JP2019528201A - Protecting electronic devices - Google Patents

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Abstract

本発明は、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む層で少なくとも部分的に覆われている、好ましくは完全に覆われている電子デバイスに関する。本発明はまた、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む層を伴う少なくとも1つのガスバリアフィルムを含む電子デバイス用の保護フィルムに関する。【選択図】図2The present invention relates to an electronic device which is at least partially covered, preferably completely covered, with a layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride. The invention also relates to a protective film for an electronic device comprising at least one gas barrier film with a layer comprising a polymer having a repeating unit derived from vinylidene fluoride. [Selection] Figure 2

Description

本発明は、例えば溶解、腐食、酸化劣化、研磨摩擦などの物理化学的起源の潜在的な攻撃に対する電子デバイス、特に光電子デバイスの保護に関する。   The present invention relates to the protection of electronic devices, in particular optoelectronic devices, against potential attacks of physicochemical origin such as dissolution, corrosion, oxidative degradation, abrasive friction and the like.

電子デバイスは、電子回路において1つまたは複数の機能を実行することができる単一の電子部品または電子部品のセットのいずれかである。   An electronic device is either a single electronic component or a set of electronic components that can perform one or more functions in an electronic circuit.

好ましくは、本発明の文脈において、電子デバイスは、より具体的には光電子デバイス、すなわち電磁放射を放出、検出または制御することが可能である。   Preferably, in the context of the present invention, the electronic device is more specifically capable of emitting, detecting or controlling optoelectronic devices, ie electromagnetic radiation.

本発明による電子デバイス、または適用可能な場合には光電子デバイスの例は、トランジスタ、チップ、電池、光起電力素子、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)、センサ、アクチュエータ、変圧器および検出器である。   Examples of electronic devices according to the invention, or optoelectronic devices where applicable, include transistors, chips, batteries, photovoltaic elements, light emitting diodes (LEDs), organic light emitting diodes (OLEDs), sensors, actuators, transformers and It is a detector.

電子および光電子デバイスは、多くの電子機器、機器またはサブアセンブリ、ならびにテレビジョンセット、携帯電話、リジッドまたはフレキシブルスクリーン、薄膜光起電力素子モジュール、光源、エネルギーセンサおよび変換器などのような多くの目的および用途において使用および集積化される。   Electronic and optoelectronic devices are used for many purposes such as many electronic devices, equipment or subassemblies, as well as television sets, mobile phones, rigid or flexible screens, thin film photovoltaic element modules, light sources, energy sensors and converters, etc. And used and integrated in applications.

電子デバイスおよび光電子デバイスは、水蒸気や酸素などの液体や気体の侵入、衝撃、熱機械的ストレス、特に温度変化、摩擦、粒子などの異物との接触などに関連するものによって引き起こされる物理化学的攻撃を受けて、変質、劣化、効率の低下、または機能低下といった影響を受けやすい。   Electronic and optoelectronic devices are physicochemical attacks caused by liquids and gases such as water vapor and oxygen, impacts, thermomechanical stress, especially those related to temperature changes, friction, contact with foreign objects such as particles, etc. Are susceptible to alterations, deterioration, reduced efficiency, or reduced functionality.

これらの問題を回避するために、特に水や酸素といった大気中の酸化剤に関して、
部材の各層が、デバイスを保護する特定の機能を有する多層積層体の形態をしばしば伴う固体保護層によって電子デバイスを覆うか封止することが知られている。
To avoid these problems, especially for atmospheric oxidants such as water and oxygen,
It is known that each layer of a member covers or seals an electronic device with a solid protective layer often accompanied by the form of a multilayer stack having a specific function to protect the device.

2つの主な封止技術が知られている。   Two main sealing techniques are known.

最も一般的な第1の技術は、ポリマー基板上に配置された1つ以上のガスバリア層を含むガスバリアフィルムを提供することからなる。バリアフィルムは、接着層を介してデバイスに直接貼り付けられる。バリアフィルムのポリマー基板に局所的な欠陥がある場合、堆積したガスバリア構造の有効性が損なわれる可能性がある。したがって、基板の欠陥密度を減少させ、それによって次に堆積される高密度ガスバリア層の品質を向上させるために、平坦化層を使用することが知られている。この点に関して、Fahlteichらによる論文(非特許文献1)を参照することができる。   The most common first technique consists of providing a gas barrier film that includes one or more gas barrier layers disposed on a polymer substrate. The barrier film is directly attached to the device via the adhesive layer. If there are local defects in the polymer substrate of the barrier film, the effectiveness of the deposited gas barrier structure can be compromised. Therefore, it is known to use a planarization layer to reduce the defect density of the substrate and thereby improve the quality of the subsequently deposited high density gas barrier layer. In this regard, reference can be made to a paper by Fahlteich et al.

米国特許出願公開第2014/0264297号明細書US Patent Application Publication No. 2014/0264297 国際公開第2007/080338号International Publication No. 2007/080338 国際公開第2001/032726号International Publication No. 2001/032726 米国特許第6586547号明細書US Pat. No. 6,586,547

J. Fahlteich, S. Mogck, T. Wanski, N. Schiller, S. Amberg-Schwab, U. Weber, O. Miesbauer, E.Kuekuecpinar, K. Noller and C. Boeffel, "The Role of Defects in Single and Multi-Layer Barriers for Flexible Electronics," SVC Bulletin Fall 2014, pp. 36-43, 2014.J. Fahlteich, S. Mogck, T. Wanski, N. Schiller, S. Amberg-Schwab, U. Weber, O. Miesbauer, E. Kuekuepinar, K. Noller and C. Boeffel, "The Role of Defects in Single and Multi-Layer Barriers for Flexible Electronics, "SVC Bulletin Fall 2014, pp. 36-43, 2014.

一般に、この方法は、予め接着剤を付けられたバリア層をデバイス上にラミネートすることによって行われ、接着剤層は封止構造の第一層になる。バリアフィルム上の接着剤層が、デバイスの表面トポロジーに適合するための工程中に固体状態にあることを考えると、この工程はデリケートであり、加えられた圧力によるデバイスの損傷の危険さえある。   In general, this method is performed by laminating a pre-adhered barrier layer onto the device, which becomes the first layer of the sealing structure. Given that the adhesive layer on the barrier film is in the solid state during the process to conform to the surface topology of the device, this process is delicate and there is even a risk of damage to the device due to the applied pressure.

デバイス上に固体または液体接着剤層を塗布し、次いでこの接着剤層上にバリアフィルムを塗布することも可能である。しかしながら、前述の問題は、この代替案においてもそのまま残っている。   It is also possible to apply a solid or liquid adhesive layer on the device and then apply a barrier film on this adhesive layer. However, the aforementioned problems remain in this alternative.

第2の技術は、デバイス上に直接1つ以上のガスバリア層を堆積させることからなる。例えばスピンコーティング、スプレーコーティング、セリグラフィ、フレキソグラフィ、スロットダイコーティング、フィルム延伸(非接触ドクターブレード法または接触によるマイヤーバー法など)といった蒸発工程を含む液体堆積や、インクジェット印刷、真空ガス堆積、前駆体ガスの転換の有無にかかわらず、例えば化学堆積法、CVD(化学蒸着)、PECVD(プラズマ化学気相成長)またはALD(原子層堆積)、およびそれらの組み合わせのようなガスバリア層を堆積するための様々な方法がある。   The second technique consists of depositing one or more gas barrier layers directly on the device. For example, liquid deposition including evaporation processes such as spin coating, spray coating, serigraphy, flexography, slot die coating, film stretching (such as non-contact doctor blade method or contact Meyer bar method), inkjet printing, vacuum gas deposition, precursor To deposit gas barrier layers such as chemical deposition, CVD (chemical vapor deposition), PECVD (plasma chemical vapor deposition) or ALD (atomic layer deposition), and combinations thereof, with or without body gas conversion There are various ways.

米国特許出願公開第2014/0264297号明細書(特許文献1)は、多層バリア構造を堆積する前に、有機発光ダイオード上にアクリレートポリマータイプの平坦化層を使用することを記載している。   US 2014/0264297 describes the use of an acrylate polymer type planarization layer on an organic light emitting diode prior to depositing a multilayer barrier structure.

電子デバイス、特に光電子デバイスの保護をさらに改善する必要がある。   There is a need to further improve the protection of electronic devices, particularly optoelectronic devices.

本発明は、最初に、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む層で、少なくとも部分的に、好ましくは完全に覆われた電子デバイスに関する。   The present invention relates first to an electronic device which is at least partially, preferably completely covered, with a layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride.

一実施形態によれば、フッ化ビニリデンの繰り返し単位を有する前記ポリマーが、好ましくはヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位も含む共重合体である。   According to one embodiment, the polymer having repeating units of vinylidene fluoride is a copolymer that preferably also includes repeating units derived from hexafluoropropylene.

一実施形態によれば、前記共重合体が、モル比にして2〜50%、好ましくは5〜40%のヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位を含む。   According to one embodiment, the copolymer comprises 2 to 50%, preferably 5 to 40% of repeating units derived from hexafluoropropylene in molar ratio.

一実施形態によれば、前記層が1nm〜50μm、好ましくは100nm〜20μmの厚さを有する。   According to one embodiment, the layer has a thickness of 1 nm to 50 μm, preferably 100 nm to 20 μm.

一実施形態によれば、前記層が、20nm以下、より具体的には10nm以下、さらにより好ましくは7nm以下の粗さRを有する。 According to one embodiment, the layer, 20 nm or less, more specifically 10nm or less, even more preferably less roughness R a 7 nm.

