JP2019522901A - トランス装置及びそれを製造する方法 - Google Patents

Abstract

トランス装置（２００）は、トランスコア（２１０）と、少なくとも１つの一次巻線と、少なくとも１つの二次巻線と、を備える。さらにトランス装置（２００）が、インサート（２２０）と、回路基板（２３０）と、を備える。少なくとも１つの一次巻線がインサート（２２０）に配置されている。また、少なくとも１つの二次巻線が回路基板（２３０）に配置されている。この場合、インサート（２２０）、回路基板（２３０）、及びトランスコア（２１０）が、相互に結合可能である又は結合されている。【選択図】図３

Description

本発明は、トランス装置、トランス装置を製造する方法、対応する装置、及び対応するコンピュータプログラム製品に関する。

ガルバニック絶縁を備えるトランスは、例えば、一次側及び二次側でフェライトコアの周りに銅線を巻き回して製造することができる。この目的のために、更に、例えばその巻線を回路基板内部で実現することができる平面トランスの可能性がある。

この背景を鑑みて、本発明の課題は、主請求項による、改善されたトランス装置、トランス装置を製造する改善された方法、改善された装置、及び改善されたコンピュータプログラム製品を提供することである。有利な実施形態は、従属請求項及び以下の説明から明らかとなる。

本発明の実施形態により、特に、一次巻線を備える圧入素子と、二次巻線を備える回路基板に基づく平面トランスとの組み合わせを提供することができる。従って、ハイブリッドトランス又はハイブリッド平面トランスを実現できる。この場合、例えば、従来の巻線トランスの利点を、平面トランスの利点と組み合わせることができる。この場合、特に一次巻線及び二次巻線を、構造的に分離された相互に接続可能なユニットに配置することができる。これらのユニットのうち、少なくとも１つのみを、回路基板として設計することができる。

有利なことに、本発明の実施形態により、特に組み合わせることによって、回路基板構造の複雑性を、完全な平面構造で設計されたトランスと比較して低減できる。さらに、例えば回路基板内部の一次巻線を省略することによって、特に、いわゆる埋め込みビアである埋め込みスルーコンタクトを回路基板内部において避けることができる。従って、回路基板の構造を単純化することができる。さらに、特に空間距離及び沿面距離をも、例えばプラスチック製のインサートによって実現することができるため、回路基板内部で考慮される必要はない。特に、巻数比に応じて、回路基板層の数又は回路基板における層の数を低減することもできる。例えば、単に例示的に５：１：１又は１６：１：１の巻数比に応じて、少なくとも２又は４層を低減できる。特に、トランスコアにおいて利用可能な巻線窓の銅充填度も高めることができる。

従来の巻線トランスと比較して、例えば、特に放熱又は熱除去を改善可能である。また、製造を単純化可能、空間距離及び沿面距離を単純な方法で実現可能、電気的接触をも、ねじ留め又は半田付けとは異なる方法で実現可能、高電流用途においても構造技術及び接続技術を単純化可能、また漏洩インダクタンスを低減可能である。

単一の回路基板において構成された平面トランスと比較して、特に、巻線窓を利用するための回路基板の層の数を低減できる。さらに、例えば高電圧電位が作用する可能性のある一次巻線は、空間距離及び沿面距離又は絶縁距離に関して、低減された要件のみを満たすだけでよい。

トランスコアと、少なくとも１つの一次巻線と、少なくとも１つの二次巻線と、を備えるトランス装置を提供する。トランス装置が、インサートと、回路基板と、を備える。少なくとも１つの一次巻線がインサートに配置されている。少なくとも１つの二次巻線が回路基板に配置されている。インサート、回路基板、及びトランスコアが、相互に結合可能である又は結合されている。

トランス装置は、ガルバニック絶縁を備えるトランス装置として設計することができる。トランスコアは、フェライトコア又は鉄心として設計することができる。インサートは、機械的に及び任意追加的に電気的に、回路基板と結合可能である又は結合されてよい。

一実施形態によれば、インサートは少なくとも１本のリッツ線及び１つの電気絶縁材を備えることができる。この場合、少なくとも１本のリッツ線は電気絶縁材中に埋め込まれてよい。電気絶縁材は、プラスチック材料を備えることができる。少なくとも１本のリッツ線は、高周波リッツ線であってよい。そうした実施形態は、特に高周波リッツ線に基づく一次巻線によって、ライン断面積全体の増加に起因する一次伝導損失の低減を達成できる、という利点を提供する。空間距離及び沿面距離は、更に、プラスチックキャリア中への埋め込みによって、簡単な方法で実現できる。

