JP2019523449A - ターゲットの測定方法、基板、計測装置およびリソグラフィ装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2016年7月21日に出願された米国特許出願第62/365,142号、2016年9月14日に出願された米国特許出願第62/394,457号、および2016年9月27日に出願された米国特許出願第62/400,360号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
本発明は、例えばリソグラフィ技術によるデバイス製造に利用可能な計測のための方法および装置に関する。
I.リソグラフィプロセスの特性を測定する方法であって、
ターゲットが照明光源からの光で照明されているときに、少なくとも2つの重なり合う格子を含むターゲットから散乱された干渉光を検出することと、
ターゲットの特性とは無関係にリソグラフィプロセスの特性を計算することと、
を備える方法。
II.計算が、干渉光から生じる周期的信号の位相に比例する信号を使用することである、節Iに記載の方法。
IIA.ターゲットの特性が、スタックの厚さである、前節のいずれかに記載の方法。
III.リソグラフィプロセスの特性を測定する方法であって、
ターゲットが照明光源からの光で照明されているときに、少なくとも2つの重なり合う格子を含むターゲットから散乱された干渉光を検出することと、
照明光源からの光の波長とは無関係にリソグラフィプロセスの特性を計算することと、
を備える方法。
IV.計算が、干渉光から生じる周期的信号の位相に比例する信号を使用することである、節IIIに記載の方法。
V.リソグラフィプロセスの特性を測定する方法であって、
ターゲットが照明光源からの光で照明されているときに、少なくとも2つの重なり合う格子を含むターゲットから散乱された干渉光を検出することと、
干渉光から生じる周期的信号の位相を決定することを含むリソグラフィプロセスの特性を計算することと、
を備える方法。
VI.リソグラフィプロセスの特性の計算が、スタックの厚さとは無関係である、節Vに記載の方法。
VII.リソグラフィプロセスの特性の計算が、ターゲットを照明するのに使用される光の波長とは無関係である、前節のいずれかに記載の方法。
VIII.リソグラフィプロセスの特性が、オーバーレイである、前節のいずれかに記載の方法。
1.リソグラフィプロセスによって形成されたターゲットを測定する方法であって、ターゲットは、第1の層に第1のターゲット構造を有し、第2の層に第2のターゲット構造を有する層状構造を備え、
測定放射でターゲットを照明することと、
複数の所定の回折次数間の干渉により形成される散乱放射を検出することであって、 所定の回折次数は、第1のターゲット構造からの測定放射の回折によって生成され、続いて第2のターゲット構造から回折される、ことと、
所定の回折次数間の干渉によって形成される検出された散乱放射を使用してリソグラフィプロセスの特性を計算することと、
を備える方法。
2.リソグラフィプロセスの特性が、第1のターゲット構造と第2のターゲット構造との間のオーバーレイエラーを含む、節1に記載の方法。
3.所定の回折次数が、2つの等しく且つ反対の回折次数を含む、節1または2に記載の方法。
4.所定の回折次数は、第1のターゲット構造からの反射による回折によって生成され、第2のターゲット構造からの所定の回折次数の後続の回折は、第2のターゲット構造の透過による回折を含む、または、
所定の回折次数は、第1のターゲット構造の透過による回折によって生成され、第2のターゲット構造からの所定の回折次数の後続の回折は、第2のターゲット構造からの反射による回折を含む、
節1〜3のいずれかに記載の方法。
5.ターゲットは、3ペア以上の重なり合うターゲットサブ構造を含み、重なり合うターゲットサブ構造の各ペアは、第1のターゲット構造内の第1のターゲットサブ構造と、第2のターゲット構造内の第2のターゲットサブ構造とを含み、
重なり合うターゲットサブ構造の各ペアにおける第1のターゲットサブ構造および第2のターゲットサブ構造のそれぞれは、同じピッチおよび配向を有する第1周期成分を含み、
重なり合うターゲットサブ構造の各ペアは、異なるオーバーレイバイアスを与えられる、
前節のいずれかに記載の方法。
6.所定の回折次数の間の干渉によって形成される検出された散乱放射は、複数の強度サブ領域を含み、各強度サブ領域は、空間的に均一な強度を有し、ターゲットサブ構造の3つ以上のペアのうち異なるそれぞれのペアから回折された測定放射によって形成され、リソグラフィプロセスの特性を計算することは、各強度サブ領域内の強度のレベルを使用してリソグラフィプロセスの特性を決定する、節5に記載の方法。
7.所定の回折次数は、ターゲットサブ構造の各ペアにおける第1周期成分からの回折に関して定義される、節5または6に記載の方法。
8.オーバーレイバイアスは、1ペア以上の等しく且つ反対のオーバーレイバイアスを含む、節5から7のいずれかに記載の方法。