一実施形態によれば、前記層が、1つまたは複数の追加の保護層で覆われており、好ましくは少なくとも1つのガスバリア層、または接着剤層および少なくとも1つのガスバリアフィルムで覆われている。   According to one embodiment, the layer is covered with one or more additional protective layers, preferably with at least one gas barrier layer, or an adhesive layer and at least one gas barrier film.

一実施形態によれば、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を含むポリマー層がデバイスの唯一の保護層である。   According to one embodiment, a polymer layer comprising repeating units derived from vinylidene fluoride is the only protective layer of the device.

一実施形態によれば、トランジスタ、チップ、電池、光起電力素子、発光ダイオード、有機発光ダイオード、センサ、アクチュエータ、変圧器および光検出器から選択される電子デバイスであり、好ましくは光電子デバイスであり、さらにより好ましくは有機発光ダイオードまたは有機光起電力素子である。   According to one embodiment, an electronic device selected from transistors, chips, batteries, photovoltaic elements, light emitting diodes, organic light emitting diodes, sensors, actuators, transformers and photodetectors, preferably optoelectronic devices Even more preferred are organic light emitting diodes or organic photovoltaic elements.

本発明はまた、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む層を伴う少なくとも1つのガスバリアフィルムを含む電子デバイス用の保護フィルムに関する。   The invention also relates to a protective film for an electronic device comprising at least one gas barrier film with a layer comprising a polymer having a repeating unit derived from vinylidene fluoride.

一実施形態によれば、少なくとも1つの前記ガスバリアフィルムが無機層を含む。   According to one embodiment, at least one gas barrier film includes an inorganic layer.

一実施形態によれば、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層が、共重合体であり、好ましくはヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位を含む、および/または、モル比にして2〜50%、好ましくは5〜40%のヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位を含む、ことを特徴とする。   According to one embodiment, the layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride is a copolymer, preferably comprising repeating units derived from hexafluoropropylene, and / or in a molar ratio. 2 to 50%, preferably 5 to 40% of repeating units derived from hexafluoropropylene.

一実施形態によれば、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層が、1nm〜50μm、好ましくは100nm〜20μmの厚さを有する、および/または、20nm以下、より具体的には10nm以下、さらにより好ましくは7nm以下の粗さRを有することを特徴とする。 According to one embodiment, the layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride has a thickness of 1 nm to 50 μm, preferably 100 nm to 20 μm, and / or 20 nm or less, more specifically Is characterized by a roughness Ra of 10 nm or less, even more preferably 7 nm or less.

本発明はまた、上記のような電子デバイスの製造方法であって、フッ化ビニリデンの繰り返し単位を含むポリマーを含む溶液または分散液を用意する工程と、前記溶液または前記分散液を表面に堆積させる工程と、蒸発工程とを含む、電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention is also a method for manufacturing an electronic device as described above, comprising the steps of preparing a solution or dispersion containing a polymer containing a repeating unit of vinylidene fluoride, and depositing the solution or the dispersion on the surface The present invention relates to an electronic device manufacturing method including a process and an evaporation process.

一実施形態によれば、前記溶液または前記分散液が前記電子デバイスの表面に直接堆積される。   According to one embodiment, the solution or the dispersion is directly deposited on the surface of the electronic device.

一実施形態によれば、この製造方法は、1つまたは複数の追加の保護層、好ましくは1つまたは複数のガスバリア層を堆積する工程を含む。   According to one embodiment, the manufacturing method includes depositing one or more additional protective layers, preferably one or more gas barrier layers.

一実施形態によれば、この製造方法は、フッ素化ポリマー層上に接着剤を付着させ、次いでガスバリアフィルムをラミネートする工程、又は、接着剤層でプレコートされたガスバリアフィルムをラミネートする工程を含むことを特徴とする。   According to one embodiment, the manufacturing method includes the steps of depositing an adhesive on the fluorinated polymer layer and then laminating the gas barrier film, or laminating the gas barrier film precoated with the adhesive layer. It is characterized by.

本発明はまた、上記のような保護フィルムを提供すること、および前記保護フィルムを本発明による電子デバイスの表面に適用することを含む電子デバイスの製造方法に関する。   The present invention also relates to a method for manufacturing an electronic device comprising providing a protective film as described above and applying the protective film to the surface of the electronic device according to the present invention.

本発明はまた、本発明による1つまたは複数の電子デバイスを含む装置に関する。   The invention also relates to an apparatus comprising one or more electronic devices according to the invention.

一実施形態によれば、装置は、テレビジョンセット、携帯電話、リジッドスクリーン、フレキシブルスクリーン、光起電力素子モジュール、光源、センサおよびエネルギー変換器から選択される。   According to one embodiment, the device is selected from a television set, a mobile phone, a rigid screen, a flexible screen, a photovoltaic element module, a light source, a sensor and an energy converter.

一実施形態によれば、前記電子デバイスが装置の表面に配置され、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層が前記電子デバイスの表面とこの表面との間に配置され、前記電子デバイスは、反対面が、フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層によって、および/または、1つ以上の追加の保護層、好ましくは1つ以上のガスバリア層または接着層およびガスバリアフィルムによって、覆われることを特徴とする。   According to one embodiment, the electronic device is disposed on the surface of the apparatus, and the layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride is disposed between the surface of the electronic device and the surface, The electronic device has an opposite surface comprising said polymer comprising a repeating unit derived from vinylidene fluoride and / or one or more additional protective layers, preferably one or more gas barrier layers or adhesive layers and It is covered with a gas barrier film.

本発明は、従来技術の欠点を克服することを可能にする。より具体的には、電子デバイス、特に光電子デバイスを保護するための改良された技術を提供する。   The present invention makes it possible to overcome the drawbacks of the prior art. More specifically, it provides an improved technique for protecting electronic devices, particularly optoelectronic devices.

本発明は、前記デバイスの保護層を形成するための、より具体的にはパッシベーション層または平坦化層としての、フッ化ビニリデン(VDF)の繰り返し単位を有するポリマー(以下、「フッ素化ポリマー」と呼ぶ)の使用に基づく。   The present invention provides a polymer having a repeating unit of vinylidene fluoride (VDF) (hereinafter referred to as “fluorinated polymer”) as a passivation layer or a planarizing layer for forming a protective layer of the device. Based on the use of).

この層は、フッ素化ポリマーを溶液または分散液中に置き、その溶液または分散液を当該デバイスの表面に塗布することによって形成することができる。このようにして、溶媒の蒸発後の表面粗さが著しく低くなり得る。有利かつ驚くべきことに、フッ素化ポリマーがデバイス上に堆積されると、それはデバイスおよび保護構造の任意の追加の層に十分に付着する。   This layer can be formed by placing the fluorinated polymer in a solution or dispersion and applying the solution or dispersion to the surface of the device. In this way, the surface roughness after evaporation of the solvent can be significantly reduced. Advantageously and surprisingly, when the fluorinated polymer is deposited on the device, it adheres well to any additional layers of the device and protective structure.

さらに、好ましくは、それは決してデバイスの初期性能を変えず、有利な実施形態においては、特にデバイスが光電子デバイスであるときには、この性能をさらに改善する。いかなる理論にも束縛されることを望むものではないが、本発明者らは、この改善は光学的効果に起因し得ると考える。   Furthermore, preferably it never changes the initial performance of the device, and in an advantageous embodiment, this performance is further improved, especially when the device is an optoelectronic device. While not wishing to be bound by any theory, we believe that this improvement may be due to optical effects.

フッ素化ポリマー層の厚さは、堆積した液体層の厚さおよび溶液または分散液の濃度によって容易に制御可能である。それは、特に、従来技術の接着剤層を用いる方法では得ることが困難であるような非常に低い値であっても可能である。   The thickness of the fluorinated polymer layer can be easily controlled by the thickness of the deposited liquid layer and the concentration of the solution or dispersion. It is possible even at very low values, which are difficult to obtain, especially with the methods using prior art adhesive layers.

フッ素化ポリマー層はまた、バリア構造の層の連続的な堆積(封止)の間にデバイスを保護することを可能にする。
−バリアフィルムをラミネートする場合、フッ素化ポリマー層は、接着剤の付着および/またはラミネート工程に関して保護的役割を果たす。
−または、デバイス上にバリア構造を形成することで1つまたは複数の薄層を直接堆積する場合、フッ素化ポリマー層は、構造を平坦化し、したがって後に堆積されるバリア構造内の欠陥の数を減らすことによって、バリア構造の特性を改善することを可能にする。
The fluorinated polymer layer also makes it possible to protect the device during successive deposition (sealing) of the layers of the barrier structure.
-When laminating a barrier film, the fluorinated polymer layer plays a protective role with respect to the adhesive application and / or laminating process.
-Or when depositing one or more thin layers directly by forming a barrier structure on the device, the fluorinated polymer layer planarizes the structure and thus reduces the number of defects in the barrier structure that are subsequently deposited. By reducing it, it is possible to improve the properties of the barrier structure.

