JP2019512743A - 環状ナノジェットレンズ - Google Patents
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Abstract
Description
・ 立方体のサイズ及び形状に課される厳しい要件、
・ 所望の屈折率を有する材料の欠如(光領域では、ホスト媒体として使用され得る一般的な光学ガラス及びプラスチックの屈折率がn1≒1.3から最大で2.0まで変化し、一方で、非特許文献9に従って、立方体レンズの屈折率の所望の値は、標準の光学材料についての範囲の外にあるn2〜2.25であるべきである(標準のガラスについての屈折率値n1≒1.5及び推奨される比n1/n2=1.5から得られる。)、
・ 空間内にそのようなレンズの位置を設定するために提供される解決法がないこと。これは、立方体の小型サイズのために重要な点である。
・ 金属の特定の材料特性(すなわち、可視光スペクトルにおいていくつかの貴金属にのみ内在する比誘電率の負実数部)、
・ 入射場における法線電界成分、及び
・ SPPランチャーの使用(例えば、誘電体プリズム又は格子)。
・ 部品の物理寸法、
・ 限られた空間分解能、
・ 誘電物質の限られた選択(限られた屈折率変動範囲)
・ いくつかの製造/集積の困難性、
・ デバイスの動作原理と関係があるそれらのデバイスの性能特性(例えば、色収差及び/又は偏光感度応答)における特定の制限。
円筒、
角柱、
錐体
を含むグループに属する幾何学形状を有することを目標とされ、前記幾何学形状が、任意の断面を有する点において注目に値する。
円筒、
角柱、
錐体
を含むグループに属する幾何学形状を有することを目標とされ、前記第1要素の幾何学形状が、任意の断面を有する点で注目に値する。
ガラス、
プラスチック、
ポリマー材料
を含むグループに属する点で注目に値する。
ガラス、
プラスチック、
ポリマー材料、
液体、
気体
を含むグループに属する点で注目に値する。
複数の‘独立した’ビーム(同じ又は同じでない形状を有している。)を生成することができる。これは、フレネル回折レンズによっては不可能である。そのような独自の特徴は、本開示に従うナノジェットに基づいたフォーカシング部品(又はデバイス)を、多くの今日及び将来の用途のために魅力的なものにする。
P=Em 2/2η≒1.3nEm 2 [mw/m2] (式1)
と定義される時間平均ポインティング(Poynting)ベクトルによって特性化される電力密度に関してプロットされたXZ平面における近傍界マップを示す。ここで、Emは電界の振幅であり、ηは媒体における波動インピーダンスであり、nはホスト媒体の屈折率である。式(1)に従って、屈折率nを有する誘電体ホスト媒体において伝播する単位振幅平面波に関連した電力密度値は、P0≒1.3n[mW/m2]に等しい。以降、この値は、対応するホスト媒体において埋め込まれている様々なタイプのナノジェットレンズを用いて達成される相対的な場強度増強(FIE)の定義のための基準と見なされる:
FIE=P/P0[a.u.] (式2)
ここで、Pは、時間平均ポインティングベクトルによって特性化されるシミュレーションされた電力密度であり、P0は、同じホスト媒体において伝播する単位振幅平面波の基準電力密度である。
・ 空洞のベース120に(あるいは、より一般的には、ホスト媒体において形成された段差のより低い位置の表面に)関連した屈折率−段差不連続からの回折、
・ 空洞の側面端121での(あるいは、より一般的には、段差の外側面での)回折波の屈折、及び
・ 空洞の外での(あるいは、より一般的には、ホスト媒体での)入射面波と屈折波との干渉
の組み合わせによって説明され得る。
・ 入射平面波は、空洞ベースに関連した誘電体−空気境界120で(又は、より一般的には、ホスト媒体の表面における水平面の急な変化によって引き起こされるホスト媒体での屈折率の段差に達する場合に)電流を誘導する。
・ そのような誘導された電流は、ホイヘンス(Huygens)2次ソース50乃至53と見なされる。
・ 回折理論に従って、ホイヘンスソースによって放射された球面波54は、‘影領域’に向かう、すなわち、空洞の側面境界121を超えるいくらかの電力漏れを引き起こす。
・ 側面(垂直)境界を横断するときに、ホイヘンスソースによって放射された波は、スネル−デカルトの法則に従って特定の角度での屈折波の傾きを引き起こす屈折を経験する。
・ 図8(b)で、我々は、空洞の外で波面が空洞ベースラインに沿った異なるホイヘンスソース位置について同時に起こって、局所的な場増強を生じさせることに気付くことができる。そのような面の平面形状は、空洞の外から伝播する指向性ビームの生成を証明する。
・ 最後に、空洞の外で、屈折波は、ナノジェットビーム55を生じさせるように、下から入射する平面波と建設的に干渉している56、57。
(i)ホスト媒体及び空洞物質の屈折率の間の比、及び
(ii)空洞の底角
の関数である。簡単のために、前述において、我々は、90°に等しい底角を有し、よって、垂直端を備えた円筒形状を有している空洞のみを考える。
θ1≒θTIR (式3)
ここで、θTIR=sin−1(n2/n1)は、屈折率n1及びn2を有するジオプターのための臨界角である。