代替的に、インサートは更なる回路基板を備えることができる。少なくとも１つの一次巻線は、更なる回路基板に配置されてよい。そうした実施形態は、少なくとも１つの一次巻線への電流負荷が低減されると、インサートを、更なる回路基板又は追加的な回路基板の形状でもインサートとして実現できる、という利点を提供する。両方の回路基板の層の数を、こうした変更実施形態によって、同様に低減することができる。

さらにインサートは、少なくとも１つの圧入素子を備えることができる。インサートを回路基板と結合させるために、圧入素子が回路基板中に圧入される。少なくとも１つの圧入素子は、例えば金属材料から形成されてよい。そうした実施形態は、例えば、少なくとも１つの一次巻線を備えるプラスチックキャリアとして設計されたインサートと、回路基板とを、圧入技術を用いて簡単、迅速かつ確実に、相互に結合させることができる、という利点を提供する。

この場合、インサートは複数の圧入素子を備えることができる。この場合、複数の圧入素子のうちの２つの圧入素子は、一次巻線用の電気接続として形成されている。従って２つの圧入素子が、電気的に一次巻線と接続されてよく、回路基板中に圧入されることによって、電気的に接触されてよい。そうした実施形態は、スペース及び労力を節約することができる、という利点を提供する。圧入素子によって、部分的にも、機械的接続と電気的接続の二重機能を行使することができる。

回路基板は、複数の層も備えることができる。この場合、少なくとも１つの二次巻線は、回路基板の少なくとも１つの層として形成されてよい。回路基板は、単に例示的に、特に任意の中間層を備える４層で設計することができる。そうした実施形態は、少なくとも１つの二次巻線を、スペースを節約しつつ実現できる、という利点を提供する。

さらに、回路基板は、少なくとも１つのスルーコンタクトを備えることができる。この場合、少なくとも１つのスルーコンタクトが、回路基板の全ての層を貫通することができる。そうした実施形態は、特に、回路基板における埋め込みスルーコンタクトを避けることができるため、回路基板を構成する労力を低減できる、という利点を提供する。

さらに、トランス装置は、回路基板から、及び追加的又は代替的にインサートからの熱を放熱させるヒートシンクを備えることができる。この場合、回路基板は、少なくとも１つのヒートシンクとインサートとの間に、配置可能である又は配置されてよい。そうした実施形態は、トランス装置における放熱又は熱除去を改善することができる、という利点を提供する。

この場合、トランス装置は、回路基板から少なくとも１つのヒートシンクへ放熱させる導熱層を備えることができる。この場合導熱層は、回路基板と少なくとも１つのヒートシンクとの間に、配置可能である又は配置されてよい。導熱層は、両方の方法で、導熱箔として設計することができる。そうした実施形態は、放熱及び導熱の両方を更に改善できる、という利点を提供する。

トランス装置を製造する方法を提案する。方法が、トランス装置の少なくとも１つの一次巻線をインサートに配置する、インサートを成形するステップと、トランス装置の少なくとも１つの二次巻線を回路基板に配置する、回路基板を構成するステップと、インサート、回路基板、及びトランスコアを、相互に結合するステップと、を含む。

方法を実行することにより、上記のトランス装置を有利に製造することができる。この場合、成形するステップ及び構成するステップは、並行して、又は少なくとも部分的に随意の順序で連続して実行することができる。形成するステップにおいても、及び追加的又は代替的に構成するステップにおいても、トランスコアに対して部分組立を実施することができる。

一実施形態により、成形するステップにおいて、少なくとも１本のリッツ線を、電気絶縁材中に埋め込むことができる。電気絶縁材は、プラスチック材料であってよい。そうした実施形態は、インサートを、構成的な労力を抑え、費用対効果に優れて実現することができる、という利点を提供する。

代替的に、成形するステップにおいて、少なくとも１つの二次巻線で更なる回路基板を構成することができる。更なる回路基板は、多層構造で設計することができる。この場合、少なくとも１つの二次巻線を、更なる回路基板の少なくとも１つの層として形成することができる。そうした実施形態は、特に、少なくとも１つの一次巻線への電流負荷が低減されると、インサートを、少なくとも１つの平面で設計された二次巻線で実現できる、という利点を提供する。