本発明による電子デバイスの一実施形態を上面図(上)および断面図(下)で概略的に示している。One embodiment of an electronic device according to the invention is schematically shown in a top view (top) and a cross-sectional view (bottom). 実施例に記載されるように、(A)裸の電子デバイス、(B)本発明によるフッ素化ポリマー層を有する電子デバイス、または(C)従来のガスバリアフィルムによる封止を施した電子デバイスにおけるエージング試験の結果を示す。エージング期間はx軸に(時間単位で)表示され、デバイスの正規化された性能はy軸に表示される。Aging in (A) bare electronic devices, (B) electronic devices having a fluorinated polymer layer according to the invention, or (C) electronic devices sealed with a conventional gas barrier film, as described in the Examples The result of a test is shown. The aging period is displayed on the x-axis (in hours) and the normalized performance of the device is displayed on the y-axis. 様々な処理段階(x軸上)で光起電力デバイスの正規化変換効率(y軸上)を測定した試験の結果を示す。記号(X)は本発明によって提供されるフッ素化ポリマー層を伴うもの、そして記号(O)は本発明によって提供されるフッ素化ポリマー層を伴わないものを示す。Figure 3 shows the results of a test measuring the normalized conversion efficiency (on the y-axis) of a photovoltaic device at various processing stages (on the x-axis). The symbol (X) indicates that with the fluorinated polymer layer provided by the present invention, and the symbol (O) indicates that without the fluorinated polymer layer provided by the present invention. 5%と10%の濃度でフッ素化ポリマーを含む溶液について、本発明によって提供されるフッ素化ポリマー層の(1)堆積前、および、(2)堆積後の光起電力デバイスの変換効率(y軸上)を測定する試験の結果を示す。For solutions containing fluorinated polymers at concentrations of 5% and 10%, (1) before and after the deposition of the fluorinated polymer layer provided by the present invention and (2) the conversion efficiency of the photovoltaic device (y The result of the test measuring (on-axis) is shown. 電子デバイスに対する本発明によるフッ素化ポリマー層の平坦化の効果を示す共焦点顕微鏡観察結果である。画像Aは裸のデバイスに対応し、画像Bはフッ素化ポリマー層で覆われたデバイスに対応する。It is a confocal microscope observation result which shows the effect of planarization of the fluorinated polymer layer by this invention with respect to an electronic device. Image A corresponds to a bare device and image B corresponds to a device covered with a fluorinated polymer layer. 5%と10%の濃度でフッ素化ポリマーを含む溶液について、本発明によって提供されるフッ素化ポリマー層およびバリア層の(1)堆積前、および、(2)堆積後の光起電力デバイスについての変換効率(y軸上)を測定する試験の結果を示す。For solutions containing fluorinated polymers at 5% and 10% concentrations, (1) before and (2) after the deposition of the photovoltaic device and barrier layer provided by the present invention The result of the test which measures conversion efficiency (on the y-axis) is shown.

以下の説明において、本発明をさらに詳細にかつ非限定的に説明する。   In the following description, the present invention will be described in more detail and without limitation.

本発明は、フッ素化ポリマーの使用に基づいており、これは、VDFに由来する繰り返し単位を含み、場合により他の繰り返し単位を含むポリマー(すなわち、VDFモノマーおよび場合により他のモノマーの重合によって得られるポリマー)である。   The present invention is based on the use of a fluorinated polymer, which includes repeat units derived from VDF and optionally other repeat units (ie, obtained by polymerization of VDF monomers and optionally other monomers). Polymer).

具体的には、ホモポリマー(PVDF)を使用することが可能である。しかしながら、好ましくは共重合体が使用され、この用語はここではVDFと少なくとも1種の他のコモノマーとの重合により得られるポリマー、すなわちVDFおよび少なくとも1種の他のコモノマーに由来する繰り返し単位を有するポリマーを総称的に示す。好ましくは、厳密に言えば、すなわちVDFと他の1つのみのコモノマーに由来する繰り返し単位を有する共重合体である。   Specifically, a homopolymer (PVDF) can be used. Preferably, however, a copolymer is used, which term here has a polymer obtained by polymerization of VDF and at least one other comonomer, i.e. having repeating units derived from VDF and at least one other comonomer. Polymers are shown generically. Strictly speaking, it is preferably a copolymer having repeating units derived from VDF and only one other comonomer.

好ましくは、コモノマー(または複数のコモノマー)は、ハロゲン化アルケン、より好ましくはフッ素化アルケンである。ハロゲン化プロペンまたはエチレン、特にフルオロエチレン(またはフッ化ビニル)、クロロフルオロエチレン(1−クロロ−1−フルオロエチレンおよび1−クロロ−2−フルオロエチレン)、トリフルオロエチレン、クロロジフルオロエチレン(特に1−クロロ−2,2-ジフルオロエチレン)、1−ブロモ−2,2−ジフルオロエチレン、ブロモトリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロプロペン(特に3,3,3−トリフルオロプロペン)、テトラフルオロプロペン(特に2,3,3,3−テトラフルオロプロペン)、クロロトリフルオロプロペン(特に2−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペン)、ペンタフルオロプロペン(特に1,1,3,3,3−ペンタフルオロプロペンまたは1,2,3,3,3−ペンタフルオロプロペン)およびヘキサフルオロプロピレンとも呼ばれるヘキサフルオロプロペンを挙げることができる。それはまた一般式R−O−CF−CFのペルフルオロアルキルビニルエーテルであってもよい。Rはアルキル基であり、好ましくはC1〜C4である。好ましい例は、PPVE(ペルフルオロプロピルビニルエーテル)およびPMVE(ペルフルオロメチルビニルエーテル)である。 Preferably, the comonomer (or comonomers) is a halogenated alkene, more preferably a fluorinated alkene. Halogenated propene or ethylene, especially fluoroethylene (or vinyl fluoride), chlorofluoroethylene (1-chloro-1-fluoroethylene and 1-chloro-2-fluoroethylene), trifluoroethylene, chlorodifluoroethylene (especially 1-chloro Chloro-2,2-difluoroethylene), 1-bromo-2,2-difluoroethylene, bromotrifluoroethylene, chlorotrifluoroethylene, tetrafluoroethylene, trifluoropropene (especially 3,3,3-trifluoropropene) Tetrafluoropropene (especially 2,3,3,3-tetrafluoropropene), chlorotrifluoropropene (especially 2-chloro-3,3,3-trifluoropropene), pentafluoropropene (especially 1,1,3) , 3,3-Pentafluoropro Mention may be made of hexafluoropropenes, also referred to as pens or 1,2,3,3,3-pentafluoropropenes) and hexafluoropropylene. It may also be a perfluoroalkyl vinyl ether of the general formula R f —O—CF—CF 2 . Rf is an alkyl group, preferably C1-C4. Preferred examples are PPVE (perfluoropropyl vinyl ether) and PMVE (perfluoromethyl vinyl ether).

好都合なことに、フッ素化ポリマーは(フルオロエラストマーとは対照的に)熱可塑性ポリマーである。VDFコモノマーに由来するパターンを高い割合で含有するフッ素化ポリマーは熱可塑性である傾向がある。   Conveniently, the fluorinated polymer is a thermoplastic polymer (as opposed to a fluoroelastomer). Fluorinated polymers containing a high percentage of patterns derived from VDF comonomers tend to be thermoplastic.

ここで「熱可塑性」とは、非エラストマー性ポリマーをいう。エラストマーポリマーは、ASTM in Special Technical Publication no. 184.に示されているように、周囲温度でその初期長さの2倍に延伸することができ、そして応力を緩和した後に誤差10%の範囲内で急速に初期長さを回復するポリマーとして定義される。   As used herein, “thermoplastic” refers to a non-elastomeric polymer. Elastomeric polymers can be stretched to twice their initial length at ambient temperature, as shown in ASTM in Special Technical Publication no. 184., and within 10% error after stress relief Is defined as a polymer that rapidly recovers its initial length.

本発明に用いられる含フッ素重合体は、溶液、乳濁液または懸濁液中での重合などの公知の重合方法により得ることができる。一実施形態によれば、それは、フッ素化界面活性剤の非存在下で乳濁液中での重合方法によって調製される。   The fluorine-containing polymer used in the present invention can be obtained by a known polymerization method such as polymerization in a solution, emulsion or suspension. According to one embodiment, it is prepared by a polymerization process in an emulsion in the absence of a fluorinated surfactant.

本発明において使用されるフッ素化ポリマーは、それが共重合体である場合、均質であっても不均質であってもよく、そして好ましくは均質である。均一重合体は均一な鎖構造を有し、コモノマーの統計的分布はポリマー鎖間で変化しない。不均一重合体では、ポリマー鎖は、複数の山を持つタイプか、または広がったタイプの平均コモノマー含有量の分布を有する:したがって、それはコモノマーに富むポリマー鎖および前記コモノマーが欠乏したポリマー鎖を含む。不均一PVDFの一例は、国際公開第2007/080338号パンフレット(特許文献2)に記載されている。   The fluorinated polymer used in the present invention, when it is a copolymer, may be homogeneous or heterogeneous and is preferably homogeneous. A homogeneous polymer has a uniform chain structure and the statistical distribution of comonomers does not change between polymer chains. In a heterogeneous polymer, the polymer chain has a distribution of average comonomer content of types with multiple peaks or spreads: thus it includes a polymer chain rich in comonomer and a polymer chain depleted in said comonomer . An example of non-uniform PVDF is described in International Publication No. 2007/080338 pamphlet (Patent Document 2).

均一共重合体は、コモノマーをそれらの間で一定の質量比を維持しながら徐々に注入する一段階法を用いて調製することができる。   Homogeneous copolymers can be prepared using a one-step process in which comonomers are gradually injected while maintaining a constant mass ratio between them.

