JP2020036239A - スイッチング回路、ソレノイド駆動回路、チョッパ回路、及び車両用制御装置 - Google Patents
スイッチング回路、ソレノイド駆動回路、チョッパ回路、及び車両用制御装置 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】スルーレートの変更が可能でありながら、部品点数の増加を防止ししてコストアップの防止を図ることが可能なスイッチング回路を提供する。【解決手段】スイッチング回路10は、オン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換える第1スイッチング素子S1と、第1スイッチング素子S1をオフした際のターンオフスルーレートを下げるコンデンサC1、及びコンデンサC1と直列に接続される第2スイッチング素子S2を有する補助回路20と、第2スイッチング素子S2におけるオン/オフ比を制御するゲート駆動回路71と、を備えている。【選択図】図2
Description
この技術は、電流の通電/非通電を切換えるスイッチング回路、そのスイッチング回路を備えたソレノイド駆動回路及びチョッパ回路、そのソレノイド駆動回路を備えた車両用制御装置に関する。
従来、電流の通電/非通電を切換えるスイッチング回路が様々な電子回路に組込まれており、例えば自動車等の車両に搭載される車両用制御装置(いわゆるECU)にあっては、駆動対象をPWM制御するためのスイッチング回路が組込まれている。車両にあっては、例えば複数の車両用制御装置が互いの干渉を避けるためやラジオのノイズを低減するために、国際規格(ISO)等に基づき、それぞれの車両用制御装置が一定以下のノイズに抑えることが求められる。
一般的にスイッチング回路が発生するノイズを低減する手法としては、スイッチング素子のオン/オフ切換え時に発生する電圧変化を滑らかにするため、コンデンサや抵抗を用いてスルーレートを下げるものが主流であるが、スルーレートに基づきノイズの低減とスイッチング損失とがトレードオフの関係となり、つまりノイズを大幅に低減しようとすればスイッチング損失が増加して発熱量が上がってしまう。そのため、回路内に配置するコンデンサや抵抗は、スルーレートを考慮して、その静電容量や抵抗値が選択される。
しかし、スルーレートが一定であると、ノイズとスイッチング損失とのバランスが定まってしまうため、周りの環境に応じてノイズとスイッチング損失とのバランスを変更できない。そのため、複数の抵抗や複数のコンデンサを回路内に配置し、状況に応じて使用する抵抗やコンデンサを切換えるものが提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、上記特許文献1のものは、複数のコンデンサや抵抗を回路内に組込む必要があり、回路が複雑になるだけでなく、部品点数が多くなってコストアップとなるという問題がある。
そこで、スルーレートの変更が可能でありながら、コストアップの防止を図りかつ肥大化の防止を図ることが可能なスイッチング回路、ソレノイド駆動回路、チョッパ回路、及び車両用制御装置を提供することを目的とするものである。
本スイッチング回路は、
オン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換える第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子をオフした際のターンオフスルーレートを下げるコンデンサと、前記コンデンサと直列に接続される第2スイッチング素子と、を有する直列回路と、
前記第2スイッチング素子におけるオン時間及びオフ時間の割合を制御するオン/オフ比制御部と、を備えた。
オン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換える第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子をオフした際のターンオフスルーレートを下げるコンデンサと、前記コンデンサと直列に接続される第2スイッチング素子と、を有する直列回路と、
前記第2スイッチング素子におけるオン時間及びオフ時間の割合を制御するオン/オフ比制御部と、を備えた。
本スイッチング回路によると、第2スイッチング素子のオン/オフ比を変更することで、スルーレートを変更することができるものでありながら、部品点数の増加を防止してコストアップの防止を図ることができる。
以下、本実施形態を図1乃至図7を用いて説明する。図1は本実施形態に係る自動変速機を示す概略図、図2(a)はスイッチング回路を示す回路図、図2(b)は第1スイッチング素子がMOSFETである場合のスイッチング回路を示す回路図、図3はスイッチングの切換えと電圧波形との関係を示すタイムチャート、図4はスイッチング損失とスイッチングノイズとの関係を示す図、図5はインテリジェントパワーデバイスに第1スイッチング素子が組込まれている場合のスイッチング回路を示す回路図、図6は降圧チョッパ回路を示す回路図、図7は複数のソレノイド駆動回路を示す回路図である。
[自動変速機の概略]