さらに、上記の方法の実施形態のステップを実行するよう構成された装置を提案する。

装置は、電気デバイスであってよい。電気デバイスは、例えばセンサ信号である電気信号を処理し、それに応じて制御信号を出力することができる。装置は、１つ以上の適切なインターフェイスを備えることができる。インターフェイスは、ハードウエア及び／又はソフトウエアで構成することができる。ハードウエアによる構成において、インターフェイスは、例えば、装置の機能が実装される集積回路の部分とすることができる。インターフェイスは、それ自体が集積回路であってもよく、又は少なくとも部分的にディスクリート部品から構成することができる。ソフトウエアによる構成において、インターフェイスは、例えば、他のソフトウエアモジュールに加えてマイクロコントローラ上に存在するソフトウエアモジュールとすることができる。

プログラムコードを備えるコンピュータプログラム製品も有利である。プログラムコードは、半導体メモリ、ハードディスクメモリ、または光メモリのような機械可読キャリアに格納されてよく、プログラムがコンピュータ又は装置で実行される際に、上述の実施形態のうちの１つに従う方法を実行するために使用される。

本発明は、添付の図面を参照して、以下に例示的に詳説される。

平面トランスの概略的な断面図である。 本発明の実施形態によるトランス装置の概略的な断面図である。 図２のトランス装置の部分の概略的な断面図である。 図２のトランス装置のインサートの概略的な断面図である。 図２のトランス装置の回路基板の概略的な断面図である。 図２のトランス装置の回路基板の概略図である。 図２のトランス装置のインサートの概略図である。 本発明の実施形態による製造する方法のフローチャートである。 本発明の実施形態による装置の概略図である。

本発明の好適な実施形態に関する以下の記載において，異なる図面に記された類似の作用を有する要素に関しては同一又は類似の符号を使用し，これら要素を繰り返して記載することを控えている。

図１は、平面トランス１００の概略的な断面図を示す。換言すると、図１は、平面トランス１００における、単に例示的な８層回路基板構造を示す。この場合、平面トランス１００の一次巻線及び二次巻線は単一の回路基板に配置されている。

回路基板の回路基板構造は、図１に示すように、上から下へ以下の層を備える。第１層１０１、半加工層１１０又はプリプレグ層１１０（プリプレグ＝予備含浸繊維）、第２層１０２、コア層１２０、第３層１０３、更なる半加工層１１０、第４層１０４、更なるコア層１２０、第５層１０５、更なる半加工層１１０、第６層１０６、更なるコア層１２０、第７層１０７、更なる半加工層１１０、及び第８層１０８である。

この場合、第２層１０２、第３層１０３、第６層１０６、及び第７層１０７は、一次巻線用に使用される。第１層１０１、第４層１０４、第５層１０５、及び第８層１０８は、二次巻線用に使用される。

回路基板の回路基板構造は、更に、単に例示的なスルーコンタクト１３０、及び単に例示的な２つの埋め込みスルーコンタクト１４０又はいわゆる埋め込みビアを供える。

図２は、本発明の実施形態によるトランス装置２００の概略的な断面図を示す。トランス装置２００は、トランスコア２１０を備える。トランスコア２１０は、例えばフェライトから形成されている。さらに、トランス装置２００はインサート２２０を備える。トランス装置２００の少なくとも１つの一次巻線が、インサート２２０に配置されている又は形成されている。トランス装置２００は回路基板２３０も備える。トランス装置２００の少なくとも１つの二次巻線が、回路基板２３０に配置されている又は形成されている。

インサート２２０、回路基板２３０、及びトランスコア２１０は、機械的に相互に結合されている。この場合、インサート２２０及び回路基板２３０は、少なくとも部分的に、トランスコア２１０に配置されている。インサート２２０及び回路基板２３０は、別個の相互に結合されたユニット又は素子を表す。従って、少なくとも１つの一次巻線及び少なくとも１つの二次巻線は、分離された素子に配置されている。換言すると、少なくとも１つの一次巻線がインサート２２０を用いて実現されている。少なくとも１つの二次巻線は、回路基板２３０を用いて実現されている。インサート２２０及び回路基板２３０に関して、以下に、後続の図面を参照して詳説する。

図２に示す本発明の実施形態により、インサート２２０は複数の圧入素子２２５を備える。複数の圧入素子２２５のうち、図面上の制限により、２つの圧入素子２２５のみが明示されている。圧入素子２２５は、インサート２２０を回路基板２３０と結合させるために、回路基板２３０中に圧入されるよう形成されている。図２に示すように、圧入素子２２５は回路基板２３０中に圧入されている。