ヘキサフルオロプロペン(HFP)が好ましいコモノマーである。したがって、本発明のフッ素化ポリマーは、好ましくはP(VDF−HFP)共重合体である。   Hexafluoropropene (HFP) is a preferred comonomer. Therefore, the fluorinated polymer of the present invention is preferably a P (VDF-HFP) copolymer.

P(VDF−HFP)共重合体は、特に国際公開第2001/032726号(特許文献3)および米国特許第6586547号明細書(特許文献4)に記載されている通りであり、これらの文献において明示的に参照される。   The P (VDF-HFP) copolymer is particularly as described in International Publication No. 2001/032726 (Patent Document 3) and US Pat. No. 6,586,547 (Patent Document 4). Explicitly referenced.

フッ素化ポリマー中のVDFに由来する繰り返し単位のモル比は、好ましくは50〜98%、特に60〜95%に等しい。   The molar ratio of repeating units derived from VDF in the fluorinated polymer is preferably equal to 50-98%, in particular 60-95%.

したがって、P(VDF−HFP)共重合体の場合、HFPに由来する繰り返し単位のモル比は、好ましくは2〜50%、特に5〜40%に等しい。   Therefore, in the case of P (VDF-HFP) copolymer, the molar ratio of repeating units derived from HFP is preferably 2 to 50%, in particular 5 to 40%.

好ましくは、フッ素化ポリマーの粘度は、230℃および100s−1の剪断速度で測定することにより、0.1〜100kPo(キロポアズ)に等しい。 Preferably, the viscosity of the fluorinated polymer is equal to 0.1-100 kPo (kilopoise) as measured at 230 ° C. and a shear rate of 100 s −1 .

フッ素化ポリマーを、電子デバイス用のコーティングとして使用してもよい。   Fluorinated polymers may be used as coatings for electronic devices.

電子デバイスは、特に、基板およびその上に支持された電子素子を含んでいてもよく、それは導電性材料、半導体材料などの層を含んでいてもよい。電子素子は、好ましくは基板の片面にあるが、いくつかの実施形態では、それらは基板の両面にあってもよい。   The electronic device may in particular comprise a substrate and an electronic element supported thereon, which may comprise a layer of conductive material, semiconductor material or the like. The electronic elements are preferably on one side of the substrate, but in some embodiments they may be on both sides of the substrate.

フッ素化ポリマーコーティングは、電子素子の全部または一部、および基板の全部または一部を覆ってもよい。好ましくは、フッ素化ポリマーは、その平坦化機能を果たすために、基板の少なくとも一部および電子素子の少なくとも一部を覆う。フッ素化ポリマーは、基板の2つの面の一方(好ましくは電子素子を含む面)の全体または一部を覆ってもよく、あるいは基板の両面の全体または一部を覆ってもよい。   The fluorinated polymer coating may cover all or part of the electronic device and all or part of the substrate. Preferably, the fluorinated polymer covers at least a portion of the substrate and at least a portion of the electronic device to perform its planarization function. The fluorinated polymer may cover all or part of one of the two surfaces of the substrate (preferably the surface containing the electronic elements), or may cover all or part of both surfaces of the substrate.

基板は、特に金属、シリコン、ガラス、石英、またはポリマーのシート、好ましくはポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)のシートであってもよい。   The substrate may in particular be a sheet of metal, silicon, glass, quartz or polymer, preferably a sheet of polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN).

基板の厚さは、好ましくは3μm〜4mm、より具体的には12μm〜200μmであってもよい。   The thickness of the substrate may preferably be 3 μm to 4 mm, more specifically 12 μm to 200 μm.

基板上の電子素子の最大厚さは、特に10nmから1mm、好ましくは20nmから500μmであってもよい。   The maximum thickness of the electronic elements on the substrate may in particular be 10 nm to 1 mm, preferably 20 nm to 500 μm.

好ましくは透明な、例えばガラス製のカバーを、デバイスおよび後述する全てのコーティング層の上に配置することができる(これらのコーティング層もまた好ましくは透明である)。   A preferably transparent, eg glass cover, can be placed over the device and all coating layers described below (these coating layers are also preferably transparent).

本発明は特に、電子デバイス上に平坦化層を形成するための上記フッ素化ポリマーの効用を提示する。これは、追加のバリア層(薄い無機層、または有機/無機多層、またはガラス/接着剤カバー、またはガスバリアフィルム/接着剤)を追加することなく、少なくとも輸送とその後の封止の実施または最終的な封止機能を提供する最終対象物の(接着剤を介した)ラミネートを可能とする十分な時間の間、外的なダメージからデバイスを保護するという利点を有する。平坦化層はさらに、任意のバリアフィルムのラミネート工程中にデバイスを機械的に保護することを可能にする。   The present invention particularly presents the utility of the fluorinated polymer for forming a planarization layer on an electronic device. This is at least transport and subsequent sealing or final without adding an additional barrier layer (thin inorganic layer, or organic / inorganic multilayer, or glass / adhesive cover, or gas barrier film / adhesive) It has the advantage of protecting the device from external damage for a sufficient time to allow the final object to be laminated (via adhesive) which provides a good sealing function. The planarization layer further allows the device to be mechanically protected during the optional barrier film lamination process.

第1の実施形態では、フッ素化ポリマー層は、保護されるべきデバイスの表面をパッシベーション化または平坦化する(すなわち、より不活性にする、または、より平坦にする)ことを目的として、電子デバイス(特に光電子デバイス)の全体または一部に直接配置される。次に、1つまたは複数の追加の保護層が前記平坦化層の上に配置される。追加の層は、平坦化層の堆積および乾燥(固化)の直後に、または後で配置することができる。   In a first embodiment, the fluorinated polymer layer is intended to passivate or planarize the surface of the device to be protected (ie make it more inert or more planar). (Especially optoelectronic devices) placed directly or entirely. Next, one or more additional protective layers are disposed on the planarization layer. Additional layers can be placed immediately after or after the planarization layer deposition and drying (solidification).

第1の実施形態の第1の代替形態では、少なくとも1つのガスバリア層がフッ素化ポリマー平坦化層の上に直接配置されている。   In a first alternative of the first embodiment, at least one gas barrier layer is disposed directly on the fluorinated polymer planarization layer.

第1の実施形態の第2の代替形態では、接着剤層、次いでそれまで接着剤にさらされていないガスバリアフィルムが、平坦化層の上に配置される。平坦化層上に直接付着された接着剤層により、ガスバリアフィルムは平坦化層上に接着される。   In a second alternative of the first embodiment, an adhesive layer and then a gas barrier film not previously exposed to the adhesive is placed on the planarization layer. The gas barrier film is adhered onto the planarization layer by an adhesive layer deposited directly on the planarization layer.

第1の実施形態の第3の代替形態では、予め接着剤にさらされた(すなわち、接着剤層を含む)ガスバリアフィルムが、平坦化層の上に配置される。バリアフィルムの接着剤層がフッ素化ポリマーの平坦化層上に直接適用される。   In a third alternative of the first embodiment, a gas barrier film that has been previously exposed to an adhesive (ie, including an adhesive layer) is placed over the planarization layer. The adhesive layer of the barrier film is applied directly on the planarizing layer of the fluorinated polymer.

「少なくとも1つのガスバリア層」はまた、連続的に、場合により1つまたは複数のインターカレーション層と共に堆積された、複数のガスバリア層からなる多層構造も指す。   “At least one gas barrier layer” also refers to a multilayer structure of a plurality of gas barrier layers deposited sequentially, optionally with one or more intercalation layers.

「バリアフィルム」とは、ポリマー土台または基板および1つまたは複数のガスバリア層、場合によっては1つまたは複数のインターカレーション層を含む、デバイスに組み付けられる前に形成された多層構造を指す。予め形成されたバリアフィルムは、特に、第1の実施形態の第2の代替形態に従って、平坦化層および接着剤層で被覆されたデバイス上に組み付けられてもよい。   “Barrier film” refers to a multi-layer structure formed prior to assembly into a device comprising a polymer substrate or substrate and one or more gas barrier layers, and optionally one or more intercalation layers. The preformed barrier film may be assembled on a device coated with a planarization layer and an adhesive layer, in particular according to the second alternative of the first embodiment.

場合によっては、電子デバイス上に直接(接着剤なしで)堆積させたガスバリアフィルムまたはバリア層構造の上に追加のフッ素化ポリマー層を配置する。この後者の場合、これは最後のガスバリア層のフィルムまたは構造の保護を可能にする。   In some cases, an additional fluorinated polymer layer is placed over the gas barrier film or barrier layer structure deposited directly (without adhesive) on the electronic device. In this latter case, this allows the protection of the film or structure of the last gas barrier layer.

ガスバリアフィルムまたはデバイス上への連続堆積によって形成されたバリア層構造を含む電子デバイスの封止アセンブリは、特にHB(高バリア)またはUHB(超高バリア)タイプのものであってもよい。HBフィルムまたはHB構造体は、10−3〜10−5g・m−2・j−1の蒸気透過流量を有し、UHBフィルムまたはUHB構造体は、10−5g・m−2・j−1未満の蒸気透過流量を有する。 The sealing assembly of an electronic device comprising a barrier layer structure formed by gas barrier film or continuous deposition on the device may be of the HB (High Barrier) or UHB (Ultra High Barrier) type in particular. The HB film or HB structure has a vapor permeation flow rate of 10 −3 to 10 −5 g · m −2 · j −1 , and the UHB film or UHB structure has 10 −5 g · m −2 · j. It has a vapor permeation flow rate of less than -1 .