まず、車両用駆動装置の一例である自動変速機1の概略構成について図1を用いて説明する。図1に示すように、例えばFFタイプ(フロントエンジン、フロントドライブ)の車両に用いて好適な自動変速機1は、変速機構5と、エンジン2と変速機構5との間に介在されるトルクコンバータ4と、それらを油圧制御するための油圧制御装置6とを有する変速装置3を備えて構成されている。また、油圧制御装置6には、リニアソレノイドバルブSL1、リニアソレノイドバルブSL2、・・・を含む複数のソレノイドバルブが備えられており、変速機構5のクラッチやブレーキ、トルクコンバータ4のロックアップクラッチなどに供給する油圧(係合圧)を電子制御により調圧する。
まず、車両用駆動装置の一例である自動変速機1の概略構成について図1を用いて説明する。図1に示すように、例えばFFタイプ(フロントエンジン、フロントドライブ)の車両に用いて好適な自動変速機1は、変速機構5と、エンジン2と変速機構5との間に介在されるトルクコンバータ4と、それらを油圧制御するための油圧制御装置6とを有する変速装置3を備えて構成されている。また、油圧制御装置6には、リニアソレノイドバルブSL1、リニアソレノイドバルブSL2、・・・を含む複数のソレノイドバルブが備えられており、変速機構5のクラッチやブレーキ、トルクコンバータ4のロックアップクラッチなどに供給する油圧(係合圧)を電子制御により調圧する。
また、自動変速機1には、車両用制御装置の一例である制御部(ECU)100が備えられており、制御部100は車両の電源であるバッテリ200の正極にコネクタ端子101を介して接続され、また、コネクタ端子102を介して車体等のアース(グランド)として接続され、最終的にバッテリ200の負極に接続される。また、制御部100には、降圧チョッパ回路120、制御回路110、各ソレノイドバルブに対応した複数のソレノイド駆動回路130、制御部100内部の温度を検出する温度センサ140が備えられており、降圧チョッパ回路120は、バッテリ200の12V電圧を例えば5V電圧に降圧し、制御回路110や各ソレノイド駆動回路130に供給する。
制御回路110には、CPU111、RAM112、ROM113等が備えられており、ROM113等に格納されたプログラムを読み込んで、RAM112に一時的にデータを格納しながらCPU111によって各種の演算を行う。演算の内容としては、例えば車速やアクセル開度に応じて変速判断を行い、係合/開放するクラッチやブレーキの油圧サーボに供給する係合圧を調圧するように、各ソレノイドバルブに対応するソレノイド駆動回路130に指令を出力する。そして、各ソレノイド駆動回路130は、制御回路110からの指令に応じて詳しくは後述するようにPWM制御を行って、各ソレノイドバルブのコイルに供給する電流を制御することで、油圧の調圧を行う。
[スイッチング回路]
ついで、本実施形態に係るスイッチング回路10について説明する。なお、図2に示すスイッチング回路10は、制御部100における降圧チョッパ回路120や各ソレノイド駆動回路130などに組込まれるスイッチングを行う部分を抜き出したものである。勿論であるが、降圧チョッパ回路120や各ソレノイド駆動回路130に用いられるものにだけに限らず、例えばモータ・ジェネレータの駆動回路、インバーター回路などに用いてもよく、さらには、どのような回路に組込まれてもよいものである。
ついで、本実施形態に係るスイッチング回路10について説明する。なお、図2に示すスイッチング回路10は、制御部100における降圧チョッパ回路120や各ソレノイド駆動回路130などに組込まれるスイッチングを行う部分を抜き出したものである。勿論であるが、降圧チョッパ回路120や各ソレノイド駆動回路130に用いられるものにだけに限らず、例えばモータ・ジェネレータの駆動回路、インバーター回路などに用いてもよく、さらには、どのような回路に組込まれてもよいものである。
図2(a)に示すように、スイッチング回路101は、例えばバッテリの正極に接続される配線11と、接続対象(制御対象)に接続される配線12と、の間に第1スイッチング素子S1を備えている。また、スイッチング回路101は、上記第1スイッチング素子S1に並列で接続される補助回路20を備えている。補助回路20は、配線21、コンデンサC1、配線22、第2スイッチング素子S2、配線23を直列接続で備えており、詳細には、上記配線11に接続点25で接続された配線21を介してコンデンサC1の一方の極が配線11に接続され、コンデンサC1の他方の極が配線22に接続され、第2スイッチング素子S2が、配線22と上記配線12に接続点26で接続された配線23との間に介在されて配設されている。
このように構成されたスイッチング回路101は、第1スイッチング素子S1がオン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換えると共に、オン/オフ制御におけるオン/オフ比を制御することで配線12の電圧を制御する。図3に示すように、この第1スイッチング素子S1がオン/オフ制御される際にあっては、例えば時点t1までにおいて、第2スイッチング素子S2がオンされていると、コンデンサC1に蓄えられた電荷が放電されるため、特に第1スイッチング素子S1がオフされる際におけるターンオフスルーレートが低くなり、電圧Vの波形における立ち上がりの傾斜が緩くなる。