θB≒((π/2)−θTIR)/2 (式4)
第1の近似において、環状ナノジェットレンズの焦点長さは、コア半径R1と、式(3)によって定義されるナノジェットビーム放射角θBとの関数として導出され得る。ナノジェット放射角が環状レンズの高さ及び半径の如何なる組み合わせについても一定のままであるという仮定の下で、環状レンズの焦点長さは:
F=R1/tan(θB) (式5)
と推定され得る。ここで、Fは、レンズ底面から最大場強度を有する点までの距離である(図16(a))。
F≒R1/tan((90°−42°)/2)≒2.25R1
と推定される。
傾斜照射の場合に、ナノジェットビームの角度は、入射波伝播方向の傾きに比例して傾く(図18を参照。)。
環状空洞の幅は、ナノジェットビームの特性を変えることができる。特に、それは、環状ナノジェットレンズの焦点長さ及びビーム形状に作用することができる。
・ ホットスポットにおいて場強度を増大させ(図19)、
・ ナノジェットビームの長さを変える(図20)
ために、最適化され得る。
環状ナノジェットレンズのホットスポットにおける最大場強度に対する環の幅の影響は、図19において説明される。ここで、図19(a)では、環の固定コアサイズ(Lz=740nm、R1=370nm)及び可変な幅を有するレンズについて、z軸に沿った電力密度分布が見られる。便宜上、環の異なる幅について観察される電力密度の最大値は、ホットスポット位置とともに図19(b)においてプロットされている。対応する近傍界パターンは、図19(c)〜(f)において与えられている。明らかなように、〜40mW/m2の最大電力密度は、環の幅W≒500nm(すなわち、空洞内の約1波長)について達成される。式(2)に従って、対応する場強度増強は、FIE≒20a.u.であり、これは、図5で報告されている中空円筒空洞111について観察されたものよりも10倍高い。
ナノジェットビームの長さに対する環の幅の影響は、図20において説明される。ここで、レンズの小さい高さは、ナノジェットビームの有効な発生を妨げる。これは、図19で報告されているより大きいサイズのレンズと比較してずっと低い場強度によって、明らかである。このために、フレネル型フォーカシングメカニズムの寄与は、ナノジェット現象に匹敵する。結果として、z軸に沿って2つの極大を有するより長いビームが生成される。
ナノジェット及びフレネル型フォーカシングメカニズムの背後にある物理メカニズムの相違は、それら2つの現象の異なる帯域幅をもたらす。
環の外側形状は、むしろ任意に選択され得る。
コアサイズは、環状ナノジェットレンズの重要なパラメータである。このパラメータは、ナノジェットビーム領域におけるピーク場強度及びz軸に沿ったホットスポット位置を決定する。
コアの高さ及び半径と、ナノジェットフォーカシング効果により推定されるFIEとの間の最適な比率は、レンズコア及び空洞の材料間の屈折率比の関数である。屈折率n2=1.49を有する限りないホスト媒体に埋め込まれた中空環(n1=1)を備えた環状ナノジェットレンズの全波解析は、最大場強度がLz/R1≒2について達成されることを明らかにした(図24(a))。対応する場強度増強は、FIR〜18R1/λ1[a.u.]と推定される(少なくとも1/2<R1/λ2<2について有効。)。n1=2.0の場合に、最適な比率はLz/R1=1.4と定義される(図24(b))。対応する場強度増強はFIE〜16R1/λ1[a.u.]と推定される(少なくとも1/2<R1/λ2<3について有効。)。
コア円筒の形状は、むしろ任意に選択され、ナノジェットビームの所望の形状及びサイズを提供するために最適化され得る(図25及び26)。
・ 検出器、例えば、フォトダイオード(例えば、写真カメラにおける光学センサで使用されるもの)、
・ 他のフォーカシング、ビームフォーミング又は導光要素、例えば、レンズ、格子、光ファイバ、など(AR/VRメガネ、光通信、など)、
・ ターゲット、例えば、量子ドット、水又は血液溶液内のナノ粒子又は微粒子(分光法、顕微鏡法、又はラボオンチップデバイス)。
・ 遠くに置かれたソースから自由空間伝播を介して又は導光システムを通じて伝来する周囲光、
・ ナノジェットコンポーネントに直接取り付けられた局所源(例えば、フォトダイオード又は光ファイバ)によって生成された光、
・ 他のフォーカシング素子によって生成された光ビーム
を扱うことができる。
上記の実施形態に加えて、以下の付記を開示する。
(付記1)
デバイスに入射する電磁波から近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成する前記デバイスであって、
少なくとも部分的に第1要素を有する誘電物質の少なくとも1つの層を有し、前記第1要素は、第1屈折率値を有し、前記第1要素は、少なくとも部分的に第2要素を有し、前該第2要素は、前記第1屈折率値よりも大きい第2屈折率値を有し、
前記少なくとも1つの集束ビームは、前記第1要素から、前記第2要素への方向において生成されたビームの結合から得られ、
前記少なくとも1つの集束ビームは、前記入射電磁波の伝播方向と比べて傾いている、