この蒸気透過流量は、以下のように測定することができる。所与の目標ガス(蒸気)分圧を試料の上流面に維持する。目標ガス濃度は、規格で定義された基準(例えば、規格ASTM D3985−95およびF1249−90に従った水の測定のための85%の湿度および38℃の温度)に依拠する。サンプルの下流面は、サンプル中に拡散したガスをセンサに輸送する中性ガス流(窒素)によって、または真空によって、透過ゼロの分圧に維持される。測定は、一定の流れ(遷移状態に続く定常状態)のもとで行われる。   This vapor permeation flow rate can be measured as follows. A given target gas (vapor) partial pressure is maintained on the upstream surface of the sample. The target gas concentration depends on standards defined in the standard (for example, 85% humidity and 38 ° C. temperature for water measurement according to standards ASTM D3985-95 and F1249-90). The downstream surface of the sample is maintained at a zero permeation partial pressure by a neutral gas stream (nitrogen) that transports gas diffused into the sample to the sensor or by vacuum. The measurement is performed under a constant flow (steady state following the transition state).

本発明の平坦化層によって平坦化されたデバイス上に構築されるべきバリアフィルム中に配置されるまたは既に存在するガスバリア層として、無機層を特に使用することができる。   Inorganic layers can be used in particular as gas barrier layers that are arranged or already present in the barrier film to be built on devices planarized by the planarization layer of the present invention.

無機層は、特に酸化物、窒化物または金属酸窒化物から構成することができる。そのような層は、例えば、化学蒸着またはCVD(PECVD、ALD)または物理蒸着(蒸着、スパッタリング)などの真空下での薄層堆積技術を使用して堆積されてもよい。無機層の厚さは、特に、PECVDまたはPVDによる堆積(例えば、PECVDまたはPVDによるSiOの堆積)の場合、数百ナノメートルのオーダー、従って例えば50nm〜1μm、より好ましくは100nm〜700nm、または200〜500nmであってもよい。無機層の厚みは、ALDによる堆積(例えばAl、またはZnO、またはZnO:Al、またはSiO、またはTiO、またはTa、またはHfO、またはSnOの堆積)の場合、数十ナノメートルのオーダーのより薄い厚さ、従って例えば10〜100nm、より好ましくは15〜50nm、特に20〜40nmを有することができる。ALDによる堆積は数分子層の厚みを実現する可能性があるが、例としてここに与えられた厚さに到達するのに十分な数の層を積み重ねることが好ましい。 The inorganic layer can be composed in particular of oxides, nitrides or metal oxynitrides. Such layers may be deposited, for example, using chemical vapor deposition or thin layer deposition techniques under vacuum such as CVD (PECVD, ALD) or physical vapor deposition (vapor deposition, sputtering). The thickness of the inorganic layer is in the order of several hundred nanometers, in particular in the case of deposition by PECVD or PVD (for example deposition of SiO 2 by PECVD or PVD), and thus for example from 50 nm to 1 μm, more preferably from 100 nm to 700 nm, or It may be 200 to 500 nm. The thickness of the inorganic layer is the case of deposition by ALD (for example, deposition of Al 2 O 3 , ZnO, or ZnO: Al, SiO 2 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , or SnO 2 ). Can have a thinner thickness on the order of several tens of nanometers, thus for example 10 to 100 nm, more preferably 15 to 50 nm, in particular 20 to 40 nm. While deposition by ALD may achieve a thickness of several molecular layers, it is preferable to stack a sufficient number of layers to reach the thickness given here as an example.

本発明の第1の実施形態に従って得られる製品の一例は、以下を重ね合わせた構造を含む。
1.電子デバイス
2.フッ素化ポリマーの平坦化層;
3.第1の緻密な無機層(例えば、金属酸化物または窒化物タイプのもの);
4.インターカレーションポリマー層(好ましくは数ミクロン、例えば1〜25μm、特に2〜5μmの厚さを有する);
5.追加の緻密な無機層(例えば金属酸化物または窒化物タイプのもの);
6.必要な場合には、3.または4.の層を再度、例えば1回または2回繰り返す。
7.場合により、最後の緻密な無機層の保護外層、特に上記のようなフッ素化ポリマー層であってもよい。
An example of a product obtained according to the first embodiment of the present invention includes a structure in which the following are superimposed.
1. 1. electronic device A planarization layer of a fluorinated polymer;
3. A first dense inorganic layer (eg of the metal oxide or nitride type);
4). Intercalation polymer layer (preferably having a thickness of a few microns, for example 1-25 μm, in particular 2-5 μm);
5. Additional dense inorganic layer (eg of the metal oxide or nitride type);
6). If necessary, 3. Or 4. The layer is repeated again, for example once or twice.
7. In some cases, it may be a protective outer layer of the last dense inorganic layer, in particular a fluorinated polymer layer as described above.

本発明の第1の実施形態に従って得られる製品の別の例は、以下を重ね合わせた構造を含む。
1.電子デバイス
2.フッ素化ポリマーの平坦化層;
3.接着剤層;
4.1つまたは複数の連続した1対のa)緻密無機層(例えば、金属酸化物または窒化物タイプのもの)、b)挿入ポリマー層(好ましくは数ミクロン、例えば1〜25μm、特に2〜5μmの厚さを有する)、及び、最後に、c)バリアフィルムと、平坦化され、接着剤を付されたデバイスとの組み付け後に、積層の最も外側の位置に配置され、デバイスに対して最も外側の保護層としても機能するポリマー基板、を含むガスバリアフィルム。
Another example of a product obtained in accordance with the first embodiment of the present invention includes a structure that superimposes:
1. 1. electronic device Planarizing layer of fluorinated polymer;
3. Adhesive layer;
4. one or more successive pairs of a) a dense inorganic layer (eg of the metal oxide or nitride type), b) an intercalated polymer layer (preferably a few microns, for example 1-25 μm, in particular 2 And finally c) after the assembly of the barrier film with the flattened and glued device, placed in the outermost position of the laminate and A gas barrier film comprising a polymer substrate that also functions as an outer protective layer.

各緻密無機層は、上記の通りであってもよい。バリアフィルムのポリマー基板は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)から作製され得る。可撓性デバイスのポリマー基板はまた、ポリエチレンテレフタレート(PET)またはポリエチレンナフタレート(PEN)から作製されてもよい。   Each dense inorganic layer may be as described above. The polymer substrate of the barrier film can be made from, for example, polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN). The polymer substrate of the flexible device may also be made from polyethylene terephthalate (PET) or polyethylene naphthalate (PEN).

各インターカレーションポリマー層は、例えばアクリル化学的性質を有する材料のような有機ポリマー、または例えばOrmocer(登録商標)の名称で市販されている材料のような有機/無機ハイブリッド材料から製造することができる。   Each intercalation polymer layer can be made from an organic polymer, such as a material having acrylic chemistry, or an organic / inorganic hybrid material, such as a material marketed under the name Ormocer®, for example. it can.

緻密な無機層とインターカレーションポリマー層を重ねる代わりに、SiO無機形態とSiOハイブリッド形態との間で組成の連続的変化を有するハイブリッド多層構造(この構造はPECVD蒸着によって得ることができる)を用いることができる。 Instead of overlaying a dense inorganic layer and an intercalation polymer layer, a hybrid multilayer structure with a continuous change in composition between the SiO x N y inorganic form and the SiO x C y hybrid form (this structure is obtained by PECVD deposition) Can be used).

また代替的に、多層構造は可撓性ガラス層を含んでよい。   Alternatively, the multilayer structure may include a flexible glass layer.

第1の実施形態の第1の代替形態では、本発明のフッ素化ポリマー層上に直接、例えばALD、PECVDまたはPVDによって、あるいは、液体の蒸発および輻射線または熱によるポテンシャルエネルギー付与により、緻密なバリア層に変換可能な液体堆積技術(例えばスピンコーティング、スロットダイコーティング、スプレーコーティング、フィルム延伸など)によって緻密バリア層を堆積することが可能である。この場合、バリア層は一般にポリマー基板を含まないが、場合により、インターカレーションポリマー層をフッ素化ポリマー層の上の第1の層として使用することができる。   In a first alternative of the first embodiment, the dense layer is formed directly on the fluorinated polymer layer of the present invention, for example by ALD, PECVD or PVD, or by liquid evaporation and application of potential energy by radiation or heat. The dense barrier layer can be deposited by liquid deposition techniques that can be converted into a barrier layer (eg, spin coating, slot die coating, spray coating, film stretching, etc.). In this case, the barrier layer generally does not include a polymer substrate, but in some cases an intercalation polymer layer can be used as the first layer above the fluorinated polymer layer.

ガスバリアフィルムが使用されるとき、それは、特にロールツーロールまたは真空法でラミネートすることによってフッ素化ポリマー層の上に適用され得る。   When a gas barrier film is used, it can be applied over the fluorinated polymer layer, particularly by laminating by roll-to-roll or vacuum methods.

使用される接着剤は、特に感圧接着剤または光架橋性または熱架橋性接着剤であってよい。   The adhesive used may in particular be a pressure sensitive adhesive or a photocrosslinkable or heat crosslinkable adhesive.