9.3ペア以上のターゲットサブ構造は、4ペアのターゲットサブ構造を含む、節5から8のいずれかに記載の方法。
10.オーバーレイバイアスは、以下:−P/8−d、P/8+d、−P/8+dおよびP/8−dを含み、ここで、Pは第1周期成分のピッチであり、dは所定の定数である、節9に記載の方法。
11.所定の回折次数の間の干渉によって形成される検出された散乱放射は、干渉縞を含む、節1から4のいずれかに記載の方法。
12.リソグラフィプロセスの特性の計算は、干渉縞の位相を抽出することによって第1のターゲット構造と第2のターゲット構造との間のオーバーレイエラーを計算することを含む、節11に記載の方法。
13.ターゲットは、少なくとも1ペアの重なり合うターゲットサブ構造を含み、重なり合うターゲットサブ構造の各ペアは、第1のターゲット構造内の第1のターゲットサブ構造および第2のターゲット構造内の第2のターゲットサブ構造を含み、
重なり合うターゲットサブ構造の各ペアにおける第1のターゲットサブ構造および第2のターゲットサブ構造のそれぞれは、同じ向きおよび異なるピッチを有する第1周期成分を含む、
節11または12に記載の方法。
14.所定の回折次数の間の干渉によって形成される検出された散乱放射は、ターゲットサブ構造の各ペアによって形成された干渉縞を含む、節13に記載の方法。
15.ターゲットは、干渉縞と同じ周期性を有する放射パターンを提供するように構成された基準構造をさらに含み、基準構造は、第1のターゲット構造と第2のターゲット構造との間のオーバーレイエラーの関数としての放射パターンにおける縞の位置シフトが実質的にないように設けられる、節14に記載の方法。
16.ターゲットは、少なくとも第1ペアの重なり合うターゲットサブ構造および第2ペアの重なり合うターゲットサブ構造を含み、
第1ペアの重なり合うターゲットサブ構造において、第1のターゲットサブ構造の第1周期成分は第1ピッチを有し、第2のターゲットサブ構造の第1周期成分は第2ピッチを有し、
第2ペアの重なり合うターゲットサブ構造において、第1のターゲットサブ構造の第1周期成分は第2ピッチを有し、第2のターゲットサブ構造の第1周期成分は第1ピッチを有する、
節13から15のいずれかに記載の方法。
17.ターゲットは、層状構造の1つ以上のさらなる層にそれぞれ、1つ以上のさらなるターゲット構造を含み、
ターゲットは、層状構造の層の複数の異なる各ペアのそれぞれにおいて、少なくとも1ペアの重なり合うターゲットサブ構造を含み、層状構造の層の異なる各ペアにある重なり合うサブ構造のペアのそれぞれは、ピッチの差が異なる第1周期成分を含み、それによって、層状構造の層の異なるペアのそれぞれに対して異なる空間周波数を有する干渉縞を提供する、
節11から16のいずれかに記載の方法。
18.ターゲットサブ構造の各ペアにおけるターゲットサブ構造のいずれかまたは両方は、それぞれ、第1周期的成分に対して異なる方向に配向された第2周期的成分を含む、節5から17のいずれかに記載の方法。
19.第1周期成分が第2周期成分に対して垂直に配向されている、節18に記載の方法。
20.第1周期成分に対して異なる方向に配向された第2周期成分を有するターゲットサブ構造は、以下:正方形要素または長方形要素から形成されるチェッカーボードパターン、チェッカーボードパターンの面に垂直な軸周りに所定の角度だけ回転された正方形要素または長方形要素から形成される傾斜チェッカーボードパターン、および二次元格子、のうちの1つまたは複数を含む、節18または19に記載の方法。
21.リソグラフィプロセスによって形成されたターゲットを含む基板であって、ターゲットは、第1の層に第1のターゲット構造を、第2の層に第2のターゲット構造を有する層状構造を含み、第1のターゲット構造および第2のターゲット構造は、ターゲットが測定放射で照射されたときにターゲットから散乱された放射の検出を可能とするよう構成され、検出された散乱放射は、複数の所定の回折次数の間の干渉によって形成され、所定の回折次数は、第1のターゲット構造からの測定放射の回折によって生成され、続いて第2のターゲット構造から回折される、基板。
22.ターゲットは、オーバーレイエラーを測定するためのオーバーレイターゲットであり、オーバーレイターゲットは、所定の回折次数間の干渉によって形成される検出された散乱放射が第1ターゲット構造と第2ターゲット構造との間のオーバーレイエラーの関数として変化するように構成される、節21に記載の基板。
23.基板上にリソグラフィプロセスを使用して生成されたターゲットを測定放射で照明するように構成された照明システムと、
ターゲットの照明から生じる散乱放射を検出するように構成された検出システムと、
を備え、
節1から20のいずれかの方法を実行するように作動する計測装置。
24.基板上にターゲットを形成することによって節21または22に記載の基板を製造するように構成されたリソグラフィ装置。
Claims (15)