さらに、図２に示す本発明の実施形態によるトランス装置２００は、例示的に、回路基板２３０から及び／又はインサート２２０からの熱を放熱させるヒートシンク２４０を備える。この場合、回路基板２３０はヒートシンク２４０とインサート２２０との間に配置されている。ヒートシンク２４０は、熱的に、少なくとも回路基板２３０と結合されている。追加的に、トランス装置２００はこの場合、回路基板２３０からヒートシンク２４０へ放熱させる導熱層２５０を備える。導熱層２５０は、回路基板２３０とヒートシンク２４０との間に配置されている。この場合導熱層２５０は、例示的に導熱箔として設計されている。従ってヒートシンク２４０が、導熱層２５０を介して、熱的に、少なくとも回路基板２３０と結合されている。

図３は、図２のトランス装置の部分の概略的な断面図を示す。トランス装置の、トランスコア２１０、インサート２２０、及び回路基板２３０が、図３に示す部分に示されている。トランス装置の一次巻線は、インサート２２０に配置されている。トランス装置の二次巻線は、回路基板２３０に配置されている。

図４は、図２のトランス装置のインサート２２０の概略的な断面図を示す。この場合、一次巻線４６０も明示されている。一次巻線４６０は、少なくとも１本のリッツ線４２２又は高周波リッツ線４２２を用いて実現されている。リッツ線４２２は、電気絶縁材４２４中に、封入物として電気絶縁のために埋め込まれている。電気絶縁材４２４は、例えばプラスチック材料である。従って、インサート２２０は、リッツ線４２２又は高周波リッツ線４４２及び電気絶縁材４２４を備える。一次巻線４６０は、リッツ線４２２又は高周波リッツ線４２２を用いて形成されている。

他の一実施形態により、インサート２２０は、更なる回路基板を備えることができる又は更なる回路基板として実現されうる。更なる回路基板には、一次巻線が配置されている。

図５は、図２のトランス装置の回路基板の概略的な断面図を示す。回路基板２３０は、平面トランスにおける、二次巻線を備え一次巻線を備えない、例示的な４層回路基板構造を備える。

回路基板の回路基板構造は、図５に示すように、上から下へ以下の層を備える。第１層５３１、コア層５３５、第２層５３２、半加工層５３６又はプリプレグ層５３６（プリプレグ＝予備含浸繊維）、第３層５３３、更なるコア層５３５、及び第４層５３４である。従って、回路基板２３０は複数の層５３１、５３２、５３３、５３４、５３５、及び５３６を備える。トランス装置の少なくとも１つの二次巻線は、回路基板の少なくとも１つの層５３１、５３２、５３３、及び／又は５３４として形成されている。

回路基板２３０は、更に、例示的に１つのみのスルーコンタクト５３７を備える。スルーコンタクト５３７は、回路基板２３０の全ての層５３１、５３２、５３３、５３４、５３５、及び５３６を貫通する。

図６は、図２のトランス装置の回路基板２３０の概略図を示す。この場合、回路基板２３０は、概略的な平面図又は部分的に透明な平面図で示されている。図６において、二次巻線６７０が回路基板２３０において明示されている。二次巻線６７０は、回路基板２３０において、少なくとも１つの層として又は少なくとも１つの層に、形成されている又は実現されている。

図７は、図２のトランス装置のインサート２２０の概略図を示す。この場合、インサート２２０は、概略的な平面図又は部分的に透明な平面図で示されている。インサート２２０の、複数の圧入素子２２５及び７２５、リッツ線４２２又は高周波リッツ線４２２、電気絶縁材４２４、及び一次巻線４６０が、図７に示されている。

この場合一次巻線４６０は、インサート２２０において、高周波リッツ線４２２を用いて実現されている。高周波リッツ線４２２は、この場合複数回巻き回されている。この場合高周波リッツ線４２２が、電気絶縁材４２４中に、埋め込まれている又は封入されている。

インサート２２０は、複数の圧入素子２２５及び７２５を備える。厳密には、インサート２２０は、単に例示的に４つの圧入素子２２５及び７２５を備える。これらのうち、単に例示的に、２つの圧入素子２２５が、インサート２２０を取り付けるために、又はインサート２２０をトランス装置の回路基板に押圧するために、形成されている。例示的に、複数の圧入素子２２５及び７２５のうちの、２つの他の圧入素子７２５は、一次巻線４６０用の電気接続として、またインサート２２０を取り付けるために、又はインサート２２０をトランス装置の回路基板に押圧するために、形成されている。従って圧入素子７２５は、一次巻線４６０の電気的接触としての役割と、インサート２２０を機械的に固定する役割の、両方を果たす。換言すると、従って一次巻線４６０又は一次コイル４６０用の電気接続が、２つの圧入素子７２５と、接続されている又は組み合わされている。