また、例えば時点t1から時点t2までのように、第2スイッチング素子S2がオフされていると、補助回路20を備えていない状態と同じ状態となり、第2スイッチング素子S2がオンされている場合に比してターンオフスルーレートが高くなり、電圧Vの波形における立ち上がりの傾斜が急となる。その後、同様に例えば時点t2に第2スイッチング素子S2がオンされると、ターンオフスルーレートが小さくなり、例えば時点t3に第2スイッチング素子S2がオフされると、ターンオフスルーレートが大きくなる。
このようにターンオフスルーレートが低くなると、高い場合に比して、スイッチング損失は大きくなってスイッチング回路101における発熱量も大きくなるが、第1スイッチング素子S1のオフ時に発生するノイズは小さくなる。反対に、ターンオフスルーレートが高くなると、低い場合に比して、スイッチング損失は小さくなってスイッチング回路101にける発熱量も小さくなるが、第1スイッチング素子S1のオフ時に発生するノイズは大きくなる。
スイッチング回路を実際に構成する場合には、図2(b)に示すスイッチング回路102のように、第1スイッチング素子S1及び第2スイッチング素子S2をゲート端子Gに作用する電圧によって、ソース端子S・ドレイン端子D間の電流を制御する電界効果トランジスタの一種であるMOSFETにより構成できる。MOSFETで構成された第1スイッチング素子S1は、ドレイン端子D、ゲート端子G、ソース端子Sを有しており、ドレイン端子Dが配線11に接続され、ゲート端子GがPWM信号を印可するゲート駆動回路41に接続され、ソース端子Sが配線12に接続されている。また、MOSFETで構成された第2スイッチング素子S2は、同じくドレイン端子D、ゲート端子G、ソース端子Sを有しており、ドレイン端子Dが配線22を介してコンデンサC1に接続され、ゲート端子GがPWM信号を印可するゲート駆動回路(オン/オフ比制御部)71に接続され、ソース端子Sが配線23に接続されている。なお、ゲート駆動回路41やゲート駆動回路71には、上記制御回路110からPWM制御の信号が入力され、その信号に基づきPWM信号を生成する。
このように構成されたスイッチング回路102は、第1スイッチング素子S1がPWM制御によってオン/オフ比が変更可能となるようにオン/オフ制御され、また、第2スイッチング素子S2がPWM制御によってオン/オフ比が変更可能となるようにオン/オフ制御される。このように第2スイッチング素子S2のオン/オフ比が0〜100%の間で変更可能であることで、図4に示すように、オン/オフ比が100%(つまり第2スイッチング素子S2がオンされた状態)である図4中の点Dumaxにおいて、第1スイッチング素子S1のターンオフスルーレートが最も低くなり、スイッチングノイズが最も小さくなると共にスイッチング損失が最も大きくなる。反対に、オン/オフ比が0%(つまり第2スイッチング素子S2がオフされた状態)である図4中の点Duminにおいて、第1スイッチング素子S1のターンオフスルーレートが最も高くなり、スイッチングノイズが最も大きくなると共にスイッチング損失が最も小さくなる。そして、ゲート駆動回路71によってオン/オフ比が自在に変更されることでターンオフスルーレートの値を自在に変更でき、図4中の矢印X1−X2で示すように、スイッチング損失とスイッチングノイズとの関係において、任意の状態を選択できる。これにより、例えばスイッチングノイズを低減したい場合、反対にスイッチング損失を低減したい場合等に、複数のコンデンサを回路内に必要とすることなく、つまりコストアップやスイッチング回路の肥大化を招くことなく、ターンオフスルーレートを自在に変更できる。
[インテリジェントパワーデバイスを用いる場合]
続いて、パワーモジュールの一例であるインテリジェントパワーデバイス(以下、「IPD」という)に第1スイッチング素子S1が組込まれている場合について図5を用いて説明する。なお、IPDは、ハイサイドスイッチ、ローサイドスイッチ、ゲートドライブスイッチなどの、いずれの用途のものであっても構わないが、図5に示すIPD40においては、本実施形態に係る必要な構成だけを示し、他の構成は省略して示している。また、図5においては、図2と同様な構成に同符号を付して示している。
続いて、パワーモジュールの一例であるインテリジェントパワーデバイス(以下、「IPD」という)に第1スイッチング素子S1が組込まれている場合について図5を用いて説明する。なお、IPDは、ハイサイドスイッチ、ローサイドスイッチ、ゲートドライブスイッチなどの、いずれの用途のものであっても構わないが、図5に示すIPD40においては、本実施形態に係る必要な構成だけを示し、他の構成は省略して示している。また、図5においては、図2と同様な構成に同符号を付して示している。