- リソグラフィプロセスによって形成されたターゲットを測定する方法であって、前記ターゲットは、第1の層に第1のターゲット構造を有し、第2の層に第2のターゲット構造を有する層状構造を備え、
測定放射で前記ターゲットを照明することと、
複数の所定の回折次数間の干渉により形成される散乱放射を検出することであって、 前記所定の回折次数は、前記第1のターゲット構造からの測定放射の回折によって生成され、続いて前記第2のターゲット構造から回折される、ことと、
前記所定の回折次数間の干渉によって形成される検出された散乱放射を使用して前記リソグラフィプロセスの特性を計算することと、
を備える方法。 - 前記リソグラフィプロセスの特性が、前記第1のターゲット構造と前記第2のターゲット構造との間のオーバーレイエラーを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記所定の回折次数は、2つの等しく且つ反対の回折次数を含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記所定の回折次数は、前記第1のターゲット構造からの反射による回折によって生成され、前記第2のターゲット構造からの所定の回折次数の後続の回折は、前記第2のターゲット構造の透過による回折を含む、または、
前記所定の回折次数は、前記第1のターゲット構造の透過による回折によって生成され、前記第2のターゲット構造からの所定の回折次数の後続の回折は、前記第2のターゲット構造からの反射による回折を含む、
請求項1〜3のいずれかに記載の方法。 - 前記ターゲットは、3ペア以上の重なり合うターゲットサブ構造を含み、前記重なり合うターゲットサブ構造の各ペアは、前記第1のターゲット構造内の第1のターゲットサブ構造と、前記第2のターゲット構造内の第2のターゲットサブ構造とを含み、
前記重なり合うターゲットサブ構造の各ペアにおける前記第1のターゲットサブ構造および前記第2のターゲットサブ構造のそれぞれは、同じピッチおよび配向を有する第1周期成分を含み、
前記重なり合うターゲットサブ構造の各ペアは、異なるオーバーレイバイアスを与えられる、
請求項1から4のいずれかに記載の方法。 - 前記所定の回折次数の間の干渉によって形成される検出された散乱放射は、複数の強度サブ領域を含み、各強度サブ領域は、空間的に均一な強度を有し、前記ターゲットサブ構造の3つ以上のペアのうち異なるそれぞれのペアから回折された測定放射によって形成され、前記リソグラフィプロセスの特性を計算することは、各強度サブ領域内の強度のレベルを使用して前記リソグラフィプロセスの特性を決定する、請求項5に記載の方法。
- 前記所定の回折次数は、前記ターゲットサブ構造の各ペアにおける前記第1周期成分からの回折に関して定義される、請求項5または6に記載の方法。
- 前記オーバーレイバイアスは、1ペア以上の等しく且つ反対のオーバーレイバイアスを含む、請求項5から7のいずれかに記載の方法。
- 3ペア以上の前記ターゲットサブ構造は、4ペアのターゲットサブ構造を含む、請求項5から8のいずれかに記載の方法。
- 前記オーバーレイバイアスは、以下:−P/8−d、P/8+d、−P/8+dおよびP/8−dを含み、ここで、Pは前記第1周期成分のピッチであり、dは所定の定数である、請求項9に記載の方法。
- 前記所定の回折次数の間の干渉によって形成される検出された散乱放射は、干渉縞を含む、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィプロセスによって形成されたターゲットを含む基板であって、前記ターゲットは、第1の層に第1のターゲット構造を、第2の層に第2のターゲット構造を有する層状構造を含み、前記第1のターゲット構造および前記第2のターゲット構造は、前記ターゲットが測定放射で照射されたときに前記ターゲットから散乱された放射の検出を可能とするよう構成され、検出された散乱放射は、複数の所定の回折次数の間の干渉によって形成され、前記所定の回折次数は、前記第1のターゲット構造からの測定放射の回折によって生成され、続いて前記第2のターゲット構造から回折される、基板。
- 前記ターゲットは、オーバーレイエラーを測定するためのオーバーレイターゲットであり、前記オーバーレイターゲットは、前記所定の回折次数間の干渉によって形成される検出された散乱放射が前記第1のターゲット構造と前記第2のターゲット構造との間のオーバーレイエラーの関数として変化するように構成される、請求項12に記載の基板。
- 基板上にリソグラフィプロセスを使用して生成されたターゲットを測定放射で照明するように構成された照明システムと、
前記ターゲットの照明から生じる散乱放射を検出するように構成された検出システムと、
を備え、
請求項1から11のいずれかの方法を実行するように作動する計測装置。 - 基板上にターゲットを形成することによって請求項12または13に記載の基板を製造するように構成されたリソグラフィ装置。
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