ことを特徴とするデバイス。
(付記2)
前記第2要素は、前記電磁波の到来方向に対して画定された少なくとも1つのベース面を有し、該少なくとも1つのベース面は、少なくとも2つの向かい合う稜線を有し、各稜線は、形状及び、前記少なくとも1つのベース面と前記第2要素の側面との間の関連する底角が、前記少なくとも1つのベース面に対する垂直面において、前記少なくとも1つの集束ビームの形状を制御する線である、
付記1に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記3)
前記第2要素は、
円筒、
角柱、
錐体
を含むグループに属する幾何学形状を有することを目標とされ、
前記幾何学形状は、任意の断面を有する、
付記1又は2に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記4)
前記幾何学形状は、傾いており、及び/又は頂部が平面で切断されており、及び/又は丸みのある上面を有する、
付記3に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記5)
前記少なくとも2つの向かい合う稜線の間の距離は、λ 2 が前記第2要素の物質内の前記電磁波の波長であるとして、少なくともλ 2 /2の最小長さを有する、
付記2乃至4のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記6)
夫々の線は、λ 2 が前記第2要素の物質内の前記電磁波の波長であるとして、少なくともλ 2 の長さを有する、
付記2乃至5のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記7)
前記誘電物質は、前記第2屈折率値に等しい第3屈折率値を有する、
付記1乃至6のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記8)
前記第1要素は、前記電磁波の到来方向に対して画定された少なくとも1つの第1ベース面と、前記誘電物質の少なくとも1つの層と接続された第1側面とを有し、
前記少なくとも1つのベース面の縁部の稜線の夫々と前記第1側面との間の最小距離は、前記第1要素内の前記電磁波の少なくとも2分の1波長に等しい、
付記2乃至7のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記9)
前記第1要素は、
円筒、
角柱、
錐体
を含むグループに属する幾何学形状を有することを目標とされ、
前記第1要素の幾何学形状は、任意の断面を有する、
付記1乃至8のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記10)
前記誘電物質の層と当接するサブストレートを形成する少なくとも1つの層を更に有する、
付記1乃至9のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記11)
スーパーストレートを形成する少なくとも1つの層を更に有し、
前記誘電物質の少なくとも1つの層は、前記サブストレートと前記スーパーストレートとの間にある、
付記10に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記12)
前記サブストレート及び前記スーパーストレートは、前記誘電物質の少なくとも1つの層と同じ誘電物質から作られる、
付記11に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記13)
夫々の誘電物質は、
ガラス、
プラスチック、
ポリマー材料
を含むグループに属する、
付記1乃至12のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記14)
前記スーパーストレートの材料は、
ガラス、
プラスチック、
ポリマー材料、
液体、
気体
を含むグループに属する、
付記1乃至13のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記15)
前記第1要素は、前記誘電物質の少なくとも1つの層において形成された空洞である、
付記1乃至14のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記16)
前記スーパーストレートが気体又は液体である場合に、前記空洞は、同じ気体又は液体で満たされる、
付記11及び15に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
(付記17)
前記第1要素のサイズは、前記少なくとも1つの集束ビームの形状を更に制御する、
付記1乃至16のうちいずれか一つに記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
Claims (17)
- デバイスに入射する電磁波から近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成する前記デバイスであって、