好ましくは予め接着剤が施されていない平坦化されたデバイスとバリアフィルムとを組み付けるための接着剤としては、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体(EVA)などの熱溶融性材料のフィルムまたはシリコーンなどの液体接着剤を使用することができる。熱後架橋を使用してもよい。   Preferably, the adhesive for assembling the flattened device that has not been pre-adhered with the barrier film is a film of hot-melt material such as a copolymer of ethylene and vinyl acetate (EVA) or silicone A liquid adhesive such as can be used. Thermal post-crosslinking may be used.

上述の第1の実施形態全体において、フッ素化ポリマー層は、最上部に堆積される追加の層のガスバリア性を改善することができる。これは、水準の技術として知られている他の種類の平坦化またはパッシベーション層に対する優位性を示す。   In the overall first embodiment described above, the fluorinated polymer layer can improve the gas barrier properties of the additional layer deposited on top. This represents an advantage over other types of planarization or passivation layers known as state of the art.

フッ素化ポリマー層は、その安定化効果のために、場合によっては、比較的腐食性がある(それ故にデバイスと直接適合しない)が有用な特性(例えば、バリア)を有する接着剤を使用してもよい。   Because of its stabilizing effect, the fluorinated polymer layer may be relatively corrosive (and therefore not directly compatible with the device), but using an adhesive with useful properties (eg, a barrier). Also good.

第2の実施形態では、フッ素化ポリマー層はデバイスの唯一の保護層である(可能なカバーを除く)。具体的には、驚くべきことに、本発明のフッ素化ポリマー層だけで化学的劣化およびデバイスの性能の低下に対して確かなレベルの保護を提供することが観察される。   In a second embodiment, the fluorinated polymer layer is the only protective layer of the device (except for possible covers). Specifically, it is surprisingly observed that the fluorinated polymer layer of the present invention alone provides a certain level of protection against chemical degradation and reduced device performance.

例えば、本発明のフッ素化ポリマー層を、特に塵埃および汚染物に関して、暫定的または一時的保護層として使用することが可能である。次いで、この層は、例えば溶媒(例えば、層の堆積中に使用される溶媒)による単純な洗浄工程によって除去される。そのようなフッ素化ポリマー層の除去は、従来技術のように、接着剤層が使用されるときよりも実行が容易である。   For example, the fluorinated polymer layer of the present invention can be used as a temporary or temporary protective layer, particularly with respect to dust and contaminants. This layer is then removed by a simple cleaning step, for example with a solvent (eg the solvent used during the deposition of the layer). Such removal of the fluorinated polymer layer is easier to perform than when an adhesive layer is used, as in the prior art.

第3の実施形態では、(第1の実施形態に関連して上述したように)フッ素化ポリマー層は少なくとも1つのガスバリアフィルムに付随する。次に、電子デバイスを前記多層アセンブリで被覆することが可能である。この場合、フッ素化ポリマー層は、第1の実施形態に関して説明した接着剤として機能することができる。多層アセンブリは、特にそれ自体が本発明によるフッ素化ポリマー層で予め覆われていてもいなくてもよく、デバイスの表面にラミネートすることによって付与されることができる。   In a third embodiment, the fluorinated polymer layer is associated with at least one gas barrier film (as described above in connection with the first embodiment). The electronic device can then be coated with the multilayer assembly. In this case, the fluorinated polymer layer can function as the adhesive described with respect to the first embodiment. The multi-layer assembly may or may not be pre-coated with a fluorinated polymer layer according to the present invention, and can be applied by laminating to the surface of the device.

上記の全ての実施形態において、フッ素化ポリマー層は、上述の基板の片面(好ましくは電子素子が配置されている面)上の電子デバイス上に、あるいはさらに好ましくは前記基板の両面上に配置されてもよい。上記の異なる追加の保護多層構造についても同様である。   In all of the above embodiments, the fluorinated polymer layer is disposed on an electronic device on one side of the substrate described above (preferably the surface on which the electronic elements are disposed), or more preferably on both sides of the substrate. May be. The same applies to the different additional protective multilayer structures described above.

第4の実施形態では、電子デバイスは、例えば湾曲していてもよい物品の表面に配置される。この場合、本発明によるフッ素化ポリマー層を物品の表面と電子デバイスとの間に設けることが可能である。電子デバイスの他方の面では、上述の3つの実施形態のうちのいずれか1つによる保護を提供することが可能である。例えば、物品の表面上にフッ素化ポリマー層、次に電子デバイス、次いで電子デバイスの他方の面上に保護層を適用することが可能である。あるいは、デバイスの一方の面にフッ素化ポリマー層を塗布し、このようにしてコーティングされたデバイスを物品の表面に堆積させ、次いでデバイスの他方の面に保護層を塗布することが可能である。これらの方法は、特に表面が湾曲している場合には壊れやすくなる、物品の表面にそれをラミネートする工程の前にデバイスの両面を完全に封止することを回避できる。   In the fourth embodiment, the electronic device is arranged on the surface of an article that may be curved, for example. In this case, a fluorinated polymer layer according to the present invention can be provided between the surface of the article and the electronic device. On the other side of the electronic device, it is possible to provide protection according to any one of the three embodiments described above. For example, it is possible to apply a fluorinated polymer layer on the surface of the article, then the electronic device, and then a protective layer on the other side of the electronic device. Alternatively, it is possible to apply a fluorinated polymer layer on one side of the device, deposit the device thus coated on the surface of the article, and then apply a protective layer to the other side of the device. These methods can avoid completely sealing both sides of the device prior to the step of laminating it on the surface of the article, which is fragile, especially if the surface is curved.

当該対象の物品としては、例えば、ヘルメット、装飾品、家具要素、建築要素、靴、ボール、フリスビーなどのスポーツアイテム、輸送車両の構成部品などがあり得る。   Examples of the target article may include helmets, ornaments, furniture elements, building elements, sports items such as shoes, balls, and frisbees, transportation vehicle components, and the like.

上記実施形態の全てにおいて、フッ素化ポリマー層を液体堆積によって調製することができる。   In all of the above embodiments, the fluorinated polymer layer can be prepared by liquid deposition.

そのためには、フッ素化ポリマーの溶液を溶媒中(フッ素化ポリマーの分子レベルでの均一な溶解を伴う)、またはキャリア流体中にフッ素化ポリマーが分散された分散液(フッ素化ポリマーは粒子形態にある)中で形成する。この溶液または分散液をインクとも呼ぶ。インクは当該対象の表面に(特に電子デバイスの表面に直接)塗布される。次いで、溶媒またはキャリア流体を蒸発させて、フッ素化ポリマーの分子または粒子の結合によって、フッ素化ポリマー層を凝固させて連続フィルムを形成する。   For this purpose, the solution of the fluorinated polymer is dissolved in a solvent (with uniform dissolution of the fluorinated polymer at the molecular level) or a dispersion in which the fluorinated polymer is dispersed in a carrier fluid (the fluorinated polymer is in the form of particles Formed in). This solution or dispersion is also called ink. The ink is applied to the surface of the subject (especially directly on the surface of the electronic device). The solvent or carrier fluid is then evaporated to solidify the fluorinated polymer layer by bonding of fluorinated polymer molecules or particles to form a continuous film.

分散液を製造するためのキャリア流体として、特に、水または混和性の水/有機溶媒混合物を使用できる。   In particular, water or a miscible water / organic solvent mixture can be used as the carrier fluid for producing the dispersion.

溶液を製造するための溶媒としては、フッ素化ポリマーを溶解することができる(好ましくは均質に、透明な溶液を形成する)ものから選択される溶媒が使用される。特に例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノンを含むケトン類や、例えばジブチルエーテルを含むエーテル類、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどを含むエステル類を挙げることができる。   As the solvent for producing the solution, a solvent selected from those capable of dissolving the fluorinated polymer (preferably homogeneously forming a transparent solution) is used. In particular, for example, ketones containing acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, ethers containing dibutyl ether, for example, esters containing methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, etc. .

本発明は、適用することで、ジメチルホルムアミド(DMF)またはN−メチルピロリドンのような高い毒性を有する溶媒の使用を回避することを可能にする。   The present invention, when applied, makes it possible to avoid the use of highly toxic solvents such as dimethylformamide (DMF) or N-methylpyrrolidone.

溶液または分散液中のフッ素化ポリマーの質量濃度は、0.01〜50%が好ましく、0.5〜25%がより好ましく、3〜15%がさらに好ましい。   The mass concentration of the fluorinated polymer in the solution or dispersion is preferably from 0.01 to 50%, more preferably from 0.5 to 25%, still more preferably from 3 to 15%.

また、インクは、フッ素化ポリマーの合成に使用される、または例えば電子デバイスの表面の濡れ性、または例えば表面に対する接着性などのインクの特性を改善するために添加される1つかそれ以上の添加剤を含んでいてもよい。   Also, the ink is used in the synthesis of a fluorinated polymer, or one or more additions added to improve the properties of the ink, such as, for example, the wettability of the surface of an electronic device, or the adhesion to the surface, for example An agent may be included.

好ましい添加剤は、特に、インクの表面張力を変える共溶媒である。特に、溶液の場合には、ヘプタン、シクロヘキサン、デカンまたはドデカンなどの直鎖アルカン族または環式アルカン族や、トルエンまたはエチルベンゼンなどの芳香族の化合物を含んでいてもよい。   Preferred additives are in particular cosolvents that change the surface tension of the ink. In particular, in the case of a solution, it may contain a linear alkane group or cyclic alkane group such as heptane, cyclohexane, decane or dodecane, or an aromatic compound such as toluene or ethylbenzene.