図８は、本発明の実施形態による、製造する方法８００又は製造方法８００のフローチャートを示す。製造方法８００は、トランス装置を製造するために実行可能である。厳密には、製造方法８００は、図２のトランス装置または類似のトランス装置を製造するために実行可能である。

製造方法８００は、トランス装置の少なくとも１つの一次巻線をインサートに配置する、インサートを成形するステップ８１０を含む。製造方法８００は、トランス装置の少なくとも１つの二次巻線を回路基板に配置する、回路基板を構成するステップ８２０も含む。さらに製造方法８００は、インサート、回路基板、及びトランスコアを、相互に結合するステップ８３０を含む。

成形するステップ８１０及び構成するステップ８２０は、随意の順序で、また追加的又は代替的に少なくとも部分的に並行して実行可能である。

一実施形態により、成形するステップ８１０において、少なくとも１本のリッツ線を、電気絶縁材中に埋め込む。代替的に、成形するステップ８１０において、少なくとも１つの二次巻線で更なる回路基板を構成する。

図９は、本発明の実施形態による装置９００の概略図を示す。装置９００は、制御デバイスとして設計されている。装置９００は、トランス装置の製造に作用し又は製造を制御するよう構成されている。厳密には、装置９００は、図２のトランス装置又は類似のトランス装置の製造に作用し又は製造を制御するよう構成されている。

装置９００は、信号送信が可能な状態で、製造システム９５０と接続されている。製造システム９５０は、例示的にのみ、第１機械９６０、第２機械９７０、及び第３機械９８０を備える。

装置９００は、成形ユニット９１０を備える。成形ユニット９１０は、インサートを成形する第１機械９６０を制御するよう構成されている。インサートには、トランス装置の少なくとも１つの一次巻線が配置されている。装置９００は、構成ユニット９２０も備える。構成ユニット９２０は、回路基板を構成する第２機械９７０を制御するよう構成されている。回路基板には、トランス装置の少なくとも１つの二次巻線が配置されている。さらに装置９００は、結合ユニット９３０を備える。結合ユニット９３０は、インサート、回路基板、及びトランスコアを、相互に結合する第３機械９８０を制御するよう構成されている。

実施形態は第１の特徴及び第２の特徴の間を「及び／又は」とした結合を含むため、１つの実施形態による実施例は第１の特徴と第２の特徴の双方を有し、更なる実施形態による実施例は第１の特徴又は第２の特徴の何れか一方のみを有すると解釈可能である。

１００ 平面トランス
１０１ 第１層
１０２ 第２層
１０３ 第３層
１０４ 第４層
１０５ 第５層
１０６ 第６層
１０７ 第７層
１０８ 第８層
１１０ 半加工層又はプリプレグ層
１２０ コア層又はコア
１３０ スルーコンタクト
１４０ 埋め込みスルーコンタクト
２００ トランス装置
２１０ トランスコア
２２０ インサート
２２５ 圧入素子
２３０ 回路基板
２４０ ヒートシンク
２５０ 導熱層
４２２ リッツ線
４２４ 電気絶縁材
４６０ 一次巻線
５３１ 第１層
５３２ 第２層
５３３ 第３層
５３４ 第４層
５３５ コア層
５３６ 半加工層又はプリプレグ層
５３７ スルーコンタクト
６７０ 二次巻線
７２５ 圧入素子
８００ 製造する方法又は製造方法
８１０ 成形するステップ
８２０ 構成するステップ
８３０ 相互に結合するステップ
９００ 装置
９１０ 成形ユニット
９１０ 組立ユニット
９３０ 結合ユニット
９５０ 製造システム
９６０ 第１機械
９７０ 第２機械
９８０ 第３機械

Claims (14)