図5に示すように、スイッチング回路10において、IPD40には、第1スイッチング素子S1とゲート駆動回路41とが組込まれている。即ち、IPD40は、電源電圧端子(VDD)40A、入力端子(IN)40B、出力端子(OUT)40Cを有しており、電源電圧端子40Aには配線11が接続され、入力端子40Bには図示を省略した配線を介して制御回路110が接続され、出力端子40Cには配線12が接続されている。そして、上述した補助回路20はIPD40の外部において、配線11に接続点25で接続され、配線12に接続点26で接続されており、つまりコンデンサC1及び第2スイッチング素子S2は、IPD40の外部に配置されている。
例えば特開2013−17078号公報(図10参照)のように、ターンオフスルーレートを下げるためのコンデンサ(補助回路)はゲート端子とソース端子とに接続されるものであっても同様の効果を得ることが可能であり、特に車両等に搭載される場合、ゲート端子に印可される電圧(例えば5V)はドレイン端子に印可される電圧(例えば12V)よりも低いため、コンデンサの静電容量を小さいものにすることが可能である。しかしながら、ゲート端子とソース端子とにコンデンサを接続しようとする場合は、IPD40に組込む必要があり、或いはIPDを専用に設計し直してコンデンサを接続できるようにしなければならない。
本実施形態におけるスイッチング回路10では、補助回路20をドレイン端子Dとソース端子Sとに接続するため、IPD40をそのまま用いることができ、総じてコストダウンを図ることができる。
[降圧チョッパ回路の適用例]
ついで、上記スイッチング回路10を降圧チョッパ回路120に用いた場合について図6を用いて説明する。降圧チョッパ回路120は、上述した制御部100に備えられ(図1参照)、バッテリ200の例えば12Vの電圧を例えば5Vの電圧に降圧し、制御回路110や各ソレノイド駆動回路130のゲート駆動回路41(図7参照)に供給する回路である。
ついで、上記スイッチング回路10を降圧チョッパ回路120に用いた場合について図6を用いて説明する。降圧チョッパ回路120は、上述した制御部100に備えられ(図1参照)、バッテリ200の例えば12Vの電圧を例えば5Vの電圧に降圧し、制御回路110や各ソレノイド駆動回路130のゲート駆動回路41(図7参照)に供給する回路である。
図6に示すように、降圧チョッパ回路120は、バッテリ200の正極にコネクタ端子101を介して配線11が接続された形でスイッチング回路10を有しており、配線12には、接続点58を介して配線51及び配線53が接続されている。配線51にはダイオードDI1が接続され、ダイオードDI1は配線52を介してグランドgr1に接地され、つまりダイオードDI1がスイッチング回路10とグランドgr1との間に配置されている。また、配線53には、コイル等で構成されるインダクタIDが接続され、抵抗Rには配線54が接続され、さらに、配線54には、接続点59を介して配線55及び配線56が接続されている。配線56にはコンデンサC2の一方の極が接続され、コンデンサC2の他方の極は配線57を介してグランドgr2に接地されている。つまり、コンデンサC2は、配線55とグランドgr2との間に介在されている。そして、配線55は、電源出力端子Vccに接続されている。
このように構成された降圧チョッパ回路120は、第1スイッチング素子S1がデューティ制御されることで、バッテリ200からのインダクタID1への通電とグランドgr1からのインダクタIDへの接地とを交互に切換えて配線55における電圧を設定すると共に、コンデンサC2により配線55の電圧が平滑され、電源出力端子Vccから安定して降圧された電圧の電力が出力される。
この降圧チョッパ回路120においても、第2スイッチング素子S2のオン/オフ比を変更することで、第1スイッチング素子S1のターンオフスルーレートを変更でき、スイッチング損失とスイッチングノイズとの関係を任意に設定できる。従って、制御部100(スイッチング回路10)における温度(温度センサ140により検出される温度)が低い場合には、第2スイッチング素子S2のオン時間の割合を高くして、スイッチングノイズを低く抑えることができ、制御部100(スイッチング回路10)における温度が高い場合には、第2スイッチング素子S2のオン時間の割合を低くして、第1スイッチング素子S1のスイッチング損失を低く抑えることができる。
また、降圧チョッパ回路120を製造した後、評価試験を行ってスイッチングノイズが、例えば国際規格で定められた値や車両搭載メーカで要求される値など、規定された値よりも高い場合にあっても、コンデンサC1を取り換えるといった降圧チョッパ回路の作り直しが不要であり、ソフトウェアを変更してオン時間及びオフ時間の割合の変更範囲を設定するだけで、スイッチングノイズを既定された値の範囲内に抑えることが可能となる。
[ソレノイド駆動回路の適用例]
続いて、上記スイッチング回路10をソレノイド駆動回路130に用いた場合について図7を用いて説明する。ソレノイド駆動回路130は、上述した制御部100に備えられ(図1参照)、各ソレノイドバルブの励磁電力、具体的にはリニアソレノイドバルブSL1やリニアソレノイドバルブSL2のコイル92に供給する電流を制御する回路である。
続いて、上記スイッチング回路10をソレノイド駆動回路130に用いた場合について図7を用いて説明する。ソレノイド駆動回路130は、上述した制御部100に備えられ(図1参照)、各ソレノイドバルブの励磁電力、具体的にはリニアソレノイドバルブSL1やリニアソレノイドバルブSL2のコイル92に供給する電流を制御する回路である。