インクの塗布は、離散的または連続的な手段による塗布法によって行われてもよい。スピンコーティング、スプレーコーティング、セリグラフィ、フレキソグラフィ、スロットダイコーティング、フィルム延伸、インクジェット印刷を使用することが特に可能である。好ましい塗布方法は、スピンコーティング、スロットダイ印刷、またはドクターブレードタイプのフィルム延伸(デバイスとの接触の無いもの)である。   The ink application may be performed by an application method by discrete or continuous means. It is particularly possible to use spin coating, spray coating, serigraphy, flexography, slot die coating, film stretching, ink jet printing. Preferred coating methods are spin coating, slot die printing, or doctor blade type film stretching (without contact with the device).

このようにして形成されるフッ素化ポリマー層の厚さは、好ましくは1nmから50μm、好ましくは10nmから30μm、さらにより好ましくは100nmから20μmの範囲である。   The thickness of the fluorinated polymer layer thus formed is preferably in the range of 1 nm to 50 μm, preferably 10 nm to 30 μm, and even more preferably 100 nm to 20 μm.

フッ素化ポリマー層の表面粗さ(表面形状測定装置(プロフィロメーター)で測定)は、(R、二乗平均平方根で)好ましくは20nmと等しいかそれ以下であり、より具体的には10nmと等しいかそれ以下であり、さらにより好ましくは7nmに等しいかそれ以下である。この表面粗さは、アルファーステップIQタイプの表面形状測定装置を用いたトポグラフィ表面測定によって決定することができる。 The surface roughness of the fluorinated polymer layer (measured with a surface shape measuring device (profilometer)) is preferably (R a , root mean square) preferably equal to or less than 20 nm, more specifically 10 nm. Is less than or equal to, and even more preferably less than or equal to 7 nm. This surface roughness can be determined by topographic surface measurement using an alpha step IQ type surface profile measuring device.

<実施例>
以下の実施例は本発明を説明するが、限定するものではない。
<Example>
The following examples illustrate, but do not limit, the invention.

実施例1−経年劣化に対するフッ素化ポリマー層の効果(バリアフィルムと比較して)   Example 1-Effect of fluorinated polymer layer on aging (compared to barrier film)

PET基板上に支持された3つの有機光起電力素子を試験した:一つは(A)保護無しのもの、もう一つは(B)本発明によるフッ素化ポリマー層で被覆したもの、そして最後の一つは、(C)10−3g・m−2・j−1の蒸気透過流量のガスバリア性能を有するガスバリアフィルムをラミネートすることで被覆したものである。 Three organic photovoltaic devices supported on a PET substrate were tested: one (A) without protection, the other (B) coated with a fluorinated polymer layer according to the invention, and finally One is (C) covered by laminating a gas barrier film having a gas barrier performance with a vapor permeation flow rate of 10 −3 g · m −2 · j −1 .

本発明によるフッ素化ポリマーは、VDF76%およびHFP24%のモル比を有するP(VDF−HFP)共重合体である。共重合体をアセトン溶液(濃度は2質量%)によるスピンコーティングで堆積し、1〜2μmの厚さを有する層を得た。   The fluorinated polymer according to the invention is a P (VDF-HFP) copolymer having a molar ratio of 76% VDF and 24% HFP. The copolymer was deposited by spin coating with an acetone solution (concentration 2% by mass) to obtain a layer having a thickness of 1 to 2 μm.

これらのデバイスは、図1に概略的に示されている。それらは、ITO(インジウム錫酸化物)の薄層でプレコートされた透明導電性PETから作られた基板1への以下の層の連続堆積とCr/Auコンタクト6を形成するための堆積とにより形成した。:
−酸化亜鉛製、厚さ50nmの電子伝導層2ETL。
−250nmの厚さを有する活性有機半導体層3(ポリマーP3HT)。
−60nmの厚さを有する正孔伝導層4(HTL、タイプpedot:pss)。
−厚さ100nmの蒸着銀電極層5。
−Cr/Auコンタクトのためのメタライゼーション層6。
These devices are shown schematically in FIG. They are formed by sequential deposition of the following layers on a substrate 1 made from transparent conductive PET precoated with a thin layer of ITO (Indium Tin Oxide) and deposition to form Cr / Au contacts 6 did. :
-Electron conductive layer 2ETL made of zinc oxide and having a thickness of 50 nm.
Active organic semiconductor layer 3 (polymer P3HT) with a thickness of -250 nm.
A hole conducting layer 4 (HTL, type pedot: pss) having a thickness of −60 nm.
A deposited silver electrode layer 5 with a thickness of 100 nm.
A metallization layer 6 for Cr / Au contacts.

これら3つのデバイスの性能(変換効率)は、65℃、相対湿度85%に維持されたチャンバー内での加速劣化試験により経時的に測定した。電気的性能は、入射放射輝度AM1.5(IEC60904)に従った電流/電圧測定によって正確に測定した。   The performance (conversion efficiency) of these three devices was measured over time by an accelerated deterioration test in a chamber maintained at 65 ° C. and 85% relative humidity. The electrical performance was accurately measured by current / voltage measurements according to incident radiance AM1.5 (IEC 60904).

結果を図2に示す。   The results are shown in FIG.

最初の48時間のエージングを終えた時点での、本発明によるフッ素化ポリマー層で被覆されたデバイスの挙動は、保護なしデバイスのパフォーマンスの低下が20%であり、従来方法(高ガスバリアフィルムの積層)で封止されたデバイスの挙動と同一であるか、またはそれよりも5%低下する程度であった。   At the end of the first 48 hours of aging, the behavior of the device coated with the fluorinated polymer layer according to the present invention is a 20% reduction in the performance of the unprotected device, and the conventional method (high gas barrier film lamination) ) Was the same as the behavior of the device encapsulated in (5) or about 5% lower than that.

300時間を超える長時間エージングでは、本発明によるフッ素化ポリマー層を有するデバイスは、保護なしデバイスよりも早く劣化することはなかった。1000時間のエージング後、保護なしデバイスは80%減少したが、本発明によるフッ素化ポリマー層を有するデバイスは、60%減少した変換効率を有する。2ミクロン程度の厚さを有する本発明によるフッ素化ポリマー層のガスバリア性(水蒸気)が約200g・m−2・j−1であることを考えると、この挙動はさらに驚くべきことである。それ故、観察された効果は、ガスバリア性に関連し得ない。 With long-term aging over 300 hours, devices with fluorinated polymer layers according to the present invention did not degrade faster than unprotected devices. After 1000 hours of aging, the unprotected device was reduced by 80%, while the device with the fluorinated polymer layer according to the invention has a conversion efficiency reduced by 60%. This behavior is even more surprising considering that the gas barrier properties (water vapor) of a fluorinated polymer layer according to the invention having a thickness of the order of 2 microns is about 200 g · m −2 · j −1 . Therefore, the observed effect cannot be related to gas barrier properties.

実施例2−(バリアフィルムの存在下での)効率に対するフッ素化ポリマー層の効果   Example 2-Effect of fluorinated polymer layer on efficiency (in the presence of barrier film)

実施例1のものと同様の光起電力デバイスの変換効率を、種々の処理工程において(実施例1の方法に従って)測定した。
−Aの場合(本発明による):(1)デバイスの製造後、(2)フッ素化ポリマー層の堆積後、(3)コネクタテープの付加後、(4)実施例1と同様のバリアフィルムの堆積後。
−Bの場合(比較例):(1)デバイスの製造後、(3)コネクタテープの付加後、(4)実施例1と同様のバリアフィルムの堆積後。
The conversion efficiency of a photovoltaic device similar to that of Example 1 was measured (according to the method of Example 1) at various processing steps.
In the case of -A (according to the present invention): (1) After manufacturing the device, (2) After depositing the fluorinated polymer layer, (3) After adding the connector tape, (4) A barrier film similar to Example 1 After deposition.
In the case of -B (comparative example): (1) After manufacturing the device, (3) After adding the connector tape, (4) After depositing the barrier film as in Example 1.

結果を図3に示す(A:記号×; B:記号○)。バリアフィルムのラミネート工程中に効率(上記(1)の製造後の値で正規化)が低下することが分かる。しかしながら、バリアフィルムのラミネートに関連するこの劣化は、フッ素化ポリマー層が存在する場合にははるかに低い。フッ素化ポリマー層の存在は、光起電力デバイスの製造直後の効率と比較して、バリアフィルムをラミネートした後の全体的に改善された効率を得ることさえ可能にする。   The results are shown in FIG. 3 (A: symbol x; B: symbol ◯). It can be seen that the efficiency (normalized by the post-manufacturing value of (1) above) decreases during the barrier film laminating process. However, this degradation associated with barrier film laminates is much lower when a fluorinated polymer layer is present. The presence of the fluorinated polymer layer makes it possible even to obtain an overall improved efficiency after laminating the barrier film compared to the efficiency immediately after the production of the photovoltaic device.

実施例3−(他の保護層無しに対する)効率および平坦化に関するフッ素化ポリマー層の効果   Example 3-Effect of fluorinated polymer layer on efficiency and planarization (with no other protective layer)

(基板がガラスからなることを除いて)実施例1と同様の光起電力素子における変換効率を、(1)本発明に係るフッ素化ポリマーによる被覆前、および、(2)フッ素化ポリマーによる被覆後に(実施例1の方法に従って)測定した。塗布するに当たって2つの異なる濃度、すなわち5%および10%のポリマーの溶液で試験を行った。   The conversion efficiency in the photovoltaic element similar to that of Example 1 (except that the substrate is made of glass) is (1) before coating with the fluorinated polymer according to the present invention, and (2) coating with the fluorinated polymer. It was measured later (according to the method of Example 1). The application was tested at two different concentrations, ie 5% and 10% polymer solutions.

