記液晶分子を自発的に配向させる配向助剤であって、
   少なくとも１つの極性基を有し、順相薄層クロマトグラフィーにおける移動率と逆相薄層クロマトグラフィーにおける移動率との積が０．１１〜０．２であることを特徴とする配向助剤。
2. 前記極性基は、炭素原子とヘテロ原子とが連結した原子団を有する極性要素を含む基である請求項１に記載の配向助剤。
3. 前記ヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ及びＢからなる群から選択される少なくとも１種である請求項２に記載の配向助剤。
4. さらに、少なくとも１つの重合性基を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の配向助剤。
5. 前記重合性基は、下記一般式（ＡＰ−１）〜一般式（ＡＰ−９）で表される群より選ばれる基を含む請求項４に記載の配向助剤。
   

   

   
   （式中、Ｒ^ＡＰ１及びＲ^ＡＰ２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜１０のハロゲン化アルキル基を表し（ただし、アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子同士が直接隣接しないように−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されてもよく、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲン原子又は水酸基で置換されてもよい。）、Ｗ^ＡＰ１は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ_２−を表し、ｔ^ＡＰ１は、０、１又は２を表し、＊は、結合手を表す。）
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の配向助剤と、負の誘電率異方性を有する液晶分子とを含有することを特徴とする液晶組成物。
7. 当該液晶組成物中に含まれる前記配向助剤の量は、０．３〜４．３質量％である請求項６に記載の液晶組成物。
8. さらに、重合性化合物を含有する請求項６又は７に記載の液晶組成物。
9. ２つの基板と、該２つの基板の間に設けられた請求項６〜８のいずれか１項に記載の液晶組成物を含む液晶層とを備えることを特徴とする液晶表示素子。
10. 前記配向助剤は、さらに、少なくとも１つの重合性基を有し、
    前記液晶層は、前記配向助剤の重合物を含む請求項９に記載の液晶表示素子。
11. 前記重合物の厚さは、１２〜１４０ｎｍである請求項１０に記載の液晶表示素子。
12. アクティブマトリックス駆動用である請求項９〜１１のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
13. ＰＳＡ型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型、ＩＰＳ型、ＦＦＳ型又はＥＣＢ型である請求項９〜１２のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
14. 前記２つの基板のうちの少なくとも一方の基板は、配向膜を有さない請求項９〜１３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

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