図7に示すように、制御部100には、リニアソレノイドバルブSL1を駆動制御するソレノイド駆動回路1301とリニアソレノイドバルブSL2を駆動制御するソレノイド駆動回路1302とが備えられている。なお、図7に示す回路では、2本のリニアソレノイドバルブSL1,SL2についてだけ示しているが、基本的にソレノイド駆動回路130は、各ソレノイドバルブに対応した数が備えられている。また、ソレノイド駆動回路1301とソレノイド駆動回路1302とは、同様の構成であるので、一方の説明だけで、重複説明は省略する。
ソレノイド駆動回路1301は、バッテリ200の正極にコネクタ端子101を介して配線191が接続されており、配線191に配線11が接続された形でスイッチング回路10を有しており、配線12には、接続点69を介して配線61及び配線63が接続されている。配線61にはダイオードDI2が接続され、ダイオードDI2は配線62を介してグランドgr3に接地され、つまりダイオードDI2がスイッチング回路10とグランドgr3との間に配置されている。また、配線63には、図示を省略した配線ケーブルを介してリニアソレノイドバルブSL1の配線91が接続されている。リニアソレノイドバルブSL1において、配線91は図示を省略したプランジャを励磁して駆動するコイル92の一端に接続されており、コイル92の他端はグランドgr4に接地されている。
このように構成されたソレノイド駆動回路1301は、第1スイッチング素子S1がPWM制御されることで、バッテリ200からのコイル92への通電とグランドgr4からのコイル92への接地とを交互に切換えてコイル92に供給する電圧を設定する。従って、第1スイッチング素子S1がPWM制御によってオン/オフ比を変更することで、リニアソレノイドバルブSL1のコイル92に供給される電力が設定され、コイル92による励磁力が制御されることで、ポートの開閉量を調整するスプールがプランジャによって押圧駆動され、リニアソレノイドバルブSL1における油圧の調圧が行われる。
このソレノイド駆動回路130においても、第2スイッチング素子S2のオン時間及びオフ時間の割合を変更することで、第1スイッチング素子S1のターンオフスルーレートを変更でき、スイッチング損失とスイッチングノイズとの関係を任意に設定できる。従って、制御部100における温度が低い場合には、第2スイッチング素子S2のオン時間の割合を高くして、第1スイッチング素子S1のスイッチングノイズを低く抑えることができ、制御部100における温度が高い場合には、第2スイッチング素子S2のオン時間の割合を低くして、スイッチング損失を低く抑えることができる。
ところで、例えば自動変速機1のようにソレノイドバルブが複数備えられている場合は、ソレノイド駆動回路130も対応した数が備えられていることになるが、例えば変速を行う場合は、油圧を調圧するソレノイドバルブとそのままの状態(油圧の非出力状態又は出力状態)を維持するソレノイドバルブとがある。
そのため、状態を維持する(油圧の供給状態を維持している)ソレノイドバルブを駆動制御するソレノイド駆動回路130においては、第2スイッチング素子S2のオン時間の割合を低くする。これにより、一回のオン/オフ切換えについてはスイッチングノイズが高くなるとしても、オン/オフ切換えの回数が少なく、かつ第1スイッチング素子S1が制御する電圧も低いため、総じてスイッチングノイズが低く抑えられる。一方、油圧を調圧しているソレノイドバルブを駆動制御するソレノイド駆動回路130においては、第2スイッチング素子S2のオン時間の割合を高くする。これにより、オン/オフ切換えにおけるスイッチングノイズが低くなる。このように、各ソレノイド駆動回路130において、第2スイッチング素子S2のオン/オフ比をそれぞれ別に設定することで、制御部100全体のスイッチングノイズを低減しつつ、スイッチング損失による発熱も抑えられ、制御部100の温度を良好な状態に保つことができる。
また、制御部100の温度が高い場合には、複数のソレノイド駆動回路130において全体的にオン時間の割合の平均を低くしたり、反対に制御部100の温度が低い場合には、複数のソレノイド駆動回路130において全体的にオン時間の割合の平均を高くしたりすることも可能である。これにより、制御部100の温度が高温になってしまうことを防止でき、制御部100の保護を図ることができる。
さらに、制御部100全体のスイッチングノイズが高い場合には、複数のソレノイド駆動回路130において全体的にオン時間の割合の平均を高くしたり、反対に制御部100全体のスイッチングノイズが低い場合には、複数のソレノイド駆動回路130において全体的にオン時間の割合の平均を低くしたりすることも可能である。これにより、制御部100から発生するスイッチングノイズを規定された値の範囲内に抑えることができる。
また同様に、ソレノイド駆動回路130を製造した後、評価試験を行ってスイッチングノイズが、例えば国際規格で定められた値や車両搭載メーカで要求される値など、規定された値よりも高い場合にあっても、コンデンサC1を取り換えるといったソレノイド駆動回路の作り直しが不要であり、ソフトウェアを変更してオン/オフ比の変更範囲を設定するだけで、スイッチングノイズを既定された値の範囲内に抑えることが可能となる。