結果を図4に示す。本発明によるフッ素化ポリマー層はデバイスの変換効率を改善することが分かる。   The results are shown in FIG. It can be seen that the fluorinated polymer layer according to the present invention improves the conversion efficiency of the device.

活性層3と正孔伝導層4との間の段部(図1参照)での共焦点顕微鏡による観察により、(A)フッ素化ポリマー層の堆積前、および、(B)フッ素化ポリマー層(10%の濃度の溶液)の堆積後について表面の平坦化効果を確認した。画像を図5に示す。   By observation with a confocal microscope at the step between the active layer 3 and the hole conducting layer 4 (see FIG. 1), (A) before deposition of the fluorinated polymer layer and (B) fluorinated polymer layer ( The surface flattening effect was confirmed after deposition of a 10% concentration solution. An image is shown in FIG.

実施例4−(他の保護層無しに対する)効率に関するフッ素化ポリマー層の効果   Example 4-Effect of fluorinated polymer layer on efficiency (as opposed to no other protective layer)

この実施例は、フッ素化ポリマー層の堆積の直後に、液体堆積による無機ガスバリア層の堆積および185nmでのUV処理を行うことを除いて、実施例3と同じ方法で実施した。   This example was performed in the same manner as Example 3 except that the deposition of the inorganic gas barrier layer by liquid deposition and UV treatment at 185 nm was performed immediately after deposition of the fluorinated polymer layer.

結果を図6に示す。バリア層で覆われた本発明によるフッ素化ポリマー層はデバイスの変換効率を改善することが分かる。

The results are shown in FIG. It can be seen that the fluorinated polymer layer according to the invention covered with a barrier layer improves the conversion efficiency of the device.

Claims (20)

フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む層で、少なくとも部分的に、好ましくは完全に直接覆われた電子デバイス。   An electronic device covered at least partially, preferably completely directly, with a layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride. フッ化ビニリデンの繰り返し単位を含む前記ポリマーが、好ましくはヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位も含む共重合体である、請求項1に記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 1, wherein the polymer containing a repeating unit of vinylidene fluoride is a copolymer which preferably also contains a repeating unit derived from hexafluoropropylene. 前記共重合体が、モル比にして2〜50%、好ましくは5〜40%のヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位を含む、請求項2に記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 2, wherein the copolymer contains 2 to 50%, preferably 5 to 40%, of repeating units derived from hexafluoropropylene in a molar ratio. 前記層が1nm〜50μm、好ましくは100nm〜20μmの厚さを有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 1, wherein the layer has a thickness of 1 nm to 50 μm, preferably 100 nm to 20 μm. 前記層が、20nm以下、より具体的には10nm以下、さらにより好ましくは7nm以下の粗さRを有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の電子デバイス。 It said layer, 20 nm or less, more specifically 10nm or less, even more preferably less roughness R a 7 nm, electronic device according to any one of claims 1 to 4. 前記層が、1つまたは複数の追加の保護層で覆われており、好ましくは少なくとも1つのガスバリア層、または接着剤層および少なくとも1つのガスバリアフィルムで覆われている、請求項1から5のいずれか一項に記載の電子デバイス。   Any of the preceding claims, wherein the layer is covered with one or more additional protective layers, preferably with at least one gas barrier layer, or with an adhesive layer and at least one gas barrier film. An electronic device according to claim 1. フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を含むポリマー層がデバイスの唯一の保護層である、請求項1から6のいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 6, wherein the polymer layer containing a repeating unit derived from vinylidene fluoride is the only protective layer of the device. トランジスタ、チップ、電池、光起電力素子、発光ダイオード、有機発光ダイオード、センサ、アクチュエータ、変圧器および光検出器から選択される電子デバイスであり、好ましくは光電子デバイスであり、さらにより好ましくは有機発光ダイオードまたは有機光起電力素子である、請求項1から7のいずれか一項に記載の電子デバイス。   Electronic devices selected from transistors, chips, batteries, photovoltaic elements, light emitting diodes, organic light emitting diodes, sensors, actuators, transformers and photodetectors, preferably optoelectronic devices, even more preferably organic light emitting The electronic device according to claim 1, wherein the electronic device is a diode or an organic photovoltaic element. フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む層を伴う少なくとも1つのガスバリアフィルムを含む、電子デバイス用の保護フィルム。   A protective film for an electronic device comprising at least one gas barrier film with a layer comprising a polymer having a repeating unit derived from vinylidene fluoride. 少なくとも1つの前記ガスバリアフィルムが無機層を含む、請求項9に記載の電子デバイス用の保護フィルム。   The protective film for electronic devices according to claim 9, wherein the at least one gas barrier film includes an inorganic layer. フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層が、
共重合体であり、好ましくはヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位を含む、
および/または、
モル比にして2〜50%、好ましくは5〜40%のヘキサフルオロプロピレンに由来する繰り返し単位を含む、
ことを特徴とする請求項9または10に記載の電子デバイス用の保護フィルム。
The layer comprising a polymer having a repeating unit derived from vinylidene fluoride,
A copolymer, preferably comprising repeating units derived from hexafluoropropylene,
And / or
Containing repeating units derived from hexafluoropropylene in a molar ratio of 2-50%, preferably 5-40%,
The protective film for electronic devices of Claim 9 or 10 characterized by the above-mentioned.
フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層が、
1nm〜50μm、好ましくは100nm〜20μmの厚さを有する、
および/または、
20nm以下、より具体的には10nm以下、さらにより好ましくは7nm以下の粗さRを有する
ことを特徴とする請求項9から11のいずれか一項に記載の電子デバイス用の保護フィルム。
The layer comprising a polymer having a repeating unit derived from vinylidene fluoride,
Having a thickness of 1 nm to 50 μm, preferably 100 nm to 20 μm,
And / or
The protective film for an electronic device according to any one of claims 9 to 11, which has a roughness Ra of 20 nm or less, more specifically 10 nm or less, and even more preferably 7 nm or less.
請求項1から8のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
フッ化ビニリデンの繰り返し単位を含むポリマーを含む溶液または分散液を用意する工程と、
前記溶液または前記分散液を表面に堆積させる工程と、
蒸発工程とを含む、
電子デバイスの製造方法。
A method of manufacturing an electronic device according to any one of claims 1 to 8,
Providing a solution or dispersion containing a polymer comprising repeating units of vinylidene fluoride;
Depositing the solution or the dispersion on a surface;
An evaporation step,
Electronic device manufacturing method.
前記溶液または前記分散液が前記電子デバイスの表面に直接堆積される、請求項13に記載の電子デバイスの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device according to claim 13, wherein the solution or the dispersion liquid is directly deposited on a surface of the electronic device. 1つまたは複数の追加の保護層、好ましくは1つまたは複数のガスバリア層を堆積する工程を含む、請求項13または14に記載の電子デバイスの製造方法。   15. A method of manufacturing an electronic device according to claim 13 or 14, comprising depositing one or more additional protective layers, preferably one or more gas barrier layers. フッ素化ポリマー層上に接着剤を付着させ、次いでガスバリアフィルムをラミネートする工程、
又は、
接着剤層でプレコートされたガスバリアフィルムをラミネートする工程
を含むことを特徴とする請求項13または14に記載の電子デバイスの製造方法。
Depositing an adhesive on the fluorinated polymer layer and then laminating a gas barrier film;
Or
The method for producing an electronic device according to claim 13, comprising a step of laminating a gas barrier film precoated with an adhesive layer.
請求項9から12のいずれか一項に記載の電子デバイス用の保護フィルムを提供すること、および前記保護フィルムを請求項1から8のいずれか一項に記載の電子デバイスの表面に適用することを含む、電子デバイスの製造方法。   It provides the protective film for electronic devices as described in any one of Claims 9-12, and applies the said protective film to the surface of the electronic device as described in any one of Claims 1-8. A method for manufacturing an electronic device, comprising: 請求項1から8のいずれか一項に記載の電子デバイスを1つまたは複数含む装置。   9. An apparatus comprising one or more electronic devices according to any one of claims 1-8. テレビジョンセット、携帯電話、リジッドスクリーン、フレキシブルスクリーン、光起電力素子モジュール、光源、センサおよびエネルギー変換器から選択される、請求項18に記載の装置。   19. The device according to claim 18, selected from a television set, a mobile phone, a rigid screen, a flexible screen, a photovoltaic element module, a light source, a sensor and an energy converter. 請求項18または19に記載の装置であって、
前記電子デバイスが装置の表面に配置され、
フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層が前記電子デバイスの表面とこの表面との間に配置され、
前記電子デバイスは、反対面が、
フッ化ビニリデンに由来する繰り返し単位を有するポリマーを含む前記層によって、
および/または、
1つ以上の追加の保護層、好ましくは1つ以上のガスバリア層または接着層およびガスバリアフィルムによって、覆われることを特徴とする装置。

20. An apparatus according to claim 18 or 19, comprising
The electronic device is disposed on a surface of the apparatus;
The layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride is disposed between the surface of the electronic device and the surface;
The electronic device has an opposite surface,
By said layer comprising a polymer having repeating units derived from vinylidene fluoride,
And / or
A device characterized in that it is covered by one or more additional protective layers, preferably one or more gas barrier layers or adhesive layers and a gas barrier film.

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