少なくとも部分的に第1要素を有する誘電物質の少なくとも1つの層を有し、前記第1要素は、第1屈折率値を有し、前記第1要素は、少なくとも部分的に第2要素を有し、前該第2要素は、前記第1屈折率値よりも大きい第2屈折率値を有し、
前記少なくとも1つの集束ビームは、前記第1要素から、前記第2要素への方向において生成されたビームの結合から得られ、
前記少なくとも1つの集束ビームは、前記入射電磁波の伝播方向と比べて傾いている、
ことを特徴とするデバイス。 - 前記第2要素は、前記電磁波の到来方向に対して画定された少なくとも1つのベース面を有し、該少なくとも1つのベース面は、少なくとも2つの向かい合う稜線を有し、各稜線は、形状及び、前記少なくとも1つのベース面と前記第2要素の側面との間の関連する底角が、前記少なくとも1つのベース面に対する垂直面において、前記少なくとも1つの集束ビームの形状を制御する線である、
請求項1に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記第2要素は、
円筒、
角柱、
錐体
を含むグループに属する幾何学形状を有することを目標とされ、
前記幾何学形状は、任意の断面を有する、
請求項1又は2に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記幾何学形状は、傾いており、及び/又は頂部が平面で切断されており、及び/又は丸みのある上面を有する、
請求項3に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記少なくとも2つの向かい合う稜線の間の距離は、λ2が前記第2要素の物質内の前記電磁波の波長であるとして、少なくともλ2/2の最小長さを有する、
請求項2乃至4のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 夫々の線は、λ2が前記第2要素の物質内の前記電磁波の波長であるとして、少なくともλ2の長さを有する、
請求項2乃至5のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記誘電物質は、前記第2屈折率値に等しい第3屈折率値を有する、
請求項1乃至6のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記第1要素は、前記電磁波の到来方向に対して画定された少なくとも1つの第1ベース面と、前記誘電物質の少なくとも1つの層と接続された第1側面とを有し、
前記少なくとも1つのベース面の縁部の稜線の夫々と前記第1側面との間の最小距離は、前記第1要素内の前記電磁波の少なくとも2分の1波長に等しい、
請求項2乃至7のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記第1要素は、
円筒、
角柱、
錐体
を含むグループに属する幾何学形状を有することを目標とされ、
前記第1要素の幾何学形状は、任意の断面を有する、
請求項1乃至8のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記誘電物質の層と当接するサブストレートを形成する少なくとも1つの層を更に有する、
請求項1乃至9のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - スーパーストレートを形成する少なくとも1つの層を更に有し、
前記誘電物質の少なくとも1つの層は、前記サブストレートと前記スーパーストレートとの間にある、
請求項10に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記サブストレート及び前記スーパーストレートは、前記誘電物質の少なくとも1つの層と同じ誘電物質から作られる、
請求項11に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 夫々の誘電物質は、
ガラス、
プラスチック、
ポリマー材料
を含むグループに属する、
請求項1乃至12のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記スーパーストレートの材料は、
ガラス、
プラスチック、
ポリマー材料、
液体、
気体
を含むグループに属する、
請求項1乃至13のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記第1要素は、前記誘電物質の少なくとも1つの層において形成された空洞である、
請求項1乃至14のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記スーパーストレートが気体又は液体である場合に、前記空洞は、同じ気体又は液体で満たされる、
請求項11及び15に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。 - 前記第1要素のサイズは、前記少なくとも1つの集束ビームの形状を更に制御する、
請求項1乃至16のうちいずれか一項に記載の、近距離領域内で少なくとも1つの集束ビームを形成するデバイス。
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