[本実施形態のまとめ]
本スイッチング回路(10)は、
オン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換える第1スイッチング素子(S1)と、
前記第1スイッチング素子(S1)をオフした際のターンオフスルーレートを下げるコンデンサ(C1)と、前記コンデンサ(C1)と直列に接続される第2スイッチング素子(S2)と、を有する直列回路(20)と、
前記第2スイッチング素子(S2)におけるオン時間及びオフ時間の割合を制御するオン/オフ比制御部(71)と、を備えた。
本スイッチング回路(10)は、
オン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換える第1スイッチング素子(S1)と、
前記第1スイッチング素子(S1)をオフした際のターンオフスルーレートを下げるコンデンサ(C1)と、前記コンデンサ(C1)と直列に接続される第2スイッチング素子(S2)と、を有する直列回路(20)と、
前記第2スイッチング素子(S2)におけるオン時間及びオフ時間の割合を制御するオン/オフ比制御部(71)と、を備えた。
これにより、第2スイッチング素子S2のオン時間及びオフ時間の割合を変更することで、ターンオフスルーレートを変更することができるものでありながら、コンデンサを複数備えることを不要として、コストアップの防止と肥大化の防止を図ることができる。
また、本スイッチング回路(10)は、
前記第1スイッチング素子(S1)は、電界効果トランジスタであり、
前記直列回路(20)は、一端が前記第1スイッチング素子(S1)のドレイン端子(D)に、他端が前記第1スイッチング素子(S1)のソース端子(S)に接続された。
前記第1スイッチング素子(S1)は、電界効果トランジスタであり、
前記直列回路(20)は、一端が前記第1スイッチング素子(S1)のドレイン端子(D)に、他端が前記第1スイッチング素子(S1)のソース端子(S)に接続された。
これにより、第2スイッチング素子S2がオンされた際に、補助回路20のコンデンサC2に第1スイッチング素子S1のドレイン端子Dとソース端子Sとの間の電圧で生じる電荷を溜めることができ、第2スイッチング素子S2のオン/オフ比を変更することで、第1スイッチング素子S1のターンオフスルーレートを変更することができる。
また、本スイッチング回路(10)は、
前記第1スイッチング素子(S1)は、前記第1スイッチング素子(S1)のゲート駆動回路(41)と共にパワーモジュール(40)の内部に組込まれ、
前記直列回路(20)は、前記パワーモジュール(40)の外部に配置された。
前記第1スイッチング素子(S1)は、前記第1スイッチング素子(S1)のゲート駆動回路(41)と共にパワーモジュール(40)の内部に組込まれ、
前記直列回路(20)は、前記パワーモジュール(40)の外部に配置された。
これにより、ターンオフスルーレートを変更することが可能となるものでありながら、IPD40を設計変更することなく、そのまま用いることができ、コストダウンを図ることができる。
また、本スイッチング回路(10)は、
前記オン/オフ比制御部は、温度が高いほど、前記オフ時間の割合が大きくなるように制御される。
前記オン/オフ比制御部は、温度が高いほど、前記オフ時間の割合が大きくなるように制御される。
これにより、スイッチング回路10の温度が高くなり過ぎることを防止することができ、スイッチング回路10の保護を図ることができる。また、スイッチング回路10の温度が低い場合には、スイッチングノイズを低くすることもできる。
また、本ソレノイド駆動回路(130)は、
前記スイッチング回路(10)を有し、
前記スイッチング回路(10)がソレノイドバルブ(SL1,SL2)のコイル(92)に供給する電力を調整する。
前記スイッチング回路(10)を有し、
前記スイッチング回路(10)がソレノイドバルブ(SL1,SL2)のコイル(92)に供給する電力を調整する。
これにより、リニアソレノイドバルブSL1,SL2を駆動制御する際における各ソレノイド駆動回路130で発生するターンオフスルーレートを変更することができ、スイッチングノイズとスイッチング損失との関係を自在に設定することができる。
また、本チョッパ回路(120)は、
前記スイッチング回路(10)を有し、
前記スイッチング回路(10)によって電源(200)の電圧を変圧する。
前記スイッチング回路(10)を有し、
前記スイッチング回路(10)によって電源(200)の電圧を変圧する。
これにより、バッテリ200の電圧を変圧する際における降圧チョッパ回路120で発生するターンオフスルーレートを変更することができ、スイッチングノイズとスイッチング損失との関係を自在に設定することができる。
また、本車両用制御装置(100)は、
車両用駆動装置(1)に搭載された複数のソレノイドバルブ(SL1,SL2)を制御する車両用制御装置(100)において、
前記ソレノイド駆動回路(130)を複数と、
