JP2019511001A - 製造プロセスを制御するための補正を計算する方法、メトロロジ装置、デバイス製造方法、及びモデリング方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図2
Description
[0001] 本出願は、2016年3月11日に出願された欧州特許出願第16159959.2号の優先権を主張する。これは参照により全体が本願に含まれる。
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定することと、
測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させることと、
適合させたプロセスモデルに少なくとも部分的に基づいて補正を計算することと、
を含み、補正の計算は、適合させたプロセスモデルに部分的に基づき、かつ、測定された性能パラメータに部分的に基づく。
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定するためのインスペクション装置と、
測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させ、製造プロセスにおける補正対象であるプロセス効果の推定を生成するための処理装置と、
を備え、処理装置は、適合させたプロセスモデルに部分的に基づき、かつ、測定された性能パラメータに部分的に基づいて、プロセス効果の推定を生成するように構成されている。
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定することと、
測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させることと、
基板上に存在するプロセス効果の推定を生成することと、
を含み、プロセス効果の推定は、適合させたプロセスモデル及び測定された性能パラメータの双方を用いて生成される。
[0057] 結論として、本開示は、元の測定データから有用な情報を失うことなくプロセスモデルを利用する、補正を規定する際に使用される推定を生成する方法を提供する。特に、極めて局所的なプロセス効果の場合、プロセスモデルの複雑さを過度に増すことなくこれらを考慮に入れることができる。
条項1.製造プロセスにおいて使用するための補正を計算する方法であって、
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定することと、
測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させることと、
適合させたプロセスモデルに少なくとも部分的に基づいて補正を計算することと、
を含み、補正の計算は、適合させたプロセスモデルに部分的に基づき、かつ、測定された性能パラメータに部分的に基づく、方法。
条項2.補正の計算は、測定ステップにおいてサンプリングされた1以上のロケーションでは主として測定された性能パラメータに基づき、かつ、他のロケーションでは主として適合させたプロセスモデルの値に基づく、条項1に記載の方法。
条項3.適合させたプロセスモデルは、測定された性能パラメータにおいて表現されたサンプリングロケーションよりも高いサンプリング密度で値を提供する、条項1又は2に記載の方法。
条項4.製造プロセスは、基板にパターンが適用されるリソグラフィパターニングステップを含み、計算された補正はパターニングステップで使用するためのものである、条項1から条項3のいずれかに記載の方法。
条項5.計算された補正は、適用されたパターンの位置決めの制御に使用するためのものである、条項4に記載の方法。
条項6.パターニングステップにおいて、パターンは各基板における複数のフィールドロケーションで繰り返し適用され、計算された補正はフィールドロケーションによって変化する、条項4又は5に記載の方法。
条項7.性能パラメータは複数の基板にわたって測定され、それらの基板からの測定値は測定性能パラメータとして使用するために組み合わされる、条項1から6のいずれかに記載の方法。
条項8.性能パラメータはオーバーレイである、条項1から7のいずれかに記載の方法。
条項9.製造プロセスの監視において使用するための測定を取得するためのメトロロジシステムであって、
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定するためのインスペクション装置と、
測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させ、製造プロセスにおける補正対象であるプロセス効果の推定を生成するための処理装置と、
を備え、処理装置は、適合させたプロセスモデルに部分的に基づき、かつ、測定された性能パラメータに部分的に基づいて、プロセス効果の推定を生成するように構成されている、メトロロジシステム。
条項10.処理装置は、インスペクション装置によって測定された1以上のロケーションでは主として測定された性能パラメータに基づき、かつ、他のロケーションでは主として適合させたプロセスモデルの値に基づいて、プロセス効果の推定を生成するように構成されている、条項9に記載のメトロロジシステム。
条項11.適合させたプロセスモデルは、測定された性能パラメータにおいて表現されたサンプリングロケーションよりも高いサンプリング密度で値を提供する、条項9又は10に記載のメトロロジシステム。
条項12.インスペクション装置は、多数の基板にわたって性能パラメータを測定するように構成され、処理装置は、プロセスモデルの適合において多数の基板からの測定値を組み合わせるように構成されている、条項9、10、又は11に記載のメトロロジシステム。
条項13.少なくとも1つの処理装置及びコントローラと組み合わせられ、コントローラは、生成されたプロセス効果の推定に基づいて補正を計算するように、更に、計算された補正を1以上の基板の処理において使用するよう処理装置を制御するように構成されている、条項9から12のいずれかに記載のメトロロジシステムを備える製造システム。
条項14.処理装置はリソグラフィ装置であり、コントローラは、基板にパターンが適用されるリソグラフィパターニングステップを制御するように構成されている、条項13に記載の製造システム。
条項15.計算された補正は適用されたパターンの位置決めの制御に使用するためのものである、条項14に記載の製造システム。
条項16.リソグラフィ装置は、各基板における複数のフィールドロケーションでパターンを繰り返し適用するように構成され、補正はフィールドロケーションによって変化する、条項14又は15に記載の製造システム。