1. トランスコア（２１０）と、少なくとも１つの一次巻線（４６０）と、少なくとも１つの二次巻線（６７０）と、を備えるトランス装置（２００）であって、前記トランス装置（２００）が、インサート（２２０）と、回路基板（２３０）とを有し、前記少なくとも１つの一次巻線（４６０）が前記インサート（２２０）に配置され、前記少なくとも１つの二次巻線（６７０）が前記回路基板（２３０）に配置され、前記インサート（２２０）、前記回路基板（２３０）、及び前記トランスコア（２１０）が、相互に結合可能である又は結合されているトランス装置（２００）。
2. 請求項１に記載のトランス装置（２００）であって、前記インサート（２２０）が少なくとも１本のリッツ線（４２２）及び１つの電気絶縁材（４２４）を備え、前記少なくとも１本のリッツ線（４２２）が前記電気絶縁材（４２４）中に埋め込まれていることを特徴とするトランス装置（２００）。
3. 請求項１に記載のトランス装置（２００）であって、前記インサート（２２０）が更なる回路基板を備え、前記少なくとも１つの一次巻線（４６０）が、前記更なる回路基板に配置されていることを特徴とするトランス装置（２００）。
4. 請求項１〜３の何れか一項に記載のトランス装置（２００）であって、前記インサート（２２０）が少なくとも１つの圧入素子（２２５；７２５）を備え、前記インサート（２２０）を前記回路基板（２３０）と結合させるために、前記圧入素子（２２５；７２５）が前記回路基板（２３０）中に圧入されることを特徴とするトランス装置（２００）。
5. 請求項４に記載のトランス装置（２００）であって、前記インサート（２２０）が複数の圧入素子（２２５；７２５）を備え、前記複数の圧入素子（２２５；７２５）のうちの２つの圧入素子（７２５）は、前記一次巻線（４６０）用の電気接続として形成されていることを特徴とするトランス装置（２００）。
6. 請求項１〜５の何れか一項に記載のトランス装置（２００）であって、前記回路基板（２３０）が複数の層（５３１、５３２、５３３、５３４、５３５、５３６）を備え、前記少なくとも１つの二次巻線（６７０）が、前記回路基板（２３０）の少なくとも１つの層（５３１、５３２、５３３、５３４）として形成されていることを特徴とするトランス装置（２００）。
7. 請求項１〜６の何れか一項に記載のトランス装置（２００）であって、前記回路基板（２３０）が、少なくとも１つのスルーコンタクト（５３７）を備え、前記少なくとも１つのスルーコンタクト（５３７）が、前記回路基板（２３０）の全ての層（５３１、５３２、５３３、５３４、５３５、５３６）を貫通することを特徴とするトランス装置（２００）。
8. 請求項１〜７の何れか一項に記載のトランス装置（２００）であって、前記回路基板（２３０）から及び／又は前記インサート（２２０）からの熱を放熱させる少なくとも１つのヒートシンク（２４０）を特徴とし、前記回路基板（２３０）が、前記少なくとも１つのヒートシンク（２４０）と前記インサート（２２０）との間に、配置可能である又は配置されているトランス装置（２００）。
9. 請求項８に記載のトランス装置（２００）であって、前記回路基板（２３０）から前記少なくとも１つのヒートシンク（２４０）へ放熱させる導熱層（２５０）を特徴とし、前記導熱層（２５０）が、前記回路基板（２３０）と前記少なくとも１つのヒートシンク（２４０）との間に、配置可能である又は配置されているトランス装置（２００）。
10. トランス装置（２００）を製造する方法（８００）であって、前記方法（８００）が、前記トランス装置（２００）の少なくとも１つの一次巻線（４６０）をインサート（２２０）に配置する、インサート（２２０）を成形するステップ（８１０）と、前記トランス装置（２２０）の少なくとも１つの二次巻線（６７０）を回路基板（２３０）に配置する、回路基板（２３０）を構成するステップと、前記インサート（２２０）、前記回路基板（２３０）、及びトランスコア（２１０）を、相互に結合するステップ（８３０）と、を含むことを特徴とする方法（８００）。
11. 請求項１０に記載の方法（８００）であって、前記成形するステップ（８１０）において、少なくとも１本のリッツ線（４２２）を、電気絶縁材（４２４）中に埋め込むことを特徴とする方法（８００）。
12. 請求項１０に記載の方法（８００）であって、前記成形するステップ（８１０）において、前記少なくとも１つの二次巻線（６７０）で更なる回路基板を構成することを特徴とする方法（８００）。
13. ユニット（９１０；９２０；９３０）を備える装置（９００）であって、前記ユニット（９１０；９２０；９３０）が請求項１〜１２の何れか一項に記載の方法（８００）のステップを実行するよう構成されている装置（９００）。
14. コンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラム製品が装置上で実行される際に、請求項１〜１３の何れか一項に記載の方法（８００）を実行するプログラムコードを備えるコンピュータプログラム製品。

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