前記複数のソレノイド駆動回路(130)における各前記オン/オフ比制御部(71)に対し、全体のノイズ発生量が大きいほど、前記複数のソレノイド駆動回路(130)の前記オン/オフ比制御部(71)のオン時間の割合の平均が大きくなるように制御する制御回路(110)と、を備えた。
車両用駆動装置(1)に搭載された複数のソレノイドバルブ(SL1,SL2)を制御する車両用制御装置(100)において、
前記ソレノイド駆動回路(130)を複数と、
前記複数のソレノイド駆動回路(130)における各前記オン/オフ比制御部(71)に対し、全体のノイズ発生量が大きいほど、前記複数のソレノイド駆動回路(130)の前記オン/オフ比制御部(71)のオン時間の割合の平均が大きくなるように制御する制御回路(110)と、を備えた。
これにより、制御部100全体のスイッチングノイズが高くなることを防止することができ、スイッチングノイズを規定された値の範囲内に抑えることができる。
そして、本車両用制御装置(100)は、
車両用駆動装置(1)に搭載された、油圧を調圧する複数のソレノイドバルブ(SL1,SL2)を制御する車両用制御装置(100)において、
前記ソレノイド駆動回路(130)を複数と、
前記複数のソレノイド駆動回路(130)における各前記オン/オフ比制御部(71)に対し、前記複数のソレノイドバルブのうちの油圧を調圧しているソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する前記オン/オフ比制御部(71)のオン時間の割合よりも、前記複数のソレノイドバルブのうちの油圧を調圧していないソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する前記オン/オフ比制御部(71)のオン時間の割合が大きくなるように制御する制御回路(110)と、を備えた。
車両用駆動装置(1)に搭載された、油圧を調圧する複数のソレノイドバルブ(SL1,SL2)を制御する車両用制御装置(100)において、
前記ソレノイド駆動回路(130)を複数と、
前記複数のソレノイド駆動回路(130)における各前記オン/オフ比制御部(71)に対し、前記複数のソレノイドバルブのうちの油圧を調圧しているソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する前記オン/オフ比制御部(71)のオン時間の割合よりも、前記複数のソレノイドバルブのうちの油圧を調圧していないソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する前記オン/オフ比制御部(71)のオン時間の割合が大きくなるように制御する制御回路(110)と、を備えた。
これにより、油圧の供給状態を維持しているソレノイドバルブのターンオフスルーレートを、油圧を調圧しているソレノイドバルブのターンオフスルーレートよりも下げて、油圧を調圧しているソレノイドバルブの応答性を確保しつつ、制御部100全体のスイッチングノイズが高くなることを防止することができる。また、スイッチング損失による発熱も抑えられ、制御部100の温度を良好な状態に保つことができる。
[他の実施形態の可能性]
なお、以上説明した本実施形態においては、補助回路20(コンデンサC1)を第1スイッチング素子S1のドレイン端子Dとソース端子Sとに接続するものを説明したが、特に市販されたパワーモジュールをそのまま用いないのであれば、補助回路20を第1スイッチング素子S1のゲート端子Gとソース端子Sとに接続するようにしてもよい。
なお、以上説明した本実施形態においては、補助回路20(コンデンサC1)を第1スイッチング素子S1のドレイン端子Dとソース端子Sとに接続するものを説明したが、特に市販されたパワーモジュールをそのまま用いないのであれば、補助回路20を第1スイッチング素子S1のゲート端子Gとソース端子Sとに接続するようにしてもよい。
また、本実施形態においては、第1スイッチング素子S1や第2スイッチング素子S2をMOSFETで構成する場合を具体例として説明したが、これに限らず、IGBT等、どのようなスイッチング素子を用いても構わず、さらに電界効果トランジスタに限らず、オン/オフ切換えのオン/オフ比を変更できるスイッチング素子であれば、どのようなスイッチング素子であっても構わない。
また、本実施形態においては、パワーモジュールとして、インテリジェントパワーモジュールデバイス(IPD)を用いたものを説明したが、これに限らず、どのようなパワーモジュールで構成してもよく、アナログ式でクロック周波数を変更するような回路構成でも構わない。
また、本実施形態においては、制御部100の温度を温度センサ140により検出するものを説明したが、これに限らず、車両に搭載された温度センサの値を用いる等、どのように温度を検出しても構わない。
また、本実施形態においては、降圧チョッパ回路120にスイッチング回路10を搭載したものを説明したが、反対に昇圧チョッパ回路にスイッチング回路10を搭載しても構わない。
また、本実施形態においては、温度センサ140は、制御部100内部の温度を検出するものを説明したが、第1スイッチング素子S1の温度を直接検出したり、第1スイッチング素子に流れた電流などから温度を推定するようにしてもよい。