条項17.基板上の1以上の層にパターンを適用することと、基板を処理して機能デバイスフィーチャを生成することと、を含むデバイス製造方法であって、層のうち少なくとも1つの処理は、条項1から8のいずれかに記載の方法によって計算された補正を用いて制御される、デバイス製造方法。
条項18.プログラマブルデータ処理装置を、条項9から12のいずれかに記載のメトロロジシステムの処理装置として機能させるための命令を含む、コンピュータプログラム製品。
条項19.基板における性能パラメータをモデリングする方法であって、
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定することと、
測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させることと、
基板上に存在するプロセス効果の推定を生成することと、
を含み、プロセス効果の推定は、適合させたプロセスモデル及び測定された性能パラメータの双方を用いて生成される、方法。
条項20.生成されたプロセス効果の推定は、測定ステップにおいて測定されたサンプリングロケーションのうち1つ以上では主として測定された性能パラメータに基づき、かつ、他のロケーションでは主として適合させたプロセスモデルの値に基づく、条項19に記載の方法。
条項21.適合させたプロセスモデルは、測定された性能パラメータにおいて表現されたサンプリングロケーションよりも高いサンプリング密度で値を提供する、条項19又は20に記載の方法。
条項22.性能パラメータは多数の基板にわたって測定され、多数の基板からの測定値はプロセスモデルの適合に使用するために組み合わされる、条項19、20、又は21に記載の方法。
条項23.プログラマブルデータ処理装置に、条項9から12のいずれかに記載の方法におけるプロセス効果の推定を生成させるための命令を含むコンピュータプログラム製品。
Claims (15)
- 製造プロセスにおいて使用するための補正を計算する方法であって、
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定することと、
前記測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させることと、
前記適合させたプロセスモデルに少なくとも部分的に基づいて前記補正を計算することと、
を含み、前記補正の前記計算は、前記適合させたプロセスモデルに部分的に基づき、かつ、前記測定された性能パラメータに部分的に基づく、方法。 - 前記補正の前記計算は、前記測定ステップにおいてサンプリングされた1以上のロケーションでは主として前記測定された性能パラメータに基づき、かつ、他のロケーションでは主として前記適合させたプロセスモデルの値に基づく、請求項1に記載の方法。
- 前記適合させたプロセスモデルは、前記測定された性能パラメータにおいて表現された前記サンプリングロケーションよりも高いサンプリング密度で値を提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記製造プロセスは、基板にパターンが適用されるリソグラフィパターニングステップを含み、前記計算された補正は前記パターニングステップで使用するためのものである、請求項1に記載の方法。
- 前記計算された補正は前記適用されたパターンの位置決めの制御に使用するためのものである、請求項4に記載の方法。
- 前記パターニングステップにおいて、前記パターンは各基板における複数のフィールドロケーションで繰り返し適用され、前記計算された補正は前記フィールドロケーションによって変化する、請求項4に記載の方法。
- 前記性能パラメータは複数の基板にわたって測定され、それらの基板からの測定値は前記測定性能パラメータとして使用するために組み合わされる、請求項1に記載の方法。
- 前記性能パラメータはオーバーレイである、請求項1に記載の方法。
- 製造プロセスの監視において使用するための測定を取得するためのメトロロジシステムであって、
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定するためのインスペクション装置と、
前記測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させ、前記製造プロセスにおける補正対象であるプロセス効果の推定を生成するための処理装置と、
を備え、前記処理装置は、前記適合させたプロセスモデルに部分的に基づき、かつ、前記測定された性能パラメータに部分的に基づいて、前記プロセス効果の推定を生成するように構成されている、メトロロジシステム。 - 前記処理装置は、前記インスペクション装置によって測定された1以上のロケーションでは主として前記測定された性能パラメータに基づき、かつ、他のロケーションでは主として前記適合させたプロセスモデルの値に基づいて、前記プロセス効果の推定を生成するように構成されている、請求項9に記載のメトロロジシステム。
- 前記インスペクション装置は、多数の基板にわたって性能パラメータを測定するように構成され、前記処理装置は、前記プロセスモデルの前記適合において前記多数の基板からの測定値を組み合わせるように構成されている、請求項9に記載のメトロロジシステム。
- 少なくとも1つの処理装置及びコントローラと組み合わせられ、前記コントローラは、前記生成されたプロセス効果の推定に基づいて補正を計算するように、更に、前記計算された補正を1以上の基板の処理において使用するよう前記処理装置を制御するように構成されている、請求項9に記載のメトロロジシステムを備える製造システム。
- 基板上の1以上の層にパターンを適用することと、前記基板を処理して機能デバイスフィーチャを生成することと、を含むデバイス製造方法であって、前記層のうち少なくとも1つの処理は、請求項1に記載の方法によって計算された補正を用いて制御される、デバイス製造方法。
- 基板における性能パラメータをモデリングする方法であって、
1以上の基板においてサンプリングロケーションで性能パラメータを測定することと、
前記測定された性能パラメータにプロセスモデルを適合させることと、
前記基板上に存在するプロセス効果の推定を生成することと、
を含み、前記プロセス効果の推定は、前記適合させたプロセスモデル及び前記測定された性能パラメータの双方を用いて生成される、方法。 - プログラマブルデータ処理装置に、請求項1又は14のいずれかに記載の方法における前記プロセス効果の推定を生成させるための命令を含むコンピュータプログラム製品。
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