また、本実施形態においては、車両用駆動装置として自動変速機1を一例に説明したが、これに限らず、ハイブリッド駆動装置、電気自動車の駆動ユニットなど、どのようなものであっても構わない。また、特にハイブリッド駆動装置や電気自動車にあっては、バッテリが12Vの電圧とは限らず、144Vや288Vの電圧のバッテリを電源として用いても構わない。
また、本実施形態においては、スイッチング回路を車両に搭載されるものとして説明したが、これに限らず、どのような電子機器に搭載しても構わない。
1…車両用駆動装置(自動変速機)
10…スイッチング回路
20…直列回路(補助回路)
40…パワーモジュール(インテリジェントパワーモジュールデバイス)
71…オン/オフ比制御部(ゲート駆動回路)
92…コイル
100…車両用制御装置(制御部)
110…制御回路
120…チョッパ回路(降圧チョッパ回路)
130…ソレノイド駆動回路
200…電源(バッテリ)
C1…コンデンサ
S1…第1スイッチング素子
S2…第2スイッチング素子
D…ドレイン端子
S…ソース端子
SL1,SL2…ソレノイドバルブ(リニアソレノイドバルブ)
10…スイッチング回路
20…直列回路(補助回路)
40…パワーモジュール(インテリジェントパワーモジュールデバイス)
71…オン/オフ比制御部(ゲート駆動回路)
92…コイル
100…車両用制御装置(制御部)
110…制御回路
120…チョッパ回路(降圧チョッパ回路)
130…ソレノイド駆動回路
200…電源(バッテリ)
C1…コンデンサ
S1…第1スイッチング素子
S2…第2スイッチング素子
D…ドレイン端子
S…ソース端子
SL1,SL2…ソレノイドバルブ(リニアソレノイドバルブ)
Claims (8)
- オン/オフ制御されることで電流の通電/非通電を切換える第1スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子をオフした際のターンオフスルーレートを下げるコンデンサと、前記コンデンサと直列に接続される第2スイッチング素子と、を有する直列回路と、
前記第2スイッチング素子におけるオン時間及びオフ時間の割合を制御するオン/オフ比制御部と、を備えた、
スイッチング回路。 - 前記第1スイッチング素子は、電界効果トランジスタであり、
前記直列回路は、一端が前記第1スイッチング素子のドレイン端子に、他端が前記第1スイッチング素子のソース端子に接続された、
請求項1に記載のスイッチング回路。 - 前記第1スイッチング素子は、前記第1スイッチング素子のゲート駆動回路と共にパワーモジュールの内部に組込まれ、
前記直列回路は、前記パワーモジュールの外部に配置された、
請求項2に記載のスイッチング回路。 - 前記オン/オフ比制御部は、温度が高いほど、前記オフ時間の割合が大きくなるように制御する、
請求項1ないし3のいずれか1項に記載のスイッチング回路。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のスイッチング回路を有し、
前記スイッチング回路がソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する、
ソレノイド駆動回路。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載のスイッチング回路を有し、
前記スイッチング回路によって電源の電圧を変圧する、
チョッパ回路。 - 車両用駆動装置に搭載された複数のソレノイドバルブを制御する車両用制御装置において、
請求項5に記載のソレノイド駆動回路を複数と、
前記複数のソレノイド駆動回路における各前記オン/オフ比制御部に対し、全体のノイズ発生量が大きいほど、前記複数のソレノイド駆動回路の前記オン/オフ比制御部のオン時間の割合の平均が大きくなるように制御する制御回路と、を備えた、
車両用制御装置。 - 車両用駆動装置に搭載された、油圧を調圧する複数のソレノイドバルブを制御する車両用制御装置において、
請求項5に記載のソレノイド駆動回路を複数と、
前記複数のソレノイド駆動回路における各前記オン/オフ比制御部に対し、前記複数のソレノイドバルブのうちの油圧を調圧しているソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する前記オン/オフ比制御部のオン時間の割合よりも、前記複数のソレノイドバルブのうちの油圧を調圧していないソレノイドバルブのコイルに供給する電力を調整する前記オン/オフ比制御部のオン時間の割合が大きくなるように制御する制御回路と、を備えた、
車両用制御装置。
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JP2018162187A JP2020036239A (ja) | 2018-08-30 | 2018-08-30 | スイッチング回路、ソレノイド駆動回路、チョッパ回路、及び車両用制御装置 |
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